JP3313267B2 - 導電性樹脂ペースト - Google Patents
導電性樹脂ペーストInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の
半導体素子を金属フレーム等に接着する導電性樹脂ペー
ストに関するものである。
半導体素子を金属フレーム等に接着する導電性樹脂ペー
ストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年のエレクトロニクス産業の著しい発
展に伴い、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩと半
導体素子における回路の集積度は急激に増大している。
このため、半導体素子の大きさも、従来長辺が数ｍｍ程
度だったものが１０数ｍｍと飛躍的に増大している。ま
た、リードフレームも従来の４２アロイから熱伝導性も
良く、安価である銅材が主流となりつつある。一方、半
導体製品の実装方法は表面実装法にしかも高密度実装化
のため半導体製品自体の大きさは小さく、しかも薄くな
ってきている。このような半導体製品の動向に従い半導
体製品の構成材料に対する要求性能も変化してきてお
り、半導体素子と金属フレームを接合するダイボンディ
ング用樹脂ペーストに対しても、従来求められていた接
合の信頼性のみならず、大型チップと銅フレームの熱膨
張率の差に基づく熱応力を吸収緩和する応力緩和特性、
更には薄型パッケージでの表面実装に基づく耐半田クラ
ック特性が要求され始めている。ここで、応力緩和特性
は半導体素子の材料であるシリコン等の線熱膨張係数が
３×１０-6／℃であるのに対し銅フレームの線熱膨張係
数は２０×１０-6／℃と一桁大きいため、ダイボンディ
ング用樹脂ペーストの加熱硬化後の冷却過程において銅
フレームの方がシリコンチップより大きな割合で収縮す
ることに基づき、チップの反りひいてはチップクラック
あるいはダイボンディング用樹脂ペーストの剥離等を引
き起こし、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体製品の特性不良の一
因となり得る可能性がある。
展に伴い、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩと半
導体素子における回路の集積度は急激に増大している。
このため、半導体素子の大きさも、従来長辺が数ｍｍ程
度だったものが１０数ｍｍと飛躍的に増大している。ま
た、リードフレームも従来の４２アロイから熱伝導性も
良く、安価である銅材が主流となりつつある。一方、半
導体製品の実装方法は表面実装法にしかも高密度実装化
のため半導体製品自体の大きさは小さく、しかも薄くな
ってきている。このような半導体製品の動向に従い半導
体製品の構成材料に対する要求性能も変化してきてお
り、半導体素子と金属フレームを接合するダイボンディ
ング用樹脂ペーストに対しても、従来求められていた接
合の信頼性のみならず、大型チップと銅フレームの熱膨
張率の差に基づく熱応力を吸収緩和する応力緩和特性、
更には薄型パッケージでの表面実装に基づく耐半田クラ
ック特性が要求され始めている。ここで、応力緩和特性
は半導体素子の材料であるシリコン等の線熱膨張係数が
３×１０-6／℃であるのに対し銅フレームの線熱膨張係
数は２０×１０-6／℃と一桁大きいため、ダイボンディ
ング用樹脂ペーストの加熱硬化後の冷却過程において銅
フレームの方がシリコンチップより大きな割合で収縮す
ることに基づき、チップの反りひいてはチップクラック
あるいはダイボンディング用樹脂ペーストの剥離等を引
き起こし、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体製品の特性不良の一
因となり得る可能性がある。
【０００３】このような熱応力を吸収緩和するためにダ
イボンディング用樹脂ペーストを低弾性率にする必要が
あるが、従来のエポキシ樹脂系ダイボンディング用樹脂
ペーストでは、熱硬化性樹脂であるため三次元架橋し弾
性率が高くなり、大型チップと銅フレームとの熱膨張率
の差に基づく歪を吸収するに至らなかった。一方線状高
分子タイプのポリイミド樹脂系ダイボンディング用樹脂
ペーストは、エポキシ樹脂系ダイボンディング用樹脂ペ
ーストに比べ硬化物の弾性率が小さく、チップの反りは
改良される。しかしポリイミド樹脂をダイボンディング
用樹脂ペーストとして用いる場合には、塗布作業性の点
からＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド等の多量の極性溶剤に溶解して粘度を調整し
なければならない。このときの溶剤量はダイボンディン
グ用樹脂ペーストの３０重量％にもなり、半導体素子と
金属フレームの接着に用いた場合硬化加熱時の溶剤の抜
け跡として硬化物中にボイドが発生し、接着強度、熱伝
導性及び導電性の低下の原因となり信頼性の面から好ま
しくない。また、表面実装あるいは高密度実装を目的と
したパッケージサイズの小型化、薄型化に基づく実装時
の熱ストレスの急激な増加により半導体封止材だけでな
くダイボンディング用樹脂ペーストにも耐リフロークラ
ック性が要求されてきている。ダイボンディング用樹脂
ペーストの耐リフロークラック性は、半田リフロー時の
ストレスを緩和吸収するためにリフロー温度付近で低弾
性率であると共に、半田リフローの前処理段階での吸水
率が小さく、かつ吸水後でも十分な接合強度、特に加熱
状態で十分な引き剥し方向での強度を示すことが必要で
あるがエポキシ樹脂及びポリイミド樹脂ペーストを含め
てこれらの特性を満足するものはなかった。
イボンディング用樹脂ペーストを低弾性率にする必要が
あるが、従来のエポキシ樹脂系ダイボンディング用樹脂
ペーストでは、熱硬化性樹脂であるため三次元架橋し弾
性率が高くなり、大型チップと銅フレームとの熱膨張率
の差に基づく歪を吸収するに至らなかった。一方線状高
分子タイプのポリイミド樹脂系ダイボンディング用樹脂
ペーストは、エポキシ樹脂系ダイボンディング用樹脂ペ
ーストに比べ硬化物の弾性率が小さく、チップの反りは
改良される。しかしポリイミド樹脂をダイボンディング
用樹脂ペーストとして用いる場合には、塗布作業性の点
からＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド等の多量の極性溶剤に溶解して粘度を調整し
なければならない。このときの溶剤量はダイボンディン
グ用樹脂ペーストの３０重量％にもなり、半導体素子と
金属フレームの接着に用いた場合硬化加熱時の溶剤の抜
け跡として硬化物中にボイドが発生し、接着強度、熱伝
導性及び導電性の低下の原因となり信頼性の面から好ま
しくない。また、表面実装あるいは高密度実装を目的と
したパッケージサイズの小型化、薄型化に基づく実装時
の熱ストレスの急激な増加により半導体封止材だけでな
くダイボンディング用樹脂ペーストにも耐リフロークラ
ック性が要求されてきている。ダイボンディング用樹脂
ペーストの耐リフロークラック性は、半田リフロー時の
ストレスを緩和吸収するためにリフロー温度付近で低弾
性率であると共に、半田リフローの前処理段階での吸水
率が小さく、かつ吸水後でも十分な接合強度、特に加熱
状態で十分な引き剥し方向での強度を示すことが必要で
あるがエポキシ樹脂及びポリイミド樹脂ペーストを含め
てこれらの特性を満足するものはなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＩＣ等の大
型チップと銅フレームとの組み合わせでもチップクラッ
クやチップの反りによるＩＣ等の特性不良が生じず、か
つ薄型パッケージでの半田リフロークラックが発生しな
い高信頼性の導電性樹脂ペーストを提供するものであ
る。
型チップと銅フレームとの組み合わせでもチップクラッ
クやチップの反りによるＩＣ等の特性不良が生じず、か
つ薄型パッケージでの半田リフロークラックが発生しな
い高信頼性の導電性樹脂ペーストを提供するものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）銀粉、
（Ｂ）常温で液状のエポキシ樹脂、（Ｃ）１分子内に少
なくとも１個のフェノール性水酸基及びアルケニル基を
有する化合物、（Ｄ）式（１）で示されるシクロシロキ
サン、（Ｅ）白金系触媒を必須成分とし、全導電性樹脂
ペースト中に（Ａ）成分を６０〜９０重量％、（Ｂ）を
５〜３５重量％、（Ｃ）成分を０．５〜８重量％、
（Ｄ）成分を０．１〜５重量％、（Ｅ）成分を白金換算
で１００重量ｐｐｂ〜５０重量ｐｐｍ含む導電性樹脂ペ
ーストであり、
（Ｂ）常温で液状のエポキシ樹脂、（Ｃ）１分子内に少
なくとも１個のフェノール性水酸基及びアルケニル基を
有する化合物、（Ｄ）式（１）で示されるシクロシロキ
サン、（Ｅ）白金系触媒を必須成分とし、全導電性樹脂
ペースト中に（Ａ）成分を６０〜９０重量％、（Ｂ）を
５〜３５重量％、（Ｃ）成分を０．５〜８重量％、
（Ｄ）成分を０．１〜５重量％、（Ｅ）成分を白金換算
で１００重量ｐｐｂ〜５０重量ｐｐｍ含む導電性樹脂ペ
ーストであり、
【０００６】
【化３】
【０００７】塩素、ナトリウム等のイオン性不純物濃度
が低く、塗布作業性が良好で、かつ通常のエポキシ樹脂
の硬化反応以外に１分子内に少なくとも１個のフェノー
ル性水酸基及びアルケニル基を有する化合物のアルケニ
ル基と、式（１）で示されるシクロシロキサンのＳｉ・
Ｈ基のハイドロシリル化反応も利用して硬化させるため
硬化性に優れ、また接着力が良好、更には吸湿による接
着力の低下が少ないため半田リフロー時の熱ストレスに
よる導電性樹脂ペースト層の剥離が生じにくく、耐リフ
ロークラック性に優れるものである。
が低く、塗布作業性が良好で、かつ通常のエポキシ樹脂
の硬化反応以外に１分子内に少なくとも１個のフェノー
ル性水酸基及びアルケニル基を有する化合物のアルケニ
ル基と、式（１）で示されるシクロシロキサンのＳｉ・
Ｈ基のハイドロシリル化反応も利用して硬化させるため
硬化性に優れ、また接着力が良好、更には吸湿による接
着力の低下が少ないため半田リフロー時の熱ストレスに
よる導電性樹脂ペースト層の剥離が生じにくく、耐リフ
ロークラック性に優れるものである。
【０００８】
【発明の実施の態様】本発明に用いる銀粉は、用いる分
野が電子・電気分野のためハロゲンイオン、アルカリ金
属イオン等のイオン性不純物量が１０ｐｐｍ以下である
ことが望ましい。また形状としてはフレーク状、樹枝状
あるいは球状のものを単独あるいは混合して用いること
ができる。更に粒径に関しては、通常平均粒径が２〜１
０μｍ、最大粒径は５０μｍ程度のものが好ましく、比
較的細かい銀粉と粗い銀粉を混合して用いてもよい。全
導電性樹脂ペースト中の銀粉量が、６０重量％未満だと
硬化物の電気伝導性が低下し、９０重量％を越えると樹
脂ペーストの粘度が高くなりすぎ塗布作業性の低下の原
因となる。
野が電子・電気分野のためハロゲンイオン、アルカリ金
属イオン等のイオン性不純物量が１０ｐｐｍ以下である
ことが望ましい。また形状としてはフレーク状、樹枝状
あるいは球状のものを単独あるいは混合して用いること
ができる。更に粒径に関しては、通常平均粒径が２〜１
０μｍ、最大粒径は５０μｍ程度のものが好ましく、比
較的細かい銀粉と粗い銀粉を混合して用いてもよい。全
導電性樹脂ペースト中の銀粉量が、６０重量％未満だと
硬化物の電気伝導性が低下し、９０重量％を越えると樹
脂ペーストの粘度が高くなりすぎ塗布作業性の低下の原
因となる。
【０００９】本発明に用いるエポキシ樹脂は、常温で液
状のものに限定しているが、常温で液状のものでないと
銀粉との混練において溶剤を必要とする。溶剤は気泡の
原因となり硬化物の接着強度、熱伝導率を低下させてし
まうので好ましくない。常温で液状のエポキシ樹脂とし
ては、例えば、常温で固形のものでも常温で液状のエポ
キシ樹脂と混合することで常温で安定して液状を示すも
のを含む。本発明に用いるエポキシ樹脂としては、ビス
フェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラッ
ク、クレゾールノボラック類とエピクロルヒドリンとの
反応により得られるポリグリシジルエーテル、ブタンジ
オールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコール
ジグリシジルエーテル等の脂肪族エポキシ、ジグリシジ
ルヒダントイン等の複素環式エポキシ、ビニルシクロヘ
キセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオキサイ
ド、アリサイクリックジエポキシ−アジペイトのような
脂環式エポキシ、更にはｎ−ブチルグリシジルエーテ
ル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレンオ
サイド、エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニル
グリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ブ
チルフェニルグリシジルエーテル等のような通常のエポ
キシ樹脂の希釈剤として用いられるものがあり、これら
は単独でも混合して用いてもよい。
状のものに限定しているが、常温で液状のものでないと
銀粉との混練において溶剤を必要とする。溶剤は気泡の
原因となり硬化物の接着強度、熱伝導率を低下させてし
まうので好ましくない。常温で液状のエポキシ樹脂とし
ては、例えば、常温で固形のものでも常温で液状のエポ
キシ樹脂と混合することで常温で安定して液状を示すも
のを含む。本発明に用いるエポキシ樹脂としては、ビス
フェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラッ
ク、クレゾールノボラック類とエピクロルヒドリンとの
反応により得られるポリグリシジルエーテル、ブタンジ
オールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコール
ジグリシジルエーテル等の脂肪族エポキシ、ジグリシジ
ルヒダントイン等の複素環式エポキシ、ビニルシクロヘ
キセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオキサイ
ド、アリサイクリックジエポキシ−アジペイトのような
脂環式エポキシ、更にはｎ−ブチルグリシジルエーテ
ル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレンオ
サイド、エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニル
グリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ブ
チルフェニルグリシジルエーテル等のような通常のエポ
キシ樹脂の希釈剤として用いられるものがあり、これら
は単独でも混合して用いてもよい。
【００１０】本発明に用いる１分子内に少なくとも１個
のフェノール性水酸基及びアルケニル基を有する化合物
は、エポキシ基とフェノール性水酸基、Ｓｉ・Ｈ基とア
ルケニル基の反応を利用するので、フェノール性水酸
基、アルケニル基のみを有する化合物をそれぞれ別々に
配合した場合には、期待する硬化物の凝集力ひいては接
着力の向上が認められない。また用いる化合物によって
は、硬化中に分離が生じ逆に接着力の向上が認められ
ず、あるいは硬化中に分離が生じ逆に接着力が低下して
しまう。１分子内に少なくとも１個のフェノール性水酸
基及びアルケニル基を有する化合物としては、例えば、
アリルフェノール、ヒドロキシスチレン、オイゲノー
ル、モノあるいはジアリルビスフェノールＡ、モノある
いはジアリルビスフェノールＦなどが挙げられるが、ジ
アリルビスフェノールＡあるいはジアリルビスフェノー
ルＦが特に好ましい。１分子内に少なくとも１個のフェ
ノール性水酸基及びアルケニル基を有する化合物は、全
導電性樹脂ペースト中に０．５〜８重量％含まれる。
０．５重量％未満だと期待する効果が現れず、８重量％
より多い場合には硬化物中に未反応のフェノール性水酸
基が残存し架橋密度の低下、接着力不足、吸水特性の悪
化などの原因となるので好ましくない。
のフェノール性水酸基及びアルケニル基を有する化合物
は、エポキシ基とフェノール性水酸基、Ｓｉ・Ｈ基とア
ルケニル基の反応を利用するので、フェノール性水酸
基、アルケニル基のみを有する化合物をそれぞれ別々に
配合した場合には、期待する硬化物の凝集力ひいては接
着力の向上が認められない。また用いる化合物によって
は、硬化中に分離が生じ逆に接着力の向上が認められ
ず、あるいは硬化中に分離が生じ逆に接着力が低下して
しまう。１分子内に少なくとも１個のフェノール性水酸
基及びアルケニル基を有する化合物としては、例えば、
アリルフェノール、ヒドロキシスチレン、オイゲノー
ル、モノあるいはジアリルビスフェノールＡ、モノある
いはジアリルビスフェノールＦなどが挙げられるが、ジ
アリルビスフェノールＡあるいはジアリルビスフェノー
ルＦが特に好ましい。１分子内に少なくとも１個のフェ
ノール性水酸基及びアルケニル基を有する化合物は、全
導電性樹脂ペースト中に０．５〜８重量％含まれる。
０．５重量％未満だと期待する効果が現れず、８重量％
より多い場合には硬化物中に未反応のフェノール性水酸
基が残存し架橋密度の低下、接着力不足、吸水特性の悪
化などの原因となるので好ましくない。
【００１１】本発明に用いる式（１）のシクロシロキサ
ンは、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3がメチル基、又はフェニル基でｍ
は２以上の整数でｍ＋ｎは３〜６である。より好ましい
のは、式（２）で示される構造のものでｍは２以上の整
数で、ｍ＋ｎは４である。例えば、テトラメチルシクロ
テトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサ
ン、テトラペンタメチルシクロテトラシロキサンが挙げ
られる。式（１）のシクロシロキサンと異なる構造の直
鎖状のシロキサンである１，１，３，３−テトラメチル
ジシロキサンでは、沸点が約７０℃と低く硬化時に発泡
あるいは揮発してしまい、シロキサン単位が２以上の所
謂Ｈオイルの場合には、反応の相手となるアルケニル基
を有する化合物との相溶性が悪くなり、硬化前あるいは
硬化時に分離する欠点があるのに対し、式（１）のシク
ロシロキサンではこれらの欠点ががない。本発明に用い
る式（１）のシクロシロキサンは、塩素、ナトリウム等
のイオン性不純物が５０ｐｐｍ以下であることが望まし
い。全導電性樹脂ペースト中の配合量が、０．１重量％
未満だと期待する性能が得られず、５重量％を越えると
硬化物中に未反応のシクロシロキサンが残存するため好
ましくない。
ンは、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3がメチル基、又はフェニル基でｍ
は２以上の整数でｍ＋ｎは３〜６である。より好ましい
のは、式（２）で示される構造のものでｍは２以上の整
数で、ｍ＋ｎは４である。例えば、テトラメチルシクロ
テトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサ
ン、テトラペンタメチルシクロテトラシロキサンが挙げ
られる。式（１）のシクロシロキサンと異なる構造の直
鎖状のシロキサンである１，１，３，３−テトラメチル
ジシロキサンでは、沸点が約７０℃と低く硬化時に発泡
あるいは揮発してしまい、シロキサン単位が２以上の所
謂Ｈオイルの場合には、反応の相手となるアルケニル基
を有する化合物との相溶性が悪くなり、硬化前あるいは
硬化時に分離する欠点があるのに対し、式（１）のシク
ロシロキサンではこれらの欠点ががない。本発明に用い
る式（１）のシクロシロキサンは、塩素、ナトリウム等
のイオン性不純物が５０ｐｐｍ以下であることが望まし
い。全導電性樹脂ペースト中の配合量が、０．１重量％
未満だと期待する性能が得られず、５重量％を越えると
硬化物中に未反応のシクロシロキサンが残存するため好
ましくない。
【００１２】本発明で用いる白金系触媒としは、ハイド
ロシリル化反応で一般に使用される６塩化白金酸を使用
しても差し支えないが、使用する分野が電気・電子分野
であることから腐食性のイオンを限りなく減らし、かつ
触媒活性の点から白金と有機化合物あるいは有機シリコ
ーン化合物との錯体の方が好ましい。具体的には、白金
とシクロ（ビニルメチルシロキサン）の錯体、白金とジ
ビニルテトラメチルジシロキサンとの錯体、白金とオク
チルアルコールとの錯体等があるが、錯体自体が硬化時
に反応するという点で、白金とシクロ（ビニルメチルシ
ロキサン）との錯体、白金とジビニルテトラメチルジシ
ロキサンとの錯体の方がより好ましい。白金系触媒の配
合量が白金換算で１００重量ｐｐｂ未満だと導電性樹脂
ペーストが十分に硬化しないかあるいは硬化時間が長く
なり、５０重量ｐｐｍを越えると導電性樹脂ペーストの
硬化時の反応に伴う発熱量が多くなりすぎ硬化物中にボ
イドが発生し易く接着強度の低下、電気伝導率、熱伝導
率の悪化の原因となるため好ましくない。本発明におい
ては、必要に応じ潜在性硬化剤、通常エポキシ基とフェ
ノール性水酸基の反応の促進剤として知られているトリ
エチルアミン、ジアザビシクロウンデセンなどの３級ア
ミン、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフ
ィン−テトラフェニルボレート塩、可撓性付与剤、消泡
剤、カップリング剤等を用いることもできる。本発明の
導電性樹脂ペーストの製造方法としては、例えば各成分
を予備混合した後、３本ロールを用いて混練し、混練後
真空下脱泡し樹脂ペーストを得るなどがある。
ロシリル化反応で一般に使用される６塩化白金酸を使用
しても差し支えないが、使用する分野が電気・電子分野
であることから腐食性のイオンを限りなく減らし、かつ
触媒活性の点から白金と有機化合物あるいは有機シリコ
ーン化合物との錯体の方が好ましい。具体的には、白金
とシクロ（ビニルメチルシロキサン）の錯体、白金とジ
ビニルテトラメチルジシロキサンとの錯体、白金とオク
チルアルコールとの錯体等があるが、錯体自体が硬化時
に反応するという点で、白金とシクロ（ビニルメチルシ
ロキサン）との錯体、白金とジビニルテトラメチルジシ
ロキサンとの錯体の方がより好ましい。白金系触媒の配
合量が白金換算で１００重量ｐｐｂ未満だと導電性樹脂
ペーストが十分に硬化しないかあるいは硬化時間が長く
なり、５０重量ｐｐｍを越えると導電性樹脂ペーストの
硬化時の反応に伴う発熱量が多くなりすぎ硬化物中にボ
イドが発生し易く接着強度の低下、電気伝導率、熱伝導
率の悪化の原因となるため好ましくない。本発明におい
ては、必要に応じ潜在性硬化剤、通常エポキシ基とフェ
ノール性水酸基の反応の促進剤として知られているトリ
エチルアミン、ジアザビシクロウンデセンなどの３級ア
ミン、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフ
ィン−テトラフェニルボレート塩、可撓性付与剤、消泡
剤、カップリング剤等を用いることもできる。本発明の
導電性樹脂ペーストの製造方法としては、例えば各成分
を予備混合した後、３本ロールを用いて混練し、混練後
真空下脱泡し樹脂ペーストを得るなどがある。
【００１３】以下実施例を用いて本発明を具体的に説明
する。配合割合は重量部で示す。 実施例１〜５ 粒径１〜３０μｍで平均粒径３μｍのフレーク状銀粉、
ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの反応により
得られるジグリシジルビスフェノールＡ（エポキシ当量
１８０、常温で液体、以下ビスＡエポキシ）、クレジル
グリシジルエーテル（エポキシ当量１８５）、ジアリル
ビスフェノールＦ、テトラメチルシクロテトラシロキサ
ン（以下シリコーン化合物Ａ）、ヘキサメチルシクロテ
トラシロキサン（以下シリコーン化合物Ｂ）、白金−シ
クロ（ビニルメチルシロキサン）錯体のシクロ（ビニル
メチルシロキサン）溶液（白金濃度１重量％ 、以下白
金触媒Ａ）及びカップリング剤（信越化学工業(株)・
製、ＫＢＭ−５０３）、ジアザビシクロウンデセンを表
１に示す割合で配合し、３本ロールで混練して導電性樹
脂ペーストを得た。
する。配合割合は重量部で示す。 実施例１〜５ 粒径１〜３０μｍで平均粒径３μｍのフレーク状銀粉、
ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの反応により
得られるジグリシジルビスフェノールＡ（エポキシ当量
１８０、常温で液体、以下ビスＡエポキシ）、クレジル
グリシジルエーテル（エポキシ当量１８５）、ジアリル
ビスフェノールＦ、テトラメチルシクロテトラシロキサ
ン（以下シリコーン化合物Ａ）、ヘキサメチルシクロテ
トラシロキサン（以下シリコーン化合物Ｂ）、白金−シ
クロ（ビニルメチルシロキサン）錯体のシクロ（ビニル
メチルシロキサン）溶液（白金濃度１重量％ 、以下白
金触媒Ａ）及びカップリング剤（信越化学工業(株)・
製、ＫＢＭ−５０３）、ジアザビシクロウンデセンを表
１に示す割合で配合し、３本ロールで混練して導電性樹
脂ペーストを得た。
【００１４】この導電性樹脂ペーストを真空チャンバー
にて２ｍｍＨｇで３０分間脱泡した後、以下の方法によ
り各種性能を評価した。評価結果を表１に示す。 ゲルタイム：ペースト１ｃｃを１５０℃の熱板上に置き
スパチュラでかきまぜペーストが流動性を示さなくなる
までの時間を測定した。 粘 度：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い２５℃、
２．５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。 糸引き性 ：導電性樹脂ペーストの中へ直径１ｍｍΦの
ピンを深さ５ｍｍまで入れ、ピンを３００ｍｍ／分の速
度で引き上げ、ペーストが切れたときの高さを測定し
た。 体積抵抗率：スライドガラス上にペーストを幅４ｍｍ厚
さ３０μｍに塗布し、１５０℃熱板上、３０分間硬化し
た後硬化物の体積抵抗率を測定した。 接着強度 ：ペーストを用いて５×５ｍｍのシリコンチ
ップを銅フレームにマウントし１５０℃、３０分間硬化
した。硬化後プッシュプルゲージを用い２４０℃での熱
時ダイシェア強度を測定した。なお、硬化物を８５℃、
相対湿度８５％、７２時間吸湿処理したサンプルについ
ても同様の測定を行った。 ボイド ：接着強度測定前のサンプルを軟Ｘ線透過法
によりボイドの観察を行った。 不純物 ：硬化・粉砕したペースト２ｇ及び純水４０
ｍｌを１２５℃、２０時間抽出して得られた抽出液のナ
トリウム及び塩素イオン濃度をイオンクロマトグラフィ
ーにて測定した。
にて２ｍｍＨｇで３０分間脱泡した後、以下の方法によ
り各種性能を評価した。評価結果を表１に示す。 ゲルタイム：ペースト１ｃｃを１５０℃の熱板上に置き
スパチュラでかきまぜペーストが流動性を示さなくなる
までの時間を測定した。 粘 度：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い２５℃、
２．５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。 糸引き性 ：導電性樹脂ペーストの中へ直径１ｍｍΦの
ピンを深さ５ｍｍまで入れ、ピンを３００ｍｍ／分の速
度で引き上げ、ペーストが切れたときの高さを測定し
た。 体積抵抗率：スライドガラス上にペーストを幅４ｍｍ厚
さ３０μｍに塗布し、１５０℃熱板上、３０分間硬化し
た後硬化物の体積抵抗率を測定した。 接着強度 ：ペーストを用いて５×５ｍｍのシリコンチ
ップを銅フレームにマウントし１５０℃、３０分間硬化
した。硬化後プッシュプルゲージを用い２４０℃での熱
時ダイシェア強度を測定した。なお、硬化物を８５℃、
相対湿度８５％、７２時間吸湿処理したサンプルについ
ても同様の測定を行った。 ボイド ：接着強度測定前のサンプルを軟Ｘ線透過法
によりボイドの観察を行った。 不純物 ：硬化・粉砕したペースト２ｇ及び純水４０
ｍｌを１２５℃、２０時間抽出して得られた抽出液のナ
トリウム及び塩素イオン濃度をイオンクロマトグラフィ
ーにて測定した。
【００１５】実施例６ 用いる１分子内に少なくとも１個のフェノール性水酸基
とアルケニル基を有する化合物として、ジアリルビスフ
ェノールＡを用いた他は、実施例１〜４と全く同様にし
て導電性樹脂ペーストを作製し評価を行った。 実施例７ 用いる白金系触媒としては、白金−ジビニルテトラメチ
ルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金濃度３重量％
、以下白金触媒Ｂ）を用いた他は実施例１〜４と全く
同様にして導電性樹脂ペーストを作製し評価を行った。 比較例１〜６ 表２に示す配合割合で実施例と全く同様にして導電性樹
脂ペーストを作製した。 なお比較例５では、シリコー
ン化合物Ａの替わりに、１，１，３，３−テトラメチル
ジシロキサン（以下シリコーン化合物Ｃ）を用い、比較
例６ではビスフェノールＡ及び２−ヒドロキシ−１，３
−ジメタクリロキシプロパン（以下ジメタクリル化合
物）を用いた。なお、比較例１、２については、硬化が
遅くサンプルを作成できず評価できなかった。
とアルケニル基を有する化合物として、ジアリルビスフ
ェノールＡを用いた他は、実施例１〜４と全く同様にし
て導電性樹脂ペーストを作製し評価を行った。 実施例７ 用いる白金系触媒としては、白金−ジビニルテトラメチ
ルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金濃度３重量％
、以下白金触媒Ｂ）を用いた他は実施例１〜４と全く
同様にして導電性樹脂ペーストを作製し評価を行った。 比較例１〜６ 表２に示す配合割合で実施例と全く同様にして導電性樹
脂ペーストを作製した。 なお比較例５では、シリコー
ン化合物Ａの替わりに、１，１，３，３−テトラメチル
ジシロキサン（以下シリコーン化合物Ｃ）を用い、比較
例６ではビスフェノールＡ及び２−ヒドロキシ−１，３
−ジメタクリロキシプロパン（以下ジメタクリル化合
物）を用いた。なお、比較例１、２については、硬化が
遅くサンプルを作成できず評価できなかった。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
【発明の効果】本発明の導電性樹脂ペーストは、硬化性
が良好であると共に、特に接着性が良好であり半田リフ
ロー時のストレスに耐えられる。更にディスペンス塗布
時の作業性に優れ、イオン性不純物が少なく、４２アロ
イ等の金属フレーム、セラミック基板、ガラスエポキシ
等の有機基板へのＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の接着に
最適である。
が良好であると共に、特に接着性が良好であり半田リフ
ロー時のストレスに耐えられる。更にディスペンス塗布
時の作業性に優れ、イオン性不純物が少なく、４２アロ
イ等の金属フレーム、セラミック基板、ガラスエポキシ
等の有機基板へのＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の接着に
最適である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ０９Ｊ 183/05 Ｃ０９Ｊ 183/05 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ (56)参考文献 特開 平８−12870（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−176409（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−372660（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−134907（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−184279（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−351653（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−59487（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−13473（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−72045（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−118537（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−168061（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−176246（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−166740（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−95652（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01B 1/00 - 1/24 C09J 1/00 - 201/10 H01L 21/52 C08G 59/00 - 85/00 C08L 63/00 - 101/16
Claims (5)
- 【請求項１】 （Ａ）銀粉、（Ｂ）常温で液状のエポキ
シ樹脂、（Ｃ）１分子内に少なくとも１個のフェノール
性水酸基及びアルケニル基を有する化合物、（Ｄ）式
（１）で示されるシクロシロキサン、（Ｅ）白金系触媒
を必須成分とし、全導電性樹脂ペースト中に（Ａ）成分
を６０〜９０重量％、（Ｂ）を５〜３５重量％、（Ｃ）
成分を０．５〜８重量％、（Ｄ）成分を０．１〜５重量
％、（Ｅ）成分を白金換算で１００重量ｐｐｂ〜５０重
量ｐｐｍ含むことを特徴とする導電性樹脂ペースト。 【化１】 - 【請求項２】 １分子内に少なくとも１個のフェノール
性水酸基及びアルケニル基を有する化合物がジアリルビ
スフェノールＡ、又はジアリルビスフェノールＦである
請求項１記載の導電性樹脂ペースト。 - 【請求項３】 式（１）のシクロシロキサンが、式
（２）である請求項１、又は請求項２記載の導電性樹脂
ペースト。 【化２】 - 【請求項４】 白金系触媒が、白金とシクロ（ビニルメ
チルシロキサン）との錯体である請求項１、請求項２、
又は請求項３記載の導電性樹脂ペースト。 - 【請求項５】 白金系触媒が、白金とジビニルテトラメ
チルジシロキサンとの錯体である請求項１、請求項２、
又は請求項３記載の導電性樹脂ペースト。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP25165995A JP3313267B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 導電性樹脂ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25165995A JP3313267B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 導電性樹脂ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0995651A JPH0995651A (ja) | 1997-04-08 |
| JP3313267B2 true JP3313267B2 (ja) | 2002-08-12 |
Family
ID=17226114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25165995A Expired - Fee Related JP3313267B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 導電性樹脂ペースト |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3313267B2 (ja) |
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| JP4880837B2 (ja) * | 2001-09-05 | 2012-02-22 | 株式会社カネカ | 硬化性組成物および硬化物 |
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| JP4931366B2 (ja) | 2005-04-27 | 2012-05-16 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性シリコーン組成物および電子部品 |
| JP5004433B2 (ja) * | 2005-04-27 | 2012-08-22 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性シリコーン組成物およびその硬化物 |
| JP5285846B2 (ja) | 2006-09-11 | 2013-09-11 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性シリコーン組成物および電子部品 |
| KR101283949B1 (ko) * | 2012-09-04 | 2013-07-09 | 삼성유리공업 주식회사 | 납땜이음용 전도성 접착코팅막 및 납땜 이음방법 |
| KR101372260B1 (ko) * | 2013-01-23 | 2014-03-10 | 삼성유리공업 주식회사 | 원적외선 복사되는 거울장치 |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP25165995A patent/JP3313267B2/ja not_active Expired - Fee Related
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