JP3368947B2 - レティクル及びレティクル・ブランク - Google Patents
レティクル及びレティクル・ブランクInfo
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- JP3368947B2 JP3368947B2 JP24358993A JP24358993A JP3368947B2 JP 3368947 B2 JP3368947 B2 JP 3368947B2 JP 24358993 A JP24358993 A JP 24358993A JP 24358993 A JP24358993 A JP 24358993A JP 3368947 B2 JP3368947 B2 JP 3368947B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放射感度層をパターン
化する時に使用するレティクルに関し、特に、減衰性位
相偏移を利用したレティクルに関するものである。
化する時に使用するレティクルに関し、特に、減衰性位
相偏移を利用したレティクルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体産業においては、デバイスの寸法
を減縮させることにより、デバイスの密度（集積度）を
向上させることに継続的に努力を払っている。最新のデ
バイスの技術水準によれば、１ミクロン以下（即ち、サ
ブミクロン）の寸法を有するデバイスが開発されてい
る。このような特徴を有するデバイスを製造するため
に、感光層を基板またはデバイス層上に形成して、レテ
ィクルを介して放射光で露光する。このレティクルは、
公知のように、実質的に透明な基礎材料を有し、この材
料はその上に形成された所望のパターンとなる不透明層
を有している。サブミクロンのレベルでは、回折効果は
重要なものとなり、これによって図形部分の端部付近の
不透明層の下側に存在するフォトレジスト層の一部分が
露出してしまうようになる。
を減縮させることにより、デバイスの密度（集積度）を
向上させることに継続的に努力を払っている。最新のデ
バイスの技術水準によれば、１ミクロン以下（即ち、サ
ブミクロン）の寸法を有するデバイスが開発されてい
る。このような特徴を有するデバイスを製造するため
に、感光層を基板またはデバイス層上に形成して、レテ
ィクルを介して放射光で露光する。このレティクルは、
公知のように、実質的に透明な基礎材料を有し、この材
料はその上に形成された所望のパターンとなる不透明層
を有している。サブミクロンのレベルでは、回折効果は
重要なものとなり、これによって図形部分の端部付近の
不透明層の下側に存在するフォトレジスト層の一部分が
露出してしまうようになる。
【０００３】このような回折効果を最小限に抑えるた
め、位相偏移型レティクルが従来より利用されていた。
一般に、位相シフト（偏移）型レティクルでは、形成す
べきパターンに対応した不透明層に開口を形成してい
る。露光用放射光を伝搬すると共に、開口に対して約１
８０°だけ相対的に放射光の位相をシフトする。位相シ
フタ（偏移器）が、これら図形部分の外側端部に沿っ
て、または付近に設置されている。この位相シフタを透
過した放射光は、開口からの放射光と打ち消すように干
渉し合い、これによって、図形部分の端部付近の不透明
層の下側に存在するフォトレジスト層に入射する放射光
の強度が弱められてしまう。
め、位相偏移型レティクルが従来より利用されていた。
一般に、位相シフト（偏移）型レティクルでは、形成す
べきパターンに対応した不透明層に開口を形成してい
る。露光用放射光を伝搬すると共に、開口に対して約１
８０°だけ相対的に放射光の位相をシフトする。位相シ
フタ（偏移器）が、これら図形部分の外側端部に沿っ
て、または付近に設置されている。この位相シフタを透
過した放射光は、開口からの放射光と打ち消すように干
渉し合い、これによって、図形部分の端部付近の不透明
層の下側に存在するフォトレジスト層に入射する放射光
の強度が弱められてしまう。
【０００４】これら従来の位相偏移型レティクルには数
多くの問題点があり、これによって図形部分をパターン
化するために利用するこれらレティクルの可能性を制限
してしまう欠点がある。場合によっては、２つの図形部
分を互いに近接させて配置する必要がある。例えば、接
点またはビア開口を近接して離間したアレイ中に設ける
こともできる。従来の位相偏移型レティクルにおいて
は、開口の各々は、これ自身を囲んでいる位相シフト用
のリム（縁）を有している。アレイ中にコンタクト開口
が形成されている場合には、これら２つの開口の位相シ
フト用リムを互いに極めて近接させることができる。こ
のような場合には、２つの近接した開口パターンの位相
シフト用リムは、１つの極めて広いリムに等価なもので
あると言える。しかし乍ら、位相シフト用のリムの幅が
増大するので、位相シフト用のリムによる放射光の強度
が増大する。このような増大した強度によって、現像さ
れたフォトレジスト層中に深い凹みが形成されてしま
い、実際には、２つの開口間でフォトレジストの一部分
が除去されてしまうことがある。このような近接効果
は、２つの位相シフト用のリムが約０．５５λ／ＮＡ以
下に配置された場合に起こるものである。ここで、
「λ」は露光用放射光の波長であり、「ＮＡ」は使用す
るリソグラフィプリンタのレンズの開口数である。
多くの問題点があり、これによって図形部分をパターン
化するために利用するこれらレティクルの可能性を制限
してしまう欠点がある。場合によっては、２つの図形部
分を互いに近接させて配置する必要がある。例えば、接
点またはビア開口を近接して離間したアレイ中に設ける
こともできる。従来の位相偏移型レティクルにおいて
は、開口の各々は、これ自身を囲んでいる位相シフト用
のリム（縁）を有している。アレイ中にコンタクト開口
が形成されている場合には、これら２つの開口の位相シ
フト用リムを互いに極めて近接させることができる。こ
のような場合には、２つの近接した開口パターンの位相
シフト用リムは、１つの極めて広いリムに等価なもので
あると言える。しかし乍ら、位相シフト用のリムの幅が
増大するので、位相シフト用のリムによる放射光の強度
が増大する。このような増大した強度によって、現像さ
れたフォトレジスト層中に深い凹みが形成されてしま
い、実際には、２つの開口間でフォトレジストの一部分
が除去されてしまうことがある。このような近接効果
は、２つの位相シフト用のリムが約０．５５λ／ＮＡ以
下に配置された場合に起こるものである。ここで、
「λ」は露光用放射光の波長であり、「ＮＡ」は使用す
るリソグラフィプリンタのレンズの開口数である。
【０００５】また、このような近接効果の他に、これら
位相シフト型レティクルによって、或る図形部分を形成
することは困難である。レティクルの製造中に、位相シ
フタを、これと組合わされた図形部分から独立したマス
クステップを利用して形成することができる。極めて小
さな図形部分に対しては、アライメント許容値は、この
プロセスの能力を超えてしまうことがある。これに加え
て、位相シスタを形成することができたとしても、検査
および修理が極めて困難なものとなる。最終的には、物
理的な限界によって、いくつかのタイプの図形部分に対
して、位相シフタが使用できなくなってしまう。一般
に、位相シフタの幅は、約０．１〜０．４ＩＲＦ・λ／
ＮＡにする必要があり、ここで「ＩＲＦ」はレンズの像
縮小率である。１：１の倍率においては、これら位相シ
フタの幅は、代表的な値として約０．１μである。位相
シフタはこのような有限な幅を有しているので、すべて
のデバイスパターンを位相偏移型レティクルで形成する
ことができず、これは、１つの図形部分の一部分または
２つの独立した図形部分を互いに近接して配置すること
によって、適当な領域中で位相シフタを配置できなくな
るからである。
位相シフト型レティクルによって、或る図形部分を形成
することは困難である。レティクルの製造中に、位相シ
フタを、これと組合わされた図形部分から独立したマス
クステップを利用して形成することができる。極めて小
さな図形部分に対しては、アライメント許容値は、この
プロセスの能力を超えてしまうことがある。これに加え
て、位相シスタを形成することができたとしても、検査
および修理が極めて困難なものとなる。最終的には、物
理的な限界によって、いくつかのタイプの図形部分に対
して、位相シフタが使用できなくなってしまう。一般
に、位相シフタの幅は、約０．１〜０．４ＩＲＦ・λ／
ＮＡにする必要があり、ここで「ＩＲＦ」はレンズの像
縮小率である。１：１の倍率においては、これら位相シ
フタの幅は、代表的な値として約０．１μである。位相
シフタはこのような有限な幅を有しているので、すべて
のデバイスパターンを位相偏移型レティクルで形成する
ことができず、これは、１つの図形部分の一部分または
２つの独立した図形部分を互いに近接して配置すること
によって、適当な領域中で位相シフタを配置できなくな
るからである。
【０００６】これら上述した問題点を克服するために、
減衰式位相偏移型マスク（ＡＰＳＭ）が提案されてい
る。このＡＰＳＭによって、従来のマスクの不透明層
（一般に、この層は、約０．１μの厚さのクロムの層で
ある）を、減衰、または減少された割合で入射光を透過
する「漏洩」層で置換できる。例えば、クロムの極めて
薄い層（約３００ ）を利用してこの漏洩層が形成でき
る。この薄いクロムの層はレティクル上に入射した放射
光の約１０％を透過する。更に、この漏洩クロム層によ
って、このようなクロム層が存在していないレティクル
の領域を透過した放射光と比較して、この漏洩クロム層
を透過した位相を約３０゜だけ偏移する。所望の１８０
゜偏移を達成するために、更に、これら図形部分を追加
的に１５０゜位相させるためにレティクルをエッチング
処理したり、これら図形部分の領域内に、位相偏移材料
を配置する。即ち、ＡＰＳＭには、これら図形部分を除
