JP3378236B2 - 非可逆回路素子 - Google Patents
非可逆回路素子Info
- Publication number
- JP3378236B2 JP3378236B2 JP2000373940A JP2000373940A JP3378236B2 JP 3378236 B2 JP3378236 B2 JP 3378236B2 JP 2000373940 A JP2000373940 A JP 2000373940A JP 2000373940 A JP2000373940 A JP 2000373940A JP 3378236 B2 JP3378236 B2 JP 3378236B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit device
- shield case
- input
- reciprocal circuit
- internal terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/36—Isolators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波材料に
用いられる非可逆回路素子(ISOLATOR)の部品を挿し込む
シールドケース内側にガーネットフェライトと内部端子
のストリップ線路を介在させて強磁性体(Sr-Ferrite)を
挿し込み、上記シールドケースの外側周縁の基板上に3
個の誘電体素子及びチップ抵抗を実装してから、接続端
子部を形成することにより、非可逆回路素子のシールド
ケース内部にガーネットフェライト及び内部端子のスト
リップ線路を介在させて強磁性体を安着させ、漏れ磁束
の遮蔽効果を増大しながら非可逆回路素子のサイズをコ
ンパクトに形成し、部品の組立性を向上させながら作業
工程を簡素化させる非可逆回路素子に関するものであ
る。
用いられる非可逆回路素子(ISOLATOR)の部品を挿し込む
シールドケース内側にガーネットフェライトと内部端子
のストリップ線路を介在させて強磁性体(Sr-Ferrite)を
挿し込み、上記シールドケースの外側周縁の基板上に3
個の誘電体素子及びチップ抵抗を実装してから、接続端
子部を形成することにより、非可逆回路素子のシールド
ケース内部にガーネットフェライト及び内部端子のスト
リップ線路を介在させて強磁性体を安着させ、漏れ磁束
の遮蔽効果を増大しながら非可逆回路素子のサイズをコ
ンパクトに形成し、部品の組立性を向上させながら作業
工程を簡素化させる非可逆回路素子に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般的に公知の従来の非可逆回路素子は
無線機器のパワーアンプモジュールとアンテナスイッチ
の間に挿入され、アンテナスイッチから反射する信号源
を吸収してパワーアンプモジュールを保護することに用
いられている。
無線機器のパワーアンプモジュールとアンテナスイッチ
の間に挿入され、アンテナスイッチから反射する信号源
を吸収してパワーアンプモジュールを保護することに用
いられている。
【０００３】図９は非可逆回路素子を含んだシステムの
一部の構成を図示したブロック図であり、ここに図示の
とおり送信信号(Tx)はパワーアンプモジュール(POWER A
MP MODULE)(15)で増幅されてから低域フィルタ(低域濾
波器:LOW PASS FILTER)(14)でフィルターリングされた
後、アンテナスイッチ(12)を通してアンテナ(11)に送ら
れて上記アンテナ(11)から送出される。
一部の構成を図示したブロック図であり、ここに図示の
とおり送信信号(Tx)はパワーアンプモジュール(POWER A
MP MODULE)(15)で増幅されてから低域フィルタ(低域濾
波器:LOW PASS FILTER)(14)でフィルターリングされた
後、アンテナスイッチ(12)を通してアンテナ(11)に送ら
れて上記アンテナ(11)から送出される。
【０００４】一方、受信信号(Rx)はアンテナ(11)により
電波を受信し、これをアンテナスイッチ(12)を経て帯域
フィルタ(帯域濾波器:BAND PASS FILTER)(16)で特定周
波数帯域の信号をフィルターリングして受信する。一般
的に非可逆回路素子(13)は無線機器のパワーアンプモジ
ュール(15)とアンテナスイッチ(12)の間に挿入され、ア
ンテナスイッチ(12)から反射する信号源を吸収してパワ
ーアンプモジュール(15)を保護する。
電波を受信し、これをアンテナスイッチ(12)を経て帯域
フィルタ(帯域濾波器:BAND PASS FILTER)(16)で特定周
波数帯域の信号をフィルターリングして受信する。一般
的に非可逆回路素子(13)は無線機器のパワーアンプモジ
ュール(15)とアンテナスイッチ(12)の間に挿入され、ア
ンテナスイッチ(12)から反射する信号源を吸収してパワ
ーアンプモジュール(15)を保護する。
【０００５】図１０は非可逆回路素子の基本等価回路を
示した回路図であり、ここで、図示のとおり入力端子は
伝送部のパワーアンプモジュール(15)の出力部と結合し
て高周波の送信信号(Tx)が入力され、内部端子(22)に連
結されて入力された高周波の送信信号(Tx)が内部端子(2
2)に伝送される。入力端子と接地との間には入力キャパ
シター(C1)が連結されている。出力端子は内部端子(22)
に連結されるとともに、アンテナスイッチ(12)に連結さ
れて入力された高周波の信号が最終的にアンテナ(11)を
通じて伝送される。
示した回路図であり、ここで、図示のとおり入力端子は
伝送部のパワーアンプモジュール(15)の出力部と結合し
て高周波の送信信号(Tx)が入力され、内部端子(22)に連
結されて入力された高周波の送信信号(Tx)が内部端子(2
2)に伝送される。入力端子と接地との間には入力キャパ
シター(C1)が連結されている。出力端子は内部端子(22)
に連結されるとともに、アンテナスイッチ(12)に連結さ
れて入力された高周波の信号が最終的にアンテナ(11)を
通じて伝送される。
【０００６】上記出力端子と接地との間にも出力キャパ
シター(C2)が連結されている。内部端子(22)と接地との
間にはグラウンドキャパシター(C3)と50Ωの縦断抵抗
(R)が並列に連結されている。パワーアンプモジュール
(15)から入力端子を通じて伝送されて内部端子を通じて
出力端子へ伝送される信号は、出力端子と連結したアン
テナスイッチ(12)から返送されて入力部へ戻ってしまう
のを内部端子(22)において縦断抵抗(R)を通して接地で
シンクする。
シター(C2)が連結されている。内部端子(22)と接地との
間にはグラウンドキャパシター(C3)と50Ωの縦断抵抗
(R)が並列に連結されている。パワーアンプモジュール
(15)から入力端子を通じて伝送されて内部端子を通じて
出力端子へ伝送される信号は、出力端子と連結したアン
テナスイッチ(12)から返送されて入力部へ戻ってしまう
のを内部端子(22)において縦断抵抗(R)を通して接地で
シンクする。
【０００７】従って、非可逆回路素子(13)は、返送パワ
ーを除去してパワーアンプモジュール(15)が返送される
信号のパワーに因り破損されるのを防ぐことでパワーア
ンプモジュール(15)を保護するのである。
ーを除去してパワーアンプモジュール(15)が返送される
信号のパワーに因り破損されるのを防ぐことでパワーア
ンプモジュール(15)を保護するのである。
【０００８】このような非可逆回路素子の構成において
は図１１に図示のとおり，上部ケース(31)と、入力電流
により正磁界を発生する強磁性体(Sr-ferrite)(32)と、
