JP2501258B2 - 絶縁樹脂ペ―スト - Google Patents
絶縁樹脂ペ―ストInfo
- Publication number
- JP2501258B2 JP2501258B2 JP22001891A JP22001891A JP2501258B2 JP 2501258 B2 JP2501258 B2 JP 2501258B2 JP 22001891 A JP22001891 A JP 22001891A JP 22001891 A JP22001891 A JP 22001891A JP 2501258 B2 JP2501258 B2 JP 2501258B2
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- JP
- Japan
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- resin paste
- insulating resin
- weight
- chip
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- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
素子を金属フレーム等に接着する絶縁樹脂ペーストに関
するものである。
素子を金属フレーム等に接着する絶縁樹脂ペーストに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年のエレクトロニクス業界の著しい発
展により、トランジスター，ＩＣ，ＬＳＩ，超ＬＳＩと
急速に進化してきており、これら半導体素子に於ける回
路の集積度が急激に増大するとともに、半導体製品の普
及に伴い、大量生産の必要にせまられてきた。このた
め、量産における作業性の向上ならびにコストダウンは
重要な課題である。
展により、トランジスター，ＩＣ，ＬＳＩ，超ＬＳＩと
急速に進化してきており、これら半導体素子に於ける回
路の集積度が急激に増大するとともに、半導体製品の普
及に伴い、大量生産の必要にせまられてきた。このた
め、量産における作業性の向上ならびにコストダウンは
重要な課題である。
【０００３】従来は、半導体素子を金属フレームなどの
導体にＡｕ−Ｓｉ共晶法により接合し、次いでハーメチ
ックシールによって封止して半導体製品とするのが普通
であった。しかし量産時の作業性、コストの面より樹脂
封止法が開発され、現在は一般化されている。これに伴
い、マウント工程に於けるＡｕ−Ｓｉ共晶法の改良とし
てハンダ材料あるいは導電性樹脂ペーストや絶縁ペース
トといったマウント用樹脂による方法が取り上げられる
ようになった。
導体にＡｕ−Ｓｉ共晶法により接合し、次いでハーメチ
ックシールによって封止して半導体製品とするのが普通
であった。しかし量産時の作業性、コストの面より樹脂
封止法が開発され、現在は一般化されている。これに伴
い、マウント工程に於けるＡｕ−Ｓｉ共晶法の改良とし
てハンダ材料あるいは導電性樹脂ペーストや絶縁ペース
トといったマウント用樹脂による方法が取り上げられる
ようになった。
【０００４】しかし、ハンダ法では、信頼性が低いこ
と、素子の電極を汚染し易いこと等が欠点とされ、高熱
伝導性を要求するパワートランジスタ、パワーＩＣの素
子の接合に使用が限られている。これに対し、マウント
用樹脂はハンダ法に比べ、作業性に於いても、信頼性に
於いても優れており、その需要が急激に増大している。
中でもフィラーとしてシリカ粉末を用いた絶縁樹脂ペー
ストは貴金属を全く用いていないため安価であり、特に
絶縁性を要する用途での需要が増大している。
と、素子の電極を汚染し易いこと等が欠点とされ、高熱
伝導性を要求するパワートランジスタ、パワーＩＣの素
子の接合に使用が限られている。これに対し、マウント
用樹脂はハンダ法に比べ、作業性に於いても、信頼性に
於いても優れており、その需要が急激に増大している。
中でもフィラーとしてシリカ粉末を用いた絶縁樹脂ペー
ストは貴金属を全く用いていないため安価であり、特に
絶縁性を要する用途での需要が増大している。
【０００５】更に最近ＩＣ等の集積度の高密度化によ
り、チップが大型化してきているとともに、従来より用
いられてきた４２合金のリードフレームが高価なためコ
ストダウンの目的から銅フレームが用いられるようにな
ってきた。
り、チップが大型化してきているとともに、従来より用
いられてきた４２合金のリードフレームが高価なためコ
ストダウンの目的から銅フレームが用いられるようにな
ってきた。
【０００６】ここで、ＩＣ等のチップの大きさが４〜５
mm角より大きくなるとマウント法として、Ａｕ−Ｓｉ共
晶法を用いた場合には組立工程での加熱により、チップ
と銅フレームの熱膨張率の差に基づくチップのクラック
や反りが発生し、このことに起因する特性不良が問題と
なっている。
mm角より大きくなるとマウント法として、Ａｕ−Ｓｉ共
晶法を用いた場合には組立工程での加熱により、チップ
と銅フレームの熱膨張率の差に基づくチップのクラック
や反りが発生し、このことに起因する特性不良が問題と
なっている。
【０００７】即ちこれは、チップの材料であるシリコン
等の熱膨張率が３×１０-6℃-1であるのに対し、４２合
金フレームのそれは８×１０-6℃-1であるが銅フレーム
では、２０×１０-6℃-1と大きくなるので接合後の冷却
時における熱収縮の差が４２合金フレームを用いる場合
に比べ、銅フレームを用いる場合でははるかに大きくな
る為である。
等の熱膨張率が３×１０-6℃-1であるのに対し、４２合
金フレームのそれは８×１０-6℃-1であるが銅フレーム
では、２０×１０-6℃-1と大きくなるので接合後の冷却
時における熱収縮の差が４２合金フレームを用いる場合
に比べ、銅フレームを用いる場合でははるかに大きくな
る為である。
【０００８】これに対し、マウント法として樹脂ペース
トを用いることが考えられるが、従来のエポキシ樹脂ペ
ーストでは熱硬化性樹脂で三次元硬化する為、弾性率が
高く、チップと銅フレームとの熱膨張率の差に基づく歪
みを吸収するに至らなかった。一方、線状高分子タイプ
のポリイミド樹脂ペーストでは、エポキシ樹脂ペースト
に比べ硬化物の弾性率が低く、チップの反りは改良され
る。しかしポリイミド樹脂をマウント用樹脂として用い
る場合には作業性の点からＮ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の多量の極性溶剤
に溶解して粘度を低くしなければならない。この時の溶
剤量はマウント樹脂ペースト中の３０重量％以上にもな
り、チップと金属フレームとの接着に用いた場合、硬化
加熱時の溶剤の抜け跡として硬化物中にボイドが生成
し、接着強度及び熱伝導率の低下の原因になり、信頼性
の面から好ましくない。
トを用いることが考えられるが、従来のエポキシ樹脂ペ
ーストでは熱硬化性樹脂で三次元硬化する為、弾性率が
高く、チップと銅フレームとの熱膨張率の差に基づく歪
みを吸収するに至らなかった。一方、線状高分子タイプ
のポリイミド樹脂ペーストでは、エポキシ樹脂ペースト
に比べ硬化物の弾性率が低く、チップの反りは改良され
る。しかしポリイミド樹脂をマウント用樹脂として用い
る場合には作業性の点からＮ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の多量の極性溶剤
に溶解して粘度を低くしなければならない。この時の溶
剤量はマウント樹脂ペースト中の３０重量％以上にもな
り、チップと金属フレームとの接着に用いた場合、硬化
加熱時の溶剤の抜け跡として硬化物中にボイドが生成
し、接着強度及び熱伝導率の低下の原因になり、信頼性
の面から好ましくない。
【０００９】また、絶縁樹脂ペーストにおいて含有シリ
カフィラー量を少なくすると低弾性率化は図れるが、よ
り低弾性率の絶縁樹脂ペーストが要求されているととも
に、シリカフィラー中に超微粒子シリカ粉末を併用しな
いとペーストの揺変度が低いためディスペンス塗布時に
ペーストのたれや糸引きが発生し非常に作業性が悪化す
る。
カフィラー量を少なくすると低弾性率化は図れるが、よ
り低弾性率の絶縁樹脂ペーストが要求されているととも
に、シリカフィラー中に超微粒子シリカ粉末を併用しな
いとペーストの揺変度が低いためディスペンス塗布時に
ペーストのたれや糸引きが発生し非常に作業性が悪化す
る。
【００１０】さらに使用する超微粒子シリカ粉末が何ら
表面処理を施されない通常のシリカ粉末だと表面のシラ
ノール基が樹脂ペースト中の樹脂成分と徐々に水素結合
を取りはじめ粘度及び揺変度の低下が起こり、作業性の
低下につながっていた。
表面処理を施されない通常のシリカ粉末だと表面のシラ
ノール基が樹脂ペースト中の樹脂成分と徐々に水素結合
を取りはじめ粘度及び揺変度の低下が起こり、作業性の
低下につながっていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は揺変度が高く
ディスペンサー塗布時の作業性に優れ、かつその経時変
化がなく、ＩＣ等の大型チップと銅フレームとの組合せ
でもチップクラックやチップの反りによるＩＣ等の特性
不良が起こらない絶縁樹脂ペーストを提供するものであ
る。
ディスペンサー塗布時の作業性に優れ、かつその経時変
化がなく、ＩＣ等の大型チップと銅フレームとの組合せ
でもチップクラックやチップの反りによるＩＣ等の特性
不良が起こらない絶縁樹脂ペーストを提供するものであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明はシリカフィラー
（Ａ）と常温で液状のエポキシ樹脂（Ｂ）、ビスフェノ
ールＦ（Ｃ）及び潜在性アミン化合物（Ｄ）を必須成分
とし、該成分中にシリカフィラー（Ａ）が１０〜３０重
量％でシリカフィラー中の１０〜５０重量％が一次粒子
の平均粒径が２〜５０nmでかつ表面のシラノール基の５
０％以上と下記式（１）で示される有機珪素ハロゲン化
合物あるいはアルコール類と反応させた疎水性の超微粒
子シリカ粉末である絶縁樹脂ペーストである。
（Ａ）と常温で液状のエポキシ樹脂（Ｂ）、ビスフェノ
ールＦ（Ｃ）及び潜在性アミン化合物（Ｄ）を必須成分
とし、該成分中にシリカフィラー（Ａ）が１０〜３０重
量％でシリカフィラー中の１０〜５０重量％が一次粒子
の平均粒径が２〜５０nmでかつ表面のシラノール基の５
０％以上と下記式（１）で示される有機珪素ハロゲン化
合物あるいはアルコール類と反応させた疎水性の超微粒
子シリカ粉末である絶縁樹脂ペーストである。
【００１３】Ｓｉ（Ｒ）m（Ｘ）n （１） ｍ＋ｎ＝４ (Ｒ：メチル、エチル、ブチル、オクチル、Ｘ：Ｃｌ、Ｂ
ｒ、ＯＣＨ3、ＯＨ)
ｒ、ＯＣＨ3、ＯＨ)
【００１４】本発明に用いるエポキシ樹脂は常温で液状
のものに限定してあるが、常温で液状のものでないとシ
リカフィラーとの混練において溶剤を必要とする。溶剤
は気泡発生の原因となり、硬化物の接着強度、熱伝導率
を低下させてしまう。
のものに限定してあるが、常温で液状のものでないとシ
リカフィラーとの混練において溶剤を必要とする。溶剤
は気泡発生の原因となり、硬化物の接着強度、熱伝導率
を低下させてしまう。
【００１５】本発明に用いるエポキシ樹脂としては、例
えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノール
ノボラック類とエピクロルヒドリンとの反応で得られる
ポリグリシジルエーテルで常温で液状のもの、ビニルシ
クロヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオ
キサイド、アリサイクリックジエポキシ−アジペイトの
ような脂環式エポキシ、更にはｎ−ブチルグリシジルエ
ーテル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレ
ンオキサイド、フェニルグリシジルエーテル、クレジル
グリシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテ
ルのような通常のエポキシ樹脂の希釈剤として用いられ
るものがある。
えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノール
ノボラック類とエピクロルヒドリンとの反応で得られる
ポリグリシジルエーテルで常温で液状のもの、ビニルシ
クロヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオ
キサイド、アリサイクリックジエポキシ−アジペイトの
ような脂環式エポキシ、更にはｎ−ブチルグリシジルエ
ーテル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレ
ンオキサイド、フェニルグリシジルエーテル、クレジル
グリシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテ
ルのような通常のエポキシ樹脂の希釈剤として用いられ
るものがある。
【００１６】また硬化剤としてはビスフェノールＦとジ
シアンジアミド、アジピン酸ヒドラジド等の潜在型アミ
ン化合物の併用が好ましく、ビスフェノールＦは絶縁樹
脂ペースト中に２〜３０重量％含まれることが好まし
い。２重量％より少ないと配合量が少なすぎて接着強度
が不足し、３０重量％より多いとエポキシ基に対してフ
ェノール性水酸基が過剰になるため硬化物中に未反応の
フェノール性水酸基が残るため好ましくない。
シアンジアミド、アジピン酸ヒドラジド等の潜在型アミ
ン化合物の併用が好ましく、ビスフェノールＦは絶縁樹
脂ペースト中に２〜３０重量％含まれることが好まし
い。２重量％より少ないと配合量が少なすぎて接着強度
が不足し、３０重量％より多いとエポキシ基に対してフ
ェノール性水酸基が過剰になるため硬化物中に未反応の
フェノール性水酸基が残るため好ましくない。
【００１７】本発明に用いるシリカフィラーは平均粒径
が１μｍ以上、２０μｍ以下のシリカ粉末及び一次粒子
の平均粒子径が２〜５０nmの疎水性超微粒子シリカ粉末
からなり、全シリカフィラー中の疎水性超微粒子シリカ
粉末は１０〜５０重量％である。さらにシリカフィラー
と常温で液状のエポキシ樹脂、成分中の２液体量が５０
％以上のフェノールノボラック樹脂及び潜在性アミン化
合物からなる絶縁樹脂組成物中に１０〜３０重量％のシ
リカフィラーを含有する。
が１μｍ以上、２０μｍ以下のシリカ粉末及び一次粒子
の平均粒子径が２〜５０nmの疎水性超微粒子シリカ粉末
からなり、全シリカフィラー中の疎水性超微粒子シリカ
粉末は１０〜５０重量％である。さらにシリカフィラー
と常温で液状のエポキシ樹脂、成分中の２液体量が５０
％以上のフェノールノボラック樹脂及び潜在性アミン化
合物からなる絶縁樹脂組成物中に１０〜３０重量％のシ
リカフィラーを含有する。
【００１８】絶縁樹脂ペースト中の全シリカフィラー量
が１０重量％より少ないとマウント後の接着強度が不足
し、３０重量％より多いと硬化物の弾性率が上がるため
チップの反りが大きくなり目的とする応力緩和特性が望
めない。またシリカフィラー中の超微粒子シリカ粉末が
１０重量％より少ないとペーストの揺変度が小さすぎる
ため、ペーストのたれや糸引きが生じ塗布作業性が悪く
なる。また５０重量％より多いと樹脂ペーストの粘度が
高くなり過ぎる為実用的でない。
が１０重量％より少ないとマウント後の接着強度が不足
し、３０重量％より多いと硬化物の弾性率が上がるため
チップの反りが大きくなり目的とする応力緩和特性が望
めない。またシリカフィラー中の超微粒子シリカ粉末が
１０重量％より少ないとペーストの揺変度が小さすぎる
ため、ペーストのたれや糸引きが生じ塗布作業性が悪く
なる。また５０重量％より多いと樹脂ペーストの粘度が
高くなり過ぎる為実用的でない。
【００１９】更に使用する超微粒子シリカ粉末が何ら表
面処理を施されていない。通常のシリカ粉末だと表面の
シラノール基が樹脂ペースト中の樹脂成分と徐々に水素
結合を取りはじめ、粘度及び揺変度の低下がおこり塗布
作業性が低下してしまうので好ましくない。また、必要
に応じて硬化促進剤、可撓性付与剤、顔料、染料、消泡
剤等の添加剤を用いることもできる。本発明の製造方法
は例えば各成分を予備混合し、三本ロールを用いて混練
しペーストを得て真空下脱泡することなどがある。
面処理を施されていない。通常のシリカ粉末だと表面の
シラノール基が樹脂ペースト中の樹脂成分と徐々に水素
結合を取りはじめ、粘度及び揺変度の低下がおこり塗布
作業性が低下してしまうので好ましくない。また、必要
に応じて硬化促進剤、可撓性付与剤、顔料、染料、消泡
剤等の添加剤を用いることもできる。本発明の製造方法
は例えば各成分を予備混合し、三本ロールを用いて混練
しペーストを得て真空下脱泡することなどがある。
【００２０】
【実施例】以下実施例で本発明を具体的に説明する。配
合割合は重量部で示す。
合割合は重量部で示す。
【００２１】実施例１〜５ 平均粒径が３μｍのシリカ粉末（以下シリカ粉末）と一
次粒子の平均粒径が約１２nmでかつ表面のシラノール基
の約７０％をジメチルジクロロシランで処理した疎水性
の超微粒子シリカ粉末（以下疎水シリカＡ）及びビスフ
ェノールＡとエピクロルヒドリンとの反応により得られ
るジグリシジルエーテル（エポキシ当量１８０で常温で
液状、以下エポキシ樹脂）とビスフェノールＦ（ＯＨ当
量１０１、以下ＢＰＦ）、ジシアンジアミド（以下ＤＩ
ＣＹ）、希釈剤のクレジルグリシジルエーテルを表１に
示す割合で配合し、三本ロールで混練して絶縁樹脂ペー
ストを得た。この絶縁樹脂ペーストを真空チャンバーに
て２mmＨｇ、３０分間脱泡した後、以下の方法により各
性態を評価した。評価結果を表１に示す。 粘度：Ｅ型粘度計を用い２５℃、２．５rpm での値を粘
度とした。 揺変度：次式に従い０．５rpm と２．５rpm での粘度の
比をもって揺変度とした。 揺変度＝（０．５
rpm での粘度）／（２．５rpm での粘度） マウント強度：銀めっきした銅フレームにペーストを塗
布し２×２mmのシリコンチップをマウント後２００℃、
１時間硬化し、３００℃の熱板上でテンションゲージを
用いて接着強度を測定した。 ペーストのたれ：内径1.０mmのニードルをつけたシリン
ジにペーストを５ml入れ、ニードルを下にして試験管立
てに垂直に置き、３０分後ニードルの先端にたれたペー
ストの重量を測定した。 糸引き性：絶縁樹脂ペーストの中へ直径１mmφのピンを
深さ５mmまで沈めて、３００mm／分の速度で引き上げペ
ーストが切れた時の高さを測定した。 チップ歪：銅フレーム上に絶縁ペーストを塗布しシリコ
ンチップ（サイズ６×１５×0.３mmt)を、マウントして
２００℃、１時間オーブン中で硬化した。これを表面粗
さ計にてチップの両端を結ぶ線上から垂直にチップの反
りの頂上までの高さを測定した。
次粒子の平均粒径が約１２nmでかつ表面のシラノール基
の約７０％をジメチルジクロロシランで処理した疎水性
の超微粒子シリカ粉末（以下疎水シリカＡ）及びビスフ
ェノールＡとエピクロルヒドリンとの反応により得られ
るジグリシジルエーテル（エポキシ当量１８０で常温で
液状、以下エポキシ樹脂）とビスフェノールＦ（ＯＨ当
量１０１、以下ＢＰＦ）、ジシアンジアミド（以下ＤＩ
ＣＹ）、希釈剤のクレジルグリシジルエーテルを表１に
示す割合で配合し、三本ロールで混練して絶縁樹脂ペー
ストを得た。この絶縁樹脂ペーストを真空チャンバーに
て２mmＨｇ、３０分間脱泡した後、以下の方法により各
性態を評価した。評価結果を表１に示す。 粘度：Ｅ型粘度計を用い２５℃、２．５rpm での値を粘
度とした。 揺変度：次式に従い０．５rpm と２．５rpm での粘度の
比をもって揺変度とした。 揺変度＝（０．５
rpm での粘度）／（２．５rpm での粘度） マウント強度：銀めっきした銅フレームにペーストを塗
布し２×２mmのシリコンチップをマウント後２００℃、
１時間硬化し、３００℃の熱板上でテンションゲージを
用いて接着強度を測定した。 ペーストのたれ：内径1.０mmのニードルをつけたシリン
ジにペーストを５ml入れ、ニードルを下にして試験管立
てに垂直に置き、３０分後ニードルの先端にたれたペー
ストの重量を測定した。 糸引き性：絶縁樹脂ペーストの中へ直径１mmφのピンを
深さ５mmまで沈めて、３００mm／分の速度で引き上げペ
ーストが切れた時の高さを測定した。 チップ歪：銅フレーム上に絶縁ペーストを塗布しシリコ
ンチップ（サイズ６×１５×0.３mmt)を、マウントして
２００℃、１時間オーブン中で硬化した。これを表面粗
さ計にてチップの両端を結ぶ線上から垂直にチップの反
りの頂上までの高さを測定した。
【００２２】実施例６ 使用する超微粒子シリカ粉末として一次粒子の粒径が約
１２nmでかつ表面をオクチルトリメトキシシランで処理
した疎水性の超微粒子シリカ粉末（以下疎水シリカＢ）
を用いた他は実施例１〜５と同様にして絶縁樹脂ペース
トを作製し、評価した。その評価結果を表１に示す。
１２nmでかつ表面をオクチルトリメトキシシランで処理
した疎水性の超微粒子シリカ粉末（以下疎水シリカＢ）
を用いた他は実施例１〜５と同様にして絶縁樹脂ペース
トを作製し、評価した。その評価結果を表１に示す。
【００２３】比較例１〜６ 表２に示す割合で実施例１と同様にして絶縁樹脂ペース
トを得た。比較例５ではビスフェノールＦのかわりにフ
ェノールノボラック樹脂（ＯＨ当量１０４、以下ＰＮ）
を用いた。また比較例６では一次粒子の平均粒径が約１
２nmで表面処理を施していない親水性の超微粒子シリカ
粉末（以下親水シリカ）を用いた、その評価結果を表２
に示す。
トを得た。比較例５ではビスフェノールＦのかわりにフ
ェノールノボラック樹脂（ＯＨ当量１０４、以下ＰＮ）
を用いた。また比較例６では一次粒子の平均粒径が約１
２nmで表面処理を施していない親水性の超微粒子シリカ
粉末（以下親水シリカ）を用いた、その評価結果を表２
に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】
【発明の効果】本発明の絶縁樹脂ペーストは、揺変度が
高く塗布作業性が良好でかつその経時変化がなく、また
硬化物の弾性率が低く、銅、４２合金等の金属フレー
ム、セラミック基板、ガラス−エポキシ等の有機基板へ
のＩＣ等の半導体素子の接着に用いることができる。特
に銅フレーム上への大型チップの接着に適しており銅フ
レームとシリコンチップの熱膨張率の差に基づくＩＣ等
の特性不良を防ぐことができ、従来になかった応力緩和
特性に優れたマウント用絶縁樹脂ペーストである。
高く塗布作業性が良好でかつその経時変化がなく、また
硬化物の弾性率が低く、銅、４２合金等の金属フレー
ム、セラミック基板、ガラス−エポキシ等の有機基板へ
のＩＣ等の半導体素子の接着に用いることができる。特
に銅フレーム上への大型チップの接着に適しており銅フ
レームとシリコンチップの熱膨張率の差に基づくＩＣ等
の特性不良を防ぐことができ、従来になかった応力緩和
特性に優れたマウント用絶縁樹脂ペーストである。
Claims (1)
- 【請求項１】 シリカフィラー（Ａ）、常温で液状のエ
ポキシ樹脂（Ｂ）、ビスフェノールＦ（Ｃ）及び潜在性
アミン化合物（Ｄ）を必須成分とし、該成分中にシリカ
フィラー（Ａ）が１０〜３０重量％でシリカフィラー中
の１０〜５０重量％が一次粒子の平均粒径が２〜５０nm
でかつ表面のシラノール基の５０％以上と下記式（１）
で示される有機珪素ハロゲン化合物あるいはアルコール
類と反応させた疎水性の超微粒子シリカ粉末であること
を特徴とする絶縁樹脂ペースト。 Ｓｉ（Ｒ）m（Ｘ）n （１） ｍ＋ｎ＝４ (Ｒ：メチル、エチル、ブチル、オクチル、Ｘ：Ｃｌ、Ｂ
ｒ、ＯＣＨ3、ＯＨ)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22001891A JP2501258B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 絶縁樹脂ペ―スト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22001891A JP2501258B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 絶縁樹脂ペ―スト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0559158A JPH0559158A (ja) | 1993-03-09 |
| JP2501258B2 true JP2501258B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=16744646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22001891A Expired - Lifetime JP2501258B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 絶縁樹脂ペ―スト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2501258B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3672988B2 (ja) * | 1995-12-06 | 2005-07-20 | 松下電器産業株式会社 | 接着剤の製造方法 |
| JP2006169288A (ja) | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Tdk Corp | 接着剤、および、薄板の平板への接着方法 |
| KR102359684B1 (ko) * | 2014-11-12 | 2022-02-07 | 쓰리본드 화인 케미칼 가부시키가이샤 | 에폭시 수지조성물 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP22001891A patent/JP2501258B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0559158A (ja) | 1993-03-09 |
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