JP3297760B2

JP3297760B2 - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法

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Publication number: JP3297760B2
Application number: JP34721192A
Authority: JP
Inventors: 浩亮成沢
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-12-25
Filing date: 1992-12-25
Publication date: 2002-07-02
Anticipated expiration: 2017-07-02
Also published as: JPH06195648A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に記録された信号を再生するのに好適な磁気抵抗効果型
磁気ヘッド及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、ハードディスク・ドライブ（駆
動装置）の記録再生ヘッドとしては、従来、磁性金属薄
膜を磁気コアとして使用する磁気誘導型の薄膜磁気ヘッ
ド（以下、インダクティブヘッドと称する。）が用いら
れている。しかし、ハードディスクに記録される記録信
号は益々短波長化し、上記インダクティブヘッドでは短
波長信号に対する再生感度が不十分で、このような短波
長化に対応しきれなくなってきている。このため、最近
では、記録用ヘッドとして上記インダクティブヘッド
を、信号再生用ヘッドとして短波長感度に優れた磁気抵
抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称する。）を併せ
持つ複合型ヘッドが採用される方向にある。

【０００３】上記複合型ヘッドにおいてＭＲヘッドは、
遷移金属に見られる磁化の向きとその内部を流れる電流
の向きのなす角によって、電気抵抗値が変化する磁気抵
抗効果現象を利用した再生ヘッドである。すなわち、磁
気記録媒体からの漏洩磁束をＭＲ磁性薄膜が受けると、
その磁束により上記ＭＲ磁性薄膜の磁化の向きが回転
し、当該ＭＲ磁性薄膜内部に流れる電流の向きに対して
磁性量に応じた角度をもつようになる。それ故にＭＲ磁
性薄膜の電気抵抗値は変化し、この変化量に応じた電圧
変化が電流を流しているＭＲ磁性薄膜の両端の電極に現
れるので電圧信号として磁気記録信号を読み出せること
になる。

【０００４】このようなＭＲヘッドとしては、上記ＭＲ
磁性薄膜よりなるＭＲ素子と、該ＭＲ素子に所用の磁界
状態を与えるバイアス導体が上部磁性体，下部磁性体の
間に絶縁層を介して挟み込まれたシールド型のものが一
般的である。

【０００５】上記シールド型のＭＲヘッドは、具体的に
は、上記構成要素とともにＭＲ素子，バイアス導体にそ
れぞれ電流を供給するための電流導出入部となるリード
電極（以下，ＭＲリード電極，バイアスリード電極と称
する。）を有した構成、すなわちＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ等
よりなる非磁性基体上に、直接、下部磁性体，ＭＲリー
ド電極，バイアスリード電極が形成され、この上にＭＲ
素子，バイアス導体，上記ＭＲリード電極とＭＲ素子を
電気的に接続するＭＲ導体，上部磁性体がそれぞれ間に
絶縁膜を介して順次形成された構成とされる。なお、こ
れら各構成要素は、いずれもスパッタ法，蒸着法，メッ
キ法等の薄膜形成技術とエッチング技術の併用によって
形成される金属薄膜あるいは絶縁薄膜である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
ＭＲヘッドにおいて、消費電力を小さく抑える手法とし
ては、ＭＲ素子，バイアス導体に電流を供給するための
バイアスリード電極，ＭＲリード電極の電気抵抗を小さ
くすることが効果的である。

【０００７】ここで導電体において、電気抵抗は、ρＬ
／Ｓ（ρ：電気抵抗率，Ｌ：導体の長さ，Ｓ：導体の断
面積）で表され、電気抵抗を低めるには、長さを短くす
る、あるいは幅を広くするか厚さを厚くして断面積を大
きくすることが考えられる。

【０００８】しかし、上記ＭＲヘッドにおいてＭＲリー
ド電極，バイアスリード電極の長さは、元々占有面積を
小さくする観点からほとんど限界にまで短縮化されてお
り、またＭＲリード電極，バイアスリード電極の幅を広
くするとこれらによって占有される面積が広くなり好ま
しくない。したがって、これらリード電極の電気抵抗を
現状より低くするには厚さを厚くすることによって行う
他ないのが実情である。

【０００９】ところが、ＭＲリード電極，バイアスリー
ド電極の厚さを単純に厚くしていくと、図１７，図１８
に示すようにリード電極３１によって形成される段差に
よってこの上に形成される各構成要素の被着性が劣化
し、特に被着面が鋭角となる導体端縁部付近３３におい
て絶縁膜３２の段切れが生じ、絶縁不良が誘発されると
いった不都合が生じる。