上記強磁性体(32)の下部に配置されて誘導磁界を発生す
るガーネットフェライト(Garnet ferrit)(42)と共に入
・出力端子及び接地端子に連結される3個のストリップ
線路(33')(Stripline)が連設する内部端子(33)と、上記
内部端子(33)の3個のストリップ線路(33')にそれぞれ連
結されるチップ抵抗(34)及び3個の誘電体素子(35a〜35
c)と、上記内部端子(33)が挿入される貫通口(41)と、上
記貫通口(41)の外側にチップ抵抗(34)と3個の誘電体素
子(35a〜35c)を挿入して収納する収納口とが設けられ、
内部は入・出力電極(38、39)及び接地電極(37)が挿し込
まれる射出ケース(36)と、下部ケース(40)とから成る。
は図１１に図示のとおり，上部ケース(31)と、入力電流
により正磁界を発生する強磁性体(Sr-ferrite)(32)と、
上記強磁性体(32)の下部に配置されて誘導磁界を発生す
るガーネットフェライト(Garnet ferrit)(42)と共に入
・出力端子及び接地端子に連結される3個のストリップ
線路(33')(Stripline)が連設する内部端子(33)と、上記
内部端子(33)の3個のストリップ線路(33')にそれぞれ連
結されるチップ抵抗(34)及び3個の誘電体素子(35a〜35
c)と、上記内部端子(33)が挿入される貫通口(41)と、上
記貫通口(41)の外側にチップ抵抗(34)と3個の誘電体素
子(35a〜35c)を挿入して収納する収納口とが設けられ、
内部は入・出力電極(38、39)及び接地電極(37)が挿し込
まれる射出ケース(36)と、下部ケース(40)とから成る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記のような構成を有
する従来の非可逆回路素子は上・下部ケース(31)(40)の
内部に正磁界を発生する強磁性体(32)と、内部端子(33)
を介在させて誘導磁界を発生するガーネットフェライト
(42)及びその下側周縁に別途の射出ケース(36)を介在さ
せて3個の誘電体素子(35a〜35c)及び入・出力電極(38、
39)、接地電極(37)とを水平に配列してから、これを内
部端子(33)のストリップ線路(33')を通してそれぞれ連
結することにより、非可逆回路素子の誘電体素子及びチ
ップ抵抗，ガーネットフェライト等のサイズが大きくな
り、別途の射出物ケース(36)を介在させて形成される非
可逆回路素子の厚み及びサイズが全体的に大きくなる。
する従来の非可逆回路素子は上・下部ケース(31)(40)の
内部に正磁界を発生する強磁性体(32)と、内部端子(33)
を介在させて誘導磁界を発生するガーネットフェライト
(42)及びその下側周縁に別途の射出ケース(36)を介在さ
せて3個の誘電体素子(35a〜35c)及び入・出力電極(38、
39)、接地電極(37)とを水平に配列してから、これを内
部端子(33)のストリップ線路(33')を通してそれぞれ連
結することにより、非可逆回路素子の誘電体素子及びチ
ップ抵抗，ガーネットフェライト等のサイズが大きくな
り、別途の射出物ケース(36)を介在させて形成される非
可逆回路素子の厚み及びサイズが全体的に大きくなる。
【００１０】更に、上記内部端子(33)のストリップ線路
(33')を誘電体素子(35a〜35c)及び入・出力電極(38、3
9)と一体にはんだ付けによって連結する際、射出ケース
(36)内部の狭さによりはんだ付けの不具合を招くのはも
ちろん，これにより非可逆回路素子の製作による作業性
及び組立性が低下し、均一な状態の製品を得られなくな
る等多くの問題を抱えている。
(33')を誘電体素子(35a〜35c)及び入・出力電極(38、3
9)と一体にはんだ付けによって連結する際、射出ケース
(36)内部の狭さによりはんだ付けの不具合を招くのはも
ちろん，これにより非可逆回路素子の製作による作業性
及び組立性が低下し、均一な状態の製品を得られなくな
る等多くの問題を抱えている。
【００１１】本発明は上記のような従来の諸問題を改善
する為に案出したもので、その目的は，非可逆回路素子
のシールドケース内部にガーネットフェライト及び内部
端子のストリップ線路を介在させて強磁性体だけを安着
させることで上記非可逆回路素子の漏れ磁束の遮蔽効果
を増大させながら磁気シールド効果を極大化することの
できる非可逆回路素子を提供することである。
する為に案出したもので、その目的は，非可逆回路素子
のシールドケース内部にガーネットフェライト及び内部
端子のストリップ線路を介在させて強磁性体だけを安着
させることで上記非可逆回路素子の漏れ磁束の遮蔽効果
を増大させながら磁気シールド効果を極大化することの
できる非可逆回路素子を提供することである。
【００１２】また、本発明の他の目的は、上記非可逆回
路素子の下部ケースの外側周縁の基板上に3個の誘電体
素子及びチップ抵抗をそれぞれ実装し、その一側には接
続端子部を形成し、非可逆回路素子のサイズをコンパク
トに形成しながら周波数の対応が容易でありながらも製
品の特性が安定した非可逆回路素子を提供することであ
る。
路素子の下部ケースの外側周縁の基板上に3個の誘電体
素子及びチップ抵抗をそれぞれ実装し、その一側には接
続端子部を形成し、非可逆回路素子のサイズをコンパク
トに形成しながら周波数の対応が容易でありながらも製
品の特性が安定した非可逆回路素子を提供することであ
る。
【００１３】更に、本発明の更に他の目的は、上記のよ
うにコンパクトに形成される非可逆回路素子を基板上に
実装する際、実装が容易に行われ，上記非可逆回路素子
の製作に伴う部品の組立性を向上させながら、作業工程
の簡素化を成し遂げる非可逆回路素子を提供することで
ある。
うにコンパクトに形成される非可逆回路素子を基板上に
実装する際、実装が容易に行われ，上記非可逆回路素子
の製作に伴う部品の組立性を向上させながら、作業工程
の簡素化を成し遂げる非可逆回路素子を提供することで
ある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を成し遂げる
ための技術的な構成として本発明は、無線機器のパワー
アンプモジュールとアンテナスイッチとの間に設けら
れ、上記パワーアンプモジュールの出力信号を上記アン
テナスイッチに伝送し、上記アンテナスイッチの反射信
号を吸収して上記パワーアンプモジュールを保護する非
可逆回路素子において、上記非可逆回路素子（１００）
の上・下部ケース（１８０）（１９０）と、上記上・下
部ケース（１８０）（１９０）に内設されるシールドケ
ース（１１０）内部に配置されて入力電流により正磁界
を発生する強磁性体（１２０）と、上記強磁性体（１２
０）の下部に配置されて誘導磁界を発生するガーネット
フェライト（１４０）とともに、入・出力端子及び接地
端子に連結する３個のストリップ線路（１３０’）が設
けられる内部端子（１３０）と、上記内部端子（１３
０）に設けられる３個のストリップ線路（１３０’）に
それぞれ連結されるチップ抵抗（１６０）及び３個の誘
電体素子（１５０ａ〜１５０ｃ）及び入・出力端子とを
備えて、上記上・下部ケース（１８０）（１９０）に内
設されるシールドケース（１１０）内側に内部端子（１
３０）のストリップ線路（１３０’）を介在させてガー
ネットフェライト（１４０）と強磁性体（１２０）とが
挿し込まれ、上記シールドケース （１１０）の外側周
縁の基板 （２００）上に３個の誘電体素子（１５０ａ
〜１５０ｃ）及びチップ抵抗 （１６０）が実装され、
入・出力端子（１７０）が挿し込まれる接続端子部（２
１０）を形成する構成から成ることを要旨とする。従っ
て、非可逆回路素子のシールドケース内部にガーネット
