JP3368137B2

JP3368137B2 - 堆積膜形成装置および方法

Info

Publication number: JP3368137B2
Application number: JP04677396A
Authority: JP
Inventors: 和敬秋山
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1996-02-08
Filing date: 1996-02-08
Publication date: 2003-01-20
Anticipated expiration: 2016-02-08
Also published as: JPH09219373A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は円筒状導電性基体上
に堆積膜、とりわけ機能性堆積膜、特に半導体デバイ
ス、電子写真用光受容部材、画像入力用ラインセンサ
ー、撮像デバイス、光起力デバイス等に用いる、アモル
ファス半導体を形成するプラズマＣＶＤによる堆積膜形
成装置および方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】像形成分野において、光受容部材におけ
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）／暗電流Ｉｄ）〕が高く、照射
する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトル
を有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有す
ること、使用時において人体に対して無害であること、
等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで
使用される電子写真装置内に組み込まれる電子写真用光
受容部材の場合には、上記の使用時における無公害性は
重要な点である。こうした要求を満足し得る材料として
アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）をもちいた電子写真
用光受容部材があげられる。例えば特許出願公開昭５４
−８６３４１号公報には、ａ−Ｓｉを光導電層に用い
た、耐湿性、耐久性、電気特性に優れた電子写真用光受
容部材に関する技術が記載されている。また、特許出願
公開昭６２−１６８１６１号公報には、表面層として、
シリコン原子と炭素原子と４１〜７０ａｔｏｍｉｃ％の
水素原子を構成要素として含む非晶質材料で構成された
材料を用いる技術が記載されている。こうした技術によ
り電気的、光学的、光導伝的特性および、使用環境特
性、耐久性が向上し、更に、画像品位の向上の可能な、
ａ−Ｓｉで構成された電子写真用光受容部材が実用化さ
れるところとなった。

【０００３】一方で、ａ−Ｓｉ電子写真用光受容部材の
製造には高度な技術が必要とされる。とくに電子写真用
光受容部材の場合、他のデバイスに比較して、大面積で
かつ、厚い膜厚が必要とされるため、どのように均一性
を確保するか、また、ａ−Ｓｉ膜堆積中に異物を核とし
て発生する、膜の異常成長をどのように防止するかが重
要な要素となる。そのような観点から、いかに工業的に
安定して高品質なａ−Ｓｉ電子写真用光受容部材を製造
するかの点についてもさまざまな提案がなされて来た。
とくに、電子写真用光受容部材については、コピー画像
上に細かい白い点が発生するいわゆる「白ポチ」とよば
れる画像欠陥の原因となる球状突起の発生が問題とされ
る。こうした球状突起の発生原因のほとんどは堆積膜形
成中に、堆積膜形成装置内部で発生した膜剥れによる破
片が基体の表面に付着して、膜の異常成長を起こすこと
と考えられる。

【０００４】また、電子写真装置で得られるコピー画像
上の部位によって画像濃度が変化するムラも問題となる
ため、これらの改善のための提案がなされている。例え
ば、特開平４−４１８３８７１号公報には、堆積膜形成
装置において、マイクロ波導入手段を異なる２つの領域
から構成する技術が開示されている。該公報によれば、
マイクロ波導入手段のプラズマに接する面を使用するマ
イクロ波の周波数における誘電率（ε）と誘電性接（ｔ
ａｎδ）の積が２×ｌ０^-2以下とすることで、放電の安
定化と堆積膜の膜剥れの防止ができるとし、その結果、
堆積膜の均一性の向上と画像欠陥の発生の抑制ができる
としている。また、その最適な方法としてマイクロ波導
入手段をアルミナセラミックスをプラズマ溶射法でコー
ティングする技術を挙げている。こうした技術によっ
て、上記した球状突起の少ない良質な堆積膜の形成が可
能になった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
電子写真装置は従来にもまして、高画質化、高速化、高
耐久化が求められている。さらに、サービスコストの低
減のため、各部品の信頼性向上によりメンテナンス回数
の低減が必要とされる。このような状況のもとで、電子
写真用光受容部材はさまざまな環境下でサービスマンの
メンテナンスを受けないまま、以前にもまして長時間繰
り返し使用を続けられる様になった。このような状況下
では、従来の電子写真用光受容部材は改善されるべき余
地が残されている。例えば、従来の高周波導入手段を有
する装置では、条件によっては、上記した球状突起に起
因する微小な「白ポチ」が発生する場合があり、また、
画像濃度ムラについても条件によって発生するケースが
あった。このような画像欠陥は、従来は問題にならなか
ったが、上記した高画質化、高速化、高耐久化が進むに
つれ、なお一層の改善が求められる様になってきた。

【０００６】そこで、本発明は、上記した従来のものに
おける課題を解決し、堆積膜の異常成長を抑制して、画
像欠陥の原因となる球状突起の発生を低減させ、画像品
質の優れた電子写真用光受容部材を供給しうる堆積膜形
成装置および方法を提供することを目的とするものであ
る。また、本発明は、プラズマの局在化を防止し、全面
に渡って高度に均質化された電子写真用光受容部材を供
給しうる堆積膜形成装置および方法を提供することを目
的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、堆積膜形成装置および方法をつぎのように
構成したものである。すなわち、本発明の堆積膜形成装
置は、真空気密可能な反応容器内に、複数の円筒状導電
性基体を回転自在に同一円周上に配置し、前記円筒状導
電性基体の配置円周内に原料ガス導入手段を介して原料
ガスを導入すると共に高周波電力手段を介して高周波電
力を導入し、前記高周波電力によりグロー放電を生起さ
せ、前記円筒状導電性基体上に堆積膜を形成する堆積膜
形成装置において、前記高周波電力導入手段が、絶縁性
材料を母材とし、該絶縁材料によってグロー放電領域か
ら分離された領城内に、前記高周波電力を伝達するに十
分な厚さを有する金属材料を前記絶縁材料と密着形成す
ることによって構成されることを特徴としている。そし
て、本発明の上記装置においては、前記絶縁性母材を、
セラミックス材料で形成することができる。また、本発
明の上記装置においては、前記高周波導入手段に冷却す
る機構または加熱する機構を備えるように構成してもよ
い。また、本発明の上記装置においては、前記高周波導
入手段に原料ガス導入手段を兼ねさせてもよい。また、
本発明の上記装置においては、前記絶縁性母材の少なく
ともグロー放電と接する部分の表面の粗さが２．５ｃｍ
を基準長さとする十点平均粗さで５μｍから２００μｍ
の範囲とすることが好ましい。さらに、本発明の堆積膜
形成方法は、真空気密可能な反応容器内に、複数の円筒
状導電性基体を回転自在に同一円周上に配置し、前記円
筒状導電性基体の配置円周内に原料ガス及び高周波電力
を導入し、前記高周波電力によりグロー放電を生起さ
せ、前記円筒状導電性基体上に堆積膜を形成する堆積膜
形成方法において、前記高周波電力の導入が、絶縁性材
料を母材とし、該絶縁材料によってグロー放電領域から
分離された領城内に、前記高周波電力を伝達するに十分
な厚さを有する金属材料を前記絶縁材料と密着形成して
なる高周波電力導入手段により導入され、堆積膜を形成
することを特徴としている。そして、本発明の上記方法
においては、前記高周波電力の周波数は、２０ＭＨｚ〜
４５０ＭＨｚの範囲とすることが好ましい。また、本発
明の上記方法においても、前記高周波導入手段を冷却ま
た加熱するようにしてもよい。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明は、上記したように絶縁性
材料を母材として電極を該絶縁性材料により、グロー放
電領域から分離された領域内に密着形成することによっ
て、球状突起の発生をより一層抑制することが可能とな
り、また、画像濃度ムラを本質的に防止することができ
るものである。本発明は、このように従来の高周波導入
手段の機構では、その両立が困難であった、球状突起の
発生による「白ポチ」の抑制と、電子写真用光受容部材
の特性ムラの均一化を、高いレベルで両立させたもので
あるが、それは、本発明の上記した構成により、絶縁材
料と電極との間の隙間の発生を無くし、また、電極の表
面に絶縁材料をコーティングした場合と比べて、絶縁材
料そのものの強度を大きくしたことに基づくものであ
る。

