JP3372782B2 - 走査ステージ装置および走査型露光装置 - Google Patents

走査ステージ装置および走査型露光装置

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JP3372782B2 JP28159696A JP28159696A JP3372782B2 JP 3372782 B2 JP3372782 B2 JP 3372782B2 JP 28159696 A JP28159696 A JP 28159696A JP 28159696 A JP28159696 A JP 28159696A JP 3372782 B2 JP3372782 B2 JP 3372782B2
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査ステージ装置
およびそれを用いた走査型露光装置に係り、特にレーザ
干渉計を用いて高精度の測長および位置決めを可能にす
る走査ステージ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化に伴
い、超微細パターン形成への要求が強まり、レチクルと
ウエハの位置合わせ精度に対する要求もますます厳しく
なってきている。このため、走査型露光装置においてレ
チクルを載置するレチクルステージとともにウエハを載
置して投影光学系に対して走査するウエハステージも、
その位置決め精度は0.01μm以下が要求され、その
位置計測にはレーザ干渉計が用いられている。
【0003】レーザ干渉計による測長では、その測長光
路上の空気の屈折率変動が誤差要因となる。空気の屈折
率は温度で変わり、その変化率は約−1ppm/℃であ
る。測長距離を300mmとして、温度による測長誤差
を0.01μm以下にするには、空気の温度変動を0.
03℃以下に抑えなければならない。
【0004】そのため、従来のステップアンドリピート
型の縮小投影露光装置(ステッパ)等において、ウエハ
をXY方向に位置決めするためのXY位置決め装置は空
調手段を備え、上面(Z方向)からのダウンフローまた
は側面(XもしくはY方向)からのサイドフローによ
り、測長光路上の空気の温度変動の低減が図られてき
た。
【0005】ダウンフロー方式は、一つの理想形ではあ
るが、半導体露光装置やレチクル座標測定装置等におい
ては、XY位置決め装置のトップテーブルに近接して投
影レンズ、顕微鏡、フォーカス検出器等が配置されるた
め、設計的に実現困難である。そのため、サイドフロー
方式が多く用いられている。
【0006】しかしながら、このようなXY位置決め装
置は、XY駆動を行なうモータ等の発熱源が配設されて
おり、装置温度が気流に対して高くなる。そのため気流
に温度ムラが生じる(特開平3−129720、石田:
O plus E 1995年10月号第84〜89
頁)。気流に温度ムラがあると、測長誤差が生じること
は上述したとおりである。走査型露光装置においても、
同様の問題がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来例の問題点に鑑み、走査型露光装置において、レー
ザ干渉計方式の走査ステージ測長光路上の気体の温度ム
ラを抑え、測長誤差を低減して、位置決め精度を高める
ことにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第1の形態に係るステージ装置は、走査
ステージと、該走査ステージ上に固設された該走査ステ
ージの走査方向に垂直な反射面を有する反射鏡を備え、
該走査ステージの走査方向の位置情報を計測するレーザ
干渉計と、該レーザ干渉計を挟んで前記走査ステージと
は反対側に設けられ、前記走査ステージ側に温度制御さ
れた気流を吹き出す送風手段と、を有し、前記送風手段
は前記走査方向に前記気流を吹き出し、前記走査ステー
ジを風下方向へ走査する場合の前記レーザ干渉計の測長
光路における前記気流の風速は前記走査ステージの前記
風下方向への走査速度よりも速いことを特徴とする。ま
た、本発明の第2の形態に係るステージ装置は、走査ス
テージと、該走査ステージ上に固設された該走査ステー
ジの走査方向に垂直な反射面を有する反射鏡を備え、該
走査ステージの走査方向の位置情報を計測するレーザ干
渉計と、該レーザ干渉計を挟んで前記走査ステージとは
反対側に設けられ、前記走査ステージ側に温度制御され
た気流を吹き出す送風手段と、を有し、前記気流の風向
きは前記走査方向に一致しており、前記走査ステージを
風下方向へ走査する場合の前記レーザ干渉計の測長光路
における前記気流の風速は前記走査ステージの前記風下
方向への走査速度よりも速いことを特徴とする。また、
本発明の第3の形態に係るステージ装置は、走査ステー
ジと、該走査ステージ上に固設された該走査ステージの
走査方向に垂直な反射面を有する反射鏡を備え、該走査
ステージの走査方向の位置情報を計測するレーザ干渉計
と、該レーザ干渉計側から前記走査ステージ側へ温度制
御された気流を吹き出す送風手段と、を有し、前記送風
手段は前記走査方向に前記気流を吹き出し、前記走査ス
テージを風下方向へ走査する場合の前記レーザ干渉計の
測長光路における前記気流の風速は前記走査ステージの
前記風下方向への走査速度よりも速いことを特徴とす
る。また、本発明の第4の形態に係るステージ装置は、
走査ステージと、該走査ステージ上に固設された該走査
ステージの走査方向に垂直な反射面を有する反射鏡を備
え、該走査ステージの走査方向の位置情報を計測するレ
ーザ干渉計と、該レーザ干渉計側から前記走査ステージ
側へ温度制御された気流を吹き出す送風手段と、を有
し、前記気流の風向きは前記走査方向に一致しており、
前記走査ステージを風下方向へ走査する場合の前記レー
ザ干渉計の測長光路における前記気流の風速は前記走査
ステージの前記風下方向への走査速度よりも速いことを
特徴とする。
【0009】本発明の走査ステージ装置は、特に、原版
のパターンの一部を投影光学系を介して基板に投影し、
投影光学系に対し相対的に前記原版と基板を共に走査す
ることにより前記原版のパターンを前記基板に露光する
走査型の露光装置において、前記原版を保持する原版ス
テージまたは前記基板を保持する基板ステージ部分に用
いられる。その場合、好ましくは走査ステージを導風路
中に設置する。前記送風手段から前記走査ステージに至
る導風経路の不連続部分はカバー手段を設置し、全体と
して連続した導風路を形成する。そして、前記導風路中
の風向はほぼ一定にする。また前記送風手段から前記走
査ステージに至る導風経路の断面積は、一定にするか、
または変化させる場合でも連続的に変化させる。さら
に、前記気流の風向はリニアモータ等の熱源と平行に
する。
【0010】
【作用】本発明によれば、走査ステージの走査速度より
も測長光路上の風速を速くしたことにより、周囲の空
気、特にリニアモータ等の熱源により加熱された空気の
測長光路上への巻き込みを防止し、測長光路上の温度変
化を防止している。また、空調した空気を走査ステージ
走査方向に吹き出すことにより、空調フィルタの吹き
出し面積を小さくしている。
【0011】本発明の走査ステージ装置を用いた走査型
露光装置においては、走査ステージを導風路中に設置す
ることにより、空調空気の拡散による空気流速の低下お
よび空調効率の低下を防止している。導風路は例えば空
調空気の経路(導風経路)にカバーを設置して形成す
る。この導風路は風向および空気流速を一定とするた
め、断面積を一定にするか、変化させる場合でも空調空
気の流れに沿って滑らかに変化するように、導風経路中
の物体を加工する。これによって、空気の乱流や淀みを
なくする。
【0012】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図1は本発明が適用される露光装置の一例を側方か
ら見た様子を模式的に示す図であり、図2は、その露光
装置の外観を示す斜視図である。これらの図に示すよう
に、この露光装置は、レチクルステージ1上の原版のパ
ターンの一部を投影光学系2を介してXYステージ3上
のウエハに投影し、投影光学系2に対し相対的にレチク
ルとウエハをY方向に同期走査することによりレチクル
のパターンをウエハに露光するとともに、この走査露光
を、ウエハ上の複数領域(ショット)に対して、繰り返
し行なうためのステップ移動を介在させながら行なうス
テップ・アンド・スキャン型の露光装置である。
【0013】レチクルステージ1はリニアモータ4によ
ってY方向へ駆動し、ウエハステージ3のXステージ3
aはリニアモータ5によってX方向に駆動し、Yステー
ジ3bはリニアモータ6によってY方向へ駆動するよう
になっている。レチクルおよびウエハの同期走査は、レ
チクルステージ1およびYステージ3bの位置をレーザ
干渉計24および23により監視しながらステージ1お
よび3bをY方向へ一定の速度比率(例えば4:−1、
なお、「−」は向きが逆であることを示す)で駆動させ
ることにより行なう。また、X方向へのステップ移動は
Xステージ3aにより行なう。
【0014】ウエハステージ3は、ステージ定盤7上に
設けられ、ステージ定盤7は3つのダンパ8を介して3
点で床等の上に支持されている。レチクルステージ1お
よび投影光学系2は鏡筒定盤9上に設けられ、鏡筒定盤
9は床等に載置されたベースフレーム10上に3つのダ
ンパ11および支柱12を介して支持されている。ダン
パ8は6軸方向にアクティブに制振もしくは除振するア
クティブダンパであるが、パッシブダンパを用いてもよ
く、あるいはダンパを介せずに支持してもよい。
【0015】また、この露光装置は、鏡筒定盤9とステ
ージ定盤7との間の距離を3点において測定するレーザ
干渉計、マイクロエンコーダ等の距離測定手段13を備
えている。
【0016】投光手段21と受光手段22は、ウエハス
テージ3上のウエハが投影光学系2のフォーカス面に位
置しているか否かを検出するためのフォーカスセンサを
構成している。すなわち、鏡筒定盤9に固定された投光
手段21によりウエハに対して斜め方向から光を照射
し、その反射光の位置を受光手段22によって検出する
ことにより投影光学系2の光軸方向のウエハ表面の位置
が検出される。
【0017】この構成において、不図示の搬送手段によ
り、装置前部の2つの支柱12間の搬送経路を経てウエ
ハステージ3上にウエハが搬入され、所定の位置合せが
終了すると、露光装置は、走査露光およびステップ移動
を繰り返しながら、ウエハ上の複数の露光領域に対して
レチクルのパターンを露光転写する。走査露光に際して
は、レチクルステージ1およびYステージ3bをY方向
(走査方向)へ、所定の速度比で移動させて、スリット
状の露光光でレチクル上のパターンを走査するととも
に、その投影像でウエハを走査することにより、ウエハ
上の所定の露光領域に対してレチクル上のパターンを露
光する。走査露光中、ウエハ表面の高さは前記フォーカ
スセンサで計測され、その計測値に基づきウエハステー
ジ3の高さとチルトがリアルタイムで制御され、フォー
カス補正が行なわれる。1つの露光領域に対する走査露
光が終了したら、Xステージ3aをX方向へ駆動してウ
エハをステップ移動させることにより、他の露光領域を
走査露光の開始位置に対して位置決めし、走査露光を行
なう。なお、このX方向へのステップ移動と、Y方向へ
の走査露光のための移動との組合せにより、ウエハ上の
複数の露光領域に対して、順次効率良く露光が行なえる
ように、各露光領域の配置、Yの正または負のいずれか
への走査方向、各露光領域への露光順等が設定されてい
る。
【0018】図1の装置においては、図示しないレーザ
干渉計光源から発せられた光がY方向レーザ干渉計24
に導入される。そして、Y方向レーザ干渉計24に導入
された光は、レーザ干渉計24内のビームスプリッタ
(不図示)によってレーザ干渉計24内の固定鏡(不図
示)に向かう光とY方向移動鏡26に向かう光とに分け
られる。Y方向移動鏡26に向かう光は、Y方向測長光
路25を通ってレチクルステージ4に固設されたY方向
移動鏡26に入射する。ここで反射された光は再びY方
向測長光路25を通ってレーザ干渉計2内のビームスプ
リッタに戻り、固定鏡で反射された光と重ね合わされ
る。このときの光の干渉の変化を検出することによりY
方向の移動距離を測定する。このようにして計測された
移動距離情報は、図示しない走査制御装置にフィードバ
ックされ、レチクルステージ4の走査位置の位置決め制
御がなされる。
【0019】図3は、図1の装置におけるレチクルステ
ージ部分の構成をより詳細に示す説明図である。同図に
おいて、4はレチクル1を保持してY方向に走査可能な
レチクルステージ、24はレチクルステージ4のY方向
の位置計測をするY方向レーザ干渉計、25はY方向測
長光路、26はレチクルステージ4に固設されたY方向
移動鏡、27はレチクルステージ4を駆動するリニアモ
ータ、28は一定温度に制御された気流をレチクルステ
ージ4の走査方向に向かって吹き出す空調手段、29は
空調手段28の出口に設けられ空調手段28からの空気
を清浄化するフィルタ、30は空調手段28から吹き出
された気流である。フィルタ29としては、例えばHE
PA(日本ケンブリッジフィルター(株)製)を用いる
ことができる。
【0020】空調手段28から吹き出された気流30の
測長光路における流速(風速)Aを0.05m/se
c、レチクルステージ4の走査速度Bを0.1m/se
cとして空気の流れおよび温度をシミュレーションした
ところ、レチクルステージ4の後方に乱流や澱みが生
じ、そこにリニアモータ27により加熱された空気が流
れ込んでレーザ測長光路25上の空気の温度は、約0.
3°変動する。一方、気流30の風速Aを0.2m/s
ecとし、ステージ4の走査速度B(=0.1m/se
c)よりも速くした場合、リニアモータ27周辺の空気
はすべてレチクルステージ4の走査方向前方へ吹き飛ば
され、レーザ測長光路25上の空気は空調手段28から
吹き出された空気のみとなり、温度変動は0.1°未満
となる。
【0021】図4は、本発明の一実施例に係る走査ステ
ージ装置の構成を示す。この装置は図3のシミュレーシ
ョン結果をより良く再現するためのものである。空調手
段28の空気吹き出し口に導風路41を接続し、その導
風路41中に走査ステージ4を設置してある。導風路4
1は、導風経路の断面積が連続的に変化するように、か
つ空調空気の風向が測長光路上でほぼ走査方向を向くよ
うに設計される。
【0022】図5は、本発明の他の実施例に係る走査ス
テージ装置の構成を示す。図6は図5のA−A’断面
図、図7は図5のB−B’断面図である。レチクルステ
ージ4の上方には、レチクルアライメントスコープ51
や、ウエハアライメント用のTTLオフアクシスコープ
52およびTTRスコープ53が配置されている。この
ような場合には、空調手段28と測長光路25の位置と
の間にカバー61を設けたり、導風経路の断面積が滑ら
かに変化するように、導風経路に位置する物体の形状を
可能な限り変更する。例えば、図6の62にように削り
とる。
【0023】[微小デバイスの製造の実施例]図8は微
小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネ
ル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製
造のフローを示す。ステップ1(回路設計)では半導体
デバイスの回路設計を行なう。ステップ2(マスク製
作)では設計した回路パターンを形成したマスクを製作
する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等
の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハ
プロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウ
エハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実
際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後
工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程
(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)で
はステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テ
スト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を
経て半導体デバイスが完成し、これを出荷(ステップ
7)する。
【0024】図9は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ
18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。
【0025】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
一定温度に制御された気流を、測長光路上に供給するに
際し、測長光路上の風速を走査ステージの走査速度より
も速くしている。これにより、周囲の空気、特にリニア
モータ等の熱源により加熱された空気の測長光路上への
巻き込みを防止し、測長光路上の温度変化を防止するこ
とができ、走査ステージの位置によらず測長誤差を低減
し、位置決め精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明が適用される走査型露光装置を側方か
ら見た様子を模式的に示す図である。
【図2】 図1の露光装置の外観を示す斜視図である。
【図3】 図1におけるレチクルステージの構成を示す
説明図である。
【図4】 本発明の一実施例に係る走査ステージ装置の
斜視図である。
【図5】 本発明の他の実施例に係る走査ステージ装置
の上面図である。
【図6】 図5のA−A’断面図である。
【図7】 図5のB−B’断面図である。
【図8】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図9】 図8におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。
【符号の説明】
1:レチクルステージ、2:投影光学系、3:ウエハス
テージ、4:リニアモータ、3a:Xステージ、3b:
Yステージ、6:リニアモータ、7:ステージ定盤、
8:ダンパ、9:鏡筒定盤、10:ベースフレーム、1
1:ダンパ、12:支柱、13:距離測定手段、18,
19:重心、20:露光光の断面、21:投光手段、2
2:受光手段、23:レーザ干渉計、24:Y方向レー
ザ干渉計、25:Y方向測長光路、26:Y方向移動
鏡、27:リニアモータ、28:空調手段、29:フィ
ルタ、30:吹き出し気流、61:カバー、62:加工