フェライト及び内部端子のストリップ線路を介在させて
強磁性体だけを安着させることで上記非可逆回路素子の
漏れ磁束の遮蔽効果を増大させながら磁気シールド効果
を極大化することのできる。上記内部端子（１３０）か
ら引出される３個のストリップ線路（１３０’）は、上
記３個の誘電体素子（１５０ａ〜１５０ｃ）と上記入・
出力端子（１７０）それぞれ連結されてはんだ付けによ
り接続することを要旨とする。上記シールドケース（１
１０）の周縁の基板（２００）に３個の誘電体素子（１
５０ａ〜１５０ｃ）を垂直方向に立たせて設けることを
要旨とする。上記シールドケース（１１０）は絶縁体合
成樹脂の射出物から成ることを要旨とする。
ための技術的な構成として本発明は、無線機器のパワー
アンプモジュールとアンテナスイッチとの間に設けら
れ、上記パワーアンプモジュールの出力信号を上記アン
テナスイッチに伝送し、上記アンテナスイッチの反射信
号を吸収して上記パワーアンプモジュールを保護する非
可逆回路素子において、上記非可逆回路素子（１００）
の上・下部ケース（１８０）（１９０）と、上記上・下
部ケース（１８０）（１９０）に内設されるシールドケ
ース（１１０）内部に配置されて入力電流により正磁界
を発生する強磁性体（１２０）と、上記強磁性体（１２
０）の下部に配置されて誘導磁界を発生するガーネット
フェライト（１４０）とともに、入・出力端子及び接地
端子に連結する３個のストリップ線路（１３０’）が設
けられる内部端子（１３０）と、上記内部端子（１３
０）に設けられる３個のストリップ線路（１３０’）に
それぞれ連結されるチップ抵抗（１６０）及び３個の誘
電体素子（１５０ａ〜１５０ｃ）及び入・出力端子とを
備えて、上記上・下部ケース（１８０）（１９０）に内
設されるシールドケース（１１０）内側に内部端子（１
３０）のストリップ線路（１３０’）を介在させてガー
ネットフェライト（１４０）と強磁性体（１２０）とが
挿し込まれ、上記シールドケース （１１０）の外側周
縁の基板 （２００）上に３個の誘電体素子（１５０ａ
〜１５０ｃ）及びチップ抵抗 （１６０）が実装され、
入・出力端子（１７０）が挿し込まれる接続端子部（２
１０）を形成する構成から成ることを要旨とする。従っ
て、非可逆回路素子のシールドケース内部にガーネット
フェライト及び内部端子のストリップ線路を介在させて
強磁性体だけを安着させることで上記非可逆回路素子の
漏れ磁束の遮蔽効果を増大させながら磁気シールド効果
を極大化することのできる。上記内部端子（１３０）か
ら引出される３個のストリップ線路（１３０’）は、上
記３個の誘電体素子（１５０ａ〜１５０ｃ）と上記入・
出力端子（１７０）それぞれ連結されてはんだ付けによ
り接続することを要旨とする。上記シールドケース（１
１０）の周縁の基板（２００）に３個の誘電体素子（１
５０ａ〜１５０ｃ）を垂直方向に立たせて設けることを
要旨とする。上記シールドケース（１１０）は絶縁体合
成樹脂の射出物から成ることを要旨とする。
【００１５】更に、本発明は、非可逆回路素子(300)の
上・下部ケース(380)(390)と、上記上・下部ケース(38
0)(390)内部に配置されて入力電流により正磁界を発生
する強磁性体(320)と、上記強磁性体(320)の下部に配置
されて誘導磁界を発生するガーネットフェライト(340)
とともに、入・出力端子(370)に連結する3個のストリッ
プ線路(330')が設けられる内部端子(330)と、上記内部
端子(330)に設けられる3個のストリップ線路(330')それ
ぞれ連結されるチップ抵抗(360)及び3個の誘電体素子(3
50a〜350c)及び入・出力端子(370)とを備えて、上記下
部ケース(390)に設けられるシールドケース(310)内側に
内部端子(330)及び上記内部端子(330)と連設したストリ
ップ線路(330')を介在させてガーネットフェライト(34
0)と上記ガーネットフェライト(340)の上側に多数の絶
縁膜(420)を介在させて強磁性体(320)が順次に挿し込ま
れ、上記シールドケース(310)は接地板の役目を果たす
下部ケース(390)に挿し込まれてから、上記下部ケース
(390)の外側周縁の基板(400)上に3個の誘電体素子(350a
〜350c)及びチップ抵抗(360)が実装され、入・出力端子
(370)が基板電極と連結接続される接続端子部(410)を形
成する構成から成ることを要旨とする。従って、非可逆
回路素子の下部ケースの外側周縁の基板上に3個の誘電
体素子及びチップ抵抗をそれぞれ実装し、その一側には
接続端子部を形成し、非可逆回路素子のサイズをコンパ
クトに形成しながら周波数の対応が容易でありながらも
製品の特性を安定にする。上記シールドケース(310)が
内蔵された下部ケース(390)を基板(400)上に実装する
際、上記基板(400)にはシールドケース(310)が内蔵され
た下部ケース(390)の位置を固定する固定溝(K)を形成す
ることを要旨とする。上記シールドケース(310)に内設
された内部端子(330)と連設されるストリップ線路(33
0')は、上記基板(400)上に実装された3個の誘電体素子
(350a〜350c)及びチップ抵抗(360)とはんだ付けにより
連結接続されることを要旨とする。上記内部端子(330)
と連設されるストリップ線路(330')は、シールドケース
(310)の外部に引出されて基板(400)上に実装された3個
の誘電体素子(350a〜350c)及びチップ抵抗(360)と連結
接続されることを要旨とする。上記シールドケース(31
0)には外部に引出されるストリップ線路(330')のガイド
の為のガイド突起(430)を120度の角度で突設することを
要旨とする。上記シールドケース(310)は、絶縁体合成
樹脂の射出物から成ることを要旨とする。
上・下部ケース(380)(390)と、上記上・下部ケース(38
0)(390)内部に配置されて入力電流により正磁界を発生
する強磁性体(320)と、上記強磁性体(320)の下部に配置
されて誘導磁界を発生するガーネットフェライト(340)
とともに、入・出力端子(370)に連結する3個のストリッ
プ線路(330')が設けられる内部端子(330)と、上記内部
端子(330)に設けられる3個のストリップ線路(330')それ
ぞれ連結されるチップ抵抗(360)及び3個の誘電体素子(3
50a〜350c)及び入・出力端子(370)とを備えて、上記下
部ケース(390)に設けられるシールドケース(310)内側に
内部端子(330)及び上記内部端子(330)と連設したストリ
ップ線路(330')を介在させてガーネットフェライト(34
0)と上記ガーネットフェライト(340)の上側に多数の絶
縁膜(420)を介在させて強磁性体(320)が順次に挿し込ま
れ、上記シールドケース(310)は接地板の役目を果たす
下部ケース(390)に挿し込まれてから、上記下部ケース
(390)の外側周縁の基板(400)上に3個の誘電体素子(350a
〜350c)及びチップ抵抗(360)が実装され、入・出力端子
(370)が基板電極と連結接続される接続端子部(410)を形
成する構成から成ることを要旨とする。従って、非可逆
回路素子の下部ケースの外側周縁の基板上に3個の誘電
体素子及びチップ抵抗をそれぞれ実装し、その一側には
接続端子部を形成し、非可逆回路素子のサイズをコンパ
クトに形成しながら周波数の対応が容易でありながらも
製品の特性を安定にする。上記シールドケース(310)が
内蔵された下部ケース(390)を基板(400)上に実装する
際、上記基板(400)にはシールドケース(310)が内蔵され
た下部ケース(390)の位置を固定する固定溝(K)を形成す
ることを要旨とする。上記シールドケース(310)に内設
された内部端子(330)と連設されるストリップ線路(33
0')は、上記基板(400)上に実装された3個の誘電体素子
(350a〜350c)及びチップ抵抗(360)とはんだ付けにより
連結接続されることを要旨とする。上記内部端子(330)
と連設されるストリップ線路(330')は、シールドケース
(310)の外部に引出されて基板(400)上に実装された3個
の誘電体素子(350a〜350c)及びチップ抵抗(360)と連結
接続されることを要旨とする。上記シールドケース(31
0)には外部に引出されるストリップ線路(330')のガイド
の為のガイド突起(430)を120度の角度で突設することを
要旨とする。上記シールドケース(310)は、絶縁体合成
樹脂の射出物から成ることを要旨とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面に基づいて本発
明の実施の形態を詳細に説明すれば次のとおりである。
図１は本発明による非可逆回路素子の内部構造を示した
図面であり、図２は本発明の非可逆回路素子のシールド
ケースを結合する前の側断面構造図であり、図３は本発
明の非可逆回路素子が形成されるキャビティ用基板の平
面及び底面構造図である。本発明の非可逆回路素子(10
0)は上部及び下部ケース(180)(190)内部に入力電流によ
り正磁界を発生する強磁性体(120)を設け、上記強磁性
体(120)の下部にはポリイミドフィルムから成る絶縁膜
を介在させて誘導磁界を発生するガーネットフェライト
(140)を配置して、上記ガーネットフェライト(140)の下
側に内部端子(130)を着設させて上記ガーネットフェラ
イト(140)上側に内部端子と連設したストリップ線路(13
0')が引出されるように設ける。
明の実施の形態を詳細に説明すれば次のとおりである。
図１は本発明による非可逆回路素子の内部構造を示した
図面であり、図２は本発明の非可逆回路素子のシールド
ケースを結合する前の側断面構造図であり、図３は本発
明の非可逆回路素子が形成されるキャビティ用基板の平
面及び底面構造図である。本発明の非可逆回路素子(10
0)は上部及び下部ケース(180)(190)内部に入力電流によ
り正磁界を発生する強磁性体(120)を設け、上記強磁性
体(120)の下部にはポリイミドフィルムから成る絶縁膜
を介在させて誘導磁界を発生するガーネットフェライト
(140)を配置して、上記ガーネットフェライト(140)の下
側に内部端子(130)を着設させて上記ガーネットフェラ
イト(140)上側に内部端子と連設したストリップ線路(13
0')が引出されるように設ける。
【００１７】更に、上記内部端子(130)のストリップ線
路(130')はチップ抵抗(160)及び3個の誘電体素子(150a
〜150c)と、入・出力端子(170)とはんだ付けにより連結
接続するように設ける。この際、シールドケース(110)
の内側にはガーネットフェライト(140)と内部端子(130)
とのストリップ線路(130')を介在させて強磁性体(120)
を挿し込んでから、メタルから成る上部及び下部ケース
(180)(190)としてシールドし、上記シールドケース(11
0)の外側周縁の基板(200)上に3個の誘電体素子(150a〜1
50c)及びチップ抵抗(160)を実装して入・出力端子(170)
を挿し込む接続端子部(210)を形成する構成から成る。
路(130')はチップ抵抗(160)及び3個の誘電体素子(150a
〜150c)と、入・出力端子(170)とはんだ付けにより連結
接続するように設ける。この際、シールドケース(110)
の内側にはガーネットフェライト(140)と内部端子(130)
とのストリップ線路(130')を介在させて強磁性体(120)
を挿し込んでから、メタルから成る上部及び下部ケース
(180)(190)としてシールドし、上記シールドケース(11
0)の外側周縁の基板(200)上に3個の誘電体素子(150a〜1
50c)及びチップ抵抗(160)を実装して入・出力端子(170)
を挿し込む接続端子部(210)を形成する構成から成る。
【００１８】このような構成から成る本発明の作用及び
効果を説明すれば次のとおりである。図１ないし図３に
図示のとおり、本発明の非可逆回路素子(100)はシール
ドケース(110)の内側に入力電流により正磁界を発生す
る強磁性体(120)の配置された状態で、上記強磁性体(12
0)の下部にガーネットフェライト(140)と共に入・出力
端子(170)に連結するストリップ線路(130')が長く連設
する内部端子(130)が配置されて誘導磁界を発生する。
この際、上記内部端子(130)から引出される3個のストリ
ップ線路(130')は、3個の誘電体素子(150a〜150c)と、
上記入・出力端子(170)とそれぞれ連結してはんだ付け
により接続することで非可逆回路素子が完成する。
効果を説明すれば次のとおりである。図１ないし図３に
図示のとおり、本発明の非可逆回路素子(100)はシール
ドケース(110)の内側に入力電流により正磁界を発生す
る強磁性体(120)の配置された状態で、上記強磁性体(12
0)の下部にガーネットフェライト(140)と共に入・出力
端子(170)に連結するストリップ線路(130')が長く連設
する内部端子(130)が配置されて誘導磁界を発生する。
この際、上記内部端子(130)から引出される3個のストリ
ップ線路(130')は、3個の誘電体素子(150a〜150c)と、
上記入・出力端子(170)とそれぞれ連結してはんだ付け
により接続することで非可逆回路素子が完成する。
【００１９】一方、上記のような非可逆回路素子(100)
は上記シールドケース(110)の内側にガーネットフェラ
イト(140)と内部端子(130)のストリップ線路(130')を介
在させて強磁性体(120)を挿し込むことにより、非可逆
回路素子の組立時に発生する砕け及び遊動による磁界変
化等を抑制できるようにして漏れ磁束の遮蔽効果を増大
する。
は上記シールドケース(110)の内側にガーネットフェラ
イト(140)と内部端子(130)のストリップ線路(130')を介
在させて強磁性体(120)を挿し込むことにより、非可逆
回路素子の組立時に発生する砕け及び遊動による磁界変
化等を抑制できるようにして漏れ磁束の遮蔽効果を増大
する。
【００２０】次いで、上記シールドケース(110)の外側
周縁のセラミック又はアルミナから成る基板(200)上に
は3個の誘電体素子(150a〜150c)及びチップ抵抗(160)を
それぞれ実装して上記基板(PCB:200)の一側には入・出
力端子(170)が挿し込まれる接続端子部(210)を形成する
ことにより上記端子の組立性を向上させる。上記シール
ドケース(110)の外部下側の基板(200)に配置するチップ
抵抗(160)及び3個の誘電体素子(150a〜150c)、入・出力
端子(170)はシールドケース(110)内部から引出される内
部端子(130)のストリップ線路(130')が手軽且つ容易に
はんだ付けによって連結接続されるようにし、上記シー
ルドケース(110)が直接、接地端子としての役目を果た
せるようにする。
周縁のセラミック又はアルミナから成る基板(200)上に
は3個の誘電体素子(150a〜150c)及びチップ抵抗(160)を
それぞれ実装して上記基板(PCB:200)の一側には入・出
力端子(170)が挿し込まれる接続端子部(210)を形成する
ことにより上記端子の組立性を向上させる。上記シール
ドケース(110)の外部下側の基板(200)に配置するチップ
抵抗(160)及び3個の誘電体素子(150a〜150c)、入・出力
端子(170)はシールドケース(110)内部から引出される内
