JP3350131B2 - Metal particle deposition equipment - Google Patents
Metal particle deposition equipmentInfo
- Publication number
- JP3350131B2 JP3350131B2 JP07130393A JP7130393A JP3350131B2 JP 3350131 B2 JP3350131 B2 JP 3350131B2 JP 07130393 A JP07130393 A JP 07130393A JP 7130393 A JP7130393 A JP 7130393A JP 3350131 B2 JP3350131 B2 JP 3350131B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- metal
- tip
- particle deposition
- deposition apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、金属微粒子堆積装置
に関するもので、特に半導体装置の電極形成に使用され
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for depositing fine metal particles, and more particularly to an apparatus for forming electrodes of a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図９および図１０は、従来の金属微粒子
堆積装置を用いて半導体素子の信号入出力電極となる金
属突起を形成する工程を示すものである。金属微粒子堆
積装置１においては、相互に連通している図示せぬ第
１、第２のチャンバ−が設けられており、この第２のチ
ャンバ−と連通している内径が約１００μｍのノズル２
が設けられている。前記第１のチャンバ−内には蒸発源
が収納されている。前記ノズル２の先端近傍には基板３
を載置する図示せぬ載置部が設けられている。前記基板
３の上にはＬＳＩの信号取出し部であるＡｌパッド電極
４が設けられており、このＡｌパッド電極４および基板
３の上には絶縁保護膜５が設けられている。この絶縁保
護膜５にはＡｌパッド電極４の上に位置する開口部５ａ
が設けられている。2. Description of the Related Art FIGS. 9 and 10 show a process of forming a metal projection serving as a signal input / output electrode of a semiconductor device using a conventional metal fine particle deposition apparatus. The metal fine particle deposition apparatus 1 is provided with first and second chambers (not shown) communicating with each other, and a nozzle 2 having an inner diameter of about 100 μm and communicating with the second chamber.
Is provided. An evaporation source is housed in the first chamber. The substrate 3 is located near the tip of the nozzle 2.
A mounting portion (not shown) for mounting is provided. On the substrate 3, an Al pad electrode 4, which is an LSI signal extraction portion, is provided. On the Al pad electrode 4 and the substrate 3, an insulating protective film 5 is provided. The insulating protective film 5 has an opening 5a located above the Al pad electrode 4.
Is provided.
【０００３】上記構成において、先ず、図９に示すよう
に、前記第１のチャンバ−内には蒸発源が収納される。
前記第１のチャンバ−内は圧力が約２ａｔｍ程度で不活
性ガス、例えばＨｅガス７の雰囲気とされ、前記第２の
チャンバ−内は圧力が数Ｔｏｒｒ以下とされる。次に、
前記Ｈｅガス７の雰囲気において、前記第１のチャンバ
−内における蒸発源は蒸発されることによりＡｕ蒸気と
され、このＡｕ蒸気は一次凝集される。これにより、前
記Ａｕ蒸気は平均粒径が１０００オングストロ−ム以下
の超微粒子と呼ばれるＡｕ微粒子６とされる。この後、
このＡｕ微粒子６は、前記第１、第２のチャンバ−内の
圧力差を利用して前記Ｈｅガス７と共に第２のチャンバ
−内に搬送され、ノズル２の先端から前記基板３におけ
るＡｌパッド電極４に吹き付けられる。これにより、前
記Ａｕ微粒子６はＡｌパッド電極４上に堆積される。こ
の結果、図１０に示すように、前記Ａｌパッド電極４の
上には金属突起状のＡｕ電極９、即ちバンプ電極９が形
成される。In the above configuration, first, as shown in FIG. 9, an evaporation source is accommodated in the first chamber.
The inside of the first chamber has a pressure of about 2 atm and an atmosphere of an inert gas, for example, He gas 7, and the inside of the second chamber has a pressure of several Torr or less. next,
In the atmosphere of the He gas 7, the evaporation source in the first chamber is evaporated to be Au vapor, and this Au vapor is primarily aggregated. As a result, the Au vapor is converted into Au fine particles 6 called ultrafine particles having an average particle diameter of 1000 Å or less. After this,
The Au particles 6 are conveyed into the second chamber together with the He gas 7 by utilizing the pressure difference between the first and second chambers, and from the tip of the nozzle 2 to the Al pad electrode on the substrate 3. 4 is sprayed. Thereby, the Au fine particles 6 are deposited on the Al pad electrode 4. As a result, as shown in FIG. 10, an Au electrode 9 having a metal projection shape, that is, a bump electrode 9 is formed on the Al pad electrode 4.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
金属微粒子堆積装置によりバンプ電極９を形成すると、
図１１に示すように、前記バンプ電極９にはノズル２の
内径２ａ以上に裾拡がり（裾引き）９ａが生じていま
う。これは、Ｈｅガス７がノズル２の先端から放出され
た瞬間のノズル２の内と外との圧力差によって外側に発
散し、このＨｅガス７に伴ってＡｕ微粒子６も外側に飛
散するためである。前記裾拡がり９ａは、ノズル２と基
板３との間のギャップを狭めること、具体的には０．３
ｍｍ程度とすることによりある程度抑えることができ
る。しかし、前記Ａｌパッド電極４間のピッチが狭い半
導体素子では、隣接するＡｌパッド電極４同士が電気的
に短絡することがある。したがって、上記金属微粒子堆
積装置１ではＡｌパッド電極４間のピッチが狭い半導体
素子においてバンプ電極９を形成することが困難とな
る。By the way, when the bump electrode 9 is formed by the above-mentioned conventional metal fine particle deposition apparatus,
As shown in FIG. 11, the bump electrode 9 has a flared (flared) 9a that extends beyond the inner diameter 2a of the nozzle 2. This is because the He gas 7 diverges outward due to the pressure difference between the inside and the outside of the nozzle 2 at the moment when the He gas 7 is discharged from the tip of the nozzle 2, and the Au fine particles 6 also scatter outside along with the He gas 7. is there. The skirt spread 9a narrows the gap between the nozzle 2 and the substrate 3, specifically, 0.3 mm.
It can be suppressed to some extent by setting it to about mm. However, in a semiconductor device having a narrow pitch between the Al pad electrodes 4, the adjacent Al pad electrodes 4 may be electrically short-circuited. Therefore, it is difficult to form the bump electrodes 9 in the semiconductor element having a narrow pitch between the Al pad electrodes 4 in the metal fine particle deposition apparatus 1.
【０００５】この発明は、上記のような事情を考慮して
なされたものであり、その目的は、裾拡がりの生じない
金属微粒子の堆積膜を形成することが可能な金属微粒子
堆積装置を提供することにある。[0005] The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object thereof is to prevent the occurrence of a foot spread.
An object of the present invention is to provide a metal fine particle deposition apparatus capable of forming a deposited film of metal fine particles.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、金属微粒子を発生させる蒸発源と、不活
性ガスにより搬送された前記金属微粒子を先端から放出
するノズルと、前記ノズルの前記先端近傍に設けられ、
前記不活性ガスを排出する排出手段とを具備している。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides an evaporation source for generating metal fine particles, and an inert source.
Release the metal particles transported by the reactive gas from the tip
A nozzle to be provided, provided near the tip of the nozzle,
Discharging means for discharging the inert gas .
【０００７】[0007]
【作用】この発明は、蒸発源から金属微粒子を発生さ
せ、この金属微粒子を不活性ガスによって搬送し、ノズ
ルの先端から放出する。ノズルの先端近傍に排出手段を
設けているため、この排出手段から金属微粒子より軽い
不活性ガスの一部が排出され、金属微粒子を慣性力によ
り直進させることができる。これにより、裾拡がりの生
じない金属微粒子の堆積膜を形成することができる。According to the present invention, fine metal particles are generated from an evaporation source, and the fine metal particles are conveyed by an inert gas.
Release from the tip of the Since there is provided a discharge means in the vicinity of the tip of the nozzle, not light from the metal fine particles from the discharge means
Some of the inert gas is discharged, the metal fine particles can be straight due to the inertia force. This makes it possible to form a deposited film of metal fine particles without tail spreading.
【０００８】[0008]
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.
【０００９】図１は、この発明の第１の実施例による金
属微粒子堆積装置を示す構成図である。図２は、図１に
示すＡの部分を拡大したものであり、金属微粒子堆積装
置を用いて半導体素子の信号入出力電極となる金属突起
を金属微粒子堆積法により形成する工程を示す断面図で
ある。図３は、図２に示す金属微粒子堆積装置の斜視図
である。FIG. 1 is a block diagram showing a metal fine particle deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a portion A shown in FIG. 1 and is a cross-sectional view showing a step of forming metal projections serving as signal input / output electrodes of a semiconductor element by a metal fine particle deposition method using a metal fine particle deposition apparatus. is there. FIG. 3 is a perspective view of the metal fine particle deposition apparatus shown in FIG.
【００１０】金属微粒子堆積装置１１においては、図１
に示すように、第１および第２のチャンバ−２７ａ、２
７ｂは配送管２８により相互に連通している。この第１
のチャンバ−２７ａにはチャンバ−２７ａ内に不活性ガ
スをバルブ２９ａを介して導入するガス導入ノズル２９
ｂが設けられている。前記第１のチャンバ−２７ａ内に
はＡｕの蒸発源３０が収納されており、前記第２のチャ
ンバ−２７ｂ内には基板３１が収納されている。In the metal fine particle deposition apparatus 11, FIG.
As shown in FIG. 2, the first and second chambers 27a, 27a,
7b are connected to each other by a delivery pipe 28. This first
A gas introduction nozzle 29 for introducing an inert gas into the chamber 27a through a valve 29a is provided in the chamber 27a.
b is provided. An Au evaporation source 30 is housed in the first chamber 27a, and a substrate 31 is housed in the second chamber 27b.
【００１１】前記第２のチャンバ−２７ｂ内において
は、前記配送管２８と連通している内径が約１００μｍ
のノズル１２が設けられている。このノズル１２の先端
近傍の側部には、図２および図３に示すように、前記不
活性ガスを排出する排出手段である第１、第２の横穴１
２ａ、１２ｂが設けられている。In the second chamber 27b, the inside diameter communicating with the delivery pipe 28 is about 100 μm.
Nozzles 12 are provided. As shown in FIGS. 2 and 3, first and second lateral holes 1 serving as discharge means for discharging the inert gas are provided on a side portion near the tip of the nozzle 12.
2a and 12b are provided.
【００１２】上記構成において、先ず、図１および図２
に示すように、ノズル１２は基板３１上におけるＬＳＩ
の信号取出し部であるＡｌパッド電極１４の上方に移動
され、前記ノズル１２の先端とＡｌパッド電極１４との
間のギャップは０．５ｍｍ以下とされる。次に、前記ガ
ス導入ノズル２９ｂから不活性ガス、例えばＨｅガス１
７が前記第１のチャンバ−２７ａ内に導入され、このチ
ャンバ−２７ａ内は圧力が約２ａｔｍ程度のＨｅガス１
７の雰囲気とされる。前記第２のチャンバ−２７ｂ内は
圧力が数Ｔｏｒｒ以下とされる。この後、前記Ｈｅガス
１７の雰囲気において、前記第１のチャンバ−２７ａ内
におけるＡｕの蒸発源３０は蒸発されることによりＡｕ
蒸気とされ、このＡｕ蒸気は一次凝集される。これによ
り、前記Ａｕ蒸気は平均粒径が１０００オングストロ−
ム以下の超微粒子と呼ばれるＡｕ微粒子１６とされる。
次に、このＡｕ微粒子１６は、前記第１、第２のチャン
バ−２７ａ、２７ｂ内の差圧を利用して配送管２８によ
り前記Ｈｅガス１７と共に第２のチャンバ−２７ｂ内に
搬送され、ノズル１２の先端から前記Ａｌパッド電極１
４に吹き付けられる。これにより、前記Ａｕ微粒子１６
はＡｌパッド電極１４上に堆積される。この結果、前記
Ａｌパッド電極１４の上には金属突起状のＡｕ電極１
９、即ちバンプ電極１９が形成される。In the above configuration, first, FIGS.
As shown in FIG.
And the gap between the tip of the nozzle 12 and the Al pad electrode 14 is set to 0.5 mm or less. Next, an inert gas, for example, He gas 1 is supplied from the gas introduction nozzle 29b.
7 is introduced into the first chamber 27a, and a He gas 1 having a pressure of about 2 atm is introduced into the first chamber 27a.
7 atmosphere. The pressure in the second chamber-27b is set to several Torr or less. Thereafter, in the atmosphere of the He gas 17, the Au evaporation source 30 in the first chamber-27a is evaporated, so that the Au is evaporated.
This Au vapor is primarily agglomerated. As a result, the Au vapor has an average particle diameter of 1000 angstroms.
Au fine particles 16, which are called ultrafine particles having a size equal to or less than the memory size.
Next, the Au fine particles 16 are transported together with the He gas 17 into the second chamber 27b by the delivery pipe 28 using the differential pressure in the first and second chambers 27a and 27b, 12 to the Al pad electrode 1
4 is sprayed. Thereby, the Au fine particles 16
Is deposited on the Al pad electrode 14. As a result, the Au electrode 1 in the form of a metal protrusion is formed on the Al pad electrode 14.
9, that is, the bump electrode 19 is formed.
【００１３】上記第１の実施例によれば、ノズル１２に
おける先端近傍の側部に第１、第２の横穴１２ａ、１２
ｂを設けている。このため、ノズル１２の先端からＡｌ
パッド電極１４にＨｅガス１７と共にＡｕ微粒子１６を
吹き付ける際、このＡｕ微粒子１６より軽いＨｅガス１
７の一部を第１、第２の横穴１２ａ、１２ｂから逃が
し、Ａｕ微粒子１６を慣性力により直進させることがで
きる。この結果、Ａｌパッド電極１４の上に裾拡がりの
生じないＡｕ微粒子１６の堆積膜であるバンプ電極１９
を形成することができる。したがって、Ａｌパッド電極
１４間のピッチが狭い半導体素子においても、隣接する
Ａｌパッド電極１４同士が電気的に短絡することなくバ
ンプ電極１９を形成することができる。このため、従来
の金属微粒子堆積装置では、Ａｕ微粒子の堆積膜におい
て裾引き部を除去するためにマスキング工程を行ってい
たが、この発明の金属微粒子堆積装置では前記マスキン
グ工程を省くことができ、工程を短縮することができ
る。According to the first embodiment, the first and second lateral holes 12a, 12a
b is provided. For this reason, Al from the tip of the nozzle 12
When the Au fine particles 16 are sprayed on the pad electrode 14 together with the He gas 17, He gas 1 lighter than the Au fine particles 16 is used.
7 can be released from the first and second lateral holes 12a and 12b, and the Au fine particles 16 can be made to travel straight by inertial force. As a result, the bump electrode 19 which is a deposited film of the Au fine particles 16 which does not spread on the Al pad electrode 14.
Can be formed. Therefore, even in a semiconductor element in which the pitch between the Al pad electrodes 14 is narrow, the bump electrodes 19 can be formed without an electrical short circuit between the adjacent Al pad electrodes 14. For this reason, in the conventional metal particle deposition apparatus, the masking step was performed to remove the trailing portion in the deposited film of the Au particles. However, the masking step can be omitted in the metal particle deposition apparatus of the present invention. The process can be shortened.
【００１４】また、第１、第２の横穴１２ａ、１２ｂに
より裾拡がりの生じないバンプ電極１９を形成すること
ができるため、従来の金属微粒子堆積法のように、ノズ
ルの先端とＡｌパッド電極との間のギャップを狭める必
要がなくなる。これにより、前記ギャップの精度を従来
のそれより緩やかにできる。Further, since the first and second lateral holes 12a and 12b can form the bump electrode 19 which does not cause the foot to expand, the tip of the nozzle and the Al pad electrode are connected to each other as in the conventional metal fine particle deposition method. There is no need to narrow the gap between them. As a result, the accuracy of the gap can be made gentler than the conventional one.
【００１５】尚、上記第１の実施例では、ノズル１２に
おける先端近傍の側部に第１、第２の横穴１２ａ、１２
ｂ、即ち二つの横穴を設けているが、ノズル１２におけ
る先端近傍の側部に一つ又は三つ以上の横穴を設けるこ
とも可能であり、この場合においても同様の効果を得る
ことができる。In the first embodiment, the first and second lateral holes 12a, 12a
b, that is, two lateral holes are provided, but it is also possible to provide one or three or more lateral holes on the side near the tip of the nozzle 12, and the same effect can be obtained in this case.
【００１６】図４は、この発明の第２の実施例による金
属微粒子堆積装置におけるノズルを示す斜視図であり、
図３と同一部分には同一符号を付し、異なる部分につい
てのみ説明する。ノズル１２における先端の側部には不
活性ガスを排出する排出手段であるスリット１２ｃが設
けられている。FIG. 4 is a perspective view showing a nozzle in a fine metal particle deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.
The same parts as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and only different parts will be described. A slit 12c, which is a discharge means for discharging an inert gas, is provided on a side of the tip of the nozzle 12.
【００１７】図５は、図４に示すノズルを有する金属微
粒子堆積装置を用いて形成された半導体素子の信号入出
力電極となる金属突起を示す断面図である。基板上にお
けるＬＳＩの信号取出し部であるＡｌパッド電極１４の
上にはバンプ電極１９が設けられる。このバンプ電極１
９はノズル１２におけるスリット１２ｃ側のみに裾引き
１９ａが生じる。すなわち、ノズル１２の先端からＡｕ
微粒子を吹き付けた際にスリット１２ｃが向いている側
にバンプ電極１９における裾引き１９ａが生じる。FIG. 5 is a cross-sectional view showing metal projections serving as signal input / output electrodes of a semiconductor element formed using the metal fine particle deposition apparatus having the nozzle shown in FIG. A bump electrode 19 is provided on the Al pad electrode 14 which is a signal extracting portion of the LSI on the substrate. This bump electrode 1
In No. 9, a skirt 19a is formed only on the slit 12c side of the nozzle 12. That is, Au from the tip of the nozzle 12
When the fine particles are sprayed, a skirt 19a of the bump electrode 19 is generated on the side where the slit 12c faces.
【００１８】上記第２の実施例によれば、ノズル１２に
おける先端の側部にスリット１２ｃを設けている。この
ため、前記ノズル１２の先端から図５に示すＡｌパッド
電極１４に図示せぬＨｅガスと共にＡｕ微粒子を吹き付
けると、前記スリット１２ｃを設けた側にのみ前記Ａｕ
微粒子の堆積後の裾引き１９ａが生じ、スリット１２ｃ
を設けてない側には裾引きが生じない。したがって、前
記スリット１２ｃにより裾引きが生じる方向をコントロ
−ルすることができる。このため、図示せぬ基板上に余
裕のある方向に裾引き部を誘導することにより、Ａｌパ
ッド電極１４間のピッチが狭い半導体素子においても、
隣接するＡｌパッド電極１４同士が電気的に短絡するこ
となくバンプ電極１９を形成することができる。According to the second embodiment, the slit 12c is provided on the side of the tip of the nozzle 12. For this reason, when Au fine particles are sprayed from the tip of the nozzle 12 onto the Al pad electrode 14 shown in FIG. 5 together with a He gas (not shown), the Au fine particles are sprayed only on the side where the slit 12c is provided.
A trail 19a occurs after the deposition of the fine particles, and the slit 12c is formed.
There is no skirting on the side where no is provided. Therefore, it is possible to control the direction in which footing occurs due to the slit 12c. For this reason, by guiding the footing in a marginal direction on a substrate (not shown), even in a semiconductor element in which the pitch between the Al pad electrodes 14 is narrow,
The bump electrodes 19 can be formed without an electrical short circuit between the adjacent Al pad electrodes 14.
【００１９】図６は、この発明の第３の実施例による金
属微粒子堆積装置におけるノズルを示す斜視図であり、
図３と同一部分には同一符号を付し、異なる部分につい
てのみ説明する。不活性ガスを排出する排出手段とし
て、ノズル１２の先端が斜めにカットされている。FIG. 6 is a perspective view showing a nozzle in a fine metal particle deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention.
The same parts as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and only different parts will be described. The tip of the nozzle 12 is cut obliquely as a discharging means for discharging the inert gas.
【００２０】上記第３の実施例においても第２の実施例
と同様の効果を得ることができ、しかも、先端を斜めに
カットすることによりノズル１２を形成することができ
るため、この際の加工が容易である。図７は、この発明
の第４の実施例による金属微粒子堆積装置におけるマル
チノズルを示す斜視図であり、第１の実施例と異なる部
分についてのみ説明する。In the third embodiment, the same effects as those of the second embodiment can be obtained, and the nozzle 12 can be formed by cutting the tip obliquely. Is easy. FIG. 7 is a perspective view showing a multi-nozzle in a fine metal particle deposition apparatus according to a fourth embodiment of the present invention, and only parts different from the first embodiment will be described.
【００２１】マルチノズル２１は、相互に隣接して設け
られた第１乃至第５のノズル２２〜２６から構成されて
いる。これら第１乃至第５のノズル２２〜２６それぞれ
における先端近傍の側部には不活性ガスを排出する排出
手段である第１乃至第５の横穴２２ａ〜２６ａが設けら
れている。The multi-nozzle 21 includes first to fifth nozzles 22 to 26 provided adjacent to each other. First to fifth lateral holes 22a to 26a, which are discharge means for discharging an inert gas, are provided on the side portions near the tip of each of the first to fifth nozzles 22 to 26.
【００２２】上記第４の実施例においても第１の実施例
と同様の効果を得ることができ、しかも、第１乃至第５
のノズル２２〜２６を有するマルチノズル２１としてい
るため、５つのバンプ電極を同時に形成することができ
る。In the fourth embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
Since the multi-nozzle 21 includes the nozzles 22 to 26, five bump electrodes can be simultaneously formed.
【００２３】尚、上記第４の実施例では、第１乃至第５
のノズル２２〜２６それぞれにおける先端近傍の側部に
一つの横穴、即ち第１乃至第５の横穴２２ａ〜２６ａを
設けているが、第１乃至第５のノズル２２〜２６それぞ
れにおける先端近傍の側部に二つ以上の横穴を設けるこ
とも可能であり、この場合においても同様の効果を得る
ことができる。In the fourth embodiment, the first to fifth embodiments are described.
Each of the nozzles 22 to 26 has one side hole near the tip near the tip, that is, the first to fifth lateral holes 22a to 26a, but the side near the tip in each of the first to fifth nozzles 22 to 26. It is also possible to provide two or more side holes in the part, and in this case, the same effect can be obtained.
【００２４】また、五つのノズル、即ち第１乃至第５の
ノズル２２〜２６を有するマルチノズル２１を用いてい
るが、二つ乃至四つ又は六つ以上のノズルを有するマル
チノズルを用いることも可能である。Although the multi-nozzle 21 having five nozzles, that is, the first to fifth nozzles 22 to 26 is used, a multi-nozzle having two to four or six or more nozzles may be used. It is possible.
【００２５】図８は、この発明の第５の実施例による金
属微粒子堆積装置におけるマルチノズルを示す斜視図で
あり、図７と同一部分には同一符号を付し、異なる部分
についてのみ説明する。FIG. 8 is a perspective view showing a multi-nozzle in an apparatus for depositing fine metal particles according to a fifth embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG. 7 are denoted by the same reference numerals, and only different parts will be described.
【００２６】第１乃至第５のノズル２２〜２６それぞれ
における先端近傍の側部には不活性ガスを排出する排出
手段である第１乃至第５の横穴２２ｂ〜２６ｂが設けら
れており、これら横穴２２ｂ〜２６ｂの形状は四角形と
されている。前記第１乃至第５のノズル２２〜２６それ
ぞれの先端の形状は四角形とされている。First to fifth lateral holes 22b to 26b, which are discharge means for exhausting an inert gas, are provided on the sides of the first to fifth nozzles 22 to 26 in the vicinity of the tip, respectively. The shapes of 22b to 26b are rectangular. The tip of each of the first to fifth nozzles 22 to 26 has a square shape.
【００２７】上記第５の実施例においても第４の実施例
と同様の効果を得ることができ、しかも、マルチノズル
２１の先端近傍の側部に溝を掘ることにより第１乃至第
５の横穴２２ｂ〜２６ｂを設けることができるため、こ
の際の加工が容易である。The same effects as in the fourth embodiment can be obtained in the fifth embodiment, and the first to fifth horizontal holes can be formed by digging a groove near the tip of the multi-nozzle 21. Since 22b to 26b can be provided, processing at this time is easy.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
裾拡がりの生じない金属微粒子の堆積膜を形成すること
が可能な金属微粒子堆積装置を提供できる。 As described above, according to the present invention,
Forming a deposited film of fine metal particles without tail spreading
Can be provided.
【図１】この発明の第１の実施例による金属微粒子堆積
装置を示す構成図。FIG. 1 is a configuration diagram showing a metal fine particle deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】この発明の第１の実施例による金属微粒子堆積
装置を用いて半導体素子の信号入出力電極となる金属突
起を形成する工程を示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a step of forming a metal projection serving as a signal input / output electrode of a semiconductor element using the metal fine particle deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図３】この発明の第１の実施例による金属微粒子堆積
装置におけるノズルを示す斜視図。FIG. 3 is a perspective view showing a nozzle in the metal fine particle deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図４】この発明の第２の実施例による金属微粒子堆積
装置におけるノズルを示す斜視図。FIG. 4 is a perspective view showing a nozzle in a fine metal particle deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図５】この発明の図４に示すノズルを有する金属微粒
子堆積装置を用いて形成された半導体素子の信号入出力
電極となる金属突起を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing metal projections serving as signal input / output electrodes of a semiconductor element formed using the metal fine particle deposition apparatus having the nozzle shown in FIG. 4 of the present invention.
【図６】この発明の第３の実施例による金属微粒子堆積
装置におけるノズルを示す斜視図。FIG. 6 is a perspective view showing a nozzle in a metal fine particle deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図７】この発明の第４の実施例による金属微粒子堆積
装置におけるマルチノズルを示す斜視図。FIG. 7 is a perspective view showing a multi-nozzle in a metal fine particle deposition apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
【図８】この発明の第５の実施例による金属微粒子堆積
装置におけるマルチノズルを示す斜視図。FIG. 8 is a perspective view showing a multi-nozzle in a fine metal particle deposition apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
【図９】従来の金属微粒子堆積装置を用いて半導体素子
の信号入出力電極となる金属突起を形成する工程を示す
断面図。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a step of forming a metal projection serving as a signal input / output electrode of a semiconductor element using a conventional metal fine particle deposition apparatus.
【図１０】従来の金属微粒子堆積装置を用いて形成され
た半導体素子の信号入出力電極となる金属突起を示す断
面図。FIG. 10 is a cross-sectional view showing metal projections serving as signal input / output electrodes of a semiconductor element formed using a conventional metal fine particle deposition apparatus.
【図１１】従来の金属微粒子堆積装置を用いて半導体素
子の信号入出力電極となる金属突起を形成する際の問題
点を示す断面図。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a problem when forming a metal projection serving as a signal input / output electrode of a semiconductor element using a conventional metal fine particle deposition apparatus.
11…金属微粒子堆積装置、12…ノズル、12a …第１の横
穴、12b …第２の横穴、12c …スリット、14…Ａｌパッ
ド電極、16…Ａｕ微粒子、17…Ｈｅガス、19…バンプ電
極（Ａｕ電極）、19a …裾引き、21…マルチノズル、22
…第１のノズル、22a,22b …第１の横穴、23…第２のノ
ズル、23a,23b …第２の横穴、24…第３のノズル、24a,
24b …第３の横穴、25…第４のノズル、25a,25b …第４
の横穴、26…第５のノズル、26a,26b …第５の横穴、27
a …第１のチャンバ−、27b …第２のチャンバ−、28…
配送管、29a …バルブ、29b …ガス導入ノズル、30…蒸
発源、31…基板11: metal fine particle deposition apparatus, 12: nozzle, 12a: first horizontal hole, 12b: second horizontal hole, 12c: slit, 14: Al pad electrode, 16: Au fine particle, 17: He gas, 19: bump electrode ( Au electrode), 19a ... hem pull, 21 ... multi-nozzle, 22
1st nozzle, 22a, 22b 1st horizontal hole, 23 ... 2nd nozzle, 23a, 23b 2nd horizontal hole, 24 ... 3rd nozzle, 24a,
24b: third lateral hole, 25: fourth nozzle, 25a, 25b: fourth
No. 26, 5th nozzle, 26a, 26b ... 5th horizontal hole, 27
a ... first chamber, 27b ... second chamber, 28 ...
Delivery pipe, 29a… Valve, 29b… Gas introduction nozzle, 30… Evaporation source, 31… Substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江澤 弘和 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式 会社東芝堀川町工場内 (72)発明者 渕田 英嗣 千葉県山武郡山武町横田516番地 真空 冶金株式会社内 (72)発明者 賀集 誠一郎 神奈川県茅ケ崎市荻園2500番地 日本真 空技術株式会社内 (72)発明者 小日向 久治 神奈川県茅ケ崎市荻園2500番地 日本真 空技術株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−158805（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−49656（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−9511（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−33507（ＪＰ，Ａ) 特公 昭63−54075（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 H01L 21/285 H01L 21/60 B22F 9/06 F23N 3/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hirokazu Ezawa 72 Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Pref. Inside Metallurgical Co., Ltd. (72) Inventor Seiichiro Kashu 2500, Ogien, Chigasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside Japan Sky Technology Co., Ltd. References JP-A-62-158805 (JP, A) JP-A-6-49656 (JP, A) JP-A-4-9511 (JP, A) JP-A-63-33507 (JP, A) 63-54075 (JP, B1) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) C23C 14/00-14/58 H01L 21/285 H01L 21/60 B22F 9/06 F23N 3/00
Claims (4)
放出するノズルと、 前記ノズルの前記先端近傍に設けられ、前記不活性ガス
を排出する排出手段と を具備することを金属微粒子堆積
装置。1. An evaporation source for generating metal fine particles, and said metal fine particles transported by an inert gas are separated from a tip.
A nozzle for discharging, the inert gas provided near the tip of the nozzle,
Discharging means for discharging the fine particles.
部であることを特徴とする請求項１記載の金属微粒子堆
積装置。 2. The apparatus according to claim 1, wherein said discharging means has at least one opening.
2. The metal particulate deposit according to claim 1, wherein
Loading device.
特徴とする請求項１記載の金属微粒子堆積装置。 3. The method according to claim 2, wherein the discharging means is a slit.
The apparatus for depositing fine metal particles according to claim 1, wherein:
前記先端近傍に設けられた斜めのカット部であることを
特徴とする請求項１記載の金属微粒子堆積装置。 4. The nozzle according to claim 1, wherein the discharge means is provided from a tip of the nozzle.
It is an oblique cut portion provided near the tip.
The apparatus for depositing fine metal particles according to claim 1, wherein:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07130393A JP3350131B2 (en) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | Metal particle deposition equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07130393A JP3350131B2 (en) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | Metal particle deposition equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06280002A JPH06280002A (en) | 1994-10-04 |
| JP3350131B2 true JP3350131B2 (en) | 2002-11-25 |
Family
ID=13456747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07130393A Expired - Lifetime JP3350131B2 (en) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | Metal particle deposition equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3350131B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4564113B2 (en) * | 1998-11-30 | 2010-10-20 | 株式会社東芝 | Fine particle film forming method |
| JP5522662B2 (en) * | 2009-12-18 | 2014-06-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Microstructure formation method |
| JP4829340B2 (en) * | 2009-12-25 | 2011-12-07 | 株式会社東芝 | Manufacturing method of semiconductor device |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP07130393A patent/JP3350131B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06280002A (en) | 1994-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4597826A (en) | Method for forming patterns | |
| JP3350131B2 (en) | Metal particle deposition equipment | |
| JPH03245527A (en) | Fine processing | |
| KR100255532B1 (en) | Sputtering apparatus for forming a conductive film in a contact hole of a high aspect ratio | |
| JPH11167856A (en) | Micro cold cathode and production of micro cold cathode | |
| JPH0665731A (en) | Apparatus for production of semiconductor | |
| JP3077666B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH01152265A (en) | High-directivity vapor deposition apparatus | |
| JP2891488B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JPH04124822A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0897400A (en) | Vacuum electron beam interference device | |
| JP2811755B2 (en) | Manufacturing method of micro vacuum triode | |
| JPS61172336A (en) | Formation of electrode opening of semiconductor device | |
| JP2681959B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit | |
| JPH0680644B2 (en) | Method for forming refractory metal wiring layer | |
| JPH01293615A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0738389B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPS59155149A (en) | Manufacture of integrated circuit device | |
| JPH02102525A (en) | Deposition process of metallic thin film | |
| JPH0350828A (en) | Method of forming gold wiring | |
| DE10219115A1 (en) | Method of filling a contact hole and integrated circuit arrangement with contact hole | |
| JPS60175425A (en) | Selective etching method | |
| JPH0527247B2 (en) | ||
| JPH08186075A (en) | Method and device for manufacturing semiconductor device | |
| JPH03270234A (en) | Manufacture of semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070913 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100913 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110913 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110913 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120913 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120913 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130913 Year of fee payment: 11 |