JPH10276061A

JPH10276061A - Surface acoustic wave element and its manufacture

Info

Publication number: JPH10276061A
Application number: JP30562997A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Nakahata; 英章中幡; Tomoyoshi Kamimura; 智喜上村; Kenjiro Higaki; 賢次郎桧垣; Satoru Fujii; 知藤井; Hiroyuki Kitabayashi; 弘之北林; Shinichi Shikada; 真一鹿田
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1996-11-07
Filing date: 1997-11-07
Publication date: 1998-10-13
Anticipated expiration: 2017-11-07
Also published as: JP3275297B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the surface acoustic wave element having an excellent operating characteristic in a high frequency region. SOLUTION: The element is provided with (i) a diamond layer, (ii) a ZnO layer placed on the diamond layer whose thickness is t2 , (iii) interdigital electrodes whose thickness is tA placed on the ZnO layer and (iv) an SiO2 layer whose thickness is tS placed on the ZnO layer while covering the interdigital electrodes. Let kh3 be 2 π (tA/A) with respect to a wavelength A of a surface acoustic wave in the secondary mode, then the kh3 is selected within a range of 0.003<=kh3<=0.099. Thus, kh1=2±(tz /λ), kh2=2π(tS/λ) are 8iven on 12 line segments of a region ABCDEFGHIJKLA and its inside.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ダイヤモンドを含
む表面弾性波素子に関し、特に、ＧＨｚ帯以上の高周波
領域においても良好な動作特性を有する表面弾性波素子
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device containing diamond, and more particularly, to a surface acoustic wave device having good operation characteristics even in a high frequency region of GHz band or more.

【０００２】[0002]

【従来の技術】圧電体の表面を伝播する表面弾性波を利
用する表面弾性波素子は、固有の透過帯域を有し、しか
も小型であり部品点数も少ないため、携帯電話等の通信
機器用のバンドパスフィルター等への応用が期待されて
いる。典型的な表面弾性波素子は、表面弾性波の励振及
び受信のための櫛型電極を圧電体の表面上に備える構造
を有する。櫛型電極に、入力出力の１対の櫛型電極(int
erdigital transducer)を用いる場合、入力櫛型電極に
印加された交流電力は圧電体表面上で機械的エネルギー
に変換されるが、電極が櫛型であるため圧電体内に疎密
が発生して弾性波となり、圧電体表面を伝播して出力櫛
型電極へと到達する。そして、到達した表面弾性波は出
力櫛型電極により再び電気的エネルギーに変換され出力
される。表面弾性波素子が有する透過帯域の中心周波数
ｆ₀ は、櫛型電極の間隔λ₀ と圧電体表面上の弾性波の
伝播速度（伝搬速度）Ｖとから、ｆ₀ ＝Ｖ／λ₀ で与えられる。2. Description of the Related Art A surface acoustic wave element utilizing a surface acoustic wave propagating on the surface of a piezoelectric material has an inherent transmission band, is small in size, and has a small number of components. It is expected to be applied to bandpass filters and the like. A typical surface acoustic wave device has a structure in which comb-shaped electrodes for exciting and receiving surface acoustic waves are provided on the surface of a piezoelectric body. A pair of input and output comb electrodes (int
When using an erdigital transducer, the AC power applied to the input comb-shaped electrode is converted into mechanical energy on the surface of the piezoelectric body. , And propagates on the surface of the piezoelectric body to reach the output comb-shaped electrode. Then, the arrived surface acoustic wave is converted into electric energy again by the output comb-shaped electrode and output. The center frequency f ₀ of the transmission band of the surface acoustic wave element is given by f ₀ = V / λ ₀ from the interval λ ₀ between the comb-shaped electrodes and the propagation velocity (propagation velocity) V of the elastic wave on the piezoelectric body surface. Can be

【０００３】しかし、ＧＨｚ帯で良好に動作する表面弾
性波素子を作製することは困難である。透過帯域の中心
周波数ｆ₀ を上昇させるためには、上記関係式から自明
なように、櫛型電極の間隔λ₀ を小さくするか、表面弾
性波の伝播速度Ｖを増加させるかのいずれかを行えばよ
いが、λ₀ はフォトリソグラフィー等の加工技術により
著しく制限を受ける。従って、高周波数帯域で動作する
表面弾性波素子を得るには、Ｖを大きくすることが必要
である。However, it is difficult to manufacture a surface acoustic wave device that operates well in the GHz band. In order to increase the center frequency f ₀ of the transmission band, it is obvious from the above relational equation that either the interval λ ₀ between the comb-shaped electrodes is reduced or the propagation velocity V of the surface acoustic wave is increased. However, λ ₀ is significantly limited by processing techniques such as photolithography. Therefore, it is necessary to increase V in order to obtain a surface acoustic wave device operating in a high frequency band.

【０００４】また良好な動作のためには、電気機械変換
の性能を表す電気機械結合係数Ｋ²、温度依存性を表す
周波数温度係数（ＴＣＦ）並びに伝搬時の減衰による損
失を表す伝搬損失の値が、それぞれ所定の範囲内に適合
していることが必要である。For good operation, an electromechanical coupling coefficient K ² representing the performance of the electromechanical conversion, a frequency temperature coefficient (TCF) representing the temperature dependency, and a propagation loss value representing a loss due to attenuation during propagation. Must be within a predetermined range.

【０００５】Ｋ² はある程度大きくないと、表面弾性波
素子として実用に供しない。Ｋ² の好ましい範囲は、目
的とする表面弾性波素子の帯域幅によって変る。表面弾
性波素子を狭帯域フィルターへ応用するためには、Ｋ²
＝０．１０〜０．７％程度、中帯域フィルターには、Ｋ
² ＝０．７〜３％程度、広帯域フィルターには、Ｋ²＝
３〜６％程度が要求される。また、温度依存性はできる
だけ小さい方が有利なことから、ＴＣＦは小さい程好ま
しい。更に、表面弾性波の伝搬における減衰は小さいこ
とが好ましいことから、伝搬損失もできるだけ小さい方
が好ましい。If K ² is not large to some extent, it cannot be put to practical use as a surface acoustic wave device. The preferred range of K ² will vary by the bandwidth of the surface acoustic wave device of interest. To apply a surface acoustic wave device to a narrow band filter, K ²
= 0.10 to 0.7%, K for the middle band filter
² = 0.7-3%, K ² =
About 3 to 6% is required. In addition, since the smaller the temperature dependency, the more advantageous it is, the smaller the TCF, the better. Further, since it is preferable that attenuation in the propagation of the surface acoustic wave is small, it is preferable that the propagation loss is as small as possible.

【０００６】大きな伝播速度及び大きな電気機械結合係
数を得ることにより、高周波領域で用いることのできる
表面弾性波素子を提供する目的で、種々の技術や知見が
開示されている。特開平１−３３９５２１号公報には、
ダイヤモンド上にＺｎＯを形成した表面弾性波素子が開
示されている。また、特開平８−３２３９８号公報に
は、ダイヤモンド上にＬｉＮｂＯ₃ を形成した表面弾性
波素子が開示されている。また、特開平８−６５０８８
号公報には、ダイヤモンド上にＬｉＴａＯ₃ を形成した
表面弾性波素子が開示されている。Various techniques and knowledge have been disclosed for the purpose of providing a surface acoustic wave device that can be used in a high frequency region by obtaining a large propagation speed and a large electromechanical coupling coefficient. JP-A-1-339521 discloses that
A surface acoustic wave device in which ZnO is formed on diamond is disclosed. Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-32398 discloses a surface acoustic wave device in which LiNbO ₃ is formed on diamond. Also, JP-A-8-65088
Discloses a surface acoustic wave device in which LiTaO ₃ is formed on diamond.

【０００７】更に、大きな伝播速度及び大きな電気機械
結合係数に加えて小さなＴＣＦを得ることを目的とし
て、種々の技術や知見が開示されている。特開平６−１
６４２９４号公報には、ダイヤモンドの上に、順に、Ｚ
ｎＯ、ＳｉＯ₂ が形成された表面弾性波素子が開示され
ている。また、特願平７−２１５９８には、ダイヤモン
ドの上に、順に、ＬｉＮｂＯ₃ 、ＳｉＯ₂ が形成された
表面弾性波素子が開示されている。Further, various techniques and knowledge have been disclosed for the purpose of obtaining a small TCF in addition to a large propagation speed and a large electromechanical coupling coefficient. JP-A-6-1
No. 64294 discloses that, in order, Z
A surface acoustic wave device on which nO and SiO ₂ are formed is disclosed. Also, Japanese Patent Application No. 7-21598 discloses a surface acoustic wave device in which LiNbO ₃ and SiO ₂ are sequentially formed on diamond.

【０００８】図６は、表面弾性波素子の層構造を例示す
る。特開平６−１６４２９４号公報では、特に１次モー
ドに着目することにより、図６に示されるような表面弾
性波素子の様々な層構造に対して、好ましいＶ、Ｋ² 及
びＴＣＦを実現している。例えば、特開平６−１６４２
９４号公報では、本願の図６（ｅ）に示されるタイプＥ
の構造に対して、１次モードを利用して、Ｖ＝８，００
０〜１０，０００（ｍ／ｓｅｃ．）、ＴＣＦ＝−１０〜
１０（ｐｐｍ／℃）、Ｋ² ＝０．７〜１．７（％）を達
成した。また、図６（ｂ）に示されるタイプＢの構造に
対して、１次モードを利用して、Ｖ＝８，０００〜１
０，０００（ｍ／ｓｅｃ．）、ＴＣＦ＝−１０〜１０
（ｐｐｍ／℃）、Ｋ² ＝１〜３（％）を達成した。ま
た、図６（ｆ）に示されるタイプＦの構造に対して、１
次モードを利用して、Ｖ＝８，０００〜１０，０００
（ｍ／ｓｅｃ．）、ＴＣＦ＝−１０〜１０（ｐｐｍ／
℃）、Ｋ² ＝１．５〜４．５（％）を達成した。また、
図６（ｄ）に示されるタイプＤの構造に対して、１次モ
ードを利用して、Ｖ＝８，０００〜１０，０００（ｍ／
ｓｅｃ．）、ＴＣＦ＝−１０〜１０（ｐｐｍ／℃）、Ｋ
² ＝０．８〜２．３（％）を達成した。図６（ｇ）に示
されるタイプＧの構造に対して、１次モードを利用し
て、Ｖ＝８，０００〜１０，０００（ｍ／ｓｅｃ．）、
ＴＣＦ＝−１０〜１０（ｐｐｍ／℃）、Ｋ² ＝０．７〜
２．２（％）を達成した。FIG. 6 illustrates a layer structure of a surface acoustic wave device. In Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-164294, preferred V, K ² and TCF are realized for various layer structures of the surface acoustic wave device as shown in FIG. I have. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-1642
No. 94 discloses a type E shown in FIG.
V = 8,000 using the first-order mode for the structure of
0 to 10,000 (m / sec.), TCF = −10
10 (ppm / ° C.) and K ² = 0.7 to 1.7 (%) were achieved. Further, for the type B structure shown in FIG. 6B, V = 8,000 to 1 using the first-order mode.
0000 (m / sec.), TCF = -10 to 10
(Ppm / ° C.) and K ² = 1 to 3 (%). Further, the structure of the type F shown in FIG.
Using the next mode, V = 8,000 to 10,000
(M / sec.), TCF = −10 to 10 (ppm /
° C.), to achieve a K ² = 1.5~4.5 (%). Also,
With respect to the type D structure shown in FIG. 6D, V = 8,000 to 10,000 (m /
sec. ), TCF = −10 to 10 (ppm / ° C.), K
² = 0.8 to 2.3 (%) was achieved. For the structure of type G shown in FIG. 6 (g), V = 8,000 to 10,000 (m / sec.)
TCF = −10 to 10 (ppm / ° C.), K ² = 0.7 to
2.2 (%) was achieved.

【０００９】一方、特開平８−３２３９８号公報では、
圧電体にＬｉＮｂＯ₃ を用いることにより諸特性を更に
向上させ、Ｖ＝１１，０００〜１２，５００（ｍ／ｓｅ
ｃ．）、ＴＣＦ＝−１０〜１０（ｐｐｍ／℃）、Ｋ² ＝
７．５〜９．５（％）が達成された。On the other hand, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-32398,
Various characteristics are further improved by using LiNbO ₃ for the piezoelectric body, and V = 11,000 to 12,500 (m / sec.)
c. ), TCF = −10 to 10 (ppm / ° C.), K ² =
7.5-9.5 (%) was achieved.

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかし、圧電体にＺｎ
Ｏを用いれば、ＬｉＮｂＯ₃ やＬｉＴａＯ₃ 等の他の圧
電体を用いた場合に比べて、ダイヤモンド上に良質の圧
電体の薄膜を形成することが極めて容易である。このた
め、ＺｎＯを用いて上記の諸特性を更に向上させること
は非常に意義がある。However, when the piezoelectric material is Zn,
When O is used, it is extremely easy to form a good quality piezoelectric thin film on diamond as compared with the case where another piezoelectric material such as LiNbO ₃ or LiTaO ₃ is used. For this reason, it is very significant to further improve the above-mentioned various properties by using ZnO.

【００１１】更に、図６（ａ）のタイプＡや図６（ｃ）
のタイプＣのように、ダイヤモンドとＺｎＯ層との間に
電極を有しない構造の表面弾性波素子に対して、上記の
諸性質を向上させることも大いに意義がある。なぜな
ら、このような構造の素子の作製工程において、ＺｎＯ
層の形成時にＡｌ等の金属電極が存在しないため、Ｚｎ
Ｏの形成において温度条件等が大幅に緩和され、製造の
歩留りやＺｎＯ層の品質の向上に有利な製造方法を採る
ことができるようになるからである。無論、ダイヤモン
ド層とＺｎＯ層の間に電極を有する構成においても、Ｚ
ｎＯ層を圧電体として用いる構成は、前述のように表面
弾性波素子形成の点から有利である。Further, the type A shown in FIG. 6A and the type A shown in FIG.
It is also very significant to improve the above-mentioned properties for a surface acoustic wave device having a structure having no electrode between the diamond and the ZnO layer as in the case of type C. This is because, in the process of manufacturing an element having such a structure, ZnO
Since there is no metal electrode such as Al when forming the layer, Zn
This is because the temperature conditions and the like in the formation of O are greatly relaxed, and a manufacturing method advantageous for improving the manufacturing yield and the quality of the ZnO layer can be adopted. Of course, even in a configuration having an electrode between the diamond layer and the ZnO layer, Z
The configuration using the nO layer as the piezoelectric body is advantageous from the viewpoint of forming the surface acoustic wave device as described above.

【００１２】本発明は、上記の状況に鑑みてなされたも
のであり、ダイヤモンド上にＺｎＯ層が形成された構造
を有する表面弾性波素子において、最適な伝播速度Ｖ、
電気機械結合係数Ｋ² 、周波数温度特性ＴＣＦを実現
し、且つ、良好な伝搬損失をも併せて実現することによ
り、高周波領域で非常に優れた動作特性を有する表面弾
性波素子を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has been developed in a surface acoustic wave device having a structure in which a ZnO layer is formed on diamond.
By providing an electromechanical coupling coefficient K ² and a frequency-temperature characteristic TCF and realizing good propagation loss, a surface acoustic wave device having extremely excellent operation characteristics in a high frequency region is provided. Aim.

【００１３】[0013]

【課題を解決するための手段】本願発明者らは、鋭意検
討を重ねた結果、製造が容易で且つ結晶性が制御し易い
ＺｎＯを圧電体として採用し、この圧電体ＺｎＯ層をダ
イヤモンド膜の上に形成し更にその上にＳｉＯ₂ 層を形
成する層構造を基本とする様々な表面弾性波素子につい
て、２次モードに着目して最適化を行うことが、上記の
目的の実現に有効であるとの結論に至った。しかしなが
ら、表面弾性波素子について、良好な伝播速度Ｖ、周波
数温度特性ＴＣＦ、電気機械結合係数Ｋ² を最適化する
ための評価は、各種測定パラメータが複雑に関与するた
め、一般に困難である。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies, the present inventors have adopted ZnO which is easy to manufacture and whose crystallinity is easy to control as a piezoelectric material, and this piezoelectric ZnO layer is formed of a diamond film. It is effective to realize the above object to optimize various surface acoustic wave devices based on a layer structure in which a SiO ₂ layer is formed thereon on the basis of a second mode. I came to the conclusion. However, the surface acoustic wave device, good propagation velocity V, evaluation to optimize the frequency-temperature characteristic TCF, the electromechanical coefficient K ^2, since the various measurement parameters are intricately involved, it is generally difficult.

【００１４】そこで本願発明者らは、先ず、特開平６−
１６４２９４号公報で行われたと同じ評価方法で、図６
に示されるような種々の構造を有する表面弾性波素子に
対して、良好な伝播速度Ｖ、周波数温度特性ＴＣＦ、電
気機械結合係数Ｋ² を与えるような圧電体層及び保護層
の厚さについて一連の予備的評価を行った。この一連の
評価をここでは第１の予備評価と称し、これにより得ら
れた適正な圧電体層及び保護層の厚さの範囲が、図２４
に表された点を結んで形成される範囲で与えられる。こ
の範囲は、図６の（ａ）に示されるタイプＡ、（ｂ）に
示されるタイプＢ、（ｃ）に示されるタイプＣ、（ｄ）
に示されるタイプＤ、（ｆ）に示されるタイプＦに対し
ての評価により得られたものである。[0014] The inventors of the present invention first disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No.
In the same evaluation method as that performed in JP-A-164294, FIG.
Series to the surface acoustic wave device having various structures as shown, excellent propagation velocity V, the thickness of the piezoelectric layer and the protective layer so as to provide frequency-temperature characteristic TCF, the electromechanical coupling coefficient K ² in A preliminary evaluation was made. This series of evaluations is herein referred to as a first preliminary evaluation, and the appropriate range of the thickness of the piezoelectric layer and the protective layer obtained by the evaluation is shown in FIG.
Is given in the range formed by connecting the points represented by. This range includes the type A shown in FIG. 6A, the type B shown in FIG. 6B, the type C shown in FIG.
Are obtained by the evaluation of the type D shown in (f) and the type F shown in (f).

【００１５】次に、上記の第１の予備評価において用い
た伝播速度等の測定と同じ手法において、測定のパラメ
ータを個々に正確に定義し測定の精度を向上させて評価
を行うことにより、良好な伝播速度Ｖ、周波数温度特性
ＴＣＦ、電気機械結合係数Ｋ² を与える圧電体層及び保
護層の厚さについて一連の予備的評価を行った。こちら
の一連の評価をここでは第２の予備評価と称すことに
し、これにより得られた適正な圧電体層及び保護層の厚
さの範囲が同様に、図２５に表された点を結んで形成さ
れる範囲で与えられる。Next, in the same manner as the measurement of the propagation velocity and the like used in the above-mentioned first preliminary evaluation, the parameters of the measurement are individually accurately defined, and the evaluation is performed by improving the accuracy of the measurement. Do propagation velocity V, we conducted a series of preliminary evaluation of the thickness of the piezoelectric layer and the protective layer providing frequency-temperature characteristic TCF, the electromechanical coupling coefficient K ^2. This series of evaluations is herein referred to as a second preliminary evaluation, and the obtained ranges of the appropriate thicknesses of the piezoelectric layer and the protective layer are similarly connected by connecting the points shown in FIG. Given in the range formed.

【００１６】これらの予備評価を行う過程で、本発明者
らは更に、櫛型電極の厚さが表面弾性波素子全体の伝播
速度Ｖ、周波数温度特性ＴＣＦ、電気機械結合係数Ｋ²
等の諸特性に影響を与えることを見出した。In the course of performing these preliminary evaluations, the present inventors have further determined that the thickness of the comb-shaped electrode depends on the propagation velocity V of the entire surface acoustic wave device, the frequency temperature characteristic TCF, and the electromechanical coupling coefficient K ^2.
It has been found that these properties affect various properties.

【００１７】櫛型電極は、通常、アルミニウム等の導電
性材料により形成されるが、このような導電性材料自身
も、独自の伝播速度や線膨張係数等の特性を有してい
る。櫛型電極の厚さによって、櫛型電極自身の諸特性が
表面弾性波素子の伝播速度や周波数温度特性等に与える
影響が変ってくることが、本発明者らにより見出され
た。The comb-shaped electrode is usually formed of a conductive material such as aluminum, and such a conductive material itself has its own characteristics such as a propagation speed and a linear expansion coefficient. The present inventors have found that the influence of various characteristics of the comb electrode itself on the propagation speed, frequency temperature characteristics, and the like of the surface acoustic wave element changes depending on the thickness of the comb electrode.

【００１８】本願発明は、特に、櫛型電極の厚さと、Ｚ
ｎＯ圧電体層の厚さと、ＳｉＯ₂ 保護層の厚さとの関係
に着目してなされたものである。The invention of the present application particularly relates to the thickness of the comb-shaped electrode,
This is based on the relationship between the thickness of the nO piezoelectric layer and the thickness of the SiO ₂ protective layer.

【００１９】すなわち、本発明の第１の表面弾性波素子
は、（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有
し、ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、（ｉ
ｉｉ）厚さｔ_A を有し、ＺｎＯ層の上に配置される櫛型
電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、櫛型電極を覆ってＺ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λに
ついて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３
が、０．０３３≦ｋｈ３≦０．０９９の範囲にあり、
且つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S
／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ
１、縦軸にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおい
て、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．８７）で与
えられる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．５４，ｋｈ２＝
０．８７）で与えられる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．６
０，ｋｈ２＝０．８７）で与えられる点Ｃと、座標（ｋ
ｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝０．９７）で与えられる点Ｄ
と、座標（ｋｈ１＝１．１６，ｋｈ２＝１．２０）で与
えられる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝
０．９３）で与えられる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．６
９，ｋｈ２＝０．７７）で与えられる点Ｇと、座標（ｋ
ｈ１＝１．３１，ｋｈ２＝０．５９）で与えられる点Ｈ
と、座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝０．５０）で与
えられる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝
０．４０）で与えられる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．６
３，ｋｈ２＝０．３３）で与えられる点Ｋと、座標（ｋ
ｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６３）で与えられる点Ｌ
と、点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を
含む内部に与えられることを特徴とする。この領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡは、図１の２次元直交座標グラ
フに示されている。また、この表面弾性波の層構造のタ
イプは、図６（ａ）に例示されるタイプＡである。That is, the first surface acoustic wave device of the present invention comprises: (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer;
ii) a comb electrode having a thickness t _A and disposed on the ZnO layer; and (iv) a Z electrode having a thickness t _S covering the comb electrode.
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein kh3 is given by kh3 = 2π (t _A / λ) with respect to the wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode.
Is in the range of 0.033 ≦ kh3 ≦ 0.099,
And kh1 = 2π (t _Z / λ), kh2 = 2π (t _S
/ Λ) are given by kh1 and kh2 on the horizontal axis.
1. In a two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh2 is given on the vertical axis, a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.87) and a coordinate (kh1 = 0.54, kh2 =
0.87) and coordinates (kh1 = 0.6
0, kh2 = 0.87) and coordinates (k
h1 = 0.81, kh2 = 0.97)
And a point E given by coordinates (kh1 = 1.16, kh2 = 1.20) and coordinates (kh1 = 1.52, kh2 =
0.93) and coordinates (kh1 = 1.6)
9, kh2 = 0.77) and coordinates (k
h1 = 1.31, kh2 = 0.59)
And a point I given by coordinates (kh1 = 1.04, kh2 = 0.50), and coordinates (kh1 = 0.68, kh2 =
0.40) and coordinates (kh1 = 0.6
3, kh2 = 0.33) and a point K given by coordinates (k
h1 = 0.30, kh2 = 0.63)
And point A are sequentially connected by line segments, and are provided inside a region ABCDEFGHIJKLA including the 12 line segments, which is composed of 12 line segments. This area AB
CDEFGHIJKLA is shown in the two-dimensional orthogonal coordinate graph of FIG. Further, the type of the layer structure of the surface acoustic wave is a type A illustrated in FIG.

【００２０】この第１の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，０
００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５〜
１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．１〜１．３％が実現さ
れる。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧電体層
形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の点か
らも有利である。The first surface acoustic wave device has a V = 8,0
00m / sec. Achieving the above, and TCF = -15-
15 ppm / ° C. and K ² = 0.1-1.3% are realized. Further, such a configuration of the element is advantageous from the viewpoint of element formation, since no comb-shaped electrode is present when the ZnO piezoelectric layer is formed.

【００２１】また、本発明の第２の表面弾性波素子は、
上記の第１の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲が同じ
であるタイプＡの表面弾性波素子であって、ｋｈ１及び
ｋｈ２が、２次元直交座標グラフにおいて、点Ａと、点
Ｂと、点Ｉと、点Ｊと、点Ｋと、点Ｌと、点Ａとを順に
線分で結ぶ、６本の線分から成る領域ＡＢＩＪＫＬＡの
６本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴と
する。この領域ＡＢＩＪＫＬＡも、図１の２次元直交座
標グラフに示されている。Further, the second surface acoustic wave device of the present invention comprises:
A type A surface acoustic wave device having the same value range of kh3 as the first surface acoustic wave device, wherein kh1 and kh2 are points A, B, and A region ABIJKLA including six line segments, which sequentially connects the point I, the point J, the point K, the point L, and the point A by line segments, is provided inside the region including the six line segments. Features. This area ABIJKLA is also shown in the two-dimensional orthogonal coordinate graph of FIG.

【００２２】この第２の表面弾性波素子の場合は、Ｖ＝
１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ＝
−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．１〜１．３％
が実現される。更に、このような素子の構成は、第１の
表面弾性波素子と同様に、ＺｎＯ圧電体層形成時に櫛型
電極が存在しないため、素子の形成の点からも有利であ
る。In the case of the second surface acoustic wave device, V =
10,000 m / sec. The above is realized, and TCF =
−15 to 15 ppm / ° C., and K ² = 0.1 to 1.3%
Is realized. Further, such a configuration of the element is advantageous also in terms of element formation, since the comb-shaped electrode does not exist when the ZnO piezoelectric layer is formed, similarly to the first surface acoustic wave element.

【００２３】本発明の第３の表面弾性波素子は、図６
（ａ）のタイプＡの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０９
９≦ｋｈ３≦０．１６５の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸にｋｈ
２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ
１＝０．３０，ｋｈ２＝０．９８）で与えられる点Ａ
と、座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝０．９５）で与
えられる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４５，ｋｈ２＝
０．９６）で与えられる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６
０，ｋｈ２＝１．００）で与えられる点Ｄと、座標（ｋ
ｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝１．２５）で与えられる点Ｅ
と、座標（ｋｈ１＝１．５３，ｋｈ２＝０．８９）で与
えられる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．６０，ｋｈ２＝
０．８０）で与えられる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．２
２，ｋｈ２＝０．６３）で与えられる点Ｈと、座標（ｋ
ｈ１＝１．００，ｋｈ２＝０．５９）で与えられる点Ｉ
と、座標（ｋｈ１＝０．８９，ｋｈ２＝０．５７）で与
えられる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝
０．５２）で与えられる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．５
３，ｋｈ２＝０．４５）で与えられる点Ｌと、座標（ｋ
ｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えられる点Ｍ
と、点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上
を含む内部に与えられることを特徴とする。この領域Ａ
ＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡは、図２の２次元直交座標
グラフに示されている。The third surface acoustic wave device according to the present invention is shown in FIG.
(A) A surface acoustic wave device having a type A layer structure, wherein a wavelength λ of a second-order mode surface acoustic wave is kh.
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.09
9 ≦ kh3 ≦ 0.165 and kh1
= 2π (t _Z / λ) and kh2 = 2π (t _S / λ) given by kh1 and kh2 are kh1 on the horizontal axis and kh on the vertical axis.
In the two-dimensional rectangular coordinate graph giving the coordinates 2, the coordinates (kh
1 = 0.30, kh2 = 0.98)
And a point B given by coordinates (kh1 = 0.40, kh2 = 0.95) and coordinates (kh1 = 0.45, kh2 =
0.96) and coordinates (kh1 = 0.6
0, kh2 = 1.00) and coordinates (k
h1 = 1.04, kh2 = 1.25)
And a point F given by coordinates (kh1 = 1.53, kh2 = 0.89) and coordinates (kh1 = 1.60, kh2 =
0.80) and coordinates (kh1 = 1.2
2, kh2 = 0.63) and a point H given by coordinates (k
h1 = 1.00, kh2 = 0.59)
And a point J given by coordinates (kh1 = 0.89, kh2 = 0.57) and coordinates (kh1 = 0.53, kh2 =
0.52) and coordinates (kh1 = 0.5
3, kh2 = 0.45) and a point L given by coordinates (k
h1 = 0.30, kh2 = 0.65)
And the point A are sequentially connected by line segments, and are provided inside a region ABCDEFGHIJKLMA including 13 line segments, which is composed of 13 line segments. This area A
BCDEFGHIJKLMA is shown in the two-dimensional orthogonal coordinate graph of FIG.

【００２４】この第３の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，０
００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５〜
１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．０５〜１．２０％が実
現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧電
体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の
点からも有利である。This third surface acoustic wave device has a V = 8,0
00m / sec. Achieving the above, and TCF = -15-
15 ppm / ° C. and K ² = 0.05-1.20% are realized. Further, such a configuration of the element is advantageous from the viewpoint of element formation, since no comb-shaped electrode is present when the ZnO piezoelectric layer is formed.

【００２５】また、本発明の第４の表面弾性波素子は、
上記の第３の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲が同じ
であるタイプＡの表面弾性波素子であって、ｋｈ１及び
ｋｈ２が、２次元直交座標グラフにおいて、点Ａと、点
Ｂと、点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６２，ｋｈ２＝０．
７７）で与えられる点Ｎと、点Ｊと、点Ｋと、点Ｌと、
点Ｍと、点Ａとを順に線分で結ぶ、８本の線分から成る
領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡの８本の線分の線上を含む内部
に与えられることを特徴とする。この領域ＡＢＣＮＪＫ
ＬＭＡも、図２の２次元直交座標グラフに示されてい
る。Further, the fourth surface acoustic wave device of the present invention comprises:
A type A surface acoustic wave device in which the value range of kh3 is the same as that of the third surface acoustic wave device, wherein kh1 and kh2 are points A and B in a two-dimensional orthogonal coordinate graph; Point C and coordinates (kh1 = 0.62, kh2 = 0.
77), a point J, a point K, a point L,
The point M and the point A are sequentially provided by a line segment, and are provided inside a region ABCNJKLMA including eight line segments, which is composed of eight line segments. This area ABCNJK
LMA is also shown in the two-dimensional orthogonal coordinate graph of FIG.

【００２６】この第４の表面弾性波素子の場合は、Ｖ＝
１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ＝
−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．０５〜１．１
５％が実現される。更に、このような素子の構成は、第
３の表面弾性波素子と同様に、ＺｎＯ圧電体層形成時に
櫛型電極が存在しないため、素子の形成の点からも有利
である。In the case of the fourth surface acoustic wave device, V =
10,000 m / sec. The above is realized, and TCF =
−15 to 15 ppm / ° C., and K ² = 0.05 to 1.1
5% is achieved. Furthermore, since the structure of such an element is similar to the third surface acoustic wave element, since there is no comb-shaped electrode at the time of forming the ZnO piezoelectric layer, it is advantageous in terms of element formation.

【００２７】本発明の第５の表面弾性波素子は、図６
（ａ）のタイプＡの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１６
５≦ｋｈ３≦０．２３１の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸にｋｈ
２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ
１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０７）で与えられる点Ａ
と、座標（ｋｈ１＝０．３６，ｋｈ２＝１．０７）で与
えられる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝
１．０７）で与えられる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．９
０，ｋｈ２＝１．３７）で与えられる点Ｄと、座標（ｋ
ｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝１．２０）で与えられる点Ｅ
と、座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．８５）で与
えられる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．３４，ｋｈ２＝
０．７９）で与えられる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．０
５，ｋｈ２＝０．７２）で与えられる点Ｈと、座標（ｋ
ｈ１＝０．８５，ｋｈ２＝０．６８）で与えられる点Ｉ
と、座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝０．６８）で与
えられる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝
０．６８）で与えられる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．４
２，ｋｈ２＝０．５５）で与えられる点Ｌと、座標（ｋ
ｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えられる点Ｍ
と、点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上
を含む内部に与えられることを特徴とする。この領域Ａ
ＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡは、図３の２次元直交座標
グラフに示されている。また、この表面弾性波の構造
は、図６（ａ）に例示されるタイプＡである。The fifth surface acoustic wave device according to the present invention is shown in FIG.
(A) A surface acoustic wave device having a type A layer structure, wherein a wavelength λ of a second-order mode surface acoustic wave is kh.
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.16
In the range of 5 ≦ kh3 ≦ 0.231 and kh1
= 2π (t _Z / λ) and kh2 = 2π (t _S / λ) given by kh1 and kh2 are kh1 on the horizontal axis and kh on the vertical axis.
In the two-dimensional rectangular coordinate graph giving the coordinates 2, the coordinates (kh
1 = 0.30, kh2 = 1.07)
And a point B given by coordinates (kh1 = 0.36, kh2 = 1.07) and coordinates (kh1 = 0.43, kh2 =
1.07) and coordinates (kh1 = 0.9
0, kh2 = 1.37) and coordinates (k
h1 = 1.05, kh2 = 1.20)
And a point F given by coordinates (kh1 = 1.52, kh2 = 0.85), and a coordinate (kh1 = 1.34, kh2 =
0.79) and coordinates (kh1 = 1.0
5, kh2 = 0.72) and coordinates (k
h1 = 0.85, kh2 = 0.68)
And a point J given by coordinates (kh1 = 0.71, kh2 = 0.68), and coordinates (kh1 = 0.38, kh2 =
0.68) and coordinates (kh1 = 0.4
2, kh2 = 0.55) and a point L given by coordinates (k
h1 = 0.30, kh2 = 0.65)
And the point A are sequentially connected by line segments, and are provided inside a region ABCDEFGHIJKLMA including 13 line segments, which is composed of 13 line segments. This area A
BCDEFGHIJKLMA is shown in the two-dimensional orthogonal coordinate graph of FIG. The structure of the surface acoustic wave is a type A illustrated in FIG.

【００２８】この第５の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，０
００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５〜
１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．０５〜１．０５％が実
現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧電
体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の
点からも有利である。This fifth surface acoustic wave device has a V = 8.0
00m / sec. Achieving the above, and TCF = -15-
15 ppm / ° C. and K ² = 0.05 to 1.05% are realized. Further, such a configuration of the element is advantageous from the viewpoint of element formation, since no comb-shaped electrode is present when the ZnO piezoelectric layer is formed.

【００２９】また、本発明の第６の表面弾性波素子は、
上記の第５の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲が同じ
であるタイプＡの表面弾性波素子であって、ｋｈ１及び
ｋｈ２が、２次元直交座標グラフにおいて、点Ａと、点
Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝０．９５）で
与えられる点Ｎと、座標（ｋｈ１＝０．６１，ｋｈ２＝
０．７５）で与えられる点Ｏと、点Ｊと、点Ｋと、点Ｌ
と、点Ｍと、点Ａとを順に線分で結ぶ、８本の線分から
成る領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの８本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。この領域ＡＢＮＯ
ＪＫＬＭＡも、図３の２次元直交座標グラフに示されて
いる。Further, the sixth surface acoustic wave device of the present invention comprises:
A type A surface acoustic wave device in which the range of values of kh3 is the same as that of the fifth surface acoustic wave device described above, wherein kh1 and kh2 are points A, B in a two-dimensional orthogonal coordinate graph; A point N given by coordinates (kh1 = 0.43, kh2 = 0.95) and coordinates (kh1 = 0.61, kh2 =
0.75), the point O, the point J, the point K, and the point L
, A point M, and a point A, which are sequentially connected by a line segment, and are provided inside a region ABNOJKLMA including the eight line segments, which includes eight line segments. This area ABNO
JKLMA is also shown in the two-dimensional orthogonal coordinate graph of FIG.

【００３０】この第６の表面弾性波素子の場合は、Ｖ＝
１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ＝
−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．０５〜０．９
５％が実現される。更に、このような素子の構成は、第
５の表面弾性波素子と同様に、ＺｎＯ圧電体層形成時に
櫛型電極が存在しないため、素子の形成の点からも有利
である。In the case of the sixth surface acoustic wave device, V =
10,000 m / sec. The above is realized, and TCF =
−15 to 15 ppm / ° C. and K ² = 0.05 to 0.9
5% is achieved. Further, the structure of such an element is advantageous also from the point of element formation, since there is no comb-shaped electrode when the ZnO piezoelectric layer is formed, as in the fifth surface acoustic wave element.

【００３１】本発明の第７の表面弾性波素子は、図６
（ａ）のタイプＡの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２３
１≦ｋｈ３≦０．２９７の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸にｋｈ
２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ
１＝０．３０，ｋｈ２＝１．１５）で与えられる点Ａ
と、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝１．２０）で与
えられる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４６，ｋｈ２＝
１．３２）で与えられる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６
０，ｋｈ２＝１．５２）で与えられる点Ｄと、座標（ｋ
ｈ１＝０．７３，ｋｈ２＝１．６０）で与えられる点Ｅ
と、座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝１．４４）で与
えられる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝
１．２０）で与えられる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．４
０，ｋｈ２＝０．９１）で与えられる点Ｈと、座標（ｋ
ｈ１＝１．１４，ｋｈ２＝０．８３）で与えられる点Ｉ
と、座標（ｋｈ１＝０．８３，ｋｈ２＝０．７６）で与
えられる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝
０．７３）で与えられる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３
５，ｋｈ２＝０．７３）で与えられる点Ｌと、座標（ｋ
ｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６３）で与えられる点Ｍ
と、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与
えられる点Ｎと、点Ａとを順に線分で結ぶ、１４本の線
分から成る領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの１４
本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る。この領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡは、図４
の２次元直交座標グラフに示されている。A seventh surface acoustic wave device according to the present invention is shown in FIG.
(A) A surface acoustic wave device having a type A layer structure, wherein a wavelength λ of a second-order mode surface acoustic wave is kh.
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.23
1 ≦ kh3 ≦ 0.297 and kh1
= 2π (t _Z / λ) and kh2 = 2π (t _S / λ) given by kh1 and kh2 are kh1 on the horizontal axis and kh on the vertical axis.
In the two-dimensional rectangular coordinate graph giving the coordinates 2, the coordinates (kh
1 = 0.30, kh2 = 1.15)
And a point B given by coordinates (kh1 = 0.38, kh2 = 1.20), and a coordinate (kh1 = 0.46, kh2 =
1.32) and coordinates (kh1 = 0.6
0, kh2 = 1.52) and coordinates (k
h1 = 0.73, kh2 = 1.60)
And a point F given by coordinates (kh1 = 0.81, kh2 = 1.44) and coordinates (kh1 = 1.00, kh2 =
1.20) and coordinates (kh1 = 1.4)
0, kh2 = 0.91) and coordinates (k
h1 = 1.14, kh2 = 0.83)
And a point J given by coordinates (kh1 = 0.83, kh2 = 0.76) and coordinates (kh1 = 0.60, kh2 =
0.73) and coordinates (kh1 = 0.3
5, kh2 = 0.73) and the coordinates (k
h1 = 0.38, kh2 = 0.63)
And a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.65) and a point A, which are sequentially connected by a line segment, to an area ABCDEFGHIJKLMNA 14 consisting of 14 line segments.
It is characterized in that it is given inside including on the line of the book segment. This area ABCDEFGHIJKLMNA corresponds to FIG.
In the two-dimensional orthogonal coordinate graph.

【００３２】この第７の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，０
００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５〜
１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．０５〜０．９５％が実
現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧電
体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の
点からも有利である。The seventh surface acoustic wave device has a V = 8,0
00m / sec. Achieving the above, and TCF = -15-
15 ppm / ° C. and K ² = 0.05-0.95% are realized. Further, such a configuration of the element is advantageous from the viewpoint of element formation, since no comb-shaped electrode is present when the ZnO piezoelectric layer is formed.

【００３３】また、本発明の第８の表面弾性波素子は、
上記の第７の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲が同じ
であるタイプＡの表面弾性波素子であって、ｋｈ１及び
ｋｈ２が、２次元直交座標グラフにおいて、点Ａと、座
標（ｋｈ１＝０．３６，ｋｈ２＝１．００）で与えられ
る点Ｏと、座標（ｋｈ１＝０．４８，ｋｈ２＝０．８
３）で与えられる点Ｐと、点Ｋと、点Ｌと、点Ｍと、点
Ｎと、点Ａとを順に線分で結ぶ、７本の線分から成る領
域ＡＯＰＫＬＭＮＡの７本の線分の線上を含む内部に与
えられることを特徴とする。この領域ＡＯＰＫＬＭＮＡ
も、図４の２次元直交座標グラフに示されている。An eighth surface acoustic wave device according to the present invention comprises:
In the type A surface acoustic wave device having the same value range of kh3 as the seventh surface acoustic wave device, kh1 and kh2 are a point A and a coordinate (kh1 = A point O given by 0.36, kh2 = 1.00) and coordinates (kh1 = 0.48, kh2 = 0.8)
The point A, the point K, the point L, the point M, the point N, and the point A, which are given in 3), are sequentially connected by line segments. It is characterized by being given inside including on a line. This area AOPKLMNA
Are also shown in the two-dimensional orthogonal coordinate graph of FIG.

【００３４】この第８の表面弾性波素子の場合は、Ｖ＝
１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ＝
−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．０５〜０．７
０％が実現される。更に、このような素子の構成は、第
７の表面弾性波素子と同様に、ＺｎＯ圧電体層形成時に
櫛型電極が存在しないため、素子の形成の点からも有利
である。In the case of the eighth surface acoustic wave device, V =
10,000 m / sec. The above is realized, and TCF =
−15 to 15 ppm / ° C. and K ² = 0.05 to 0.7
0% is achieved. Further, such a configuration of the element is advantageous also from the point of element formation, since there is no comb-shaped electrode at the time of forming the ZnO piezoelectric layer, similarly to the seventh surface acoustic wave element.

【００３５】本発明の第９の表面弾性波素子は、図６
（ａ）のタイプＡの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２９
７≦ｋｈ３≦０．３６３の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸にｋｈ
２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ
１＝０．３０，ｋｈ２＝１．２９）で与えられる点Ａ
と、座標（ｋｈ１＝０．３３，ｋｈ２＝１．３６）で与
えられる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝
１．６０）で与えられる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．７
１，ｋｈ２＝１．６０）で与えられる点Ｄと、座標（ｋ
ｈ１＝０．８２，ｋｈ２＝１．４１）で与えられる点Ｅ
と、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２２）で与
えられる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．２７，ｋｈ２＝
０．９７）で与えられる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．０
３，ｋｈ２＝０．８９）で与えられる点Ｈと、座標（ｋ
ｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．７８）で与えられる点Ｉ
と、座標（ｋｈ１＝０．５２，ｋｈ２＝０．７７）で与
えられる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝
０．７６）で与えられる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３
０，ｋｈ２＝１．０９）で与えられる点Ｌと、点Ａとを
順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内部に与
えられることを特徴とする。この領域ＡＢＣＤＥＦＧＨ
ＩＪＫＬＡは、図５の２次元直交座標グラフに示されて
いる。A ninth surface acoustic wave device according to the present invention has the structure shown in FIG.
(A) A surface acoustic wave device having a type A layer structure, wherein a wavelength λ of a second-order mode surface acoustic wave is kh.
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.29
7 ≦ kh3 ≦ 0.363 and kh1
= 2π (t _Z / λ) and kh2 = 2π (t _S / λ) given by kh1 and kh2 are kh1 on the horizontal axis and kh on the vertical axis.
In the two-dimensional rectangular coordinate graph giving the coordinates 2, the coordinates (kh
1 = 0.30, kh2 = 1.29)
And a point B given by coordinates (kh1 = 0.33, kh2 = 1.36), and a coordinate (kh1 = 0.40, kh2 =
1.60) and coordinates (kh1 = 0.7
1, kh2 = 1.60) and coordinates (k
h1 = 0.82, kh2 = 1.41)
And a point F given by coordinates (kh1 = 1.000, kh2 = 1.22) and coordinates (kh1 = 1.27, kh2 =
0.97) and coordinates (kh1 = 1.0
3, kh2 = 0.89) and coordinates (k
h1 = 0.68, kh2 = 0.78)
And a point J given by coordinates (kh1 = 0.52, kh2 = 0.77), and a coordinate (kh1 = 0.30, kh2 =
0.76) and coordinates (kh1 = 0.3
0, kh2 = 1.09), an area ABCDE consisting of 12 line segments connecting the point L and the point A in order by line segments.
FGHIJKLA is provided inside including 12 line segments. This area ABCDEFGH
IJKLA is shown in the two-dimensional orthogonal coordinate graph of FIG.

【００３６】この第９の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，０
００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５〜
１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．０５〜０．８５％が実
現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧電
体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の
点からも有利である。This ninth surface acoustic wave device has a V = 8.0
00m / sec. Achieving the above, and TCF = -15-
15 ppm / ° C. and K ² = 0.05-0.85% are realized. Further, such a configuration of the element is advantageous from the viewpoint of element formation, since no comb-shaped electrode is present when the ZnO piezoelectric layer is formed.

【００３７】また、本発明の第１０の表面弾性波素子
は、上記の第９の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲が
同じであるタイプＡの表面弾性波素子であって、ｋｈ１
及びｋｈ２が、２次元直交座標グラフにおいて、点Ｌ
と、座標（ｋｈ１＝０．３７，ｋｈ２＝０．９４）で与
えられる点Ｍと、点Ｊと、点Ｋと、点Ｌとを順に線分で
結ぶ、４本の線分から成る領域ＬＭＪＫＬの４本の線分
の線上を含む内部に与えられることを特徴とする。この
領域ＬＭＪＫＬも、図５の２次元直交座標グラフに示さ
れている。A tenth surface acoustic wave device according to the present invention is a type A surface acoustic wave device having the same value range of kh3 as the ninth surface acoustic wave device, wherein kh1
And kh2 are points L in the two-dimensional rectangular coordinate graph.
And a point M given by coordinates (kh1 = 0.37, kh2 = 0.94), a point J, a point K, and a point L, which are sequentially connected by line segments, in an area LMJKL composed of four line segments. It is characterized by being provided inside including on the four line segments. This area LMJKL is also shown in the two-dimensional orthogonal coordinate graph of FIG.

【００３８】この第１０の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．０５〜０．
５０％が実現される。更に、このような素子の構成は、
第９の表面弾性波素子と同様に、ＺｎＯ圧電体層形成時
に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の点からも有
利である。In the case of the tenth surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15~15ppm / ℃, and K ² = 0.05~0.
50% is achieved. Further, the configuration of such an element is
As in the ninth surface acoustic wave device, no comb-shaped electrode is present when the ZnO piezoelectric layer is formed, which is advantageous from the viewpoint of forming the device.

【００３９】本発明の第１１の表面弾性波素子は、
（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）ダイヤモンド層の上
に配置される短絡用電極と、（ｉｉｉ）厚さｔ_Z を有
し、短絡用電極を覆ってダイヤモンド層の上に配置され
るＺｎＯ層と、（ｉｖ）厚さｔ_A を有し、ＺｎＯ層の上
に配置される櫛型電極と、（ｖ）厚さｔ_S を有し、櫛型
電極を覆ってＺｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、
を備える表面弾性波素子であって、２次モードの表面弾
性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与
えられるｋｈ３が、０．０３３≦ｋｈ３≦０．０９９
の範囲にあり、且つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ
２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２
が、図１で与えられる領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡ
の１２本の線分の線上を含む内部に与えられることを特
徴とする。この表面弾性波の層構造のタイプは、図６
（ｂ）に例示されるタイプＢである。An eleventh surface acoustic wave device according to the present invention comprises:
(I) a diamond layer; (ii) a short-circuit electrode disposed on the diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer so as to cover the short-circuit electrode. (Iv) a comb-shaped electrode having a thickness t _A and disposed on the ZnO layer; and (v) a comb-shaped electrode having a thickness t _S and disposed on the ZnO layer so as to cover the comb-shaped electrode. A SiO ₂ layer,
Wherein kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) is 0.033 ≦ kh3 ≦ 0.099 for the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave.
And kh1 = 2π (t _Z / λ), kh
Kh1 and kh2 given by 2 = 2π (t _S / λ)
Is the region ABCDEFGHIJKLA given in FIG.
Is provided inside including 12 line segments. The type of the layer structure of this surface acoustic wave is shown in FIG.
Type B illustrated in (b).

【００４０】この第１１の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝１．０〜２．４％が実現
される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制御
の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子形
成の点から有利である。This eleventh surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
１５15 ppm / ° C. and K ² = 1.0-2.4%. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００４１】また、本発明の第１２の表面弾性波素子
は、上記の第１１の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＢの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図１の領域ＡＢＩＪＫＬＡの６本の線
分の線上を含む内部に与えられることを特徴とする。こ
の領域ＡＢＩＪＫＬＡも、図１の２次元直交座標グラフ
に示されている。A twelfth surface acoustic wave device according to the present invention is a type B surface acoustic wave device having the same value range of kh3 as the eleventh surface acoustic wave device.
1 and kh2 are provided inside the area ABIJKLA including the six line segments in FIG. This area ABIJKLA is also shown in the two-dimensional orthogonal coordinate graph of FIG.

【００４２】この第１２の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝１．２〜２．４
％が実現される。また、この構造では、製造及び結晶配
向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。In the case of the twelfth surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15~15ppm / ℃, and K ² = 1.2 to 2.4
% Is realized. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００４３】本発明の第１３の表面弾性波素子は、図６
（ｂ）のタイプＢの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０９
９≦ｋｈ３≦０．１６５の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図２で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。The thirteenth surface acoustic wave device according to the present invention has the structure shown in FIG.
(B) A surface acoustic wave device having a type B layer structure, wherein a wavelength λ of a surface acoustic wave in the second mode is kh.
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.09
9 ≦ kh3 ≦ 0.165 and kh1
_{= 2π (t Z / λ)} , kh2 = 2π (t S / λ) kh1 and kh2 are given in the, region given in FIG. 2 AB
CDEFGHIJKLMA is provided inside including 13 line segments.

【００４４】この第１３の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．７５〜２．２５％が
実現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の
制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素
子形成の点から有利である。The thirteenth surface acoustic wave element has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
１５15 ppm / ° C., and K ² = 0.75 to 2.25%. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００４５】また、本発明の第１４の表面弾性波素子
は、上記の第１３の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＢの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図２で与えられる領域ＡＢＣＮＪＫＬ
ＭＡの８本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。A fourteenth surface acoustic wave element according to the present invention is a type B surface acoustic wave element having the same value range of kh3 as that of the thirteenth surface acoustic wave element.
1 and kh2 are in the region ABCNJKL given in FIG.
It is characterized in that it is provided inside including the eight line segments of the MA.

【００４６】この第１４の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．７５〜２．
２５％が実現される。また、この構造では、製造及び結
晶配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いている
ため、素子形成の点から有利である。In the case of the fourteenth surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15 to 15 ppm / ° C, and K ² = 0.75 to 2.
25% is achieved. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００４７】本発明の第１５の表面弾性波素子は、図６
（ｂ）のタイプＢの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１６
５≦ｋｈ３≦０．２３１の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。The fifteenth surface acoustic wave device according to the present invention has the structure shown in FIG.
(B) A surface acoustic wave device having a type B layer structure, wherein a wavelength λ of a surface acoustic wave in the second mode is kh.
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.16
In the range of 5 ≦ kh3 ≦ 0.231 and kh1
= 2π (t _Z / λ), kh 2 = 2π (t _S / λ) given by kh 1 and kh 2 are the regions AB given in FIG.
CDEFGHIJKLMA is provided inside including 13 line segments.

【００４８】この第１５の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．７０〜２．２％が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。The fifteenth surface acoustic wave element has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
１５15 ppm / ° C. and K ² = 0.70-2.2%. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００４９】また、本発明の第１６の表面弾性波素子
は、上記の第１５の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＢの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢＮＯＪＫＬ
ＭＡの８本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。A sixteenth surface acoustic wave element according to the present invention is a type B surface acoustic wave element having the same value range of kh3 as the fifteenth surface acoustic wave element.
1 and kh2 are in the region ABNOJKL given in FIG.
It is characterized in that it is provided inside including the eight line segments of the MA.

【００５０】この第１６の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．７０〜２．
２％が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。In the case of the sixteenth surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15 to 15 ppm / ° C, and K ² = 0.70 to ² .
2% is achieved. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００５１】本発明の第１７の表面弾性波素子は、図６
（ｂ）のタイプＢの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２３
１≦ｋｈ３≦０．２９７の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの１４本の線分の線上を含
む内部に与えられることを特徴とする。The seventeenth surface acoustic wave device according to the present invention is shown in FIG.
(B) A surface acoustic wave device having a type B layer structure, wherein a wavelength λ of a surface acoustic wave in the second mode is kh.
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.23
1 ≦ kh3 ≦ 0.297 and kh1
= 2π (t _Z / λ), kh2 = kh (1) and kh2 given by 2π (t _S / λ) correspond to the region AB given in FIG.
CDEFGHIJKLMNA is provided inside including 14 line segments.

【００５２】この第１７の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．５５〜１．７５％が
実現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の
制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素
子形成の点から有利である。The seventeenth surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
１５15 ppm / ° C. and K ² = 0.55-1.75% are realized. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００５３】また、本発明の第１８の表面弾性波素子
は、上記の第１７の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＢの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＯＰＫＬＭＮ
Ａの７本の線分の線上を含む内部に与えられることを特
徴とする。An eighteenth surface acoustic wave device according to the present invention is a type B surface acoustic wave device having the same value range of kh3 as that of the seventeenth surface acoustic wave device.
1 and kh2 are in the area AOPKLMN given in FIG.
A is provided inside including seven line segments of A.

【００５４】この第１８の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．６０〜１．
７５％が実現される。また、この構造では、製造及び結
晶配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いている
ため、素子形成の点から有利である。In the case of the eighteenth surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15~15ppm / ℃, and K ² = 0.60~1.
75% is achieved. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００５５】本発明の第１９の表面弾性波素子は、図６
（ｂ）のタイプＢの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２９
７≦ｋｈ３≦０．３６３の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内
部に与えられることを特徴とする。The nineteenth surface acoustic wave device according to the present invention has the structure shown in FIG.
(B) A surface acoustic wave device having a type B layer structure, wherein a wavelength λ of a surface acoustic wave in the second mode is kh.
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.29
7 ≦ kh3 ≦ 0.363 and kh1
= 2π (t _Z / λ), kh2 = 2π (t _S / λ) given by kh1 and kh2 are the regions AB given in FIG.
CDEFGHIJKLA is provided inside including 12 line segments.

【００５６】この第１９の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．３０〜１．７％が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。The nineteenth surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
-15 ppm / ° C. and K ² = 0.30-1.7%. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００５７】また、本発明の第２０の表面弾性波素子
は、上記の第１９の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＢの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＬＭＪＫＬの４
本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る。A twentieth surface acoustic wave element according to the present invention is a type B surface acoustic wave element having the same value range of kh3 as the nineteenth surface acoustic wave element.
1 and kh2 are 4 in the area LMJKL given in FIG.
It is characterized in that it is given inside including on the line of the book segment.

【００５８】この第２０の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．７０〜１．
７％が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。In the case of the twentieth surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15~15ppm / ℃, and K ² = 0.70~1.
7% is achieved. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００５９】本発明の第２１の表面弾性波素子は、図６
（ｃ）のタイプＣの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０３
３≦ｋｈ３≦０．０９９の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図１で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内
部に与えられることを特徴とする。A twenty-first surface acoustic wave device according to the present invention has the structure shown in FIG.
(C) a surface acoustic wave device having a type C layer structure, wherein a wavelength λ of a surface acoustic wave in a second mode is kh
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.03
3 ≦ kh3 ≦ 0.099 and kh1
= 2π (t _Z / λ), kh2 = kh (1) and kh2 given by 2π (t _S / λ) correspond to the region AB given in FIG.
CDEFGHIJKLA is provided inside including 12 line segments.

【００６０】この第２１の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．１２〜０．８５％が
実現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧
電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成
の点からも有利である。The twenty-first surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
１５15 ppm / ° C. and K ² = 0.12-0.85% are realized. Further, such a configuration of the element is advantageous from the viewpoint of element formation, since no comb-shaped electrode is present when the ZnO piezoelectric layer is formed.

【００６１】また、本発明の第２２の表面弾性波素子
は、上記の第２１の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＣの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図１で与えられる領域ＡＢＩＪＫＬＡ
の６本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする。A twenty-second surface acoustic wave device according to the present invention is a type C surface acoustic wave device having the same value range of kh3 as that of the twenty-first surface acoustic wave device.
1 and kh2 are in the region ABIJKLA given in FIG.
Is provided inside including the six line segments.

【００６２】この第２２の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．１２〜０．
８５％が実現される。更に、このような素子の構成は、
ＺｎＯ圧電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素
子の形成の点からも有利である。In the case of the 22nd surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15~15ppm / ℃, and K ² = 0.12~0.
85% is achieved. Further, the configuration of such an element is
Since there is no comb-shaped electrode at the time of forming the ZnO piezoelectric layer, it is advantageous from the viewpoint of forming the element.

【００６３】本発明の第２３の表面弾性波素子は、図６
（ｃ）のタイプＣの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０９
９≦ｋｈ３≦０．１６５の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図２で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。The twenty-third surface acoustic wave device according to the present invention has the structure shown in FIG.
(C) a surface acoustic wave device having a type C layer structure, wherein a wavelength λ of a surface acoustic wave in a second mode is kh
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.09
9 ≦ kh3 ≦ 0.165 and kh1
_{= 2π (t Z / λ)} , kh2 = 2π (t S / λ) kh1 and kh2 are given in the, region given in FIG. 2 AB
CDEFGHIJKLMA is provided inside including 13 line segments.

【００６４】この第２３の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．０５〜０．８５％が
実現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧
電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成
の点からも有利である。The twenty-third surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
１５15 ppm / ° C. and K ² = 0.05-0.85%. Further, such a configuration of the element is advantageous from the viewpoint of element formation, since no comb-shaped electrode is present when the ZnO piezoelectric layer is formed.

【００６５】また、本発明の第２４の表面弾性波素子
は、上記の第２３の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＣの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図２で与えられる領域ＡＢＣＮＪＫＬ
ＭＡの８本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。A twenty-fourth surface acoustic wave element according to the present invention is a type C surface acoustic wave element having the same value range of kh3 as that of the twenty-third surface acoustic wave element.
1 and kh2 are in the region ABCNJKL given in FIG.
It is characterized in that it is provided inside including the eight line segments of the MA.

【００６６】この第２４の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．０５〜０．
８０％が実現される。更に、このような素子の構成は、
ＺｎＯ圧電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素
子の形成の点からも有利である。In the case of the twenty-fourth surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15~15ppm / ℃, and K ² = 0.05~0.
80% is realized. Further, the configuration of such an element is
Since there is no comb-shaped electrode at the time of forming the ZnO piezoelectric layer, it is advantageous from the viewpoint of forming the element.

【００６７】本発明の第２５の表面弾性波素子は、図６
（ｃ）のタイプＣの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１６
５≦ｋｈ３≦０．２３１の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。The twenty-fifth surface acoustic wave device according to the present invention
(C) a surface acoustic wave device having a type C layer structure, wherein a wavelength λ of a surface acoustic wave in a second mode is kh
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.16
In the range of 5 ≦ kh3 ≦ 0.231 and kh1
= 2π (t _Z / λ), kh 2 = 2π (t _S / λ) given by kh 1 and kh 2 are the regions AB given in FIG.
CDEFGHIJKLMA is provided inside including 13 line segments.

【００６８】この第２５の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．０５〜０．８５％が
実現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧
電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成
の点からも有利である。The twenty-fifth surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
１５15 ppm / ° C. and K ² = 0.05-0.85%. Further, such a configuration of the element is advantageous from the viewpoint of element formation, since no comb-shaped electrode is present when the ZnO piezoelectric layer is formed.

【００６９】また、本発明の第２６の表面弾性波素子
は、上記の第２５の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＣの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢＮＯＪＫＬ
ＭＡの８本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。A twenty-sixth surface acoustic wave element according to the present invention is a type C surface acoustic wave element having the same value range of kh3 as that of the twenty-fifth surface acoustic wave element.
1 and kh2 are in the region ABNOJKL given in FIG.
It is characterized in that it is provided inside including the eight line segments of the MA.

【００７０】この第２６の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．０５〜０．
６５％が実現される。更に、このような素子の構成は、
ＺｎＯ圧電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素
子の形成の点からも有利である。In the case of the 26th surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15~15ppm / ℃, and K ² = 0.05~0.
65% is achieved. Further, the configuration of such an element is
Since there is no comb-shaped electrode at the time of forming the ZnO piezoelectric layer, it is advantageous from the viewpoint of forming the element.

【００７１】本発明の第２７の表面弾性波素子は、図６
（ｃ）のタイプＣの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２３
１≦ｋｈ３≦０．２９７の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの１４本の線分の線上を含
む内部に与えられることを特徴とする。The twenty-seventh surface acoustic wave device according to the present invention has the structure shown in FIG.
(C) a surface acoustic wave device having a type C layer structure, wherein a wavelength λ of a surface acoustic wave in a second mode is kh
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.23
1 ≦ kh3 ≦ 0.297 and kh1
= 2π (t _Z / λ), kh2 = kh (1) and kh2 given by 2π (t _S / λ) correspond to the region AB given in FIG.
CDEFGHIJKLMNA is provided inside including 14 line segments.

【００７２】この第２７の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．０５〜０．８２％が
実現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧
電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成
の点からも有利である。The twenty-seventh surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
１５15 ppm / ° C., and K ² = 0.05-0.82%. Further, such a configuration of the element is advantageous from the viewpoint of element formation, since no comb-shaped electrode is present when the ZnO piezoelectric layer is formed.

【００７３】また、本発明の第２８の表面弾性波素子
は、上記の第２７の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＣの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＯＰＫＬＭＮ
Ａの７本の線分の線上を含む内部に与えられることを特
徴とする。この領域ＡＯＰＫＬＭＮＡも、図４の２次元
直交座標グラフに示されている。A twenty-eighth surface acoustic wave element according to the present invention is a type C surface acoustic wave element having the same value range of kh3 as that of the twenty-seventh surface acoustic wave element.
1 and kh2 are in the area AOPKLMN given in FIG.
A is provided inside including seven line segments of A. This area AOPKLMNA is also shown in the two-dimensional orthogonal coordinate graph of FIG.

【００７４】この第２８の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．０５〜０．
５０％が実現される。更に、このような素子の構成は、
ＺｎＯ圧電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素
子の形成の点からも有利である。In the case of the twenty-eighth surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15~15ppm / ℃, and K ² = 0.05~0.
50% is achieved. Further, the configuration of such an element is
Since there is no comb-shaped electrode at the time of forming the ZnO piezoelectric layer, it is advantageous from the viewpoint of forming the element.

【００７５】本発明の第２９の表面弾性波素子は、図６
（ｃ）のタイプＣの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２９
７≦ｋｈ３≦０．３６３の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内
部に与えられることを特徴とする。The twenty-ninth surface acoustic wave device according to the present invention
(C) a surface acoustic wave device having a type C layer structure, wherein a wavelength λ of a surface acoustic wave in a second mode is kh
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.29
7 ≦ kh3 ≦ 0.363 and kh1
= 2π (t _Z / λ), kh2 = 2π (t _S / λ) given by kh1 and kh2 are the regions AB given in FIG.
CDEFGHIJKLA is provided inside including 12 line segments.

【００７６】この第２９の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．０５〜０．７５％が
実現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧
電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成
の点からも有利である。The 29th surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
１５15 ppm / ° C., and K ² = 0.05-0.75%. Further, such a configuration of the element is advantageous from the viewpoint of element formation, since no comb-shaped electrode is present when the ZnO piezoelectric layer is formed.

【００７７】また、本発明の第３０の表面弾性波素子
は、上記の第２９の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＣの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＬＭＪＫＬの４
本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る。A thirtieth surface acoustic wave element according to the present invention is a type C surface acoustic wave element having the same value range of kh3 as that of the twenty-ninth surface acoustic wave element.
1 and kh2 are 4 in the area LMJKL given in FIG.
It is characterized in that it is given inside including on the line of the book segment.

【００７８】この第３０の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．０７〜０．
３５％が実現される。更に、このような素子の構成は、
ＺｎＯ圧電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素
子の形成の点からも有利である。In the case of the thirtieth surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15 to 15 ppm / ° C, and K ² = 0.07 to 0.
35% is achieved. Further, the configuration of such an element is
Since there is no comb-shaped electrode at the time of forming the ZnO piezoelectric layer, it is advantageous from the viewpoint of forming the element.

【００７９】本発明の第３１の表面弾性波素子は、図６
（ｄ）のタイプＤの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０３
３≦ｋｈ３≦０．０９９の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図１で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内
部に与えられることを特徴とする。The thirty-first surface acoustic wave device according to the present invention has the structure shown in FIG.
(D) a surface acoustic wave device having a layer structure of type D, wherein the wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode is kh
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.03
3 ≦ kh3 ≦ 0.099 and kh1
= 2π (t _Z / λ), kh2 = kh (1) and kh2 given by 2π (t _S / λ) correspond to the region AB given in FIG.
CDEFGHIJKLA is provided inside including 12 line segments.

【００８０】この第３１の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．８５〜２．０％が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。This 31st surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
１５15 ppm / ° C. and K ² = 0.85-2.0%. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００８１】また、本発明の第３２の表面弾性波素子
は、上記の第３１の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＤの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図１で与えられる領域ＡＢＩＪＫＬＡ
の６本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする。A thirty-second surface acoustic wave device according to the present invention is a type D surface acoustic wave device having the same value range of kh3 as the thirty-first surface acoustic wave device.
1 and kh2 are in the region ABIJKLA given in FIG.
Is provided inside including the six line segments.

【００８２】この第３２の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝１．０５〜２．
０％が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。In the case of the 32nd surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15 to 15 ppm / [deg.] C and K2 = 1.05 to ² .
0% is achieved. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００８３】本発明の第３３の表面弾性波素子は、図６
（ｄ）のタイプＤの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０９
９≦ｋｈ３≦０．１６５の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図２で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。The thirty-third surface acoustic wave device according to the present invention
(D) a surface acoustic wave device having a layer structure of type D, wherein the wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode is kh
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.09
9 ≦ kh3 ≦ 0.165 and kh1
_{= 2π (t Z / λ)} , kh2 = 2π (t S / λ) kh1 and kh2 are given in the, region given in FIG. 2 AB
CDEFGHIJKLMA is provided inside including 13 line segments.

【００８４】この第３３の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．７５〜１．８０％が
実現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の
制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素
子形成の点から有利である。The 33rd surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
１５15 ppm / ° C. and K ² = 0.75 to 1.80% are realized. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００８５】また、本発明の第３４の表面弾性波素子
は、上記の第３３の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＤの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図２で与えられる領域ＡＢＣＮＪＫＬ
ＭＡの８本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。A thirty-fourth surface acoustic wave element according to the present invention is a type D surface acoustic wave element having the same value range of kh3 as that of the thirty-third surface acoustic wave element.
1 and kh2 are in the region ABCNJKL given in FIG.
It is characterized in that it is provided inside including the eight line segments of the MA.

【００８６】この第３４の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．７５〜１．
８０％が実現される。また、この構造では、製造及び結
晶配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いている
ため、素子形成の点から有利である。In the case of the 34th surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15~15ppm / ℃, and K ² = 0.75 to.
80% is realized. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００８７】本発明の第３５の表面弾性波素子は、図６
（ｄ）のタイプＤの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１６
５≦ｋｈ３≦０．２３１の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。The thirty-fifth surface acoustic wave device of the present invention
(D) a surface acoustic wave device having a layer structure of type D, wherein the wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode is kh
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.16
In the range of 5 ≦ kh3 ≦ 0.231 and kh1
= 2π (t _Z / λ), kh 2 = 2π (t _S / λ) given by kh 1 and kh 2 are the regions AB given in FIG.
CDEFGHIJKLMA is provided inside including 13 line segments.

【００８８】この第３５の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．６５〜１．７％が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。The 35th surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
１５15 ppm / ° C., and K ² = 0.65-1.7%. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００８９】また、本発明の第３６の表面弾性波素子
は、上記の第３５の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＤの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢＮＯＪＫＬ
ＭＡの８本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。この領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡも、図３の２
次元直交座標グラフに示されている。A thirty-sixth surface acoustic wave element according to the present invention is a type D surface acoustic wave element having the same value range of kh3 as the thirty-fifth surface acoustic wave element.
1 and kh2 are in the region ABNOJKL given in FIG.
It is characterized in that it is provided inside including the eight line segments of the MA. This area ABNOJKLMA also corresponds to 2 in FIG.
This is shown in a two-dimensional rectangular coordinate graph.

【００９０】この第３６の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．６５〜１．
７％が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。In the case of the thirty-sixth surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15~15ppm / ℃, and K ² = from 0.65 to 1.
7% is achieved. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００９１】本発明の第３７の表面弾性波素子は、図６
（ｄ）のタイプＤの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２３
１≦ｋｈ３≦０．２９７の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの１４本の線分の線上を含
む内部に与えられることを特徴とする。The thirty-seventh surface acoustic wave device according to the present invention
(D) a surface acoustic wave device having a layer structure of type D, wherein the wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode is kh
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.23
1 ≦ kh3 ≦ 0.297 and kh1
= 2π (t _Z / λ), kh2 = kh (1) and kh2 given by 2π (t _S / λ) correspond to the region AB given in FIG.
CDEFGHIJKLMNA is provided inside including 14 line segments.

【００９２】この第３７の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．５５〜１．６％が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。The 37th surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
１５15 ppm / ° C. and K ² = 0.55-1.6%. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００９３】また、本発明の第３８の表面弾性波素子
は、上記の第３７の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＤの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＯＰＫＬＭＮ
Ａの７本の線分の線上を含む内部に与えられることを特
徴とする。A thirty-eighth surface acoustic wave element according to the present invention is a type D surface acoustic wave element having the same value range of kh3 as the thirty-seventh surface acoustic wave element.
1 and kh2 are in the area AOPKLMN given in FIG.
A is provided inside including seven line segments of A.

【００９４】この第３８の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．５５〜１．
６％が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。In the case of the thirty-eighth surface acoustic wave element, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15 to 15 ppm / ° C, and K ² = 0.55 to 1.
6% is achieved. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００９５】本発明の第３９の表面弾性波素子は、図６
（ｄ）のタイプＤの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２９
７≦ｋｈ３≦０．３６３の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内
部に与えられることを特徴とする。A thirty-ninth surface acoustic wave device according to the present invention has the structure shown in FIG.
(D) a surface acoustic wave device having a layer structure of type D, wherein the wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode is kh
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.29
7 ≦ kh3 ≦ 0.363 and kh1
= 2π (t _Z / λ), kh2 = 2π (t _S / λ) given by kh1 and kh2 are the regions AB given in FIG.
CDEFGHIJKLA is provided inside including 12 line segments.

【００９６】この第３９の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．４０〜１．４％が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。The 39th surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
-15 ppm / ° C. and K ² = 0.40-1.4% are realized. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００９７】また、本発明の第４０の表面弾性波素子
は、上記の第３９の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＤの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＬＭＪＫＬの４
本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る。A fortieth surface acoustic wave element according to the present invention is a type D surface acoustic wave element having the same value range of kh3 as the thirty-third surface acoustic wave element.
1 and kh2 are 4 in the area LMJKL given in FIG.
It is characterized in that it is given inside including on the line of the book segment.

【００９８】この第４０の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．６０〜１．
４％が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。In the case of the fortieth surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15~15ppm / ℃, and K ² = 0.60~1.
4% is achieved. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【００９９】本発明の第４１の表面弾性波素子は、図６
（ｆ）のタイプＦの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０３
３≦ｋｈ３≦０．０９９の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図１で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内
部に与えられることを特徴とする。A forty-first surface acoustic wave device according to the present invention has the structure shown in FIG.
(F) A surface acoustic wave device having a layer structure of type F, wherein the wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode is kh
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.03
3 ≦ kh3 ≦ 0.099 and kh1
= 2π (t _Z / λ), kh2 = kh (1) and kh2 given by 2π (t _S / λ) correspond to the region AB given in FIG.
CDEFGHIJKLA is provided inside including 12 line segments.

【０１００】この第４１の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．２〜１．６％が実現
される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制御
の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子形
成の点から有利である。The forty-first surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
１５15 ppm / ° C. and K ² = 0.2-1.6%. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【０１０１】また、本発明の第４２の表面弾性波素子
は、上記の第４１の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＦの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図１で与えられる領域ＡＢＩＪＫＬＡ
の６本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする。The forty-second surface acoustic wave device of the present invention is a type F surface acoustic wave device having the same value range of kh3 as the forty-first surface acoustic wave device.
1 and kh2 are in the region ABIJKLA given in FIG.
Is provided inside including the six line segments.

【０１０２】この第４２の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．５５〜１．
６％が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。In the case of the forty-second surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15 to 15 ppm / ° C, and K ² = 0.55 to 1.
6% is achieved. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【０１０３】本発明の第４３の表面弾性波素子は、図６
（ｆ）のタイプＦの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０９
９≦ｋｈ３≦０．１６５の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図２で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。A forty-third surface acoustic wave device according to the present invention has the structure shown in FIG.
(F) A surface acoustic wave device having a layer structure of type F, wherein the wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode is kh
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.09
9 ≦ kh3 ≦ 0.165 and kh1
_{= 2π (t Z / λ)} , kh2 = 2π (t S / λ) kh1 and kh2 are given in the, region given in FIG. 2 AB
CDEFGHIJKLMA is provided inside including 13 line segments.

【０１０４】この第４３の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．２５〜１．６％が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。The forty-third surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
１５15 ppm / ° C. and K ² = 0.25-1.6% are realized. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【０１０５】また、本発明の第４４の表面弾性波素子
は、上記の第４３の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＦの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図２で与えられる領域ＡＢＣＮＪＫＬ
ＭＡの８本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。A forty-fourth surface acoustic wave element according to the present invention is a type F surface acoustic wave element having the same value range of kh3 as the forty-third surface acoustic wave element.
1 and kh2 are in the region ABCNJKL given in FIG.
It is characterized in that it is provided inside including the eight line segments of the MA.

【０１０６】この第４４の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．８０〜１．
６％が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。In the case of the forty-fourth surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15~15ppm / ℃, and K ² = 0.80 to.
6% is achieved. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【０１０７】本発明の第４５の表面弾性波素子は、図６
（ｆ）のタイプＦの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１６
５≦ｋｈ３≦０．２３１の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。A forty-fifth surface acoustic wave device according to the present invention is similar to that of FIG.
(F) A surface acoustic wave device having a layer structure of type F, wherein the wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode is kh
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.16
In the range of 5 ≦ kh3 ≦ 0.231 and kh1
= 2π (t _Z / λ), kh 2 = 2π (t _S / λ) given by kh 1 and kh 2 are the regions AB given in FIG.
CDEFGHIJKLMA is provided inside including 13 line segments.

【０１０８】この第４５の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．２５〜１．６％が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。The forty-fifth surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
１５15 ppm / ° C. and K ² = 0.25-1.6% are realized. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【０１０９】また、本発明の第４６の表面弾性波素子
は、上記の第４５の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＦの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢＮＯＪＫＬ
ＭＡの８本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。A forty-sixth surface acoustic wave element according to the present invention is a type F surface acoustic wave element having the same value range of kh3 as the forty-fifth surface acoustic wave element.
1 and kh2 are in the region ABNOJKL given in FIG.
It is characterized in that it is provided inside including the eight line segments of the MA.

【０１１０】この第４６の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．６５〜１．
６％が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。In the case of the forty-sixth surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15~15ppm / ℃, and K ² = from 0.65 to 1.
6% is achieved. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【０１１１】本発明の第４７の表面弾性波素子は、図６
（ｆ）のタイプＦの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２３
１≦ｋｈ３≦０．２９７の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの１４本の線分の線上を含
む内部に与えられることを特徴とする。The forty-seventh surface acoustic wave device according to the present invention has the structure shown in FIG.
(F) A surface acoustic wave device having a layer structure of type F, wherein the wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode is kh
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.23
1 ≦ kh3 ≦ 0.297 and kh1
= 2π (t _Z / λ), kh2 = kh (1) and kh2 given by 2π (t _S / λ) correspond to the region AB given in FIG.
CDEFGHIJKLMNA is provided inside including 14 line segments.

【０１１２】この第４７の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．３〜１．４５％が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。The forty-seventh surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
１５15 ppm / ° C. and K ² = 0.3-1.45% are realized. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【０１１３】また、本発明の第４８の表面弾性波素子
は、上記の第４７の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＦの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＯＰＫＬＭＮ
Ａの７本の線分の線上を含む内部に与えられることを特
徴とする。A forty-eighth surface acoustic wave element according to the present invention is a type F surface acoustic wave element having the same value range of kh3 as the forty-seventh surface acoustic wave element.
1 and kh2 are in the area AOPKLMN given in FIG.
A is provided inside including seven line segments of A.

【０１１４】この第４８の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．５５〜１．
４５％が実現される。また、この構造では、製造及び結
晶配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いている
ため、素子形成の点から有利である。In the case of the forty-eighth surface acoustic wave device, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15 to 15 ppm / ° C, and K ² = 0.55 to 1.
45% is achieved. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【０１１５】本発明の第４９の表面弾性波素子は、図６
（ｆ）のタイプＦの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２９
７≦ｋｈ３≦０．３６３の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内
部に与えられることを特徴とする。The forty-ninth surface acoustic wave device according to the present invention has the structure shown in FIG.
(F) A surface acoustic wave device having a layer structure of type F, wherein the wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode is kh
Kh3 given by 3 = 2π (t _A / λ) is 0.29
7 ≦ kh3 ≦ 0.363 and kh1
= 2π (t _Z / λ), kh2 = 2π (t _S / λ) given by kh1 and kh2 are the regions AB given in FIG.
CDEFGHIJKLA is provided inside including 12 line segments.

【０１１６】この第４９の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．３５〜１．３５％が
実現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の
制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素
子形成の点から有利である。The forty-ninth surface acoustic wave device has V = 8,
000 m / sec. Achieved above, and TCF = -15
-15 ppm / ° C. and K ² = 0.35-1.35% are realized. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【０１１７】また、本発明の第５０の表面弾性波素子
は、上記の第４９の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＦの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＬＭＪＫＬの４
本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る。A fiftieth surface acoustic wave element according to the present invention is a type F surface acoustic wave element having the same value range of kh3 as the forty-nineth surface acoustic wave element.
1 and kh2 are 4 in the area LMJKL given in FIG.
It is characterized in that it is given inside including on the line of the book segment.

【０１１８】この第５０の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ² ＝０．７０〜１．
３５％が実現される。また、この構造では、製造及び結
晶配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いている
ため、素子形成の点から有利である。In the case of the fiftieth surface acoustic wave element, V
= 10,000 m / sec. Realizing the above and TCF
= -15~15ppm / ℃, and K ² = 0.70~1.
35% is achieved. In addition, this structure is advantageous in terms of element formation because ZnO, which can be easily manufactured and whose crystal orientation is easily controlled, is used as the piezoelectric body.

【０１１９】なお、以上説明した本発明の第１の表面弾
性波素子〜第５０の表面弾性波素子の全ての表面弾性波
素子は、１次モードを利用する場合に比べて、伝搬損失
を低く抑えることができるという利点も併せて有してい
る。これら全ての表面弾性波素子では、１次モードを利
用した場合の伝搬損失が２ＧＨｚにおいて０．０５ｄＢ
／λであるが、２次モードを利用した本発明の場合は、
伝搬損失は２ＧＨｚにおいて０．０３ｄＢ／λである。Note that all the surface acoustic wave elements of the first to fiftieth surface acoustic wave elements of the present invention described above have lower propagation loss than the case where the first-order mode is used. It also has the advantage that it can be suppressed. In all of these surface acoustic wave devices, the propagation loss when using the first mode is 0.05 dB at 2 GHz.
/ Λ in the case of the present invention using the second-order mode,
The propagation loss is 0.03 dB / λ at 2 GHz.

【０１２０】本発明に従って、図６（ａ）に示されるよ
うなタイプＡの層構造を有する表面弾性波素子を製造す
る方法は、（１）ダイヤモンド層の上に、厚さｔ_Z とな
るようにＺｎＯ層を形成するステップと、（２）ＺｎＯ
層の上に、厚さｔ_A となるように櫛型電極を形成するス
テップと、（３）櫛型電極を覆ってＺｎＯ層の上に、厚
さｔ_S となるようにＳｉＯ₂ 層を形成するステップと、
を有する表面弾性波素子の製造方法において、２次モー
ドの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z
／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１
及びｋｈ２が、図１で与えられる領域ＡＢＣＤＥＦＧＨ
ＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内部に与えられ
るようにｔ_Z 及びｔ_S を選択し、且つ、ｋｈ３＝２π
（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０３３≦ｋｈ
３≦０．０９９の範囲となるようにｔ_A を選択するこ
とを特徴とする。また、この製造方法において、更に、
ｋｈ１及びｋｈ２が図１の領域ＡＢＩＪＫＬＡの中に含
まれるように、ｔ_Z 及びｔ_Sを選択してもよい。According to the present invention, a method for manufacturing a surface acoustic wave device having a type A layer structure as shown in FIG. 6A is as follows: (1) A method of manufacturing a surface acoustic wave device having a thickness t _Z on a diamond layer. Forming a ZnO layer on (2) ZnO
Forming a comb electrode to a thickness t _A on the layer; and (3) forming a SiO ₂ layer to a thickness t _S on the ZnO layer covering the comb electrode. Steps to
Kh1 = 2π (t _Z) for the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave.
/ Λ), kh2 = kh (1) given by 2π (t _S / λ)
And kh2 are in the region ABCDEFGH given in FIG.
T _z and t _S are selected so as to be given to the inside including the line of the 12 line segments of IJKLA, and kh3 = 2π
Kh3 given by (t _A / λ) is 0.033 ≦ kh
It is characterized in that t _A is selected so as to be in a range of 3 ≦ 0.099. Further, in this manufacturing method,
t _Z and t _S may be selected such that kh1 and kh2 are included in the region ABIJKLA of FIG.

【０１２１】また、この製造方法において、０．０９９
≦ｋｈ３≦０．１６５の範囲となるようにｔ_A を選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図２の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＭＡの線上を含む内部に与えられるよう
にｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ
２が図２の領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡの線上を含む内部に
与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよい。ま
た、この製造方法において、０．１６５≦ｋｈ３≦０．
２３１の範囲となるようにｔ_A を選択し、且つ、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図３の領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬ
ＭＡの線上を含む内部に与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S
を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２が図３の領域
ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの線上を含む内部に与えられるよう
にｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよい。また、この製造方法
において、０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７の範囲と
なるようにｔ_A を選択し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、
図４の領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの線上を含
む内部に与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよ
く、更にｋｈ１及びｋｈ２が図４の領域ＡＯＰＫＬＭＮ
Ａの線上を含む内部に与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を
選択してもよい。また、この製造方法において、０．２
９７≦ｋｈ３≦０．３６３の範囲となるようにｔ_A を
選択し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図５の領域ＡＢＣ
ＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの線上を含む内部に与えられるよ
うにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋ
ｈ２が図５の領域ＬＭＪＫＬの線上を含む内部に与えら
れるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよい。In this manufacturing method, 0.099
≤ kh3 ≤ 0.165, and t _A is selected, and kh1 and kh2 are set in the region ABCDE of FIG.
T _Z and t _S may be selected to be provided inside, including on the line of FGHIJKLMA, and further kh1 and kh
T _Z and t _S may be selected such that 2 is provided inside, including on the line of region ABCNJKLMA of FIG. In this manufacturing method, 0.165 ≦ kh3 ≦ 0.
Select t _A such that 231 range, and, kh
1 and kh2 correspond to the region ABCDEFGHIJKL in FIG.
T _Z and t _S as given inside, including on the line of MA
May be selected, and furthermore, t _Z and t _S may be selected such that kh1 and kh2 are provided inside the area ABNOJKLMA including the line of FIG. Further, in this manufacturing method, t _A is selected so as to be in a range of 0.231 ≦ kh3 ≦ 0.297, and kh1 and kh2 are
T _Z and t _S may be selected to be provided inside and including the line of the region ABCDEFGHIJKLMNA of FIG. 4, and further, kh1 and kh2 may be selected by the region AOPKLMN of FIG.
T _Z and t _S may be selected to be provided inside including on the line of A. Further, in this manufacturing method, 0.2
97 ≦ KH3 Select t _A to be in the range of ≦ 0.363, and, kh1 and kh2 are regions of FIG. 5 ABC
T _Z and t _S may be selected to be provided internally, including on the DEFGHIJKLA line, and further kh1 and k
t _Z and t _S may be selected such that h2 is provided inside the area LMJKL including on the line of FIG.

【０１２２】本発明に従って、図６（ｂ）に示されるよ
うなタイプＢの層構造を有する表面弾性波素子を製造す
る方法は、（１）ダイヤモンド層の上に、短絡用電極を
形成するステップと、（２）短絡用電極を覆ってダイヤ
モンド層の上に、厚さｔ_Z となるようにＺｎＯ層を形成
するステップと、（３）ＺｎＯ層の上に、厚さｔ_A とな
るように櫛型電極を形成するステップと、（ｖ）櫛型電
極を覆ってＺｎＯ層の上に、厚さｔ_S となるようにＳｉ
Ｏ₂ 層を形成するステップと、を有する表面弾性波素子
の製造方法において、２次モードの表面弾性波の波長λ
について、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π
（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、図２で
与えられる領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本
の線分の線上を含む内部に与えられるようにｔ_Z 及びｔ
_S を選択し、且つ、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えら
れるｋｈ３が、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５の範囲
となるようにｔ_A を選択することを特徴とする。また、
この製造方法において、更に、ｋｈ１及びｋｈ２が図２
の領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡの線上を含む内部に与えられ
るようにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよい。According to the present invention, a method for manufacturing a surface acoustic wave device having a layer structure of type B as shown in FIG. 6 (b) comprises the steps of (1) forming a short-circuit electrode on a diamond layer. If, (2) on the diamond layer covers the short-circuiting electrode, and forming a ZnO layer to have a thickness t _Z, (3) on the ZnO layer, to a thickness of t _a (V) forming a comb electrode on the ZnO layer so as to cover the comb electrode so as to have a thickness of t _S ;
Forming a O ₂ layer, the method comprising the steps of: forming a O ₂ layer;
, Kh1 = 2π (t _Z / λ), kh2 = 2π
T _z and t so that kh1 and kh2 given by (t _s / λ) are provided inside the area ABCDEFGHIJKLMA including the line of the 13 line segments given in FIG.
Select _S, and, KH3 = 2 [pi KH3 given by (t _A / lambda), characterized in that selecting a t _A to be in the range of 0.099 ≦ kh3 ≦ 0.165. Also,
In this manufacturing method, kh1 and kh2 further correspond to FIG.
T _Z and t _S may be selected so as to be provided inside the area including the line ABCNJKLMA.

【０１２３】また、この製造方法において、０．０３３
≦ｋｈ３≦０．０９９の範囲となるようにｔ_A を選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図１の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＡの線上を含む内部に与えられるように
ｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２
が図１の領域ＡＢＣＮＪＫＬＡの線上を含む内部に与え
られるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよい。また、こ
の製造方法において、０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１
の範囲となるようにｔ_A を選択し、且つ、ｋｈ１及びｋ
ｈ２が、図３の領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの線
上を含む内部に与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択し
てもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２が図３の領域ＡＢＮＯ
ＪＫＬＭＡの線上を含む内部に与えられるようにｔ_Z 及
びｔ_S を選択してもよい。また、この製造方法におい
て、０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７の範囲となるよ
うにｔ_A を選択し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図４の
領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの線上を含む内部
に与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよく、更
にｋｈ１及びｋｈ２が図４の領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの線
上を含む内部に与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択し
てもよい。また、この製造方法において、０．２９７≦
ｋｈ３≦０．３６３の範囲となるようにｔ_Aを選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図５の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＡの線上を含む内部に与えられるように
ｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２
が図５の領域ＬＭＪＫＬの線上を含む内部に与えられる
ようにｔ_Z及びｔ_S を選択してもよい。In this manufacturing method, 0.033
≤ kh3 ≤ 0.099 t _A is selected, and kh1 and kh2 are the regions ABCDE of FIG.
T _Z and t _S may be selected to be provided internally including on the line of FGHIJKLA, and further kh1 and kh2
There may be selected t _Z and t _S as given therein containing line of areas ABCNJKLA FIG. In this manufacturing method, 0.165 ≦ kh3 ≦ 0.231
Select t _A so that the range and, kh1 and k
t _Z and t _S may be selected such that h2 is provided inside the area ABCDEFGHIJKLMA including the line of FIG. 3, and further, kh1 and kh2 are set to the area ABNO of FIG.
T _Z and t _S may be selected to be provided internally including on the line of JKLMA. Further, in this manufacturing method, t _A is selected so as to be in the range of 0.231 ≦ kh3 ≦ 0.297, and kh1 and kh2 are provided inside the region ABCDEFGHIJKLMNA including the line of FIG. may select a t _Z and t _S, further kh1 and kh2 may select the t _Z and t _S as given therein including line region AOPKLMNA in FIG. In this manufacturing method, 0.297 ≦
Select t _A to be in the range of KH3 ≦ 0.363, and, kh1 and kh2 are regions of FIG. 5 ABCDE
T _Z and t _S may be selected to be provided internally including on the line of FGHIJKLA, and further kh1 and kh2
There may be selected t _Z and t _S as given therein including line region LMJKL in FIG.

【０１２４】本発明に従って、図６（ｃ）に示されるよ
うなタイプＣの層構造を有する表面弾性波素子を製造す
る方法は、（１）ダイヤモンド層の上に、厚さｔ_Z とな
るようにＺｎＯ層を形成するステップと、（２）ＺｎＯ
層の上に、厚さｔ_A となるように櫛型電極を形成するス
テップと、（３）櫛型電極を覆ってＺｎＯ層の上に、厚
さｔ_S となるようにＳｉＯ₂ 層を形成するステップと、
（４）ＳｉＯ₂ 層の上に短絡用電極を形成するステップ
とを有する表面弾性波素子の製造方法において、２次モ
ードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ１＝２π（ｔ
_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ
１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢＣＤＥＦＧ
ＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む内部に与え
られるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択し、且つ、ｋｈ３＝２
π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１６５
≦ｋｈ３≦０．２３１の範囲となるようにｔ_A を選択
することを特徴とする。According to the present invention, a method of manufacturing a surface acoustic wave device having a layer structure of type C as shown in FIG. 6 (c) includes the steps of (1) forming a layer having a thickness t _Z on a diamond layer. Forming a ZnO layer on (2) ZnO
Forming a comb electrode to a thickness t _A on the layer; and (3) forming a SiO ₂ layer to a thickness t _S on the ZnO layer covering the comb electrode. Steps to
(4) forming a short-circuit electrode on the SiO ₂ layer. The method for manufacturing a surface acoustic wave device, wherein kh1 = 2π (t
_Z / λ), kh given by kh2 = 2π (t _S / λ)
1 and kh2 are in the region ABCDEFG given in FIG.
T _z and t _S are selected so as to be given inside including the 13 line segments of HIJKLMA, and kh3 = 2
kh3 given by π (t _A / λ) is 0.165
It is characterized in that t _A is selected so as to be in a range of ≦ kh3 ≦ 0.231.

【０１２５】また、この製造方法において、０．０３３
≦ｋｈ３≦０．０９９の範囲となるようにｔ_A を選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図１の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＡの線上を含む内部に与えられるように
ｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２
が図１の領域ＡＢＣＮＪＫＬＡの線上を含む内部に与え
られるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよい。また、こ
の製造方法において、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５
の範囲となるようにｔ_A を選択し、且つ、ｋｈ１及び
ｋｈ２が、図２の領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの
線上を含む内部に与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択
してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２が図２の領域ＡＢＣ
ＮＪＫＬＭＡの線上を含む内部に与えられるようにｔ_Z
及びｔ_Sを選択してもよい。また、この製造方法におい
て、０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７の範囲となるよ
うにｔ_A を選択し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図４の
領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの線上を含む内部
に与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよく、更
にｋｈ１及びｋｈ２が図４の領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの線
上を含む内部に与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択し
てもよい。また、この製造方法において、０．２９７≦
ｋｈ３≦０．３６３の範囲となるようにｔ_A を選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図５の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＡの線上を含む内部に与えられるように
ｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２
が図５の領域ＬＭＪＫＬの線上を含む内部に与えられる
ようにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよい。In this manufacturing method, 0.033
≤ kh3 ≤ 0.099 t _A is selected, and kh1 and kh2 are the regions ABCDE of FIG.
T _Z and t _S may be selected to be provided internally including on the line of FGHIJKLA, and further kh1 and kh2
There may be selected t _Z and t _S as given therein containing line of areas ABCNJKLA FIG. In this manufacturing method, 0.099 ≦ kh3 ≦ 0.165
And t _z and t _S may be selected such that t _A is within the range of ABCDEFGHIJKLMA in FIG. 2 and kh 1 and kh 2 are further provided within kh1 and kh2. Is the area ABC in FIG.
T _Z as given internally, including on the line of NJKLMA
And t _S may be selected. Further, in this manufacturing method, t _A is selected so as to be in the range of 0.231 ≦ kh3 ≦ 0.297, and kh1 and kh2 are provided inside the region ABCDEFGHIJKLMNA including the line of FIG. may select a t _Z and t _S, further kh1 and kh2 may select the t _Z and t _S as given therein including line region AOPKLMNA in FIG. In this manufacturing method, 0.297 ≦
Select t _A to be in the range of KH3 ≦ 0.363, and, kh1 and kh2 are regions of FIG. 5 ABCDE
T _Z and t _S may be selected to be provided internally including on the line of FGHIJKLA, and further kh1 and kh2
There may be selected t _Z and t _S as given therein including line region LMJKL in FIG.

【０１２６】本発明に従って、図６（ｄ）に示されるよ
うなタイプＤの層構造を有する表面弾性波素子を製造す
る方法は、（１）ダイヤモンド層の上に、第１の短絡用
電極を形成するステップと、（２）短絡用電極を覆って
ダイヤモンド層の上に、厚さｔ_Z となるようにＺｎＯ層
を形成するステップと、（３）ＺｎＯ層の上に、厚さｔ
_A となるように櫛型電極を形成するステップと、（４）
櫛型電極を覆ってＺｎＯ層の上に、厚さｔ_S となるよう
にＳｉＯ₂ 層を形成するステップと、（５）ＳｉＯ₂ 層
の上に、第２の短絡用電極を形成するステップとを有す
る表面弾性波素子の製造方法であって、２次モードの表
面弾性波の波長λについて、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／
λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及
びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩ
ＪＫＬＭＮＡの１４本の線分の線上を含む内部に与えら
れるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択し、且つ、ｋｈ３＝２π
（ｔ_A／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２３１≦
ｋｈ３≦０．２９７の範囲となるようにｔ_A を選択す
ることを特徴とする。また、この製造方法では、更に、
ｋｈ１及びｋｈ２が図４の領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの線上
を含む内部に与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択して
もよい。According to the present invention, a method of manufacturing a surface acoustic wave device having a layer structure of type D as shown in FIG. 6D includes the following steps: (1) forming a first short-circuit electrode on a diamond layer; Forming; (2) forming a ZnO layer on the diamond layer so as to cover the short-circuiting electrode so as to have a thickness of t _Z ; (3) forming a thickness t on the ZnO layer.
Forming a comb-shaped electrode to be _A , (4)
Forming an SiO ₂ layer on the ZnO layer so as to have a thickness of t _S covering the comb-shaped electrode; and (5) forming a second short-circuit electrode on the SiO ₂ layer. Is a method of manufacturing a surface acoustic wave device having the following equation: kh1 = 2π (t _z /
λ), kh1 and kh2 given by kh2 = 2π (t _S / λ) correspond to the region ABCDEFGHI given in FIG.
Select t _Z and t _S so as to be given inside including the 14 line segments of JKLMNA, and kh3 = 2π
Kh3 given by (t _A / λ) is 0.231 ≦
It is characterized in that t _A is selected so that kh3 ≦ 0.297. Further, in this manufacturing method,
t _Z and t _S may be selected such that kh1 and kh2 are provided inside and including the line of the area AOPKLMNA in FIG.

【０１２７】また、この製造方法において、０．０３３
≦ｋｈ３≦０．０９９の範囲となるようにｔ_A を選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図１の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＡの線上を含む内部に与えられるように
ｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２
が図１の領域ＡＢＣＮＪＫＬＡの線上を含む内部に与え
られるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよい。また、こ
の製造方法において、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５
の範囲となるようにｔ_A を選択し、且つ、ｋｈ１及び
ｋｈ２が、図２の領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの
線上を含む内部に与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択
してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２が図２の領域ＡＢＣ
ＮＪＫＬＭＡの線上を含む内部に与えられるようにｔ_Z
及びｔ_Sを選択してもよい。また、この製造方法におい
て、０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１の範囲となるよ
うにｔ_A を選択し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図３の
領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの線上を含む内部に
与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよく、更に
ｋｈ１及びｋｈ２が図３の領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの線
上を含む内部に与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択し
てもよい。また、この製造方法において、０．２９７≦
ｋｈ３≦０．３６３の範囲となるようにｔ_A を選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図５の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＡの線上を含む内部に与えられるように
ｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２
が図５の領域ＬＭＪＫＬの線上を含む内部に与えられる
ようにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよい。Further, in this manufacturing method, 0.033
≤ kh3 ≤ 0.099 t _A is selected, and kh1 and kh2 are the regions ABCDE of FIG.
T _Z and t _S may be selected to be provided internally including on the line of FGHIJKLA, and further kh1 and kh2
There may be selected t _Z and t _S as given therein containing line of areas ABCNJKLA FIG. In this manufacturing method, 0.099 ≦ kh3 ≦ 0.165
And t _z and t _S may be selected such that t _A is within the range of ABCDEFGHIJKLMA in FIG. 2 and kh 1 and kh 2 are further provided within kh1 and kh2. Is the area ABC in FIG.
T _Z as given internally, including on the line of NJKLMA
And t _S may be selected. Further, in this manufacturing method, t _A is selected so as to be in the range of 0.165 ≦ kh3 ≦ 0.231, and kh1 and kh2 are provided inside the region ABCDEFGHIJKLMA including the line of FIG. may select a t _Z and t _S, further kh1 and kh2 may select the t _Z and t _S as given therein including line region ABNOJKLMA in FIG. In this manufacturing method, 0.297 ≦
Select t _A to be in the range of KH3 ≦ 0.363, and, kh1 and kh2 are regions of FIG. 5 ABCDE
T _Z and t _S may be selected to be provided internally including on the line of FGHIJKLA, and further kh1 and kh2
There may be selected t _Z and t _S as given therein including line region LMJKL in FIG.

【０１２８】本発明に従って、図６（ｆ）に示されるよ
うなタイプＦの層構造を有する表面弾性波素子を製造す
る方法は、（１）ダイヤモンド層の上に、厚さｔ_A とな
るように櫛型電極を形成するステップと、（２）前記櫛
型電極を覆って前記ダイヤモンド層の上に、厚さｔ_Z と
なるようにＺｎＯ層を形成するステップと、（３）前記
ＺｎＯ層の上に短絡用電極を形成するステップと、
（４）前記短絡用電極を覆って前記ＺｎＯ層の上に、厚
さｔ_S となるようにＳｉＯ₂ 層を形成するステップとを
備える表面弾性波素子の製造方法であって、２次モード
の表面弾性波の波長λについて、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／
λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及
びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩ
ＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内部に与えられる
ようにｔ_Z 及びｔ_S を選択し、且つ、ｋｈ３＝２π（ｔ
_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２９７≦ｋｈ
３≦０．３６３の範囲となるようにｔ_A を選択するこ
とを特徴とする。また、この製造方法において、更に、
ｋｈ１及びｋｈ２が図５の領域ＬＭＪＫＬの線上を含む
内部に与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよ
い。According to the present invention, a method of manufacturing a surface acoustic wave device having a layer structure of type F as shown in FIG. 6 (f) includes the steps of (1) forming a layer having a thickness t _A on a diamond layer. in forming a comb electrode, (2) on the diamond layer covering the comb-shaped electrode, and forming a ZnO layer to have a thickness t _Z, (3) the ZnO layer Forming a shorting electrode thereon;
(4) forming a SiO ₂ layer so as to have a thickness of t _S on the ZnO layer so as to cover the short-circuiting electrode. For the wavelength λ of the surface acoustic wave, kh1 = 2π (t _Z /
λ) and kh2 = 2π (t _S / λ) given by kh1 and kh2 in the region ABCDEFGHI given in FIG.
T _z and t _S are selected so as to be given to the interior of the JKLA including the 12 line segments, and kh3 = 2π (t
_A / λ) is given by: 0.297 ≦ kh
It is characterized in that t _A is selected so as to be in the range of 3 ≦ 0.363. Further, in this manufacturing method,
t _Z and t _S may be selected such that kh1 and kh2 are provided inside the area LMJKL including the line in FIG.

【０１２９】また、この製造方法において、０．０３３
≦ｋｈ３≦０．０９９の範囲となるようにｔ_A を選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図１の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＡの線上を含む内部に与えられるように
ｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２
が図１の領域ＡＢＣＮＪＫＬＡの線上を含む内部に与え
られるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよい。また、こ
の製造方法において、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５
の範囲となるようにｔ_A を選択し、且つ、ｋｈ１及び
ｋｈ２が、図２の領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの
線上を含む内部に与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択
してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２が図２の領域ＡＢＣ
ＮＪＫＬＭＡの線上を含む内部に与えられるようにｔ_Z
及びｔ_Sを選択してもよい。また、この製造方法におい
て、０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１の範囲となるよ
うにｔ_A を選択し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図３の
領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの線上を含む内部に
与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよく、更に
ｋｈ１及びｋｈ２が図３の領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの線
上を含む内部に与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択し
てもよい。また、この製造方法において、０．２３１≦
ｋｈ３≦０．２９７の範囲となるようにｔ_A を選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図４の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの線上を含む内部に与えられるよ
うにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋ
ｈ２が図４の領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの線上を含む内部に
与えられるようにｔ_Z 及びｔ_S を選択してもよい。In this manufacturing method, 0.033
≤ kh3 ≤ 0.099 t _A is selected, and kh1 and kh2 are the regions ABCDE of FIG.
T _Z and t _S may be selected to be provided internally including on the line of FGHIJKLA, and further kh1 and kh2
There may be selected t _Z and t _S as given therein containing line of areas ABCNJKLA FIG. In this manufacturing method, 0.099 ≦ kh3 ≦ 0.165
And t _z and t _S may be selected such that t _A is within the range of ABCDEFGHIJKLMA in FIG. 2 and kh 1 and kh 2 are further provided within kh1 and kh2. Is the area ABC in FIG.
T _Z as given internally, including on the line of NJKLMA
And t _S may be selected. Further, in this manufacturing method, t _A is selected so as to be in the range of 0.165 ≦ kh3 ≦ 0.231, and kh1 and kh2 are provided inside the region ABCDEFGHIJKLMA including the line of FIG. may select a t _Z and t _S, further kh1 and kh2 may select the t _Z and t _S as given therein including line region ABNOJKLMA in FIG. Further, in this manufacturing method, 0.231 ≦
Select t _A to be in the range of KH3 ≦ 0.297, and, kh1 and kh2 are regions of FIG. 4 ABCDE
T _Z and t _S may be selected to be provided internally, including on the FGHIJKLMNA line, and further kh1 and k
t _Z and t _S may be selected so that h2 is given inside including on the line of the area AOPKLMNA in FIG.

【０１３０】ところで、図６（ａ）のタイプＡの層構造
を有する表面弾性波素子は、ｋｈ３＝０．０４４のと
き、ｋｈ１とｋｈ２が、図２８の基本組み合わせ線（Ａ
１-Ｂ１-Ｃ１-Ｄ１-Ｅ１-Ｆ１-Ｇ１）に対してｋｈ２を
＋／− １０％で増減してなる範囲にあってもよい。ま
た、ｋｈ３＝０．０６６のとき、ｋｈ１とｋｈ２が、図
２８の基本組み合わせ線（Ａ２-Ｂ２-Ｃ２-Ｄ２-Ｅ２-
Ｆ２-Ｇ２）に対してｋｈ２を＋／− １０％で増減し
てなる範囲にあってもよい。また、ｋｈ３＝０．０９９
のとき、ｋｈ１とｋｈ２が、図２８の基本組み合わせ線
（Ａ３-Ｂ３-Ｃ３-Ｄ３-Ｅ３-Ｆ３-Ｇ３）に対してｋｈ
２を＋／− １０％で増減してなる範囲にあってもよ
い。また、ｋｈ３＝０．１３２のとき、ｋｈ１とｋｈ２
が、図２８の基本組み合わせ線（Ａ４-Ｂ４-Ｃ４-Ｄ４-
Ｅ４-Ｆ４-Ｇ４）に対してｋｈ２を＋／− １０％で増
減してなる範囲にあってもよい。また、ｋｈ３＝０．１
９８のとき、ｋｈ１とｋｈ２が、図２８の基本組み合わ
せ線（Ａ５-Ｂ５-Ｃ５-Ｄ５-Ｅ５-Ｆ５-Ｇ５）に対して
ｋｈ２を＋／− １０％で増減してなる範囲にあっても
よい。また、ｋｈ３＝０．２６４のとき、ｋｈ１とｋｈ
２が、図２８の基本組み合わせ線（Ａ６-Ｂ６-Ｃ６-Ｄ
６-Ｅ６-Ｆ６-Ｇ６）に対してｋｈ２を＋／−１０％で
増減してなる範囲にあってもよい。By the way, in the surface acoustic wave device having the layer structure of type A in FIG. 6A, when kh3 = 0.044, kh1 and kh2 correspond to the basic combination line (A
1-B1-C1-D1-E1-F1-G1) may be in a range obtained by increasing or decreasing kh2 by +/- 10%. When kh3 = 0.066, kh1 and kh2 are the basic combination lines (A2-B2-C2-D2-E2-E) in FIG.
F2-G2) may be in the range obtained by increasing or decreasing kh2 by +/− 10%. Also, kh3 = 0.099
, Kh1 and kh2 are kh with respect to the basic combination line (A3-B3-C3-D3-E3-F3-G3) in FIG.
2 may be increased or decreased by +/− 10%. When kh3 = 0.132, kh1 and kh2
Are the basic combination lines (A4-B4-C4-D4-
Kh2 may be increased or decreased by +/− 10% with respect to E4-F4-G4). Also, kh3 = 0.1
In the case of 98, even if kh1 and kh2 are in the range where kh2 is increased or decreased by +/- 10% with respect to the basic combination line (A5-B5-C5-D5-E5-F5-G5) in FIG. Good. When kh3 = 0.264, kh1 and kh
2 is the basic combination line (A6-B6-C6-D
6-E6-F6-G6) may be in the range obtained by increasing or decreasing kh2 by +/− 10%.

【０１３１】更に、０．０４４≦ｋｈ３≦０．０６６た
るｋｈ３に対しては、図２８の基本組み合わせ線（Ａ１
-Ｂ１-Ｃ１-Ｄ１-Ｅ１-Ｆ１-Ｇ１）の各点と基本組み合
わせ線（Ａ２-Ｂ２-Ｃ２-Ｄ２-Ｅ２-Ｆ２-Ｇ２）の各点
をｋｈ２の値について線形補完（線形補間）して得られ
る補完基本組み合わせ線（Ａ１２-Ｂ１２-Ｃ１２-Ｄ１
２-Ｅ１２-Ｆ１２-Ｇ１２）に対してｋｈ２を＋／−
１０％で増減してなる範囲にあってもよい。すなわち、
この範囲とは、補完基本組み合わせ線（Ａ１２-Ｂ１２-
Ｃ１２-Ｄ１２-Ｅ１２-Ｆ１２-Ｇ１２）からｋｈ２のみ
を１０％増加させて得られる上限線と、補完基本組み合
わせ線（Ａ１２-Ｂ１２-Ｃ１２-Ｄ１２-Ｅ１２-Ｆ１２-
Ｇ１２）からｋｈ２のみを１０％減少させて得られる下
限線とにより画定される領域のことである。ここで、こ
の線形補完とは、例えばＡ１（ｋｈ１，ｋｈ２_A1）とＡ
２（ｋｈ１，ｋｈ２_A2）を補完してＡ１２（ｋｈ１，ｋ
ｈ２_A12）を与える線形補完とは、０．０４４≦ｋｈ３
≦０．０６６であるｋｈ３に対して、ｋｈ２_A12を、ｋ
ｈ３＝０．０４４から０．０６６までのｋｈ３の変化に
応じて比例配分則で与えることをいい、より具体的には
下式：ｋｈ２_A12＝ｋｈ２_A1＋（ｋｈ２_A2−ｋｈ２_A1）ｘ（ｋ
ｈ３−ｋｈ３_A1）／（ｋｈ３_A2−ｋｈ３_A1）で与える方法のことである。ここで、Ａ１とＡ２とＡ１
２でｋｈ１は同じでありｋｈ１＝０．６００、また、ｋ
ｈ３_A1＝０．０４４、ｋｈ３_A2＝０．０６６であり、ま
た、ｋｈ２_A1＝０．６４５、ｋｈ２_A2＝０．６７１であ
る。Further, for kh3 of 0.044 ≦ kh3 ≦ 0.066, the basic combination line (A1
-B1-C1-D1-E1-F1-G1) and each point of the basic combination line (A2-B2-C2-D2-E2-F2-G2) are linearly complemented (linearly interpolated) for the value of kh2. (A12-B12-C12-D1)
Kh2 +/- to 2-E12-F12-G12)
It may be in a range that increases or decreases by 10%. That is,
This range refers to the complementary basic combination line (A12-B12-
C12-D12-E12-F12-G12) and an upper limit line obtained by increasing only kh2 by 10%, and a complementary basic combination line (A12-B12-C12-D12-E12-F12-).
G12) is a region defined by a lower limit line obtained by reducing only kh2 by 10% from G12). Here, the linear interpolation means, for example, A1 (kh1, kh2A1) and _A1
2 (kh1, kh2 _A2 ) and A12 (kh1, k2
h2 _A12 ) is the linear interpolation that gives 0.044 ≦ kh3
For kh3 where ≦ 0.066, kh2 _A12 is given by k
This is given by the proportional distribution rule according to the change of kh3 from h3 = 0.044 to 0.066, and more specifically, the following expression: kh2 _A12 = kh2 _A1 + (kh2 _A2 −kh2 _A1 ) x (k
h3-kh3 _A1 ) / (kh3 _A2 -kh3 _A1 ). Here, A1, A2, and A1
2, kh1 is the same, kh1 = 0.600, and k
h3 _A1 = 0.044, kh3 _A2 = 0.066, and kh2 _A1 = 0.645 and kh2 _A2 = 0.671.

【０１３２】また、０．０６６≦ｋｈ３≦０．０９９た
るｋｈ３に対しては、図２８の基本組み合わせ線（Ａ２
-Ｂ２-Ｃ２-Ｄ２-Ｅ２-Ｆ２-Ｇ２）の各点と基本組み合
わせ線（Ａ３-Ｂ３-Ｃ３-Ｄ３-Ｅ３-Ｆ３-Ｇ３）の各点
とをｋｈ３の値について線形補完して得られる補完基本
組み合わせ線（Ａ２３-Ｂ２３-Ｃ２３-Ｄ２３-Ｅ２３-
Ｆ２３-Ｇ２３）に対してｋｈ２を＋／− １０％で増
減してなる範囲にあってもよい。ここで、線形補完によ
り例えばＡ２（ｋｈ１，ｋｈ２_A2）とＡ３（ｋｈ１，ｋ
ｈ２_A3）を補完してＡ２３（ｋｈ１，ｋｈ２_A23）を与
える線形補完とは、Ａ１２の場合と同様に、０．０６６
≦ｋｈ３≦０．０９９であるｋｈ３に対して、ｋｈ２
_A23をｋｈ２_A23＝ｋｈ２_A2＋（ｋｈ２_A3−ｋｈ２_A2）ｘ（ｋ
ｈ３−ｋｈ３_A2）／（ｋｈ３_A3−ｋｈ３_A2）で与える方法のことである。For kh3 of 0.066 ≦ kh3 ≦ 0.099, the basic combination line (A2
-B2-C2-D2-E2-F2-G2) and each point of the basic combination line (A3-B3-C3-D3-E3-F3-G3) are obtained by linearly complementing the value of kh3. Complementary basic combination line (A23-B23-C23-D23-E23-
F23-G23) may be in a range obtained by increasing or decreasing kh2 by +/− 10%. Here, for example, A2 (kh1, kh2 _A2 ) and A3 (kh1, k2
h2 _A3 ) and A23 (kh1, kh2 _A23 ) are linearly complemented by 0.066 as in the case of A12.
Kh3 ≦ 0.099, kh2
_A23 is expressed as kh2 _A23 = kh2 _A2 + (kh2 _A3 -kh2 _A2 ) x (k
h3-kh3 _A2 ) / (kh3 _A3 -kh3 _A2 ).

【０１３３】また、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１３２た
るｋｈ３に対しては、図２８の基本組み合わせ線（Ａ３
-Ｂ３-Ｃ３-Ｄ３-Ｅ３-Ｆ３-Ｇ３）の各点と基本組み合
わせ線（Ａ４-Ｂ４-Ｃ４-Ｄ４-Ｅ４-Ｆ４-Ｇ４）の各点
とをｋｈ３の値について線形補完して得られる補完基本
組み合わせ線（Ａ３４-Ｂ３４-Ｃ３４-Ｄ３４-Ｅ３４-
Ｆ３４-Ｇ３４）に対してｋｈ２を＋／− １０％で増
減してなる範囲にあってもよい。ここで、線形補完によ
り例えばＡ３（ｋｈ１，ｋｈ２_A3）とＡ４（ｋｈ１，ｋ
ｈ２_A4）を補完してＡ３４（ｋｈ１，ｋｈ２_A34）を与
える線形補完とは、Ａ１２の場合と同様に、０．０９９
≦ｋｈ３≦０．１３２であるｋｈ３に対して、ｋｈ２
_A34をｋｈ２_A34＝ｋｈ２_A3＋（ｋｈ２_A4−ｋｈ２_A3）ｘ（ｋ
ｈ３−ｋｈ３_A3）／（ｋｈ３_A4−ｋｈ３_A3）で与える方法のことである。For kh3 of 0.099 ≦ kh3 ≦ 0.132, the basic combination line (A3
-B3-C3-D3-E3-F3-G3) and each point of the basic combination line (A4-B4-C4-D4-E4-F4-G4) are obtained by linearly complementing the value of kh3. Complementary basic combination line (A34-B34-C34-D34-E34-
F34-G34) may be in a range obtained by increasing or decreasing kh2 by +/− 10%. Here, for example, A3 (kh1, kh2 _A3 ) and A4 (kh1, k
h2 _A4 ) and A34 (kh1, kh2 _A34 ) are linearly complemented by 0.099 as in the case of A12.
For kh3 where ≦ kh3 ≦ 0.132, kh2
_A34 a _{_{kh2 A34 = kh2 A3 + (kh2}} A4 -kh2 A3) x (k
h3-kh3 _A3 ) / (kh3 _A4 -kh3 _A3 ).

【０１３４】また、０．１３２≦ｋｈ３≦０．１９８た
るｋｈ３に対しては、図２８の基本組み合わせ線（Ａ４
-Ｂ４-Ｃ４-Ｄ４-Ｅ４-Ｆ４-Ｇ４）の各点と基本組み合
わせ線（Ａ５-Ｂ５-Ｃ５-Ｄ５-Ｅ５-Ｆ５-Ｇ５）の各点
とをｋｈ３の値について線形補完して得られる補完基本
組み合わせ線（Ａ４５-Ｂ４５-Ｃ４５-Ｄ４５-Ｅ４５-
Ｆ４５-Ｇ４５）に対してｋｈ２を＋／− １０％で増
減してなる範囲にあってもよい。ここで、線形補完によ
り例えばＡ４（ｋｈ１，ｋｈ２_A4）とＡ５（ｋｈ１，ｋ
ｈ２_A5）を補完してＡ４５（ｋｈ１，ｋｈ２_A45）を与
える線形補完とは、Ａ１２の場合と同様に、０．１３２
≦ｋｈ３≦０．１９８であるｋｈ３に対して、ｋｈ２
_A45をｋｈ２_A45＝ｋｈ２_A4＋（ｋｈ２_A5−ｋｈ２_A4）ｘ（ｋ
ｈ３−ｋｈ３_A4）／（ｋｈ３_A5−ｋｈ３_A4）で与える方法のことである。For kh3 of 0.132 ≦ kh3 ≦ 0.198, the basic combination line (A4
-B4-C4-D4-E4-F4-G4) and the points of the basic combination line (A5-B5-C5-D5-E5-F5-G5) are linearly complemented for the value of kh3. Complementary basic combination line (A45-B45-C45-D45-E45-
F45-G45) may be in a range obtained by increasing or decreasing kh2 by +/− 10%. Here, for example, A4 (kh1, kh2 _A4 ) and A5 (kh1, k
h2 _A5 ) and A45 (kh1, kh2 _A45 ) are linearly complemented by 0.132 as in the case of A12.
For kh3 where ≦ kh3 ≦ 0.198, kh2
_A45 a _{_{kh2 A45 = kh2 A4 + (kh2}} A5 -kh2 A4) x (k
h3-kh3 _A4 ) / (kh3 _A5 -kh3 _A4 ).

【０１３５】また、０．１９８≦ｋｈ３≦０．２６４た
るｋｈ３に対しては、図２８の基本組み合わせ線（Ａ５
-Ｂ５-Ｃ５-Ｄ５-Ｅ５-Ｆ５-Ｇ５）の各点と基本組み合
わせ線（Ａ６-Ｂ６-Ｃ６-Ｄ６-Ｅ６-Ｆ６-Ｇ６）の各点
とをｋｈ３の値について線形補完して得られる補完基本
組み合わせ線（Ａ５６-Ｂ５６-Ｃ５６-Ｄ５６-Ｅ５６-
Ｆ５６-Ｇ５６）に対してｋｈ２を＋／− １０％で増
減してなる範囲にあってもよい。ここで、線形補完によ
り例えばＡ５（ｋｈ１，ｋｈ２_A5）とＡ６（ｋｈ１，ｋ
ｈ２_A6）を補完してＡ５６（ｋｈ１，ｋｈ２_A56）を与
える線形補完とは、Ａ１２の場合と同様に、０．１９８
≦ｋｈ３≦０．２６４であるｋｈ３に対して、ｋｈ２
_A56をｋｈ２_A56＝ｋｈ２_A5＋（ｋｈ２_A6−ｋｈ２_A5）ｘ（ｋ
ｈ３−ｋｈ３_A5）／（ｋｈ３_A6−ｋｈ３_A5）で与える方法のことである。For kh3 of 0.198 ≦ kh3 ≦ 0.264, the basic combination line (A5
-B5-C5-D5-E5-F5-G5) and the points of the basic combination line (A6-B6-C6-D6-E6-F6-G6) are linearly complemented with respect to the value of kh3. Complementary basic combination line (A56-B56-C56-D56-E56-
F56-G56) may be in a range obtained by increasing or decreasing kh2 by +/− 10%. Here, for example, A5 (kh1, kh2 _A5 ) and A6 (kh1, k
h2 _A6 ) and A56 (kh1, kh2 _A56 ) are linearly complemented by 0.198, similarly to A12.
For kh3 where ≤ kh3 ≤ 0.264, kh2
_A56 is expressed as kh2 _A56 = kh2 _A5 + (kh2 _A6 -kh2 _A5 ) x (k
h3-kh3 _A5 ) / (kh3 _A6 -kh3 _A5 ).

【０１３６】これらの基本組み合わせ線及び補完基本組
み合わせ線に基づき決められたｋｈ１とｋｈ２を有する
表面弾性波素子（請求項５６〜６６に係る表面弾性波素
子）は、前出の第１の表面弾性波素子〜第５０表面弾性
波素子と同じく、Ｖ＞８０００ｍ／ｓの高い伝播速度
と、実用レベルのＫ²を有しているが、更に、第１〜第
５０の表面弾性波素子の中でも、特に好ましい範囲を限
定している。具体的には、−２０℃から８０℃までの周
波数変動が５００ｐｐｍ以内であり、すなわち温度１℃
当たり５ｐｐｍ以内となる。従って、第１〜第５０の表
面弾性波素子よりも更に厳密な温度安定性を求められる
場合には、これらの表面弾性波素子が好適である。な
お、上から順に（ＳｉＯ₂保護層）／（櫛型電極）／
（ＺｎＯ圧電体層）／（ダイヤモンド）の積層構造を有
する表面弾性波素子を２次モードで用いる場合は、（Ｓ
ｉＯ₂保護層）／（ＺｎＯ圧電体層）／（櫛型電極）／
（ダイヤモンド）の積層構造を有する表面弾性波素子を
１次モードで用いる場合よりも伝播損失が小さい利点も
併せ持つ。たとえば、２．５ＧＨｚ帯で温度安定性の良
い狭帯域フィルタを作製した場合、後者の構成では挿入
損失は少なくとも１０ｄＢ程度が限界であるが、前者の
構成では１０ｄＢ未満の挿入損失を実現できるようにな
る。The surface acoustic wave device having the kh1 and kh2 determined based on the basic combination line and the complementary basic combination line (the surface acoustic wave device according to claims 56 to 66) is the first surface elastic wave device. Like the wave element to the 50th surface acoustic wave element, it has a high propagation velocity of V> 8000 m / s and a practical level of K ² , and among the first to 50th surface acoustic wave elements, Particularly preferred ranges are limited. Specifically, the frequency fluctuation from −20 ° C. to 80 ° C. is within 500 ppm, that is, the temperature is 1 ° C.
Per ppm. Therefore, when more strict temperature stability is required than the first to fiftieth surface acoustic wave devices, these surface acoustic wave devices are preferable. From the top, (SiO ₂ protective layer) / (comb-shaped electrode) /
When a surface acoustic wave device having a laminated structure of (ZnO piezoelectric layer) / (diamond) is used in the second mode, (S
iO ₂ protective layer) / (ZnO piezoelectric layer) / (comb-shaped electrode) /
It also has the advantage that the propagation loss is smaller than when the surface acoustic wave device having the (diamond) laminated structure is used in the first mode. For example, when a narrow band filter having good temperature stability in the 2.5 GHz band is manufactured, the insertion loss of the latter configuration is at least about 10 dB, but the insertion loss of less than 10 dB is realized in the former configuration. Become.

【０１３７】また、これらの図６（ａ）のタイプＡの層
構造を有する表面弾性波素子では、櫛型電極が、電力を
印加して弾性波を励振させる入力櫛形電極と該弾性波を
受信して電力を取り出す出力櫛形電極とを備え、入力櫛
型電極の対数Ｎｉと出力櫛型電極の対数Ｎｏの合計Ｎ
が、５０〜９０対であり、入力櫛形電極及び出力櫛形電
極の交差幅がそれぞれ、波長λに対して、１０λ〜５０
λの範囲にあることを特徴としてもよい。また、弾性波
の伝搬方向に対して入力櫛形電極と出力櫛形電極を挟む
ように配置された少なくとも２つの反射器電極を更に備
え、反射器電極の本数の合計が、２ｘ（１００−Ｎ）以
下であることを特徴としてもよい。In the surface acoustic wave device having the layer structure of type A shown in FIG. 6A, the comb-shaped electrode receives an input comb-shaped electrode which applies electric power to excite the elastic wave and receives the elastic wave. And an output comb-shaped electrode for extracting electric power, and a total N of the logarithm Ni of the input comb-shaped electrode and the logarithm No of the output comb-shaped electrode
Are 50 to 90 pairs, and the intersection width of the input comb electrode and the output comb electrode is 10λ to 50
It may be characterized by being in the range of λ. The apparatus further includes at least two reflector electrodes disposed so as to sandwich the input comb electrode and the output comb electrode with respect to the propagation direction of the elastic wave, and the total number of the reflector electrodes is 2 × (100−N) or less. May be a feature.

【０１３８】２．５ＧＨｚ帯の狭帯域フィルタの用途に
は、水晶（クオーツ）が基板材料として用いられるが、
この場合、電極部分（櫛型電極部分及び反射器電極部
分）の面積は最も小さい場合でも２００μｍｘ４００
μｍのサイズであった。小型化の要請に応えるために素
子のサイズを小さくしようとすれば、この電極部分の面
積も更に小さくすることが求められる。素子の小型化
は、通信システムの小型軽量化に伴い、全ての電子部品
に強く要求されているものである。For the use of a 2.5 GHz band narrow band filter, quartz is used as a substrate material.
In this case, even if the area of the electrode portion (comb-shaped electrode portion and reflector electrode portion) is the smallest, it is 200 μm × 400.
The size was μm. In order to reduce the size of the element in order to meet the demand for miniaturization, it is necessary to further reduce the area of the electrode portion. The downsizing of elements has been strongly required for all electronic components with the downsizing and weight reduction of communication systems.

【０１３９】また、従来の素子では２．５ＧＨｚ帯では
透過損失１０ｄＢ未満のものは未だ実現されていない
が、より低損失のものほどシステムへの利用の点で有利
になり望まれている。In the conventional device, a device having a transmission loss of less than 10 dB in the 2.5 GHz band has not yet been realized, but a device with a lower loss is more advantageous in terms of application to a system and is desired.

【０１４０】ここで、電極を小さくすれば電極面積が小
さくなるのは自明の理であるが、水晶のような従来材料
では、電極の対の数（対数：ついすう）及び交差幅を小
さくすれば、素子のＱ値が６００未満と小さくなってし
まい、また、透過損失が１６ｄＢ程度以上に大きくなっ
てしまうといった問題があり、良好な素子特性を満たし
つつ電極面積を小さくすることには限界があった。ま
た、電極面積の大きい場合でも、２．５ＧＨｚ帯の高周
波において、損失＜１０ｄＢ未満、ＴＣＦ＜５ｐｐｍ／
℃、Ｑ≧６００であるような狭帯域特性を有するもの
は、従来材料では実現されていない。It is self-evident that the electrode area can be reduced by reducing the size of the electrode. However, in the case of a conventional material such as quartz, the number of pairs of electrodes (log: susu) and the width of the intersection can be reduced. For example, there is a problem that the Q value of the element is reduced to less than 600, and the transmission loss is increased to about 16 dB or more. There is a limit to reducing the electrode area while satisfying good element characteristics. there were. Further, even when the electrode area is large, at a high frequency in the 2.5 GHz band, the loss is less than 10 dB and the TCF is less than 5 ppm /
A material having a narrow band characteristic such as C and Q ≧ 600 has not been realized by a conventional material.

【０１４１】そこで本発明者らは、鋭意検討の結果、ダ
イヤモンドを基板に用いる表面弾性波素子の場合は、ダ
イヤモンドと圧電体材料との複合体的特性が優れるた
め、電極の対数を従来よりも小さくしてもなおＱ値を高
くすることができ、また、透過損失を低く抑えることが
できることを見出した。そして、上記の積層構造と電極
パターンの組み合わせを採用することにより、従来品に
較べてより高い伝播速度、より高い温度安定性を実現
し、且つ、狭帯域素子に一般的に必要なＱ値≧６００の
条件を満たし、透過損失が６〜１０ｄＢと低損失を実現
しつつも、素子の電極部分のサイズを４０〜２００μｍ
ｘ２００〜４００μｍ程度に小さくすることが可能と
なる。また、この構成においては、櫛型電極のフィンガ
を比較的太い線幅としてもなお十分な小型化を実現でき
るため、表面弾性波素子の歩留まりも高く維持できると
いう加工性の利点も併せ持つ。The inventors of the present invention have conducted intensive studies and found that the surface acoustic wave device using diamond as a substrate has excellent composite characteristics of diamond and a piezoelectric material. It has been found that the Q value can be increased even if it is reduced, and that the transmission loss can be suppressed low. By adopting a combination of the above-mentioned laminated structure and electrode pattern, a higher propagation speed and higher temperature stability are realized as compared with the conventional product, and a Q value generally required for a narrow band element ≧ 600 while satisfying the conditions of 600 and achieving a low transmission loss of 6 to 10 dB, while reducing the size of the electrode portion of the device to 40 to 200 μm.
x It can be reduced to about 200 to 400 μm. Further, in this configuration, since the size of the fingers of the comb-shaped electrode can be sufficiently reduced even with a relatively large line width, the yield of the surface acoustic wave element can be maintained at a high level.

【０１４２】[0142]

【発明の実施の形態】以下、本発明を構成する物質等に
着目して、本発明を詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail by focusing on substances constituting the present invention.

【０１４３】（ダイヤモンド）本発明では、天然型ダイ
ヤモンドと合成ダイヤモンドのいずれも使用可能であ
る。また、単結晶ダイヤモンドでも多結晶ダイヤモンド
でもアモルファスダイヤモンドでもよい。また、ダイヤ
モンド単体でもよいし、他の基材上に形成された薄膜で
もよい。(Diamond) In the present invention, either a natural diamond or a synthetic diamond can be used. In addition, single-crystal diamond, polycrystalline diamond, or amorphous diamond may be used. Further, it may be a single diamond or a thin film formed on another base material.

【０１４４】薄膜の場合は、その膜厚ｔが上記と同様の
膜厚ｔに関するパラメータｋｈ＝２π（ｔ／λ）＝４以
上となるような膜厚であることが好ましく、ｋｈ＝８以
上となるような膜厚であることが更に好ましい。その理
由は、このような膜厚のダイヤモンドを有する表面弾性
波素子は、表面弾性波の諸特性の変動が小さくなるから
である。In the case of a thin film, the film thickness t is preferably such that the parameter kh = 2π (t / λ) = 4 or more for the same film thickness t as described above. It is more preferable that the film thickness is as follows. The reason is that the surface acoustic wave device having diamond of such a thickness has less variation in various characteristics of the surface acoustic wave.

【０１４５】また、合成ダイヤモンドの場合は、ＣＶ
Ｄ、イオンプレーティング法、ＰＶＤ、熱フィラメント
法等、あらゆる製造方法を用いてこのダイヤモンドを合
成することができる。In the case of synthetic diamond, CV
This diamond can be synthesized using any manufacturing method such as D, ion plating, PVD, and hot filament method.

【０１４６】（ＺｎＯ層）本発明に従った表面弾性波素
子のＺｎＯ層を構成するＺｎＯは、ｃ軸配向性ＺｎＯで
あることが好ましい。ここに、ｃ軸配向であるとは、Ｚ
ｎＯ膜の（００１）面が基板と平行であるように形成さ
れることをいう。形成されたＺｎＯ膜がｃ軸配向であり
また多結晶であれば、ＺｎＯの本来有する圧電性を充分
に利用した表面弾性波素子を実現することが可能とな
る。(ZnO Layer) The ZnO constituting the ZnO layer of the surface acoustic wave device according to the present invention is preferably c-axis oriented ZnO. Here, the c-axis orientation means that
This means that the (001) plane of the nO film is formed so as to be parallel to the substrate. If the formed ZnO film is c-axis oriented and polycrystalline, it is possible to realize a surface acoustic wave device that makes full use of the inherent piezoelectricity of ZnO.

【０１４７】（ＳｉＯ₂ 層）本発明に従った表面弾性波
素子では、ＳｉＯ₂ 層が、温度特性を良好なものにする
だけでなく、圧電体及び櫛型電極に対する保護膜として
も機能し、外部環境からの湿気及び不純物等の影響を著
しく低減する。(SiO ₂ Layer) In the surface acoustic wave device according to the present invention, the SiO ₂ layer not only improves the temperature characteristics but also functions as a protective film for the piezoelectric body and the comb-shaped electrode. Significantly reduces the effects of moisture and impurities from the external environment.

【０１４８】本発明に従った表面弾性波素子のＳｉＯ₂
層を構成するＳｉＯ₂ は、アモルファスであることが好
ましい。SiO _{2 of} the surface acoustic wave device according to the present invention
The SiO ₂ constituting the layer is preferably amorphous.

【０１４９】また、ＳｉＯ₂ 層の表面弾性波の伝播速度
の温度変化と、ダイヤモンド及びＺｎＯ層のそれとが、
異符号になっている。具体的には、素子の温度が上昇す
れば、ＳｉＯ₂ 層の表面弾性波の伝播速度が増大する
が、ダイヤモンド及びＺｎＯ層では表面弾性波の伝播速
度は減少する。従って、ＳｉＯ₂ がダイヤモンド及びＺ
ｎＯ層における伝播速度の温度変化を相殺し、その結
果、表面弾性波素子の伝播速度が温度変化に対しても安
定する。The temperature change of the propagation speed of the surface acoustic wave of the SiO ₂ layer and that of the diamond and ZnO layers are different from each other.
It has a different sign. Specifically, as the temperature of the device rises, the propagation speed of the surface acoustic wave in the SiO ₂ layer increases, but the propagation speed of the surface acoustic wave in the diamond and ZnO layers decreases. Therefore, SiO ₂ is composed of diamond and Z
The change in temperature of the propagation velocity in the nO layer is canceled out, and as a result, the propagation velocity of the surface acoustic wave element is stabilized against the change in temperature.

【０１５０】（櫛型電極及び反射器電極）本発明の表面
弾性波素子に用いる櫛型電極（又はすだれ状電極ともい
う：interdigital transducer）は、圧電体の電気機械
変換により表面弾性波を励振しこれを受信するための要
素である。本発明の表面弾性波素子に含まれる櫛型電極
の典型的な構造の一例を、図２６（ａ）及び（ｂ）に示
す。図２６（ａ）はシングル電極の入力櫛型電極（又は
出力櫛型電極）の一部であり、（ｂ）はダブル電極の入
力櫛型電極（又は出力櫛型電極）の一部である。(Comb Type Electrode and Reflector Electrode) A comb type electrode (or interdigital transducer) used in the surface acoustic wave device of the present invention excites a surface acoustic wave by electromechanical conversion of a piezoelectric material. This is an element for receiving this. FIGS. 26A and 26B show an example of a typical structure of a comb electrode included in the surface acoustic wave device of the present invention. FIG. 26 (a) shows a part of a single electrode input comb electrode (or output comb electrode), and FIG. 26 (b) shows a part of a double electrode input comb electrode (or output comb electrode).

【０１５１】櫛型電極は、電力を印加して弾性波を励振
するための入力櫛型電極と、弾性波を受信して電気エネ
ルギーを取り出すための出力櫛型電極とから構成され
る。また、これらの櫛型電極を挟み込むように、両側に
反射器電極（グレーティング反射器等）を配置し、櫛型
電極間で発生する弾性波を反射器電極の間で多重反射さ
せ定在波を発生させる表面弾性波共振器の構成をとって
もよい。これらの櫛型電極や反射器電極を構成する材料
は、導電性材料であればよく、加工性等の点からはアル
ミニウムが好ましく用いられる。The comb electrode includes an input comb electrode for applying electric power to excite an elastic wave and an output comb electrode for receiving an elastic wave and extracting electric energy. In addition, reflector electrodes (grating reflectors, etc.) are arranged on both sides so as to sandwich these comb-shaped electrodes, and an elastic wave generated between the comb-shaped electrodes is multiple-reflected between the reflector electrodes to form a standing wave. A configuration of a surface acoustic wave resonator to be generated may be adopted. The material forming the comb-shaped electrode and the reflector electrode may be a conductive material, and aluminum is preferably used from the viewpoint of workability and the like.

【０１５２】櫛型電極等にアルミニウムを用いた場合、
アルミニウム製の櫛型電極の表面弾性波の伝播速度の温
度変化は、ダイヤモンド及びＺｎＯ層のそれと同符号で
あり、ＳｉＯ₂ 層のそれとは異符号である。即ち、素子
の温度が上昇すれば、ＳｉＯ₂ 層の表面弾性波の伝播速
度が増大し、ダイヤモンド、ＺｎＯ層及びアルミニウム
製櫛型電極における表面弾性波の伝播速度は減少する。When aluminum is used for a comb-shaped electrode or the like,
The temperature change of the propagation speed of the surface acoustic wave of the aluminum comb electrode is the same as that of the diamond and ZnO layers, and is different from that of the SiO ₂ layer. That is, as the temperature of the device rises, the propagation speed of the surface acoustic wave in the SiO ₂ layer increases, and the propagation speed of the surface acoustic wave in the diamond, ZnO layer, and aluminum comb electrode decreases.

【０１５３】（短絡用電極）電界を等電位的とするため
の短絡用電極は、一般的には金属をその材質とする。更
に形成の都合を考慮すれば、アルミニウム、金、金−銅
等の金属薄膜電極であることが好ましい。(Short-Circuiting Electrode) The short-circuiting electrode for making the electric field equipotential is generally made of metal. In consideration of the convenience of formation, a metal thin film electrode of aluminum, gold, gold-copper or the like is preferable.

【０１５４】短絡用電極の厚さに特に制約はないが、５
０〜３、０００オングストローム程度の厚さであること
が好ましい。５０オングストロームに満たないと等電位
の形成が困難となり、また、３，０００オングストロー
ムを越えれば、表面弾性波の特性に影響を及ぼすように
なる。厚くなるほど、伝搬損失は低下してくるため、５
０〜５００オングストローム程度が更に好ましい。The thickness of the short-circuit electrode is not particularly limited.
The thickness is preferably about 0 to 3,000 angstroms. If it is less than 50 angstroms, it is difficult to form an equipotential, and if it exceeds 3,000 angstroms, the characteristics of surface acoustic waves will be affected. As the thickness increases, the propagation loss decreases.
About 0 to 500 angstroms is more preferable.

【０１５５】[0155]

【実施例】以下、添付した図面を参照して、本発明の実
施例を説明する。尚、添付した図面において、同一の要
素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the attached drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【０１５６】本発明では、最適な伝播速度Ｖ、電気機械
結合係数Ｋ² 、温度周波数特性ＴＣＦ並びに伝搬損失を
与えるような、圧電体であるＺｎＯ層と保護層のＳｉＯ
₂ 層の厚さの最適化を、櫛型電極の厚さを考慮しつつ行
った。評価結果を以下に開示する。In the present invention, the piezoelectric ZnO layer and the protective layer SiO 2 are provided so as to provide the optimum propagation speed V, the electromechanical coupling coefficient K ² , the temperature-frequency characteristic TCF, and the propagation loss.
The optimization of the thickness of the _two layers was performed in consideration of the thickness of the comb electrode. The evaluation results are disclosed below.

【０１５７】（実施例１）本実施例１では、図６（ａ）
に示されるタイプＡの構造を有する表面弾性波素子を作
製した。図６（ａ）に示されるように、本実施例の表面
弾性波素子１０ａは、ダイヤモンド層１２の上にＺｎＯ
層１４が形成される。ＺｎＯ層１４の上には櫛型電極２
０が形成され、更にこれらを覆うようにＳｉＯ₂ 層が形
成されて、表面弾性波素子をなす。(Embodiment 1) In Embodiment 1, FIG.
A surface acoustic wave device having a type A structure shown in FIG. As shown in FIG. 6A, the surface acoustic wave device 10a of the present embodiment has a ZnO layer
Layer 14 is formed. On the ZnO layer 14, the comb electrode 2
0 are formed, and an SiO ₂ layer is further formed so as to cover them, thereby forming a surface acoustic wave device.

【０１５８】本実施例では、伝播速度Ｖ、電気機械結合
係数Ｋ² 、周波数温度特性ＴＣＦ並びに伝搬損失の諸性
質を最適化するため、ダイヤモンド１２上に形成するＺ
ｎＯ膜１４、ＳｉＯ₂ 膜１６及び櫛型電極２０の厚さを
変えて複数の表面弾性波素子を作製し、それぞれについ
て２次モードのＶ、Ｋ² 、ＴＣＦ及び伝搬損失を測定し
た。In this embodiment, in order to optimize the propagation speed V, the electromechanical coupling coefficient K ² , the frequency temperature characteristic TCF, and various properties of the propagation loss, the Z formed on the diamond 12 is
A plurality of surface acoustic wave devices were manufactured by changing the thicknesses of the nO film 14, the SiO ₂ film 16 and the comb-shaped electrode 20, and the V, K ² , TCF and propagation loss of the ^second mode were measured for each.

【０１５９】具体的には、ダイヤモンド層１２の厚さを
２０μｍとし、ＺｎＯ層１４の厚さは、０．２０〜２．
５μｍの範囲で２０種類、Ａｌ櫛型電極の厚さを、シン
グル電極用及びダブル電極用として２１０オングストロ
ーム〜４６００オングストロームで２０種類、ＳｉＯ₂
層１６の厚さは、０．１５〜２．０μｍの範囲で２０種
類とした。また、ＺｎＯ膜の厚さｔ_Z 、Ａｌ櫛型電極の
厚さｔ_A 及びＳｉＯ₂膜の厚さｔ_S を、表面弾性波の波
長λに対して相対的に表現するため、以下のパラメー
タ：ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）を用いた。More specifically, the thickness of the diamond layer 12 is set to 20 μm, and the thickness of the ZnO layer 14 is set to 0.20 to 2.0.
20 types in the range of 5 μm, and the thickness of the Al-comb electrode is 20 types from 210 Å to 4600 Å for single electrode and double electrode, and SiO ₂
The thickness of the layer 16 was 20 kinds in the range of 0.15 to 2.0 μm. In order to express the thickness t _Z of the ZnO film, the thickness t _A of the Al comb electrode, and the thickness t _S of the SiO ₂ film relative to the wavelength λ of the surface acoustic wave, the following parameters are used: _{kh1 = 2π (t Z / λ} ), kh2 = 2π (t S / λ), was used _{kh3 = 2π (t a / λ} ).

【０１６０】本実施例の表面弾性波素子は、以下のよう
に作製された。The surface acoustic wave device of this example was manufactured as follows.

【０１６１】１０×１０×１ｍｍの寸法をもち、（１０
０）面を有するＳｉ基板を準備し、これをマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ装置のチャンバ内に搬入した。まず、チャ
ンバ内を脱気して、反応室温にＨ₂ ：ＣＨ₄ ＝２００：
１の混合ガスを導入した。次いで、チャンバ内圧力が約
４０Ｔｏｒｒ、基板温度が８５０℃、マイクロ波パワー
が４００Ｗのマイクロ波プラズマ条件下で、上記のＳｉ
基板上に厚さ２０μｍのダイヤモンド薄膜１２を堆積さ
せた。ダイヤモンドの堆積速度は、約１．０μｍ／ｈｒ
であった。次いで、ダイヤモンドが堆積されたＳｉ基板
をチャンバから取り出し、大気中に４５０℃で１０分間
放置してダイヤモンド薄膜の抵抗値を高めた。It has dimensions of 10 × 10 × 1 mm and (10
0) A Si substrate having a surface was prepared and loaded into a chamber of a microwave plasma CVD apparatus. First, the inside of the chamber was degassed, and H ₂ : CH ₄ = 200:
1 mixed gas was introduced. Next, under the microwave plasma conditions of a chamber pressure of about 40 Torr, a substrate temperature of 850 ° C., and a microwave power of 400 W, the above Si
A diamond thin film 12 having a thickness of 20 μm was deposited on the substrate. The deposition rate of diamond is about 1.0 μm / hr
Met. Next, the Si substrate on which the diamond was deposited was taken out of the chamber and left in the air at 450 ° C. for 10 minutes to increase the resistance of the diamond thin film.

【０１６２】次に、ダイヤモンド薄膜１２の表面を研磨
した後、基板をマグネトロンスパッタリング装置のチャ
ンバ内に搬入し、チャンバ内にＡｒ：Ｏ₂ ＝１：１の混
合ガスを流しつつ、スパッタ出力１５０Ｗ、基板温度３
８０℃のスパッタリング条件下で、ＺｎＯ多結晶体のタ
ーゲットをスパッタし、ダイヤモンド薄膜１２上にＺｎ
Ｏ膜１４を堆積させた。ＺｎＯの堆積速度は、１．８μ
ｍ／ｈｒであった。堆積速度を１．８μｍ／ｈｒ一定と
し、堆積時間を調節することにより、堆積するＺｎＯ層
の厚さを上記の範囲の２０種類に調節した。Next, after the surface of the diamond thin film 12 was polished, the substrate was carried into a chamber of a magnetron sputtering apparatus, and a sputter output of 150 W was applied while flowing a mixed gas of Ar: O ₂ = 1: 1 into the chamber. Substrate temperature 3
Under sputtering conditions of 80 ° C., a ZnO polycrystalline target is sputtered, and ZnO is deposited on the diamond thin film 12.
An O film 14 was deposited. The deposition rate of ZnO is 1.8μ.
m / hr. By keeping the deposition rate constant at 1.8 μm / hr and adjusting the deposition time, the thickness of the ZnO layer to be deposited was adjusted to 20 types in the above range.

【０１６３】そして、ＺｎＯ膜１４の上に、アルミニウ
ム（Ａｌ）層を抵抗加熱法により蒸着した。Ａｌ層の厚
さも、ＺｎＯ層の厚さの調節と同様に、堆積速度を一定
として、堆積時間を調節することにより、堆積するＡｌ
層の厚さを上記の範囲の２０種類に調節した。次いで、
フォトリソグラフィー及びエッチングにより、線幅１μ
ｍのダブル電極構造をもち波長８μｍを実現する交差幅
４００μｍと、線幅１μｍのシングル電極構造をもち波
長４μｍを実現する交差幅２００μｍの、２種類の櫛型
電極２０を形成した。Then, an aluminum (Al) layer was deposited on the ZnO film 14 by a resistance heating method. As with the adjustment of the thickness of the ZnO layer, the thickness of the Al layer is also controlled by adjusting the deposition time while keeping the deposition rate constant.
The layer thickness was adjusted to 20 types within the above range. Then
Line width 1μ by photolithography and etching
Two types of comb-shaped electrodes 20 were formed, each having a double electrode structure of m and a cross width of 400 μm realizing a wavelength of 8 μm, and a single electrode structure of a line width of 1 μm and a cross width of 200 μm realizing a wavelength of 4 μm.

【０１６４】次いで、基板温度：１５０℃、高周波パワ
ー：２００Ｗ、ガス：Ａｒ：Ｏ₂ ＝１：１の混合ガス、
圧力：０．０１Ｔｏｒｒ、ターゲット：ＳｉＯ₂ の条件
のスパッタリングによって、上記所定の厚さの非晶質Ｓ
ｉＯ₂ 膜１６を形成した。ＳｉＯ₂ の厚さについても、
堆積速度を０．５４μｍ／ｈｒ一定とし、堆積時間を調
節することにより、堆積する厚さを上記の範囲の２０種
類に調節した。Then, a substrate temperature: 150 ° C., a high frequency power: 200 W, a gas: Ar: O ₂ = 1: 1 mixed gas,
By sputtering under the conditions of pressure: 0.01 Torr and target: SiO ₂ , the amorphous S
An iO ₂ film 16 was formed. Regarding the thickness of SiO ₂ ,
The deposition speed was adjusted to a constant of 0.54 μm / hr, and the deposition time was adjusted to adjust the deposition thickness to 20 types in the above range.

【０１６５】以上のように、図６（ａ）に示される構造
を有し、ＳｉＯ₂ 層及びＺｎＯ層の厚さの異なる表面弾
性波素子を作製した。そして、これらの各表面弾性波素
子の入力側電極に高周波電力を印加して２次モードの表
面弾性波を励起させ、Ｖ＝ｆλ（ｆ：中心周波数，シン
グル電極の場合は、λ＝４ｄ＝４μｍ，ダブル電極の場
合はλ＝８ｄ＝８μｍ，ｄ：線幅＝１μｍ）の関係か
ら、励起された表面弾性波の伝播速度を求めた。各表面
弾性波素子の電気機械結合係数Ｋ² は、ネットワークア
ナライザ（横河ヒューレットパッカード社製、８７９１
Ａ）を用いて２次モードにおいて測定された各表面弾性
波素子の櫛型電極の放射コンダクタンスの実部Ｇに基づ
き、Ｋ² ＝Ｇ／（８・ｆ₀ ・Ｃ・Ｎ）（ｆ₀ ：中心周波数，Ｃ：櫛型電極の全静電容量，Ｎ：
櫛型電極の対の数）として求められた。As described above, a surface acoustic wave device having the structure shown in FIG. 6A and having different thicknesses of the SiO ₂ layer and the ZnO layer was manufactured. Then, high-frequency power is applied to the input side electrodes of these surface acoustic wave elements to excite the second-order mode surface acoustic waves, and V = fλ (f: center frequency; in the case of a single electrode, λ = 4d = The propagation velocity of the excited surface acoustic wave was determined from the relationship of 4 μm, λ = 8d = 8 μm, d: line width = 1 μm in the case of a double electrode. The electromechanical coupling coefficient K ² of each surface acoustic wave device is calculated using a network analyzer (8791, manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard Company).
Based on the real part G of the radiation conductance of the comb-shaped electrode of each surface acoustic wave element measured in the second mode using A), K ² = G / (8 · f ₀ · C · N) (f ₀ : Center frequency, C: total capacitance of comb-shaped electrode, N:
(The number of pairs of comb-shaped electrodes).

【０１６６】更に、ＴＣＦの測定は次の通りである。素
子をヒーターで加熱して、室温〜７０℃まで変化させ、
１０℃おきに中心周波数を測定したところ直線関係が得
られ、この直線の傾きからＴＣＦが測定された。The measurement of TCF is as follows. Heating the element with a heater to change from room temperature to 70 ° C.,
When the center frequency was measured every 10 ° C., a linear relationship was obtained, and the TCF was measured from the slope of the straight line.

【０１６７】更に、伝搬損失を測定するために、素子の
入出力電極間距離の異なる表面弾性波素子を作製し（電
極間距離：５０波長，１００波長，１５０波長）、特定
の伝搬距離に対して、素子の挿入損失と距離の関係を評
価したところ、直線関係が得られ、この直線の傾きか
ら、一波長当たりの伝搬損失が得られた。Further, in order to measure the propagation loss, surface acoustic wave devices having different distances between input and output electrodes of the device were manufactured (distance between electrodes: 50, 100, and 150 wavelengths). When the relationship between the insertion loss of the element and the distance was evaluated, a linear relationship was obtained. From the slope of the straight line, the propagation loss per wavelength was obtained.

【０１６８】また、各表面弾性波素子のＺｎＯ層の正確
な厚さｔ_Z 及びＳｉＯ₂ 層の正確な厚さｔ_S は、上記の
各パラメータ測定後、素子を切断し、この切断面をＳＥ
Ｍで観察することにより求められた。そして、このｔ_Z
及びｔ_S からｋｈ１及びｋｈ２を求め、対応するパラメ
ータの結果を評価した。ここで、ｋｈは、層の厚さｔ及
び表面弾性波の波長λに対してｋｈ＝２π（ｔ／λ）で
与えられるパラメータである。After the measurement of the above parameters, the device was cut, and the cut surface of the surface acoustic wave device was measured using the SE t as the exact thickness t _Z of the ZnO layer and the correct thickness t _S of the SiO ₂ layer.
M was determined by observation. And this t _Z
And determine the kh1 and kh2 from t _S, and evaluate the results of the corresponding parameter. Here, kh is a parameter given by kh = 2π (t / λ) with respect to the thickness t of the layer and the wavelength λ of the surface acoustic wave.

【０１６９】本実施例により作製された表面弾性波素子
について、ＺｎＯ層１４の厚さとＳｉＯ₂ 層１６の厚さ
に対する電気機械結合係数Ｋ² の変化を図７に表した。
図７は、電気機械結合係数Ｋ² のｋｈ１及びｋｈ２との
関係を表すグラフであり、縦軸にｋｈ２（ｋｈｏｆ
ＳｉＯ₂ ）、横軸にｋｈ１（ｋｈｏｆＺｎＯ）をと
り、電気機械結合係数Ｋ² をパラメータとしたｋｈ１と
ｋｈ２との関係を表現した。従って、グラフの各曲線に
付随する数字は、この曲線に対応する電気機械結合係数
Ｋ² の値であり、これらの単位は（％）である。なお、
図７のＫ² の分布のグラフは、ｋｈ３の値にかかわらず
得られたものである。FIG. 7 shows the change of the electromechanical coupling coefficient K ² with respect to the thickness of the ZnO layer 14 and the thickness of the SiO ₂ layer 16 in the surface acoustic wave device manufactured according to the present embodiment.
Figure 7 is a graph showing the relationship between the kh1 and kh2 of the electromechanical coupling coefficient K ^2, the vertical axis kh2 (kh of
SiO ₂ ) and kh 1 (kh of ZnO) on the horizontal axis, and expressed the relationship between kh 1 and kh ² using the electromechanical coupling coefficient K ² as a parameter. Therefore, the numbers associated with each curve in the graph is the value of the electromechanical coupling factor K ² corresponding to the curve, these units are (%). In addition,
Graph of the distribution of K ² in FIG. 7, is obtained regardless of the value of KH3.

【０１７０】また、伝播速度Ｖ（ｍ／ｓｅｃ．）及び周
波数温度特性ＴＣＦ（ｐｐｍ／℃）に関しても、ＺｎＯ
層１４の厚さとＳｉＯ₂ 層１６の厚さに対する変化を評
価した。Ｖ及びＴＣＦに関しては、Ａｌ櫛型電極のｋｈ
であるｋｈ３に応じて変化しており、そのうち代表的な
測定結果をグラフに示す。図１４は、ｋｈ３＝０．０６
６の場合の伝播速度Ｖを与えるｋｈ１（ｋｈｏｆＺ
ｎＯ）及びｋｈ２（ｋｈｏｆＳｉＯ₂ ）の分布を示
し、同様に、図１５はｋｈ３＝０．１３２の場合のＶ、
図１６はｋｈ３＝０．１９８の場合のＶ、図１７はｋｈ
３＝０．２６４の場合のＶ、図１８はｋｈ３＝０．３３
０の場合のＶを示している。また、ＴＣＦについては、
図１９は、ｋｈ３＝０．０６６の場合の周波数温度特性
ＴＣＦを与えるｋｈ１及びｋｈ２の分布を示し、同様
に、図２０はｋｈ３＝０．１３２の場合のＴＣＦ、図２
１はｋｈ３＝０．１９８の場合のＴＣＦ、図２２はｋｈ
３＝０．２６４の場合のＴＣＦ、図２３はｋｈ３＝０．
３３０の場合のＴＣＦを示している。The propagation velocity V (m / sec.) And the frequency temperature characteristic TCF (ppm / ° C.)
Changes in the thickness of the layer 14 and the thickness of the SiO ₂ layer 16 were evaluated. Regarding V and TCF, kh of the Al comb-shaped electrode
Kh3, and representative measurement results are shown in the graph. FIG. 14 shows that kh3 = 0.06.
Kh1 (kh of Z) which gives the propagation velocity V in the case of 6
nO) and kh2 (kh of SiO ₂ ). Similarly, FIG. 15 shows V, kh3 = 0.132,
FIG. 16 shows V when kh3 = 0.198, and FIG.
V when 3 = 0.264, FIG. 18 shows kh3 = 0.33
V in the case of 0 is shown. For TCF,
FIG. 19 shows the distribution of kh1 and kh2 giving the frequency temperature characteristic TCF when kh3 = 0.066. Similarly, FIG. 20 shows the TCF when kh3 = 0.132, and FIG.
1 is TCF when kh3 = 0.198, and FIG.
TCF when 3 = 0.264, FIG. 23 shows kh3 = 0.
The TCF in the case of 330 is shown.

【０１７１】更に、通過帯域中心周波数２ＧＨｚについ
て測定された伝搬損失は、１次モードに対しては０．０
５ｄＢ／波長、２次モードに対しては０．０３ｄＢ／波
長であった。Further, the propagation loss measured for the pass band center frequency of 2 GHz is 0.0
It was 5 dB / wavelength and 0.03 dB / wavelength for the secondary mode.

【０１７２】（実施例２〜７）実施例１と同様の方法及
び条件で、表面弾性波素子を作製した。実施例２とし
て、図６（ｂ）に示されるタイプＢの構成の表面弾性波
素子１０ｂを作製した。また、実施例３として、図６
（ｃ）に示されるタイプＣの構成の表面弾性波素子１０
ｃを、実施例４として、図６（ｄ）に示されるタイプＤ
の構成の表面弾性波素子１０ｄを、実施例５として、図
６（ｅ）に示されるタイプＥの構成の表面弾性波素子１
０ｅを、実施例６として、図６（ｆ）に示されるタイプ
Ｆの構成の表面弾性波素子１０ｆを、実施例７として、
図６（ｇ）に示されるタイプＧの構成の表面弾性波素子
１０ｇを、それぞれ作製した。Examples 2 to 7 Surface acoustic wave devices were manufactured in the same manner and under the same conditions as in Example 1. As Example 2, a surface acoustic wave device 10b having a type B configuration shown in FIG. 6B was manufactured. As a third embodiment, FIG.
The surface acoustic wave device 10 of the type C configuration shown in FIG.
c as Example 4 and the type D shown in FIG.
The surface acoustic wave device 10d having the configuration E of the type E shown in FIG.
0e as Example 6, the surface acoustic wave device 10f having the type F configuration shown in FIG.
Surface acoustic wave devices 10g each having the type G configuration shown in FIG. 6G were manufactured.

【０１７３】ここで、各実施例によって櫛型電極の配置
が異なるが、実施例２（タイプＢ）、３（タイプＣ）及
び４（タイプＤ）では、実施例１と同様にＺｎＯ層１４
形成後にＺｎＯ層１４上に実施例１と同様に櫛型電極２
０を形成した。また、実施例５（タイプＥ）、６（タイ
プＦ）及び７（タイプＧ）では、ダイヤモンド層１２を
形成しダイヤモンド層１２表面を研磨後、ＺｎＯ層１４
の形成の前に、実施例１と同様のプロセスにより櫛型電
極２０を形成した。そして、この櫛型電極２０を覆うよ
うに、ダイヤモンド層１２の上にＺｎＯ層１４を形成し
た。Here, the arrangement of the comb-shaped electrodes differs according to each embodiment. In the second embodiment (type B), 3 (type C) and 4 (type D), the ZnO layer 14 is formed in the same manner as in the first embodiment.
After the formation, the comb-shaped electrode 2 is formed on the ZnO layer 14 in the same manner as in the first embodiment.
0 was formed. In Examples 5 (Type E), 6 (Type F), and 7 (Type G), the diamond layer 12 was formed and the surface of the diamond layer 12 was polished.
Prior to the formation, the comb-shaped electrode 20 was formed by the same process as in the first embodiment. Then, a ZnO layer 14 was formed on the diamond layer 12 so as to cover the comb-shaped electrode 20.

【０１７４】また、タイプＢ、タイプＣ、タイプＤ、タ
イプＦ及びタイプＧには、短絡用電極２２、２４が形成
されている。この短絡用電極２２、２４の形成は以下の
通りであった。実施例２（タイプＢ）及び６タイプ（タ
イプＦ）ではダイヤモンド層１２形成しその表面を研磨
した後、厚さ５０〜２００オングストローム程度のアル
ミニウムの層を抵抗加熱法により蒸着し、これをフォト
リソグラフィーにより加工して、櫛型電極が形成される
領域に対応するように短絡用電極２２が形成された。実
施例３（タイプＣ）及び７（タイプＧ）では、ＳｉＯ₂
層１６形成後に、ＳｉＯ₂ 層１６の上に、実施例２と同
様のプロセスで、形成された櫛型電極２０の領域に対応
するように短絡用電極２２を形成した。また、実施例４
では、実施例２と同様のプロセスにより、ダイヤモンド
層１２の上に短絡用電極２２を、ＺｎＯ層１６の上に短
絡用電極２４をそれぞれ形成した。これら短絡用電極２
２、２４は共に、櫛型電極２０の領域に対応するように
形成されている。In each of the type B, type C, type D, type F and type G, short-circuit electrodes 22 and 24 are formed. The formation of the short-circuit electrodes 22 and 24 was as follows. In Examples 2 (Type B) and 6 Type (Type F), a diamond layer 12 was formed and its surface was polished, and then an aluminum layer having a thickness of about 50 to 200 Å was deposited by a resistance heating method, and this was subjected to photolithography. To form a short-circuit electrode 22 corresponding to a region where a comb-shaped electrode is to be formed. In Examples 3 (Type C) and 7 (Type G), SiO ₂
After the formation of the layer 16, a short-circuit electrode 22 was formed on the SiO ₂ layer 16 in the same process as in Example 2 so as to correspond to the region of the formed comb-shaped electrode 20. Example 4
Then, the short-circuit electrode 22 was formed on the diamond layer 12 and the short-circuit electrode 24 was formed on the ZnO layer 16 by the same process as in Example 2. These short-circuit electrodes 2
Both 2 and 24 are formed so as to correspond to the region of the comb electrode 20.

【０１７５】実施例２〜７のいずれにおいても実施例１
同様に、伝播速度Ｖ、電気機械結合係数Ｋ² 、周波数温
度特性ＴＣＦ並びに伝搬損失の諸性質を最適化するた
め、ダイヤモンド上に形成するＺｎＯ膜及びＳｉＯ₂ 膜
の厚さを変えて複数の表面弾性波素子を作製し、それぞ
れについて２次モードのＶ、Ｋ² 、ＴＣＦ及び伝搬損失
を測定した。具体的には、実施例１と同じく、ダイヤモ
ンドの厚さを２０μｍとし、ＺｎＯ膜の厚さは、０．２
０〜２．５μｍの範囲で２０種類、Ａｌ櫛型電極の厚さ
を２１０オングストローム〜４６００オングストローム
で２０種類、ＳｉＯ₂ 膜の厚さは、０．１５〜２．０μ
ｍの範囲で２０種類とした。実施例２〜７の何れにおい
ても、ＺｎＯ層の厚さ、ＳｉＯ₂ 層の厚さ及びＡｌ櫛型
電極の厚さは、実施例１と同様に、堆積時間を調節する
ことにより調節された。また、表面弾性波の波長λに対
してＺｎＯ膜の厚さｔ_Z 、ＳｉＯ₂ 膜の厚さｔ_S 及び
アルミニウム櫛型電極の厚さｔ_Aを相対的に表現するパ
ラメーターとして、実施例１と同様に、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）を用いた。In each of Embodiments 2 to 7, Embodiment 1
Similarly, in order to optimize the propagation velocity V, the electromechanical coupling coefficient K ² , the frequency temperature characteristic TCF, and various properties of the propagation loss, the thicknesses of the ZnO film and the SiO ₂ film formed on the diamond are changed to obtain a plurality of surfaces. An acoustic wave device was manufactured, and V, K ² , TCF and propagation loss of the ^second mode were measured for each. Specifically, as in Example 1, the thickness of the diamond was 20 μm, and the thickness of the ZnO film was 0.2 μm.
20 types in the range of 0 to 2.5 μm, 20 types of Al comb electrodes at 210 Å to 4600 Å, and a thickness of the SiO ₂ film of 0.15 to 2.0 μ
and 20 types within the range of m. In any of Examples 2 to 7, the thickness of the ZnO layer, the thickness of the SiO ₂ layer, and the thickness of the Al comb electrode were adjusted by adjusting the deposition time as in Example 1. Examples 1 and 2 were used as parameters to express the thickness t _{Z of} the ZnO film, the thickness t _S of the SiO ₂ film, and the thickness t _A of the aluminum comb electrode with respect to the wavelength λ of the surface acoustic wave. _{Similarly, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π (t S / λ), was used _{kh3 = 2π (t a / λ} ).

【０１７６】そして、実施例１と同様の方法で、得られ
た表面弾性波素子の電気機械結合係数Ｋ² を測定した。
そして、作製された表面弾性波素子について、ＺｎＯ層
１４の厚さとＳｉＯ₂ 層１６の厚さに対する電気機械結
合係数Ｋ² の変化を図８〜１３に表した。図８〜１３
は、電気機械結合係数Ｋ² のｋｈ１（ｋｈｏｆＺｎ
Ｏ）及びｋｈ２（ｋｈｏｆＳｉＯ₂ ）の関係を表す
グラフであり、図８は実施例２（タイプＢ）、図９は実
施例３（タイプＣ）、図１０は実施例４（タイプＤ）、
図１１は実施例５（タイプＥ）、図１２は実施例６（タ
イプＦ）、そして、図１３は実施例７（タイプＧ）にお
ける電気機械結合係数Ｋ² とｋｈ１及びｋｈ２の関係を
表す。Then, in the same manner as in Example 1, the electromechanical coupling coefficient K ² of the obtained surface acoustic wave device was measured.
Then, for manufacturing surface acoustic wave device, showing the change in electromechanical coupling coefficient K ² to the thickness and the thickness of the SiO ₂ layer 16 of the ZnO layer 14 in FIG. 8-13. 8 to 13
It is, of electro-mechanical coupling coefficient K ² kh1 (kh of Zn
FIG. 8 is a graph showing the relationship between O) and kh2 (kh of SiO ₂ ). FIG. 8 shows Example 2 (Type B), FIG. 9 shows Example 3 (Type C), and FIG. 10 shows Example 4 (Type D). ,
11 Example 5 (type E), 12 Example 6 (type F), and, 13 represents the relationship between the electromechanical coupling coefficient K ² with kh1 and kh2 in Example 7 (type G).

【０１７７】また、伝播速度Ｖ及び周波数温度特性ＴＣ
Ｆに関しても、ＺｎＯ層１４の厚さとＳｉＯ₂ 層１６の
厚さに対する変化を評価した。実施例２〜７で得られた
Ｖのｋｈ１及びｋｈ２との関係は、実施例１で得られた
ものと同一の結果が得られた。従って、これは代表的な
ｋｈ３毎に図１４〜１８に表される。また、ＴＣＦのｋ
ｈ１及びｋｈ２との関係も、代表的なｋｈ３毎の図１９
〜２３に表されるように、実施例１で得られたものと同
一の結果が得られた。In addition, the propagation velocity V and the frequency temperature characteristic TC
Regarding F, a change with respect to the thickness of the ZnO layer 14 and the thickness of the SiO ₂ layer 16 was evaluated. Regarding the relationship between V and kh1 and kh2 obtained in Examples 2 to 7, the same results as those obtained in Example 1 were obtained. Therefore, this is represented in FIGS. 14-18 for each representative kh3. In addition, k of TCF
The relationship with h1 and kh2 is also shown in FIG.
23, the same results as those obtained in Example 1 were obtained.

【０１７８】更に、測定された伝搬損失は、実施例１と
同じく、１次モードに対しては０．０５ｄＢ／波長、２
次モードに対しては０．０３ｄＢ／波長であった。Further, the measured propagation loss is 0.05 dB / wavelength, 2
It was 0.03 dB / wavelength for the next mode.

【０１７９】（実施例１〜７の結果に基づく評価）以上
のように、表面弾性波素子を構成する圧電体部分のＺｎ
Ｏ層１４の厚さと、保護層であるＳｉＯ₂ 層１６の厚さ
との最適化が、Ａｌ櫛型電極の厚さを考慮しつつ、様々
な電極配置において行われた。これらを総合的に評価
し、本発明に従った構成を有する表面弾性波素子に対し
て、最適なｋｈ１とｋｈ２の関係を求め、入力信号の波
長に応じた最適なＺｎＯ層１４の厚さとＳｉＯ₂ 層１６
の厚さとを求めた。(Evaluation Based on Results of Examples 1 to 7) As described above, the Zn in the piezoelectric portion constituting the surface acoustic wave element
Optimization of the thickness of the O layer 14 and the thickness of the SiO ₂ layer 16 serving as a protective layer was performed in various electrode arrangements in consideration of the thickness of the Al comb electrode. These were comprehensively evaluated, and the optimum relationship between kh1 and kh2 was determined for the surface acoustic wave device having the configuration according to the present invention, and the optimum thickness of the ZnO layer 14 and SiO2 corresponding to the wavelength of the input signal were determined. ₂ layers 16
The thickness was determined.

【０１８０】図１〜５は、実施例１〜７の結果に基づい
て決定されたｋｈ１とｋｈ２の最適値を、ｋｈ３の厚さ
の範囲毎に表すグラフである。FIGS. 1 to 5 are graphs showing the optimum values of kh1 and kh2 determined based on the results of Examples 1 to 7 for each thickness range of kh3.

【０１８１】図７〜図２３に示される、本発明に従った
表面弾性波素子のＫ² 、Ｖ及びＴＣＦの結果を総合的に
評価した結果、Ａｌ櫛型電極の厚さｔ_A のパラメータで
あるｋｈ３の範囲毎に、ｋｈ１及びｋｈ２の最適値の範
囲が与えられた。ｋｈ３が０．０３３〜０．０９９の場
合の最適なｋｈ１（ｋｈｏｆＺｎＯ）及びｋｈ２
（ｋｈｏｆＳｉＯ₂ ）を図１に示した。ｋｈ３が
０．０９９〜０．１６５の場合の最適なｋｈ１及びｋｈ
２を図２に示した。ｋｈ３が０．１６５〜０．２３１の
場合の最適なｋｈ１及びｋｈ２を図３に示した。ｋｈ３
が０．２３１〜０．２９７の場合の最適なｋｈ１及びｋ
ｈ２を図４に示した。ｋｈ３が０．２９７〜０．３６３
の場合の最適なｋｈ１及びｋｈ２を図５に示した。[0181] shown in FIGS. 7 to 23, the results of K ^2, V and TCF of the surface acoustic wave device in accordance with the present invention comprehensively evaluated results, the parameter of the thickness t _A of the Al comb electrodes For each range of kh3, a range of optimal values for kh1 and kh2 was given. Optimal kh1 (kh of ZnO) and kh2 when kh3 is 0.033 to 0.099
(Kh of SiO ₂ ) is shown in FIG. Optimal kh1 and kh when kh3 is 0.099 to 0.165
2 is shown in FIG. The optimum kh1 and kh2 when kh3 is 0.165 to 0.231 are shown in FIG. kh3
Kh1 and k when k is 0.231 to 0.297
h2 is shown in FIG. kh3 is 0.297 to 0.363
FIG. 5 shows the optimal kh1 and kh2 in the case of.

【０１８２】ｋｈ３が（０．０３３≦ｋｈ３≦０．０９
９）の範囲にある場合は、図１の２次元直交座標グラフ
において点ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬの１２点が与えら
れ、隣接する点と点を結ぶ線分で囲まれた領域Ａ−Ｂ−
Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ｈ−Ｉ−Ｊ−Ｋ− Ｌ−Ａの線上
を含む内部に、表面弾性波素子のｋｈ１とｋｈ２で与え
られる点が入るように、表面弾性波素子を構成すればよ
いことが見出された。更に好ましくは、図１において点
ＡＢＩＪＫＬの６点を順に線分で結ぶ同様に囲まれた閉
じた領域の線上を含む内部に表面弾性波素子のｋｈ１と
ｋｈ２で与えられる点が入るように、表面弾性波素子を
構成すればよい。If kh3 is (0.033 ≦ kh3 ≦ 0.09
In the case of the range 9), 12 points ABCDEFGHIJKL are given in the two-dimensional orthogonal coordinate graph of FIG. 1, and an area AB-B- surrounded by a line connecting the adjacent points is provided.
The surface acoustic wave device is placed such that the points given by kh1 and kh2 of the surface acoustic wave device fall inside the area including the line of C-D-E-F-F-G-H-J-J-K-L-A. It has been found that the configuration is sufficient. More preferably, in FIG. 1, the surface given by kh1 and kh2 of the surface acoustic wave element falls within a region including a line of a similarly enclosed closed region connecting the six points of the points ABIJKL with line segments in order. What is necessary is just to comprise an elastic wave element.

【０１８３】ｋｈ３が（０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６
５）の範囲にある場合は、図２の２次元直交座標グラフ
において点ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭの１３点が与え
られ、隣接する点と点を結ぶ線分で囲まれた領域Ａ−Ｂ
−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ｈ−Ｉ−Ｊ−Ｋ− Ｌ−Ｍ−Ａ
の線上を含む内部に、表面弾性波素子のｋｈ１とｋｈ２
で与えられる点が入るように、表面弾性波素子を構成す
ればよいことが見出された。更に好ましくは、図２にお
いて点ＡＢＣＮＪＫＬＭの８点を順に線分で結ぶ同様に
囲まれた閉じた領域の線上を含む内部に表面弾性波素子
のｋｈ１とｋｈ２で与えられる点が入るように、表面弾
性波素子を構成すればよい。If kh3 is (0.099 ≦ kh3 ≦ 0.16
In the range of 5), 13 points ABCDECFGHIJKLM are given in the two-dimensional orthogonal coordinate graph of FIG. 2, and an area AB surrounded by a line segment connecting the adjacent points is provided.
-C-D-E-F-F-G-H-J-J-K-L-M-A
Kh1 and kh2 of the surface acoustic wave element
It has been found that the surface acoustic wave device may be configured so that the point given by More preferably, in FIG. 2, the surface given by kh1 and kh2 of the surface acoustic wave element is included inside a line including a line of a similarly closed area that connects the eight points ABCNJKLM with line segments in order. What is necessary is just to comprise an elastic wave element.

【０１８４】ｋｈ３が（０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３
１）の範囲にある場合は、図３の２次元直交座標グラフ
において点ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭの１３点が与え
られ、隣接する点と点を結ぶ線分で囲まれた領域Ａ−Ｂ
−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ｈ−Ｉ−Ｊ−Ｋ− Ｌ−Ｍ−Ａ
の線上を含む内部に、表面弾性波素子のｋｈ１とｋｈ２
で与えられる点が入るように、表面弾性波素子を構成す
ればよいことが見出された。更に好ましくは、図３にお
いて点ＡＢＮＯＪＫＬＭの８点を順に線分で結ぶ同様に
囲まれた閉じた領域の線上を含む内部に表面弾性波素子
のｋｈ１とｋｈ２で与えられる点が入るように、表面弾
性波素子を構成すればよい。When kh3 is (0.165 ≦ kh3 ≦ 0.23
In the case of the range 1), 13 points ABCDECFGHIJKLM are given in the two-dimensional orthogonal coordinate graph of FIG. 3, and an area AB surrounded by a line segment connecting the adjacent points is provided.
-C-D-E-F-F-G-H-J-J-K-L-M-A
Kh1 and kh2 of the surface acoustic wave element
It has been found that the surface acoustic wave device may be configured so that the point given by More preferably, in FIG. 3, the points given by kh1 and kh2 of the surface acoustic wave element fall within the interior including the line of the similarly closed area that connects the eight points ABNOJKLM in order with line segments. What is necessary is just to comprise an elastic wave element.

【０１８５】ｋｈ３が（０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９
７）の範囲にある場合は、図４の２次元直交座標グラフ
において点ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮの１４点が与
えられ、隣接する点と点を結ぶ線分で囲まれた領域Ａ−
Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ｈ−Ｉ−Ｊ−Ｋ− Ｌ−Ｍ−
Ｎ−Ａの線上を含む内部に、表面弾性波素子のｋｈ１と
ｋｈ２で与えられる点が入るように、表面弾性波素子を
構成すればよいことが見出された。更に好ましくは、図
４において点ＡＯＰＫＬＭの７点を順に線分で結ぶ同様
に囲まれた閉じた領域の線上を含む内部に表面弾性波素
子のｋｈ１とｋｈ２で与えられる点が入るように、表面
弾性波素子を構成すればよい。When kh3 is (0.231 ≦ kh3 ≦ 0.29
In the range of 7), 14 points ABCDECFGHIJKLMN are given in the two-dimensional orthogonal coordinate graph of FIG. 4, and an area A- surrounded by a line segment connecting the adjacent points to each other is provided.
B-C-D-E-F-F-G-H-I-J-K-L-M-
It has been found that the surface acoustic wave device may be configured so that the points given by kh1 and kh2 of the surface acoustic wave device enter the interior including the line of NA. More preferably, in FIG. 4, the points given by kh1 and kh2 of the surface acoustic wave element fall within the interior including the line of the similarly enclosed closed region connecting the seven points of the point AOPKLM with line segments in order. What is necessary is just to comprise an elastic wave element.

【０１８６】ｋｈ３が（０．２９７≦ｋｈ３≦０．３６
３）の範囲にある場合は、図５の２次元直交座標グラフ
において点ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬの１２点が与えら
れ、隣接する点と点を結ぶ線分で囲まれた領域Ａ−Ｂ−
Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ｈ−Ｉ−Ｊ−Ｋ− Ｌ−Ａの線上
を含む内部に、表面弾性波素子のｋｈ１とｋｈ２で与え
られる点が入るように、表面弾性波素子を構成すればよ
いことが見出された。更に好ましくは、図５において点
ＬＭＪＫの４点を順に線分で結ぶ同様に囲まれた閉じた
領域の線上を含む内部に表面弾性波素子のｋｈ１とｋｈ
２で与えられる点が入るように、表面弾性波素子を構成
すればよい。When kh3 is (0.297 ≦ kh3 ≦ 0.36
In the range of 3), in the two-dimensional orthogonal coordinate graph of FIG. 5, 12 points ABCDEFGHIJKL are given, and an area AB-B- surrounded by a line segment connecting adjacent points.
The surface acoustic wave device is placed such that the points given by kh1 and kh2 of the surface acoustic wave device fall inside the area including the line of C-D-E-F-F-G-H-J-J-K-L-A. It has been found that the configuration is sufficient. More preferably, in FIG. 5, four points LMJK are sequentially connected by line segments.
The surface acoustic wave device may be configured so that the point given by 2 is included.

【０１８７】ｋｈ３の各範囲に対してｋｈ１とｋｈ２が
上記の範囲にある場合に実現される表面弾性波素子の
Ｖ、ＴＣＦ、Ｋ² 等の動作性能は、評価結果である図７
〜図２３のグラフを参照すれば明らかであり、これら
は、前記の［課題を解決するための手段］で、それぞ
れ、タイプＡ、タイプＢ、タイプＣ、タイプＤ及びタイ
プＦの層構造について述べた通りである。[0187] V of the surface acoustic wave device kh1 and kh2 for each range is achieved when the range of the above KH3, TCF, operating performance, such as K ² is results 7
23 are evident with reference to the graphs of FIGS. 23 to 23. These are described in the above-mentioned [Means for Solving the Problems] for the layer structures of type A, type B, type C, type D and type F, respectively. As expected.

【０１８８】図２７は、本発明に従って作製された表面
弾性波素子５０を実装したパッケージの一例を示す図で
ある。図２７（ａ）は、蓋を開けた状態でのパッケージ
５８の上面図であり、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は底
面図である。パッケージ５８には、電極用パッド６２ａ
〜ｆが具備されている。本発明の表面弾性波素子５０
は、パッケージ５８の底部の中央附近に載置されてい
る。表面弾性波素子５０の櫛型電極５２からの入出力の
ため、電極５４ａ、５４ｂ、５４ｃ及び５４ｄが配置さ
れている。電極５４ａ、５４ｂ、５４ｃ及び５４ｄから
は、ワイヤ５６により電極用パッド６２へと接続され
る。側面断面図である（ｂ）に示されるように、蓋６０
がパッケージ５８に鑞付けされる。FIG. 27 is a view showing an example of a package on which the surface acoustic wave device 50 manufactured according to the present invention is mounted. FIG. 27A is a top view of the package 58 with the lid opened, FIG. 27B is a side sectional view, and FIG. 27C is a bottom view. The package 58 includes an electrode pad 62a.
To f are provided. Surface acoustic wave device 50 of the present invention
Are placed near the center of the bottom of the package 58. Electrodes 54a, 54b, 54c and 54d are arranged for input and output from the comb-shaped electrode 52 of the surface acoustic wave device 50. The electrodes 54a, 54b, 54c and 54d are connected to the electrode pads 62 by wires 56. As shown in FIG.
Is brazed to the package 58.

【０１８９】このようにパッケージングされた本発明の
表面弾性波素子は、例えば、光通信用フィルタ等として
の使用に供される。The surface acoustic wave device of the present invention packaged as described above is used, for example, as an optical communication filter or the like.

【０１９０】（実施例８）次に、これらの表面弾性波素
子の温度安定性を更に高めることを目的として行った検
討について説明する。(Embodiment 8) Next, a study conducted for the purpose of further increasing the temperature stability of these surface acoustic wave devices will be described.

【０１９１】前述の実施例１と同様に、図６（ａ）に示
されるタイプＡの積層構造を有する表面弾性波素子を作
製したが、このとき、ｋｈ１及びｋｈ２について実施例
１で得られた範囲を更に絞り込む検討を行うため、表面
弾性波素子もそのように作製した。得られた表面弾性波
素子について、実施例１と同様の方法で。ＴＣＦを評価
した。A surface acoustic wave device having a layered structure of type A shown in FIG. 6A was produced in the same manner as in Example 1 described above. At this time, kh1 and kh2 were obtained in Example 1. In order to further narrow down the range, the surface acoustic wave device was also manufactured in such a manner. About the obtained surface acoustic wave element, in the same manner as in Example 1. The TCF was evaluated.

【０１９２】２次モードの表面弾性波の波長λに対する
櫛型電極の厚さｔ_Aについて定義される無次元厚さｋｈ
３＝２π（ｔ_A／λ）を、０．０４４，０．０６６，
０．０９９，０．１３２，０．１９８，０．２６４の６
種類を検討範囲とし、このそれぞれに対して、２次モー
ドの表面弾性波の波長λに対するＺｎＯの厚さｔ_Zの無
次元厚さであるｋｈ１＝２π（ｔ_Z／λ）を、０．６０
０，０．８００，０．９００，１．０００，１．１０
０，１．２００，１．４００の７種類とし、そのとき、
−２０〜８０℃のＴＣＦの変化が５００ｐｐｍ以内とな
るよう、ＳｉＯ₂の厚さｔ_Sの無次元厚さであるｋｈ２＝
２π（ｔ_Z／λ）を求めた。The dimensionless thickness kh defined for the thickness t _A of the comb-shaped electrode with respect to the wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode
3 = 2π (t _A / λ) to 0.044, 0.066,
0.099, 0.132, 0.198, 0.264 6
The types are considered as the study ranges, and for each of them, kh1 = 2π (t _Z / λ), which is the dimensionless thickness of the thickness t _Z of ZnO with respect to the wavelength λ of the surface acoustic wave of the second mode, is 0.60.
0, 0.800, 0.900, 1.000, 1.10
0, 1.200, 1.400, and then
Kh2 = the dimensionless thickness of the thickness t _S of SiO ₂ so that the change of the TCF at −20 to 80 ° C. is within 500 ppm.
2π (t _Z / λ) was determined.

【０１９３】図２９〜図３４は、本実施例で得られた表
面弾性波素子についてのＴＣＦ測定結果の一部を例示す
るグラフであり、その内容とＴＣＦの温度変動は、以下
に示す通りである：ｋｈ３ｋｈ１ｋｈ２ -20〜80℃の周波数変動幅図２９０．０９９０．８０．７５８１００ｐｐｍ；図３００．０９９１．００．８３２１３０ｐｐｍ；図３１０．０９９１．２０．９３０１００ｐｐｍ；図３２０．０４４１．００．７５９１００ｐｐｍ；図３３０．０６６１．００．７８９２００ｐｐｍ；図３４０．１３２１．００．８７７１００ｐｐｍ。FIGS. 29 to 34 are graphs exemplifying a part of the TCF measurement results of the surface acoustic wave device obtained in this embodiment. The contents and the temperature fluctuation of the TCF are as follows. There are: kh3 kh1 kh2 -20 to 80 ° C. frequency fluctuation range FIG. 29 0.099 0.8 0.758 100 ppm; FIG. 30 0.099 1.0 0.832 130 ppm; FIG. 31 0.099 1.2 0.0. 930 100 ppm; FIG. 32 0.044 1.0 0.759 100 ppm; FIG. 33 0.066 1.0 0.789 200 ppm; FIG. 34 0.132 1.0 0.877 100 ppm.

【０１９４】図２９〜３４にも示されるように、このｋ
ｈ１、ｋｈ２及びｋｈ３の組み合わせでは、−２０〜８
０℃の周波数変動幅は１００〜２００ｐｐｍと非常に小
さく良好な結果が得られた。ここに図示した以外の上記
のｋｈ３とｋｈ１の組み合わせに関しても同様に周波数
変動幅が１００〜２００ｐｐｍとなるようなｋｈ２をそ
れぞれ得ることができた。As shown in FIGS.
In the combination of h1, kh2 and kh3, -20 to 8
The frequency fluctuation range at 0 ° C. was as very small as 100 to 200 ppm, and good results were obtained. With respect to the combination of kh3 and kh1 other than those shown here, kh2 having a frequency fluctuation range of 100 to 200 ppm was similarly obtained.

【０１９５】このように、上記６種類のｋｈ３の値に対
して得られたｋｈ１とｋｈ２の値を、図２８に示す。FIG. 28 shows the values of kh1 and kh2 obtained for the above-mentioned six types of kh3 values.

【０１９６】図２８は、横軸にｋｈ１、縦軸にｋｈ２を
とるグラフであり、本実施例における検討の結果、上記
６種類のｋｈ３に対して上記のような小さな周波数変動
幅を与えるように得られたｋｈ１とｋｈ２の組み合わせ
を示すグラフである。このグラフにおける各点の座標
（ｋｈ１，ｋｈ２）は、次の表１〜表６の通りである。FIG. 28 is a graph in which kh1 is plotted on the horizontal axis and kh2 is plotted on the vertical axis. As a result of the examination in this embodiment, the above-mentioned six kinds of kh3 are set so that the above-mentioned small frequency fluctuation width is given. It is a graph which shows the obtained combination of kh1 and kh2. The coordinates (kh1, kh2) of each point in this graph are as shown in Tables 1 to 6 below.

【０１９７】[0197]

【表１】 [Table 1]

【０１９８】[0198]

【表２】 [Table 2]

【０１９９】[0199]

【表３】 [Table 3]

【０２００】[0200]

【表４】 [Table 4]

【０２０１】[0201]

【表５】 [Table 5]

【０２０２】[0202]

【表６】各ｋｈ３に対し、図２８と表１に示される各点をｋｈ３
の値に毎に結んだ線（以下、「基本組み合わせ線」と称
する）にｋｈ１とｋｈ２があれば、非常に優れた温度安
定性を示すことになる。[Table 6] For each kh3, the points shown in FIG.
If kh1 and kh2 are included in a line (hereinafter, referred to as a "basic combination line") connected to each of the values, the temperature stability will be extremely excellent.

【０２０３】次に、優れた温度安定性（周波数変動幅が
５００ｐｐｍ以下）を得るためには、このように非常に
優れた温度安定性（１００〜２００ｐｐｍ）を示す基本
組み合わせ線からどの程度までの変化が許容されるかの
検討を行った。図３５〜図３８は、ｋｈ３＝０．０６
６、ｋｈ１＝１．０の場合において、−２０〜８０℃の
周波数変動幅が５００ｐｐｍとなるようなｋｈ２の範囲
を求めた実験の結果を表すグラフである。これらのグラ
フにおけるｋｈ２と周波数変動幅を以下に示す。Next, in order to obtain excellent temperature stability (frequency variation width is 500 ppm or less), the basic combination line showing such extremely excellent temperature stability (100 to 200 ppm) has a certain degree. We examined whether the change was acceptable. FIGS. 35 to 38 show kh3 = 0.06.
6 is a graph showing the results of an experiment in which a range of kh2 was determined such that the frequency fluctuation range from -20 to 80 ° C was 500 ppm when kh1 = 1.0. Kh2 and frequency fluctuation width in these graphs are shown below.

【０２０４】ｋｈ３ｋｈ１ｋｈ２ -20〜80℃の周波数変動幅図３５０．０６６１．００．７１０４００ｐｐｍ；図３６０．０６６１．００．７５０２００ｐｐｍ；図３７０．０６６１．００．８２８１５０ｐｐｍ；図３８０．０６６１．００．８６８４００ｐｐｍ。Kh3 kh1 kh2 -20 to 80 ° C. frequency fluctuation range FIG. 35 0.066 1.0 0.710 400 ppm; FIG. 36 0.066 1.0 0.750 200 ppm; FIG. 37 0.066 1.00 .828 150 ppm; FIG. 38 0.066 1.0 0.868 400 ppm.

【０２０５】図３３の結果と図３５〜３８の結果から明
らかなように、ｋｈ３＝０．０６６、ｋｈ１＝１．０の
場合は、図２８の基本組み合わせ線上の点Ｄ２：ｋｈ２
＝０．７８９（図３３）から＋／−１０％増減した範囲
にｋｈ２があれば、−２０℃〜８０℃の周波数変動幅が
５００ｐｐｍ以内と小さくすることができた。ｋｈ３＝
０．０６６の他の基本組み合わせ線上の点Ａ２、Ｂ２、
Ｃ２、Ｅ２、Ｆ２及びＧ２についても、同様の評価を行
った結果、これらの点からｋｈ２が＋／−１０％増減し
た範囲にあれば、−２０℃〜８０℃の周波数変動幅が５
００ｐｐｍ以内と小さくすることが確認された。As is clear from the results of FIG. 33 and the results of FIGS. 35 to 38, when kh3 = 0.066 and kh1 = 1.0, the point D2: kh2 on the basic combination line in FIG.
If kh2 is in the range of +/− 10% from +/− 0.789 (FIG. 33), the frequency fluctuation range from −20 ° C. to 80 ° C. can be reduced to within 500 ppm. kh3 =
The points A2, B2 on the 0.066 other basic combination lines,
The same evaluation was performed for C2, E2, F2 and G2. As a result, if kh2 was in the range of +/− 10% increase / decrease from these points, the frequency fluctuation range from −20 ° C. to 80 ° C. was 5%.
It was confirmed to be as small as 00 ppm or less.

【０２０６】同様に、ｋｈ３＝０．０４４，０．０９
９，０．１３２，０．１９８，０．２６４についても、
これらに対応する基本組み合わせ線を構成する各点から
ｋｈ２が＋／−１０％増減した範囲にあれば、−２０℃
〜８０℃の周波数変動幅が５００ｐｐｍ以内と小さくす
ることが確認された。Similarly, kh3 = 0.044, 0.09
For 9, 0.132, 0.198, 0.264,
If kh2 is within +/− 10% from each point constituting the basic combination line corresponding to these, −20 ° C.
It was confirmed that the frequency fluctuation range at -80 ° C was as small as 500 ppm or less.

【０２０７】更に、０．０４４〜０．０６６のｋｈ３に
対して、これらに相当する２つの基本組み合わせ線に対
してｋｈ２を線形補完することにより、補完基本組み合
わせ線（Ａ１２−Ｂ１２−Ｃ１２−Ｄ１２−Ｅ１２−Ｆ
１２−Ｇ１２）を得ることができ、この補完基本組み合
わせ線を構成する各点からｋｈ２が＋／−１０％増減し
た範囲にあれば、−２０℃〜８０℃の周波数変動幅が５
００ｐｐｍ以内と小さくすることが確認された。Further, for kh3 of 0.044 to 0.066, kh2 is linearly complemented with respect to the two basic combination lines corresponding thereto, thereby obtaining the complemented basic combination line (A12-B12-C12-D12). -E12-F
12-G12), and if kh2 is within a range of +/− 10% from each point constituting the complementary basic combination line, the frequency fluctuation range from −20 ° C. to 80 ° C. is 5
It was confirmed to be as small as 00 ppm or less.

【０２０８】（実施例９）本実施例では、良好な素子特
性を満たしつつ素子のサイズの小型化を図ることを目的
として、本発明の表面弾性波素子の積層構造と電極パタ
ーンとの組み合わせに着目した検討を行った。(Embodiment 9) In the present embodiment, in order to reduce the size of the device while satisfying good device characteristics, the combination of the laminated structure of the surface acoustic wave device and the electrode pattern of the present invention was considered. The study focused on this.

【０２０９】図３９（ａ）は、本実施例で採用した電極
部分を例示する平面図である。図３９（ａ）に示される
ように、この電極部分は、入力櫛型電極１００と、入力
櫛型電極１００に対向する出力櫛型電極１１０とを備え
ている。入力櫛型電極１００は、平行に配置される２本
のバスバー１０２と、一方のバスバー１０２から他方の
バスバー１０２の方へと伸びるフィンガ１０４とから構
成される。出力櫛型電極１１０も入力櫛型電極と同様
に、バスバー１１２と、フィンガ１１４とから構成され
る。出力櫛型電極１１０は、入力櫛型電極１００により
励振された弾性波の伝播方向に配置される。一方のバス
バー１０２から伸びるフィンガ１０４は、他方のバスバ
ーから伸びるフィンガと交互に配置される。一方のバス
バーから伸びるフィンガと他方のバスバーから伸びるフ
ィンガの対の数を、櫛型電極の対数（ついすう）と称す
る。また、入力櫛型電極と出力櫛型電極の重なり合う長
さを交差幅という。フィンガの幅を線幅、フィンガの中
心間の距離を電極間距離という。入力櫛型電極により発
生する弾性波の波長λは、この電極間距離の２倍に等し
い。１つのフィンガの端と隣のフィンガの端との距離を
線間という。これらの定義は、図３９（ｂ）のフィンガ
の部分の拡大図に模式的に示される。なお、図３９
（ａ）では、櫛型電極と反射器全てが弾性波の進行方向
に対して同じ幅を有するように図示されているが、これ
らの幅は、同じでなくともよい。FIG. 39A is a plan view illustrating the electrode portion used in this embodiment. As shown in FIG. 39A, the electrode portion includes an input comb electrode 100 and an output comb electrode 110 facing the input comb electrode 100. The input comb-shaped electrode 100 includes two bus bars 102 arranged in parallel, and fingers 104 extending from one bus bar 102 to the other bus bar 102. The output comb electrode 110 also includes a bus bar 112 and a finger 114, like the input comb electrode. The output comb electrode 110 is arranged in the propagation direction of the elastic wave excited by the input comb electrode 100. Fingers 104 extending from one busbar 102 are alternately arranged with fingers extending from the other busbar. The number of pairs of fingers extending from one bus bar and fingers extending from the other bus bar is referred to as the number of comb electrode pairs. The length of overlap between the input comb electrode and the output comb electrode is called an intersection width. The width of the finger is called the line width, and the distance between the centers of the fingers is called the distance between the electrodes. The wavelength λ of the elastic wave generated by the input comb electrode is equal to twice the distance between the electrodes. The distance between the end of one finger and the end of the next finger is called line spacing. These definitions are schematically shown in the enlarged view of the finger portion in FIG. Note that FIG.
In (a), all the comb electrodes and the reflectors are shown to have the same width in the traveling direction of the elastic wave, but these widths need not be the same.

【０２１０】本実施例の電極部分では、入力櫛型電極１
００と出力櫛型電極１１０を挟み込むように、それぞれ
両側に、反射器電極１２０及び１３０が配置される。櫛
型電極間で発生する弾性波が両反射器電極の間で多重反
射することにより、定在波が発生する。反射器電極１２
０は、櫛型電極と異なり、フィンガ１２４が２つのバス
バー１２２をつないでいる。In the electrode portion of this embodiment, the input comb electrode 1
Reflector electrodes 120 and 130 are arranged on both sides so as to sandwich the output comb electrode 110 and the output comb electrode 110, respectively. A standing wave is generated by the multiple reflection of the elastic wave generated between the comb-shaped electrodes between the two reflector electrodes. Reflector electrode 12
Numeral 0 is different from the comb-shaped electrode, and the finger 124 connects the two bus bars 122.

【０２１１】本実施例では、図６（ａ）のタイプＡに各
層の厚さを以下の通りとした構造１〜構造４の積層構造
に対して、以下の１２通りの電極パターンの、総計４８
種の表面弾性波素子を作製し、これらの表面弾性波素子
の透過損失とＱ値を調べた。In this embodiment, a total of 48 electrode patterns of the following twelve types are used for the layered structure of the structures 1 to 4 in which the thickness of each layer is as follows in the type A of FIG.
Various kinds of surface acoustic wave devices were manufactured, and the transmission loss and Q value of these surface acoustic wave devices were examined.

【０２１２】積層構造：〔構造１〕ダイヤモンド膜（多結晶膜、ＣＶＤ法）厚さ３０μｍＺｎＯ膜（ｃ軸配向多結晶膜、スパッタリング法）厚さ
0.688μｍ（kh1=1.2）ＳｉＯ₂膜（アモルファス膜、スパッタリング法）厚さ
0.496μｍ（kh2=0.866）Ａｌ電極膜（多結晶膜、スパッタリング法）厚さ0.027
μｍ（kh3=0.044）〔構造２〕ダイヤモンド膜（多結晶膜、ＣＶＤ法）厚さ３０μｍＺｎＯ膜（ｃ軸配向多結晶膜、スパッタリング法）厚さ
0.63μｍ（kh1=1.1）ＳｉＯ₂膜（アモルファス膜、スパッタリング法）厚さ
0.48μｍ（kh2=0.837）Ａｌ電極膜（多結晶膜、スパッタリング法）厚さ0.038
μｍ（kh3=0.066）〔構造３〕ダイヤモンド膜（多結晶膜、ＣＶＤ法）厚さ３０μｍＺｎＯ膜（ｃ軸配向多結晶膜、スパッタリング法）厚さ
0.573μｍ（kh1=1.0）ＳｉＯ₂膜（アモルファス膜、スパッタリング法）厚さ
0.477μｍ（kh2=0.832）Ａｌ電極膜（多結晶膜、スパッタリング法）厚さ0.057
μｍ（kh3=0.099）〔構造４〕ダイヤモンド膜（多結晶膜、ＣＶＤ法）厚さ３０μｍＺｎＯ膜（ｃ軸配向多結晶膜、スパッタリング法）厚さ
0.516μｍ（kh1=0.9）ＳｉＯ₂膜（アモルファス膜、スパッタリング法）厚さ
0.48μｍ（kh2=0.837）Ａｌ電極膜（多結晶膜、スパッタリング法）厚さ0.076
μｍ（kh3=0.132）電極パターン〔電極１〕電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ）櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝２０対（合
計４０対）反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本）交差幅＝１５λ 電極間距離＝３．５μｍ〔電極２〕電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ）櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝２５対（合
計５０対）反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本）交差幅＝１５λ 電極間距離＝３．５μｍ〔電極３〕電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ）櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝３０対（合
計６０対）反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本）交差幅＝１５λ 電極間距離＝３．５μｍ〔電極４〕電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ）櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝４０対（合
計８０対）反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本）交差幅＝１５λ 電極間距離＝３．５μｍ〔電極５〕電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ）櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝４５対（合
計９０対）反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本）交差幅＝１５λ 電極間距離＝３．５μｍ〔電極６〕電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ）櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝５０対（合
計１００対）反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本）交差幅＝１５λ 電極間距離＝３．５μｍ〔電極７〕電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ）櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝３０対（合
計６０対）反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本）交差幅＝５λ 電極間距離＝３．５μｍ〔電極８〕電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ）櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝３０対（合
計６０対）反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本）交差幅＝１０λ 電極間距離＝３．５μｍ〔電極９〕電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ）櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝３０対（合
計６０対）反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本）交差幅＝３０λ 電極間距離＝３．５μｍ〔電極１０〕電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ）櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝３０対（合
計６０対）反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本）交差幅＝４０λ 電極間距離＝３．５μｍ〔電極１１〕電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ）櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝３０対（合
計６０対）反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本）交差幅＝５０λ 電極間距離＝３．５μｍ〔電極１２〕電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ）櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝３０対（合
計６０対）反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本）交差幅＝６０λ 電極間距離＝３．５μｍ。Laminated structure: [Structure 1] Diamond film (polycrystalline film, CVD method) thickness 30 μm ZnO film (c-axis oriented polycrystalline film, sputtering method) thickness
0.688μm (kh1 = 1.2) Thickness of SiO ₂ film (amorphous film, sputtering method)
0.496 μm (kh2 = 0.866) Al electrode film (polycrystalline film, sputtering method) thickness 0.027
μm (kh3 = 0.044) [Structure 2] Thickness of diamond film (polycrystalline film, CVD method) 30 μm Thickness of ZnO film (c-axis oriented polycrystalline film, sputtering method)
0.63μm (kh1 = 1.1) Thickness of SiO ₂ film (amorphous film, sputtering method)
0.48 μm (kh2 = 0.837) Al electrode film (polycrystalline film, sputtering method) thickness 0.038
μm (kh3 = 0.066) [Structure 3] Thickness of diamond film (polycrystalline film, CVD method) 30 μm Thickness of ZnO film (c-axis oriented polycrystalline film, sputtering method)
0.573μm (kh1 = 1.0) Thickness of SiO ₂ film (amorphous film, sputtering method)
0.477μm (kh2 = 0.832) Al electrode film (polycrystalline film, sputtering method) thickness 0.057
μm (kh3 = 0.099) [Structure 4] Thickness of diamond film (polycrystalline film, CVD method) 30 μm Thickness of ZnO film (c-axis oriented polycrystalline film, sputtering method)
0.516μm (kh1 = 0.9) Thickness of SiO ₂ film (amorphous film, sputtering method)
0.48μm (kh2 = 0.837) Al electrode film (polycrystalline film, sputtering method) thickness 0.076
μm (kh3 = 0.132) Electrode pattern [Electrode 1] Electrode line width = line-to-line = 0.9 μm (λ = 3.6 μm) Number of comb-shaped electrode fingers (input side = output side) = 20 pairs (total 40 pairs) Reflection Number of fingers of input device = 20 on input side and output side respectively (total of 40) Cross width = 15λ Distance between electrodes = 3.5 μm [Electrode 2] Electrode line width = line-to-line = 0.9 μm (λ = 3.6 μm) Comb Number of type electrode finger pairs (input side = output side) = 25 pairs (total 50 pairs) Number of reflector fingers = input side and output side 20 each (total 40) Cross width = 15λ Distance between electrodes = 3.5 μm [electrode 3] Electrode line width = line-to-line = 0.9 μm (λ = 3.6 μm) Number of comb-shaped electrode fingers (input side = output side) = 30 pairs (total 60 pairs) Number of reflector fingers = input side, output side 20 lines (40 lines in total) Intersection width = 15λ Distance between electrodes = 3.5 μm [ Electrode 4] Electrode line width = line-to-line = 0.9 μm (λ = 3.6 μm) Number of comb-shaped electrode fingers (input side = output side) = 40 pairs (total 80 pairs) Number of reflector fingers = input side, output side 20 pieces each (40 pieces in total) Intersection width = 15λ Distance between electrodes = 3.5 μm [Electrode 5] Electrode line width = line-to-line = 0.9 μm (λ = 3.6 μm) Number of comb-shaped electrode fingers (input side = output) Side) = 45 pairs (total 90 pairs) Number of reflector fingers = 20 on each of input and output sides (total 40) Intersection width = 15λ Distance between electrodes = 3.5 μm [Electrode 6] Electrode line width = line distance = 0.9 μm (λ = 3.6 μm) Number of comb-shaped electrode fingers (input side = output side) = 50 pairs (total 100 pairs) Number of reflector fingers = 20 on each of input side and output side (total 40) Intersection width = 15λ Distance between electrodes = 3.5 μm [Electrode 7] Electrode line width = line-to-line = 0 0.9 μm (λ = 3.6 μm) Number of comb-shaped electrode fingers (input side = output side) = 30 pairs (total 60 pairs) Number of reflector fingers = 20 on each of input side and output side (total 40) Cross width = 5λ Distance between electrodes = 3.5 μm [Electrode 8] Electrode line width = line-to-line = 0.9 μm (λ = 3.6 μm) Number of comb-shaped electrode fingers (input side = output side) = 30 pairs (total 60 pairs) Reflection Number of finger fingers = 20 each on input side and output side (total of 40) Cross width = 10λ Distance between electrodes = 3.5 μm [Electrode 9] Electrode line width = line-to-line = 0.9 μm (λ = 3.6 μm) Comb Number of type electrode fingers (input side = output side) = 30 pairs (total 60 pairs) Number of reflector fingers = input side, output side 20 each (total 40) Cross width = 30λ Distance between electrodes = 3.5 μm [electrode 10] Electrode line width = line-to-line = 0.9 μm (λ = 3.6 μm) Comb type Number of electrode finger pairs (input side = output side) = 30 pairs (total 60 pairs) Number of reflector fingers = 20 on each of input side and output side (total of 40) Cross width = 40λ Distance between electrodes = 3.5 μm [electrode 11 Electrode line width = line-to-line = 0.9 μm (λ = 3.6 μm) Number of comb-shaped electrode fingers (input side = output side) = 30 pairs (total 60 pairs) Number of reflector fingers = 20 for each of input side and output side (Total of 40) Intersection width = 50λ Distance between electrodes = 3.5 μm [Electrode 12] Electrode line width = line-to-line = 0.9 μm (λ = 3.6 μm) Number of comb-shaped electrode fingers (input side = output side) = 30 pairs (total 60 pairs) Number of reflector fingers = 20 each for input and output sides (total 40) Cross width = 60λ Distance between electrodes = 3.5 μm.

【０２１３】これらを組み合わせた４８種の表面弾性波
素子の透過損失とＱ値の結果を、表７〜表２０に示す。Tables 7 to 20 show the results of the transmission loss and the Q value of the 48 types of surface acoustic wave devices obtained by combining these.

【０２１４】[0214]

【表７】 [Table 7]

【０２１５】[0215]

【表８】 [Table 8]

【０２１６】[0216]

【表９】 [Table 9]

【０２１７】[0219]

【表１０】ここで、透過損失の測定は次のように行った。各素子の
入出力電極間の透過電力の周波数依存性（いわゆるＳ２
１特性）をネットワークアナライザで測定し、２．４〜
２．６ＧＨｚ付近に現れた２次モードのピークに関し
て、そのピークの最小挿入損失を測定し、これを透過損
失とした。[Table 10] Here, the transmission loss was measured as follows. Frequency dependence of transmitted power between input and output electrodes of each element (so-called S2
1) is measured with a network analyzer, and 2.4 to
Regarding the peak of the second-order mode that appeared around 2.6 GHz, the minimum insertion loss of the peak was measured, and this was defined as the transmission loss.

【０２１８】また、この測定結果において、最小挿入損
失となる周波数（＝中心周波数ｆ₀）と、最小挿入損失
から３ｄＢだけ損失が大きくなる周波数（低周波側の周
波数をｆＬ、高周波側の周波数をｆＵとする）を求めて
３ｄＢダウンの帯域幅（ｆＵ−ｆＬ）を計算し、ピーク
の鋭さの指標であるＱ値をＱ＝ｆ₀／（ｆＵ−ｆＬ）と
して求めた。In this measurement result, the frequency at which the minimum insertion loss occurs (= center frequency f ₀ ) and the frequency at which the loss is increased by 3 dB from the minimum insertion loss (the low-frequency side frequency is fL, and the high-frequency side frequency is bandwidth 3dB down (fU-fL) calculates seeking and fU), was determined Q value which is an index of sharpness of the peak as _{Q = f 0 / (fU-} fL).

【０２１９】本発明のような構成を有する表面弾性波素
子を、狭帯域フィルタや共振器として応用しようとする
場合、Ｑ値は６００以上が必要である。また、透過損失
が１０ｄＢ未満になれば、従来知られている表面弾性波
素子よりも低いために有意義である。When applying the surface acoustic wave device having the structure as in the present invention to a narrow band filter or a resonator, the Q value needs to be 600 or more. If the transmission loss is less than 10 dB, it is significant because it is lower than conventionally known surface acoustic wave devices.

【０２２０】表７〜１０に示された評価結果によれば、
対数が２５より小さくなる（電極パターン１）と、Ｑ値
が６００よりも小さくなることがわかった。また、対数
が５０を超える（電極パターン６）と、透過損失が１０
ｄＢを超えてしまうことがわかった。According to the evaluation results shown in Tables 7 to 10,
It was found that when the logarithm was smaller than 25 (electrode pattern 1), the Q value was smaller than 600. When the logarithm exceeds 50 (electrode pattern 6), the transmission loss becomes 10%.
It was found to exceed dB.

【０２２１】また、交差幅が１０λ（λ：波長）よりも
小さくなる（電極パターン７）と、透過損失が１０ｄＢ
を超えることが見出された。また、交差幅が５０λを超
える（電極パターン１２）と、Ｑ値が６００よりも小さ
くなることも見出された。If the intersection width is smaller than 10λ (λ: wavelength) (electrode pattern 7), the transmission loss is 10 dB.
Was found to exceed. It was also found that when the cross width exceeds 50λ (electrode pattern 12), the Q value becomes smaller than 600.

【０２２２】ところで、パッケージング後の帯域外抑圧
はレベルが高いことが望まれるが、上記の素子において
は、従来の水晶素子におけるレベルや、上からＳｉＯ２
／ＩＤＴ／ＺｎＯ／ダイヤモンドの順の積層構造を有す
る素子のレベルよりも小さくすることができた。It is desired that the level of out-of-band suppression after packaging be high. However, in the above-described device, the level of a conventional crystal device or the SiO2
It could be made smaller than the level of the element having the laminated structure of / IDT / ZnO / diamond.

【０２２３】また、従来の水晶素子や、上からＳｉＯ２
／ＩＤＴ／ＺｎＯ／ダイヤモンドの順の積層構造を有す
る素子では、素子をパッケージングした際の３ＧＨｚに
おける透過電力抑圧は−４０ｄＢまでであるが、本実施
例に係る素子では、−４５ｄＢを達成することができ
た。Further, a conventional crystal element or SiO2
In a device having a stacked structure of / IDT / ZnO / diamond, the transmission power suppression at 3 GHz when the device is packaged is up to -40 dB, but in the device according to the present embodiment, -45 dB is achieved. Was completed.

【０２２４】更に、本実施例に係る素子では、伝播速度
は９０００ｍ／ｓという高い伝播速度を活用できてい
る。また、線幅が０．９μｍという太い線幅にもかかわ
らず、２．５ＧＨｚの中心周波数を実現することができ
た。即ち、太い線幅の構成を採用して歩留まりを高くし
つつも、高い中心周波数を得ることが可能になった。ち
なみに、水晶では、２．５ＧＨｚの中心周波数を実現す
るためには、線幅を０．５μｍ以下にしなければなら
ず、この線幅で加工するためには、高度な微細加工が必
要となる。Further, in the element according to this embodiment, a high propagation speed of 9000 m / s can be utilized. Also, a center frequency of 2.5 GHz could be realized despite the line width being as thick as 0.9 μm. That is, it is possible to obtain a high center frequency while increasing the yield by adopting a configuration with a thick line width. Incidentally, in the case of quartz, the line width must be 0.5 μm or less in order to realize a center frequency of 2.5 GHz, and in order to process with this line width, advanced fine processing is required.

【０２２５】また、中心周波数の温度に対する変動に関
しても、−２０〜８０℃の周波数温度変動幅が１００〜
２００ｐｐｍと非常に小さく抑えることができた。Further, regarding the fluctuation of the center frequency with respect to the temperature, the frequency temperature fluctuation range of -20 to 80 ° C. is 100 to 100.
It could be suppressed to a very low level of 200 ppm.

【０２２６】[0226]

【発明の効果】以上詳細に説明をしてきたように、本発
明の表面弾性波素子は、ダイヤモンド上にＺｎＯ層が形
成された構造を有する表面弾性波素子において、良好な
伝播速度Ｖ、電気機械結合係数Ｋ² 、周波数温度特性Ｔ
ＣＦを実現し、且つ、良好な伝搬損失をも実現すること
により、高周波領域で優れた動作特性を有する表面弾性
波素子を提供する。As described above in detail, the surface acoustic wave device according to the present invention is a surface acoustic wave device having a structure in which a ZnO layer is formed on diamond. Coupling coefficient K ² , frequency temperature characteristic T
Provided is a surface acoustic wave device having excellent operation characteristics in a high frequency region by realizing CF and also realizing good propagation loss.

【０２２７】また、本発明の表面弾性波の製造方法によ
れば、上記のように高周波領域で優れた動作特性を有す
る表面弾性波素子を、容易に製造することが可能とな
る。Further, according to the method for producing a surface acoustic wave of the present invention, it is possible to easily produce a surface acoustic wave device having excellent operating characteristics in a high frequency region as described above.

【０２２８】更に、ｋｈ１とｋｈ２の範囲を更に絞り込
むことにより、−２０〜８０℃の範囲において非常に優
れた温度安定性を有する表面弾性波素子を提供すること
ができ、更に、この積層構造に対して特定の電極パター
ンを与えることにより、諸特性を低下させずに、素子自
体の小型化を実現することが可能となる。Further, by further narrowing the range of kh1 and kh2, a surface acoustic wave device having extremely excellent temperature stability in the range of -20 to 80 ° C. can be provided. On the other hand, by providing a specific electrode pattern, it is possible to reduce the size of the element itself without deteriorating various characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】ｋｈ１を横軸、ｋｈ２を縦軸とする２次元直交
座標グラフであって、０．０３３≦ｋｈ３≦０．０９９
の場合の最適なｋｈ１及びｋｈ２を与える、領域ＡＢＣ
ＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡ及び領域ＡＢＩＪＫＬＡを示す。FIG. 1 is a two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh1 is a horizontal axis and kh2 is a vertical axis, and 0.033 ≦ kh3 ≦ 0.099.
Region ABC giving the optimal kh1 and kh2 for
9 shows DEFGHIJKLA and region ABIJKLA.

【図２】ｋｈ１を横軸、ｋｈ２を縦軸とする２次元直交
座標グラフであって、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５
の場合の最適なｋｈ１及びｋｈ２を与える、領域ＡＢＣ
ＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡ及び領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡを
示す。FIG. 2 is a two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh1 is a horizontal axis and kh2 is a vertical axis, and 0.099 ≦ kh3 ≦ 0.165.
Region ABC giving the optimal kh1 and kh2 for
9 shows DEFGHIJKLMA and region ABCNJKLMA.

【図３】ｋｈ１を横軸、ｋｈ２を縦軸とする２次元直交
座標グラフであって、０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１
の場合の最適なｋｈ１及びｋｈ２を与える、領域ＡＢＣ
ＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡ及び領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡを
示す。FIG. 3 is a two-dimensional orthogonal coordinate graph having kh1 as a horizontal axis and kh2 as a vertical axis, wherein 0.165 ≦ kh3 ≦ 0.231;
Region ABC giving the optimal kh1 and kh2 for
9 shows DEFGHIJKLMA and region ABNOJKLMA.

【図４】ｋｈ１を横軸、ｋｈ２を縦軸とする２次元直交
座標グラフであって、０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７
の場合の最適なｋｈ１及びｋｈ２を与える、領域ＡＢＣ
ＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡ及び領域ＡＯＰＫＬＭＮＡを
示す。FIG. 4 is a two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh1 is a horizontal axis and kh2 is a vertical axis, and 0.231 ≦ kh3 ≦ 0.297.
Region ABC giving the optimal kh1 and kh2 for
9 shows DEFGHIJKLMNA and area AOPKLMNA.

【図５】ｋｈ１を横軸、ｋｈ２を縦軸とする２次元直交
座標グラフであって、０．２９７≦ｋｈ３≦０．３６３
の場合の最適なｋｈ１及びｋｈ２を与える、領域ＡＢＣ
ＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡ及び領域ＬＭＪＫＬを示す。FIG. 5 is a two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh1 is a horizontal axis and kh2 is a vertical axis, and 0.297 ≦ kh3 ≦ 0.363.
Region ABC giving the optimal kh1 and kh2 for
9 shows DEFGHIJKLA and a region LMJKL.

【図６】表面弾性波素子の断面図であり、（ａ）はタイ
プＡを、（ｂ）はタイプＢを、（ｃ）はタイプＣを、
（ｄ）はタイプＤを、（ｅ）はタイプＥを、（ｆ）はタ
イプＦを、（ｇ）はタイプＧを、それぞれ表す。6A and 6B are cross-sectional views of a surface acoustic wave device, wherein FIG. 6A is a type A, FIG. 6B is a type B, and FIG.
(D) represents type D, (e) represents type E, (f) represents type F, and (g) represents type G.

【図７】実施例１で評価された、タイプＡの表面弾性波
素子の電気機械結合係数Ｋ² に対するｋｈ１、ｋｈ２の
関係を表すグラフである。[Figure 7] is evaluated in Example 1 is a graph for electromechanical coupling coefficient K ² of the SAW device of the type A represents a kh1, kh2 relationship.

【図８】実施例２で評価された、タイプＢの表面弾性波
素子の電気機械結合係数Ｋ² に対するｋｈ１、ｋｈ２の
関係を表すグラフである。[8] were evaluated in Example 2 is a graph showing the kh1, kh2 relationship to type electromechanical coefficient K ² of the SAW device of the B.

【図９】実施例３で評価された、タイプＣの表面弾性波
素子の電気機械結合係数Ｋ² に対するｋｈ１、ｋｈ２の
関係を表すグラフである。[9] were evaluated in Example 3 is a graph showing the kh1, kh2 relationship of the surface acoustic wave device of the type C for the electromechanical coupling coefficient K ^2.

【図１０】実施例４で評価された、タイプＤの表面弾性
波素子の電気機械結合係数Ｋ² に対するｋｈ１、ｋｈ２
の関係を表すグラフである。[10] were evaluated in Example 4, the surface acoustic wave device of the type D for the electromechanical coupling coefficient K ² kh1, kh2
5 is a graph showing the relationship of.

【図１１】実施例５で評価された、タイプＥの表面弾性
波素子の電気機械結合係数Ｋ² に対するｋｈ１、ｋｈ２
の関係を表すグラフである。[11] Example 5 was evaluated in, for electromechanical coupling coefficient K ² of the SAW device of the type E kh1, kh2
5 is a graph showing the relationship of.

【図１２】実施例６で評価された、タイプＦの表面弾性
波素子の電気機械結合係数Ｋ² に対するｋｈ１、ｋｈ２
の関係を表すグラフである。[12] were evaluated in Example 6, the surface acoustic wave device of the type F for electromechanical coupling coefficient K ² kh1, kh2
5 is a graph showing the relationship of.

【図１３】実施例７で評価された、タイプＧの表面弾性
波素子の電気機械結合係数Ｋ² に対するｋｈ１、ｋｈ２
の関係を表すグラフである。[13] were evaluated in Example 7, kh1 the surface acoustic wave device of the type G for the electromechanical coupling factor K ^2, kh2
5 is a graph showing the relationship of.

【図１４】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．０６６の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の伝
播速度Ｖに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表すグラフで
ある。FIG. 14 shows kh3 = evaluated in Examples 1 to 7.
It is a graph showing the relationship of kh1 and kh2 with respect to the propagation velocity V of the type A-G surface acoustic wave element in the case of 0.066.

【図１５】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．１３２の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の伝
播速度Ｖに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表すグラフで
ある。FIG. 15 shows kh3 = evaluated in Examples 1 to 7.
It is a graph showing the relationship of kh1 and kh2 with respect to the propagation speed V of the surface acoustic wave element of type A-G in the case of 0.132.

【図１６】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．１９８の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の伝
播速度Ｖに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表すグラフで
ある。FIG. 16 shows kh3 = evaluated in Examples 1 to 7.
It is a graph showing the relationship of kh1 and kh2 with respect to the propagation speed V of the type A-G surface acoustic wave element in the case of 0.198.

【図１７】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．２６４の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の伝
播速度Ｖに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表すグラフで
ある。FIG. 17 shows kh3 = evaluated in Examples 1 to 7.
It is a graph showing the relationship of kh1 and kh2 with respect to the propagation speed V of the type A-G surface acoustic wave element in the case of 0.264.

【図１８】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．３３０の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の伝
播速度Ｖに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表すグラフで
ある。FIG. 18 shows kh3 = evaluated in Examples 1 to 7.
It is a graph showing the relationship of kh1 and kh2 with respect to the propagation velocity V of the type A-G surface acoustic wave element in the case of 0.330.

【図１９】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．０６６の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の周
波数温度特性ＴＣＦに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表
すグラフである。FIG. 19: kh3 = evaluated in Examples 1-7
It is a graph showing the relationship of kh1 and kh2 with respect to the frequency temperature characteristic TCF of the surface acoustic wave elements of type A-G in the case of 0.066.

【図２０】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．１３２の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の周
波数温度特性ＴＣＦに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表
すグラフである。FIG. 20 shows kh3 = evaluated in Examples 1 to 7.
It is a graph showing the relationship of kh1 and kh2 with respect to the frequency temperature characteristic TCF of the surface acoustic wave elements of type A-G in the case of 0.132.

【図２１】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．１９８の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の周
波数温度特性ＴＣＦに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表
すグラフである。FIG. 21 shows kh3 = evaluated in Examples 1 to 7.
It is a graph showing the relationship of kh1, kh2 with respect to the frequency temperature characteristic TCF of the surface acoustic wave element of type A-G in the case of 0.198.

【図２２】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．２６４の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の周
波数温度特性ＴＣＦに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表
すグラフである。FIG. 22 shows kh3 = evaluated in Examples 1 to 7.
It is a graph showing the relationship of kh1 and kh2 with respect to the frequency temperature characteristic TCF of the type A-G surface acoustic wave element in the case of 0.264.

【図２３】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．３３０の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の周
波数温度特性ＴＣＦに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表
すグラフである。FIG. 23: kh3 = evaluated in Examples 1 to 7
It is a graph showing the relationship of kh1 and kh2 with respect to the frequency temperature characteristic TCF of the type A-G surface acoustic wave element in the case of 0.330.

【図２４】本発明に従った第１の予備評価により、適正
化されたｋｈ１（ｋｈｏｆＺｎＯ）とｋｈ２（ｋｈ
ｏｆＳｉＯ₂ ）を現すグラフであり、領域Ａ'Ｂ'Ｃ'
Ｄ'Ｅ'Ｆ'Ｇ'Ｈ'Ｉ'Ｊ'Ｋ'Ｌ'Ｍ'Ｎ'Ｏ'Ｐ'Ｑ'Ｒ'Ａ'及
び領域Ａ'Ｂ'Ｃ'Ｄ'Ｓ'Ｔ'Ｍ'Ｎ'Ｏ'Ｐ'Ｑ'Ｒ'Ａ'が示
されるグラフである。FIG. 24 shows a result of a first preliminary evaluation according to the present invention, in which kh1 (kh of ZnO) and kh2 (kh
of SiO ₂ ) in a region A′B′C ′.
D'E'F'G'H'I'J'K'L'M'N'O'P'Q'R'A 'and area A'B'C'D'S'T'M'N' It is a graph in which O'P'Q'R'A 'is shown.

【図２５】本発明に従った第２の予備評価により、適正
化されたｋｈ１（ｋｈｏｆＺｎＯ）とｋｈ２（ｋｈ
ｏｆＳｉＯ₂ ）の領域ａｂｃｄｅｆｇｈｉｊｋｌｍｎ
ｏｐｑｒａ及び領域ａｂｃｄｓｔｍｎｏｐｑｒａを示す
グラフである。FIG. 25: Optimized kh1 (kh of ZnO) and kh2 (kh) by a second preliminary evaluation according to the present invention.
of SiO ₂ ) region abcdefghijk lmn
It is a graph which shows opqra and area | region abcdstmnopqra.

【図２６】櫛型電極の上面図であり、（ａ）はシングル
電極の例を、（ｂ）はダブル電極の例をそれぞれ示す。26A and 26B are top views of a comb-shaped electrode, in which FIG. 26A shows an example of a single electrode, and FIG. 26B shows an example of a double electrode.

【図２７】本発明の表面弾性波素子のパッケージングの
様子を示す図であり、（ａ）は上面図で蓋を取り去った
様子を示し、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は底面図あ
る。27A and 27B are diagrams showing a state of packaging the surface acoustic wave device of the present invention, wherein FIG. 27A is a top view showing a state where a lid is removed, FIG. 27B is a side sectional view, and FIG. There is a figure.

【図２８】実施例８において求められた基本組み合わせ
線を示すグラフである。FIG. 28 is a graph showing a basic combination line obtained in Example 8.

【図２９】ｋｈ３＝０．０９９，ｋｈ１＝０．８，ｋｈ
２＝０．７５８の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。FIG. 29: kh3 = 0.099, kh1 = 0.8, kh
It is a graph which shows the measurement result of the temperature change of TCF in case of 2 = 0.758.

【図３０】ｋｈ３＝０．０９９，ｋｈ１＝１．０，ｋｈ
２＝０．８３２の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。FIG. 30: kh3 = 0.099, kh1 = 1.0, kh
It is a graph which shows the measurement result of the temperature change of TCF in case of 2 = 0.32.

【図３１】ｋｈ３＝０．０９９，ｋｈ１＝１．２，ｋｈ
２＝０．９３０の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。FIG. 31: kh3 = 0.099, kh1 = 1.2, kh
It is a graph which shows the measurement result of the temperature change of TCF in case of 2 = 0.930.

【図３２】ｋｈ３＝０．０４４，ｋｈ１＝１．０，ｋｈ
２＝０．７５９の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。FIG. 32: kh3 = 0.044, kh1 = 1.0, kh
It is a graph which shows the measurement result of the temperature change of TCF in case of 2 = 0.759.

【図３３】ｋｈ３＝０．０６６，ｋｈ１＝１．０，ｋｈ
２＝０．７８９の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。FIG. 33: kh3 = 0.066, kh1 = 1.0, kh
It is a graph which shows the measurement result of the temperature change of TCF in case of 2 = 0.789.

【図３４】ｋｈ３＝０．１３２，ｋｈ１＝１．０，ｋｈ
２＝０．８７７の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。FIG. 34: kh3 = 0.132, kh1 = 1.0, kh
It is a graph which shows the measurement result of the temperature change of TCF in case of 2 = 0.877.

【図３５】ｋｈ３＝０．０６６，ｋｈ１＝１．０，ｋｈ
２＝０．７１０の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。FIG. 35: kh3 = 0.066, kh1 = 1.0, kh
It is a graph which shows the measurement result of the temperature change of TCF in case of 2 = 0.710.

【図３６】ｋｈ３＝０．０６６，ｋｈ１＝１．０，ｋｈ
２＝０．７５０の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。FIG. 36: kh3 = 0.066, kh1 = 1.0, kh
It is a graph which shows the measurement result of the temperature change of TCF in case of 2 = 0.750.

【図３７】ｋｈ３＝０．０６６，ｋｈ１＝１．０，ｋｈ
２＝０．８２８の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。FIG. 37: kh3 = 0.066, kh1 = 1.0, kh
It is a graph which shows the measurement result of the temperature change of TCF in case of 2 = 0.828.

【図３８】ｋｈ３＝０．０６６，ｋｈ１＝１．０，ｋｈ
２＝０．８６８の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。FIG. 38: kh3 = 0.066, kh1 = 1.0, kh
It is a graph which shows the measurement result of the temperature change of TCF in case of 2 = 0.868.

【図３９】（ａ）は実施例９の電極部分の平面図であ
り、（ｂ）はフィンガ部分の拡大図である。FIG. 39 (a) is a plan view of an electrode part according to a ninth embodiment, and FIG. 39 (b) is an enlarged view of a finger part.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１
０ｇ…表面弾性波素子、１２…ダイヤモンド層、１４…
ＺｎＯ層、１６…ＳｉＯ₂ 層、２０…櫛型電極、２２…
短絡用電極、５０…表面弾性波素子、５２…櫛型電極、
５４…電極、５６…ワイヤ、５８…パッケージ、６０…
蓋、６２…電極用パッド、１００…入力櫛型電極、１０
２…バスバー、１０４…フィンガ、１１０…出力櫛型電
極、１１２…バスバー、１１４…フィンガ、１２０，１
３０…反射器。10a, 10b, 10c, 10d, 10e, 10f, 1
0 g: surface acoustic wave device, 12: diamond layer, 14:
ZnO layer, 16: SiO ₂ layer, 20: comb-shaped electrode, 22:
Short-circuit electrode, 50: surface acoustic wave element, 52: comb-shaped electrode,
54 ... electrode, 56 ... wire, 58 ... package, 60 ...
Lid, 62: electrode pad, 100: input comb-shaped electrode, 10
2 busbar, 104 finger, 110 output comb-shaped electrode, 112 busbar, 114 finger, 120, 1
30 ... Reflector.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者藤井知兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号住友電気工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者北林弘之兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号住友電気工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者鹿田真一兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号住友電気工業株式会社伊丹製作所内 ──────────────────────────────────────────────────続き Continuing on the front page (72) Inventor Satoshi Fujii 1-1-1, Koyo Kita, Itami-shi, Hyogo Prefecture Inside Itami Works, Sumitomo Electric Industries, Ltd. No. 1 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Itami Works (72) Inventor Shinichi Shikata 1-1-1, Koyo Kita, Itami-shi, Hyogo Sumitomo Electric Industries, Ltd. Itami Works

Claims

【特許請求の範囲】[Claims]

【請求項１】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０３３≦ｋｈ３≦０．０９９の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．５４，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．１６，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．９３）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．６９，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．３１，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝０．５０）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．４０）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．６３，ｋｈ２＝０．３３）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｌと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
素子。1. A diamond layer, (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer, and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the comb-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) is given by: Kh1 and kh2 in the range of 0.033 ≦ kh3 ≦ 0.099 and given by kh1 = 2π (t _Z / λ) and kh2 = 2π (t _S / λ) are kh1 on the horizontal axis and ordinate on the vertical axis. In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.87) and a point given by coordinates (kh1 = 0.54, kh2 = 0.87) B, a point C given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 0.87), a point D given by coordinates (kh1 = 0.81, kh2 = 0.97), and a coordinate (kh1 = 1 .16, kh2 = 1.20). A point F given by (kh1 = 1.52, kh2 = 0.93), a point G given by coordinates (kh1 = 1.69, kh2 = 0.77), and a coordinate (kh1 = 1.31, kh2) = 0.59), a point I given by coordinates (kh1 = 1.04, kh2 = 0.50), and a point I given by coordinates (kh1 = 0.68, kh2 = 0.40) A point J, a point K given by coordinates (kh1 = 0.63, kh2 = 0.33), a point L given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.63), and the point A Are provided inside a region ABCDEFGHIJKLA including 12 line segments, which are sequentially connected by line segments.

【請求項２】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２次
元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂと、
前記点Ｉと、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前記点Ｌと、前
記点Ａとを順に線分で結ぶ、６本の線分から成る領域Ａ
ＢＩＪＫＬＡの前記６本の線分の線上を含む内部に与え
られることを特徴とする、請求項１に記載の表面弾性波
素子。2. The kh1 and the kh2 are the points A, the points B, and
An area A composed of six line segments connecting the point I, the point J, the point K, the point L, and the point A in order with line segments.
2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the surface acoustic wave device is provided inside BIJKLA including the line of the six line segments. 3.

【請求項３】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．９８）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝０．９５）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４５，ｋｈ２＝０．９６）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．００）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝１．２５）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．６０，ｋｈ２＝０．８０）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．２２，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．８９，ｋｈ２＝０．５７）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．５２）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．４５）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。3. A diamond layer, (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer, and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the comb-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) is given by: in the range of 0.099 ≦ kh3 ≦ 0.165, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π kh1 and kh2 given by (t _S / λ) is the horizontal axis kh1, vertical axis In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.98) and a point given by coordinates (kh1 = 0.40, kh2 = 0.95) B, a point C given by coordinates (kh1 = 0.45, kh2 = 0.96), a point D given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 1.00), and a coordinate (kh1 = 1 .04, kh2 = 1.25) and the point A point F given by (kh1 = 1.53, kh2 = 0.89), a point G given by coordinates (kh1 = 1.60, kh2 = 0.80), and a coordinate (kh1 = 1.22, kh2 = 0.63), a point I given by coordinates (kh1 = 1.00, kh2 = 0.59), and a point I given by coordinates (kh1 = 0.89, kh2 = 0.57) A point J, a point K given by coordinates (kh1 = 0.53, kh2 = 0.52), a point L given by coordinates (kh1 = 0.53, kh2 = 0.45), and a coordinate (kh1 = 0.30, kh2 = 0.65) and the point A, which is connected to the point A in order by a line segment, is provided inside the area ABCDEFGHIJKLMA including the line of the 13 line segments. A surface acoustic wave device.

【請求項４】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２次
元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂと、
前記点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６２，ｋｈ２＝０．７
７）で与えられる点Ｎと、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前
記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、
８本の線分から成る領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡの前記８本
の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る、請求項３に記載の表面弾性波素子。4. The kh1 and the kh2 are the point A, the point B,
The point C and coordinates (kh1 = 0.62, kh2 = 0.7)
7) the point N, the point J, the point K, the point L, the point M, and the point A, which are sequentially connected by line segments,
4. The surface acoustic wave device according to claim 3, wherein the surface acoustic wave device is provided inside a region ABCNJKLMA including eight line segments, including an area on the line of the eight line segments. 5.

【請求項５】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３６，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．９０，ｋｈ２＝１．３７）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．８５）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．３４，ｋｈ２＝０．７９）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝０．７２）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝０．８５，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．４２，ｋｈ２＝０．５５）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。5. A diamond layer, (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer, and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the comb-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) with respect to the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave is: in the range of 0.165 ≦ kh3 ≦ 0.231, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π kh1 and kh2 given by (t _S / λ) is the horizontal axis kh1, vertical axis In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.07) and a point given by coordinates (kh1 = 0.36, kh2 = 1.07) B, a point C given by coordinates (kh1 = 0.43, kh2 = 1.07), a point D given by coordinates (kh1 = 0.90, kh2 = 1.37), and a coordinate (kh1 = 1 .05, kh2 = 1.20) and the point A point F given by (kh1 = 1.52, kh2 = 0.85), a point G given by coordinates (kh1 = 1.34, kh2 = 0.79), and a coordinate (kh1 = 1.05, kh2 = 0.72), a point I given by coordinates (kh1 = 0.85, kh2 = 0.68), and a point I given by coordinates (kh1 = 0.71, kh2 = 0.68) A point J, a point K given by coordinates (kh1 = 0.38, kh2 = 0.68), a point L given by coordinates (kh1 = 0.42, kh2 = 0.55), and a coordinate (kh1 = 0.30, kh2 = 0.65) and the point A, which is connected to the point A in order by a line segment, is provided inside the region ABCDEFGHIJKLMA including the line of the 13 line segments. A surface acoustic wave device.

【請求項６】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２次
元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂと、
座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝０．９５）で与えら
れる点Ｎと、座標（ｋｈ１＝０．６１，ｋｈ２＝０．７
５）で与えられる点Ｏと、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前
記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、
８本の線分から成る領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの前記８本
の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る、請求項５に記載の表面弾性波素子。6. The kh1 and the kh2 are the same as the points A, B, and B in the two-dimensional orthogonal coordinate graph.
A point N given by coordinates (kh1 = 0.43, kh2 = 0.95) and coordinates (kh1 = 0.61, kh2 = 0.7)
5) connect the point O, the point J, the point K, the point L, the point M, and the point A, which are given in 5), in order in a line segment;
6. The surface acoustic wave device according to claim 5, wherein the surface acoustic wave element is provided inside a region ABNOJKLMA including eight line segments, including a portion on the line of the eight line segments.

【請求項７】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．１５）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４６，ｋｈ２＝１．３２）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．５２）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝０．７３，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝１．４４）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．４０，ｋｈ２＝０．９１）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．１４，ｋｈ２＝０．８３）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．８３，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３５，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｍと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｎと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１４本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの前記１４本の線分
の線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾
性波素子。7. A diamond layer, (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer, and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the Z-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) is given by: in the range of 0.231 ≦ kh3 ≦ 0.297, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π kh1 and kh2 given by (t _S / λ) is the horizontal axis kh1, vertical axis In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point, a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.15) and a point given by coordinates (kh1 = 0.38, kh2 = 1.20) B, a point C given by coordinates (kh1 = 0.46, kh2 = 1.32), a point D given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 1.52), and a coordinate (kh1 = 0 .73, kh2 = 1.60) and the point A point F given by (kh1 = 0.81, kh2 = 1.44), a point G given by coordinates (kh1 = 1.00, kh2 = 1.20), and a coordinate (kh1 = 1.40, kh2) = 0.91), a point I given by coordinates (kh1 = 1.14, kh2 = 0.83), and a point I given by coordinates (kh1 = 0.83, kh2 = 0.76) A point J, a point K given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 0.73), a point L given by coordinates (kh1 = 0.35, kh2 = 0.73), and a coordinate (kh1 = A point M given by 0.38, kh2 = 0.63), a point N given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.65), and the point A are sequentially connected by line segments. Lines of the 14 line segments in the area ABCDEFGHIJKLMNA composed of the line segments Surface acoustic wave device, characterized in that provided in the interior including.

【請求項８】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２次
元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、座標（ｋｈ１
＝０．３６，ｋｈ２＝１．００）で与えられる点Ｏと、
座標（ｋｈ１＝０．４８，ｋｈ２＝０．８３）で与えら
れる点Ｐと、前記点Ｋと、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前
記点Ｎと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、７本の線分か
ら成る領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの前記７本の線分の線上を
含む内部に与えられることを特徴とする、請求項７に記
載の表面弾性波素子。8. The kh1 and the kh2 are the point A and the coordinates (kh1) in the two-dimensional orthogonal coordinate graph.
= 0.36, kh2 = 1.00),
A point P given by coordinates (kh1 = 0.48, kh2 = 0.83), the point K, the point L, the point M, the point N, and the point A are sequentially segmented by line segments. The surface acoustic wave device according to claim 7, wherein the surface acoustic wave element is provided inside a region AOPKLMNA that is connected and includes seven line segments and includes a line on the seven line segments.

【請求項９】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２９７≦ｋｈ３≦０．３６３の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．２９）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３３，ｋｈ２＝１．３６）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝０．８２，ｋｈ２＝１．４１）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２２）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．２７，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．０３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．７８）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．５２，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０９）で与えら
れる点Ｌと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
素子。9. (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the comb-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) with respect to the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave is: in the range of 0.297 ≦ kh3 ≦ 0.363, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π kh1 and kh2 given by (t _S / λ) is the horizontal axis kh1, vertical axis In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.29) and a point given by coordinates (kh1 = 0.33, kh2 = 1.36) B, a point C given by coordinates (kh1 = 0.40, kh2 = 1.60), a point D given by coordinates (kh1 = 0.71, kh2 = 1.60), and a coordinate (kh1 = 0) .82, kh2 = 1.41). A point F given by (kh1 = 1.000, kh2 = 1.22), a point G given by coordinates (kh1 = 1.27, kh2 = 0.97), and a coordinate (kh1 = 1.03, kh2 = 0.89), a point I given by coordinates (kh1 = 0.68, kh2 = 0.78), and a point I given by coordinates (kh1 = 0.52, kh2 = 0.77) A point J, a point K given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.76), a point L given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.09), and the point A Are provided inside a region ABCDEFGHIJKLA including 12 line segments, which are sequentially connected by line segments.

【請求項１０】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ｌと、座標（ｋｈ
１＝０．３７，ｋｈ２＝０．９４）で与えられる点Ｍ
と、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前記点Ｌとを順に線分で
結ぶ、４本の線分から成る領域ＬＭＪＫＬの前記４本の
線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とする、
請求項９に記載の表面弾性波素子。10. The kh1 and the kh2 are equal to the 2
In the two-dimensional orthogonal coordinate graph, the point L and the coordinates (kh
1 = 0.37, kh2 = 0.94)
And the point J, the point K, and the point L are sequentially provided by line segments, and are provided inside a region LMJKL including four line segments in a region LMJKL composed of four line segments. Do
A surface acoustic wave device according to claim 9.

【請求項１１】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される短絡用電
極と、（ｉｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、（ｉｖ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾性
波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０３３≦ｋｈ３≦０．０９９の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．５４，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．１６，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．９３）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．６９，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．３１，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝０．５０）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．４０）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．６３，ｋｈ２＝０．３３）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｌと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
素子。11. A diamond layer, (ii) a short-circuit electrode disposed on the diamond layer, and (iii) a diamond layer having a thickness t _Z and covering the short-circuit electrode. (Iv) a comb-shaped electrode for exciting and receiving surface acoustic waves having a thickness t _A and disposed on the ZnO layer; and (v) a thickness. Having a thickness t _S and covering the comb-shaped electrode with the Zn
And a SiO ₂ layer disposed on the O layer, wherein kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) with respect to the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave is: Kh1 and kh2 in the range of 0.033 ≦ kh3 ≦ 0.099 and given by kh1 = 2π (t _Z / λ) and kh2 = 2π (t _S / λ) are kh1 on the horizontal axis, and the vertical axis In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.87) and a point given by coordinates (kh1 = 0.54, kh2 = 0.87) B, a point C given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 0.87), a point D given by coordinates (kh1 = 0.81, kh2 = 0.97), and a coordinate (kh1 = 1 .16, kh2 = 1.20) and coordinates a point F given by kh1 = 1.52, kh2 = 0.93, a point G given by coordinates (kh1 = 1.69, kh2 = 0.77), and a coordinate (kh1 = 1.31, kh2 = 0.59), a point I given by coordinates (kh1 = 1.04, kh2 = 0.50), and a point given by coordinates (kh1 = 0.68, kh2 = 0.40) J, a point K given by coordinates (kh1 = 0.63, kh2 = 0.33), a point L given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.63), and the point A A surface acoustic wave device provided inside a region ABCDEFGHIJKLA including 12 line segments, which is sequentially connected by line segments, including the line of the 12 line segments.

【請求項１２】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
と、前記点Ｉと、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前記点Ｌ
と、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、６本の線分から成る
領域ＡＢＩＪＫＬＡの前記６本の線分の線上を含む内部
に与えられることを特徴とする、請求項１１に記載の表
面弾性波素子。12. The kh1 and the kh2 are equal to the 2
In the two-dimensional rectangular coordinate graph, the point A and the point B
, The point I, the point J, the point K, and the point L
The surface elasticity according to claim 11, wherein the surface elasticity is provided inside a region ABIJKLA including six line segments, which sequentially connects the point A and the point A by line segments. Wave element.

【請求項１３】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される短絡用電
極と、（ｉｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、（ｉｖ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾性
波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．９８）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝０．９５）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４５，ｋｈ２＝０．９６）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．００）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝１．２５）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．６０，ｋｈ２＝０．８０）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．２２，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．８９，ｋｈ２＝０．５７）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．５２）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．４５）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。13. (i) a diamond layer; (ii) a short-circuit electrode disposed on the diamond layer; and (iii) a diamond layer having a thickness t _Z and covering the short-circuit electrode. (Iv) a comb-shaped electrode for exciting and receiving surface acoustic waves having a thickness t _A and disposed on the ZnO layer; and (v) a thickness. Having a thickness t _S and covering the comb-shaped electrode with the Zn
And a SiO ₂ layer disposed on the O layer, wherein kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) with respect to the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave is: in the range of 0.099 ≦ kh3 ≦ 0.165, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π kh1 and kh2 given by (t _S / λ) is the horizontal axis kh1, vertical axis In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.98) and a point given by coordinates (kh1 = 0.40, kh2 = 0.95) B, a point C given by coordinates (kh1 = 0.45, kh2 = 0.96), a point D given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 1.00), and a coordinate (kh1 = 1 .04, kh2 = 1.25) and coordinates a point F given by kh1 = 1.53, kh2 = 0.89); a point G given by coordinates (kh1 = 1.60, kh2 = 0.80); and coordinates (kh1 = 1.22, kh2 = 0.63), a point I given by coordinates (kh1 = 1.00, kh2 = 0.59), and a point given by coordinates (kh1 = 0.89, kh2 = 0.57) J, a point K given by coordinates (kh1 = 0.53, kh2 = 0.52), a point L given by coordinates (kh1 = 0.53, kh2 = 0.45), and a coordinate (kh1 = 0 .30, kh2 = 0.65), and is provided inside the area ABCDEFGHIJKLMA including the 13 line segments, which is a line segment connecting the point A and the point A in order. A surface acoustic wave device characterized by the above-mentioned.

【請求項１４】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
と、前記点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６２，ｋｈ２＝
０．７７）で与えられる点Ｎと、前記点Ｊと、前記点Ｋ
と、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で
結ぶ、８本の線分から成る領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡの前
記８本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする、請求項１３に記載の表面弾性波素子。14. The kh1 and the kh2 may be the 2
In the two-dimensional rectangular coordinate graph, the point A and the point B
And the point C and coordinates (kh1 = 0.62, kh2 =
0.77), the point J, and the point K
And the point L, the point M, and the point A are sequentially provided by a line segment, and are provided inside a region ABCNJKLMA including eight line segments, including the line of the eight line segments. The surface acoustic wave device according to claim 13, wherein

【請求項１５】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される短絡用電
極と、（ｉｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、（ｉｖ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾性
波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３６，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．９０，ｋｈ２＝１．３７）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．８５）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．３４，ｋｈ２＝０．７９）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝０．７２）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝０．８５，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．４２，ｋｈ２＝０．５５）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。15. (i) a diamond layer; (ii) a short-circuit electrode disposed on the diamond layer; and (iii) a diamond layer having a thickness t _Z and covering the short-circuit electrode. (Iv) a comb-shaped electrode for exciting and receiving surface acoustic waves having a thickness t _A and disposed on the ZnO layer; and (v) a thickness. Having a thickness t _S and covering the comb-shaped electrode with the Zn
And a SiO ₂ layer disposed on the O layer, wherein kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) with respect to the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave is: in the range of 0.165 ≦ kh3 ≦ 0.231, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π kh1 and kh2 given by (t _S / λ) is the horizontal axis kh1, vertical axis In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point, a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.07) and a point given by coordinates (kh1 = 0.36, kh2 = 1.07) B, a point C given by coordinates (kh1 = 0.43, kh2 = 1.07), a point D given by coordinates (kh1 = 0.90, kh2 = 1.37), and a coordinate (kh1 = 1 .05, kh2 = 1.20) and coordinates a point F given by kh1 = 1.52, kh2 = 0.85), a point G given by coordinates (kh1 = 1.34, kh2 = 0.79), and a coordinate (kh1 = 1.05, kh2 = 0.72), a point I given by coordinates (kh1 = 0.85, kh2 = 0.68), and a point given by coordinates (kh1 = 0.71, kh2 = 0.68) J, a point K given by coordinates (kh1 = 0.38, kh2 = 0.68), a point L given by coordinates (kh1 = 0.42, kh2 = 0.55), and a coordinate (kh1 = 0 .30, kh2 = 0.65), and is provided inside the area ABCDEFGHIJKLMA including the 13 line segments, which is a line segment connecting the point A and the point A in order. A surface acoustic wave device characterized by the above-mentioned.

【請求項１６】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
と、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝０．９５）で与
えられる点Ｎと、座標（ｋｈ１＝０．６１，ｋｈ２＝
０．７５）で与えられる点Ｏと、前記点Ｊと、前記点Ｋ
と、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で
結ぶ、８本の線分から成る領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの前
記８本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする、請求項１５に記載の表面弾性波素子。16. The kh1 and the kh2 may be the 2
In the two-dimensional rectangular coordinate graph, the point A and the point B
And a point N given by coordinates (kh1 = 0.43, kh2 = 0.95) and coordinates (kh1 = 0.61, kh2 =
0.75), the point J, and the point K
And the point L, the point M, and the point A are sequentially provided by a line segment, and are provided inside a region ABNOJKLMA including eight line segments, which is on the line of the eight line segments. The surface acoustic wave device according to claim 15, wherein

【請求項１７】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される短絡用電
極と、（ｉｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、（ｉｖ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾性
波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．１５）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４６，ｋｈ２＝１．３２）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．５２）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝０．７３，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝１．４４）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．４０，ｋｈ２＝０．９１）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．１４，ｋｈ２＝０．８３）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．８３，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３５，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｍと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｎと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１４本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの前記１４本の線分
の線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾
性波素子。17. A diamond layer, (ii) a short-circuit electrode disposed on the diamond layer, and (iii) a diamond layer having a thickness t _Z and covering the short-circuit electrode. (Iv) a comb-shaped electrode for exciting and receiving surface acoustic waves having a thickness t _A and disposed on the ZnO layer; and (v) a thickness. Having a thickness t _S and covering the comb-shaped electrode with the Zn
And a SiO ₂ layer disposed on the O layer, wherein kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) with respect to the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave is: in the range of 0.231 ≦ kh3 ≦ 0.297, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π kh1 and kh2 given by (t _S / λ) is the horizontal axis kh1, vertical axis In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point, a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.15) and a point given by coordinates (kh1 = 0.38, kh2 = 1.20) B, a point C given by coordinates (kh1 = 0.46, kh2 = 1.32), a point D given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 1.52), and a coordinate (kh1 = 0 .73, kh2 = 1.60) and coordinates a point F given by kh1 = 0.81, kh2 = 1.44), a point G given by coordinates (kh1 = 1.000, kh2 = 1.20), and a coordinate (kh1 = 1.40, kh2 = 0.91), a point I given by coordinates (kh1 = 1.14, kh2 = 0.83), and a point given by coordinates (kh1 = 0.83, kh2 = 0.76) J, a point K given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 0.73), a point L given by coordinates (kh1 = 0.35, kh2 = 0.73), and a coordinate (kh1 = 0 .38, kh2 = 0.63), a point N given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.65), and the point A are connected in order by a line segment. Area ABCDEFGHIJKLMNA on the 14 line segments Surface acoustic wave device, characterized in that provided inside the containing.

【請求項１８】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、座標（ｋｈ
１＝０．３６，ｋｈ２＝１．００）で与えられる点Ｏ
と、座標（ｋｈ１＝０．４８，ｋｈ２＝０．８３）で与
えられる点Ｐと、前記点Ｋと、前記点Ｌと、前記点Ｍ
と、前記点Ｎと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、７本の
線分から成る領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの前記７本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする、請求項
１７に記載の表面弾性波素子。18. The kh1 and the kh2 may be the 2
In the three-dimensional orthogonal coordinate graph, the point A and the coordinates (kh
1 = 0.36, kh2 = 1.00)
, A point P given by coordinates (kh1 = 0.48, kh2 = 0.83), the point K, the point L, and the point M
18. An area AOPKLMNA consisting of seven line segments, which sequentially connects the point N and the point A by line segments, is provided inside the region including the lines of the seven line segments. 3. The surface acoustic wave device according to 1.

【請求項１９】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される短絡用電
極と、（ｉｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、（ｉｖ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾性
波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２９７≦ｋｈ３≦０．３６３の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．２９）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３３，ｋｈ２＝１．３６）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝０．８２，ｋｈ２＝１．４１）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２２）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．２７，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．０３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．７８）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．５２，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０９）で与えら
れる点Ｌと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
素子。19. (i) a diamond layer; (ii) a short-circuit electrode disposed on the diamond layer; and (iii) a diamond layer having a thickness t _Z and covering the short-circuit electrode. (Iv) a comb-shaped electrode for exciting and receiving surface acoustic waves having a thickness t _A and disposed on the ZnO layer; and (v) a thickness. Having a thickness t _S and covering the comb-shaped electrode with the Zn
And a SiO ₂ layer disposed on the O layer, wherein kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) with respect to the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave is: in the range of 0.297 ≦ kh3 ≦ 0.363, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π kh1 and kh2 given by (t _S / λ) is the horizontal axis kh1, vertical axis In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.29) and a point given by coordinates (kh1 = 0.33, kh2 = 1.36) B, a point C given by coordinates (kh1 = 0.40, kh2 = 1.60), a point D given by coordinates (kh1 = 0.71, kh2 = 1.60), and a coordinate (kh1 = 0) .82, kh2 = 1.41) and coordinates a point F given by kh1 = 1.000, kh2 = 1.22); a point G given by coordinates (kh1 = 1.27, kh2 = 0.97); and coordinates (kh1 = 1.03, kh2 = 0.89), a point I given by coordinates (kh1 = 0.68, kh2 = 0.78), and a point given by coordinates (kh1 = 0.52, kh2 = 0.77) J, a point K given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.76), a point L given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.09), and the point A A surface acoustic wave device provided inside a region ABCDEFGHIJKLA including 12 line segments, which is sequentially connected by line segments, including the line of the 12 line segments.

【請求項２０】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ｌと、座標（ｋｈ
１＝０．３７，ｋｈ２＝０．９４）で与えられる点Ｍ
と、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前記点Ｌとを順に線分で
結ぶ、４本の線分から成る領域ＬＭＪＫＬの前記４本の
線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とする、
請求項１９に記載の表面弾性波素子。20. The kh1 and the kh2 are equal to the 2
In the two-dimensional orthogonal coordinate graph, the point L and the coordinates (kh
1 = 0.37, kh2 = 0.94)
And the point J, the point K, and the point L are sequentially provided by line segments, and are provided inside a region LMJKL including four line segments in a region LMJKL composed of four line segments. Do
The surface acoustic wave device according to claim 19.

【請求項２１】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、（ｖ）前記ＳｉＯ₂ 層の上に配置される短絡用電極とを
備える表面弾性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０３３≦ｋｈ３≦０．０９９の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．５４，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．１６，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．９３）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．６９，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．３１，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝０．５０）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．４０）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．６３，ｋｈ２＝０．３３）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｌと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
素子。21. (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the comb-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
A surface acoustic wave device comprising: a SiO ₂ layer disposed on an nO layer; and (v) a short-circuit electrode disposed on the SiO ₂ layer, wherein a wavelength λ of a surface acoustic wave in a second mode is provided. Kh3 = 2π (t _A / λ), kh3 is in the range of 0.033 ≦ kh3 ≦ 0.099, and kh1 = 2π (t _Z / λ), kh2 = 2π (t _S / λ) In the two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh1 and kh2 given by λ) are given by kh1 on the horizontal axis and kh2 on the vertical axis, a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.87); A point B given by (kh1 = 0.54, kh2 = 0.87), a point C given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 0.87), and a coordinate (kh1 = 0.81, kh2 = 0.97) and the coordinates (kh1 = 1 16, a point E given by kh2 = 1.20), a point F given by coordinates (kh1 = 1.52, kh2 = 0.93), and a coordinate (kh1 = 1.69, kh2 = 0.77) , A point H given by coordinates (kh1 = 1.31, kh2 = 0.59), a point I given by coordinates (kh1 = 1.04, kh2 = 0.50), and coordinates A point J given by (kh1 = 0.68, kh2 = 0.40), a point K given by coordinates (kh1 = 0.63, kh2 = 0.33), and a coordinate (kh1 = 0.30, kh2) = 0.63) and the point A is sequentially provided by a line segment, and is provided inside a region ABCDEFGHIJKLA including 12 line segments, which is on the line of the 12 line segments. Surface acoustic wave device.

【請求項２２】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
と、前記点Ｉと、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前記点Ｌ
と、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、６本の線分から成る
領域ＡＢＩＪＫＬＡの前記６本の線分の線上を含む内部
に与えられることを特徴とする、請求項２１に記載の表
面弾性波素子。22. The kh1 and the kh2 are equal to the 2
In the two-dimensional rectangular coordinate graph, the point A and the point B
, The point I, the point J, the point K, and the point L
22. The surface elasticity according to claim 21, wherein the surface elasticity is provided inside a region ABIJKLA including six line segments, which sequentially connects the point A and the point A by line segments. Wave element.

【請求項２３】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、（ｖ）前記ＳｉＯ₂ 層の上に配置される短絡用電極とを
備える表面弾性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．９８）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝０．９５）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４５，ｋｈ２＝０．９６）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．００）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝１．２５）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．６０，ｋｈ２＝０．８０）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．２２，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．８９，ｋｈ２＝０．５７）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．５２）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．４５）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。23. (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on said diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the comb-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
A surface acoustic wave device comprising: a SiO ₂ layer disposed on an nO layer; and (v) a short-circuit electrode disposed on the SiO ₂ layer, wherein a wavelength λ of a surface acoustic wave in a second mode is provided. Kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) is in the range of 0.099 ≦ kh3 ≦ 0.165, and kh1 = 2π (t _Z / λ), kh2 = 2π (t _S / λ) In the two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh1 and kh2 given by λ) are given by kh1 on the horizontal axis and kh2 on the vertical axis, a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.98); A point B given by (kh1 = 0.40, kh2 = 0.95), a point C given by coordinates (kh1 = 0.45, kh2 = 0.96), and a coordinate (kh1 = 0.60, kh2) = 1.00) and the coordinates (kh1 = 1 04, kh2 = 1.25), a point F given by coordinates (kh1 = 1.53, kh2 = 0.89), and a coordinate (kh1 = 1.60, kh2 = 0.80) , A point H given by coordinates (kh1 = 1.22, kh2 = 0.63), a point I given by coordinates (kh1 = 1.00, kh2 = 0.59), and coordinates A point J given by (kh1 = 0.89, kh2 = 0.57), a point K given by coordinates (kh1 = 0.53, kh2 = 0.52), and a coordinate (kh1 = 0.53, kh2 = 0.45), a point M given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.65), and the point A. The point A is composed of thirteen line segments. The area ABCDEFGHIJKLMA is provided inside the area including the 13 line segments. A surface acoustic wave device.

【請求項２４】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
と、前記点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６２，ｋｈ２＝
０．７７）で与えられる点Ｎと、前記点Ｊと、前記点Ｋ
と、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で
結ぶ、８本の線分から成る領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡの前
記８本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする、請求項２３に記載の表面弾性波素子。24. The kh1 and the kh2 are equal to the 2
In the two-dimensional rectangular coordinate graph, the point A and the point B
And the point C and coordinates (kh1 = 0.62, kh2 =
0.77), the point J, and the point K
And the point L, the point M, and the point A are sequentially provided by a line segment, and are provided inside a region ABCNJKLMA including eight line segments, including the line of the eight line segments. The surface acoustic wave device according to claim 23, wherein:

【請求項２５】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、（ｖ）前記ＳｉＯ₂ 層の上に配置される短絡用電極とを
備える表面弾性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３６，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．９０，ｋｈ２＝１．３７）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．８５）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．３４，ｋｈ２＝０．７９）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝０．７２）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝０．８５，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．４２，ｋｈ２＝０．５５）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。25. (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on said diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the comb-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
A surface acoustic wave device comprising: a SiO ₂ layer disposed on an nO layer; and (v) a short-circuit electrode disposed on the SiO ₂ layer, wherein a wavelength λ of a surface acoustic wave in a second mode is provided. , Kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) is in the range of 0.165 ≦ kh3 ≦ 0.231, and kh1 = 2π (t _Z / λ), kh2 = 2π (t _S / λ) In the two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh1 and kh2 given by λ) are given by kh1 on the horizontal axis and kh2 on the vertical axis, a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.07); A point B given by (kh1 = 0.36, kh2 = 1.07), a point C given by coordinates (kh1 = 0.43, kh2 = 1.07), and a coordinate (kh1 = 0.90, kh2 = 1.37) and coordinates (kh1 = 1 05, kh2 = 1.20), a point F given by coordinates (kh1 = 1.52, kh2 = 0.85), and a coordinate (kh1 = 1.34, kh2 = 0.79) , A point H given by coordinates (kh1 = 1.05, kh2 = 0.72), a point I given by coordinates (kh1 = 0.85, kh2 = 0.68), and coordinates A point J given by (kh1 = 0.71, kh2 = 0.68), a point K given by coordinates (kh1 = 0.38, kh2 = 0.68), and a coordinate (kh1 = 0.42, kh2 = 0.55), a point M given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.65), and the point A, which are sequentially connected by a line segment. The area ABCDEFGHIJKLMA is provided inside the area including the 13 line segments. A surface acoustic wave device.

【請求項２６】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
と、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝０．９５）で与
えられる点Ｎと、座標（ｋｈ１＝０．６１，ｋｈ２＝
０．７５）で与えられる点Ｏと、前記点Ｊと、前記点Ｋ
と、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で
結ぶ、８本の線分から成る領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの前
記８本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする、請求項２５に記載の表面弾性波素子。26. The kh1 and the kh2 are equal to the 2
In the two-dimensional rectangular coordinate graph, the point A and the point B
And a point N given by coordinates (kh1 = 0.43, kh2 = 0.95) and coordinates (kh1 = 0.61, kh2 =
0.75), the point J, and the point K
And the point L, the point M, and the point A are sequentially provided by a line segment, and are provided inside a region ABNOJKLMA including eight line segments, which is on the line of the eight line segments. 26. The surface acoustic wave device according to claim 25, wherein:

【請求項２７】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、（ｖ）前記ＳｉＯ₂ 層の上に配置される短絡用電極とを
備える表面弾性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．１５）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４６，ｋｈ２＝１．３２）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．５２）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝０．７３，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝１．４４）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．４０，ｋｈ２＝０．９１）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．１４，ｋｈ２＝０．８３）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．８３，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３５，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｍと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｎと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１４本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの前記１４本の線分
の線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾
性波素子。27. (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on said diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the comb-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
A surface acoustic wave device comprising: a SiO ₂ layer disposed on an nO layer; and (v) a short-circuit electrode disposed on the SiO ₂ layer, wherein a wavelength λ of a surface acoustic wave in a second mode is provided. for, KH3 given by _{kh3 = 2π (t a / λ} ) is in the range of 0.231 ≦ kh3 ≦ 0.297, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π (t S / In the two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh1 and kh2 given by λ) are given by kh1 on the horizontal axis and kh2 on the vertical axis, a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.15); A point B given by (kh1 = 0.38, kh2 = 1.20), a point C given by coordinates (kh1 = 0.46, kh2 = 1.32), and a coordinate (kh1 = 0.60, kh2) = 1.52) and coordinates (kh1 = 0) 73, a point E given by kh2 = 1.60), a point F given by coordinates (kh1 = 0.81, kh2 = 1.44), and a coordinate (kh1 = 1.00, kh2 = 1.20) , A point H given by coordinates (kh1 = 1.40, kh2 = 0.91), a point I given by coordinates (kh1 = 1.14, kh2 = 0.83), and coordinates A point J given by (kh1 = 0.83, kh2 = 0.76), a point K given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 0.73), and a coordinate (kh1 = 0.35, kh2 = 0.73), a point M given by coordinates (kh1 = 0.38, kh2 = 0.63), and a point M given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.65) An area AB consisting of 14 line segments connecting the point N and the point A in order with a line segment Surface acoustic wave device, characterized in that provided in the interior, including a line of the 14 line segments of DEFGHIJKLMNA.

【請求項２８】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、座標（ｋｈ
１＝０．３６，ｋｈ２＝１．００）で与えられる点Ｏ
と、座標（ｋｈ１＝０．４８，ｋｈ２＝０．８３）で与
えられる点Ｐと、前記点Ｋと、前記点Ｌと、前記点Ｍ
と、前記点Ｎと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、７本の
線分から成る領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの前記７本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする、請求項
２７に記載の表面弾性波素子。28. The method according to claim 28, wherein the kh1 and the kh2 are the 2
In the three-dimensional orthogonal coordinate graph, the point A and the coordinates (kh
1 = 0.36, kh2 = 1.00)
, A point P given by coordinates (kh1 = 0.48, kh2 = 0.83), the point K, the point L, and the point M
28. An area AOPKLMNA including seven line segments, which sequentially connects the point N and the point A by line segments, and is provided inside a region including the lines of the seven line segments. 3. The surface acoustic wave device according to 1.

【請求項２９】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、（ｖ）前記ＳｉＯ₂ 層の上に配置される短絡用電極とを
備える表面弾性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２９７≦ｋｈ３≦０．３６３の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．２９）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３３，ｋｈ２＝１．３６）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝０．８２，ｋｈ２＝１．４１）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２２）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．２７，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．０３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．７８）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．５２，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０９）で与えら
れる点Ｌと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
素子。29. (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on said diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the comb-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
A surface acoustic wave device comprising: a SiO ₂ layer disposed on an nO layer; and (v) a short-circuit electrode disposed on the SiO ₂ layer, wherein a wavelength λ of a surface acoustic wave in a second mode is provided. Kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) is in the range of 0.297 ≦ kh3 ≦ 0.363, and kh1 = 2π (t _Z / λ), kh2 = 2π (t _S / λ) In the two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh1 and kh2 given by λ) are given by kh1 on the horizontal axis and kh2 on the vertical axis, a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.29); A point B given by (kh1 = 0.33, kh2 = 1.36), a point C given by coordinates (kh1 = 0.40, kh2 = 1.60), and a coordinate (kh1 = 0.71, kh2 = 1.60) and coordinates (kh1 = 0) 82, kh2 = 1.41), a point F given by coordinates (kh1 = 1.00, kh2 = 1.22), and a coordinate (kh1 = 1.27, kh2 = 0.97) , A point H given by coordinates (kh1 = 1.03, kh2 = 0.89), a point I given by coordinates (kh1 = 0.68, kh2 = 0.78), and coordinates A point J given by (kh1 = 0.52, kh2 = 0.77), a point K given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.76), and a coordinate (kh1 = 0.30, kh2) = 1.09), and is provided inside a region ABCDEFGHIJKLA including 12 line segments, which sequentially connects the point L with the point A by line segments. Surface acoustic wave device.

【請求項３０】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ｌと、座標（ｋｈ
１＝０．３７，ｋｈ２＝０．９４）で与えられる点Ｍ
と、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前記点Ｌとを順に線分で
結ぶ、４本の線分から成る領域ＬＭＪＫＬの前記４本の
線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とする、
請求項２９に記載の表面弾性波素子。30. The kh1 and the kh2 are equal to the 2
In the two-dimensional orthogonal coordinate graph, the point L and the coordinates (kh
1 = 0.37, kh2 = 0.94)
And the point J, the point K, and the point L are sequentially provided by line segments, and are provided inside a region LMJKL including four line segments in a region LMJKL composed of four line segments. Do
A surface acoustic wave device according to claim 29.

【請求項３１】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される第１の短
絡用電極と、（ｉｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、（ｉｖ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、（ｖｉ）前記ＳｉＯ₂ 層の上に配置される第２の短絡用
電極とを備える表面弾性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０３３≦ｋｈ３≦０．０９９の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．５４，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．１６，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．９３）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．６９，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．３１，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝０．５０）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．４０）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．６３，ｋｈ２＝０．３３）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｌと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
素子。31. (i) a diamond layer; (ii) a first short-circuit electrode disposed on the diamond layer; and (iii) a thickness t _Z covering the short-circuit electrode. A ZnO layer disposed on the diamond layer; and (iv) a comb-shaped electrode having a thickness t _A and disposed on the ZnO layer for exciting and receiving surface acoustic waves. v) has a thickness t _S, the covering the comb-shaped electrode Zn
A surface acoustic wave device comprising: a SiO ₂ layer disposed on an O layer; and (vi) a second short-circuit electrode disposed on the SiO ₂ layer, wherein a second-order mode surface acoustic wave is provided. for the wavelength _{λ, kh3 = 2π (t a} / λ) kh3 given by is in the range of 0.033 ≦ kh3 ≦ 0.099, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π ( ts1 / kh2 given by t _s / λ) is a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.87) in a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh1 on the horizontal axis and kh2 on the vertical axis And a point B given by coordinates (kh1 = 0.54, kh2 = 0.87), a point C given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 0.87), and a coordinate (kh1 = 0. 81, kh2 = 0.97) and coordinates (kh = 1.16, kh2 = 1.20), a point F given by coordinates (kh1 = 1.52, kh2 = 0.93), and a coordinate (kh1 = 1.69, kh2 = 0) .77), a point H given by coordinates (kh1 = 1.31, kh2 = 0.59), and a point I given by coordinates (kh1 = 1.04, kh2 = 0.50) And a point J given by coordinates (kh1 = 0.68, kh2 = 0.40), a point K given by coordinates (kh1 = 0.63, kh2 = 0.33), and a coordinate (kh1 = 0.30). 30, kh2 = 0.63), which is connected to the point A in order by a line segment, and is provided inside the area ABCDEGHIJKLA including the 12 line segments, which is composed of 12 line segments. A surface acoustic wave device.

【請求項３２】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
と、前記点Ｉと、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前記点Ｌ
と、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、６本の線分から成る
領域ＡＢＩＪＫＬＡの前記６本の線分の線上を含む内部
に与えられることを特徴とする、請求項３１に記載の表
面弾性波素子。32. The kh1 and the kh2 are equal to the 2
In the two-dimensional rectangular coordinate graph, the point A and the point B
, The point I, the point J, the point K, and the point L
32. The surface elasticity according to claim 31, wherein the surface elasticity is provided inside a region ABIJKLA including six line segments, which sequentially connects the point A and the point A by line segments. Wave element.

【請求項３３】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される第１の短
絡用電極と、（ｉｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、（ｉｖ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、（ｖｉ）前記ＳｉＯ₂ 層の上に配置される第２の短絡用
電極とを備える表面弾性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．９８）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝０．９５）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４５，ｋｈ２＝０．９６）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．００）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝１．２５）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．６０，ｋｈ２＝０．８０）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．２２，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．８９，ｋｈ２＝０．５７）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．５２）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．４５）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。33. (i) a diamond layer; (ii) a first short-circuit electrode disposed on the diamond layer; and (iii) a thickness t _Z covering the short-circuit electrode. A ZnO layer disposed on the diamond layer; and (iv) a comb-shaped electrode having a thickness t _A and disposed on the ZnO layer for exciting and receiving surface acoustic waves. v) has a thickness t _S, the covering the comb-shaped electrode Zn
A surface acoustic wave device comprising: a SiO ₂ layer disposed on an O layer; and (vi) a second short-circuit electrode disposed on the SiO ₂ layer, wherein a second-order mode surface acoustic wave is provided. for the wavelength _{λ, kh3 = 2π (t a} / λ) kh3 given by is in the range of 0.099 ≦ kh3 ≦ 0.165, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π ( kh1 and kh2 given by t _s / λ) are represented by a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.98) in a two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh1 is given on the horizontal axis and kh2 is given on the vertical axis. A point B given by coordinates (kh1 = 0.40, kh2 = 0.95); a point C given by coordinates (kh1 = 0.45, kh2 = 0.96); and a coordinate (kh1 = 0.50). 60, kh2 = 1.00), a point D given by coordinates (kh = 1.04, kh2 = 1.25), a point F given by coordinates (kh1 = 1.53, kh2 = 0.89), and a coordinate (kh1 = 1.60, kh2 = 0) .80), a point H given by coordinates (kh1 = 1.22, kh2 = 0.63), and a point I given by coordinates (kh1 = 1.00, kh2 = 0.59) And a point J given by coordinates (kh1 = 0.89, kh2 = 0.57), a point K given by coordinates (kh1 = 0.53, kh2 = 0.52), and a coordinate (kh1 = 0. 53, a point L given by kh2 = 0.45), a point M given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.65), and the point A are sequentially connected by line segments. The area including the line of the 13 line segments of the area ABCDEFGHIJKLMA composed of the line segments A surface acoustic wave device characterized in that the surface acoustic wave device is provided with:

【請求項３４】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
と、前記点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６２，ｋｈ２＝
０．７７）で与えられる点Ｎと、前記点Ｊと、前記点Ｋ
と、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で
結ぶ、８本の線分から成る領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡの前
記８本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする、請求項３３に記載の表面弾性波素子。34. The kh1 and the kh2 are equal to the 2
In the two-dimensional rectangular coordinate graph, the point A and the point B
And the point C and coordinates (kh1 = 0.62, kh2 =
0.77), the point J, and the point K
And the point L, the point M, and the point A are sequentially provided by a line segment, and are provided inside a region ABCNJKLMA including eight line segments, including a line on the eight line segments. The surface acoustic wave device according to claim 33, wherein:

【請求項３５】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される第１の短
絡用電極と、（ｉｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、（ｉｖ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、（ｖｉ）前記ＳｉＯ₂ 層の上に配置される第２の短絡用
電極とを備える表面弾性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３６，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．９０，ｋｈ２＝１．３７）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．８５）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．３４，ｋｈ２＝０．７９）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝０．７２）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝０．８５，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．４２，ｋｈ２＝０．５５）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。35. (i) a diamond layer; (ii) a first short-circuit electrode disposed on the diamond layer; and (iii) a thickness t _z covering the short-circuit electrode. A ZnO layer disposed on the diamond layer; and (iv) a comb-shaped electrode having a thickness t _A and disposed on the ZnO layer for exciting and receiving surface acoustic waves. v) has a thickness t _S, the covering the comb-shaped electrode Zn
A surface acoustic wave device comprising: a SiO ₂ layer disposed on an O layer; and (vi) a second short-circuit electrode disposed on the SiO ₂ layer, wherein a second-order mode surface acoustic wave is provided. for the wavelength _{λ, kh3 = 2π (t a} / λ) kh3 given by is in the range of 0.165 ≦ kh3 ≦ 0.231, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π ( t _S / lambda) is kh1 and kh2 given by, kh1 the horizontal axis, the two-dimensional orthogonal coordinates graph the vertical axis gives the kh2, coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.07 ) at given points a And a point B given by coordinates (kh1 = 0.36, kh2 = 1.07), a point C given by coordinates (kh1 = 0.43, kh2 = 1.07), and a coordinate (kh1 = 0. 90, kh2 = 1.37) and coordinates (kh = 1.05, kh2 = 1.20), point F given by coordinates (kh1 = 1.52, kh2 = 0.85), and coordinates (kh1 = 1.34, kh2 = 0) .79), a point H given by coordinates (kh1 = 1.05, kh2 = 0.72), and a point I given by coordinates (kh1 = 0.85, kh2 = 0.68) And a point J given by coordinates (kh1 = 0.71, kh2 = 0.68), a point K given by coordinates (kh1 = 0.38, kh2 = 0.68), and a coordinate (kh1 = 0.68). 42, kh2 = 0.55), a point M given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.65), and the point A, which are sequentially connected by line segments. The area including the line of the 13 line segments of the area ABCDEFGHIJKLMA composed of line segments A surface acoustic wave device characterized in that the surface acoustic wave device is provided with:

【請求項３６】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
と、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝０．９５）で与
えられる点Ｎと、座標（ｋｈ１＝０．６１，ｋｈ２＝
０．７５）で与えられる点Ｏと、前記点Ｊと、前記点Ｋ
と、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で
結ぶ、８本の線分から成る領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの前
記８本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする、請求項３５に記載の表面弾性波素子。36. The kh1 and the kh2 are equal to the 2
In the two-dimensional rectangular coordinate graph, the point A and the point B
And a point N given by coordinates (kh1 = 0.43, kh2 = 0.95) and coordinates (kh1 = 0.61, kh2 =
0.75), the point J, and the point K
And the point L, the point M, and the point A are sequentially provided by a line segment, and are provided inside a region ABNOJKLMA including eight line segments, which is on the line of the eight line segments. 36. The surface acoustic wave device according to claim 35, wherein:

【請求項３７】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される第１の短
絡用電極と、（ｉｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、（ｉｖ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、（ｖｉ）前記ＳｉＯ₂ 層の上に配置される第２の短絡用
電極とを備える表面弾性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．１５）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４６，ｋｈ２＝１．３２）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．５２）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝０．７３，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝１．４４）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．４０，ｋｈ２＝０．９１）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．１４，ｋｈ２＝０．８３）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．８３，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３５，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｍと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｎと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１４本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの前記１４本の線分
の線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾
性波素子。37. (i) a diamond layer; (ii) a first short-circuit electrode disposed on the diamond layer; and (iii) a thickness t _Z covering the short-circuit electrode. A ZnO layer disposed on the diamond layer; and (iv) a comb-shaped electrode having a thickness t _A and disposed on the ZnO layer for exciting and receiving surface acoustic waves. v) has a thickness t _S, the covering the comb-shaped electrode Zn
A surface acoustic wave device comprising: a SiO ₂ layer disposed on an O layer; and (vi) a second short-circuit electrode disposed on the SiO ₂ layer, wherein a second-order mode surface acoustic wave is provided. for the wavelength _{λ, kh3 = 2π (t a} / λ) kh3 given by is in the range of 0.231 ≦ kh3 ≦ 0.297, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π ( kh1 and kh2 given by t _s / λ) are points A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.15) in a two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh1 is given on the horizontal axis and kh2 is given on the vertical axis. And a point B given by coordinates (kh1 = 0.38, kh2 = 1.20), a point C given by coordinates (kh1 = 0.46, kh2 = 1.32), and a coordinate (kh1 = 0. 60, kh2 = 1.52) and coordinates (kh = 0.73, kh2 = 1.60), a point F given by coordinates (kh1 = 0.81, kh2 = 1.44), and a coordinate (kh1 = 1.00, kh2 = 1) .20), a point H given by coordinates (kh1 = 1.40, kh2 = 0.91), and a point I given by coordinates (kh1 = 1.14, kh2 = 0.83) And a point J given by coordinates (kh1 = 0.83, kh2 = 0.76), a point K given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 0.73), and a coordinate (kh1 = 0. 35, a point L given by kh2 = 0.73), a point M given by coordinates (kh1 = 0.38, kh2 = 0.63), and a coordinate (kh1 = 0.30, kh2 = 0.65) A region consisting of 14 line segments connecting the point N given by Surface acoustic wave device, characterized in that provided in the interior, including a line of the 14 line segments of ABCDEFGHIJKLMNA.

【請求項３８】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、座標（ｋｈ
１＝０．３６，ｋｈ２＝１．００）で与えられる点Ｏ
と、座標（ｋｈ１＝０．４８，ｋｈ２＝０．８３）で与
えられる点Ｐと、前記点Ｋと、前記点Ｌと、前記点Ｍ
と、前記点Ｎと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、７本の
線分から成る領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの前記７本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする、請求項
３７に記載の表面弾性波素子。38. The kh1 and the kh2 are equal to the 2
In the three-dimensional orthogonal coordinate graph, the point A and the coordinates (kh
1 = 0.36, kh2 = 1.00)
, A point P given by coordinates (kh1 = 0.48, kh2 = 0.83), the point K, the point L, and the point M
38. An area AOPKLMNA consisting of seven line segments, which sequentially connects the point N and the point A by line segments, and is provided inside the region including the lines of the seven line segments. 3. The surface acoustic wave device according to 1.

【請求項３９】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される第１の短
絡用電極と、（ｉｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、（ｉｖ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、（ｖｉ）前記ＳｉＯ₂ 層の上に配置される第２の短絡用
電極とを備える表面弾性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２９７≦ｋｈ３≦０．３６３の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．２９）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３３，ｋｈ２＝１．３６）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝０．８２，ｋｈ２＝１．４１）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２２）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．２７，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．０３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．７８）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．５２，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０９）で与えら
れる点Ｌと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
素子。39. (i) a diamond layer; (ii) a first short-circuit electrode disposed on the diamond layer; and (iii) a thickness t _z covering the short-circuit electrode. A ZnO layer disposed on the diamond layer; and (iv) a comb-shaped electrode having a thickness t _A and disposed on the ZnO layer for exciting and receiving surface acoustic waves. v) has a thickness t _S, the covering the comb-shaped electrode Zn
A surface acoustic wave device comprising: a SiO ₂ layer disposed on an O layer; and (vi) a second short-circuit electrode disposed on the SiO ₂ layer, wherein a second-order mode surface acoustic wave is provided. for the wavelength _{λ, kh3 = 2π (t a} / λ) kh3 given by is in the range of 0.297 ≦ kh3 ≦ 0.363, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π ( t _S / lambda) is kh1 and kh2 given by, kh1 the horizontal axis, the two-dimensional orthogonal coordinates graph the vertical axis gives the kh2, coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.29 ) at given points a And a point B given by coordinates (kh1 = 0.33, kh2 = 1.36); a point C given by coordinates (kh1 = 0.40, kh2 = 1.60); and a coordinate (kh1 = 0.36). 71, kh2 = 1.60) and coordinates (kh = 0.82, kh2 = 1.41), a point F given by coordinates (kh1 = 1.00, kh2 = 1.22), and a coordinate (kh1 = 1.27, kh2 = 0) .97), a point H given by coordinates (kh1 = 1.03, kh2 = 0.89), and a point I given by coordinates (kh1 = 0.68, kh2 = 0.78) A point J given by coordinates (kh1 = 0.52, kh2 = 0.77); a point K given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.76); and a coordinate (kh1 = 0.7). 30, kh2 = 1.09) is given inside the area ABCDEFGHIJKLA including the 12 line segments, which sequentially connects the point A with the point A by line segments. A surface acoustic wave device.

【請求項４０】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ｌと、座標（ｋｈ
１＝０．３７，ｋｈ２＝０．９４）で与えられる点Ｍ
と、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前記点Ｌとを順に線分で
結ぶ、４本の線分から成る領域ＬＭＪＫＬの前記４本の
線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とする、
請求項３９に記載の表面弾性波素子。40. The kh1 and the kh2 are equal to the 2
In the two-dimensional orthogonal coordinate graph, the point L and the coordinates (kh
1 = 0.37, kh2 = 0.94)
And the point J, the point K, and the point L are sequentially provided by line segments, and are provided inside a region LMJKL including four line segments in a region LMJKL composed of four line segments. Do
A surface acoustic wave device according to claim 39.

【請求項４１】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置される、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極
と、（ｉｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記櫛型電極を覆って前記
ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、（ｉｖ）前記ＺｎＯ層の上に配置される短絡用電極と、（ｖ）厚さｔ_S を有し、前記短絡用電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０３３≦ｋｈ３≦０．０９９の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．５４，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．１６，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．９３）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．６９，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．３１，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝０．５０）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．４０）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．６３，ｋｈ２＝０．３３）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｌと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
素子。41. (i) a diamond layer; (ii) a comb-shaped electrode having a thickness t _A and disposed on the diamond layer for exciting and receiving surface acoustic waves; A) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer over the comb-shaped electrode; (iv) a short-circuit electrode disposed on the ZnO layer; is has a t _S, the covering the short-circuiting electrode Z
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) is given by: Kh1 and kh2 in the range of 0.033 ≦ kh3 ≦ 0.099 and given by kh1 = 2π (t _Z / λ) and kh2 = 2π (t _S / λ) are kh1 on the horizontal axis and ordinate on the vertical axis. In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.87) and a point given by coordinates (kh1 = 0.54, kh2 = 0.87) B, a point C given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 0.87), a point D given by coordinates (kh1 = 0.81, kh2 = 0.97), and a coordinate (kh1 = 1 .16, kh2 = 1.20). A point F given by (kh1 = 1.52, kh2 = 0.93), a point G given by coordinates (kh1 = 1.69, kh2 = 0.77), and a coordinate (kh1 = 1.31, kh2) = 0.59), a point I given by coordinates (kh1 = 1.04, kh2 = 0.50), and a point I given by coordinates (kh1 = 0.68, kh2 = 0.40) A point J, a point K given by coordinates (kh1 = 0.63, kh2 = 0.33), a point L given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.63), and the point A Are provided inside a region ABCDEFGHIJKLA including 12 line segments, which are sequentially connected by line segments.

【請求項４２】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
と、前記点Ｉと、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前記点Ｌ
と、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、６本の線分から成る
領域ＡＢＩＪＫＬＡの前記６本の線分の線上を含む内部
に与えられることを特徴とする、請求項４１に記載の表
面弾性波素子。42. The kh1 and the kh2 are equal to the 2
In the two-dimensional rectangular coordinate graph, the point A and the point B
, The point I, the point J, the point K, and the point L
42. The surface elasticity according to claim 41, wherein the surface elasticity is provided inside a region ABIJKLA including six line segments, which sequentially connects the point A and the point A by line segments. Wave element.

【請求項４３】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置される、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極
と、（ｉｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記櫛型電極を覆って前記
ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、（ｉｖ）前記ＺｎＯ層の上に配置される短絡用電極と、（ｖ）厚さｔ_S を有し、前記短絡用電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．９８）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝０．９５）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４５，ｋｈ２＝０．９６）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．００）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝１．２５）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．６０，ｋｈ２＝０．８０）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．２２，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．８９，ｋｈ２＝０．５７）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．５２）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．４５）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。43. (i) a diamond layer; (ii) a comb-shaped electrode having a thickness t _A and disposed on the diamond layer for exciting and receiving surface acoustic waves; A) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer over the comb-shaped electrode; (iv) a short-circuit electrode disposed on the ZnO layer; is has a t _S, the covering the short-circuiting electrode Z
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) is given by: in the range of 0.099 ≦ kh3 ≦ 0.165, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π kh1 and kh2 given by (t _S / λ) is the horizontal axis kh1, vertical axis In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.98) and a point given by coordinates (kh1 = 0.40, kh2 = 0.95) B, a point C given by coordinates (kh1 = 0.45, kh2 = 0.96), a point D given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 1.00), and a coordinate (kh1 = 1 .04, kh2 = 1.25) and the point A point F given by (kh1 = 1.53, kh2 = 0.89), a point G given by coordinates (kh1 = 1.60, kh2 = 0.80), and a coordinate (kh1 = 1.22, kh2 = 0.63), a point I given by coordinates (kh1 = 1.00, kh2 = 0.59), and a point I given by coordinates (kh1 = 0.89, kh2 = 0.57) A point J, a point K given by coordinates (kh1 = 0.53, kh2 = 0.52), a point L given by coordinates (kh1 = 0.53, kh2 = 0.45), and a coordinate (kh1 = 0.30, kh2 = 0.65) and the point A, which is connected to the point A in order by a line segment, is provided inside the area ABCDEFGHIJKLMA including the line of the 13 line segments. A surface acoustic wave device.

【請求項４４】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
と、前記点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６２，ｋｈ２＝
０．７７）で与えられる点Ｎと、前記点Ｊと、前記点Ｋ
と、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で
結ぶ、８本の線分から成る領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡの前
記８本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする、請求項４３に記載の表面弾性波素子。44. The kh1 and the kh2 are equal to the 2
In the two-dimensional rectangular coordinate graph, the point A and the point B
And the point C and coordinates (kh1 = 0.62, kh2 =
0.77), the point J, and the point K
And the point L, the point M, and the point A are sequentially provided by a line segment, and are provided inside a region ABCNJKLMA including eight line segments, including a line on the eight line segments. The surface acoustic wave device according to claim 43, wherein:

【請求項４５】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置される、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極
と、（ｉｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記櫛型電極を覆って前記
ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、（ｉｖ）前記ＺｎＯ層の上に配置される短絡用電極と、（ｖ）厚さｔ_S を有し、前記短絡用電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３６，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．９０，ｋｈ２＝１．３７）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．８５）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．３４，ｋｈ２＝０．７９）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝０．７２）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝０．８５，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．４２，ｋｈ２＝０．５５）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。45. (i) a diamond layer; (ii) a comb-shaped electrode having a thickness t _A and disposed on the diamond layer for exciting and receiving surface acoustic waves; A) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer over the comb-shaped electrode; (iv) a short-circuit electrode disposed on the ZnO layer; is has a t _S, the covering the short-circuiting electrode Z
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) with respect to the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave is: in the range of 0.165 ≦ kh3 ≦ 0.231, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π kh1 and kh2 given by (t _S / λ) is the horizontal axis kh1, vertical axis In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.07) and a point given by coordinates (kh1 = 0.36, kh2 = 1.07) B, a point C given by coordinates (kh1 = 0.43, kh2 = 1.07), a point D given by coordinates (kh1 = 0.90, kh2 = 1.37), and a coordinate (kh1 = 1 .05, kh2 = 1.20) and the point A point F given by (kh1 = 1.52, kh2 = 0.85), a point G given by coordinates (kh1 = 1.34, kh2 = 0.79), and a coordinate (kh1 = 1.05, kh2 = 0.72), a point I given by coordinates (kh1 = 0.85, kh2 = 0.68), and a point I given by coordinates (kh1 = 0.71, kh2 = 0.68) A point J, a point K given by coordinates (kh1 = 0.38, kh2 = 0.68), a point L given by coordinates (kh1 = 0.42, kh2 = 0.55), and a coordinate (kh1 = 0.30, kh2 = 0.65) and the point A, which is connected to the point A in order by a line segment, is provided inside the region ABCDEFGHIJKLMA including the line of the 13 line segments. A surface acoustic wave device.

【請求項４６】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
と、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝０．９５）で与
えられる点Ｎと、座標（ｋｈ１＝０．６１，ｋｈ２＝
０．７５）で与えられる点Ｏと、前記点Ｊと、前記点Ｋ
と、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で
結ぶ、８本の線分から成る領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの前
記８本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする、請求項４５に記載の表面弾性波素子。46. The kh1 and the kh2 are equal to the 2
In the two-dimensional rectangular coordinate graph, the point A and the point B
And a point N given by coordinates (kh1 = 0.43, kh2 = 0.95) and coordinates (kh1 = 0.61, kh2 =
0.75), the point J, and the point K
And the point L, the point M, and the point A are sequentially provided by a line segment, and are provided inside a region ABNOJKLMA including eight line segments, which is on the line of the eight line segments. 46. The surface acoustic wave device according to claim 45, wherein:

【請求項４７】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置される、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極
と、（ｉｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記櫛型電極を覆って前記
ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、（ｉｖ）前記ＺｎＯ層の上に配置される短絡用電極と、（ｖ）厚さｔ_S を有し、前記短絡用電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．１５）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４６，ｋｈ２＝１．３２）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．５２）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝０．７３，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝１．４４）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．４０，ｋｈ２＝０．９１）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．１４，ｋｈ２＝０．８３）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．８３，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３５，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｍと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｎと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１４本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの前記１４本の線分
の線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾
性波素子。47. (i) a diamond layer; (ii) a comb-shaped electrode having a thickness t _A and disposed on the diamond layer for exciting and receiving surface acoustic waves; A) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer over the comb-shaped electrode; (iv) a short-circuit electrode disposed on the ZnO layer; is has a t _S, the covering the short-circuiting electrode Z
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) is given by: in the range of 0.231 ≦ kh3 ≦ 0.297, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π kh1 and kh2 given by (t _S / λ) is the horizontal axis kh1, vertical axis In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point, a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.15) and a point given by coordinates (kh1 = 0.38, kh2 = 1.20) B, a point C given by coordinates (kh1 = 0.46, kh2 = 1.32), a point D given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 1.52), and a coordinate (kh1 = 0 .73, kh2 = 1.60) and the point A point F given by (kh1 = 0.81, kh2 = 1.44), a point G given by coordinates (kh1 = 1.00, kh2 = 1.20), and a coordinate (kh1 = 1.40, kh2) = 0.91), a point I given by coordinates (kh1 = 1.14, kh2 = 0.83), and a point I given by coordinates (kh1 = 0.83, kh2 = 0.76) A point J, a point K given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 0.73), a point L given by coordinates (kh1 = 0.35, kh2 = 0.73), and a coordinate (kh1 = A point M given by 0.38, kh2 = 0.63), a point N given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.65), and the point A are sequentially connected by line segments. Lines of the 14 line segments in the area ABCDEFGHIJKLMNA composed of the line segments Surface acoustic wave device, characterized in that provided in the interior including.

【請求項４８】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、座標（ｋｈ
１＝０．３６，ｋｈ２＝１．００）で与えられる点Ｏ
と、座標（ｋｈ１＝０．４８，ｋｈ２＝０．８３）で与
えられる点Ｐと、前記点Ｋと、前記点Ｌと、前記点Ｍ
と、前記点Ｎと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、７本の
線分から成る領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの前記７本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする、請求項
４７に記載の表面弾性波素子。48. The kh1 and the kh2 are equal to the 2
In the three-dimensional orthogonal coordinate graph, the point A and the coordinates (kh
1 = 0.36, kh2 = 1.00)
, A point P given by coordinates (kh1 = 0.48, kh2 = 0.83), the point K, the point L, and the point M
48. An area AOPKLMNA consisting of seven line segments, which sequentially connects the point N and the point A with line segments, is provided inside a region including the lines of the seven line segments. 3. The surface acoustic wave device according to 1.

【請求項４９】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置される、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極
と、（ｉｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記櫛型電極を覆って前記
ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、（ｉｖ）前記ＺｎＯ層の上に配置される短絡用電極と、（ｖ）厚さｔ_S を有し、前記短絡用電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２９７≦ｋｈ３≦０．３６３の範囲にあり、且
つ、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．２９）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３３，ｋｈ２＝１．３６）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝０．８２，ｋｈ２＝１．４１）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２２）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．２７，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．０３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．７８）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．５２，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０９）で与えら
れる点Ｌと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
素子。49. (i) a diamond layer; (ii) a comb-shaped electrode having a thickness t _A and disposed on the diamond layer for exciting and receiving surface acoustic waves; A) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer over the comb-shaped electrode; (iv) a short-circuit electrode disposed on the ZnO layer; is has a t _S, the covering the short-circuiting electrode Z
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) with respect to the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave is: in the range of 0.297 ≦ kh3 ≦ 0.363, _{and, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π kh1 and kh2 given by (t _S / λ) is the horizontal axis kh1, vertical axis In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.29) and a point given by coordinates (kh1 = 0.33, kh2 = 1.36) B, a point C given by coordinates (kh1 = 0.40, kh2 = 1.60), a point D given by coordinates (kh1 = 0.71, kh2 = 1.60), and a coordinate (kh1 = 0) .82, kh2 = 1.41). A point F given by (kh1 = 1.000, kh2 = 1.22), a point G given by coordinates (kh1 = 1.27, kh2 = 0.97), and a coordinate (kh1 = 1.03, kh2 = 0.89), a point I given by coordinates (kh1 = 0.68, kh2 = 0.78), and a point I given by coordinates (kh1 = 0.52, kh2 = 0.77) A point J, a point K given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.76), a point L given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.09), and the point A Are provided inside a region ABCDEFGHIJKLA including 12 line segments, which are sequentially connected by line segments.

【請求項５０】前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
次元直交座標グラフにおいて、前記点Ｌと、座標（ｋｈ
１＝０．３７，ｋｈ２＝０．９４）で与えられる点Ｍ
と、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前記点Ｌとを順に線分で
結ぶ、４本の線分から成る領域ＬＭＪＫＬの前記４本の
線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とする、
請求項４９に記載の表面弾性波素子。50. The kh1 and the kh2 are equal to the 2
In the two-dimensional orthogonal coordinate graph, the point L and the coordinates (kh
1 = 0.37, kh2 = 0.94)
And the point J, the point K, and the point L are sequentially provided by line segments, and are provided inside a region LMJKL including four line segments in a region LMJKL composed of four line segments. Do
50. The surface acoustic wave device according to claim 49.

【請求項５１】（１）ダイヤモンド層の上に、厚さｔ_Z
となるようにＺｎＯ層を形成するステップと、（２）前記ＺｎＯ層の上に、厚さｔ_A となるように櫛型
電極を形成するステップと、（３）前記櫛型電極を覆って前記ＺｎＯ層の上に、厚さ
ｔ_S となるようにＳｉＯ₂ 層を形成するステップと、を
有する表面弾性波素子の製造方法において、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．５４，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．１６，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．９３）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．６９，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．３１，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝０．５０）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．４０）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．６３，ｋｈ２＝０．３３）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｌと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
上を含む内部に与えられるように前記ｔ_Z 及び前記ｔ_S
を選択し、且つ、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０３３≦ｋｈ３≦０．０９９の範囲となるように
前記ｔ_A を選択することを特徴とする表面弾性波素子の
製造方法。51. (1) On the diamond layer, a thickness t _Z
Forming a ZnO layer such that, (2) on the ZnO layer, and forming a comb electrode to a thickness of t _A, the covering (3) the comb-shaped electrode Forming a SiO ₂ layer on the ZnO layer so as to have a thickness of t _{S. In the} method for manufacturing a surface acoustic wave device, the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave is represented by kh1 = 2π ( t _z / λ), kh 2 = 2π (t _S / λ), kh 1 and kh 2 are represented by coordinates (kh 1 = 0.30, kh 2) = 0.87), a point B given by coordinates (kh1 = 0.54, kh2 = 0.87), and a point B given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 0.87) Point C and coordinates (kh1 = 0.81, kh2 = 0 97), a point E given by coordinates (kh1 = 1.16, kh2 = 1.20), a point F given by coordinates (kh1 = 1.52, kh2 = 0.93) A point G given by coordinates (kh1 = 1.69, kh2 = 0.77), a point H given by coordinates (kh1 = 1.31, kh2 = 0.59), and a coordinate (kh1 = 1.04) , Kh2 = 0.50), a point J given by coordinates (kh1 = 0.68, kh2 = 0.40), and a point J given by coordinates (kh1 = 0.63, kh2 = 0.33). A given point K, a point L given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.63), and the point A are sequentially connected by a line segment, and the area ABCDEFGHIJKLA is composed of 12 line segments. wherein t _Z as provided therein containing a segment line of Fine the t _S
Select, _{and, kh3 = 2π (t A /} λ) kh3 given by the surface acoustic wave, characterized by selecting said t _A to be in the range of 0.033 ≦ kh3 ≦ 0.099 Device manufacturing method.

【請求項５２】（１）ダイヤモンド層の上に、短絡用電
極を形成するステップと、（２）前記短絡用電極を覆って前記ダイヤモンド層の上
に、厚さｔ_Z となるようにＺｎＯ層を形成するステップ
と、（３）前記ＺｎＯ層の上に、厚さｔ_A となるように櫛型
電極を形成するステップと、（ｖ）前記櫛型電極を覆って前記ＺｎＯ層の上に、厚さ
ｔ_S となるようにＳｉＯ₂ 層を形成するステップと、を
有する表面弾性波素子の製造方法において、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．９８）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝０．９５）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４５，ｋｈ２＝０．９６）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．００）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝１．２５）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．６０，ｋｈ２＝０．８０）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．２２，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．８９，ｋｈ２＝０．５７）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．５２）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．４５）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
線上を含む内部に与えられるように前記ｔ_Z 及び前記ｔ
_S を選択し、且つ、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５の範囲となるように
前記ｔ_A を選択することを特徴とする表面弾性波素子の
製造方法。52. (1) forming a short-circuit electrode on the diamond layer; and (2) forming a ZnO layer on the diamond layer so as to have a thickness of t _Z over the short-circuit electrode. (3) forming a comb-shaped electrode on the ZnO layer so as to have a thickness of t _A ; (v) covering the comb-shaped electrode on the ZnO layer; Forming a SiO ₂ layer so as to have a thickness of t _S , wherein a wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave is: kh1 = 2π (t _Z / λ); In the two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh1 and kh2 given by kh2 = 2π (t _S / λ) are given by kh1 on the horizontal axis and kh2 on the vertical axis, the coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.98) Given point A and coordinates (kh1 = 0.40, A point B given by h2 = 0.95, a point C given by coordinates (kh1 = 0.45, kh2 = 0.96), and a point B given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 1.00) A point D given by coordinates (kh1 = 1.04, kh2 = 1.25), a point F given by coordinates (kh1 = 1.53, kh2 = 0.89), and a coordinate (kh1 = 1.60, kh2 = 0.80), point H given by coordinates (kh1 = 1.22, kh2 = 0.63), coordinates (kh1 = 1.00, kh2 = 0) .59), a point J given by coordinates (kh1 = 0.89, kh2 = 0.57), and a point K given by coordinates (kh1 = 0.53, kh2 = 0.52) And a point L given by coordinates (kh1 = 0.53, kh2 = 0.45); A point M given by a mark (kh1 = 0.30, kh2 = 0.65) and the point A are sequentially connected by a line segment, and the area ABCDEFGHIJKLMA composed of 13 line segments is drawn on the line of the 13 line segments. Including t _Z and t
_S is selected, and said t _A is selected such that kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) is in the range of 0.099 ≦ kh3 ≦ 0.165. Method of manufacturing wave element.

【請求項５３】（１）ダイヤモンド層の上に、厚さｔ_Z
となるようにＺｎＯ層を形成するステップと、（２）前記ＺｎＯ層の上に、厚さｔ_A となるように櫛型
電極を形成するステップと、（３）前記櫛型電極を覆って前記ＺｎＯ層の上に、厚さ
ｔ_S となるようにＳｉＯ₂ 層を形成するステップと、（４）前記ＳｉＯ₂ 層の上に短絡用電極を形成するステ
ップとを有する表面弾性波素子の製造方法において、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３６，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．９０，ｋｈ２＝１．３７）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．８５）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．３４，ｋｈ２＝０．７９）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝０．７２）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝０．８５，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．４２，ｋｈ２＝０．５５）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
線上を含む内部に与えられるように前記ｔ_Z 及び前記ｔ
_S を選択し、且つ、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１の範囲となるように
前記ｔ_A を選択することを特徴とする表面弾性波素子の
製造方法。53. (1) On the diamond layer, a thickness t _Z
Forming a ZnO layer such that, (2) on the ZnO layer, and forming a comb electrode to a thickness of t _A, the covering (3) the comb-shaped electrode A method for manufacturing a surface acoustic wave device, comprising: forming a SiO ₂ layer on a ZnO layer so as to have a thickness of t _S; and (4) forming a short-circuit electrode on the SiO ₂ layer. in, the wavelength lambda of the surface acoustic wave of the second _{mode, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π (t S / λ) kh1 and kh2 given by is the horizontal axis kh1 and ordinate axis kh2 In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives the following, a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.07) and a point B given by coordinates (kh1 = 0.36, kh2 = 1.07) , Coordinates (kh1 = 0.43, kh2 = 1.07) , A point D given by coordinates (kh1 = 0.90, kh2 = 1.37), a point E given by coordinates (kh1 = 1.05, kh2 = 1.20), and coordinates A point F given by (kh1 = 1.52, kh2 = 0.85), a point G given by coordinates (kh1 = 1.34, kh2 = 0.79), and a coordinate (kh1 = 1.05, kh2 = 0.72), a point I given by coordinates (kh1 = 0.85, kh2 = 0.68), and a point I given by coordinates (kh1 = 0.71, kh2 = 0.68) A point J, a point K given by coordinates (kh1 = 0.38, kh2 = 0.68), a point L given by coordinates (kh1 = 0.42, kh2 = 0.55), and a coordinate (kh1 = 0.30, kh2 = 0.65) and the point A in order In tying thirteen of the as provided therein containing lines of the 13 line segments in the region ABCDEFGHIJKLMA consisting line t _Z and the t
_S is selected, and said t _A is selected such that kh3 given by kh3 = 2π (t _A / λ) is in the range of 0.165 ≦ kh3 ≦ 0.231. Method of manufacturing wave element.

【請求項５４】（１）ダイヤモンド層の上に、第１の短
絡用電極を形成するステップと、（２）前記短絡用電極を覆って前記ダイヤモンド層の上
に、厚さｔ_Z となるようにＺｎＯ層を形成するステップ
と、（３）前記ＺｎＯ層の上に、厚さｔ_A となるように櫛型
電極を形成するステップと、（４）前記櫛型電極を覆って前記ＺｎＯ層の上に、厚さ
ｔ_S となるようにＳｉＯ₂ 層を形成するステップと、（５）前記ＳｉＯ₂ 層の上に、第２の短絡用電極を形成
するステップとを有する表面弾性波素子の製造方法であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．１５）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４６，ｋｈ２＝１．３２）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．５２）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝０．７３，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝１．４４）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．４０，ｋｈ２＝０．９１）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝１．１４，ｋｈ２＝０．８３）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．８３，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３５，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
れる点Ｌと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
れる点Ｍと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
れる点Ｎと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１４本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの前記１４本の線分
の線上を含む内部に与えられるように前記ｔ_Z 及び前記
ｔ_Sを選択し、且つ、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７の範囲となるように
前記ｔ_A を選択することを特徴とする表面弾性波素子の
製造方法。54. (1) forming a first short-circuit electrode on the diamond layer; and (2) forming a first electrode on the diamond layer to cover the short-circuit electrode so as to have a thickness of t _Z. (3) forming a comb electrode on the ZnO layer so as to have a thickness of t _A ; (4) forming a ZnO layer covering the comb electrode. Manufacturing a surface acoustic wave device having a step of forming a SiO ₂ layer on the SiO ₂ layer so as to have a thickness of t _S; and (5) forming a second short-circuit electrode on the SiO ₂ layer. a method for the wavelength lambda of the surface acoustic wave of the second _{mode, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh2 = 2π (t S / λ) kh1 and kh2 are given in the, kh1 the horizontal axis, vertical In a two-dimensional rectangular coordinate graph that gives kh2 to the axis, the coordinates (kh1 = 0 30, a point A given by kh2 = 1.15), a point B given by coordinates (kh1 = 0.38, kh2 = 1.20), and a coordinate (kh1 = 0.46, kh2 = 1.32) , A point D given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 1.52), a point E given by coordinates (kh1 = 0.73, kh2 = 1.60), and coordinates A point F given by (kh1 = 0.81, kh2 = 1.44), a point G given by coordinates (kh1 = 1.00, kh2 = 1.20), and a coordinate (kh1 = 1.40, kh2) = 0.91), a point I given by coordinates (kh1 = 1.14, kh2 = 0.83), and a point I given by coordinates (kh1 = 0.83, kh2 = 0.76) A point J and a point given by coordinates (kh1 = 0.60, kh2 = 0.73) And a point L given by coordinates (kh1 = 0.35, kh2 = 0.73), a point M given by coordinates (kh1 = 0.38, kh2 = 0.63), and a coordinate (kh1 = 0.35). 30, kh2 = 0.65), and the point A is connected to the point A in order by a line segment. The region ABCDEFGHIJKLMNA, which is composed of 14 line segments, is provided inside the line including the line of the 14 line segments. the select t _Z and the t _S, and, is KH3 given by _{kh3 = 2π (t a / λ} ), selecting the t _a to be in the range of 0.231 ≦ kh3 ≦ 0.297 in A method for manufacturing a surface acoustic wave device.

【請求項５５】（１）ダイヤモンド層の上に、厚さｔ_A
となるように櫛型電極を形成するステップと、（２）前記櫛型電極を覆って前記ダイヤモンド層の上
に、厚さｔ_Z となるようにＺｎＯ層を形成するステップ
と、（３）前記ＺｎＯ層の上に短絡用電極を形成するステッ
プと、（４）前記短絡用電極を覆って前記ＺｎＯ層の上に、厚
さｔ_S となるようにＳｉＯ₂ 層を形成するステップと、
を備える表面弾性波素子の製造方法であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．２９）で与えら
れる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．３３，ｋｈ２＝１．３６）で与えら
れる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
れる点Ｄと、座標（ｋｈ１＝０．８２，ｋｈ２＝１．４１）で与えら
れる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２２）で与えら
れる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．２７，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
れる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．０３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
れる点Ｈと、座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．７８）で与えら
れる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．５２，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
れる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
れる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０９）で与えら
れる点Ｌと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
上を含む内部に与えられるように前記ｔ_Z 及び前記ｔ_S
を選択し、且つ、ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２９７≦ｋｈ３≦０．３６３の範囲となるように
前記ｔ_A を選択することを特徴とする表面弾性波素子の
製造方法。55. (1) On the diamond layer, a thickness t _A
(2) forming a ZnO layer on the diamond layer to cover the comb electrode so as to have a thickness of t _Z , Forming a short-circuit electrode on the ZnO layer; and (4) forming a SiO ₂ layer on the ZnO layer so as to have a thickness of t _S covering the short-circuit electrode;
A method of manufacturing a surface acoustic wave device comprising, for the wavelength lambda of the surface acoustic wave of the second _{mode, kh1 = 2π (t Z /} λ), kh1 and kh2 given by _{kh2 = 2π (t S / λ} ) Is a point A given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.29) and a coordinate (kh1 = 0.33, kh2) in a two-dimensional orthogonal coordinate graph giving kh1 on the horizontal axis and kh2 on the vertical axis. = 1.36), point C given by coordinates (kh1 = 0.40, kh2 = 1.60), and given by coordinates (kh1 = 0.71, kh2 = 1.60) A point D, a point E given by coordinates (kh1 = 0.82, kh2 = 1.41), a point F given by coordinates (kh1 = 1.00, kh2 = 1.22), and a coordinate (kh1 = 1.27, kh2 = 0.97), A point H given by coordinates (kh1 = 1.03, kh2 = 0.89), a point I given by coordinates (kh1 = 0.68, kh2 = 0.78), and a coordinate (kh1 = 0.52) A point J given by kh2 = 0.77), a point K given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 0.76), and a point K given by coordinates (kh1 = 0.30, kh2 = 1.09) T _Z and t _S so as to be given to the inside of the area ABCDEFGHIJKLA including the 12 line segments, which is a line connecting the point L and the point A in order with the line segments.
Select, _{and, kh3 = 2π (t A /} λ) kh3 given by the surface acoustic wave, characterized by selecting said t _A to be in the range of 0.297 ≦ kh3 ≦ 0.363 Device manufacturing method.

【請求項５６】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、（１）ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、ｋｈ３＝０．０４４であり、且つ、（２）ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．６４５）で与
えられる点Ａ１と、座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．６８４）で与
えられる点Ｂ１と、座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．７１８）で与
えられる点Ｃ１と、座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．７５９）で与
えられる点Ｄ１と、座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝０．８０９）で与
えられる点Ｅ１と、座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝０．８６６）で与
えられる点Ｆ１と、座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝０．９８７）で与
えられる点Ｇ１と、を順に線分で結ぶ７本の線分から成る基本組み合わせ線
（Ａ１-Ｂ１-Ｃ１-Ｄ１-Ｅ１-Ｆ１-Ｇ１）に対してｋｈ
２を＋／− １０％で増減してなる範囲にあることを特
徴とする表面弾性波素子。56. (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the Z-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein the wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode is given by: (1) kh3 = 2π (t _A / λ) KH3 is a KH3 = 0.044, and, (2) kh1 = 2π ( t Z / λ), is _{kh2 = 2π (t S / λ} ) kh1 and kh2 given by the horizontal axis kh1, vertical axis In the two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to the points, a point A1 given by coordinates (kh1 = 0.600, kh2 = 0.645) and a point given by coordinates (kh1 = 0.800, kh2 = 0.684) B1, a point C1 given by coordinates (kh1 = 0.900, kh2 = 0.718), a point D1 given by coordinates (kh1 = 1.000, kh2 = 0.759), and a coordinate (kh1 = 1) .100, kh2 = 0.809) A given point E1, a point F1 given by coordinates (kh1 = 1.200, kh2 = 0.866), and a point G1 given by coordinates (kh1 = 1.400, kh2 = 0.988) Kh for a basic combination line (A1-B1-C1-D1-E1-F1-G1) composed of seven line segments connected by a line segment
2. A surface acoustic wave device characterized by being in a range obtained by increasing / decreasing 2 by +/− 10%.

【請求項５７】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、（１）ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、ｋｈ３＝０．０６６であり、且つ、（２）ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．６７１）で与
えられる点Ａ２と、座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．７１３）で与
えられる点Ｂ２と、座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．７４７）で与
えられる点Ｃ２と、座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．７８９）で与
えられる点Ｄ２と、座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝０．８３７）で与
えられる点Ｅ２と、座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝０．８９１）で与
えられる点Ｆ２と、座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．０１１）で与
えられる点Ｇ２と、を順に線分で結ぶ７本の線分から成る基本組み合わせ線
（Ａ２-Ｂ２-Ｃ２-Ｄ２-Ｅ２-Ｆ２-Ｇ２）に対してｋｈ
２を＋／− １０％で増減してなる範囲にあることを特
徴とする表面弾性波素子。57. (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the Z-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave is given by: (1) kh3 = 2π (t _A / λ) KH3 is a KH3 = 0.066, and, (2) kh1 = 2π ( t Z / λ), is _{kh2 = 2π (t S / λ} ) kh1 and kh2 given by the horizontal axis kh1, vertical axis In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point, a point A2 given by coordinates (kh1 = 0.600, kh2 = 0.670) and a point given by coordinates (kh1 = 0.800, kh2 = 0.713) B2, a point C2 given by coordinates (kh1 = 0.900, kh2 = 0.747), a point D2 given by coordinates (kh1 = 1.000, kh2 = 0.789), and a coordinate (kh1 = 1 .100, kh2 = 0.837) A given point E2, a point F2 given by coordinates (kh1 = 1.200, kh2 = 0.891), and a point G2 given by coordinates (kh1 = 1.400, kh2 = 1.0011) Kh for a basic combination line (A2-B2-C2-D2-E2-F2-G2) composed of seven line segments connected by a line segment
2. A surface acoustic wave device characterized by being in a range obtained by increasing / decreasing 2 by +/− 10%.

【請求項５８】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、（１）ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、ｋｈ３＝０．０９９であり、且つ、（２）ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．７１３）で与
えられる点Ａ３と、座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．７５８）で与
えられる点Ｂ３と、座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．７９０）で与
えられる点Ｃ３と、座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．８３２）で与
えられる点Ｄ３と、座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝０．８７９）で与
えられる点Ｅ３と、座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝０．９３０）で与
えられる点Ｆ３と、座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．０４６）で与
えられる点Ｇ３と、を順に線分で結ぶ７本の線分から成
る基本組み合わせ線（Ａ３-Ｂ３-Ｃ３-Ｄ３-Ｅ３-Ｆ３-
Ｇ３）に対してｋｈ２を＋／− １０％で増減してなる
範囲にあることを特徴とする表面弾性波素子。58. (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on said diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the Z-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
a surface acoustic wave element comprising: a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein a wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode is given by: (1) kh3 = 2π (t _A / λ) KH3 is a KH3 = 0.099, and, (2) kh1 = 2π ( t Z / λ), is _{kh2 = 2π (t S / λ} ) kh1 and kh2 given by the horizontal axis kh1, vertical axis In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point A3 given by coordinates (kh1 = 0.600, kh2 = 0.713) and a point given by coordinates (kh1 = 0.800, kh2 = 0.758) B3, a point C3 given by coordinates (kh1 = 0.900, kh2 = 0.790), a point D3 given by coordinates (kh1 = 1.000, kh2 = 0.732), and a coordinate (kh1 = 1 .100, kh2 = 0.879) A given point E3, a point F3 given by coordinates (kh1 = 1.200, kh2 = 0.930), and a point G3 given by coordinates (kh1 = 1.400, kh2 = 1.046) Basic combination line (A3-B3-C3-D3-E3-F3-F) consisting of seven line segments connected by line segments
A surface acoustic wave device characterized in that kh2 is increased or decreased by +/- 10% with respect to G3).

【請求項５９】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、（１）ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、ｋｈ３＝０．１３２であり、且つ、（２）ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．７５５）で与
えられる点Ａ４と、座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．８０３）で与
えられる点Ｂ４と、座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．８３７）で与
えられる点Ｃ４と、座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．８７７）で与
えられる点Ｄ４と、座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝０．９２２）で与
えられる点Ｅ４と、座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝０．９７２）で与
えられる点Ｆ４と、座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．０８３）で与
えられる点Ｇ４と、を順に線分で結ぶ７本の線分から成
る基本組み合わせ線（Ａ４-Ｂ４-Ｃ４-Ｄ４-Ｅ４-Ｆ４-
Ｇ４）に対してｋｈ２を＋／− １０％で増減してなる
範囲にあることを特徴とする表面弾性波素子。59. (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on said diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. is placed on top of, and comb electrodes for excitation and reception of the surface acoustic wave has a thickness t _S (iv), said covering the comb-shaped electrode Z
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein the wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode is given by: (1) kh3 = 2π (t _A / λ) KH3 is a KH3 = 0.132, and, (2) kh1 = 2π ( t Z / λ), is _{kh2 = 2π (t S / λ} ) kh1 and kh2 given by the horizontal axis kh1, vertical axis In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point, a point A4 given by coordinates (kh1 = 0.600, kh2 = 0.755) and a point given by coordinates (kh1 = 0.800, kh2 = 0.803) B4, a point C4 given by coordinates (kh1 = 0.900, kh2 = 0.737), a point D4 given by coordinates (kh1 = 1.000, kh2 = 0.877), and a coordinate (kh1 = 1 .100, kh2 = 0.922) A given point E4, a point F4 given by coordinates (kh1 = 1.200, kh2 = 0.977), and a point G4 given by coordinates (kh1 = 1.400, kh2 = 1.0083) Basic combination line (A4-B4-C4-D4-E4-F4-F) consisting of seven line segments connected by line segments
A surface acoustic wave device wherein kh2 is increased or decreased by +/- 10% with respect to G4).

【請求項６０】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、（１）ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、ｋｈ３＝０．１９８であり、且つ、（２）ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．８３７）で与
えられる点Ａ５と、座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．８９７）で与
えられる点Ｂ５と、座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．９３３）で与
えられる点Ｃ５と、座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．９７３）で与
えられる点Ｄ５と、座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝１．０１７）で与
えられる点Ｅ５と、座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝１．０６３）で与
えられる点Ｆ５と、座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．１６７）で与
えられる点Ｇ５と、を順に線分で結ぶ７本の線分から成
る基本組み合わせ線（Ａ５-Ｂ５-Ｃ５-Ｄ５-Ｅ５-Ｆ５-
Ｇ５）に対してｋｈ２を＋／− １０％で増減してなる
範囲にあることを特徴とする表面弾性波素子。60. (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the comb-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein the wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode is given by: (1) kh3 = 2π (t _A / λ) KH3 is a KH3 = 0.198, and, (2) kh1 = 2π ( t Z / λ), is _{kh2 = 2π (t S / λ} ) kh1 and kh2 given by the horizontal axis kh1, vertical axis In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point, a point A5 given by coordinates (kh1 = 0.600, kh2 = 0.737) and a point given by coordinates (kh1 = 0.800, kh2 = 0.899) B5, a point C5 given by coordinates (kh1 = 0.900, kh2 = 0.933), a point D5 given by coordinates (kh1 = 1.000, kh2 = 0.933), and a coordinate (kh1 = 1 .100, kh2 = 1.017) A given point E5, a point F5 given by coordinates (kh1 = 1.200, kh2 = 1.0063), and a point G5 given by coordinates (kh1 = 1.400, kh2 = 1.167) Basic combination line (A5-B5-C5-D5-E5-F5-) consisting of seven line segments connected by line segments
G5), wherein kh2 is increased or decreased by +/- 10% with respect to G5).

【請求項６１】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、（１）ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、ｋｈ３＝０．２６４であり、且つ、（２）ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．９１４）で与
えられる点Ａ６と、座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．９８９）で与
えられる点Ｂ６と、座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝１．０２９）で与
えられる点Ｃ６と、座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝１．０６９）で与
えられる点Ｄ６と、座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝１．１１１）で与
えられる点Ｅ６と、座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝１．１５６）で与
えられる点Ｆ６と、座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．２５７）で与
えられる点Ｇ６と、を順に線分で結ぶ７本の線分から成
る基本組み合わせ線（Ａ６-Ｂ６-Ｃ６-Ｄ６-Ｅ６-Ｆ６-
Ｇ６）に対してｋｈ２を＋／− １０％で増減してなる
範囲にあることを特徴とする表面弾性波素子。61. (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the comb-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein the wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode is given by: (1) kh3 = 2π (t _A / λ) kh3 is kh3 = 0.264, and (2) kh1 and kh2 given by kh1 = 2π (t _Z / λ) and kh2 = 2π (t _S / λ) are kh1 on the horizontal axis and ordinate on the vertical axis. In a two-dimensional orthogonal coordinate graph that gives kh2 to a point, a point A6 given by coordinates (kh1 = 0.600, kh2 = 0.914) and a point given by coordinates (kh1 = 0.800, kh2 = 0.889) B6, a point C6 given by coordinates (kh1 = 0.900, kh2 = 1.029), a point D6 given by coordinates (kh1 = 1.000, kh2 = 1.0069), and a coordinate (kh1 = 1 .100, kh2 = 1.111) A given point E6, a point F6 given by coordinates (kh1 = 1.200, kh2 = 1.156), and a point G6 given by coordinates (kh1 = 1.400, kh2 = 1.257) Basic combination line (A6-B6-C6-D6-E6-F6-F) consisting of seven line segments connected by line segments
A surface acoustic wave device characterized in that kh2 is increased or decreased by +/- 10% with respect to G6).

【請求項６２】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、（１）ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０４４≦ｋｈ３≦０．０６６の範囲にあり、且
つ、（２）ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．６４５）で与
えられる点Ａ１と座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝
０．６７１）で与えられる点Ａ２との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ａ１２と、座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．６８４）で与
えられる点Ｂ１と座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝
０．７１３）で与えられる点Ｂ２との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｂ１２と、座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．７１８）で与
えられる点Ｃ１と座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝
０．７４７）で与えられる点Ｃ２との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｃ１２と、座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．７５９）で与
えられる点Ｄ１と座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝
０．７８９）で与えられる点Ｄ２との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｄ１２と、座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝０．８０９）で与
えられる点Ｅ１と座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝
０．８３７）で与えられる点Ｅ２との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｅ１２と、座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝０．８６６）で与
えられる点Ｆ１と座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝
０．８９１）で与えられる点Ｆ２との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｆ１２と、座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝０．９８７）で与
えられる点Ｇ１と座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝
１．０１１）で与えられる点Ｇ２との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｇ１２とを順に線分で結ぶ７本の
線分から成る補完基本組み合わせ線（Ａ１２-Ｂ１２-Ｃ
１２-Ｄ１２-Ｅ１２-Ｆ１２-Ｇ１２）に対してｋｈ２を
＋／− １０％で増減してなる範囲にあることを特徴と
する表面弾性波素子。62. (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the Z-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave is given by: (1) kh3 = 2π (t _A / λ) kh3 is in the range of 0.044 ≦ kh3 ≦ 0.066, and (2) kh1 and kh2 given by kh1 = 2π (t _Z / λ) and kh2 = 2π (t _S / λ) are horizontal. In a two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh1 is given on the axis and kh2 is given on the vertical axis, a point A1 given by coordinates (kh1 = 0.600, kh2 = 0.645) and coordinates (kh1 = 0.600, kh2 =
0.671) and a point A12 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between the point A2 and the point B1 and the coordinates (kh1 = 0.00) given by the coordinates (kh1 = 0.800, kh2 = 0.684). 800, kh2 =
0.713), a point B12 obtained by linearly complementing the value of kh3 between the point B2 and the point C1 and coordinates (kh1 = 0.18) given by the coordinates (kh1 = 0.900, kh2 = 0.718). 900, kh2 =
0.747) and a point C12 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between the point C2 and the point D1 and coordinates (kh1 = 1.00) given by the coordinates (kh1 = 1.000, kh2 = 0.759). 000, kh2 =
0.789), a point D12 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between a point D2 and a point E1 and coordinates (kh1 = 1.100) given by coordinates (kh1 = 1.100, kh2 = 0.809). 100, kh2 =
0.837) and a point E12 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between the point E2 and the point F1 and coordinates (kh1 = 1.200) given by coordinates (kh1 = 1.200, kh2 = 0.866). 200, kh2 =
0.891), a point F12 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between the point F2 and the point G1 and the coordinates (kh1 = 1. 400, kh2 =
1.011) and a point G12 obtained by linearly complementing the value of kh3 with the point G2 given by the point G2, and a complemented basic combination line (A12-B12-C) composed of seven line segments sequentially connecting the line segments.
12-D12-E12-F12-G12), wherein kh2 is increased or decreased by +/- 10%.

【請求項６３】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、（１）ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０６６≦ｋｈ３≦０．０９９の範囲にあり、且
つ、（２）ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．６７１）で与
えられる点Ａ２と座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝
０．７１３）で与えられる点Ａ３との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ａ２３と、座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．７１３）で与
えられる点Ｂ２と座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝
０．７５８）で与えられる点Ｂ３との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｂ２３と、座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．７４７）で与
えられる点Ｃ２と座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝
０．７９０）で与えられる点Ｃ３との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｂ２３と、座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．７８９）で与
えられる点Ｄ２と座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝
０．８３２）で与えられる点Ｄ３との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｄ２３と、座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝０．８３７）で与
えられる点Ｅ２と座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝
０．８７９）で与えられる点Ｅ３との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｅ２３と、座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝０．８９１）で与
えられる点Ｆ２と座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝
０．９３０）で与えられる点Ｆ３との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｆ２３と、座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．０１１）で与
えられる点Ｇ２と座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝
１．０４６）で与えられる点Ｇ３との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｇ２３とを順に線分で結ぶ７本の
線分から成る補完基本組み合わせ線（Ａ２３-Ｂ２３-Ｃ
２３-Ｄ２３-Ｅ２３-Ｆ２３-Ｇ２３）に対してｋｈ２を
＋／− １０％で増減してなる範囲にあることを特徴と
する表面弾性波素子。63. (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on said diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the Z-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave is given by: (1) kh3 = 2π (t _A / λ) kh3 is in a range of 0.066 ≦ kh3 ≦ 0.099, and (2) kh1 and kh2 given by kh1 = 2π (t _Z / λ) and kh2 = 2π (t _S / λ) are horizontal. In a two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh1 is given on the axis and kh2 is given on the vertical axis, a point A2 given by coordinates (kh1 = 0.600, kh2 = 0.670) and coordinates (kh1 = 0.600, kh2 =
0.713) and a point A23 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between the point A3 and the point B2 and coordinates (kh1 = 0.13) given by the coordinates (kh1 = 0.800, kh2 = 0.713). 800, kh2 =
0.758), a point B23 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between the point B3 and the point C2 and coordinates (kh1 = 0.000) given by coordinates (kh1 = 0.900, kh2 = 0.747). 900, kh2 =
0.790) and a point B23 obtained by linearly complementing the value of kh3 between a point C3 and a point D2 and coordinates (kh1 = 1.000) given by coordinates (kh1 = 1.000, kh2 = 0.789). 000, kh2 =
0.832) and a point D23 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between the point D3 and the point E2 and coordinates (kh1 = 1.100) given by the coordinates (kh1 = 1.100, kh2 = 0.737). 100, kh2 =
0.879) and a point E23 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between the point E3 and the point F2 and coordinates (kh1 = 1.20) given by the coordinates (kh1 = 1.200, kh2 = 0.891). 200, kh2 =
0.930) and a point F23 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between the point F3 and the point G2 and coordinates (kh1 = 1.400) given by coordinates (kh1 = 1.400, kh2 = 1.0011). 400, kh2 =
1.046), and a complementary basic combination line (A23-B23-C) composed of seven line segments that are sequentially connected by line segments to a point G23 obtained by linearly complementing the value of kh3 with the point G3.
23-D23-E23-F23-G23), wherein kh2 is increased or decreased by +/- 10%.

【請求項６４】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、（１）ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１３２の範囲にあり、且
つ、（２）ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．７１３）で与
えられる点Ａ３と座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝
０．７５５）で与えられる点Ａ４との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ａ３４と、座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．７５８）で与
えられる点Ｂ３と座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝
０．８０３）で与えられる点Ｂ４との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｂ３４と、座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．７９０）で与
えられる点Ｃ３と座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝
０．８３７）で与えられる点Ｃ４との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｃ３４と、座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．８３２）で与
えられる点Ｄ３と座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝
０．８７７）で与えられる点Ｄ４との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｄ３４と、座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝０．８７９）で与
えられる点Ｅ３と座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝
０．９２２）で与えられる点Ｅ４との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｄ３４と、座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝０．９３０）で与
えられる点Ｆ３と座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝
０．９７２）で与えられる点Ｆ４との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｆ３４と、座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．０４６）で与
えられる点Ｇ３と座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝
１．０８３）で与えられる点Ｇ４との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｇ３４とを順に線分で結ぶ７本の
線分から成る補完基本組み合わせ線（Ａ３４-Ｂ３４-Ｃ
３４-Ｄ３４-Ｅ３４-Ｆ３４-Ｇ３４）に対してｋｈ２を
＋／− １０％で増減してなる範囲にあることを特徴と
する表面弾性波素子。64. (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the Z-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave is given by: (1) kh3 = 2π (t _A / λ) kh3 is in the range of 0.099 ≦ kh3 ≦ 0.132, and (2) kh1 and kh2 given by kh1 = 2π (t _Z / λ) and kh2 = 2π (t _S / λ) are horizontal. In a two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh1 is given on the axis and kh2 on the vertical axis, a point A3 given by coordinates (kh1 = 0.600, kh2 = 0.713) and a coordinate (kh1 = 0.600, kh2 =
0.755) and a point A34 obtained by linearly complementing the value of kh3 between a point A4 and a point B3 and coordinates (kh1 = 0.58) given by coordinates (kh1 = 0.800, kh2 = 0.758). 800, kh2 =
0.803) and a point B34 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between the point B4 and the point C3 and coordinates (kh1 = 0.990) given by the coordinates (kh1 = 0.900, kh2 = 0.790). 900, kh2 =
0.837) and a point C34 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between a point C4 and a point D3 and coordinates (kh1 = 1.00) given by coordinates (kh1 = 1.000, kh2 = 0.732). 000, kh2 =
0.877) and a point D34 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between the point D4 and the point E3 and coordinates (kh1 = 1.100) given by the coordinates (kh1 = 1.100, kh2 = 0.879). 100, kh2 =
0.922) and a point D34 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between a point E4 and a point F3 and coordinates (kh1 = 1.20) given by coordinates (kh1 = 1.200, kh2 = 0.930). 200, kh2 =
0.972) and a point F34 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between a point F4 and a point G3 and coordinates (kh1 = 1.400) given by coordinates (kh1 = 1.400, kh2 = 1.046). 400, kh2 =
1.083) and a complementary basic combination line (A34-B34-C) composed of seven line segments that sequentially connect a point G34 obtained by linearly complementing the value of kh3 between the point G4 and the point G34.
34-D34-E34-F34-G34), wherein kh2 is increased or decreased by +/- 10%.

【請求項６５】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、（１）ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１３２≦ｋｈ３≦０．１９８の範囲にあり、且
つ、（２）ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．７５５）で与
えられる点Ａ４と座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝
０．８３７）で与えられる点Ａ５との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ａ４５と、座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．８０３）で与
えられる点Ｂ４と座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝
０．８９７）で与えられる点Ｂ５との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｂ４５と、座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．８３７）で与
えられる点Ｃ４と座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝
０．９３３）で与えられる点Ｃ５との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｃ４５と、座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．８７７）で与
えられる点Ｄ４と座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝
０．９７３）で与えられる点Ｄ５との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｄ４５と、座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝０．９２２）で与
えられる点Ｅ４と座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝
１．０１７）で与えられる点Ｅ５との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｅ４５と、座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝０．９７２）で与
えられる点Ｆ４と座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝
１．０６３）で与えられる点Ｆ５との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｆ４５と、座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．０８３）で与
えられる点Ｇ４と座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝
１．１６７）で与えられる点Ｇ５との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｇ４５とを順に線分で結ぶ７本の
線分から成る補完基本組み合わせ線（Ａ４５-Ｂ４５-Ｃ
４５-Ｄ４５-Ｅ４５-Ｆ４５-Ｇ４５）に対してｋｈ２を
＋／− １０％で増減してなる範囲にあることを特徴と
する表面弾性波素子。65. (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the Z-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave is given by: (1) kh3 = 2π (t _A / λ) kh3 is in the range of 0.132 ≦ kh3 ≦ 0.198, and (2) kh1 and kh2 given by kh1 = 2π (t _Z / λ) and kh2 = 2π (t _S / λ) are horizontal. In a two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh1 is given on the axis and kh2 is given on the vertical axis, a point A4 given by coordinates (kh1 = 0.600, kh2 = 0.755) and a coordinate (kh1 = 0.600, kh2 =
0.837), a point A45 obtained by linearly complementing the value of kh3 with the point A5, a point B4 given by coordinates (kh1 = 0.800, kh2 = 0.803) and coordinates (kh1 = 0.03). 800, kh2 =
0.897) and a point B45 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between a point B5 and a point C4 and coordinates (kh1 = 0.00) given by coordinates (kh1 = 0.900, kh2 = 0.737). 900, kh2 =
0.933) and a point C45 that is linearly complemented with respect to the value of kh3 between a point C5 and a point D4 and coordinates (kh1 = 1.000) given by coordinates (kh1 = 1.000, kh2 = 0.877). 000, kh2 =
0.973) and a point D45 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between a point D5 and a point E4 and coordinates (kh1 = 1.100) given by coordinates (kh1 = 1.100, kh2 = 0.922). 100, kh2 =
1.017), a point E45 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between a point E5 and a point F4 and coordinates (kh1 = 1.20) given by coordinates (kh1 = 1.200, kh2 = 0.977). 200, kh2 =
1.063) and a point F45 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between the point F5 and the point G4 and coordinates (kh1 = 1.400) given by coordinates (kh1 = 1.400, kh2 = 1.0083). 400, kh2 =
1.167) A complementary basic combination line (A45-B45-C) composed of seven line segments that sequentially connect line G to the point G5 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between the point G5 and the point G45.
45-D45-E45-F45-G45), wherein kh2 is increased or decreased by +/- 10%.

【請求項６６】（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔ_Z を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるＺｎＯ層と、（ｉｉｉ）厚さｔ_A を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、（ｉｖ）厚さｔ_S を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ₂ 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λについて、（１）ｋｈ３＝２π（ｔ_A ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１９８≦ｋｈ３≦０．２６４の範囲にあり、且
つ、（２）ｋｈ１＝２π（ｔ_Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔ_S ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．８３７）で与
えられる点Ａ５と座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝
０．９１４）で与えられる点Ａ６との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ａ５６と、座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．８９７）で与
えられる点Ｂ５と座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝
０．９８９）で与えられる点Ｂ６との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｂ５６と、座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．９３３）で与
えられる点Ｃ５と座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝
１．０２９）で与えられる点Ｃ６との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｃ５６と、座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．９７３）で与
えられる点Ｄ５と座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝
１．０６９）で与えられる点Ｄ６との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｄ５６と、座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝１．０１７）で与
えられる点Ｅ５と座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝
１．１１１）で与えられる点Ｅ６との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｅ５６と、座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝１．０６３）で与
えられる点Ｆ５と座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝
１．１５６）で与えられる点Ｆ６との間をｋｈ３の値に
ついて線形補完した点Ｆ５６と、座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．１６７）で与
えられる点Ｇ５と座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝
１．２５７）で与えられる点Ｇ６との間を線形補完した
点Ｇ５６とを順に線分で結ぶ７本の線分から成る補完基
本組み合わせ線（Ａ５６-Ｂ５６-Ｃ５６-Ｄ５６-Ｅ５６
-Ｆ５６-Ｇ５６）に対してｋｈ２を＋／− １０％で増
減してなる範囲にあることを特徴とする表面弾性波素
子。66. (i) a diamond layer; (ii) a ZnO layer having a thickness t _Z and disposed on the diamond layer; and (iii) a ZnO layer having a thickness t _A. A comb-shaped electrode for excitation and reception of surface acoustic waves, which is disposed on the Z-shaped electrode; and (iv) a thickness t _S covering the comb-shaped electrode.
and a SiO ₂ layer disposed on the nO layer, wherein the wavelength λ of the second-order mode surface acoustic wave is given by: (1) kh3 = 2π (t _A / λ) kh3 is in the range of 0.198 ≦ kh3 ≦ 0.264, and (2) kh1 and kh2 given by kh1 = 2π (t _Z / λ) and kh2 = 2π (t _S / λ) are horizontal. In a two-dimensional orthogonal coordinate graph in which kh1 is given to the axis and kh2 is given to the vertical axis, a point A5 given by coordinates (kh1 = 0.600, kh2 = 0.737) and coordinates (kh1 = 0.600, kh2 =
0.914) and a point A56 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between a point A6 and a point B5 and coordinates (kh1 = 0.00) given by coordinates (kh1 = 0.800, kh2 = 0.797). 800, kh2 =
0.989) and a point B56 linearly complemented with respect to the value of kh3 between the point B6 and the point C5 and coordinates (kh1 = 0.933) given by the coordinates (kh1 = 0.900, kh2 = 0.933). 900, kh2 =
1.029) and a point C56 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between the point C6 and the point C5, and a point D5 and coordinates (kh1 = 1. 000, kh2 =
1.069), a point D56 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between the point D6 and the point E5 and coordinates (kh1 = 1.100) given by coordinates (kh1 = 1.100, kh2 = 1.017). 100, kh2 =
1.11), a point E56 obtained by linearly interpolating the value of kh3 between the point E6 and the point F5 and the coordinates (kh1 = 1.20) given by the coordinates (kh1 = 1.200, kh2 = 1.0063). 200, kh2 =
1.156), a point F56 obtained by linearly interpolating a value of kh3 between a point F6 and a point G5 and coordinates (kh1 = 1.400) given by coordinates (kh1 = 1.400, kh2 = 1.167). 400, kh2 =
1.257) A complementary basic combination line (A56-B56-C56-D56-E56) consisting of seven line segments connecting the point G6 obtained by linearly interpolating the point G6 with the point G56.
-F56-G56), wherein kh2 is increased or decreased by +/- 10%.

【請求項６７】前記櫛型電極が、電力を印加して弾性
波を励振させる入力櫛形電極と該弾性波を受信して電力
を取り出す出力櫛形電極とを備え、前記入力櫛型電極の対数Ｎｉと前記出力櫛型電極の対数
Ｎｏの合計Ｎが、５０〜９０対であり、前記入力櫛形電極及び前記出力櫛形電極の交差幅がそれ
ぞれ、前記波長λに対して、１０λ〜５０λの範囲にあ
ることを特徴とする請求項１、３又は５６〜６６のいず
れかに記載の表面弾性波素子。67. The comb-shaped electrode comprises: an input comb-shaped electrode for applying electric power to excite an elastic wave; and an output comb-shaped electrode for receiving the elastic wave and extracting electric power, and a logarithm Ni of the input comb-shaped electrode. And the total number N of the logarithms No of the output comb electrodes is 50 to 90 pairs, and the intersection width of the input comb electrodes and the output comb electrodes is in the range of 10λ to 50λ with respect to the wavelength λ. The surface acoustic wave device according to any one of claims 1, 3 and 56 to 66.

【請求項６８】前記表面弾性波素子が、該弾性波の伝
搬方向に対して前記入力櫛形電極と前記出力櫛形電極を
挟むように配置された少なくとも２つの反射器電極を更
に備え、前記反射器電極の本数の合計が、２ｘ（１００
−Ｎ）以下であることを特徴とする請求項１、３又は５
６〜６７のいずれかに記載の表面弾性波素子。68. The surface acoustic wave device further comprises at least two reflector electrodes arranged so as to sandwich the input comb electrode and the output comb electrode in the propagation direction of the acoustic wave, The total number of electrodes is 2 × (100
-N) The following is true:
67. The surface acoustic wave device according to any one of 6 to 67.

【請求項６９】該２次モードの表面弾性波の該波長λ
が、約３．２〜約４．５μｍであることを特徴とする請
求項６７又は６８のいずれかに記載の表面弾性波素子。69. The wavelength λ of the surface acoustic wave in the second mode
The surface acoustic wave device according to any one of claims 67 and 68, wherein is about 3.2 to about 4.5 µm.

【請求項７０】透過特性においてＱ値≧６００である
ことを特徴とする請求項６７又は６８のいずれかに記載
の表面弾性波素子。70. The surface acoustic wave device according to claim 67, wherein Q value ≧ 600 in transmission characteristics.

【請求項７１】約２．４〜約２．６ＧＨｚの動作中心
周波数を有する請求項６７又は６８のいずれかに記載の
表面弾性波素子。71. The surface acoustic wave device according to claim 67, having an operating center frequency of about 2.4 to about 2.6 GHz.

【請求項７２】透過損失が約６〜１０ｄＢであること
を特徴とする請求項６７又は６８のいずれかに記載の表
面弾性波素子。72. The surface acoustic wave device according to claim 67, wherein a transmission loss is about 6 to 10 dB.