【００１０】そこで、本発明はバイアスリード電極，Ｍ
Ｒリード電極を厚膜化した場合でも各構成要素が良好な
被着性を持って形成され、絶縁不良等の品質劣化を生ず
ることなくバイアスリード電極，ＭＲリード電極の電気
抵抗を低減することが可能な磁気抵抗効果型磁気ヘッド
及びその製造方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、基板上に
下部磁性体，磁気抵抗効果素子，前記磁気抵抗効果素子
と接続される磁気抵抗効果素子導体，バイアス導体，磁
気抵抗効果素子導体に接続されるリード電極，バイアス
導体に接続されるリード電極，上部磁性体が積層されて
なる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、下部磁性体，
リード電極が形成された形成面に絶縁膜が埋め込まれて
該形成面が平坦化され、この平坦化された面上に磁気抵
抗効果素子，バイアス導体，磁気抵抗効果素子導体，下
部磁性体が間に絶縁層を介して積層されてなることを特
徴とするものである。

【００１２】また、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法は、絶縁性基板上に下部磁性体を形成すると
ともに該下部磁性体と重ならない部分にリード電極を形
成する工程と、上記下部磁性体とリード電極上を被って
絶縁膜を形成し、該絶縁膜を研磨加工して平坦化すると
ともに下部磁性体とリード電極を露出させる工程と、上
記下部磁性体上に第１の絶縁膜を形成し、該第１の絶縁
膜上に磁気抵抗効果素子を形成する工程と、上記磁気抵
抗効果素子上に第２の絶縁膜を形成し、該第２の絶縁膜
上に磁気抵抗効果素子導体及びバイアス導体を形成する
工程と、上記磁気抵抗効果素子導体及びバイアス導体形
成面上に第３の絶縁膜を形成し、該第３の絶縁膜上に上
部磁性体を形成する工程よりなるものである。

【００１３】

【作用】本発明においては、基板上に下部磁性体，ＭＲ
リード電極，バイアスリード電極を直接形成した後、こ
の形成面に絶縁膜を埋め込むことで表面平坦化し、この
平坦化された面上にＭＲ素子，バイアス導体，ＭＲ素子
導体，上部磁性体を間に絶縁膜を介して形成する。

【００１４】このように下部磁性体，ＭＲリード電極，
バイアスリード電極の形成面に絶縁膜を埋め込むことで
表面平坦化すると、ＭＲリード電極，バイアスリード電
極の厚さを厚くした場合でも、この上に形成される各構
成要素は平坦面上であるので良好な被着性を持って形成
され、絶縁膜の段切れ等が生じることがない。したがっ
て、絶縁不良等の品質劣化を生ずることなくＭＲリード
電極，バイアスリード電極の電気抵抗の低減が達成され
る。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の好適な実施例について図面を
参照しながら説明する。本実施例のＭＲヘッドは、ＭＲ
素子，バイアス導体が上部磁性体，下部磁性体の間に絶
縁膜を介して挟み込まれてなるいわゆるシールド構造の
ＭＲヘッドである。

【００１６】すなわち、上記ＭＲヘッドは、図１及び図
２に示すようにＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ等よりなる非磁性基
板１上に下部磁性体２，ＭＲリード電極３，４，バイア
スリード電極５が直接形成され、この上にＭＲ素子６，
バイアス導体９，ＭＲ導体７，８及び上部磁性体１０
が、間に絶縁膜１４ａ，１４ｂ，１４ｃを介して順次形
成されてなる。そして、このＭＲヘッドにおいては、磁
気記録媒体対接面Ｃにおいて上記ＭＲ素子６の一端が露
出されることにより再生ギャップが形成されるようにな
っている。

【００１７】上記ＭＲ素子６は、図２に示すように長方
形パターンとして形成され、その長手方向が上記磁気記
録媒体対接面Ｃに対する直交方向となるように設けられ
るとともに、その一端縁が上記磁気記録媒体対接面Ｃに
臨んで露出されている。なお、上記ＭＲ素子６は、磁気
抵抗効果を有する強磁性体薄膜，例えばＮｉ−Ｆｅ，Ｎ
ｉ−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ等からなっている。

【００１８】このＭＲ素子６には、磁気記録媒体対接面
Ｃ側である前端部にＭＲ前端導体７が接続され、該ＭＲ
前端導体７は下部磁性体２を介してＭＲ前端リード電極
３に電気的に接続されている。また、ＭＲ素子６の後端
部にはＭＲ後端導体８が接続され、該ＭＲ後端導体８は
ＭＲ後端電極４に電気的に接続されている。したがっ
て、ＭＲ前端リード電極３，ＭＲ後端リード電極４を直
流電源と接続し電流を供給すると、ＭＲ前端リード電極
３，下部磁性体２，ＭＲ前端導体７，ＭＲ素子６，ＭＲ
後端導体８，ＭＲ後端リード電極４を通って電流が流
れ、ＭＲ素子６にセンス電流が供給される。

【００１９】上記ＭＲ前端導体７は、上部磁性体の下地
層として積層され、上部磁性体と略同一の形状で形成さ
れている。このＭＲ前端導体７は、ＭＲ素子の前端部と
接続窓部を介して電気的に接続されている。上記下部磁
性体２は、基板１上に直接積層されるとともにその先端
部が磁気記録媒体対接面Ｃに臨んで露出されている。上
記ＭＲ前端電極３は幅狭の長方形状をなす配線パターン
として上記下部磁性体２から磁気記録媒体対接面に対し
て平行となるように延在して設けられている。

【００２０】一方、ＭＲ素子６の後端部に接続される上
記ＭＲ後端導体８は、平面形状が幅広の長方形状をなす
配線パターンとして形成され、上部磁性体１０と下部磁
性体２の間に絶縁膜を介して設けられ、その一端部が上
記ＭＲ素子６の後端部に積層されるとともにその長手方
向が磁気記録媒体対接面に対して直交方向となるように
設けられている。また、上記ＭＲ後端電極４は、幅狭の
長方形状をなす配線パターンとして形成され、上記基板
１上の下部磁性体２のバック側に磁気記録媒体対接面Ｃ
に対して平行となり、且つＭＲ後端導体８の後端部とそ
の一端が重なるようにして直接積層されている。このＭ
Ｒ後端電極４は、ＭＲ後端電極４とＭＲ後端導体８の互
いに重なる部分に亘ってコンタクトホール１７が形成さ
れることによってＭＲ後端導体８と電気的に接続されて
いる。

【００２１】なお、上記下部磁性体２の材料としては、
例えばＮｉ−Ｆｅ等が用いられ、上記ＭＲ前端リード電
極３，ＭＲ後端リード電極の材料は、Ｔｉ等の非磁性且
つ導電性を有する金属材料が用いられる。

【００２２】上記バイアス導体９は、上記ＭＲ素子６に
所要の磁化の向きの磁界状態を与えるものである。この
バイアス導体９は、平面形状が幅狭の長方形状をなす配
線パターンとして形成され、上記ＭＲ素子６上に絶縁膜
を介して所定の距離を隔てて積層されている。また、こ
のバイアス導体９は、上記ＭＲ素子６に対して略直交す
る方向，つまりＭＲ素子６を横切る形で設けられてい
る。

【００２３】このバイアス導体９の両端部には、該バイ
アス導体９に直流電源からのバイアス電流を通電するた
めのバイアスリード電極５がそれぞれ接続されている。
このバイアスリード電極５から直流電流を供給すること
により、上記バイアス導体９の長手方向に電流が通電
し、磁気記録媒体対接面と直交する方向にバイアス磁界
が発生して上記ＭＲ素子６に印加される。

【００２４】上記バイアスリード電極５は、平面形状が
略Ｌ字状の配線パターンとして形成され、その一端がバ
イアスリード電極５の一端と重なるように基板１上に直
接積層されている。そしてこのバイアスリード電極５
は、該バイアスリード電極５とバイアス導体９とが互い
に重なる部分に亘ってコンタクトホール１６が形成され
ることによってバイアス導体９と電気的に接続されてい
る。

【００２５】そして、このＭＲヘッドにおいては、上記
ＭＲ素子６をシールドするために上記下部磁性体２とと
もに上部磁性体１０が設けられている。上記上部磁性体
１０は、上記ＭＲ前端電極３上に積層されて形成されて
いる。なお、上記上部磁性体１０の材料としても上記下
部磁性体２において例示したものが使用される。

【００２６】ここで、以上の説明のように上記ＭＲヘッ
ドにおいてＭＲ素子６にセンス電流を供給するためのＭ
Ｒ前端リード電極３，ＭＲ後端リード電極４，バイアス
導体９に電流を供給するための一対のバイアスリード電
極５は上部磁性体１０とともに基板１上に直接形成され
る。

【００２７】上記ＭＲヘッドでは、このような上部磁性
体１０，ＭＲ前端リード電極３，ＭＲ後端リード電極
４，バイアスリード電極５が形成された面に絶縁膜が埋
め込まれて表面平坦化されており、これによりこれらリ
ード電極を厚膜化した場合でもこの上に形成される各構
成要素が良好な被着性を持って形成できるようになって
いる。したがって、品質劣化を生ずることなくリード電
極の厚膜化による抵抗値の低減が可能となり、これによ
り消費電力の削減が達成されることとなる。

【００２８】また、リード電極が厚膜であると、電気抵
抗が低減するとともにコンタクトホールをエッチングに
て形成するに際してリード電極層までもがエッチングさ
れるといったオーバーエチングが生じても、リード電極
がほとんど失われて断線するといった事態が回避され
る。上記方法を採用するとこのような効果も得ることが
でき、歩留りの向上が望める。

【００２９】このようなＭＲヘッドは以下のようにして
作製される。

【００３０】すなわち、図３に示すようにＡｌ₂Ｏ₃−
ＴｉＣ等よりなる非磁性基体１上に、Ｆｅ−Ｎｉ等の磁
性材料膜をスパッタ法あるいはメッキ法によって成膜
し、エッチングにて所定の形状に成形加工して下部磁性
体２を形成する。なお、ここでは下部磁性体２の膜厚
は、１．５〜２．５μｍとした。

【００３１】次いで、図４，図５に示すように下部磁性
体２と重ならない領域にＣｕ等の導電性材料膜をパター
ンメッキ法により成膜してＭＲ前端リード電極３，ＭＲ
後端リード電極４及び一対のバイアスリード電極５を形
成する。なお、ここではこれら電極の膜厚は、１．５〜
２．５μｍとした。

【００３２】そして、下部磁性体２，ＭＲリード電極
３，４，バイアス電極５が形成された面に絶縁膜を埋め
込み表面平坦化する。表面平坦化は、例えば以下のよう
にして行う。

【００３３】すなわち、図６に示すようにＡｌ₂Ｏ₃等
の絶縁性材料を下部磁性体２，ＭＲリード電極３，４，
バイアスリード電極５が形成された形成面を覆う如く被
着形成してこれら下部磁性体２，ＭＲリード電極３，
４，バイアスリード電極５の暑さ以上の膜厚で絶縁膜１
５を成膜する。なお、ここでは、絶縁膜の膜厚は、３〜
５μｍとした。そして、図７に示すように該絶縁膜の表
面を機械研磨して下部磁性体２，ＭＲリード電極３，
４，バイアスリード電極５を露出させる。なお、平坦化
した後の膜厚は、１〜２μｍであった。その結果、下部
磁性体２，ＭＲリード電極３，４，バイアスリード電極
５の間にのみこれらと膜厚を同じくして絶縁膜１５が残
存し、表面が平坦な状態となる。

【００３４】以上のようにして下部磁性体２，ＭＲリー
ド電極３，４，バイアスリード電極５の形成面を平坦化
した後、図８に示すように平坦化された平坦面上にＡｌ
₂Ｏ ₃等の絶縁性材料膜をスパッタ法により成膜して第
１の絶縁膜１４ａを形成する。このとき第１の絶縁膜１
４ａは平坦面上であるので良好な被着性をもって形成さ
れる。

【００３５】そして、上記第１の絶縁膜１４ａ上に、磁
気抵抗効果を有するＦｅ−Ｎｉ等のＭＲ磁性薄膜をスパ
ッタ法あるいは蒸着法により成膜し、エッチングにてパ
ターニングする。

【００３６】その結果、平面形状が長方形パターンをな
し、その一端縁が磁気記録媒体対接面に臨んでおり、且
つその長手方向がこの磁気記録媒体対接面に対して略直
交するＭＲ素子６が形成される。

【００３７】次に、図９に示すように、上記ＭＲ素子６
上にＡｌ₂Ｏ₃等の絶縁性材料膜をスパッタ法により覆
う如く成膜して第２の絶縁膜１４ｂを形成する。

【００３８】そして、図１０に示すようにＭＲ素子６の
後端部からバック側に積層される第２の絶縁膜１４ｂを
エッチングによって除去してＭＲ素子６の後端部を露出
させるとともに後工程で形成されるＭＲ後端導体とＭＲ
後端リード電極４を接続するためのコンタクトホール１
７とやはり後工程で形成されバイアス導体とバイアスリ
ード電極５を電気的に接続するコンタクトホールを形成
する。

【００３９】次いで、図１１に示すように上記第２の絶
縁膜１４ｂ上にＴｉ，Ｃｕ，ＴｉをＴｉ／Ｃｕ／Ｔｉの
順にスパッタ法にて被着形成して導体膜を成膜し、エッ
チングにて所定の形状にパターニングしてバイアス導体
９及びＭＲ後端導体８を同時に形成する。

【００４０】図１２に、以上のようにして形成されたＭ
Ｒ素子６，ＭＲ後端導体８，バイアス導体９のパターン
を示す。このようにＭＲ素子６は、平面形状が長方形パ
ターンをなし、その一端縁が磁気記録媒体対接面Ｃに臨
んでおり、且つその長手方向がこの磁気記録媒体対接面
に対して略直交するように形成される。またＭＲ後端導
体８は、平面形状が幅狭の長方形状パターンとして形成
し、第２の絶縁膜１４ｂが除去されたＭＲ素子６の後端
部に一端が積層され、その長手方向が磁気記録媒体対接
面に対して直交方向となるように形成される。バイアス
導体９は、平面形状が幅狭の長方形状パターンとして上
記ＭＲ素子６を横切るように形成される。そして、ＭＲ
後端導体８の後端部及びバイアス導体９の両端部にはぞ
れぞれコンタクトホール１７，１６が形成され、これに
よりＭＲ後端導体８とＭＲ後端リード電極４、バイアス
導体９とバイアスリード電極５との電気的接続がなされ
る。

【００４１】そして、図１３に示すように、このように
形成されたＭＲ後端導体６，バイアス導体９上にＡｌ₂
Ｏ₃等の絶縁性材料をスパッタ法により覆う如く成膜し
て第３の絶縁膜１４ｃを形成した後、図１４に示すよう
にＭＲ素子６の前端部に積層された第２の絶縁膜１４ｂ
及び第３の絶縁膜１４ｃをエッチングによって除去す
る。

【００４２】次いで、図１５に示すように絶縁膜が除去
されたＭＲ素子６の前端部，第３の絶縁膜１４ｃ上を覆
ってＴｉ等の導電性材料をスパッタ法によって被着形成
して，ＭＲ前端導体７を形成する。さらに、ＭＲ前端導
体７上にＦｅ−Ｎｉ等の磁性材料をスパッタ法あるいは
メッキ法によって被着形成して磁性材料膜を成膜し、エ
ッチングにて所定の形状に成形加工して上部磁性体１０
を形成し、図１に示すＭＲヘッドが完成する。

【００４３】このようにして作製されたＭＲヘッドは、
上部磁性体１０，ＭＲ前端リード電極３，ＭＲ後端リー
ド電極４，バイアスリード電極５を形成した後、この形
成面に絶縁膜を埋め込んで表面平坦化するので、この上
に形成される各構成要素が良好な被着性を持って形成さ
れ、良好な性能を発揮することとなる。

【００４４】なお、以上が本発明のＭＲヘッドの基本的
な構成であるが、上記ＭＲヘッドは、記録用となるイン
ダクティブヘッドを積層し、複合ヘッド構成としてもよ
い。

【００４５】すなわち、上記ＭＲヘッド上にインダクテ
ィブヘッドが積層された複合ヘッドは、図１６に示すよ
うにＭＲ素子６をシールドする上部磁性体１０を、閉磁
路を構成する一方の薄膜磁気コアとし、この薄膜磁気コ
アに対向して積層される他方の薄膜磁気コア１８とによ
って磁気記録媒体対接面に臨んでその前方端部間に記録
用ギャップｇを構成するようになっている。すなわち、
ＭＲ素子６をシールドする上層の薄膜磁気コアに対向し
て積層される薄膜磁気コア１８は、上記磁気記録媒体対
接面に臨む前方端部でシールドとして機能する薄膜磁気
コア１０側に屈曲され、その間隙が狭くなされた対向部
分に記録用磁気ギャップｇを構成するようになってい
る。

【００４６】そして、上記一対の薄膜磁気コア１０，１
８の接続部である磁気的結合部には、この磁気的結合部
を取り囲むようにしてスパイラル状のヘッド巻線１９が
設けられている。ヘッド巻線１９は、上記閉磁路を構成
する薄膜磁気コアとの絶縁性を確保するために、絶縁膜
２０によって埋め込まれるようになっている。上記ＭＲ
ヘッドは、このようなインダクティブヘッドを積層して
複合構造とすることにより、消費電力が少なく、良好な
性能を発揮する記録再生用ヘッドとなる。

【００４７】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、基板上に下部磁性体，ＭＲリード電極，
バイアスリード電極を直接形成した後、この形成面に絶
縁膜を埋め込むことで表面平坦化し、この平坦化された
面上にＭＲ素子，バイアス導体，ＭＲ素子導体，上部磁
性体を間に絶縁膜を介して形成するので、絶縁不良等の
品質劣化を生ずることなくＭＲリード電極，バイアスリ
ード電極の厚膜化による電気抵抗の低減を図ることがで
きる。

【００４８】したがって、本発明によれば消費電力が少
なく、良好な性能を発揮する磁気抵抗効果型磁気ヘッド
を得ることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一構成例
を示す概略断面図である。

【図２】上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの平面図であ
る。

【図３】磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程のうち、
下部磁性体形成工程を示す概略断面図である。

【図４】磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程のうち、
リード電極形成工程を示す概略断面図である。

【図５】上記リード電極形成工程を示す平面図である。

【図６】磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程のうち、
絶縁膜埋め込み工程を示す概略断面図である。

【図７】磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程のうち、
表面平坦化工程を示す概略断面図である。

【図８】磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程のうち、
第１の絶縁膜，ＭＲ素子形成工程を示す概略断面図であ
る。

【図９】磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程のうち、
第２の絶縁膜形成工程を示す概略断面図である。

【図１０】磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程のう
ち、第２の絶縁膜エッチング工程およびコンタクトホー
ル形成工程を示す概略断面図である。

【図１１】磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程のう
ち、バイアス導体，ＭＲ後端導体形成工程を示す概略断
面図である。

【図１２】形成されたＭＲ素子，バイアス導体，ＭＲ後
端導体のパターンを示す平面図である。

【図１３】磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程のう
ち、第３の絶縁膜形成工程を示す概略断面図である。

【図１４】磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程のう
ち、第２の絶縁膜，第３の絶縁膜エッチング工程を示す
概略断面図である。

【図１５】磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程のう
ち、ＭＲ前端導体，上部磁性体形成工程を示す概略断面
図である。

【図１６】本発明を適用した複合型ヘッドの一例を示す
概略断面図である。

【図１７】従来の磁気抵抗型磁気ヘッドにおいて絶縁膜
の被着状態の一例を示す要部概略断面図である。

【図１８】従来の磁気抵抗型磁気ヘッドにおいて絶縁膜
の被着状態の他の例を示す要部概略断面図である。

【符号の説明】

２・・・下部磁性体３・・・ＭＲ前端リード電極４・・・ＭＲ後端リード電極５・・・バイアスリード電極６・・・ＭＲ素子７・・・ＭＲ前端導体８・・・ＭＲ後端導体９・・・バイアス導体１０・・・上部磁性体

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に下部磁性体，磁気抵抗効果素
子，前記磁気抵抗効果素子と接続される磁気抵抗効果素
子導体，磁気抵抗効果素子導体に接続されるリード電
極，バイアス導体，バイアス導体に接続されるリード電
極，上部磁性体が積層されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおいて、基板上に下部磁性体，リード電極が形成され、この下部
磁性体，リード電極が形成された形成面に絶縁膜が埋め
込まれて該形成面が平坦化され、この平坦化された面上
に磁気抵抗効果素子，バイアス導体，磁気抵抗効果素子
導体，下部磁性体が間に絶縁膜を介して積層されてなる
ことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２】基板上に下部磁性体を形成するとともに
該下部磁性体と重ならない部分にリード電極を形成する
工程と、上記下部磁性体とリード電極上を被って絶縁膜を形成
し、該絶縁膜を研磨加工して平坦化するとともに下部磁
性体とリード電極を露出させる工程と、上記下部磁性体上に第１の絶縁膜を形成し、該第１の絶
縁膜上に磁気抵抗効果素子を形成する工程と、上記磁気抵抗効果素子上に第２の絶縁膜を形成し、該第
２の絶縁膜上に磁気抵抗効果素子導体及びバイアス導体
を形成する工程と、上記磁気抵抗効果素子導体及びバイアス導体形成面上に
第３の絶縁膜を形成し、該第３の絶縁膜上に上部磁性体
を形成する工程よりなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製
造方法。