いて、全体のレティクルのベースを包囲する漏洩クロム
の層が設けられている。これら図形部分は適当な位相偏
移性を有する開放領域（即ち、薄いクロム層を有する領
域）である。これら図形部分を透過した放射光は、漏洩
クロム層を透過した放射光に対して１８０゜位相変位し
ているので、従来の位相シフタ（偏移器）が不必要とな
る。減衰用クロム層を有する図形部分の外側のレティク
ルの部分を本明細書においては、レティクルの「視野
（ｆｉｅｌｄ）」と称するものとする。漏洩クロムによ
って、露光用放射光の僅か１０％のみを透過するので、
図形部分から離間した部分の僅かな部分だけが露光され
る。この部分露光によって、フォトレジスタのいくらか
の部分がこれら領域から除去されるが、連続的な層が残
存する。この露光のために、フォトレジスト層の厚みが
調整される。例えば、露光処理のために、この漏洩クロ
ムの下側のフォトレジスト層の厚さが１，０００オング
ストロームに減った場合、および現像後においてフォト
レジストの層厚を１０，０００オングストロームに所望
する場合には、フォトレジストの初期の厚みは１１，０
００オングストロームのものを利用する。また、この漏
洩クロム層を、「吸収性位相シフタ」ならびに「ハーフ
トーンクロム層」とも称するものとする。
減衰式位相偏移型マスク（ＡＰＳＭ）が提案されてい
る。このＡＰＳＭによって、従来のマスクの不透明層
（一般に、この層は、約０．１μの厚さのクロムの層で
ある）を、減衰、または減少された割合で入射光を透過
する「漏洩」層で置換できる。例えば、クロムの極めて
薄い層（約３００ ）を利用してこの漏洩層が形成でき
る。この薄いクロムの層はレティクル上に入射した放射
光の約１０％を透過する。更に、この漏洩クロム層によ
って、このようなクロム層が存在していないレティクル
の領域を透過した放射光と比較して、この漏洩クロム層
を透過した位相を約３０゜だけ偏移する。所望の１８０
゜偏移を達成するために、更に、これら図形部分を追加
的に１５０゜位相させるためにレティクルをエッチング
処理したり、これら図形部分の領域内に、位相偏移材料
を配置する。即ち、ＡＰＳＭには、これら図形部分を除
いて、全体のレティクルのベースを包囲する漏洩クロム
の層が設けられている。これら図形部分は適当な位相偏
移性を有する開放領域（即ち、薄いクロム層を有する領
域）である。これら図形部分を透過した放射光は、漏洩
クロム層を透過した放射光に対して１８０゜位相変位し
ているので、従来の位相シフタ（偏移器）が不必要とな
る。減衰用クロム層を有する図形部分の外側のレティク
ルの部分を本明細書においては、レティクルの「視野
（ｆｉｅｌｄ）」と称するものとする。漏洩クロムによ
って、露光用放射光の僅か１０％のみを透過するので、
図形部分から離間した部分の僅かな部分だけが露光され
る。この部分露光によって、フォトレジスタのいくらか
の部分がこれら領域から除去されるが、連続的な層が残
存する。この露光のために、フォトレジスト層の厚みが
調整される。例えば、露光処理のために、この漏洩クロ
ムの下側のフォトレジスト層の厚さが１，０００オング
ストロームに減った場合、および現像後においてフォト
レジストの層厚を１０，０００オングストロームに所望
する場合には、フォトレジストの初期の厚みは１１，０
００オングストロームのものを利用する。また、この漏
洩クロム層を、「吸収性位相シフタ」ならびに「ハーフ
トーンクロム層」とも称するものとする。
【０００７】従来のＡＰＳＭの製造において、幾つかの
問題点が生じている。先ず第１に、レティクルの表面上
に、均一の厚さでクロムの薄層を堆積させることは極め
て困難なことである。一般に、或る領域の厚さは、目標
の厚さより厚くなると共に他の領域の厚さは、目標の厚
さより薄くなってしまう。第２の問題点としては、レテ
ィクルの表面上に、物理的に均一な特性を持ったこの薄
い層を堆積させることは困難なことである。例えば、或
る領域には、他の領域に比べて、膜中に残留するガス
（例えば、窒素ガス）が多くなる問題点がある。この要
因および他の要因のために、光学密度や屈折率のような
物理的な特性が均一でなくなってしまう。最後に、周知
の様に、薄いクロム層のピンホール密度は、従来の不透
明なクロム層のものに比べて高くなってしまう。上述し
た薄いクロム層を堆積させる場合の困難性に加えて、レ
ティクルの製造過程全体に亘って堆積した層の品質を維
持することは困難である。この層はこのように薄いため
に、従来の不透明なクロム層のように精密なものでなく
なってしまう。例えば、洗浄作業のような、種々の製造
ステップにおいて、前述した不均一性および欠点が更に
悪化してしまうようになる。高品質の薄いクロム層を製
造すると共に、維持する場合における、これらの困難性
によって、従来のＡＰＳＭによる良好なリソグラフィ的
な性能を達成する能力に、以下に説明した理由によって
限界が生じてしまう。
問題点が生じている。先ず第１に、レティクルの表面上
に、均一の厚さでクロムの薄層を堆積させることは極め
て困難なことである。一般に、或る領域の厚さは、目標
の厚さより厚くなると共に他の領域の厚さは、目標の厚
さより薄くなってしまう。第２の問題点としては、レテ
ィクルの表面上に、物理的に均一な特性を持ったこの薄
い層を堆積させることは困難なことである。例えば、或
る領域には、他の領域に比べて、膜中に残留するガス
（例えば、窒素ガス）が多くなる問題点がある。この要
因および他の要因のために、光学密度や屈折率のような
物理的な特性が均一でなくなってしまう。最後に、周知
の様に、薄いクロム層のピンホール密度は、従来の不透
明なクロム層のものに比べて高くなってしまう。上述し
た薄いクロム層を堆積させる場合の困難性に加えて、レ
ティクルの製造過程全体に亘って堆積した層の品質を維
持することは困難である。この層はこのように薄いため
に、従来の不透明なクロム層のように精密なものでなく
なってしまう。例えば、洗浄作業のような、種々の製造
ステップにおいて、前述した不均一性および欠点が更に
悪化してしまうようになる。高品質の薄いクロム層を製
造すると共に、維持する場合における、これらの困難性
によって、従来のＡＰＳＭによる良好なリソグラフィ的
な性能を達成する能力に、以下に説明した理由によって
限界が生じてしまう。
【０００８】ＡＰＳＭにおけるクロムの薄層の不均一な
厚さおよび屈折率に基づく問題点の１つとして、可変
「焦点シフト（偏移）」があり、これについて以下、図
１Ａおよび１Ｂを参照し乍ら説明する。これら図１Ａお
よび１Ｂには、焦点ずれ対臨界寸法のグラフが表示され
ている。しかし、実際の値は、以下の各要因に基づいて
大幅に変化する。即ち、形成すべき図形部分、露光時間
や露光エネルギを含んだ露光パラメータ、プリンタパラ
メータおよび他の要因が包含される。図１Ａおよび１Ｂ
には、一組の露光およびプリンタパラメータの例が図示
されている。図１Ａには、フォトレジスト層内の臨界寸
法（ＣＤ）を、焦点ずれ（フォトレジスト層と最良また
は好適な焦点との間の距離）に対してプロットしたグラ
フが図示されている。図１Ａの曲線１０から明らかなよ
うに、像が正または負方向へ焦点ずれした場合に、レジ
スト内の開口の寸法が減少するようになる。この臨界寸
法（ＣＤ）に対する許容処理仕様値が０．３〜０．５ミ
クロンの範囲の場合に、図１Ａに示した例に対しては、
焦点ずれは約−０．７５μ〜＋０．７５μの範囲であ
る。その理由は、このＣＤは、−０．７５μの焦点ずれ
における約０．３μから０μの焦点ずれにおける約０．
４μまで変化し、更に、＋０．７５μの焦点ずれにおけ
る０．３μまで戻るからである。この範囲外では、この
ＣＤは、０．３μ以下まで低下し、これは仕様量の範囲
外である。−０．７５μから＋０．７５μまでの範囲
は、視野の深さ（ＤＯＦ）であり、ライン１１によって
表されている。従って、フォトレジスト層がこのＤＯＦ
以内である限り、このＣＤは仕様値内である。周知のよ
うに、大きなＤＯＦ値が望まれている。これは、ウェー
ハの形状および他の要因によって、フォトレジスト層の
レベルがプリンタの露光フィールド（視野）に対して大
きく変化するからである。
厚さおよび屈折率に基づく問題点の１つとして、可変
「焦点シフト（偏移）」があり、これについて以下、図
１Ａおよび１Ｂを参照し乍ら説明する。これら図１Ａお
よび１Ｂには、焦点ずれ対臨界寸法のグラフが表示され
ている。しかし、実際の値は、以下の各要因に基づいて
大幅に変化する。即ち、形成すべき図形部分、露光時間
や露光エネルギを含んだ露光パラメータ、プリンタパラ
メータおよび他の要因が包含される。図１Ａおよび１Ｂ
には、一組の露光およびプリンタパラメータの例が図示
されている。図１Ａには、フォトレジスト層内の臨界寸
法（ＣＤ）を、焦点ずれ（フォトレジスト層と最良また
は好適な焦点との間の距離）に対してプロットしたグラ
フが図示されている。図１Ａの曲線１０から明らかなよ
うに、像が正または負方向へ焦点ずれした場合に、レジ
スト内の開口の寸法が減少するようになる。この臨界寸
法（ＣＤ）に対する許容処理仕様値が０．３〜０．５ミ
クロンの範囲の場合に、図１Ａに示した例に対しては、
焦点ずれは約−０．７５μ〜＋０．７５μの範囲であ
る。その理由は、このＣＤは、−０．７５μの焦点ずれ
における約０．３μから０μの焦点ずれにおける約０．
４μまで変化し、更に、＋０．７５μの焦点ずれにおけ
る０．３μまで戻るからである。この範囲外では、この
ＣＤは、０．３μ以下まで低下し、これは仕様量の範囲
外である。−０．７５μから＋０．７５μまでの範囲
は、視野の深さ（ＤＯＦ）であり、ライン１１によって
表されている。従って、フォトレジスト層がこのＤＯＦ
以内である限り、このＣＤは仕様値内である。周知のよ
うに、大きなＤＯＦ値が望まれている。これは、ウェー
ハの形状および他の要因によって、フォトレジスト層の
レベルがプリンタの露光フィールド（視野）に対して大
きく変化するからである。
【０００９】位相偏移型レティクルにおいて、上述した
焦点偏移が起こる。これにより曲線１０は、この位相偏
移器と図形部分との間の位相差が１８０゜から変化する
ように偏移する（位相エラー）。この位相差が１８０゜
以下の場合には、曲線１０が右側へ偏移する。また、位
相差が１８０゜以下の場合に、曲線１０が左側へ偏移す
る。図１Ｂに示したように、曲線１２は、ＣＤと、図形
部分に対する焦点ずれとをプロットしたものであり、こ
こで図形部分とそれの位相シフタとの間の位相差は１８
０゜以下である。また曲線１３は、ＣＤと、図形部分に
対する焦点ずれとを表し、ここで、この図形部分とそれ
の位相シフタとの間の位相差は１８０゜以上である。個
々の曲線の形状は、位相エラーのため大幅に変化しない
ものである。むしろ、この曲線は単純に偏移し、この偏
移量と方向とは、１８０゜からの位相カラーの方向と量
とによって決められる。
焦点偏移が起こる。これにより曲線１０は、この位相偏
移器と図形部分との間の位相差が１８０゜から変化する
ように偏移する（位相エラー）。この位相差が１８０゜
以下の場合には、曲線１０が右側へ偏移する。また、位
相差が１８０゜以下の場合に、曲線１０が左側へ偏移す
る。図１Ｂに示したように、曲線１２は、ＣＤと、図形
部分に対する焦点ずれとをプロットしたものであり、こ
こで図形部分とそれの位相シフタとの間の位相差は１８
０゜以下である。また曲線１３は、ＣＤと、図形部分に
対する焦点ずれとを表し、ここで、この図形部分とそれ
の位相シフタとの間の位相差は１８０゜以上である。個
々の曲線の形状は、位相エラーのため大幅に変化しない
ものである。むしろ、この曲線は単純に偏移し、この偏
移量と方向とは、１８０゜からの位相カラーの方向と量
とによって決められる。
【００１０】前述したように、従来のクロムの薄層は、
約３０゜の位相シフトを有する。しかし、このシフト量
は、膜の厚さや屈折率が変化することに併って変化す
る。前述したように、クロムの薄層の厚さおよび屈折率
が不均一であるため、この位相シフトはレティクルの全
表面上に亘って不均一となる。このようにクロムの薄膜
の位相シフトが変化するので、従来のＡＰＳＭ上に以下
のような領域が存在する。ここでは、位相差が図形部分
とそれの位相シフタとの間で１８０゜以下である領域
と、位相差が１８０゜より大きな領域とが存在する。即
ち、一般に、従来のＡＰＳＭは正および負の位相エラー
の両方を有している。ここで、従来のＡＰＳＭが、位相
差が例えば１７０゜である図形部分と、例えば１９０゜
である図形部分とを有する場合に、ＤＯＦは、焦点シフ
トのために、大幅に減少する。また、図１Ｂから明らか
なように、位相差が１８０゜より小さな図形部分（曲線
１２）に対して焦点ずれが約０．５μまたはこれ以上の
場合に、ＣＤは０．３μ以下となる。一方、焦点ずれが
約−０．５μまたはそれ以下の場合に、位相差が１８０
゜より大きな図形部分（曲線１３）は、０．３μとなっ
ているＣＤを有する。従って、このように変化する位相
エラーのために、ＤＯＦ１４は−０．５μから＋０．５
μだけ延在するようになる。これは、位相エラーの無
い、または均一な位相エラーを有するレティクルに対す
るＤＯＦ１１（即ち、−０．７５μ〜＋０．７５μ）と
比較できるものである。
約３０゜の位相シフトを有する。しかし、このシフト量
は、膜の厚さや屈折率が変化することに併って変化す
る。前述したように、クロムの薄層の厚さおよび屈折率
が不均一であるため、この位相シフトはレティクルの全
表面上に亘って不均一となる。このようにクロムの薄膜
の位相シフトが変化するので、従来のＡＰＳＭ上に以下
のような領域が存在する。ここでは、位相差が図形部分
とそれの位相シフタとの間で１８０゜以下である領域
と、位相差が１８０゜より大きな領域とが存在する。即
ち、一般に、従来のＡＰＳＭは正および負の位相エラー
の両方を有している。ここで、従来のＡＰＳＭが、位相
差が例えば１７０゜である図形部分と、例えば１９０゜
である図形部分とを有する場合に、ＤＯＦは、焦点シフ
トのために、大幅に減少する。また、図１Ｂから明らか
なように、位相差が１８０゜より小さな図形部分（曲線
１２）に対して焦点ずれが約０．５μまたはこれ以上の
場合に、ＣＤは０．３μ以下となる。一方、焦点ずれが
約−０．５μまたはそれ以下の場合に、位相差が１８０
゜より大きな図形部分（曲線１３）は、０．３μとなっ
ているＣＤを有する。従って、このように変化する位相
エラーのために、ＤＯＦ１４は−０．５μから＋０．５
μだけ延在するようになる。これは、位相エラーの無
い、または均一な位相エラーを有するレティクルに対す
るＤＯＦ１１（即ち、−０．７５μ〜＋０．７５μ）と
比較できるものである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来のＡＰＳＭにおけ
るクロムの薄層の不均一な厚さおよび光学密度によって
生じる問題点は、この層を透過する光が均一でないこと
である。このことによって、或る領域においてフォトレ
ジストが過度に除去されてしまうようになる。更に、そ
の上、図形部分の近傍の透過率が余りにも低い場合に、
不十分な位相シフトした放射光となり、回折を有効的に
最小に抑えられず、解像度が低下してしまう。最後に、
従来のＡＰＳＭのピンホール密度が増大することによっ
て、このＡＰＳＭによって露光されたフォトレジスト層
中に不所望な開口が形成されてしまう問題があった。若
し、これら開口が臨界領域中に形成されると、このＡＳ
ＰＭは使用不可能となる。
るクロムの薄層の不均一な厚さおよび光学密度によって
生じる問題点は、この層を透過する光が均一でないこと
である。このことによって、或る領域においてフォトレ
ジストが過度に除去されてしまうようになる。更に、そ
の上、図形部分の近傍の透過率が余りにも低い場合に、
不十分な位相シフトした放射光となり、回折を有効的に
最小に抑えられず、解像度が低下してしまう。最後に、
従来のＡＰＳＭのピンホール密度が増大することによっ
て、このＡＰＳＭによって露光されたフォトレジスト層
中に不所望な開口が形成されてしまう問題があった。若
し、これら開口が臨界領域中に形成されると、このＡＳ
ＰＭは使用不可能となる。
【００１２】解像度を向上させるために位相シフトを利
用可能とする減衰性位相シフト型レティクルに要求され
るものは、すべての図形部分および近接した配置した図
形部分に対して利用できるものであり、ほんの僅かな、
または比較的均一な位相エラーを有するものである。更
に、欠陥密度が低く、現在の技術を駆使して容易に製造
可能な減衰性位相シフト型レティクルが所望されてい
る。
用可能とする減衰性位相シフト型レティクルに要求され
るものは、すべての図形部分および近接した配置した図
形部分に対して利用できるものであり、ほんの僅かな、
または比較的均一な位相エラーを有するものである。更
に、欠陥密度が低く、現在の技術を駆使して容易に製造
可能な減衰性位相シフト型レティクルが所望されてい
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】以下、本発明の減衰性位
相シフト型レティクルが開示されている。一実施例によ
れば、所望図形の部分の位相が、レティクルの減衰され
た視野（フィールド）に対して約１８０゜偏移（シフ
ト）している。このレティクルの視野は、この上に形成
された副次解像度パターンを有しており、この副次パタ
ーンによって、減少された放射光の一部分が透過され
る。このパターンは副次解像度であるので、副次解像度
パターンの下側の感光層中には何れのパターンも形成さ
れない。この視野を透過した放射光は、所望図形の部分
を透過した放射光に対して１８０゜の位相を有するの
で、位相シフト型のレティクルの解像度が改善される。
従来の位相シフタが必要でなくなるので、あらゆるタイ
プの所望図形の部分とこれらに近接した図形部分とを、
本発明のレティクルによって形成することができる。上
述した副次解像度パターンを、従来の不透明層の厚さと
等しい厚さを有する層の中に形成したので、本発明のレ
ティクルを容易に製造できる。この結果として、ピンホ
ールの密度が従来のレティクルのピンホール密度に比べ
て悪化しなくなる。更に、この副次解像度パターンを、
従来のパターンと同様に精密に形成するので、この結
果、標準的なレティクル製造過程のすべてに使用でき
る。本発明の他の特徴および利点は、以下の詳細な説明
から明らかになる。
相シフト型レティクルが開示されている。一実施例によ
れば、所望図形の部分の位相が、レティクルの減衰され
た視野（フィールド）に対して約１８０゜偏移（シフ
ト）している。このレティクルの視野は、この上に形成
された副次解像度パターンを有しており、この副次パタ
ーンによって、減少された放射光の一部分が透過され
る。このパターンは副次解像度であるので、副次解像度
パターンの下側の感光層中には何れのパターンも形成さ
れない。この視野を透過した放射光は、所望図形の部分
を透過した放射光に対して１８０゜の位相を有するの
で、位相シフト型のレティクルの解像度が改善される。
従来の位相シフタが必要でなくなるので、あらゆるタイ
プの所望図形の部分とこれらに近接した図形部分とを、
本発明のレティクルによって形成することができる。上
述した副次解像度パターンを、従来の不透明層の厚さと
等しい厚さを有する層の中に形成したので、本発明のレ
ティクルを容易に製造できる。この結果として、ピンホ
ールの密度が従来のレティクルのピンホール密度に比べ
て悪化しなくなる。更に、この副次解像度パターンを、
従来のパターンと同様に精密に形成するので、この結
果、標準的なレティクル製造過程のすべてに使用でき
る。本発明の他の特徴および利点は、以下の詳細な説明
から明らかになる。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明による減衰性位相シフト型レ
ティクルを開示する。本発明を理解するために、特徴の