部端子(130)のストリップ線路(130')が手軽且つ容易に
はんだ付けによって連結接続されるようにし、上記シー
ルドケース(110)が直接、接地端子としての役目を果た
せるようにする。
【００２１】一方、図４（ａ）及び（ｂ）は本発明の他
の実施の形態による基板の平面及び底面パターン構造図
であり、上記基板（２００）の中央に非可逆回路素子
（１００）の強磁性体及びガーネットフェライト等の部
品が挿入される状態で、図５におけるように上記シール
ドケース（１１０）の周縁の基板（２００）に３個の誘
電体素子（１５０ａ〜１５０ｃ）を長辺方向（図４中の
上下方向）に立たせて実装することができる。即ち、図
２の誘電体素子は水平方向に倒された状態であるが、図
５の誘電体素子は垂直方向に立たされた状態である。
の実施の形態による基板の平面及び底面パターン構造図
であり、上記基板（２００）の中央に非可逆回路素子
（１００）の強磁性体及びガーネットフェライト等の部
品が挿入される状態で、図５におけるように上記シール
ドケース（１１０）の周縁の基板（２００）に３個の誘
電体素子（１５０ａ〜１５０ｃ）を長辺方向（図４中の
上下方向）に立たせて実装することができる。即ち、図
２の誘電体素子は水平方向に倒された状態であるが、図
５の誘電体素子は垂直方向に立たされた状態である。
【００２２】図６は本発明の更に他の実施の形態による
非可逆回路素子の内部構造を示した図面である。非可逆
回路素子(300)は合成樹脂から成るシールドケース(310)
内部に入力電流により正磁界を発生する強磁性体(320)
を設け、上記強磁性体(320)下部にはポリイミドフィル
ムから成る多数の絶縁膜(420)を介在させて誘導磁界を
発生するガーネットフェライト(340)を配置させ、上記
ガーネットフェライト(340)の下側に内部端子(330)を着
設して上記ガーネットフェライト(340)上側に内部端子
と連設したストリップ線路(330')が引出されるように設
ける。
非可逆回路素子の内部構造を示した図面である。非可逆
回路素子(300)は合成樹脂から成るシールドケース(310)
内部に入力電流により正磁界を発生する強磁性体(320)
を設け、上記強磁性体(320)下部にはポリイミドフィル
ムから成る多数の絶縁膜(420)を介在させて誘導磁界を
発生するガーネットフェライト(340)を配置させ、上記
ガーネットフェライト(340)の下側に内部端子(330)を着
設して上記ガーネットフェライト(340)上側に内部端子
と連設したストリップ線路(330')が引出されるように設
ける。
【００２３】この際、上記内部端子(330)のストリップ
線路(330')はチップ抵抗(360)及び3個の誘電体素子(350
a〜350c)と、入・出力端子(370)とはんだ付けにより連
結接続するように設ける。
線路(330')はチップ抵抗(360)及び3個の誘電体素子(350
a〜350c)と、入・出力端子(370)とはんだ付けにより連
結接続するように設ける。
【００２４】一方、上記樹脂シールドケース(310)はそ
の内側に内部端子(330)及びこれと連接するストリップ
線路(330')を介在させてガーネットフェライト(340)と
上記ガーネットフェライト(340)の上側に多数の絶縁膜
(420)を介在させて強磁性体(320)を順次に挿し込み、上
記樹脂シールドケース(310)は接地板の役目を果たす下
部ケース(390)に挿し込んでから、図７及び図８の平面
構造図に図示のとおり、上記下部ケース(390)の外側周
縁の基板(PCB:400)上に3個の誘電体素子(350a〜350c)及
びチップ抵抗(360)を実装して入・出力端子(370)を挿し
込む接続端子部(410)を形成する構成から成る。
の内側に内部端子(330)及びこれと連接するストリップ
線路(330')を介在させてガーネットフェライト(340)と
上記ガーネットフェライト(340)の上側に多数の絶縁膜
(420)を介在させて強磁性体(320)を順次に挿し込み、上
記樹脂シールドケース(310)は接地板の役目を果たす下
部ケース(390)に挿し込んでから、図７及び図８の平面
構造図に図示のとおり、上記下部ケース(390)の外側周
縁の基板(PCB:400)上に3個の誘電体素子(350a〜350c)及
びチップ抵抗(360)を実装して入・出力端子(370)を挿し
込む接続端子部(410)を形成する構成から成る。
【００２５】これに従って、上記のような非可逆回路素
子(300)は上記絶縁物の合成樹脂から成るシールドケー
ス(310)内側にストリップ線路(330')が連設される内部
端子(330)と，その上側にガーネットフェライト(340)及
び多数のポリイミドフィルムから成る絶縁膜(420)を介
在させて正磁界を発生する強磁性体(320)とを順次に積
層してから、その上・下側にメタルから成る上・下部ケ
ース(380)(390)を着設して基板(400)に実装することに
より、非可逆回路素子の組立時に発生する砕け及び遊動
による磁界変化等を抑制できるようにし、漏れ磁束の遮
蔽効果を増大させるようにする。
子(300)は上記絶縁物の合成樹脂から成るシールドケー
ス(310)内側にストリップ線路(330')が連設される内部
端子(330)と，その上側にガーネットフェライト(340)及
び多数のポリイミドフィルムから成る絶縁膜(420)を介
在させて正磁界を発生する強磁性体(320)とを順次に積
層してから、その上・下側にメタルから成る上・下部ケ
ース(380)(390)を着設して基板(400)に実装することに
より、非可逆回路素子の組立時に発生する砕け及び遊動
による磁界変化等を抑制できるようにし、漏れ磁束の遮
蔽効果を増大させるようにする。
【００２６】一方、上記シールドケース(310)が内蔵さ
れた下部ケース(390)を基板(400)上に実装する際，上記
基板(400)にはシールドケース(310)が内蔵された下部ケ
ース(390)の位置を固定するよう固定溝(K)を形成するこ
とができる。
れた下部ケース(390)を基板(400)上に実装する際，上記
基板(400)にはシールドケース(310)が内蔵された下部ケ
ース(390)の位置を固定するよう固定溝(K)を形成するこ
とができる。
【００２７】更に、上記シールドケース(310)に内設さ
れる内部端子(330)と連接するストリップ線路(330')
は、基板(200)上に実装された3個の誘電体素子(150a〜1
50c)及びチップ抵抗(160)と連結接続するようシールド
ケース(310)外部に引出されるようにし、この際、上記
シールドケース(310)には外部に引出されるストリップ
線路(330')のガイドの為のガイド突起(430)が120度の角
度（例えば、シールドケース(310)の中心点から一辺の
中央点、二辺の隅の三方向間のなす角度）で突出するよ
うにし、メタルから成る下部ケース(390)との接触を防
ぐようにする。
れる内部端子(330)と連接するストリップ線路(330')
は、基板(200)上に実装された3個の誘電体素子(150a〜1
50c)及びチップ抵抗(160)と連結接続するようシールド
ケース(310)外部に引出されるようにし、この際、上記
シールドケース(310)には外部に引出されるストリップ
線路(330')のガイドの為のガイド突起(430)が120度の角
度（例えば、シールドケース(310)の中心点から一辺の
中央点、二辺の隅の三方向間のなす角度）で突出するよ
うにし、メタルから成る下部ケース(390)との接触を防
ぐようにする。
【００２８】従って、上記非可逆回路素子は合成樹脂の
射出ケースから成るシールドケース(310)の内部に挿入
素子の内部端子(330)とガーネットフェライト(340)及び
