JP3361598B2 - 記憶装置のバイアス磁界印加方法 - Google Patents

記憶装置のバイアス磁界印加方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク装置等
の記憶装置のバイアス磁界印加方法に関する。また、本
発明では前記記憶装置の記憶媒体として、カード状、或
いはテープ状のものが使用可能である。更に、本発明で
は、上位装置（パソコン、オフィスコンピュータ等）に
前記記憶装置を接続してシステムを構成する。
【０００２】例えば、光ディスク（媒体）には、再生専
用型、一度だけ記録可能な追記型、及び書き換え可能型
が知られている。この内、本発明では、前記書き換え可
能型の媒体である、光磁気ディスクを使用する光磁気デ
ィスク装置のバイアス磁界印加方法に関するものであ
る。
【０００３】前記光磁気ディスクでは、データの再生
（以下「読み出し」とも記す）を行う際、レーザ光を光
磁気ディスク上に照射して再生し、データの記録（以下
「書き込み」とも記す）、或いは消去を行う際は、レー
ザ光を光磁気ディスク上に照射すると同時に、バイアス
磁界を印加する。
【０００４】この場合、データの記録時には、媒体面に
対して、垂直なバイアス磁界を印加し、データの消去時
には、前記記録時とは逆極性の垂直なバイアス磁界を印
加する。
【０００５】そして、データの書き込み時には、データ
の書き込みを実施する前に、書き込みを指定された媒体
の領域に対して消去処理を実行し、その後、前記指定さ
れた領域にデータを書き込む（消去→書き込み→ベリフ
ァイの順）必要があり、これに伴って、前記バイアス磁
界の切り換えを行うことが必要である。
【０００６】しかし、このバイアス磁界の切り換えに時
間がかかるため、全体の処理時間が遅くなっており、こ
の処理時間の短縮化が要望されていた。
【０００７】
【従来の技術】図２１は従来の光ディスクの記録原理説
明図であり、図２１中、１は光磁気ディスク（媒体）、
２はバイアス磁石、３はバイアス制御部、４はレーザダ
イオード、５はレーザダイオード制御部を示す。
【０００８】§１：光磁気ディスクの記録／再生の説明 前記のように、光磁気ディスクは、書き換え可能型の媒
体である。すなわち、光磁気ディスク装置において、そ
の媒体である光磁気ディスクに対し、データの記録（書
き込み）、再生（読み出し）、及び消去が可能であり、
これらの処理は次の通りである。
【０００９】例えば、キューリ点記録方法とよばれてい
る方法では、次のようにしてデータの記録を行う。一般
に、強磁性体では、温度が上昇すると保磁力が低下し、
キューリ点温度まで温度が上昇すると、保磁力は０とな
って常磁性となる性質がある。
【００１０】そこで、レーザ光の照射により、光磁気デ
ィスク（媒体）の温度を上げ、外部からバイアス磁界を
印加すると、レーザ光で照射した部分の磁化は、前記バ
イアス磁界の方向に向く。
【００１１】そして、レーザ光の照射を止めて、媒体の
温度が低下しても前記磁化方向は変化しない。この場
合、前記レーザ光の照射された部分をピットと呼び、該
ピット内の磁化方向によって、データの「１」、「０」
を書き込む（記録する）。
【００１２】そして、媒体に対し、レーザ光を照射する
と同時に、該媒体面に対して垂直方向の磁化を形成し、
データを書き込む。また、記録されたデータを読み出す
場合は、データ書き込み時よりも弱いパワーのレーザ光
を照射することにより行う。但し、データの読み出し時
には、バイアス磁界の印加は不要である（バイアス磁界
が印加されていても差し支えはない）。
【００１３】更に、記録されたデータの消去を行う場合
には、前記書き込み時と逆極性のバイアス磁界を媒体に
印加しながら、書き込み時と同程度のパワーを有するレ
ーザ光を照射し、全てのピットの磁化を一方向に揃える
ことによって行う。
【００１４】以上のことを表にまとめると、表１のよう
になる。表１において、「バイアス磁界」は媒体に印加
するバイアス磁界であり、「ＬＤパワー」はレーザダイ
オードから出力されるレーザ光のパワーである。
【００１５】 §２：光磁気ディスク装置と、光磁気ディスクへの記録
原理の説明・・・図２１参照 前記のように、光磁気ディスク装置では、媒体に対し、
データの読み出し、書き込み、及び消去を行うことがで
きる。
【００１６】このため、光磁気ディスク装置には、レー
ザダイオード（ＬＤ）４と、レーザダイオード４を制御
するためのレーザダイオード制御部５と、媒体にバイア
ス磁界を印加するためのバイアス磁石２と、バイアス磁
石２の制御を行うバイアス制御部３等が設けてある。
【００１７】バイアス磁界の制御は、バイアス制御部３
がバイアス磁石２を制御することで行い、レーザビーム
の照射制御、或いはレーザパワーの制御は、レーザダイ
オード制御部５が、レーザダイオード４を制御すること
で行う。
【００１８】そして、データの読み出しを行う際は、レ
ーザ光を媒体に照射して読み出し、データの書き込み、
或いは消去を行う際は、レーザ光を媒体に照射すると同
時に、バイアス磁石２によりバイアス磁界（表１参照）
を印加することで行う。
【００１９】ところで、光磁気ディスク装置では、新し
いデータを媒体に書き込むためには、媒体に対し、消去
→書き込み→ベリファイ（読み出し））の３つのシーケ
ンスが必要である。
【００２０】そして、消去時には、バイアス磁界を消去
用の極性にし、書き込み時にはバイアス磁界を書き込み
用の極性にする必要がある。なお、データの読み出し時
には、バイアス磁界は不要である。
【００２１】前記バイアス磁界を発生する手段として
は、永久磁石を用いる場合と、電磁石を用いる場合の２
種類がある。また、バイアス磁界の極性を反転させる方
法としては、永久磁石を用いる場合は、物理的に永久磁
石の位置を移動させることでバイアス磁石の極性を切り
換えるが、電磁石を用いる場合は、電流の方向を制御す
ることでバイアス磁石の極性を切り換える。
【００２２】この場合、光ディスク装置等に使用される
記録媒体は、セクタ単位やブロック単位で消去、書き込
みが行われるので、頻繁にバイアス磁石の極性を換える
必要がある。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】前記のような従来のも
のにおいては、次のような課題があった。 (1) ：書き込みデータをバッファメモリに転送する処理
は、一般に光磁気ディスク装置の実動作時間に比べて極
僅かである。また、連続した領域に次々とライトコマン
ドが発行されるような場合は、ヘッドの移動量が少ない
ので、ヘッドの位置づけ処理時間は極僅かである。
【００２４】しかし、バイアス磁石のバイアスセットア
ップ時間はヘッドの位置によらず一定であり、最も時間
のかかる処理である。従って、データの書き込みを実施
する前に、書き込みを指定された媒体の領域に対して消
去処理を実行し、その後、前記指定された領域にデータ
を書き込む（消去→書き込み→ベリファイの順）場合、
消去するための位置づけ処理が間に合っているにもかか
わらず、バイアス磁石の移動が終了していないために、
消去処理ができない場合が発生する。このため、余計な
回転待ちが多くなり、書き込み処理が遅くなる。
【００２５】特に、永久磁石の移動時間は一定のまま回
転待ちが生じるのは、スピンドルモータの回転が高速化
したためである。 (2) ：上位装置から指示されるデータブロック数によっ
ては、「消去／書き込み／ベリファイ時間＋バイアスセ
ットアップ時間」が、媒体の一回転時間を少しオーバー
する状態になることがある。
【００２６】その場合、連続した媒体の領域に、次々に
コマンドが発行されるようなケースでは、前記のよう
に、消去するための位置づけ処理が間に合っているにも
関わらず、バイアス磁石の移動処理が間に合っていない
ため、余計な回転待ちが発生することになる。特に永久
磁石の移動時間は一定のまま回転待ちが生じるのは、ス
ピンドルモータの回転が高速化したためである。
【００２７】(3) ：前記の理由により、全体として、処
理時間が長くなり、書き込み処理のスループットが低下
する。本発明は、記憶装置において、バイアス磁界のセ
