JP3374760B2 - プリント配線基板およびその製造方法 - Google Patents
プリント配線基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JP3374760B2 JP3374760B2 JP25728898A JP25728898A JP3374760B2 JP 3374760 B2 JP3374760 B2 JP 3374760B2 JP 25728898 A JP25728898 A JP 25728898A JP 25728898 A JP25728898 A JP 25728898A JP 3374760 B2 JP3374760 B2 JP 3374760B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicone resin
- resin material
- printed wiring
- wiring board
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、プリント配線基
板およびその製造方法に関するものである。
板およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子装置の小型化およびその搭載
基板における部品実装の高密度化は著しく進展してきて
いる。それと同時に、製品に対する信頼性はますます厳
しさを増してきている。
基板における部品実装の高密度化は著しく進展してきて
いる。それと同時に、製品に対する信頼性はますます厳
しさを増してきている。
【０００３】特に、実装部品としては、高密度実装に対
応してフリップチップを始めとして、ＣＳＰ（Chip Siz
e Package ），ＢＧＡ（Ball Grid Array ），ＭＣＭ
（Multi Chip Module ）等の半導体素子あるいは半導体
パッケージを表面実装することが一般的になってきてい
る。
応してフリップチップを始めとして、ＣＳＰ（Chip Siz
e Package ），ＢＧＡ（Ball Grid Array ），ＭＣＭ
（Multi Chip Module ）等の半導体素子あるいは半導体
パッケージを表面実装することが一般的になってきてい
る。
【０００４】これらの半導体素子および半導体パッケー
ジは、高密度実装に対応するため、これらを実装する基
板に対して非常に狭ピッチの電極を要求することにな
る。その結果、電極間に存在するはんだレジストまたは
絶縁層に発生する応力は従来以上に増大している。その
ため、これらの箇所に一般的なアクリル系またはエポキ
シ系の樹脂材料を使用しているプリント配線基板の場
合、一定の使用環境下や部品実装時のはんだ付けにおい
て、クラックや剥離等の問題を発生しやすくなる。一定
の使用環境下とは、詳しくは、熱的・機械的ストレスが
加わる時や湿度雰囲気下で使用する場合等である。この
ような問題は、部品実装が行われるプリント配線基板の
最表面のみならず、高密度配線を行ったプリント配線基
板の内層においても同様であり、同様に内層クラックや
内層剥離の問題が発生する。
ジは、高密度実装に対応するため、これらを実装する基
板に対して非常に狭ピッチの電極を要求することにな
る。その結果、電極間に存在するはんだレジストまたは
絶縁層に発生する応力は従来以上に増大している。その
ため、これらの箇所に一般的なアクリル系またはエポキ
シ系の樹脂材料を使用しているプリント配線基板の場
合、一定の使用環境下や部品実装時のはんだ付けにおい
て、クラックや剥離等の問題を発生しやすくなる。一定
の使用環境下とは、詳しくは、熱的・機械的ストレスが
加わる時や湿度雰囲気下で使用する場合等である。この
ような問題は、部品実装が行われるプリント配線基板の
最表面のみならず、高密度配線を行ったプリント配線基
板の内層においても同様であり、同様に内層クラックや
内層剥離の問題が発生する。
【０００５】更に、上記のような高密度プリント配線基
板用途の一部として、近年、携帯電話、コンピュータ等
の高周波回路やデジタル回路を駆使した製品の開発が盛
んに行われている。これらの製品分野では、従来のガラ
エポ基板を使用しながら小型化・高密度実装化を行う
と、配線間でのクロストークノイズ等の問題により、製
品特性が低下することは避けられない。即ち、高周波特
性の向上が必須課題となってきている。
板用途の一部として、近年、携帯電話、コンピュータ等
の高周波回路やデジタル回路を駆使した製品の開発が盛
んに行われている。これらの製品分野では、従来のガラ
エポ基板を使用しながら小型化・高密度実装化を行う
と、配線間でのクロストークノイズ等の問題により、製
品特性が低下することは避けられない。即ち、高周波特
性の向上が必須課題となってきている。
【０００６】以上の問題点のうち、前者のクラックや剥
離の問題に対して、従来、特開平４−５３２９７号公報
では、ポリイミド樹脂による絶縁層の積層形成工程にお
いて、前工程での加熱温度を最終ベーキング温度よりも
低温とすることで、熱ストレスを緩和することが提案さ
れている。しかし、これはプリント基板の製造工程での
信頼性を向上することにはなっても、より高温での熱ス
トレスが予想されるはんだ付け時や長期の耐久信頼性試
験においては、以後の工程の熱処理温度が低くなること
が必ずしも有利であるとは限らない。特に、硬化温度が
著しく高いポリイミド樹脂系材料の場合に限り、有効と
なることも考えられるが、この場合、ポリイミド樹脂で
は吸水率が大きく、耐湿信頼性の点で問題が残る。他
に、特開平８−２４８６３０号公報のように絶縁層材料
中にゴム成分を配合して低応力化を図った例がある。し
かし、一般に、ポリブタジエンやポリウレタン等のゴム
成分は耐熱性および耐湿性の点で劣るために、低応力化
を図るために配合量を増加するに従ってこれら特性の劣
化を招き、低応力化と信頼性の両立は必ずしも充分に達
成できない、といった問題が生じる。
離の問題に対して、従来、特開平４−５３２９７号公報
では、ポリイミド樹脂による絶縁層の積層形成工程にお
いて、前工程での加熱温度を最終ベーキング温度よりも
低温とすることで、熱ストレスを緩和することが提案さ
れている。しかし、これはプリント基板の製造工程での
信頼性を向上することにはなっても、より高温での熱ス
トレスが予想されるはんだ付け時や長期の耐久信頼性試
験においては、以後の工程の熱処理温度が低くなること
が必ずしも有利であるとは限らない。特に、硬化温度が
著しく高いポリイミド樹脂系材料の場合に限り、有効と
なることも考えられるが、この場合、ポリイミド樹脂で
は吸水率が大きく、耐湿信頼性の点で問題が残る。他
に、特開平８−２４８６３０号公報のように絶縁層材料
中にゴム成分を配合して低応力化を図った例がある。し
かし、一般に、ポリブタジエンやポリウレタン等のゴム
成分は耐熱性および耐湿性の点で劣るために、低応力化
を図るために配合量を増加するに従ってこれら特性の劣
化を招き、低応力化と信頼性の両立は必ずしも充分に達
成できない、といった問題が生じる。
【０００７】また、後者の問題点については、従来、ポ
リイミド樹脂系材料を絶縁層材料として使用した例が多
く提案されてきたが、耐湿信頼性が低い点や硬化温度が
著しく高くなる点から用途拡大が遅れている。これに対
して、近年、特開平９−１７２２３４号公報のようにガ
ラエポ基板よりも低誘電率で、耐湿性も良好なベンゾシ
クロブテンを絶縁層に使用した例が提案されている。こ
の材料はこれらの特性に加えて、硬化温度もポリイミド
樹脂よりも低温に抑えることが可能とされている。しか
し、２００℃程度の硬化温度は必要となり、プリント配
線基板製造工程での残留応力による信頼性面からの歩留
り低下の問題に対しても、充分な工程管理へ配慮が必要
である。更に、現在はなおも特殊な材料であることから
工業的には供給体制も含めて充分に確立されてはおら
ず、コスト面でも問題が残っている。
リイミド樹脂系材料を絶縁層材料として使用した例が多
く提案されてきたが、耐湿信頼性が低い点や硬化温度が
著しく高くなる点から用途拡大が遅れている。これに対
