JP3300650B2 - レーザ走査記録装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はレーザプリンタ等に
用いられ、レーザ光を回転される多面反射鏡（ポリゴン
ミラー）により感光体の感光面に走査して情報の記録を
行うためのレーザ走査記録装置に関し、特に感光面に照
射されるレーザ光の光強度を調整するための装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】この種のレーザ走査記録装置では、レー
ザ光源から出射されたレーザ光を回転駆動されるポリゴ
ンミラーの鏡面に投射させ、ポリゴンミラーの回転に伴
って鏡面からのレーザ光の反射方向を変化させて感光面
に対してレーザ光を走査し、ライン状に描画する構成が
取られている。この場合、感光面において均一な画像濃
度を得るためには、レーザ光源から出射されるレーザ光
の光強度（以下、レーザ光源で出射されるレーザ光強度
をレーザパワーと称する）を所定のパワーに制御するこ
とが必要であり、そのためにレーザ光源から出射された
レーザ光強度を検出し、この検出値に基づいてレーザパ
ワーを制御するという、いわゆるＡＰＣ（自動出力コン
トロール）制御が行われる。図５はその概念構成を示す
図であり、レーザ光源１を構成するレーザダイオードＬ
Ｄで発光されたレーザ光の光強度をモニタ用フォトダイ
オードＰＤで検出し、この検出電流ＩｍをＩ／Ｖ（電流
／電圧）変換器１１で電圧に変換した上で、比較器１４
において基準電圧Ｖｒｅｆと比較する。そして、その比
較から得られる比較出力Ｖｏをサンプルホールド回路Ｓ
Ｈで保持し、かつこの比較出力をＶ／Ｉ（電圧／電流）
変換機能を有するレーザ駆動回路１７に入力し、このレ
ーザ駆動回路１７においてレーザダイオードＬＤの駆動
電流を制御してレーザパワーを所定値に制御し、感光ド
ラム７に対するレーザ光の光強度を制御するというもの
である。

【０００３】しかしながら、レーザパワーを所定パワー
に制御した場合でも、レーザ光源１から感光ドラム７の
感光面に至るまでの光路における種々の要因によってレ
ーザ光強度にばらつきが生じると、前記した均一な画像
濃度を得ることが難しいものとなる。その要因の１つに
ポリゴンミラー４を構成する複数の反射鏡の各々の反射
率のばらつきがある。すなわち、各反射鏡の反射率が相
違していると、各反射鏡で反射されるレーザ光強度にも
ばらつきが生じることになり、各鏡面で反射されたレー
ザ光による走査ラインの濃度に濃淡差が生じることにな
る。すなわち、図６は図５に示したＡＰＣ制御回路での
レーザパワーの制御の状態を示す波形図であり、この制
御ではレーザダイオードＬＤにおけるレーザパワーは一
定に制御されるものの、ポリゴンミラー４の例えばｎ
面、ｎ＋１面、ｎ＋２面の各反射鏡での各反射率Ｒのば
らつき〔Ｒ（ｎ＋２）＞Ｒ（ｎ）＞Ｒ（ｎ＋１）〕によ
り、感光ドラム７に走査されるレーザ光の光強度には反
射率に対応した光強度のばらつきが生じており、各走査
ラインに濃度のばらつきが生じ、均一な画像濃度での描
画が困難となる。

【０００４】これは、ポリゴンミラー４の製造時には、
各反射鏡はそれぞれ等しい反射率として形成されるが、
高速で回転される際に空気中の塵等に衝突されて表面に
微細な傷が発生する等の理由によってその反射率が経時
的に変化され、これに伴い各反射鏡の反射率に３〜４％
程度のばらつきが生じることになる。この反射率のばら
つきは、レーザ光のオン，オフにより画像を形成する２
値画像では問題は少ないが、中間調が要求されるカラー
プリンタ等では２５６階調以上の濃淡を制御する必要が
あり、そのためには１％以下のばらつきに抑える必要が
ある。

【０００５】このようなポリゴンミラーの各反射鏡での
反射率のばらつきを解消するためには、ＡＰＣ制御での
レーザ光強度の検出を、ポリゴンミラーよりも下流側の
位置、好ましくは感光面の近傍で行えばよい。このよう
にすれば、ポリゴンミラーで実際に反射されたレーザ光
の光強度を検出し、これに基づいてレーザパワーを制御
することで感光面におけるレーザ光強度を均一化するこ
とが可能となる。例えば、特開昭５３−３７０２９号公
報には、レーザ光が感光ドラムの感光面に走査される直
前の位置でレーザ光強度を検出し、その検出値に基づい
てレーザパワーを制御するビーム記録装置が提案されて
いる。すなわち、この技術では感光ドラムの近傍に配置
された光センサでのレーザ光の光強度出力をピークホー
ルドしてＡＰＣ制御回路にフィードバックさせ、ＡＰＣ
制御回路ではこのホールドされたセンサ出力によりレー
ザ光の変調器や、レーザ光源としての半導体レーザ発生
器を制御するものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この公
報に記載されている技術では、レーザパワーは専ら感光
ドラムの直前位置に配置された光センサで検出されたレ
ーザ光強度に基づいてレーザパワーの制御を行っている
ため、次のような問題が生じることがある。すなわち、
例えば初期状態のような光センサにレーザ光が投射され
る前、あるいはレーザ走査が上下にずれる等してレーザ
光が光センサに投射されない状態になったときには、光
センサの出力は零に近いため、ＡＰＣ制御回路はレーザ
パワーを最大方向に制御する。このため、特に後者の場
合にはレーザ光源や光変調器はレーザパワーの最大出力
状態で動作されることになり、レーザ光源が継続して最
大出力動作で駆動されたときには半導体レーザ発生器は
過出力破壊されるおそれがある。また、前者の場合には
レーザパワーの最大出力状態から所定のレーザパワーに
まで低下されるというレーザパワーの変動が繰り返し行
われることになり、半導体レーザ発生器の寿命が短縮さ
れる。

【０００７】本発明の目的は、このようなレーザ光源に
おける過出力やレーザパワー変動を防止し、安定でかつ
信頼性の高いレーザ走査記録装置を提供することにあ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、モニタ用フォ
トダイオードを一体に有するレーザダイオードと、レー
ザダイオードの発光出力を制御するレーザ出力制御回路
と、レーザダイオードで発光されたレーザ光を感光体に
向けて走査させるための複数の反射鏡を有する回転駆動
されるポリゴンミラーと、ポリゴンミラーで反射された
レーザ光を検出する光センサと、モニタ用フォトダイオ
ードの検出出力と光センサの検出出力のいずれかを選択
するセレクタと、選択された検出出力を基準電圧と比較
して誤差信号を出力する比較器と、誤差信号をサンプル
ホールドしてレーザ出力制御回路の制御入力とするサン
プルホールド回路と、セレクタでの選択動作とサンプル
ホールド回路でのサンプルホールド動作の各動作タイミ
ングを制御する処理装置とを備えることを特徴とする。

【０００９】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明が適用されるレーザ走
査記録装置の全体構成を示す概念構成図である。レーザ
光源としての半導体レーザ１のレーザ光出射光路上に
は、レーザ光を平行ビームとするコリメートレンズ２
と、レーザ光のビーム形状を整形するシリンダレンズ３
が配置され、これらによってビーム整形されたレーザ光
はポリゴンミラー４に投射される。ポリゴンミラー４
は、正多角柱状に形成され、その側面例えば本実施形態
では６面から成りそれぞれ反射鏡が設けられ、中心軸の
回りに図示の反時計方向に高速回転駆動される。このポ
リゴンミラー４で反射されたレーザ光は、ボリゴンミラ
ー４の回転に伴ってその反射方向が偏向されながらｆθ
レンズ５を透過され、反射ミラー６で反射された上で感
光ドラム７の感光面に投射され、感光ドラム７の軸方
向、すなわち水平方向に走査される。前記ｆθレンズ５
は反射された際のレーザ光の偏向角速度を感光ドラム７
上で等走査速度に修正するためのものである。また、感
光ドラム７は軸回りに回転され、この回転により垂直方
向の走査が行われる。そして、この実施形態では、前記
感光ドラム７に対する描画領域の外側で、しかもレーザ
光の走査始端側の感光ドラムの近傍位置に反射ミラー８
が配置され、これと感光ドラム７の軸方向の反対側の位
置に反射ミラー８で反射されるレーザ光の光強度を検出
する光センサ９が配置される。

【００１０】図２は前記したレーザ走査記録装置に設け
られるＡＰＣ制御回路ＡＰＣの回路構成を示す図であ
り、図１に対応する部分には同一符号を付してある。前
記半導体レーザ１は、レーザダイオードＬＤと、モニタ
用フォトダイオードＰＤとが一体化された構成であり、
例えば、図３に示すように、半導体レーザパッケージ１
００のベース１０１に３本の外部リード１０２が設けら
れ、そのうちの一つの外部リード１０２と一体に形成さ
れたステム１０３に前記レーザダイオードＬＤが支持さ
れている。また、前記レーザダイオードＬＤに対向する
前記ベース１０１上にはモニタ用フォトダイオードＰＤ
が固着されている。これらレーザダイオードＬＤとモニ
タ用フォトダイオードＰＤはそれぞれ他の外部リード１
０２に電気接続される。そして、前記ベース１０１に
は、その頂面の一部に光透過部材１０５を有するカバー
１０４が取着され、このカバー１０４により前記レーザ
ダイオードＬＤとモニタ用フォトダイオードＰＤが封止
されている。このため、この半導体レーザ１では、前記
光透過部材１０５に対向するように配置されているレー
ザダイオードＬＤのレーザ光出射面から出射されたレー
ザ光は前記光透過部材１０５を透過してパッケージ１０
０外に出射される。一方、前記レーザダイオードＬＤは
前記レーザ光出射面の反対側面からもレーザ光の一部が
出射されており、このレーザ光をモニタ光として前記モ
ニタ用フォトダイオードＰＤで受光することで、レーザ
ダイオードＬＤから出射されるレーザ光の光強度をモニ
タすることが可能となる。

【００１１】前記フォトダイオードＰＤで検出したレー
ザ光の検出電流ＩｍはＩ／Ｖ（電流／電圧）変換器１１
で電圧に変換され、詳細を後述するセレクタ１２の第１
入力端Ｓ１に出力される。また、前記感光ドラム７の近
傍に配置した光センサ９は、ここでは独立した構成のフ
ォトダイオードで構成され、このフォトダイオードで検
出された前記レーザ光の検出電流ＩｓはＩ／Ｖ変換器１
３で電圧信号に変換され、前記セレクタ１２の第２入力
端Ｓ２に出力される。ここで、前記Ｉ／Ｖ変換器１１，
１３はそれぞれレーザダイオードＬＤが基準となる光強
度のレーザ光を出射したときのモニタ用フォトダイオー
ドＰＤの検出電流Ｉｍから得られる電圧Ｖｍと、同様に
前記光センサ９で検出される検出電流Ｉｓから得られる
電圧Ｖｓとが等しくなるように、各Ｉ／Ｖ変換器１１，
１３の電流／電圧変換率Ｒｍ，Ｒｓを設定してある。一
般的には、Ｉｍ＜Ｉｓであるので、Ｒｍ＞Ｒｓに設定す
ることになる。

【００１２】前記セレクタ１２は、マルチプレクサ等の
ような高速切替動作が可能な電子スイッチ（半導体スイ
ッチ）で構成されており、後述するＣＰＵからのセレク
タ制御信号によって前記第１入力端Ｓ１と第２入力端Ｓ
１を出力端Ｓ０に対して選択的に切り替えることが可能
とされている。すなわち、この実施形態の場合には、前
記Ｉ／Ｖ変換器１１，１３の各変換電圧Ｖｍ，Ｖｓを選
択して出力するように構成されている。そして、前記セ
レクタ１２の出力端Ｓ０は比較器１４の一方の入力端に
接続されており、この比較器１４からは前記セレクタ１
２によって選択された電圧Ｖｍ，Ｖｓのいずれかと、比
較器１４の他方の入力端に入力されている基準電圧Ｖｒ
ｅｆとの比較出力としての比較電圧Ｖｏが出力される。
前記比較器１４の出力端にはサンプルスイッチ１５が接
続され、さらにこのサンプルスイッチ１５にはホールド
コンデンサ１６が接続されており、前記ホールドコンデ
ンサ１６でサンプルされた比較電圧がＶ／Ｉ（電圧／電
流）機能を有するレーザ駆動回路１７に入力され、ここ
から出力される駆動電流Ｉｏにより前記レーザダイオー
ドＬＤが発光され、かつそのレーザパワーが制御される
構成とされている。

【００１３】さらに、前記セレクタ１２やサンプルスイ
ッチ１５を制御するための中央処理装置ＣＰＵが設けら
れており、前記光センサ９で検出され、かつＩ／Ｖ変換
された電圧信号の一部はＡ／Ｄ変換器１８によりディジ
タル信号とされて中央処理装置ＣＰＵに入力される。こ
の中央処理装置ＣＰＵでは、前記セレクタ１２を切替動
作させるためのセレクタ制御信号と、前記サンプルスイ
ッチ１５をオン，オフ制御するためのサンプル制御信号
と、前記レーザ駆動回路１７がレーザダイオードＬＤに
駆動電流を供給するタイミングを制御するためのタイミ
ング信号を出力する。ここでは、前記セレクタ制御信号
は、前記光センサ９からの信号を受けて前記セレクタ１
２を第２入力端Ｓ２側に切替動作させ、その後サンプル
制御信号がサンプルスイッチ１５をオフするときに同時
に前記セレクタ１２を第１入力端Ｓ１側に切替動作させ
る。また、前記サンプル制御信号は、前記レーザダイオ
ードＬＤのＡＰＣ動作を行う際に出力されるタイミング
信号と同期して出力され、このＡＰＣ期間中のみ前記サ
ンプルスイッチ１５をオンさせる。

【００１４】次に、以上の構成のＡＰＣ制御回路の動作
を説明する。図４はその動作を説明するための波形図で
ある。なお、ここではポリゴンミラー４の６つの反射鏡
のうち、隣接される第ｎ面、第ｎ＋１面、第ｎ＋２面の
それぞれの反射率Ｒ（ｎ），Ｒ（ｎ＋１），Ｒ（ｎ＋
２）が、Ｒ（ｎ＋１）＜Ｒ（ｎ）＜Ｒ（ｎ＋２）の関係
にあるものとする。したがって、レーザダイオードＬＤ
のレーザパワー、すなわちレーザダイオードＬＤから出
射されたレーザ光強度が等しいときには、各面で反射さ
れたレーザ光強度Ｐ（ｎ＋１），Ｐ（ｎ），Ｐ（ｎ＋
２）はＰ（ｎ＋１）＜Ｐ（ｎ）＜Ｐ（ｎ＋２）の状態と
されることになり、感光ドラム７における濃度ムラとな
る。

【００１５】ポリゴンミラー４の回転が安定した状態
で、中央処理装置ＣＰＵは、このポリゴンミラー４の回
転周期に同期してタイミング信号を前記レーザ駆動回路
１７に出力し、まずＡＰＣ動作を行うためにレーザダイ
オードＬＤを発光させる。また、これと同時に図４
（ｅ）のように、サンプル制御信号によりサンプルスイ
ッチ１５をオンする。これにより、レーザダイオードＬ
Ｄで発光されたレーザ光は、モニタ用フォトダイオード
ＰＤで検出され、その検出電流ＩｍはＩ／Ｖ変換器１１
で電圧Ｖｍに変換された上でセレクタ１２の第１入力端
Ｓ１に入力される。このセレクタ１２は、図４（ｆ）の
ように、通常では第１入力端Ｓ１の入力を出力端Ｓ０に
出力しているため、前記電圧Ｖｍは比較器１４に入力さ
れ、比較器１４において基準電圧Ｖｒｅｆと比較され、
その比較電圧Ｖｏ１が出力される。この比較電圧Ｖｏ１
は、オンされているサンプルスイッチ１５を通してホー
ルドコンデンサ１６に充電されてサンプリングされ、さ
らにこのサンプリングされた比較電圧Ｖｏ１がレーザ駆
動回路１７に入力され、レーザ駆動回路１７はこの比較
電圧Ｖｏ１に応じてレーザダイオードＬＤの駆動電流を
制御する。この結果、レーザダイオードＬＤは基準電圧
に準じたレーザパワーとなるようにフィードバック制御
されることになる。

【００１６】次いで、前記レーザダイオードＬＤから出
射されたレーザ光がコリメートレンズ２とシリンダレン
ズ３によってビーム整形された上でポリゴンミラー４で
反射され、ｆθレンズ５、反射ミラー６を経て光センサ
９で受光されると、この光センサ９の検出電流ＩｓはＩ
／Ｖ変換器１３で電圧Ｖｓに変換された上でセレクタ１
２の第２入力端Ｓ２に入力される。また、この電圧Ｖｓ
は、Ａ／Ｄ変換器１８によってＡ／Ｄ変換された上で中
央処理装置ＣＰＵに入力される。中央処理装置ＣＰＵ
は、この光センサ９の検出出力を水平同期をとるための
タイミング信号として処理し、図４（ａ）のように水平
同期信号を出力し、詳細は省略するレーザ走査のタイミ
ング制御を実行する。また、これと同時に、前記光セン
サ９の検出出力を受けて中央処理装置ＣＰＵは前記セレ
クタ制御信号を出力する。このセレクタ制御信号を受け
て、図４（ｆ）のように、セレクタ１２は第２入力端Ｓ
２の入力を出力端Ｓ０に出力する状態に切り替えられ、
今度は光センサ９で検出された電圧Ｖｓが比較器１４に
入力されることになる。したがって、比較器１４では、
この光センサの電圧Ｖｓを基準電圧Ｖｒｅｆと比較し、
比較電圧Ｖｏ２を出力する。そして、この時点ではサン
プルスイッチ１５はオン状態であるため、この比較電圧
Ｖｏ２がホールドコンデンサ１６でサンプリングされ、
かつレーザ駆動回路１７に入力される。これにより、レ
ーザ駆動回路１７は、今度は光センサ９で検出された電
圧Ｖｓに対応したフィードバック制御によりレーザダイ
オードＬＤのレーザパワーを制御することになる。

【００１７】すなわち、レーザダイオードＬＤから出射
されるレーザ光の光強度が一定であっても、ポリゴンミ
ラー４の各反射鏡の反射率の相違により各反射光の光強
度にばらつきが生じると、各反射鏡での反射光の光強度
の低下、或いは増加により光センサ９により検出される
電圧Ｖｓが基準電圧Ｖｒｅｆよりも低くなり、或いは高
くなるため、これを解消するように、つまり光センサ９
の検出電圧Ｖｓが基準電圧Ｖｒｅｆに対して所定の関係
となるようにレーザダイオードＬＤのレーザパワーを制
御することになる。これにより、ポリゴンミラー４の各
反射鏡の反射率にばらつきが生じている場合でも、各反
射率に対応してレーザダイオードＬＤのレーザパワーが
制御されるため、ポリゴンミラー４の各反射鏡で反射さ
れたレーザ光の光強度はそれぞれ基準電圧Ｖｒｅｆに基
づいて設定される所定の光強度に制御される。

【００１８】なお、前記サンプル制御信号は走査タイミ
ングの前にサンプルスイッチ１５をオフとし、セレクタ
制御信号はセレクタ１２を第１入力端側Ｓ１に復帰さ
せ、次のサイクルに備えられる。したがって、ＡＰＣタ
イミングの終端時から走査タイミング時にかけては、レ
ーザダイオードＬＤは光センサ９の検出電圧に基づいて
設定されたレーザパワーを維持しながらレーザ光を出射
し、これにより感光ドラム７に対してレーザ光が走査さ
れ描画が実行される。

【００１９】ここで、図４に示すように、ポリゴンミラ
ー４の第ｎ面の反射鏡の反射率Ｒ（ｎ）が所要の反射率
よりも幾分低くて、ここで反射されるレーザ光の光強度
が基準よりも低い場合には、図４（ｂ）のように、光セ
ンサ９の検出信号レベルも低くなり、比較出力Ｖｏ２の
値は大きくなるため、レーザ駆動回路１７は図４（ｃ）
のようにレーザパワーを増大させるように制御を行う。
このレーザパワーの増大に伴って図４（ｄ）のようにポ
リゴンミラー４で反射されるレーザ光の光強度も増加さ
れ、その結果、感光ドラム７におけるレーザ光強度が所
定レベルとなる。同様に、第ｎ＋１面の反射鏡の反射率
Ｒ（ｎ＋１）が所要の反射率よりもさらに低い場合に
は、前記した第ｎ面の場合と同様な制御が行われ、感光
ドラム７におけるレーザ光強度がさらに増加され所定レ
ベルとされる。逆に、第ｎ＋２面の反射鏡の反射率Ｒ
（ｎ＋２）が所要の反射率よりも高くて、ここで反射さ
れるレーザ光の光強度が基準よりも高い場合には、光セ
ンサ９の検出信号レベルは高いため、比較出力Ｖｏの値
は小さくなり、レーザ駆動回路１７はレーザパワーを低
下させるように制御を行う。この結果、ポリゴンミラー
４で反射されるレーザ光の光強度が低下され、感光ドラ
ム７におけるレーザ光強度が前記した所定レベルとな
る。

【００２０】このように、光センサ９で検出したレーザ
光の光強度に応じて瞬時にレーザパワーを制御すること
で、ポリゴンミラー４の各反射鏡での反射率のばらつき
にかかわらず、感光ドラム７上での各走査ラインにおけ
るレーザ光の光強度を所定レベルに制御することがで
き、各走査ラインにおける画像濃度を均一化し、高品質
の描画が実現できる。したがって、図６に示した従来の
ＡＰＣ制御回路でのレーザパワーの制御の状態と比較す
ると、ポリゴンミラー４の各反射鏡での反射率のばらつ
きに対する光強度のばらつきが改善され、各走査ライン
における濃度のばらつきが改善され、均一な画像濃度で
の描画が可能にされていることが判る。

【００２１】また、前記本発明の実施形態では、このよ
うなポリゴンミラー４で反射されたレーザ光の光強度を
検出する光センサ９を利用したレーザパワーの制御を行
う一方で、ＡＰＣタイミング時の初期にはモニタ用フォ
トダイオードＰＤで検出した光強度に基づいてレーザパ
ワーの制御を行うため、走査の初期や、走査が垂直方向
にずれて光センサ９に対してレーザ光が投射されない場
合が生じても、換言すれば光センサ９の検出出力が零で
比較出力が極めて高い状態とされた場合でも、その直前
にホールドコンデンサ１６で保持されている比較出力に
よるレーザパワーのみの制御が行われるため、レーザパ
ワーが過出力状態に制御されることはない。これによ
り、レーザパワーの過出力が要因とされたレーザダイオ
ードの破壊や、レーザパワーの大きな変動によるレーザ
ダイオードの寿命の短縮が抑制できる。

【００２２】なお、前記実施形態では、光センサ９は感
光ドラム７の近傍位置に設け、しかも中央処理装置ＣＰ
Ｕにおける水平同期信号を生成するための同期検出用光
センサを兼用したものとして説明したが、同期検出用光
センサとは別個の光センサとして設けることも可能であ
る。また、光センサ９はレーザ光がポリゴンミラー４で
反射された後に、感光ドラム７に対して走査を行う前に
レーザ光を検出すればよいため、図１に鎖線で示すＡ
点、Ｂ点のように、ｆθレンズ５の前側位置、あるいは
反射ミラー６の前側位置にそれぞれ配置し、これらの光
センサに対向して反射ミラー８Ａ，８Ｂを配置し、この
反射ミラー８Ａ，８Ｂで反射させたレーザ光を光センサ
９で検出するようにしてもよいことは言うまでもない。
また、前記各反射ミラー８，８Ａ，８Ｂの位置に光セン
サ９を配置して直接レーザ光を受光するようにしてもよ
い。ただし、反射ミラーを用いる方が光センサの配置ス
ペースに余裕ができる。

【００２３】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、ポリゴン
ミラーで反射されたレーザ光を光センサで検出し、レー
ザダイオードに設けられたモニタ用フォトダイオードの
検出出力と光センサの検出出力のいずれかをセレクタで
選択し、選択した検出出力を基準電圧と比較した上でレ
ーザ出力の制御を行っているので、ポリゴンミラーで反
射されたレーザ光の光強度を所定レベルに制御すること
ができ、感光体における複数の走査ラインでの光強度の
ばらつきを解消し、画像濃度の均一化を図り高品質の描
画が実現できる。また、光センサにレーザ光が照射され
ない状況の場合でも、モニタ用フォトダイオードによる
ＡＰＣ制御によってレーザパワーの制御が確保されてい
るため、レーザダイオードにおける過出力が防止でき、
レーザダイオードの破壊を防止し、かつ安定性、信頼性
の高いレーザパワー制御が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のレーザ走査記録装置の一実施形態の概
念構成を示す図である。

【図２】本発明にかかるＡＰＣ制御回路の回路図であ
る。

【図３】本発明に用いられるモニタ機能を有する半導体
レーザの一例の断面構成図である。

【図４】本発明におけるＡＰＣ制御動作を説明するため
の波形図である。

【図５】従来のＡＰＣ制御回路の一例を示す回路図であ
る。

【図６】図５のＡＰＣ制御回路におけるＡＰＣ制御動作
の波形図である。

【符号の説明】

１ レーザ光源 ４ ポリゴンミラー ５ ｆθレンズ ７ 感光ドラム ９ 光センサ １１ Ｉ／Ｖ変換器 １２ セレクタ １３ Ｉ／Ｖ変換器 １４ 比較器 １５ サンプルスイッチ １６ ホールドコンデンサ １７ レーザ駆動回路 １８ Ａ／Ｄ変換器 ＬＤ レーザダイオード ＰＤ モニタ用フォトダイオード ＣＰＵ 中央処理装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B41J 2/44

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 モニタ用フォトダイオードを一体に有す
   るレーザダイオードと、前記レーザダイオードの発光出
   力を制御するレーザ出力制御回路と、前記レーザダイオ
   ードで発光されたレーザ光を感光体に向けて走査させる
   ための複数の反射鏡を有する回転駆動されるポリゴンミ
   ラーと、このポリゴンミラーで反射されたレーザ光を検
   出する光センサと、前記モニタ用フォトダイオードの検
   出出力と光センサの検出出力のいずれかを選択するセレ
   クタと、選択された検出出力を基準電圧と比較して誤差
   信号を出力する比較器と、前記誤差信号をサンプルホー
   ルドして前記レーザ出力制御回路の制御入力とするサン
   プルホールド回路と、前記セレクタでの選択動作と前記
   サンプルホールド回路でのサンプルホールド動作の各動
   作タイミングを制御する処理装置とを備えることを特徴
   とするレーザ走査記録装置。
2. 【請求項２】 前記ポリゴンミラーで反射されたレーザ
   光の走査速度を補正するためのｆθレンズと、補正され
   たレーザ光を感光体に向けて反射させる反射ミラーを備
   え、前記光センサは前記感光体に対する描画走査領域の
   外側でかつ走査始端側の位置で、前記ｆθレンズの一側
   位置、前記反射ミラーの一側位置、前記感光体の一側位
   置のいずれかに設置される請求項１に記載のレーザ走査
   記録装置。
3. 【請求項３】 前記セレクタは、前記光センサから検出
   出力が出力されたときに当該光センサの検出出力を選択
   し、前記サンプルホールド動作が終了したときには前記
   モニタ用フォトダイオードの検出出力を選択するように
   構成されてなる請求項１又は２に記載のレーザ走査記録
   装置。
4. 【請求項４】 前記光センサは、レーザ光の走査の同期
   をとるための同期信号発生用の光センサで構成される請
   求項１ないし３のいずれかに記載のレーザ走査記録装
   置。