JP3349953B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C23C16/45519—Inert gas curtains
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、液晶
表示装置または太陽電池等の製造に用いる基板処理装置
に関するもので、特にＣＶＤ装置、エッチング装置、ア
ッシング装置またはスパッタ装置等の基板処理装置に関
するものである。
表示装置または太陽電池等の製造に用いる基板処理装置
に関するもので、特にＣＶＤ装置、エッチング装置、ア
ッシング装置またはスパッタ装置等の基板処理装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置に用いる基板の大型化に伴
い、ＣＶＤ装置、エッチング装置、アッシング装置また
はスパッタ装置等の基板処理装置も大型化し、例えば並
行平板型のプラズマ処理装置では、基板表面の全面にわ
たっての均一な処理が困難になりつつある。
い、ＣＶＤ装置、エッチング装置、アッシング装置また
はスパッタ装置等の基板処理装置も大型化し、例えば並
行平板型のプラズマ処理装置では、基板表面の全面にわ
たっての均一な処理が困難になりつつある。
【０００３】このような問題を解決する方法として、特
開平８−２７９４９８号公報に開示されているように、
細長いライン状の処理ゾーンに基板を搬送しながら順次
処理する基板処理装置が提案されている。この細長いラ
イン状の処理ゾーンを持つ基板処理装置を図６に示す。
開平８−２７９４９８号公報に開示されているように、
細長いライン状の処理ゾーンに基板を搬送しながら順次
処理する基板処理装置が提案されている。この細長いラ
イン状の処理ゾーンを持つ基板処理装置を図６に示す。
【０００４】図６に示すように、細長いライン状の処理
ゾーン１０を持つ基板処理装置は、真空チャンバ１内に
おいて、基板４が搭載された基板ホルダ３が、加熱機構
２によって加熱されながら、搬送機構５によって搬送さ
れる。
ゾーン１０を持つ基板処理装置は、真空チャンバ１内に
おいて、基板４が搭載された基板ホルダ３が、加熱機構
２によって加熱されながら、搬送機構５によって搬送さ
れる。
【０００５】一方、励起ガス導入ノズル６より導入され
た励起ガスが、誘電体窓１６を通してＲＦ電極８によっ
て励起される。また、反応ガス導入ノズル７より反応ガ
スが導入される。そして、励起ガスと反応ガスとが処理
ゾーン１０を通り、処理ゾーン１０と平行に配置された
真空排気口９より排気される。励起ガスと反応ガスとが
導入されている処理ゾーン１０を基板４が通る時に、基
板４の表面が順次処理される。
た励起ガスが、誘電体窓１６を通してＲＦ電極８によっ
て励起される。また、反応ガス導入ノズル７より反応ガ
スが導入される。そして、励起ガスと反応ガスとが処理
ゾーン１０を通り、処理ゾーン１０と平行に配置された
真空排気口９より排気される。励起ガスと反応ガスとが
導入されている処理ゾーン１０を基板４が通る時に、基
板４の表面が順次処理される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
基板処理装置によれば、図７に示すように、基板４およ
び基板ホルダ３が処理ゾーン１０を通る時に、基板４お
よび基板ホルダ３の位置によって処理ゾーン１０に空間
的変化が生じ、基板４の表面付近での処理ガスのガス流
の方向および速度がそれぞれ異なってしまう。その結
果、基板４に対する処理が不均一となる等の問題が発生
する。
基板処理装置によれば、図７に示すように、基板４およ
び基板ホルダ３が処理ゾーン１０を通る時に、基板４お
よび基板ホルダ３の位置によって処理ゾーン１０に空間
的変化が生じ、基板４の表面付近での処理ガスのガス流
の方向および速度がそれぞれ異なってしまう。その結
果、基板４に対する処理が不均一となる等の問題が発生
する。
【０００７】また、処理ガスが処理ゾーン１０以外の空
間へ拡散し、真空チャンバ１内壁および観察窓等への反
応成分の付着が起き、ダストの発生源となる等の問題点
がある。
間へ拡散し、真空チャンバ１内壁および観察窓等への反
応成分の付着が起き、ダストの発生源となる等の問題点
がある。
【０００８】尚、図７におけるａ〜ｃは、基板４が搬送
されていく過程をａから順に示している。
されていく過程をａから順に示している。
【０００９】本発明は、以上のような従来の問題点に鑑
みなされたものであって、基板の位置によって処理ゾー
ンに空間的変化が生じても、基板の表面付近での処理ガ
スのガス流の方向および速度を一定にして均一な基板処
理を行い、かつ処理ガスを処理ゾーンに集中させること
によってダストパーティクルの発生を抑止する基板処理
装置を提供することを目的としている。
みなされたものであって、基板の位置によって処理ゾー
ンに空間的変化が生じても、基板の表面付近での処理ガ
スのガス流の方向および速度を一定にして均一な基板処
理を行い、かつ処理ガスを処理ゾーンに集中させること
によってダストパーティクルの発生を抑止する基板処理
装置を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明の基板処理装置は、真空チャンバ内に、
基板を加熱する加熱手段と、基板を搬送する搬送手段
と、処理ガスを導入する処理ガス導入手段とを少なくと
も備え、前記処理ガス導入手段によって処理ガスが導入
される処理ゾーンに、前記加熱手段によって基板を加熱
しながら、前記搬送手段によって基板を搬送して前記処
理ゾーンを通過させることで、前記基板の表面に順次所
望の処理を行う基板処理装置において、前記真空チャン
バ内に、前記処理ゾーンを囲むように第１の不活性ガス
供給手段が設けられるとともに、前記搬送手段による基
板搬送方向の前後方向に第２の不活性ガス供給手段が設
けられて、前記第１および第２の不活性ガス供給手段か
ら供給される不活性ガスの流れによって、前記処理ガス
の流れを制御することを特徴とする。
ために、本発明の基板処理装置は、真空チャンバ内に、
基板を加熱する加熱手段と、基板を搬送する搬送手段
と、処理ガスを導入する処理ガス導入手段とを少なくと
も備え、前記処理ガス導入手段によって処理ガスが導入
される処理ゾーンに、前記加熱手段によって基板を加熱
しながら、前記搬送手段によって基板を搬送して前記処
理ゾーンを通過させることで、前記基板の表面に順次所
望の処理を行う基板処理装置において、前記真空チャン
バ内に、前記処理ゾーンを囲むように第１の不活性ガス
供給手段が設けられるとともに、前記搬送手段による基
板搬送方向の前後方向に第２の不活性ガス供給手段が設
けられて、前記第１および第２の不活性ガス供給手段か
ら供給される不活性ガスの流れによって、前記処理ガス
の流れを制御することを特徴とする。
【００１１】
【００１２】前記処理ゾーンとその他の空間を隔てる隔
壁が、前記処理ゾーンを囲むように配置されていてもよ
い。
壁が、前記処理ゾーンを囲むように配置されていてもよ
い。
【００１３】前記隔壁の外側または内側に沿って前記第
１の不活性ガス供給手段が配置されていてもよい。
１の不活性ガス供給手段が配置されていてもよい。
【００１４】前記隔壁の先端に前記第１の不活性ガス供
給手段が配置されていてもよい。
給手段が配置されていてもよい。
【００１５】
【００１６】本発明の基板処理装置によれば、不活性ガ
ス供給手段を設け、不活性ガス供給手段から供給される
不活性ガスの流れによって処理ガスの流れを制御するこ
とにより、処理ゾーンから処理ガスが流出することを防
ぐことができるとともに、処理ゾーンにおける処理ガス
の流れをほぼ一定に保つことができる。したがって、基
板の全面への均一な処理ができるとともに、真空チャン
バ内壁への反応成分の付着を防いでダストの発生を抑制
することができる。
ス供給手段を設け、不活性ガス供給手段から供給される
不活性ガスの流れによって処理ガスの流れを制御するこ
とにより、処理ゾーンから処理ガスが流出することを防
ぐことができるとともに、処理ゾーンにおける処理ガス
の流れをほぼ一定に保つことができる。したがって、基
板の全面への均一な処理ができるとともに、真空チャン
バ内壁への反応成分の付着を防いでダストの発生を抑制
することができる。
【００１７】さらに、不活性ガス供給手段が処理ゾーン
を囲むように配置されていることにより、処理ゾーンを
囲むように不活性ガスの壁状の流れができ、処理ゾーン
からの処理ガスの流出をより一層防ぐことができるとと
もに、処理ゾーンにおける処理ガスの流れをほぼ一定に
保つことができる。
を囲むように配置されていることにより、処理ゾーンを
囲むように不活性ガスの壁状の流れができ、処理ゾーン
からの処理ガスの流出をより一層防ぐことができるとと
もに、処理ゾーンにおける処理ガスの流れをほぼ一定に
保つことができる。
【００１８】また、処理ゾーンとその他の空間を隔てる
隔壁が処理ゾーンを囲むように配置されていることによ
り、隔壁と不活性ガスとの相乗効果によって、処理ゾー
ンからの処理ガスの流出をより一層防ぐことができると
ともに、処理ゾーンにおける処理ガスの流れをほぼ一定
に保つことができる。
隔壁が処理ゾーンを囲むように配置されていることによ
り、隔壁と不活性ガスとの相乗効果によって、処理ゾー
ンからの処理ガスの流出をより一層防ぐことができると
ともに、処理ゾーンにおける処理ガスの流れをほぼ一定
に保つことができる。
【００１９】さらに、隔壁の外側または内側に沿って不
活性ガス供給手段が配置されていることにより、隔壁と
不活性ガスの壁状の流れとの相乗効果によって、処理ゾ
ーンからの処理ガスの流出をより一層防ぐことができる
とともに、処理ゾーンにおける処理ガスの流れをほぼ一
定に保つことができる。
活性ガス供給手段が配置されていることにより、隔壁と
不活性ガスの壁状の流れとの相乗効果によって、処理ゾ
ーンからの処理ガスの流出をより一層防ぐことができる
とともに、処理ゾーンにおける処理ガスの流れをほぼ一
定に保つことができる。
【００２０】さらに、隔壁の先端に不活性ガス供給手段
が配置されていることにより、隔壁と不活性ガスの壁状
の流れとを一体化できるので、処理ゾーンからの処理ガ
スの流出をより一層防ぐことができるとともに、処理ゾ
ーンにおける処理ガスの流れをほぼ一定に保つことがで
きる。
が配置されていることにより、隔壁と不活性ガスの壁状
の流れとを一体化できるので、処理ゾーンからの処理ガ
スの流出をより一層防ぐことができるとともに、処理ゾ
ーンにおける処理ガスの流れをほぼ一定に保つことがで
きる。
【００２１】また、不活性ガス供給手段が基板搬送の前
後方向にも配置されていることにより、処理ゾーン以外
の空間を不活性ガスで満たしておくことができ、不活性
ガスの壁状の流れおよび処理ガスの流れが乱れることを
防ぐことができる。
後方向にも配置されていることにより、処理ゾーン以外
の空間を不活性ガスで満たしておくことができ、不活性
ガスの壁状の流れおよび処理ガスの流れが乱れることを
防ぐことができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１乃至図５を用いて、本発明の
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００２３】（実施の形態１）図１は実施の形態１に係
わる基板処理装置を示す断面図、図２は図１のＺ−Ｚ線
における断面図、図３は基板処理装置における処理ガス
流を示す説明図である。
わる基板処理装置を示す断面図、図２は図１のＺ−Ｚ線
における断面図、図３は基板処理装置における処理ガス
流を示す説明図である。
【００２４】図１および図２に示すように、実施の形態
１に係わる基板処理装置は、真空チャンバ１の上部に、
プラズマを生成するためのプラズマチャンバ１３が真空
チャンバ１と直角になるように配置され、プラズマチャ
ンバ１３の下部に、細長いプラズマチャンバ開口部１４
を有している。
１に係わる基板処理装置は、真空チャンバ１の上部に、
プラズマを生成するためのプラズマチャンバ１３が真空
チャンバ１と直角になるように配置され、プラズマチャ
ンバ１３の下部に、細長いプラズマチャンバ開口部１４
を有している。
【００２５】プラズマチャンバ１３の外部には、ＲＦ電
極８と、ＲＦ電極８からの電界を内部に導入するための
誘電体窓１６が左右両側に配置されている。プラズマチ
ャンバ１３の内部には、上面壁に励起ガスを導入するた
めのライン状に並んだ導入孔を有する励起ガス導入ノズ
ル６と、左側面壁に反応ガスを導入するためのライン状
に並んだ導入孔を有する反応ガス導入ノズル７が配置さ
れる。
極８と、ＲＦ電極８からの電界を内部に導入するための
誘電体窓１６が左右両側に配置されている。プラズマチ
ャンバ１３の内部には、上面壁に励起ガスを導入するた
めのライン状に並んだ導入孔を有する励起ガス導入ノズ
ル６と、左側面壁に反応ガスを導入するためのライン状
に並んだ導入孔を有する反応ガス導入ノズル７が配置さ
れる。
【００２６】真空チャンバ１の内部上面壁には、プラズ
マチャンバ開口部１４と近接して平行に、細長い真空排
気口９が反応ガス導入ノズル７と対向して配置される。
さらに、真空チャンバ１の内部上面壁には、プラズマチ
ャンバ開口部１４と真空排気口９とを囲むように並んだ
導入孔を有する第１の不活性ガス導入ノズル１１が配置
され、真空チャンバ１の内部左右側壁には、ライン状に
並んだ導入孔を有する第２の不活性ガス導入ノズル１２
が配置される。
マチャンバ開口部１４と近接して平行に、細長い真空排
気口９が反応ガス導入ノズル７と対向して配置される。
さらに、真空チャンバ１の内部上面壁には、プラズマチ
ャンバ開口部１４と真空排気口９とを囲むように並んだ
導入孔を有する第１の不活性ガス導入ノズル１１が配置
され、真空チャンバ１の内部左右側壁には、ライン状に
並んだ導入孔を有する第２の不活性ガス導入ノズル１２
が配置される。
【００２７】第１の不活性ガス導入ノズル１１および第
２の不活性ガス導入ノズル１２は、等間隔に孔のあいた
多孔管によって構成され、真空チャンバ１の壁面に配置
される。尚、第２の不活性ガス導入ノズル１２の導入孔
は、少なくとも１列以上に配置され、真空チャンバ１の
内部高さによっては複数列配置される。また、第１の不
活性ガス導入ノズル１１および第２の不活性ガス導入ノ
ズル１２は、例えばチャンバ壁に直接導入孔を設けても
かまわない。
２の不活性ガス導入ノズル１２は、等間隔に孔のあいた
多孔管によって構成され、真空チャンバ１の壁面に配置
される。尚、第２の不活性ガス導入ノズル１２の導入孔
は、少なくとも１列以上に配置され、真空チャンバ１の
内部高さによっては複数列配置される。また、第１の不
活性ガス導入ノズル１１および第２の不活性ガス導入ノ
ズル１２は、例えばチャンバ壁に直接導入孔を設けても
かまわない。
【００２８】また、真空チャンバ１内には、基板４を搭
載する基板ホルダ３が搬送機構５の上に配置され、搬送
機構５の動作によって矢印Ａの方向に搬送される。さら
に、搬送機構５よりも下側に、少なくともプラズマチャ
ンバ開口部１４から真空排気口９までの長さを有する加
熱機構２が配置される。尚、基板ホルダ３は、例えば抵
抗体を内蔵した加熱機構を有していてもかまわない。ま
た、搬送機構５は、ローラまたはラックアンドピニオン
等の如何なる構成でもかまわない。
載する基板ホルダ３が搬送機構５の上に配置され、搬送
機構５の動作によって矢印Ａの方向に搬送される。さら
に、搬送機構５よりも下側に、少なくともプラズマチャ
ンバ開口部１４から真空排気口９までの長さを有する加
熱機構２が配置される。尚、基板ホルダ３は、例えば抵
抗体を内蔵した加熱機構を有していてもかまわない。ま
た、搬送機構５は、ローラまたはラックアンドピニオン
等の如何なる構成でもかまわない。
【００２９】次に、図３を用いてガス流について説明す
る。励起ガス導入ノズル６より導入された励起ガスは、
誘電体窓１６を通してＲＦ電極８によって励起され、反
応ガス導入ノズル７より導入された反応ガスと混合され
て、処理ガスＲとしてプラズマチャンバ開口部１４を通
って真空排気口９から排出される。
る。励起ガス導入ノズル６より導入された励起ガスは、
誘電体窓１６を通してＲＦ電極８によって励起され、反
応ガス導入ノズル７より導入された反応ガスと混合され
て、処理ガスＲとしてプラズマチャンバ開口部１４を通
って真空排気口９から排出される。
【００３０】一方、第１の不活性ガス導入ノズル１１よ
り第１の不活性ガスＳが導入され、この第１の不活性ガ
スＳの壁状のガス流により、処理ガスＲがこの第１の不
活性ガスＳの内側、即ち処理ゾーン１０から外に流出し
ないように制御される。
り第１の不活性ガスＳが導入され、この第１の不活性ガ
スＳの壁状のガス流により、処理ガスＲがこの第１の不
活性ガスＳの内側、即ち処理ゾーン１０から外に流出し
ないように制御される。
【００３１】さらに、第２の不活性ガス導入ノズル１２
よりライン状の第２の不活性ガスＳ’が導入され、真空
チャンバ１の左右方向の空間を第２の不活性ガスＳ’で
満たし、第１の不活性ガスＳの壁状のガス流および処理
ガスＲのガス流を乱さないように制御する。
よりライン状の第２の不活性ガスＳ’が導入され、真空
チャンバ１の左右方向の空間を第２の不活性ガスＳ’で
満たし、第１の不活性ガスＳの壁状のガス流および処理
ガスＲのガス流を乱さないように制御する。
【００３２】尚、図３におけるａ〜ｃは、基板４が搬送
されていく過程をａから順に示している。
されていく過程をａから順に示している。
【００３３】このように、基板ホルダ３に搭載された基
板４は、加熱機構２によって所定温度に加熱されなが
ら、搬送機構５によって矢印Ａの方向に搬送され、処理
ガスＲが導入されている処理ゾーン１０を通過する。こ
の時、所定温度に加熱された基板４の表面付近において
処理ガスＲが気相反応し、基板４の表面が順次処理され
る。気相反応は、用いられるガス種に応じて、基板４の
表面に対して堆積、エッチングまたはアッシングのいず
れかを行う。
板４は、加熱機構２によって所定温度に加熱されなが
ら、搬送機構５によって矢印Ａの方向に搬送され、処理
ガスＲが導入されている処理ゾーン１０を通過する。こ
の時、所定温度に加熱された基板４の表面付近において
処理ガスＲが気相反応し、基板４の表面が順次処理され
る。気相反応は、用いられるガス種に応じて、基板４の
表面に対して堆積、エッチングまたはアッシングのいず
れかを行う。
【００３４】尚、第１の不活性ガスＳと第２の不活性ガ
スＳ’は、例えばＡｒ、ＨｅまたはＮ2であり、基板４
の処理内容によって選択され、第１の不活性ガスＳと第
２の不活性ガスＳ’とが同一の不活性ガスまたは異なっ
た不活性ガスを用いることができる。
スＳ’は、例えばＡｒ、ＨｅまたはＮ2であり、基板４
の処理内容によって選択され、第１の不活性ガスＳと第
２の不活性ガスＳ’とが同一の不活性ガスまたは異なっ
た不活性ガスを用いることができる。
【００３５】（実施の形態２）図４は実施の形態２に係
わる基板処理装置を示す断面図である。以下に説明する
構成以外は、実施の形態１と同様の構成である。
わる基板処理装置を示す断面図である。以下に説明する
構成以外は、実施の形態１と同様の構成である。
【００３６】図４に示すように、実施の形態２に係わる
基板処理装置は、真空チャンバ１の内部上面壁に、プラ
ズマチャンバ開口部１４と真空排気口９とを囲むよう
に、処理ゾーン１０とその他を空間的に隔てる処理ゾー
ン隔壁１５が配置される。処理ゾーン隔壁１５は、処理
ガスＲの流れが真空チャンバ１の内部上面壁に沿って巻
き込まれることを防ぐことができる。
基板処理装置は、真空チャンバ１の内部上面壁に、プラ
ズマチャンバ開口部１４と真空排気口９とを囲むよう
に、処理ゾーン１０とその他を空間的に隔てる処理ゾー
ン隔壁１５が配置される。処理ゾーン隔壁１５は、処理
ガスＲの流れが真空チャンバ１の内部上面壁に沿って巻
き込まれることを防ぐことができる。
【００３７】処理ゾーン隔壁１５の外側には、処理ゾー
ン隔壁１５に沿って並んだ導入孔を有する第１の不活性
ガス導入ノズル１１が配置される。第１の不活性ガス導
入ノズル１１より導入される第１の不活性ガスＳは、処
理ゾーン隔壁１５に沿って壁状のガス流になり、処理ガ
スＲを処理ゾーン１０から外に流出しないように制御す
る。
ン隔壁１５に沿って並んだ導入孔を有する第１の不活性
ガス導入ノズル１１が配置される。第１の不活性ガス導
入ノズル１１より導入される第１の不活性ガスＳは、処
理ゾーン隔壁１５に沿って壁状のガス流になり、処理ガ
スＲを処理ゾーン１０から外に流出しないように制御す
る。
【００３８】尚、第１の不活性ガス導入ノズル１１は、
処理ゾーン隔壁１５の内側に配置してもかまわない。
処理ゾーン隔壁１５の内側に配置してもかまわない。
【００３９】このように、処理ゾーン隔壁１５と、第１
の不活性ガスＳの処理ゾーン隔壁１５に沿った壁状のガ
ス流との相乗効果により、より一層処理ガスＲが処理ゾ
ーン１０から流出することを防ぐことができ、処理ゾー
ン１０における処理ガスＲの流れをほぼ一定に保つこと
ができる。
の不活性ガスＳの処理ゾーン隔壁１５に沿った壁状のガ
ス流との相乗効果により、より一層処理ガスＲが処理ゾ
ーン１０から流出することを防ぐことができ、処理ゾー
ン１０における処理ガスＲの流れをほぼ一定に保つこと
ができる。
【００４０】（実施の形態３）図５は実施の形態３に係
わる基板処理装置を示す断面図である。以下に説明する
構成以外は、実施の形態１と同様の構成である。
わる基板処理装置を示す断面図である。以下に説明する
構成以外は、実施の形態１と同様の構成である。
【００４１】図５に示すように、実施の形態３に係わる
基板処理装置は、真空チャンバ１の内部上面壁に、プラ
ズマチャンバ開口部１４と真空排気口９とを囲むよう
に、処理ゾーン１０とその他を空間的に隔てる処理ゾー
ン隔壁１５が配置される。処理ゾーン隔壁１５は、処理
ガスＲの流れが真空チャンバ１の内部上面壁に沿って巻
き込まれることを防ぐことができる。
基板処理装置は、真空チャンバ１の内部上面壁に、プラ
ズマチャンバ開口部１４と真空排気口９とを囲むよう
に、処理ゾーン１０とその他を空間的に隔てる処理ゾー
ン隔壁１５が配置される。処理ゾーン隔壁１５は、処理
ガスＲの流れが真空チャンバ１の内部上面壁に沿って巻
き込まれることを防ぐことができる。
【００４２】処理ゾーン隔壁１５には、処理ゾーン隔壁
１５の先端に導入孔を有する第１の不活性ガス導入ノズ
ル１１が配置される。第１の不活性ガス導入ノズル１１
より導入される第１の不活性ガスＳは、処理ゾーン隔壁
１５の先端から壁状のガス流になり、処理ガスＲを処理
ゾーン１０から外に流出しないように制御する。
１５の先端に導入孔を有する第１の不活性ガス導入ノズ
ル１１が配置される。第１の不活性ガス導入ノズル１１
より導入される第１の不活性ガスＳは、処理ゾーン隔壁
１５の先端から壁状のガス流になり、処理ガスＲを処理
ゾーン１０から外に流出しないように制御する。
【００４３】このように、処理ゾーン隔壁１５と、処理
ゾーン隔壁１５の先端から流れる処理ゾーン隔壁１５と
一体化した第１の不活性ガスＳの壁状のガス流との相乗
効果により、より一層処理ガスＲが処理ゾーン１０から
流出することを防ぐことができ、処理ゾーン１０におけ
る処理ガスＲの流れをほぼ一定に保つことができる。
ゾーン隔壁１５の先端から流れる処理ゾーン隔壁１５と
一体化した第１の不活性ガスＳの壁状のガス流との相乗
効果により、より一層処理ガスＲが処理ゾーン１０から
流出することを防ぐことができ、処理ゾーン１０におけ
る処理ガスＲの流れをほぼ一定に保つことができる。
【００４４】
【発明の効果】以上の説明のように、本発明の基板処理
装置によれば、不活性ガス供給手段を設け、不活性ガス
供給手段から供給される不活性ガスの流れによって処理
ガスの流れを制御することにより、大型の基板において
も基板の全面への均一な処理ができるとともに、真空チ
ャンバ内壁への反応成分の付着を防いでダストの発生を
抑制することができる。さらに、処理条件の再現性にも
優れている。
装置によれば、不活性ガス供給手段を設け、不活性ガス
供給手段から供給される不活性ガスの流れによって処理
ガスの流れを制御することにより、大型の基板において
も基板の全面への均一な処理ができるとともに、真空チ
ャンバ内壁への反応成分の付着を防いでダストの発生を
抑制することができる。さらに、処理条件の再現性にも
優れている。
【００４５】さらに、不活性ガス供給手段が処理ゾーン
を囲むように配置されていることにより、処理ゾーンを
囲むように不活性ガスの壁状の流れができ、大型の基板
においても基板の全面への均一な処理ができるととも
に、真空チャンバ内壁への反応成分の付着を防いでダス
トの発生を抑制することができる。さらに、処理条件の
再現性にも優れている。
を囲むように配置されていることにより、処理ゾーンを
囲むように不活性ガスの壁状の流れができ、大型の基板
においても基板の全面への均一な処理ができるととも
に、真空チャンバ内壁への反応成分の付着を防いでダス
トの発生を抑制することができる。さらに、処理条件の
再現性にも優れている。
【００４６】また、処理ゾーンとその他の空間を隔てる
隔壁が処理ゾーンを囲むように配置されていることによ
り、隔壁と不活性ガスとの相乗効果によって、大型の基
板においても基板の全面への均一な処理ができるととも
に、真空チャンバ内壁への反応成分の付着を防いでダス
トの発生を抑制することができる。さらに、処理条件の
再現性にも優れている。
隔壁が処理ゾーンを囲むように配置されていることによ
り、隔壁と不活性ガスとの相乗効果によって、大型の基
板においても基板の全面への均一な処理ができるととも
に、真空チャンバ内壁への反応成分の付着を防いでダス
トの発生を抑制することができる。さらに、処理条件の
再現性にも優れている。
【００４７】さらに、隔壁の外側または内側に沿って不
活性ガス供給手段が配置されていることにより、隔壁と
不活性ガスの壁状の流れとの相乗効果によって、大型の
基板においても基板の全面への均一な処理ができるとと
もに、真空チャンバ内壁への反応成分の付着を防いでダ
ストの発生を抑制することができる。さらに、処理条件
の再現性にも優れている。
活性ガス供給手段が配置されていることにより、隔壁と
不活性ガスの壁状の流れとの相乗効果によって、大型の
基板においても基板の全面への均一な処理ができるとと
もに、真空チャンバ内壁への反応成分の付着を防いでダ
ストの発生を抑制することができる。さらに、処理条件
の再現性にも優れている。
【００４８】さらに、隔壁の先端に不活性ガス供給手段
が配置されていることにより、隔壁と不活性ガスの壁状
の流れとを一体化できるので、大型の基板においても基
板の全面への均一な処理ができるとともに、真空チャン
バ内壁への反応成分の付着を防いでダストの発生を抑制
することができる。さらに、処理条件の再現性にも優れ
ている。
が配置されていることにより、隔壁と不活性ガスの壁状
の流れとを一体化できるので、大型の基板においても基
板の全面への均一な処理ができるとともに、真空チャン
バ内壁への反応成分の付着を防いでダストの発生を抑制
することができる。さらに、処理条件の再現性にも優れ
ている。
【００４９】また、不活性ガス供給手段が基板搬送の前
後方向にも配置されていることにより、処理ゾーン以外
の空間を不活性ガスで満たしておくことができ、不活性
ガスの壁状の流れおよび処理ガスの流れが乱れることを
防ぐことができるので、大型の基板においても基板の全
面への均一な処理ができるとともに、真空チャンバ内壁
への反応成分の付着を防いでダストの発生を抑制するこ
とができる。さらに、処理条件の再現性にも優れてい
る。
後方向にも配置されていることにより、処理ゾーン以外
の空間を不活性ガスで満たしておくことができ、不活性
ガスの壁状の流れおよび処理ガスの流れが乱れることを
防ぐことができるので、大型の基板においても基板の全
面への均一な処理ができるとともに、真空チャンバ内壁
への反応成分の付着を防いでダストの発生を抑制するこ
とができる。さらに、処理条件の再現性にも優れてい
る。
【図１】実施の形態１に係わる基板処理装置を示す断面
図である。
図である。
【図２】図１のＺ−Ｚ線における断面図である。
【図３】基板処理装置における処理ガス流を示す説明図
である。
である。
【図４】実施の形態２に係わる基板処理装置を示す断面
図である。
図である。
【図５】実施の形態３に係わる基板処理装置を示す断面
図である。
図である。
【図６】従来の基板処理装置を示す断面図である。
【図７】従来の基板処理装置における処理ガス流を示す
説明図である。
説明図である。
１ 真空チャンバ ２ 加熱機構 ３ 基板ホルダ ４ 基板 ５ 搬送機構 ６ 励起ガス導入ノズル ７ 反応ガス導入ノズル ８ ＲＦ電極 ９ 真空排気口 １０ 処理ゾーン １１ 第１の不活性ガス導入ノズル １２ 第２の不活性ガス導入ノズル １３ プラズマチャンバ １４ プラズマチャンバ開口部 １５ 処理ゾーン隔壁 １６ 誘電体窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205,21/3065
Claims (4)
- 【請求項１】 真空チャンバ内に、基板を加熱する加熱
手段と、基板を搬送する搬送手段と、処理ガスを導入す
る処理ガス導入手段とを少なくとも備え、前記処理ガス
導入手段によって処理ガスが導入される処理ゾーンに、
前記加熱手段によって基板を加熱しながら、前記搬送手
段によって基板を搬送して前記処理ゾーンを通過させる
ことで、前記基板の表面に順次所望の処理を行う基板処
理装置において、 前記真空チャンバ内に、前記処理ゾーンを囲むように第
１の不活性ガス供給手段が設けられるとともに、前記搬
送手段による基板搬送方向の前後方向に第２の不活性ガ
ス供給手段が設けられて、前記第１および第２の不活性
ガス供給手段から供給される不活性ガスの流れによっ
て、前記処理ガスの流れを制御することを特徴とする基
板処理装置。 - 【請求項２】 前記処理ゾーンとその他の空間を隔てる
隔壁が、前記処理ゾーンを囲むように配置されているこ
とを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項３】 前記隔壁の外側または内側に沿って前記
第１の不活性ガス供給手段が配置されていることを特徴
とする請求項２記載の基板処理装置。 - 【請求項４】 前記隔壁の先端に前記第１の不活性ガス
供給手段が配置されていることを特徴とする請求項２記
載の基板処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14241198A JP3349953B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | 基板処理装置 |
| US09/318,090 US6187101B1 (en) | 1998-05-25 | 1999-05-25 | Substrate processing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14241198A JP3349953B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340145A JPH11340145A (ja) | 1999-12-10 |
| JP3349953B2 true JP3349953B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=15314721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14241198A Expired - Fee Related JP3349953B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | 基板処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6187101B1 (ja) |
| JP (1) | JP3349953B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7378127B2 (en) * | 2001-03-13 | 2008-05-27 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition methods |
| US6808741B1 (en) * | 2001-10-26 | 2004-10-26 | Seagate Technology Llc | In-line, pass-by method for vapor lubrication |
| US7229666B2 (en) * | 2002-01-22 | 2007-06-12 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition method |
| US6787185B2 (en) | 2002-02-25 | 2004-09-07 | Micron Technology, Inc. | Deposition methods for improved delivery of metastable species |
| US7468104B2 (en) * | 2002-05-17 | 2008-12-23 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus and deposition method |
| US6887521B2 (en) | 2002-08-15 | 2005-05-03 | Micron Technology, Inc. | Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices |
| KR100741975B1 (ko) * | 2005-08-25 | 2007-07-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 열처리 장치 및 이를 이용한 열처리 방법 |
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| JP4936297B2 (ja) * | 2007-09-04 | 2012-05-23 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法ならびに半導体素子 |
| US20090165716A1 (en) * | 2008-01-01 | 2009-07-02 | Dongguan Anwell Digital Machinery Ltd. | Method and system for plasma enhanced chemical vapor deposition |
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| ES2872339T3 (es) * | 2010-10-22 | 2021-11-02 | Agc Glass Europe | Separación por dispositivo de revestimiento modular |
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| TWM415754U (en) * | 2011-04-21 | 2011-11-11 | Creating Nano Technologies Inc | Atmospheric evaporation device and manufacturing apparatus of anti-smudge film |
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| DK3163983T3 (da) * | 2015-10-28 | 2020-08-24 | Vito Nv | Apparat til plasmabehandling med indirekte atmosfærisk tryk |
| CN109212793A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-15 | 惠科股份有限公司 | 一种用于显示面板的制造设备和清洗方法 |
| CN113832448B (zh) * | 2020-06-23 | 2023-06-09 | 拓荆科技股份有限公司 | 一种半导体薄膜沉积设备及半导体镀膜方法 |
| CN113862624B (zh) * | 2021-09-27 | 2023-03-21 | 上海集成电路材料研究院有限公司 | 溅射沉积设备及溅射沉积方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5976258A (en) * | 1998-02-05 | 1999-11-02 | Semiconductor Equipment Group, Llc | High temperature substrate transfer module |
-
1998
- 1998-05-25 JP JP14241198A patent/JP3349953B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-05-25 US US09/318,090 patent/US6187101B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11340145A (ja) | 1999-12-10 |
| US6187101B1 (en) | 2001-02-13 |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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