JP3309933B2 - ポリスチレン系フィルム - Google Patents
ポリスチレン系フィルムInfo
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシンジオタクチックポリ
スチレン系フィルム、らに詳しく言えば、ハンドリング
性および厚み均一性に優れ、且つ絶縁破壊電圧に優れた
ポリスチレン系フィルムに関するものである。
スチレン系フィルム、らに詳しく言えば、ハンドリング
性および厚み均一性に優れ、且つ絶縁破壊電圧に優れた
ポリスチレン系フィルムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シンジオタクチックポリスチレン系重合
体を主成分とする樹脂組成物を二軸延伸、熱固定した二
軸延伸フィルムは耐熱性、電気特性などに優れ、フィル
ムコンデンサの誘電体に展開されている（特開平2-1438
51、特開平3-124750、特開平5-200858）。
体を主成分とする樹脂組成物を二軸延伸、熱固定した二
軸延伸フィルムは耐熱性、電気特性などに優れ、フィル
ムコンデンサの誘電体に展開されている（特開平2-1438
51、特開平3-124750、特開平5-200858）。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】しかし、これら従来
のシンジオタクチックポリスチレン系フィルムにおいて
は絶縁破壊電圧が不良またはフィルムの厚みむら増大に
基づく絶縁破壊電圧のばらつきやコンデンサとしたあと
の容量のばらつきを発生することが分かった。絶縁破壊
電圧が不良となった場合、フィルムを厚くする必要が生
じ、その結果コンデンサの体積が大きくなるという問題
があった。また、容量や絶縁破壊電圧のばらつきが大き
い場合、コンデンサの信頼性が得られないという問題が
あることが分かった。また、コンデンサーの小型化、静
電容量の増大の観点から、現在、誘電体の薄手化が強く
求められている。しかし、シンジオタクチックポリスチ
レン系フィルムにおいては、単に薄手化したのでは、フ
ィルムの製造時及び加工時のハンドリング特性が不良と
なる。本発明は、ハンドリング性および厚み均一性に優
れ、且つ絶縁破壊電圧に優れたポリスチレン系フィルム
を提供することを目的としている。
のシンジオタクチックポリスチレン系フィルムにおいて
は絶縁破壊電圧が不良またはフィルムの厚みむら増大に
基づく絶縁破壊電圧のばらつきやコンデンサとしたあと
の容量のばらつきを発生することが分かった。絶縁破壊
電圧が不良となった場合、フィルムを厚くする必要が生
じ、その結果コンデンサの体積が大きくなるという問題
があった。また、容量や絶縁破壊電圧のばらつきが大き
い場合、コンデンサの信頼性が得られないという問題が
あることが分かった。また、コンデンサーの小型化、静
電容量の増大の観点から、現在、誘電体の薄手化が強く
求められている。しかし、シンジオタクチックポリスチ
レン系フィルムにおいては、単に薄手化したのでは、フ
ィルムの製造時及び加工時のハンドリング特性が不良と
なる。本発明は、ハンドリング性および厚み均一性に優
れ、且つ絶縁破壊電圧に優れたポリスチレン系フィルム
を提供することを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のポリスチレン系
フィルムはシンジオタクチック構造を有するスチレン系
重合体からなり平均屈折率が1.582 以上1.590 以下であ
ることを特徴とするハンドリング性および厚み均一性に
優れ、且つ絶縁破壊電圧に優れたポリスチレン系フィル
ムを提供するものである。
フィルムはシンジオタクチック構造を有するスチレン系
重合体からなり平均屈折率が1.582 以上1.590 以下であ
ることを特徴とするハンドリング性および厚み均一性に
優れ、且つ絶縁破壊電圧に優れたポリスチレン系フィル
ムを提供するものである。
【０００５】本発明に用いられる立体規則性がシンジオ
タクチック構造であるポリスチレン系重合体は、側鎖で
あるフェニル基又は置換フェニル基が核磁気共鳴法によ
り定量されるタクティシティがダイアッド（構成単位が
２個）で85％以上、ペンタッド（構成単位が５個）で50
％以上のシンジオタクチック構造であることが望まし
い。
タクチック構造であるポリスチレン系重合体は、側鎖で
あるフェニル基又は置換フェニル基が核磁気共鳴法によ
り定量されるタクティシティがダイアッド（構成単位が
２個）で85％以上、ペンタッド（構成単位が５個）で50
％以上のシンジオタクチック構造であることが望まし
い。
【０００６】該ポリスチレン系重合体としては、ポリス
チレン、ポリ（p-、m-又はo-メチルスチレン）、ポリ
（2,4-、2,5-、3,4-又は3,5-ジメチルスチレン）、ポリ
（p-ターシャリーブチルスチレン）などのポリ（アルキ
ルスチレン）、ポリ（p-、m-又はo-クロロスチレン）、
ポリ（p-、m-又はo-ブロモスチレン）、ポリ（p-、m-又
はo-フルオロスチレン）、ポリ（o-メチル-p- フルオロ
スチレン）などのポリ（ハロゲン化スチレン）、ポリ
（p-、m-又はo-クロロメチルスチレン）などのポリ（ハ
ロゲン置換アルキルスチレン）、ポリ（p-、m-又はo-メ
トキシスチレン）、ポリ（p-、m-又はo-エトキシスチレ
ン）などのポリ（アルコキシスチレン）、ポリ（p-、m-
又はo-カルボキシメチルスチレン）などのポリ（カルボ
キシアルキルスチレン）ポリ（p-ビニルベンジルプロピ
ルエーテル）などのポリ（アルキルエーテルスチレ
ン）、ポリ（p-トリメチルシリルスチレン）などのポリ
（アルキルシリルスチレン）、さらにはポリ（ビニルベ
ンジルジメトキシホスファイド）などが挙げられる。
チレン、ポリ（p-、m-又はo-メチルスチレン）、ポリ
（2,4-、2,5-、3,4-又は3,5-ジメチルスチレン）、ポリ
（p-ターシャリーブチルスチレン）などのポリ（アルキ
ルスチレン）、ポリ（p-、m-又はo-クロロスチレン）、
ポリ（p-、m-又はo-ブロモスチレン）、ポリ（p-、m-又
はo-フルオロスチレン）、ポリ（o-メチル-p- フルオロ
スチレン）などのポリ（ハロゲン化スチレン）、ポリ
（p-、m-又はo-クロロメチルスチレン）などのポリ（ハ
ロゲン置換アルキルスチレン）、ポリ（p-、m-又はo-メ
トキシスチレン）、ポリ（p-、m-又はo-エトキシスチレ
ン）などのポリ（アルコキシスチレン）、ポリ（p-、m-
又はo-カルボキシメチルスチレン）などのポリ（カルボ
キシアルキルスチレン）ポリ（p-ビニルベンジルプロピ
ルエーテル）などのポリ（アルキルエーテルスチレ
ン）、ポリ（p-トリメチルシリルスチレン）などのポリ
（アルキルシリルスチレン）、さらにはポリ（ビニルベ
ンジルジメトキシホスファイド）などが挙げられる。
【０００７】本発明においては、前記ポリスチレン系重
合体のなかで、特にポリスチレンが好適である。また、
本発明で用いるシンジオタクチック構造を有するポリス
チレン系重合体は、必ずしも単一化合物である必要はな
く、シンジオタクティシティが前記範囲内であればアタ
クチック構造やアイソタクチック構造のポリスチレン系
重合体との混合物や、共重合体及びそれらの混合物でも
よい。また本発明に用いるポリスチレン系重合体は、重
量平均分子量が10,000以上、更に好ましくは50,000以上
である。重量平均分子量が10,000未満のものでは、強伸
度特性や耐熱性に優れたフィルムを得ることができな
い。重量平均分子量の上限については、特に限定される
ものではないが、1,500,000 以上では延伸張力の増加に
伴う破断の発生などが生じるため余り好ましくない。
合体のなかで、特にポリスチレンが好適である。また、
本発明で用いるシンジオタクチック構造を有するポリス
チレン系重合体は、必ずしも単一化合物である必要はな
く、シンジオタクティシティが前記範囲内であればアタ
クチック構造やアイソタクチック構造のポリスチレン系
重合体との混合物や、共重合体及びそれらの混合物でも
よい。また本発明に用いるポリスチレン系重合体は、重
量平均分子量が10,000以上、更に好ましくは50,000以上
である。重量平均分子量が10,000未満のものでは、強伸
度特性や耐熱性に優れたフィルムを得ることができな
い。重量平均分子量の上限については、特に限定される
ものではないが、1,500,000 以上では延伸張力の増加に
伴う破断の発生などが生じるため余り好ましくない。
【０００８】本発明に用いられるシンジオタクチックポ
リスチレン系重合体には必要に応じて、公知の酸化防止
剤、帯電防止剤、滑り性を付与するための微粒子等を適
量配合したものを用いることができる。配合量はシンジ
オタクチックポリスチレン系重合体100 重量％に対して
10重量％以下が望ましい。10重量％を越えると延伸時に
破断を起こしやすくなり、生産安定性不良となるので好
ましくない。
リスチレン系重合体には必要に応じて、公知の酸化防止
剤、帯電防止剤、滑り性を付与するための微粒子等を適
量配合したものを用いることができる。配合量はシンジ
オタクチックポリスチレン系重合体100 重量％に対して
10重量％以下が望ましい。10重量％を越えると延伸時に
破断を起こしやすくなり、生産安定性不良となるので好
ましくない。
【０００９】微粒子としては、例えばシリカ、二酸化チ
タン、タルク、カオリナイト、ゼオライト等の金属酸化
物、炭酸カルシウム、リン酸カルシウム、硫酸バリウム
などの金属の塩またはシリコーン樹脂、架橋ポリスチレ
ン等の有機重合体からなる粒子等の添加が例示される。
そして、これら微粒子は、いずれか一種を単独で用いて
もよく、また２種以上を併用してもよいが、使用する微
粒子の平均粒子系は0.01μｍ以上2.0 μｍ以下、特に0.
05μｍ以上1.5 μｍ以下が好ましく、粒子径のばらつき
度（標準偏差と平均粒子径との比率）が25％以下が好ま
しい。添加量はシンジオタクチックポリスチレン系重合
体100重量％に対し0.005 重量％以上2.0重量％以下含有
することが好ましく、特に0.1重量％以上1.0 重量％以
下が好ましい。
タン、タルク、カオリナイト、ゼオライト等の金属酸化
物、炭酸カルシウム、リン酸カルシウム、硫酸バリウム
などの金属の塩またはシリコーン樹脂、架橋ポリスチレ
ン等の有機重合体からなる粒子等の添加が例示される。
そして、これら微粒子は、いずれか一種を単独で用いて
もよく、また２種以上を併用してもよいが、使用する微
粒子の平均粒子系は0.01μｍ以上2.0 μｍ以下、特に0.
05μｍ以上1.5 μｍ以下が好ましく、粒子径のばらつき
度（標準偏差と平均粒子径との比率）が25％以下が好ま
しい。添加量はシンジオタクチックポリスチレン系重合
体100重量％に対し0.005 重量％以上2.0重量％以下含有
することが好ましく、特に0.1重量％以上1.0 重量％以
下が好ましい。
【００１０】そして、前記の平均屈折率は、フィルムの
製膜条件調整される。得られたフィルムの平均屈折率が
所定の範囲に入るならば製造条件は特に限定されない
が、例えば、縦延伸及び横延伸を順に行なう逐次二軸延
伸方法のほか、横・縦・縦延伸法、縦・横・縦延伸法、
縦・縦・横延伸法などの延伸方法を採用することがで
き、要求される強度や寸法安定性などの諸特性に応じて
選択される。本願発明では実施例に屈折率を達成するた
めの手段として特徴的な多段延伸法が例示される。ま
た、熱固定処理、縦弛緩処理、横弛緩処理などを施すこ
とができる。また、蒸着層の接着特性等を向上するため
に、インラインコートやオフラインコートにより接着層
を設けたり、コロナ処理や火炎プラズマ処理等を行うこ
とができる。
製膜条件調整される。得られたフィルムの平均屈折率が
所定の範囲に入るならば製造条件は特に限定されない
が、例えば、縦延伸及び横延伸を順に行なう逐次二軸延
伸方法のほか、横・縦・縦延伸法、縦・横・縦延伸法、
縦・縦・横延伸法などの延伸方法を採用することがで
き、要求される強度や寸法安定性などの諸特性に応じて
選択される。本願発明では実施例に屈折率を達成するた
めの手段として特徴的な多段延伸法が例示される。ま
た、熱固定処理、縦弛緩処理、横弛緩処理などを施すこ
とができる。また、蒸着層の接着特性等を向上するため
に、インラインコートやオフラインコートにより接着層
を設けたり、コロナ処理や火炎プラズマ処理等を行うこ
とができる。
【００１１】本発明のポリスチレン系フィルムの平均屈
折率は1.582以上、更に好ましくは1.584 以上である。
平均屈折率が1.582 未満では絶縁破壊電圧が不良とな
り、さらにハンドリング性が不良となる。また、平均屈
折率の上限は1.590 以下、更に好ましくは1.589 以下で
ある。平均屈折率が1.590 より大きくなると厚みむらが
大きくなるため、フィルムの破壊電圧の絶対値の変動が
大きくなり且つ容量変化が増大するため、コンデンサと
しての信頼性が低くなる。
折率は1.582以上、更に好ましくは1.584 以上である。
平均屈折率が1.582 未満では絶縁破壊電圧が不良とな
り、さらにハンドリング性が不良となる。また、平均屈
折率の上限は1.590 以下、更に好ましくは1.589 以下で
ある。平均屈折率が1.590 より大きくなると厚みむらが
大きくなるため、フィルムの破壊電圧の絶対値の変動が
大きくなり且つ容量変化が増大するため、コンデンサと
しての信頼性が低くなる。
【００１２】
【実施例】以下に実施例にて本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではな
い。なお、フィルムの評価方法を以下に示す。
が、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではな
い。なお、フィルムの評価方法を以下に示す。
【００１３】（１）平均屈折率 アタゴ光学社製アッベ屈折計4Tを用い、フィルムの屈折
率を長手方向、幅方向および厚み方向について測定し、
それら３方向の屈折率を平均し、平均屈折率を求めた。
率を長手方向、幅方向および厚み方向について測定し、
それら３方向の屈折率を平均し、平均屈折率を求めた。
【００１４】（２）絶縁破壊電圧 JIS C-2318に準じて行なった。10KV直流耐電圧試験機を
用い、23℃,50%RHの雰囲気下に於て、100V/sec の昇圧
速度で、フィルムが破壊し短絡したときの電圧を読み取
った。
用い、23℃,50%RHの雰囲気下に於て、100V/sec の昇圧
速度で、フィルムが破壊し短絡したときの電圧を読み取
った。
【００１５】（３）厚みむら ミクロン計測器社製連続厚さ測定器によりフィルムの幅
方向の中央部を長手方向に沿って測定し、次式により算
出した。 厚みむら＝（最大厚さー最小厚さ）／平均厚さ×100 ％ １級：厚みむら１０％以上 ２級：厚みむら８〜１０％ ３級：厚みむら６〜８％ ４級：厚みむら４〜６％ ５級：厚みむら４％以下
方向の中央部を長手方向に沿って測定し、次式により算
出した。 厚みむら＝（最大厚さー最小厚さ）／平均厚さ×100 ％ １級：厚みむら１０％以上 ２級：厚みむら８〜１０％ ３級：厚みむら６〜８％ ４級：厚みむら４〜６％ ５級：厚みむら４％以下
【００１６】（４）フィルムのハンドリング特性 広幅のスリットロールを高速でスリットし、小幅のロー
ルに巻直すに際しロール端部の巻ずれ、しわ、バルブ等
を生じないで問題のないロールが得られるかどうかを４
段階評価し、次のランク付けで評価した。 １級；問題のないスリットロールを得ることは極めて困
難 ２級；低速で問題のないスリットロールが得られる ３級；中速で問題のないスリットロールが得られる ４級；高速で問題のないスリットロールが得られる
ルに巻直すに際しロール端部の巻ずれ、しわ、バルブ等
を生じないで問題のないロールが得られるかどうかを４
段階評価し、次のランク付けで評価した。 １級；問題のないスリットロールを得ることは極めて困
難 ２級；低速で問題のないスリットロールが得られる ３級；中速で問題のないスリットロールが得られる ４級；高速で問題のないスリットロールが得られる
【００１７】（５）平均粒子径 微粒子を（株）日立製作所製S-５１０型走査型電子顕微
鏡で観察し、写真撮影したものを拡大して複写し、微粒
子の外形をトレースし任意に200 個の粒子を黒く塗りつ
ぶした。この像をニコレ（株）製ルーゼックス500 型画
像解析装置を用いて、それぞれの粒子の水平方向のフェ
レ径を測定し、その平均値を平均粒子径とした。また、
粒子径のばらつき度は下記の式により算出した。 ばらつき度＝（粒子径の標準偏差／平均粒子径）× 100
（％）
鏡で観察し、写真撮影したものを拡大して複写し、微粒
子の外形をトレースし任意に200 個の粒子を黒く塗りつ
ぶした。この像をニコレ（株）製ルーゼックス500 型画
像解析装置を用いて、それぞれの粒子の水平方向のフェ
レ径を測定し、その平均値を平均粒子径とした。また、
粒子径のばらつき度は下記の式により算出した。 ばらつき度＝（粒子径の標準偏差／平均粒子径）× 100
（％）
【００１８】実施例１ 滑剤として、平均粒子径0.5 μｍ、ばらつき度20%、面
積形状係数80% のシリカをシンジオタクチックポリスチ
レン（重量平均分子量250,000)100 重量％に対して0.5
重量％添加したポリマーチップと、滑剤の添加されてい
ないポリマーチップを重量比で１対９の割合で混合した
後、乾燥し、290 ℃で溶融し、800 μｍのリップギャッ
プのT ダイから押し出し、50℃の冷却ロールに静電印荷
法により密着・冷却固化し、60μｍの無定形シートを得
た。該無定形シートをまず金属ロールにより95℃に予熱
し、表面温度143 ℃のセラッミクロールを用い縦方向に
３倍延伸した後冷却し、更に120 ℃の金属ロールを用い
縦方向に1.2 倍延伸した。次いで、テンターでフィルム
を120 ℃に予熱し、横方向に延伸温度120 ℃で２倍延伸
し、更に150 ℃で1.6 倍延伸した後、255 ℃で12秒熱固
定処理した。その後、225 ℃で3%横弛緩処理した。得ら
れたフィルムの厚みは5.3 μｍであり、走行性、ハンド
リング性が良好であった。得られたフィルムの物性を表
１に示す。
積形状係数80% のシリカをシンジオタクチックポリスチ
レン（重量平均分子量250,000)100 重量％に対して0.5
重量％添加したポリマーチップと、滑剤の添加されてい
ないポリマーチップを重量比で１対９の割合で混合した
後、乾燥し、290 ℃で溶融し、800 μｍのリップギャッ
プのT ダイから押し出し、50℃の冷却ロールに静電印荷
法により密着・冷却固化し、60μｍの無定形シートを得
た。該無定形シートをまず金属ロールにより95℃に予熱
し、表面温度143 ℃のセラッミクロールを用い縦方向に
３倍延伸した後冷却し、更に120 ℃の金属ロールを用い
縦方向に1.2 倍延伸した。次いで、テンターでフィルム
を120 ℃に予熱し、横方向に延伸温度120 ℃で２倍延伸
し、更に150 ℃で1.6 倍延伸した後、255 ℃で12秒熱固
定処理した。その後、225 ℃で3%横弛緩処理した。得ら
れたフィルムの厚みは5.3 μｍであり、走行性、ハンド
リング性が良好であった。得られたフィルムの物性を表
１に示す。
【００１９】実施例２ 縦延伸を143 ℃のセラミックロールにおいて2.4 倍延伸
した後一度冷却し、更に120 ℃の金属ロールで1.5 倍延
伸した以外は実施例1と同様に行った。得られたフィル
ムの厚みは5.3 μｍであった。得られたフィルムの物性
を表１に示す。
した後一度冷却し、更に120 ℃の金属ロールで1.5 倍延
伸した以外は実施例1と同様に行った。得られたフィル
ムの厚みは5.3 μｍであった。得られたフィルムの物性
を表１に示す。
【００２０】比較例１ 縦延伸143 ℃のセラミックロールにおいて2.4 倍延伸し
た後冷却せず、更に120 ℃の金属ロールで1.5 倍延伸し
た以外は実施例１と同様に行った。得られたフィルムの
厚みは5.3 μｍであった。得られたフィルムの物性を表
１に示す。
た後冷却せず、更に120 ℃の金属ロールで1.5 倍延伸し
た以外は実施例１と同様に行った。得られたフィルムの
厚みは5.3 μｍであった。得られたフィルムの物性を表
１に示す。
【００２１】比較例２ をシンジオタクチックポリスチレン（重量平均分子量25
0,000)100 重量％に対して0.5 重量％添加したポリマー
チップと、滑剤の添加されていないポリマーチップを重
量比で１対９の割合で混合した後、乾燥し、290 ℃で溶
融し、800 μｍのリップギャップのT ダイから押し出
し、50℃の冷却ロールに静電印荷法により密着・冷却固
化し、48μｍの無定形シートを得た。無定形シートをま
ず金属ロールにより95℃に予熱し、表面温度143 ℃のセ
ラッミクロールを用い縦方向に３倍延伸した。次いで、
テンターでフィルムを120 ℃に予熱し、横方向に延伸温
度120 ℃で２倍延伸し、更に150 ℃で1.5 倍延伸した
後、255 ℃で12秒熱固定処理した。その後、225 ℃で3%
横弛緩処理した。得られたフィルムの厚みは5.3 μｍで
あった。得られたフィルムの物性を表１に示す。表よ
り、実施例１、２で得られたフィルムはハンドリング性
および厚み均一性に優れ、且つ絶縁破壊電圧に優れたも
のであることが分かる。
0,000)100 重量％に対して0.5 重量％添加したポリマー
チップと、滑剤の添加されていないポリマーチップを重
量比で１対９の割合で混合した後、乾燥し、290 ℃で溶
融し、800 μｍのリップギャップのT ダイから押し出
し、50℃の冷却ロールに静電印荷法により密着・冷却固
化し、48μｍの無定形シートを得た。無定形シートをま
ず金属ロールにより95℃に予熱し、表面温度143 ℃のセ
ラッミクロールを用い縦方向に３倍延伸した。次いで、
テンターでフィルムを120 ℃に予熱し、横方向に延伸温
度120 ℃で２倍延伸し、更に150 ℃で1.5 倍延伸した
後、255 ℃で12秒熱固定処理した。その後、225 ℃で3%
横弛緩処理した。得られたフィルムの厚みは5.3 μｍで
あった。得られたフィルムの物性を表１に示す。表よ
り、実施例１、２で得られたフィルムはハンドリング性
および厚み均一性に優れ、且つ絶縁破壊電圧に優れたも
のであることが分かる。
【００２２】
【発明の効果】以上、記載のとおり、本発明は前記特許
請求の範囲に記載のとおりの構成を採用することによ
り、ハンドリング性および厚み均一性に優れ、且つ絶縁
破壊電圧に優れたポリスチレン系延伸フィルムが提供さ
れ、従って、本発明の工業的価値は大である。
請求の範囲に記載のとおりの構成を採用することによ
り、ハンドリング性および厚み均一性に優れ、且つ絶縁
破壊電圧に優れたポリスチレン系延伸フィルムが提供さ
れ、従って、本発明の工業的価値は大である。
【００２３】
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−24911（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−200858（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−124750（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−143851（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08J 5/00 - 5/24 B29C 55/00 - 55/30
Claims (1)
- 【請求項１】 シンジオタクチック構造を有するスチレ
ン系重合体からなり平均屈折率が1.582 以上1.590 以下
であることを特徴とするポリスチレン系フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30182293A JP3309933B2 (ja) | 1993-12-01 | 1993-12-01 | ポリスチレン系フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30182293A JP3309933B2 (ja) | 1993-12-01 | 1993-12-01 | ポリスチレン系フィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07149922A JPH07149922A (ja) | 1995-06-13 |
| JP3309933B2 true JP3309933B2 (ja) | 2002-07-29 |
Family
ID=17901587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30182293A Expired - Fee Related JP3309933B2 (ja) | 1993-12-01 | 1993-12-01 | ポリスチレン系フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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-
1993
- 1993-12-01 JP JP30182293A patent/JP3309933B2/ja not_active Expired - Fee Related
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