部分。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/30 516B 516E (56)参考文献 特開 昭63−200090(JP,A) 特開 平3−129720(JP,A) 特開 平4−80912(JP,A) 特開 平5−6850(JP,A) 特開 平8−166207(JP,A) 特開 平9−243324(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/20 G03F 9/00

Claims (13)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 走査ステージと、 該走査ステージ上に固設された該走査ステージの走査方
    向に垂直な反射面を有する反射鏡を備え、該走査ステー
    ジの走査方向の位置情報を計測するレーザ干渉計と、 該レーザ干渉計を挟んで前記走査ステージとは反対側に
    設けられ、前記走査ステージ側に温度制御された気流を
    吹き出す送風手段と、 を有し、 前記送風手段は前記走査方向に前記気流を吹き出し、前記走査ステージを風下方向へ走査する場合の前記レー
    ザ干渉計の測長光路における前記気流の風速は 前記走査
    ステージの前記風下方向への走査速度よりも速いことを
    特徴とする走査ステージ装置。
  2. 【請求項2】 走査ステージと、 該走査ステージ上に固設された該走査ステージの走査方
    向に垂直な反射面を有する反射鏡を備え、該走査ステー
    ジの走査方向の位置情報を計測するレーザ干渉計と、 該レーザ干渉計を挟んで前記走査ステージとは反対側に
    設けられ、前記走査ステージ側に温度制御された気流を
    吹き出す送風手段と、 を有し、 前記気流の風向きは前記走査方向に一致しており、 前記走査ステージを風下方向へ走査する場合の前記レー
    ザ干渉計の測長光路における前記気流の風速は前記走査
    ステージの前記風下方向への走査速度よりも速いことを
    特徴とする走査ステージ装置。
  3. 【請求項3】 走査ステージと、 該走査ステージ上に固設された該走査ステージの走査方
    向に垂直な反射面を有する反射鏡を備え、該走査ステー
    ジの走査方向の位置情報を計測するレーザ干渉計と、 該レーザ干渉計側から前記走査ステージ側へ温度制御さ
    れた気流を吹き出す送風手段と、 を有し、 前記送風手段は前記走査方向に前記気流を吹き出し、前記走査ステージを風下方向へ走査する場合の前記レー
    ザ干渉計の測長光路における前記気流の風速は 前記走査
    ステージの前記風下方向への走査速度よりも速いことを
    特徴とする走査ステージ装置。
  4. 【請求項4】 走査ステージと、 該走査ステージ上に固設された該走査ステージの走査方
    向に垂直な反射面を有する反射鏡を備え、該走査ステー
    ジの走査方向の位置情報を計測するレーザ干渉計と、 該レーザ干渉計側から前記走査ステージ側へ温度制御さ
    れた気流を吹き出す送風手段と、 を有し、 前記気流の風向きは前記走査方向に一致しており、 前記走査ステージを風下方向へ走査する場合の前記レー
    ザ干渉計の測長光路における前記気流の風速は前記走査
    ステージの前記風下方向への走査速度よりも速いことを
    特徴とする走査ステージ装置。
  5. 【請求項5】 原版のパターンの一部が投影光学系によ
    り基板上に投影される状態で前記投影光学系に対し前記
    原版と基板を共に走査することにより前記原版のパター
    ンを前記基板に露光する走査型の露光装置において、前
    記原版を保持して走査する原版ステージおよび前記基板
    を保持して走査する基板ステージの少なくとも一方が請
    求項1〜4のいずれかに記載の走査ステージ装置の走査
    ステージであることを特徴とする走査型露光装置。
  6. 【請求項6】 前記走査ステージを導風路中に設置した
    ことを特徴とする請求項5記載の走査型露光装置。
  7. 【請求項7】 前記送風手段から前記走査ステージに至
    る導風経路の不連続部分にカバー手段を設置し、全体と
    して連続した導風路を形成することを特徴とする請求項
    5記載の走査型露光装置。
  8. 【請求項8】 前記導風路中の風向をほぼ一定にしたこ
    とを特徴とする請求項6記載の走査型露光装置。
  9. 【請求項9】 前記送風手段から前記走査ステージに至
    る導風経路の断面積を一定にしたことを特徴とする請求
    項6または7記載の走査型露光装置。
  10. 【請求項10】 前記送風手段から前記走査ステージに
    至る導風経路の断面積を連続的に変化させたことを特徴
    とする請求項6または7記載の走査型露光装置。
  11. 【請求項11】 前記気流の風向を熱源と平行にした
    ことを特徴とする請求項6〜10のいずれかに記載の走
    査型露光装置。
  12. 【請求項12】 前記熱源が前記走査ステージを駆動す
    るためのリニアモータであることを特徴とする請求項1
    1記載の走査型露光装置。
  13. 【請求項13】 請求項5〜12のいずれかに記載の走
    査型露光装置を用いてウエハを露光する段階と、該露光
    したウエハを現像する段階とを含む半導体デバイス製造
    方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970067591A (ko) 1996-03-04 1997-10-13 오노 시게오 투영노광장치
JP3689510B2 (ja) * 1996-11-15 2005-08-31 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
DE69943311D1 (de) 1998-12-24 2011-05-12 Canon Kk Trägerplattesteuerungsvorrichtung, Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
JP2004158510A (ja) * 2002-11-01 2004-06-03 Canon Inc デバイス製造装置
EP1510867A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006245400A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Canon Inc 光学装置およびデバイス製造方法。
TW200702940A (en) * 2005-04-28 2007-01-16 Fuji Photo Film Co Ltd Exposure apparatus
JP2006308996A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置
JP2008140982A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61160934A (ja) * 1985-01-10 1986-07-21 Canon Inc 投影光学装置
JPH0785112B2 (ja) * 1987-02-16 1995-09-13 キヤノン株式会社 ステージ装置
DE68921687T2 (de) * 1988-09-02 1995-08-03 Canon Kk Belichtungseinrichtung.
JP2748127B2 (ja) * 1988-09-02 1998-05-06 キヤノン株式会社 ウエハ保持方法
JP2731950B2 (ja) * 1989-07-13 1998-03-25 キヤノン株式会社 露光方法
US5231291A (en) * 1989-08-01 1993-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Wafer table and exposure apparatus with the same
EP0422814B1 (en) * 1989-10-02 1999-03-17 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JPH03129720A (ja) * 1989-10-16 1991-06-03 Canon Inc 露光装置
JPH03252507A (ja) * 1990-03-02 1991-11-11 Hitachi Ltd レーザ干渉測長装置およびそれを用いた位置決め方法
EP0484179B1 (en) * 1990-11-01 1996-03-27 Canon Kabushiki Kaisha Wafer holding device in an exposure apparatus
JP2830492B2 (ja) * 1991-03-06 1998-12-02 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
US5469260A (en) * 1992-04-01 1995-11-21 Nikon Corporation Stage-position measuring apparatus
US5281996A (en) * 1992-09-04 1994-01-25 General Signal Corporation Photolithographic reduction imaging of extended field

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