JP3304828B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents

電子部品の製造方法

Info

Publication number
JP3304828B2
JP3304828B2 JP16952097A JP16952097A JP3304828B2 JP 3304828 B2 JP3304828 B2 JP 3304828B2 JP 16952097 A JP16952097 A JP 16952097A JP 16952097 A JP16952097 A JP 16952097A JP 3304828 B2 JP3304828 B2 JP 3304828B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
unit substrate
boundary
shoulder
cutting
electronic component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP16952097A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH113833A (ja
Inventor
勝治 松田
一義 内山
正彦 川口
勝弘 三崎
直樹 飯田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP16952097A priority Critical patent/JP3304828B2/ja
Priority to TW087108111A priority patent/TW373198B/zh
Priority to US09/090,367 priority patent/US6276995B1/en
Priority to EP98401397A priority patent/EP0884775A1/en
Priority to KR1019980021549A priority patent/KR100328878B1/ko
Publication of JPH113833A publication Critical patent/JPH113833A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3304828B2 publication Critical patent/JP3304828B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H01F41/041—Printed circuit coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H01F27/292—Surface mounted devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • H05K3/0052—Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09145—Edge details
    • H05K2201/09154—Bevelled, chamferred or tapered edge
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09145—Edge details
    • H05K2201/0919—Exposing inner circuit layers or metal planes at the side edge of the PCB or at the walls of large holes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0228—Cutting, sawing, milling or shearing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、電子部品の製造
方法に関し、詳しくは、電極配設面を被覆材で被覆した
ユニット基板（親基板）を、所定の切断ラインに沿って
切断することにより、切断端面に電極の露出した電子部
品素子を得る工程を含む電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】基板表
面に薄膜コイルパターン（導体パターン）を配設してな
るチップ型コイル部品は、例えば、図９に示すように、
複数の薄膜コイルパターン５１が配設され、かつ、その
表面が、絶縁・保護膜（被覆材）５２により被覆された
ユニット基板５３を所定の位置で切断して、個々の素子
５４を切り出す工程を経て製造されている。
【０００３】なお、上記絶縁・保護膜５２としては、表
面の平滑性、絶縁性、耐熱性、及びチップの小型化にと
もなう微細加工への適性などの見地から、通常は、例え
ばポリイミドなどの樹脂系の材料が用いられている。
【０００４】また、上記ユニット基板５３を所定の位置
で切断して、個々の素子５４を切り出す方法として、ス
クライバーを用いてブレイクする方法が知られている
が、この方法は、劈開作用を利用した切り出し方法であ
り、絶縁・保護膜５２がスクライブラインを覆っている
と切断することができないため、絶縁・保護膜の周囲に
切断しろ５５（図９）を設けるようにしている。
【０００５】ところで、小型化を要求されるチップ型の
電子部品、特に基板表面に薄膜コイルパターンなどの導
体パターンが配設されたチップ型コイル部品などにおい
ては、性能を維持、向上させるため、導体パターンを形
成することが可能な面積をいかに広く確保することがで
きるかが重要になる。しかし、上記のようにスクライブ
ブレイク工法によりユニット基板を切断する場合には、
導体パターンを形成することが可能な面積を確保するこ
とが困難になり、小型化への要求に十分に応えることが
できないという問題点がある。
【０００６】また、ユニット基板を所定の位置で切断し
て、個々の素子を切り出す他の方法として、ダイシング
ブレードを用いて切断するダイシング工法が広く用いら
れている。このダイシング工法は、加工精度に優れてい
るばかりでなく、絶縁・保護膜も同時に切断することが
できるため、切断しろが不要で、図１０に示すように、
ユニット基板５３の全面に絶縁・保護膜５２を形成する
ことができる。したがって、スクライブブレイク工法な
どに比べてよりチップ外周部まで導体パターン５１を形
成することが可能で、素子形成に使用可能な面積を広く
とることができるという利点がある。
【０００７】ところで、近年は、基板表面を最大限に活
用する見地から、図１０にも示すように、基板のほぼ全
面に絶縁・保護膜を形成するとともに、外部端子電極と
の接続電極部５８を、個々の素子５４の端部に配置し、
ダイシングブレードを用いて切断（ダイシングカット）
することにより、切断端面に接続電極を露出させ、外部
電極との接続を行うようにしている。
【０００８】しかし、基板表面に薄膜コイルパターンな
どの導体パターンが配設されたチップ型コイル部品など
においては、近年、高周波に対応する特性が要求されよ
うになり、基板材料の低誘電率化が不可欠となってい
る。そのため、基板材料として、ガラス、ガラスセラミ
ックス、複合マイカセラミックス、フェライトなどの低
誘電率材料が使用されるようになっており、これらの低
誘電率材料は、従来のアルミナ基板などに比べて、切削
時の衝撃により切断面の接続電極の下側の基板材にチッ
ピングやクラック、剥がれなどが発生しやすく、外部端
子との接続不良などによる信頼性の低下や、基板と接続
電極間との間の剥離によるオープン不良などが生じやす
いという問題点がある。なお、図１１(ａ)，(ｂ)は、導
体パターン５１（接続電極５８）が配設された面を絶縁
・保護膜５２で覆ったユニット基板５３をダイシングカ
ットした場合の、チッピングＣ及び剥がれＤの発生状態
を模式的に示す図である。
【０００９】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、ユニット基板表面の素子形成に使用可能な面積を
広くとることが可能で、かつ、接続信頼性を低下させる
ことなく、所望の性能を備えた電子部品を効率よく製造
することが可能な電子部品の製造方法を提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明（請求項１）の電子部品の製造方法は、電
極配設面を被覆材で被覆したユニット基板（親基板）
を、所定の切断ラインに沿って切断することにより、切
断端面に電極の露出した電子部品素子を得る工程を含む
電子部品の製造方法において、前記ユニット基板の前記
電極配設面と切断端面との境界部（肩部）、又は、境界
部（肩部）となる部分と当接する部分が所定の角度で傾
斜した形状を有するブレードを用い、前記ユニット基板
の少なくとも一部を切削することにより、前記境界部
（肩部）、又は、境界部（肩部）となる部分に傾斜面を
形成し、前記電極の一部を前記傾斜面から露出させる工
程を含むことを特徴としている。
【００１１】ユニット基板の電極配設面と切断端面との
境界部（肩部）、又は、境界部（肩部）となる部分と当
接する部分が所定の角度で傾斜した形状を有するブレー
ドを用いてユニット基板の少なくとも一部を切削し、前
記境界部（肩部）、又は、境界部（肩部）となる部分に
傾斜面を形成して、電極の一部を傾斜面から露出させる
ことにより、境界部（肩部）に傾斜面を形成しない場合
（従来の方法）に比べて、電極の露出面積が増大し、外
部端子との電気的接続性が向上するとともに、インダク
タンスにおけるＱの向上などの特性が向上する。
【００１２】なお、本願発明において、「ユニット基板
を切断ラインに沿って切断する」とは、特に明示してい
る場合を除いて、ダイシングブレードを用いてカットす
る場合や、スクライバーを用いてスクライブブレイクす
る場合などを含む広い概念である。また、本願発明の電
子部品の製造方法においては、ブレードの構成材料とし
ては、例えば、メタル結合材と粒度＃２００〜＃１２０
０、好ましくは、＃６００〜＃１０００のダイヤモンド
粒からなるものなどを用いることが可能である。
【００１３】また、本願発明（請求項２）の電子部品の
製造方法は、電極配設面を被覆材で被覆したユニット基
板（親基板）を、所定の切断ラインに沿って切断するこ
とにより、切断端面に電極の露出した電子部品素子を得
る工程を含む電子部品の製造方法において、前記ユニッ
ト基板を前記切断ラインに沿って切断する前に、前記ユ
ニット基板の前記電極配設面と切断端面との境界部（肩
部）となる部分と当接する部分が所定の角度で傾斜した
形状を有するブレードを用い、所定の切断ラインに沿っ
て溝を形成することにより、前記ユニット基板の前記電
極配設面と切断端面との境界部（肩部）となる部分に傾
斜面を形成して、前記電極の一部を前記傾斜面から露出
させた後、前記傾斜面の、少なくとも前記電極の露出し
た部分が残るように、前記ユニット基板を前記切断ライ
ンに沿って切断する工程を含むことを特徴としている。
【００１４】ユニット基板を切断ラインに沿って切断す
る前に、電極配設面と切断端面との境界部（肩部）とな
る部分を、該部分に当接する部分が所定の角度で傾斜し
た形状を有するブレードを用いて切削し、切断ラインに
沿って溝を形成し、ユニット基板の前記境界部（肩部）
となる部分に傾斜面を形成して電極の一部を傾斜面から
露出させた後、傾斜面の少なくとも電極の露出した部分
が残るように、ユニット基板を切断ラインに沿って切断
することにより、境界部（肩部）に傾斜面を形成しない
場合（従来の方法）に比べて、電極の露出面積を増やす
ことが可能になり、外部端子との電気的接続性を向上さ
せるとともに、インダクタンスにおけるＱの向上などの
特性の改善を図ることが可能になる。
【００１５】なお、溝を形成した後に、例えば、溝の幅
より所定量だけ厚みの小さいダイシングブレードを用
い、溝の略中央部に沿ってユニット基板を切断すること
により、傾斜面の電極の露出した部分を残しつつユニッ
ト基板を切断して個々の電子部品素子を得ることができ
る。
【００１６】また、本願発明（請求項３）の電子部品の
製造方法は、電極配設面を被覆材で被覆したユニット基
板（親基板）を、所定の切断ラインに沿って切断するこ
とにより、切断端面に電極の露出した電子部品素子を得
る工程を含む電子部品の製造方法において、前記ユニッ
ト基板を前記切断ラインに沿って切断した後、前記ユニ
ット基板の前記電極配設面と切断端面との境界部（肩
部）と当接する部分が所定の角度で傾斜した形状を有す
るブレードを用いて、前記ユニット基板の前記境界部
（肩部）に傾斜面を形成し、前記電極の一部を前記傾斜
面から露出させる工程を含むことを特徴としている。
【００１７】ユニット基板を切断ラインに沿って切断し
た後、電極配設面と切断端面との境界部（肩部）に当接
する部分が傾斜した形状を有するブレードを用いて、ユ
ニット基板の電極配設面と切断端面との境界部（肩部）
に傾斜面を形成し、前記電極の一部を前記傾斜面から露
出させることにより、境界部（肩部）に傾斜面を形成し
ない場合（従来の方法）に比べて、電極の露出面積を確
実に増やして、外部端子との電気的接続性を向上させる
とともに、インダクタンスにおけるＱの向上などの特性
の改善を図ることが可能になる。
【００１８】また、本願発明（請求項４）の電子部品の
製造方法は、前記ユニット基板の切断を、ダイシングブ
レードを用いて行うことを特徴としている。ユニット基
板の切断を、ダイシングブレードを用いて行う（すなわ
ち、ダイシングカットする）ことにより、スクライブカ
ットする場合のようにカットしろを設けることを不要に
して、基板表面を最大限に活用することが可能になり、
本願発明をより実効あらしめることができる。
【００１９】また、本願発明（請求項５）の電子部品の
製造方法は、前記ブレードとして、略円盤状で、径方向
の所定の位置より外周側の部分を厚みの小さい肉薄部と
し、前記肉薄部より中心側に近い部分に前記肉薄部より
厚みの大きい肉厚部を形成するとともに、前記肉薄部と
前記肉厚部の境界部を傾斜部としたダイシングブレード
を用い、前記肉薄部によりユニット基板を切断するとと
もに、前記傾斜部により、前記ユニット基板の前記境界
部（肩部）、又は、前記境界部（肩部）となる部分を切
削して、前記境界部（肩部）に傾斜面を形成することを
特徴としている。
【００２０】肉薄部、肉厚部、及び両者の境界部に形成
された傾斜部を備えたダイシングブレードを用いた場
合、肉薄部によりユニット基板を切断するとともに、傾
斜部により、ユニット基板の電極配設面と切断端面との
境界部（肩部）を切削して、境界部（肩部）に傾斜面を
確実に形成することが可能になる。すなわち、上記のブ
レードを用いることにより、一種類のブレードを用い、
これを１ストローク動作をさせるだけで、ユニット基板
の切断と境界部（肩部）の傾斜面形成を同時に行うこと
が可能になり、生産性を向上させることができる。
【００２１】なお、肉薄部、肉厚部、及び傾斜部の位置
関係を調整することにより、ユニット基板が肉薄部によ
り完全に切断される前に、傾斜部によりユニット基板の
電極配設面と切断端面との境界部（肩部）となる部分を
切削して傾斜面を形成したり、ユニット基板が肉薄部に
より完全に切断された後に、傾斜部によりユニット基板
の境界部（肩部）を切削して傾斜面を形成したり、ある
いは、ユニット基板の切断と傾斜面の形成をほぼ同時に
行ったりすることができる。
【００２２】また、本願発明（請求項６）の電子部品の
製造方法は、電極配設面を被覆材で被覆したユニット基
板（親基板）を、所定の切断ラインに沿って切断するこ
とにより、切断端面に電極の露出した電子部品素子を得
る工程を含む電子部品の製造方法において、前記ブレー
ドとして、外周面の厚み方向中央部が突出した形状を有
し、かつ、突出した中央先端部が、ユニット基板をブレ
イクする際のブレイク溝をユニット基板に形成するため
のブレイク溝形成部として機能し、前記中央先端部と隣
接する隣接傾斜部が、前記ユニット基板の前記電極配設
面と切断端面との境界部（肩部）となる部分を切削し
て、前記境界部（肩部）となる部分に傾斜面を形成する
傾斜面形成部として機能するように構成されているとと
もに、前記中央先端部の２つの面のなす角度θ１が、前
記傾斜面形成部の２つの面のなす角度θ２より小さく、
かつ、６０〜９０゜の範囲になるように構成されている
ブレードを用い、所定の切断ラインに沿って前記ユニッ
ト基板の表面に溝を形成することにより、前記ユニット
基板の表面に前記ブレイク溝を形成するとともに、前記
電極配設面と切断端面との境界部（肩部）となる部分に
傾斜面を形成した後、前記ブレイク溝に沿って前記ユニ
ット基板をブレイクすることにより、前記傾斜面から電
極の一部が露出した素子を得ることを特徴としている。
【００２３】ブレードとして、突出した中央部先端がブ
レイク溝をユニット基板に形成するためのブレイク溝形
成部として機能するとともに、中央先端部と隣接する隣
接傾斜部がユニット基板の境界部（肩部）を切削して傾
斜面を形成する傾斜面形成部として機能するように構成
され、かつ、中央先端部の２つの面のなす角度θ１を、
傾斜面形成部の２つの面のなす角度θ２より小さく、か
つ、６０〜９０゜の範囲にしたブレードを用い、所定の
切断ラインに沿ってユニット基板の表面に溝を形成する
ことにより、ユニット基板の表面に容易かつ確実に、ブ
レイク溝と傾斜面を形成することが可能になり、ブレイ
ク溝に沿ってユニット基板をブレイクすることにより、
前記傾斜面から電極の一部が露出した個々の素子を確実
に得ることが可能になる。
【００２４】なお、このブレードを用いて溝を形成する
場合、溝の深さ（ユニット基板の表面から溝の最深部ま
での垂直距離）は、ユニット基板の厚みの１０〜３０％
の範囲とすることが望ましい。これは、溝の深さがユニ
ット基板の１０％より浅いと、溝に沿って分割すること
が困難で、斜め割れが生じること、また、溝の深さがユ
ニット基板の３０％より深いと後工程で不要な割れが発
生して好ましくないことによる。
【００２５】また、本願発明（請求項７）の電子部品の
製造方法は、前記ブレードとして、他の部分より先に前
記ユニット基板に当接するように先端部が突出した内側
部材と、前記内側部材をその両面側から挟持する外側部
材とを備え、かつ、前記内側部材が、前記ユニット基板
を切削するのに適した材料を用いて形成され、前記外側
部材が、前記被覆材を切削するのに適した材料を用いて
形成されたブレードを用いることを特徴としている。
【００２６】内側部材と外側部材の２種類の部材を用い
て構成されており、かつ、内側部材がユニット基板を切
削するのに適した材料を用いて形成され、外側部材が被
覆材を切削するのに適した材料を用いて形成されたブレ
ードを用いることにより、内側部材により、チッピング
などが生じることを抑制しつつ、ユニット基板を切削す
るとともに、外側部材により、絶縁・保護膜などの被覆
材のかすを残すことなく絶縁・保護膜を切削することが
可能になり、本願発明をより実効あらしめることができ
る。
【００２７】すなわち、従来のダイシング工法では、図
１０に示すように、直交する切断ラインＡ及びＢに沿っ
てユニット基板５３を切断するが、その場合、例えば、
先ず切断ラインＡに沿って一次切断し、その後スティッ
ク状になったユニット基板５３ａを切断ラインＢに沿っ
て二次切断することにより個々の素子５４を切り出すよ
うにする場合がある。
【００２８】そして、その場合、二次切断の際に、常に
基板端（一次切断によりスティック状となったユニット
基板５３ａの端部）にダイシングブレードが当接するこ
とになる。このとき、図１２に示すように、スティック
状のユニット基板５３ａの端部において、まず絶縁・保
護膜５２がダイシングブレード５７に接触して切削され
ることになるが、絶縁・保護膜５２が基板構成材料に比
べて柔軟で伸びがあること、及び、ユニット基板５３ａ
の端部では微小な欠けが生じやすいことから、基板端に
おいて、絶縁・保護膜５２の伸びや逃げにより、絶縁・
保護膜５２のかす５６が発生し、個々の素子５４に残存
する場合がある。
【００２９】そして、絶縁・保護膜のかすが残存した製
品は、外観不良となったり、完成品実装後のセット品の
不具合を招いたりするという問題点がある。しかし、本
願発明（請求項７）の電子部品の製造方法のように、ユ
ニット基板を切断するのに適した材料を用いて形成され
た外側部材と、被覆材を切断するのに適した材料を用い
て形成された内側部材の２種類の材料を用いて構成され
たブレードを用いることにより、絶縁・保護膜などの被
覆材のかすが残ることを効率よく防止して、外観不良の
発生や、実装後のセット品の不具合の発生などを回避す
ることが可能になる。
【００３０】なお、ブレードを構成する材料のうち、ユ
ニット基板を切断するのに適した材料とは、例えば、＃
６００〜＃１０００のダイヤモンド粒と、メタル系の結
合材からなる材料を用いることが可能であり、また、被
覆材を切断するのに適した材料としては、例えば、＃２
００〜＃６００のダイヤモンド粒と、メタル系の結合材
からなる材料を用いることが可能である。但し、ブレー
ドを構成する材料はこれに限られるものではなく、公知
の種々の材料を用いることが可能である。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態を示
してその特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００３２】［実施形態１］ この実施形態では、基板表面に薄膜コイルパターン（導
体パターン）と、外部との接続のための接続電極が配設
され、かつ、薄膜コイルパターン及び接続電極の配設さ
れた面が、絶縁・保護膜（被覆材）により被覆された構
造を有するチップ型コイル部品を製造する場合を例にと
って説明する。なお、本願発明は、基板材料として、ガ
ラス、ガラスセラミックス、複合マイカセラミックス、
フェライトなどの種々の材料を用いる場合に適用するこ
とが可能である。
【００３３】まず、図１(ａ)，(ｂ)に示すように、ユニ
ット基板１に、接続電極２ａを含む薄膜コイルパターン
（広義の電極）２を形成した後、薄膜コイルパターン２
を保護するための絶縁・保護膜３をユニット基板１の薄
膜コイルパターン２が配設された面に形成する。
【００３４】それから、以下に説明するように、ユニッ
ト基板１の表面にＶ字状の溝１２（図２，図３）を形成
した後、切断して個々の素子に分割する。まず、溝１２
を形成するにあたっては、図２に示すように、外周面の
厚み方向中央部が山形に突出した形状を有する切断刃
（ブレード）１１を用い、ユニット基板１の表面に幅Ｗ
１のＶ字状の溝１２を形成する。なお、ここで幅Ｗ１と
は、電極２（接続電極２ａ）の直下の基板に形成される
溝１２の幅のことである。
【００３５】また、上記ブレード１１は、金属系の結合
材（メタル結合材）とダイヤモンド粒から形成されてい
る。なお、ブレード１１の構成材料としては、例えば、
メタル結合材と粒度＃２００〜＃１２００、好ましく
は、＃６００〜＃１０００のダイヤモンド粒からなるも
のなどを用いることが可能である。
【００３６】さらに、ブレード１１の先端の２つの面が
形成する角度θは７５〜１２０゜の範囲に調整されてい
る。先端の２つの面が形成する角度θを７５〜１２０゜
とすることが好ましいのは、角度θが小さくなりすぎる
と溝１２の幅（切削幅）は安定するが、ユニット基板１
に対する衝撃を軽減する効果が不十分になること、ま
た、角度θが大きくなりすぎると、ユニット基板１の厚
みのバラツキなどにより、溝１２の幅（切削幅）が大き
く変動して安定した管理が困難になることによる。
【００３７】それから、上記のようにして溝１２を形成
したユニット基板１を、図３に示すように、溝１２の幅
Ｗ１よりも幅（厚み）Ｗ２の小さいダイシングブレード
１３を用いて、Ｖ字状の溝１２の中央部に沿ってユニッ
ト基板１を切断する。なお、ダイシングブレード１３の
幅（厚み）Ｗ２は、接続電極２ａの下側の基板傾斜面が
ある程度残るような大きさに設定されている。
【００３８】これにより、図４に示すように、ユニット
基板１の、電極２の配設された面１ａと切断端面（垂直
切削面）１ｂとの境界部（肩部）１ｃに傾斜面４が形成
され、接続電極２ａが傾斜面４から露出した素子（チッ
プ型コイル部品素子）が得られる。
【００３９】この実施形態においては、溝１２の幅Ｗ１
よりも幅（厚み）Ｗ２の小さいダイシングブレード１３
を用いて、Ｖ字状の溝１２に沿ってユニット基板１を切
断するようにしているので、境界部（肩部）１ｃの傾斜
面４の、電極の露出した部分を確実に残すことが可能に
なり、従来のように、境界部（肩部）に傾斜面を形成し
ない場合に比べて、電極の露出面積を増大させることが
できる。すなわち、接続電極２ａが露出する傾斜面４と
垂直切削面１ｂとのなす角度をθ０（θ／２）（図３）
とすると、接続電極２ａの露出面の面積は、傾斜加工を
していない従来の場合に比較して、１／cosθ０（＞
１）倍に拡大される。
【００４０】上記のように接続電極を傾斜加工すること
によりその露出面積が大きくなるとともに、接続電極の
露出面とその周囲の基板材が滑らかにつながるため、接
続電極２ａと外部端子との電気的接続性を向上させると
ともに、インダクタンスにおけるＱの向上などの特性の
改善を図ることが可能になる。
【００４１】また、ブレード１１の先端部が尖ってお
り、傾斜切削加工となるため、従来のように、外周面が
平坦なダイシングブレードを用いて切断する場合に比べ
て、切削時の接続電極直下の基板材に与える衝撃が小さ
く、チッピングやクラックの発生を抑えることができ
る。
【００４２】また、傾斜切削加工の場合、切削量が少な
く、切削抵抗が小さいため、より粒径の小さいダイヤモ
ンド粒を使用したブレードを用いて切削することが可能
になり、接続電極２ａ付近の基板表面状態（表面粗さ）
を改善することができる。
【００４３】また、この実施形態では、溝１２を形成し
た後に、ダイシングブレード１３によりユニット基板１
を切断するようにしているので、先に溝１２を形成する
工程で、接続電極２ａの直下の基板材が先にブレード１
１により傾斜切削加工されており、ダイシングブレード
１３により直接切削されることがなく、また、ダイシン
グブレード１３として、ユニット基板１の切断後に、接
続電極２ａの下側の基板傾斜面がある程度残るような厚
みＷ２を有するものが用いられているため、仮にチッピ
ングやクラックが発生しても、接続電極２ａの直下の基
板材にチッピングが生じることはなく、高い信頼性が得
られる。
【００４４】また、接続電極が傾斜面に露出しているた
め、正確なパターンを形成することが可能なスパッタな
どの方法により、素子の上下面から外部端子電極を形成
することが可能になり、特性を向上させることができ
る。
【００４５】なお、ブレード１１に関しては、ユニット
基板１の境界部（肩部）に傾斜面４を形成するための部
分を除いては、その形状や角度に特別の制約はなく、図
５に示すように、先端部の角度θ３を傾斜面４を形成す
るための部分がなす角度θより大きくすることも可能で
ある。
【００４６】［実施形態２］ この実施形態では、図６に示すように、ユニット基板１
に溝１２を形成するためのブレード１１として、他の部
分より先にユニット基板１の表面を被覆する絶縁・保護
膜３に当接するように先端部が突出した内側部材１５
を、その両面側から外側部材１６により挟んだ構造を有
するブレード１１を用いている。
【００４７】そして、内側部材１５は、ユニット基板１
を切削するのに適した材料を用いて形成され、外側部材
１６は、絶縁・保護膜３を切削するのに適した材料を用
いて形成されている。
【００４８】なお、内側部材１５及び外側部材１６とし
ては、例えば、金属系の結合材（メタル結合材）と所定
の粒度のダイヤモンド粒からなる材料を用いることが可
能である。
【００４９】また、内側部材用としては、ユニット基板
１を切削するのに適するように、ダイヤモンド粒の粒度
を小さくした材料（例えば、＃６００〜＃１０００のダ
イヤモンド粒）、外側部材用としては、絶縁・保護膜３
を切削するのに適するように、ダイヤモンド粒の粒度を
大きくした材料（例えば、＃２００〜＃６００のダイヤ
モンド粒）などを用いることが好ましい。
【００５０】上記のように構成されたブレード１１を用
いた場合、内側部材１５により、チッピングなどが生じ
ることを抑制しつつユニット基板１を切削するととも
に、外側部材１６により、絶縁・保護膜３のかすが残る
ことを防止しつつ、絶縁・保護膜３を効率よく切削し
て、ユニット基板１の表面に確実にＶ字状の溝１２を形
成することができる。
【００５１】なお、この実施形態２においては、上述の
効果の他に、実施形態１において得られる効果と同様の
効果を得ることができる。
【００５２】なお、ブレード１１の構造は、溝１２の深
さをａ、絶縁・保護膜３の厚みと電極（接続電極）２ａ
の厚みの合計をｂ、ブレード１１の先端の２つの面が形
成する角度をθ、内側部材１５の厚みをｃ、外側部材１
６の厚みをｄとすると、内側部材１５の厚みｃは、 ｃ＝２ａtan(θ／２) で与えられ、外側部材１６の厚みｄは、 ｄ≧ｂtan（θ／２） で与えられる。そして、溝１２を形成した後は、例え
ば、上記実施形態１の場合と同様にダイシングカットに
より個々の素子に分割することができる。
【００５３】［実施形態３］ この実施形態では、図７に示すように、ユニット基板１
に溝１２を形成するとともにユニット基板を切断するた
めのブレードとして、略円盤状で、径方向の所定の位置
より外周側の部分を厚みの小さい肉薄部１７とし、肉薄
部１７より中心側に近い部分を肉薄部１７より厚みの大
きい肉厚部１８とするとともに、肉薄部１７と肉厚部１
８の境界部を傾斜部１９としたブレード（ダイシングブ
レード）１１を用いている。なお、このブレード１１の
構成材料としては、例えば、メタル結合材と粒度＃２０
０〜＃１２００、好ましくは、＃６００〜＃１０００の
ダイヤモンド粒からなるものなどを用いることが可能で
ある。
【００５４】このように、肉薄部１７、肉厚部１８、及
び両者の境界部に形成された傾斜部１９を備えたブレー
ド１１を用いた場合、肉薄部１７によりユニット基板１
を確実に切断するとともに、傾斜部１９により、ユニッ
ト基板１の電極２の配設された面１ａと切断端面１ｂと
の境界部（肩部）１ｃを切削して、境界部（肩部）１ｃ
に傾斜面４を確実に形成することが可能になり、本願発
明をより実効あらしめることができる。すなわち、上記
のブレード１１を用いることにより、一種類のブレード
を１ストローク動作をさせるだけで、ユニット基板の切
断と境界部（肩部）の傾斜面形成を同時に行うことが可
能になり、生産性を向上させることができる。
【００５５】なお、この実施形態３においては、上述の
効果の他に、実施形態１において得られる効果と同様の
効果を得ることができる。
【００５６】なお、肉薄部１７、肉厚部１８、及び傾斜
部１９の位置関係を調整することにより、ユニット基板
１が肉薄部１７により完全に切断される前に、傾斜部１
９によりユニット基板１の境界部（肩部）１ｃとなる部
分を切削して傾斜面４を形成したり、ユニット基板１が
肉薄部１７により完全に切断された後に、傾斜部１９に
よりユニット基板１の境界部（肩部）１ｃを切削して傾
斜面４を形成したり、あるいは、ユニット基板１の切断
と傾斜面４の形成をほぼ同時に行ったりすることができ
る。
【００５７】［実施形態４］ この実施形態では、図８に示すように、ブレードとし
て、外周面の厚み方向中央先端部２１が突出した形状を
有し、かつ、突出した中央先端部２１が、ユニット基板
１をブレイクする際のブレイク溝１２ａをユニット基板
１に形成するためのブレイク溝形成部として機能し、中
央先端部２１と隣接する隣接傾斜部２３が、ユニット基
板１の電極２の配設された面１ａと切断端面１ｂとの境
界部（肩部）１ｃとなる部分を切削して、境界部（肩
部）１ｃとなる部分に傾斜面４を形成する傾斜面形成部
として機能するように構成されているとともに、中央先
端部２１の２つの面のなす角度θ１が、傾斜面形成部
（隣接傾斜部）２３の２つの面のなす角度θ２より小さ
く、かつ、６０〜９０゜の範囲になるように構成された
ブレード１１を用いている。ブレードの構成材料として
は、例えば、メタル結合材と粒度＃２００〜＃１２０
０、好ましくは、＃６００〜＃１０００のダイヤモンド
粒からなるものなどを用いることが可能である。
【００５８】なお、ブレード１１において、中央先端部
２１の２つの面のなす角度θ１は、６０〜９０゜の範囲
が好ましく、また、傾斜面形成部（隣接傾斜部）２３の
２つの面のなす角度θ２は、７５〜１２０゜の範囲が好
ましい。なお、θ１の好ましい範囲が６０〜９０゜であ
るのは、θ１が６０゜以下になると、ブレード１１の摩
耗が著しく増加し、安定した切削を行うことが困難であ
り、また、θ１が９０゜を越えると、ブレイクの際に加
えられる力が溝１２の中央に集中せず、安定した分割を
行うことができないことによる。なお、傾斜面形成部
（隣接傾斜部）２３の２つの面のなす角度θ２の好まし
い範囲が７５〜１２０゜である理由は、角度θ２が７５
゜より小さくなると溝１２の幅（切削幅）は安定する
が、ユニット基板１に対する衝撃を軽減する効果が不十
分になること、また、角度θ２が１２０゜より大きくな
ると、ユニット基板１の厚みのバラツキなどにより、溝
１２の幅（切削幅）が大きく変動して安定した管理が困
難になることによる。
【００５９】また、この実施形態のブレード１１を用い
て溝１２を形成する場合、溝１２の深さＸ（図８）は、
ユニット基板１の厚みＴの１０〜３０％の範囲とする。
これは、溝１２の深さＸがユニット基板１の１０％より
浅いと溝１２に沿って分割することが困難で、斜め割れ
が生じること、３０％より深いと後工程で不要な割れが
発生して好ましくないことによる。
【００６０】このブレード１１を用い、所定の切断ライ
ンに沿ってユニット基板１の表面に溝１２を形成するよ
うにした場合、ユニット基板１の表面に容易かつ確実
に、ブレイク溝１２ａと傾斜面４を形成することが可能
になる。そして、ブレイク溝１２ａに沿ってユニット基
板１をブレイクすることにより、傾斜面４から電極２
（接続電極２ａ）の一部が露出した素子を容易に得るこ
とが可能になり、接続電極２の露出面積を増やして、外
部端子との電気的接続性を向上させるとともに、インダ
クタンスにおけるＱの向上などの特性の改善を図ること
が可能になる。
【００６１】なお、この実施形態４においては、上述の
効果の他に、実施形態１において得られる効果と同様の
効果を得ることができる。
【００６２】なお、上記の各実施形態では、チップ型コ
イル部品を製造する場合を例にとって説明したが、本願
発明は、チップ型コイル部品に限らず、表面に絶縁・保
護膜などの被覆材を配設した種々の電子部品に適用する
ことが可能である。
【００６３】また、上記の各実施形態では、ユニット基
板の一方の面にのみ絶縁・保護膜が形成されている場合
について説明したが、両面に絶縁・保護膜が形成されて
いる場合にも、本願発明を適用することが可能である。
【００６４】本願発明は、さらにその他の点においても
上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨の
範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能
である。
【００６５】
【発明の効果】上述のように、本願発明の電子部品の製
造方法は、ユニット基板の電極配設面と切断端面との境
界部（肩部）、又は、境界部（肩部）となる部分と当接
する部分が所定の角度で傾斜した形状を有するブレード
を用いてユニット基板の少なくとも一部を切削し、前記
境界部（肩部）、又は、境界部（肩部）となる部分に傾
斜面を形成して、電極の一部を傾斜面から露出させるよ
うにしているので、境界部（肩部）に傾斜面を形成しな
い場合（従来の方法）に比べて、電極の露出面積を増大
させ、外部端子との電気的接続性を向上させることが可
能になるとともに、インダクタンスにおけるＱの向上な
どの特性を向上させることができる。
【００６６】また、本願発明（請求項２）の電子部品の
製造方法は、ユニット基板を切断ラインに沿って切断す
る前に、電極配設面と切断端面との境界部（肩部）とな
る部分を、該部分に当接する部分が所定の角度で傾斜し
た形状を有するブレードを用いて切削し、切断ラインに
沿って溝を形成し、ユニット基板の前記境界部（肩部）
となる部分に傾斜面を形成して電極の一部を傾斜面から
露出させた後、傾斜面の少なくとも電極の露出した部分
が残るように、ユニット基板を切断ラインに沿って切断
するようにしているので、境界部（肩部）に傾斜面を形
成しない場合（従来の方法）に比べて、電極の露出面積
を増やすことが可能になり、外部端子との電気的接続性
を向上させるとともに、インダクタンスにおけるＱの向
上などの特性の改善を図ることができる。
【００６７】また、本願発明（請求項３）の電子部品の
製造方法は、ユニット基板を切断ラインに沿って切断し
た後、電極配設面と切断端面との境界部（肩部）に当接
する部分が傾斜した形状を有するブレードを用いて、ユ
ニット基板の電極配設面と切断端面との境界部（肩部）
に傾斜面を形成し、前記電極の一部を前記傾斜面から露
出させるようにしているので、境界部（肩部）に傾斜面
を形成しない場合（従来の方法）に比べて、電極の露出
面積を確実に増やして、外部端子との電気的接続性を向
上させるとともに、インダクタンスにおけるＱの向上な
どの特性の改善を図ることができる。
【００６８】また、本願発明（請求項４）の電子部品の
製造方法のように、ユニット基板の切断を、ダイシング
ブレードを用いて行うようにした場合、基板表面を最大
限に活用することが可能になり、本願発明をより実効あ
らしめることができる。
【００６９】また、本願発明（請求項５）の電子部品の
製造方法は、肉薄部、肉厚部、及び両者の境界部に形成
された傾斜部を備えたダイシングブレードを用いるよう
にしているので、肉薄部によりユニット基板を切断する
とともに、傾斜部により、ユニット基板の電極配設面と
切断端面との境界部（肩部）を切削して、境界部（肩
部）に傾斜面を確実に形成することが可能になる。すな
わち、上記のブレードを用いることにより、一種類のブ
レードを用い、これを１ストローク動作をさせるだけ
で、ユニット基板の切断と境界部（肩部）の傾斜面形成
を同時に行うことが可能になり、生産性を向上させるこ
とができる。
【００７０】また、本願発明（請求項６）の電子部品の
製造方法は、ブレードとして、突出した中央部先端がブ
レイク溝をユニット基板に形成するためのブレイク溝形
成部として機能するとともに、中央先端部と隣接する隣
接傾斜部がユニット基板の境界部（肩部）を切削して傾
斜面を形成する傾斜面形成部として機能するように構成
され、かつ、中央先端部の２つの面のなす角度θ１を、
傾斜面形成部の２つの面のなす角度θ２より小さく、か
つ、６０〜９０゜の範囲にしたブレードを用い、所定の
切断ラインに沿ってユニット基板の表面に溝を形成する
ようにしているので、ユニット基板の表面に効率よくブ
レイク溝と傾斜面を形成することが可能になり、生産性
を向上させることが可能になる。
【００７１】また、本願発明（請求項７）の電子部品の
製造方法は、ブレードとして、内側部材と外側部材の２
種類の部材を用いて構成されており、かつ、内側部材
が、ユニット基板を切削するのに適した材料を用いて形
成され、外側部材が、被覆材を切削するのに適した材料
を用いて形成されたブレードを用いているので、内側部
材により、チッピングなどが生じることを抑制しつつユ
ニット基板を切削するとともに、外側部材により、絶縁
・保護膜などの被覆材のかすを残すことなく絶縁・保護
膜を切削することが可能になり、本願発明をより実効あ
らしめることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の一実施形態にかかる電子部品の製造
方法の一工程において形成したユニット基板の要部を示
す図であり、(ａ)は正面断面図、(ｂ)は(ａ)のＢ−Ｂ線
断面図である。
【図２】本願発明の一実施形態にかかる電子部品の製造
方法の一工程において、ユニット基板に溝を形成してい
る状態を示す図である。
【図３】本願発明の一実施形態にかかる電子部品の製造
方法の一工程において、溝の形成されたユニット基板を
切断している状態を示す図である。
【図４】本願発明の一実施形態にかかる電子部品の製造
方法の一工程において、ユニット基板を切断することに
より得られた素子を示す斜視図である。
【図５】本願発明の一実施形態にかかる電子部品の製造
方法において用いられるブレードの変形例を示す図であ
る。
【図６】本願発明の他の実施形態にかかる電子部品の製
造方法において用いたブレードの構造を示す図である。
【図７】本願発明のさらに他の実施形態にかかる電子部
品の製造方法において用いたブレードの構造を示す図で
ある。
【図８】本願発明のさらに他の実施形態にかかる電子部
品の製造方法において用いたブレードの構造を示す図で
ある。
【図９】従来の電子部品の製造方法において形成された
ユニット基板を示す図である。
【図１０】従来の他の電子部品の製造方法において形成
されたユニット基板を示す図である。
【図１１】(ａ)，(ｂ)は、従来の電子部品の製造方法に
おいて、導体パターンが配設された面を絶縁・保護膜で
覆ったユニット基板をダイシングカットした場合の、チ
ッピング及び剥がれの発生状態を模式的に示す図であ
る。
【図１２】従来の電子部品の製造方法の一工程において
ユニット基板を切断している状態を示す図である。
【符号の説明】
１ ユニット基板 １ａ ユニット基板のコイルパターン（電
極）２の配設された面 １ｂ 切断端面（垂直切削面） １ｃ 境界部（肩部） ２ 電極（薄膜コイルパターン） ２ａ 接続電極 ３ 絶縁・保護膜 ４ 傾斜面 １１ ブレード １２ 溝 １２ａ ブレイク溝 １３ ダイシングブレード １５ 内側部材 １６ 外側部材 １７ 肉薄部 １８ 肉厚部 １９ 傾斜部 ２１ 中央先端部 ２３ 傾斜面形成部（隣接傾斜部） Ｗ１ Ｖ字状の溝の幅 Ｗ２ ダイシングブレードの厚み θ ブレードの先端の２つの面が形成する
角度 θ０ 傾斜面と垂直切削面とのなす角度 θ１ ブレードの中央先端部の２つの面のな
す角度 θ２ 傾斜面形成部（隣接傾斜部）の２つの
面のなす角度 θ３ ブレードの先端部の角度 Ｔ ユニット基板の厚み Ｘ 溝の深さ ａ 溝の深さ ｂ 絶縁・保護膜の厚みと電極（接続電
極）の厚みの合計 ｃ 内側部材の厚み ｄ 外側部材の厚み
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三崎 勝弘 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社 村田製作所内 (72)発明者 飯田 直樹 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社 村田製作所内 (56)参考文献 特開 平８−39854（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−38406（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭64−40505（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01F 41/00 - 41/10 B28D 1/22 H05K 1/02

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】電極配設面を被覆材で被覆したユニット基
    板（親基板）を、所定の切断ラインに沿って切断するこ
    とにより、切断端面に電極の露出した電子部品素子を得
    る工程を含む電子部品の製造方法において、 前記ユニット基板の前記電極配設面と切断端面との境界
    部（肩部）、又は、境界部（肩部）となる部分と当接す
    る部分が所定の角度で傾斜した形状を有するブレードを
    用い、前記ユニット基板の少なくとも一部を切削するこ
    とにより、前記境界部（肩部）、又は、境界部（肩部）
    となる部分に傾斜面を形成し、前記電極の一部を前記傾
    斜面から露出させる工程を含むことを特徴とする電子部
    品の製造方法。
  2. 【請求項２】電極配設面を被覆材で被覆したユニット基
    板（親基板）を、所定の切断ラインに沿って切断するこ
    とにより、切断端面に電極の露出した電子部品素子を得
    る工程を含む電子部品の製造方法において、 前記ユニット基板を前記切断ラインに沿って切断する前
    に、前記ユニット基板の前記電極配設面と切断端面との
    境界部（肩部）となる部分と当接する部分が所定の角度
    で傾斜した形状を有するブレードを用い、所定の切断ラ
    インに沿って溝を形成することにより、前記ユニット基
    板の前記電極配設面と切断端面との境界部（肩部）とな
    る部分に傾斜面を形成して、前記電極の一部を前記傾斜
    面から露出させた後、前記傾斜面の、少なくとも前記電
    極の露出した部分が残るように、前記ユニット基板を前
    記切断ラインに沿って切断する工程を含むことを特徴と
    する電子部品の製造方法。
  3. 【請求項３】電極配設面を被覆材で被覆したユニット基
    板（親基板）を、所定の切断ラインに沿って切断するこ
    とにより、切断端面に電極の露出した電子部品素子を得
    る工程を含む電子部品の製造方法において、 前記ユニット基板を前記切断ラインに沿って切断した
    後、前記ユニット基板の前記電極配設面と切断端面との
    境界部（肩部）と当接する部分が所定の角度で傾斜した
    形状を有するブレードを用いて、前記ユニット基板の前
    記境界部（肩部）に傾斜面を形成し、前記電極の一部を
    前記傾斜面から露出させる工程を含むことを特徴とする
    電子部品の製造方法。
  4. 【請求項４】前記ユニット基板の切断を、ダイシングブ
    レードを用いて行うことを特徴とする請求項１，２又は
    ３記載の電子部品の製造方法。
  5. 【請求項５】前記ブレードとして、略円盤状で、径方向
    の所定の位置より外周側の部分を厚みの小さい肉薄部と
    し、前記肉薄部より中心側に近い部分に前記肉薄部より
    厚みの大きい肉厚部を形成するとともに、前記肉薄部と
    前記肉厚部の境界部を傾斜部としたダイシングブレード
    を用い、 前記肉薄部によりユニット基板を切断するとともに、前
    記傾斜部により、前記ユニット基板の前記境界部（肩
    部）、又は、前記境界部（肩部）となる部分を切削し
    て、前記境界部（肩部）に傾斜面を形成することを特徴
    とする請求項１，２，３又は４記載の電子部品の製造方
    法。
  6. 【請求項６】電極配設面を被覆材で被覆したユニット基
    板（親基板）を、所定の切断ラインに沿って切断するこ
    とにより、切断端面に電極の露出した電子部品素子を得
    る工程を含む電子部品の製造方法において、 前記ブレードとして、外周面の厚み方向中央部が突出し
    た形状を有し、かつ、突出した中央先端部が、ユニット
    基板をブレイクする際のブレイク溝をユニット基板に形
    成するためのブレイク溝形成部として機能し、前記中央
    先端部と隣接する隣接傾斜部が、前記ユニット基板の前
    記電極配設面と切断端面との境界部（肩部）となる部分
    を切削して、前記境界部（肩部）となる部分に傾斜面を
    形成する傾斜面形成部として機能するように構成されて
    いるとともに、前記中央先端部の２つの面のなす角度θ
    １が、前記傾斜面形成部の２つの面のなす角度θ２より
    小さく、かつ、６０〜９０゜の範囲になるように構成さ
    れているブレードを用い、 所定の切断ラインに沿って前記ユニット基板の表面に溝
    を形成することにより、前記ユニット基板の表面に前記
    ブレイク溝を形成するとともに、前記電極配設面と切断
    端面との境界部（肩部）となる部分に傾斜面を形成した
    後、 前記ブレイク溝に沿って前記ユニット基板をブレイクす
    ることにより、前記傾斜面から電極の一部が露出した素
    子を得ることを特徴とする電子部品の製造方法。
  7. 【請求項７】前記ブレードとして、他の部分より先に前
    記ユニット基板に当接するように先端部が突出した内側
    部材と、前記内側部材をその両面側から挟持する外側部
    材とを備え、かつ、前記内側部材が、前記ユニット基板
    を切削するのに適した材料を用いて形成され、前記外側
    部材が、前記被覆材を切削するのに適した材料を用いて
    形成されたブレードを用いることを特徴とする請求項１
    〜６のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
JP16952097A 1997-06-10 1997-06-10 電子部品の製造方法 Expired - Fee Related JP3304828B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16952097A JP3304828B2 (ja) 1997-06-10 1997-06-10 電子部品の製造方法
TW087108111A TW373198B (en) 1997-06-10 1998-05-26 Electronic part and manufacturing method thereof
US09/090,367 US6276995B1 (en) 1997-06-10 1998-06-04 Electronic component and method of manufacturing same
EP98401397A EP0884775A1 (en) 1997-06-10 1998-06-10 Electronic component and manufacturing method therefor
KR1019980021549A KR100328878B1 (ko) 1997-06-10 1998-06-10 전자부품및그의제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16952097A JP3304828B2 (ja) 1997-06-10 1997-06-10 電子部品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH113833A JPH113833A (ja) 1999-01-06
JP3304828B2 true JP3304828B2 (ja) 2002-07-22

Family

ID=15888037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16952097A Expired - Fee Related JP3304828B2 (ja) 1997-06-10 1997-06-10 電子部品の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6276995B1 (ja)
EP (1) EP0884775A1 (ja)
JP (1) JP3304828B2 (ja)
KR (1) KR100328878B1 (ja)
TW (1) TW373198B (ja)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62180130A (ja) * 1986-02-03 1987-08-07 Honda Motor Co Ltd 可変オリフイスを有する複合エンジンマウント
DE19927046B4 (de) 1999-06-14 2007-01-25 Electrovac Ag Keramik-Metall-Substrat als Mehrfachsubstrat
US6561177B2 (en) * 2000-12-14 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Wafer dicing blade consisting of multiple layers
JP2003053723A (ja) * 2001-08-10 2003-02-26 Denso Corp 硬脆材料の切断方法
TWI341983B (en) * 2003-02-12 2011-05-11 Nissha Printing Touch panel
US20060005672A1 (en) * 2004-07-07 2006-01-12 Chapman Gregory M Blades, saws, and methods for cutting microfeature workpieces
JP4507175B2 (ja) * 2004-09-09 2010-07-21 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
JP4172654B2 (ja) 2006-02-17 2008-10-29 Ｔｄｋ株式会社 薄膜デバイス
JP4501077B2 (ja) 2006-02-17 2010-07-14 Ｔｄｋ株式会社 薄膜デバイス
JP4539870B2 (ja) 2006-03-31 2010-09-08 Ｔｄｋ株式会社 薄膜デバイス
TW200805600A (en) * 2006-07-04 2008-01-16 Siliconware Precision Industries Co Ltd Heat-dissipating package structure and fabrication method thereof
JP4720775B2 (ja) * 2007-04-20 2011-07-13 Ｔｄｋ株式会社 積層体の加工方法
WO2009141740A2 (en) * 2008-05-23 2009-11-26 Florian Bieck Semiconductor wafer and method for producing the same
JP4836150B2 (ja) * 2008-11-26 2011-12-14 株式会社日本製鋼所 カッターホイール
JP5535765B2 (ja) * 2009-06-01 2014-07-02 日本特殊陶業株式会社 セラミックコンデンサの製造方法
KR101070114B1 (ko) * 2009-09-15 2011-10-05 삼성전기주식회사 디스플레이용 어레이 기판 및 디스플레이용 기판의 제조 방법
JP2011124628A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 複合圧電チップ及び複合圧電チップの製造方法
JP5672242B2 (ja) * 2009-12-24 2015-02-18 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
JP5409726B2 (ja) * 2011-08-30 2014-02-05 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライビングホイール
JP6330143B2 (ja) * 2013-06-13 2018-05-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 窒化物半導体結晶から形成されている平板の表面に溝を形成する方法
US20150183131A1 (en) * 2013-12-27 2015-07-02 Chee Seng Foong Semiconductor wafer dicing blade
JP6493733B2 (ja) * 2014-12-22 2019-04-03 昭和電工株式会社 保護フィルムの製造方法
JP2016122682A (ja) * 2014-12-24 2016-07-07 凸版印刷株式会社 配線基板
US10070536B2 (en) 2016-07-05 2018-09-04 Unimicron Technology Corp. Manufacturing method of circuit board structure
KR102080842B1 (ko) * 2018-01-12 2020-02-24 주식회사 케이씨씨 세라믹 회로기판

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE494992C (de) * 1930-03-31 Rodenstock Optik G Herstellung von Diamantschneidezaehnen und Schneidewerkzeugen fuer Mineralien
DE2730130C2 (de) * 1976-09-14 1987-11-12 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
JPS6074642A (ja) * 1983-09-30 1985-04-26 Nec Corp 半導体装置の製造方法
DE4306655C2 (de) 1992-03-04 1997-04-30 Toshiba Kawasaki Kk Verfahren zum Herstellen eines planaren Induktionselements
JP3147666B2 (ja) 1994-07-21 2001-03-19 株式会社村田製作所 積層電子部品およびその製造方法
TW308581B (ja) * 1995-11-06 1997-06-21 Mitsuboshi Diamond Kogyo Kk

Also Published As

Publication number Publication date
KR100328878B1 (ko) 2002-05-09
US6276995B1 (en) 2001-08-21
TW373198B (en) 1999-11-01
EP0884775A1 (en) 1998-12-16
JPH113833A (ja) 1999-01-06
KR19990006850A (ko) 1999-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3304828B2 (ja) 電子部品の製造方法
CN101151802A (zh) 弹性表面波装置及其制造方法
JP3958532B2 (ja) チップ抵抗器の製造方法
JPWO2006030705A1 (ja) チップ形電子部品
US5639507A (en) Method of making a planar multi-layer capacitor
JPH10199728A (ja) 薄膜型コイル部品及びその製造方法
KR100309820B1 (ko) 전자부품의 제조방법
WO2003060929A1 (fr) Procede de fabrication d'un pave resistif
JP2002270409A (ja) チップ型抵抗器の製造方法、およびチップ型抵抗器
US4520561A (en) Method of fabricating an electronic circuit including an aperture through the substrate thereof
JP3466411B2 (ja) チップ抵抗器
JP2000306711A (ja) 多連チップ抵抗器およびその製造方法
JP4037248B2 (ja) 回路保護素子とその製造方法
JP2937774B2 (ja) セラミック電子部品の製造方法
WO2023100858A1 (ja) チップ抵抗器およびその製造方法
JP3425712B2 (ja) 電子部品の製造方法
JP2959561B1 (ja) 電子部品の製造方法
JPH09260140A (ja) 薄膜型コイル部品及びその製造方法
JP3582922B2 (ja) 誘電体フィルタ及びその調整方法
JP2000357601A (ja) チップ抵抗器、およびその製造方法
JPH11176605A (ja) チップ部品
CN114765086A (zh) 电阻器的制造方法
US20070148823A1 (en) Method of manufacturing an electronic protection device
CN110911069A (zh) 电子组件及其制造方法
JP2008147271A (ja) 静電気対策部品およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020409

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100510

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100510

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110510

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120510

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120510

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130510

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130510

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140510

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees