JP3342880B2 - 回転角速度センサ - Google Patents
回転角速度センサInfo
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
- G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
- G01C19/5719—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using planar vibrating masses driven in a translation vibration along an axis
- G01C19/5733—Structural details or topology
- G01C19/5755—Structural details or topology the devices having a single sensing mass
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、層状に形成されたセン
サエレメントを有する回転角速度センサであって、１つ
の層内に形成された少なくとも１つの振動体を有してお
り、さらに層が円板状の支持体によって形成されてお
り、さらに支持体の主表面に対して平行に整合されてい
る第１の振動方向で、少なくとも１つの振動体を励振す
るための手段を有している形式のものに関する。
サエレメントを有する回転角速度センサであって、１つ
の層内に形成された少なくとも１つの振動体を有してお
り、さらに層が円板状の支持体によって形成されてお
り、さらに支持体の主表面に対して平行に整合されてい
る第１の振動方向で、少なくとも１つの振動体を励振す
るための手段を有している形式のものに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、主に鉛直軸線を中心にした車両
の回転速度を検出するために、走行動力学の調整のため
に、あるいは操縦のために、秒単位毎の数角度の範囲に
おける僅かな回転角速度（rotation rate)をセンサによ
って検出することは公知であり、このセンサにおいて
は、回転軸線に対して平行に整合されている音叉構造体
が回転軸線に対して垂直な平面内で励振せしめられる。
回転軸線を中心にして回転する際に、コリオリ力が、回
転軸線に対して垂直に、振動する音叉に作用し、回転運
動が存在しない場合に、コリオリ力は、励振方向即ち音
叉の変向方向に対して垂直に作用する。回転角速度は、
コリオリ力によって生じる、励振方向に対して垂直な音
叉の変向によって検出及び評価される。
の回転速度を検出するために、走行動力学の調整のため
に、あるいは操縦のために、秒単位毎の数角度の範囲に
おける僅かな回転角速度（rotation rate)をセンサによ
って検出することは公知であり、このセンサにおいて
は、回転軸線に対して平行に整合されている音叉構造体
が回転軸線に対して垂直な平面内で励振せしめられる。
回転軸線を中心にして回転する際に、コリオリ力が、回
転軸線に対して垂直に、振動する音叉に作用し、回転運
動が存在しない場合に、コリオリ力は、励振方向即ち音
叉の変向方向に対して垂直に作用する。回転角速度は、
コリオリ力によって生じる、励振方向に対して垂直な音
叉の変向によって検出及び評価される。
【０００３】同一出願人によって特許出願されたドイツ
連邦共和国特許出願第４０２２４９５３号明細書によれ
ば、センサエレメントを有する回転角速度センサの種々
異なる構成が記載されており、前記センサエレメント
は、単結晶シリコンウェーハから構成されていてかつ少
なくとも１つの振動体、有利には１対の振動体を有して
おり、これらの振動体は単数又は複数のウエブを介して
不動のフレームと結合されている。振動対は互いに垂直
に位置する２方向で振動可能である。ウェーハ平面内に
位置する第１の振動方向での振動体の、例えば電磁式の
励振、熱力学的な励振のような種々の励振可能性が記載
されており、さらに静電気的な励振の種々の可能性が記
載されている。さらに、このような回転角速度センサ
は、第２の振動方向での振動体の変向を検出する手段を
備えている。
連邦共和国特許出願第４０２２４９５３号明細書によれ
ば、センサエレメントを有する回転角速度センサの種々
異なる構成が記載されており、前記センサエレメント
は、単結晶シリコンウェーハから構成されていてかつ少
なくとも１つの振動体、有利には１対の振動体を有して
おり、これらの振動体は単数又は複数のウエブを介して
不動のフレームと結合されている。振動対は互いに垂直
に位置する２方向で振動可能である。ウェーハ平面内に
位置する第１の振動方向での振動体の、例えば電磁式の
励振、熱力学的な励振のような種々の励振可能性が記載
されており、さらに静電気的な励振の種々の可能性が記
載されている。さらに、このような回転角速度センサ
は、第２の振動方向での振動体の変向を検出する手段を
備えている。
【０００４】Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏ
ｒｓ，２０（１９８９）２５−３２におけるＷｉｌｌｉ
ａｍ Ｃ．Ｔａｎｇ，Ｔｕ−Ｃｕｏｎｇ Ｈ．Ｎｇｕｙ
ｅｎ，Ｒｏｇｅｒ Ｔ．Ｈｏｗｅによる論文「Ｌａｔｅ
ｒａｌｌｙ ＤｒｉｖｅｎＰｌｏｙｓｉｌｉｃｏｎ Ｒ
ｅｓｏｎａｎｔ Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ」に
は、支持体に析出された振動可能な多結晶シリコン構造
体及びその製造法が記載されている。
ｒｓ，２０（１９８９）２５−３２におけるＷｉｌｌｉ
ａｍ Ｃ．Ｔａｎｇ，Ｔｕ−Ｃｕｏｎｇ Ｈ．Ｎｇｕｙ
ｅｎ，Ｒｏｇｅｒ Ｔ．Ｈｏｗｅによる論文「Ｌａｔｅ
ｒａｌｌｙ ＤｒｉｖｅｎＰｌｏｙｓｉｌｉｃｏｎ Ｒ
ｅｓｏｎａｎｔ Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ」に
は、支持体に析出された振動可能な多結晶シリコン構造
体及びその製造法が記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
に述べたセンサにおいて、第１の振動方向で大きな変向
を行なうことができ、同時に妨害信号を惹起する横変向
を著しく排除することである。
に述べたセンサにおいて、第１の振動方向で大きな変向
を行なうことができ、同時に妨害信号を惹起する横変向
を著しく排除することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決した本
発明の構成によれば、第１の層が、互いに平行な主平面
を有するほぼ平らな支持体によって形成されており、少
なくとも１つの振動体が前記第１の層に成形されてい
て、該振動体が、前記支持体によって懸架されたサイズ
モ質量体として構成されており、前記振動体が、前記平
らな支持体の主平面に対して平行な、少なくとも第１の
振動方向で振動運動可能であって、前記振動体が、少な
くとも一方側で、支持ロッドを介して支持体によって支
持されており、前記第２の層が、少なくとも１つの前記
振動体の一方の面で支持ストリップによって支持された
少なくとも１つの加速度センサ構造部材を規定してお
り、前記振動体の表面が、前記支持体の前記主平面に対
して平行に配置されており、前記少なくとも１つの加速
度センサ構造部材が、前記支持体の主平面に対して垂直
に変向可能であって、さらに、第２の層によって形成さ
れた前記少なくとも１つの加速度センサ構造部材の、前
記支持体主平面に対して垂直なコリオリ力の変位を検出
するための、容量式又は圧電式の検出手段を有してい
る。
発明の構成によれば、第１の層が、互いに平行な主平面
を有するほぼ平らな支持体によって形成されており、少
なくとも１つの振動体が前記第１の層に成形されてい
て、該振動体が、前記支持体によって懸架されたサイズ
モ質量体として構成されており、前記振動体が、前記平
らな支持体の主平面に対して平行な、少なくとも第１の
振動方向で振動運動可能であって、前記振動体が、少な
くとも一方側で、支持ロッドを介して支持体によって支
持されており、前記第２の層が、少なくとも１つの前記
振動体の一方の面で支持ストリップによって支持された
少なくとも１つの加速度センサ構造部材を規定してお
り、前記振動体の表面が、前記支持体の前記主平面に対
して平行に配置されており、前記少なくとも１つの加速
度センサ構造部材が、前記支持体の主平面に対して垂直
に変向可能であって、さらに、第２の層によって形成さ
れた前記少なくとも１つの加速度センサ構造部材の、前
記支持体主平面に対して垂直なコリオリ力の変位を検出
するための、容量式又は圧電式の検出手段を有してい
る。
【０００７】
【０００８】
【０００９】
【発明の効果】本発明のセンサの利点は、振動体を、支
持体の厚さに応じて幅に対する高さの比が高いウエブと
して形成することができ、このことによって第１の振動
方向で大きな変向を行なうことができ、同時に妨害信号
を惹起する横変向を著しく排除することができることで
ある。振動体のこのような構成は、第１の振動方向での
剛性的な、精密なかつ妨害のない案内を可能にする。同
時に、第１の振動方向に対して垂直に変向可能であり、
振動体に取り付けられていてかつ第１の振動方向に対し
て垂直なコリオリ加速度のための加速度センサとして役
立つ構造体エレメントが、大きな感度を有するように形
成されることができる。特に有利には、加速度に敏感な
構造体エレメントが、第１の振動方向に対して平行に整
合されている振動体と懸架ウエブを介して結合されてい
る。このことにより、振動体の運動によって惹起される
構造体エレメントの横変向を著しく排除することができ
る。別の構成要件に記載された特徴を有する本発明のセ
ンサの利点は、極めて小さい寸法になることである。本
発明によるセンサの測定効果は、振動体を高い振動数で
励振することによってプラスになり、さらに第１の振動
方向に対して垂直な構造体エレメントのできるだけ大き
な変向によって増加される。
持体の厚さに応じて幅に対する高さの比が高いウエブと
して形成することができ、このことによって第１の振動
方向で大きな変向を行なうことができ、同時に妨害信号
を惹起する横変向を著しく排除することができることで
ある。振動体のこのような構成は、第１の振動方向での
剛性的な、精密なかつ妨害のない案内を可能にする。同
時に、第１の振動方向に対して垂直に変向可能であり、
振動体に取り付けられていてかつ第１の振動方向に対し
て垂直なコリオリ加速度のための加速度センサとして役
立つ構造体エレメントが、大きな感度を有するように形
成されることができる。特に有利には、加速度に敏感な
構造体エレメントが、第１の振動方向に対して平行に整
合されている振動体と懸架ウエブを介して結合されてい
る。このことにより、振動体の運動によって惹起される
構造体エレメントの横変向を著しく排除することができ
る。別の構成要件に記載された特徴を有する本発明のセ
ンサの利点は、極めて小さい寸法になることである。本
発明によるセンサの測定効果は、振動体を高い振動数で
励振することによってプラスになり、さらに第１の振動
方向に対して垂直な構造体エレメントのできるだけ大き
な変向によって増加される。
【００１０】さらに本発明により、支持体として（１１
０）−（１００）−結晶方位の単結晶シリコンウェーハ
を使用すると有利であり、これはこのウェーハが、マイ
クロ工学から公知の方法によって簡単に乾式化学的又は
湿式化学的なエッチングによって構成されるからであ
る。ウェーハ表面に対して垂直に形成された壁を有する
ウエブは、特に有利に振動体として適している。このウ
エブは、ＫＯＨによって（１１０）−結晶方位のシリコ
ンウェーハから異方性電気化学的なエッチングによって
簡単に構成される。乾式化学的エッチング（Ｔｒｅｎｃ
ｈｅｎ）によって、結晶方位とは無関係な構成も実現さ
れる。多結晶シリコン構造体又は単結晶シリコン構造体
が振動可能な構造体エレメントとして形成されると特に
有利であり、これは公知の方法による薄膜技術で、この
構造体エレメントが高い感度を有するように製造されて
いるからである。本発明による回転角速度センサがシリ
コン内で実現されることは、所属の評価回路をセンサエ
レメントに集積することを許容するので特に有利であ
る。
０）−（１００）−結晶方位の単結晶シリコンウェーハ
を使用すると有利であり、これはこのウェーハが、マイ
クロ工学から公知の方法によって簡単に乾式化学的又は
湿式化学的なエッチングによって構成されるからであ
る。ウェーハ表面に対して垂直に形成された壁を有する
ウエブは、特に有利に振動体として適している。このウ
エブは、ＫＯＨによって（１１０）−結晶方位のシリコ
ンウェーハから異方性電気化学的なエッチングによって
簡単に構成される。乾式化学的エッチング（Ｔｒｅｎｃ
ｈｅｎ）によって、結晶方位とは無関係な構成も実現さ
れる。多結晶シリコン構造体又は単結晶シリコン構造体
が振動可能な構造体エレメントとして形成されると特に
有利であり、これは公知の方法による薄膜技術で、この
構造体エレメントが高い感度を有するように製造されて
いるからである。本発明による回転角速度センサがシリ
コン内で実現されることは、所属の評価回路をセンサエ
レメントに集積することを許容するので特に有利であ
る。
【００１１】
【実施例】図１にはセンサエレメントの部分が示されて
おり、該センサエレメントは、二重の音叉形状の円板形
支持体１０から構成されている。音叉構造体の片側は振
動体１３から成っており、この振動体は両側で４つのウ
エブ１４を介して支持体１０と結合されている。振動体
１３もウエブ１４も、支持体１０の完全な厚さで形成さ
れている。同様に、振動体１３を片側でのみウエブ１４
を介して支持体と結合することもでき、従って開放する
音叉構造体が形成される。振動体は、図面では詳しく示
さない手段によって、矢印１で示され支持体平面内に位
置する第１の振動方向で励振されることができる。この
ことは、例えば静電気的に、電気力学的に、あるいは熱
電的に行なわれ、このことはまだ公開されていない同一
出願人により特許出願された前記ドイツ連邦共和国特許
第出願第４０２２４９５３号明細書に記載されている。
振動体１３に、舌片として形成された構造体エレメント
２１が懸架ウエブ２３を介して取り付けられている。舌
片２１が支持体表面に対して平行に整合されており、か
つ支持体表面に対して垂直に変向可能であり、従って支
持体表面に対して垂直な加速度は、舌片２１によって検
出される。振動体１３が第１の振動方向で振動し、かつ
センサエレメントが、第１の振動方向１に対して垂直に
かつ舌片２１の変向方向２に対して垂直に整合されてい
る回転軸線３を中心にして回転運動すると、舌片２１
に、変向方向２において支持体表面に対して垂直なコリ
オリ加速度が作用する。舌片２１の変向を導くコリオリ
加速度は、舌片２１に配置された圧電抵抗によって圧電
式に検出されるか、又は、図１に示されたように容量式
に検出されることができる。このため、振動体１３の、
舌片２１側の面の領域が平板コンデンサの一方の電極側
１７として準備されており、該電極側は導線１８１を介
して接続部１９１と接続されている。平板コンデンサの
他方の電極側は舌片２１自体によって形成され、この電
極側は導線１８２を介して接続部１９２と接続されてい
る。舌片２１の方向２での変向が、この平板コンデンサ
の容量変化を導き、かつここでは示さない評価回路によ
って評価されることができる。
おり、該センサエレメントは、二重の音叉形状の円板形
支持体１０から構成されている。音叉構造体の片側は振
動体１３から成っており、この振動体は両側で４つのウ
エブ１４を介して支持体１０と結合されている。振動体
１３もウエブ１４も、支持体１０の完全な厚さで形成さ
れている。同様に、振動体１３を片側でのみウエブ１４
を介して支持体と結合することもでき、従って開放する
音叉構造体が形成される。振動体は、図面では詳しく示
さない手段によって、矢印１で示され支持体平面内に位
置する第１の振動方向で励振されることができる。この
ことは、例えば静電気的に、電気力学的に、あるいは熱
電的に行なわれ、このことはまだ公開されていない同一
出願人により特許出願された前記ドイツ連邦共和国特許
第出願第４０２２４９５３号明細書に記載されている。
振動体１３に、舌片として形成された構造体エレメント
２１が懸架ウエブ２３を介して取り付けられている。舌
片２１が支持体表面に対して平行に整合されており、か
つ支持体表面に対して垂直に変向可能であり、従って支
持体表面に対して垂直な加速度は、舌片２１によって検
出される。振動体１３が第１の振動方向で振動し、かつ
センサエレメントが、第１の振動方向１に対して垂直に
かつ舌片２１の変向方向２に対して垂直に整合されてい
る回転軸線３を中心にして回転運動すると、舌片２１
に、変向方向２において支持体表面に対して垂直なコリ
オリ加速度が作用する。舌片２１の変向を導くコリオリ
加速度は、舌片２１に配置された圧電抵抗によって圧電
式に検出されるか、又は、図１に示されたように容量式
に検出されることができる。このため、振動体１３の、
舌片２１側の面の領域が平板コンデンサの一方の電極側
１７として準備されており、該電極側は導線１８１を介
して接続部１９１と接続されている。平板コンデンサの
他方の電極側は舌片２１自体によって形成され、この電
極側は導線１８２を介して接続部１９２と接続されてい
る。舌片２１の方向２での変向が、この平板コンデンサ
の容量変化を導き、かつここでは示さない評価回路によ
って評価されることができる。
【００１２】特に有利には、センサエレメントの図１に
示された構造体は、単結晶のシリコン支持体１０及び該
支持体上で析出された多結晶シリコン構造体又は単結晶
のシリコン支持体において実現される。振動体１３及び
ウエブ１４は、乾式化学的又は湿式化学的なエッチング
によってシリコン支持体から簡単に構成され、このこと
は例えば、薄膜及びこの薄膜に接続される構造体の電気
化学的なエッチングによって行なうことができる。支持
体表面に対して垂直な側壁を有する構造体を生ぜしめる
ために、特に（１１０）−結晶方位のシリコンウェーハ
が適し、これはこの場合構造体が、ＫＯＨによる湿式化
学エッチングによって生ぜしめられるからである。乾式
化学エッチングを使用する際に、このようなウエブは結
晶方位に無関係に製造されることができる。振動体に配
置された振動可能な構造体エレメント並びに該構造体エ
レメントの、支持体基板のための結合ウエブは、有利に
は多結晶シリコン又は単結晶シリコンにおいて実現され
る。何故ならば、「犠牲層」として役立ちかつ続いてシ
リコン構造体のサイドエッチングによって再び除去され
る補助層、例えば酸化物層におけるシリコンからの分離
によって薄い構造体エレメントを形成することができる
からである。この構造エレメントは回転角速度センサの
高い感度に役立つ。構造体エレメントとして、支持体表
面に対して平行に整合された舌片の他に、振動体にブリ
ッジ状に配置された、両側で固定されたプレートも適す
る。
示された構造体は、単結晶のシリコン支持体１０及び該
支持体上で析出された多結晶シリコン構造体又は単結晶
のシリコン支持体において実現される。振動体１３及び
ウエブ１４は、乾式化学的又は湿式化学的なエッチング
によってシリコン支持体から簡単に構成され、このこと
は例えば、薄膜及びこの薄膜に接続される構造体の電気
化学的なエッチングによって行なうことができる。支持
体表面に対して垂直な側壁を有する構造体を生ぜしめる
ために、特に（１１０）−結晶方位のシリコンウェーハ
が適し、これはこの場合構造体が、ＫＯＨによる湿式化
学エッチングによって生ぜしめられるからである。乾式
化学エッチングを使用する際に、このようなウエブは結
晶方位に無関係に製造されることができる。振動体に配
置された振動可能な構造体エレメント並びに該構造体エ
レメントの、支持体基板のための結合ウエブは、有利に
は多結晶シリコン又は単結晶シリコンにおいて実現され
る。何故ならば、「犠牲層」として役立ちかつ続いてシ
リコン構造体のサイドエッチングによって再び除去され
る補助層、例えば酸化物層におけるシリコンからの分離
によって薄い構造体エレメントを形成することができる
からである。この構造エレメントは回転角速度センサの
高い感度に役立つ。構造体エレメントとして、支持体表
面に対して平行に整合された舌片の他に、振動体にブリ
ッジ状に配置された、両側で固定されたプレートも適す
る。
【００１３】シリコンによる本発明によるセンサエレメ
ントの実現によって、評価回路の部分をセンサエレメン
トに集積することができる。これに関して、振動体１３
の表面において実現されている例えば平板コンデンサの
剛性な電極側が、支持体基板における簡単な拡散によっ
て生じることができることが特に有利である。これと同
じことは、導線１８１，１８２のためにあてはまる。
ントの実現によって、評価回路の部分をセンサエレメン
トに集積することができる。これに関して、振動体１３
の表面において実現されている例えば平板コンデンサの
剛性な電極側が、支持体基板における簡単な拡散によっ
て生じることができることが特に有利である。これと同
じことは、導線１８１，１８２のためにあてはまる。
【００１４】図２のＡからＤには、懸架ウエブ２３を有
する構造体エレメント２１の種々の構成が示されてい
る。使用に応じて、図２のＢに示すように片側の懸架
を、図２のＡ及びＤに示すように両側の懸架を、図２の
Ｃに示すように４方の懸架を選ぶことができる。構造体
エレメント２１がコリオリ加速度のための加速度センサ
としてのみ使用される場合、即ち構造体エレメントが支
持体１０から構成された振動体１３上に取り付けられる
場合は、懸架ウエブ２３は、矢印１で示すように第１の
振動方向に対して平行に整合するのに適している。この
ことによって、構造体エレメント２１の第１の振動方向
での妨害された横変向が著しく排除される。構造体エレ
メント２１の図２のＣに示された、４つの星状に配置さ
れた懸架ウエブ２３による４方向の懸架は、全ての横変
向が均一に阻止されるので有利である。振動体１３の表
面に対して垂直な加速度の感度は、有利には、図２のＤ
に示した構造体エレメント２１の構成によって高められ
る。ここでは、構造体エレメント２１は懸架ウエブ２３
を介して両側で振動体１３と結合されている。加速度に
敏感な舌片２１と懸架ウエブ２３との結合は、直接的で
はなく、フレキシブルな薄い２つのバー２３１によって
形成されている。
する構造体エレメント２１の種々の構成が示されてい
る。使用に応じて、図２のＢに示すように片側の懸架
を、図２のＡ及びＤに示すように両側の懸架を、図２の
Ｃに示すように４方の懸架を選ぶことができる。構造体
エレメント２１がコリオリ加速度のための加速度センサ
としてのみ使用される場合、即ち構造体エレメントが支
持体１０から構成された振動体１３上に取り付けられる
場合は、懸架ウエブ２３は、矢印１で示すように第１の
振動方向に対して平行に整合するのに適している。この
ことによって、構造体エレメント２１の第１の振動方向
での妨害された横変向が著しく排除される。構造体エレ
メント２１の図２のＣに示された、４つの星状に配置さ
れた懸架ウエブ２３による４方向の懸架は、全ての横変
向が均一に阻止されるので有利である。振動体１３の表
面に対して垂直な加速度の感度は、有利には、図２のＤ
に示した構造体エレメント２１の構成によって高められ
る。ここでは、構造体エレメント２１は懸架ウエブ２３
を介して両側で振動体１３と結合されている。加速度に
敏感な舌片２１と懸架ウエブ２３との結合は、直接的で
はなく、フレキシブルな薄い２つのバー２３１によって
形成されている。
【００１５】図３には、破断された支持体１０を有する
別のセンサエレメントの断面図が示されている。この実
施例では、支持体１０は示されていない。ここでは同様
に、単結晶シリコンウェーハが、あるいは適当な形式で
信号検出のための手段及び構造体エレメントを施すこと
のできる別の基板が対象となっている。支持体１０上に
は、ブリッジ状の構造体が施されている。センサエレメ
ントは主に、プレート状のサイズモ質量体(seismic mas
s)３０によって形成されており、該サイズモ質量体は４
つの懸架ウエブ３１を介して両側で支持体基板と結合さ
れている。このような構造体は、矢印１で示されている
第１の振動方向で励振され、これは例えば静電気的に行
なわれる。ここでは、励振部材は図示されていない。支
持体平面内及び第１の振動方向に対して垂直に位置する
回転軸線３を中心にしたセンサエレメントの回転運動に
おいて、コリオリ加速度は、振動するサイズモ質量体３
０に、支持体表面に対して垂直に作用する。これによっ
て生じるサイズモ質量体３０の、支持体表面に対して垂
直な変向は、圧電的に又は容量的に検出されることがで
き、さらに回転の角速度のための寸法が検出される。図
３に示されたセンサエレメントはシリコンによって実現
されている。符号１１は支持体１０内のチャージキャリ
ヤ拡散(charge carrier diffusion)を示しており、この
チャージキャリヤ拡散は、支持体のプレート状のサイズ
モ質量体３０の下側に設けられた表面の一部分を、プレ
ート状のサイズモ質量体３０から電気的に絶縁するため
に用いられ、従って表面のこの部分はサイズモ質量体３
０と一緒にコンデンサを形成し、このコンデンサの容量
変化を介して、支持体表面に対して垂直な第２の振動方
向でのサイズモ質量体３０の変向が検出される。
別のセンサエレメントの断面図が示されている。この実
施例では、支持体１０は示されていない。ここでは同様
に、単結晶シリコンウェーハが、あるいは適当な形式で
信号検出のための手段及び構造体エレメントを施すこと
のできる別の基板が対象となっている。支持体１０上に
は、ブリッジ状の構造体が施されている。センサエレメ
ントは主に、プレート状のサイズモ質量体(seismic mas
s)３０によって形成されており、該サイズモ質量体は４
つの懸架ウエブ３１を介して両側で支持体基板と結合さ
れている。このような構造体は、矢印１で示されている
第１の振動方向で励振され、これは例えば静電気的に行
なわれる。ここでは、励振部材は図示されていない。支
持体平面内及び第１の振動方向に対して垂直に位置する
回転軸線３を中心にしたセンサエレメントの回転運動に
おいて、コリオリ加速度は、振動するサイズモ質量体３
０に、支持体表面に対して垂直に作用する。これによっ
て生じるサイズモ質量体３０の、支持体表面に対して垂
直な変向は、圧電的に又は容量的に検出されることがで
き、さらに回転の角速度のための寸法が検出される。図
３に示されたセンサエレメントはシリコンによって実現
されている。符号１１は支持体１０内のチャージキャリ
ヤ拡散(charge carrier diffusion)を示しており、この
チャージキャリヤ拡散は、支持体のプレート状のサイズ
モ質量体３０の下側に設けられた表面の一部分を、プレ
ート状のサイズモ質量体３０から電気的に絶縁するため
に用いられ、従って表面のこの部分はサイズモ質量体３
０と一緒にコンデンサを形成し、このコンデンサの容量
変化を介して、支持体表面に対して垂直な第２の振動方
向でのサイズモ質量体３０の変向が検出される。
【図１】センサエレメントを破断して示す斜視図であ
る。
る。
【図２】構造体エレメントの種々の実施例を示す図であ
る。
る。
【図３】別のセンサエレメントの断面を示す斜視図であ
る。
る。
１ 振動方向、 ２ 変向方向、 ３ 回転軸線、 １
０ 支持体、 １１チャージキャリヤ拡散、 １３ 振
動体、 １４ ウエブ、 １７ 電極側、２１ 舌片、
２３ 懸架ウエブ、 ３０ サイズモ質量体、 ３１
懸架ウエブ、 １８１，１８２ 導線、 １９１，１
９２ 接続部
０ 支持体、 １１チャージキャリヤ拡散、 １３ 振
動体、 １４ ウエブ、 １７ 電極側、２１ 舌片、
２３ 懸架ウエブ、 ３０ サイズモ質量体、 ３１
懸架ウエブ、 １８１，１８２ 導線、 １９１，１
９２ 接続部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イーリ マレク ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン 22 ライブルシュトラーセ 10−１ (56)参考文献 特開 昭60−113105（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−100627（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−139719（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−160067（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−93668（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−114123（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01P 9/04 G01C 19/56
Claims (12)
- 【請求項１】 第１及び第２の層（１０，２１）を備え
た多層式センサを有する回転角速度センサであって、 第１の層（１０）が、互いに平行な主平面を有するほぼ
平らな支持体によって形成されており、 少なくとも１つの振動体（１３）が前記第１の層に成形
されていて、該振動体が、前記支持体（１０）によって
懸架されたサイズモ質量体として構成されており、 前記振動体が、前記平らな支持体（１０）の主平面に対
して平行な、少なくとも第１の振動方向（１）で振動運
動可能であって、 前記振動体（１３）が、少なくとも一方側で、支持ロッ
ド（１４）を介して支持体（１０）によって支持されて
おり、 前記第２の層が、少なくとも１つの前記振動体（１３）
の一方の面で支持ストリップ（２３）によって支持され
た少なくとも１つの加速度センサ構造部材（２１）を規
定しており、 前記振動体の表面が、前記支持体（１０）の前記主平面
に対して平行に配置されており、 前記少なくとも１つの加速度センサ構造部材（２１）
が、前記支持体（１０）の主平面に対して垂直に変向可
能であって、 さらに、第２の層によって形成された前記少なくとも１
つの加速度センサ構造部材（２１）の、前記支持体主平
面に対して垂直なコリオリ力の変位（２）を検出するた
めの、容量式又は圧電式の検出手段（１７，１８１；２
１，１８２）を有している、 ことを特徴とする、回転角速度センサ。 - 【請求項２】 前記加速度センサ構造部材（２１）を少
なくとも１つの前記振動体（１３）に接続するための支
持ストリップ（２３）が設けられており、該支持ストリ
ップ（２３）が、前記第１の振動方向（１）に対して平
行に向けられている、請求項１記載の回転角速度セン
サ。 - 【請求項３】 前記加速度センサ構造部材（２１）が、
プレート状のサイズモ質量体として構成されており、該
サイズモ質量体が、前記支持体（１０）の主平面に対し
て平行に位置決めされていて、この支持体（１０）の一
方側に前記支持ストリップ（２３）によって接続されて
いる、請求項１記載の回転角速度センサ。 - 【請求項４】 前記支持体（１０）が、（１１０）−結
晶方位の単結晶シリコンと（１００）−結晶方位の単結
晶シリコンとから成るグループより選択された材料から
ほぼ構成されている、請求項１記載の回転角速度セン
サ。 - 【請求項５】 前記支持体（１０）が、（１１０）−結
晶方位の単結晶シリコンと（１００）−結晶方位の単結
晶シリコンとから成るグループより選択された材料から
ほぼ構成されている、請求項２記載の回転角速度セン
サ。 - 【請求項６】 前記支持体（１０）が、（１１０）−結
晶方位の単結晶シリコンと（１００）−結晶方位の単結
晶シリコンとから成るグループより選択された材料から
ほぼ構成されている、請求項３記載の回転角速度セン
サ。 - 【請求項７】 前記構造部材（２１）が、ポリシリコン
構造である、請求項１記載の回転角速度センサ。 - 【請求項８】 前記構造部材（２１）がポリシリコン構
造である、請求項２記載の回転角速度センサ。 - 【請求項９】 前記構造部材（２１）がポリシリコン構
造である、請求項３記載の回転角速度センサ。 - 【請求項１０】 前記構造部材（２１）が、前記支持体
の表面の一部上にシリコン層を析出させて補助層を形成
し、こうして析出された補助層にアンダーエッチングを
施すことによって製造される、請求項１記載の回転角速
度センサ。 - 【請求項１１】 前記構造部材（２１）が、前記支持体
の表面の一部上にシリコン層を析出させて補助層を形成
し、こうして析出された補助層にアンダーエッチング施
すことによって形成される、請求項２記載の回転角速度
センサ。 - 【請求項１２】 前記構造部材（２１）が、前記支持体
の表面の一部上にシリコン層を析出させて補助層を形成
し、こうして析出された補助層にアンダーエッチングを
施すことによって製造される、請求項１記載の回転角速
度センサ。
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