【０００９】そして、それはつぎのような経緯により完
成されたものである。電子写真用光受容部材において収
率を左右する要因のひとつに上記した球状突起の発生が
挙げられる。この球状突起の発生の防止について前述の
様にプラズマ溶射法等によってアルミナセラミックス等
をコーティングすることがあげられる。セラミックスは
金属に比べて表面エネルギーが大きいため堆積膜との付
着力が大きくなるので、膜剥れの防止手段としては有効
であった。しかし、このようなコーティングを高周波導
入手段に施しても、その効果は必ずしも十分ではなかっ
た。高周波導入手段表面には、通常の基体表面と比べて
温度が高い条件で膜の堆積が起り、さらに高周波電力に
よるセルフバイアスが生じることによって過大なイオン
衝撃をうけるため、応力歪みが蓄積され堆積膜の膜剥れ
が生じる。またこうした傾向は、電極に印加する高周波
電力が大きくなると一層顕著に現れる傾向がある。こう
した条件下では電極の表面にたとえばアルミナセラミッ
クスをプラズマ溶射でコーティングした場合でも膜剥れ
を生じることがあった。一方、堆積膜の密着性を向上さ
せるため、電極の表面（コーティング材の表面）の粗さ
（表面粗さ）を大きくすればさらに膜の付着力を向上さ
せることができる。しかしながらプラズマ溶射の場合、
表面粗さを大きくするために溶射材料の粒径をおおきく
すると気孔率が極端に大きくなるため、コーティング層
の結着力が低下してコーティング層そのものが剥れる場
合もあった。

【００１０】こうした経緯から、本発明者は電極の表面
にセラミック材料で形成したカバーを設ける方法を検討
した。しかしながらこのようなカバーを用いた場合、堆
積膜の特性の均一性が損なわれる場合があることがわか
った。本発明者の知見によれば、このような特性の不均
一は、電極とセラミック材のカバーとの間に生じる隙間
が原因であることがわかった。特性の不均一と電極とセ
ラミック材のカバーとの関係については尚不明の点が多
いがおおよそ次のような機構と推測される。一般に高周
波電力の伝送は導体と導体の間の誘電体部分で行なわれ
る。本発明の堆積膜生成装置の様な構成の場合、電極を
中心とし、円筒状基体を外部導体とした同軸構造とみな
すことができる。この場合、基体（外部導体）と電極
（中心導体）の間の空間に対して、電極とセラミック材
のカバーとの隙間の空間は無視できるほど小さい。一
方、グロー放電が発生するとプラズマは一種の導体とし
て作用すると考えられるので、負荷のインピーダンスは
電極周辺に形成されるシース領域の状況に大きく左右さ
れる。この場合には、電極とセラミック材のカバーとの
隙間の影響は無視できないものとなる。こうした状況の
もとでは、電極とセラミック材のカバーとの隙間の変動
によって放電が大きな影響を受ける。たとえば機械加工
上の問題で隙間が均一でない場合には放電が大きく偏る
場合が生じる。また、グロー放電中に電極の温度上昇が
ある場合には、電極の熱膨張により隙間の大きさが変化
するので整合条件が大きく変動する場合もある。こうし
た放電の偏りや変動は電子写真用光受容部材の特性のム
ラに繋がるばかりか、セラミック材のカバー表面に剥れ
やすい膜を堆積させることになり、球状突起の発生にも
繋がる場合もある。また、このような傾向は、高周波電
力や周波数が高くなるにしたがって一層顕著に現れる傾
向がある。上述のような電極とカバーの隙間を皆無にす
ることは現実的には困難である。例えば電極に熱膨張が
起こる場合には、セラミック材と電極の熱膨張率の違い
からある程度の隙間を設ける必要がある。また、機械的
な嵌め合いについても、セラミック材は金属に比べて靭
性強度が低いためある程度の隙間を設けないと破損に繋
がる場合が多い。したがって電極とセラミック材のカバ
ーの間には、適当な隙間を設定するのが設計上の原則と
される。一方で本発明者の検討によれば、このような隙
間は小さくするほど逆に放電のムラが大きくなる傾向が
ある。また隙間を大きくしていくと、高周波電力のロス
が大きくなる。

【００１１】上述のような理由により、従来の高周波導
入手段の機構では、「白ポチ」の抑制と電子写真用光受
容部材の特性ムラの均一化を、高いレベルで両立するこ
とは困難であった。本発明は、上記のような解析に基づ
き完成された。すなわち本発明に用いる高周波電力導入
手段においては、絶縁体を母材としてその内部（グロー
放電領域より分離された領域）に電極を密着形成するの
で、上述のような隙間が存在しない。また電極の表面に
絶縁材料をコーティングした場合と比べて、絶縁材料そ
のものの強度が大きい。したがって、放電の偏りが本質
的に防止できると共にコーティング材の剥れによる球状
突起の発生も効果的に防止できる。

【００１２】以下、図に基づいて本発明の内容を詳細に
説明する。本発明に用いる高周波導入手段は少なくとも
絶縁体を母材として、該絶縁体によってグロー放電領域
から分離された領域内に、高周波電力を伝達しえる金属
材料（電極）を密着形成する構成を持つ。母材となる絶
縁体材料としては堆積膜の密着性が良好なもの、具体的
には、アルミナセラミックス、窒化アルミニウム、窒化
ほう素、ジルコン、コージェライト、ジルコンコージェ
ライト、窒化ケイ素、酸化ベリリウム、マイカ系セラミ
ックス、石英ガラス、パイレックスガラス等が使用でき
る。母材となる絶縁体と電極の形状は、加工性や電極の
形成の容易性等の点から円筒形状（または円柱形状）が
望ましい。また絶縁体および電極の配置も同様の理由か
ら同心円上に配置することが望ましい。さらに、この絶
縁体の少なくとも放電空間に接する側の表面に、主とし
て堆積膜の膜剥れを防止する目的で凹凸を設けることも
できる。この場合、凹凸の大きさとしては、２．５ｍｍ
を基準長さとする十点平均粗さ（Ｒｚ）で５μｍ以上２
００μｍ以下の範囲が好ましい。表面に凹凸を設ける手
段としては、特に制限はないが、例えば投射体を吹きつ
けるブラスト加工等が実用的に好ましい。母材となる絶
縁体の大きさには特に制限はない。ただし、複数の円筒
状導電性基体を同一円周上に配置し、原料ガス導入装置
兼電極を円筒状導電性基体の配置円内に設置する場合に
は、円筒形状の絶縁体の大きさ（すなわち円筒形状また
は円柱形状の高周波導入手段全体の直径）は、この基体
が配置される円周の直径に対して、４〜２５％程度の大
きさが好ましい。また円筒形状の絶縁体の厚さも特に制
限はないが、加工上また機械的強度の問題から、０．５
〜２０ｍｍ程度が実用的である。さらに、円筒形状（ま
たは円柱形状）の電極自体の直径についても特に制限は
なく、上述の絶縁体の直径および厚さを満足する範囲の
直径であれば良い。実用的には直径２ｍｍ以上が望まし
い。

【００１３】高周波導入手段の長さは、基体の長さに対
して１００〜１５０％程度の範囲が望ましい。ただし、
基体に対して１００％未満の長さであっても本発明の効
果を得るためにはなんらさしつかえない。ここで言う高
周波導入手段の長さとは、実質的に放電空間内に高周波
を放射する作用を有する部分を指す。電極の材質は、導
電性のものであればいずれも使用できるが、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｔ
ｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｆｅ等の金属の他、これら
の合金、例えばステンレスなどが使用できる。これらの
材料を母材となる絶縁体に密着形成する方法はいずれの
方法であってもさしつかえないが、例えば、プラズマ溶
射法、メッキ法、ロウ付け法、プラズマＣＶＤ法、スパ
ッタリング法、真空蒸着法などが使用できる。実際には
これらの方法のうち、電極として使用する材料の特性に
合わせた方法を選択することが望ましい。また電極の厚
さは高周波電力を伝達できる厚さであれば良い。すなわ
ち、この厚さは使用する高周波電力の周波数と電極の材
料によって決まる表皮効果以上の厚さであれば良い。例
えば高周波電力の周波数を１０５ＭＨｚ、電極の材質を
銅（Ｃｕ）とした場合、表記効果は約７μｍの範囲であ
る。したがってこの場合、電極の厚さは７μｍ以上であ
ればよい。一方で電極の温度上昇が大きい場合には電極
の厚さが厚いと母材となる絶縁体の熱膨張率の差によっ
て電極の剥離が生じる場合がある。したがって電極の厚
さの上限は堆積膜形成時の条件によって決定することが
望ましい。

【００１４】高周波導入手段の内側（すなわちグロー放
電領域より分離された側）には、絶縁体の大きさ（直
径）、厚さ、電極の厚さの組みあわせによって空洞を生
じる。この空洞は真空に保持されても良いし、または真
空シールにより真空系より分離されても良い。何れの場
合にも、原料ガスの滞留を避けるため、原料ガスが内部
に流入しないようにするのが望ましい。また空洞を詰め
物によって埋め込むこともできる。この場合詰め物の材
質としては、前述の高周波導入手段の母材となる絶縁体
の材料となる絶縁材料のほか、、前述の電極の材料とな
る金属材料が使用できる。これらの詰め物は、電極の空
洞側表面に密着していても、隙間があってもさしつかえ
ない。とくに熱膨張等が問題になる時は、適当な隙間
（０．１ｍｍから５ｍｍ程度）を設けることができる。
この場合も高周波電力は電極のみを伝般するのでこの隙
間は本発明の効果を損なうことはない。

【００１５】高周波導入手段の数は、１本でも良いし複
数設けることもできる。高周波導入手段が１本の場合、
前述の円筒状導電性基体の配置円の中心に同軸上におか
れることが、均一性確保の点から望ましい。高周波導入
手段を複数設けるときは、各々の高周波導入手段が基体
の配置円と同心の円周上に配置されるのが望ましい。ま
た高周波導入手段が２本の場合は、高周波導入手段を母
線方向（伸線方向）に分割した２本とすることもでき
る。この場合高周波導入手段の位置は、上記の様に基体
の配置円の中心に置くのが望ましい。何れの場合にも各
々の高周波導入手段は基体の配置円内に配置される。ま
た、本発明では高周波導入手段を加熱または冷却する手
段を設ける場合には、高周波導入手段を所望の温度に制
御することで母材となる絶縁体と堆積膜との密着性を向
上させ膜剥れの発生をより効果的に防止できる。高周波
導入手段を冷却するか、加熱するかは堆積膜材料と母材
となる絶縁性材料の組みあわせや、高周波電力、圧力、
原料ガス流量等の条件により決まる。また本発明では高
周波導入手段と原料ガス導入手段を兼用することもでき
る。この場合、原料ガスは絶縁体の内部に形成された原
料ガスの流路を通り、絶縁体に形成されたガス放出穴を
通して放電空間に放出される形態が望ましい。

【００１６】本発明では、高周波導入手段に高周波電力
を印加することによって、原料ガスを分解する。本発明
に使用できる高周波電力の周波数は特に制限はないが、
発明者の実験によれば、周波数が２０ＭＨｚ未満の場合
は、条件によっては放電が不安定となり、堆積膜の形成
条件に制限が生じる場合があった。また４５０ＭＨｚよ
り大きいと、高周波電力の伝送特性が悪化し、場合によ
ってグロー放電を発生させること自体が困難になること
もあった。したがって２０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの周波
数範囲が本発明には最適である。高周波の波形は、いず
れのものでも差し支えないが、サイン波、矩形波等が適
する。また高周波電力の大きさは、目的とする堆積膜の
特性等により、適宜決定されるが、基体１個あたり１０
〜５０００Ｗが望ましく、さらに２０〜２０００Ｗがよ
り望ましい。

【００１７】以下、図面を用いて本発明の堆積膜形成装
置について説明する。

【００１８】図１に円筒形状の本発明の高周波導入手段
の一例の母線方向（伸線方向）の断面の模式図を示す。
図１の例では、高周波導入手段１０２は円筒形状の絶縁
体１１１と電極１１２からなる。絶縁体１１１の外側は
グロー放電領域となり、内側にグロー放電領域より分離
された領域を形成している。また電極１１２は絶縁体１
１１の内側の表面（すなわちグロー放電領域より分離さ
れた領域側の表面）に密着形成されている。また高周波
導入手段の内部（電極のさらに内側）は空洞１１３が形
成され、真空シール（不図示）によって真空系より分離
され、原料ガスが流入しない構造となっている。また電
極１１２は上部で高周波導入端子（不図示）に接続され
高周波伝送回路（不図示）より高周波電力が印加され
る。図１の例では母材となる絶縁体の下側の先端（高周
波導入端子の接続されない側の先端）が閉鎖された構造
としたが、本発明はなんらこれに限定されず、両端が解
放された形状であっても良い。またあらかじめ分岐され
た高周波伝送回路を高周波導入手段の両端より接続する
こともできる。

【００１９】図２は内部の空洞を金属によって埋め込ん
だ場合の円筒形状の高周波導入手段を例示する母線方向
（伸線方向）の断面の模式図である。図２の例では、円
筒形状の絶縁体１１１と絶縁体の内側の表面に電極１１
２が密着形成され、さらにその内側に隙間１１４をおい
て金属棒１１５が挿入されている。図３は冷却機構を設
けた場合の円筒形状の高周波導入手段を例示する模式図
である。図３（ａ）は直径方向の断面図、図３（ｂ）は
母線方向（伸線方向）の断面図である。図３の例では円
筒形状の絶縁体１１１と絶縁体の内側の表面に電極１１
２が密着形成され、さらにその内側に空洞１１３が形成
される。空洞は真空シール（不図示）によって真空系よ
り分離され、上部に冷却用の冷媒導入口１１９と冷媒排
出口１２１が、また内部に冷媒導入パイプ１２０が設け
られる。図３の例では、冷媒供給装置（不図示）から供
給された冷媒は冷媒供給口１１９から冷媒導入パイプ１
２０を通って空洞１１３に導入され、電極１１２を直接
冷却した後、冷媒排出口１２１から排出される。図３の
例では高周波導入装置を冷却する場合を示したが、本発
明はこれに何ら限定されず、高周波導入装置を加熱する
場合には、例えば空洞１１３の内部にヒーターを挿入す
る等の方法がとれる。

【００２０】図４は原料ガス導入手段を兼用した場合の
本発明の高周波導入手段の一例の断面の模式図である。
図４（ａ）は直径方向の断面図、図４（ｂ）は母線方向
（伸線方向）の断面図である。図４の例では、絶縁体１
１１の内側の表面に電極１１２が密着形成されている。
絶縁体１１１の内部には原料ガスの流路１１８が形成さ
れ、さらに絶縁体１１１の外側表面（グロー放電領域側
表面）には、所望の個数の原料ガス放出穴１１６が原料
ガスの流路１１５と貫通形成されている。原料ガスの流
路１１８の各々の上端に設けられた原料ガス導入口１１
７が形成されている。図４の例では、原料ガス導入装置
（不図示）より供給された原料ガスは原料ガス導入口１
１７より原料ガス流路１１８に流入し、さらにガス放出
穴１１６を通してグロー放電領域に放出される構造とな
っている。

【００２１】図５（ａ）および図５（ｂ）は、本発明の
堆積膜形成装置の一例の模式図である。この装置は大別
すると、反応容器１００、原料ガス供給装置（不図示）
と反応容器１００内を減圧にするための排気装置（図示
せず）、高周波導入手段１０２に電力を供給するための
電源１０７から構成されている。反応容器１００内には
円筒状で導電性の基体１０１、基体加熱用ヒーター１０
４、原料ガス導入装置兼電極１０２が設置され、電極に
は高周波マッチングボックス１０６を介して電源１０７
が接続されている。基体１０１はホルダー（図示せず）
を介して回転軸１０８に保持されており、回転軸１０８
は真空シール（図示せず）を通して反応容器ｌ００の大
気側に貫通し、ギア１１０を介してモーター１０９に接
続されている。またグロー放電領域１０３内には原料ガ
ス導入手段１０５が配置され、原料ガス供給装置（不図
示）に接続されている。基体１０１は同一円周上に配置
され、基体が取り囲む領域でグロー放電領域１０３が形
成される。基体の本数は放電空間を形成できる本数であ
ればいずれでもよいが、４本以上が好適であり図１では
基体を８本配置した例が示されている。原料ガス導入手
段１０５の本数は、いずれの本数でも良いが、１本、ま
たは基体の本数と同じか、基体の本数が偶数の場合は、
基体の本数の半分の本数が適している。また、図４に示
したような高周波導入手段と原料ガス供給手段を兼ねる
こともできる。基体１０１は反応容器１００内に設置さ
れた基体加熱用ヒーター１０４で内側から加熱されるよ
うになっている。基体加熱用ヒーター１０４は、真空仕
様のものであればいずれでもよく、例えばシースヒータ
ーをパイプに巻きつけたもの、板状ヒーター、セラミッ
クヒーター等の電気抵抗体の他、ハロゲンランプ等の熱
放射体、気体や液体を媒介した熱交換手段にによる発熱
体などが使用できる。また、これらの基体加熱用ヒータ
ーは反応容器１００内に設けられる他、反応容器とは別
に基体加熱用容器を設けその中に設置して、あらかじめ
基体加熱用容器で基体を加熱した後、反応容器１００に
基体を真空中で搬送する手段も採れる。また、基体加熱
用容器による基体の加熱と、反応容器１００内での基体
の加熱を併用することもできる。基体の温度は目的とす
る堆積膜の特性により適宜最適範囲が選択されるが、通
常の場合、好ましくは２０〜５００℃、より好ましくは
５０〜４８０℃、最適には１００〜４５０℃とするのが
望ましい。

【００２２】次に図５の装置を用いた堆積膜形成の手順
について説明する。この装置を用いた堆積膜の形成は、
例えば以下のように行なうことができる。まず、反応容
器１００内に、あらかじめ脱脂洗浄した基体１０１を設
置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反
応容器１００内を排気する。続いて、基体１０１を回転
させながら、ヒーター１０４により基体１０１の温度を
２０℃〜５００℃の所望の温度に制御する。基体１０１
が所望の温度になったところで、原料ガス供給系（不図
示）より原料ガスを原料ガス供給管１０３を通して内部
チャンバ１１１内に供給する。このときガスの突出等、
極端な圧力変動が起きないよう注意する。次に原料ガス
の流量が所定の流量になったところで、真空計（不図
示）を見ながら排気バルブ（不図示）を調整し、所望の
内圧を得る。内圧が安定したところで、高周波電源１０
７を所望の電力に設定して、高周波マッチングボックス
１０６を通じて高周波電極１０２に高周波電力を印加
し、グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによ
って反応容器１００内に導入された原料ガスが分解さ
れ、基体１０１上に所定の堆積膜が形成されるところと
なる。この際、基体１０１をモーター１０９によって堆
積膜形成中に回転させておくことで、基体の全面に堆積
膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行わ
れた後、高周波電力の供給を止め、反応容器への原料ガ
スの流入を止め、堆積膜の形成を終える。目的とする堆
積膜の特性のため、基体上に複数の層からなる堆積膜を
形成する場合には、前記の操作を繰り返すことによっ
て、所望の層構成の堆積膜を得ることができる。

【００２３】本発明では、基体として円筒状のものが使
用されるが、その材質は導電性材料または表面を導電処
理した材料が通常使用される。例えばＡｌ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、
Ｐｂ、Ｆｅ等の金属の他、これらの合金、例えばステン
レスなどが使用できる。また、表面を導電処理した材料
としてはアルミナセラミックス、窒化アルミニウム、窒
化ほう素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化ケイ素、酸化
ベリリウム、石英ガラス、パイレックスガラスなどの
他、ポリカーボネイト、テフロン等の合成樹脂が使用で
きる。表面を導電処理した材料を基体として使用する場
合、堆積膜を形成する側と反対側も導電処理することが
望ましい。

【００２４】本発明において使用される原料ガスは、例
えばアモルファスシリコンを形成する場合にはＳｉＨ
4、Ｓｉ2Ｈ6等のガス状態の、またはガス化し得る水素
化珪素（シラン類）が、Ｓｉ供給用ガスとして有効に使
用される。また、水素化珪素のほかにも、弗素原子を含
む珪素化合物、いわゆる弗素原子で置換されたシラン誘
導体、具体的には、たとえばＳｉＦ4、Ｓｉ2Ｆ6等のフ
ッ化珪素や、ＳｉＨ3Ｆ、ＳｉＨ2Ｆ2、ＳｉＨＦ3等の弗
素置換水素化珪素等、ガス状の、またはガス化し得る物
質も本発明のＳｉ供給用ガスとしては有効である。ま
た、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ
2、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用して
も本発明には何等差し支えない。さらには前記のガスに
加えて、必要に応じて周期律表３族に属する原子、また
は周期律表５族に属する原子を、いわゆるドーパントと
して用いることもできる。例えばホウ素原子（Ｂ）を用
いる場合には、Ｂ2Ｈ6、Ｂ４Ｈ10等の水素化硼素、ＢＦ
3、ＢＣｌ3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。またリ
ン原子を用いる場合には、ＰＨ3、Ｐ2Ｈ4等の水素化燐
が使用できる。また、例えばアモルファスシリコンカー
バイト（ａ−ＳｉＣ）を形成する場合には、前記の原料
ガスのほかに、炭素原子導入用のガスとして、ＣとＨと
を構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水
素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３
のアセチレン系炭化水素等を使用できる。具体的には、
飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ4）、エタン（Ｃ2
Ｈ6）等、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ2
Ｈ4）、プロピレン（Ｃ3Ｈ6）等、アセチレン系炭化水
素としては、アセチレン（Ｃ2Ｈ2）、メチルアセチレン
（Ｃ3Ｈ4）等が挙げられる。また、例えばアモルファス
酸化シリコン（ａ−ＳｉＯ）を形成する場合には、前記
の原料ガスのほかに、酸素原子導入用のガスとして使用
出来るものとして、酸素（Ｏ2），オゾン（Ｏ3），一酸
化窒素（ＮO）、二酸化窒素（ＮＯ2）、一二酸化窒素
（Ｎ2Ｏ）、三二酸化窒素（Ｎ2Ｏ3）、四二酸化窒素
（Ｎ2Ｏ4）、五二酸化窒素（Ｎ2Ｏ5）、三酸化窒素（Ｎ
Ｏ3）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（Ｏ）と水素
原子（Ｈ）とを構成原子とする例えば、ジシロキサン
（Ｈ3ＳｉＯＳｉＨ3）、トリシロキサン（Ｈ3ＳｉＯＳ
ｉＨ2ＯＳｉＨ3）等の低級シロキサン等を挙げることが
できる。

【００２５】本発明において、例えばアモルファス窒化
シリコン（ａ−ＳｉＮ）を形成する場合には、前記の原
料ガスのほかに、窒素原子導入用のガスとして使用出来
るものとして、窒素（Ｎ2），アンモニア（ＮＨ3），ヒ
ドラジン（Ｈ2ＮＮＨ2），アジ化水素（ＨＮ3）等のガ
ス状のまたはガス化し得る窒素、窒素物及びアジ化物等
の窒素化合物を挙げることができる。この他に、窒素原
子の供給に加えて、ハロゲン原子の供給も行えるという
点から、三弗化窒素（Ｆ3Ｎ），四弗化窒素（Ｆ4Ｎ2）
等のハロゲン化窒素化合物を挙げることができる。反応
容器内のガス圧も同様に目的とする堆積膜の特性により
適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは
０．０１〜１０００Ｐａ、好ましくは０．０３〜３００
Ｐａ、最適には０．１〜１００Ｐａとするのが好まし
い。

【００２６】

【実施例】以下に本発明の実験例１及び実施例を説明す
るが、本発明はこれらによって何ら限定されるものでは
ない。〈実験例１〉図５に示した堆積膜形成装置に図１に示し
た本発明の高周波導入手段を設置し、シングルプローブ
（ラングミュアプローブ）を用いて飽和電子電流の測定
によってプラズマの偏りを調べた。本実験例では高周波
導入手段の長さを４２０ｍｍとした。シングルプローブ
は、真空中で移動可能な機構とし、高周波導入手段の母
線方向ヘ２０ｍｍ毎に飽和電子電流を計測した。このと
きの放電条件を表１に示す。

【００２７】

【表１】こうして測定した飽和電子電流の分布を図６に示した。
図６において飽和電子電流の値は最も大きい値を１とし
て規格化して示した。図６から明らかな様に本発明の高
周波導入手段では放電の偏りは観測されなかった。

【００２８】〈比較実験例１〉図５に示した堆積膜形成
装置に従来の高周波導入手段を設置し、実験例１と全く
同様にプラズマの偏りを測定した。本実験例で使用した
高周波導入手段は、電極をムクの金属としセラミック材
のカバーを設け、電極とカバーの隙間は約１ｍｍとし
た。但しこの値は、装置設計上の値であって、実際の隙
間が、約１ｍｍで一定であることを示すものではない。
それ以外の形状については、実験例１で使用したものと
同一である。

【００２９】こうして測定した結果を図７に示す。図７
において飽和電子電流の値は実験例１の場合と同様に最
も大きい値を１として規格化して示した。図７の結果か
ら明らかな様に従来の高周波導入手段ではプラズマの偏
りが観測された。

【００３０】〈実験例２〉図５に示した堆積膜形成装置
に図１に示した本発明の高周波導入手段を設置し、シン
グルプローブ（ラングミュアプローブ）を用いて飽和電
子電流の測定と堆積膜の堆積速度（デポ・レート）の測
定を行なった。本実験例では高周波導入手段の長さを４
２０ｍｍとした。シングルプローブは、真空中で移動可
能な機構とし、高周波導入手段の母線方向へ２０ｍｍ毎
に飽和電子電流を計測した。このときの放電条件を表２
に示す。

【００３１】

【表２】〈比較実験例２〉図５に示した堆積膜形成装置に従来の
高周波導入手段を設置し、実験例２と全く同様に飽和電
子電流の測定と堆積膜の堆積速度の測定をした。本実験
例で使用した高周波導入手段は、電極をムクの金属とし
セラミック材のカバーを設け、電極とカバーの隙間は約
０．２ｍｍから２０ｍｍまで変化させた。但しこの値
は、装置設計上の値であって、実際の隙間が、それぞれ
の値で均一であることを示すものではない。それ以外の
形状については、実験例２で使用したものと同一であ
る。

【００３２】以上、実験例２の結果を、飽和電子電流の
ムラについては図８に、堆積速度については図９に示し
た。図８において飽和電子電流のムラの値はそれぞれの
実験について、最も大きい値に対する最も小さい値の比
（ムラが全くない場合は１）で示した。また、図９につ
いては隙間の間隔を０．２ｍｍとしたときの堆積速度を
１として、これに対する比で示した。

【００３３】図８、９の結果から明らかな様に電極とカ
バーの間に隙間のある従来の高周波導入手段では飽和電
子電流のムラが発生している。隙間の大きさが大きくな
るとムラは緩和される傾向があるが隙問を２０ｍｍとし
てもなおムラが観測された。一方で隙間を大きくすると
堆積速度の低下が見られ高周波電力の損失が次第に大き
くなっているものと考えられる。特に隙間を１０ｍｍ以
上とした時にこの傾向が顕著に現れた。

【００３４】〈実験例３〉図５に示した堆積膜形成装置
に図１に示した本発明の高周波導入手段を設置し、図１
０にしめすような基体１００２上に電荷注入阻止層１０
０３、光導電層１００４、表面層１００５を順次積層し
た層構成の電子写真用光受容部材１００１電子写真用光
受容部材を作成した。放電条件を以下表３に示す。

【００３５】

【表３】なお上記表３中の「層厚」は電子写真用光受容部材設計
上のおおよその目安である。

【００３６】本実験例では母材となる絶縁体の材質をア
ルミナセラミックスとし、グロー放電領域側の表面粗さ
（１０点平均粗さ）をブラスト法によって約１μｍから
約３００μｍまで変化させた。こうして作成した電子写
真用光受容部材について、球状突起の数を以下の様にし
て評価した。

【００３７】＜球状突起の評価＞各々の電子写真用光受
容部材の表面を光学顕微鏡で観察し、１０ｃｍ²あたり
の直径１０μｍ以上の球状突起の個数を調べた。また球
状突起の個数については、同時に形成される電子写真用
光受容部材８本全てについて測定した後、全体を平均値
した値を採用した。

【００３８】〈比較実験例３〉図５に示した堆積膜形成
装置に電極表面にアルミナセラミックスをプラズマ溶射
した従来の高周波導入手段を用い表面粗さを約１μｍか
ら約３００μｍまで変化させ、実験例３と同様にして電
子写真用光受容部材を作成した。こうして作成した電子
写真用光受容部材を実験例３と同様にして球状突起の数
を評価した。

【００３９】〈比較実験例４〉図５に示した堆積膜形成
装置に電極表面に絶縁体の被覆を設けない（金属電極の
み）従来の高周波導入手段を用い表面粗さを約１μｍか
ら約３００μｍまで変化させ、実験例３と同様にして電
子写真用光受容部材を作成した。こうして作成した電子
写真用光受容部材を実験例３と同様にして球状突起の数
を評価した。

【００４０】以上実験例３およぴ比較実験例３、４の結
果をあわせて図１１に示す。図１１において、球状突起
の値は実験例３の表面粗さ約３０μｍの時の値を１とし
て相対評価した。図１１によればいずれの高周波導入手
段も表面を粗くしていくと膜はがれが抑えられ、球状突
起が減少する傾向が見られるが、実験例３の本発明の高
周波導入手段が最も球状突起の発生の防止に効果があ
り、いずれの表面粗さにおいても良好な結果が得られ
た。ただし表面粗さが２００μｍを越えるとそれ以上の
表面粗さを得ることが比較的困難になるため実用的には
表面粗さは２００μｍ以下が好適であり、さらに５μｍ
から２００μｍの範囲が最も望ましい。一方で比較実験
例３の高周波導入手段（アルミナセラミックスをプラズ
マ溶射したもの）では、溶射体の表面を観察したとこ
ろ、全ての表面粗さのものについて部分的に溶射体のは
がれた跡が確認され、表面粗さが粗くなるほどはがれの
度合いが悪化する傾向が見られた。従って図１１の結果
は、表面粗さを粗くしていくことで膜の密着性が向上し
球状突起は改善されるが、次第に溶射体のはがれの影響
が顕著になるため、ある粗さからは逆に球状突起が増加
する傾向を示していると考えられる。また比較実験例４
の高周波導入手段でも表面粗さを粗くしていくことで、
球状突起は減少するが本発明の高周波導入手段に比ベる
と劣っていることがわかる。［実施例１］図５に示した堆積膜形成装置に図１に示し
た本発明の高周波導入手段を設置し、図１０に示した層
構成の電子写真用光受容部材を作成した。その放電条件
を表４に示す。

【００４１】

【表４】なお上記表４中の「層厚」は電子写真用光受容部材設計
上のおおよその目安である。こうして作成した電子写真
用光受容部材を、球状突起の数については実験例３と同
様に評価し、また膜厚ムラ、画像濃度ムラについては下
記の方法に従って評価した。

【００４２】〈膜厚ムラの評価〉各々の電子写真用光受
容部材の母線方向に２ｃｍ間隔で合計１７点について渦
電流式膜厚計を用いて膜厚を測定した。こうして測定し
た値を、それぞれの測定点について、同時に作成した８
本の電子写真用光受容部材の間で平均値をとって、電子
写真用光受容部材の母線方向の膜厚ムラについて最大の
膜厚に対する最小の膜厚の割合を算出し、母線方向のム
ラとして比較した。

【００４３】〈画像濃度ムラの評価〉各々の電子写真用
光受容部材を電子写真装置（キヤノン社製ＮＰ６０６０
を本テスト用に改造したもの）にセットして、キヤノン
製中間調チャート（部品番号：ＦＹ９−９０４２）を原
稿台に置きコピーしたときに得られたコピー画像上の任
意の５０点の画像濃度を反射濃度計で測定し、各々の電
子写真用光受容部材について最も画像濃度が濃い部分に
対する最も画像濃度が薄い部分の割合を算出し、さらに
同時に作成される電子写真用光受容部材８本全てについ
て上記の測定を行ない最終的にそれらの割合を平均した
値を画像濃度ムラとして比較した。

【００４４】〈比較例１〉図５に示した堆積膜形成装置
に電極をアルミナセラミックスのカバーでおおった、従
来の高周波導入手段を設置して、実施例１と同様にして
表４に示した条件で電子写真用光受容部材を作成し、実
施例１と同様にして球状突起の数、膜厚ムラ、画像濃度
ムラの３項目について評価した。本比較例では電極とア
ルミナセラミックスのカバーとの隙間は約０．５ｍｍと
した。なお、この隙間は装置設計上の値であって、実際
の隙間が０．５ｍｍで均一であることを示すものではな
い。

【００４５】〈比較例２〉図５に示した堆積膜形成装置
に電極の表面にアルミナセラミックスをプラズマ溶射で
コーティングした従来の高周波導入手段を設置して、実
施例１と同様にして表４に示した条件で電子写真用光受
容部材を作成し、実施例１と同様にして球状突起、膜厚
ムラ、画像濃度ムラの３項目について評価した。

【００４６】以上実施例１および比較例１、２の結果を
表５に示す。

【００４７】

【表５】上記表５においてそれぞれの項目は実施例１の値を１と
した相対評価で示した。表５から明らかな様に、比較例
１の高周波導入手段は膜厚ムラと画像濃度ムラが本発明
の高周波導入手段（実施例１）に対して悪化している。
また比較例２では球状突起の数が実施例１に対して若干
悪化している。なお実施例１の電子写真用光受容部材は
いずれの項目も良好な結果が得られた。

【００４８】［実施例２］図５に示した堆積膜形成装置
に図１に示した本発明の高周波導入手段を設置し、高周
波電力の周波数を、２０ＭＨｚ、５０ＭＨｚ、１０５Ｍ
Ｈｚ、２００ＭＨｚ、４５０ＭＨｚに変化させ、図１０
に示した層構成の電子写真用光受容部材を作成した。そ
の放電条件を表６に示す。

【００４９】

【表６】なお上記表６中の「層厚」は電子写真用光受容部材設計
上のおおよその目安である。こうして作成した電子写真
用光受容部材を球状突起の数、膜厚ムラ、画像濃度ムラ
について実施例１と同様にして評価した。

【００５０】この結果を表７に示す。

【００５１】

【表７】上記表７において各々の項目は、高周波電力の周波数を
１０５ＭＨｚとした場合を１とした相対評価で示した。
表７から明らかな様に、いずれの周波数においても、球
状突起、ムラともに良好な特性の電子写真用光受容部材
が得られた。

【００５２】［実施例３］図５に示した堆積膜形成装置
に図２に示した内部の空洞を金属で埋め込んだ本発明の
高周波導入手段を設置し、高周波電力の周波数を、２０
ＭＨｚ、５０ＭＨｚ、１０５ＭＨｚ、２００ＭＨｚ、４
５０ＭＨｚに変化させ、図１０に示した層構成の電子写
真用光受容部材を作成した。その放電条件を表８に示
す。

【００５３】

【表８】なお上記表８中の「層厚」は電子写真用光受容部材設計
上のおおよその目安である。こうして作成した電子写真
用光受容部材を球状突起の数、膜厚ムラ、画像濃度ムラ
について実施例１と同様にして評価した。

【００５４】この結果を表９に示す。

【００５５】

【表９】上記表９において各々の項目は、実施例２の高周波電力
の周波数を１０５ＭＨｚとした場合を１とした相対評価
で示した。表９から明らかな様に、いずれの周波数にお
いても、球状突起、ムラともに良好な特性の電子写真用
光受容部材が得られた。

【００５６】［実施例４］図５に示した堆積膜形成装置
に図３に示した冷却機構を設けた本発明の高周波導入手
段を設置し、高周波電力の周波数を、２０ＭＨｚ、５０
ＭＨｚ、１０５ＭＨｚ、２００ＭＨｚ、４５０ＭＨｚに
変化させ、図１０に示した層構成の電子写真用光受容部
材を作成した。その放電条件を表１０に示す。

【００５７】

【表１０】なお上記表１０中の「層厚」は電子写真用光受容部材設
計上のおおよその目安である。こうして作成した電子写
真用光受容部材を球状突起の数、膜厚ムラ、画像濃度ム
ラについて実施例１と同様にして評価した。

【００５８】この結果を表１１に示す。

【００５９】

【表１１】上記表１１において各々の項目は、実施例２の高周波電
力の周波数を１０５ＭＨｚとした場合を１とした相対評
価で示した。表１１から明らかな様に、いずれの周波数
においても、球状突起、ムラともに良好な特性の電子写
真用光受容部材が得られた。

【００６０】［実施例５］図５に示した堆積膜形成装置
に加熱機構を設けた本発明の高周波導入手段を設置し、
高周波電力の周波数を、２０ＭＨｚ、５０ＭＨｚ、１０
５ＭＨｚ、２００ＭＨｚ、４５０ＭＨｚに変化させ、図
１０に示した層構成の電子写真用光受容部材を作成し
た。その放電条件を表１２に示す。

【００６１】

【表１２】なお上記表１２中の「層厚」は電子写真用光受容部材設
計上のおおよその目安である。こうして作成した電子写
真用光受容部材を球状突起の数、膜厚ムラ、画像濃度ム
ラについて実施例１と同様にして評価した。

【００６２】この結果を表１３に示す。

【００６３】

【表１３】上記表１３において各々の項目は、実施例２の高周波電
力の周波数を１０５ＭＨｚとした場合を１とした相対評
価で示した。表１３から明らかな様に、いずれの周波数
においても、球状突起、ムラともに良好な特性の電子写
真用光受容部材が得られた。

【００６４】［実施例６］図５に示した堆積膜形成装置
に図４に示した原料ガス供給手段を兼用した本発明の高
周波導入手段を設置し、高周波電力の周波数を、２０Ｍ
Ｈｚ、５０ＭＨｚ、１０５ＭＨｚ、２００ＭＨｚ、４５
０ＭＨｚに変化させ、図１０に示した層構成の電子写真
用光受容部材を作成した。その放電条件を表１４に示
す。

【００６５】

【表１４】なお上記表１４中の「層厚」は電子写真用光受容部材設
計上のおおよその目安である。こうして作成した電子写
真用光受容部材を球状突起の数、膜厚ムラ、画像濃度ム
ラについて実施例１と同様にして評価した。

【００６６】この結果を表１５に示す。

【００６７】

【表１５】上記表１５において各々の項目は、実施例２の高周波電
力の周波数を１０５ＭＨｚとした場合を１とした相対評
価で示した。表１１から明らかな様に、いずれの周波数
においても、球状突起、ムラともに良好な特性の電子写
真用光受容部材が得られた。

【００６８】

【発明の効果】本発明は、以上の構成により、高周波導
入手段の表面からの膜剥れとプラズマの局在化を防止す
ることが可能となり、電子写真用光受容部材を作成する
上で問題となる球状突起、膜厚ムラ、画像濃度ムラの発
生を効果的に抑制し、きわめて画像特性の優れた電子写
真用光受容部材を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の堆積膜形成装置の高周波導入手段の一
例を示す模式図である。

【図２】本発明の堆積膜形成装置の高周波導入手段の一
例を示す模式図である。

【図３】本発明の堆積膜形成装置の高周波導入手段の一
例を示す模式図である。

【図４】本発明の堆積膜形成装置の高周波導入手段の一
例を示す模式図である。

【図５】本発明の堆積膜形成装置の一例を示す模式図で
ある。

【図６】実験例１における本発明の堆積膜形成装置での
飽和電子電流の分布を示すグラフである。

【図７】比較実験例１における従来の堆積膜形成装置で
の飽和電子電流の分布を示すグラフである。

【図８】実験例２および比較実験例２における飽和電子
電流の分布を示すグラフである。

【図９】実験例２および比較実験例２における堆積速度
を示すグラフである。

【図１０】各実施例等に置いて作成した電子写真用光受
容部材の層構成を示す断面模式図である。

【図１１】実験例３および比較実験例３、４における球
状突起の数を示すグラフである。

【符号の説明】

１００：反応容器１０１：基体１０２：高周波導入手段１０３：グロー放電領域１０４：基体加熱用ヒーターｌ０５：原料ガス導入手段１０６：高周波マッチングボックス１０７：電源１０８：回転軸ｌ０９：モーター１１０：ギア１１１：絶縁体１１２：電極１１３：空洞１１４：隙間１１５：金属棒１１６：原料ガス放出穴１１７：原料ガス導入口１１８：原料ガスの流路１１９：冷媒供給口１２０：冷媒導入パイプ１２１：冷媒排出口１００１：電子写真用光受容部材１００２：基体１００３：電荷注入阻止層１００４：光導電層１００５：表面層

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/50 G03G 5/08 105 G03G 5/08 360 H01L 21/31

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】真空気密可能な反応容器内に、複数の円筒
状導電性基体を回転自在に同一円周上に配置し、前記円
筒状導電性基体の配置円周内に原料ガス導入手段を介し
て原料ガスを導入すると共に高周波電力手段を介して高
周波電力を導入し、前記高周波電力によりグロー放電を
生起させ、前記円筒状導電性基体上に堆積膜を形成する
堆積膜形成装置において、前記高周波電力導入手段が、
絶縁性材料を母材とし、該絶縁材料によってグロー放電
領域から分離された領城内に、前記高周波電力を伝達す
るに十分な厚さを有する金属材料を前記絶縁材料と密着
形成することによって構成されることを特徴とする堆積
膜形成装置。
【請求項２】前記絶縁性母材が、セラミックス材料であ
ることを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項３】前記高周波導入手段は、冷却する機構を備
えていることを特徴とする請求項１または請求項２に記
載の堆積膜形成装置。
【請求項４】前記高周波導入手段は、加熱する機構を備
えていることを特徴とする請求項１または請求項２に記
載の堆積膜形成装置。
【請求項５】前記高周波導入手段が、原料ガス導入手段
を兼ねることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれ
か１項に記載の堆積膜形成装置。
【請求項６】前記絶縁性母材の少なくともグロー放電と
接する部分の表面の粗さが２．５ｃｍを基準長さとする
十点平均粗さで５μｍから２００μｍの範囲であること
を特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載
の堆積膜形成装置。
【請求項７】真空気密可能な反応容器内に、複数の円筒
状導電性基体を回転自在に同一円周上に配置し、前記円
筒状導電性基体の配置円周内に原料ガス及び高周波電力
を導入し、前記高周波電力によりグロー放電を生起さ
せ、前記円筒状導電性基体上に堆積膜を形成する堆積膜
形成方法において、前記高周波電力の導入が、絶縁性材
料を母材とし、該絶縁材料によってグロー放電領域から
分離された領城内に、前記高周波電力を伝達するに十分
な厚さを有する金属材料を前記絶縁材料と密着形成して
なる高周波電力導入手段により導入され、堆積膜を形成
することを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項８】前記高周波電力の周波数が、２０ＭＨｚ〜
４５０ＭＨｚの範囲であることを特徴とする請求項７に
記載の堆積膜形成方法。
【請求項９】前記高周波導入手段を冷却するようにした
ことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の堆積
膜形成方法。
【請求項１０】前記高周波導入手段を加熱するようにし
たことを特徴とする請求項７または請求８に記載の堆積
膜形成方法。