JP3306390B2 - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は横接合埋め込み構造
を有する半導体レーザ、ＰＩＮ受光器およびホトトラン
ジスタ等の光半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
を有する半導体レーザ、ＰＩＮ受光器およびホトトラン
ジスタ等の光半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図３は光半導体装置の一例としての横注
入型半導体レーザ装置の構造を示す図である。図中、１
０１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、１０２、１０４はアンド
ープＡｌＧａＡｓ層、１０３はＧａＡｓ活性層、１０５
はｐーＡｌＧａＡｓ層、１０６はｐ+ コンタクト層、１
０７はｎーＡｌＧａＡｓ層、１０８はｎ+ コンタクト
層、１０９、１１０は電極、１１１はｐ側埋め込み再成
長層、１１２はｎ側埋め込み再成長層である。
入型半導体レーザ装置の構造を示す図である。図中、１
０１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、１０２、１０４はアンド
ープＡｌＧａＡｓ層、１０３はＧａＡｓ活性層、１０５
はｐーＡｌＧａＡｓ層、１０６はｐ+ コンタクト層、１
０７はｎーＡｌＧａＡｓ層、１０８はｎ+ コンタクト
層、１０９、１１０は電極、１１１はｐ側埋め込み再成
長層、１１２はｎ側埋め込み再成長層である。
【０００３】Ｃｒドープ半絶縁性ＧａＡｓ基板１０１上
にアンドープＡｌＧａＡｓ層１０２、１０４でＧａＡｓ
活性層１０３をサンドイッチし二重ヘテロ構造を構成す
る。その後、活性層の左右にｐーＡｌＧａＡｓ層１０５
及びｐ+ キャップ層、及びｎーＡｌＧａＡｓ層１０７及
びｎ+ キャップ層の埋め込みを行い、その上にコンタク
ト層１０６、１０８を形成し、さらにその上に電極１０
９、１１０を形成したものである。
にアンドープＡｌＧａＡｓ層１０２、１０４でＧａＡｓ
活性層１０３をサンドイッチし二重ヘテロ構造を構成す
る。その後、活性層の左右にｐーＡｌＧａＡｓ層１０５
及びｐ+ キャップ層、及びｎーＡｌＧａＡｓ層１０７及
びｎ+ キャップ層の埋め込みを行い、その上にコンタク
ト層１０６、１０８を形成し、さらにその上に電極１０
９、１１０を形成したものである。
【０００４】横注入型半導体レーザにおいては、同一平
面に設けられた電極１０９、１１０間に電流を流し、左
右のｐーＡｌＧａＡｓ層１０５、ｎーＡｌＧａＡｓ層１
０７から活性層１０３へキャリアを注入すると、注入キ
ャリアが閉じ込められて大きな電流密度及び内部量子効
率が得られる。また、クラッド層により発光が有効に閉
じ込められて小さなしきい値電流でレーザ発振が行われ
る。このような埋め込み型半導体レーザはしきい値電流
が小さくとれるため通信用光源等に用いることができ
る。
面に設けられた電極１０９、１１０間に電流を流し、左
右のｐーＡｌＧａＡｓ層１０５、ｎーＡｌＧａＡｓ層１
０７から活性層１０３へキャリアを注入すると、注入キ
ャリアが閉じ込められて大きな電流密度及び内部量子効
率が得られる。また、クラッド層により発光が有効に閉
じ込められて小さなしきい値電流でレーザ発振が行われ
る。このような埋め込み型半導体レーザはしきい値電流
が小さくとれるため通信用光源等に用いることができ
る。
【０００５】また、横注入型半導体レーザが半絶縁性基
板上に形成されるため、素子間の絶縁をとることがで
き、その結果集積化を行うことができる特徴を有してい
る。さらに、ｐ型およびｎ型双方の電極が基板の表面に
あることから、他の光素子および電子デバイスとの集積
化が容易であり、また接合容量が小さいため高速応答が
可能であるという利点を有している。
板上に形成されるため、素子間の絶縁をとることがで
き、その結果集積化を行うことができる特徴を有してい
る。さらに、ｐ型およびｎ型双方の電極が基板の表面に
あることから、他の光素子および電子デバイスとの集積
化が容易であり、また接合容量が小さいため高速応答が
可能であるという利点を有している。
【０００６】図４は二方向注入型半導体レーザ装置の構
造を示す図である。図中、２００はＣｒドープ半絶縁性
ＧａＡｓ基板、２０１は高抵抗ＡｌＧａＡｓ層、２０２
はＧａＡｓ活性層、２０３はｐーＡｌＧａＡｓクラッド
層、２０４ａ、２０４ｂはｎーＡｌＧａＡｓクラッド
層、２０５ａ、２０５ｂはｎーＧａＡｓキャップ層、２
０６はｐーＧａＡｓキャップ層、２０７ａ、２０７ｂ、
２０８は電極である。
造を示す図である。図中、２００はＣｒドープ半絶縁性
ＧａＡｓ基板、２０１は高抵抗ＡｌＧａＡｓ層、２０２
はＧａＡｓ活性層、２０３はｐーＡｌＧａＡｓクラッド
層、２０４ａ、２０４ｂはｎーＡｌＧａＡｓクラッド
層、２０５ａ、２０５ｂはｎーＧａＡｓキャップ層、２
０６はｐーＧａＡｓキャップ層、２０７ａ、２０７ｂ、
２０８は電極である。
【０００７】図において、半絶縁性基板２００上に高抵
抗ＡｌＧａＡｓ層２０１、ＧａＡｓ活性層（ノンドープ
あるいはｐ型ドープ）２０２、ｐーＡｌＧａＡｓクラッ
ド層、及びｐ+ ーＧａＡｓコンタクト層の順に積層す
る。その後、ＧａＡｓ活性層２０２の左右両サイドにｎ
ーＡｌＧａＡｓクラッド層及びｎ+ ーＧａＡｓコンタク
ト層を埋め込み、ｎ+ ーＧａＡｓコンタクト層及びｐ+
ーＧａＡｓコンタクト層上に電極２０７ａ、２０７ｂを
形成する。
抗ＡｌＧａＡｓ層２０１、ＧａＡｓ活性層（ノンドープ
あるいはｐ型ドープ）２０２、ｐーＡｌＧａＡｓクラッ
ド層、及びｐ+ ーＧａＡｓコンタクト層の順に積層す
る。その後、ＧａＡｓ活性層２０２の左右両サイドにｎ
ーＡｌＧａＡｓクラッド層及びｎ+ ーＧａＡｓコンタク
ト層を埋め込み、ｎ+ ーＧａＡｓコンタクト層及びｐ+
ーＧａＡｓコンタクト層上に電極２０７ａ、２０７ｂを
形成する。
【０００８】このような構造において、電極２０８と２
０７ａ、２０７ｂ間に電流を供給すると、上側のｐーＡ
ｌＧａＡｓクラッド層２０３から正孔が注入され、左側
あるいは右側のｎーＡｌＧａＡｓクラッド層から電子が
注入される。したがって、活性層には二方向からキャリ
アの注入が行われ、この注入はそれぞれ独立して行うこ
とができる。さらに活性層の下側のＡｌＧａＡｓ層２０
１は高抵抗層で左右のｎーＡｌＧａＡｓを電気的に分離
できるので、これらの素子を同一基板上に集積化するこ
とが可能である。もちろん、活性層の上側クラッド層を
ｎ型とし、活性層の左右両サイドのクラッド層をｐ型と
してもよく、また活性層もｐ型（あるいはｎ型）として
もよい。また、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ系でなく他の材
料、例えばＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等でも構成で
きる。
０７ａ、２０７ｂ間に電流を供給すると、上側のｐーＡ
ｌＧａＡｓクラッド層２０３から正孔が注入され、左側
あるいは右側のｎーＡｌＧａＡｓクラッド層から電子が
注入される。したがって、活性層には二方向からキャリ
アの注入が行われ、この注入はそれぞれ独立して行うこ
とができる。さらに活性層の下側のＡｌＧａＡｓ層２０
１は高抵抗層で左右のｎーＡｌＧａＡｓを電気的に分離
できるので、これらの素子を同一基板上に集積化するこ
とが可能である。もちろん、活性層の上側クラッド層を
ｎ型とし、活性層の左右両サイドのクラッド層をｐ型と
してもよく、また活性層もｐ型（あるいはｎ型）として
もよい。また、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ系でなく他の材
料、例えばＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等でも構成で
きる。
【０００９】また、図４において、ｐ型層の端子をオー
プンとし、左右のｎ型クラッド層間に電圧を加えると、
光入射があるとキャリアが発生し、これが左右のクラッ
ド層間を通して流れるので、同一構造で光検出器の１種
であるホトトランジスタとしても動作する。そして、素
子は高抵抗層上に形成されているので、同一構造の素子
を同一基板上に複数個形成し、集積化が可能である。
プンとし、左右のｎ型クラッド層間に電圧を加えると、
光入射があるとキャリアが発生し、これが左右のクラッ
ド層間を通して流れるので、同一構造で光検出器の１種
であるホトトランジスタとしても動作する。そして、素
子は高抵抗層上に形成されているので、同一構造の素子
を同一基板上に複数個形成し、集積化が可能である。
【００１０】また、図４に示す素子は３端子になってお
り、２方向注入型レーザあるいはホトトランジスタとし
て使用でき、半絶縁性基板に用いているため他の電子デ
バイスとモノリシックに集積化することが容易である。
り、２方向注入型レーザあるいはホトトランジスタとし
て使用でき、半絶縁性基板に用いているため他の電子デ
バイスとモノリシックに集積化することが容易である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図３に示す
従来の横接合型のレーザおよびＰＩＮ受光器において
は、ウエット方式によりＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（0.2 ≦ｘ
≦0.8 ）下クラッド層までメサ・エッチングを行い、埋
め込み再成長層を形成するための窪みを形成するが、こ
のとき現れるＡｌx Ｇａ1-x Ａｓの表面はＡｌが酸化さ
れ易いために酸化膜で覆われてしまう。そこで埋め込み
再成長を行う直前に反応炉内でＨＣｌ等の反応性ガスを
用いて酸化膜の除去を行っていた。この表面の酸化膜の
厚みはエッチングプロセス等に大きく左右されるので、
ガスエッチングで除去する膜厚はプロセス毎に調整する
必要があった。
従来の横接合型のレーザおよびＰＩＮ受光器において
は、ウエット方式によりＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（0.2 ≦ｘ
≦0.8 ）下クラッド層までメサ・エッチングを行い、埋
め込み再成長層を形成するための窪みを形成するが、こ
のとき現れるＡｌx Ｇａ1-x Ａｓの表面はＡｌが酸化さ
れ易いために酸化膜で覆われてしまう。そこで埋め込み
再成長を行う直前に反応炉内でＨＣｌ等の反応性ガスを
用いて酸化膜の除去を行っていた。この表面の酸化膜の
厚みはエッチングプロセス等に大きく左右されるので、
ガスエッチングで除去する膜厚はプロセス毎に調整する
必要があった。
【００１２】また、ウエット方式のエッチングでは反応
が激し過ぎるために、順メサ・エッチング、逆メサ・エ
ッチングに拘わらず、メサ面（エッチングしたときに現
れる面で、埋め込み再成長層側との間の界面を形成する
斜面）単一の面指数からなる平坦な面に形成することが
できなかった。そのために活性層、上下クラッド層を含
むストライプ層と再成長層との間にボイドまたはストレ
スが生じたり、再成長直前の気相エッチングが均一にか
からないという問題が生じていた。図４に示す構造のレ
ーザおよびホトトランジスタについても同様な問題点が
あった。
が激し過ぎるために、順メサ・エッチング、逆メサ・エ
ッチングに拘わらず、メサ面（エッチングしたときに現
れる面で、埋め込み再成長層側との間の界面を形成する
斜面）単一の面指数からなる平坦な面に形成することが
できなかった。そのために活性層、上下クラッド層を含
むストライプ層と再成長層との間にボイドまたはストレ
スが生じたり、再成長直前の気相エッチングが均一にか
からないという問題が生じていた。図４に示す構造のレ
ーザおよびホトトランジスタについても同様な問題点が
あった。
【００１３】本発明は上記課題を解決するためのもの
で、ストライプ層と埋め込み再成長層との間にボイドま
たはストレスが生ずるのを防止することができる光半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
で、ストライプ層と埋め込み再成長層との間にボイドま
たはストレスが生ずるのを防止することができる光半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】そのために本発明は、単
結晶基板上にダブルヘテロ構造を有するエピタキシャル
層を気相成長させる工程、メサ・エッチングを行う工
程、及び埋め込み再成長を行う工程を含む横接合型光半
導体装置の製造方法において、メサ・エッチングを保護
膜を用いて反応性ガスエッチングで行って単一の順メサ
面を形成した後、該保護膜を除去することなく連続して
埋め込み再成長を行うことを特徴とする。
結晶基板上にダブルヘテロ構造を有するエピタキシャル
層を気相成長させる工程、メサ・エッチングを行う工
程、及び埋め込み再成長を行う工程を含む横接合型光半
導体装置の製造方法において、メサ・エッチングを保護
膜を用いて反応性ガスエッチングで行って単一の順メサ
面を形成した後、該保護膜を除去することなく連続して
埋め込み再成長を行うことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１６】以下、実施例を図面を参照して説明する。
【００１７】図１は本発明の光半導体装置の一実施例の
構造を示す図であり、図３と同一番号は同一内容を示し
ている。
構造を示す図であり、図３と同一番号は同一内容を示し
ている。
【００１８】光半導体装置としての動作は図３に示すも
のと同じであるが、本発明においては、埋め込み再成長
層と接するメサ面１１３、１１４が｛１００｝、｛１１
０｝、｛１１１｝のような単一の面指数からなっている
点が異なっている。
のと同じであるが、本発明においては、埋め込み再成長
層と接するメサ面１１３、１１４が｛１００｝、｛１１
０｝、｛１１１｝のような単一の面指数からなっている
点が異なっている。
【００１９】図１の素子の製作方法は、まず、半絶縁性
ＧａＡｓ基板｛１００｝上にＭＯＣＶＤ法で１〜３μｍ
のアンドープＡｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層（0.2 ＜ｘ
＜0.7 ）、３０Å以上且つ１μｍ以下のＡｌy Ｇａ1-y
Ａｓ活性層１０３（０≦ｙ≦0.3 、かつｘ≧ｙ）、0.3
μｍ以上且つ２μｍ以下のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド
層１０４および５０Å以上且つ0.1 μｍ以下のアンドー
プＧａＡｓキャップ層を順にエピタキシャル成長させ
る。次にＭＯＣＶＤ反応炉内でＳｉＮｘの保護膜を用い
てＨＣｌ、ＣＣｌ2 Ｆ2 、ＡｓＣｌ3 、またはＣｌ2 等
の反応性ガスエッチングにより埋め込み再成長層を形成
するための窪みを形成し、その直後にｎ−Ａｌz Ｇａ
1-z Ａｓクラッド層（0.2 ≦ｚ≦0.5 ）およびｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層を再成長させる。このようにガスエッ
チングすることにより、単一の面指数からなるメサ面を
形成することができ、ストライプ方向を＜１１０＞に選
ぶと、メサ面｛１１１｝が現れる。
ＧａＡｓ基板｛１００｝上にＭＯＣＶＤ法で１〜３μｍ
のアンドープＡｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層（0.2 ＜ｘ
＜0.7 ）、３０Å以上且つ１μｍ以下のＡｌy Ｇａ1-y
Ａｓ活性層１０３（０≦ｙ≦0.3 、かつｘ≧ｙ）、0.3
μｍ以上且つ２μｍ以下のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド
層１０４および５０Å以上且つ0.1 μｍ以下のアンドー
プＧａＡｓキャップ層を順にエピタキシャル成長させ
る。次にＭＯＣＶＤ反応炉内でＳｉＮｘの保護膜を用い
てＨＣｌ、ＣＣｌ2 Ｆ2 、ＡｓＣｌ3 、またはＣｌ2 等
の反応性ガスエッチングにより埋め込み再成長層を形成
するための窪みを形成し、その直後にｎ−Ａｌz Ｇａ
1-z Ａｓクラッド層（0.2 ≦ｚ≦0.5 ）およびｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層を再成長させる。このようにガスエッ
チングすることにより、単一の面指数からなるメサ面を
形成することができ、ストライプ方向を＜１１０＞に選
ぶと、メサ面｛１１１｝が現れる。
【００２０】図２は本発明の光半導体装置の他の実施例
の構造を示す図であり、図４と同一番号は同一内容を示
している。
の構造を示す図であり、図４と同一番号は同一内容を示
している。
【００２１】図２に示す構造の素子の製作過程は以下の
通りである。
通りである。
【００２２】Ｃｒドープ半絶縁性ＧａＡｓ基板の上にＭ
ＯＣＶＤ法により高抵抗ＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ含有率約
0.4,厚さ約 1.5μｍ）、ｐ型ＧａＡｓ活性層（厚さ約0.
15μｍ）、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ含有率約0.4,厚さ
約 1.0μｍ）、ｐ型ＧａＡｓキャップ層をエピタキシャ
ル成長させる。次に、ＭＯＣＶＤ反応炉内でＳｉＮｘの
保護膜を用いてＨＣｌ、ＣＣｌ2 Ｆ2 、ＡｓＣｌ3 、ま
たはＣｌ2 等の反応性ガスエッチングにより埋め込み再
成長層を形成するための窪みを形成し、その直後にｎ−
ＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ含有率約0.35）を埋め込み、さら
にｎ型ＧａＡｓキャップ層を成長させる。次にｎ，ｐ電
極を付けた後、それをマスクとしてｎ，ｐ接合面に接す
るキャップ層を部分的にエッチングして除去する。これ
はキャリアがキャップ層間で再結合するのを防止するた
めである。なお、活性層幅は約２μ以下が望ましい。
ＯＣＶＤ法により高抵抗ＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ含有率約
0.4,厚さ約 1.5μｍ）、ｐ型ＧａＡｓ活性層（厚さ約0.
15μｍ）、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ含有率約0.4,厚さ
約 1.0μｍ）、ｐ型ＧａＡｓキャップ層をエピタキシャ
ル成長させる。次に、ＭＯＣＶＤ反応炉内でＳｉＮｘの
保護膜を用いてＨＣｌ、ＣＣｌ2 Ｆ2 、ＡｓＣｌ3 、ま
たはＣｌ2 等の反応性ガスエッチングにより埋め込み再
成長層を形成するための窪みを形成し、その直後にｎ−
ＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ含有率約0.35）を埋め込み、さら
にｎ型ＧａＡｓキャップ層を成長させる。次にｎ，ｐ電
極を付けた後、それをマスクとしてｎ，ｐ接合面に接す
るキャップ層を部分的にエッチングして除去する。これ
はキャリアがキャップ層間で再結合するのを防止するた
めである。なお、活性層幅は約２μ以下が望ましい。
【００２３】なお、上記実施例では横接合型について説
明したが、本発明は縦接合型にも同様に適用可能であ
り、その場合は埋め込み再成長層が高抵抗層となる点が
異なるのみでメサ面を単一面指数とする点の作用効果は
同様である。
明したが、本発明は縦接合型にも同様に適用可能であ
り、その場合は埋め込み再成長層が高抵抗層となる点が
異なるのみでメサ面を単一面指数とする点の作用効果は
同様である。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、光半導体
装置の埋め込み再成長層と接するメサ面を、ＭＯＣＶＤ
反応炉内または高真空装置内で塩素系反応性ガス、例え
ばＨＣｌ、ＣＣｌ2 Ｆ2 、ＡｓＣｌ3 、またはＣｌ2 等
の塩素系反応性ガスを含むガスによる気相エッチングに
よって単一の面指数のみで形成することにより、従来の
ウエットプロセスで生じた酸化膜の除去をする必要がな
くなり、再現性よく形成することが可能である。
装置の埋め込み再成長層と接するメサ面を、ＭＯＣＶＤ
反応炉内または高真空装置内で塩素系反応性ガス、例え
ばＨＣｌ、ＣＣｌ2 Ｆ2 、ＡｓＣｌ3 、またはＣｌ2 等
の塩素系反応性ガスを含むガスによる気相エッチングに
よって単一の面指数のみで形成することにより、従来の
ウエットプロセスで生じた酸化膜の除去をする必要がな
くなり、再現性よく形成することが可能である。
【図１】 本発明の横注入型半導体レーザ装置の構造を
示す図である。
示す図である。
【図２】 本発明の二方向注入型半導体レーザ装置の構
造を示す図である。
造を示す図である。
【図３】 従来の横注入型半導体レーザ装置の構造を示
す図である。
す図である。
【図４】 従来の二方向注入型半導体レーザ装置の構造
を示す図である。
を示す図である。
１０１…半絶縁性ＧａＡｓ基板、１０２、１０４…高抵
抗ＡｌＧａＡｓ層、１０３…ＧａＡｓ活性層、１０５…
ｐーＡｌＧａＡｓクラッド層、１０７…ｎーＡｌＧａＡ
ｓクラッド層、１０６…ｐーＧａＡｓキャップ層、１０
８…ｎーＧａＡｓキャップ層、１０９、１１０…電極。
抗ＡｌＧａＡｓ層、１０３…ＧａＡｓ活性層、１０５…
ｐーＡｌＧａＡｓクラッド層、１０７…ｎーＡｌＧａＡ
ｓクラッド層、１０６…ｐーＧａＡｓキャップ層、１０
８…ｎーＧａＡｓキャップ層、１０９、１１０…電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−69115（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−201633（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−84582（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−189185（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−260586（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 H01L 31/02 - 3/10 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (1)
- 【請求項１】 単結晶基板上にダブルヘテロ構造を有す
るエピタキシャル層を気相成長させる工程、メサ・エッ
チングを行う工程、及び埋め込み再成長を行う工程を含
む横接合型光半導体装置の製造方法において、メサ・エ
ッチングを保護膜を用いて反応性ガスエッチングで行っ
て単一の順メサ面を形成した後、該保護膜を除去するこ
となく連続して埋め込み再成長を行うことを特徴とする
光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19917399A JP3306390B2 (ja) | 1999-07-13 | 1999-07-13 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19917399A JP3306390B2 (ja) | 1999-07-13 | 1999-07-13 | 光半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08069389A Division JP3241360B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000036635A JP2000036635A (ja) | 2000-02-02 |
| JP3306390B2 true JP3306390B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=16403376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19917399A Expired - Lifetime JP3306390B2 (ja) | 1999-07-13 | 1999-07-13 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3306390B2 (ja) |
-
1999
- 1999-07-13 JP JP19917399A patent/JP3306390B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000036635A (ja) | 2000-02-02 |
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