材料や、レティクルパターンや寸法等の所定の詳細なデ
ータが記載されている。しかし乍ら、これらの特定の詳
細なデータを利用しなくても、本発明を具現化できるこ
とは、当業者にとって明白である。また、他の例におい
ては、本発明を不必要に不明瞭にしないようにするた
め、周知の材料または周知の方法を詳述しなかった。
ティクルを開示する。本発明を理解するために、特徴の
材料や、レティクルパターンや寸法等の所定の詳細なデ
ータが記載されている。しかし乍ら、これらの特定の詳
細なデータを利用しなくても、本発明を具現化できるこ
とは、当業者にとって明白である。また、他の例におい
ては、本発明を不必要に不明瞭にしないようにするた
め、周知の材料または周知の方法を詳述しなかった。
【００１５】種々のパターン化されたレジスト層を形成
することができる。本発明を駆使することによって、従
来の解像度限界値より大きな、または小さな寸法を有す
るレジスト層をパターン化することができる。このよう
にパターン化されたレジスト層を、誘電体、シリコン、
または金属エッチングステップ中に、マスク機能用層と
して、または、ドーピングステップまたは他の処理ステ
ップ中に、マスク機能用層として利用できる。本発明を
利用することによって、多数のパターンを形成すること
ができる。パターン化されたレジスト層を用いることに
よって、コンタクトまたはビア開口、ポリシリコンワー
ドライン、金属ライン、フィールド隔離領域、イオン注
入領域等を規定することができる。本発明によって形成
されたパターンは、以下に与えられた例に限定されな
い、また本発明は、あらゆる半導体技術、即ち、バイポ
ーラ、金属酸化物半導体および III−Ｖ族半導体を含ん
だ技術と共に利用できる。
することができる。本発明を駆使することによって、従
来の解像度限界値より大きな、または小さな寸法を有す
るレジスト層をパターン化することができる。このよう
にパターン化されたレジスト層を、誘電体、シリコン、
または金属エッチングステップ中に、マスク機能用層と
して、または、ドーピングステップまたは他の処理ステ
ップ中に、マスク機能用層として利用できる。本発明を
利用することによって、多数のパターンを形成すること
ができる。パターン化されたレジスト層を用いることに
よって、コンタクトまたはビア開口、ポリシリコンワー
ドライン、金属ライン、フィールド隔離領域、イオン注
入領域等を規定することができる。本発明によって形成
されたパターンは、以下に与えられた例に限定されな
い、また本発明は、あらゆる半導体技術、即ち、バイポ
ーラ、金属酸化物半導体および III−Ｖ族半導体を含ん
だ技術と共に利用できる。
【００１６】種々の材料および装置を利用できる。本発
明については、ポジ性のフォトレジストと協動したもの
について記載されているが、ポジ性のフォトレジスト、
ネガ性のフォトレジスト、コントラスト強調型フォトレ
ジストおよび可視光スペクトル以外の波長を有する放射
光を利用してパターン化したレジスト材料を含むあらゆ
るタイプの感光層によって、本発明を実現することもで
きる。例えば、非反射コーティング材料のような他の材
料をレジスト層と一緒に利用できる。レティクルを多く
の異なった材料によって製造できる。レティクルのベー
ス、または基板に、石英、ガラス、シリコン、窒化珪
素、オキシ窒化、珪素、または窒化ほう素を利用でき
る。クロム、金、銅および他の金属化合物を不透明エレ
メント用に利用できる。このレティクルの製造は、更に
難しいものであるが、ポリシリコン、ステンシル、また
は「シースルー」レティクルを利用できる。放射光に対
して不透明である材料はすべて、不透明エレメントとし
て利用できる。本明細書に記載されている実施例では、
レティクルベースは、石英によって製造されており、不
透明領域には、パターン化されたクロム層が設けられて
いる。このクロム層の厚さは、すべての放射光を実質的
に阻止するのに十分な厚さを有する。一実施例によれ
ば、以下に説明したように、異なる厚さの石英の領域を
利用して位相シフト（偏移）を行っている。この代り
に、位相シフトを所望する焦点領域内に、他の材料から
成る領域を形成することによってこの位相シフトを実現
することもできる。例えば、フォトレジスト、二酸化珪
素（ドープ処理した、またはドープ処理していない）、
スピン・オン・ガラス、ポリイミド、窒化珪素、オキシ
窒化珪素、およびポリ（メチルメタアクリレート）等の
材料を適当な領域に配置することによって、位相シフト
を実現することもできる。
明については、ポジ性のフォトレジストと協動したもの
について記載されているが、ポジ性のフォトレジスト、
ネガ性のフォトレジスト、コントラスト強調型フォトレ
ジストおよび可視光スペクトル以外の波長を有する放射
光を利用してパターン化したレジスト材料を含むあらゆ
るタイプの感光層によって、本発明を実現することもで
きる。例えば、非反射コーティング材料のような他の材
料をレジスト層と一緒に利用できる。レティクルを多く
の異なった材料によって製造できる。レティクルのベー
ス、または基板に、石英、ガラス、シリコン、窒化珪
素、オキシ窒化、珪素、または窒化ほう素を利用でき
る。クロム、金、銅および他の金属化合物を不透明エレ
メント用に利用できる。このレティクルの製造は、更に
難しいものであるが、ポリシリコン、ステンシル、また
は「シースルー」レティクルを利用できる。放射光に対
して不透明である材料はすべて、不透明エレメントとし
て利用できる。本明細書に記載されている実施例では、
レティクルベースは、石英によって製造されており、不
透明領域には、パターン化されたクロム層が設けられて
いる。このクロム層の厚さは、すべての放射光を実質的
に阻止するのに十分な厚さを有する。一実施例によれ
ば、以下に説明したように、異なる厚さの石英の領域を
利用して位相シフト（偏移）を行っている。この代り
に、位相シフトを所望する焦点領域内に、他の材料から
成る領域を形成することによってこの位相シフトを実現
することもできる。例えば、フォトレジスト、二酸化珪
素（ドープ処理した、またはドープ処理していない）、
スピン・オン・ガラス、ポリイミド、窒化珪素、オキシ
窒化珪素、およびポリ（メチルメタアクリレート）等の
材料を適当な領域に配置することによって、位相シフト
を実現することもできる。
【００１７】また、本発明は、放射光の波長や開口数に
無関係に、あらゆるリソグラフィプリンタを利用でき
る。これらリソグラフィプリンタの例としては、プロジ
ェクションプリンタ、コンタクトプリンタ、プロキシィ
ミィティプリンタが存在する。一般に、市販のリソグラ
フィプリンタは、約４３６ｎｍより長くない波長λで作
動し、約０．１７〜０．６の範囲の開口数を有するレン
ズを保有し、更に、像の縮小倍率は約１×１〜１０×１
の範囲である。
無関係に、あらゆるリソグラフィプリンタを利用でき
る。これらリソグラフィプリンタの例としては、プロジ
ェクションプリンタ、コンタクトプリンタ、プロキシィ
ミィティプリンタが存在する。一般に、市販のリソグラ
フィプリンタは、約４３６ｎｍより長くない波長λで作
動し、約０．１７〜０．６の範囲の開口数を有するレン
ズを保有し、更に、像の縮小倍率は約１×１〜１０×１
の範囲である。
【００１８】また、現在の好適実施例によれば、半導体
基板をポジ性のフォトレジスト層でコーティングして、
リソグラフィプリンタ内に配置する。また、現在の好適
実施例によれば、このリソグラフィプリンタは、例えば
ニコン社製のｉ−ラインプロジェクション（投影）プリ
ンタであり、このプリンタは、約３６５ｎｍの波長を有
する放射光を放射する放射光源と、約０．５０の開口数
を有するレンズと、更に、約５×１倍の像縮小率とを有
している。この５×１倍の像縮小率とは、レティクル上
の像を、この像がフォトレジスト層の表面に到達した時
に、約５倍だけ減少することを意味する。簡単のため
に、レティクル上の特徴およびパターンについては、プ
リンタのＩＲＦを考慮して、形成された像の寸法に基づ
いて説明するものとする。例えば、フォトレジスト表面
における放射光強度について、レティクルの図形部分ま
たは副次解像度パターンに関連して説明する場合に、例
えば、レティクルの「開口の下」での放射光強度につい
て参考にする。この用語を利用して、対応の１／５寸法
像におけるフォトレジスト表面上の放射光強度について
説明する。従って、以下に説明した寸法のすべては、特
に記載しなければ、１：１基準に基づくものである。レ
ティクル上の図形部分またはパターンの対応のサイズを
決定するために、１：１サイズを約５倍する必要があ
る。また、ポジ性のフォトレジストにおいて所定サイズ
の図形部分を形成するために、レティクル上の図形部分
のサイズは、本発明の減衰性位相シフト型レティクル用
のプリンタのＩＲＦに所望の図形部分のサイズを掛けた
ものより、約２０％大きくする必要がある。
基板をポジ性のフォトレジスト層でコーティングして、
リソグラフィプリンタ内に配置する。また、現在の好適
実施例によれば、このリソグラフィプリンタは、例えば
ニコン社製のｉ−ラインプロジェクション（投影）プリ
ンタであり、このプリンタは、約３６５ｎｍの波長を有
する放射光を放射する放射光源と、約０．５０の開口数
を有するレンズと、更に、約５×１倍の像縮小率とを有
している。この５×１倍の像縮小率とは、レティクル上
の像を、この像がフォトレジスト層の表面に到達した時
に、約５倍だけ減少することを意味する。簡単のため
に、レティクル上の特徴およびパターンについては、プ
リンタのＩＲＦを考慮して、形成された像の寸法に基づ
いて説明するものとする。例えば、フォトレジスト表面
における放射光強度について、レティクルの図形部分ま
たは副次解像度パターンに関連して説明する場合に、例
えば、レティクルの「開口の下」での放射光強度につい
て参考にする。この用語を利用して、対応の１／５寸法
像におけるフォトレジスト表面上の放射光強度について
説明する。従って、以下に説明した寸法のすべては、特
に記載しなければ、１：１基準に基づくものである。レ
ティクル上の図形部分またはパターンの対応のサイズを
決定するために、１：１サイズを約５倍する必要があ
る。また、ポジ性のフォトレジストにおいて所定サイズ
の図形部分を形成するために、レティクル上の図形部分
のサイズは、本発明の減衰性位相シフト型レティクル用
のプリンタのＩＲＦに所望の図形部分のサイズを掛けた
ものより、約２０％大きくする必要がある。
【００１９】図２には、本発明のレティクル２０の一部
の一好適実施例の平面図が図示されている。開口２１
は、フォトレジストの中に形成すべきパターンである。
例えば、この開口２１を利用して、フォトレジスト中
に、コンタクトまたはビア開口（Ｖｉａ ｏｐｅｎｉｎ
ｇ）を形成することができる。一好適実施例によれば、
この開口２１は、ほぼ矩形形状を有し、フォトレジスト
層中の所望の開口より約２０％だけ大きな寸法を有して
いる。例えば、フォトレジスト層中に０．４μの寸法を
所望する場合には、開口２１は、１：１基準において約
０．５μの寸法を有する。また、本発明を利用して、前
述したように、より大きな、またはより小さな寸法を有
する開口または他の図形部分を形成できることは明らか
である。チェッカーボードパターンとして説明されるパ
ターン２２によって、開口２１を図示のように包囲す
る。現在の一好適実施例においては、レティクル２０に
は、石英のベースが設けられ、パターン２２は、この石
英ベースの上に堆積されたクロム層中に形成される。
の一好適実施例の平面図が図示されている。開口２１
は、フォトレジストの中に形成すべきパターンである。
例えば、この開口２１を利用して、フォトレジスト中
に、コンタクトまたはビア開口（Ｖｉａ ｏｐｅｎｉｎ
ｇ）を形成することができる。一好適実施例によれば、
この開口２１は、ほぼ矩形形状を有し、フォトレジスト
層中の所望の開口より約２０％だけ大きな寸法を有して
いる。例えば、フォトレジスト層中に０．４μの寸法を
所望する場合には、開口２１は、１：１基準において約
０．５μの寸法を有する。また、本発明を利用して、前
述したように、より大きな、またはより小さな寸法を有
する開口または他の図形部分を形成できることは明らか
である。チェッカーボードパターンとして説明されるパ
ターン２２によって、開口２１を図示のように包囲す
る。現在の一好適実施例においては、レティクル２０に
は、石英のベースが設けられ、パターン２２は、この石
英ベースの上に堆積されたクロム層中に形成される。
【００２０】開口２１の領域中において（同様に、図２
には図示しないが、レティクル２０上の他の図形部分の
領域中において）、透過した放射光をレティクルの他の
領域と比較して約１６０゜〜２００゜の範囲内で位相シ
フトする（＋Ｎ＊３６０゜ここで、「ｎ」は０またはそ
れ以上の整数である）。また、一好適実施例において
は、このことは以下の方法によって実現される。即ち、
パターン２２の領域におけるレティクル２０の石英ベー
スを経て透過する放射光と比較して、約１６０゜〜２０
０゜の範囲内で、開口２１を経て透過される放射光を位
相シフトするのに十分な厚さを有するだけ石英ベースを
除去することによって実現できる。
には図示しないが、レティクル２０上の他の図形部分の
領域中において）、透過した放射光をレティクルの他の
領域と比較して約１６０゜〜２００゜の範囲内で位相シ
フトする（＋Ｎ＊３６０゜ここで、「ｎ」は０またはそ
れ以上の整数である）。また、一好適実施例において
は、このことは以下の方法によって実現される。即ち、
パターン２２の領域におけるレティクル２０の石英ベー
スを経て透過する放射光と比較して、約１６０゜〜２０
０゜の範囲内で、開口２１を経て透過される放射光を位
相シフトするのに十分な厚さを有するだけ石英ベースを
除去することによって実現できる。
【００２１】図２において、領域２２ａは、クロムが存
在する領域である。番号２２ｂで示したような明るい領
域は、クロムが存在しない領域である。上述した従来の
ＡＰＳＭ（マスク）とは異なり、パターン２２の領域２
２ａ中のクロム層は、放射光に対して完全に不透明であ
る。一好適実施例によれば、クロム層の厚さは約１，１
００オングストロームである。パターン２２の領域２２
ａの形成するクロム層または不透明（不透明）層を異な
った厚さにすることができるが、この層に入射する殆ど
すべての放射光の透過を阻止するのに十分な厚さを有す
る必要がある。
在する領域である。番号２２ｂで示したような明るい領
域は、クロムが存在しない領域である。上述した従来の
ＡＰＳＭ（マスク）とは異なり、パターン２２の領域２
２ａ中のクロム層は、放射光に対して完全に不透明であ
る。一好適実施例によれば、クロム層の厚さは約１，１
００オングストロームである。パターン２２の領域２２
ａの形成するクロム層または不透明（不透明）層を異な
った厚さにすることができるが、この層に入射する殆ど
すべての放射光の透過を阻止するのに十分な厚さを有す
る必要がある。
【００２２】一般に、図２の領域２２ｂのような副次解
像度パターンにおけるいずれの開口ならびに本発明の他
の実施例の同様な領域を、約０．３λ／ＮＡより大きな
ものとして形成してはならず、好適には、約０．２μ／
ＮＡまたはこれより少ないものとする。一好適実施例に
よれば、これら領域２２ａと２２ｂの各々をほぼ矩形形
状とし、一辺が約０．１μｍの寸法を有する。従って、
パターン２２（領域２２ａと２２ｂとを含む）の解像度
を、前述したプリンタの解像度より十分低いものとす
る。このパターン２２の解像度がプリンタの解像度より
低いので、このパターン２２は、フォトレジスト層内に
おいて模写されない。この代りに、比較的均一な放射光
のパターンがパターン２２の下側のフォトレジスト面に
到達する。副次解像度パターンの下の放射光の強度は、
パターンの密度に依存する（即ち、開放領域のパターン
全体領域に対する比率、例えば、２２ｂ／（２２ａ＋２
２ｂ）である）。このパターンの下側の強度は、この比
率に、レティクルに入射した放射光を掛けたものより小
さいもので、この放射光は、光学的効果のために、散乱
及び回折が含まれている。従って、例えば、パターン２
２において、領域２２ａと２２ｂとが同一サイズの場合
に、パターン２２の下側で得られる強度は、５０％以下
であると共に、代表的な値としては、レティクル２０に
入射する放射光の約３０％に相当する。この強度は、副
次解像度パターンにおける開口の全体領域に対する比率
を減少させることによって減少できる。例えば、パター
ン２２において、このパターンを、開放領域２２ｂのい
くつかを不透明領域２２ａで置換えることによって改造
できる。更に、以下に説明するように、数個の代りのパ
ターンまたは変形例を利用して、副次解像度パターンの
下側において、所望の放射光強度を達成できる。
像度パターンにおけるいずれの開口ならびに本発明の他
の実施例の同様な領域を、約０．３λ／ＮＡより大きな
ものとして形成してはならず、好適には、約０．２μ／
ＮＡまたはこれより少ないものとする。一好適実施例に
よれば、これら領域２２ａと２２ｂの各々をほぼ矩形形
状とし、一辺が約０．１μｍの寸法を有する。従って、
パターン２２（領域２２ａと２２ｂとを含む）の解像度
を、前述したプリンタの解像度より十分低いものとす
る。このパターン２２の解像度がプリンタの解像度より
低いので、このパターン２２は、フォトレジスト層内に
おいて模写されない。この代りに、比較的均一な放射光
のパターンがパターン２２の下側のフォトレジスト面に
到達する。副次解像度パターンの下の放射光の強度は、
パターンの密度に依存する（即ち、開放領域のパターン
全体領域に対する比率、例えば、２２ｂ／（２２ａ＋２
２ｂ）である）。このパターンの下側の強度は、この比
率に、レティクルに入射した放射光を掛けたものより小
さいもので、この放射光は、光学的効果のために、散乱
及び回折が含まれている。従って、例えば、パターン２
２において、領域２２ａと２２ｂとが同一サイズの場合
に、パターン２２の下側で得られる強度は、５０％以下
であると共に、代表的な値としては、レティクル２０に
入射する放射光の約３０％に相当する。この強度は、副
次解像度パターンにおける開口の全体領域に対する比率
を減少させることによって減少できる。例えば、パター
ン２２において、このパターンを、開放領域２２ｂのい
くつかを不透明領域２２ａで置換えることによって改造
できる。更に、以下に説明するように、数個の代りのパ
ターンまたは変形例を利用して、副次解像度パターンの
下側において、所望の放射光強度を達成できる。
【００２３】前述したように、レティクル２０を介して
パターン２２の領域中に透過した放射光と比較して、放
射光を開口２１によって位相で約１６０゜〜２００゜だ
けシフト（偏移）する。従って、この開口２１を包囲す
るパターン２２の一部分が、位相シフタ（偏移器）とし
て有効に作用し、この位相シフタによって回折の効果を
最小限に抑え、これによって、処理の解像度を改善す
る。
パターン２２の領域中に透過した放射光と比較して、放
射光を開口２１によって位相で約１６０゜〜２００゜だ
けシフト（偏移）する。従って、この開口２１を包囲す
るパターン２２の一部分が、位相シフタ（偏移器）とし
て有効に作用し、この位相シフタによって回折の効果を
最小限に抑え、これによって、処理の解像度を改善す
る。
【００２４】図３は、本発明の別の実施例を示す。図３
において、同様に開口２１を有するレティクル３０の一
部分が図示されている。前述の実施例のように、この開
口２１は、エッチング処理された石英ベースが、放射光
をレティクル３０のエッチング処理されていない部分を
経て透過する放射光に対して１６０゜〜２００゜だけ位
相シフトするのに充分な厚さとされている。この開口２
１を包囲するパターン３２は、以下、グリッド（格子
状）パターンと称する。図２のパターン２２と同様に、
領域３２ａは、実質的に不透明なクロムが存在すると共
