JP3297984B2 - Positive resist composition - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高解像度で耐熱
性、残膜性に優れたレジスト膜を与えるノボラック系の
ポジ型レジスト組成物に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novolak type positive resist composition which provides a resist film having high resolution, excellent heat resistance and excellent residual film properties.
【０００２】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
ノボラック系レジスト組成物は、ノボラック樹脂と感光
剤の二成分を主成分として調製されてきた。しかしなが
ら、より高解像度で耐熱性、残膜性に優れかつ各種露光
機の光源の波長に合ったレジスト組成物を得るため、ノ
ボラック樹脂及び感光剤の両方の面から数々の工夫がな
されてきた。ノボラック樹脂の面から一例を挙げれば、
合成するノボラック樹脂の平均分子量が小さくなるとレ
ジストとしての解像度は向上する反面、耐熱性、残膜性
に劣ったものとなる（ＢＲＥＡＫ ＴＨＲＯＵＧＨ，１
９９２年２月号，１８頁）。そのため、合成したノボラ
ック樹脂を再沈殿法等の処理によって、低分子量ノボラ
ック樹脂を除去する等の手法が提案されている。また、
感光剤の面から一例を挙げれば、露光機の光源がｇ線か
らｉ線に変化していく場合には、従来用いられてきたベ
ンゾフェノン系感光剤ではレジスト膜中を光が透過しづ
らくなるため、ｉ線での吸収のより少ない非ベンゾフェ
ノン系の感光剤を用いる等の提案がなされてきた（日経
マイクロデバイス，１９９２年４月号，４５頁）。2. Description of the Related Art
Novolak-based resist compositions have been prepared using two components, a novolak resin and a photosensitive agent, as main components. However, in order to obtain a resist composition having higher resolution, excellent heat resistance, excellent residual film properties, and suitable for the wavelength of the light source of various exposure machines, various efforts have been made from both the novolak resin and the photosensitive agent. To give an example from the viewpoint of novolak resin,
When the average molecular weight of the novolak resin to be synthesized is reduced, the resolution as a resist is improved, but the heat resistance and the residual film property are deteriorated (BREAK THROUGH, 1).
February 992, p. 18). For this reason, a method of removing the low molecular weight novolak resin from the synthesized novolak resin by a treatment such as a reprecipitation method has been proposed. Also,
For example, in terms of the photosensitizer, when the light source of the exposure machine changes from g-line to i-line, it is difficult for the benzophenone-based photosensitizer conventionally used to transmit light in the resist film. Proposals have been made to use a non-benzophenone-based photosensitizer that absorbs less at the i-line (Nikkei Microdevices, April 1992, p. 45).
【０００３】しかし、これらの手法を組み合わせ、より
高解像度のレジスト組成物を実現するためには、レジス
ト組成物の製造工程において多くの追加工程が必要とな
り、コストアップの原因につながる等の不利があった。However, in order to realize a resist composition having a higher resolution by combining these methods, many additional steps are required in the manufacturing process of the resist composition, and disadvantages such as an increase in cost are caused. there were.
【０００４】本発明は上記事情を改善するためになされ
たもので、高解像度で、かつ耐熱性、残膜性に優れたレ
ジスト膜を与えるノボラック系のポジ型レジスト組成物
を提供することを目的とする。The present invention has been made to improve the above circumstances, and has as its object to provide a novolak-based positive resist composition which provides a resist film having high resolution, excellent heat resistance and excellent residual film properties. And
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、下記一般構造式（１）で示される繰り返し単位を
有するクレゾール又はキシレノールノボラック樹脂等の
アルカリ可溶性樹脂において、部分的に１，２−ナフト
キノンジアジド−４又は５−スルホン酸エステル化され
た重量平均分子量１，０００〜１０，０００の樹脂１０
０重量部に対して、下記一般式（２）で示されるフェノ
ール性水酸基を有する溶解促進剤を０．５〜１０重量部
の範囲で配合した組成物が、均一性に優れ、高感度、高
解像度で、耐熱性、残膜性に優れたレジスト皮膜を与え
ることを知見し、本発明をなすに至ったものである。Means for Solving the Problems and Embodiments of the Invention The present inventors have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, have found that cresol having a repeating unit represented by the following general structural formula (1) or In an alkali-soluble resin such as a xylenol novolak resin, a resin having a weight-average molecular weight of 1,000 to 10,000 partially esterified with 1,2-naphthoquinonediazide-4 or 5-sulfonic acid.
A composition in which a dissolution promoter having a phenolic hydroxyl group represented by the following general formula (2) is blended in an amount of 0.5 to 10 parts by weight with respect to 0 parts by weight has excellent uniformity, high sensitivity, and high sensitivity. The inventors have found that a resist film having excellent resolution, heat resistance, and residual film properties can be provided, and the present invention has been accomplished.
【０００６】[0006]
【化３】 （式中、Ｒはその２〜２７モル％が１，２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル残基及び／又は
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル残基であり、残部が水素原子である。ｋは０〜３の整
数、ｓは上記重量平均分子量を満たす数である。）Embedded image (In the formula, R represents 2-27 mol% of 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester residue and / or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester residue, and the remainder is hydrogen. K is an integer of 0 to 3, and s is a number satisfying the weight average molecular weight.)
【０００７】[0007]
【化４】 （式中、ｍ，ｐはそれぞれ０〜３の整数、ｎは１又は
２、ｑは１〜３、ｒは１又は２の整数である。）Embedded image (In the formula, m and p are each an integer of 0 to 3, n is 1 or 2, q is 1 to 3, and r is an integer of 1 or 2.)
【０００８】以下、本発明につき更に詳しく説明する。Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
【０００９】本発明のポジ型レジスト組成物は、下記一
般構造式（１）で示される繰り返し単位を有する重量平
均分子量１，０００〜１０，０００の樹脂と、下記一般
式（２）で示されるフェノール性水酸基を有する溶解促
進剤とを主成分とし、前記樹脂１００重量部に対して前
記溶解促進剤を０．５〜１０重量部の割合で含有し、更
にこれらを溶解する溶剤を含有してなるものである。The positive resist composition of the present invention comprises a resin having a weight average molecular weight of 1,000 to 10,000 having a repeating unit represented by the following general structural formula (1) and a resin represented by the following general formula (2) A dissolution promoter having a phenolic hydroxyl group as a main component, containing the dissolution promoter in a ratio of 0.5 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin, further containing a solvent for dissolving these. It becomes.
【００１０】[0010]
【化５】 Embedded image
【００１１】ここで、式（１）中、Ｒは水素原子、１，
２−ナフトキノンジアジド−４又は５−スルホン酸エス
テル残基であり、かつスルホン酸エステル残基の割合が
２〜２７モル％、より好ましくは３〜１０モル％であ
り、ｋは０〜３の整数、またｓは上記重量平均分子量を
満たす数である。エステル化率が２モル％未満の場合に
は、パターン未露光部のアルカリ現像液に対する溶解阻
止効果が十分ではなく、ポジ型パターンが得られず、ま
た２７モル％を超える場合には、露光部のアルカリ水溶
液に対する溶解性が十分ではなく、解像性が劣る。Here, in the formula (1), R is a hydrogen atom,
2-naphthoquinonediazide-4 or 5-sulfonic acid ester residue, and the ratio of the sulfonic acid ester residue is 2 to 27 mol%, more preferably 3 to 10 mol%, and k is an integer of 0 to 3. And s is a number satisfying the weight average molecular weight. When the esterification ratio is less than 2 mol%, the effect of inhibiting the dissolution of the unexposed areas in the alkali developing solution is not sufficient, and a positive pattern cannot be obtained. Is not sufficiently soluble in an aqueous alkali solution, resulting in poor resolution.
【００１２】また、この樹脂の重量平均分子量は１，０
００〜１０，０００、より好ましくは２，０００〜８，
０００であり、１，０００未満では耐熱性が十分ではな
く、また１０，０００を超えるとパターン形成時の解像
性、感度に劣る。The weight-average molecular weight of this resin is 1,0.
00 to 10,000, more preferably 2,000 to 8,
If it is less than 1,000, the heat resistance is not sufficient, and if it exceeds 10,000, the resolution and sensitivity during pattern formation are poor.
【００１３】式（２）中のｍ，ｐはそれぞれ０〜３の整
数、ｎは１又は２、ｑは１〜３、ｒは１又は２の整数で
ある。In the formula (2), m and p are each an integer of 0 to 3, n is 1 or 2, q is 1 to 3, and r is an integer of 1 or 2.
【００１４】このようなフェノール性水酸基を有する溶
解促進剤として具体的には、下記のものが挙げられる。Specific examples of such a dissolution promoter having a phenolic hydroxyl group include the following.
【００１５】[0015]
【化６】 Embedded image
【００１６】[0016]
【化７】 Embedded image
【００１７】[0017]
【化８】 Embedded image
【００１８】[0018]
【化９】 Embedded image
【００１９】[0019]
【化１０】 Embedded image
【００２０】これらのフェノール性水酸基を有する溶解
促進剤の添加量は、樹脂１００重量部に対して０．５〜
１０重量部であることが必要である。０．５重量部より
少ない場合には、高感度化が十分に達成し得ず、１０重
量部を超える場合には、露光、現像後のパターン形状に
おいてマイクログルーブと呼ばれるレジストパターンボ
トム部に生じる変形が起こり、パターン矩形性に劣る。The amount of the dissolution promoter having a phenolic hydroxyl group to be added is 0.5 to 100 parts by weight of the resin.
It must be 10 parts by weight. If the amount is less than 0.5 part by weight, high sensitivity cannot be sufficiently attained. If the amount exceeds 10 parts by weight, deformation occurring at the bottom of the resist pattern called microgroove in the pattern shape after exposure and development. Occurs, resulting in poor pattern rectangularity.
【００２１】本発明のポジ型レジスト組成物は、樹脂と
溶解促進剤を好ましくは固形分濃度が１０〜６０重量部
となるように適当な溶剤に溶解して得られる。The positive resist composition of the present invention is obtained by dissolving a resin and a dissolution accelerator in a suitable solvent so that the solid concentration is preferably 10 to 60 parts by weight.
【００２２】溶剤としては、例えばエチレングリコール
モノアルキルエーテル及びそのアセテート類、プロピレ
ングリコールモノアルキルエーテル及びそのアセテート
類、ジエチレングリコールモノ或いはジアルキルエーテ
ル類、乳酸アルキルエステル類、アルコキシプロピオン
酸アルキルエステル類、メチルイソブチルケトン、シク
ロヘキサノン等のケトン類、酢酸ブチル等の酢酸エステ
ル類などが挙げられる。これらの溶剤は、単独で又は２
種類以上を混合して用いることができる。Examples of the solvent include ethylene glycol monoalkyl ether and its acetates, propylene glycol monoalkyl ether and its acetates, diethylene glycol mono- or dialkyl ethers, lactate alkyl esters, alkoxypropionate alkyl esters, and methyl isobutyl ketone. And ketones such as cyclohexanone, and acetates such as butyl acetate. These solvents can be used alone or
More than one kind can be mixed and used.
【００２３】また、本発明の組成物には、必要に応じて
塗布性を改良するために、ノニオン系、フッ素系、シリ
コーン系等の界面活性剤を添加することができる。The composition of the present invention may optionally contain a surfactant such as a nonionic, fluorine-based, or silicone-based surfactant to improve coating properties.
【００２４】本発明のポジ型レジスト組成物を用いて放
射線照射によるレジストパターンを形成する際の使用法
は、特に限定されるものではなく、慣用の方法に従って
行うことができる。The method of forming a resist pattern by irradiation with radiation using the positive resist composition of the present invention is not particularly limited, and it can be carried out according to a conventional method.
【００２５】例えば本発明の組成物溶液をシリコンウエ
ハー等の基材上にスピンコートし、プリベークする。そ
の後、プロキシミティーアライナーやステッパー等の露
光装置によって、紫外線を照射し、更に、現像、リンス
することによって目的とするレジストパターンを形成す
ることができる。なお、現像液としては、水酸化ナトリ
ウム、炭酸ナトリウム等の無機アルカリ水溶液、トリエ
タノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、コリン等の有機アルカリ水溶液を使用することがで
きる。For example, the composition solution of the present invention is spin-coated on a substrate such as a silicon wafer and prebaked. Thereafter, ultraviolet rays are irradiated by an exposure device such as a proximity aligner or a stepper, and further, development and rinsing are performed to form a desired resist pattern. As the developer, an aqueous solution of an inorganic alkali such as sodium hydroxide or sodium carbonate, or an aqueous solution of an organic alkali such as triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, or choline can be used.
【００２６】[0026]
【発明の効果】本発明のレジスト組成物は、アルカリ可
溶性樹脂と感光剤との両方の性能を兼備したノボラック
樹脂と、フェノール性水酸基を有する溶解促進剤とを主
成分としたもので、均一性に優れ、高感度、高解像度
で、耐熱性、残膜性に優れたポジ型レジスト材料として
好適に使用し得る。The resist composition of the present invention comprises a novolak resin having the performance of both an alkali-soluble resin and a photosensitive agent, and a dissolution promoter having a phenolic hydroxyl group as main components. It can be suitably used as a positive resist material which has excellent sensitivity, high sensitivity, high resolution, and excellent heat resistance and residual film properties.
【００２７】[0027]
【実施例】以下、合成例、実施例及び比較例を示して本
発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限
されるものではない。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Synthesis Examples, Examples, and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.
【００２８】また、各例においてレジスト組成物の諸性
能の評価は下記の方法によって行った。 （１）アルカリ可溶性樹脂の平均重量分子量Ｍｗ 東洋ソーダ社製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００Ｈ6２本、Ｇ
３０００Ｈ6３本、Ｇ４０００Ｈ6１本）を用い、流量
１．５ｍｌ／分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム
温度４０℃の分析条件で単分散ポリスチレンを標準とし
てＧＰＣ法によって測定した。 （２）レジスト膜厚 大日本スクリーン社製スピンコーター（ＳＫＷ−６３６
−ＢＶ）を用い、ＨＭＤＳ処理をしたシリコンウエハー
上に調製したレジスト組成物を塗布し、１００℃×１２
０秒、ホットプレート上でソフトベークした後、ナノス
ペックＭ２１０（商品名：光学的膜厚測定装置）でレジ
スト膜厚を測定した。 （３）最適露光量Ｅｏｐ ニコン社製ｉ線（３６５ｎｍ）露光装置ＮＳＲ−１７５
５ｉ７Ａ（レンズの開口数ＮＡ＝０．５０）で露光時間
を変化させて露光した後、テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド（ＴＭＡＨ）の２．３８％水溶液を現
像液として用い、２３℃×１５０秒間のパドル現像を行
い、純水リンスをした後、スピンドライを行った。次い
で、日立製作所社製電子顕微鏡（Ｓ−４１００）にて１
０μｍのラインアンドスペースパターンを１：１の比率
の幅に形成していた時の露光エネルギーを最適露光量Ｅ
ｏｐ（感度）と定義し、求めた。 （４）解像度 上記（３）における最適露光量Ｅｏｐにおける分離解像
度を示した。 （５）耐熱性 パターニング形成されたシリコンウエハー上のレジスト
膜を更にホットプレート上で１３０℃にて５分間加熱
し、１０μｍのラインアンドスペースのパターン形状が
加熱後も保持されているかどうかで判断した。In each example, the evaluation of various properties of the resist composition was performed by the following methods. (1) weight average molecular weight Mw Toyo Soda Co. GPC column of the alkali-soluble resin (G2000H 6 2 present, G
Using 3000H 6 ( 3 pieces, G4000H 6 1 piece), a flow rate of 1.5 ml / min, an eluting solvent of tetrahydrofuran, and a column temperature of 40 ° C. were analyzed by a GPC method using monodisperse polystyrene as a standard. (2) Resist film thickness Spin coater manufactured by Dainippon Screen (SKW-636)
-BV), the prepared resist composition was applied on a silicon wafer that had been subjected to HMDS treatment,
After soft baking on a hot plate for 0 second, the resist film thickness was measured using Nanospec M210 (trade name: optical film thickness measuring device). (3) Optimal exposure dose Eop Nikon i-line (365 nm) exposure apparatus NSR-175
Exposure was performed by changing the exposure time with 5i7A (numerical aperture of the lens: NA = 0.50), and a paddle of 23 ° C. × 150 seconds using a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) as a developing solution. After development and rinsing with pure water, spin drying was performed. Next, 1 electron microscope (S-4100) manufactured by Hitachi, Ltd.
When a 0 μm line-and-space pattern is formed in a width of 1: 1 ratio, the exposure energy is adjusted to the optimum exposure amount E.
It was defined as op (sensitivity) and determined. (4) Resolution The separation resolution at the optimum exposure amount Eop in the above (3) is shown. (5) Heat resistance The patterned resist film on the silicon wafer was further heated on a hot plate at 130 ° C. for 5 minutes, and it was determined whether or not the 10 μm line and space pattern shape was maintained after the heating. .
【００２９】〔合成例〕撹拌機、コンデンサー、温度計
を具備した３つ口フラスコにｐ−クレゾール５０モル
％、ｍ−クレゾール５０モル％を原料とする重量平均分
子量５，７００のノボラック樹脂１３０ｇ、１，２−ナ
フトキノン−２−ジアジド−５−スルホニルクロリド１
４．１ｇ、１，４−ジオキサン６５０ｇを仕込み、溶解
した。この溶液に室温でトリエチルアミン５．６ｇを滴
下した。滴下終了後、２時間室温で撹拌し、次いで反応
溶液を大量の０．１Ｎ塩酸水溶液中に投入して、析出し
た樹脂を回収した。回収した樹脂を減圧乾燥機で乾燥し
て、１３５ｇの目的とする感光性樹脂（Ａ）を得た。[Synthesis Example] In a three-necked flask equipped with a stirrer, a condenser and a thermometer, 130 g of a novolak resin having a weight-average molecular weight of 5,700 and starting with 50 mol% of p-cresol and 50 mol% of m-cresol, 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonyl chloride 1
4.1 g and 650 g of 1,4-dioxane were charged and dissolved. To this solution, 5.6 g of triethylamine was added dropwise at room temperature. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at room temperature for 2 hours, and then the reaction solution was poured into a large amount of a 0.1N hydrochloric acid aqueous solution to recover a precipitated resin. The collected resin was dried with a vacuum drier to obtain 135 g of the desired photosensitive resin (A).
【００３０】〔実施例１〕上記合成例で得られた部分的
に１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホニ
ルエステル化されたノボラック樹脂（Ａ）１００ｇ、溶
解促進剤として前記Ｃ−３４で示される化合物３．０
ｇ、フッ素系界面活性剤フロリナートＦＣ−４３０（住
友スリーエム製）０．０３ｇをエチルラクテート１５０
ｇに溶解した。この溶液を０．５μｍのフィルターで濾
過して目的とするポジ型レジスト組成物を得た。得られ
た組成物をシリコンウエハー上にスピンコートし、その
後ホットプレート上で１００℃×１２０秒でプリベーク
して、膜厚６．０μｍの皮膜を形成した。これをｉ線ス
テッパーＮＳＲ−１７５５ｉ７Ａ（ニコン社製）にて露
光し、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液にて現像した。このときの露光量は６２０ｍ
Ｊ／ｃｍ2で、１．５μｍのストライプパターンを形成
することが可能であった。Example 1 100 g of partially 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonylesterified novolak resin (A) obtained in the above synthesis example, and C-34 as a dissolution accelerator Compound 3.0 represented by
g, 0.03 g of a fluorinated surfactant Fluorinert FC-430 (manufactured by Sumitomo 3M) in ethyl lactate 150
g. This solution was filtered through a 0.5 μm filter to obtain a desired positive resist composition. The obtained composition was spin-coated on a silicon wafer, and then prebaked on a hot plate at 100 ° C. for 120 seconds to form a film having a thickness of 6.0 μm. This was exposed with an i-line stepper NSR-1755i7A (manufactured by Nikon Corporation) and developed with a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide. The exposure amount at this time is 620 m
At J / cm 2 , it was possible to form a 1.5 μm stripe pattern.
【００３１】〔実施例２〜５、比較例１，２〕上記実施
例１と同様にしてノボラック樹脂（Ａ）、各種溶解促進
剤、フッ素系界面活性剤及び溶剤を配合して得られたポ
ジ型レジスト組成物を実施例１と同様な方法でシリコン
ウエハー上にスピンコートし、露光、現像を行った。上
記実施例の結果を表１に、比較例の結果を表２に示す。Examples 2 to 5, Comparative Examples 1 and 2 Positive compounds obtained by blending novolak resin (A), various dissolution promoters, fluorine-based surfactants and solvents in the same manner as in Example 1 above. The mold resist composition was spin-coated on a silicon wafer in the same manner as in Example 1, and exposed and developed. Table 1 shows the results of the above examples, and Table 2 shows the results of the comparative examples.
【００３２】[0032]
【表１】 [Table 1]
【００３３】[0033]
【表２】 [Table 2]
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 優 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社 シリコーン電 子材料技術研究所内 (72)発明者 犬飼 鉄也 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社 シリコーン電 子材料技術研究所内 (72)発明者 加藤 英人 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社 シリコーン電 子材料技術研究所内 (56)参考文献 特開 平４−11260（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−279958（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−287392（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−92671（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−5995（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/023 501 G03F 7/004 501 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor: Yu Kobayashi 1-10 Hitomi, Matsuida-machi, Usui-gun, Gunma Prefecture Inside Silicone Electronics Materials Research Laboratory, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (72) Inventor Tetsuya Inukai Matsui, Usui-gun, Gunma Prefecture 1-10 Tenmachi Hitomi, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicone Electronics Materials Research Laboratory (72) Inventor Hideto Kato 1-10 Hitomi, Matsuida-machi, Usui-gun, Gunma Prefecture Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicone Electronic Materials Technology Research In-house (56) References JP-A-4-11260 (JP, A) JP-A-3-279958 (JP, A) JP-A-7-287392 (JP, A) JP-A-7-92671 (JP, A) JP-A-9-5995 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G03F 7/023 501 G03F 7/004 501
Claims (1)
し単位を有する重量平均分子量１，０００〜１０，００
０の樹脂と、下記一般式（２）で示されるフェノール性
水酸基を有する溶解促進剤とを主成分とし、前記樹脂１
００重量部に対して前記溶解促進剤を０．５〜１０重量
部の割合で含有し、更にこれらを溶解する溶剤を含有し
てなる（但し、１分子中に芳香族基を３つ以上有する成
分の含有量が９０重量％以上で、重量平均分子量が１
０，０００以上のフェノール・ホルムアルデヒド樹脂を
含む場合を除く）ことを特徴とするポジ型レジスト組成
物。 【化１】 （式中、Ｒはその２〜２７モル％が１，２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル残基及び／又は
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル残基であり、残部が水素原子である。ｋは０〜３の整
数、ｓは上記重量平均分子量を満たす数である。） 【化２】 （式中、ｍ，ｐはそれぞれ０〜３の整数、ｎは１又は
２、ｑは１〜３、ｒは１又は２の整数である。）1. A weight average molecular weight having a repeating unit represented by the following general structural formula (1): 1,000 to 10,000.
And a dissolution promoter having a phenolic hydroxyl group represented by the following general formula (2) as a main component.
The dissolution promoter is contained in a proportion of 0.5 to 10 parts by weight with respect to 00 parts by weight, and further contains a solvent for dissolving the same (provided that three or more aromatic groups are contained in one molecule). When the content of the component is 90% by weight or more and the weight average molecular weight is 1
A positive resist composition comprising phenol-formaldehyde resin of not less than 000). Embedded image (In the formula, R represents 2-27 mol% of 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester residue and / or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester residue, and the remainder is hydrogen. K is an integer of 0 to 3, and s is a number that satisfies the above weight average molecular weight.) (In the formula, m and p are each an integer of 0 to 3, n is 1 or 2, q is 1 to 3, and r is an integer of 1 or 2.)
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP24425996A JP3297984B2 (en) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | Positive resist composition |
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