して、近年、特開平９−１７２２３４号公報のようにガ
ラエポ基板よりも低誘電率で、耐湿性も良好なベンゾシ
クロブテンを絶縁層に使用した例が提案されている。こ
の材料はこれらの特性に加えて、硬化温度もポリイミド
樹脂よりも低温に抑えることが可能とされている。しか
し、２００℃程度の硬化温度は必要となり、プリント配
線基板製造工程での残留応力による信頼性面からの歩留
り低下の問題に対しても、充分な工程管理へ配慮が必要
である。更に、現在はなおも特殊な材料であることから
工業的には供給体制も含めて充分に確立されてはおら
ず、コスト面でも問題が残っている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そこで、この発明の目
的は、使用環境下での耐熱・耐湿信頼性を確保できると
ともにポリイミド樹脂並の低誘電率化による高周波特性
の向上を図ることができるプリント配線基板を提供する
ことにある。
的は、使用環境下での耐熱・耐湿信頼性を確保できると
ともにポリイミド樹脂並の低誘電率化による高周波特性
の向上を図ることができるプリント配線基板を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１乃至７に記載の
発明は、弾性率が−５０℃から２００℃までの温度領域
において１００ｋｇｆ／ｍｍ２以下であるシリコーン樹
脂材を、はんだレジスト層または絶縁層に用いたことを
特徴としている。
発明は、弾性率が−５０℃から２００℃までの温度領域
において１００ｋｇｆ／ｍｍ２以下であるシリコーン樹
脂材を、はんだレジスト層または絶縁層に用いたことを
特徴としている。
【００１０】ここで、シリコーン樹脂は低応力、高耐
熱、低誘電率、且つ安価な材料であり、この材料をプリ
ント配線基板のはんだレジスト層または絶縁層材料に使
用すると、使用環境下での耐熱・耐湿信頼性確保とポリ
イミド樹脂並の低誘電率化による高周波特性の向上およ
びコスト面でのメリットを満足した高密度実装対応製品
を安価に得ることが可能となる。
熱、低誘電率、且つ安価な材料であり、この材料をプリ
ント配線基板のはんだレジスト層または絶縁層材料に使
用すると、使用環境下での耐熱・耐湿信頼性確保とポリ
イミド樹脂並の低誘電率化による高周波特性の向上およ
びコスト面でのメリットを満足した高密度実装対応製品
を安価に得ることが可能となる。
【００１１】ここで、請求項１，２に記載のように、前
記絶縁層は、多層基板における層間絶縁層のうちの最表
の絶縁層であったり、多層基板における配線パターンが
形成された各層のうちの最表の絶縁層であったり、ま
た、請求項３に記載のように、前記シリコーン樹脂材
は、８０ｗｔ％以上のマトリックス樹脂を含み、その全
てがシリコーン樹脂から成るものであり、前記シリコー
ン樹脂材は、光硬化型シリコーン樹脂、若しくは熱硬化
型シリコーン樹脂と湿気硬化型シリコーン樹脂との少な
くとも一方と光硬化型シリコーン樹脂との組み合わせか
らなり、熱硬化型シリコーン樹脂と湿気硬化型シリコー
ン樹脂との少なくとも一方と光硬化型シリコーン樹脂と
を組み合わせる場合、前記シリコーン樹脂材は熱硬化型
シリコーン樹脂または湿気硬化型シリコーン樹脂を１０
〜８０ｗｔ％含むものであるとしたり、請求項４に記載
のように、請求項１〜３のいずれか１項に記載のプリン
ト配線基板において、前記シリコーン樹脂材は、ポリイ
ソブチレンを主骨格としたシリコーン樹脂を含むものと
する。といったようにすると、実用上好ましいものとな
る。
記絶縁層は、多層基板における層間絶縁層のうちの最表
の絶縁層であったり、多層基板における配線パターンが
形成された各層のうちの最表の絶縁層であったり、ま
た、請求項３に記載のように、前記シリコーン樹脂材
は、８０ｗｔ％以上のマトリックス樹脂を含み、その全
てがシリコーン樹脂から成るものであり、前記シリコー
ン樹脂材は、光硬化型シリコーン樹脂、若しくは熱硬化
型シリコーン樹脂と湿気硬化型シリコーン樹脂との少な
くとも一方と光硬化型シリコーン樹脂との組み合わせか
らなり、熱硬化型シリコーン樹脂と湿気硬化型シリコー
ン樹脂との少なくとも一方と光硬化型シリコーン樹脂と
を組み合わせる場合、前記シリコーン樹脂材は熱硬化型
シリコーン樹脂または湿気硬化型シリコーン樹脂を１０
〜８０ｗｔ％含むものであるとしたり、請求項４に記載
のように、請求項１〜３のいずれか１項に記載のプリン
ト配線基板において、前記シリコーン樹脂材は、ポリイ
ソブチレンを主骨格としたシリコーン樹脂を含むものと
する。といったようにすると、実用上好ましいものとな
る。
【００１２】また、請求項５に記載のように、はんだレ
ジスト層または絶縁層として、弾性率が−５０℃から２
００℃までの温度領域において１００ｋｇｆ／ｍｍ２以
下であるシリコーン樹脂材を用いた層と、弾性率が−５
０℃から２００℃までの温度領域において１００ｋｇｆ
／ｍｍ２より大きい樹脂材を用いた層とを組み合わせる
と、基板全体の柔軟性として任意の特性を得ることが可
能となる。
ジスト層または絶縁層として、弾性率が−５０℃から２
００℃までの温度領域において１００ｋｇｆ／ｍｍ２以
下であるシリコーン樹脂材を用いた層と、弾性率が−５
０℃から２００℃までの温度領域において１００ｋｇｆ
／ｍｍ２より大きい樹脂材を用いた層とを組み合わせる
と、基板全体の柔軟性として任意の特性を得ることが可
能となる。
【００１３】つまり、請求項６に記載のように、前記１
００ｋｇｆ／ｍｍ２以下であるシリコーン樹脂材を用い
た層と、１００ｋｇｆ／ｍｍ２より大きい樹脂材を用い
た層との積層順序を変えることにより、基板全体の柔軟
性として任意の特性を得るようにしたり、請求項７に記
載のように、前記１００ｋｇｆ／ｍｍ２以下であるシリ
コーン樹脂材を用いた層と、１００ｋｇｆ／ｍｍ２より
大きい樹脂材を用いた層との積層層数を変えることによ
り、基板全体の柔軟性として任意の特性を得ることがで
きる。
００ｋｇｆ／ｍｍ２以下であるシリコーン樹脂材を用い
た層と、１００ｋｇｆ／ｍｍ２より大きい樹脂材を用い
た層との積層順序を変えることにより、基板全体の柔軟
性として任意の特性を得るようにしたり、請求項７に記
載のように、前記１００ｋｇｆ／ｍｍ２以下であるシリ
コーン樹脂材を用いた層と、１００ｋｇｆ／ｍｍ２より
大きい樹脂材を用いた層との積層層数を変えることによ
り、基板全体の柔軟性として任意の特性を得ることがで
きる。
【００１４】また、プリント配線基板の製造方法とし
て、請求項８，９に記載のように、基材の表面に、硬化
後の弾性率が−５０℃から２００℃までの温度領域にお
いて１００ｋｇｆ／ｍｍ２以下であり、かつ、熱硬化成
分または湿気硬化成分の少なくともいずれか一方と光硬
化成分を有するペースト状のシリコーン樹脂材を塗布す
る。そして、前記シリコーン樹脂材の全面に弱い露光を
行う。これにより、表面タック性が消失する。さらに、
前記シリコーン樹脂材に対しマスクを用いた露光を行う
とともに現像を行いシリコーン樹脂材での所望の領域を
開口させる。引き続き、前記シリコーン樹脂材の開口部
に配線をパターニングする。
て、請求項８，９に記載のように、基材の表面に、硬化
後の弾性率が−５０℃から２００℃までの温度領域にお
いて１００ｋｇｆ／ｍｍ２以下であり、かつ、熱硬化成
分または湿気硬化成分の少なくともいずれか一方と光硬
化成分を有するペースト状のシリコーン樹脂材を塗布す
る。そして、前記シリコーン樹脂材の全面に弱い露光を
行う。これにより、表面タック性が消失する。さらに、
前記シリコーン樹脂材に対しマスクを用いた露光を行う
とともに現像を行いシリコーン樹脂材での所望の領域を
開口させる。引き続き、前記シリコーン樹脂材の開口部
に配線をパターニングする。
【００１５】このように、熱硬化成分または湿気硬化成
分の少なくともいずれか一方と光硬化成分を有するペー
スト状のシリコーン樹脂材を用いて、より実用的なプリ
ント配線基板の製造方法とすることができる。
分の少なくともいずれか一方と光硬化成分を有するペー
スト状のシリコーン樹脂材を用いて、より実用的なプリ
ント配線基板の製造方法とすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、この発明を具体化した実施
の形態を図面に従って説明する。図１には、本実施形態
におけるプリント配線基板の断面図を示す。本例のプリ
ント配線基板は多層プリント配線基板であり、基板の表
裏両面に３層の配線パターンがそれぞれ形成されてい
る。そして、基板の両面に、電子部品であるフリップチ
ップ８、ＣＳＰ（Chip Size Package ）９およびＭＣＭ
（Multi Chip Module)１４が表面実装されている。
の形態を図面に従って説明する。図１には、本実施形態
におけるプリント配線基板の断面図を示す。本例のプリ
ント配線基板は多層プリント配線基板であり、基板の表
裏両面に３層の配線パターンがそれぞれ形成されてい
る。そして、基板の両面に、電子部品であるフリップチ
ップ８、ＣＳＰ（Chip Size Package ）９およびＭＣＭ
（Multi Chip Module)１４が表面実装されている。
【００１７】以下、詳しく説明する。コア基板１として
ガラスエポキシ基板が用いられている。このコア基板１
にはスルーホール４が形成されるとともにスルーホール
４内にはスルーホールメッキ５が形成されている。な
お、スルーホールメッキ５の代わりに導電ペーストを用
いてもよい。
ガラスエポキシ基板が用いられている。このコア基板１
にはスルーホール４が形成されるとともにスルーホール
４内にはスルーホールメッキ５が形成されている。な
お、スルーホールメッキ５の代わりに導電ペーストを用
いてもよい。
【００１８】コア基板１の上面には、配線パターンが形
成された絶縁層（以下、レジスト層という）と層間絶縁
層とが３層ずつ交互にが積層されている。つまり、上か
ら下に向かって第１層レジスト層Ｌ１R 、第１層絶縁層
Ｌ１i 、第２層レジスト層Ｌ２R 、第２層絶縁層Ｌ２i
、第３層レジスト層Ｌ３R 、第３層絶縁層Ｌ３i が形
成されている。また、コア基板１の下面には、配線パタ
ーンが形成された絶縁層（以下、レジスト層という）と
層間絶縁層とが３層ずつ交互にが積層されている。つま
り、上から下に向かって第４層絶縁層Ｌ４i 、第４層レ
ジスト層Ｌ４R 、第５層絶縁層Ｌ５i 、第５層レジスト
層Ｌ５R 、第６層絶縁層Ｌ６i 、第６層レジスト層Ｌ６
R が形成されている。
成された絶縁層（以下、レジスト層という）と層間絶縁
層とが３層ずつ交互にが積層されている。つまり、上か
ら下に向かって第１層レジスト層Ｌ１R 、第１層絶縁層
Ｌ１i 、第２層レジスト層Ｌ２R 、第２層絶縁層Ｌ２i
、第３層レジスト層Ｌ３R 、第３層絶縁層Ｌ３i が形
成されている。また、コア基板１の下面には、配線パタ
ーンが形成された絶縁層（以下、レジスト層という）と
層間絶縁層とが３層ずつ交互にが積層されている。つま
り、上から下に向かって第４層絶縁層Ｌ４i 、第４層レ
ジスト層Ｌ４R 、第５層絶縁層Ｌ５i 、第５層レジスト
層Ｌ５R 、第６層絶縁層Ｌ６i 、第６層レジスト層Ｌ６
R が形成されている。
【００１９】レジスト層Ｌ１R ，Ｌ２R ，Ｌ３R ，Ｌ４
R ，Ｌ５R ，Ｌ６R には銅メッキ回路配線（配線パター
ン）６が配置されている。絶縁層Ｌ１i ，Ｌ２i ，Ｌ３
i ，Ｌ４i ，Ｌ５i ，Ｌ６i には層間接合のための銅め
っきビアホール（ＩＶＨ（Interstitial Via Hole)）７
が形成され、このＩＶＨ７を通して層間での導通がとら
れている。但し、Ｌ３i とＬ４i の各層の一方または両
方が無くても構わない。
R ，Ｌ５R ，Ｌ６R には銅メッキ回路配線（配線パター
ン）６が配置されている。絶縁層Ｌ１i ，Ｌ２i ，Ｌ３
i ，Ｌ４i ，Ｌ５i ，Ｌ６i には層間接合のための銅め
っきビアホール（ＩＶＨ（Interstitial Via Hole)）７
が形成され、このＩＶＨ７を通して層間での導通がとら
れている。但し、Ｌ３i とＬ４i の各層の一方または両
方が無くても構わない。
【００２０】コア基板１の表面（上面）に形成した絶縁
層の積層体２における第１層レジスト層Ｌ１R の上に
は、フリップチップ８およびＣＳＰ９が配置されてい
る。フリップチップ８は電極１０にて第１層レジスト層
Ｌ１R における配線パターン１１と電気的に接続され、
ＣＳＰ９は電極１２にて第１層レジスト層Ｌ１R におけ
る配線パターン１１と電気的に接続されている。詳しく
は、第１層レジスト層Ｌ１R の上に、はんだレジスト層
１３が形成され、このはんだレジスト層１３を用いて電
極１０，１２と配線パターン１１とがはんだ付け（ボン
ディング）されている。
層の積層体２における第１層レジスト層Ｌ１R の上に
は、フリップチップ８およびＣＳＰ９が配置されてい
る。フリップチップ８は電極１０にて第１層レジスト層
Ｌ１R における配線パターン１１と電気的に接続され、
ＣＳＰ９は電極１２にて第１層レジスト層Ｌ１R におけ
る配線パターン１１と電気的に接続されている。詳しく
は、第１層レジスト層Ｌ１R の上に、はんだレジスト層
１３が形成され、このはんだレジスト層１３を用いて電
極１０，１２と配線パターン１１とがはんだ付け（ボン
ディング）されている。
【００２１】なお、ＣＳＰ９の代わりに、ＢＧＡ（Ball
Grid Array ）を用いてもよい。同様に、コア基板１の
裏面に形成した絶縁層の積層体３における第６層レジス
ト層Ｌ６R の表面側には、ＭＣＭ１４が配置されてい
る。ＭＣＭ１４は電極１５にて表層の第６層レジスト層
Ｌ６R における配線パターン１６と電気的に接続されて
いる。詳しくは、レジスト層Ｌ６R の上（表面側）に、
はんだレジスト層１７が形成され、このはんだレジスト
層１７を用いて電極１５と配線パターン１６とがはんだ
付け（ボンディング）されている。
Grid Array ）を用いてもよい。同様に、コア基板１の
裏面に形成した絶縁層の積層体３における第６層レジス
ト層Ｌ６R の表面側には、ＭＣＭ１４が配置されてい
る。ＭＣＭ１４は電極１５にて表層の第６層レジスト層
Ｌ６R における配線パターン１６と電気的に接続されて
いる。詳しくは、レジスト層Ｌ６R の上（表面側）に、
はんだレジスト層１７が形成され、このはんだレジスト
層１７を用いて電極１５と配線パターン１６とがはんだ
付け（ボンディング）されている。
【００２２】ここで、はんだレジスト層１３、第１層レ
ジスト層Ｌ１R 、第１層絶縁層Ｌ１i 、はんだレジスト
層１７、第６層レジスト層Ｌ６R 、第６層絶縁層Ｌ６i
のうちの少なくとも１つは、次のような構成となってい
る。
ジスト層Ｌ１R 、第１層絶縁層Ｌ１i 、はんだレジスト
層１７、第６層レジスト層Ｌ６R 、第６層絶縁層Ｌ６i
のうちの少なくとも１つは、次のような構成となってい
る。
【００２３】弾性率が−５０℃から２００℃までの温度
領域において１００ｋｇｆ／ｍｍ2以下であるシリコー
ン樹脂を含み、詳しくは、 （i ）光硬化型シリコーン樹脂 （ii）光硬化型シリコーン樹脂＋湿気硬化型シリコーン
樹脂、 （iii)光硬化型シリコーン樹脂＋熱硬化型シリコーン樹
脂、 （iv) 光硬化型シリコーン樹脂＋湿気硬化型シリコーン
樹脂＋熱硬化型シリコーン樹脂、 のいずれかの組み合わせをなし、かつ、シリコーン樹脂
材は、８０ｗｔ％以上のマトリックス樹脂を含み、その
全てがシリコーン樹脂から成るものであり、前記シリコ
ーン樹脂材は、熱硬化型シリコーン樹脂と湿気硬化型シ
リコーン樹脂との少なくとも一方と光硬化型シリコーン
樹脂とを組み合せる場合は熱硬化型シリコーン樹脂また
は湿気硬化型シリコーン樹脂を１０〜８０ｗｔ％含むと
ともに、光硬化型シリコーン樹脂を含み、かつ、このシ
リコーン樹脂材は、ポリイソブチレンを主骨格としたシ
リコーン樹脂を含んでいる。
領域において１００ｋｇｆ／ｍｍ2以下であるシリコー
ン樹脂を含み、詳しくは、 （i ）光硬化型シリコーン樹脂 （ii）光硬化型シリコーン樹脂＋湿気硬化型シリコーン
樹脂、 （iii)光硬化型シリコーン樹脂＋熱硬化型シリコーン樹
脂、 （iv) 光硬化型シリコーン樹脂＋湿気硬化型シリコーン
樹脂＋熱硬化型シリコーン樹脂、 のいずれかの組み合わせをなし、かつ、シリコーン樹脂
材は、８０ｗｔ％以上のマトリックス樹脂を含み、その
全てがシリコーン樹脂から成るものであり、前記シリコ
ーン樹脂材は、熱硬化型シリコーン樹脂と湿気硬化型シ
リコーン樹脂との少なくとも一方と光硬化型シリコーン
樹脂とを組み合せる場合は熱硬化型シリコーン樹脂また
は湿気硬化型シリコーン樹脂を１０〜８０ｗｔ％含むと
ともに、光硬化型シリコーン樹脂を含み、かつ、このシ
リコーン樹脂材は、ポリイソブチレンを主骨格としたシ
リコーン樹脂を含んでいる。
【００２４】また、はんだレジスト層１３，１７および
第１〜第６のレジスト・絶縁層（Ｌ１R 〜Ｌ６R ，Ｌ１
i 〜Ｌ６i ）は、弾性率が−５０℃から２００℃までの
温度領域において１００ｋｇｆ／ｍｍ2 以下であるシリ
コーン樹脂材を用いた層と、弾性率が−５０℃から２０
０℃までの温度領域において１００ｋｇｆ／ｍｍ2 より
大きい樹脂材を用いた層とを組み合わており、詳しく
は、積層順序を変えたり、積層層数を変えることによ
り、基板全体の柔軟性として任意の特性を得ている。
第１〜第６のレジスト・絶縁層（Ｌ１R 〜Ｌ６R ，Ｌ１
i 〜Ｌ６i ）は、弾性率が−５０℃から２００℃までの
温度領域において１００ｋｇｆ／ｍｍ2 以下であるシリ
コーン樹脂材を用いた層と、弾性率が−５０℃から２０
０℃までの温度領域において１００ｋｇｆ／ｍｍ2 より
大きい樹脂材を用いた層とを組み合わており、詳しく
は、積層順序を変えたり、積層層数を変えることによ
り、基板全体の柔軟性として任意の特性を得ている。
【００２５】次に、このように構成した電子装置の製造
方法について、図２〜図９を用いて説明する。この製造
方法の説明においては、図１でのレジスト層Ｌ３R ，Ｌ
４R に、前述の特性を有するシリコーン樹脂材を用いた
場合を想定している。
方法について、図２〜図９を用いて説明する。この製造
方法の説明においては、図１でのレジスト層Ｌ３R ，Ｌ
４R に、前述の特性を有するシリコーン樹脂材を用いた
場合を想定している。
【００２６】まず、図２に示すように、コア基材２０を
用意し、図３に示すように、その上下の両面に樹脂層２
１，２２を貼り合わせて中心基材層を形成する。この中
心基材層の構成材料としては、例えば、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂を用い
る。そして、図４に示すように、中心基材層（コア基材
２０と樹脂層２１，２２の積層体）にスルーホール２３
を形成する。
用意し、図３に示すように、その上下の両面に樹脂層２
１，２２を貼り合わせて中心基材層を形成する。この中
心基材層の構成材料としては、例えば、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂を用い
る。そして、図４に示すように、中心基材層（コア基材
２０と樹脂層２１，２２の積層体）にスルーホール２３
を形成する。
【００２７】その後、図５に示すように、スルーホール
２３に対し導電ペースト２４を充填し、この導電ペース
ト２４を硬化する。そして、中心基材層（コア基材２０
と樹脂層２１，２２の積層体）の上下の両面に、触媒を
塗布し（触媒処理し）、さらに、ペースト状のシリコー
ン樹脂材２５，２６を塗布する。このシリコーン樹脂材
２５，２６は、硬化後の弾性率が−５０℃から２００℃
までの温度領域において１００ｋｇｆ／ｍｍ2 以下であ
り、かつ、熱硬化型シリコーン樹脂成分と、光硬化型シ
リコーン樹脂成分を有する。なお、シリコーン樹脂材２
５，２６は、熱硬化成分または湿気硬化成分の少なくと
もいずれか一方と光硬化成分を有すればよい。
２３に対し導電ペースト２４を充填し、この導電ペース
ト２４を硬化する。そして、中心基材層（コア基材２０
と樹脂層２１，２２の積層体）の上下の両面に、触媒を
塗布し（触媒処理し）、さらに、ペースト状のシリコー
ン樹脂材２５，２６を塗布する。このシリコーン樹脂材
２５，２６は、硬化後の弾性率が−５０℃から２００℃
までの温度領域において１００ｋｇｆ／ｍｍ2 以下であ
り、かつ、熱硬化型シリコーン樹脂成分と、光硬化型シ
リコーン樹脂成分を有する。なお、シリコーン樹脂材２
５，２６は、熱硬化成分または湿気硬化成分の少なくと
もいずれか一方と光硬化成分を有すればよい。
【００２８】ここで、シリコーン樹脂材料に関し、より
詳しくは、熱硬化型シリコーン樹脂材料として、含有樹
脂成分として白金触媒による付加反応型シリコーン樹
脂、特にポリジメチルおよびポリメチルフェニルポリシ
ロキサン樹脂（材料品番：信越化学工業製「ＫＥ１８４
３」）１００重量部、紫外線硬化型シリコーン樹脂材料
として末端アクリロキシ基ポリジアルキルシロキサン樹
脂材料（材料品番：スリーボンド製「３１６１」）８０
重量部を均一混合する。混合は真空プラネタリー中にて
実施する。得られた材料をＦＲ−４コア基材表面に約４
０μｍの厚みで塗布する。
詳しくは、熱硬化型シリコーン樹脂材料として、含有樹
脂成分として白金触媒による付加反応型シリコーン樹
脂、特にポリジメチルおよびポリメチルフェニルポリシ
ロキサン樹脂（材料品番：信越化学工業製「ＫＥ１８４
３」）１００重量部、紫外線硬化型シリコーン樹脂材料
として末端アクリロキシ基ポリジアルキルシロキサン樹
脂材料（材料品番：スリーボンド製「３１６１」）８０
重量部を均一混合する。混合は真空プラネタリー中にて
実施する。得られた材料をＦＲ−４コア基材表面に約４
０μｍの厚みで塗布する。
【００２９】その後、図６に示すように、ペースト状の
シリコーン樹脂材２５，２６に対し短時間の全面露光、
つまり、弱い露光を行い、一部を硬化する。短時間の全
面露光は、例えば５００ｍＪ／ｃｍ2 とする。これによ
り、表面タック性（ベタツキ）が消失し、以後の工程を
容易に行うことができるようになる。
シリコーン樹脂材２５，２６に対し短時間の全面露光、
つまり、弱い露光を行い、一部を硬化する。短時間の全
面露光は、例えば５００ｍＪ／ｃｍ2 とする。これによ
り、表面タック性（ベタツキ）が消失し、以後の工程を
容易に行うことができるようになる。
【００３０】そして、図７に示すように、シリコーン樹
脂材２５，２６に対しフォトマスク２７，２８を用いて
非パターン部を露光する。これにより、露光部の光硬化
型シリコーン樹脂は完全に硬化する。さらに、図８に示
すように、現像を行った後、シリコーン樹脂材２５，２
６に対し全面露光し（例えば２０００ｍＪ／ｃｍ2 ）、
さらに、加熱硬化して、全てのシリコーン樹脂成分を硬
化させる。
脂材２５，２６に対しフォトマスク２７，２８を用いて
非パターン部を露光する。これにより、露光部の光硬化
型シリコーン樹脂は完全に硬化する。さらに、図８に示
すように、現像を行った後、シリコーン樹脂材２５，２
６に対し全面露光し（例えば２０００ｍＪ／ｃｍ2 ）、
さらに、加熱硬化して、全てのシリコーン樹脂成分を硬
化させる。
【００３１】このように露光現像を行うことによりシリ
コーン樹脂材２５，２６での所望の領域がパターン部２
９，３０として開口する。引き続き、図９に示すよう
に、シリコーン樹脂材２５，２６において得られた開口
部２９，３０に対してめっきをすることによって銅配線
パターン３１，３２を形成する。つまり、配線・実装パ
ターンを形成する（配線３１，３２をパターニングす
る）。
コーン樹脂材２５，２６での所望の領域がパターン部２
９，３０として開口する。引き続き、図９に示すよう
に、シリコーン樹脂材２５，２６において得られた開口
部２９，３０に対してめっきをすることによって銅配線
パターン３１，３２を形成する。つまり、配線・実装パ
ターンを形成する（配線３１，３２をパターニングす
る）。
【００３２】そして、フリップチップ等の実装を行う。
このようにして電子装置が完成する。以下、プリント配
線基板に使用する材料に関する説明を行う。
このようにして電子装置が完成する。以下、プリント配
線基板に使用する材料に関する説明を行う。
【００３３】プリント配線基板に使用されるはんだレジ
スト材料または絶縁材料は、従来、エポキシ樹脂系、ア
クリル樹脂系、ポリイミド樹脂系、フェノール樹脂系、
ポリエステル樹脂系の材料が大部分で、耐熱性・耐湿性
・低応力性・電気特性・低コストを全て満足することが
困難であった。
スト材料または絶縁材料は、従来、エポキシ樹脂系、ア
クリル樹脂系、ポリイミド樹脂系、フェノール樹脂系、
ポリエステル樹脂系の材料が大部分で、耐熱性・耐湿性
・低応力性・電気特性・低コストを全て満足することが
困難であった。
【００３４】本実施形態においては、これらの要求特性
を充分満足することが可能なシリコーン樹脂材料をプリ
ント配線基板に使用している。シリコーン樹脂材料に関
し、まず、シリコーン樹脂材料は低弾性率であるために
熱応力や落下衝撃や曲げ等の機械的応力を緩和する能力
に優れており、厳しい信頼性評価や高温はんだを使用し
た部品実装工程での配線表面あるいは配線エッジ部での
剥離やクラックの発生を抑えることが可能になる。ま
た、主骨格のＳｉ−Ｏ結合の結合エネルギー（１０６kc
al/mol）がエポキシ樹脂における主骨格Ｃ−Ｃ結合（８
５kcal/mol）の結合エネルギーに比べて大きく、３００
℃程度までの耐熱性を保証することが可能である。更
に、耐湿性の点でも優れ、また従来、半導体の封止にも
使用されてきた材料であることから、電気特性にも優れ
ている。絶縁特性は勿論であるが、誘電率：２．６〜
２．８、誘電正接：０．００２〜０．００４とポリイミ
ド樹脂以上の高周波特性を示す。その上、工業的に大量
生産されているシリコーン樹脂原料を使用することにな
るため、コスト面でも問題はない。
を充分満足することが可能なシリコーン樹脂材料をプリ
ント配線基板に使用している。シリコーン樹脂材料に関
し、まず、シリコーン樹脂材料は低弾性率であるために
熱応力や落下衝撃や曲げ等の機械的応力を緩和する能力
に優れており、厳しい信頼性評価や高温はんだを使用し
た部品実装工程での配線表面あるいは配線エッジ部での
剥離やクラックの発生を抑えることが可能になる。ま
た、主骨格のＳｉ−Ｏ結合の結合エネルギー（１０６kc
al/mol）がエポキシ樹脂における主骨格Ｃ−Ｃ結合（８
５kcal/mol）の結合エネルギーに比べて大きく、３００
℃程度までの耐熱性を保証することが可能である。更
に、耐湿性の点でも優れ、また従来、半導体の封止にも
使用されてきた材料であることから、電気特性にも優れ
ている。絶縁特性は勿論であるが、誘電率：２．６〜
２．８、誘電正接：０．００２〜０．００４とポリイミ
ド樹脂以上の高周波特性を示す。その上、工業的に大量
生産されているシリコーン樹脂原料を使用することにな
るため、コスト面でも問題はない。
【００３５】但し、本実施形態ではこのようなシリコー
ン樹脂の中から、プリント配線基板用のはんだレジスト
材料または絶縁層材料として適したものとするために、
熱硬化型シリコーン樹脂、湿気硬化型シリコーン樹脂お
よび光硬化型シリコーン樹脂を選択した。特に、配線パ
ターン部を露光・現像工程によって形成可能とすること
も考慮する場合には、光硬化型シリコーン樹脂材料を配
合することが有効である。この場合、光硬化型シリコー
ン樹脂に対して配合する熱硬化型シリコーン樹脂または
湿気硬化型シリコーン樹脂の量を変えることにより、露
光後のシリコーン樹脂全体の中に占める未硬化部分の比
率を変えることが可能となる。これによって、露光量に
応じた現像工程での溶解のされ易さを変えることができ
る。このようにして、現像後には後工程でのアディティ
ブめっき等により配線形成するための溝（図８での開口
部２９，３０）が形成される。従って、従来の紫外線硬
化による絶縁層形成またはレジスト層形成が可能な材料
と同様の工程により取り扱うことが可能となる。
ン樹脂の中から、プリント配線基板用のはんだレジスト
材料または絶縁層材料として適したものとするために、
熱硬化型シリコーン樹脂、湿気硬化型シリコーン樹脂お
よび光硬化型シリコーン樹脂を選択した。特に、配線パ
ターン部を露光・現像工程によって形成可能とすること
も考慮する場合には、光硬化型シリコーン樹脂材料を配
合することが有効である。この場合、光硬化型シリコー
ン樹脂に対して配合する熱硬化型シリコーン樹脂または
湿気硬化型シリコーン樹脂の量を変えることにより、露
光後のシリコーン樹脂全体の中に占める未硬化部分の比
率を変えることが可能となる。これによって、露光量に
応じた現像工程での溶解のされ易さを変えることができ
る。このようにして、現像後には後工程でのアディティ
ブめっき等により配線形成するための溝（図８での開口
部２９，３０）が形成される。従って、従来の紫外線硬
化による絶縁層形成またはレジスト層形成が可能な材料
と同様の工程により取り扱うことが可能となる。
【００３６】なお、図６に示したように、プリント配線
基板表面の全体に塗布した上記シリコーン樹脂材料２
５，２６の表面全体に対して、表面タック性（ベタツ
キ）が無くなる程度に露光した後、図７に示したよう
に、マスク２７，２８を使用した露光を行うことで、マ
スク使用での露光時におけるマスク汚染等の問題は避け
られる。
基板表面の全体に塗布した上記シリコーン樹脂材料２
５，２６の表面全体に対して、表面タック性（ベタツ
キ）が無くなる程度に露光した後、図７に示したよう
に、マスク２７，２８を使用した露光を行うことで、マ
スク使用での露光時におけるマスク汚染等の問題は避け
られる。
【００３７】更に、本実施形態では熱硬化型シリコーン
樹脂または湿気硬化型シリコーン樹脂の一部または全て
に、ポリイソブチレンを主骨格としたシリコーン樹脂を
使用している。これにより、従来の一般的なシリコーン
樹脂の欠点であった透湿性を著しく低減することがで
き、製品の耐湿信頼性の向上が可能となる。
樹脂または湿気硬化型シリコーン樹脂の一部または全て
に、ポリイソブチレンを主骨格としたシリコーン樹脂を
使用している。これにより、従来の一般的なシリコーン
樹脂の欠点であった透湿性を著しく低減することがで
き、製品の耐湿信頼性の向上が可能となる。
【００３８】本実施形態に適用可能な各シリコーン樹脂
としては次のようなものが挙げられる。熱硬化型シリコ
ーン樹脂としては、ベンゾイルパーオキサイド、２，４
−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ｐ−クロロベン
ゾイルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ジｔ
ｅｒｔ−ブチルパーオキサイドあるいは２，５−ジメチ
ル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサ
ン等を重合開始剤とした過酸化物架橋タイプのシリコー
ンポリマー、および１，ｎ−ジビニル−ポリジメチルシ
ロキサン、１，ｎ−ジビニル−ポリメチルビニルシロキ
サン、１，ｎ−ジビニル−ポリメチルフェニルシロキサ
ン等の末端不飽和結合を持ったポリシロキサンを末端ヒ
ドロシリル基を持った架橋剤によって白金系化合物のSp
eier's触媒存在下に重合させる付加反応架橋タイプのシ
リコーンポリマーがある。
としては次のようなものが挙げられる。熱硬化型シリコ
ーン樹脂としては、ベンゾイルパーオキサイド、２，４
−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ｐ−クロロベン
ゾイルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ジｔ
ｅｒｔ−ブチルパーオキサイドあるいは２，５−ジメチ
ル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサ
ン等を重合開始剤とした過酸化物架橋タイプのシリコー
ンポリマー、および１，ｎ−ジビニル−ポリジメチルシ
ロキサン、１，ｎ−ジビニル−ポリメチルビニルシロキ
サン、１，ｎ−ジビニル−ポリメチルフェニルシロキサ
ン等の末端不飽和結合を持ったポリシロキサンを末端ヒ
ドロシリル基を持った架橋剤によって白金系化合物のSp
eier's触媒存在下に重合させる付加反応架橋タイプのシ
リコーンポリマーがある。
【００３９】また、特に付加反応架橋タイプのシリコー
ンポリマーとしては、上記のジアルキルまたはアルキル
アリールシロキサン主骨格タイプ以外にポリイソブチレ
ン主骨格のものが適用可能である。
ンポリマーとしては、上記のジアルキルまたはアルキル
アリールシロキサン主骨格タイプ以外にポリイソブチレ
ン主骨格のものが適用可能である。
【００４０】さらに、湿気硬化型シリコーン樹脂として
は末端アルコキシ基、末端アセトキシキ基、末端アセト
アミド基または末端１−メチルビニロキシ基であるシラ
ン、あるいはジアルキルアミノキシ環状ポリシロキサン
等を架橋剤として、末端にシラノール基を持ったベース
ポリマーを重合させるものが適用可能である。この湿気
硬化型シリコーン樹脂についても前述の加熱硬化型シリ
コーン樹脂と同様に、ベースポリマーの主鎖にポリイソ
ブチレン骨格を導入したものも適用可能である。
は末端アルコキシ基、末端アセトキシキ基、末端アセト
アミド基または末端１−メチルビニロキシ基であるシラ
ン、あるいはジアルキルアミノキシ環状ポリシロキサン
等を架橋剤として、末端にシラノール基を持ったベース
ポリマーを重合させるものが適用可能である。この湿気
硬化型シリコーン樹脂についても前述の加熱硬化型シリ
コーン樹脂と同様に、ベースポリマーの主鎖にポリイソ
ブチレン骨格を導入したものも適用可能である。
【００４１】さらに、紫外線硬化型シリコーン樹脂とし
ては、末端にビニル基を持ったポリシロキサンをチオー
ルアルキルポリシロキサンによって光増感剤の存在下に
架橋するか、または末端アクリロキシアルキル基や末端
ビニルアミド基のポリシロキサンを架橋剤無しで重合す
る組成としたもの、さらに、エポキシ変性シリコーン樹
脂をオニウム塩によって重合するものが適用可能であ
る。
ては、末端にビニル基を持ったポリシロキサンをチオー
ルアルキルポリシロキサンによって光増感剤の存在下に
架橋するか、または末端アクリロキシアルキル基や末端
ビニルアミド基のポリシロキサンを架橋剤無しで重合す
る組成としたもの、さらに、エポキシ変性シリコーン樹
脂をオニウム塩によって重合するものが適用可能であ
る。
【００４２】表１には、熱硬化型シリコーン樹脂（第１
成分）と光硬化型シリコーン樹脂（第２成分）とフィラ
等（樹脂成分以外の第３成分の添加物）を含んだレジス
ト材における、熱硬化型シリコーン樹脂／レジスト材中
の全てのシリコーン樹脂（ｗｔ％）を変えたときの３０
０μｍ幅以下の溝の現像による形成の可否の観察結果を
示す。熱硬化型シリコーン樹脂／レジスト材中の全ての
シリコーン樹脂が５ｗｔ％および９０ｗｔ％では、不良
であった。また、熱硬化型シリコーン樹脂／レジスト材
中の全てのシリコーン樹脂が２０ｗｔ％および５０ｗｔ
％では、良であり、１０ｗｔ％および８０ｗｔ％では良
と不良が混在した。
成分）と光硬化型シリコーン樹脂（第２成分）とフィラ
等（樹脂成分以外の第３成分の添加物）を含んだレジス
ト材における、熱硬化型シリコーン樹脂／レジスト材中
の全てのシリコーン樹脂（ｗｔ％）を変えたときの３０
０μｍ幅以下の溝の現像による形成の可否の観察結果を
示す。熱硬化型シリコーン樹脂／レジスト材中の全ての
シリコーン樹脂が５ｗｔ％および９０ｗｔ％では、不良
であった。また、熱硬化型シリコーン樹脂／レジスト材
中の全てのシリコーン樹脂が２０ｗｔ％および５０ｗｔ
％では、良であり、１０ｗｔ％および８０ｗｔ％では良
と不良が混在した。
【００４３】この結果から、熱硬化型シリコーン樹脂／
レジスト材中の全てのシリコーン樹脂（ｗｔ％）の混合
割合としては、１０〜８０ｗｔ％の範囲が好ましく、２
０〜５０ｗｔ％の範囲がより好ましいことが分かる。
レジスト材中の全てのシリコーン樹脂（ｗｔ％）の混合
割合としては、１０〜８０ｗｔ％の範囲が好ましく、２
０〜５０ｗｔ％の範囲がより好ましいことが分かる。
【００４４】
【表１】
このように本実施形態は、下記の特徴を有する。
（イ）高密度実装プリント配線基板において、耐熱応力
性および耐湿性の向上と良好な高周波特性の確保が可能
となる。これにより、従来、問題となっていた電子装置
における小型化・高密度化と高信頼性および高機能化を
より安価に満足させることが可能となる。 （ロ）シリコーン樹脂材料を適用する絶縁層の層数や積
層順序によって、プリント配線基板の屈曲性をコントロ
ールすることも可能であり、筐体内等の限られた空間に
これを納める場合等には折り曲げることも可能となるた
め、製品のより小型化が可能となる。
性および耐湿性の向上と良好な高周波特性の確保が可能
となる。これにより、従来、問題となっていた電子装置
における小型化・高密度化と高信頼性および高機能化を
より安価に満足させることが可能となる。 （ロ）シリコーン樹脂材料を適用する絶縁層の層数や積
層順序によって、プリント配線基板の屈曲性をコントロ
ールすることも可能であり、筐体内等の限られた空間に
これを納める場合等には折り曲げることも可能となるた
め、製品のより小型化が可能となる。
【００４５】つまり、図１に示すように、上から下に、
第１層レジスト層Ｌ１R 、第１層絶縁層Ｌ１i 、第２層
レジスト層Ｌ２R 、第２層絶縁層Ｌ２i 、第３層レジス
ト層Ｌ３R 、第３層絶縁層Ｌ３i 、第４層絶縁層Ｌ４i
、第４層レジスト層Ｌ４R 、第５層絶縁層Ｌ５i 、第
５層レジスト層Ｌ５R 、第６層絶縁層Ｌ６i 、第６層レ
ジスト層Ｌ６R を積層した場合において、例えば、第１
・第６レジスト層および絶縁層Ｌ１R ，Ｌ１i ，Ｌ６R
，Ｌ６i のマトリックス樹脂がシリコーン樹脂から成
り、その弾性率が−５０℃から２００℃までの温度領域
において１００ｋｇｆ／ｍｍ2 以下であり、かつ、前記
シリコーン樹脂材は、光硬化型シリコーン樹脂、若しく
は熱硬化型シリコーン樹脂と湿気硬化型シリコーン樹脂
との少なくとも一方と光硬化型シリコーン樹脂との組み
合わせからなり、熱硬化型シリコーン樹脂と湿気硬化型
シリコーン樹脂との少なくとも一方と光硬化型シリコー
ン樹脂とを組み合せる場合、前記シリコーン樹脂材は熱
硬化型シリコーン樹脂または湿気硬化型シリコーン樹脂
１０〜８０ｗｔ％および光硬化型シリコーン樹脂を含む
ようにすると、以下の効果を奏する。つまり、温度サイ
クルまたは製品落下時の部品実装用電極近傍でのはんだ
レジスト層またはその直下の絶縁層のクラックを防止す
ることができる。
第１層レジスト層Ｌ１R 、第１層絶縁層Ｌ１i 、第２層
レジスト層Ｌ２R 、第２層絶縁層Ｌ２i 、第３層レジス
ト層Ｌ３R 、第３層絶縁層Ｌ３i 、第４層絶縁層Ｌ４i
、第４層レジスト層Ｌ４R 、第５層絶縁層Ｌ５i 、第
５層レジスト層Ｌ５R 、第６層絶縁層Ｌ６i 、第６層レ
ジスト層Ｌ６R を積層した場合において、例えば、第１
・第６レジスト層および絶縁層Ｌ１R ，Ｌ１i ，Ｌ６R
，Ｌ６i のマトリックス樹脂がシリコーン樹脂から成
り、その弾性率が−５０℃から２００℃までの温度領域
において１００ｋｇｆ／ｍｍ2 以下であり、かつ、前記
シリコーン樹脂材は、光硬化型シリコーン樹脂、若しく
は熱硬化型シリコーン樹脂と湿気硬化型シリコーン樹脂
との少なくとも一方と光硬化型シリコーン樹脂との組み
合わせからなり、熱硬化型シリコーン樹脂と湿気硬化型
シリコーン樹脂との少なくとも一方と光硬化型シリコー
ン樹脂とを組み合せる場合、前記シリコーン樹脂材は熱
硬化型シリコーン樹脂または湿気硬化型シリコーン樹脂
１０〜８０ｗｔ％および光硬化型シリコーン樹脂を含む
ようにすると、以下の効果を奏する。つまり、温度サイ
クルまたは製品落下時の部品実装用電極近傍でのはんだ
レジスト層またはその直下の絶縁層のクラックを防止す
ることができる。
【００４６】また、他の例としては、第１・２・５・６
層のレジスト層および絶縁層（Ｌ１R ，Ｌ１i ，Ｌ２R
，Ｌ２i ，Ｌ５R ，Ｌ５i ，Ｌ６R ，Ｌ６i ）、また
は、第１・２・３・４・５・６層のレジスト層および絶
縁層（Ｌ１R 〜Ｌ６R ，Ｌ１i〜Ｌ６i ）のマトリック
ス樹脂が、シリコーン樹脂から成り、その弾性率が−５
０℃から２００℃までの温度領域において１００ｋｇｆ
／ｍｍ2 以下であり、かつ、前記シリコーン樹脂材は、
光硬化型シリコーン樹脂、若しくは熱硬化型シリコーン
樹脂と湿気硬化型シリコーン樹脂との少なくとも一方と
光硬化型シリコーン樹脂との組み合わせからなり、熱硬
化型シリコーン樹脂と湿気硬化型シリコーン樹脂との少
なくとも一方と光硬化型シリコーン樹脂とを組み合せる
場合、前記シリコーン樹脂材は熱硬化型シリコーン樹脂
または湿気硬化型シリコーン樹脂１０〜８０ｗｔ％およ
び光硬化型シリコーン樹脂を含むようにすると、以下の
効果を奏する。つまり、前述したように、温度サイクル
または製品落下時の部品実装用電極近傍でのはんだレジ
スト層またはその直下の絶縁層のクラックを防止するこ
とができることに加え、基板屈曲性があるために種種の
形状の製品筐体内に基板を収納することができる。例え
ば、図１０に示すように製品の筐体４０の構造として、
屈曲した形状のプレート４１，４２，４３，４４にて天
井面形成用板材を構成した場合において、上述した屈曲
性プリント配線基板５１の上に部品５２を実装した電子
部品５０をプレート４１，４２，４３，４４の形状に合
わせて折り曲げて筐体４０の内部においてプレート４
１，４２，４３，４４と一定の間隔をおいて配置するこ
とができる。
層のレジスト層および絶縁層（Ｌ１R ，Ｌ１i ，Ｌ２R
，Ｌ２i ，Ｌ５R ，Ｌ５i ，Ｌ６R ，Ｌ６i ）、また
は、第１・２・３・４・５・６層のレジスト層および絶
縁層（Ｌ１R 〜Ｌ６R ，Ｌ１i〜Ｌ６i ）のマトリック
ス樹脂が、シリコーン樹脂から成り、その弾性率が−５
０℃から２００℃までの温度領域において１００ｋｇｆ
／ｍｍ2 以下であり、かつ、前記シリコーン樹脂材は、
光硬化型シリコーン樹脂、若しくは熱硬化型シリコーン
樹脂と湿気硬化型シリコーン樹脂との少なくとも一方と
光硬化型シリコーン樹脂との組み合わせからなり、熱硬
化型シリコーン樹脂と湿気硬化型シリコーン樹脂との少
なくとも一方と光硬化型シリコーン樹脂とを組み合せる
場合、前記シリコーン樹脂材は熱硬化型シリコーン樹脂
または湿気硬化型シリコーン樹脂１０〜８０ｗｔ％およ
び光硬化型シリコーン樹脂を含むようにすると、以下の
効果を奏する。つまり、前述したように、温度サイクル
または製品落下時の部品実装用電極近傍でのはんだレジ
スト層またはその直下の絶縁層のクラックを防止するこ
とができることに加え、基板屈曲性があるために種種の
形状の製品筐体内に基板を収納することができる。例え
ば、図１０に示すように製品の筐体４０の構造として、
屈曲した形状のプレート４１，４２，４３，４４にて天
井面形成用板材を構成した場合において、上述した屈曲
性プリント配線基板５１の上に部品５２を実装した電子
部品５０をプレート４１，４２，４３，４４の形状に合
わせて折り曲げて筐体４０の内部においてプレート４
１，４２，４３，４４と一定の間隔をおいて配置するこ
とができる。
【００４７】また、シリコーン樹脂材は、マトリックス
樹脂としてのシリコーン樹脂が少なくとも８０ｗｔ％以
上含有されていればよく、マトリックス樹脂成分以外
に、フィラや分散剤等の添加物が含有されていてもよ
い。
樹脂としてのシリコーン樹脂が少なくとも８０ｗｔ％以
上含有されていればよく、マトリックス樹脂成分以外
に、フィラや分散剤等の添加物が含有されていてもよ
い。
【図１】 実施形態における電子装置の断面図。
【図２】 プリント配線基板の製造工程図。
【図３】 プリント配線基板の製造工程図。
【図４】 プリント配線基板の製造工程図。
【図５】 プリント配線基板の製造工程図。
【図６】 プリント配線基板の製造工程図。
【図７】 プリント配線基板の製造工程図。
【図８】 プリント配線基板の製造工程図。
【図９】 プリント配線基板の製造工程図。
【図１０】 筐体の内部に配置された状態でのプリント
配線基板を説明するための図。
配線基板を説明するための図。
１…コア基板、４…スルーホール、５…スルーホールメ
ッキ、６…銅メッキ回路配線、７…銅めっきビアホー
ル、８…フリップチップ、９…ＣＳＰ、１０…電極、１
１…配線パターン、１２…電極、１３…はんだレジスト
層、１４…ＭＣＭ、１５…電極、１６…配線パターン、
１７…はんだレジスト層、Ｌ１R 〜Ｌ６R…レジスト
層、Ｌ１i 〜Ｌ６i …絶縁層。
ッキ、６…銅メッキ回路配線、７…銅めっきビアホー
ル、８…フリップチップ、９…ＣＳＰ、１０…電極、１
１…配線パターン、１２…電極、１３…はんだレジスト
層、１４…ＭＣＭ、１５…電極、１６…配線パターン、
１７…はんだレジスト層、Ｌ１R 〜Ｌ６R…レジスト
層、Ｌ１i 〜Ｌ６i …絶縁層。
Claims (9)
- 【請求項１】 弾性率が−５０℃から２００℃までの温
度領域において１００ｋｇｆ／ｍｍ ２ 以下であるシリコ
ーン樹脂材を、はんだレジスト層または絶縁層に用いた
ことを特徴とするプリント配線基板であって、 前記絶縁層は、多層基板における層間絶縁層のうちの最
表の絶縁層であるプリント配線基板。 - 【請求項２】 弾性率が−５０℃から２００℃までの温
度領域において１００ｋｇｆ／ｍｍ ２ 以下であるシリコ
ーン樹脂材を、はんだレジスト層または絶縁層に用いた
ことを特徴とするプリント配線基板であって、 前記絶縁層は、多層基板における配線パターンが形成さ
れた各層のうちの最表の絶縁層であるプリント配線基
板。 - 【請求項３】 弾性率が−５０℃から２００℃までの温
度領域において１００ｋｇｆ／ｍｍ ２ 以下であるシリコ
ーン樹脂材を、はんだレジスト層または絶縁層に用いた
ことを特徴とするプリント配線基板であって、 前記シリコーン樹脂材は、８０ｗｔ％以上のマトリック
ス樹脂を含み、その全てがシリコーン樹脂から成るもの
であり、前記シリコーン樹脂材は、光硬化型シリコーン
樹脂、若しくは熱硬化型シリコーン樹脂と湿気硬化型シ
リコーン樹脂との少なくとも一方と光硬化型シリコーン
樹脂との組み合わせからなり、熱硬化型シリコーン樹脂
と湿気硬化型シリコーン樹脂との少なくとも一方と光硬
化型シリコーン樹脂とを組み合わせる場合、前記シリコ
ーン樹脂材は熱硬化型シリコーン樹脂または湿気硬化型
シリコーン樹脂を１０〜８０ｗｔ％含むものであるプリ
ント配線基板。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載のプ
リント配線基板において、 前記シリコーン樹脂材は、ポリイソブチレンを主骨格と
したシリコーン樹脂を含むものであるプリント配線基
板。 - 【請求項５】 弾性率が−５０℃から２００℃までの温
度領域において１００ｋｇｆ／ｍｍ ２ 以下であるシリコ
ーン樹脂材を、はんだレジスト層または絶縁層に用いた
ことを特徴とするプリント配線基板であって、 はんだレジスト層または絶縁層として、弾性率が−５０
℃から２００℃までの温度領域において１００ｋｇｆ／
ｍｍ２以下であるシリコーン樹脂材を用いた層と、弾性
率が−５０℃から２００℃までの温度領域において１０
０ｋｇｆ／ｍｍ２より大きい樹脂材を用いた層とを組み
合わせたプリント配線基板。 - 【請求項６】 請求項５に記載のプリント配線基板にお
いて、 前記１００ｋｇｆ／ｍｍ２以下であるシリコーン樹脂材
を用いた層と、１００ｋｇｆ／ｍｍ２より大きい樹脂材
を用いた層との積層順序を変えることにより、基板全体
の柔軟性として任意の特性を得るようにしたプリント配
線基板。 - 【請求項７】 請求項５に記載のプリント配線基板にお
いて、 前記１００ｋｇｆ／ｍｍ２以下であるシリコーン樹脂材
を用いた層と、１００ｋｇｆ／ｍｍ２より大きい樹脂材
を用いた層との積層層数を変えることにより、基板全体
の柔軟性として任意の特性を得るようにしたプリント配
線基板。 - 【請求項８】 基材の表面に、硬化後の弾性率が−５０
℃から２００℃までの温度領域において１００ｋｇｆ／
ｍｍ２以下であり、かつ、熱硬化成分または湿気硬化成
分の少なくともいずれか一方と光硬化成分を有するペー
スト状のシリコーン樹脂材を塗布する工程と、 前記シリコーン樹脂材の全面に弱い露光を行う工程と、 前記シリコーン樹脂材に対しマスクを用いた露光を行う
とともに現像を行いシリコーン樹脂材での所望の領域を
開口させる工程と、 前記シリコーン樹脂材の開口部に配線をパターニングす
