JP3365505B2 - Surface acoustic wave device - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ダイヤモンドを含
む表面弾性波素子に関するものであり、特に、ＧＨｚ帯
以上の高周波領域においても良好な動作特性を有する表
面弾性波素子に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave element containing diamond, and more particularly to a surface acoustic wave element having good operating characteristics even in a high frequency region of GHz band or higher.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、ダイヤモンドを含む表面弾性波素
子としては、特開平１０−２７６０６１号公報に記載さ
れるように、ダイヤモンド層の上にＺｎＯ層を形成し、
このＺｎＯ層の上に表面弾性波の励振及び受信を行う櫛
形電極を形成し、更に、ＺｎＯ層の上に櫛形電極を覆う
ようにしてＳｉＯ2層を形成した表面弾性波素子が知ら
れている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a surface acoustic wave device containing diamond, a ZnO layer is formed on a diamond layer as described in JP-A-10-276061.
There is known a surface acoustic wave device in which a comb-shaped electrode for exciting and receiving a surface acoustic wave is formed on the ZnO layer, and a SiO2 layer is formed on the ZnO layer so as to cover the comb-shaped electrode.

【０００３】この表面弾性波素子は、櫛形電極の厚さ、
ＺｎＯ層の厚さ及びＳｉＯ2層の厚さを最適な組み合わ
せとすることにより、良好な伝搬特性、電気機械結合特
性及び周波数温度特性を実現し、更に良好な伝搬損失を
実現しようとするものであり、伝搬速度８０００〜１２
０００ｍ／ｓにおいて、周波数温度特性が−１５〜＋１
５ｐｐｍ／゜Ｃであり、電気機械結合係数が０．１〜
１．３％を実現している。This surface acoustic wave device has a thickness of a comb-shaped electrode,
By optimizing the thickness of the ZnO layer and the thickness of the SiO2 layer, good propagation characteristics, electromechanical coupling characteristics, and frequency temperature characteristics are realized, and further, good propagation loss is realized. , Propagation speed 8000-12
At 000 m / s, the frequency temperature characteristic is -15 to +1
5 ppm / ° C, electromechanical coupling coefficient of 0.1
Achieved 1.3%.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の表面弾性波素子にあっては、１０ＧＨｚ程度の
高周波帯に用いようとすると、伝搬速度を１００００ｍ
／ｓの高速なものとしても、櫛形電極の線幅と線間を合
わせて０．５μｍ程度とし、線幅を０．２５μｍ程度の
細さにする必要がある。このため、量産化には問題があ
る。However, in the above-mentioned conventional surface acoustic wave device, when it is used in a high frequency band of about 10 GHz, the propagation velocity is 10,000 m.
Even at a high speed of / s, it is necessary to make the line width of the comb-shaped electrode and the distance between the lines about 0.5 μm and the line width as thin as about 0.25 μm. Therefore, there is a problem in mass production.

【０００５】また、従来材料では、例えば、水晶では、
伝搬速度が３１５０ｍ／ｓであり、到底、高周波帯の表
面弾性波素子には用いることができない。Further, in conventional materials, for example, in quartz,
Since the propagation velocity is 3150 m / s, it cannot be used for the surface acoustic wave device in the high frequency band.

【０００６】一方、表面弾性波素子において、高周波帯
では電気機械結合係数が小さくなるという問題もある。
例えば、水晶では、基本波で０．１％であるが、５倍波
では０．０２５％と小さくなる。電気機械結合係数が小
さいと、低損失のフィルタを実現できなくなる。On the other hand, in the surface acoustic wave device, there is a problem that the electromechanical coupling coefficient becomes small in the high frequency band.
For example, in crystal, the fundamental wave is 0.1%, but in the fifth harmonic, it is as small as 0.025%. If the electromechanical coupling coefficient is small, a low loss filter cannot be realized.

【０００７】そこで本発明は、このような問題点を解決
するためになされたものであって、量産性に適し、高周
波領域で動作特性に優れる表面弾性波素子を提供するこ
とを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device suitable for mass production and excellent in operating characteristics in a high frequency region.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明に係る
表面弾性波素子は、ダイヤモンド層と、ダイヤモンド層
の上に形成され厚さｔｚのＺｎＯ層と、ＺｎＯ層の上に
形成され表面弾性波の励振及び受信を行う櫛形電極と、
櫛形電極を覆いＺｎＯ層の上に形成され厚さｔＳのＳｉ
Ｏ2層を備え、二次モードの表面弾性波の基本波の波長
をλとしたときに、ｋｈ１＝５・２π・（ｔｚ／λ）、
ｋｈ２＝５・２π・（ｔＳ／λ）で与えられるｋｈ１及
びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸にｋｈ２を与える二次
元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝４．４、ｋ
ｈ２＝７．４）で与えられる点Ａと、座標（ｋｈ１＝
５．０、ｋｈ２＝６．９）で与えられる点Ｂと、座標
（ｋｈ１＝５．２、ｋｈ２＝６．２）で与えられる点Ｃ
と、座標（ｋｈ１＝５．０、ｋｈ２＝５．６）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝４．５、ｋｈ２＝５．１）
で与えられる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝４．０、ｋｈ２＝
４．６）で与えられる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝３．５、
ｋｈ２＝４．４）で与えられる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝
３．０、ｋｈ２＝４．１）で与えられる点Ｈと、座標
（ｋｈ１＝２．８、ｋｈ２＝４．０）で与えられる点Ｉ
と、座標（ｋｈ１＝２．６、ｋｈ２＝３．４）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝３．０、ｋｈ２＝３．０）
で与えられる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝３．５、ｋｈ２＝
２．９）で与えられる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝３．５、
ｋｈ２＝２．０）で与えられる点Ｍと、座標（ｋｈ１＝
３．０、ｋｈ２＝２．０）で与えられる点Ｎと、座標
（ｋｈ１＝２．５、ｋｈ２＝２．０）で与えられる点Ｏ
と、座標（ｋｈ１＝２．０、ｋｈ２＝２．０）で与えら
れる点Ｐと、座標（ｋｈ１＝１．８、ｋｈ２＝２．６）
で与えられる点Ｑと、座標（ｋｈ１＝１．７、ｋｈ２＝
４．０）で与えられる点Ｒと、座標（ｋｈ１＝２．０、
ｋｈ２＝４．５）で与えられる点Ｓと、座標（ｋｈ１＝
２．５、ｋｈ２＝５．２）で与えられる点Ｔと、座標
（ｋｈ１＝３．０、ｋｈ２＝５．７）で与えられる点Ｕ
と、座標（ｋｈ１＝３．５、ｋｈ２＝６．１）で与えら
れる点Ｖと、座標（ｋｈ１＝４．０、ｋｈ２＝６．８）
で与えられる点Ｗと、Ａ点とを順に線分で結ぶ２３本の
線分からなる領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＯＰＱ
ＲＳＴＵＶＷＡの２３本の線上を含む内部に与えられ、
励起される二次モードの表面弾性波の５倍高調波が用い
られることを特徴とする。That is, a surface acoustic wave device according to the present invention comprises a diamond layer, a ZnO layer having a thickness tz formed on the diamond layer, and a surface acoustic wave formed on the ZnO layer. A comb-shaped electrode for exciting and receiving
Si having a thickness tS formed on the ZnO layer covering the comb-shaped electrodes
When the wavelength of the fundamental wave of the secondary mode surface acoustic wave is λ, kh1 = 5.2π (tz / λ),
In a two-dimensional Cartesian coordinate graph in which kh1 and kh2 given by kh2 = 5 · 2π · (tS / λ) give kh1 on the horizontal axis and kh2 on the vertical axis, coordinates (kh1 = 4.4, k
h2 = 7.4) and the coordinates (kh1 =
Point B given by 5.0, kh2 = 6.9) and point C given by coordinates (kh1 = 5.2, kh2 = 6.2)
And a point D given by coordinates (kh1 = 5.0, kh2 = 5.6) and coordinates (kh1 = 4.5, kh2 = 5.1)
And the coordinates (kh1 = 4.0, kh2 =
4.6) and the coordinates (kh1 = 3.5,
point G given by kh2 = 4.4) and coordinates (kh1 =
3.0, kh2 = 4.1) and a point I given by coordinates (kh1 = 2.8, kh2 = 4.0).
And a point J given by coordinates (kh1 = 2.6, kh2 = 3.4) and coordinates (kh1 = 3.0, kh2 = 3.0)
And the coordinates (kh1 = 3.5, kh2 =
2.9) and the point L and coordinates (kh1 = 3.5,
point M given by kh2 = 2.0) and coordinates (kh1 =
3.0, kh2 = 2.0) and a point O given by coordinates (kh1 = 2.5, kh2 = 2.0).
And a point P given by coordinates (kh1 = 2.0, kh2 = 2.0) and coordinates (kh1 = 1.8, kh2 = 2.6)
And the coordinates (kh1 = 1.7, kh2 =
4.0) and the coordinates (kh1 = 2.0,
point S given by kh2 = 4.5) and coordinates (kh1 =
2.5, kh2 = 5.2) and a point U given by coordinates (kh1 = 3.0, kh2 = 5.7).
And a point V given by coordinates (kh1 = 3.5, kh2 = 6.1) and coordinates (kh1 = 4.0, kh2 = 6.8).
A region ABCDEFGHIJKLMNOPQ consisting of 23 line segments that sequentially connect the point W and the point A given by
Given inside, including the 23 lines of RSTUVWA,
It is characterized in that a 5th harmonic of the excited secondary surface acoustic wave is used.

【０００９】また本発明に係る表面弾性波素子は、ダイ
ヤモンド層と、ダイヤモンド層の上に形成され厚さｔｚ
のＺｎＯ層と、ＺｎＯ層の上に形成され表面弾性波の励
振及び受信を行う櫛形電極と、櫛形電極を覆いＺｎＯ層
の上に形成され厚さｔＳのＳｉＯ2層を備え、二次モー
ドの表面弾性波の基本波の波長をλとしたときに、ｋｈ
１＝５・２π・（ｔｚ／λ）、ｋｈ２＝５・２π・（ｔ
Ｓ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ
１、縦軸にｋｈ２を与える二次元直交座標グラフにおい
て、座標（ｋｈ１＝４．４、ｋｈ２＝６．９）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝５．０、ｋｈ２＝６．４）
で与えられる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝５．２、ｋｈ２＝
６．２）で与えられる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝５．０、
ｋｈ２＝５．６）で与えられる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝
４．６、ｋｈ２＝５．２）で与えられる点Ｅと、座標
（ｋｈ１＝４．４、ｋｈ２＝５．０）で与えられる点Ｆ
と、座標（ｋｈ１＝４．０、ｋｈ２＝４．６）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝３．５、ｋｈ２＝４．４）
で与えられる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝３．０、ｋｈ２＝
４．１）で与えられる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝２．８、
ｋｈ２＝４．０）で与えられる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝
２．６、ｋｈ２＝３．４）で与えられる点Ｋと、座標
（ｋｈ１＝２．８、ｋｈ２＝３．０）で与えられる点Ｌ
と、座標（ｋｈ１＝３．２、ｋｈ２＝２．４）で与えら
れる点Ｍと、座標（ｋｈ１＝２．７、ｋｈ２＝２．４）
で与えられる点Ｎと、座標（ｋｈ１＝２．２、ｋｈ２＝
３．０）で与えられる点Ｏと、座標（ｋｈ１＝２．２、
ｋｈ２＝３．５）で与えられる点Ｐと、座標（ｋｈ１＝
２．５、ｋｈ２＝４．７）で与えられる点Ｑと、座標
（ｋｈ１＝３．０、ｋｈ２＝５．２）で与えられる点Ｒ
と、座標（ｋｈ１＝３．５、ｋｈ２＝５．７）で与えら
れる点Ｓと、座標（ｋｈ１＝４．０、ｋｈ２＝６．３）
で与えられる点Ｔと、Ａ点とを順に線分で結ぶ、２０本
の線分からなる領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＯＰ
ＱＲＳＴＡの２０本の線上を含む内部に与えられ、励起
される二次モードの表面弾性波の５倍高調波が用いられ
ることを特徴とする。Further, the surface acoustic wave device according to the present invention has a diamond layer and a thickness tz formed on the diamond layer.
ZnO layer, a comb-shaped electrode formed on the ZnO layer for exciting and receiving surface acoustic waves, and a SiO2 layer formed on the ZnO layer to cover the comb-shaped electrode and have a thickness of tS. If the wavelength of the fundamental wave of the elastic wave is λ, kh
1 = 5 · 2π · (tz / λ), kh2 = 5 · 2π · (t
Kh1 and kh2 given by S / λ) are kh on the horizontal axis
1, a point A given by coordinates (kh1 = 4.4, kh2 = 6.9) and coordinates (kh1 = 5.0, kh2 = 6.4) in a two-dimensional Cartesian coordinate graph with kh2 on the vertical axis.
And the coordinates (kh1 = 5.2, kh2 =
The point C given by 6.2) and the coordinates (kh1 = 5.0,
point D given by kh2 = 5.6 and coordinates (kh1 =
Point E given by 4.6, kh2 = 5.2) and point F given by coordinates (kh1 = 4.4, kh2 = 5.0)
And a point G given by coordinates (kh1 = 4.0, kh2 = 4.6) and coordinates (kh1 = 3.5, kh2 = 4.4)
And the coordinates (kh1 = 3.0, kh2 =
4.1) and the coordinates (kh1 = 2.8,
point J given by kh2 = 4.0 and coordinates (kh1 =
Point K given by 2.6, kh2 = 3.4) and point L given by coordinates (kh1 = 2.8, kh2 = 3.0)
And a point M given by coordinates (kh1 = 3.2, kh2 = 2.4) and coordinates (kh1 = 2.7, kh2 = 2.4)
And the coordinates (kh1 = 2.2, kh2 =
3.0) and the coordinates (kh1 = 2.2,
point P given by kh2 = 3.5) and coordinates (kh1 =
2.5, kh2 = 4.7) and a point R given by coordinates (kh1 = 3.0, kh2 = 5.2)
And a point S given by coordinates (kh1 = 3.5, kh2 = 5.7) and coordinates (kh1 = 4.0, kh2 = 6.3)
A region ABCDEFGHIJKLMNOP consisting of 20 line segments that sequentially connects the point T and the point A given by
It is characterized in that a 5th harmonic of a surface acoustic wave of a second-order mode which is applied to and excited inside the QRSTA including 20 lines is used.

【００１０】また本発明に係る表面弾性波素子は、前述
の表面弾性波の動作中心周波数をｆ0、表面弾性波の伝
播速度をｖとしたときに、伝搬速度ｖが４５００〜６５
００ｍ／ｓであり、櫛形電極の電極ピッチｄｍ＋ｄｆ
が、ｄｍ＋ｄｆ＝（５・ｖ）／（２・ｆ0）で与えられ
ることを特徴とする。Further, the surface acoustic wave element according to the present invention has a propagation velocity v of 4500 to 65, where f0 is the operation center frequency of the surface acoustic wave and v is the propagation velocity of the surface acoustic wave.
00m / s, the electrode pitch of comb-shaped electrodes dm + df
Is given by dm + df = (5 · v) / (2 · f0).

【００１１】また本発明に係る表面弾性波素子は、前述
の櫛形電極の電極線幅が０．５μｍ以上であり、表面弾
性波の動作中心周波数が５．０〜１１．３ＧＨｚである
ことを特徴とする。Further, the surface acoustic wave device according to the present invention is characterized in that the electrode line width of the above-mentioned comb-shaped electrode is 0.5 μm or more and the operation center frequency of the surface acoustic wave is 5.0 to 11.3 GHz. And

【００１２】さらに本発明に係る表面弾性波素子は、前
述の櫛形電極の電極線幅が０．５μｍ以上であり、表面
弾性波の動作中心周波数が９．５〜１０．５ＧＨｚであ
ることを特徴とする。Further, the surface acoustic wave device according to the present invention is characterized in that the electrode line width of the above-mentioned comb-shaped electrode is 0.5 μm or more, and the operation center frequency of the surface acoustic wave is 9.5 to 10.5 GHz. And

【００１３】これらの発明によれば、励起する二次モー
ドの表面弾性波の５倍高調波を用いることにより、高周
波領域で良好な伝播特性、電気機械結合係数、周波数温
度特性を得ることができる。また、櫛形電極の電極部分
の線幅を大きくできるため、量産性の向上が図れる。According to these inventions, good propagation characteristics, electromechanical coupling coefficient, and frequency temperature characteristics can be obtained in a high frequency region by using the fifth harmonic of the excited secondary surface acoustic wave. . Further, since the line width of the electrode portion of the comb-shaped electrode can be increased, mass productivity can be improved.

【００１４】[0014]

【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づき、本発明
の実施形態について説明する。尚、各図において同一要
素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。ま
た、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致して
いない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same elements are designated by the same reference numerals, and overlapping description will be omitted. Further, the dimensional ratios in the drawings do not always match those described.

【００１５】図１に本実施形態に係る表面弾性波素子の
断面図を示す。本図に示すように、本実施形態に係る表
面弾性波素子１は、シリコン製の基板２の上にダイヤモ
ンド層３を備えている。ダイヤモンド層３を構成するダ
イヤモンドとしては、天然型ダイヤモンド、合成ダイヤ
モンドのいずれであってもよい。また、単結晶ダイヤモ
ンド、多結晶ダイヤモンド又はアモルファスダイヤモン
ドのいずれを用いてもよい。なお、図１では、シリコン
の基板２上に薄膜としてダイヤモンド層３を形成してい
るが、ダイヤモンド単体を用いてもよい。FIG. 1 is a sectional view of the surface acoustic wave device according to this embodiment. As shown in the figure, the surface acoustic wave device 1 according to the present embodiment includes a diamond layer 3 on a silicon substrate 2. The diamond forming the diamond layer 3 may be either natural diamond or synthetic diamond. Further, any of single crystal diamond, polycrystalline diamond or amorphous diamond may be used. Although the diamond layer 3 is formed as a thin film on the silicon substrate 2 in FIG. 1, diamond alone may be used.

【００１６】合成ダイヤモンドの場合は、ＣＶＤ、イオ
ンプレーティング法、ＰＶＤ、熱フィラメント法など、
あらゆる製造方法を用いてダイヤモンド層を形成するこ
とができる。In the case of synthetic diamond, CVD, ion plating method, PVD, hot filament method, etc.
The diamond layer can be formed using any manufacturing method.

【００１７】ダイヤモンド層３の上には、ＺｎＯ層４が
形成されている。ＺｎＯ層４は、構成するＺｎＯがｃ軸
配向性ＺｎＯであることが望ましい。ここで、「ｃ軸配
向」であるとは、ＺｎＯ膜の（００１）面が基板と平行
であるように形成されていることをいう。形成されたＺ
ｎＯ膜がｃ軸配向であり、また多結晶であれば、ＺｎＯ
の本来有する圧電性を十分に利用した表面弾性波素子を
実現することが可能となる。A ZnO layer 4 is formed on the diamond layer 3. The ZnO layer 4 is preferably composed of ZnO that is c-axis oriented ZnO. Here, “c-axis orientation” means that the (001) plane of the ZnO film is formed so as to be parallel to the substrate. Formed Z
If the nO film is c-axis oriented and is polycrystalline, ZnO
It is possible to realize a surface acoustic wave device that makes full use of the inherent piezoelectricity of.

【００１８】ＺｎＯ層４の上には、櫛形電極５が形成さ
れている。櫛形電極５は、表面弾性波の励振及び受信を
行うものである。図２に示すように、櫛形電極５は、例
えば、シングル電極タイプとされ、電極５１と電極５２
を備えて構成される。A comb-shaped electrode 5 is formed on the ZnO layer 4. The comb-shaped electrode 5 excites and receives surface acoustic waves. As shown in FIG. 2, the comb-shaped electrode 5 is, for example, a single electrode type, and the electrodes 51 and 52 are
It is configured with.

【００１９】電極５１と電極５２は、相対向して設けら
れ、それぞれ他方へ向けて突出する櫛歯状の電極部５３
を多数形成している。The electrodes 51 and 52 are provided so as to face each other, and each has a comb-teeth-shaped electrode portion 53 protruding toward the other.
Are formed.

【００２０】この電極部５３のピッチ（線幅ｄｍ＋線間
ｄｆ）は、表面弾性波の動作中心周波数をｆ0、表面弾
性波の伝播速度をｖとすると、次の式（１）により与え
られる。The pitch of the electrode portions 53 (line width dm + inter-line df) is given by the following equation (1), where f0 is the operation center frequency of the surface acoustic wave and v is the propagation velocity of the surface acoustic wave.

【００２１】 ｄｍ＋ｄｆ＝（５・ｖ）／（２・ｆ0） ‥‥（１） また、伝搬速度ｖが４５００〜６５００ｍ／ｓである場
合、電極部５３は、その線幅ｄｍを０．５μｍ以上とし
て形成される。このため、電極部５３がある程度の線幅
を有するため、櫛形電極５の製造が容易となり、表面弾
性波素子１の量産が容易となる。Dm + df = (5 · v) / (2 · f0) (1) When the propagation velocity v is 4500 to 6500 m / s, the electrode portion 53 has a line width dm of 0.5 μm or more. Formed as. Therefore, since the electrode portion 53 has a certain line width, the comb-shaped electrode 5 is easily manufactured, and the surface acoustic wave element 1 is easily mass-produced.

【００２２】なお、図２では、シングル電極タイプのも
のを示したが、櫛形電極５としては、二本の電極部５３
を一組として突出させるダブル電極タイプのものであっ
てもよい。Although FIG. 2 shows the single electrode type, the comb-shaped electrode 5 has two electrode portions 53.
It may be of a double electrode type in which a pair of protrusions is projected.

【００２３】また、櫛形電極５を挟み込むように、両側
に反射器電極（グレーティング反射器等）を配置し、入
出力電極間で発生する表面弾性波を反射器電極の間で多
重反射させ定在波を発生させる表面弾性波共振器の構成
をとってもよい。Further, reflector electrodes (grating reflectors, etc.) are arranged on both sides so as to sandwich the comb-shaped electrode 5, and surface acoustic waves generated between the input and output electrodes are multi-reflected between the reflector electrodes to be fixed. A surface acoustic wave resonator for generating waves may be used.

【００２４】櫛型電極５などを構成する材料は、導電性
材料であればよく、加工性等の点からはアルミニウムが
好ましく用いられる。The material forming the comb-shaped electrode 5 and the like may be any conductive material, and aluminum is preferably used from the viewpoint of workability and the like.

【００２５】また、櫛型電極５などにアルミニウムを用
いた場合、アルミニウム製の櫛型電極５における表面弾
性波の伝播速度の温度変化は、ダイヤモンド層３及びＺ
ｎＯ層４の温度変化と同符号であり、ＳｉＯ2層６の温
度変化と異符号である。When aluminum is used for the comb-shaped electrode 5 and the like, the temperature change of the propagation velocity of the surface acoustic wave in the comb-shaped electrode 5 made of aluminum changes with the diamond layers 3 and Z.
It has the same sign as the temperature change of the nO layer 4, and has a different sign from the temperature change of the SiO2 layer 6.

【００２６】ＺｎＯ層４の上には、櫛形電極５を覆うよ
うにしてＳｉＯ2層６が形成されている。ＳｉＯ2層６
は、表面弾性波素子１における温度特性を良好にする機
能を有し、また、圧電体及び櫛型電極５に対する保護膜
としても機能し、外部環境からの湿気及び不純物等の影
響を著しく低減させるものである。A SiO 2 layer 6 is formed on the ZnO layer 4 so as to cover the comb-shaped electrode 5. SiO2 layer 6
Has a function of improving the temperature characteristics of the surface acoustic wave element 1 and also functions as a protective film for the piezoelectric body and the comb-shaped electrode 5, and significantly reduces the influence of moisture and impurities from the external environment. It is a thing.

【００２７】このＳｉＯ2層６を構成するＳｉＯ2として
は、アモルファスであることが望ましい。また、ＳｉＯ
2層６の表面弾性波の伝播速度の温度変化は、ダイヤモ
ンド層３及びＺｎＯ層４の温度変化と異符号となってい
る。このため、例えば表面弾性波素子１の温度が上昇す
ると、ＳｉＯ2層６の表面弾性波の伝播速度は増大が、
ダイヤモンド層３及びＺｎＯ層４の表面弾性波の伝播速
度は減少する。従って、ＳｉＯ2層６がダイヤモンド層
３及びＺｎＯ層４における伝播速度の温度変化を相殺
し、その結果、表面弾性波素子１の伝播速度が温度変化
に対し安定したものとなる。It is desirable that the SiO 2 constituting the SiO 2 layer 6 be amorphous. Also, SiO
The temperature change of the propagation velocity of the surface acoustic wave of the two-layer 6 has a different sign from the temperature change of the diamond layer 3 and the ZnO layer 4. Therefore, for example, when the temperature of the surface acoustic wave element 1 rises, the propagation velocity of the surface acoustic wave of the SiO2 layer 6 increases,
The propagation velocity of the surface acoustic wave in the diamond layer 3 and the ZnO layer 4 decreases. Therefore, the SiO2 layer 6 cancels the temperature change of the propagation velocity in the diamond layer 3 and the ZnO layer 4, and as a result, the propagation velocity of the surface acoustic wave element 1 becomes stable against the temperature change.

【００２８】次に、本実施形態に係る表面弾性波素子１
の実施例を説明する。Next, the surface acoustic wave device 1 according to the present embodiment.
An example will be described.

【００２９】この実施例では、圧電体であるＺｎＯ層４
の厚さｔｚと保護層であるＳｉＯ2層６の厚さｔＳを変
えて表面弾性波素子１を製造し、最適な伝播速度ｖ、電
気機械結合係数Ｋ2及び温度周波数特性ＴＣＦを与える
ようなＺｎＯ層４の厚さｔｚ及びＳｉＯ2層６の厚さｔ
Ｓの最適化を行った。In this embodiment, the ZnO layer 4 which is a piezoelectric material is used.
Of the surface acoustic wave device 1 by changing the thickness tz of the SiO2 layer and the thickness tS of the SiO2 layer 6 as the protective layer, and providing the optimum propagation velocity v, electromechanical coupling coefficient K2, and temperature frequency characteristic TCF of the ZnO layer. 4 and the thickness t of the SiO2 layer 6
Optimization of S was performed.

【００３０】（第一実施例）本実施例の表面弾性波素子
は、以下のように製造した。(First Example) The surface acoustic wave device of this example was manufactured as follows.

【００３１】１０ｍｍ×１０ｍｍ×１ｍｍのシリコン基
板上にマイクロ波プラズマＣＶＤ法を用いてダイヤモン
ドを５０μｍまで成膜した後、ダイヤモンド表面をダイ
ヤモンドコート研磨機を用いて膜厚２０μｍまで研磨し
た。多結晶ダイヤモンドの原料には、ＣＨ4をＨ2で１０
０倍に希釈したガスを用いた。After a diamond film was formed to a thickness of 50 μm on a silicon substrate of 10 mm × 10 mm × 1 mm by the microwave plasma CVD method, the diamond surface was polished to a film thickness of 20 μm using a diamond coat polishing machine. As a raw material for polycrystalline diamond, CH4 is 10 with H2.
A gas diluted 0 times was used.

【００３２】そして、このダイヤモンドの上に、ＺｎＯ
多結晶をＡｒと酸素の混合ガスでスパッタする方法によ
り、ＺｎＯ薄膜を形成した。スパッタ条件は、基板温度
４００゜Ｃ、ＲＦパワー１６０Ｗ、圧力２．７Ｐａとし
た。スパッタの時間を変えることにより、ＺｎＯの膜厚
を変化させることができる。そして、ｋｈ１＝１．６〜
６．０となるように、ＺｎＯ層の膜厚ｔｚを変えたもの
を作製した。Then, on this diamond, ZnO
A ZnO thin film was formed by a method of sputtering a polycrystal with a mixed gas of Ar and oxygen. The sputtering conditions were a substrate temperature of 400 ° C., an RF power of 160 W, and a pressure of 2.7 Pa. The film thickness of ZnO can be changed by changing the sputtering time. And kh1 = 1.6 ~
The ZnO layer having different film thickness tz was prepared so as to be 6.0.

【００３３】ここで、ｋｈ１は、ＺｎＯ層の厚さを表面
弾性波の波長λに対して相対的に表現するためのパラメ
ータであり、次の式（２）により表されるものである。Here, kh1 is a parameter for expressing the thickness of the ZnO layer relative to the wavelength λ of the surface acoustic wave, and is represented by the following equation (2).

【００３４】 ｋｈ１＝２π・（ｔｚ／λ_M） ＝５・２π・（ｔｚ／λ） ‥‥（２） 但し、λ_Mは、５倍高調波の波長であり、λ／５であ
る。Kh1 = 2π (tz / λ _M ) = 52π (tz / λ) (2) where λ _M is the wavelength of the fifth harmonic and is λ / 5.

【００３５】次に、ＺｎＯ層の上にＡｌを抵抗加熱法に
より蒸着し、櫛形電極を形成した。櫛形電極は、フォト
リソグラフィー及びエッチングにより、シングル電極構
造の持つさまざまな線幅のものを形成した。Next, Al was vapor-deposited on the ZnO layer by a resistance heating method to form a comb-shaped electrode. The comb electrodes were formed by photolithography and etching to have various line widths of the single electrode structure.

【００３６】そして、櫛形電極を覆うようにして、Ｚｎ
Ｏ層の上に非晶質ＳｉＯ2膜を形成した。非晶質ＳｉＯ2
膜の形成は、基板温度１５０゜Ｃ、高周波パワー２００
Ｗ、Ａｒ：Ｏ2＝１：１の混合ガス、圧力０．０１Ｔｏ
ｒｒ、ターゲットＳｉＯ2の条件の下でスパッタリング
より行った。スパッタの時間を変えることにより、Ｓｉ
Ｏ2の膜厚を変化させることができる。そして、ｋｈ２
＝２．０〜５．０となるように、ＳｉＯ2層の膜厚ｔＳ
を変えたものを作製した。Then, a Zn electrode is formed so as to cover the comb-shaped electrode.
An amorphous SiO2 film was formed on the O layer. Amorphous SiO2
The film is formed at a substrate temperature of 150 ° C and a high frequency power of 200.
W, Ar: O2 = 1: 1 mixed gas, pressure 0.01To
Sputtering was performed under the conditions of rr and target SiO2. By changing the sputtering time, Si
The film thickness of O2 can be changed. And kh2
= 2.0-5.0, the film thickness tS of the SiO2 layer
Was produced by changing.

【００３７】ここで、ｋｈ２は、ＳｉＯ2層の厚さを表
面弾性波の波長λに対して相対的に表現するためのパラ
メータであり、次の式（３）により表されるものであ
る。Here, kh2 is a parameter for expressing the thickness of the SiO 2 layer relative to the wavelength λ of the surface acoustic wave, and is expressed by the following equation (3).

【００３８】 ｋｈ２＝２π・（ｔＳ／λ_M） ＝５・２π・（ｔＳ／λ） ‥‥（３） このようにして、図１に示すような構造を有し、ＺｎＯ
層４及びＳｉＯ2層６の厚さの異なる表面弾性波素子を
製造した。Kh2 = 2π (tS / λ _M ) = 52π (tS / λ) (3) Thus, the structure shown in FIG.
Surface acoustic wave devices having different thicknesses of the layer 4 and the SiO2 layer 6 were manufactured.

【００３９】そして、これらの各表面弾性波素子につい
て、電極５１に高周波電力を印加して二次モードの表面
弾性波を励起させ、ｖ＝ｆλ_M（ｆ：中心周波数）の関
係から、励起された表面弾性波の伝播速度を求めた。For each of these surface acoustic wave elements, high-frequency power is applied to the electrode 51 to excite a secondary mode surface acoustic wave, and the surface acoustic wave is excited from the relationship of v = fλ _M (f: center frequency). The propagation velocity of surface acoustic waves was obtained.

【００４０】各表面弾性波素子の電気機械結合係数Ｋ2
は、ネットワークアナライザ（横河ヒューレットパッカ
ード社製、８７９１Ａ）を用いて二次モードにおいて測
定された各表面弾性波素子の櫛形電極の放射コンダクタ
ンスの実部Ｇに基づき、次の式（４）により求めた。Electromechanical coupling coefficient K2 of each surface acoustic wave element
Is calculated by the following equation (4) based on the real part G of the radiative conductance of the comb-shaped electrode of each surface acoustic wave element measured in the secondary mode using a network analyzer (Yokogawa Hewlett Packard, 8791A). It was

【００４１】 Ｋ2＝Ｇ／（８・ｆ0・Ｃ・Ｎ） ‥‥（４） 但し、ｆ0は中心周波数、Ｃは櫛形電極の全静電容量、
Ｎは櫛形電極の対の数である。K2 = G / (8 · f0 · C · N) (4) where f0 is the center frequency, C is the total capacitance of the comb electrodes,
N is the number of pairs of comb electrodes.

【００４２】そして、温度周波数特性ＴＣＦは、表面弾
性波素子をヒーターで加熱し、室温から８０゜Ｃまで変
化させ、１０゜Ｃおきに中心周波数を測定したところ、
直線関係が得られ、この直線の傾きから求めた。The temperature-frequency characteristic TCF was obtained by heating the surface acoustic wave element with a heater, changing the temperature from room temperature to 80 ° C., and measuring the center frequency every 10 ° C.
A linear relationship was obtained and was calculated from the slope of this straight line.

【００４３】また、表面弾性波素子のＺｎＯ層の正確な
厚さｔｚ及びＳｉＯ2層の正確な厚さｔＳは、上述した
各パラメータを測定した後、表面弾性波素子を切断し、
切断面をＳＥＭで観察することにより求めた。そして、
厚さｔｚ、ｔＳに基づいて、パラメータｋｈ１及びｋｈ
２を求め、対応するパラメータの結果を評価した。The exact thickness tz of the ZnO layer and the exact thickness tS of the SiO2 layer of the surface acoustic wave device are determined by measuring the above-mentioned parameters and then cutting the surface acoustic wave device.
It was determined by observing the cut surface with an SEM. And
Based on the thickness tz, tS, the parameters kh1 and kh
2 was obtained and the results of the corresponding parameters were evaluated.

【００４４】図３は、本実施例により製造された表面弾
性波素子について、ＺｎＯ層の厚さとＳｉＯ2層の厚さ
に対する電気機械結合係数Ｋ2の変化を二次元直交座標
グラフとして示したものである。図３のグラフにおい
て、横軸はＺｎＯ層の厚さに関するパラメータｋｈ１
（上述の式（２）参照）であり、縦軸はＳｉＯ2層の厚
さに関するパラメータｋｈ２（上述の式（３）参照）で
ある。また、グラフの各曲線に付随する数値は、曲線に
対応する電気機械結合係数Ｋ2の値である。これらの単
位は％である。FIG. 3 is a two-dimensional orthogonal coordinate graph showing changes in the electromechanical coupling coefficient K2 with respect to the thickness of the ZnO layer and the thickness of the SiO2 layer in the surface acoustic wave device manufactured according to this example. . In the graph of FIG. 3, the horizontal axis represents the parameter kh1 related to the thickness of the ZnO layer.
(See the above formula (2)), and the vertical axis is the parameter kh2 regarding the thickness of the SiO2 layer (see the above formula (3)). The numerical value associated with each curve in the graph is the electromechanical coupling coefficient K2 corresponding to the curve. These units are%.

【００４５】図４は、本実施例により製造された表面弾
性波素子について、ＺｎＯ層の厚さとＳｉＯ2層の厚さ
に対する伝播速度ｖの変化を二次元直交座標グラフとし
て示したものである。図４のグラフにおいて、横軸はＺ
ｎＯ層の厚さに関するパラメータｋｈ１、縦軸はＳｉＯ
2層の厚さに関するパラメータｋｈ２である。また、グ
ラフの各曲線に付随する数値は、曲線に対応する伝播速
度ｖの値である。伝播速度ｖの単位は、ｍ／ｓである。FIG. 4 is a two-dimensional Cartesian coordinate graph showing changes in the propagation velocity v with respect to the thickness of the ZnO layer and the thickness of the SiO 2 layer in the surface acoustic wave device manufactured according to this example. In the graph of FIG. 4, the horizontal axis is Z
Parameter kh1 relating to the thickness of the nO layer, the vertical axis is SiO
It is a parameter kh2 regarding the thickness of two layers. The numerical value associated with each curve in the graph is the value of the propagation velocity v corresponding to the curve. The unit of the propagation velocity v is m / s.

【００４６】図５は、本実施例により製造された表面弾
性波素子について、ＺｎＯ層の厚さとＳｉＯ2層の厚さ
に対する温度周波数特性ＴＣＦの変化を二次元直交座標
グラフとして示したものである。図４のグラフにおい
て、横軸はＺｎＯ層の厚さに関するパラメータｋｈ１、
縦軸はＳｉＯ2層の厚さに関するパラメータｋｈ２であ
る。また、グラフの各曲線に付随する数値は、曲線に対
応する温度周波数特性ＴＣＦの値である。温度周波数特
性ＴＣＦの単位は、ｐｐｍ／゜Ｃである。FIG. 5 is a two-dimensional Cartesian coordinate graph showing changes in the temperature-frequency characteristic TCF with respect to the thickness of the ZnO layer and the thickness of the SiO2 layer in the surface acoustic wave device manufactured according to this example. In the graph of FIG. 4, the horizontal axis represents the parameter kh1 related to the thickness of the ZnO layer,
The vertical axis is the parameter kh2 relating to the thickness of the SiO2 layer. The numerical value associated with each curve in the graph is the value of the temperature frequency characteristic TCF corresponding to the curve. The unit of the temperature frequency characteristic TCF is ppm / ° C.

【００４７】ここで、図３において電気機械結合係数Ｋ
2が０．２〜０．５６％を満たし、図４において伝播速
度ｖが４５００ｍ／ｓ以上を満たし、かつ、図５におい
て温度周波数特性ＴＣＦが−２０〜＋２０ｐｐｍ／゜Ｃ
を満たすｋｈ１及びｋｈ２の数値範囲を図６に示す。Here, the electromechanical coupling coefficient K in FIG.
2 satisfies 0.2 to 0.56%, the propagation velocity v satisfies 4500 m / s or more in FIG. 4, and the temperature frequency characteristic TCF in FIG. 5 is −20 to +20 ppm / ° C.
FIG. 6 shows the numerical ranges of kh1 and kh2 that satisfy the above condition.

【００４８】図６は、図３〜図５と同様に、横軸をｋｈ
１、縦軸をｋｈ２とした二次元直交座標グラフである。
本図において、電気機械結合係数Ｋ2が０．２〜０．５
６％であり、伝播速度ｖが４５００ｍ／ｓ以上であり、
かつ、温度周波数特性ＴＣＦが−２０〜＋２０ｐｐｍ／
゜Ｃであるｋｈ１及びｋｈ２の数値は、本図中の点Ａ、
Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｍ、
Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ａを順に線
分で結んでなる領域（各線分上を含む）で与えられる。In FIG. 6, as in FIGS. 3 to 5, the horizontal axis represents kh.
1 is a two-dimensional Cartesian coordinate graph with the vertical axis of 1 and kh2.
In this figure, the electromechanical coupling coefficient K2 is 0.2 to 0.5.
6%, the propagation velocity v is 4500 m / s or more,
And, the temperature frequency characteristic TCF is -20 to +20 ppm /
The numerical values of kh1 and kh2 that are ° C are points A and
B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L, M,
N, O, P, Q, R, S, T, U, V, W, and A are sequentially connected by line segments (including each line segment).

【００４９】ここで、点Ａは座標（ｋｈ１＝４．４、ｋ
ｈ２＝７．４）で与えられ、点Ｂは座標（ｋｈ１＝５．
０、ｋｈ２＝６．９）で与えられ、点Ｃは座標（ｋｈ１
＝５．２、ｋｈ２＝６．２）で与えられ、点Ｄは座標
（ｋｈ１＝５．０、ｋｈ２＝５．６）で与えられ、点Ｅ
は座標（ｋｈ１＝４．５、ｋｈ２＝５．１）で与えら
れ、点Ｆは座標（ｋｈ１＝４．０、ｋｈ２＝４．６）で
与えられ、点Ｇは座標（ｋｈ１＝３．５、ｋｈ２＝４．
４）で与えられ、点Ｈは座標（ｋｈ１＝３．０、ｋｈ２
＝４．１）で与えられ、点Ｉは座標（ｋｈ１＝２．８、
ｋｈ２＝４．０）で与えられ、点Ｊは座標（ｋｈ１＝
２．６、ｋｈ２＝３．４）で与えられ、点Ｋは座標（ｋ
ｈ１＝３．０、ｋｈ２＝３．０）で与えられ、点Ｌは座
標（ｋｈ１＝３．５、ｋｈ２＝２．９）で与えられ、点
Ｍは座標（ｋｈ１＝３．５、ｋｈ２＝２．０）で与えら
れ、点Ｎは座標（ｋｈ１＝３．０、ｋｈ２＝２．０）で
与えられ、点Ｏは座標（ｋｈ１＝２．５、ｋｈ２＝２．
０）で与えられ、点Ｐは座標（ｋｈ１＝２．０、ｋｈ２
＝２．０）で与えられ、点Ｑは座標（ｋｈ１＝１．８、
ｋｈ２＝２．６）で与えられ、点Ｒは座標（ｋｈ１＝
１．７、ｋｈ２＝４．０）で与えられ、点Ｓは座標（ｋ
ｈ１＝２．０、ｋｈ２＝４．５）で与えられ、点Ｔは座
標（ｋｈ１＝２．５、ｋｈ２＝５．２）で与えられ、点
Ｕは座標（ｋｈ１＝３．０、ｋｈ２＝５．７）で与えら
れ、点Ｖは座標（ｋｈ１＝３．５、ｋｈ２＝６．１）で
与えられ、点Ｗは座標（ｋｈ１＝４．０、ｋｈ２＝６．
８）で与えられる。Here, the point A has coordinates (kh1 = 4.4, k
h2 = 7.4), and the point B has coordinates (kh1 = 5.
0, kh2 = 6.9), and the point C has coordinates (kh1
= 5.2, kh2 = 6.2), point D is given by coordinates (kh1 = 5.0, kh2 = 5.6), and point E
Is given by coordinates (kh1 = 4.5, kh2 = 5.1), point F is given by coordinates (kh1 = 4.0, kh2 = 4.6), and point G is given by coordinates (kh1 = 3.5). , Kh2 = 4.
4), the point H has coordinates (kh1 = 3.0, kh2
= 4.1), the point I has coordinates (kh1 = 2.8,
kh2 = 4.0), the point J has coordinates (kh1 =
2.6, kh2 = 3.4), and the point K has coordinates (k
h1 = 3.0, kh2 = 3.0), the point L is given by coordinates (kh1 = 3.5, kh2 = 2.9), and the point M is given by coordinates (kh1 = 3.5, kh2 = 2.0), the point N is given by coordinates (kh1 = 3.0, kh2 = 2.0), and the point O is given by coordinates (kh1 = 2.5, kh2 = 2.
0) and the point P has coordinates (kh1 = 2.0, kh2
= 2.0), the point Q has coordinates (kh1 = 1.8,
kh2 = 2.6), the point R has coordinates (kh1 =
1.7, kh2 = 4.0), the point S has coordinates (k
h1 = 2.0, kh2 = 4.5), the point T is given by coordinates (kh1 = 2.5, kh2 = 5.2), and the point U is given by coordinates (kh1 = 3.0, kh2 =). 5.7), the point V is given by coordinates (kh1 = 3.5, kh2 = 6.1), and the point W is given by coordinates (kh1 = 4.0, kh2 = 6.
Given in 8).

【００５０】すなわち、励起される二次モードの表面弾
性波の５倍高調波を用い、図６に示す点Ａ、Ｂ、Ｃ、
Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｏ、
Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ａを順に線分で結ん
でなる領域（各線分上を含む）で与えられるｋｈ１及び
ｋｈ２の数値をとることにより、電気機械結合係数Ｋ2
が０．２〜０．５６％であり、伝播速度ｖが４５００ｍ
／ｓ以上であり、かつ、温度周波数特性ＴＣＦが−２０
〜＋２０ｐｐｍ／゜Ｃである表面弾性波素子が得られ
る。That is, using the fifth harmonic of the excited secondary mode surface acoustic wave, points A, B, C shown in FIG.
D, E, F, G, H, I, J, K, L, M, N, O,
The electromechanical coupling coefficient is obtained by taking the numerical values of kh1 and kh2 given in the region (including each line segment) in which P, Q, R, S, T, U, V, W, and A are sequentially connected by line segments. K2
Is 0.2 to 0.56% and the propagation velocity v is 4500 m
/ S or more, and the temperature-frequency characteristic TCF is -20
A surface acoustic wave device having a +20 ppm / ° C is obtained.

【００５１】また、表面弾性波素子の伝搬速度ｖが４５
００〜６５００ｍ／ｓである場合、上述の式（１）によ
り、櫛形電極の電極部の線幅を０．５μｍ以上として形
成することができる。このため、櫛形電極の製造が容易
となり、表面弾性波素子の量産が容易となる。Further, the propagation velocity v of the surface acoustic wave device is 45.
In the case of 00 to 6500 m / s, the line width of the electrode portion of the comb-shaped electrode can be formed to be 0.5 μm or more according to the above formula (1). Therefore, the comb electrodes can be easily manufactured, and the surface acoustic wave device can be easily mass-produced.

【００５２】また、櫛形電極の電極部の線幅を０．５μ
ｍ以上とし、表面弾性波の動作中心周波数を５．０〜１
１．３ＧＨｚとした場合又は表面弾性波の動作中心周波
数を９．５〜１０．５ＧＨｚとした場合でも、上述した
電気機械結合係数Ｋ2、伝播速度ｖ及び温度周波数特性
ＴＣＦの特性が得られる。The line width of the electrode portion of the comb-shaped electrode is 0.5 μm.
m or more and the operating center frequency of the surface acoustic wave is 5.0 to 1
The characteristics of the electromechanical coupling coefficient K2, the propagation velocity v, and the temperature-frequency characteristic TCF described above are obtained even when the operating center frequency of the surface acoustic wave is set to 1.3 GHz or 9.5 to 10.5 GHz.

【００５３】（第二実施例）本実施例の表面弾性波素子
は、第一実施例と同様な手法を用い、条件を変更して１
０ＧＨｚの中心周波数で動作する表面弾性波素子を製造
した。(Second Embodiment) The surface acoustic wave device of the present embodiment uses the same method as in the first embodiment, but the conditions are changed to 1
A surface acoustic wave device operating at a center frequency of 0 GHz was manufactured.

【００５４】ＺｎＯの膜厚ｔｚを変化させてパラメータ
ｋｈ１が２．０〜６．０となるように表面弾性波素子を
製造した。また、ＳｉＯ2の膜厚ｔＳを変化させてパラ
メータｋｈ２が２．０〜８．０となるように表面弾性波
素子を製造した。A surface acoustic wave device was manufactured by changing the film thickness tz of ZnO so that the parameter kh1 was 2.0 to 6.0. Further, the surface acoustic wave device was manufactured by changing the film thickness tS of SiO2 so that the parameter kh2 was 2.0 to 8.0.

【００５５】そして、第一実施例と同様に、ＺｎＯ層の
厚さとＳｉＯ2層の厚さに対する電気機械結合係数Ｋ2、
伝播速度ｖ及び温度周波数特性ＴＣＦの変化を表した二
次元直交座標グラフを作成し、それらの二次元直交座標
グラフに基づいて、電気機械結合係数Ｋ2が０．４〜
０．５６％を満たし、伝播速度ｖが４５００ｍ／ｓ以上
を満たし、かつ、温度周波数特性ＴＣＦが−２０〜＋２
０ｐｐｍ／゜Ｃを満たすｋｈ１及びｋｈ２の数値範囲を
二次元直交座標グラフとして表した。Then, as in the first embodiment, the electromechanical coupling coefficient K2 with respect to the thickness of the ZnO layer and the thickness of the SiO2 layer,
Two-dimensional Cartesian coordinate graphs representing changes in the propagation velocity v and the temperature-frequency characteristic TCF are created, and based on the two-dimensional Cartesian coordinate graphs, the electromechanical coupling coefficient K2 is 0.4 to 0.4.
0.56%, the propagation velocity v satisfies 4500 m / s or more, and the temperature-frequency characteristic TCF is -20 to +2.
The numerical range of kh1 and kh2 that satisfies 0 ppm / ° C is shown as a two-dimensional Cartesian coordinate graph.

【００５６】その二次元直交座標グラフを図７に示す。The two-dimensional rectangular coordinate graph is shown in FIG.

【００５７】図７において、横軸はｋｈ１、縦軸はｋｈ
２である。本図において、電気機械結合係数Ｋ2が０．
４〜０．５６％であり、伝播速度ｖが４５００ｍ／ｓ以
上であり、かつ、温度周波数特性ＴＣＦが−２０〜＋２
０ｐｐｍ／゜Ｃであるｋｈ１及びｋｈ２の数値は、本図
中の点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、
Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ａを順に線分で
結んでなる領域（各線分上を含む）で与えられる。In FIG. 7, the horizontal axis represents kh1 and the vertical axis represents kh.
It is 2. In this figure, the electromechanical coupling coefficient K2 is 0.
4 to 0.56%, the propagation velocity v is 4500 m / s or more, and the temperature-frequency characteristic TCF is -20 to +2.
The numerical values of kh1 and kh2, which are 0 ppm / ° C, are points A, B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, and
L, M, N, O, P, Q, R, S, T, and A are sequentially connected by line segments (inclusive of each line segment).

【００５８】ここで、点Ａは座標（ｋｈ１＝４．４、ｋ
ｈ２＝６．９）で与えられ、点Ｂは座標（ｋｈ１＝５．
０、ｋｈ２＝６．４）で与えられ、点Ｃは座標（ｋｈ１
＝５．２、ｋｈ２＝６．２）で与えられ、点Ｄは座標
（ｋｈ１＝５．０、ｋｈ２＝５．６）で与えられ、点Ｅ
は座標（ｋｈ１＝４．６、ｋｈ２＝５．２）で与えら
れ、点Ｆは座標（ｋｈ１＝４．４、ｋｈ２＝５．０）で
与えられ、点Ｇは座標（ｋｈ１＝４．０、ｋｈ２＝４．
６）で与えられ、点Ｈは座標（ｋｈ１＝３．５、ｋｈ２
＝４．４）で与えられ、点Ｉは座標（ｋｈ１＝３．０、
ｋｈ２＝４．１）で与えられ、点Ｊは座標（ｋｈ１＝
２．８、ｋｈ２＝４．０）で与えられ、点Ｋは座標（ｋ
ｈ１＝２．６、ｋｈ２＝３．４）で与えられ、点Ｌは座
標（ｋｈ１＝２．８、ｋｈ２＝３．０）で与えられ、点
Ｍは座標（ｋｈ１＝３．２、ｋｈ２＝２．４）で与えら
れ、点Ｎは座標（ｋｈ１＝２．７、ｋｈ２＝２．４）で
与えられ、点Ｏは座標（ｋｈ１＝２．２、ｋｈ２＝３．
０）で与えられ、点Ｐは座標（ｋｈ１＝２．２、ｋｈ２
＝３．５）で与えられ、点Ｑは座標（ｋｈ１＝２．５、
ｋｈ２＝４．７）で与えられ、点Ｒは座標（ｋｈ１＝
３．０、ｋｈ２＝５．２）で与えられ、点Ｓは座標（ｋ
ｈ１＝３．５、ｋｈ２＝５．７）で与えられ、点Ｔは座
標（ｋｈ１＝４．０、ｋｈ２＝６．３）で与えられる。Here, the point A has coordinates (kh1 = 4.4, k
h2 = 6.9), and the point B has coordinates (kh1 = 5.
0, kh2 = 6.4), and the point C has coordinates (kh1
= 5.2, kh2 = 6.2), point D is given by coordinates (kh1 = 5.0, kh2 = 5.6), and point E
Is given by coordinates (kh1 = 4.6, kh2 = 5.2), point F is given by coordinates (kh1 = 4.4, kh2 = 5.0), and point G is given by coordinates (kh1 = 4.0). , Kh2 = 4.
6), the point H has coordinates (kh1 = 3.5, kh2
= 4.4), the point I has coordinates (kh1 = 3.0,
kh2 = 4.1), the point J has coordinates (kh1 =
2.8, kh2 = 4.0), and the point K has coordinates (k
h1 = 2.6, kh2 = 3.4), the point L is given by coordinates (kh1 = 2.8, kh2 = 3.0), and the point M is given by coordinates (kh1 = 3.2, kh2 =). 2.4), the point N is given by coordinates (kh1 = 2.7, kh2 = 2.4), and the point O is given by coordinates (kh1 = 2.2, kh2 = 3.
0), and the point P has coordinates (kh1 = 2.2, kh2).
= 3.5), the point Q has coordinates (kh1 = 2.5,
kh2 = 4.7), the point R has coordinates (kh1 =
3.0, kh2 = 5.2), the point S has coordinates (k
h1 = 3.5, kh2 = 5.7), and the point T is given by coordinates (kh1 = 4.0, kh2 = 6.3).

【００５９】すなわち、図７に示す点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、
Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、
Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ａを順に線分で結んでなる領域（各線
分上を含む）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２の数値をと
ることにより、電気機械結合係数Ｋ2が０．４〜０．５
６％であり、伝播速度ｖが４５００ｍ／ｓ以上であり、
かつ、温度周波数特性ＴＣＦが−２０〜＋２０ｐｐｍ／
゜Ｃである表面弾性波素子が得られる。That is, points A, B, C, D, shown in FIG.
E, F, G, H, I, J, K, L, M, N, O, P,
By taking the numerical values of kh1 and kh2 given in the region (including each line segment) in which Q, R, S, T, and A are sequentially connected by a line segment, the electromechanical coupling coefficient K2 is 0.4 to 0. 5
6%, the propagation velocity v is 4500 m / s or more,
And, the temperature frequency characteristic TCF is -20 to +20 ppm /
A surface acoustic wave device having a temperature of ° C can be obtained.

【００６０】また、表面弾性波素子の伝搬速度ｖが４５
００〜６５００ｍ／ｓである場合、上述の式（１）によ
り、櫛形電極の電極部の線幅を０．５μｍ以上として形
成することができる。このため、櫛形電極の製造が容易
となり、表面弾性波素子の量産が容易となる。The propagation velocity v of the surface acoustic wave element is 45.
In the case of 00 to 6500 m / s, the line width of the electrode portion of the comb-shaped electrode can be formed to be 0.5 μm or more according to the above formula (1). Therefore, the comb electrodes can be easily manufactured, and the surface acoustic wave device can be easily mass-produced.

【００６１】また、櫛形電極の電極部の線幅を０．５μ
ｍ以上とし、表面弾性波の動作中心周波数を５．０〜１
１．３ＧＨｚとした場合又は表面弾性波の動作中心周波
数を９．５〜１０．５ＧＨｚとした場合でも、上述した
電気機械結合係数Ｋ2、伝播速度ｖ及び温度周波数特性
ＴＣＦの特性が得られる。The line width of the electrode portion of the comb-shaped electrode is 0.5 μm.
m or more and the operating center frequency of the surface acoustic wave is 5.0 to 1
The characteristics of the electromechanical coupling coefficient K2, the propagation velocity v, and the temperature-frequency characteristic TCF described above are obtained even when the operating center frequency of the surface acoustic wave is set to 1.3 GHz or 9.5 to 10.5 GHz.

【００６２】[0062]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、励
起する二次モードの表面弾性波の５倍高調波を用いるこ
とにより、高周波領域で良好な伝播特性、電気機械結合
係数、周波数温度特性を得ることができる。As described above, according to the present invention, good propagation characteristics, electromechanical coupling coefficient and frequency temperature can be obtained in the high frequency region by using the 5th harmonic of the surface acoustic wave of the secondary mode to be excited. The characteristics can be obtained.

【００６３】また、櫛形電極の電極部分の線幅を大きく
できるため、量産性の向上が図れる。Since the line width of the electrode portion of the comb-shaped electrode can be increased, mass productivity can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の実施形態に係る表面弾性波素子の説明
図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.

【図２】図１の表面弾性波素子における櫛形電極の説明
図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a comb-shaped electrode in the surface acoustic wave device of FIG.

【図３】第一実施例に係る表面弾性波素子における電気
機械結合係数の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of an electromechanical coupling coefficient in the surface acoustic wave device according to the first embodiment.

【図４】第一実施例に係る表面弾性波素子における伝播
特性の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of propagation characteristics in the surface acoustic wave device according to the first embodiment.

【図５】第一実施例に係る表面弾性波素子における温度
周波数特性の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of temperature frequency characteristics in the surface acoustic wave element according to the first embodiment.

【図６】第一実施例に係る表面弾性波素子におけるパラ
メータｋｈ１及びｋｈ２の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of parameters kh1 and kh2 in the surface acoustic wave device according to the first example.

【図７】第二実施例に係る表面弾性波素子におけるパラ
メータｋｈ１及びｋｈ２の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of parameters kh1 and kh2 in the surface acoustic wave device according to the second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…表面弾性波素子、２…基板、３…ダイヤモンド層、
４…ＺｎＯ層、５…櫛形電極、６…ＳｉＯ2層。1 ... Surface acoustic wave device, 2 ... Substrate, 3 ... Diamond layer,
4 ... ZnO layer, 5 ... comb-shaped electrode, 6 ... SiO2 layer.

フロントページの続き (72)発明者 藤井 知 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住 友電気工業株式会社 伊丹製作所内 (72)発明者 鹿田 真一 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住 友電気工業株式会社 伊丹製作所内 (56)参考文献 特開 平10−276061（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−51248（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−198412（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−83078（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03H 9/145 H03H 9/25 Front page continuation (72) Inventor Satoshi Fujii 1-1-1 Kunyo Kita, Itami City, Hyogo Prefecture Sumitomo Electric Industries, Ltd. Itami Works (72) Inventor Shinichi Shikada 1-1-1 Kunyo Kita, Itami City, Hyogo Prefecture No. Sumitomo Electric Industries, Ltd. Itami Works (56) Reference JP-A-10-276061 (JP, A) JP-A-9-51248 (JP, A) JP-A-3-198412 (JP, A) JP Hei 5-83078 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. ⁷ , DB name) H03H 9/145 H03H 9/25

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 ダイヤモンド層と、 前記ダイヤモンド層の上に形成され厚さｔｚのＺｎＯ層
と、 前記ＺｎＯ層の上に形成され表面弾性波の励振及び受信
を行う櫛形電極と、 前記櫛形電極を覆い前記ＺｎＯ層の上に形成され厚さｔ
ＳのＳｉＯ2層と、を備え、 二次モードの前記表面弾性波の基本波の波長をλとした
ときに、ｋｈ１＝５・２π・（ｔｚ／λ）、ｋｈ２＝５
・２π・（ｔＳ／λ）で与えられる前記ｋｈ１及び前記
ｋｈ２が、横軸に前記ｋｈ１、縦軸に前記ｋｈ２を与え
る二次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝４．
４、ｋｈ２＝７．４）で与えられる点Ａと、座標（ｋｈ
１＝５．０、ｋｈ２＝６．９）で与えられる点Ｂと、座
標（ｋｈ１＝５．２、ｋｈ２＝６．２）で与えられる点
Ｃと、座標（ｋｈ１＝５．０、ｋｈ２＝５．６）で与え
られる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝４．５、ｋｈ２＝５．
１）で与えられる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝４．０、ｋｈ
２＝４．６）で与えられる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝３．
５、ｋｈ２＝４．４）で与えられる点Ｇと、座標（ｋｈ
１＝３．０、ｋｈ２＝４．１）で与えられる点Ｈと、座
標（ｋｈ１＝２．８、ｋｈ２＝４．０）で与えられる点
Ｉと、座標（ｋｈ１＝２．６、ｋｈ２＝３．４）で与え
られる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝３．０、ｋｈ２＝３．
０）で与えられる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝３．５、ｋｈ
２＝２．９）で与えられる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝３．
５、ｋｈ２＝２．０）で与えられる点Ｍと、座標（ｋｈ
１＝３．０、ｋｈ２＝２．０）で与えられる点Ｎと、座
標（ｋｈ１＝２．５、ｋｈ２＝２．０）で与えられる点
Ｏと、座標（ｋｈ１＝２．０、ｋｈ２＝２．０）で与え
られる点Ｐと、座標（ｋｈ１＝１．８、ｋｈ２＝２．
６）で与えられる点Ｑと、座標（ｋｈ１＝１．７、ｋｈ
２＝４．０）で与えられる点Ｒと、座標（ｋｈ１＝２．
０、ｋｈ２＝４．５）で与えられる点Ｓと、座標（ｋｈ
１＝２．５、ｋｈ２＝５．２）で与えられる点Ｔと、座
標（ｋｈ１＝３．０、ｋｈ２＝５．７）で与えられる点
Ｕと、座標（ｋｈ１＝３．５、ｋｈ２＝６．１）で与え
られる点Ｖと、座標（ｋｈ１＝４．０、ｋｈ２＝６．
８）で与えられる点Ｗと、前記Ａ点とを順に線分で結
ぶ、２３本の線分からなる領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫ
ＬＭＮＯＰＱＲＳＴＵＶＷＡの前記２３本の線上を含む
内部に与えられ、 励起される前記二次モードの表面弾性波の５倍高調波が
用いられること、を特徴とする表面弾性波素子。1. A diamond layer, a ZnO layer having a thickness tz formed on the diamond layer, a comb-shaped electrode formed on the ZnO layer for exciting and receiving surface acoustic waves, and the comb-shaped electrode. The cover is formed on the ZnO layer and has a thickness t
And a SiO2 layer of S, where kh1 = 5 · 2π · (tz / λ), kh2 = 5, where λ is the wavelength of the fundamental wave of the surface acoustic wave in the secondary mode.
In the two-dimensional Cartesian coordinate graph in which the kh1 and the kh2 given by 2π · (tS / λ) give the kh1 on the horizontal axis and the kh2 on the vertical axis, coordinates (kh1 = 4.
4, the point A given by kh2 = 7.4) and the coordinates (kh
1 = 5.0, kh2 = 6.9), point B given by coordinates (kh1 = 5.2, kh2 = 6.2), and coordinates (kh1 = 5.0, kh2 = 5.6) and the coordinates (kh1 = 4.5, kh2 = 5.
1) and the coordinates (kh1 = 4.0, kh)
2 = 4.6) and the coordinates (kh1 = 3.
5, the point G given by kh2 = 4.4) and the coordinates (kh
1 = 3.0, kh2 = 4.1), a point H given by coordinates (kh1 = 2.8, kh2 = 4.0), and coordinates (kh1 = 2.6, kh2 =). 3.4) and the coordinates (kh1 = 3.0, kh2 = 3.
0) and the coordinates (kh1 = 3.5, kh)
2 = 2.9) and the coordinates (kh1 = 3.
5, the point M given by kh2 = 2.0) and the coordinates (kh
1 = 3.0, kh2 = 2.0), a point N given by coordinates (kh1 = 2.5, kh2 = 2.0), and coordinates (kh1 = 2.0, kh2 =). 2.0) and the coordinates (kh1 = 1.8, kh2 = 2.
6) and the coordinates Q (kh1 = 1.7, kh)
2 = 4.0) and coordinates (kh1 = 2.
0, kh2 = 4.5) and the coordinates (kh
1 = 2.5, kh2 = 5.2), a point T given by coordinates (kh1 = 3.0, kh2 = 5.7) and coordinates (kh1 = 3.5, kh2 =) 6.1) and the coordinates (kh1 = 4.0, kh2 = 6.
An area ABCDEFGHIJK consisting of 23 line segments that connects the point W given in 8) and the point A in order with line segments.
A surface acoustic wave device, characterized in that a 5th harmonic of the surface acoustic wave of the secondary mode that is applied to and excited inside the LMNOPQRSTUVWA including the above 23 lines is used. 【請求項２】 ダイヤモンド層と、 前記ダイヤモンド層の上に形成され厚さｔｚのＺｎＯ層
と、 前記ＺｎＯ層の上に形成され表面弾性波の励振及び受信
を行う櫛形電極と、 前記櫛形電極を覆い前記ＺｎＯ層の上に形成され厚さｔ
ＳのＳｉＯ2層と、を備え、 二次モードの前記表面弾性波の基本波の波長をλとした
ときに、ｋｈ１＝５・２π・（ｔｚ／λ）、ｋｈ２＝５
・２π・（ｔＳ／λ）で与えられる前記ｋｈ１及び前記
ｋｈ２が、横軸に前記ｋｈ１、縦軸に前記ｋｈ２を与え
る二次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝４．
４、ｋｈ２＝６．９）で与えられる点Ａと、座標（ｋｈ
１＝５．０、ｋｈ２＝６．４）で与えられる点Ｂと、座
標（ｋｈ１＝５．２、ｋｈ２＝６．２）で与えられる点
Ｃと、座標（ｋｈ１＝５．０、ｋｈ２＝５．６）で与え
られる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝４．６、ｋｈ２＝５．
２）で与えられる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝４．４、ｋｈ
２＝５．０）で与えられる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝４．
０、ｋｈ２＝４．６）で与えられる点Ｇと、座標（ｋｈ
１＝３．５、ｋｈ２＝４．４）で与えられる点Ｈと、座
標（ｋｈ１＝３．０、ｋｈ２＝４．１）で与えられる点
Ｉと、座標（ｋｈ１＝２．８、ｋｈ２＝４．０）で与え
られる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝２．６、ｋｈ２＝３．
４）で与えられる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝２．８、ｋｈ
２＝３．０）で与えられる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝３．
２、ｋｈ２＝２．４）で与えられる点Ｍと、座標（ｋｈ
１＝２．７、ｋｈ２＝２．４）で与えられる点Ｎと、座
標（ｋｈ１＝２．２、ｋｈ２＝３．０）で与えられる点
Ｏと、座標（ｋｈ１＝２．２、ｋｈ２＝３．５）で与え
られる点Ｐと、座標（ｋｈ１＝２．５、ｋｈ２＝４．
７）で与えられる点Ｑと、座標（ｋｈ１＝３．０、ｋｈ
２＝５．２）で与えられる点Ｒと、座標（ｋｈ１＝３．
５、ｋｈ２＝５．７）で与えられる点Ｓと、座標（ｋｈ
１＝４．０、ｋｈ２＝６．３）で与えられる点Ｔと、前
記Ａ点とを順に線分で結ぶ、２０本の線分からなる領域
ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＯＰＱＲＳＴＡの前記２
０本の線上を含む内部に与えられ、 励起される前記二次モードの表面弾性波の５倍高調波が
用いられること、を特徴とする表面弾性波素子。2. A diamond layer, a ZnO layer having a thickness tz formed on the diamond layer, a comb-shaped electrode formed on the ZnO layer for exciting and receiving surface acoustic waves, and the comb-shaped electrode. The cover is formed on the ZnO layer and has a thickness t
And a SiO2 layer of S, where kh1 = 5 · 2π · (tz / λ), kh2 = 5, where λ is the wavelength of the fundamental wave of the surface acoustic wave in the secondary mode.
In the two-dimensional Cartesian coordinate graph in which the kh1 and the kh2 given by 2π · (tS / λ) give the kh1 on the horizontal axis and the kh2 on the vertical axis, coordinates (kh1 = 4.
4, the point A given by kh2 = 6.9, and the coordinates (kh
1 = 5.0, kh2 = 6.4), a point B given by coordinates (kh1 = 5.2, kh2 = 6.2), and coordinates (kh1 = 5.0, kh2 =). 5.6) and the coordinates (kh1 = 4.6, kh2 = 5.
2) point E and coordinates (kh1 = 4.4, kh
2 = 5.0) and the coordinates (kh1 = 4.
0, kh2 = 4.6), and the point (kh)
1 = 3.5, kh2 = 4.4), a point H given by coordinates (kh1 = 3.0, kh2 = 4.1), and coordinates (kh1 = 2.8, kh2 = 4.0) and the coordinates (kh1 = 2.6, kh2 = 3.
4) and the point K and coordinates (kh1 = 2.8, kh)
2 = 3.0) and the coordinates (kh1 = 3.
2, a point M given by kh2 = 2.4) and coordinates (kh
1 = 2.7, kh2 = 2.4), a point N given by coordinates (kh1 = 2.2, kh2 = 3.0), and a coordinate (kh1 = 2.2, kh2 =). 3.5) and the coordinates (kh1 = 2.5, kh2 = 4.
7) and the point Q and the coordinates (kh1 = 3.0, kh)
2 = 5.2) and coordinates (kh1 = 3.
5, the point S given by kh2 = 5.7, and the coordinates (kh
1 = 4.0, kh2 = 6.3), and the point A given by the line A is connected to the point A in order, and the area ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTA is composed of 20 lines.
A surface acoustic wave device, characterized in that a 5th harmonic of the surface acoustic wave of the secondary mode which is applied to and excited inside including zero lines is used. 【請求項３】 前記表面弾性波の動作中心周波数をｆ
0、前記表面弾性波の伝播速度をｖとしたときに、 前記伝搬速度ｖが４５００〜６５００ｍ／ｓであり、 前記櫛形電極の電極ピッチが、ｄｍ＋ｄｆ＝（５・ｖ）
／（２・ｆ0）で与えられること、を特徴とする請求項
１又は２に記載の表面弾性波素子。3. The operating center frequency of the surface acoustic wave is f
0, when the propagation velocity of the surface acoustic wave is v, the propagation velocity v is 4500 to 6500 m / s, and the electrode pitch of the comb-shaped electrodes is dm + df = (5 · v).
It is given by / (2 * f0), The surface acoustic wave element of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. 【請求項４】 前記櫛形電極の電極線幅が０．５μｍ以
上であり、 前記表面弾性波の動作中心周波数が５．０〜１１．３Ｇ
Ｈｚであること、を特徴とする請求項１又は２に記載の
表面弾性波素子。4. The electrode line width of the comb-shaped electrode is 0.5 μm or more, and the operation center frequency of the surface acoustic wave is 5.0 to 11.3 G.
The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the surface acoustic wave device has a frequency of Hz. 【請求項５】 前記櫛形電極の電極線幅が０．５μｍ以
上であり、 前記表面弾性波の動作中心周波数が９．５〜１０．５Ｇ
Ｈｚであること、を特徴とする請求項１又は２に記載の
表面弾性波素子。5. The electrode line width of the comb-shaped electrode is 0.5 μm or more, and the operation center frequency of the surface acoustic wave is 9.5 to 10.5 G.
The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the surface acoustic wave device has a frequency of Hz.