JP3306894B2 - ＧａＡｓ化合物半導体基板 - Google Patents
ＧａＡｓ化合物半導体基板Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＧａＡｓ化合物半導体に
関し、特に表面層とへき開面のガリウムと砒素の原子数
比Ｇａ／Ａｓがほぼ等しくなるような表面層を備えた基
板に関するものである。
関し、特に表面層とへき開面のガリウムと砒素の原子数
比Ｇａ／Ａｓがほぼ等しくなるような表面層を備えた基
板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的にＧａＡｓ化合物半導体基板（以
下ＧａＡｓ基板と略す）製造工程は、単結晶インゴット
をスライシング後、ラッピング、エッチング、ポリッシ
ング、最終洗浄の順に行われる。半導体素子製造工程で
は前記ＧａＡｓ基板にエッチング、洗浄等の前処理を行
った後、イオン注入或はエピタキシャル成長等の工程を
行う。従来のＧａＡｓ基板は、ポリッシング、エッチン
グ、洗浄等の処理においてガリウムと砒素の解離速度の
違いにより、ガリウムと砒素の原子数比が、その表面層
においては本来理論上そうなるべきである１：１から大
きく異ってしまっていた。このことは、たとえば、任意
の測定方法で同じＧａＡｓ基板の表面とへき開させて得
られるへき開面のＧａ／Ａｓ比を比較すれば、明らかで
あった。
下ＧａＡｓ基板と略す）製造工程は、単結晶インゴット
をスライシング後、ラッピング、エッチング、ポリッシ
ング、最終洗浄の順に行われる。半導体素子製造工程で
は前記ＧａＡｓ基板にエッチング、洗浄等の前処理を行
った後、イオン注入或はエピタキシャル成長等の工程を
行う。従来のＧａＡｓ基板は、ポリッシング、エッチン
グ、洗浄等の処理においてガリウムと砒素の解離速度の
違いにより、ガリウムと砒素の原子数比が、その表面層
においては本来理論上そうなるべきである１：１から大
きく異ってしまっていた。このことは、たとえば、任意
の測定方法で同じＧａＡｓ基板の表面とへき開させて得
られるへき開面のＧａ／Ａｓ比を比較すれば、明らかで
あった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そして表面のガリウム
と砒素の組成比が化学量的組成比と異なることにより、
表面の結晶性が悪くなり、また表面の安定性も低くなる
という課題があった。このため実際にＧａＡｓ基板上に
素子形成のために他の層を積層する前に、エッチング等
の前処理を行っていたが、今度は前処理に起因して表面
が荒れてしまうという課題があり、改善が望まれてい
た。
と砒素の組成比が化学量的組成比と異なることにより、
表面の結晶性が悪くなり、また表面の安定性も低くなる
という課題があった。このため実際にＧａＡｓ基板上に
素子形成のために他の層を積層する前に、エッチング等
の前処理を行っていたが、今度は前処理に起因して表面
が荒れてしまうという課題があり、改善が望まれてい
た。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、鋭
意検討の結果、かかる課題が洗浄液等によりガリウムと
砒素のどちらかが多く溶出してしまうことに起因するこ
とを見出し、特定溶媒を用いて最終洗浄を行うことによ
り、かかる課題が解決されることを見出し本発明に到達
した。すなわち本発明の目的は高い結晶性と安定性を持
つＧａＡｓ化合物半導体基板を提供することにあり、か
かる目的は表面から１０ｎｍ以内のガリウムと砒素の原
子数比Ｇａ／Ａｓと、ＧａＡｓ単結晶（１１０）へき開
面のガリウムと砒素の原子数比（Ｇａ／Ａｓ）C との差
が±０．２以内であることを特徴とする最終研摩済みの
ＧａＡｓ化合物半導体基板、並びに最後研摩済みのＧａ
Ａｓ化合物半導体基板の製造方法において、最終洗浄工
程の直前に、該基板表面のガリウムと砒素の原子数比
（Ｇａ／Ａｓ）を計測し、該（Ｇａ／Ａｓ）の値が、Ｇ
ａＡｓ単結晶（１１０）へき開面のガリウムと砒素の原
子数比（Ｇａ／Ａｓ）C よりも大きい場合には最終洗浄
にアルカリ液を用い、小さい場合には最終洗浄に極性有
機溶媒を用いて該（Ｇａ／Ａｓ）と（Ｇａ／Ａｓ）C の
差を±０．２以下にすることを特徴とする最終研摩済み
ＧａＡｓ化合物半導体基板の製造方法により容易に達成
される。以下本発明を更に詳細に説明する。
意検討の結果、かかる課題が洗浄液等によりガリウムと
砒素のどちらかが多く溶出してしまうことに起因するこ
とを見出し、特定溶媒を用いて最終洗浄を行うことによ
り、かかる課題が解決されることを見出し本発明に到達
した。すなわち本発明の目的は高い結晶性と安定性を持
つＧａＡｓ化合物半導体基板を提供することにあり、か
かる目的は表面から１０ｎｍ以内のガリウムと砒素の原
子数比Ｇａ／Ａｓと、ＧａＡｓ単結晶（１１０）へき開
面のガリウムと砒素の原子数比（Ｇａ／Ａｓ）C との差
が±０．２以内であることを特徴とする最終研摩済みの
ＧａＡｓ化合物半導体基板、並びに最後研摩済みのＧａ
Ａｓ化合物半導体基板の製造方法において、最終洗浄工
程の直前に、該基板表面のガリウムと砒素の原子数比
（Ｇａ／Ａｓ）を計測し、該（Ｇａ／Ａｓ）の値が、Ｇ
ａＡｓ単結晶（１１０）へき開面のガリウムと砒素の原
子数比（Ｇａ／Ａｓ）C よりも大きい場合には最終洗浄
にアルカリ液を用い、小さい場合には最終洗浄に極性有
機溶媒を用いて該（Ｇａ／Ａｓ）と（Ｇａ／Ａｓ）C の
差を±０．２以下にすることを特徴とする最終研摩済み
ＧａＡｓ化合物半導体基板の製造方法により容易に達成
される。以下本発明を更に詳細に説明する。
【０００５】本発明に用いられる最終研摩済みのＧａＡ
ｓ化合物半導体基板（以下ＧａＡｓ化合物半導体基板と
いう）は任意の方法で作られた単結晶インゴットを、任
意の方法でスライシングした基板をラッピング、エッチ
ング、ポリッシング、最終洗浄の各工程を得て製造され
る。ただし、条件によっては、ラッピング、エッチン
グ、ポリッシングの各工程のうちのいくつかを省略して
もよい。
ｓ化合物半導体基板（以下ＧａＡｓ化合物半導体基板と
いう）は任意の方法で作られた単結晶インゴットを、任
意の方法でスライシングした基板をラッピング、エッチ
ング、ポリッシング、最終洗浄の各工程を得て製造され
る。ただし、条件によっては、ラッピング、エッチン
グ、ポリッシングの各工程のうちのいくつかを省略して
もよい。
【０００６】本発明のＧａＡｓ化合物半導体基板は、ラ
ッピング、エッチング、ポリッシングをそれぞれ任意の
方法で行った後、最終洗浄の前に表面から１０ｎｍ以内
のガリウムと砒素の原子数比（Ｇａ／Ａｓ）を任意の方
法で測定し、これを（Ｇａ／Ａｓ）を測定したのと同一
の方法でＧａＡｓ単結晶の（１１０）へき開面の原子数
比（Ｇａ／Ａｓ）C と比較し、もしガリウムの量が多け
ればアルカリ液を用いて、もし砒素の量が多ければ極性
有機溶媒を用いて最終洗浄を行う。本発明者らは驚くべ
きことにこの最終洗浄にアルカリ液を用いると、ガリウ
ムが多く、有機極性溶媒では砒素が多く溶出して（Ｇａ
／Ａｓ）C に近い、すなわち化学量論組成比に近いＧａ
Ａｓ化合物半導体基板を得られることを見出したのであ
る。本発明で用いられるアルカリ液としては、公知の種
々のものが用いられるが、好ましくはアンモニア水、特
に好ましくは１〜３０％のアンモニア水である。また極
性有機溶媒も公知の種々のものが用いられるが、好まし
くは、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エ
タノール、イソプロピルアルコールであり、特に好まし
くはイソプロピルアルコールである。
ッピング、エッチング、ポリッシングをそれぞれ任意の
方法で行った後、最終洗浄の前に表面から１０ｎｍ以内
のガリウムと砒素の原子数比（Ｇａ／Ａｓ）を任意の方
法で測定し、これを（Ｇａ／Ａｓ）を測定したのと同一
の方法でＧａＡｓ単結晶の（１１０）へき開面の原子数
比（Ｇａ／Ａｓ）C と比較し、もしガリウムの量が多け
ればアルカリ液を用いて、もし砒素の量が多ければ極性
有機溶媒を用いて最終洗浄を行う。本発明者らは驚くべ
きことにこの最終洗浄にアルカリ液を用いると、ガリウ
ムが多く、有機極性溶媒では砒素が多く溶出して（Ｇａ
／Ａｓ）C に近い、すなわち化学量論組成比に近いＧａ
Ａｓ化合物半導体基板を得られることを見出したのであ
る。本発明で用いられるアルカリ液としては、公知の種
々のものが用いられるが、好ましくはアンモニア水、特
に好ましくは１〜３０％のアンモニア水である。また極
性有機溶媒も公知の種々のものが用いられるが、好まし
くは、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エ
タノール、イソプロピルアルコールであり、特に好まし
くはイソプロピルアルコールである。
【０００７】本発明に用いられる（Ｇａ／Ａｓ）及び
（Ｇａ／Ａｓ）C の測定方法であるが、これも（Ｇａ／
Ａｓ）と（Ｇａ／Ａｓ）C を同一の測定方法で測るので
あれば特に限定されないが、好ましくはＸ線光電子分光
法（ＸＰＳ）である。具体例としてＸＰＳを用いた測定
法を挙げると、分析深さを１０ｎｍ以下に設定し、Ｇａ
−３ｄとＡｓ−３ｄのナロウスペクトルの面積強度比よ
り求める方法がある。尚、本発明方法を用いる際には言
うまでもないことだが、基板ごとにガリウムと砒素の原
子数比を測定する必要はなく、ある条件下で一度測定を
行なえばよいことは明らかである。
（Ｇａ／Ａｓ）C の測定方法であるが、これも（Ｇａ／
Ａｓ）と（Ｇａ／Ａｓ）C を同一の測定方法で測るので
あれば特に限定されないが、好ましくはＸ線光電子分光
法（ＸＰＳ）である。具体例としてＸＰＳを用いた測定
法を挙げると、分析深さを１０ｎｍ以下に設定し、Ｇａ
−３ｄとＡｓ−３ｄのナロウスペクトルの面積強度比よ
り求める方法がある。尚、本発明方法を用いる際には言
うまでもないことだが、基板ごとにガリウムと砒素の原
子数比を測定する必要はなく、ある条件下で一度測定を
行なえばよいことは明らかである。
【０００８】以下本発明を実施例を用いて説明するが本
発明は、その要旨を超えない限り、実施例に限定される
ものではない。
発明は、その要旨を超えない限り、実施例に限定される
ものではない。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例として、公知の方法で得られ
たＧａＡｓ単結晶インゴットを公知の方法でスライシン
グ、ラッピング、エッチング、ポリッシングを行い、最
終洗浄として超音波を照射させながらアンモニア水（３
％、２５℃、５分間）の浸漬洗浄後、超純水洗浄（２０
℃、１０分間）、スピン乾燥（５０００ｒ．ｐ．ｍ．）
させたＧａＡｓ基板と、比較例として同上の加工工程の
最終洗浄として、超純水洗浄後、超音波を照射させなが
らＩＰＡ浸漬洗浄（２５℃、１５分間）、ＩＰＡ蒸気乾
燥を行ったＧａＡｓ基板について表面状態の違いを説明
する。ここで、アンモニア水の濃度は１〜３０％が、温
度は１０〜９０℃が、アンモニア水洗浄時間は１分以上
が好ましい。
たＧａＡｓ単結晶インゴットを公知の方法でスライシン
グ、ラッピング、エッチング、ポリッシングを行い、最
終洗浄として超音波を照射させながらアンモニア水（３
％、２５℃、５分間）の浸漬洗浄後、超純水洗浄（２０
℃、１０分間）、スピン乾燥（５０００ｒ．ｐ．ｍ．）
させたＧａＡｓ基板と、比較例として同上の加工工程の
最終洗浄として、超純水洗浄後、超音波を照射させなが
らＩＰＡ浸漬洗浄（２５℃、１５分間）、ＩＰＡ蒸気乾
燥を行ったＧａＡｓ基板について表面状態の違いを説明
する。ここで、アンモニア水の濃度は１〜３０％が、温
度は１０〜９０℃が、アンモニア水洗浄時間は１分以上
が好ましい。
【００１０】表１はＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により
ＧａＡｓ基板表面の元素組成比を測定した結果である。
分析深さは５ｎｍである。Ｇａ／Ａｓ比は、最終洗浄前
のＧａＡｓ基板では１．４であったものが、実施例のＧ
ａＡｓ基板では１．３であり、（１１０）へき開面の
１．３と同等であり、比較例のＧａＡｓ基板は１．６で
あった。ここで、元素組成比はＧａ−３ｄとＡｓ−３ｄ
のナロウスペクトルの面積強度比より求めた。
ＧａＡｓ基板表面の元素組成比を測定した結果である。
分析深さは５ｎｍである。Ｇａ／Ａｓ比は、最終洗浄前
のＧａＡｓ基板では１．４であったものが、実施例のＧ
ａＡｓ基板では１．３であり、（１１０）へき開面の
１．３と同等であり、比較例のＧａＡｓ基板は１．６で
あった。ここで、元素組成比はＧａ−３ｄとＡｓ−３ｄ
のナロウスペクトルの面積強度比より求めた。
【００１１】表面の結晶の品質を評価するために、室温
でのフォトルミネッセンスのバンド端発光（ＰＬ発光）
の強度を測定した結果を図１に示す。実施例のＧａＡｓ
基板は、比較例のＧａＡｓ基板に比べ発光強度が強く良
好な半導体表面が得られている。表面の結晶性を評価す
るために、反射高速電子線回折（ＰＨＥＥＤ）でＧａＡ
ｓ基板を観察した結果を図２に示す。図２はＡｓビーム
を照射させながら５８０℃まで加熱後の状態である。実
施例のＧａＡｓ基板（ａ）では、シャープなスポットと
ストリークなパターンが観察され、比較例のＧａＡｓ基
板（ｂ）に比べ結晶性が良いことを示している。
でのフォトルミネッセンスのバンド端発光（ＰＬ発光）
の強度を測定した結果を図１に示す。実施例のＧａＡｓ
基板は、比較例のＧａＡｓ基板に比べ発光強度が強く良
好な半導体表面が得られている。表面の結晶性を評価す
るために、反射高速電子線回折（ＰＨＥＥＤ）でＧａＡ
ｓ基板を観察した結果を図２に示す。図２はＡｓビーム
を照射させながら５８０℃まで加熱後の状態である。実
施例のＧａＡｓ基板（ａ）では、シャープなスポットと
ストリークなパターンが観察され、比較例のＧａＡｓ基
板（ｂ）に比べ結晶性が良いことを示している。
【００１２】表面の安定性を評価するために、室温での
フォトルミネッセンスのバンド端発光の強度の経時変化
を、実施例のＧａＡｓ基板と比較例のＧａＡｓ基板につ
いて測定した結果を図３に示す。基板の保管は大気中で
行った。実施例のＧａＡｓ基板の発光強度の劣化量は、
比較例のＧａＡｓ基板のそれと比べ小さいことが判る。
フォトルミネッセンスのバンド端発光の強度の経時変化
を、実施例のＧａＡｓ基板と比較例のＧａＡｓ基板につ
いて測定した結果を図３に示す。基板の保管は大気中で
行った。実施例のＧａＡｓ基板の発光強度の劣化量は、
比較例のＧａＡｓ基板のそれと比べ小さいことが判る。
【００１３】表面の酸化膜厚を評価するために、電子エ
ネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ）で測定した結果を図４
に示す。１６．４ｅＶのピークはＧａＡｓの体積プラズ
モンによるもので、ＧａＡｓ単結晶構造の存在を表す。
このピークは本実施例の基板では分析深さ５Åで既に観
察される。分析深さ８Åでは本実施例及び比較例の基板
共に観察されるが、本実施例の基板の方がより強いピー
クが観察される。
ネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ）で測定した結果を図４
に示す。１６．４ｅＶのピークはＧａＡｓの体積プラズ
モンによるもので、ＧａＡｓ単結晶構造の存在を表す。
このピークは本実施例の基板では分析深さ５Åで既に観
察される。分析深さ８Åでは本実施例及び比較例の基板
共に観察されるが、本実施例の基板の方がより強いピー
クが観察される。
【００１４】これらの結果より、実施例のＧａＡｓ基板
は表面の結晶性が良く、表面に保護膜となるような薄い
酸化膜が存在し、また表面の安定性が良いことが判る。
は表面の結晶性が良く、表面に保護膜となるような薄い
酸化膜が存在し、また表面の安定性が良いことが判る。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【発明の効果】表面の結晶性が良く、また表面の安定性
の良い基板を用いることにより半導体素子製造の歩留り
が向上する。ＭＢＥ装置等でエピ成長させる際に、エッ
チング等の前処理を必要とせず、またバッファー層を薄
くすることが出来、生産性を向上させることが出来る。
の良い基板を用いることにより半導体素子製造の歩留り
が向上する。ＭＢＥ装置等でエピ成長させる際に、エッ
チング等の前処理を必要とせず、またバッファー層を薄
くすることが出来、生産性を向上させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１はＰＬ発光強度の比較図である。
【図２】図２はＲＨＥＥＤパターンによる結晶の構造を
示す写真である。
示す写真である。
【図３】図３はＰＬ発光強度の経時変化を示す図であ
る。
る。
【図４】図４はＥＥＬＳによる表面分析を示す図であ
る。
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 最終洗浄工程の直前での基板表面から
１０ｎｍ以内のガリウムと砒素の原子数比（Ｇａ／Ａ
ｓ）の値が、ＧａＡｓ単結晶（１１０）へき開面のガリ
ウムと砒素の原子数比（Ｇａ／Ａｓ）C よりも大きい場
合に、最終洗浄にアルカリ液を用い、小さい場合には最
終洗浄に極性有機溶媒を用い、該（Ｇａ／Ａｓ）と（Ｇ
ａ／Ａｓ）C の差を±０．２以下としてなる最終研摩済
みＧａＡｓ化合物半導体基板。 - 【請求項２】 最終洗浄工程の直前に、基板表面から
１０ｎｍ以内のガリウムと砒素の原子数比（Ｇａ／Ａ
ｓ）を計測し、該（Ｇａ／Ａｓ）の値が、ＧａＡｓ単結
晶（１１０）へき開面のガリウムと砒素の原子数比（Ｇ
ａ／Ａｓ）C よりも大きい場合に、最終洗浄にアルカリ
液を用い、小さい場合には最終洗浄に極性有機溶媒を用
い、該（Ｇａ／Ａｓ）と（Ｇａ／Ａｓ）C の差を±０．
２以下としてなる最終研摩済みＧａＡｓ化合物半導体基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04807492A JP3306894B2 (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | ＧａＡｓ化合物半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04807492A JP3306894B2 (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | ＧａＡｓ化合物半導体基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124863A JPH06124863A (ja) | 1994-05-06 |
| JP3306894B2 true JP3306894B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=12793202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04807492A Expired - Fee Related JP3306894B2 (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | ＧａＡｓ化合物半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3306894B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7619301B2 (en) | 2007-06-01 | 2009-11-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaAs semiconductor substrate and fabrication method thereof |
-
1992
- 1992-02-04 JP JP04807492A patent/JP3306894B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7619301B2 (en) | 2007-06-01 | 2009-11-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaAs semiconductor substrate and fabrication method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06124863A (ja) | 1994-05-06 |
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