JP3367947B2 - エポキシ樹脂系ブラック酸化チタンマスターバッチ及びその製造方法 - Google Patents

エポキシ樹脂系ブラック酸化チタンマスターバッチ及びその製造方法

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JP3367947B2 JP2001164987A JP2001164987A JP3367947B2 JP 3367947 B2 JP3367947 B2 JP 3367947B2 JP 2001164987 A JP2001164987 A JP 2001164987A JP 2001164987 A JP2001164987 A JP 2001164987A JP 3367947 B2 JP3367947 B2 JP 3367947B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】基板とIC(Integrated Cir
cuit)チップ間の僅かな隙間を封入する樹脂系の封止材
用のエポキシ樹脂系ブラック酸化チタンマスターバッチ
の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子機器の高性能化、高機能化の要求は
IT(Information Technology)時代を迎えて益々強く
なっている。これに伴って電子機器に使用される半導体
素子の形態も小型化、薄型化、多ピン化が進んでいるの
は周知の通りである。
【0003】半導体素子は、その表面に形成された微細
で複雑な電子回路を外部からの悪環境条件から遮断し機
械的に保護する必要がある。具体的には各種の塵埃、水
分、衝撃、振動、有害ガスなどから保護するために封止
材料により封止が行われている。
【0004】この封止材料の変遷は金属材料、セラミッ
クス、ガラスなどが当初は使用されていたが、近年では
樹脂系封止が大部分を占めるようになってきた。なぜな
らば、金属やセラミックスを用いたものは気密性に優
れ、信頼性が高いが、コストが高くまた加工作業性など
が樹脂系封止に比べて大幅に劣っているためである。そ
のために現状では金属やセラミックスは一部の特殊用途
のみに使用されるにすぎない。
【0005】一方、樹脂系封止はクロック周波数200
MHz超のCPU(Central Processing Unit)には信
号電圧の減衰が少ないという利点も加わり、封止市場の
90%以上が樹脂系封止を使用するに至っている。封止
に使用される樹脂としてはエポキシ樹脂、シリコーン樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン
サルファイド樹脂などが使用されている。これらの封止
樹脂の中では、低粘度、高接着性、高電気絶縁性、低湿
度性、高機械的強度性、高耐薬品性、耐熱性の面から、
圧倒的にエポキシ樹脂が使用されているのが実状であ
る。
【0006】樹脂系封止材の信頼性を高めるために、封
止材とICチップとの線膨張率の差により発生する応力
を低減するためにシリカフィラーを多量に配合して線膨
張率を小さくするなど工夫が施されているのが通例であ
り、すなわち、一般に封止材はこれらの樹脂やシリカ等
の無機充填剤フィラーの他に硬化剤、着色剤、各種添加
剤等によって構成される複合材料となっている。
【0007】エポキシ樹脂封止材はそのすぐれた性能か
ら、従来のモールド成型、最近ではP−PGA(Plasti
c-Pin Grid Array)、P−BGA(Plastic-Ball Grid
Array)、フリップチップ(Flip chip)あるいはCSP
(Chip Size Package/Chip Scale Package)等の最先端
半導体デバイスの封止材として使用され始めてきている
のも周知の通りである。
【0008】それらの中でCSPは従来のデバイスと比
較すると、小型で複雑な構造のものが多い。CSPの基
板とICチップ間のギャップは従来の75〜100μm
程度が主流であったものが、近年、多ピッチ化に伴う狭
ピッチ化するためにバンプサイズが小さくなり、ギャッ
プも30〜50μm程度のものが増えつつあり、更に最
先端半導体デバイスではギャップ寸法が1ミル(25.
4μm)以下のものが開発されている。さらには近年で
はリードフレーム間隔が10μmに迫ろうとし、近い将
来には10μmをきるといわれている。
【0009】このような最先端半導体デバイスの封止材
には、これまで以上の繊細な加工性が要求されること;
硬化剤として配合されるフェノール樹脂やアミン類から
くる封止材の黄変を着色力の大きな封止材で緩和できる
こと;そして封止工程での加熱溶融時に、その着色を与
える顔料が凝集して異物とならない着色材系顔料である
こと;が要求され、その開発が望まれている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】これまで、封止材の着
色剤としては主にカーボンブラックが使用されてきた。
封止材の典型的な製造方法としては、カーボンブラック
とエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シリカフィラ
ー、離型剤およびその他の添加剤を配合し、混合後、加
熱混練して、封止材を製造する方法がある。しかし、こ
の方法では、特に、流動性の良好な封止材とする場合
は、カーボンブラックが充分に分散できず、凝集塊とし
て残り、リードフレーム間に挟まってチャージを引き起
こしたり、コネクタワイヤの断線を引き起こしたりする
危険性が生じ易い欠点があった。
【0011】これを解消するために、通常は、あらかじ
めカーボンブラックをエポキシ樹脂に分散したマスター
バッチ、すなわちカーボンブラックの樹脂分散体をまず
作成しておき、これを使用する多量の樹脂で希釈する手
法をとっている。
【0012】この方法は、別の面で、樹脂分散体にする
ので、封止材製造工程でカーボンブラック粉による汚染
もなく、製造環境上きわめて良好となっている。カーボ
ンブラックはモールド型ではきわめて有効である。しか
し、ワイヤ接続やビーム接続、新技術のパンプ接続やス
ルーホール接続のテープタイプ、キャリヤタイプ並びに
樹脂封止タイプのCSP各種では、樹脂分散体中のカー
ボンブラック凝集塊の大きさを厳密に管理して製造して
も、実際使用するときに、エポキシ樹脂や硬化剤である
フェノール樹脂で高温溶融希釈して170℃付近で加熱
し放置ておくと、カーボンブラックが凝集してしまい、
封止するときに、結果として、 1) リードフレーム間に挟まってチャージを引き起こ
したり、 2) コネクタワイヤの断線を引き起こしたりすること がわかってきた。
【0013】その結果、「加熱して静置しておいても着
色剤の凝集の起こらないマスターバッチ、すなわち、着
色材の高濃度分散体」の開発が切望されていた。
【0014】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものである。本発明の技術思想は次の点に要約さ
れる。すなわち、 1) 封止時に着色材の高濃度分散体(マスターバッ
チ)を活用するが、その際、封止するときの条件に近い
温度条件で分散し、相変化に伴って生ずる分散状態の変
化、着色材の凝集を緩和する。 2) そのため、高温加熱分散時は最高の微分散の条件
で分散させる。 3) その条件で凝集の核となる粗粒を完全に近い条件
で除去する。 4) 無機系の着色材を用い、極性の違う分散媒で分散
粒子を包み、粒子の凝集力から隔離する。である。これ
らの組み合わせ集積によって理想に近い封止材のための
マスターバッチの製造方法を完成した。
【0015】
【課題を解決する手段】本発明の手段は次の通りであ
る。 (I) エポキシ樹脂に少なくとも着色材を含む充填材
が分散されてなる充填材マスターバッチと該マスターバ
ッチを溶融希釈できる希釈樹脂とで構成される半導体デ
バイス封止材用に供しうる充填材マスターバッチであっ
て、着色材が、一般式 TiWX (1) (ここにWは1から3の整数を表し、Xは1.0から
7.0までの数を表す) で表される化合物の混合物であるブラック酸化チタンで
あり、着色材の量がエポキシ樹脂とブラック酸化チタン
の合計量に対し、5〜70重量%であり;エポキシ樹脂
が、25℃で固形で、エポキシ当量が140〜250g
/eq、軟化点及び融点がそれぞれ50〜120℃及び
45〜180℃で、エポキシ樹脂の量がエポキシ樹脂と
ブラック酸化チタンの合計量に対し95〜30重量%で
あり;さらにその他の充填材を任意に含み;充填材が1
0μm以下の粒子に分散されてなり、希釈樹脂で溶融希
釈して半導体デバイスを高温下で封止する封止材とした
ときに、着色材を含む充填材の凝集による粗粒の発生を
防止できる、半導体デバイス封止材用のエポキシ樹脂系
ブラック酸化チタンマスターバッチ; (II) 上記(I)のエポキシ樹脂系ブラック酸化チ
タンマスターバッチにおいて、希釈樹脂が上記(I)の
エポキシ樹脂の他、一般式 (ここにR7〜R11は水素原子またはメチル基を表し、
互いに同じであっても異なっていてもよい)、 一般式 (ここにR7〜R14は水素原子またはメチル基を表し、
互いに同じであっても異なっていてもよい) で表される4官能フェノール樹脂(3)と3官能フェノ
ール樹脂(2)との混合物である上記(I)記載のマス
ターバッチ; (III) エポキシ樹脂に少なくとも着色材を含む充
填材が分散されてなる、半導体デバイスの高温下封止用
に供し得る充填材マスターバッチの製造方法において、
該マスターバッチが 一般式 TiWX (1) (ここにWは1から3の整数を表し、Xは1.0から
7.0までの数を表す)で表される化合物の混合物であ
るブラック酸化チタンを着色材として、エポキシ樹脂と
ブラック酸化チタンの合計量に対し5〜70重量%含
み;25℃で固形で、エポキシ当量が140〜250g
/eq、軟化点及び融点がそれぞれ50〜120℃及び
45〜180℃であるエポキシ樹脂を、エポキシ樹脂と
ブラック酸化チタンの合計量に対し95〜30重量%含
み;さらに任意の、その他の充填材;で構成され、該構
成物を、分散に供する物質を加熱循環する装置と、分散
物を加熱ろ過する装置と、メディアを攪拌する攪拌機を
装備した分散機中で;0.1〜4.0mmのメディアを
用い、50〜200℃の温度で、分散機の攪拌機の周速
度が毎秒1.6m以上の条件で熱溶融分散し;溶融ろ過
して充填材を10μ以下の分散粒子にすることにより、
希釈樹脂で溶融希釈し半導体デバイスを高温下で封止す
る封止材としたときに、着色材を含む充填材の凝集によ
る粗粒の発生を防止できる、マスターバッチを製造する
ことを特徴とする、半導体デバイス封止材用のエポキシ
樹脂系ブラック酸化チタンマスターバッチの製造方法;
である。
【0016】使用する希釈樹脂の組み合わせは次の通り
である。 一般式 (ここにR7〜R11は水素原子またはメチル基を表し、
互いに同じであっても異なっていてもよい) 一般式 (ここにR7−R14は水素原子またはメチル基を表し、
互いに同じであっても異なっていてもよい)で表される
4官能フェノール樹脂(3)と3官能フェノール(2)
樹脂との混合物である。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明の樹脂分散体の黒色顔料で
ある酸化チタンは、粉状であり、粉体特性のうち、電子
顕微鏡による一次平均粒子径が0.03〜0.5nmで
あり、比表面が20〜60m2/gの範囲、吸油量が30
〜40ml/100gの範囲にあり、X線回折からTi
O、Ti23、Ti35、Ti47からなる群から選択
される2種以上の混合物から構成されている。
【0018】本発明の樹脂分散体の分散媒体である、2
5℃で固形のエポキシ樹脂としては、各種のエポキシ樹
脂を用いることができる。たとえば多官能固形エポキシ
樹脂、結晶性エポキシ樹脂、二官能固形エポキシ樹脂、
トリグリシジルイソシアヌレート、ビスフェノールF型
エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等が挙
げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独であるいは2
種以上あわせて用いられる。
【0019】本発明において多官能エポキシ樹脂は、1
分子中のエポキシ基の総数が3個以上であるエポキシ樹
脂をいう。このような多官能エポキシ樹脂としては、た
とえば、市販されている商品名EXA-4701(大日本イ
ンキ社製)で代表される四官能ナフタレン型エポキシ樹
脂、市販されている商品名EPPN-501HY(日本化薬
社製)で代表されるトリフェニルメタン型、ジシクロベ
ンタジエン型、三井化学社製の商品名テクモアVG310
1L、オルソクレゾール/ノボラック型エポキシ樹脂等
が挙げられる。
【0020】また、結晶エポキシ樹脂とは、X線回折に
より多数の結晶のピークが現れる固形エポキシ樹脂であ
って、物理的にシャープな融点を示し、かつ溶融時には
分子間相互作用がほとんどなくなるために極端に粘度が
低下する性質を有するものをいう。このような結晶性エ
ポキシ樹脂としては、たとえば、ビスフェノール型、ビ
フェニル型、スチルベン型等が挙げられる。
【0021】なお、本発明において上記固形エポキシ樹
脂は、単独で用いた場合は、そのエポキシ樹脂が25℃
で固形を示すものであり、2種以上用いる場合において
は混合して得られるエポキシ樹脂混合物が25℃で固形
を示すものである。そして、固形エポキシ樹脂はエポキ
シ当量が140〜250g/eqであり、軟化点が50
〜100℃、融点が45〜150℃のものを用いること
が好ましく、軟化点が60〜80℃、融点が50〜13
0℃のものを用いることが好適である。
【0022】分散のための分散容器は上記の軟化点また
は融点に設定できる加熱装置を具備したものを用いる。
容器の材質はガラス、セラミックス、フッ素樹脂やステ
ンレススチール等で腐食が生じない材質であれば特に限
定するものではない。しかし、伝熱性の面からは金属容
器が好適に使用できる。
【0023】加熱分散装置の構造は、内部で攪拌がで
き、且つ内部のエポキシ樹脂を加熱溶融できる装置を具
備していればよく、形状は円筒形の筒状が好ましい。円
筒形の筒の一方を閉鎖し、閉鎖部分を下にして立てた状
態で、攪拌翼で内部を攪拌してもよい。また、横型とし
て、円筒の両端を閉鎖し、その一部を開孔し、循環式と
してもよい。しかし、この場合には別に溶解槽と循環装
置を具備しなければならない。要するに分散機は溶融し
たエポキシ樹脂とブラック酸化チタンを所望の分散状態
に分散させることができればよい。
【0024】分散翼は円筒内径の50〜95%の径を有
するのが好ましく、周速を1.6m/秒以上、好ましく
は1.6〜140m/秒の範囲で選択し、攪拌する。攪
拌翼は1枚でも良いが分散媒体であるメディアの攪拌を
均一にするのには複数枚を直列に翼を配列して分散する
のが好ましい。
【0025】加熱温度は50〜200℃、好ましくは8
0〜180℃である。メディア粒子径は0.1〜4.0
mm、好ましくは0.3〜1.0mmであり、メディア
の使用量は分散機の有効空間に対して、30〜95体積
%、特に50〜90体積%が好ましい。
【0026】〔加熱濾過装置〕加熱温度50〜200
℃、好ましくは80〜180℃の間に温度設定できるフ
ィルター式濾過装置があればよい。濾過に際して、加圧
または減圧、機械振動や音波振動を加えることによって
濾過スピードが速くなり効率があがるので、装置はその
ような機能を具備してもよい。
【0027】〔フィルター〕フィルターはステンレス製
の場合は5μ径までは綾織を使用できるが、10μ以下
の場合にはステンレス鋼繊維を高温真空下において焼結
したものを用いることがもっとも好ましい。例えば、二
本精線(株)製ナスロンフィルターNF-03,NF-05,NF-06
などが好適に使用できる。その他に所望の開孔が得られ
れば、シリカやアルミナの焼結体を用いても良い。
【0028】〔分散媒体であるメディアの材質〕メディ
アの種類はガラス系、ジルコニア系、アルミナ系、チタ
ニア系とテフロン(登録商標)系等のエポキシ樹脂およ
び酸化チタンに不活性なメディアを使用することが好ま
しい。なお、ガラス系の場合には攪拌によるメディアの
損傷が少なく且つ、不純物の少ないハイビータイプのも
の使用することが好ましい。
【0029】〔加熱分散および濾過装置の温度制御〕加
熱分散および濾過装置においては、温度によって分散体
の粘度が変化し分散の不均一性が発生することから、加
熱分散および濾過装置の温度は設定温度の±4℃以内、
好ましくは±2℃以内、さらに好ましくは±1℃以内に
制御することが好ましい。
【0030】加熱装置は電気炉、リボンヒーター、バン
ドヒーター、熱媒体循環式加熱機や面発熱体等が好まし
い。設定温度における温度の制御は±2℃、好適には±
1℃で制御できるような温度制御装置を用いることが好
ましい。また、発熱域が上部と下部で温度差が発生する
場合には分割して制御して加熱することが好ましい。加
熱温度は50〜200℃の範囲で樹脂の軟化点や融点に
よって定められるが、80〜180℃の間の温度から設
定するのが好適である。
【0031】分散媒体(メディア)であるビーズはガラ
ス系、ジルコニア系、アルミナ系、チタニア系とテフロ
ン系等の、エポキシ樹脂および酸化チタンに不活性なメ
ディアを使用することが好ましい。なお、メディアがガ
ラス系の場合には攪拌による損傷が少なく且つ、不純物
の少ないハービータイプのものを使用することが好まし
い。さらにジルコニア製のものがより好適に使用でき
る。
【0032】それらのビーズ粒子径は0.1〜4.0m
mから分散度にあわせて適宜選択して使用することがで
きる。作業性からは0.3〜1.0mmのものが好適で
ある。
【0033】メディアの使用量は分散機の未充填での分
散有効空間に対して、通常、30〜95体積%を占めれ
ばよいが好ましくは50〜90体積%である。
【0034】分散するための攪拌翼の回転数は樹脂の溶
解粘度によって、適宜、設定することが望ましい。分散
が不十分な場合にはやや粘度が高いので回転数の設定も
高くするが、分散が進むにつれて粘度が低下するので回
転数も若干下げることが望ましい。回転数は周速が1.
6〜140m/秒の範囲で適宜調節することが望ましい
が、好ましくは1.6〜50m/秒、さらに好ましくは
1.6〜30m/秒で好適に使用できる。
【0035】分散時間は分散機に滞留している時間とし
ては所望の分散レベルに達するまで適宜調節して分散す
ることが望ましい。かくして得られた溶融している分散
体はそのまま速やかに、予め加熱されたフィルターで濾
過して異物を取り除かれる。
【0036】加熱濾過装置の加熱温度50〜200℃、
好ましくは80〜180℃の間に温度設定できるフィル
ター式濾過装置が具備されていなければならない。濾過
に際して、加圧または減圧、機械振動や音波振動を加え
ることによって、濾過スピードが速くなり効率があがる
のでそのような設備を具備してもよい。濾過装置の温度
の制御は温度によって、分散体の粘度が変化するために
濾過速度が変動することから、設定温度の±4℃以内、
好ましくは±2℃以内、さらに好ましくは±1℃以内に
制御することが好ましい。
【0037】フィルターの加熱温度は50〜200℃の
範囲で樹脂の軟化点や融点によって定められるが、80
〜180℃の間の温度から設定すると好適に使用できる
【0038】フィルターの開孔は10μm、好ましくは
8μm、さらに好ましくは3μm以下のものを使用す
る。また大きな開孔のフィルターで、あらかじめ予備濾
過してから上述の濾過を行ってもよい。
【0039】フィルターはステンレス製の場合は5μm
径までは綾織を使用できるが、好ましくは10μm以下
の場合にはステンレス鋼繊維を高温真空下において焼結
したものを用いることがもっとも好ましい。例えば、二
本精線(株)製ナスロンフィルターNF−303,NF
−05,NF−06などが好適に使用できる。その他に
所望の開孔が得られれば、シリカやアルミナの焼結体を
用いても良い。
【0040】得られる分散体は常温まで冷却後、所望の
大きさに粉砕される。粉砕は異物が混入しなければ公知
の粉砕機が使用できる。たとえば少量規模であれば家庭
用電気ミキサーから大容量では株式会社ダルトン製パワ
ーミル等が有効に使用できる。粉砕粒子径は4mm以
下、好ましくは2mm以下であると希釈樹脂やエポキシ
樹脂樹脂等への配合が行いやすい。
【0041】本発明によれば、エポキシ樹脂系ブラック
酸化チタンマスターバッチのすべてのブラック酸化チタ
ン分散粒子がすべて10μm以下であり、また再加熱、
希釈樹脂との混合分散においても、凝集することない分
散の安定した封止材着色用エポキシ樹脂系ブラック酸化
チタンマスターバッチが得られる。
【0042】次に、本発明の実施例を挙げてさらに具体
的に説明するが、これは単に例示であって、本発明を制
限するものではない。まず、実施例に先立ち、下記の材
料と測定基準を示す。
【0043】〔ブラック顔料〕 〔ブラック酸化チタン-1〕 チタン粉末(Ti)と酸
化チタン(TiO2)を1600℃、真空中で黒色度が
一定になるまで加熱して得られた赤味系黒色粉体であ
り、X線回折から主にTiOとTi23からなり、TG
−DTA分析からTiO1.33である酸化チタン。
【0044】〔ブラック酸化チタン−2〕 塩化チタン
(Ticl2)と水素(H2)の混合気体中にて1000
℃で反応させて得られる青味系黒色粉体であり、X線回
折から主にTi34とTi47からなり、TG−DTA
分析からTi34.02である酸化チタン。
【0045】〔カーボンブラックCB−1〕 三菱化学
社製カーボンブラック(商品名:三菱カーボンブラック
#3030)で、窒素吸着による比表面積35m2/g、
DBP吸油量134ml/100g、一次粒子径53n
mの特性を有する。
【0046】〔カーボンブラックCB−2〕 旭カーボ
ン社製カーボンブラック(商品名:410)。窒素吸着
による比表面積22m2/g、DBP吸油量73ml/
100g、一次粒子径85nmの特性を有する。
【0047】X線回折の装置と測定条件 マックスサイエンス製X線回折装置、加速電圧40k
V、電流値20mA、1.0deg/min。
【0048】DTA装置と測定条件 理学電機製熱分析装置、サンプル重量70〜80mg、
Pan 白金製、雰囲気 空気 昇温 20℃/min、サンプリング 0.8秒、リフ
ァレンッス アルミナ。
【0049】窒素吸着による比表面積測定 カーボンブラック便覧 昭和46年11月25日発行P
178−183に準ずる。
【0050】DBP吸着量の測定 カーボンブラック便覧 昭和46年11月25日発行P
440−441記載のA法。
【0051】一次粒子径の測定 電子顕微鏡写真から測定、カーボンブラック便覧 昭和
46年11月25日発行P510−512に準ずる。
【0052】〔エポキシ樹脂〕 〔エポキシ樹脂EP−1〕 大日本インク社製 四官能
ナフタレン型エポキシ樹脂(商品名:EXA−470
1)、25℃で固形、エポキシ当量167g/eq、軟
化点68℃。
【0053】〔エポキシ樹脂EP−2〕 日本化薬社製
トリフェニルメタン型エポキシ樹脂(商品名:EPPN
−501HY)、25℃で固形、エポキシ当量170g
/eq、軟化点62℃。
【0054】〔エポキシ樹脂EP−3〕 新日鉄化学社
製固形エポキシ樹脂(商品名:GK−4292)、25
℃で固形、エポキシ当量247g/eq、融点121
℃。
【0055】〔エポキシ樹脂EP−4〕 新日鉄化学社
製固形エポキシ樹脂(商品名:GK−4137)、25
℃で固形、エポキシ当量174g/eq、融点79℃。
【0056】〔エポキシ樹脂EP−5〕 新日鉄化学社
製固形エポキシ樹脂(商品名:GK−5079)、25
℃で固形、エポキシ当量190g/eq。
【0057】〔エポキシ樹脂EP−6〕 日産化学社製
固形エポキシ樹脂(商品名:TEPIC-S)、25℃
で固形、エポキシ当量100g/eq。
【0058】〔フェノール樹脂〕 〔フェノール樹脂PH−1〕 昭和化成社製アリル化フ
ェノールノボラック(商品名:MEH−8005H)、
25℃で液状、水酸基当量135g/eq。この濾過に
おいて濾過収率が着色調節にほとんど影響しない99%
以上を◎、若干影響する95〜98%を○、影響を及ぼ
す90〜95%を△、90%以下を×とした。
【0059】得られた分散体を50倍量のマスターバッ
チの樹脂と同一樹脂とともに170℃で15分間放置
後、その一部をガラス製プレパラートにのせて常温にな
るまで冷却する。これを光学顕微鏡で観察し、15μm
以上、15μm〜10μmと10μm以下の凝集塊の有
無を調べる。15μm以上が存在する場合は使用不可す
なわち×、15〜10μmを△、5〜10μmを○、5
μm以下を◎とした。
【0060】〔濾過性の判断基準〕加圧圧力に関係な
く、150μmでビーズを分離した後のマスターバッチ
重量とフィルター前のマスターバッチ重量と加圧濾過後
のフィルター上に残存した量から濾過重量収率を求め
た。 濾過重量収率=(B−A)/B×100 A:フィルター上の残存物の重量(g) B:150μでビーズを分離した後のマスターバッチ重
量(g)
【0061】着色調節に顔料補正が全くいらない99%
以上を◎、ほとんどいらない95〜98%を○、影響を
及ぼす90〜95%を△、使用不可の90%以下を×と
した。
【0062】〔凝集塊の大きさの判定基準〕得られた分
散体(マスターバッチ)をそれと同一のエポキシ樹脂、
他のエポキシ樹脂又はフェノール樹脂により170℃で
10倍〜100倍に希釈し、170℃で15分間放置
後、その一部をガラス製プレパラートにのせて常温に冷
却して、光学顕微鏡で観察し、15μm以上、15μm
〜10μmと10μm以下の凝集塊の有無を調べた。1
5μm以上が視野内に存在する場合は使用不可すなわち
×、15〜10μmを△、5〜10μmを○、5μm以
下を◎とした。
【0063】実施例1 エポキシ樹脂として上記EP−1 11.67重量%、
黒色顔料としてブラック酸化チタン−1 27.22重
量%、及び粒子径1mmガラスビーズ(分散媒) 6
1.11重量%からなる混合物50gを、内径40m
m、高さ15cmのステンレス製容器に入れ、150℃
に加熱し溶融後、攪拌翼(直径35mm)の周速を2.
2m/秒で2時間攪拌分散した。加温した状態であらか
じめ開孔150μのステンテス網でビーズを除去し、つ
いで開孔5μの日本精線製ステンレスフィルター(商品
名:NF−06)のついた120℃に加熱した加圧加熱
濾過装置に入れ、十分所定の温度まで昇温してから、空
気で1kg/に加圧して濾過して、マスターバッチを得
た。マスターバッチ1gをエポキシ樹脂(EP−1)6
0gと混合し、上記判定基準により170℃、15分で
の凝集塊を測定した。
【0064】実施例2 攪拌翼の周速を1.6m/秒とした以外は、実施例1と
同一条件でマスターバッチを製造し、次いで凝集塊を測
定した。
【0065】実施例3 エポキシ樹脂をEP−1 6.27重量%とし、さら
に、黒色顔料としてブラック酸化チタン−114.62
重量%、粒子径1mmジルコニアビーズ 79.1重量
%(実施例1のガラスビーズとほぼ同容積量)、撹拌翼
の周速を3.3m/秒、開孔3μの日本精線製ステンレ
スフィルターNF−03とした以外は、実施例1と同一
条件でマスターバッチを製造し、次いで凝集塊を測定し
た。
【0066】比較例1 攪拌翼の周速を0.07m/秒とした以外は、実施例1
と同一条件でマスターバッチを製造し、次いで凝集塊を
測定した。
【0067】比較例2 攪拌翼の周速を0.3m/秒とし、フィルターの開孔眼
を20μmの日本精線製ステンレスフィルターNF−0
8とした以外は、実施例1と同一条件でマスターバッチ
を製造し、次いで凝集塊を測定した。
【0068】
【0069】実施例4 黒色顔料をブラック酸化チタン−2とした以外は、実施
例1と同一条件でマスターバッチを製造し、次いで凝集
塊を測定した。
【0070】実施例5 ガラスビーズを0.5mmとした以外は、実施例4と同
一条件でマスターバッチを製造し、次いで凝集塊を測定
した。
【0071】比較例4 ビーズを8.0mmのガラスビーズとした以外は、実施
例4と同一条件でマスターバッチを製造し、次いで凝集
塊を測定した。
【0072】比較例5 エポキシ樹脂をEP−1 7.78重量%とし、さらに
黒色顔料としてカーボンブラックCB−1 31.11
重量%、1mmガラスビーズ 61.11重量%とした
以外は、実施例4と同一条件でマスターバッチを製造
し、次いで凝集塊を測定した。
【0073】比較例6 黒色顔料をカーボンブラックCB−2とした以外は、実
施例5と同一条件でマスターバッチを製造し、次いで凝
集塊を測定した。
【0074】
【0075】実施例6 樹脂をエポキシ樹脂EP−2とした以外は、実施例1と
同一条件でマスターバッチを製造し、次いで凝集塊を測
定した。
【0076】実施例7 樹脂をエポキシ樹脂EP−3とした以外は、実施例1と
同一条件でマスターバッチを製造し、次いで凝集塊を測
定した。
【0077】実施例8 樹脂をエポキシ樹脂EP−4とした以外は、実施例1と
同一条件でマスターバッチを製造し、次いで凝集塊を測
定した。
【0078】実施例9 樹脂をエポキシ樹脂EP−5とした以外は、実施例1と
同一条件でマスターバッチを製造し、次いで凝集塊を測
定した。
【0079】実施例10 樹脂をエポキシ樹脂EP−6とした以外は、実施例1と
同一条件でマスターバッチを製造し、次いで凝集塊を測
定した。
【0080】実施例11 マスターバッチには実施例1で使用した樹脂(EP−
1)を使用し、希釈樹脂をEP−1のかわりにフェノー
ル樹脂PH−1とした以外は、実施例1と同一条件でマ
スターバッチを製造し、次いで凝集塊を測定した。
【0081】
【0082】
【発明の効果】本発明によれば、高い着色性で加熱によ
る再凝集性のない高濃度の着色顔料が配合されたエポキ
シ樹脂系ブラック酸化チタンマスターバッチが得られ
る。このマスターバッチは、希釈樹脂で溶融希釈するこ
とにより、高い着色性を有し、加熱して静置しておいて
も再凝集の起こらない、優れた封止材が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 23/31 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08L 63/00 - 63/10 C08G 59/62 C08J 3/22 C08K 3/22 H01L 23/29

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 エポキシ樹脂に少なくとも着色材を含む
    充填材が分散されてなる、半導体デバイス封止材用のエ
    ポキシ樹脂系ブラック酸化チタンマスターバッチであっ
    て、 着色材が、一般式 TiWX (1) (ここにWは1から3の整数を表し、Xは1.0から
    7.0までの数を表す) で表される化合物の混合物であるブラック酸化チタンで
    あり、着色材の量がエポキシ樹脂とブラック酸化チタン
    の合計量に対し、5〜70重量%であり;エポキシ樹脂
    が、25℃で固形で、エポキシ当量が140〜250g
    /eq、軟化点及び融点がそれぞれ50〜120℃及び
    45〜180℃で、エポキシ樹脂の量がエポキシ樹脂と
    ブラック酸化チタンの合計量に対し95〜30重量%で
    あり;さらにその他の充填材を任意に含み; 充填材が10μm以下の粒子に分散されてなり、前記マスターバッチを 希釈樹脂で溶融希釈して半導体デ
    バイスを高温下で封止する封止材としたときに、着色材
    を含む充填材の凝集による粗粒の発生を防止できる、前記 マスターバッチ。
  2. 【請求項2】 エポキシ樹脂に少なくとも着色材を含む
    充填材が分散されてなる、半導体デバイスの高温下封止
    の用に供し得る充填材マスターバッチの製造方法におい
    て、該マスターバッチが 一般式 TiWX (1) (ここにWは1から3の整数を表し、Xは1.0から
    7.0までの数を表す) で表される化合物の混合物であるブラック酸化チタンを
    着色材として、エポキシ樹脂とブラック酸化チタンの合
    計量に対し5〜70重量%含み;25℃で固形で、エポ
    キシ当量が140〜250g/eq、軟化点及び融点が
    それぞれ50〜120℃及び45〜180℃であるエポ
    キシ樹脂を、エポキシ樹脂とブラック酸化チタンの合計
    量に対し95〜30重量%含み;さらに任意の、その他
    の充填材;で構成され、 該構成物を、 分散に供する物質を加熱循環する装置と、分散物を加熱
    ろ過する装置と、メディアを攪拌する攪拌機を装備した
    分散機中で;0.1〜4.0mmのメディアを用い、5
    0〜200℃の温度で、分散機の攪拌機の周速度が毎秒
    1.6m以上の条件で熱溶融分散し;溶融ろ過して充填
    材を10μ以下の分散粒子にすることにより、 希釈樹脂で溶融希釈し半導体デバイスを高温下で封止す
    る封止材としたときに、着色材を含む充填材の凝集によ
    る粗粒の発生を防止できる、マスターバッチを製造する
    ことを特徴とする、半導体デバイス封止材用のエポキシ
    樹脂系ブラック酸化チタンマスターバッチの製造方法。
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