に、明るい領域３２ｂがクロム層中の開口を表す領域を
表す。一好適実施例によれば、領域３２ｂの各々は、ほ
ぼ矩形形状を有しており、約０．２μまたはそれ以下の
寸法を有している。クロム領域３２ａの幅を、約０．１
μ〜０．５μの範囲で選択することができる。前述した
ように、領域３２ａと３２ｂの寸法を変化させて、パタ
ーン３２の下側に、所望の強度を達成できる。図３のパ
ターン３２を、前述したように、例えばプリンタの解像
度以下にする。従って、このパターン３２によって、開
口２１を経て透過された放射光に比べて、約１６０゜〜
２００゜の位相で、放射光の均一、且つ減衰したフィー
ルドを通過させる。従って、このパターン３２は、開口
２１に対して位相シフタとして作用し、これによって解
像度を改善できる。開口２１の端部がクロム領域３２ａ
の部分に沿って存在している。しかし乍ら、この図４の
好適実施例から明らかなように、このような配置にする
必要はなく、図４に示した開口２１を、図３に示した開
口２１の位置以外の（クロム領域３２ａに対しての）位
置に設置できる。
において、同様に開口２１を有するレティクル３０の一
部分が図示されている。前述の実施例のように、この開
口２１は、エッチング処理された石英ベースが、放射光
をレティクル３０のエッチング処理されていない部分を
経て透過する放射光に対して１６０゜〜２００゜だけ位
相シフトするのに充分な厚さとされている。この開口２
１を包囲するパターン３２は、以下、グリッド（格子
状）パターンと称する。図２のパターン２２と同様に、
領域３２ａは、実質的に不透明なクロムが存在すると共
に、明るい領域３２ｂがクロム層中の開口を表す領域を
表す。一好適実施例によれば、領域３２ｂの各々は、ほ
ぼ矩形形状を有しており、約０．２μまたはそれ以下の
寸法を有している。クロム領域３２ａの幅を、約０．１
μ〜０．５μの範囲で選択することができる。前述した
ように、領域３２ａと３２ｂの寸法を変化させて、パタ
ーン３２の下側に、所望の強度を達成できる。図３のパ
ターン３２を、前述したように、例えばプリンタの解像
度以下にする。従って、このパターン３２によって、開
口２１を経て透過された放射光に比べて、約１６０゜〜
２００゜の位相で、放射光の均一、且つ減衰したフィー
ルドを通過させる。従って、このパターン３２は、開口
２１に対して位相シフタとして作用し、これによって解
像度を改善できる。開口２１の端部がクロム領域３２ａ
の部分に沿って存在している。しかし乍ら、この図４の
好適実施例から明らかなように、このような配置にする
必要はなく、図４に示した開口２１を、図３に示した開
口２１の位置以外の（クロム領域３２ａに対しての）位
置に設置できる。
【００２５】図５は、更に本発明の一実施例を示す。図
５において、開口パターン２１を有するレティクル５０
の一部分が図示されている。前述した実施例と同様に、
開口パターン２１を透過した放射光は、レティクル５０
の他の部分を透過した放射光に対して、約１６０゜〜２
００゜の範囲で位相シフトされる。図５のパターン５２
は、本例において回折格子パターンと称するものとす
る。一実施例において、不透明領域５２ａは約０．１〜
０．５μの範囲の幅を有する。これら不透明領域５２ａ
は約０．０５〜０．２μの範囲の離間距離である。勿
論、この間隔は、パターン５２の開口５２ｂの幅であ
る。同様に、これらの寸法を変化させることによって、
このパターンが副次解像度を維持している限りにおい
て、所望の透過強度を得ることができる。前述した実施
例と同様に、開口２１を包囲するパターン５２の一部分
は、位相シフタとして作用するので、この結果として解
像度が向上する。
５において、開口パターン２１を有するレティクル５０
の一部分が図示されている。前述した実施例と同様に、
開口パターン２１を透過した放射光は、レティクル５０
の他の部分を透過した放射光に対して、約１６０゜〜２
００゜の範囲で位相シフトされる。図５のパターン５２
は、本例において回折格子パターンと称するものとす
る。一実施例において、不透明領域５２ａは約０．１〜
０．５μの範囲の幅を有する。これら不透明領域５２ａ
は約０．０５〜０．２μの範囲の離間距離である。勿
論、この間隔は、パターン５２の開口５２ｂの幅であ
る。同様に、これらの寸法を変化させることによって、
このパターンが副次解像度を維持している限りにおい
て、所望の透過強度を得ることができる。前述した実施
例と同様に、開口２１を包囲するパターン５２の一部分
は、位相シフタとして作用するので、この結果として解
像度が向上する。
【００２６】図６は、本発明の他の実施例を示し、ここ
では、近接して配置した２つの開口パターン２１がレテ
ィクル６０上に存在する。この図６に示した実施例で
は、２つの開口パターン２１が約０．５μの離間距離で
設置されている。パターン３２が、図６において、これ
ら開口パターン２１を包囲して図示されている。また、
明らかなように、これら２つの近接した図形部分（即
ち、開口２１）として、図２のパターン２２、図５のパ
ターン５２、および本発明の技術範囲内の他のパターン
のいずれも利用して形成できる。更に、また、これら開
口２１を、本発明の副次解像度パターンと共に更に近接
して配置することもできる。従来例では、従来の図形部
分の各々には、位相シフト用エレメントが必要であっ
た。このエレメントによって、放射光の位相を、この従
来の図形部分に対して約１８０゜シフトしていた。この
位相シフトエレメントの幅は、使用した特定の露光パラ
メータおよび所望の改良された解像度に依存していた。
しかし乍ら、従来の位相シフトエレメントと有する２つ
の図形部分を、本実施例の図６の開口パターン２１のよ
うに近接させて配置した場合に、前述したように、これ
ら２つの露光されている開口パターン間のレジストと共
に、近接効果によって問題が生じてしまう。一般に、コ
ンタクト開口用の位相シフト用リムのような従来の位相
シフト用エレメントは、約０．５５＊λ／ＮＡだけ離間
させる必要がある。これら位相シフト用エレメントをこ
の距離だけ離間させる必要があるから、従来の図形部分
自身を、最短離間距離０．５５＊λ／ＮＡおよび、これ
に加えて、位相シフト用エレメントの幅の２倍だけ離間
させる必要がある（前述したように、従来の各図形部分
は、位相シフト用エレメントによって包囲されているた
めである）。本発明によれば、位相シフト動作は、上述
したような従来の位相シフト用エレメントを利用しない
で実行できるので、２つの開口２１のような２つの近接
した図形部分を更に互いに近接して配置でき、この場
合、近接効果をもたらせない。従って、本発明によれ
ば、コンタクト開口のような位相シフトされた図形部分
を、従来の位相シフトされた図形部分に比べて更に近接
して設置できる。
では、近接して配置した２つの開口パターン２１がレテ
ィクル６０上に存在する。この図６に示した実施例で
は、２つの開口パターン２１が約０．５μの離間距離で
設置されている。パターン３２が、図６において、これ
ら開口パターン２１を包囲して図示されている。また、
明らかなように、これら２つの近接した図形部分（即
ち、開口２１）として、図２のパターン２２、図５のパ
ターン５２、および本発明の技術範囲内の他のパターン
のいずれも利用して形成できる。更に、また、これら開
口２１を、本発明の副次解像度パターンと共に更に近接
して配置することもできる。従来例では、従来の図形部
分の各々には、位相シフト用エレメントが必要であっ
た。このエレメントによって、放射光の位相を、この従
来の図形部分に対して約１８０゜シフトしていた。この
位相シフトエレメントの幅は、使用した特定の露光パラ
メータおよび所望の改良された解像度に依存していた。
しかし乍ら、従来の位相シフトエレメントと有する２つ
の図形部分を、本実施例の図６の開口パターン２１のよ
うに近接させて配置した場合に、前述したように、これ
ら２つの露光されている開口パターン間のレジストと共
に、近接効果によって問題が生じてしまう。一般に、コ
ンタクト開口用の位相シフト用リムのような従来の位相
シフト用エレメントは、約０．５５＊λ／ＮＡだけ離間
させる必要がある。これら位相シフト用エレメントをこ
の距離だけ離間させる必要があるから、従来の図形部分
自身を、最短離間距離０．５５＊λ／ＮＡおよび、これ
に加えて、位相シフト用エレメントの幅の２倍だけ離間
させる必要がある（前述したように、従来の各図形部分
は、位相シフト用エレメントによって包囲されているた
めである）。本発明によれば、位相シフト動作は、上述
したような従来の位相シフト用エレメントを利用しない
で実行できるので、２つの開口２１のような２つの近接
した図形部分を更に互いに近接して配置でき、この場
合、近接効果をもたらせない。従って、本発明によれ
ば、コンタクト開口のような位相シフトされた図形部分
を、従来の位相シフトされた図形部分に比べて更に近接
して設置できる。
【００２７】本発明においては、レティクル全体に副次
解像度パターンを有する必要は無く、むしろ、この副次
解像度パターンを形成すべき図形部分の周囲のみに配置
することが可能となる。図７には、副次解像度パターン
７２によって包囲された開口パターン２１が図示されて
おり、ここでは同心フレームパターンと称するものとす
る。図７から明らかなように、このパターン７２は、開
口パターン２１を包囲している領域内のみに存在する。
このパターン７２は図５の回折格子パターン５２に類似
している。このパターン７２の不透明部分７２ａと開口
７２ｂとは、パターン５２の不透明部分５２ａと開口５
２ｂとの寸法と同一範囲内の寸法を有している。パター
ン２２、３２、５２のいずれか、または、本発明の技術
思想内の他のパターンを、このパターン７２の場所に利
用することもでき、所望に応じて図形部分のみを包囲す
ることもできる。
解像度パターンを有する必要は無く、むしろ、この副次
解像度パターンを形成すべき図形部分の周囲のみに配置
することが可能となる。図７には、副次解像度パターン
