JP3367989B2 - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光ビームにより情報の記
録、再生、消去を行うことが可能な光磁気記録媒体及び
その製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、大容量の情報記録手段として光デ
ィスク等の光メモリの開発・商品化が活発に行なわれて
おり、特に情報の消去・書換えの可能な光磁気記録媒体
が注目されている。

【０００３】しかし従来の光磁気記録媒体に於ては、記
録された情報を書換える場合、記録されてなる古い情報
を消去した後に新しい情報を記録するといった２つのス
テップが必要でありデータ転送速度の高速化という点で
問題があった。そしてこの様な問題に対し情報の書換え
に当って古い情報の消去が不要な磁界変調方式、即ち光
磁気記録媒体に対して一定の強度のレーザー光を連続的
に照射しつつ、印加する磁界を情報信号により変調して
記録する方式が提案されている。

【０００４】ところで光磁気ディスクへの情報の記録に
上記の磁界変調方式を用いる場合、外部磁界の向きのス
イッチング速度を高めて、転送速度を向上させるために
は、磁気ヘッドの低インダクタンス化を図る必要が有る
がそれに伴って磁界感度が低下する為、磁気ヘッドは光
磁気記録層に可能な限り接近させることが好ましい（図
８参照）。

【０００５】しかしこの場合、ディスクの回転開始時、
停止時に磁気ヘッドが光磁気記録層上を設けられてなる
保護層と摺動する為に磁気ヘッドと該保護層とが帯電吸
着を引き起こし磁気ヘッド及び光磁気ディスクの駆動が
困難となるという問題点があった。

【０００６】そしてこの様な問題点に対して本願出願人
は特開平４−６４９３９号公報に於て保護層に酸化スズ
等の導電性無機フィラーを分散させて保護層の表面電気
抵抗を低下させて磁気ヘッドと保護層の帯電吸着を防ぐ
ことを提案している。

【０００７】しかし、かかる構成も磁気ヘッドと保護層
の吸着防止には有効であるが光磁気ディスクの記録感度
が低下する傾向にあり、又記録ピットの形状が不均一と
なり記録情報の再生信号のＣ／Ｎが低下するという問題
点が有った。

【０００８】

【発明が解決しようとしている課題】本願発明は上記問
題点に鑑みなされたものであって、磁気ヘッドと保護層
との帯電吸着を防止できると共に記録感度の低下及びＣ
／Ｎ比の低下を抑えることのできる光磁気記録媒体を提
供することを目的とする。

【０００９】又、本願発明は磁気ヘッドと保護層との帯
電吸着を防止でき、且つ記録感度の低下及びＣ／Ｎ比の
低下も極めて小さい光磁気記録媒体の製造方法を提供す
ることを他の目的とする。

【００１０】本発明者らは、この様な目的につき前記問
題点を検討した結果、記録感度の低下及びＣ／Ｎ比の低
下が、保護層中に導電性を付与する為に分散されてなる
無機フィラーの、高い熱伝導率に起因する保護層の不均
一な温度拡散によるものであることを見出し、本願発明
をなすに至ったものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】即ち本発明の光磁気記録
媒体は、基板上に光磁気記録層及び樹脂保護層を有し、
該保護層側から磁界発生手段によって、該記録層に対し
て磁場を印加すると共に該基板を介して該記録層に光ビ
ームを照射して情報の記録を行う光磁気記録媒体に於
て、該保護層は、該磁界発生手段に対向する側の第１面
と、該記録層に対向する側の第２面とを有し、該保護層
の第１面は１×１０^１０Ω／□以下の表面抵抗率を有
し、且つ該保護層の第２面は熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ
以下であることを特徴とするものである。

【００１２】

【００１３】

【００１４】又本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、
基板上に光磁気記録層及び樹脂保護層を有し、該記録層
に対して、該保護層側から磁界発生手段によって磁場を
印加すると共に、該基板を介して該記録層に光ビームを
照射して情報の記録を行う光磁気記録媒体の製造方法に
於て、少なくとも一方の表面の表面抵抗率が１×１０¹⁰
Ω／□以下の樹脂シートを、該表面が該磁界発生手段と
対向するようにして熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の接
着層を介して、該光磁気記録層に接着して、それによっ
て該光磁気記録層上に保護層を形成する工程を有するこ
とを特徴とするものである。

【００１５】本発明によれば樹脂保護層の光磁気記録層
側に設けてなる熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の領域が
光磁気記録層に対する熱的な障壁となり、樹脂保護層へ
の導電性の付与に伴う樹脂保護層の温度拡散率の上昇或
いは不均一な温度拡散率の記録・再生への影響を緩和で
きるものである。

【００１６】次に本発明について図面を用いて詳細に説
明する。

【００１７】本発明は例えば図１に示す様に基板（１
１）上に光磁気記録層（１２）及び保護層（１３）をこ
の順番で有し、該記録層に対して、該保護層側から磁界
発生手段（１４）によって磁場を印加すると共に該基板
を介して該記録層に光ビーム（１５）を照射して情報の
記録を行う方式に用いられる光磁気記録媒体に関するも
のであって、該保護層として、該保護層の該磁界発生手
段に対向する側の面を第１面、該記録層に対向する側の
面を第２面としたとき、該保護層の第１面は１×１０¹⁰
Ω／□以下の表面抵抗率を有し、且つ該保護層はその第
２面から第１面に向かって熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以
下、好ましくは５Ｗ／ｍ・Ｋ以下、特に好ましくは１Ｗ
／ｍ・Ｋ以下の領域を有する保護層とすることにより磁
気ヘッドの保護層との帯電吸着を防止できると共に記録
感度の低下及びＣ／Ｎ比の低下を抑えることができるも
のである。

【００１８】そして、図２は本発明に係る光磁気記録媒
体の一実施態様を示す概略断面図であって、基板（１
１）上に光磁気記録層（１２）として無機誘電体層（２
１）、磁性体層（２２）及び無機誘電体層（２３）の積
層膜が形成されてなり、又該光磁気記録層（１２）上に
樹脂保護層（１３）として第１保護層（２４）及び第２
保護層（２５）の積層膜が形成されてなるものである。
そして第２保護層は、導電性粒子を含有してなる樹脂組
成物からなり、それによって第２保護層の磁気ヘッド
（１４）に対向する側の面の表面抵抗率が１×１０¹⁰Ω
／□以下に調整されてなるものであって、又第１保護層
は熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の樹脂組成物からなる
ものである。

【００１９】そして本実施態様に於て第２保護層に含有
させる導電性粒子としては、該第２の保護層の磁気ヘッ
ドに対向する側の面の表面抵抗率を所定の値とすること
ができるものであれば無機系の粒子でも有機系の粒子で
も用いることができ、無機系の粒子としては、例えばＣ
ｕやＮｉ、Ａｌ等の金属粒子や導電性セラミック粒子、
具体的にはＴｉＯ、ＴｉＯ₂ 、ＺｎＯ、Ｋ₂ Ｏ・ＴｉＯ
₂ 、９Ａｌ₂ Ｏ₂ ・２Ｂ₂ Ｏ₃ 等のセラミックにＳｂ、
Ａｌ等の異種元素をドーピングの後還元焼成するかある
いは導電性物質、例えばＡｌ、Ｎｉ、Ｓｂ等を表面に被
着して導電化処理を行ったセラミック粒子或いはＳｎＯ
₂ などを使用することができる。又上記導電性セラミッ
ク粒子のうちＴｉを含有してなるセラミック粒子を用い
たものは、優れた導電性を該保護層に付与できると共に
該保護層の導電性の経時的な変化を小さくすることがで
き、好ましいものである。

【００２０】そして本発明に於て無機系粒子としては、
上記セラミックを用いることが好ましい。即ち導電性セ
ラミック粒子は、金属粒子と比較して比重が小さい為第
２保護層への分散性が良く、第２保護層に、好ましくな
い温度拡散ムラを生じさせることが少ない為である。但
し無機系の粒子を用いる場合には、該無機系の粒子の熱
伝導率が有機系のそれと比べて大きいことから、該第１
保護層の膜厚を１μｍ以上、特に１．５μｍ以上更には
２μｍ以上として第１保護層による光磁気記録層から第
２保護層への熱の伝達に対する障壁効果をより向上させ
ることが好ましい。

【００２１】そして又、無機系の粒子を用いる場合に
は、第２保護層の磁気ヘッドに対向する側の面の表面抵
抗率として、１×１０³ 〜１×１０¹⁰Ω／□、特に１×
１０⁷〜１×１０¹⁰Ω／□の範囲内とした場合、磁気ヘ
ッドの第２保護層表面への帯電吸着を有効に防止できる
と共に、光磁気記録媒体の感度低下及びＣ／Ｎ比の低下
の原因となる該第２保護層の温度拡散率の上昇を抑える
ことができ好ましいものである。

【００２２】なお、第２保護層への無機系の粒子の含有
量としては、該第２保護層の表面抵抗率が１×１０¹⁰Ω
／□以下となる様に含有させればよいが、重量比で４０
％以下特に２０ｗｔ％以下、更には１５ｗｔ％以下が好
ましい。

【００２３】即ち保護層への無機フィラーの添加量を上
記の範囲とした場合、保護層の強度が低下し、磁気ヘッ
ドとの接触時に保護層に傷が生じたり、フィラーの凝集
とそれに伴う保護層表面にフィラーの凝集物からなる突
起が形成されるといった問題を回避することができる。

【００２４】そして又、無機系粒子の粒子径としては、
平均粒子径０．１〜５μｍ、特に０．５〜３μｍとした
場合、第２保護層中での粒子の凝集とそれに起因する第
２保護層の温度拡散のムラが生じず好ましいものであ
る。

【００２５】ところで導電性粒子として上記の導電性セ
ラミック粒子を用いる場合、アスペクト比が５以上、特
に１０以上５０以下の針状或いは鱗片状の粒子を用いる
ことが好ましい。

【００２６】なお、アスペクト比とは、粒子の長手方向
の長さｂと、それに対する短手方向の長さａとの比のｂ
／ａで表される。

【００２７】即ち、アスペクト比が５以上の針状または
鱗片状の導電性セラミック粒子を用いた場合、第２保護
層への添加量が少量、例えば１５重量％以下であっても
高い導電性を付与することができるため、光磁気記録媒
体の記録感度及びＣ／Ｎ比の低下の原因となる第２保護
層の温度拡散率の上昇を抑えることができ、第１保護層
の膜厚も、金属粒子や通常の導電性セラミック粒子を用
いた場合に比べて薄くできるため、樹脂保護層（１２）
全体の膜厚を薄くでき磁気ヘッド（１４）を光磁気記録
層（１２）に接近させることが可能となる。又第２保護
層への粒子の添加量を抑えられる為に第２保護層の耐ヘ
ッドクラッシュ性等の機械強度の低下を防止できる。

【００２８】更に粒子の凝集をも抑えることができる。
なお上記針状又は鱗片状の粒子を用いる場合、その長手
方向の平均長さは０．５〜５μｍ特に１〜４μｍ程度の
ものが、その分散性を考慮した場合好適に用いられる。
次に本実施態様に於て、有機系の導電性粒子としては、
導電性高分子化合物からなる粒子や電荷移動錯体を用い
ることができ、該導電性高分子化合物としては例えばチ
オフェンやフラン或いはピロール系の複素５員環をモノ
マーユニットとするポリマーやパラフェニレン或いはそ
の誘導体をモノマーユニットとするポリマーを用いるこ
とができ、更にはポリピロールとポリアニオンを分子レ
ベルで複合体化させてなる導電性ポリマー等も用いるこ
とができる。そして又電荷移動錯体としては、例えば高
温、高湿環境下に於ても電気抵抗の変化が小さく、又樹
脂組成物中への分散性にも優れた下記式（Ｉ）で示され
るテトラセン化合物が好適に用いられる。

【００２９】

【外１】

【００３０】そして本実施態様に於て、上記した導電性
高分子化合物や電荷移動錯体等の有機系の導電性粒子
は、その添加量によって第２保護層の温度拡散率が変化
することが殆ど無い為好ましく、上記有機系の導電性粒
子の添加量としては、第２保護層の磁気ヘッド側の表面
の表面抵抗率が１×１０¹⁰Ω／□以下となる様に、添加
すればよい。又上記有機系の導電性粒子だけでは第２保
護層に所定の導電性を付与できない場合には、前記した
無機系の導電性粒子を併用しても良いが、その場合第２
保護層の温度拡散の程度が上昇するのを抑える為に無機
系粒子の添加量を極力少なくすることが好ましく、又有
機系の導電性粒子だけで所定の表面抵抗率が得られる場
合には無機系粒子を添加する必要はない。

【００３１】次に本実施態様における第２保護層の、前
記無機系及び／又は有機系導電性粒子のマトリックスと
なる樹脂成分としては、種々の合成樹脂、例えばポリエ
チレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレ
ン、ポリブチレンテレフタレートや天然樹脂を用いるこ
とができるが、特に磁気ヘッドとの摺動時の耐磨耗性に
優れた樹脂層を形成可能な架橋型高分子化合物や透湿度
の低い、具体的にはＪＩＳ−Ｚ−０２０８の規定に基づ
く透湿度が１００ｇ／ｍ² ・２４ｈｒ以下の樹脂層を与
える高分子化合物、更には樹脂層に潤滑性表面を与える
ポリマーを好適に用いることができる。

【００３２】上記架橋型高分子化合物としては、熱、放
射線（光・電子線など）により架橋したものが用いられ
るが、特に生産性に優れることから、光硬化型樹脂が好
適に用いられる。そして光硬化型樹脂化合物としては、
例えば光磁気記録層への酸素や水分の透過を有効に防止
しうるアクリレート系樹脂組成物を重合させた物が用い
られ、例えば、紫外線硬化型のアクリレート系樹脂組成
物は、通常（Ａ）プレポリマー成分、（Ｂ）反応性希釈
剤成分、（Ｃ）光重合開始剤成分の混合組成物よりな
り、（Ａ）成分としては、例えばポリオールポリアクリ
レート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレ
ート、エポキシアクリレート等が挙げられる。（Ｂ）成
分としては多価アルコールのアクリル酸エステルが用い
られる。（Ｃ）成分としては公知のどのような光重合開
始剤でも使用できるが、配合後の貯蔵安定性のよいもの
が好ましい。例えば、ベンゾインアルキルエーテル系、
アセトフェノン系、プロピオフェノン系、アントラキノ
ン系、チオキサントン系等が挙げられる。これらは一種
または二種以上を任意の割合で混合して用いられる。

【００３３】又防湿性の樹脂層を与える高分子化合物と
しては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体等を挙げるこ
とができる。中でも、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニル
−塩化ビニリデン共重合体は、特に透湿度が小さく好適
である。又、透湿度が前記組成物と同等またはそれ以下
のものであれば上記組成物に限定しない。

【００３４】又潤滑性の樹脂層を与える高分子化合物と
しては、フッ素化アクリレート、シリコン化アクリレー
ト等の潤滑性モノマーを重合させたものが好適に用いら
れる。潤滑性モノマーの中でも、アクリル基又はメタク
リル基を有する紫外線硬化型樹脂組成物が好適に用いら
れる。又、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレー
ト、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレ
ート等の紫外線硬化型樹脂組成物にフッ素化アクリレー
トオリゴマー又はシリコン化アクリレートオリゴマー
（重量平均分子量２００〜５０００）を、紫外線硬化型
樹脂に対して５〜２０重量％配合してもよい。又、フッ
素系ポリマーも好適に利用される。又、上記紫外線硬化
型樹脂組成物に、液体フッ素系潤滑剤を配合してもよ
い。更に、電子線、光等により硬化する放射線硬化型樹
脂組成物に潤滑性フィラーを２〜３０重量％、好ましく
は５〜２０重量％配合した樹脂組成物も好適に用いられ
る。

【００３５】潤滑性フィラーとしては、グラファイト、
二硫化モリブデン、六万晶ＢＮ等の無機フィラー、シリ
コン樹脂、フッ素系樹脂等の有機フィラーを挙げること
ができる。潤滑性フィラーの粒径は０．１〜２０μｍ、
特に好ましくは０．５〜５μｍのものが好適である。

【００３６】次に本実施態様に於て第１保護層に用いら
れる樹脂としては、第１保護層の熱伝導率が１０Ｗ／ｍ
・Ｋ以下、好ましくは５Ｗ／ｍ・Ｋ以下、特に好ましく
は１Ｗ／ｍ・Ｋ以下とする事ができるものであれば、前
記した種々の樹脂を用いることができ、例えば前記した
硬化型高分子化合物等が好適に用いられる。

【００３７】そして本実施態様に於て第１保護層の厚さ
としては、第２保護層に添加してなる導電性粒子の熱的
な特性によって光磁気記録層への情報の記録・再生特性
が劣化することの無い様な断熱層として機能する厚さに
設定することが好ましく、例えば０．５μｍ以上、特に
は１．０μｍ以上、更には２μｍ以上とすることで第１
保護層の断熱層としての機能をより一層確実なものとす
ることができる。

【００３８】次に本実施態様の光磁気記録媒体の樹脂保
護層の形成方法としては、第１保護層及び第２保護層を
液状樹脂組成物或いは液状の樹脂前駆体から形成する場
合、第１保護層材料を光磁気記録層（１２）上にスピン
コート法や浸漬法等の周知の成膜法で形成し、その塗膜
を乾燥固化又は所定の方法、例えば光照射によって硬化
させるか、或いはこれらの処理を行うことなく前記導電
性粒子を含有させてなる第２保護層材料を上記の成膜法
を用いて成膜し、第２保護層又は第１保護層及び第２保
護層を硬化又は乾燥固化させることで形成できる。

【００３９】又、第２保護層を予めシート状に形成して
おき、第１保護層を接着層として機能させて光磁気記録
層（１２）上に第１保護層を介して第２保護層を固着さ
せてもよい。

【００４０】そしてこの方法は、光磁気記録層上で保護
層材料の塗膜を固化又は硬化させる方法が、該塗膜の固
化或いは硬化に伴う収縮によって基板に応力が加わり、
その結果光磁気記録媒体に反りが生じ易いという問題を
解決でき、又光磁気記録層上に、湿式塗布によって保護
層を形成する場合、塗布ムラにより保護層の膜厚に差が
生じることがあるが予めシート状に成形された樹脂層を
用いることでかかる問題を回避することができる為好ま
しい方法である。

【００４１】更に又樹脂シートは、比較的薄い膜厚（例
えば２μｍ）のものであっても容易に均一なものを成形
できるため、磁気ヘッドと光磁気記録層を接近させるう
えで好ましい保護層の薄型化にもこの方法は適合するも
のである。

【００４２】なお第１保護層を、シート状の第２保護層
を光磁気記録層上に固着させる為の接着層として機能さ
せる場合、第１保護層の材料として、前記した樹脂組成
物の他に一般に接着剤や粘着剤として用いられる材料、
例えばアクリル酸、アクリル酸エステル或いはマレイン
酸等を主たる構成モノマーとする接着性樹脂（具体的に
はエチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル
酸共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、エチレ
ン−メチルアクリレート共重合体、エチレン−メチルメ
タクリレート共重合体、エチレン−エチルアクリレート
共重合体等）やゴム系の接着剤／粘着剤であって、その
熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下のものは好ましく使用で
きる。ここでゴム系の接着剤／粘着剤としては、例えば
ゴム成分としてジエン結合を有し、タッキファイヤー
（粘着付与剤）成分の存在下でタックを保持するゴム成
分を有してなるものであり、かかるゴム成分としては例
えばブロック状熱可塑性エラストマーが挙げられる。そ
して、本実施態様の光磁気記録媒体に於て第１保護層を
上記ブロック状可塑性エラストマーを含有してなる接着
剤で形成した場合、該接着剤の粘弾性的挙動によって光
磁気記録媒体の内部応力を経時的に緩和でき、例えば高
温・高湿条件下に於ても、基板から光磁気記録層が剥離
するのを抑えることができ好ましいものである。

【００４３】ここで上記ブッロク状熱可塑性エラストマ
ーとしては例えば、Ａ−Ｂ、Ａ−Ｂ−Ａ又はＢ−Ａ−Ｂ
（但し、Ａはポリスチレンポリマーブロック、Ｂはポリ
ブタジェン又はポリイソプレン又はエチレンブチレン共
重合体からなるポリマーブロックを示す）で表されるブ
ッロク状可塑性エラストマーの１種類もしくは２種以上
の混和物、更にはこれらに他の合成ゴムやポリオレフィ
ン、ポリオレフィン系共重合体を加えたものである。

【００４４】又ここで用いられるタッキファイヤー成分
としては、ロジン系樹脂、テルペン系樹脂、並びに脂肪
族、及び脂環族及び芳香族系等の石油樹脂等からなるも
のが用いられる。又、液状の粘着剤組成物の硬化方法
は、従来公知のラジカル重合開始剤を配合して加熱する
方法、光重合開始剤を配合してＵＶ光を照射する方法、
電子線を照射する方法等が適用できる。

【００４５】又本実施態様に於て第２保護層として予め
シート状に形成してなる樹脂シートを用い、第１保護層
として粘着剤層を用いてなる樹脂保護層を形成する場
合、下記の様な方法で第２保護層と第１保護層を一体と
してなる保護粘着シートを予め形成しておくことにより
光磁気記録層上への樹脂保護層への形成を極めて容易に
行うことができる。即ち、図４（ａ）に示す様にポリエ
ステルフィルム等の第１の支持フィルム（４１）上に所
定の方法、例えば第２保護層の材料を所定の厚さに塗布
した後、加熱或いは紫外線や、電子線等の照射によって
硬化せしめ第２保護層（２５）を形成する。

【００４６】一方、第２の支持フィルム（４２）上には
第１の保護層となる粘着層（２４）を形成し、次いで第
１の支持フィルムと第２の支持フィルムを、第２保護層
（２５）及び粘着剤（２４）が接する様に積層して保護
粘着シート４３を作成する。

【００４７】そしてこの保護粘着シート４３を用いて光
磁気記録層上に樹脂保護層を形成する方法は、先ず図５
（ａ）に示す様に保護粘着シートから第２の支持フィル
ム（４２）を剥離せしめ、次いで光磁気記録層（１２）
上に貼り付け（図５（ｂ））最後に第１の支持フィルム
４１を剥離することによって完了する（図５（ｃ））。

【００４８】又保護粘着シートの他の製造方法として、
予めシート状に形成してなる第２保護層となる樹脂シー
ト上に、直接第１保護層となる粘着剤層を塗布してもよ
い。

【００４９】ところで本実施態様に於て第２保護層の熱
伝導率を１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下で、且つ第２保護層の一方
の表面の表面抵抗率を１×１０¹⁰Ω／□以下とした場
合、図３に示す様に第１保護層を省略することができ、
樹脂保護層の形成プロセスをより簡略化できる。

【００５０】そして、第２保護層に上記２つの物性を担
持させる方法としては例えば、第２保護層を前記した導
電性高分子化合物やポリマー中に電荷移動錯体を分散さ
せてなるポリマーで構成することが挙げられ、特に、下
記式（ＩＩ）で示されるポリピロールと下記式（ＩＩ
Ｉ）で示されるフェノキシ樹脂系ポリアニオンを下記式
（ＩＶ）に示す様に複合体化させてなるポリマーやポリ
カーボネート樹脂等のポリマーに前記一般式（Ｉ）に示
すテトラセン誘導体を０．３〜２ｗｔ％、特に１〜１．
５ｗｔ％分散させてなるポリマーは、この第２保護層の
材料として好ましいものである。

【００５１】又第２保護層として上記の導電性高分子化
合物や電荷移動錯体を分散させてなるポリマーを用いる
場合、光磁気記録層上に第２保護層を構成する樹脂前駆
体（プレポリマー等）や該ポリマーの溶液をスピンコー
ト法や浸漬法で成膜し、架橋又は溶剤の乾燥によって形
成することができる。又予めシート状に形成してなる該
ポリマーを前記した接着層を介して光磁気記録層上に固
着させることによっても形成できる。更にシート状に形
成してなる該ポリマーを用いて前記した保護粘着シート
を形成し、それを用いて樹脂保護層の形成を行ってもよ
い。この場合接着層に用いる材料としては熱伝導率が１
０Ｗ／ｍ・Ｋ以下が好ましいが、接着層の厚さとしては
接着層として機能する厚さであれば特に限定されるもの
ではない。

【００５２】

【外２】

【００５３】又本発明における、樹脂保護層の厚さとし
ては３〜１５μｍ、好ましくは５〜１０μｍの範囲が好
適である。３μｍ未満では、表面のキズ防止という面か
ら好ましくなく、１５μｍを越えると磁気ヘッドスライ
ダーと磁気記録層間の距離が大きくなり、低磁界記録を
行うことができず、又ドライブの消費電力も小さくする
ことができない。

【００５４】又、本発明が適用できる光磁気記録媒体の
構成のうち、樹脂保護層（１３）以外の構成には何等制
限は無く、公知の構成、例えば基板上に無機誘電体層、
磁性体層及び無機誘電体層の積層膜からなる光磁気記録
層を積層した構成、更には光磁気記録層上にＡｌ、Ｔｉ
等の金属薄膜を設けた構成などの全ての媒体に適用でき
る。

【００５５】更にその個々の要素について、基板として
はガラス、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂等の透
明基板が挙げられ、無機誘電体膜としては、ＺｎＳ、Ｓ
ｉＯ₂ 、ＡｌＮ、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、Ｉｎ₂ Ｏ₃
等からなる膜が挙げられる。又磁性体層としては、Ｔｂ
ＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＧｄ、ＮｄＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅ
Ｃｏ等の希土類元素と遷移金属元素の合金からなる磁性
膜が代表例として挙げられる。これらの無機誘電体膜、
磁性体層、金属薄膜などはスパッタリング法等の物理的
成膜法によって形成される。

【００５６】なお、本発明に於て樹脂保護層の表面抵抗
率は、ＪＩＳＫ６９１１、５、１３の規定に従って測定
したものである。即ち、表面電極を試験片上に置き、直
流１００Ｖ〜１０００Ｖを用い、１分間充電後の抵抗を
超絶縁計で測定する。

【００５７】

【外３】 Ｄ：表面の環状電極の内径 ｄ：表面の環状電極の外径 Ｒ_S ：表面抵抗（ＭΩ）

【００５８】又、樹脂保護層の熱伝導率はＪＩＳ−Ａ−
１４１２の規定に従ってヒーターを組み込んだサンプル
容器中にサンプルを入れ、ヒーターに電流Ｉ、電圧Ｖの
直流をｔ秒間流したときのサンプルの温度上昇（σＴ）
を測定する。次いで下記式によって熱容量（Ｃ）を求
める。 Ｃ＝（Ｉ・Ｖ・ｔ）／σＴ… 次いで、下記式によって熱伝導率（λ）を求める。 λ＝（Ｃ・σＴ）／Ａ（ｄｔ／ｄｌ）… （但しＡはサンプルの断面積、ｄｔ／ｄｌは温度匂配）

【００５９】

【実施例】以下に本発明について実施例を用いて更に詳
細に説明する。

【００６０】（実施例１-０１） 先ず、下記の組成のウレタンアクリレート系紫外線硬化
型樹脂組成物を用意した。 ・ウレタンアクリレート系オリゴマー１８ｗｔ％ ・ジシクロペンタジェンアクリレート６５ｗｔ％ ・トリメチロールプロパントリアクリレート１２ｗｔ％ ・光重合開始剤５ｗｔ％ （商品名：イルガキュア１８４；日本チバガイギー
（株））

【００６１】次いで上記樹脂組成物に、平均粒径０．５
μｍのＳｎＯ₂ を２０ｗｔ％分散させた後、この樹脂組
成物を図４（ａ）に示す様に第１の支持フィルム上に塗
布した後ＵＶランプ（照射面上２３３Ｗ／ｃｍ² 、波長
３６５ｎｍ）を７秒間照射して厚さ６μｍの第１保護層
を形成した。

【００６２】次に図４（ｂ）に示す様に、第２の支持フ
ィルム上に、ポリスチレン−ポリブタジェンブロック共
重合体（商品名：カリフレックス、ＴＲ１１０７；シェ
ル化学（株）社製）１００重量部、変性ウッドロジン５
０重量部、安定剤１重量部を配合してなる熱伝導率０．
２Ｎ／ｍ・Ｋのゴム系粘着剤を厚さ２μｍに塗布して第
２保護層を形成し、次いで図４（ｃ）に示す様に、第１
保護層及び第２保護層が接する様に第１及び第２の支持
フィルムを積層して、保護粘着シートを作製した。

【００６３】一方、プリグループ及びプリピットを形成
したポリカーボネート製ディスク基板（直径８６ｍｍ
φ、厚さ１．２ｍｍ）上にスパッタリング法によって、
厚さ１０００ÅのＳｉＮ膜、厚さ２００Åの非晶質Ｔｂ
ＦｅＣｏＣｒ磁性体層及び厚さ４００ÅのＳｉＮ膜の積
層膜からなる光磁気記録層及びその上に厚さ６００Åの
Ａｌ−Ｃｒ膜を成膜した。

【００６４】次に図５（ａ）〜（ｃ）に示す様に保護粘
着シートの第２の支持フィルムを第１保護層から剥離
し、先に作成したＡｌ−Ｃｒ膜上に、Ａｌ−Ｃｒ膜と第
１保護層とが接する様に積層して押圧した後、第１の支
持フィルムを剥離して、第１保護層及び第２保護層から
なる樹脂保護層を備えた光磁気ディスクを作成した。

【００６５】（実施例１−０２）上記実施例１−０１に
於て、第２保護層中のＳｎＯ₂ の含有量を２５重量％と
した以外は実施例１−０１と同様にして光時はディスク
を作成した。

【００６６】（比較例１−０１）先ず下記の組成のアク
リレート系紫外線硬化型樹脂組成物を用意した。 ・ウレタンアクリレート系オリゴマー １８ｗｔ％ ・ジシクロペンタジエンジアクリレート ６５ｗｔ％ ・トリメチロールプロパントリアクリレート １２ｗｔ
％ ・光重合開始剤（商品名：イルガキュア１８４；日本チ
バガイギー（株）製）５ｗｔ％

【００６７】次に、上記紫外線硬化型樹脂組成物に平均
粒径１．５μｍのＳｂコートＴｉＯ₂ 粒子を５０ｗｔ％
分散させた。

【００６８】又実施例１−０１と同様にして光ディスク
基板上に光磁気記録層及びＡｌ−Ｃｒ膜を順次積層し
た。

【００６９】次に、図６に示す様に外Ａｌ−Ｃｒ薄膜及
び光磁気記録層を被覆する様に、上記紫外線硬化型樹脂
組成物をスピンコート法で基板上に塗布し、膜厚８μｍ
の樹脂層を形成した後ＵＶランプ（照射面上２３３ｍＷ
／ｃｍ、波長３６５ｎｍ）を７秒間照射して樹脂を硬化
させて樹脂保護層を形成し光磁気ディスクを得た。

【００７０】（比較例１−０２）比較例１−０１に於て
導電性ＴｉＯ₂ 粒子の含有量を４０ｗｔ％とし、又膜厚
を６μｍとした以外は比較例１−０１と同様にして光磁
気ディスクを作製した。

【００７１】（比較例１−０３）前記実施例１−０１に
於て、第２保護層中のＳｎＯ₂ を平均粒径１．５μｍの
表面をＳｂで被覆したＴｉＯ₂ 粒子とし、又その含有量
を１０ｗｔ％とした以外は実施例１−０１と同様らして
光磁気ディスクを作成した。

【００７２】（比較例１−０４）上記比較例１−０１に
於て導電性粒子としてＳｎＯ₂ を２０ｗｔ％含有させた
以外は比較例１−０１と同様にして光磁気ディスクを作
成した。

【００７３】こうして得た光磁気ディスクについて、下
記の〜の物性及び特性について各々測定し又は評価
した。その結果を表１０１に示す。 光磁気ディスクの第２保護層の表面抵抗率 光磁気ディスク第２保護層の静電気電圧 記録再生特性（ノイズレベル及びＣ／Ｎ比） 低湿環境下に於けるヘッドクラッシュテスト 高温・高湿環境下に放置する前後のディスクの機械形
状特性（チルト角度）なお、上記〜の測定、評価は
各々以下の通りに行った。

【００７４】光磁気ディスクの第２保護層の表面抵抗
率 超絶縁計（商品名：ＳＭ−８２０５；東亜電波工業
（株）社製）及びその表面抵抗測定用電極を用いて、前
記したＪＩＳ−の規定に従って１００〜１０００Ｖの印
加電圧で測定した。

【００７５】光磁気ディスクの第２保護層の静電気電
圧 浮上型磁気ヘッドを備えた光磁気ディスク記録・再生装
置（キヤノン製）に実施例或いは比較例で作成した光磁
気ディスクを装着し、該ディスクを３０００ｒｐｍで回
転させ、又磁気ヘッドを図１に示す様に樹脂保護層上
で、１０秒間浮上させ（浮上量１．６μｍ）た後の、樹
脂保護層表面の静電気電圧を静電気電圧測定器（商品
名：スタチロンＭ−１０００；シシド電気（株）社製）
を用いて測定した。

【００７６】記録・再生特性 各々の光磁気ディスクを図１に示す様に樹脂保護層側に
浮上型磁気ヘッドが配置されてなる光磁気ディスク記
録、再生検査装置（商品名、ＬＮ５２Ａ；シバソク
（株）社製）に装着して、情報の記録及びその情報の再
生を行って、光磁気ディスクの記録ノイズを測定した。
但し記録、再生条件は以下のとおりとした。

【００７７】回転数２４００ｒｐｍ、磁界強度２０００
ｅ、周波数６ＭＨｚ 記録パワー１０ｍＷ、再生パワー１．０ｍＷ 記録・再生光波長８３０ｎｍ ヘッドクラッシュテスト ３０℃、３０％Ｒｈの低湿度環境下で各実施例及び比較
例の光磁気ディスクを３０００ｒｐｍで回転させた時
に、磁気ヘッドスライダーと保護層の間隔が１．６μｍ
となるように調整した光磁気記録再生装置（キヤノン
（株）製）を用いて、媒体を３０００ｒｐｍで３秒間回
転させ、次に３秒間停止という一連の動作を繰り返すＣ
ＳＳ試験を１０万回行ったときのヘッドの樹脂保護層へ
の帯電吸着の発生の有無を観察した。

【００７８】機械形状特性（チルトアングル） 各々の光磁気ディスクを作成した直後及び８０℃、９０
％ＲＨの高温・高湿条件下に２０００ｈｒ放置した後
の、ディスクのそり（チルトアングル）についてチルト
アングル測定装置（商品名：ＬＭ−１００；小野測器
（株）社製）を用いて測定した。

【００７９】

【表１】

【００８０】（実施例２−０１） 実施例１−０１に於て、導電性粒子としてアスペクト比
が５で長手方向平均長さ１．５μｍのアンチモンで表面
を被覆してなるＴｉＯ_２粒子を、紫外線硬化樹脂組成物
に対して（ａ）１０重量部（ｂ）２０重量部（ｃ）３０
重量部を添加した以外は実施例１−０１と同様にして実
施例２−０１（ａ）〜（ｃ）の３種類の光磁気ディスク
を作成した。

【００８１】（実施例２−０２〜２−０８）実施例２−
０１に於て第２保護層中の導電性粒子を下記表−２０１
に示す通りに変化させた以外は実施例２−０１と同様に
して光磁気ディスクを作成した。

【００８２】

【表２】

【００８３】（実施例２−０９）実施例１−０１と全く
同様にしてディスク基板上に光磁気記録層及びＡｌ−Ｃ
ｒ膜を順次積層した。

【００８４】次いで該Ａｌ−Ｃｒ膜上に前記実施例１−
０１で用意した紫外線硬化型樹脂組成物をスピンコート
法で塗布し、次いでＵＶランプ（照射面上、２３３ｍＷ
／ｃｍ² 、波長３６５ｎｍ）を７秒間照射して樹脂を硬
化させて厚さ６μｍ、熱伝導率０．１〜０．３ｍＷの第
１保護層を形成した。

【００８５】次に第１保護層の形成に用いた紫外線硬化
型樹脂組成物中に、ＳｂコートＴｉＯ₂ 粒子（アスペク
ト比＝１５、長手方向平均長さ２μｍ）を（ａ）１０重
量部、（ｂ）２０重量部、（ｃ）３０重量部を添加した
ものを第１保護層上にスピンコート法で塗布した後ＵＶ
ランプを照射して硬化せしめ、厚さ８μｍの第２保護層
を形成して、実施例２−０９（ａ）〜（ｃ）の３種類の
光磁気ディスクを得た。

【００８６】（比較例２−０１）前記実施例２−０９に
於て第２保護層を形成しない以外は、実施例２−０９と
同様にして光磁気ディスクを作成した。

【００８７】上記実施例２−０１〜２−０９及び比較例
２−０１の光磁気ディスクについて、実施例１０１と同
様にして評価した。その結果を表−２０２に示す。

【００８８】

【表３】

【００８９】上記表−２０２から、第２保護層中の導電
性粒子のアスペクト比を５以上にしたことの効果は、例
えば導電性粒子としてＳｂコートＴｉＯ₂ を用いた実施
例２−０１、２−０２及び２−０３では第２保護層中の
ＳｂコートＴｉＯ₂ の含有量を樹脂１００重量部に対し
て１０重量部（約９ｗｔ％）とした場合でも、その表面
抵抗率は１×１０¹⁰Ω／□以下を維持し、ヘッドクラッ
シュテストに於ても帯電吸着が生じないのに対し、平均
粒径１．５μｍ、アスペクト比１のＳｂコートＴｉＯ₂
を用いた比較例１−０３の場合、その表面抵抗率は、
１．０×１０¹¹Ω／□となり、ヘッドクラッシュテスト
に於て、帯電吸着が生じていることからも明らかであ
る。

【００９０】（実施例３−０１）先ず下記の組成のアク
リレート系紫外線硬化型樹脂を用意した。 ・ウレタンアクリレート系オリゴマー １８ｗｔ％ ・ジシクロペンタジエンジアクリレート ６５ｗｔ％ ・トリメチロールプロパントリアクリレート １２ｗｔ
％ ・光重合開始剤（商品名：イルガキュア１８４；日本チ
バガイキー（株）製）５ｗｔ％

【００９１】次に、上記紫外線硬化型樹脂組成物に下記
構造式（Ｖ）の電荷移動錯体を５ｗｔ％分散して熱伝導
率が０．１〜０．３Ｗ／ｍ・Ｋを有する様に樹脂保護層
形成用の紫外線硬化型樹脂組成物を作成した。

【００９２】又、実施例１−０１と同様にして、光ディ
スク基板上に光磁気記録層及びＡｌ−Ｃｒ膜を順次積層
した。

【００９３】次に、図６に示す様に該Ａｌ−Ｃｒ薄膜及
び光磁気記録層を被覆する様に、上記紫外線硬化型樹脂
組成物をスピンコート法で基板上に塗布し、膜厚４μｍ
の樹脂層を形成した後ＵＶランプ（照射面上２３３ｍＷ
／ｃｍ、波長３６５ｎｍ）を７秒間照射して樹脂を硬化
させて樹脂保護層を形成し光磁気ディスクを得た。

【００９４】

【外４】

【００９５】（実施例３−０２） 実施例３−０１に於て、電荷移動錯体を下記構造式（Ｖ
Ｉ）に代え、また樹脂層の膜厚を６μｍとした以外は実
施例３−０１と同様にして光磁気ディスクを作製した。

【００９６】

【外５】

【００９７】（実施例３−０３）プリグループ及びプリ
ピットを形成したポリカーボネート製ディスク基板（直
径９ｃｍ、厚さ１．２ｍｍ）上にスパッタリング法によ
って、厚さ１０００ÅのＳｉＮ膜、厚さ２００Åの非晶
質ＴｂＦｅＣｏＣｒ磁性体層及び厚さ４００ÅのＳｉＮ
膜の積層膜からなる光磁気記録層及びその上に厚さ６０
０ÅのＡｌ−Ｃｒ膜を成膜した。

【００９８】一方、樹脂保護層については、以下の方法
で作製した。先ずピロールを支持電解質として（ｎ−Ｂ
ｕ）₄ ＮＢＦ₄ を０．１モル含有してなるニトロベンゼ
ンに溶解した。

【００９９】次いでこの溶液中に一対の白金電極を浸漬
し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ² 、電圧４Ｖの条件で電解
重合を行って熱伝導率０．６〜０．７Ｗ／ｍ・Ｋの厚さ
４μｍのポリピロールのフィルムを作製した。

【０１００】次に上記ポリピロールのフィルムを、先に
作製した光磁気記録層上に接着層を介して接着して光磁
気ディスクを作製した。

【０１０１】但し接着剤としては２液硬化型アクリル系
粘着剤（商品名：オリバインＢＰＳ４０８９−５；東洋
インキ製造（株）社製）を用い、又接着層の厚さは２μ
ｍとした。なお該接着剤の熱伝導率は０．１５Ｗ／ｍ・
Ｋであった。

【０１０２】（実施例３−０４）実施例３−０３に於て
樹脂保護層としてポリピロールに代えて厚さ６μｍのポ
リオチフェンのフィルムとした以外は実施例３−０３と
同様にして光磁気ディスクを作製した。

【０１０３】（実施例３−０５）実施例３−０３に於て
樹脂保護層としてポリピロールに代えて厚さ６μｍのポ
リピロールとフェノキシ樹脂系ポリアニオンの複合体か
らなりポリピロール含有率が１４ｗｔ％のフィルム（商
品名；ＳＥＣフィルム；日本チバガイギー（株）社製）
とした以外は実施例３−０３と同様にして光磁気ディス
クを作製した。

【０１０４】（実施例３−０６）実施例３−０３に於て
樹脂保護層としてポリピロールに代えて、厚さ６μｍの
ポリピロールとフェノキシ樹脂系ポリアニオンの複合体
からなりポリピロール含有率が１８ｗｔ％のフィルム
（商品名；ＳＥＣフィルム；日本チバガイギー（株）社
製）とした以外は実施例３−０３と同様にして光磁気デ
ィスクを作製した。

【０１０５】（実施例３−０７）実施例３−０３に於て
樹脂保護層として、ポリカーボネート樹脂に前記構造式
（Ｖ）で示される電荷移動錯体を１ｗｔ％分散させた厚
さ６μｍのフィルムを用いた以外は、実施例３−０３と
同様にして光磁気ディスクを作製した。

【０１０６】（実施例３−０８）実施例３−０３に於て
樹脂保護層として、ポリカーボネート樹脂に前記構造式
（ＶＩ）で示される電荷移動錯体を１．５ｗｔ％分散さ
せた厚さ４μｍのフィルムを用いた以外は、実施例３−
０３と同様にして光磁気ディスクを作製した。

【０１０７】上記実施例３−０１〜３−０８の光磁気デ
ィスクについて実施例１−０１と同様にして評価した。
その結果を表−３０１に示す。

【０１０８】

【表４】

【０１０９】（実施例４−０１） 前記実施例１−０１に於て、第２保護層を構成するウレ
タンアクリレート系紫外線硬化型樹脂組成物中にシリコ
ンオリゴマー（商品名：ＡＫ−５；東亜合成化学（株）
社製）を該樹脂組成物の１０ｗｔ％配合し、その硬化物
を第２保護層とした以外は実施例１−０１と同様にして
光磁気ディスクを作製した。

【０１１０】こうして得た光磁気ディスクについて、図
７に示す摺動型磁気ヘッド（７１）を備えた光磁気ディ
スク記録・再生装置に装着し、下記の条件で情報を記録
し再生した。 回転速度：８００ｒｐｍ 磁界強度：１５０Ｏｅ 周波数：６ＭＨｚ 記録・再生ビーム波長：８３０ｎｍ 記録ビーム強度：５ｍＷ 再生ビーム強度：１ｍＷ その結果、Ｃ／Ｎは４７ｄＢを確保できた。

【０１１１】（実施例４−０２）導電性粒子としてＳｎ
Ｏ₂ を２０ｗｔ％含有させた厚さ４μｍのフッ素化アク
リレート樹脂シート（商品名；ＫＡＹＡＲＡＤ ＩＮＣ
２０６３１Ｆ、日本化薬株式会社製）上に実施例１−０
１で用いた粘着剤を厚さ２μｍ塗布し、保護粘着シート
を作製した。これを実施例１−０１と同様にして基板上
に成膜してなるＡｌ−Ｃｒ膜上に圧着接合し光磁気ディ
スクを作製した。

【０１１２】（実施例４−０３）導電性粒子としてＳｎ
Ｏ₂ を２０ｗｔ％含有させた厚さ６μｍのシリコンアク
リレート樹脂（商品名；ＳＰＣ−１１２Ｓ、日本化薬株
式会社製）上に実施例１−０１で用いた粘着剤を厚さ２
μｍ塗布し、保護粘着シートを作製した。これを実施例
１−０１と同様にして基板上に成膜してなるＡｌ−Ｃｒ
膜上に圧着接合し光磁気ディスクを作製した。

【０１１３】（実施例４−０４）前記実施例１−０１に
於て、第２保護層形成用の樹脂組成物中にフッ素系潤滑
剤（商品名；フォムブリンＺ−２５、モンテビデオ株式
会社製）を５％配合した以外は実施例１−０１と同様に
して光磁気ディスクを作成した。

【０１１４】こうして得た実施例４−０２〜４−０４の
光磁気ディスクについて、実施例４−０１と同様にして
摺動型磁気ヘッドを用いた記録再生を行ったところ、Ｃ
／Ｎ比は４７〜４９ｄＢの値を得られた。

【０１１５】（実施例５−０１）厚さ２μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムの第１面にポリ塩化ビニリ
デン（商品名；ＫＦ−２５、呉羽化学株式会社製）を厚
さ２μｍにコーティングし、更にその上に、実施例１−
０１で作成したＳｎＯ₂ を含有する紫外線硬化型樹脂を
厚さ２μｍにコーティングし硬化させた。次いで該フィ
ルムの第２面に粘着剤を厚さ２μｍに塗布し、保護粘着
シートを作製した。これを実施例１−０１と同様にして
ディスク基板上に成膜したＡｌ−Ｃｒ膜上に圧着接合し
て光磁気ディスクを作成した。

【０１１６】（実施例５−０２）厚さ２μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムの第１面に、塩化ビニル−
塩化ビニリデン共重合体（商品名；ＫＦ−３５、呉羽化
学株式会社製）を厚さ２μｍにコーティングし、更にそ
の上に、実施例１−０１で作成したＳｎＯ₂ を含有する
紫外線硬化型樹脂を厚さ２μｍにコーティングし硬化さ
せた。

【０１１７】次いで、該フィルムの第２面に実施例１−
０１で用いた粘着剤を厚さ２μｍに塗布し、保護粘着シ
ートを作成した。これを実施例５−０１と同様にしてＡ
ｌ−Ｃｒ膜上に圧着接合して光磁気ディスクを作成し
た。

【０１１８】（実施例５−０３）実施例１−０１で用意
した紫外線硬化樹脂を用いて、厚さ２μｍのフィルムを
作成した。次いで、このフィルムの第１面に塩化ビニル
−塩化ビニリデン共重合体を厚さ４μｍにコーティング
し、更にその上に、実施例１−０１で作成したＳｎＯ₂
を含有してなる紫外線硬化型樹脂を厚さ２μｍにコーテ
ィングし硬化させた。次いで、該フィルムの第２面上に
実施例１−０１で用いた粘着剤を厚さ２μｍに塗布し、
保護粘着シートを作成した。これを実施例５−０１と同
様にしてＡｌ−Ｃｒ膜上に圧着接合して光磁気ディスク
を作成した。

【０１１９】（実施例５−０４）塩化ビニル−塩化ビニ
リデン共重合体の代わりにポリ塩化ビニリデンを使用す
る以外は実施例５−０３と同様に保護粘着シートを作成
しそれを用いて磁気ディスクを作製した。

【０１２０】（実施例５−０５）厚さ２μｍのポリ塩化
ビニリデンフィルムの第１面に実施例１−０１で用意し
た紫外線硬化樹脂を厚さ２μｍに塗布し硬化させた。
又、該フィルムの第２面には、実施例１−０１で作成し
たＳｎＯ₂ を含有してなる紫外線硬化型樹脂を厚さ２μ
ｍに塗布して硬化させた。更に該フィルムの第１面上に
形成した紫外線硬化型樹脂の硬化膜上に実施例１−０１
で用いた粘着剤を厚さ２μｍに塗布して保護粘着シート
を作成した。これを実施例５−０１と同様にしてＡｌ−
Ｃｒ膜上に圧着接合して光磁気ディスクを作成した。

【０１２１】（実施例５−０６）ポリ塩化ビニリデンの
代わりに塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体を使用し
た以外は、実施例５−０４と同様にして保護粘着シート
を作成し光磁気ディスクを作製した。

【０１２２】上記実施例５−０１〜５−０６で作成した
光磁気ディスクについて８０℃、９０％ＲＨの条件下に
２０００時間放置した後のバイトエラーレート（Ｂ、
Ｅ、Ｒ）の経時変化を測定した。その結果を表−５０１
に示す。

【０１２３】尚、Ｂ、Ｅ、Ｒの測定は光磁気記録再生検
査装置（商品名：ＬＭ３１Ａ、シバソク株式会社製）に
より行った。測定条件は、最内周半径ｒ＝２４での記録
レーザーパワー６ｍＷ、最外周半径ｒ＝４０での記録レ
ーザーパワー８ｍＷ、消去パワー８ｍＷ、再生パワー１
ｍＷ、消去・記録磁界３００Ｏｅとした。

【０１２４】

【表５】

【０１２５】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば磁気
ヘッドと保護層との帯電吸着を防止でき、且つ記録再生
特性の劣化を抑えた光磁気記録媒体を得ることができる
ものである。

【０１２６】又本発明によれば、樹脂保護層中に添加す
る導電性粒子のアスペクト比を５以上とすることで、樹
脂保護層の強度を低下させることなく該保護層に規定の
導電性を付与することができる。

【０１２７】又本発明によれば有機系の導電性化合物を
保護層に用いることによって樹脂保護層の熱伝導率を上
昇させることなく表面の電気抵抗値を下げることができ
る為、樹脂保護層を単層とすることができ高品質な光磁
気記録媒体の製造プロセスをより簡略化することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ディスクへの情報記録方法の概略説
明図。

【図２】本発明の光磁気ディスクの一実施態様の概略断
面図。

【図３】本発明の光磁気ディスクの他の実施態様の概略
断面図。

【図４】本発明に係る保護粘着シートの製造方法の説明
図。

【図５】本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法の説明
図。

【図６】本発明の光磁気ディスクの一実施態様の径方向
断面図。

【図７】摺動型磁気ヘッドを用いた光磁気ディスクへの
記録方法の概略説明図。

【図８】磁性層と磁気ヘッド間の距離と磁性層に於ける
磁界強度の関係の一例を示す相関図。

【符号の説明】

１１ 基板 １２ 光磁気記録層 １３ 樹脂保護層 １４ 浮上型磁気ヘッド １５ レーザービーム ２１ 無機誘電体層 ２２ 磁性体層 ２３ 無機誘電体層 ２４ 第１保護層 ２５ 第２保護層 ４１ 第１の支持フィルム ４２ 第２の支持フィルム ４３ 粘着保護シート ７１ 摺動型磁気ヘッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/105

Claims (21)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に光磁気記録層及び樹脂保護層を
   有し、該保護層側から磁界発生手段によって、該記録層
   に対して磁場を印加すると共に該基板を介して該記録層
   に光ビームを照射して情報の記録を行う光磁気記録媒体
   に於て、 該保護層は、該磁界発生手段に対向する側の第１面と、
   該記録層に対向する側の第２面とを有し、該保護層の第
   １面は１×１０^１０Ω／□以下の表面抵抗率を有し、且
   つ該保護層の第２面は熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下で
   あることを特徴とする光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 該保護層は２層の積層構造を有し、該記
   録層側の保護層のみが該熱伝導率を満足している請求項
   １の光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 該磁界発生手段側の保護層が導電性粒子
   を含有している請求項２の光磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 該導電性粒子が導電性セラミックス粒子
   である請求項３の光磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 該導電性セラミック粒子がアスペクト比
   ５以上の針状もしくは鱗片状の粒子である請求項４の光
   磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 該針状の導電性セラミック粒子がアンチ
   モン変性チタン酸カリウム粒子である請求項５の光磁気
   記録媒体。
7. 【請求項７】 該保護層の第１面の表面抵抗率が、１×
   １０^３〜１×１０^１０Ω／□である請求項１〜６のいず
   れかに記載の光磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 該導電性粒子が有機化合物からなる請求
   項３の光磁気記録媒体。
9. 【請求項９】 該有機化合物からなる導電性粒子が導電
   性高分子化合物からなる粒子である請求項８記載の光磁
   気記録媒体。
10. 【請求項１０】 該有機化合物からなる導電性粒子が電
    荷移動錯体からなる粒子である請求項８記載の光磁気記
    録媒体。
11. 【請求項１１】 該電荷移動錯体がテトラセン化合物で
    ある請求項１０の光磁気記録媒体。
12. 【請求項１２】 該記録層側の保護層は、硬化型高分子
    化合物からなる請求項２の光磁気記録媒体。
13. 【請求項１３】 該保護層が導電性高分子化合物を含有
    している請求項１の光磁気記録媒体。
14. 【請求項１４】 該導電性高分子化合物が、共役導電性
    高分子化合物及びポリアニオンの複合体である請求項１
    ３の光磁気記録媒体。
15. 【請求項１５】 該保護層が電荷移動錯体を含有してい
    る請求項１の光磁気記録媒体。
16. 【請求項１６】 該電荷移動錯体がテトラセンの誘導体
    である請求項１５の光磁気記録媒体。
17. 【請求項１７】 該樹脂保護層の厚さが３〜１５μｍで
    ある請求項１の光磁気記録媒体。
18. 【請求項１８】 該記録層側の保護層の膜厚は、少なく
    とも０．５μｍ以上である請求項２の光磁気記録媒体。
19. 【請求項１９】 該保護層がアスペクト比が５以上の針
    状もしくは鱗片状の導電性粒子を含有している請求項１
    の光磁気記録媒体。
20. 【請求項２０】 基板上に光磁気記録層及び樹脂保護層
    を有し、該記録層に対して、該保護層側から磁界発生手
    段によって磁場を印加すると共に、該基板を介して該記
    録層に光ビームを照射して情報の記録を行う光磁気記録
    媒体の製造方法に於て、 少なくとも一方の表面の表面抵抗率が１×１０^１０Ω／
    □以下の樹脂シートを、該表面が該磁界発生手段と対向
    するようにして、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の接着
    層を介して、該光磁気記録層上に接着して、それによっ
    て該光磁気記録層上に保護層を形成する工程を有するこ
    とを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
21. 【請求項２１】 該接着層の厚さを０．５μｍ以上とし
    てなる請求項２０の光磁気記録媒体の製造方法。