ットアップを効率的に行うことにより、書き込み処理の
高速化を図ることを目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図であり、Ａ図は装置構成、Ｂ図はバイアス磁界を示
す。図１中、１は光磁気ディスク（媒体）、６は制御
部、２６はポジショナ、４１はバッファメモリ、４７は
位置づけ制御部、４９はバイアス印加部、５０はヘッド
を示す。
【００２９】本発明は、上位装置（ホスト）に接続され
た記憶装置ににおいて、以下のように構成した。本発明
の記憶装置、例えば、光磁気ディスク装置には、装置内
の各種制御を行う制御部６、ヘッド５０、上位装置から
書き込みを指示されたデータ（データブロック）を格納
するバッファメモリ４１、ヘッドを目的のブロックに位
置づけする位置づけ手段（位置づけ制御部４７、ポジシ
ョナ２６）、データの消去及び書き込みの際に、媒体に
対して異なる極性のバイアス磁界を印加するバイアス印
加部４９等を設けた。
【００３０】そして、光磁気ディスク装置では、データ
の書き込み処理を実行する前に、書き込みを指定された
媒体上の領域に対して消去処理を実行し、その後、前記
指定領域に対してバッファメモリ４１から読み出したデ
ータ（データブロック）を書き込むように制御を行う。
【００３１】すなわち、媒体にデータ（データブロッ
ク）を書き込む場合、先ず、消去処理を行い、その後書
き込み処理を行い、最後にベリファイを行う（消去→書
き込み→ベリファイの順）。
【００３２】これらの処理を行う場合、バイアス印加部
４９では、制御部６からの制御信号により、媒体に対
し、消去処理時には消去用の極性のバイアス磁界を印加
し、書き込み時には書き込み用の極性のバイアス磁界を
印加する。また、制御部６からバイアス磁界を停止する
制御信号が出力された場合には、バイアス印加部４９で
は、媒体へのバイアス磁界の印加を停止するようにし
た。本発明のバイアス磁界印加方法は次の通りである。 (1) ：データ消去用の極性のバイアス磁界とデータ書き
込み用の極性のバイアス磁界とを切り換えて記録媒体に
対してバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加手段を
備え、データを前記記録媒体の所定領域に記録する際
に、データ消去用のバイアス磁界を記録媒体に対して印
加して、前記所定領域のデータの消去処理を行った後、
データ書き込み用のバイアス磁界に切り換えて、前記所
定領域にデータの書き込み処理を行う記憶装置のバイア
ス磁界印加方法において、前記バイアス磁界印加手段
は、データ書き込み処理終了後、直ちにバイアス磁界の
極性をデータ消去用に切り換え、データ消去用のバイア
ス磁界を記録媒体に印加するように制御し、前記書き込
み処理終了後、予め設定された一定時間以上、上位装置
からのコマンドを受領しない場合、前記バイアス磁界印
加手段は、バイアス磁界の印加を停止するようにした。 (2) ：データ消去用の極性のバイアス磁界とデータ書き
込み用の極性のバイアス磁界とを切り換えて記録媒体に
対してバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加手段を
備え、データを前記記録媒体の所定領域に記録する際
に、データ消去用のバイアス磁界を記録媒体に対して印
加して、前記所定領域のデータの消去処理を行った後、
データ書き込み用のバイアス磁界に切り換えて、前記所
定領域にデータの書き込み処理を行う記憶装置のバイア
ス磁界印加方法において、前記バイアス磁界印加手段
は、データ書き込み処理終了後、直ちにバイアス磁界の
極性をデータ消去用に切り換え、データ消去用のバイア
ス磁界を記録媒体に印加するように制御し、前記書き込
み処理終了後、上位装置からデータの読み取りを依頼す
るリードコマンドを受領した場合、前記バイアス磁界印
加手段は、バイアス磁界の印加を停止するようにした。 (3) ：前記(2) のバイアス磁界印加方法において、バイ
アス磁界の印加を停止する際、前記記憶装置は、バイア
ス磁界の制御情報を装置内部に記憶しておき、データ読
み取り終了後、前記記憶してある制御情報に基づき、バ
イアス磁界の印加状態を、前記リードコマンド受領前の
状態にするようにした。なお、前記「データ読み取り終
了後」は、上位装置に対してリードコマンドの終了報告
を行った時、データ読み取り終了直後、リードコマンド
によるデータ読み取り処理開始時から所定時間経過した
時、前記データ読み取り終了後に上位装置からコマンド
を受領した時、のいずれかの時をいう。
【００３３】
【作用】前記構成に基づく本発明の作用を、図１に基づ
いて説明する。記憶装置、例えば、光磁気ディスク装置
では、上位装置からライトコマンドを受領すると、制御
部６が位置づけ制御部４７に指示を出し、該位置づけ制
御部４７の制御で、目的位置（目的ブロック）へのヘッ
ド５０の位置づけを行う。
【００３４】一方、上位装置から転送されたデータ（複
数のデータブロック）は、一度バッファメモリ４１に格
納され、その後バッファメモリ４１からヘッド５０へ送
られ、媒体に書き込まれる。
【００３５】この場合、前記媒体１へのデータの書き込
みを実施する前に、上位装置から書き込みを指定された
媒体の領域に対して消去処理を実施し、その後、前記コ
マンドで指定された領域にデータを書き込み、更にその
後、書き込んだデータを読み出してベリファイを行う。
【００３６】前記処理を行う際、ＭＰＵ４４では、バイ
アス印加部４９に制御信号を送り、バイアス磁界を切り
換える。そして、書き込み処理の直後に、バイアス磁石
を消去バイアス状態へ移動させ、次の処理のために、そ
れ以降も消去バイアス状態を維持するように制御を行
う。
【００３７】このようにすると、待機状態でのバイアス
磁界は、消去状態となっているから、次の消去時には回
転待ちすることなく、ヘッドの位置づけが完了した時点
で直ちに消去を行うことが可能となる。
【００３８】しかし、書き込み処理の後に、次の消去処
理のためにバイアス磁界を消去バイアス状態にし、それ
以降も消去バイアス状態を維持すると、消費電流の増大
を招く。
【００３９】そこで、消去バイアス状態を維持している
状態で、上位装置からのアクセスが無く、一定時間ｔ１
が経過した場合、或いはリードコマンドを受領した場合
に、バイアス磁界の制御を停止することで、消費電流の
増大を最小限に抑える。
【００４０】また、前記リードコマンドの受領を契機と
して、バイアス磁界の制御を停止した場合、バイアス磁
界の制御の再スタートは、：リードコマンドの終了報
告を行った後、：リードコマンドによるデータ読み取
り処理終了直後、：リードコマンドによるデータ読み
取り処理開始時から、所定時間（Ｔｄ）経過した時、
：上位装置からコマンドを受領した時のいずれかを契
機として行う。
【００４１】このバイアス磁界の制御の再スタートを行
うために、前記バイアス磁界の印加を停止する際、バイ
アス磁界の制御情報（極性等の情報）を装置内部に保存
（メモリに保存）しておく。
【００４２】そして、バイアス磁界の制御を再スタート
させる時は、前記保存情報を読み出すことにより、バイ
アス磁界の印加状態を、前記リードコマンド受領前の状
態に戻す。
【００４３】以上のようにすれば、消去処理のためにバ
イアス磁石をセットアップする処理が、他の処理と並行
して行える。従って、次の消去処理では、バイアス磁石
のセットアップをしなくてすむため、直ちに消去を行う
ことが可能である。このため、書き込み処理時間が大幅
に短縮可能である。
【００４４】また、前記のような契機でバイアスの印加
を停止させ、その後再スタートを行うことにより、消費
電流の増大も最小限に抑えることが可能となる。特に、
本発明は、ディスク装置に適用すると、回転待ちを減ら
すことができる。
【００４５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図２〜図１９は、本発明の実施例を示した図であ
り、図２〜図１９中、８はフレーム、９はフロントパネ
ル、１０はトップカバー、１１はＳＣＳＩ（Small Comp
uter Systems Interface）コネクタ、１２は媒体投入
口、１４は固定光学部、１５は可動光学部、１６はスピ
ンドルモータユニット、１７はプリント板、１９はイジ
ェクトスイッチ、２０はイジェクトモータ、２２はバイ
アスコイル、２３はストッパ、２４はシャッタ開閉アー
ム、２６はポジショナ、２７はコネクタ、２８はレー
ル、２９はレンズアクチュエータ、３０は磁気回路、３
１は受光素子、３２はレーザダイオードユニット、３３
は対物レンズ、３４は板バネ、３５はリード線、３６は
支持部、４０はインターフェース制御部、４１はバッフ
ァメモリ、４２はバッファ制御部、４３はリード／ライ
ト処理部、４４はＭＰＵ（マイクロプロセッサ）、４５
はＲＡＭ（Random Access Memory）、４６はタイマ、４
７は位置づけ制御部、４８は情報設定部、４９はバイア
ス印加部、５０はヘッド（光学ヘッド）、５１はＥ2 Ｐ
ＲＯＭ（Electrically Erasable ProgrammableRead
Only Memory）、５２はポジショナ、５４、５６は駆動
回路、ＰＭは永久磁石、ＥＭは電磁石を示す。
【００４６】§１：光磁気ディスク装置の機構部の説明
・・・図２〜図７参照 図２は、光磁気ディスク装置の外観図（装置前面側から
見た斜視図）、図３は光磁気ディスク装置の一部切断
図、図４は光磁気ディスク装置内部の斜視図、図５は光
学系の斜視図、図６はバイアス機構の平面図、図７はバ
イアス機構の拡大図である。
【００４７】以下の実施例は、記憶装置として、光ディ
スク装置に適用した例であり、光ディスク装置は上位装
置（パソコン、オフィスコンピュータ等）に接続してシ
ステムを構成する。
【００４８】以下、図２〜図７に基づいて、本実施例で
使用する光磁気ディスク装置の機構部を説明する。図２
に示したように、光磁気ディスク装置を前面側から見る
と、側面側にはフレーム８が設けてあり、該フレーム８
の上側には、トップカバー１０が設けてあり、前面側に
は、フロントパネル９が設けてある。
【００４９】また、後面側（フロントパネル９の反対
側）には、ＳＣＳＩコネクタ（インターフェース用コネ
クタ）１１が設けてある。そして、該フロントパネル９
側には媒体投入口１２が設けてあり、この媒体投入口１
２から光磁気ディスク（媒体）を投入したり、排出した
りするようになっている。
【００５０】図３に示したように、光磁気ディスク装置
の内部には、固定光学部１４、可動光学部１５、スピン
ドルモータユニット１６等が収納されている。前記トッ
プカバー１０を取り去ると、図４に示した構造になって
いる。
【００５１】すなわち、トップカバー１０の直ぐ下側に
は、図４のＡ図に示したプリント板（ＬＳＩ等の部品が
搭載されている）１７が配置されており、このプリント
板１７の下側には、図４のＢ図に示した機構部がある。
【００５２】この機構部の上側（プリント板１７側）に
は、バイアス磁石（永久磁石）２等からなるバイアス機
構、シャッタ開閉アーム２４等が設けてある。また、イ
ジェクトスイッチ１９、イジェクトモータ２０等が設け
てある。なお、バイアス磁石２の下側は、媒体が挿入さ
れる媒体挿入部となっており、更にその下側には可動光
学部１５等が設けてある。
【００５３】前記イジェクトモータ２０は、媒体のイジ
ェクト（排出）時に使用するものであり、イジェクトス
イッチ１９は、媒体をイジェクトする際に操作するもの
である。
【００５４】前記固定光学部１４と可動光学部１５から
なるヘッドの光学系は、図５に示した構造となってい
る。可動光学部１５には、対物レンズ３３や、レンズア
クチュエータ２９等が設けてあり、ポジショナ２６の駆
動により、レール２８に沿って媒体の半径方向に移動で
きるようになっている。
【００５５】また、固定光学部１４は、前記可動光学部
１５に設けた光学系を除く、他の光学系、例えば、受光
素子３１、レーザダイオードユニット３２や、コネクタ
２７等を備えている。
【００５６】このような構造の光学ヘッドでは、レーザ
ダイオードユニット３２から照射されたレーザ光（レー
ザビーム）は、固定光学部１４内の光学系を通過し、そ
の後、可動光学部１５内の光学系を通り、対物レンズ３
３から媒体１へ照射される。
【００５７】また、媒体１で反射したレーザ光は、前記
と逆の経路を通り、例えば、受光素子３１で受光され
る。光磁気ディスク装置におけるバイアス機構は、図４
に示してあるが、このバイアス機構を内側（媒体挿入部
側）から見ると、図６のようになっている。
【００５８】図６に示したように、バイアス機構は、バ
イアス磁石２、バイアスコイル２２、ストッパ２３等で
構成されている。このバイアス機構は、媒体に対して、
前記光学系と反対側に配置されており、バイアス磁石
（永久磁石）２は、その長手方向を媒体の半径方向にし
て配置されている。
【００５９】また、前記バイアス機構の周辺には、シャ
ッタ開閉アーム２４が設けてあり、媒体に設けたシャッ
タ（光磁気ディスクのシャッタ）を開閉するように構成
されている。
【００６０】前記バイアス機構を拡大すると図７のよう
になる。バイアス機構には、前記バイアス磁石（永久磁
石）２、バイアスコイル２２、ストッパ２３の外に、板
バネ３４、リード線３５、支持部３６等が設けてある。
【００６１】このバイアス機構では、前記バイアス磁石
２は板バネ３４に固定されて支持されており、図の左側
Ｌ方向と右側方向Ｒへ移動できるようになっている。ま
た、バイアスコイル２２は、バイアス磁石２を前記Ｌ、
及びＲ方向に駆動するためのコイルであり、バイアス磁
石２の下方の微小距離離れた位置に配置され、リード線
３５を介してＭＰＵからの命令を基に駆動される。
【００６２】前記バイアス磁石２を駆動する際は、バイ
アスコイル２２に電流を流すと、その電流の方向によ
り、バイアスコイル２２とバイアス磁石２の間に発生す
る電磁力により、前記Ｌ、或いはＲ方向に移動（スライ
ド）し、ストッパ２３に押しつけられる。
【００６３】そして、ストッパに押しつけられた状態
で、バイアス磁石２の長手方向が、媒体の半径方向と並
行した状態で停止するようになっている。この場合、バ
イアス磁石（永久磁石）２は、長手方向に２分されてい
て、その片方が書き込み時の極性（例えば、図７の左側
半分）、他方が消去時の極性（例えば、図７の右側半
分）に着磁されている。
【００６４】そして、例えば、媒体へのデータの書き込
み時には、バイアスコイル２２に電流を流して、磁界を
形成することにより、バイアス磁石２を図７のＲ方向へ
移動させ、消去時には、バイアスコイル２２に逆方向の
電流を流して、図７のＬ方向へ移動させる。
【００６５】§２：バイアス機構の動作の説明・・・図
８参照 図８はバイアス機構の動作説明図である。以下、図８に
基づいて、バイアス機構の動作を説明する。
【００６６】図８では、図７に示したバイアス機構の動
作時の状態を図示してあり、Ａ図は停止時（バイアスコ
イルに電流を流していない状態）、Ｂ図は消去時、Ｃ図
は書き込み時の状態である。
【００６７】前記のように、バイアス磁石（永久磁石）
２は、長手方向に２分されていて、その片方の磁石２ａ
が書き込み極性、他方の磁石２ｂが消去極性に着磁され
ている。
【００６８】そして、書き込み、及び消去を行う時に
は、図７に示したバイアスコイル２２に電流を流すこと
により、バイアス磁石２を駆動して移動させ、媒体に対
し、それぞれの処理に合った極性のバイアス磁界を印加
する。また、ベリファイ（読み出し）処理の場合は、バ
イアス磁界の印加は不要であるが、バイアスが印加され
ていても差し支えない。
【００６９】Ａ図に示した停止時は、前記バイアスコイ
ル２２に電流を流していない状態（停止状態）であり、
バイアス磁石２は、板バネ３４の復帰力により、両側の
ストッパ２３の略中央部に戻されている。この状態で
は、媒体に照射されるレーザ光の位置（バイアス磁石に
対し、媒体の反対側から照射される）は、磁石２ａ、２
ｂの境界領域となっている。
【００７０】Ｂ図に示した消去時は、バイアスコイル２
２に、消去時の駆動電流を流している状態（消去状態）
であり、バイアス磁石２は、Ｌ方向に移動し、片方のス
トッパ２３に押し当てられている。
【００７１】この状態では、磁石２ｂが、媒体に照射さ
れるレーザ光の位置と向かい合った状態であり、前記磁
石２ｂにより、媒体に対し消去時の極性のバイアス磁界
を印加している。
【００７２】Ｃ図に示した書き込み時は、バイアスコイ
ル２２に、書き込み時の駆動電流を流している状態（書
き込み状態）であり、バイアス磁石２は、Ｒ方向に移動
し、他方のストッパ２３に押し当てられている。
【００７３】この状態では、磁石２ａが、媒体に照射さ
れるレーザ光の位置と向かい合った状態であり、前記磁
石２ａにより、媒体に対し書き込み時の極性のバイアス
磁界を印加している。
【００７４】前記のように、Ｂ図、及びＣ図の状態では
バイアスコイル２２に電流を流しているが、これらの状
態から、バイアスコイル２２の電流を停止する（駆動電
流をオフにする）と、板バネ３４の復帰力によりＡ図の
状態になる。
【００７５】§３：バイアス印加部の説明・・・図９参
照 図９はバイアス印加部の説明図であり、Ａ図は永久磁石
使用、Ｂ図は電磁石使用の例である。
【００７６】光磁気ディスクにバイアス磁界を印加する
手段として、永久磁石を使用する場合と、電磁石を使用
する場合がある。永久磁石を使用する場合は、Ａ図に示
したように、バイアス印加部４９に、バイアスコイル２
２と、駆動回路５４と、永久磁石ＰＭ（図８のバイアス
磁石２と同じ）を設ける。そして、駆動回路５４により
バイアスコイル２２に流す電流を制御することにより、
永久磁石５６を書き込み側、或いは消去側に移動させる
（図８参照）。
【００７７】また、バイアス磁石として電磁石を用いた
場合は、Ｂ図に示したように、バイアス印加部４９に、
電磁石ＥＭと、駆動回路５６を設ける。そして、駆動回
路５６により電磁石ＥＭに流す電流を制御することによ
り、書き込み用のバイアスと消去用のバイアスとに切り
換える。
【００７８】§４：ブロック図による光磁気ディスク装
置の構成説明・・・図１０参照 図１０は光磁気ディスク装置のブロック図である。以
下、図１０に基づいて、光磁気ディスク装置の構成を説
明する。
【００７９】図１０に示したように、光磁気ディスク装
置には、スピンドルモータユニット１６、インターフェ
ース制御部４０、バッファメモリ４１、バッファ制御部
４２、リード／ライト処理部４３、ＭＰＵ（マイクロプ
ロセッサ）４４、ＲＡＭ４５、タイマ４６、位置づけ制
御部４７、ポジショナ２６、情報設定部４８、バイアス
印加部４９、ヘッド５０、Ｅ2 ＰＲＯＭ５１等が設けて
ある。
【００８０】前記各部は次の通りである。 (1) ：スピンドルモータユニット１６は、光磁気ディス
ク（媒体）を回転させる機構である。
【００８１】(2) ：インターフェース制御部４０は、上
位装置（ホストコンピュータ）との間の各種インターフ
ェース制御を行うものである。 (3) ：バッファメモリ４１は、転送データを一時格納す
るものであり、例えば、上位装置から書き込みを指示さ
れた複数のデータブロックを一時格納するものである。
【００８２】(4) ：バッファ制御部４２は、ＭＰＵ４４
の指示により、バッファメモリ４１に対してデータの書
き込み、及び読み出し等の制御を行うものである。 (5) ：リード／ライト処理部（Ｒ／Ｗ処理部）４３は、
媒体にデータを書き込む際の各種処理（フォーマット処
理等）を行ったり、媒体から読み出したデータの各種処
理を行うものである。
【００８３】(6) ：ＭＰＵ（マイクロプロセッサ）４４
は、光磁気ディスク装置の各種制御を行うものである。 (7) ：ＲＡＭ４５は、ＭＰＵ４４がアクセスするメモリ
であり、ＭＰＵ４４がワーク用として使用する。例え
ば、ＭＰＵ４４が消去状態になっているバイアス磁石を
停止させる場合、該バイアス磁石の制御情報（極性情報
等）を格納しておく。
【００８４】また、ＭＰＵ４４では、リードコマンドを
受領した時、リード処理開始から、バイアス制御の再ス
タートまでの時間Ｔｄを計算で求め、このデータもＲＡ
Ｍ４５に格納しておく（これらの処理は後述する）。
【００８５】(8) ：タイマ４６はＭＰＵ４４の制御によ
り、時間の計測を行うものである。この場合、ＭＰＵ４
４がスタート指示を行うと、該タイマ４６では時間の計
測を開始し、ＭＰＵ４４がリセット指示を行うと、該タ
イマ４６は時間の計測を停止する。
【００８６】ＭＰＵ４４では、このタイマ４６を制御
し、時間計測を行っている時のタイマ値を読み取ること
により、時間の経過を監視することができる。 (9) ：位置づけ制御部４７は、ＭＰＵ４４の指示によ
り、ポジショナ２６を駆動制御して、ヘッド５０を媒体
の目的位置（目的ブロック）に位置づけする制御を行う
ものである。
【００８７】(10)：情報設定部４８は、ディップスイッ
チ、各種設定スイッチ等で構成されている。この情報設
定部４８では、例えば、監視時間ｔ１の入力、装置固有
のモード切り換え、インターフェース（ＳＣＳＩ）のコ
ード設定等を行う。
【００８８】(11)：バイアス印加部４９は、図６〜図８
に示したバイアス機構とその制御部で構成されている。
なお、このバイアス印加部４９に電磁石を使用する場合
は、電磁石とその電流制御機構等で構成される。
【００８９】そして、前記バイアス印加部４９では、Ｍ
ＰＵ４４からの制御信号（切り換え信号等）に基づい
て、バイアス磁石を消去状態、書き込み状態、停止状態
に切り換える。
【００９０】(12)：ヘッド５０は、媒体１に対し、レー
ザ光を照射したり、媒体からのレーザ光の反射光を受光
したりするものである。なお、この例では、ヘッド５０
は、図５に示した可動光学部１５と、固定光学部１４に
対応しており、ポジショナ２６を除いた部分である。
【００９１】(13)：Ｅ2 ＰＲＯＭ５１は、ＭＰＵ４４が
アクセスする書き込み可能な不揮発性メモリである。こ
のＥ2 ＰＲＯＭ５１には、予め、各種のデータを格納し
ておき、必要に応じてＭＰＵ４４が読み出して使用す
る。また、上位装置からコマンドで指示された情報等も
このメモリに格納しておく。
【００９２】Ｅ2 ＰＲＯＭ５１に格納しておくデータと
しては、監視時間ｔ１、バイアス移動時間Ｔｂ、データ
リード転送速度Ｘｒ（バイト／秒）、データ読み取り終
了から、終了報告完了までの予想時間Ｔｔ（秒）、セク
タ長Ｓｅ＝５１２バイト等のデータ（これらのデータに
ついては後述する）である。
【００９３】また、情報設定部４８から入力した各種デ
ータや、上位装置から、例えば、モードセレクトコマン
ドで送られてきた各種情報も格納しておく。 §５：光磁気ディスク装置の動作、及び各種処理の説明
・・・図１０参照 (1) ：ライトコマンド受領時の動作説明 上位装置がコマンドを発行し、このコマンドを光磁気デ
ィスク装置が受領した場合の動作は次の通りである。前
記コマンドは、先ずインターフェース制御部４０からＭ
ＰＵ４４へ送られ、該ＭＰＵ４４がその内容を解析す
る。そして、ＭＰＵ４４では、解析結果の情報を基に、
各部の制御等を行う。
【００９４】例えば、前記コマンドがライトコマンドで
あれば、上位装置から複数のデータブロックが転送され
てくるが、このデータブロックは、ＭＰＵ４４がバッフ
ァ制御部４２に指示を出し、該バッファ制御部４２がバ
ッファメモリ４１に格納する制御を行う。
【００９５】そして、媒体への書き込みを行う場合は、
位置づけ制御部４７の制御によりポジショナ２６を駆動
してヘッド５０（ヘッドの可動光学部）を目的の位置
（目的のブロック）に位置づけした後、前記バッファメ
モリ４１のデータブロックを、リード／ライト処理部４
３へ送り、ここで書き込み時の処理を行った後、ヘッド
５０へ送って、媒体に書き込む。
【００９６】すなわち、ライトコマンドを受領した光磁
気ディスク装置では、書き込みデータブロックの転送
と、ヘッドの位置づけ処理を同時に行い、該位置づけ処
理が完了すると、媒体への書き込みを行う。
【００９７】ところで、前記データブロックの書き込み
時には、データブロックの書き込みを実施する前に、上
位装置から書き込みを指定された媒体の領域に対して消
去処理を実施し、その後、前記指定された領域にデータ
を書き込み、最後に書き込んだデータを読み出して、ベ
リファイ（正しく書き込まれているかどうかを調べる処
理）を行う。
【００９８】この時、ＭＰＵ４４では、バイアス印加部
４９へ制御信号を送り、バイアス磁石２を切り換えて媒
体に磁界を印加する。なお、ＭＰＵ４４では、バイアス
磁石の切り換え制御を行う場合、Ｅ2 ＰＲＯＭ５１や、
ＲＡＭ４５にアクセスして必要なデータの読み出し、書
き込みを行ったり、タイマ４６で計測した時間情報を読
み出して制御を行う。
【００９９】(2) ：ＭＰＵによる時間（Ｔｄ）の計算処
理説明 ＭＰＵ４４では、以下に説明する処理例５において、リ
ード処理開始からバイアス制御の再スタートまでの時間
Ｔｄを計算して予測することで、バイアス磁石の制御を
行う。この時の処理は次のようにして行う。
【０１００】先ず、ＭＰＵ４４では、リードコマンドを
受領すると、該リードコマンドのパラメータから、コマ
ンドで指示されたリードブロック数ｂｋを取り出す。そ
して、ＭＰＵ４４では、Ｅ2 ＰＲＯＭ５１から、予め設
定されているデータを読み出して、リード処理開始から
バイアス制御の再スタートまでの時間Ｔｄを計算する。
【０１０１】この時、Ｅ2 ＰＲＯＭ５１から読み出すデ
ータとしては、バイアス移動時間Ｔｂ、データリード転
送速度Ｘｒ（バイト／秒）、データ読み取り終了から、
終了報告完了までの予想時間Ｔｔ（秒）、セクタ長Ｓｅ
＝５１２バイトである。ＭＰＵ４４では、前記のデータ
を基に、計算式Ｔｄ＝ｂｋ×（Ｓｅ／Ｘｒ）＋Ｔｔ−Ｔ
ｂにより、前記時間Ｔｄを計算する。前記計算式で計算
した結果、Ｔｄ＜０、及びＴｄ＝０となる場合は、Ｔｄ
＝０とする。
【０１０２】なお、前記コマンドで指示されたリードブ
ロック数ｂｋは、発行されるコマンドによって異なるた
め、前記時間Ｔｄは、ＭＰＵ４４がリードコマンドを受
領する度に計算する必要がある。
【０１０３】以下、光磁気ディスク装置において、媒体
にデータを書き込む場合の処理例を説明する。なお、以
下の説明では、図２〜図９も参照しながら説明する。 §６：処理例１の説明・・・図１１参照 図１１は処理例１のタイムチャートである。以下、図１
１に基づいて、処理例１を説明する。図１１において、
はコマンド処理、はヘッド位置、はバイアス処
理、は消去／書き込み／ベリファイの各処理を示して
いる。
【０１０４】この例は、消去→書き込み→ベリファイの
順で媒体へのデータ書き込みを行うが、前記書き込み終
了直後に、バイアス磁石２を消去用のバイアス状態に移
動させ、その状態を維持する処理例である。
【０１０５】すなわち、媒体へのデータの書き込みを実
施する前に、上位装置から書き込みを指定された媒体の
領域に対して消去処理を実施し、その後、前記指定され
た領域にデータを書き込み、その後更に、書き込んだデ
ータを読み出して、ベリファイ（正しく書き込まれてい
るかどうかを調べる処理）を行う。
【０１０６】この処理を行う場合、ＭＰＵ４４では、バ
イアス印加部４９に制御信号（バイアス切り換え信号
等）を送り、バイアス磁石２（図６、図７参照）の移動
を行って、バイアス磁界を切り換える。このバイアス磁
界の切り換え状態をのバイアス処理として示してあ
る。
【０１０７】前記のように、処理例１では、書き込み処
理の直後にバイアス磁石２を消去バイアス状態への移動
を開始させ（セットアップ時間経過後に消去バイアス状
態となる）、それ以降も消去バイアス状態を維持する。
その場合のシーケンスは図１１の通りである。
【０１０８】媒体上の連続した領域に対し、次々とライ
トコマンドが発行された場合、光磁気ディスク装置は、
上位装置からライトコマンドを受領すると、書き込みデ
ータの転送とヘッドの位置づけ処理を同時に行う。
【０１０９】最初のライト（ＷＲ）コマンドを受領した
時は、バイアス磁界の状態は不定であり、書き込み終了
までは前記従来例の処理と同じシーケンスとなる。しか
し、書き込み処理（のヘッド位置が３回転目）が終了
した直後に、バイアス磁石２を消去バイアス状態（消去
用の極性のバイアス磁界を印加）に移動させる処理を開
始させ、ベリファイ処理（のヘッド位置が４回転目）
と略同時に、バイアス磁石２を消去バイアス状態（消去
用の極性のバイアス磁界を印加）にして、その状態を維
持する。
【０１１０】従って、連続して２回目の連続した領域に
対するライトコマンドが発行されると、その時は、バイ
アス磁石２は、消去バイアス状態に既にセットアップさ
れているため、ヘッドの位置づけ処理が終了した段階
で、直ちに消去処理が可能となる。従って、このような
場合は、無駄な回転待ちが発生せず、書き込み処理が速
くなる。
【０１１１】その後は、従来と同じように、書き込みバ
イアス状態に移動して、その状態を維持し、書き込み処
理を実施する。そして、再び、前記書き込み終了直後
に、バイアス磁石２を、次のライトコマンドに備えて、
消去バイアス状態に移動させ、その状態を維持する。
【０１１２】なお、前記の処理を行う場合、書き込み
（３回転目）終了後、直ちにバイアス磁石２を消去状態
に移動させるが、その際、バイアス磁石２のバイアスセ
ットアップ時間（バイアス磁石の移動時間）を必要とす
る。
【０１１３】従って、バイアス磁石の遷移を開始してか
ら、バイアスセットアップ時間経過後にバイアス磁界は
消去状態となり、以降その状態を維持する。また、ベリ
ファイ処理を行う場合、バイアス磁界は消去バイアス状
態になっているが、ベリファイ処理はバイアス状態と関
係なく行われる。
【０１１４】§７：処理例２の説明・・・図１２参照 図１２は処理例２のタイムチートである。以下、図１２
に基づいて、処理例２を説明する。図１２において、
はコマンド処理、はヘッド位置、はバイアス処理、
は消去／書き込み／ベリファイの各処理を示してい
る。
【０１１５】この例は、前記処理例１と同じように、消
去→書き込み→ベリファイの順で媒体へのデータ書き込
みを行い、書き込み処理終了後にバイアス磁石２を消去
バイアス状態に移動し、それ以降も消去バイアス状態を
維持させるが、アイドル状態で一定時間経過したら（コ
マンドの終了報告後、一定時間経過したら）、バイアス
制御を停止する例である。
【０１１６】前記処理例１のように、書き込み処理の後
に、次の消去処理のために、バイアス磁石２を消去バイ
アス状態に移動し、それ以降も消去バイアス状態を維持
すると、消費電流の増大（消費電力の増大）を招く。
【０１１７】すなわち、バイアス磁石２を消去状態に維
持するには、バイアスコイル２２に電流を流し続けるこ
とが必要である（バイアス磁石が電磁石の場合でも、消
去状態に維持するには、電流を流し続けることが必要で
ある）。
【０１１８】従って、前記のように、バイアス磁石を消
去状態に維持することは、消費電流の増大を招くことに
なる。書き込み処理を実行していない時や、バイアス磁
界の状態に依存しない読み出し処理（リード処理）時
は、バイアス磁石を消去バイアス状態に維持するための
消費電流は無駄である。このような消費電流の損失を軽
減するため、処理例２では以下の処理を実施する。
【０１１９】この処理では、前記処理例１と同じように
して、書き込み（のヘッド位置が３回転目）が終了し
た後、消去バイアス状態にして、その状態を維持する
が、その後、上位装置からのアクセスの無い状態で、一
定時間（この時間を監視時間ｔ１とする）が経過する
と、バイアス磁石の制御を停止する。
【０１２０】この場合、ＭＰＵ４４は、上位装置から、
最後にアクセスがあってからの時間を計測し、アイドル
状態でその時間が一定時間（ｔ１）経過したかどうかを
常に監視し、一定時間経過したら、バイアス印加部４９
にバイアス停止の制御信号を送り、バイアス制御を停止
する。
【０１２１】具体的には、次のように制御を行う。前記
の処理では、ＭＰＵ４４は、アクセスの無い状態で、一
定時間（ｔ１）が経過したかどうかの判断をするが、こ
の一定時間、すなわち監視時間ｔ１のデータは、例え
ば、ディフォルト値として、Ｅ 2 ＰＲＯＭ５１に予め格
納しておいても良いし、情報設定部４８のディップスイ
ッチ、或いは他の設定スイッチ等から入力して、Ｅ2 Ｐ
ＲＯＭ５１に予め格納しておいても良い。
【０１２２】また、前記監視時間ｔ１のデータは、上位
装置からモードセレクトコマンド等により指定されたデ
ータを、予めＥ2 ＰＲＯＭ５１に格納しておいても良
い。そして、前記のようにして、書き込み処理を行い、
上位装置に対してその終了報告（ライトコマンドの終了
報告）を行うと、ＭＰＵ４４では、タイマ４６をスター
トさせ、該タイマ４６からの時間計測情報を取り込んで
時間監視を行う。
【０１２３】この時間監視を行う場合、ＭＰＵ４４で
は、前記Ｅ2 ＰＲＯＭ５１に予め格納してあるデータを
読み出して比較処理を行う。そして、ＭＰＵ４４では、
前記終了報告後、上位装置からのアクセスが無いことを
確認し、かつ前記比較処理で、前記終了報告から一定時
間（ｔ１）が経過したことを確認すると、バイアス印加
部４９に対し、バイアス停止の制御信号を送り、バイア
ス制御を停止（バイアスコイル２２の電流をオフ）させ
る。
【０１２４】但し、前記一定時間（ｔ１）が経過する前
に、上位装置からのアクセスがあった場合には、前記タ
イマ４６をクリアし、時間計測を停止すると共に、アク
セスのあったコマンドの処理を行う。
【０１２５】§８：処理例３の説明・・・図１３参照 図１３は処理例３のタイムチャートである。以下、図１
３に基づいて、処理例３を説明する。図１３において、
はコマンド処理、はヘッド位置、はバイアス処
理、は消去／書き込み／ベリファイの各処理を示して
いる。
【０１２６】この例では、前記処理例１、２と同じよう
に、消去→書き込み→ベリファイの順で媒体へのデータ
書き込みを行い、書き込み処理終了後にバイアス磁石２
を消去バイアス状態に移動し、それ以降も消去バイアス
状態を維持させるが、次のリードコマンド受領を契機と
して、バイアス制御を停止させる。
【０１２７】そして、前記リードコマンドの受領により
バイアス制御を停止させる際、ＭＰＵ４４では、バイア
ス磁石２の制御情報（バイアス磁石の極性情報等）をＲ
ＡＭ４５に格納しておき、前記リードコマンドの終了報
告を行った後、ＭＰＵ４４は、ＲＡＭ４５から前記制御
情報を読み出して、バイアス印加部４９に制御信号を送
り、バイアス磁界の制御を、前記リードコマンド受領前
の状態（消去バイアス状態）に復帰（バイアス制御の再
スタート）させる。
【０１２８】この場合、ＭＰＵ４４は、リードコマンド
の終了報告を行った後、直ちにバイアス制御を復帰させ
る処理を開始するが、この場合にも、バイアス磁石２の
移動を開始してから、バイアスセットアップ時間経過後
にバイアス磁界は消去状態となり、以降その状態を維持
する。なお、他の処理は、前記処理例１、２と同じなの
で説明は省略する。
【０１２９】§９：処理例４の説明・・・図１４参照 図１４は処理例４のタイムチャートである。以下、図１
４に基づいて、処理例４を説明する。図１４において、
はコマンド処理、はヘッド位置、はバイアス処
理、は消去／書き込み／ベリファイの各処理を示して
いる。
【０１３０】この例では、前記処理例１〜３と同様にし
て、消去→書き込み→ベリファイの順で媒体へのデータ
書き込みを行い、書き込み処理の後にバイアス磁石を消
去バイアス状態に移動し、それ以降も消去バイアス状態
を維持するが、次のリードコマンド（データの読み取り
を依頼するコマンド）受領を契機として、バイアス制御
を停止する。
【０１３１】そして、前記リードコマンドの受領により
バイアス制御を停止させる際、バイアス磁石２の制御情
報（極性情報等）をＲＡＭ４５に格納しておき、前記リ
ードコマンドの処理が終了した時（実際に処理が終了し
た時）、ＲＡＭ４５から前記極性情報を読み出して、バ
イアス磁界の制御を、前記リードコマンド受領前の状態
（消去バイアス状態）に復帰（バイアス制御の再スター
ト）させる。
【０１３２】この場合、リードコマンドの処理終了後
（終了報告をする前）、直ちにバイアス制御を復帰させ
る処理を開始するが、この場合にも、バイアス磁石２の
移動を開始してから、バイアスセットアップ時間経過後
にバイアス磁界は消去状態となり、以降その状態を維持
する。なお、他の処理は、前記処理例３と同じなので説
明は省略する。
【０１３３】§１０：処理例５の説明・・・図１５参照 図１５は処理例５のタイムチャートである。以下、図１
５に基づいて、処理例５を説明する。図１５において、
はコマンド処理、はヘッド位置、はバイアス処
理、は消去／書き込み／ベリファイの各処理を示して
いる。
【０１３４】この例では、消去→書き込み→ベリファイ
の順で媒体へのデータ書き込みを行い、書き込み処理の
後にバイアス磁石を消去バイアス状態に移動し、それ以
降も消去バイアス状態を維持するが、次のリードコマン
ド受領を契機として、バイアス制御を停止させる。
【０１３５】そして、バイアス制御の再スタートは、リ
ードコマンドの終了報告時に対して、バイアスセットア
ップ時間分だけ前の時間と予想されるタイミングを契機
として行う例である。なお、リードコマンド受領により
バイアス制御を停止させるまでの処理は、前記処理例
３、４と同じなので説明は省略する。
【０１３６】この例では、バイアス制御の停止状態から
再スタートを行う際、バイアス制御の再スタートの契機
となる時間Ｔｄ（Ｔｄ：リード処理開始からバイアス制
御の再スタートまでの時間）を、しきい値として計算に
より求め、この時間Ｔｄをタイマ４６で計測した時間と
比較することで行う。
【０１３７】すなわち、ＭＰＵ４４では、リードコマン
ドを受領したら、前記時間Ｔｄを計算で求め、リードコ
マンドによる読み取り処理（リード処理）を開始してか
ら、前記計算で求めた時間Ｔｄが経過したら、リードコ
マンドの終了報告時に対して、バイアスセットアップ時
間分だけ前のタイミングであると判断し、この時点で、
バイアス制御の再スタートを行う。具体的には次の通り
である。
【０１３８】予め、Ｅ2 ＰＲＯＭ５１には、バイアス移
動時間Ｔｂ、データリード転送速度Ｘｒ（バイト／
秒）、データ読み取り終了から、終了報告完了までの予
想時間Ｔｔ（秒）、セクタ長Ｓｅ＝５１２バイト等のデ
ータを格納しておき、ＭＰＵ４４が前記の処理を行う場
合に、このデータを読み出して処理を行う。
【０１３９】ＭＰＵ４４では、リードコマンドを受領す
ると、該リードコマンドのパラメータから、該コマンド
で指示されたリードブロック数ｂｋのデータを取り出
す。そして、ＭＰＵ４４では、Ｅ2 ＰＲＯＭ５１から、
予め格納されている前記データ（Ｔｂ、Ｘｒ、Ｔｔ、Ｓ
ｅ）を読み出して、リード処理開始（データ読み取り開
始）から、バイアス制御の再スタートまでの時間Ｔｄを
計算する。
【０１４０】この場合、ＭＰＵ４４では、前記のデータ
を基に、Ｔｄ＝ｂｋ×（Ｓｅ／Ｘｒ）＋Ｔｔ−Ｔｂの計
算式により、前記時間Ｔｄを計算する。この計算式で計
算した結果、Ｔｄ＜０、及びＴｄ＝０となる場合は、Ｔ
ｄ＝０とする。
【０１４１】なお、前記コマンドで指示されたリードブ
ロック数ｂｋは、発行されるコマンドによって異なるた
め、前記時間Ｔｄは、ＭＰＵ４４がリードコマンドを受
領する度に計算する必要がある。
【０１４２】前記のようにして、ＭＰＵ４４では、リー
ド処理開始から、バイアス制御の再スタートまでの時間
Ｔｄを計算で求め、ＲＡＭ４５に格納しておく。一方、
ＭＰＵ４４は、リード処理を開始すると、タイマ４６を
スタートさせて時間の計測を開始させる。そして、リー
ド処理を行いながら、前記時間Ｔｄだけ経過したかどう
かを監視する。
【０１４３】このようにして、リード処理開始から、前
記計算で求めた時間Ｔｄが経過すると、ＭＰＵ４４で
は、ＲＡＭ４５に格納してあるバイアスの制御情報を読
み出して、バイアス磁界の制御を、前記リードコマンド
受領前の状態（消去バイアス状態）に復帰（バイアス制
御の再スタート）させる。
【０１４４】前記処理により、バイアス制御の再スター
トは、リードコマンドの終了報告時に対して、バイアス
セットアップ時間分だけ前と予想されるタイミングを契
機として行うことができる。
【０１４５】なお、リードコマンドの処理終了後（終了
報告をする前）、直ちにバイアス制御を復帰させる処理
を開始するが、この場合にも、バイアス磁石２の移動を
開始してから、バイアスセットアップ時間経過後にバイ
アス磁界は消去状態となり、以降その状態を維持する。
【０１４６】§１１：処理例６の説明・・・図１６参照 図１６は処理例６のタイムチャートである。以下、図１
６に基づいて、処理例６を説明する。図１６において、
はコマンド処理、はヘッド位置、はバイアス処
理、は消去／書き込み／ベリファイの各処理を示して
いる。
【０１４７】この例では、消去→書き込み→ベリファイ
の順で媒体へのデータ書き込みを行い、書き込み処理の
後にバイアス磁石を消去バイアス状態に移動し、それ以
降も消去バイアス状態を維持するが、次のリードコマン
ド受領を契機として、バイアス制御を停止する。
【０１４８】そして、バイアス制御の再スタートは、次
の任意のコマンド受領を契機として行う。なお、バイア
ス制御を停止するまでの処理は、前記処理例３〜５と同
じなので説明は省略する。
【０１４９】この例では、前記リードコマンドの終了報
告後、ＭＰＵ４４は、任意のコマンドを受領したら、Ｒ
ＡＭ４５から制御情報を読み出して、バイアス磁界の制
御を、前記リードコマンド受領前の状態（消去バイアス
状態）に復帰（バイアス制御の再スタート）させる。
【０１５０】なお、この場合にも、バイアス磁石２の移
動を開始してから、バイアスセットアップ時間経過後に
バイアス磁界は消去状態となり、以降その状態を維持す
る。 §１２：フローチャートによる説明・・・図１７〜図２
０参照 図１７は実施例の処理フローチャート１（処理例１〜６
に共通）、図１８は実施例の処理フローチャート２（処
理例３、４）、図１９は実施例の処理フローチャート３
（処理例５）、図２０は実施例の処理フローチャート４
（処理例６）である。
【０１５１】以下、図１７〜図２０に基づいて、前記処
理例１〜処理例６を説明する。なお、Ｓ１１〜Ｓ７０は
各処理ステップを示す。 (1) ：処理例１〜処理例６に共通の説明・・・図１７参
照 図１７に示したフローチャートにおいて、Ｓ１〜Ｓ５
は、前記処理例２に対応しており、Ｓ１、Ｓ２、及びＳ
６〜Ｓ１０は前記処理例３〜６に対応している。また、
Ｓ９、Ｓ１０を含む処理Ｒの部分は、図１８、図１９の
各処理に対応している。
【０１５２】先ず、ＭＰＵ４４では、コマンドを実行
し、処理が終了すると、インターフェース制御部４０を
介して上位装置へコマンド終了報告を行う（Ｓ１）。そ
の後、ＭＰＵ４４では、タイマ４６をスタートさせて時
間監視を開始すると共に、コマンドを受領したか否かを
判断する（Ｓ２）。
【０１５３】その結果、コマンドを受領しない場合は、
バイアス制御が停止しているか否かを判断し（Ｓ３）、
バイアス制御が停止していれば、Ｓ２の処理を行い、バ
イアスが停止していなければ、ＭＰＵ４４では、タイマ
４６のタイマ値（計測時間）と、Ｅ2 ＰＲＯＭ５１から
読み出した監視時間ｔ１との比較（タイマ値＞監視時
間）を行う（Ｓ４）。
【０１５４】そして、タイマ値が監視時間以下の場合
は、前記Ｓ２の処理から行い、タイマ値が監視時間ｔ１
より大きい場合（タイマ値＞監視時間）は、バイアス磁
石の制御を停止させる（Ｓ５）。
【０１５５】一方、前記Ｓ２の処理で、コマンドを受領
した場合、ＭＰＵ４４では、タイマ４６をリセットし、
受領したコマンドがリードコマンドか否かを判断する
（Ｓ６）。
【０１５６】その結果、リードコマンドでなく、かつラ
イトコマンドでもなければ（Ｓ１１）、受領したコマン
ドの処理を行う（Ｓ７）が、受領したコマンドがリード
コマンドの場合、ＭＰＵ４４は、バイアス印加部４９に
制御信号を送り、バイアスの制御を停止させる（Ｓ
８）。
【０１５７】その後、点線で示した処理Ｒ（Ｓ９のリー
ド処理、及びＳ１０のバイアス磁石を消去側に移動開始
の処理）を行うが、これらの処理は以下に説明する。ま
た、Ｓ１１の処理で、ライトコマンドの場合は、バイア
ス磁石を消去側に移動させ（Ｓ１２）、媒体の消去処理
を行う（Ｓ１３）。その後、バイアス磁石を書き込み側
に移動させ（Ｓ１４）、ライト処理を行い（Ｓ１５）、
次にバイアス磁石を消去側に移動させてその状態を維持
する（Ｓ１６）。
【０１５８】(2) ：処理例３の説明・・・図１８Ａ参照 この処理は、前記処理Ｒの詳細な処理であり、前記処理
例３に対応している。先ず、リードコマンド受領後、Ｍ
ＰＵ４４の指示により、位置づけ制御部４７がポジショ
ナ２６を駆動制御して、目的トラックへのシークを行い
（Ｓ３１）、ヘッドの位置づけを行う（Ｓ３２）。
【０１５９】そして、前記位置づけが完了すると、ＭＰ
Ｕ４４の制御により、リード処理を行い（Ｓ３３）、こ
のリード処理が終了すると、ＭＰＵ４４は、上位装置に
対し、リードコマンドの終了報告を行う（Ｓ３４）。
【０１６０】そして、前記終了報告を行った後、ＭＰＵ
４４からバイアス印加部４９に制御信号を送り、バイア
ス磁石２を消去側に移動を開始する（Ｓ３５）。 (3) ：処理例４の説明・・・図１８Ｂ参照 この処理は、前記処理Ｒの詳細な処理であり、前記処理
例４に対応している。先ず、前記と同様にして、目的ト
ラックへのシークを行い（Ｓ４１）、ヘッドの位置づけ
を行う（Ｓ４２）。そして、前記位置づけが終了する
と、リード処理を行う（Ｓ４３）。
【０１６１】このリード処理が終了すると、ＭＰＵ４４
では、バイアス印加部４９へ制御信号を送り、バイアス
磁石２を消去側に移動開始する（Ｓ４４）。その後、Ｍ
ＰＵ４４は、リード処理が終了すると、上位装置に対し
て、処理の終了報告を行う（Ｓ４５）。
【０１６２】(4) ：処理例５の説明・・・図１９参照 この処理は、前記処理Ｒの詳細な処理であり、前記処理
例５に対応している。先ず、ＭＰＵ４４は、前記と同様
にして目的トラックへのシークを行い（Ｓ５１）、ヘッ
ドの位置づけを行う（Ｓ５２）。そして、位置づけが終
了するとリード処理を開始する（Ｓ５３）。
【０１６３】ＭＰＵ４４は、リード処理を開始すると、
タイマ４６をスタートさせて時間の計測を開始する。そ
して、リード処理を行いながら、前記時間Ｔｄ（Ｔｄ：
しきい値とする）だけ経過したかどうかを比較処理によ
り監視する（Ｓ５４）。
【０１６４】そして、前記時間（Ｔｄ）を超えない場合
は、リード処理が終了したか否かを判断し（Ｓ５５）、
超えなければ、前記Ｓ５４の処理を行う。このようにし
て、リード処理開始から、前記計算で求めた時間Ｔｄが
経過すると、ＭＰＵ４４では、ＲＡＭ４５に格納してあ
るバイアスの制御情報を読み出して、バイアス磁界の制
御を、前記リードコマンド受領前の状態（消去バイアス
状態）に復帰させる（Ｓ５６）。
【０１６５】そして、前記Ｓ５５、及びＳ５６の処理が
終了すると、ＭＰＵ４４は、タイマ４６をリセットし、
上位装置に対して、処理の終了報告を行う（Ｓ５７）。 (5) ：処理例６の説明・・・図２０参照 この処理は、前記処理例６に対応した処理であるが、Ｓ
６１〜Ｓ６５の処理は、図１６に示したＳ１〜Ｓ５の処
理（処理例２に対応）と同じである。従って、これらの
処理は説明を省略する。
【０１６６】ＭＰＵ４４では、バイアス制御を停止した
状態でコマンドを受領すると（Ｓ６２）、バイアス印加
部４９に制御信号を送り、バイアス磁石の制御を開始す
る（Ｓ６６）。
【０１６７】その後、ＭＰＵ４４では、リードコマンド
を受領したら（Ｓ６７）、バイアス磁石の制御を停止し
（Ｓ６８）、リード処理を行う（Ｓ６９）、が、リード
コマンド以外のコマンドを受領した場合は、前記バイア
ス磁石の制御を停止せず、受領したコマンドの処理を行
う（Ｓ７０）。
【０１６８】（他の実施例）以上実施例について説明し
たが、本発明は次のようにしても実施可能である。 (1) ：媒体にバイアス磁界を印加するバイアス磁石は、
電磁石で構成しても良い。電磁石の場合は、コイルのイ
ンダクタンスにより、バイアスの設定に時間がかかる。
従って、永久磁石の場合と同様に実施可能である。 (2) ：Ｅ2 ＰＲＯＭは、他の書き込み可能な不揮発性メ
モリで構成しても良い。例えば、バッテリでバックアッ
プされたＳＲＡＭ等のメモリでも適用可能である。
【０１６９】(3) ：ベリファイの無い処理にも同様に適
用可能である。 (4) ：データ消去が伴わない場合は次のように処理を行
う。例えば、媒体の連続した領域に、次々とライトコマ
ンドが発行されるような場合、データの消去が伴うライ
トコマンドではなく、データ消去が伴わないライトコマ
ンドが発行されることがある。
【０１７０】具体的には、コマンドの中の制御ビットで
データ消去が伴わないことを指示し、予め消去されてい
るブロックについては消去シーケンスを不要とする。こ
のようなシーケンスでは、データ書き込み処理のスルー
プットが向上する。
【０１７１】しかし、この場合は、書き込み処理の後に
バイアス磁石を消去バイアス状態に移動させ、その後、
その状態を維持すると、逆に次の消去無しのライトコマ
ンドが指示された場合に、書き込みバイアスにするシー
ケンスが必要となるため、処理性能が低下する。
【０１７２】このような状態を避けるため、消去無しラ
イトコマンドが発行された場合は、書き込み終了後も、
書き込みバイアス状態を維持するように制御を行う。ま
た、予め、媒体の消去を一括して実施し、その後、消去
済み媒体にデータを書き込む場合も、前記と同様に処理
を行う。
【０１７３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 (1) ：本発明では、書き込み処理の直後に、バイアス磁
石を消去バイアス状態へ移動させ、次の処理のために、
それ以降も消去バイアス状態を維持するように制御を行
っている。
【０１７４】このようにすると、待機状態でのバイアス
磁界は、消去状態となっているから、次の消去時には余
計な回転待ちをすることなく、ヘッドの位置づけが完了
した時点で直ちに消去を行うことが可能となる。
【０１７５】その結果、データ書き込み時の処理時間が
短縮でき、書き込み処理のスループットが向上する。 (2) ：書き込み処理の後に、次の消去処理のためにバイ
アス磁界を消去バイアス状態にし、それ以降も消去バイ
アス状態を維持すると、消費電流の増大を招く。しか
し、本発明では、消去バイアス状態を維持している状態
で、上位装置からのアクセスが無く、一定時間が経過し
た場合、或いはリードコマンドを受領した場合（リード
時はバイアス磁界は不要）に、バイアス磁界の制御を停
止する。従って、消費電流の増大を最小限に抑えること
ができる。
【０１７６】(3) ：リードコマンドの受領を契機とし
て、バイアス磁界の制御を停止した場合、バイアス磁界
の制御の再スタートは、：リードコマンドの終了報告
を行った後、：リードコマンドによるデータ読み取り
処理終了直後、：リードコマンドによるデータ読み取
り処理開始時から、所定時間経過した時、：上位装置
からコマンドを受領した時等のいずれかを契機として行
っている。
【０１７７】このようにすれば、消去処理のためにバイ
アス磁石をセットアップする処理が、他の処理と並行し
て行える。そして、次の消去処理では、バイアス磁石の
セットアップをしなくてすむため、余計な回転待ちをす
ることなく、直ちに消去を行うことが可能である。
【０１７８】従って、書き込み処理時間が大幅に短縮可
能である。また、前記のような契機でバイアスの印加を
停止させ、その後再スタートを行うことにより、消費電
流の増大も最小限に抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】実施例における光磁気ディスク装置の外観図で
ある。
【図３】実施例における光磁気ディスク装置一部切断図
である。
【図４】実施例における光磁気ディスク装置内部の斜視
図である。
【図５】実施例における光学系の斜視図である。
【図６】実施例におけるバイアス機構の平面図である。
【図７】実施例におけるバイアス機構の拡大図である。
【図８】実施例におけるバイアス機構の動作説明図であ
る。
【図９】実施例におけるバイアス印加部の説明図であ
る。
【図１０】実施例における光磁気ディスク装置のブロッ
ク図である。
【図１１】実施例における処理例１のタイムチャートで
ある。
【図１２】実施例における処理例２のタイムチャートで
ある。
【図１３】実施例における処理例３のタイムチャートで
ある。
【図１４】実施例における処理例４のタイムチャートで
ある。
【図１５】実施例における処理例５のタイムチャートで
ある。
【図１６】実施例における処理例６のタイムチャートで
ある。
【図１７】実施例の処理フローチャート１である。
【図１８】実施例の処理フローチャート２である。
【図１９】実施例の処理フローチャート３である。
【図２０】実施例の処理フローチャート４である。
【図２１】光磁気ディスクの記録原理説明図である。
【符号の説明】
１ 光磁気ディスク（媒体） ６ 制御部 ２６ ポジショナ ４１ バッファメモリ ４７ 位置づけ制御部 ４９ バイアス印加部 ５０ ヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−167244（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−311441（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−950（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105 G11B 5/02

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 データ消去用の極性のバイアス磁界とデ
    ータ書き込み用の極性のバイアス磁界とを切り換えて記
    録媒体に対してバイアス磁界を印加するバイアス磁界印
    加手段を備え、 データを前記記録媒体の所定領域に記録する際に、デー
    タ消去用のバイアス磁界を記録媒体に対して印加して、
    前記所定領域のデータの消去処理を行った後、データ書
    き込み用のバイアス磁界に切り換えて、前記所定領域に
    データの書き込み処理を行う記憶装置のバイアス磁界印
    加方法において、 前記バイアス磁界印加手段は、データ書き込み処理終了
    後、直ちにバイアス磁界の極性をデータ消去用に切り換
    え、データ消去用のバイアス磁界を記録媒体に印加する
    ように制御し、 前記書き込み処理終了後、予め設定された一定時間以
    上、上位装置からのコマンドを受領しない場合、 前記バイアス磁界印加手段は、バイアス磁界の印加を停
    止することを特徴とする記憶装置のバイアス磁界印加方
    法。
  2. 【請求項２】データ消去用の極性のバイアス磁界とデー
    タ書き込み用の極性のバイアス磁界とを切り換えて記録
    媒体に対してバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加
    手段を備え、 データを前記記録媒体の所定領域に記録する際に、デー
    タ消去用のバイアス磁界を記録媒体に対して印加して、
    前記所定領域のデータの消去処理を行った後、データ書
    き込み用のバイアス磁界に切り換えて、前記所定領域に
    データの書き込み処理を行う記憶装置のバイアス磁界印
    加方法において、 前記バイアス磁界印加手段は、データ書き込み処理終了
    後、直ちにバイアス磁界の極性をデータ消去用に切り換
    え、データ消去用のバイアス磁界を記録媒体に印加する
    ように制御し、 前記書き込み処理終了後、上位装置からデータの読み取
    りを依頼するリードコマンドを受領した場合、 前記バイアス磁界印加手段は、バイアス磁界の印加を停
    止することを特徴とする記憶装置のバイアス磁界印加方
    法。
  3. 【請求項３】前記バイアス磁界の印加を停止する際、前
    記記憶装置は、バイアス磁界の制御情報を装置内部に記
    憶しておき、 データ読み取り終了後、前記記憶してある制御情報に基
    づき、バイアス磁界の印加状態を、前記リードコマンド
    受領前の状態にすることを特徴とする請求項２記載の記
    憶装置のバイアス磁界印加方法。
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