７２によって包囲された開口パターン２１が図示されて
おり、ここでは同心フレームパターンと称するものとす
る。図７から明らかなように、このパターン７２は、開
口パターン２１を包囲している領域内のみに存在する。
このパターン７２は図５の回折格子パターン５２に類似
している。このパターン７２の不透明部分７２ａと開口
７２ｂとは、パターン５２の不透明部分５２ａと開口５
２ｂとの寸法と同一範囲内の寸法を有している。パター
ン２２、３２、５２のいずれか、または、本発明の技術
思想内の他のパターンを、このパターン７２の場所に利
用することもでき、所望に応じて図形部分のみを包囲す
ることもできる。
【００２８】また、本発明は上述した特定のパターンの
みに限定されないことは明らかである。一般に、以下の
ような条件を満すパターンは、いずれも減衰性位相シフ
ト処理されたパターンとして有効に作用する。即ち、こ
のパターンの解像度はプリンタの解像度より低く、フォ
トレジスト表面において比較的均一な強度が得られ、且
つ、入射放射光の約５〜３０％を透過し、好適には約１
０％を透過するパターン条件である。これに関して、例
えば、パターン２１において、不透明領域２２ａと開放
領域２２ｂは矩形形状である必要がないと共に、図示の
ように互いに同一サイズである必要もない。同様に、前
述した他のパターンにおいて、不透明領域と開放領域と
の相対幅と間隔は、このパターンが副次解像度である限
りにおいて変化できるものであり、この結果、使用する
プリンタおよび露光パラメータに対して、比較的均一且
つ、減衰された露光が得られる。更にこれら図示したパ
ターン以外のパターン、例えば丸味を帯びたパターン
や、不規則に変化する開口を有するパターンを利用でき
る。
みに限定されないことは明らかである。一般に、以下の
ような条件を満すパターンは、いずれも減衰性位相シフ
ト処理されたパターンとして有効に作用する。即ち、こ
のパターンの解像度はプリンタの解像度より低く、フォ
トレジスト表面において比較的均一な強度が得られ、且
つ、入射放射光の約５〜３０％を透過し、好適には約１
０％を透過するパターン条件である。これに関して、例
えば、パターン２１において、不透明領域２２ａと開放
領域２２ｂは矩形形状である必要がないと共に、図示の
ように互いに同一サイズである必要もない。同様に、前
述した他のパターンにおいて、不透明領域と開放領域と
の相対幅と間隔は、このパターンが副次解像度である限
りにおいて変化できるものであり、この結果、使用する
プリンタおよび露光パラメータに対して、比較的均一且
つ、減衰された露光が得られる。更にこれら図示したパ
ターン以外のパターン、例えば丸味を帯びたパターン
や、不規則に変化する開口を有するパターンを利用でき
る。
【００２９】また、更に、本発明の他の効果によれば、
従来の位相シフタのように位相シフト用エレメントを構
成するための特別な考慮を払わなくても、位相シフトが
好適に実行され、また、前述したように、従来の減衰性
位相シフトしたマスクの減衰性漏洩クロム層を製造する
時に生じた問題点が生じない、あらゆるパターンを形成
することができる。従って、本発明においては、透過し
た放射光の強度および位相シフトを同時に制御するＡＰ
ＳＭ（マスク）に併う従来の問題点が生じない。また、
前述したような、位相エラーによる焦点偏移の問題も生
じないようになる。本発明の他の効果によれば、高品質
で少ない欠陥のレティクルを従来の方法によって製造す
ることができる。これは、一実施例によれば、従来のク
ロム層を利用して本発明の副次解像度パターンを形成で
きる。更に、この副次解像度パターンを形成するための
このクロム層は、従来のＡＰＳＭの漏洩クロムより精密
なものであるので、本発明のレティクルの品質を容易に
維持できる効果がある。従って、本発明のレティクルの
製造プロセスは、レティクルクリーニングステップを含
んだ標準のプロセスが通用する。最後に、本発明の副次
解像度パターンは、従来のＡＰＳＭの不均一な厚さまた
は不均一な光学密度の問題点を有しないので、均一に減
衰された露光が達成される。これらの理由によって本発
明のレティクルによって、最適なイソグラフィ性能を達
成すると共に維持できる。
従来の位相シフタのように位相シフト用エレメントを構
成するための特別な考慮を払わなくても、位相シフトが
好適に実行され、また、前述したように、従来の減衰性
位相シフトしたマスクの減衰性漏洩クロム層を製造する
時に生じた問題点が生じない、あらゆるパターンを形成
することができる。従って、本発明においては、透過し
た放射光の強度および位相シフトを同時に制御するＡＰ
ＳＭ（マスク）に併う従来の問題点が生じない。また、
前述したような、位相エラーによる焦点偏移の問題も生
じないようになる。本発明の他の効果によれば、高品質
で少ない欠陥のレティクルを従来の方法によって製造す
ることができる。これは、一実施例によれば、従来のク
ロム層を利用して本発明の副次解像度パターンを形成で
きる。更に、この副次解像度パターンを形成するための
このクロム層は、従来のＡＰＳＭの漏洩クロムより精密
なものであるので、本発明のレティクルの品質を容易に
維持できる効果がある。従って、本発明のレティクルの
製造プロセスは、レティクルクリーニングステップを含
んだ標準のプロセスが通用する。最後に、本発明の副次
解像度パターンは、従来のＡＰＳＭの不均一な厚さまた
は不均一な光学密度の問題点を有しないので、均一に減
衰された露光が達成される。これらの理由によって本発
明のレティクルによって、最適なイソグラフィ性能を達
成すると共に維持できる。
【００３０】本発明を利用して、レティクルを製造する
ために、本発明の技術範囲内の副次解像度パターンをい
づれか１つのパターンを有するレティクル・ブランクを
設ける。図３と４に関連して説明したように、形成すべ
き図形部分を減衰用パターン中のあらゆる場所に設置す
ることができる。従って、このレティクル・ブランクの
製造業者は、形成すべき特定のパターンについて考慮す
る必要がなくなる。これら図形部分を、副次解像度パタ
ーン付きレティクル・ブランク上に、１マスキングステ
ップで設定できる。一般に、本発明の副次解像度パター
ン付きレティクル・ブランクを、最初、フォトレジスト
層によって被覆する。次に、このレティクル・ブランク
をデバイスパターンを有するＥ−ビームシステムで露光
する。このフォトレジストを現像した後で、初めにクロ
ムエッチングを施すことによって、これら図形部分を規
定する（即ち、この副次解像度パターンを図２〜７に示
した開口パターン２１のような領域から除去する）。次
に石英エッチング処理する。これによって、約１６０゜
〜２００゜の範囲内で図形部分を介して透過された放射
光の位相をシフトするのに十分な石英の厚みがエッチン
グ処理される。この位相シフトは、副次解像度パターン
を有するレティクルの領域を経て透過した放射光に対し
て、約１６０゜〜２００゜の範囲で行われる。ここで、
レティクル上に副次解像度を形成することによって、前
述のＥ−ビームシステムのような困難性を生じないもの
である。このＥ−ビームシステムを利用することによっ
て、レティクル付きデバイスを製造するために使用する
リソグラフィプリンタの場合に比べて、一般に、更に良
好な解像度を有するようになる。更に重要な点は、一般
に、レティクルを、例えば、約５：１のＩＲＦを持った
プリンタと共に使用すると、レティクル上の副次解像度
パターンは、フォトレジスト表面における対応の像より
大きなものとなり、この結果としてこのパターンは、レ
ティクルを形成するために利用されるプロセスの解像度
以内に容易に納められる。
ために、本発明の技術範囲内の副次解像度パターンをい
づれか１つのパターンを有するレティクル・ブランクを
設ける。図３と４に関連して説明したように、形成すべ
き図形部分を減衰用パターン中のあらゆる場所に設置す
ることができる。従って、このレティクル・ブランクの
製造業者は、形成すべき特定のパターンについて考慮す
る必要がなくなる。これら図形部分を、副次解像度パタ
ーン付きレティクル・ブランク上に、１マスキングステ
ップで設定できる。一般に、本発明の副次解像度パター
ン付きレティクル・ブランクを、最初、フォトレジスト
層によって被覆する。次に、このレティクル・ブランク
をデバイスパターンを有するＥ−ビームシステムで露光
する。このフォトレジストを現像した後で、初めにクロ
ムエッチングを施すことによって、これら図形部分を規
定する（即ち、この副次解像度パターンを図２〜７に示
した開口パターン２１のような領域から除去する）。次
に石英エッチング処理する。これによって、約１６０゜
〜２００゜の範囲内で図形部分を介して透過された放射
光の位相をシフトするのに十分な石英の厚みがエッチン
グ処理される。この位相シフトは、副次解像度パターン
を有するレティクルの領域を経て透過した放射光に対し
て、約１６０゜〜２００゜の範囲で行われる。ここで、
レティクル上に副次解像度を形成することによって、前
述のＥ−ビームシステムのような困難性を生じないもの
である。このＥ−ビームシステムを利用することによっ
て、レティクル付きデバイスを製造するために使用する
リソグラフィプリンタの場合に比べて、一般に、更に良
好な解像度を有するようになる。更に重要な点は、一般
に、レティクルを、例えば、約５：１のＩＲＦを持った
プリンタと共に使用すると、レティクル上の副次解像度
パターンは、フォトレジスト表面における対応の像より
大きなものとなり、この結果としてこのパターンは、レ
ティクルを形成するために利用されるプロセスの解像度
以内に容易に納められる。
【００３１】また、別な実施例によれば、図形部分の領
域における石英をエッチング処理しないままとすること
もでき、他方、これで図形部分を包囲する副次解像度パ
ターンの領域における石英をエッチング処理すると共
に、位相シフト機能させる。しかし乍ら、このような変
形例では、２つのマスキングステップを必要とするよう
になる。
域における石英をエッチング処理しないままとすること
もでき、他方、これで図形部分を包囲する副次解像度パ
ターンの領域における石英をエッチング処理すると共
に、位相シフト機能させる。しかし乍ら、このような変
形例では、２つのマスキングステップを必要とするよう
になる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、減衰性の位相偏移型レテ
ィクルが詳述されている。本発明のレティクルによれ
ば、漏洩性クロム層を製造するに当たり、困難性が無く
なる効果がある。更に、本発明によれば、不均一なクロ
ムの薄層の位相エラーのための焦点偏移による問題点を
最小に抑えるか、無くすことができる。また、本発明の
レティクルは容易に製造することができ、且つ、あらゆ
るタイプのパターンに利用できる。本発明のレティクル
を用いて、最良のリソグラフィ性能を達成できると共に
維持できる。本発明の副次解像度パターンを有するレテ
ィクル用空白部を利用して、あらゆるデバイスのあらゆ
る層のためのレティクルを形成できる特徴がある。
ィクルが詳述されている。本発明のレティクルによれ
ば、漏洩性クロム層を製造するに当たり、困難性が無く
なる効果がある。更に、本発明によれば、不均一なクロ
ムの薄層の位相エラーのための焦点偏移による問題点を
最小に抑えるか、無くすことができる。また、本発明の
レティクルは容易に製造することができ、且つ、あらゆ
るタイプのパターンに利用できる。本発明のレティクル
を用いて、最良のリソグラフィ性能を達成できると共に
維持できる。本発明の副次解像度パターンを有するレテ
ィクル用空白部を利用して、あらゆるデバイスのあらゆ
る層のためのレティクルを形成できる特徴がある。
【図１】従来のＡＰＳＭのクロム薄層による焦点ズレに
対する臨界寸法を表すグラフ。
対する臨界寸法を表すグラフ。
【図２】本発明の一実施例によるレティクルの一部分の
平面図。
平面図。
【図３】本発明の他の実施例によるレティクルの一部分
の平面図。
の平面図。
【図４】本発明の別の実施例によるレティクルの一部分
の平面図。
の平面図。
【図５】更に、本発明の実施例によるレティクルの一部
分の平面図。
分の平面図。
【図６】本発明の更に別の実施例によるレティクルの一
部分の平面図。
部分の平面図。
【図７】本発明の更に他の実施例によるレティクルの一
部分の平面図。
部分の平面図。
２０、３０、５０、６０ レティクル
２１ 開口
２２、３２、５２、７２ パターン
２２ａ、２２ｂ、３２ａ、３２ｂ、５２ａ、５２ｂ 領
域
域
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−136854（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−304257（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−121226（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−276552（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 1/00 - 1/16
Claims (10)
- 【請求項１】 リソグラフィプリンタによって、放射光
感光層をパターン化するためのレティクルを製造する時
に使用されるレティクル・ブランクにおいて、 このレティクル・ブランクには、図形部分のパターンを
有する領域が設けられ、これらの図形部分のサイズが前
記リソグラフィプリンタの解像度より小さく、且つ、前
記領域によって、それに入射した放射光の減衰された放
射光部分が通過し、前記減衰された放射光部分は前記パ
ターンの下方でほぼ一様であり、前記図形部分は、放射光を透過させる放射光透過領域お
よび不透明領域を有し、それらの放射光透過領域および
不透明領域の双方は前記リソグラフィプリンタの解像度
未満の寸法を有している、 ことを特徴とするレティクル・ブランク。 - 【請求項２】 請求項１記載のレティクル・ブランクに
おいて、前記パターンは、チェッカーボードパターン，
グリッドパターン，回折格子パターン，同心フレームパ
ターンから選択されたものである、ことを特徴とするレ
ティクル・ブランク。 - 【請求項３】 請求項１に記載のレティクル・ブランク
において、前記領域を通して前記減衰された放射光部分
は、前記領域に入射した放射光の５％〜３０％の範囲で
ある、ことを特徴とするレティクル・ブランク。 - 【請求項４】 請求項２に記載のレティクル・ブランク
において、前記領域を通して前記減衰された放射光部分
は、前記領域に入射した放射光の５％〜３０％の範囲で
ある、ことを特徴とするレティクル・ブランク。 - 【請求項５】 請求項２または４に記載のレティクル・
ブランクにおいて、前記図形部分は、１：１基準で０．
２０ミクロン以下の寸法を有している、ことを特徴とす
るレティクル・ブランク。 - 【請求項６】 リソグラフィプリンタによって、放射光
感光層をパターン化するためのレティクルを製造する時
に使用されるレティクル・ブランクにおいて、 このレティクル・ブランクには、図形部分のパターンを
有する領域が設けられ、これらの図形部分のサイズが前
記リソグラフィプリンタの解像度より小さく、且つ、前
記領域によって、それに入射した放射光の減衰された放
射光部分が通過し、 前記図形部分は、放射光を透過させる放射光透過領域お
よび不透明領域を有し、それらの放射光透過領域および
不透明領域の双方は前記リソグラフィプリンタの解像度
未満の寸法を有している、 ことを特徴とするレティクル・ブランク。 - 【請求項７】 請求項６記載のレティクル・ブランクに
おいて、前記パターンは、チェッカーボードパターン，
グリッドパターン，回折格子パターン，同心フレームパ
ターンから選択されたものである、ことを特徴とするレ
ティクル・ブランク。 - 【請求項８】 請求項６に記載のレティクル・ブランク
において、前記領域を通して前記減衰された放射光部分
は、前記領域に入射した放射光の５％〜３０％の範囲で
ある、ことを特徴とするレティクル・ブランク。 - 【請求項９】 請求項７に記載のレティクル・ブランク
において、前記領域を通して前記減衰された放射光部分
は、前記領域に入射した放射光の５％〜３０％の範囲で
ある、ことを特徴とするレティクル・ブランク。 - 【請求項１０】 請求項７または９に記載のレティクル
・ブランクにおいて、前記図形部分は、１：１基準で
０．２０ミクロン以下の寸法を有している、ことを特徴
とするレティクル・ブランク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/952,061 US5881125A (en) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | Attenuated phase-shifted reticle using sub-resolution pattern |
| US952,061 | 1992-09-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06266095A JPH06266095A (ja) | 1994-09-22 |
| JP3368947B2 true JP3368947B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=25492542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24358993A Expired - Fee Related JP3368947B2 (ja) | 1992-09-25 | 1993-09-06 | レティクル及びレティクル・ブランク |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5881125A (ja) |
| JP (1) | JP3368947B2 (ja) |
| GB (1) | GB2270996B (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5622633A (en) * | 1994-08-18 | 1997-04-22 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor sensor with suspended microstructure and method for fabricating same |
| KR0158904B1 (ko) * | 1994-12-02 | 1999-02-01 | 김주용 | 콘택마스크 |
| US6106979A (en) * | 1997-12-30 | 2000-08-22 | Micron Technology, Inc. | Use of attenuating phase-shifting mask for improved printability of clear-field patterns |
| US5998069A (en) | 1998-02-27 | 1999-12-07 | Micron Technology, Inc. | Electrically programmable photolithography mask |
| US6096457A (en) | 1998-02-27 | 2000-08-01 | Micron Technology, Inc. | Method for optimizing printing of a phase shift mask having a phase shift error |
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