JP3341360B2 - バリスタとその製造方法 - Google Patents
バリスタとその製造方法Info
- Publication number
- JP3341360B2 JP3341360B2 JP16213393A JP16213393A JP3341360B2 JP 3341360 B2 JP3341360 B2 JP 3341360B2 JP 16213393 A JP16213393 A JP 16213393A JP 16213393 A JP16213393 A JP 16213393A JP 3341360 B2 JP3341360 B2 JP 3341360B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- resin
- varistor element
- present
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばテレビ等の各種
電子機器を異常高電圧から保護するために用いるバリス
タの製造方法に関するものである。
電子機器を異常高電圧から保護するために用いるバリス
タの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】バリスタは連続して電圧のかかる状態で
用いられるので、湿中負荷寿命は特に重要な特性であ
る。
用いられるので、湿中負荷寿命は特に重要な特性であ
る。
【０００３】以下に従来のバリスタとその製造方法につ
いて図５を参照しながら説明する。バリスタ素子１に、
スクリーン印刷などの方法でＡｇ電極ペーストを印刷
し、通常５００〜８００℃の温度範囲にて焼き付け処理
を行い電極２ａ，２ｂを形成していた。そして２本のリ
ード線３ａ，３ｂをバリスタ素子１に挿入し、フラック
ス溶液に浸漬した後、半田４ａ，４ｂでリード線３ａ，
３ｂとＡｇ電極２ａ，２ｂ面を固定し、フラックスを適
当な溶剤で洗浄していた。そして湿中負荷寿命特性を向
上させるために、バリスタ素子１の表面にガラスペース
トを塗布し、焼き付け処理を行ったり（実開昭６３−１
１２３０３号公報）、ふっ素樹脂をコーティングしたり
して保護層５を設けていた。その後、粉体エポキシ樹脂
や液体のフェノール樹脂で樹脂モールドを行い、モール
ド樹脂６を設けていた。
いて図５を参照しながら説明する。バリスタ素子１に、
スクリーン印刷などの方法でＡｇ電極ペーストを印刷
し、通常５００〜８００℃の温度範囲にて焼き付け処理
を行い電極２ａ，２ｂを形成していた。そして２本のリ
ード線３ａ，３ｂをバリスタ素子１に挿入し、フラック
ス溶液に浸漬した後、半田４ａ，４ｂでリード線３ａ，
３ｂとＡｇ電極２ａ，２ｂ面を固定し、フラックスを適
当な溶剤で洗浄していた。そして湿中負荷寿命特性を向
上させるために、バリスタ素子１の表面にガラスペース
トを塗布し、焼き付け処理を行ったり（実開昭６３−１
１２３０３号公報）、ふっ素樹脂をコーティングしたり
して保護層５を設けていた。その後、粉体エポキシ樹脂
や液体のフェノール樹脂で樹脂モールドを行い、モール
ド樹脂６を設けていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成では、
湿中負荷寿命特性を向上させるため、電極形成したバリ
スタ焼結体側面にガラスペーストを塗布した後焼き付け
を行っている。しかし焼き付けを行う際、バリスタ素子
１内にガラスが拡散し、バリスタ素子１の抵抗が上が
り、制限電圧特性が悪化するという問題点を有してい
た。また、ふっ素樹脂を用いた場合は、表面が滑らか
で、気孔が多い保護層となるので、モールド樹脂との間
に隙間ができ、ここに湿気が浸入した場合、ふっ素樹脂
を通過してバリスタ素子１に浸入してしまうという問題
点を有していた。
湿中負荷寿命特性を向上させるため、電極形成したバリ
スタ焼結体側面にガラスペーストを塗布した後焼き付け
を行っている。しかし焼き付けを行う際、バリスタ素子
１内にガラスが拡散し、バリスタ素子１の抵抗が上が
り、制限電圧特性が悪化するという問題点を有してい
た。また、ふっ素樹脂を用いた場合は、表面が滑らか
で、気孔が多い保護層となるので、モールド樹脂との間
に隙間ができ、ここに湿気が浸入した場合、ふっ素樹脂
を通過してバリスタ素子１に浸入してしまうという問題
点を有していた。
【０００５】このためいずれの場合も湿中負荷寿命対策
としては不十分であった。本発明は上記問題点を解決
し、制限電圧特性等諸特性を悪化させることなく、湿中
負荷寿命特性の優れたバリスタを提供することを目的と
するものである。
としては不十分であった。本発明は上記問題点を解決
し、制限電圧特性等諸特性を悪化させることなく、湿中
負荷寿命特性の優れたバリスタを提供することを目的と
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のバリスタの製造方法は、電極を設けたバリス
タ素子を、ポリビニル系樹脂溶液にディップすることに
より、バリスタ素子表面に０．１〜１０μｍのポリビニ
ル系樹脂膜を形成し、その後、樹脂でバリスタ素子全体
をモールドすることを特徴としたものである。
に本発明のバリスタの製造方法は、電極を設けたバリス
タ素子を、ポリビニル系樹脂溶液にディップすることに
より、バリスタ素子表面に０．１〜１０μｍのポリビニ
ル系樹脂膜を形成し、その後、樹脂でバリスタ素子全体
をモールドすることを特徴としたものである。
【０００７】
【作用】上記構成によると、バリスタ素子表面の少なく
とも電極以外の部分に、厚さ０．１〜１０μｍのポリビ
ニル系樹脂膜を設けたので、バリスタの諸特性を悪化さ
せることなく、容易に湿中負荷寿命特性の優れたバリス
タを得ることができる。
とも電極以外の部分に、厚さ０．１〜１０μｍのポリビ
ニル系樹脂膜を設けたので、バリスタの諸特性を悪化さ
せることなく、容易に湿中負荷寿命特性の優れたバリス
タを得ることができる。
【０００８】この樹脂膜の厚さを０．１〜１０μｍとし
たのは、０．１μｍより薄いと湿気を遮断できず、１０
μｍより厚いと気泡が発生しやすくなり耐湿性が悪くな
るからである。
たのは、０．１μｍより薄いと湿気を遮断できず、１０
μｍより厚いと気泡が発生しやすくなり耐湿性が悪くな
るからである。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例について図１〜４を参
照しながら説明する。図１は本発明の一実施例における
バリスタの正面図である。図２は本発明の一実施例にお
けるバリスタの縦断面図である。
照しながら説明する。図１は本発明の一実施例における
バリスタの正面図である。図２は本発明の一実施例にお
けるバリスタの縦断面図である。
【００１０】ＺｎＯを主成分とするバリスタの原料粉末
を円板状に圧縮成形し、１２００℃で２時間焼成し、バ
リスタ素子７を得る。そしてこのバリスタ素子７の上下
両面にスクリーン印刷法によりＡｇ電極ペーストを塗布
し、７５０℃で３０分間焼き付け処理を行いＡｇ電極８
ａ，８ｂを形成する。次にリード線９ａ，９ｂをバリス
タ素子７の外表面に位置させ、フラックスを塗布した
後、Ａｇ電極８ａ，８ｂと半田１０ａ，１０ｂで固定
し、有機溶剤中でフラックスの洗浄を行った。またポリ
ビニル系樹脂のハヤコートＡＹ−１０００（商品名、サ
ンハヤト株式会社）を用い、必要に応じてトルエンで希
釈しディップ溶液を作成した。この溶液に洗浄済のバリ
スタ素子７を数秒浸漬し室温で乾燥して、バリスタ素子
７の表面にポリビニル系樹脂膜１１を形成した。この樹
脂膜１１の膜厚は０．１〜１０μｍになるようにした。
最後にバリスタ素子７を１５０℃で予熱し、流動浸漬槽
で粉体エポキシ樹脂モールドを行い、熱風式の恒温槽で
硬化させモールド樹脂１２を形成した。
を円板状に圧縮成形し、１２００℃で２時間焼成し、バ
リスタ素子７を得る。そしてこのバリスタ素子７の上下
両面にスクリーン印刷法によりＡｇ電極ペーストを塗布
し、７５０℃で３０分間焼き付け処理を行いＡｇ電極８
ａ，８ｂを形成する。次にリード線９ａ，９ｂをバリス
タ素子７の外表面に位置させ、フラックスを塗布した
後、Ａｇ電極８ａ，８ｂと半田１０ａ，１０ｂで固定
し、有機溶剤中でフラックスの洗浄を行った。またポリ
ビニル系樹脂のハヤコートＡＹ−１０００（商品名、サ
ンハヤト株式会社）を用い、必要に応じてトルエンで希
釈しディップ溶液を作成した。この溶液に洗浄済のバリ
スタ素子７を数秒浸漬し室温で乾燥して、バリスタ素子
７の表面にポリビニル系樹脂膜１１を形成した。この樹
脂膜１１の膜厚は０．１〜１０μｍになるようにした。
最後にバリスタ素子７を１５０℃で予熱し、流動浸漬槽
で粉体エポキシ樹脂モールドを行い、熱風式の恒温槽で
硬化させモールド樹脂１２を形成した。
【００１１】このようにして得られるバリスタの湿中負
荷寿命の加速評価を行う目的で、洗浄後のバリスタ素子
７を０．０１重量％のＮａＣｌ水溶液に浸漬し、意図的
にバリスタ素子７を汚染した試料を作成した。この程度
の汚染は、通常の製造工程において発生し得るレベルで
ある。以下においてＮａＣｌ処理というのは、この操作
を示す。
荷寿命の加速評価を行う目的で、洗浄後のバリスタ素子
７を０．０１重量％のＮａＣｌ水溶液に浸漬し、意図的
にバリスタ素子７を汚染した試料を作成した。この程度
の汚染は、通常の製造工程において発生し得るレベルで
ある。以下においてＮａＣｌ処理というのは、この操作
を示す。
【００１２】次に従来例１として、本実施例と全く同様
の工程で作成されたＡｇ電極を形成済みバリスタ素子７
に、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系でガラス転移点が５５
０℃のガラスペーストを塗布し７５０℃で１０分間の焼
き付け処理を行い、本実施例と同様の工程で半田付け、
洗浄、ＮａＣｌ処理、樹脂モールドなどを行い試料を作
成した。また、従来例２として本実施例と全く同様の工
程で作成された半田付け、洗浄済みのバリスタ焼結体に
市販のふっ素樹脂をバリスタ素子７の全体に焼き付け処
理を行い、ＮａＣｌ処理、樹脂モールドなどを行い試料
を作成した。本実施例、従来例１、従来例２の各試料の
サンプル数は１０個ずつとした。
の工程で作成されたＡｇ電極を形成済みバリスタ素子７
に、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系でガラス転移点が５５
０℃のガラスペーストを塗布し７５０℃で１０分間の焼
き付け処理を行い、本実施例と同様の工程で半田付け、
洗浄、ＮａＣｌ処理、樹脂モールドなどを行い試料を作
成した。また、従来例２として本実施例と全く同様の工
程で作成された半田付け、洗浄済みのバリスタ焼結体に
市販のふっ素樹脂をバリスタ素子７の全体に焼き付け処
理を行い、ＮａＣｌ処理、樹脂モールドなどを行い試料
を作成した。本実施例、従来例１、従来例２の各試料の
サンプル数は１０個ずつとした。
【００１３】以上のようにして得られた本実施例による
バリスタの制限電圧特性と従来のバリスタの制限電圧特
性の平均値を（表１）に比較して示した。
バリスタの制限電圧特性と従来のバリスタの制限電圧特
性の平均値を（表１）に比較して示した。
【００１４】
【表１】
【００１５】ここで、
【００１６】
【外１】
【００１７】は直流定電圧電流でそれぞれ、１ｍＡ、１
０μＡの電流を流したときの電圧である。制限電圧比は
波形８／２０μＳ，２５Ａのインパルス電流を流した時
の電圧を測定し、Ｖ1mAとの比を計算したものである。
０μＡの電流を流したときの電圧である。制限電圧比は
波形８／２０μＳ，２５Ａのインパルス電流を流した時
の電圧を測定し、Ｖ1mAとの比を計算したものである。
【００１８】この（表１）から明らかなように、本実施
例によるバリスタは、ガラス処理を施した従来例１に比
べ制限電圧比特性が優れている。従来例１の制限電圧特
性が本実施例にくらべ悪い理由は、バリスタ素子７の側
面部にコーティングしたガラスのＢ成分がバリスタ素子
７内に拡散し、バリスタの抵抗が上昇したためであると
考えられる。
例によるバリスタは、ガラス処理を施した従来例１に比
べ制限電圧比特性が優れている。従来例１の制限電圧特
性が本実施例にくらべ悪い理由は、バリスタ素子７の側
面部にコーティングしたガラスのＢ成分がバリスタ素子
７内に拡散し、バリスタの抵抗が上昇したためであると
考えられる。
【００１９】次に、本実施例によるバリスタと従来のバ
リスタの湿中負荷寿命特性を図３に比較して示した。湿
中負荷寿命特性は６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽にバ
リスタを入れＶ1mAの９０％の直流電圧を一定時間印加
し、印加後のＶ 1mA を測定し、そのＶ 1mA の印加前のＶ
1mA に対する変化率ΔＶ 1mA （％）で評価した。この図３
から明らかなように、本実施例によるバリスタは、ガラ
ス処理をした従来例１およびふっ素樹脂コーティングし
た従来例２に比べ、湿中負荷寿命特性が優れていること
がわかる。従来例の湿中負荷寿命試験におけるＶ1mAの
劣化原因はＡｇマイグレーションが発生したためと考え
られる。これに対し、本実施例のバリスタの湿中負荷寿
命特性が優れている理由は、ポリビニル系樹脂自身が耐
湿性に優れること、またポリビニル系樹脂を有機溶剤で
希釈しているため、バリスタ素子７に対する浸透性が良
いことなどにより優れた樹脂膜１１が形成できるので、
外部からの湿気の浸入を遮断することができ、Ａｇマイ
グレーションの防止ができるためと考えられる。
リスタの湿中負荷寿命特性を図３に比較して示した。湿
中負荷寿命特性は６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽にバ
リスタを入れＶ1mAの９０％の直流電圧を一定時間印加
し、印加後のＶ 1mA を測定し、そのＶ 1mA の印加前のＶ
1mA に対する変化率ΔＶ 1mA （％）で評価した。この図３
から明らかなように、本実施例によるバリスタは、ガラ
ス処理をした従来例１およびふっ素樹脂コーティングし
た従来例２に比べ、湿中負荷寿命特性が優れていること
がわかる。従来例の湿中負荷寿命試験におけるＶ1mAの
劣化原因はＡｇマイグレーションが発生したためと考え
られる。これに対し、本実施例のバリスタの湿中負荷寿
命特性が優れている理由は、ポリビニル系樹脂自身が耐
湿性に優れること、またポリビニル系樹脂を有機溶剤で
希釈しているため、バリスタ素子７に対する浸透性が良
いことなどにより優れた樹脂膜１１が形成できるので、
外部からの湿気の浸入を遮断することができ、Ａｇマイ
グレーションの防止ができるためと考えられる。
【００２０】次に、ポリビニル系樹脂膜１１の膜厚と湿
中負荷寿命特性との関係について検討した。この結果を
図４と（表２）に示す。（表２）は上記と同様にして測
定した制限電圧比特性の初期特性である。また、図４は
上記と同様な方法で評価した湿中負荷寿命特性の結果で
あり、ポリビニル系樹脂膜１１の膜厚と１００時間印加
後の変化率ΔＶ 1mA （％）との関係を示す。
中負荷寿命特性との関係について検討した。この結果を
図４と（表２）に示す。（表２）は上記と同様にして測
定した制限電圧比特性の初期特性である。また、図４は
上記と同様な方法で評価した湿中負荷寿命特性の結果で
あり、ポリビニル系樹脂膜１１の膜厚と１００時間印加
後の変化率ΔＶ 1mA （％）との関係を示す。
【００２１】
【表２】
【００２２】ここでポリビニル系樹脂膜１１の膜厚はト
ルエン溶液の濃度と塗布回数を変化させてコントロール
した。また、ポリビニル系樹脂膜１１の膜厚は塗布後、
バリスタ素子７を研磨しその断面を金属顕微鏡にて観察
したものである。図４、表２よりポリビニル系樹脂膜１
１の膜厚は０．１〜１０μｍの範囲で湿中負荷寿命特性
が優れていることがわかる。ここでポリビニル系樹脂膜
１１の膜厚が０．１μｍより薄い場合は、膜厚が薄すぎ
るため、湿気を遮断できず、また１０μｍより厚い場合
は、膜に気泡が発生しやすくなるため耐湿性が悪くなる
ものと考えられる。
ルエン溶液の濃度と塗布回数を変化させてコントロール
した。また、ポリビニル系樹脂膜１１の膜厚は塗布後、
バリスタ素子７を研磨しその断面を金属顕微鏡にて観察
したものである。図４、表２よりポリビニル系樹脂膜１
１の膜厚は０．１〜１０μｍの範囲で湿中負荷寿命特性
が優れていることがわかる。ここでポリビニル系樹脂膜
１１の膜厚が０．１μｍより薄い場合は、膜厚が薄すぎ
るため、湿気を遮断できず、また１０μｍより厚い場合
は、膜に気泡が発生しやすくなるため耐湿性が悪くなる
ものと考えられる。
【００２３】以上のように本実施例によれば、半田付
け、洗浄済みのバリスタ素子７をポリビニル系樹脂を有
機溶媒に分散させた溶液にディップしたのち乾燥し、ポ
リビニル系樹脂膜１１を形成し、樹脂モールドすること
により、制限電圧特性が良く、湿中負荷寿命特性の優れ
たバリスタを容易に製造することができる。
け、洗浄済みのバリスタ素子７をポリビニル系樹脂を有
機溶媒に分散させた溶液にディップしたのち乾燥し、ポ
リビニル系樹脂膜１１を形成し、樹脂モールドすること
により、制限電圧特性が良く、湿中負荷寿命特性の優れ
たバリスタを容易に製造することができる。
【００２４】なお、本実施例においてポリビニル系樹脂
の溶剤としてトルエンを用いたがキシレン、アルコール
など他の有機溶剤を用いてもよい。また、本実施例にお
いてバリスタ素子７はＺｎＯバリスタを用いたが、Ｓｒ
ＴｉＯ3バリスタ、半導体コンデンサ等でも同様の効果
があることを確認した。さらに、モールド樹脂１２は粉
体エポキシ樹脂を用いたが、液体フェノール樹脂、ウレ
タン樹脂など他の樹脂を用いても本発明の効果に変わり
はない。
の溶剤としてトルエンを用いたがキシレン、アルコール
など他の有機溶剤を用いてもよい。また、本実施例にお
いてバリスタ素子７はＺｎＯバリスタを用いたが、Ｓｒ
ＴｉＯ3バリスタ、半導体コンデンサ等でも同様の効果
があることを確認した。さらに、モールド樹脂１２は粉
体エポキシ樹脂を用いたが、液体フェノール樹脂、ウレ
タン樹脂など他の樹脂を用いても本発明の効果に変わり
はない。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明は、バリスタ素子表
面の少なくとも電極以外の部分にポリビニル系樹脂溶液
をディップすることにより厚さ０．１〜１０μｍの樹脂
膜を形成したものである。その結果、バリスタの諸特性
を悪化させることなく、容易に湿中負荷寿命特性の優れ
たバリスタを得ることができる。
面の少なくとも電極以外の部分にポリビニル系樹脂溶液
をディップすることにより厚さ０．１〜１０μｍの樹脂
膜を形成したものである。その結果、バリスタの諸特性
を悪化させることなく、容易に湿中負荷寿命特性の優れ
たバリスタを得ることができる。
【図１】本発明の一実施例におけるバリスタの正面図
【図２】本発明の一実施例におけるバリスタの断面図
【図３】本発明の一実施例におけるバリスタの湿中負荷
寿命特性図
寿命特性図
【図４】本発明の一実施例におけるバリスタのポリビニ
ル系樹脂の膜厚と湿中負荷寿命特性の関係図
ル系樹脂の膜厚と湿中負荷寿命特性の関係図
【図５】従来のバリスタの断面図
７ バリスタ素子 ８ａ，８ｂ Ａｇ電極 ９ａ，９ｂ リード線 １０ａ，１０ｂ 半田 １１ ポリビニル系樹脂膜 １２ モールド樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−113303（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−46701（ＪＰ，Ａ) 実開 昭49−138348（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−30303（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01C 7/02 - 7/22
Claims (1)
- 【請求項１】 電極を設けたバリスタ素子を、ポリビニ
ル系樹脂溶液にディップすることにより、バリスタ素子
表面に０．１〜１０μｍのポリビニル系樹脂膜を形成
し、その後、樹脂でバリスタ素子全体をモールドするこ
とを特徴としたバリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16213393A JP3341360B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | バリスタとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16213393A JP3341360B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | バリスタとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722211A JPH0722211A (ja) | 1995-01-24 |
| JP3341360B2 true JP3341360B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=15748672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16213393A Expired - Fee Related JP3341360B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | バリスタとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3341360B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6240761B2 (ja) | 2013-07-31 | 2017-11-29 | エルジー・ケム・リミテッド | 固体酸化物燃料電池およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP16213393A patent/JP3341360B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722211A (ja) | 1995-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE60210522T2 (de) | Thermistor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| CA1264871A (en) | Positive ceramic semiconductor device with silver/palladium alloy electrode | |
| US5337038A (en) | PTC thermistor | |
| US7005192B2 (en) | Ceramic electronic component and method of producing the same | |
| US4371860A (en) | Solderable varistor | |
| JP3341360B2 (ja) | バリスタとその製造方法 | |
| JP2002289465A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JPS58178903A (ja) | 導電性ペ−スト | |
| JP3261780B2 (ja) | バリスタとその製造方法 | |
| JP3444290B2 (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| EP0186039A2 (en) | Process for producing a temperature and moisture sensitive element | |
| JPH07161503A (ja) | チップ型サーミスタ | |
| JP3152352B2 (ja) | サーミスタ素子 | |
| JPH0590099A (ja) | チツプ状固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH1022104A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JPH06151110A (ja) | 面実装用ｎｔｃサーミスタ | |
| JPS59220901A (ja) | セラミツク電子部品の電極形成方法 | |
| JPH0661008A (ja) | サーミスタ素子の製造方法 | |
| JP3031026B2 (ja) | チップ型セラミック電子部品の製造方法 | |
| JPH0210802A (ja) | バリスタ | |
| JPS62238602A (ja) | 正特性磁器半導体 | |
| JPS58199520A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH02143401A (ja) | 電圧非直線性抵抗素子の電極形成方法 | |
| JPH05182514A (ja) | 導電ペースト組成物 | |
| JPS59102149A (ja) | 感湿材料 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070823 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090823 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |