JP3356208B2 - 処理システム - Google Patents

処理システム

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JP3356208B2 JP37558398A JP37558398A JP3356208B2 JP 3356208 B2 JP3356208 B2 JP 3356208B2 JP 37558398 A JP37558398 A JP 37558398A JP 37558398 A JP37558398 A JP 37558398A JP 3356208 B2 JP3356208 B2 JP 3356208B2
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディス
プレイ(Liquid Crystal Display:LCD)に使われる
ガラス基板に対してレジストの塗布・現像を行う処理シ
ステムに関する。
【0002】
【従来の技術】LCDの製造工程においては、LCD用
のガラス基板上にITO(Indium TinOxide)の薄膜や
電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造
に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利
用される。フォトリソグラフィ技術では、レジスト膜を
基板上に形成し、これを露光し、さらに現像している。
【0003】このようなレジスト膜に形成や現像処理
は、例えばこれらの一連の処理を行うための各種の処理
ユニットを集約化した処理システムによって行われる。
このような処理システムは、例えば搬送路に沿ってレジ
スト塗布ユニットや現像処理ユニット、更には加熱処理
ユニットや冷却処理ユニット等を配置し、ユニット間で
ガラス基板の受け渡しを行う搬送装置を搬送路上に移動
可能に配置し、しかもシステムの上部に清浄空気のダウ
ンフローを形成するためのFFU(ファン・フィルタ・
ユニット)等を配置して構成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された処理システムは、ヒータやモータ、セン
サ、ブロアファン等の電力を消費する多数の部位により
構成されるため、全体の電力消費量が非常に大きい、と
いう課題がある。特に、フォトリソグラフィの工程にお
いては、大量の電力を必要とする加熱処理や冷却処理等
の熱処理工程を伴い、給排気のブロアーやクリーン環境
を作るためのFFU(ファン・フィルター・ユニット)
を有しており、しかも工場内にはこのような処理システ
ムを多数配置するのが通常であることから、省電力化の
要請が非常に強い。
【0005】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、消費電力を極力抑えることができる処
理システムを提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明の処理システムは、被処理体に対して所定の
処理を施す処理システムであって、該処理システム内へ
の被処理体の受け入れを検知する検知手段と、該処理シ
ステムにおける処理状況及び前記検知手段による検知結
果に基づき、該処理システムを構成する各部位へ供給さ
れる電力を制御する制御手段とを具備する。
【0007】本発明では、処理システムにおける処理状
況及びシステム内への被処理体の受け入れ状態に応じて
処理システムを構成する各部位へ供給される電力を制御
しているので、消費電力を極力抑えることができる。こ
こで、処理システムにおける処理状況とは、例えば所定
時間以上被処理体に対する処理が滞ったような場合をい
う。また、被処理体の受け入れ状態とは、例えば上記の
ように被処理体に対する処理が滞った後に処理システム
内に被処理基板を受け入れたような状態をいう。更に、
電力を制御するとは、電力供給をオン・オフする他、電
力供給量を下げたり、上げたりする場合等も含まれる。
【0008】本発明の処理システムは、上記の制御手段
が、該処理システムを構成する各部位の種別に応じて、
これら各部位へ供給される電力を個別的に制御する。従
って、本発明では、より細かな電力制御が可能となり、
これにより更なる消費電力の低減を図ることができる。
【0009】本発明の処理システムは、上記の処理シス
テムを構成する部位として、少なくとも熱処理系の部位
と他の部位とがあり、前記制御手段は、該処理システム
内を被処理基板が所定時間以上流れないとき、該処理シ
ステムを構成する各部位へ供給される電力を規制し、規
制後に前記検知手段により該システム内への被処理体の
受け入れが検知されたとき、前記熱処理系の部位の規制
を解除した後に前記他の部位への電力の規制を解除する
ことを特徴とする。ここで、熱処理系の部位には、例え
ばヒータや冷却素子等が含まれる。また、他の素子に
は、モータやセンサ、ブロアファン等が含まれる。
【0010】一般に、ヒータや冷却素子等の熱処理系の
部位では、供給電力を規制した後に規制を解除しても熱
処理のための所望の温度に達するまでに所定の時間を要
するのに対して、モータやセンサ、ブロアファン等では
供給電力を規制した後に規制を解除すると瞬時に作動す
る。そこで、本発明では、熱処理系の部位の規制を解除
した後に他の部位への電力の規制を解除することで、各
部位が使用可能になる状態を一致させている。これによ
り、より細かな電力制御が可能となり、更なる消費電力
の低減を図ることができる。
【0011】本発明の処理システムは、上記の制御手段
は、該処理システム内を被処理基板が第1の時間以上流
れないとき、前記熱処理系の部位へ供給される電力を規
制し、該処理システム内を被処理基板が前記第1の時間
を超える第2の時間以上流れないとき、前記他の部位へ
供給される電力を規制することを特徴とする。本発明で
は、多量に電力を消費する熱処理系の部位について細や
かな電力供給制御を行うことで、更なる消費電力の低減
を図ることができる。一方、ブロアファン等はできる限
り長い時間駆動することで、例えばシステム内のパーテ
ィクルの発生を極力低減することができる。
【0012】本発明の処理システムは、被処理体を複数
収容するカセットを介して該処理システム内へ被処理体
を受け入れる受け入れ部を有し、前記検知手段は、前記
受け入れ部でのカセットによる被処理体の受け入れに基
づき、被処理体の受け入れを検知することを特徴とす
る。これにより、例えばバッチ単位で被処理体を受け入
れる処理システムにおいて簡単に被処理体の受け入れを
検知することができる。
【0013】本発明の処理システムは、CIM(コンピ
ュータ・インテグレーテッド・マニュファクチャリン
グ)等のホストコンピュータから被処理体の搬入の指令
を入力する入力部を有し、前記検知手段は、前記入力部
で入力された指令に基づき、被処理体の受け入れを検知
することを特徴とする。これにより、例えば枚葉式に被
処理体を受け入れる処理システムにおいて簡単に被処理
体の受け入れを検知することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。図1は本発明の実施形態に係る塗布
・現像処理システムの斜視図である。図1に示すよう
に、この塗布・現像処理システム1の前方には、ガラス
基板Gを、塗布・現像処理システム1に対して搬出入す
るカセットステーション2が設けられている。このカセ
ットステーション2には、ガラス基板Gを例えば25枚
ずつ収納したカセットCを所定位置に整列させて載置さ
せるカセット載置台3と、各カセットCから処理すべき
ガラス基板Gを取り出し、また塗布・現像処理システム
1において処理の終了したガラス基板Gを各カセットC
へ戻すローダ・アンローダ4が設けられている。図示の
ローダ・アンローダ4は、本体5の走行によってカセッ
トCの配列方向に移動し、本体5に搭載された板片状の
ピンセット6によって各カセットCからガラス基板Gを
取り出し、また各カセットCへガラス基板Gを戻すよう
になっている。また、ピンセット6の両側には、ガラス
基板Gの四隅を保持して位置合わせを行う基板位置合わ
せ部材7が設けられている。
【0015】塗布・現像処理システム1の中央部には、
長手方向に配置された廊下状の搬送路10、11が第1
の受け渡し部12を介して一直線上に設けられており、
この搬送路10、11の両側には、ガラス基板Gに対す
る各処理を行うための各種処理ユニットが配置されてい
る。
【0016】図示の塗布・現像処理システム1にあって
は、搬送路10の一側方に、ガラス基板Gをブラシ洗浄
すると共に高圧ジェット水により洗浄を施すための洗浄
処理ユニット16が例えば2台並設されている。また、
搬送路10を挟んで反対側に、二基の現像処理ユニット
17が並設され、その隣りに二基の加熱処理ユニット1
8が積み重ねて設けられている。
【0017】また、搬送路11の一側方に、ガラス基板
Gにレジスト液を塗布する前にガラス基板Gを疎水処理
するアドヒージョン処理ユニット20が設けられ、この
アドヒージョン処理ユニット20の下方には冷却処理ユ
ニット21が配置されている。また、これらアドヒージ
ョン処理ユニット20と冷却処理ユニット21の隣には
加熱処理ユニット22が二列に二個ずつ積み重ねて配置
されている。また、搬送路11を挟んで反対側に、ガラ
ス基板Gの表面にレジスト液を塗布することによってガ
ラス基板Gの表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布
ユニット23が配置されている。図示はしないが、これ
ら塗布ユニット23の側部には、第2の受け渡し部28
を介し、ガラス基板G上に形成されたレジスト膜に所定
の微細パターンを露光するための露光装置等が設けられ
る。第2の受け渡し部28は、ガラス基板Gを搬入およ
び搬出するための搬出入ピンセット29および受け渡し
台30を備えている。
【0018】以上の各処理ユニット15〜18および2
0〜23は、何れも搬送路10、11の両側において、
ガラス基板Gの出入口を内側に向けて配設されている。
第1の搬送装置25がカセットステーション2、各処理
ユニット15〜18および第1の受け渡し部12との間
でガラス基板Gを搬送するために搬送路10上を移動
し、第2の搬送装置26が第1の受け渡し部12、第2
の受け渡し部28および各処理ユニット20〜23との
間でガラス基板Gを搬送するために搬送路11上を移動
するようになっている。
【0019】各搬送装置25、26は、それぞれ上下一
対のアーム27、27を有しており、各処理ユニット1
5〜18および20〜23にアクセスするときは、一方
のアーム27で各処理ユニットのチャンバから処理済み
のガラス基板Gを搬出し、他方のアーム27で処理前の
ガラス基板Gをチャンバ内に搬入するように構成されて
いる。
【0020】この塗布・現像処理システム1の上部に
は、搬送路10、11や処理ユニット等に対して清浄空
気のダウンフローを形成するためのFFUが配置されて
いる。
【0021】図2はこのように構成された塗布・現像処
理システム1における電力供給系の構成を示す図であ
る。図2に示すように、電源部32からこの塗布・現像
処理システム1を構成する各部位、例えば加熱処理ユニ
ット18,22に備えられたヒータ33、レジスト塗布
ユニット23のスピンチャック34を回転するためのモ
ータ35、各種のセンサ36(例えば加熱処理ユニット
18,22の温度を検出するめの温度センサ等)、FF
U31におけるブロアファン37等へ電力が供給される
ようになっている。
【0022】これら電源部32と各部位との間には、各
部位に対する電力供給をオン・オフするためのスイッチ
部38〜41が介挿されている。そして、制御部42に
よりこれらスイッチ部38〜41のオン・オフが制御さ
れるようになっている。
【0023】ここで、制御部42は、この塗布・現像処
理システム1全体を統括的に制御するものであって、各
部位の処理状況、例えば各処理ユニットの稼働状況等も
把握している。また、カセットステーション2には、カ
セット載置台3にカセットCが載置されたことを検出す
るためのセンサ43、例えば光学的にカセットCの存在
を検出するセンサや載置位置に配置されたスイッチ式の
センサ等が設けられており、このセンサ43による検出
結果は制御部42へ伝えられるようになっている。
【0024】図3は上記の制御部42における電源供給
制御系の動作を示すフローチャートである。制御部42
では、上述したように各処理ユニットの稼働状況等を把
握しており、例えば10分以上、この塗布・現像処理シ
ステム1内にガラス基板Gが流れていないような場合に
は(ステップ301)、電源部32から各部位へ供給さ
れる電力が規制されるようにスイッチ部38〜41を制
御する(ステップ302)。例えば、図4に示すよう
に、スイッチ部38を所定間隔でオン・オフすること
で、電源部32からヒータ33へ供給される電力を少な
くし、例えばヒータ33の温度を180℃程度から10
0℃程度に下げるようにしている。また、図4に示す
ように、スイッチ部39〜41をオフすることで、電源
部32からモータ35、センサ36、ブロアファン37
等への電力の供給を停止している。
【0025】なお、電源部32からヒータ33への電力
の供給を完全に停止することも可能であるが、ヒータ3
3を常温近くから180℃程度まで上げるのには相当の
時間を要し、その後システム内に投入されたガラス基板
Gが処理温度の180℃程度になるまで待たされるおそ
れがあるため、上記のようにヒータ33を100℃程度
に維持している。これに対して、モータ35、センサ3
6、ブロアファン37等は電源部32から電力が供給さ
れると直ぐに立ち上がることから、電力の供給を完全に
停止するようにしている。
【0026】このような状態から、制御部42がセンサ
43からカセット載置台3にカセットCが新たに載置さ
れたことが伝えられると(ステップ303)、図4に
示すように、まず電源部32からヒータ33への電力供
