JP3378852B2 - 加熱溶融処理装置 - Google Patents
加熱溶融処理装置Info
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Description
に関し、より詳しくは、半田の接合に使用される加熱溶
融処理装置に関する。
田バンプを形成する方法としては、メッキ法、印刷法、
半田ボール設置溶融法等がある。そして、半導体基板の
上に形成された半田バンプは、溶融されて配線等の被着
物に接合される。半田バンプを配線基板の端子に接続す
るような場合には、半田バンプを溶融するとともに、フ
ラックスを使用して端子表面の酸化膜を除去して清浄化
させるような方法が一般に採用されている。
ようなプロセスを経る。まず、端子、配線等の被着面に
塗布されて加熱されたフラックスは、被着面を活性化し
ながらその表面を被覆して新たな酸化を防止し、これに
より被着面の活性状態を維持する。また、被着面上で溶
融された半田は、被着面に広がるとともにフラックスの
一部を分解する。さらに、被着面上で半田を冷却する
と、半田は、凝固して被着面に接合され、残フラックス
と分解生成物は固化する。
てフラックスの除去に起因するものがある。即ち、被着
面を洗浄すべく、固化したフラックスをフロン、トリク
レン以外の有機溶剤により除去する方法が使用される
が、少量の有機溶剤では分解生成物が簡単に除去されな
いので、有機溶剤が大量に消費されることになる。
止、地下水の汚染防止の見地から既に使用が禁じられて
いる。また、他の有機溶剤も環境に悪影響を与えること
から、洗浄が不要な半田バンプ形成方法の開発が望まれ
ている。また、問題の2つ目として、半田溶融の最中
に、半田バンプの内部にボイドが形成されることがあげ
られる。この時に発生したボイドは、半導体装置の実装
後にも半田バンプ内に残されたままであり、半田バンプ
と被着物との接続の信頼線を損ねる。従って、半田バン
プでのボイドの発生を抑制する必要がある。
いてもフラックス又はフラックス含有ペーストを配線基
板等の表面に塗布した状態で、電子部品モジュールの端
子をその配線基板上に実装することが一般的である。実
装時には熱によりフラックスが分解して有毒ガスが発生
するので、作業の安全性を確保する必要がある。また、
フラックスの残渣としてハロゲン成分があると、基板内
の配線の腐食、マイグレーションが助長されるので徹底
的な洗浄が必要となり、製造コストを高くさせる要因と
なっている。
れている。第1に、減圧あるいは真空雰囲気の下で半田
をリフローする方法が、特開平4−220166号公
報、特開平5−211391、特開平6−29659号
公報、特開平7−79071号公報、特開平7−170
063号公報等に記載されている。その半田リフローに
用いられる装置は、例えば特開平4−220166号公
報では、予熱炉とリフロー本体炉がゲートを介して設置
され、それぞれに排気系を有し、予熱炉内に窒素ガスの
みを導入する機構になっている。
ーする方法が、特開平6−190584号公報、特開平
6−267632号公報、特開平7−164141号公
報に記載されている。その半田リフローに用いられる装
置は、不活性ガス、還元ガス、カルボン酸液及びジケト
ン溶液を直接加熱ゾーンに導入し、かつ、ジケトンを発
泡させる構造を有しているが、ゲートや排気装置を持た
ないで常圧雰囲気中で基板を加熱する機構となってい
る。
ーする方法が、特開昭62−102546号公報、特開
平2−41772号公報、特開平4−258737、特
開平6−190584号公報、特開平6−326448
号公報に記載されている。
囲気下での半田付け方法を用いても、被着面上に形成さ
れた酸化膜は容易に除去されないので、バンプの整形性
が劣悪になる。また、本発明者等は、単なる減圧雰囲に
することによるボイド発生の抑制効果について調査した
ところ、改善の結果は得られなかった。
てもボイド発生を抑制するような効果は全く得られなか
った。ところで、水素雰囲気中で半田付けを行うと、高
温での半田バンプのリフローには有効な場合もあるが、
半田バンプの下地となる電極パッドが水素を吸蔵するこ
とで電極パッドとその下の絶縁層との密着性が低下し、
電極パッドの剥離などの障害を起こす可能性が高くな
る。また、350℃以下の温度では、水素等によって実
質的に酸化膜を還元する力がないことは、特開平6−1
90584号公報に記載がある。
つ半田層にボイドを発生させずに半田バンプの形成がで
き、しかも半田バンプ整形後に洗浄が不要な半田バンプ
の形成のための加熱溶融処理装置を提供することにあ
る。
置は、被着物の上に半田バンプを形成する工程や、電子
部品の半田を被着物に実装する工程において、蟻酸を含
む減圧雰囲気内で半田を加熱溶融するか、又は、蟻酸を
半田表面に塗布した後に減圧雰囲気で半田を加熱溶融す
るためのものである。
去され、その表面に残渣が残らず、しかもバンプ表面形
状が良好になり、或いは半田接合部分の形状が良好にな
る上に、半田バンプや半田接合部分内でのボイドの発生
が抑制される。また、本発明によれば、被着物を脆化す
るような現象も発生しないので、被着物の剥離が防止さ
れる。更に、半田バンプの形成や半田接合の後の洗浄を
省略することが可能である。しかし、蟻酸が半田の表面
に残っている場合には、空気中で半田を再酸化するおそ
れがあるので、半田を加熱溶融ついで凝固した後に、半
田融点未満で且つ蟻酸沸点以上の温度で半田を加熱保持
することが好ましい。これにより、半田表面から蟻酸が
蒸発するので、半田の再酸化が防止される。
予め供給しておけば、半田の温度が徐々に上昇する過程
において蟻酸の還元が徐々に進むので、半田内に発生す
るボイド又は半田に存在するボイドが徐々に抜けて行
く。この結果、ボイドが一度に抜けることによって半田
の形状不良と半田の飛散が生じなくなる。上記した方法
は、例えば、半田が露出している加熱対象装置を入れる
ためのチャンバと、チャンバ内に取り付けられて半田を
加熱するためのヒータと、チャンバ内を減圧するための
排気手段と、チャンバ内に蟻酸を供給する蟻酸供給手段
とを有することを特徴とする加熱溶融処理装置によって
達成される。
を入れるためのチャンバと、チャンバ内に取り付けられ
て前記半田を加熱するためのヒータと、チャンバ内を減
圧するための排気手段と、チャンバ内に加熱対象装置を
挿入する前に蟻酸含有ガス又は蟻酸含有溶液を前記半田
に塗布する塗布手段とを有することを特徴とする加熱溶
融処理装置によって達成される。
手段の吸気又は排気側には蟻酸回収機構又は蟻酸分解機
構を設け又は取り付ける。蟻酸供給手段としては、蟻酸
を放出する管を有するとともにこの管の先端の近傍に蟻
酸の気化を助長する加熱手段を設けたものである。
熱溶融チャンバの排気側に蟻酸回収機構、蟻酸分解機構
を取り付けているので、蟻酸が空気中に飛散することが
未然に防止される。また、蟻酸をチャンバに放出する部
分に蟻酸を加熱する加熱機構を設けているので、蟻酸が
半田の表面に液滴状態になることを抑制して半田加熱溶
融後に半田表面に蟻酸が残りにくくなり、半田の再酸化
が防止される。
基づいて説明する。 (第1実施形態)本発明者等は、半田被着面、例えば電
極の表面、配線の表面と半田とを減圧又は真空雰囲気中
に置いて加熱するとともに、その雰囲気中にガス状のカ
ルボン酸を供給することにより、半田の溶融中に半田層
内に形成されるボイドを除去すると同時に半田被着面の
酸化膜を除去することを考えた。
クリル酸、プロピオン酸、プチリック酸、カプロン酸、
蓚酸、コハク酸、サリチル酸、マロン酸、エナント酸、
カプリル酸、ペラルゴン酸、乳酸、カプリン酸等があ
り、使用に際してはそれらから1つ選択するか、或いは
複数を選択して混合してもよい。それらの酸化銅への還
元作用については、次式で示される。なお、次式におい
て、Rは、水素又は各種炭化水素基を表している。
度対蒸気圧曲線は図1のようになる。
その沸点を超える温度、特に200℃以上の高温におい
て顕著になり、半田の酸化物およびニッケル(Ni)、銅
(Cu)の被着面の酸化物を容易に還元できる。そのた
め、被着面と半田は良好に接合される。還元に寄与した
カルボン酸は、また、フラックスを使用した場合のよう
に残渣を生じさせないので、半田付け後の洗浄は全く不
要になる。
ドは、被着面の酸化膜が除去されていないことに起因す
る濡れ不良か、或いは、半田加熱時に発生するガスが原
因である。このボイドは、カルボン酸を含む減圧雰囲気
で半田層を加熱溶融することにより、速やかに半田層内
に発生しなくなる。
程、或いは電子部品モジュールの半田と配線の接続工程
において、減圧雰囲気内で加熱中にカルボン酸を含む雰
囲気ガスを導入することにより、引火性のあるカルボン
酸ガスの雰囲気中濃度を充分に下げることができ、従来
技術よりも安全性が向上する。また、その減圧雰囲気内
に導入するカルボン酸の供給源として、沸点150℃以
下の有機溶媒、或いはジケトンのような溶液、或いは水
によりカルボン酸を希釈した材料を使用してもよく、水
を用いる場合にはより安価である。
酸化の程度を勘案して13Pa〜1 8000Pa、好ましく
は660Pa〜8000Paまでの広い範囲の中で決定すれ
ばよく、被着物表面の酸化の程度が軽い場合にはカルボ
ン酸ガスの導入量と成分量を下げて安全性や経済性を向
上させることができる。しかし、その圧力以上では、カ
ルボン酸は表1に示したように比較的低い発火点及び爆
発限界をもつので、ガスの発火若しくは爆発の危険性が
ある。従って、カルボン酸を供給する材料の発火点及び
爆発限界以下の条件で使用することが好ましい。
ば全圧1Torrの雰囲気中で10%以上必要である。カル
ボン酸だけを減圧雰囲気に導入して0.07Torrとした
ときに、半田バンプの下の金属膜表面の酸化物は除去さ
れない。次に、半田バンプを半導体基板(半導体ウェ
ハ)上に形成する工程について説明する。
タ等の半導体素子(不図示)が形成されたシリコン(半
導体)基板1の上に絶縁膜2を形成し、その上に電極パ
ッド3を形成する。その電極パッド3は、図では示され
ていないが絶縁膜2の上に複数形成されている。その電
極パッド3は、シリコン基板1に形成された半導体素子
に電気的に接続されている。また、絶縁膜2は、多層配
線間を絶縁するものであってもよいし、シリコン基板1
内の半導体素子を覆う絶縁膜であってもよい。
コン酸化膜を絶縁膜2と電極パッド3の上に形成した後
に、そのカバー膜4をフォトリソグラフィー法によりパ
ターニングして電極パッド3を露出する開口4aを形成
する。さらに、カバー膜4の開口4a内の電極パッド3
上とその周辺に、エリアアレイバンプとして下地金属膜
5を形成する。その下地金属膜5は、チタン(Ti)層とニ
ッケル(Ni)層を順に形成したものであり、上側のニッケ
ル層は被着物となり、その表面には図示していないが酸
化ニッケルが薄く形成されている。
5上には、電解メッキ法、無電解メッキ法、印刷法、半
田ボール設置溶融法等によってスズ鉛(PbSn)半田バン
プ6が配置される。図では半田バンプ6として半田ボー
ルを設置した状態を表している。次に、図2(b) に示す
ように、カルボン酸ガスを含む減圧雰囲気Aの中にシリ
コン基板1を入れ、ヒータHによって半田バンプ6を加
熱し、これにより半田バンプ6をリフローする。その減
圧雰囲気Aは、後述する実施形態においては加熱溶融チ
ャンバ内で形成される。
融する前の処理として、減圧雰囲気A内にカルボン酸を
ガス状又は液状にして導入してもよく、この前処理は後
述する各実施形態で採用してもよい。減圧雰囲気Aに
は、カルボン酸以外の還元ガスは導入されていない。こ
の環境下で、半田バンプ6を溶融して電極パッド3に密
着させた後に半田の融点以下になるまで温度を下げる。
なお、カルボン酸ガスの導入は、半田の溶融中に止めて
もよい。
ン基板1を減圧雰囲気Aから大気中に取り出して冷却す
る。以上のような工程と従来の工程を、半田組成、カル
ボン酸ガスの種類、減圧雰囲気Aの圧力、加熱温度、加
熱時間を変えた実験を繰り返して以下の表2のような実
験結果が得られた。
9.8mmの半導体チップの上に半田バンプを形成した実
験結果である。表2の試料1は、カルボン酸を含まない
減圧雰囲気下で半田バンプを加熱した実験結果であり、
半田バンプ形状は略球形状にならず、しかも、X線で半
田バンプ内部を観察したところ、ボイドの発生した半田
バンプが多発した。
ボン酸ガス、又はカルボン酸含有ガスを有する減圧雰囲
気下で半田バンプを加熱したもので、半田バンプの外形
は100%又はそれに近い確率で略球形となって良好と
なった。また、試料2〜7について、ボイドの発生率を
調べたところ、試料2を除いて、1%以下となった。そ
の試料2と試料3は同じ種類のカルボン酸、即ち蟻酸を
使用したにもかかわらず試料2のボイドの発生率が1
2.6%と高くなった。
酸を使用して、半田組成、雰囲気ガス、圧力、加熱時
間、加熱温度等を変えて半田を溶融したところ、表3の
ような結果が得られた。なお、表3では、参考例として
カルボン酸以外のガスを使用する場合についても示され
ている。
を使用した場合を示し、m.p (融点)以上の温度での加
熱保持時間を5分以上とした場合に、ボイドの発生率が
低くなって、それ以下の加熱保持時間、例えば3分とし
た場合にボイドの発生率が上がることが明らかになっ
た。それ以外は外観不良率、ボイド発生率ともに低くな
った。
酸を使用しない従来の例を示していて、いずれも外観不
良率、又は、ボイドの発生率が低くなっている。なお、
半田バンプが接続される構造は、上記した例に限られる
ものではなく、図3に示すような構造であってもよい。 (第2の実施の形態)第1実施形態で説明したような半
田バンプ形成のために使用される装置について、以下に
説明する。
形成に使用される装置を示す構成図である。図4に示し
た加熱溶融処理装置は、半導体装置が形成された半導体
ウェハ1を搬送する半導体装置搬送室10と、半導体ウ
ェハ1上の半田バンプ6を加熱する加熱溶融チャンバ1
1とを有し、半導体装置搬送室10と加熱溶融チャンバ
11はゲートバルブ12を介して接続されている。
加熱兼搬送用の加熱台11aが収納され、また、その上
方にはガス導入管11bが接続されている。その加熱台
11aは、内部に伝導熱式ヒータ11cを有している。
また、ガス導入管11bは、加熱溶融チャンバ11の外
側でガス導入機構11dに接続されていて、カルボン酸
ガス又はカルボン酸含有ガスは、ガス供給源11eから
ガス導入機構11d、ガス導入管11bを経て加熱溶融
チャンバ11内に導入される。なお、加熱台11aでの
半導体ウェハの搬送機構は省略されている。
設けられ、その排気口11fには排気装置11gが接続
されていて、排気装置11gによって加熱溶融チャンバ
11内を所定の圧力に減圧するようになっている。ま
た、加熱台11aには冷却モジュール11hが内蔵さ
れ、加熱温度プロファイルを厳密に管理できるような構
造となっている。
体ウェハ1を加熱溶融チャンバ11に搬送したり、加熱
溶融チャンバ11から搬出するための搬送機構10aが
設置され、これによりウェハ搬送処理時間を短くしてい
る。その搬送機構10aの代わりにアーム状のロボット
を配置してもよい。さらに、半導体装置搬送室10に
は、半導体ウェハ1を搬入、搬出する開口部にゲートバ
ルブ10cが取り付けられている。
10bを接続することにより、その内部を所望の圧力ま
で減圧して加熱溶融チャンバ11内での試料交換のタク
トを短縮するようになっている。その半導体装置搬送室
10に接続される排気装置10bは、場合によっては省
かれることもある。排気装置として、例えば水封ポン
プ、ソープションポンプ、ドライポンプ、油回転ポン
プ、油拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポン
プ、等のうち1つ以上を使用する。
ブ10c,12の開閉、加熱温度の調整、排気量調整、
ガス流量調整は、それぞれ図示しない制御回路により制
御される。上記した加熱溶融チャンバ11には、必要に
応じて真空ゲージ13が取り付けられる。その真空ゲー
ジ13は、カルボン酸含有ガスが導入される加熱溶融チ
ャンバ11内の圧力を管理して安全に作業することを可
能にする。
形成する場合には、図2(a) に示した状態の半田バンプ
6を搭載した半導体ウェハ1を半導体装置搬送室10を
通して加熱溶融チャンバ11の加熱台11aの上に搬送
し、その後にゲートバルブ12を閉じる。そして、第1
実施形態で説明した条件下で、半田バンプ6を図2(b)
に示すようにリフローする。さらに、半田バンプ6の接
合及び整形を終了した後に、ゲートバルブ12を開けて
半導体装置搬送室10を通して半導体ウェハ1を外部に
搬出する。
コイルヒータ、或いは後述する第6実施形態の赤外線等
ランプヒータを採用してもよい。それらのヒータは加熱
台11aの上、下又は上下双方のいずれかの位置に設置
される。即ち、本実施形態の加熱溶融処理装置による加
熱溶融の対象は半導体ウェハ1上の半田バンプ6であ
り、図2(a) に示した被着物5との接合をするために十
分な位置であればよい。 (第3の実施の形態)本実施形態では、加熱溶融チャン
バ11内にカルボン酸含有ガスを導入する機構として、
次のような構造を採用している。
溶液を恒温槽のような溶液気化装置14aに入れて気化
させ、その気化したカルボン酸含有ガスをガス圧力調整
部14b、ガス流量調整バルブ14c、ガス導入管11
bを介して加熱溶融チャンバ11内に導入するような構
造を採用している。そのような構造を採用することによ
り、液状の材料を使用できるのでコストが低減される。
しかも、ガス圧力調整部14bによって均一なガス圧力
を得ることができる、しかも、ガス流量調整バルブ14
cによれば、圧力ゲージ13とともに加熱溶融チャンバ
11内の圧力を厳密に管理でき、作業の安全性を高める
ことができる。
と加熱溶融チャンバ11の間に圧力調整機構15を設け
ると、加熱溶融チャンバ11内部へのガス導入量を抑え
ながら必要な内部圧力を得ることができ、カルボン酸含
有溶液の消費量を抑制する上で有効である。なお、図5
において、図4に示した符号と同一な符号は、同一の要
素を示している。 (第4の実施の形態)第2、第3の実施形態では、気化
したカルボン酸含有材料を加熱溶融チャンバ11内に導
入しているが、図6に示すように、液状のカルボン酸又
はカルボン酸含有材料を加熱溶融チャンバ11内に導入
してもよい。
部に配置した液槽16aにはカルボン酸溶液又はカルボ
ン酸含有溶液が貯えられている。そして、液糟16aの
給液口は、液流量調整バルブ16bと溶液/ミスト導入
管16cを介して加熱溶融チャンバ11の上部に接続さ
れている。なお、図6において、図4、図5に示した符
号と同一な符号は、同一の要素を示している。
a内のカルボン酸は、溶液/ミスト導入管16cを経て
加熱溶融チャンバ11内に導入される。そして、加熱溶
融チャンバ11内は加熱され、減圧されているために、
液状のカルボン酸は即座に気化してチャンバ11内部で
拡散する。また、液流量調整バルブ16bは、加熱溶融
チャンバ11内に液が必要以上に供給されることを抑制
し、圧力調整機構15とともに加熱溶融チャンバ内の圧
力を一定の値に抑制することができる。 (第5の実施の形態)第4実施形態に示す構造におい
て、加熱溶融チャンバ11内に不活性ガスを導入する場
合には、図7に示すような構造が採用される。なお、図
7において、図4〜図6に示した符号と同一の符号は、
同一の要素を示している。
部には不活性ガス供給源16dが配置され、その不活性
ガス供給源16dは不活性ガス導入管16eを介して混
合部16fに接続される。混合部16fは、溶液/ミス
ト導入管16cの途中に取り付けられている。不活性ガ
ス供給源16dには、例えば窒素、アルゴン、ヘリウ
ム、キセノン等の不活性ガスが封入されている。
給されたカルボン酸溶液と、不活性供給源16dから送
られた不活性ガスは、それぞれ混合部16f内で混合さ
れてミストとなる。そのミストは、溶液/ミスト導入管
16cを経て加熱溶融チャンバ11内に噴霧される。そ
して、加熱溶融チャンバ11内部は加熱、減圧されてい
るので、ミストは気化して内部で拡散する。
を下げる場合に効果がある。 (第6の実施の形態)第4の実施形態においては、加熱
手段として赤外線ランプヒータを使用してもよい。例え
ば図8に示すように、赤外線ランプヒータ17が、加熱
溶融チャンバ11の上部で半導体ウェハ1に対向する配
置されている。
短時間で半田バンプ6を加熱することができ、処理時間
が短縮される。なお、図7では、赤外線ランプヒータ1
7を半導体ウェハ1の上側に配置したが、半導体ウェハ
1の下側に配置しても、同様な効果が得られる。また、
冷却モジュール11hと併用することにより、第1実施
形態と同様に、温度プロファイルを厳密に管理すること
ができる。
形態と同じ構造を採用してもよい。 (第7の実施の形態)図9は、第7実施形態を示す装置
の構成図であり、図4〜図8と同じ符号は同じ要素を示
している。図9において、第2実施形態に示した加熱溶
融チャンバ11の基板搬送口にはそれぞれ第1、第2の
ゲートバルブ21、22を介して第1、第2の予備排気
室23,24が隣接されている。さらに、第1の予備排
気室23には第3のゲートバルブ25を介して搬入室2
6が隣接され、また、第2の予備排気室24には第4の
ゲートバルブ27を介して搬出室28が隣接されてい
る。
それぞれ排気装置30が接続されていて、それらの予備
排気室23,24内を所望の圧力まで減圧するようにな
っている。また、第1及び第2の予備排気室23,24
内にはそれぞれ搬送機構31が取り付けられている。第
1の予備排気室23の搬送機構31の下と上には、半導
体ウェハ1を予備加熱するための予備加熱機構32、3
3が取り付けられており、加熱溶融チャンバ11内での
加熱対象物(基板、ウェハ)の加熱の立上がり時間を短
くしている。予備加熱機構32,33は、上記した実施
形態のように赤外線ランプヒータであってもよいし伝導
熱式ヒータ、コイルヒータであってもよい。
26内に入れられた半導体ウェハ1は、第3のゲートバ
ルブ25を通して第1の予備排気室23内の搬送機構3
1の上に載置される。そして、第1の予備排気室23内
では、予備加熱機構32,33によって半導体ウェハ1
が予備加熱されるとともに、排気装置30によって室内
が所定の圧力まで減圧される。この場合の加熱温度は半
田バンプ6が溶融しない温度に設定される。
き、半導体ウェハ1を搬送機構31によって加熱溶融チ
ャンバ11の加熱台11aの上に送る。加熱溶融チャン
バ11内では、第1及び第2のゲートバルブ21,22
を閉じた状態で、内部を排気装置11gによって所定の
圧力まで減圧し、その内部にカルボン酸ガス又はカルボ
ン酸含有ガスを導入した状態で、ヒータ11c、17に
よって半導体ウェハ1及び半田バンプ6を加熱して、半
田バンプ6を図2(a) に示すように下地金属膜5に接続
するとともに、半田バンプ6をリフローする。その半田
バンプ6の接続・リフロー条件は、第1実施形態に従っ
て行われる。
えた後に、半田バンプ6の加熱を停止し、融点以下に温
度を下げた後に第2のゲートバルブ22を開いて半導体
ウェハ1を加熱溶融チャンバ11から減圧状態の第2の
予備排気室24まで搬送し、ついで、第2のゲートバル
ブ22を閉じる。半導体ウェハ1は、第2の予備排気室
24で所定の温度まで低減された後に、第4のゲートバ
ルブ27を開いて搬出室28へ搬送される。
を一方向に定めることにより、加熱溶融チャンバ11へ
のウェハ連続供給が可能になり、半田バンプ形成の量産
性が増す。なお、図9では、カルボン酸ガスを加熱溶融
チャンバ11内に導入する機構として、第4実施形態で
採用した構造、即ち、カルボン酸溶液等を入れる液糟1
6aと液流量調整バルブ16b、溶液/ミスト導入管1
6c、不活性ガス供給源16d、不活性ガス導入管16
e、混合部16fを有する構造を採用している。
てカルボン酸ガスの分圧を下げる必要がない場合には、
第3実施形態で示したように、不活性ガス供給源16
d、不活性ガス導入管16e、混合部16fを省略して
もよく、この場合にも、カルボン酸溶液は加熱溶融チャ
ンバ11内に供給されて即座にガス化する。また、カル
ボン酸ガスを加熱溶融チャンバ11内に導入する機構と
して、第2実施形態で採用したように、ガス供給源11
eからガス導入機構11d、ガス導入管11bを経て加
熱溶融チャンバ11内に導入するような機構を採用して
もよい。 (第8の実施の形態)第2〜第7の実施形態では、半田
バンプ形成について説明したが、本実施形態では、電子
部品モジュールの組立について説明する。
7実施形態で説明したと同じ構造の加熱搬送装置を使用
する。まず、図11(a) に示すように、一面に複数の半
田バンプ41が突出形成された電子部品40を用い、そ
の電子部品40は配線基板42に搭載されて電子部品モ
ジュールを構成する。この場合、電子部品40の半田バ
ンプ41は、配線基板42上の銅又は金よりなる配線4
3の上に位置決めされた状態となっている。
示した半田バンプ構造を有する半導体素子、或いはBG
A(ball grid array) パッケージ、その他のデバイスが
ある。また、配線基板42としては、セラミック配線基
板、プリント配線基板、或いは、耐熱温度が200℃を
越える絶縁材料からなる基板等がある。そのように、配
線基板42上に電子部品40を搭載した状態で、配線基
板43と電子部品40を図10に示した搬入室26内に
入れる。 次に、第3のゲートバルブ23を通して配線
基板42及び電子部品40を第1の予備排気室23の搬
送機構31の上に載置する。そして、第1の予備排気室
23内では、予備加熱機構32,33によって電子部品
40と配線基板42が予備加熱されるとともに、排気装
置30によって室内が所定の圧力まで減圧される。この
場合の加熱温度は半田バンプ41が溶融しない温度に設
定される。
き、配線基板42及び電子部品40を搬送機構31を用
いて加熱溶融チャンバ11の加熱台11aの上に移動す
る。加熱溶融チャンバ11内では、第1及び第2のゲー
トバルブ21,22を閉じて排気装置11gによって所
定の圧力まで減圧され、少なくともカルボン酸ガスを導
入した状態で、ヒータ11c,17によって半田バンプ
41と配線43を半田融点以上の温度に加熱する。これ
により、電子部品40の半田バンプ41は、図11(b)
に示すように配線基板42の配線43に接続するととも
にリフローされる。この場合、配線基板42の配線43
上に形成された酸化物は少なくともカルボン酸を含む雰
囲気ガスによって除去されるので、半田バンプ41と配
線43の接合は安定する。その際に発生するガスは、速
やかに減圧雰囲気中に拡散して半田バンプ41内から除
去され、結果としてボイドの無い接合部が得られる。
実施形態に示した半田バンプ形成と同じ条件で行われ
る。そのような接合を終えた後に、半田融点以下の温度
になった時点で、第2のゲートバルブ22を開いて配線
基板42と電子部品40を加熱溶融チャンバ11から第
2の予備排気室24まで搬送した後に、第2のゲートバ
ルブ22を閉じる。半田バンプ41を介して電子部品4
0が接続された配線基板42は、第2の予備排気室24
で所定の温度まで低減された後に、第4のゲートバルブ
27を開いて搬出室28へ搬送される。
了する。なお、電子部品40を配線基板42上に取り付
けるための装置は、図10に示すような構成に限定され
るものではなく、図4〜図8に示したような装置、ある
いは後述する実施形態で示される装置を用いてもよい。
次に、配線基板42の配線をニッケル又は銅から構成
し、カルボン酸の有無、カルボン酸の種類、加熱温度、
半田バンプ材料、圧力、配線基板材料、絶縁材料を変え
て、接合部でのボイドの発生率と接合外観形状の歩留ま
りについて調べたところ表4のような結果が得られた。
その絶縁材料は、図2(c) に示した絶縁膜2又はカバー
膜4を構成する材料であり、又は、図3に示したように
開口4aから引き出された下地金属膜5を覆う絶縁保護
膜7である。この場合、半田バンプ6は、絶縁保護膜7
に形成された開口を通して半田バンプ6と下地金属膜5
が接続される。図2(c) 、図3の構造は、図11(a) の
電子部品40が半導体装置である場合に対応している。
査される。
る試料1に比べて、カルボン酸の導入により半田バンプ
接合形状の歩留まりは向上し、半田バンプ内でのボイド
発生率も大幅に低減されることが明らかになった。ま
た、半田組成の広い範囲に渡って、最適なカルボン酸の
選定と導入条件の設定により、極めて高い品質を得るこ
とが可能になる。また、それらの組成や条件の変更は、
本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更しても充分に効果
が上げられる。 (第9の実施の形態)カルボン酸として蟻酸を減圧雰囲
気中に導入して半田(半田バンプ)を加熱溶融した後に
は、半田の加熱溶融後に蟻酸の一部が加熱分解されずに
減圧雰囲気中に残留することがある。そして、還元に寄
与しなかった蟻酸の未反応分が半田表面に残ると、その
未反応分が空気中で半田を再酸化させることがある。
除去するために、図12に示すようなフローチャートに
従った半田の加熱溶融処理を行う。まず、図2(a) に示
したようにシリコン基板1上の下地金属膜(被着物)5
の上に半田バンプ6を形成する。半田バンプ6は、Pb9
5:Sn5、共晶Pb-Sn 、Sn-3.5Agのいずれかの組成の半田
材料から形成される。その後に、図2(b) に示したよう
にシリコン基板1を減圧雰囲気に入れる。これにより、
図12のaに示すように、半田バンプ6と下地金属膜5
は減圧雰囲気中に置かれる。
酸を減圧雰囲気中に導入した後に、半田バンプ6を半田
融点以上の温度で数十秒間、加熱溶融して半田バンプ6
を下地金属膜5に接合するとともに、半田バンプ6を整
形し、半田バンプ6内でのボイドの発生を防止する。さ
らに、図12のd,eに示すように、半田バンプ6の加
熱温度を半田融点未満であって蟻酸沸点以上の温度まで
下げて半田バンプ6を凝固した後に、その温度を持続さ
せる。この温度持続中には減圧雰囲気の排気を継続させ
る。その排気によって、減圧雰囲気中の蟻酸の圧力は徐
々に小さくなり、半田バンプ6表面とその周囲のカバー
膜4表面に付着していた蟻酸を蒸発させて、半田バンプ
6とカバー膜4から蟻酸を実質的に除去する。
田バンプ6の温度を半田融点以下で蟻酸沸点以上に所定
時間保持した後に、半田バンプ6の温度を蟻酸の沸点未
満、例えば室温まで下げた後にシリコン基板1を減圧雰
囲気から大気に取り出す。以上のような工程によって被
着物5に接合された半田バンプ6は再酸化されることは
無かった。
囲気において、室温まで下げられた半田と、約6分で1
10℃の温度に保たれた半田と、約4分で200℃の温
度に保たれた半田のそれぞれについて、減圧雰囲気から
大気中に取り出し、さらに空気中に1週間放置した。そ
して、加熱溶融後の温度処理の異なる半田表面の酸化状
態を半田材料毎に調査した。その調査の際には、半田の
加熱溶融後に減圧雰囲気を排気したか否かの違いによる
半田の酸化への影響と、加熱溶融後の減圧雰囲気の圧力
の変化による半田の酸化への影響を併せて調査した。
に取り出すまでの間に、室温まで冷却された半田は、1
週間経過後にその表面がひどく酸化されたのに対して、
所定時間で110℃以上に保たれた半田は、1週間経過
後もその表面での酸化が発見されなかった。これは、半
田表面に付着した蟻酸が、半田凝固後の加熱により蒸発
したことによるものと考えられる。蟻酸の大気中の沸点
は101℃付近で、半田の保持温度はこれより高くする
必要がある。また、減圧雰囲気中では蟻酸の沸点は下が
るので、減圧雰囲気中の沸点より高い温度であれば蟻酸
は除去されるが、沸点に近いほど熱保持時間を長くする
必要がある。
半田の温度を蟻酸の沸点以上に保持する場合に、減圧雰
囲気の圧力を高くすると減圧雰囲気に混入するガスの純
度によっては半田の表面がその後に酸化され易くなるの
で、半田の凝固後には減圧雰囲気を1500Pa以下に制
御することが好ましい。また、表5によれば、減圧雰囲
気内のガスを排気せずに半田の凝固後の温度を蟻酸の沸
点以上に保持すると、半田表面はその後に酸化され易く
なるので、半田の凝固後の加熱時には減圧雰囲気は排気
状態にあることが好ましい。
板上の金属面に接合する場合にのみ採用されるものでは
なく、電子部品上に形成された半田層を配線基板の配線
に接合する場合にも適用される。 (第10の実施の形態)半田層を加熱溶融して金属面に
接合する場合に、金属面の酸化膜が除去されないことに
起因する濡れ性の不良、或いは、接合時に発生するガス
が原因となって半田層中にガスが入り、そのガスが半田
層に残るとボイドとなって金属面との接合不良の原因と
なる。また、半田層内に存在したボイドが、半田層と金
属の接合後にも残ることもある。そのようなボイドの発
生は、蟻酸を含む減圧雰囲気中において半田層を加熱溶
融することによって防止される。しかし、溶融状態の半
田層内からガスが抜ける際に半田の一部が飛散したり、
或いは半田の整形不良が引き起されることがまれにあ
る。
防止するために、図13に示すようなフローチャートに
従った半田の加熱溶融処理を行う。まず、図2(a) に示
したようにシリコン基板1上の下地金属膜(被着物)5
の上に半田バンプ6を形成する。半田バンプ6は、Pb9
5:Sn5、共晶Pb-Sn 、Sn-3.5Agいずれかの組成の半田材
料から形成される。続いて、図2(b) に示したようにシ
リコン基板1を減圧雰囲気に入れる。これにより、図1
3のaに示すように、半田バンプ6と下地金属膜5は減
圧雰囲気中に置かれる。
半田融点未満の温度、例えば半田融点よりも20〜40
℃低い温度で半田バンプ6を加熱し、その加熱状態で蟻
酸を半田バンプ6に供給する。次に、図13のdに示す
ように、半田バンプ6を徐々に半田融点以上の温度に上
げる。その温度上昇の最中には、半田バンプ6表面の酸
化膜は徐々に除去されるとともに、半田バンプ6内に発
生する又は存在するガスは徐々に脱泡される。これによ
り、半田バンプ6からの半田の飛散と半田バンプ6の整
形不良がともに生じなくなる。
減圧雰囲気内のガスを排気しながら半田融点未満で蟻酸
沸点以上の範囲の温度に半田バンプ6の加熱温度を下
げ、その温度を所定時間保持すると、半田バンプ6の表
面の蟻酸は除去されてその後にその表面が酸化されにく
くなる。さらに、図13のgに示すように、半田バンプ
6の温度を室温まで下げた後にシリコン基板1を減圧雰
囲気から取り出す。
半田を溶融している最中ではなく、半田溶融前であって
半田融点よりも数十度低い温度で半田を加熱している状
態が最適である。そして、蟻酸導入の後に半田の温度を
徐々に半田融点又はそれ以上に上昇させると、半田と金
属面とが正常な形状で接合される。そこで、蟻酸導入の
際の半田の適正温度について調査したところ、表6に示
すような結果が得られた。表6によれば、半田融点(m.
p.)又はそれ以上の温度で半田層を加熱した状態で蟻酸
を半田層に供給したところ、その後に蟻酸沸点以上且つ
半田融点未満の温度に半田を保持し、減圧雰囲気を10
Paと低く設定し、減圧雰囲気を排気した場合でも、半田
のボイドの発生率が高くなった。この場合のボイドとい
うのは、半田の形状不良によるものである。
の形状の歩留まりは変化し、半田の溶融前に導入すれば
ボイド発生率も大幅に低減されることが明らかになっ
た。表6の実験の際には、蟻酸を窒素ガスと混合して噴
霧したが、窒素の代わりにアルゴン、ヘリウム、キセノ
ン等の不活性ガスを使用してもよい。また、蟻酸のみを
減圧雰囲気中に導入してもよい。さらに、沸点が半田凝
固後の保持温度よりも低い溶剤、例えばエタノールを気
化して蟻酸に混合して減圧雰囲気中に導入してもよい。
ど、溶融前の半田層にボイドが多く含まれる場合には、
蟻酸を導入する前に半田層を溶融してボイドを一旦抜い
た後に、半田層をその融点以下の温度まで下げてから図
13に示すフローに従って半田層を金属面に接合する
と、1回の工程でボイドを効果的に抑制できる。さら
に、半田層が印刷法で金属層の上に仮付着された場合に
も図13に示すフローに従った半田層と金属層との接合
は有効であるが、その場合、印刷ペーストにフラックス
が添加されていると溶融前に半田層を洗浄を行う必要が
ある。そこで、半田層を印刷法で形成する場合には、好
ましくはフラックスを用いない印刷ペーストを使用する
べきである。
の金属面に接合する場合にのみ採用されるものではな
く、電子部品上に形成された半田層を配線基板の配線に
接合する場合にも適用される。 (第11の実施の形態)蟻酸は、金属腐食性が高いの
で、第2〜第8実施形態で示した加熱溶融チャンバ等に
接続されるガス導入管、排気管等を腐食するおそれがあ
る。また、蟻酸は室温になると凝結するので、排気ポン
プからそのまま空気中に放出するのは好ましくない。さ
らに、基板又は半田層に蟻酸を不均一に供給すると、複
数の半田層の形状がばらついてしまう。
し、蟻酸を空気中に放出することを抑制し、又は蟻酸を
基板上に均一に供給するための種々の機構を有する加熱
溶融処理装置について、以下に説明する。図14は、第
11実施形態に係る加熱溶融処理装置の構成図であっ
て、図4と同じ符号は同じ要素を示している。
実施形態と同様に、半導体ウェハ1を搬送する半導体装
置搬送室10と、半導体ウェハ1上の半田バンプ6を加
熱する加熱溶融チャンバ11とを有し、半導体装置搬送
室10と加熱溶融チャンバ11はゲートバルブ12を介
して接続されている。加熱溶融チャンバ11内には、全
体がSUS304のステンレスから構成されるか又は内面がテ
フロン(登録商標)加工されたガス導入管18aが接続
されている。そのガス導入管18aは、加熱溶融チャン
バ11の外側でガス供給機構18bに接続されていて、
ガス供給機構18bから供給された蟻酸ガス又は蟻酸含
有ガスは、ガス導入管18aを経て加熱溶融チャンバ1
1内の減圧雰囲気に導入される。ガス導入管18aを通
るガス流量はマスフローコントローラ18cによって調
整される。
液化を防止するためのヒータ19aが取り付けられてい
る。図15(a) は、ガス導入管18aの排出端の外周を
ヒータ19aで覆うことにより、ガス導入管18aを加
熱する構造を示している。蟻酸の液化を防止するために
は、図15(a) に示す構造の代わりに、図15(b) に示
すように、ガス導入管18aの排出端の先方に間隔を置
いてヒータ19bを配置してもよく、このヒータ19b
はガス導入管18aから放出されたガスを加熱する構造
を示している。これによれば、加熱溶融チャンバ11内
の減圧雰囲気での蟻酸の分布を均等化して、半導体ウェ
ハ1上の複数の半田バンプ6のそれぞれに均一な量で蟻
酸を与えることができる。複数の半田バンプ6に均一量
で蟻酸が供給されると、各半田バンプ6の加熱溶融後の
形状が揃うので、図2(b) で示した半田バンプ6と下地
金属層5との接合の歩留まりが向上する。
体ウェハ1の上を通過した蟻酸は、排気口11fから排
気装置50によって排気される。その排気装置50は、
加熱溶融チャンバ11の排気口11fに第1の排気管5
0aを介して接続される排気ポンプ50bと、排気ポン
プ50bの排気側に第2の排気管50cを介して接続さ
れる蟻酸回収機構(カルボン酸回収機構)50dとを有
している。
すように、第2の排気管50cを液糟50e内の溶液5
0fに挿入するとともに、液糟50eの上部に第3の排
気管50gを接続した構造を有している。その液糟50
e内の溶液50fとして、蟻酸を容易に溶かす水又はア
ルコールが用いられている。なお、第1、第2の排気管
50a,50cは、全体をSUS304のステンレスから形成
するか、又は内面がテフロン加工された構造を有してい
る。
ガス導入管18aと排気管50a,50cのそれぞれの
内面はステンレス又はテフロン被膜から構成されている
ので、蟻酸に対して耐食性があり、装置の保守が楽にな
る。また、排気ポンプ50bから排出された蟻酸は、蟻
酸回収機構50dを通過する際に溶液50fに溶けるの
で、蟻酸回収機構50dから空気中に排気されたガスの
蟻酸濃度は極めて低くなる。
にはヒータ19a,19bを配置したので、ガス導入管
18aを通過する際に冷却されて液化した蟻酸が僅に存
在しても、その蟻酸はヒータ19a,19bによって再
び気化されるので、半導体ウェハ1及び半田バンプ6上
に蟻酸が残らないようにすることができる。ヒータ19
a、19bの設定温度は50℃〜110℃の範囲で最も
効果が期待できる。ヒータ19a、19bによる加熱温
度を上げ過ぎると、液化された蟻酸が突沸して破裂した
り、或いは蟻酸が分解するおそれがあるので注意を要す
る。
第2実施形態と同様に、伝熱式ヒータ11cを使用する
だけでなく、加熱溶融チャンバ11内の上部に赤外線ラ
ンプヒータ17を配置して、温度上昇を赤外線ランプヒ
ータ17に担わせるようにしてもよい。伝熱式ヒータ1
1cだけでは熱容量が大きく、冷却を速やかに行うこと
が困難であるが、赤外線ランプヒータ17を配置するこ
とにより、半田バンプ6の溶融時の加熱を補助し、その
後の半田バンプ6の冷却を迅速に、例えば1分以内で融
点以下まで下げることが可能である。即ち、赤外線ラン
プヒータ17は、半田バンプ6の温度の制御性を良くす
るために配置される。
管50aに取り付けられた圧力調整機構を示している。
ところで、排気ポンプ50bの排気側に蟻酸回収機構5
0dを設けることにより、空気中への蟻酸の拡散を抑制
することが可能になるが、排気ポンプ50b内に蟻酸が
滞留すると、排気ポンプ50bは腐食して耐用年数を短
くしてしまう。
幾つかの方法を以下に示す。まず、第1の方法として
は、排気ポンプ50bの排気機構、例えば図17(a)に
示すようなスクリュー50hの表面にテフロン50iを
被覆する構造を採用する。第2の方法としては、図17
(b) に示すようにスクリュー50hを110℃以上で加
熱して排気ポンプ50b内に蟻酸が滞留しない機構を採
用する。
に、加熱溶融チャンバ11の排気口11fと排気ポンプ
50bの間に蟻酸分解機構51を配置する構造を採用す
る。その蟻酸分解機構51は、図19(a),(b) に示すよ
うに、SUS304のステンレスからなる円柱体51aを有
し、その円柱体51aには円柱軸方向に伸びる貫通孔5
1bが複数形成されている。また、円柱体51aはヒー
タ51cに囲まれた状態で円筒状のステンレス製の筐体
51dに収容されている。また、その筐体51dの両端
には貫通孔51cに通じるガス導入口51eとガス排気
口51fが形成されている。ガス導入51eとガス排気
口51fのそれぞれの外側にはフランジ51g、51h
が形成されている。一方のフランジ51gは、第1の排
気管50aに接続され、また、他方のフランジ51hは
排気ポンプ50bに接続されている。なお、ステンレス
性の円柱体51aに複数の貫通孔51bを設ける代わり
に、ステンレス製の細い管を平行に複数束ねて配置して
もよい。
ヒータ51cによってステンレス製の円柱体51a内の
貫通孔51b内部が200〜300℃となるように加熱
される。そして、加熱溶融チャンバ11の排気口11f
から排出された蟻酸は、貫通孔51bを通過する間に水
と炭素に分解されて排気ポンプ50bに排出される。蟻
酸は200℃以上に加熱されれば分解を始めるので、排
気されたガスは腐食性を失う。したがって、図18に示
した装置では、排気ポンプ50bには蟻酸回収機構が接
続されていない。しかし、さらなる空気中への蟻酸の拡
散を防止するために図16に示した蟻酸回収機構50d
を排気ポンプ50bの排気側に取り付けてもよい。
を導入するために、図14,図18に示したようなガス
導入管18aとガス供給機構18bを設ける代わりに、
第4実施形態に示したような液糟16aを流量調整バル
ブ16b及び溶液/ミスト導入管16cを介して加熱溶
融チャンバ11に接続してもよい。例えば図20に示す
ように、加熱溶融チャンバ11の外部に配置した液槽1
6aには蟻酸又は蟻酸含有溶液が貯えられている。そし
て、液糟16aの給液口は液流量調整バルブ16bと溶
液/ミスト導入管16cを介して加熱溶融チャンバ11
の上部に接続されている。また、ガス導入管16cの近
傍には、図15(a)又は図15(b) に示すようにヒータ
19a,19bが取り付けられている。
入管16cから放出されたカルボン酸は、減圧された加
熱溶融チャンバ11内で気化するとともに、溶液/ミス
ト導入管16cの排気端近傍のヒータ19a,19bに
よって加熱されて蒸発して気化がさらに促進される。こ
の場合にも、ヒータ19a,19bの加熱温度は50〜
110℃の範囲で最も蒸発効果が期待できる。ただし、
ヒータ19a,19bによる加熱温度を上げ過ぎると、
蟻酸のミストが突沸して破裂したり、或いは蟻酸が分解
するおそれがあるので注意を要する。
導入管16cの途中に不活性ガスの混合部16fを取り
付け、その不活性ガス混合部16fには不活性ガス導入
管16eを介して不活性ガス供給源16dを接続しても
よい。不活性ガス供給源16dには、例えば窒素、アル
ゴン、ヘリウム、キセノン等の不活性ガスが封入されて
いる。溶液/ミスト導入管16cの流量はマスフローコ
ントローラ16gによって調整される。
供給された蟻酸と、不活性供給源16dから送られた不
活性ガスは、混合部16f内で混合されてミストとな
る。ミストは、溶液/ミスト導入管16cの近傍に配置
されたヒータ19a,19bによって気化が促進され
る。図20、図21に示した装置においても、図19に
示した蟻酸分解機構(カルボン酸分解機構)51を排気
ポンプ50と第1の排気管50aの間に介在させてもよ
い。
室10から搬送された半導体ウェハ1は加熱溶融チャン
バ11内で処理した後に、再び搬送室10に戻されるの
で、構造上、装置にかかる費用が軽減される。これに対
して、その処理時間を短くしたい場合には、図22に示
すように、ヒータ19a,19bと蟻酸回収機構50d
を有する加熱溶融チャンバ11に2つの基板搬送口を設
け、それらの基板搬送口に図9に示した第1、第2の予
備排気室23,24を配置するようにしてもよい。この
ような構造を採用することにより、半導体ウェハ1の搬
送方向を一方向に定めて加熱溶融チャンバ11へのウェ
ハ連続供給が可能になり、半田バンプ形成の量産性が増
す。なお、図22において、図9と同じ符号は同じ要素
を示している。
内において蟻酸をガスの流れに沿って半導体ウェハ1上
に供給している。蟻酸を半導体ウェハ1上の半田バンプ
6に供給する機構としては、その他の構造を採用しても
よい。例えば図23に示すように、加熱溶融チャンバ1
1と予備排気室24の間に蟻酸(カルボン酸)供給室3
4を設け、蟻酸供給室34と予備排気室24の間にゲー
トバルブ35を取り付ける。そして蟻酸供給室34で加
熱台11aを移動可能に配置し、その蟻酸供給室34の
上部の中央領域に蟻酸ミストスプレー16xを取り付け
る構造を採用してもよい。そのような機構によれば、半
導体ウェハ1を載置した加熱台11aを予備排気室24
から加熱溶融チャンバ11に移動する最中に、蟻酸ミス
トスプレー16xから放出された蟻酸液又は蟻酸含有溶
液を半導体ウェハ1上に供給して塗布する。なお、蟻酸
供給室34は減圧されることが好ましい。
半田バンプ6への蟻酸の供給を全体に一様に塗布するこ
とが可能になる。なお、半田バンプ6を加熱溶融し、凝
固した後に、半田バンプ6表面に残った蟻酸は、第9及
び第10の実施形態に記載した方法によって除去され
る。また、蟻酸供給室34を加熱溶融チャンバ11の前
に配置する場合には、加熱溶融チャンバ11への蟻酸を
共有する機構は省略してもよい。 (第12の実施の形態)上記した加熱溶融チャンバを複
数並列に配置するとともに、それらの加熱溶融チャンバ
の事前/事後加熱機構を共通化した装置を以下に説明す
る。
電子部品等の試料wを収納する試料ストッカー52に第
1のゲートバルブ53を介して隣接された試料搬送室5
4内には、搬送機構54aと事前/事後加熱機機構54
bが配置されている。その搬送機構54aは、第1のゲ
ートバルブ53を開いた状態で事前/事後加熱機構54
b上の試料wを試料ストッカー52に出し入れする構造
を有している。
加熱溶融チャンバ55,56にそれぞれ第2、第3のゲ
ートバルブ57,58を介して接続されている。試料搬
送室54内の搬送機構54aは、第2のゲートバルブ5
7を開いた状態で試料wを事前/事後加熱機構54bか
ら第1の加熱溶融チャンバ55内の加熱台11aへ又は
その加熱台11aから事前/事後加熱機構54bへと試
料を搬送したり、又は第3のゲートバルブ58を開いた
状態で試料wを事前/事後加熱機構54bから第2の加
熱溶融チャンバ56内の加熱台11aへ又はその加熱台
11aから事前/事後加熱機構54bへと試料wを搬送
するように制御される。試料搬送室54には、その室内
を減圧するための排気機構59が接続されている。
5,56において、図14と同じ符号は同じ要素を示し
ている。上記した装置において、試料搬送室54と試料
ストッカー52の間で試料を出し入れする際には第1の
ゲートバルブ53は開閉され、また、第1の加熱溶融チ
ャンバ55に試料wを出し入れする際には第2のゲート
バルブ57が開閉され、さらに、第2の加熱溶融チャン
バ56に試料2を出し入れする際には第3のゲートバル
ブ58が開閉される。
の加熱溶融チャンバ55,56内を排気機構50によっ
て所定の圧力まで減圧する。そのような状態で、試料ス
トッカー52内の試料w、例えば半導体ウェハ1を試料
搬送室54内に入れた後に、その試料搬送室54内を所
定圧力まで減圧し、さらに、搬送機構54aを操作して
半導体ウェハ1を事前/事後加熱機構54b上に載置し
て所定の温度まで加熱する。続いて、加熱された半導体
ウェハ1を搬送機構54aを用いて第1の加熱溶融チャ
ンバ55内の加熱台11a上に載置する。
チャンバ55内で処理している間に試料ストッカー52
内の別の半導体ウェハ1を搬送機構54aにより試料搬
送室54内に搬入し、ついで試料搬送室54内を所定圧
力まで減圧し、さらに、搬送機構54aを操作して半導
体ウェハ1を試料搬送室54内の事前/事後加熱機構5
4b上に載置して所定の温度まで予備加熱する。
送機構54aを用いて第2の加熱溶融チャンバ56内の
加熱台11a上に載置する。半導体ウェハ1を第2の加
熱溶融チャンバ56内に搬送している間に、第1の加熱
溶融チャンバ55内では蟻酸が導入されて半導体ウェハ
1上の半田バンプ6は加熱溶融され、さらに凝固され
る。そして、第2の加熱溶融チャンバ56内で半導体ウ
ェハ1が処理されている間に、第1の加熱溶融チャンバ
55内の半導体ウェハ1は、搬送機構54aによって事
前/事後加熱機構54b上に戻されて所定温度に後加熱
された後に、試料ストッカー52に戻される。搬送機構
54aはさらに別の半導体ウェハ1を試料ストッカー5
2から取り出して事前/事後加熱機構54b上に搬送す
る。そして、加熱された半導体ウェハ1は第1の加熱溶
融チャンバ55内に搬送される。
チャンバ56内の半導体ウェハ1を事前/事後加熱機構
54b上に戻し、所定条件で加熱した後に試料ストッカ
ー52に戻す。その後に、搬送機構54aは試料ストッ
カー52から未処理の半導体ウェハ1を取り出し、事前
/事後加熱機構54b上に載せた後にさらに第2の加熱
溶融チャンバ56内の加熱台11aに載せる。
動作は繰り返し行われ、一方の加熱溶融チャンバ55
(56)内で試料を処理している間に、他方の加熱溶融
チャンバ56(55)内への半導体ウェハ1の入れ替え
が行われるので、処理効率が高くなり、時間当たりの処
理枚数が増加する。ところで、図24、図25に示した
装置は、加熱溶融チャンバ55,56内への試料wの搬
入と加熱溶融チャンバ55,56からの試料wの搬出は
同じ経路となっているので、場所を取らず、構造も複雑
ではない。しかし、加熱溶融チャンバ55,56に対す
る試料wの搬入と搬出を同時に行うことができないの
で、加熱溶融チャンバ55,56内での処理時間によっ
ては、試料wの搬出と搬入がスムーズにできなくなるお
それがある。
数の加熱溶融チャンバの試料の搬入側と搬出側に共通の
搬入室と搬送室を別々に設けてもよい。図26、図27
において、第1の加熱溶融チャンバ61の試料搬入側と
試料搬出側にはそれぞれ第1のゲートバルブ62と第2
のゲートバルブ63が取り付けられ、第2の加熱溶融チ
ャンバ64の試料搬入側と搬出側にはそれぞれ第3のゲ
ートバルブ65と第4のゲートバルブ66が取り付けら
れている。
61,64は、それぞれ第1及び第3のゲートバルブ6
2,65を介して共通の試料搬入室67に接続されてい
る。試料搬入室67内には、搬送機構67aと事前加熱
機構67bと供給用の試料ストッカー67cが配置さ
れ、さらに、排気機構67dが接続されている。また、
第1及び第2の加熱溶融チャンバ61,64は、それぞ
れ第2及び第4のゲートバルブ63,66を介して共通
の試料搬出室68に接続されている。試料搬出室68内
には、搬送機構68aと事後加熱機構68bと回収用の
試料ストッカー68cが配置され、さらに、排気機構6
8dが接続されている。
じ符号は同じ要素を示している。図26、図17に示し
た装置の試料搬入室67内において、供給用の試料スト
ッカー67c内の試料w、例えば半導体ウェハ1は、搬
送機構67aによって事前加熱機構68b上に置かれて
所定条件で加熱された後に、搬送機構67aによって第
1又は第3のゲートバルブ62,65を通して第1又は
第2の加熱溶融チャンバ61,64内の加熱台11a上
に載置される。また、第1又は第2の加熱溶融チャンバ
61,64内で処理を終えた半導体ウェハ1は、第2又
は第4のゲートバルブ63,66を通して試料搬出室6
8内の搬送機構68aによって事後加熱機構68b上に
置かれて所定条件で加熱された後に、回収用の試料スト
ッカー68cに収納される。
1,64の搬入側に試料搬入機構を設け、搬出側に試料
搬出機構を設けているので、試料の出し入れが同時にで
きたり試料ストッカー67cの交換サイクルが短くなる
等、処理時間が短縮される。なお、第9〜第12実施形
態においては、半田の加熱溶融の際に蟻酸を使用した
が、その他のカルボン酸を用いてもよい。
料として、錫40 at.%以下の鉛錫半田、錫を80 at.
%以上含み鉛を含まない半田、インジウムを40 at.%
以上含む半田、鉛又はスズを含む半田、鉛スズ半田、ス
ズ銀含有半田、等がある。 (付記1)半導体装置の金属膜の上に半田層を形成する
工程と、カルボン酸を含み且つ減圧された雰囲気中に前
記半導体装置及び前記半田層を配置する工程と、前記雰
囲気中で前記半田層を加熱溶融する工程とを有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 (付記2)前記カルボン酸は蟻酸であり、前記蟻酸は、
前記半田層を加熱溶融する前に前記半田層上に供給され
る特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。 (付記3)前記カルボン酸は蟻酸であり、前記半田層を
加熱溶融した後に半田融点未満で且つ蟻酸沸点以上の範
囲の第1の温度で前記半田を所定時間保持することを特
徴とする付記1又は付記2に記載の半導体装置の製造方
法。 (付記4)半導体装置の金属膜の上に半田層を形成する
工程と、減圧された雰囲気中で蟻酸を含む混合溶液を前
記半田層上に塗布する工程と、前記半田層を加熱溶融す
る工程と、半田融点未満で且つ蟻酸沸点以上の第1の温
度で前記半田層を所定時間保持する工程とを有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 (付記5)前記蟻酸は、蟻酸を含む混合溶液を前記雰囲
気に導入することによって前記半田層上に供給されるこ
とを特徴とする付記2、付記4に記載の半導体装置の製
造方法。 (付記6)前記混合溶液は、不活性ガスと混合されて前
記雰囲気に導入されることを特徴とする付記5に記載の
半導体装置の製造方法。 (付記7)前記第1の温度で前記半田層を保持する際に
は、前記雰囲気中の圧力を1500Pa以下に設定する
ことを特徴とする付記3、付記4のいずれかに記載の半
導体装置の製造方法。 (付記8)前記第1の温度で前記半田層を保持する際に
は、前記雰囲気は排気されていることを特徴とする付記
3、付記4、付記7のいずれかに記載の半導体装置の製
造方法。 (付記9)前記雰囲気には、還元剤としてカルボン酸の
みが導入されることを特徴とする付記1に記載の半導体
装置の製造方法。 (付記10)前記カルボン酸は、カルボン酸を溶解した
溶液を気化して得られるか、カルボン酸を含む混合液を
気化して得られることを特徴とする付記1に記載の半導
体装置の製造方法。 (付記11)前記混合液には、沸点150℃以下の有機
溶媒、又は水を用いることを特徴とする付記10に記載
の半導体装置の製造方法。 (付記12)前記半田バンプの組成は、錫40%以下の
鉛錫半田、錫を80%以上含んで且つ鉛を含まない半
田、インジウムを40%以上含む半田のいずれかである
ことを特徴とする付記1〜付記11のいずれかに記載の
半導体装置の製造方法。 (付記13)前記半田バンプを加熱溶融する前処理とし
て、前記カルボン酸を含むガス又は前記カルボン酸を含
む混合溶液を前記雰囲気中に導入することを特徴とする
付記1に記載の半導体装置の製造方法。 (付記14)電子部品から露出した半田を被着物の上に
載せる工程と、カルボン酸を含み且つ減圧された雰囲気
中に前記電子部品及び前記被着物を配置して前記半田と
前記被着物を加熱して接合する工程とを有することを特
徴とする電子部品の実装方法。 (付記15)前記カルボン酸は蟻酸であり、前記半田を
加熱溶融する前に前記半田上に前記蟻酸が供給されるこ
とを特徴とする付記14に記載の電子部品の実装方法。 (付記16)前記カルボン酸は蟻酸であり、前記半田を
加熱溶融した後に半田融点未満で且つ蟻酸沸点以上の第
1の温度で前記半田を所定時間保持することを特徴とす
る付記14又は付記15に記載の電子部品の実装方法。 (付記17)前記蟻酸は、蟻酸を含む混合溶液を前記雰
囲気に導入することによって前記半田上に供給されるこ
とを特徴とする付記15又は付記16に記載の電子部品
の実装方法。なお、前記第1の温度で前記半田層を保持
する際には、前記雰囲気は排気されていることを特徴と
する付記16に記載の電子部品の実装方法であってもよ
い。 (付記18)前記被着物は、セラミック基板、プリント
基板、又は耐熱温度200℃以上の絶縁層のいずれかの
上に表出された金属膜であることを特徴とする付記14
に記載の電子部品の実装方法。 (付記19)前記雰囲気は、還元性ガスとしてカルボン
酸のみを導入することを特徴とする付記14に記載の電
子部品の実装方法。 (付記20)前記半田バンプを加熱溶融する前処理とし
て、前記カルボン酸を含むガス又は前記カルボン酸を含
む混合溶液を前記雰囲気中に導入することを特徴とする
付記14に記載の電子部品の実装方法。 (付記21)半田が露出している加熱対象装置を入れる
ためのチャンバと、前記チャンバ内に取り付けられて前
記半田を加熱するためのヒータと、前記チャンバ内を減
圧するための排気手段と、前記チャンバ内にカルボン酸
を供給するカルボン酸供給手段とを有することを特徴と
する加熱溶融処理装置。 (付記22 )前記カルボン酸供給手段は、前記チャンバ
に接続され且つ前記カルボン酸に対して耐食性を有する
管を有していることを特徴とする付記21に記載の加熱
溶融処理装置。 (付記23)前記カルボン酸供給手段は、前記カルボン
酸を放出する管を有するとともに、該管の先端の近傍に
は前記カルボン酸の気化を助長する加熱手段が設けられ
ていることを特徴とする付記21に記載の加熱溶融処理
装置。 (付記24)前記加熱手段は50〜110℃の範囲で加
熱温度が設定されることを特徴とする付記23に記載の
加熱溶融処理装置。 (付記25)前記カルボン酸供給手段は、カルボン酸溶
液を気化させる構造、又は、カルボン酸溶液と不活性ガ
スを混合させる構造のいずれかを有することを特徴とす
る付記21に記載の加熱溶融処理装置。 (付記26)半田が露出している加熱対象装置を入れる
ためのチャンバと、前記チャンバ内に取り付けられて前
記半田を加熱するためのヒータと、前記チャンバ内を減
圧するための排気手段と、前記チャンバ内に前記加熱対
象装置を挿入する前にカルボン酸又はカルボン酸含有溶
液を前記半田に塗布する塗布手段とを有することを特徴
とする加熱溶融処理装置。 (付記27)前記塗布手段は、ミスト状に噴霧された前
記カルボン酸又は前記カルボン酸含有溶液を含む領域を
通過させる手段であることを特徴とする付記26に記載
の加熱溶融処理装置。 (付記28)前記カルボン酸は蟻酸であって、前記排気
手段の吸気又は排気側には蟻酸を回収する回収機構が設
けられ又は取り付けられていることを特徴とする付記2
1又は付記26に記載の加熱溶融処理装置。 (付記29)前記回収機構は、前記チャンバから排気さ
れたガスを溶液中に通す構造を有していることを特徴と
する付記28記載の加熱溶融処理装置。 (付記30)前記溶液は水又はアルコールであることを
特徴とする付記29に記載の加熱溶融処理装置。 (付記31)前記カルボン酸は蟻酸であって、前記排気
手段の吸気又は排気側には蟻酸を分解する分解機構が設
けられ又は取り付けられていることを特徴とする付記2
1又は付記26に記載の加熱溶融処理装置。 (付記32)前記分解機構は、前記チャンバから排気さ
れるガスを200℃以上に加熱する構造を有しているこ
とを特徴とする付記27に記載の加熱溶融処理装置。 (付記33)前記チャンバには別のチャンバが隣接さ
れ、それらのチャンバには前記加熱溶融対象装置を搬送
する搬送機構が設けられていることを特徴とする付記2
1又は付記26に記載の加熱溶融処理装置。 (付記34)前記別のチャンバには予備加熱機構が設け
られていることを特徴とする付記33に記載の加熱溶融
処理装置。
溶融装置においては、(1) 前記排気手段は、蟻酸に対し
て耐腐食性を有する排気ポンプであり、または、(2) 前
記ヒータによって加熱溶融した後、前記加熱対象装置を
1分以内に前記半田の融点以下に冷却する冷却機構をさ
らに有するものであり、または、(3) 前記カルボン酸供
給手段は、カルボン酸ガス供給機構、又はカルボン酸混
合溶液供給機構であってもよく、(4) または、前記チャ
ンバには、冷却機構、真空ゲージ、圧力調整機構の少な
くとも1つを有してもよく、また、(5) 前記カルボン酸
ガス供給機構、又はカルボン酸混合溶液供給機構には、
流量調整機構が取り付けられていてもよい。
物の上に半田バンプを形成する工程や、電子部品の半田
を被着物に実装する工程において、蟻酸を含む減圧雰囲
気内で半田を加熱溶融する機構を設けたので、被着物の
表面の酸化膜が除去され、残渣が残らず、バンプ表面形
状を良好にし、或いは半田接合部分の形状を良好にする
ことができる。しかも、半田バンプや半田接合部分内で
のボイドの発生を抑制できる。さらにも、被着物を脆化
するような現象も発生せず、被着物の剥離を防止でき
る。
装置において、加熱溶融チャンバの排気側に蟻酸回収機
構、蟻酸分解機構を取り付けているので、蟻酸が空気中
に飛散することを防止できる。また、蟻酸をチャンバに
放出する部分に蟻酸を加熱する加熱機構を設けているの
で、蟻酸が半田の表面に液滴状態になることを抑制して
半田加熱溶融後に半田表面に蟻酸が残りにくくなり、半
田の再酸化が防止される。
の関係を示す図である。
ンプの形成工程を示す断面図である。
田バンプを示す断面図である。
プ加熱溶融に使用される加熱溶融処理装置の構成図であ
る。
プ加熱溶融に使用される加熱溶融処理装置の構成図であ
る。
プ加熱溶融に使用される加熱溶融処理装置の構成図であ
る。
プ加熱溶融に使用される加熱溶融処理装置の構成図であ
る。
プ加熱溶融に使用される加熱溶融処理装置の構成図であ
る。
プ加熱溶融に使用される加熱溶融処理装置の構成図であ
る。
実装に使用される加熱溶融処理装置の一例を示す構成図
である。
実装を示す断面図である。
示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
用される加熱溶融処理装置の第1例を示す構成図であ
る。
の蟻酸ガス又は蟻酸溶液の加熱機構を示す側面図であ
る。
の蟻酸回収機構を示す構成図である。
の排気ポンプに使用されるスクリューの構造を示す側面
図である。
用される加熱溶融処理装置の第2例を示す構成図であ
る。
に使用される蟻酸回収機構を示す断面図である。
用される加熱溶融処理装置の第3例を示す構成図であ
る。
用される加熱溶融処理装置の第4例を示す構成図であ
る。
用される加熱溶融処理装置の第5例を示す構成図であ
る。
に使用される蟻酸供給室の構成図である。
の第1例を示す上面図である。
の第1例を示す側面図である。
の第2例を示す上面図である。
の第2例を示す側面図である。
極パッド、4…カバー膜、5…下地金属膜(被着物)、
6…半田バンプ、10…半導体装置搬送室、11…加熱
溶融チャンバ、11a…加熱台、11b…ガス導入管、
11c…ガス供給源、11d…ガス導入機構、11e…
ガス供給源、11f…排気口、11g…排気装置、11
h…冷却器、12…ゲートバルブ、13…真空ゲージ、
14a…溶液気化装置、14b…ガス圧力調整部、14
c…ガス流量調整バルブ、15…圧力調整機構、16a
…液糟、16b…液流量調整バルブ、16c…溶液/ミ
スト導入管、16d…不活性ガス供給源、16e…不活
性ガス導入管、16f…混合部、17…赤外線ランプヒ
ータ、18a…ガス導入管、18b…ガス供給機構、1
8c…マスフローコントローラ、19a,19b…ヒー
タ、21,22,27…ゲートバルブ、23,24…予
備排気室、25…ゲートバルブ、26…搬入室、28…
搬出室、30…排気装置、31…搬送機構、32、33
…予備加熱機構、34…蟻酸供給室、40…電子部品モ
ジュール、41…半田バンプ、42…配線基板、43…
配線、50…排気装置、50a,50c,50g…排気
管、50b…排気ポンプ、50d…蟻酸回収機構、51
…蟻酸分解機構、52…試料ストッカー、53,57,
58…ゲートバルブ、54…試料搬送室、54a…搬送
機構、54b…事前/事後加熱機構、55,56…加熱
溶融チャンバ、61,65…加熱溶融チャンバ、62,
63,65,66…ゲートバルブ、67…試料搬入室、
67a…搬送機構、67b…事前加熱機構、67c…試
料ストッカー、68…試料搬出室、68a…搬送機構、
68b…事後加熱機構、68c…試料ストッカー。
Claims (13)
- 【請求項1】半田が露出している加熱対象装置を入れる
ためのチャンバと、 前記チャンバ内に取り付けられて前記半田を加熱するた
めのヒータと、 前記チャンバ内を減圧するための排気手段と、 前記チャンバ内に蟻酸を供給する管を有するとともに、
該管から供給される蟻酸の気化を助長する加熱器を有す
る蟻酸供給手段と、 前記排気手段の吸気又は排気側に設けられ又は取り付け
られて、気化した蟻酸を溶液に溶かして回収する回収機
構と を有することを特徴とする加熱溶融処理装置。 - 【請求項2】前記管は、前記チャンバに接続され且つ前
記蟻酸に対して耐食性を有する材料からなることを特徴
とする請求項1に記載の加熱溶融処理装置。 - 【請求項3】前記加熱器は50〜110℃の範囲で加熱
温度が設定されることを特徴とする請求項1又は請求項
2に記載の加熱溶融処理装置。 - 【請求項4】前記蟻酸供給手段は、蟻酸溶液を気化させ
る構造、又は、蟻酸溶液と不活性ガスを混合させる構造
のいずれかを有することを特徴とする請求項1に記載の
加熱溶融処理装置。 - 【請求項5】半田が露出している加熱対象装置を入れる
ためのチャンバと、 前記チャンバ内に取り付けられて前記半田を加熱するた
めのヒータと、 前記チャンバ内を減圧するための排気手段と、 前記チャンバ内に前記加熱対象装置を挿入する前に蟻酸
又は蟻酸含有溶液を前記半田に塗布する塗布手段と、 前記排気手段の吸気又は排気側に設けられ又は取り付け
られて、気化した蟻酸を溶液に溶かして回収する回収機
構と を有することを特徴とする加熱溶融処理装置。 - 【請求項6】前記塗布手段は、ミスト状に噴霧された前
記蟻酸又は前記蟻酸含有溶液を含む領域を通過させる手
段であることを特徴とする請求項5記載の加熱溶融処理
装置。 - 【請求項7】前記回収機構は、前記チャンバから排気さ
れたガスを溶液中に通す構造を有していることを特徴と
する請求項1又は請求項5記載の加熱溶融処理装置。 - 【請求項8】前記溶液は水又はアルコールであることを
特徴とする請求項7に記載の加熱溶融処理装置。 - 【請求項9】半田が露出している加熱対象装置を入れる
ためのチャンバと、 前記チャンバ内に取り付けられて前記半田を加熱するた
めのヒータと、 前記チャンバ内を減圧するための排気手段と、 前記チャンバ内に蟻酸を供給する管を有するとともに、
該管から供給される蟻酸の気化を助長する加熱器を有す
る蟻酸供給手段と、 吸気又は排気側に設けられ又は取り付けられて、蟻酸を
分解する分解機構と を有することを特徴とする加熱溶融
処理装置。 - 【請求項10】半田が露出している加熱対象装置を入れ
るためのチャンバと、前記チャンバ内に取り付けられて
前記半田を加熱するためのヒータと、 前記チャンバ内を減圧するための排気手段と、前記チャ
ンバ内に前記加熱対象装置を挿入する前に蟻酸又は蟻酸
含有溶液を前記半田に塗布する塗布手段と、 吸気又は排気側に設けられ又は取り付けられて、蟻酸を
分解する分解機構と を有することを特徴とする加熱溶融
処理装置。 - 【請求項11】前記分解機構は、前記チャンバから排気
されるガスを200℃以上に加熱する構造を有している
ことを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の加熱
溶融処理装置。 - 【請求項12】前記チャンバには別のチャンバが隣接さ
れ、それらのチャンバには前記加熱溶融対象装置を搬送
する搬送機構が設けられていることを特徴とする請求項
1,5,9,10に記載の加熱溶融処理装置。 - 【請求項13】前記別のチャンバには予備加熱機構が設
けられていることを特徴とする請求項12に記載の加熱
溶融処理装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014109528A1 (ko) * | 2013-01-08 | 2014-07-17 | (주)에스티아이 | 반도체 웨이퍼의 연속 처리방법 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4956963B2 (ja) * | 2005-11-02 | 2012-06-20 | 富士通セミコンダクター株式会社 | リフロー装置、リフロー方法、および半導体装置の製造方法 |
JP5262045B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2013-08-14 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 電極の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
US7890043B2 (en) * | 2007-12-18 | 2011-02-15 | Palo Alto Research Center Incorporated | Pressure-controlled steam oven for asymptotic temperature control of continuous feed media |
JP5378078B2 (ja) | 2009-06-19 | 2013-12-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP5424201B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2014-02-26 | アユミ工業株式会社 | 加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法 |
JP5602421B2 (ja) * | 2009-12-14 | 2014-10-08 | 三菱電機株式会社 | はんだ接合装置 |
JP5495044B2 (ja) * | 2010-05-10 | 2014-05-21 | 日立化成株式会社 | 緻密な金属銅膜の製造方法及びそれに用いる液状組成物、それから得られる緻密な金属銅膜、導体配線、熱伝導路、接合体 |
JP5807221B2 (ja) | 2010-06-28 | 2015-11-10 | アユミ工業株式会社 | 接合構造体製造方法および加熱溶融処理方法ならびにこれらのシステム |
JP5967551B2 (ja) * | 2011-11-24 | 2016-08-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | フリップチップボンディング装置 |
JP5778731B2 (ja) * | 2012-09-17 | 2015-09-16 | ピーエスケー・インコーポレーテッド | 連続線形熱処理装置の配列 |
JP6124255B2 (ja) * | 2013-07-08 | 2017-05-10 | 三菱電機株式会社 | リフロー装置 |
JP5548813B1 (ja) | 2013-09-30 | 2014-07-16 | オリジン電気株式会社 | ギ酸分解用装置、半田付け装置、ギ酸の分解方法 |
JP5557951B1 (ja) * | 2013-11-01 | 2014-07-23 | オリジン電気株式会社 | 分解機構を備える半田付け装置および分解方法 |
JP6058523B2 (ja) * | 2013-11-28 | 2017-01-11 | オリジン電気株式会社 | 半田付け方法及び半田付け装置 |
JP5661957B1 (ja) | 2014-01-22 | 2015-01-28 | オリジン電気株式会社 | カルボン酸ガス濃度の推定方法及び半田付け装置 |
JP5946488B2 (ja) * | 2014-04-10 | 2016-07-06 | オリジン電気株式会社 | ギ酸分解用装置における触媒活性診断方法 |
JP2020150202A (ja) | 2019-03-15 | 2020-09-17 | キオクシア株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6879482B1 (ja) * | 2020-01-09 | 2021-06-02 | 株式会社オリジン | 酸化物除去済部材の製造方法及び酸化物除去装置 |
-
2000
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014109528A1 (ko) * | 2013-01-08 | 2014-07-17 | (주)에스티아이 | 반도체 웨이퍼의 연속 처리방법 |
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