強磁性体(320)を挿し込み絶縁機能を行えるようにし，
その外側の基板(400)上に内部端子(330)のストリップ線
路(330')と接続端子部(410)とが接続することで、非可
逆回路素子のサイズをコンパクトに形成できるのはもち
ろん、安定的に基板(400)上に実装されて、その特性を
向上することができる。
射出ケースから成るシールドケース(310)の内部に挿入
素子の内部端子(330)とガーネットフェライト(340)及び
強磁性体(320)を挿し込み絶縁機能を行えるようにし，
その外側の基板(400)上に内部端子(330)のストリップ線
路(330')と接続端子部(410)とが接続することで、非可
逆回路素子のサイズをコンパクトに形成できるのはもち
ろん、安定的に基板(400)上に実装されて、その特性を
向上することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上のとおり本発明による非可逆回路素
子によれば、非可逆回路素子のシールドケース内部にガ
ーネットフェライト及び内部端子のストリップ線路を介
在させて強磁性体だけを内蔵し、上記非可逆回路素子の
漏れ磁束の遮蔽効果を増大しながら磁気シールド効果を
極大化できるのはもちろん、上記非可逆回路素子の下部
ケースの外側周縁の基板上に3個の誘電体素子及びチッ
プ抵抗をそれぞれ実装し、その一側には接続端子部を形
成し、非可逆回路素子のサイズをコンパクトに形成しな
がら周波数の対応が容易でありながらも製品の特性が安
定し、上記のようにコンパクトに形成される非可逆回路
素子の基板上に実装する際、実装が容易に行われ、上記
非可逆回路素子の製作に伴う部品の組立性を向上しなが
ら作業工程の簡素化を成し遂げることのできる優れた効
果を奏する。本発明は特定の実施の形態に係わり図示お
よび説明したが、上記特許請求の範囲により具備される
本発明の精神や分野から外れない範囲内で本発明が多様
に改造及び変化されることができることを当業界におい
て通常の知識を有する者ならば容易に分かるものである
ことを明かしておく。
子によれば、非可逆回路素子のシールドケース内部にガ
ーネットフェライト及び内部端子のストリップ線路を介
在させて強磁性体だけを内蔵し、上記非可逆回路素子の
漏れ磁束の遮蔽効果を増大しながら磁気シールド効果を
極大化できるのはもちろん、上記非可逆回路素子の下部
ケースの外側周縁の基板上に3個の誘電体素子及びチッ
プ抵抗をそれぞれ実装し、その一側には接続端子部を形
成し、非可逆回路素子のサイズをコンパクトに形成しな
がら周波数の対応が容易でありながらも製品の特性が安
定し、上記のようにコンパクトに形成される非可逆回路
素子の基板上に実装する際、実装が容易に行われ、上記
非可逆回路素子の製作に伴う部品の組立性を向上しなが
ら作業工程の簡素化を成し遂げることのできる優れた効
果を奏する。本発明は特定の実施の形態に係わり図示お
よび説明したが、上記特許請求の範囲により具備される
本発明の精神や分野から外れない範囲内で本発明が多様
に改造及び変化されることができることを当業界におい
て通常の知識を有する者ならば容易に分かるものである
ことを明かしておく。
【図１】本発明による非可逆回路素子の内部構造を示し
た図面である。
た図面である。
【図２】本発明の非可逆回路素子のシールドケースが結
合する前の側断面構造図である。
合する前の側断面構造図である。
【図３】同図（ａ）及び（ｂ）は本発明の非可逆回路素
子が形成されるキャビティ用PCBの平面及び底面構造図
である。
子が形成されるキャビティ用PCBの平面及び底面構造図
である。
【図４】同図（ａ）及び（ｂ）は本発明の他の実施の形
態による非可逆回路素子のPCBの平面及び底面パターン
構造図である。
態による非可逆回路素子のPCBの平面及び底面パターン
構造図である。
【図５】図４のPCB上に設けられる非可逆回路素子の結
合状態の正断面構造図である。
合状態の正断面構造図である。
【図６】本発明の更に他の実施の形態による非可逆回路
素子の内部構造を示した図面である。
素子の内部構造を示した図面である。
【図７】図６の非可逆回路素子が実装される基板の平面
構造図である。
構造図である。
【図８】図６の非可逆回路素子が基板上に実装された状
態を示した平面構造図である。
態を示した平面構造図である。
【図９】非可逆回路素子(ISOLATOR)を含んだシステムの
一部の構成を示したブロック図である。
一部の構成を示したブロック図である。
【図１０】非可逆回路素子の基本等価回路を示した回路
図である。
図である。
【図１１】従来の非可逆回路素子の構造を図示した構成
図である。
図である。
100、300 非可逆回路素子
110、310 シールドケース
120、320 強磁性体
130、330 内部端子
130'、330' ストリップ線路
140、340 ガーネットフェライト
150a、150b、150c、350a、350b、350c 誘電体素子
160、360 チップ抵抗
170、370 入・出力端子
180、380 上部ケース
190、390 下部ケース
200、400 基板
210、410 接続端子部
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01P 1/36
H01P 1/383
H01P 1/387
H05K 9/00
Claims (10)
- 【請求項１】 無線機器のパワーアンプモジュールとア
ンテナスイッチとの間に設けられ、上記パワーアンプモ
ジュールの出力信号を上記アンテナスイッチに伝送し、
上記アンテナスイッチの反射信号を吸収して上記パワー
アンプモジュールを保護する非可逆回路素子において、 上記非可逆回路素子(100)の上・下部ケース(180)(190)
と、 上記上・下部ケース(180)(190)に内設されるシールドケ
ース(110)内部に配置されて入力電流により正磁界を発
生する強磁性体(120)と、 上記強磁性体(120)の下部に配置されて誘導磁界を発生
するガーネットフェライト(140)とともに、入・出力端
子及び接地端子に連結する3個のストリップ線路(130')
が設けられる内部端子(130)と、 上記内部端子(130)に設けられる3個のストリップ線路(1
30')にそれぞれ連結されるチップ抵抗(160)及び3個の誘
電体素子(150a〜150c)及び入・出力端子とを備えて、 上記上・下部ケース(180)(190)に内設されるシールドケ
ース(110)内側に内部端子(130)のストリップ線路(130')
を介在させてガーネットフェライト(140)と強磁性体(12
0)とが挿し込まれ、上記シールドケース(110)の外側周
縁の基板(200)上に3個の誘電体素子(150a〜150c)及びチ
ップ抵抗(160)が実装され、入・出力端子(170)が挿し込
まれる接続端子部(210)を形成する構成から成ることを
特徴とする非可逆回路素子。 - 【請求項２】 上記内部端子(130)から引出される3個の
ストリップ線路(130')は、上記3個の誘電体素子(150a〜
150c)と上記入・出力端子(170)それぞれ連結されてはん
だ付けにより接続することを特徴とする請求項1に記載
の非可逆回路素子。 - 【請求項３】 上記シールドケース（１１０）の周縁の
基板（２００）に３個の誘電体素子（１５０ａ〜１５０
ｃ）を垂直方向に立たせて設けることを特徴とする請求
項１に記載の非可逆回路素子。 - 【請求項４】 上記シールドケース(110)は絶縁体合成
樹脂の射出物から成ることを特徴とする請求項1に記載
の非可逆回路素子。 - 【請求項５】 非可逆回路素子(300)の上・下部ケース
(380)(390)と、 上記上・下部ケース(380)(390)内部に配置されて入力電
流により正磁界を発生する強磁性体(320)と、 上記強磁性体(320)の下部に配置されて誘導磁界を発生
するガーネットフェライト(340)とともに、入・出力端
子(370)に連結する3個のストリップ線路(330')が設けら
れる内部端子(330)と、 上記内部端子(330)に設けられる3個のストリップ線路(3
30')それぞれ連結されるチップ抵抗(360)及び3個の誘電
体素子(350a〜350c)及び入・出力端子(370)とを備え
て、 上記下部ケース(390)に設けられるシールドケース(310)
内側に内部端子(330)及び上記内部端子(330)と連設した
ストリップ線路(330')を介在させてガーネットフェライ
ト(340)と上記ガーネットフェライト(340)の上側に多数
の絶縁膜(420)を介在させて強磁性体(320)が順次に挿し
込まれ、上記シールドケース(310)は接地板の役目を果
たす下部ケース(390)に挿し込まれてから、上記下部ケ
ース(390)の外側周縁の基板(400)上に3個の誘電体素子
(350a〜350c)及びチップ抵抗(360)が実装され、入・出
力端子(370)が基板電極と連結接続される接続端子部(41
0)を形成する構成から成ることを特徴とする非可逆回路
素子。 - 【請求項６】 上記シールドケース(310)が内蔵された
下部ケース(390)を基板(400)上に実装する際、上記基板
(400)にはシールドケース(310)が内蔵された下部ケース
(390)の位置を固定する固定溝(K)を形成することを特徴
とする請求項5に記載の非可逆回路素子。 - 【請求項７】 上記シールドケース(310)に内設された
内部端子(330)と連設されるストリップ線路(330')は、
上記基板(400)上に実装された3個の誘電体素子(350a〜3
50c)及びチップ抵抗(360)とはんだ付けにより連結接続
されることを特徴とする請求項5に記載の非可逆回路素
子。 - 【請求項８】 上記内部端子(330)と連設されるストリ
ップ線路(330')は、シールドケース(310)の外部に引出
されて基板(400)上に実装された3個の誘電体素子(350a
〜350c)及びチップ抵抗(360)と連結接続されることを特
徴とする請求項5又は請求項7に記載の非可逆回路素子。 - 【請求項９】 上記シールドケース(310)には外部に引
出されるストリップ線路(330')のガイドの為のガイド突
起(430)を120度の角度で突設することを特徴とする請求
項5に記載の非可逆回路素子。 - 【請求項１０】 上記シールドケース(310)は、絶縁体
合成樹脂の射出物から成ることを特徴とする請求項5に
記載の非可逆回路素子。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1999-58202 | 1999-12-16 | ||
| KR19990058202 | 1999-12-16 | ||
| KR2000-70183 | 2000-11-24 | ||
| KR1020000070183A KR100352489B1 (ko) | 1999-12-16 | 2000-11-24 | 비가역 회로소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001185913A JP2001185913A (ja) | 2001-07-06 |
| JP3378236B2 true JP3378236B2 (ja) | 2003-02-17 |
Family
ID=26636476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000373940A Expired - Fee Related JP3378236B2 (ja) | 1999-12-16 | 2000-12-08 | 非可逆回路素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6483394B2 (ja) |
| JP (1) | JP3378236B2 (ja) |
| KR (1) | KR100352489B1 (ja) |
| DE (1) | DE10062567A1 (ja) |
| TW (1) | TW515131B (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7336468B2 (en) | 1997-04-08 | 2008-02-26 | X2Y Attenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
| US7301748B2 (en) | 1997-04-08 | 2007-11-27 | Anthony Anthony A | Universal energy conditioning interposer with circuit architecture |
| US7321485B2 (en) | 1997-04-08 | 2008-01-22 | X2Y Attenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
| US9054094B2 (en) | 1997-04-08 | 2015-06-09 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit |
| US6566972B2 (en) * | 2001-06-14 | 2003-05-20 | Tyco Electronics Corporation | Ferrite-circuit aligning frame |
| KR20030097162A (ko) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | 전자부품연구원 | 스트립 라인을 갖는 전달 격리기 제조방법 |
| US7002426B2 (en) * | 2003-03-06 | 2006-02-21 | M/A-Com, Inc. | Above resonance isolator/circulator and method of manufacture thereof |
| WO2005065097A2 (en) | 2003-12-22 | 2005-07-21 | X2Y Attenuators, Llc | Internally shielded energy conditioner |
| GB2439861A (en) | 2005-03-01 | 2008-01-09 | X2Y Attenuators Llc | Internally overlapped conditioners |
| US7817397B2 (en) | 2005-03-01 | 2010-10-19 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioner with tied through electrodes |
| KR100678386B1 (ko) * | 2005-08-09 | 2007-02-02 | (주)에드모텍 | 무선통신용 아이솔레이터 |
| EP1991996A1 (en) | 2006-03-07 | 2008-11-19 | X2Y Attenuators, L.L.C. | Energy conditioner structures |
| US7772937B2 (en) * | 2007-08-24 | 2010-08-10 | M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. | Circulator/isolator housing with inserts |
| US9204531B2 (en) | 2012-06-13 | 2015-12-01 | International Business Machines Corporation | Implementing feed-through and domain isolation using ferrite and containment barriers |
| CN106532209B (zh) * | 2016-12-30 | 2022-02-01 | 苏州小工匠机器人有限公司 | 一种微带隔离器 |
| US11116092B1 (en) * | 2020-09-28 | 2021-09-07 | JQL Technologies Corporation | Electronic housing assembly for surface mounted circulators and isolators |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5172080A (en) * | 1991-06-28 | 1992-12-15 | Radio Frequency Systems, Inc. | Garnet centering ring for circulators and isolators |
| JP3175303B2 (ja) * | 1992-05-12 | 2001-06-11 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子 |
| JPH06140813A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Nippon Micro Ueebu Kk | 分布定数型サーキュレータおよびアイソレータ |
| JPH0758525A (ja) * | 1993-08-16 | 1995-03-03 | Murata Mfg Co Ltd | 非可逆回路素子 |
| JPH08148908A (ja) * | 1994-11-16 | 1996-06-07 | Tokin Corp | 非可逆回路素子 |
| JPH09307316A (ja) * | 1996-05-13 | 1997-11-28 | Tdk Corp | 非可逆回路素子 |
| JP3646532B2 (ja) | 1997-10-13 | 2005-05-11 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子 |
| JPH11220310A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-08-10 | Hitachi Metals Ltd | 非可逆回路素子 |
| JP2000013112A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Tdk Corp | 集中定数型アイソレータ |
-
2000
- 2000-11-24 KR KR1020000070183A patent/KR100352489B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-12-08 US US09/731,777 patent/US6483394B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-08 JP JP2000373940A patent/JP3378236B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-12 TW TW089126415A patent/TW515131B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-12-15 DE DE10062567A patent/DE10062567A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100352489B1 (ko) | 2002-09-11 |
| DE10062567A1 (de) | 2002-06-06 |
| TW515131B (en) | 2002-12-21 |
| US6483394B2 (en) | 2002-11-19 |
| JP2001185913A (ja) | 2001-07-06 |
| KR20010061944A (ko) | 2001-07-07 |
| US20010040484A1 (en) | 2001-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3378236B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
| CN102201820B (zh) | 电路模块 | |
| CN102725906B (zh) | 电路模块 | |
| US6819198B2 (en) | Nonreciprocal circuit device and high-frequency circuit apparatus | |
| JP5459396B2 (ja) | 回路モジュール及び測定方法 | |
| JP2001332908A (ja) | 非可逆回路素子および通信装置 | |
| US6882262B2 (en) | Nonreciprocal circuit device and communication device using same | |
| KR100305578B1 (ko) | 비가역 회로소자 실장용 기판 | |
| KR100431502B1 (ko) | 비가역 회로장치, 통신장치 및 비가역 회로장치의 제조방법 | |
| JP2011055222A (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP3072290B1 (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP2001156503A (ja) | 非可逆回路素子、非可逆回路および通信装置 | |
| KR100305579B1 (ko) | 비가역 회로소자 | |
| KR100328246B1 (ko) | 비가역회로소자 | |
| KR100286795B1 (ko) | 비가역소자의 프레임 | |
| KR100328257B1 (ko) | 비가역 회로소자 | |
| KR100311816B1 (ko) | 가역 회로소자 | |
| JP2011147011A (ja) | 回路モジュール | |
| KR100286796B1 (ko) | 집중 정수형 비가역소자 | |
| KR100314625B1 (ko) | 비가역 회로소자 | |
| JPH1197911A (ja) | 集中定数型非可逆回路素子 | |
| JP3683220B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
| US20120056691A1 (en) | Magnetic resonance type isolator | |
| JP2001203508A (ja) | 非可逆回路素子及び通信機装置 | |
| JP3714220B2 (ja) | 非可逆回路素子及び通信装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |