JP3366593B2 - Method for manufacturing carbon or carbon-based film - Google Patents
Method for manufacturing carbon or carbon-based filmInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は光学的エネルギバン
ド巾が1.0eV 以上特に1.5 〜5.5eV を有する炭素または
炭素を主成とする被膜を被形成面上にコーティングする
ことにより、これら固体の表面の補強材、または機械ス
トレスにたいする保護材を得ようとする複合体に関する
ものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to the surface of these solids by coating carbon or a film mainly composed of carbon having an optical energy bandwidth of 1.0 eV or more, particularly 1.5 to 5.5 eV, on the surface to be formed. The present invention relates to a composite material for obtaining a reinforcing material or a protective material against mechanical stress.
【０００２】[0002]
【従来の技術】炭素膜のコーティングに関しては、本発
明人の出願になる特許願「炭素被膜を有する複合体及び
その作製方法」（特願昭56-146936 号昭和56年 5月17日
出願）が知られている。2. Description of the Related Art Regarding the coating of a carbon film, a patent application filed by the present inventor entitled "Composite with carbon film and method for producing the same" (Japanese Patent Application No. 56-146936, filed on May 17, 1981) It has been known.
【０００３】また炭素膜は耐摩耗材であると同時に高平
滑性、高熱伝導性等多くの特性を有しており、電気部品
その他に応用が期待されている。Further, the carbon film is a wear resistant material, and at the same time has many characteristics such as high smoothness and high thermal conductivity, and is expected to be applied to electric parts and the like.
【０００４】被形成面上にダイヤモンド類似の硬さを有
するアモルファス（非晶質）または5 〜200 Åの大きさ
の微結晶性を有するセミアモルファス( 半非晶質) 構造
を有する炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する
場合、被形成面を有する基板を設けた高周波印加電極の
近傍において、プラズマ中の電子が高周波印加電極に蓄
積されることによって生じるセルフバイアスにより加速
された正イオン( 例えばH + ) を、形成中の炭素または
炭素を主成分とする被膜に衝突させることにより、その
炭素または炭素を主成分とする被膜をより硬度の大き
な、ダイヤモンドに近い構造を持った炭素膜を作ること
を行なってきた。これは正イオンを衝突させることでＣ
＝Ｃのような二重結合を有する炭素の割合を減らしてＣ
−Ｃの結合をゆうする炭素を増やしたり、あるいは炭素
原子に結合している水素原子をなくすことにより sp2混
成軌道をもついわゆる三方炭素やsp混成軌道をもついわ
ゆる二方炭素を無くし sp3混成軌道をもったいわゆる四
方炭素の割合を増やすことによりダイヤモンド結合を生
じやすくするためである。Amorphous (amorphous) having a hardness similar to diamond or carbon or carbon having a semi-amorphous (semi-amorphous) structure having a microcrystalline size of 5 to 200 Å is formed on the surface to be formed. When forming a film containing the main component, in the vicinity of the high frequency applying electrode provided with the substrate having the surface to be formed, positive ions accelerated by self-bias generated by the electrons in the plasma being accumulated in the high frequency applying electrode ( For example, (H + ) is made to collide with carbon or a film containing carbon as a main component during formation to form a carbon film having a structure similar to diamond with a higher hardness in the carbon or the film containing carbon as a main component. I've been making things. This is caused by colliding positive ions with C
C by reducing the proportion of carbons having a double bond such as ═C
-By increasing the number of carbon atoms that bond to C, or by eliminating the hydrogen atoms that are bonded to carbon atoms, the so-called three-way carbon having an sp 2 hybrid orbital and the so-called two-way carbon having an sp hybrid orbital are eliminated and sp 3 hybridized. This is because it is easy to cause diamond bonding by increasing the proportion of so-called tetragonal carbon having orbital.
【０００５】従ってより硬度の大きい炭素または炭素を
主成分とする被膜を作成しようとするときは、高周波印
加電極近傍に発生するセルフバイアスを大きくして正イ
オンの加速を大きくしなければならない。Therefore, in order to form a carbon film having a higher hardness or a film containing carbon as a main component, it is necessary to increase the self-bias generated in the vicinity of the high frequency applying electrode to increase the acceleration of positive ions.
【０００６】このセルフバイアスを増加させるために行
われている方法としては、先ず第１に反応圧力を減少さ
せる方法がある。これは炭素または炭素を主成分とする
被膜形成に使用する炭化水素化物気体の圧力を減少させ
ることにより単位体積中に含まれる炭化水素化物気体分
子の個数が減少するため、相対的に気体を分解するため
に加えられている高周波エネルギの出力が大きくなりプ
ラズマ中の電子が増大して高周波印加電極に蓄積される
ためセルスバイアスが増大するということに基づくもの
である。As a method used to increase the self-bias, firstly, there is a method of decreasing the reaction pressure. This is because the number of hydrocarbon gas molecules contained in a unit volume is reduced by reducing the pressure of carbon or a hydrocarbon gas used for forming a film containing carbon as a main component, so that the gas is relatively decomposed. This is based on the fact that the output of the high-frequency energy applied to increase the number of electrons increases in the plasma and accumulates in the high-frequency applying electrode, which increases the cell bias.
【０００７】また、高周波エネルギの出力を増大させる
方法があるが、これは上述した如く、気体を分解するエ
ネルギが増大するとプラズマ中の電子が増大するため
に、高周波印加電極への電子の蓄積が増大してセルフバ
イアスが大きくなることによるものである。There is also a method of increasing the output of high-frequency energy. This is because accumulation of electrons in the high-frequency application electrode is increased because the number of electrons in plasma increases as the energy for decomposing gas increases, as described above. This is because the self-bias increases with the increase.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら炭素また
は炭素を主成分とする被膜を形成する際に水素または酸
素等の添加物を加えることによりセルフバイアスを大き
くして成膜することは全く知られていない。However, it is completely known to form a film with a large self-bias by adding an additive such as hydrogen or oxygen when forming a film containing carbon or carbon as a main component. Absent.
【０００９】本発明は炭素または炭素を主成分とする被
膜を形成する際に水素または酸素等の添加物を加えると
セルフバイアスが大きくなるという知見に基づいて成さ
れたものであり硬度のおおきな炭素または炭素を主成分
とする被膜を作成することを目的としている。The present invention was made on the basis of the finding that self-bias increases when an additive such as hydrogen or oxygen is added when forming carbon or a coating film containing carbon as a main component. Alternatively, it is intended to form a coating film containing carbon as a main component.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は上記の知見に基
づいて、被形成面を有する基板に接して設けられた第１
の電極と第２の電極との間に直流または高周波エネルギ
を加えて、発生させたプラズマにより炭化水素化物気体
とまたはこれに加えて添加物気体とを分解反応せしめて
上記被形成面上に炭素膜を形成する方法において、炭素
膜形成の際、水素または酸素を添加することとしたもの
である。The present invention is based on the above findings, and is provided with a first substrate provided in contact with a substrate having a formation surface.
DC or high-frequency energy is applied between the second electrode and the second electrode, and the generated plasma decomposes the hydrocarbon gas and / or the additive gas to cause carbon on the formation surface. In the method of forming a film, hydrogen or oxygen is added when the carbon film is formed.
【００１１】また、本発明は、被形成面を有する基板に
接して設けられた第１の電極と第２の電極との間に直流
または高周波エネルギを加えて、発生させたプラズマに
より炭化水素化物気体とまたはこれに加えて添加物気体
とを分解反応せしめて上記被形成面上に炭素膜を形成す
る方法において、炭素膜形成の際、水素または酸素の添
加量を変化させることにより形成される炭素または炭素
を主成分とする被膜の硬度を被形成面側より炭素膜表面
に向かって増加させることとしたものである。以下に実
施例と共に本発明を具体的に説明する。Further, according to the present invention, a direct current or high frequency energy is applied between a first electrode and a second electrode provided in contact with a substrate having a surface to be formed, and a hydrocarbon is generated by plasma generated. In the method of forming a carbon film on the surface to be formed by decomposing a gas or an additive gas in addition to the gas, the carbon film is formed by changing the addition amount of hydrogen or oxygen. The hardness of carbon or a coating film containing carbon as a main component is increased from the surface to be formed toward the surface of the carbon film. The present invention will be specifically described below with reference to examples.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】図１は本発明の炭素または炭素を
主成分とする被膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置
の概要を示す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows the outline of a plasma CVD apparatus for forming carbon or a film containing carbon as a main component of the present invention.
【００１３】図１のドーピング系(1) において、添加物
である水素または酸素を(2) より、反応性気体である炭
化水素気体例えばメタン、エチレンを(3) より、III 価
不純物のジボラン（水素希釈）(4) 、Ｖ価不純物のアン
モニアまたはフォスヒンを(5) よりバルブ(6) 、流量計
(7) をへて反応系(8) 中にノズル(9) より導入される。
このノズルに至る前に、反応性気体の励起用にマイクロ
波エネルギを(10)で加えて予め活性化させることは有効
である。In the doping system (1) of FIG. 1, hydrogen or oxygen as an additive is added from (2), a hydrocarbon gas such as a reactive gas such as methane or ethylene is added from (3), and diborane (III) as a trivalent impurity ( (Hydrogen dilution) (4), V-impurity ammonia or foshin from (5) valve (6), flow meter
It is introduced into the reaction system (8) through the nozzle (9) through the nozzle (7).
Before reaching this nozzle, it is effective to add microwave energy at (10) to excite the reactive gas and preactivate it.
【００１４】反応系(8) には第１の電極(11)、第２の電
極(12)を設けた。一対の電極(11)、(12)間には高周波電
源(13)、マッチングトランス(14)、直流バイヤス電源(1
5)より電気エネルギが加えられ、プラズマが発生する。
排気系(16)は圧力調整バルブ(17)、ターボ分子ポンプ(1
8)、ロータリーポンプ(19)をへて不用気体を排気する。The reaction system (8) was provided with a first electrode (11) and a second electrode (12). A high frequency power supply (13), a matching transformer (14), a DC bias power supply (1) between the pair of electrodes (11), (12).
Electric energy is applied from 5) and plasma is generated.
The exhaust system (16) consists of a pressure regulating valve (17) and a turbo molecular pump (1
8), evacuate the unnecessary gas through the rotary pump (19).
【００１５】反応性気体には、反応空間(20)における圧
力が0.001 〜10torr代表的には0.01〜0.5torr の下で高
周波もしくは直流によるエネルギにより0.1 〜5KW のエ
ネルギが加えられる。Energy of 0.1 to 5 KW is applied to the reactive gas by high frequency or direct current energy when the pressure in the reaction space (20) is 0.001 to 10 torr, typically 0.01 to 0.5 torr.
【００１６】特に励起源が 1GHZ 以上、例えば2.45GHZ
の周波数にあっては、C-H 結合より水素を分離し、さら
に周波数源が0.1 〜50MHZ 例えば13.56MHzの周波数にあ
ってはC-C 結合、C=C 結合を分解し、-C-C- 結合を作
り、炭素の不対結合手同志を互いに衝突させて共有結合
させ、安定なダイヤモンド構造を局部的に有した構造と
させ得る。[0016] In particular, the excitation source is 1GH Z or more, for example 2.45GH Z
In the frequency, to separate hydrogen from the CH bond, further frequency source CC bonds In the frequency of 0.1 ~50MH Z for example 13.56 MHz, to decompose the C = C bond, make -CC- bond, Carbon unpaired bonds can be made to collide with each other to form a covalent bond to form a stable diamond structure locally.
【００１７】直流バイアスは-200〜600V( 実質的には-4
00〜+400V)を加える。なぜなら、直流バイアスが零のと
きは自己バイアスが-200V(第２の電極を接地レベルとし
て）を有しているためである。DC bias is -200 to 600 V (substantially -4
00- + 400V) is added. This is because the self-bias has -200 V (with the second electrode at the ground level) when the DC bias is zero.
【００１８】炭化水素化物気体としては、メタン（C
H4）、エタン（C2H6）、エチレン(C2H4 )、メタン系炭
化水素(Cn H2n+2)等の気体または珪素を一部に含んだ場
合はテトラメチルシラン((CH3)4Si)、テトラエチルシラ
ン((C2H5)4Si) のような炭化珪素であっても、また四塩
化炭素（CCl4）のような塩化炭素であってもよい。The hydrocarbon gas is methane (C
H 4 ), ethane (C 2 H 6 ), ethylene (C 2 H 4 ), methane-based hydrocarbon (C n H 2n + 2 ), etc., or tetramethylsilane ((( CH 3) 4 Si), even silicon carbide such as Tetorae Ji Rushiran ((C 2 H 5) 4 Si), or may be a carbon chloride such as carbon tetrachloride (CCl 4).
【００１９】第１の電極は冷却手段を有しており、被形
成面上の温度を250 〜-100℃に保持させた。The first electrode had a cooling means, and the temperature on the surface to be formed was kept at 250 to -100 ° C.
【００２０】本発明に用いられる被形成面としては、Ｐ
ＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＳ、ＰＭＭ
Ａ、テフロン、エポキシ、ポリイミド等の有機樹脂基体
または金属メッシュ状キャリア、紙等テープ状キャリ
ア、ガラス、金属、セラミック、半導体、磁気ヘッド用
部材、磁気ディスク等がある。．The surface to be formed used in the present invention is P
ET (polyethylene terephthalate), PES, PMM
A, an organic resin substrate such as Teflon, epoxy, polyimide, or a metal mesh carrier, a tape carrier such as paper, glass, metal, ceramic, semiconductor, magnetic head member, magnetic disk and the like. ．
【００２１】図２は、図１に示す装置においてメタンを
100 SCCMの流量で導入し、高周波エネルギー60W を加
え、反応圧力10Paの条件で水素または酸素の添加量を変
化させた時のセルフバイアスの変化を示したものであ
る。FIG. 2 shows that methane is generated in the apparatus shown in FIG.
This figure shows the change in self-bias when introduced at a flow rate of 100 SCCM, high-frequency energy of 60 W was applied, and the addition amount of hydrogen or oxygen was changed under the reaction pressure of 10 Pa.
【００２２】水素または酸素を添加した時は明らかにセ
ルフバイアスが増加していることが示されている。比較
としてＮＦ3 の添加を行ってみたがセルフバイアスが逆
に小さくなっていることが示されている。It has been shown that the self-bias is clearly increased when hydrogen or oxygen is added. As a comparison, NF 3 was added, but it is shown that the self-bias is decreased.
【００２３】また図３には図２同様図１に示す装置にお
いてメタンを100 SCCMの流量で導入し、高周波エネルギ
600Wを加え、反応圧力10Paの条件で15分間成膜した場合
の水素または酸素の添加量とビッカース硬度との関係を
示す。水素または酸素の添加によりビッカース硬度の大
きな炭素または炭素を主成分とする被膜が得られること
がしめされている。ここでもＮＦ3 の添加によるビッカ
ース硬度の変化を比較してみたが逆に添加量に伴ってビ
ッカース硬度が小さくなっている。As in FIG. 2, methane is introduced at a flow rate of 100 SCCM in the apparatus shown in FIG.
The relationship between the added amount of hydrogen or oxygen and the Vickers hardness when a film is formed for 15 minutes under the reaction pressure of 10 Pa by adding 600 W is shown. It has been shown that by adding hydrogen or oxygen, a carbon having a high Vickers hardness or a coating film containing carbon as a main component can be obtained. Here again, the change in Vickers hardness due to the addition of NF 3 was compared, but conversely, the Vickers hardness decreases with the addition amount.
【００２４】図４に図３に示した条件と同じ条件下で作
成した炭素または炭素を主成分とする被膜の水素または
酸素の添加量と膜厚との関係を示したものである。水素
または酸素の添加により膜厚は薄く成っていることがし
めされているが図５に示したＮＦ3 を用いた同じ条件に
よる実験の結果では添加量と共に膜厚は厚くなってい
る。FIG. 4 shows the relationship between the added amount of hydrogen or oxygen and the film thickness of carbon or a coating film containing carbon as a main component, which was produced under the same conditions as those shown in FIG. It is shown that the film thickness is made thin by the addition of hydrogen or oxygen, but the result of the experiment under the same conditions using NF 3 shown in FIG. 5 shows that the film thickness becomes thicker with the added amount.
【００２５】また本発明は被形成面上に炭素または炭素
を主成分とする被膜をコーティングし、その表面での耐
摩耗性等の機械的強度を補強しようというものであり、
そのためのダイヤモンド類似の硬さを有した炭素または
炭素を主成分とする被膜を被形成面上に直接形成させる
のではなく、被形成面に密接する部分から徐々に硬度を
上げてゆき、所望の膜厚のときに所望の硬度の炭素また
は炭素を主成分とする被膜が得られるように添加物気体
の添加量を変化させることに特徴を有する。Further, the present invention is to coat the surface to be formed with carbon or a film containing carbon as a main component to reinforce mechanical strength such as abrasion resistance on the surface.
Therefore, instead of directly forming a carbon or carbon-based coating having a hardness similar to diamond on the formation surface, gradually increase the hardness from the portion in close contact with the formation surface, It is characterized in that the additive amount of the additive gas is changed so that carbon having a desired hardness or a coating film containing carbon as a main component can be obtained at a film thickness.
【００２６】被形成面上に直接ダイヤモンド類似の硬さ
を有した膜を形成させようとするとセルフバイアスを大
きくして炭素または炭素を主成分とする被膜を形成させ
ることを行わなければならず、被形成面へのスパッタは
避けることはできないが、被形成面上に密接した炭素ま
たは炭素を主成分とする被膜は、被形成面に損傷を与え
ない程度のセルフバイアスで作り得る硬さの炭素または
炭素を主成分とする被膜にしておき、徐々に硬度を上げ
た膜を積層させて、表面には所望の硬度を有した炭素ま
たは炭素を主成分とする被膜を形成すれば、被形成面と
の密接性も良くしかも大きな硬度を有した炭素または炭
素を主成分とする被膜を形成することができる。If a film having a hardness similar to that of diamond is to be formed directly on the surface to be formed, the self-bias must be increased to form carbon or a film containing carbon as a main component. Although spattering on the surface to be formed is unavoidable, carbon or a film mainly composed of carbon that is in close contact with the surface to be formed has a carbon hardness that can be created by self-bias that does not damage the surface to be formed. Alternatively, if a coating film containing carbon as a main component is formed, and films having a gradually increasing hardness are laminated, and carbon having a desired hardness or a coating film containing carbon as a main component is formed on the surface to be formed, It is possible to form carbon or a coating film containing carbon as a main component, which has good close contact with and has a large hardness.
【００２７】この場合、硬度の小さい膜から硬度の大き
い膜を何層かに別けて積層する方法と硬度を連続的に変
えて、単層の中で硬度が連続的に変化した炭素または炭
素を主成分とする被膜を形成させる方法とがある。In this case, a method of laminating a film having a small hardness to a film having a large hardness in several layers and the hardness are continuously changed to remove carbon or carbon whose hardness continuously changes in a single layer. There is a method of forming a coating film containing the main component.
【００２８】本発明では被形成面をカソード電極に置い
た。これは被形成面をアノード側に置いたときとカソー
ド側に置いたときとの形成された炭素膜の膜質を比較し
た場合、カソード側に被形成面を置いたときの方が硬度
の大きな炭素膜が速い成膜速度で得られるからである。In the present invention, the surface to be formed is placed on the cathode electrode. This is because when comparing the film quality of the formed carbon film when the surface to be formed is placed on the anode side and the cathode side, carbon having a higher hardness when the surface to be formed is placed on the cathode side is compared. This is because the film can be obtained at a high film formation rate.
【００２９】以上のようにしてプラズマにより被形成面
上にビッカース硬度2000Kg/mm2以上を有するとともに、
熱伝導度2.5W/cm deg 以上のC-C 結合を多数形成したア
モルファス構造または微結晶構造を有するアモルファス
構造の炭素を生成させた。さらにこの電磁エネルギは50
W 〜1KW を供給し、単位面積あたり0.03〜3W/cm2のプラ
ズマエネルギを加えた。As described above, while having a Vickers hardness of 2000 kg / mm 2 or more on the surface to be formed by plasma,
Carbon with an amorphous structure or a microcrystalline structure having a large number of CC bonds with a thermal conductivity of 2.5 W / cm deg or more was formed. Furthermore, this electromagnetic energy is 50
W ~ 1 KW was supplied, and plasma energy of 0.03 ~ 3 W / cm 2 was applied per unit area.
【００３０】[0030]
【実施例】〔実施例１〕図１に示した装置において、被
形成面を有した基板上に本発明方法により炭素膜を形成
した。EXAMPLES Example 1 In the apparatus shown in FIG. 1, a carbon film was formed on a substrate having a formation surface by the method of the present invention.
【００３１】先ず反応系にノズルより水素を10SCCM、メ
タンを100 SCCMの流量で水素の添加されたメタンを導入
し、圧力を0.03torrに保持し、メタンに対し５０Ｗの高
周波エネルギを加え、セルフバイアス−１５０Ｖの条件
で室温に保持されたSi基板上に１５０分間膜形成を行
い、第１の層を形成した。次にノズルより水素を50SCC
M、メタンを100 SCCMの流量で水素の添加されたメタン
を導入し、圧力を0.015 torrに保持してメタンに対し１
００Ｗの高周波エネルギを加え、セルフバイアス−２０
０Ｖの条件で被形成面を１５０℃に保持して１５０分間
膜形成を行い第２の層とした。First, hydrogen was added to the reaction system through a nozzle at a flow rate of 10 SCCM and methane at a flow rate of 100 SCCM, methane to which hydrogen was added was introduced, the pressure was maintained at 0.03 torr, and high-frequency energy of 50 W was applied to the methane to perform self-bias. A film was formed on a Si substrate kept at room temperature under the condition of −150 V for 150 minutes to form a first layer. Next, 50 SCC hydrogen from the nozzle
M and methane were introduced at a flow rate of 100 SCCM and methane to which hydrogen was added was introduced.
High-frequency energy of 00W is applied, and self-bias -20
The surface to be formed was kept at 150 ° C. under the condition of 0 V to form a film for 150 minutes to form a second layer.
【００３２】そして第２の層上にノズルより水素を80SC
CM、メタンを100 SCCMの流量で水素の添加されたメタン
を導入し、反応系を0.015 torrに保持してメタンに対し
２００Ｗの高周波エネルギを加え、セルフバイアス−２
８０Ｖの条件で被形成面を室温に保持して６０分間膜形
成を行い第３の層とした。これら３つの層のビッカース
硬度を測定したところ第１の層は２２００Kg/mm2、第２
の層は３５００Kg/mm2、第３の層は４２００Kg/mm2、で
ありダイヤモンド類似の硬さを表面に有した炭素膜を被
形成面との密着性を良く形成させることができた。Then, 80 SC of hydrogen is supplied from the nozzle onto the second layer.
CM and methane were introduced at a flow rate of 100 SCCM, methane to which hydrogen was added was introduced, the reaction system was kept at 0.015 torr, and high-frequency energy of 200 W was applied to methane, and self-biased-2
The surface to be formed was kept at room temperature under the condition of 80 V to form a film for 60 minutes to form a third layer. When the Vickers hardness of these three layers was measured, the first layer was 2200 Kg / mm 2 , the second layer was
The third layer had a thickness of 3500 kg / mm 2 and the third layer had a weight of 4200 kg / mm 2 , and a carbon film having a hardness similar to diamond on the surface could be formed with good adhesion to the surface to be formed.
【００３３】〔実施例２〕反応系にノズルより酸素を10
SCCM、メタンを100 SCCMの流量で酸素の添加されたメタ
ンを導入し、圧力を0.03torrに保持し、メタンに対し５
０Ｗの高周波エネルギを加え、セルフバイアス−１５０
Ｖの条件で室温に保持されたSi基板上に１５０分間膜形
成を行い、第１の層を形成した。次にノズルより酸素を
50SCCM、メタンを100 SCCMの流量で酸素の添加されたメ
タンを導入し、圧力を0.015 torrに保持してメタンに対
し１００Ｗの高周波エネルギを加え、セルフバイアス−
２００Ｖの条件で被形成面を１５０℃に保持して１５０
分間膜形成を行い第２の層とした。そして第２の層上に
ノズルより酸素を80SCCM、メタンを100 SCCMの流量で酸
素の添加されたメタンを導入し、反応系を0.015 torrに
保持してメタンに対し２００Ｗの高周波エネルギを加
え、セルフバイアス−２８０Ｖの条件で被形成面を室温
に保持して６０分間膜形成を行い第３の層とした。Example 2 Oxygen was supplied to the reaction system from a nozzle at 10
SCCM, methane was introduced at a flow rate of 100 SCCM to which oxygen-added methane was introduced, the pressure was maintained at 0.03 torr, and the ratio was 5 for methane.
High-frequency energy of 0 W is applied, and self-bias of -150
A film was formed on a Si substrate kept at room temperature under the condition of V for 150 minutes to form a first layer. Then oxygen from the nozzle
Introducing methane to which oxygen was added at a flow rate of 50 SCCM and 100 SCCM, maintaining the pressure at 0.015 torr and applying high-frequency energy of 100 W to methane, and self-biasing-
The surface to be formed is kept at 150 ° C. under the condition of 200 V and then 150
A film was formed for a minute to form a second layer. Oxygen-added methane was introduced at a flow rate of 80 SCCM and methane of 100 SCCM from the nozzle onto the second layer, the reaction system was kept at 0.015 torr, and high-frequency energy of 200 W was added to the methane to perform self-treatment. The surface to be formed was kept at room temperature under the condition of bias of −280 V to form a film for 60 minutes to form a third layer.
【００３４】これら３つの層のビッカース硬度を測定し
たところ第１の層は２０００Kg/mm2、第２の層は３３０
０Kg/mm2、第３の層は４０００Kg/mm2、でありダイヤモ
ンド類似の硬さを表面に有した炭素膜を被形成面との密
着性を良く形成させることができた。When the Vickers hardness of these three layers was measured, the first layer was 2000 kg / mm 2 , and the second layer was 330.
It was 0 kg / mm 2 , and the third layer was 4000 kg / mm 2 , and a carbon film having a hardness similar to diamond on the surface could be formed with good adhesion to the formation surface.
【００３５】〔実施例３〕被形成面を有する基板の置か
れた反応系に水素を30SCCM、メタンを100 SCCMの流量で
水素の添加されたメタンを導入し、圧力を0.03torrに保
持し、メタンに対し100 Ｗの高周波エネルギを加え、１
５０分間膜形成を行い、第１の層を形成した。次に第１
の層の上に、水素の流量が50SCCMである以外は第１の層
と同じ条件で実施し第２の層を形成した。Example 3 Hydrogen-added methane was introduced at a flow rate of 30 SCCM and methane of 100 SCCM into a reaction system on which a substrate having a formation surface was placed, and the pressure was maintained at 0.03 torr. Add 100 W of high frequency energy to methane, and
Film formation was performed for 50 minutes to form a first layer. Then the first
A second layer was formed on the above layer under the same conditions as the first layer except that the flow rate of hydrogen was 50 SCCM.
【００３６】そして第２の層上に、水素の流量が80SCCM
である以外は第１の層と同一条件で実施した。その結
果、２４００Kg/mm2、３４００Kg/mm2、４２００Kg/m
m2、のビッカース硬度を有する第１の層、第２の層、第
３の層からなる炭素膜を形成させることができた。この
炭素膜は表面の硬度が４２００Kg/mm2とダイヤモンド類
似の硬さを有し、耐摩耗性、高熱伝導性、高平滑性に優
れたものであった。Then, on the second layer, the flow rate of hydrogen is 80 SCCM.
Was carried out under the same conditions as the first layer except that As a result, 2400Kg / mm 2 , 3400Kg / mm 2 , 4200Kg / m
A carbon film having a Vickers hardness of m 2 and composed of a first layer, a second layer, and a third layer could be formed. This carbon film had a surface hardness of 4200 kg / mm 2 and a hardness similar to diamond, and was excellent in wear resistance, high thermal conductivity and high smoothness.
【００３７】本実施例においては水素の流量のみを増加
させることにより炭素膜の硬度を大きくしたが、メタン
の流量を減少させても同様の効果が得られる。In the present embodiment, the hardness of the carbon film was increased by increasing only the flow rate of hydrogen, but the same effect can be obtained by decreasing the flow rate of methane.
【００３８】また本実施例では各炭素膜の層を一つの反
応室を用いて作成したが、反応室を複数接続させること
により各層をそれぞれ異なる反応室で形成させても良
い。In this embodiment, each carbon film layer is formed using one reaction chamber, but each layer may be formed in a different reaction chamber by connecting a plurality of reaction chambers.
【００３９】〔実施例４〕被形成面を有する基板の置か
れた反応系に酸素を30SCCM、メタンを100 SCCMの流量で
酸素の添加されたメタンを導入し、圧力を0.03torrに保
持し、メタンに対し100 Ｗの高周波エネルギを加え、１
５０分間膜形成を行い、第１の層を形成した。次に第１
の層の上に、酸素の流量が50SCCMである以外は第１の層
と同じ条件で実施し第２の層を形成した。そして第２の
層上に、酸素の流量が80SCCMである以外は第１の層と同
一条件で実施した。Example 4 Oxygen-added methane was introduced at a flow rate of 30 SCCM of oxygen and 100 SCCM of methane into a reaction system on which a substrate having a formation surface was placed, and the pressure was maintained at 0.03 torr. Add 100 W of high frequency energy to methane, and
Film formation was performed for 50 minutes to form a first layer. Then the first
A second layer was formed on the above layer under the same conditions as the first layer except that the flow rate of oxygen was 50 SCCM. And it implemented on the 2nd layer on the same conditions as the 1st layer except the flow rate of oxygen being 80 SCCM.
【００４０】その結果、２２００Kg/mm2、３１００Kg/m
m2、４０００Kg/mm2、のビッカース硬度を有する第１の
層、第２の層、第３の層からなる炭素膜を形成させるこ
とができた。この炭素膜は表面の硬度が４０００Kg/mm2
とダイヤモンド類似の硬さを有し、耐摩耗性、高熱伝導
性、高平滑性に優れたものであった。As a result, 2200 Kg / mm 2 , 3100 Kg / m
It was possible to form a carbon film having a Vickers hardness of m 2 and 4000 Kg / mm 2 and comprising a first layer, a second layer and a third layer. The surface hardness of this carbon film is 4000 kg / mm 2
It had a hardness similar to that of diamond and was excellent in wear resistance, high thermal conductivity and high smoothness.
【００４１】本実施例においては酸素の流量のみを増加
させることにより炭素膜の硬度を大きくしたが、メタン
の流量を減少させても同様の効果が得られる。Although the hardness of the carbon film is increased by increasing only the flow rate of oxygen in the present embodiment, the same effect can be obtained by decreasing the flow rate of methane.
【００４２】また本実施例では各炭素膜の層を一つの反
応室を用いて作成したが、反応室を複数接続させること
により各層をそれぞれ異なる反応室で形成させても良
い。In this embodiment, each carbon film layer is formed using one reaction chamber, but each layer may be formed in a different reaction chamber by connecting a plurality of reaction chambers.
【００４３】〔実施例５〕本実施例においては、被形成
面上に硬度の異なる層を積層させるのではなく、水素の
添加量を連続的に増加させることにより硬度が連続的に
変化している炭素膜を形成させた。[Embodiment 5] In this embodiment, the hardness is continuously changed by continuously increasing the amount of hydrogen added, instead of laminating layers having different hardness on the surface to be formed. A carbon film was formed.
【００４４】先ず、実施例１の第１の層を形成させるの
と同一の条件で膜形成を開始し、その後水素の添加量を
0.5 〜10SCCM/minの上昇率で100 SCCMになるまで増加さ
せることにより被形成面上に炭素膜を形成させた。形成
させた炭素膜は、表面において４２００Kg/mm2のビッカ
ース硬度を有する、耐摩耗性、高熱伝導性、高平滑性に
優れたものであった。First, film formation was started under the same conditions as those for forming the first layer of Example 1, and thereafter the amount of hydrogen added was changed.
A carbon film was formed on the surface to be formed by increasing the rate of 0.5 to 10 SCCM / min up to 100 SCCM. The formed carbon film had a Vickers hardness of 4200 Kg / mm 2 on the surface and was excellent in wear resistance, high thermal conductivity and high smoothness.
【００４５】本実施例では水素の流量のみを連続的に大
きくさせたが、メタンの流量のみを連続的に減少させて
も良く、また水素を酸素に変えて実施しても良い。In this embodiment, only the flow rate of hydrogen is continuously increased, but only the flow rate of methane may be continuously decreased, or hydrogen may be replaced with oxygen.
【００４６】〔実施例６〕本実施例は、被形成面上に炭
素膜を形成する前に、紫外光により活性化された酸素原
子及び紫外光により生成したオゾンの雰囲気に被形成面
を配設することにより被形成面の有機物の汚染物または
異物を除去した後に炭素膜を形成させた。Example 6 In this example, before forming a carbon film on the surface to be formed, the surface to be formed was placed in an atmosphere of oxygen atoms activated by ultraviolet light and ozone generated by the ultraviolet light. A carbon film was formed after removing contaminants or foreign matters of organic substances on the surface to be formed.
【００４７】被形成面上の有機物の汚染物は、その上に
形成された膜との間の密着性を低下させる最大の原因で
ある。本実施例に使用した装置を図６に示す。図６は図
１に示す反応室(24)と紫外光により活性化された酸素原
子及び紫外光により生成したオゾンの雰囲気を作る予備
室(25)とを結合させたものである。反応室(24)と予備室
(25)との間にはゲート弁(23)が設けられている。予備室
には低圧水銀ランプ（185 nm,254nm)(21),シャッタ(22)
が設けられている。The organic contaminant on the surface to be formed is the largest cause of the deterioration of the adhesion with the film formed thereon. The apparatus used in this example is shown in FIG. FIG. 6 shows a combination of the reaction chamber (24) shown in FIG. 1 and a preliminary chamber (25) that creates an atmosphere of oxygen atoms activated by ultraviolet light and ozone generated by ultraviolet light. Reaction room (24) and spare room
A gate valve (23) is provided between (25). Low pressure mercury lamp (185 nm, 254 nm) (21), shutter (22) in the spare room
Is provided.
【００４８】この予備室(25)においては以下の如くの反
応により活性の酸素及びオゾンが生じ、それらが被形成
面上の有機物の汚染物の除去を行うのである。
O2＋ｈν(185nm) → O＋O
O2＋O →O3
O3＋ｈν(254nm) → O *＋O2
O3＋CnHmOk →CO,CO2,H2O
O*＋CnHmOk →CO,CO2,H2OIn the preparatory chamber (25), active oxygen and ozone are generated by the following reaction, and these remove organic contaminants on the surface to be formed. O 2 + hν (185 nm) → O + O O 2 + O → O 3 O 3 + hν (254 nm) → O * + O 2 O 3 + C n H m O k → CO, CO 2, H 2 O O * + C n H m O k → CO, CO 2, H 2 O
【００４９】即ち紫外光エネルギーと紫外光により生成
されたオゾン及び活性化された酸素原子の複合作用によ
り被形成面上の有機物(CnHmOk) を分解除去するもので
ある。That is, the organic substance (C n H m O k ) on the surface to be formed is decomposed and removed by the combined action of the ultraviolet light energy, the ozone generated by the ultraviolet light, and the activated oxygen atoms.
【００５０】実施に際しては、先ず被形成面を有する基
板を予備室に設置した後、低圧水銀灯ランプを点灯し、
被形成面上の有機物の分解除去を行った。この低圧水銀
灯ランプを予め点灯しておきシャッタ(22)をひらいても
良い。その後ランプを消灯（シャッタを閉じても良い）
して予備室内を減圧にし、反応室内と同圧になったとこ
ろで反応室との間に設けてあるゲート弁(23)を開けて、
基板を反応室に移した。In carrying out the method, first, the substrate having the surface to be formed is placed in the preliminary chamber, and then the low pressure mercury lamp is turned on.
The organic substances on the surface to be formed were decomposed and removed. The low-pressure mercury lamp may be turned on in advance and the shutter (22) may be opened. Then turn off the lamp (shutter may be closed)
Then, the pressure inside the preliminary chamber is reduced, and when the pressure reaches the same level as the reaction chamber, the gate valve (23) provided between the reaction chamber and the reaction chamber is opened,
The substrate was transferred to the reaction chamber.
【００５１】このような処理をした後被形成面上に実施
例１、実施例２、実施例３、実施例４若しくは実施例５
に従って炭素膜を形成した。得られた炭素膜は被形成面
との密着性に極めて優れたものであった。After the above-mentioned treatment, the first, second, third, fourth or fifth embodiment is formed on the surface to be formed.
To form a carbon film. The obtained carbon film had extremely excellent adhesion to the surface to be formed.
【００５２】上記の方法は有機物等の汚染物を除去した
後、大気に触れることなく短時間に反応室において膜形
成を行なえる点で優れた効果を持つものである。The above-mentioned method has an excellent effect in that a film can be formed in the reaction chamber in a short time without contacting with the atmosphere after removing contaminants such as organic substances.
【００５３】上記実施例は添加物を１種類に限定して示
したものだが、２種類以上を混合して添加しても本発明
の効果を得られる。Although the above examples show only one kind of additive, the effects of the present invention can be obtained even if two or more kinds of additives are mixed and added.
【００５４】[0054]
【発明の効果】以上の如く本発明の方法により作製した
炭素または炭素を主成分とする被膜は、水素または酸素
の添加量を変化させて被形成面に損傷を与えない程度の
セルフバイアスで作り得る硬さの炭素または炭素を主成
分とする被膜にしておき、徐々に硬度を上げた膜を積層
させて、表面には所望の硬度を有した炭素または炭素を
主成分とする被膜を形成しているため、被形成面との密
着性に優れたダイヤモンドに類似の硬さを有するもので
あり、磁気ヘッドや磁気ディスク等一部に異種材料がそ
の表面ををこすって走行する電気用部材にきわめて有効
であった。As described above, the carbon or the coating film containing carbon as the main component produced by the method of the present invention is formed by the self-bias to the extent that the surface to be formed is not damaged by changing the addition amount of hydrogen or oxygen. The carbon of the obtained hardness or a coating containing carbon as a main component is prepared in advance, and films having a gradually increasing hardness are laminated to form carbon or a coating containing carbon as a main component having a desired hardness on the surface. Therefore, it has a hardness similar to that of diamond, which has excellent adhesion to the surface to be formed. It was extremely effective.
【００５５】特に得られる炭素または炭素を主成分とす
る被膜は熱伝導率が2.5W/cm deg 以上、代表的には4.0
〜6.0W/cm deg とダイヤモンドの60W/cm degに近いため
摩擦によって生じる熱を全体に均一に逃すことが可能で
あり、更に耐摩耗性、高熱伝導性、炭素膜特有の高平滑
性等の特性を有するものであった。Particularly, the obtained carbon or a coating film containing carbon as a main component has a thermal conductivity of 2.5 W / cm deg or more, typically 4.0
Since it is close to ~ 6.0W / cm deg and 60W / cm deg of diamond, it is possible to dissipate heat generated by friction evenly throughout, and further wear resistance, high thermal conductivity, high smoothness peculiar to carbon film, etc. It had characteristics.
【００５６】また本発明の方法は、有機樹脂、ガラス、
磁性体、金属、セラミックまたは半導体等を被形成面と
して実施することができるため、その応用は計り知れな
いものである。Further, the method of the present invention comprises an organic resin, glass,
The application is immeasurable because the surface to be formed can be made of a magnetic material, metal, ceramic, semiconductor or the like.
【図１】本発明に使用する装置の概要を示す。FIG. 1 shows an outline of an apparatus used in the present invention.
【図２】水素、酸素の添加流量に対するセルフバイアス
を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a self-bias with respect to the flow rates of hydrogen and oxygen added.
【図３】添加流量とビッカース硬度との関係を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a relationship between an addition flow rate and Vickers hardness.
【図４】添加流量と膜厚との関係を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a relationship between an addition flow rate and a film thickness.
【図５】添加流量と膜厚との関係を示す図。FIG. 5 is a diagram showing a relationship between an addition flow rate and a film thickness.
【図６】実施例４で用いた装置を示す図。FIG. 6 is a diagram showing an apparatus used in Example 4.
１・・・ドーピング系 ６・・・バルブ ７・・・流量計 ８・・・反応系 ９・・・ノズル １０・・・マイクロ波エネルギ １１・・・第１の電極 １２・・・第２の電極 １３・・・高周波電源 １４・・・マッチングトランス １５・・・直流バイアス電源 １６・・・排気系 １７・・・圧力調整バルブ １８・・・ターボ分子ポンプ １９・・・ロータリーポンプ ２０・・・反応空間 1 ... Doping system 6 ... Valve 7 ... Flowmeter 8 ... Reaction system 9 ... Nozzle 10 ... Microwave energy 11 ... First electrode 12 ... second electrode 13: High frequency power supply 14 ... Matching transformer 15 ... DC bias power supply 16 ... Exhaust system 17 ... Pressure control valve 18 ... Turbo molecular pump 19 ... Rotary pump 20 ... Reaction space
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 C01B 31/02 C30B 29/04 G11B 5/187 G11B 5/60 - 5/84 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) C23C 16/00-16/56 C01B 31/02 C30B 29/04 G11B 5/187 G11B 5/60-5 / 84
Claims (19)
て炭素または炭素を主成分とする膜を作製する方法であ
って、 オゾンまたは活性な酸素により、被形成面の不要な有機
物を除去した後、前記炭素または炭素を主成分とする膜
を形成し、 前記炭素または炭素を主成分とする膜を形成する際に、
炭化水素化物気体に対する水素の割合を連続的または段
階的に増加させることを特徴とする炭素または炭素を主
成分とする膜の作製方法。1. A method for decomposing a hydrocarbon gas and hydrogen to produce carbon or a film containing carbon as a main component, wherein unnecessary organic substances on the surface to be formed are removed by ozone or active oxygen. After that, forming the carbon or a film containing carbon as a main component, and forming the carbon or a film containing carbon as a main component,
A method for producing carbon or a film containing carbon as a main component, which comprises continuously or stepwise increasing the ratio of hydrogen to a hydrocarbon gas.
て炭素または炭素を主成分とする膜を作製する方法であ
って、 紫外線およびオゾンまたは活性な酸素により、被形成面
の不要な有機物を除去した後に、前記炭素または炭素を
主成分とする膜を形成し、 前記炭素または炭素を主成分とする膜を形成する際に、
炭化水素化物気体に対する水素の割合を連続的または段
階的に増加させることを特徴とする炭素または炭素を主
成分とする膜の作製方法。2. A method for producing a carbon or a film containing carbon as a main component by decomposing a hydrocarbon gas and hydrogen, wherein an organic substance unnecessary to be formed on the surface to be formed by ultraviolet rays and ozone or active oxygen. After removing the, to form the carbon or a film containing carbon as a main component, when forming the carbon or a film containing carbon as a main component,
A method for producing carbon or a film containing carbon as a main component, which comprises continuously or stepwise increasing the ratio of hydrogen to a hydrocarbon gas.
て炭素または炭素を主成分とする膜を作製する方法であ
って、 オゾンまたは活性な酸素により、被形成面の不要な有機
物を除去し、前記被形成面を大気に触れさせずに、前記
炭素または炭素を主成分とする膜を形成し、 前記炭素または炭素を主成分とする膜を形成する際に、
炭化水素化物気体に対する水素の割合を連続的または段
階的に増加させることを特徴とする炭素または炭素を主
成分とする膜の作製方法。3. A method for producing a carbon or a film containing carbon as a main component by decomposing a hydrocarbon gas and hydrogen, wherein unnecessary organic substances on the surface to be formed are removed by ozone or active oxygen. Then, without exposing the formation surface to the atmosphere, forming the carbon or a film containing carbon as a main component, when forming the carbon or a film containing carbon as a main component,
A method for producing carbon or a film containing carbon as a main component, which comprises continuously or stepwise increasing the ratio of hydrogen to a hydrocarbon gas.
て炭素または炭素を主成分とする膜を作製する方法であ
って、 紫外線及びオゾンまたは活性な酸素により、被形成面の
不要な有機物を除去し、前記被形成面を大気に触れさせ
ずに、前記炭素または炭素を主成分とする膜を形成し、 前記炭素または炭素を主成分とする膜を形成する際に、
炭化水素化物気体に対する水素の割合を連続的または段
階的に増加させることを特徴とする炭素または炭素を主
成分とする膜の作製方法。4. A method for producing a carbon or a film containing carbon as a main component by decomposing a hydrocarbon gas and hydrogen, wherein an organic substance unnecessary to be formed on a surface to be formed by ultraviolet rays and ozone or active oxygen. Is removed, without exposing the formation surface to the atmosphere, to form the carbon or a film containing carbon as a main component, when forming the carbon or a film containing carbon as a main component,
A method for producing carbon or a film containing carbon as a main component, which comprises continuously or stepwise increasing the ratio of hydrogen to a hydrocarbon gas.
て炭素または炭素を主成分とする膜を作製する方法であ
って、 オゾンまたは活性な酸素により、被形成面の不要な有機
物を除去した後に、前記炭素または炭素を主成分とする
膜を形成し、 前記炭素または炭素を主成分とする膜を形成する際に、
炭化水素化物気体に対する酸素の割合を連続的または段
階的に増加させることを特徴とする炭素または炭素を主
成分とする膜の作製方法。5. A method for producing a film containing carbon or carbon as a main component by decomposing a hydrocarbon compound gas and oxygen, wherein unnecessary organic substances on the surface to be formed are removed by ozone or active oxygen. After that, forming the carbon or a film containing carbon as a main component, and forming the carbon or a film containing carbon as a main component,
A method for producing carbon or a film containing carbon as a main component, which comprises increasing the ratio of oxygen to the hydrocarbon gas continuously or stepwise.
て炭素または炭素を主成分とする膜を作製する方法であ
って、 紫外線およびオゾンまたは活性な酸素により、被形成面
の不要な有機物を除去した後に、前記炭素または炭素を
主成分とする膜を形成し、 前記炭素または炭素を主成分とする膜を形成する際に、
炭化水素化物気体に対する酸素の割合を連続的または段
階的に増加させることを特徴とする炭素または炭素を主
成分とする膜の作製方法。6. A method for producing a carbon or a film containing carbon as a main component by decomposing a hydrocarbon gas and oxygen, wherein an organic substance unnecessary to be formed on the surface to be formed by ultraviolet rays and ozone or active oxygen. After removing the, to form the carbon or a film containing carbon as a main component, when forming the carbon or a film containing carbon as a main component,
A method for producing carbon or a film containing carbon as a main component, which comprises increasing the ratio of oxygen to the hydrocarbon gas continuously or stepwise.
て炭素または炭素を主成分とする膜を作製する方法であ
って、 オゾンまたは活性な酸素により、被形成面の不要な有機
物を除去し、前記被形成面を大気に触れさせずに、前記
炭素または炭素を主成分とする膜を形成し、 前記炭素または炭素を主成分とする膜を形成する際に、
炭化水素化物気体に対する酸素の割合を連続的または段
階的に増加させることを特徴とする炭素または炭素を主
成分とする膜の作製方法。7. A method for producing a film containing carbon or carbon as a main component by decomposing a hydrocarbon compound gas and oxygen, wherein unnecessary organic substances on the surface to be formed are removed by ozone or active oxygen. Then, without exposing the formation surface to the atmosphere, forming the carbon or a film containing carbon as a main component, when forming the carbon or a film containing carbon as a main component,
A method for producing carbon or a film containing carbon as a main component, which comprises increasing the ratio of oxygen to the hydrocarbon gas continuously or stepwise.
て炭素または炭素を主成分とする膜を作製する方法であ
って、 紫外線およびオゾンまたは活性な酸素により、被形成面
の不要な有機物を除去し、前記被形成面を大気に触れさ
せずに、前記炭素または炭素を主成分とする膜を形成
し、 前記炭素または炭素を主成分とする膜を形成する際に、
炭化水素化物気体に対する酸素の割合を連続的または段
階的に増加させることを特徴とする炭素または炭素を主
成分とする膜の作製方法。8. A method for producing a carbon or a film containing carbon as a main component by decomposing a hydrocarbon gas and oxygen, wherein an organic substance unnecessary to be formed on a surface to be formed by ultraviolet rays and ozone or active oxygen. Is removed, without exposing the formation surface to the atmosphere, to form the carbon or a film containing carbon as a main component, when forming the carbon or a film containing carbon as a main component,
A method for producing carbon or a film containing carbon as a main component, which comprises increasing the ratio of oxygen to the hydrocarbon gas continuously or stepwise.
（ｎは正数）で示される炭化水素化物気体またはエチレ
ン（Ｃ2Ｈ6）が用られた請求項１乃至８のいずれか１項
に記載の炭素または炭素を主成分とする膜の作製方法。9. The hydrocarbon gas is C n H 2n + 2.
The method for producing carbon or a film containing carbon as a main component according to claim 1, wherein a hydrocarbon gas represented by (n is a positive number) or ethylene (C 2 H 6 ) is used. .
て珪素を含んだ炭化水素化物が用られた請求項１乃至８
のいずれか１項に記載の炭素または炭素を主成分とする
膜の作製方法。10. A hydrocarbon compound containing silicon as a composition is used as the hydrocarbon compound gas.
13. The method for producing carbon or a film containing carbon as a main component according to any one of 1.
物気体として、テトラメチルシラン（（ＣＨ3）4Ｓｉ）
またはテトラエチルシラン（（Ｃ2Ｈ5）4Ｓｉ）が用ら
れた請求項１０に記載の炭素または炭素を主成分とする
膜の作製方法。11. Tetramethylsilane ((CH 3 ) 4 Si) is used as the hydrocarbon gas containing silicon as the composition.
Alternatively, the method for producing carbon or a film containing carbon as a main component according to claim 10, wherein tetraethylsilane ((C 2 H 5 ) 4 Si) is used.
気体が用られた請求項１乃至８のいずれか１項に記載の
炭素または炭素を主成分とする膜の作製方法。12. The method for producing carbon or a film containing carbon as a main component according to claim 1, wherein a carbon tetrachloride gas is used instead of the hydrocarbon gas.
乃至８のいずれか１項に記載の炭素または炭素を主成分
とする膜の作製方法。13. The surface to be formed is an organic resin.
9. A method for forming carbon or a film containing carbon as a main component according to any one of items 8 to 8.
テレフタレート）、ＰＥＳ、ＰＭＭＡ、テフロン、エポ
キシまたはポリイミドである請求項１乃至１２のいずれ
か１項に記載の炭素または炭素を主成分とする膜の作製
方法。14. The film containing carbon as a main component according to claim 1, wherein the surface to be formed is PET (polyethylene terephthalate), PES, PMMA, Teflon, epoxy or polyimide. Of manufacturing.
クである請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の炭素
または炭素を主成分とする膜の作製方法。15. The method for producing carbon or a film containing carbon as a main component according to claim 1, wherein the surface to be formed is glass or ceramic.
体である請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の炭素
または炭素を主成分とする膜の作製方法。16. The method for producing carbon or a film containing carbon as a main component according to claim 1, wherein the formation surface is a magnetic material, a metal or a semiconductor.
キャリアの保護膜として、前記炭素または炭素を主成分
とする膜を形成する請求項１乃至１２のいずれか１項に
記載の炭素または炭素を主成分とする膜の作製方法。17. The carbon or the carbon-based component according to claim 1, wherein the carbon or the film containing the carbon-based component is formed as a protective film for the metal mesh carrier or the paper tape carrier. Method for forming a film.
たは炭素を主成分とする膜を形成する請求項１乃至１２
のいずれか１項に記載の炭素または炭素を主成分とする
膜の作製方法。18. The carbon or a film containing carbon as a main component is formed as a protective film of a magnetic head.
13. The method for producing carbon or a film containing carbon as a main component according to any one of 1.
または炭素を主成分とする膜を形成する請求項１乃至１
２のいずれか１項に記載の炭素または炭素を主成分とす
る膜の作製方法。19. The carbon or a film containing carbon as a main component is formed as a protective film for a magnetic disk.
3. The method for producing carbon or a film containing carbon as a main component according to any one of 2 above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14403499A JP3366593B2 (en) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | Method for manufacturing carbon or carbon-based film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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