給の規制を解除する(ステップ304)。そして、所定
時間経過後(ステップ305)、図4に示すように、
電源部32からモータ35、センサ36、ブロアファン
37等への電力の供給を開始する(ステップ306)。
【0027】モータ35、センサ36、ブロアファン3
7等については、電源部32から電力が供給されると直
ぐに立ち上がることから、作動の直前に電力を供給する
ようにすればよいが、ヒータ33については180℃程
度まで立ち上がるのに相当の時間を要することから、作
動より相当以前、具体的には例えば作動時間より立ち上
がりに要する時間だけ前に電力供給の規制を解除するよ
うにすればよい。
【0028】以上のように、この実施形態における処理
システム1では、システムにおける処理状況に応じて、
具体的には例えばシステム内にガラス基板Gが流れてい
ないような場合には、各部位に対する電力の供給を規制
し、システム内への被処理体の受け入れ状態に応じて、
具体的には例えばシステム内にガラス基板Gが流れるよ
うになった場合には、各部位へ供給される電力の規制を
解除しているので、消費電力を極力抑えることができ
る。特に、フォトリソグラフィの工程においては、大量
の電力を必要とする熱処理工程を伴い、しかも工場内に
はこのような処理システムを多数配置するのが通常であ
ることから、本発明による省電力の効果は絶大である。
【0029】なお、本発明は、上述した実施の形態には
限定されず、本発明の技術的思想の範囲内で様々な変形
が可能である。例えば、上述した実施の形態では、例え
ば10分以上、塗布・現像処理システム1内にガラス基
板Gが流れていないような場合に、図4に示したよ
うに、スイッチ部38〜41を同時にオフして、ヒータ
33、モータ35、センサ36、ブロアファン37等へ
の電力供給の規制を同時に行うようにしていたが、これ
らの各部位に供給される電力の規制を異なるタイミング
で行うようにしてもよい。具体的には、例えば5分以
上、塗布・現像処理システム1内にガラス基板Gが流れ
ていないような場合にはヒータ33への電力の供給を規
制し、10分以上、塗布・現像処理システム1内にガラ
ス基板Gが流れていないような場合にはヒータ33ばか
りでなく、モータ35、センサ36、ブロアファン37
等への電力の供給を規制すようにしてもよい。これによ
り、多量に電力を消費する熱処理系の部位について細や
かな電力供給制御を行うこととなり、更なる消費電力の
低減を図ることができる。一方、ブロアファン等はでき
る限り長い時間駆動することで、例えばシステム内のパ
ーティクルの発生を極力低減することができる。
【0030】また、上述した実施の形態では、カセット
載置台3にカセットCが載置されたことを検出するため
のセンサ43をカセットステーション2に設け、このセ
ンサ43がカセット載置台3にカセットCが新たに載置
されたことを検出したときにシステム内にガラス基板G
が流れるようになったものと判断していたが、枚葉式に
システム内にガラス基板が流れてくるような場合には、
例えば図5に示すように、当該塗布・現像処理システム
1ばかりでなく、工場内に配置された他の処理システム
(別の塗布・現像処理システムや露光装置、エッチング
装置、アッシング装置等)を統括的に制御するホストコ
ンピュータ51から出力されるガラス基板搬入の指令を
入力する入力部52をこの塗布・現像処理システム1に
設け、この指令に基づきシステム内にガラス基板Gが流
れるようになったものと判断してもよい。
【0031】また、上述した実施の形態では、熱処理系
の部位としてヒータを例に取り説明したが、ペルチェ素
子等を使った冷却系の熱処理にも当然適用可能である。
【0032】更に、LCD用のガラス基板を処理する処
理システムばかりでなく、半導体ウェハ等を処理する処
理システム等にも本発明を当然適用できる。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理システムにおける処理状況及びシステム内への被処
理体の受け入れ状態に応じて処理システムを構成する各
部位へ供給される電力を制御しているので、消費電力を
極力抑えることができる。
【0034】本発明によれば、処理システムを構成する
各部位の種別に応じて、これら各部位へ供給される電力
を個別的に制御しているので、より細かな電力制御が可
能となり、これにより更なる消費電力の低減を図ること
ができる。
【0035】本発明によれば、熱処理系の部位の規制を
解除した後に他の部位への電力の規制を解除すること
で、各部位が使用可能になる状態を一致させ、これによ
り、より細かな電力制御が可能となり、更なる消費電力
の低減を図ることができる。
【0036】本発明によれば、処理システム内を被処理
基板が第1の時間以上流れないとき、熱処理系の部位へ
供給される電力を規制し、処理システム内を被処理基板
が第1の時間を超える第2の時間以上流れないとき、他
の部位へ供給される電力を規制するように構成したの
で、多量に電力を消費する熱処理系の部位について細や
かな電力供給制御を行うことができ、更なる消費電力の
低減を図ることができ、一方ブロアファン等はできる限
り長い時間駆動することで、例えばシステム内のパーテ
ィクルの発生を極力低減することができるようになる。
【0037】本発明によれば、受け入れ部でのカセット
による被処理体の受け入れに基づき、被処理体の受け入
れを検知しているので、例えばバッチ単位で被処理体を
受け入れる処理システムにおいて簡単に被処理体の受け
入れを検知することができるようになる。
【0038】本発明によれば、ホストコンピュータから
被処理体の搬入の指令を入力する入力部で入力された指
令に基づき、被処理体の受け入れを検知しているので、
例えば枚葉式に被処理体を受け入れる処理システムにお
いて簡単に被処理体の受け入れを検知することができる
ようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態に係る塗布・現像処理シス
テムの斜視図である。
【図2】 図1に示した塗布・現像処理システムにおけ
る電力供給系の構成を示す図である。
【図3】 図2に示した電力供給系の動作を示すフロー
チャートである。
【図4】 図2に示した電力供給系の動作を示すタイミ
ングチャートである。
【図5】 本発明による他の実施形態に係る電力供給系
の構成を示す図である。
【符号の説明】
1 塗布・現像処理システム 2 カセットステーション 32 電源部 33 ヒータ 35 モータ 36 センサ 37 FFU 38〜41 スイッチ部 42 制御部 43 センサ 51 ホストコンピュータ 52 入力部

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理体に対して所定の処理を施す処理
    システムであって、 該処理システム内への被処理体の受け入れを検知する検
    知手段と、 該処理システムにおける処理状況及び前記検知手段によ
    る検知結果に基づき、該処理システムを構成する、少な
    くとも熱処理系の部位と該処理システム内で清浄空気の
    ダウンフローを形成するためのブロアファンとへ供給さ
    れる電力を、各部位の種別に応じて個別的に制御する制
    御手段とを具備し、 前記制御手段は、 該処理システム内を被処理体が第1の時間以上流れない
    とき、前記熱処理系の部位へ供給される電力を規制し、 該処理システム内を被処理体が前記第1の時間を超える
    第2の時間以上流れないとき、前記ブロアファンへ供給
    される電力を規制し、 規制後に、前記検知手段により該システム内への被処理
    体の受け入れが検知されたとき、前記熱処理系の部位の
    規制を解除した後に前記ブロアファンへの電力の規制を
    解除することを特徴とする処理システム。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の処理システムであって、 被処理体を複数収容するカセットをさらに具備し、 前記検知手段は、 前記カセットが載置された載置台に配置され、前記カセ
    ットが載置されたことを検出することにより該処理シス
    テム内への被処理体の受け入れを検知するセンサである
    ことを特徴とする処理システム。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2記載の処理シス
    テムであって、 CIM(コンピュータ・インテグレーテッド・マニュフ
    ァクチャリング)のホストコンピュータから被処理体の
    搬入の指令を入力する入力部を有し、 前記検知手段は、前記入力部で入力された指令に基づ
    き、被処理体の受け入れを検知することを特徴とする処
    理システム。
  4. 【請求項4】 請求項1から請求項3のうちいずれか1
    項記載の処理システムであって、 前記制御手段は、前記熱処理系の部位に供給される電力
    を規制する際には前記熱処理系の部位に断続的に電力を
    供給し、前記ブロアファンに供給される電力を規制する
    際には前記ブロアファンへの電力の供給を停止すること
    を特徴とする処理システム。
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