る工程と、を有することを特徴とするプリント配線基板
の製造方法。 - 【請求項９】 基材の表面に触媒を塗布する工程と、 基材の表面に、硬化後の弾性率が−５０℃から２００℃
までの温度領域において１００ｋｇｆ／ｍｍ２以下であ
り、かつ、熱硬化成分または湿気硬化成分の少なくとも
いずれか一方と光硬化成分を有するペースト状のシリコ
ーン樹脂材を塗布する工程と、 前記シリコーン樹脂材の全面に弱い露光を行う工程と、 前記シリコーン樹脂材に対しマスクを用いた露光を行う
とともに現像を行いシリコーン樹脂材での所望の領域を
開口させる工程と、 前記シリコーン樹脂材の開口部に配線をパターニングす
る工程と、を有することを特徴とするプリント配線基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25728898A JP3374760B2 (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | プリント配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25728898A JP3374760B2 (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | プリント配線基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091753A JP2000091753A (ja) | 2000-03-31 |
| JP3374760B2 true JP3374760B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=17304301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25728898A Expired - Fee Related JP3374760B2 (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | プリント配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3374760B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003152317A (ja) * | 2000-12-25 | 2003-05-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
| JP4734781B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2011-07-27 | 日立化成工業株式会社 | 基板、プリント回路板及びそれらの製造方法 |
| JPWO2005081312A1 (ja) * | 2004-02-24 | 2008-01-17 | イビデン株式会社 | 半導体搭載用基板 |
| JP2009071036A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Fujikura Ltd | 部品実装基板、複合基板 |
| JP5417071B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2014-02-12 | 電気化学工業株式会社 | 回路基板 |
| JP5251949B2 (ja) * | 2010-09-24 | 2013-07-31 | 日立化成株式会社 | 基板およびプリント回路板 |
| JP2012191240A (ja) * | 2012-06-25 | 2012-10-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 基板、プリント回路板及びそれらの製造方法 |
-
1998
- 1998-09-10 JP JP25728898A patent/JP3374760B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000091753A (ja) | 2000-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100792352B1 (ko) | 패키지 온 패키지의 바텀기판 및 그 제조방법 | |
| JP3375555B2 (ja) | 回路部品内蔵モジュールおよびその製造方法 | |
| JP4135565B2 (ja) | 電子回路装置およびその製造方法 | |
| US20040088416A1 (en) | Printed circuit board and method manufacturing the same | |
| JPS59171130A (ja) | 重合体回路基板の製造方法 | |
| JP3374760B2 (ja) | プリント配線基板およびその製造方法 | |
| JP2001234020A (ja) | 樹脂組成物、該樹脂組成物を用いた接着フィルム、金属箔付き接着フィルム、配線基板及び実装構造体 | |
| JP4606685B2 (ja) | 回路部品内蔵モジュール | |
| JP4939916B2 (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
| JP6764355B2 (ja) | パッケージ構造およびその製造方法 | |
| KR20050092456A (ko) | 인쇄 배선 어셈블리들을 위한 언더필 막 | |
| JP2808952B2 (ja) | 半導体素子搭載用基板 | |
| US20090321119A1 (en) | Device mounting board, semiconductor module, mobile device, and manufacturing method of device mounting board | |
| JP2001288249A (ja) | 光硬化性樹脂組成物とその製造方法及びそれを用いた製品 | |
| JP6371513B2 (ja) | フレキシブルプリント配線板、およびその製造方法 | |
| JP2003078250A (ja) | 部品内蔵モジュールおよびその製造方法 | |
| JP3415430B2 (ja) | プリント配線板用穴埋め材及びそれを用いたプリント配線板 | |
| JP2004071946A (ja) | 配線板、半導体パッケージ用基板、半導体パッケージ及びそれらの製造方法 | |
| JP3522165B2 (ja) | 配線基板とその製造方法 | |
| JP5696302B2 (ja) | インターポーザ用の金属張積層板とそれを用いた半導体パッケージ | |
| JPH0864728A (ja) | 封止用樹脂組成物、封止枠用組成物、封止枠が設けられた半導体素子搭載用基板および半導体装置 | |
| JP2000239355A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2016025217A (ja) | プリント配線板及びその製造方法並びに熱硬化性樹脂組成物及び樹脂フィルム | |
| JP2000013033A (ja) | プリント配線板及び電子装置 | |
| EP4075485A1 (en) | Method for manufacturing electronic component |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091129 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101129 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111129 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |