JP2002269706A - マルチチャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents

マルチチャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド

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JP2002269706A
JP2002269706A JP2001072544A JP2001072544A JP2002269706A JP 2002269706 A JP2002269706 A JP 2002269706A JP 2001072544 A JP2001072544 A JP 2001072544A JP 2001072544 A JP2001072544 A JP 2001072544A JP 2002269706 A JP2002269706 A JP 2002269706A
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Eiji Nakashio
栄治 中塩
Seiji Onoe
精二 尾上
Junichi Sugawara
淳一 菅原
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 マルチチャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド
における端子数の減少を図り、マルチチャンネル磁気ヘ
ッド全体の小型化を図り、かつ端子間、あるいはリード
間の短絡、絶縁不良、素子特性のばらつき等を発生さ
せ、信頼性の低下、歩留りの低下の改善を図る。 【解決手段】 相対向する第１および第２の磁気シール
ド兼電極１１および１２間に、磁気抵抗効果型の再生磁
気ヘッド素子が複数個並置配列されてなるマルチチャン
ネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドであり、その少なくとも
第１の磁気シールド兼電極に対して強磁性トンネル型磁
気抵抗効果素子による再生磁気ヘッド素子を並置配列す
る。これら強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子に対し、
トンネルバリア層を横切る方向にセンス電流を通電する
一方の電極を、第１の磁気シールドによって共通に構成
し、共通の１端子として導出することによって端子数の
減少化を図る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体例え
ば磁気ディスクや、磁気テープ等の各ドライブ装置に搭
載されて、これら磁気記録媒体の複数のトラックに関す
る記録の読み出しを行う、マルチチャンネル磁気抵抗効
果型磁気ヘッドに係わる。
【０００２】
【従来の技術】例えば磁気テープあるいは磁気ディスク
等の磁気記録媒体上の記録を読み出す再生磁気ヘッドと
しては、磁気抵抗効果型磁気ヘッドが、優れた感度を示
すことから、特に高記録密度再生ヘッドとして広く用い
られている。このように再生ヘッドとして磁気抵抗効果
型磁気ヘッドを用いる場合、記録再生ヘッドを構成する
には、磁気抵抗効果型磁気ヘッドと、例えば電磁誘導型
磁気ヘッドとが組み合わされて構成される。
【０００３】この記録再生磁気ヘッドにおいて、マルチ
チャンネル磁気ヘッドを構成する場合、その端子数は膨
大となる。例えば図１１に概略構成を示すように、磁気
テープ１０１のドライブ装置においては、磁気テープ１
０１が、テープカセット１０２内の磁気テープの供給リ
ール１０３から繰り出され、複数のガイドローラ１０４
によって案内されて、巻取りリール１０５へと巻取り移
行するようになされる。そして、この移行途上において
マルチチャンネル磁気ヘッド１００が、磁気テープ１０
１に摺接するように構成され、磁気テープ１０１に対
し、マルチチャンネル記録再生が行われる。
【０００４】このマルチチャンネル磁気ヘッド１００
は、例えば図１２にその要部の概略平面図を示し、図１
３に図１２のＢ−Ｂ線上の概略断面図を示すように、例
えば第１のガード基板１２１上に、第１の磁気シールド
１３１、第１の磁気ギャップ層１４１が形成され、この
上に複数の磁気抵抗効果型の再生磁気ヘッド素子１０６
が、例えばこの磁気ヘッド１００の磁気記録媒体（図示
せず）と摺接する前方端、すなわち摺動面Ｓに臨んで並
置配列され、そのセンス電流の給電電極からそれぞれ所
要のパターンに形成された導電層によるリード１０６Ｌ
が、摺動面Ｓとは反対側の後方端縁に延在して形成され
る。
【０００５】また、これら再生磁気ヘッド素子１０６上
には、絶縁層１０７が形成され、この上に所要の厚さを
有する第２の磁気ギャップ層１４２が形成され、この上
に第２の磁気シールド１３２が形成される。
【０００６】そして、この第２の磁気シールド１３２上
に、各再生磁気ヘッド素子１０６に対応して、それぞ
れ、電磁誘導型の記録磁気ヘッド素子１０８が、摺動面
Ｓに臨んで並置配列される。これら記録磁気ヘッド素子
１０８は、例えば第２の磁気シールド１３２上に形成さ
れた絶縁性の非磁性層１０９上に、薄膜コイル１１０が
形成され、この上に絶縁層を介して、例えば帯状の磁気
コア１１１が、その前方端を、摺動面Ｓに臨ませて形成
される。
【０００７】磁気コア１１１は、薄膜コイル１１０の中
心部において、第２の磁気シールド１３２上に形成され
た非磁性層１０９やこの上の絶縁層を貫通する透孔が形
成され、これら透孔を通じて各磁気コア１１１が、それ
ぞれ第２の磁気シールド１３２による磁性層に磁気的に
結合され、磁気コア１１１とこの磁性層とによって閉磁
路が形成されるようになされる。このようにして、薄膜
コイル１１０が巻装され、この閉磁路の前方端に、所要
の厚さに設定された非磁性層１０９によって磁気ギャッ
プｇが形成された電磁誘導型の記録磁気ヘッド素子１０
８が構成される。
【０００８】これら記録磁気ヘッド素子１０８上には、
非磁性の絶縁層１１２が形成され、この上に第３の磁気
シールド１３３と、第２のガード基板１２２が形成され
る。このとき、例えば絶縁性の非磁性層１０９の後方端
縁が、外部に露呈するようになされる。この非磁性層１
０９の後方端縁には、各再生磁気ヘッド素子１０６に対
するセンス電流の給電端子１５１および１５２と、各記
録ヘッド素子１０８の薄膜コイル１１０に対する端子１
６１および１６２が並置配置形成される。
【０００９】端子１６１および１６２には、各記録ヘッ
ド素子１０８の各コイル１１０の両端末から導出した導
電層より成るリード１０８Ｌの端部が接続される。ま
た、絶縁層１１２の後方端縁下に延在する各再生磁気ヘ
ッド素子１０６のセンス電流の供給リード１０６Ｌの端
部上には、これらリード１０６Ｌに連通する透孔１５０
を穿設し、この透孔１５０内に形成した導電層によっ
て、各リード１０６Ｌが各端子１５１および１５２に接
続されるようになされている。
【００１０】このように、通常のマルチチャンネル磁気
ヘッドにおいては、各磁気抵抗効果型の再生磁気ヘッド
素子１０６と記録磁気ヘッド素子１０８とから、それぞ
れ２つの端子導出がなされることから、各チャンネルに
関してそれぞれ少なくとも１５１および１５２と、１６
１および１６２との少なくとも４個の端子が導出され
る。
【００１１】このため、この端子数は膨大な数となり、
磁気ヘッド全体に対する端子の配列部が大きな面積を占
めることになり、マルチチャンネル磁気ヘッドの小型化
を阻害している。
【００１２】また、このマルチチャンネル磁気ヘッド全
体の小型化を図るためには、端子および端子導出のリー
ド部自体を幅狭とするとか、端子間隔、リード間隔を狭
小とすることになる。しかしながら、この場合、端子導
出部の抵抗の増加、端子間、あるいはリード間の絶縁不
良、短絡、等を発生させ、素子特性、ばらつき、信頼
性、歩留り等の低下を来す。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したマ
ルチチャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて端子
数の減少を図り、マルチチャンネル磁気ヘッド全体の小
型化を図り、かつ端子間、あるいはリード間の短絡、絶
縁不良、素子特性のばらつき等を発生させ、信頼性の低
下、歩留りの低下の改善を図る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明によるマルチチャ
ンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、相対向する第１お
よび第２の磁気シールド間に、磁気抵抗効果型の再生磁
気ヘッド素子が複数個並置配列されてなるマルチチャン
ネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドであり、その少なくとも
第１の磁気シールドを導電性軟磁性体より構成する。こ
の第１の磁気シールド上に、強磁性トンネル型磁気抵抗
効果素子による再生磁気ヘッド素子を並置配列する。こ
れら強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子に対し、トンネ
ルバリア層を横切る方向にセンス電流を通電する一方の
電極を、第１の磁気シールドによって共通に構成し、共
通の１端子として導出する。
【００１５】また、本発明によるマルチチャンネル磁気
抵抗効果型磁気ヘッドにおいては、磁気記録媒体に対す
る接触型磁気ヘッド構成とすることができる。
【００１６】上述したように本発明によるマルチチャン
ネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、強磁性トンネル型磁
気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）による再生磁気ヘッド素
子によって構成するものであり、そのセンス電流を通電
する一方の電極を、これら磁気ヘッド素子を挟んで配置
される磁気シールドの一方によって兼ねる構成とし、こ
れによって複数の再生磁気ヘッド素子に対する一方の電
極を共通に構成するものである。このように、複数のＴ
ＭＲ素子による再生磁気ヘッド素子について、一方の電
極を１つの端子として導出することができることから、
格段に端子数の減少を図ることができ、これによって端
子配列部の占有面積の縮小化、これに伴う端子間、およ
び端子導出リード間の間隔を大きくすることができる。
【００１７】また、このＴＭＲ素子は、センス電流の通
電方向に関する抵抗が大きい素子であることから、磁気
記録媒体に対する接触型磁気ヘッドを構成する場合、再
生ヘッド素子面積が大とされても、充分大きな抵抗を保
持でき、このため高い磁気抵抗効果比（ＭＲ比）を得る
ことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明によるマルチチャンネル磁
気抵抗効果型磁気ヘッドは、例えば図１１で説明した磁
気テープに対して摺接する構成によるマルチチャンネル
磁気抵抗効果型磁気ヘッドに適用することができる。
【００１９】図１は、本発明によるマルチチャンネル磁
気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施形態の一例における一
部を切り欠いた要部の斜視図で、この例においては、磁
気記録再生型のマルチチャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドを構成した場合である。この場合、各チャンネル毎
にそれぞれ強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ
素子）による再生磁気ヘッド素子ＨP と、電磁誘導型の
記録磁気ヘッド素子ＨR とが積層されて一体化された構
成を有する。
【００２０】再生磁気ヘッド素子ＨP は、図２にその一
例の概略断面図を示すように、少なくとも第１の反強磁
性層３１と、固定磁性層３２と、トンネルバリア層３３
と、自由磁性層３４とが積層されたＴＭＲ素子３０を有
し、その膜面と交叉する方向にセンス電流Ｉｓが通電さ
れる。
【００２１】本発明においては、図１で示すように、第
１のガード基板１上に、多数の再生磁気ヘッド素子ＨP
が並置配列され、その例えば全再生磁気ヘッド素子ＨP
に対するセンス電流を供給する一方の電極を、第１の磁
気シールド兼電極１１によって共通に構成する。そし
て、各再生磁気ヘッド素子ＨP 上に、これら再生磁気ヘ
ッド素子ＨP を個々にそれぞれ挟むように、上述した第
１の磁気シールド兼電極１１に対向して、それぞれ第２
の磁気シールド兼電極１２を並置配列する。
【００２２】また、第２の磁気シールド兼電極１２上に
は、非磁性の絶縁層１３を介して磁性層１４が形成さ
れ、この磁性層１４上に、非磁性の絶縁層１５が形成さ
れ、この絶縁層１５上に、導電性薄膜によるヘッド巻線
１６が形成され、更にその上に非磁性の絶縁層１７が形
成され、この絶縁層１７に、巻線１６の中心部を貫通す
る透孔が形成される。また、絶縁層１５上には、例えば
帯状の磁気コア１８が形成され、その一部が、絶縁層１
５に穿設した透孔を通じて磁性層１４と磁気的に結合す
るようになされる。
【００２３】このようにして、磁気コア１８と、磁性層
１４によって閉磁路が形成され、この閉磁路にヘッド巻
線６１が巻装され、更に磁気記録媒体との摺動面Ｓにお
いて所要の厚さに設定された絶縁層１５によってギャッ
プ長が規定された磁気ギャップｇが形成さた電磁誘導型
の記録磁気ヘッド素子ＨR が形成される。そして、この
記録磁気ヘッド素子ＨR の配列部上を覆って、第１のガ
ード基板１より小なる奥行きを有する第２のガード基板
２が接合される。
【００２４】この構成において、本発明においては、Ｔ
ＭＲ素子による各再生磁気ヘッド素子ＨP について、セ
ンス電流Ｉｓを、第１の磁気シールド兼電極１１を共通
としてこの電極１１と、各再生磁気ヘッド素子ＨP に関
して個々に設けた第２の磁気シールド兼電極１２との間
に通電する。
【００２５】本発明によるマルチチャンネル磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいては、例えば第２のガード基板２
によって覆われていない部分に端子の配列がなされる。
この端子の導出は、共通の第１の磁気シールド兼電極１
１から、複数の再生磁気ヘッド素子ＨP に対して共通の
一方の電極端子ＴR を導出し、第２の磁気シールド兼電
極１２から各再生磁気ヘッド素子ＨP に対する他方の電
極端子ＴP1を導出する。また、各記録磁気ヘッド素子Ｈ
R のヘッド巻線１８の両端末から、それぞれ端子ＴR1ａ
およびＴR1ｂを導出する。
【００２６】次に、本発明によるマルチチャンネル磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの一例を、その理解を容易にする
ために、その製造方法の一例と共に詳細に説明する。こ
の例では、マルチチャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド
を複数個同時に形成する場合であり、この場合、例えば
図３に概略平面図を示し、図４に図３のＢ−Ｂ線上の断
面図を示すように、複数のマルチチャンネル磁気抵抗効
果型磁気ヘッドを構成する例えばアルチック（ＡｌＴｉ
Ｃ）より成るウエハ状の第１のガード基板１を構成す
る。
【００２７】この基板１上に、最終的に構成する各マル
チチャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドの形成部にそれ
ぞれ対応して、例えば帯状パターンに導電性軟磁性薄膜
よりなる第１の磁気シールド兼電極１１を被着形成す
る。この第１の磁気シールド兼電極１１は、軟磁性の例
えばＮｉＦｅを厚さ２μｍに全面的にメッキし、これを
フォトリソグラフィを用いた例えばドライエッチングに
よるパターニングを行って形成することができる。
【００２８】そして、これら第１の磁気シールド兼電極
１１にそれぞれマルチヘッドを、同時に形成するもので
あるが、図５〜図９の各工程における断面図と図１０の
平面図においては、１つの第１の磁気シールド兼電極１
１について、すなわち１つのマルチチャンネル磁気抵抗
効果型磁気ヘッドに係わる図面についてのみ代表的に例
示する。
【００２９】図６Ａに示すように、第１の磁気シールド
兼電極１１を埋込むように、例えばＡｌ2 Ｏ3 等の非磁
性の絶縁層３をスパッタ等によって形成する。この絶縁
層４０の表面から例えばＣＭＰ(Chemical Mechanical P
olish)によって第１の磁気シールド兼電極１１が露呈さ
れる位置まで研磨して、図６Ｂに示すように、表面を平
坦化する。
【００３０】図６Ｃに示すように、平坦化表面に全面的
に、非磁性導電性の例えばＣｕを１００ｎｍの厚さにス
パッタして、第１の磁気ギャップ層２１を形成する。図
６Ｄに示すように、この第１の磁気ギャップ層２１上
に、強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）
を構成するＴＭＲ積層構成膜４を成膜する。
【００３１】このＴＭＲ積層構成膜４の基本構成は、図
２で示した構成を有するものであるが、この例では、例
えば図３Ａにその一例の概略断面図を示すように、例え
ば厚さ３ｎｍのＴａより成る第１の下地層３５、厚さ３
ｎｍのＮｉＦｅより成る第２の下地層３６、厚さ１０ｎ
ｍのＩｒＭｎより成る第１の反強磁性層３１、厚さ４ｎ
ｍのＣｏＦｅより成る固定磁性層３２、厚さ１．３ｎｍ
のトンネルバリア層３３、厚さ４ｎｍのＣｏＦｅと厚さ
５ｎｍのＮｉＦｅとの２層構造とされた自由磁性層３
４、厚さ０．８ｎｍの非磁性スペーサ層３７、厚さ１５
ｎｍのＩｒＭｎより成る第２の反強磁性層３８、厚さ５
ｎｍのＴａより成る保護層３９とを順次スパッタした構
成とすることができる。しかしながら、ＴＭＲの積層構
成膜４は、この例に限定されるものではない。ことはい
うまでもない。
【００３２】この積層構成膜４に対しフォトリソグラフ
ィ技術を用いた例えばイオンエッチングによるパターニ
ングを行って、図７Ａに示すように各第１の磁気シール
ド兼電極１１上に、それぞれ積層構成膜４の一部が残さ
れて形成された多数のＴＭＲ素子３０（図においては４
個のＴＭＲ素子３０を代表的に示している。）を一直線
上に並置配列する。
【００３３】次に、図７Ｂおよび図３Ｂに示すように、
各ＴＭＲ素子３０上の中央部に所定の幅Ｗを有するマス
ク５を、例えばフォトレジスト層をパターニング露光お
よび現像することによって形成する。このマスク５の幅
Ｗは、最終的に形成する各ＴＭＲ素子のトラック幅に対
応する幅に選定される。そして、このマスク５をエッチ
ングマスクとしてイオンエッチングによってＴＭＲ素子
３０の動作部をエッチングする。すなわち、ＴＭＲ素子
３０の、上面からトンネルバリア層３３を横切る深さ
に、かつ少なくとも第１の反強磁性層３１以下を残す深
さにエッチングする。
【００３４】その後、図７Ｃに示すように、例えばＡｌ
2 Ｏ3 よりなる非磁性の絶縁層６を全面的にスパッタ等
によって形成する。
【００３５】次に、図８Ａに示すように、図７Ｃのマス
ク５を除去することによってこの上の絶縁層６をリフト
オフし、各ＴＭＲ素子３０の動作部上に、電極のコンタ
クトホール７を開口する。
【００３６】このようにして、コンタクトホール７が穿
設された絶縁層６上に、図８Ｃに示すように、各ＴＭＲ
素子４上を覆うように、それぞれ導電性を有する第２の
磁気ギャップ層２２と、この上に、第２の磁気シールド
兼電極１２とを形成する。このために、図８Ｂに示すよ
うに、上述した第２の磁気ギャップ層２２と、第２の磁
気シールド兼電極１２の形成部以外に、例えばフォトレ
ジストによるリフトオフのマスク８をフォトリソグラフ
ィによって形成する。そして、導電性を有する第２の磁
気ギャップ層２２を形成する例えばＴａを全面的にスパ
ッタし、続いて第２の磁気シールド兼電極１２を構成す
る例えば軟磁性のアモルファス積層膜例えばＣｏＺｒＮ
ｂＴａを、厚さ２．３μｍ程度に全面的にスパッタリン
グする。その後、フォトレジスト層を除去することによ
って、上述した図８Ｃで示すそれぞれ所定のパターン
の、第２の磁気ギャップ層２２と、第２の磁気シールド
兼電極１２を形成することができる。
【００３７】このようにして、共通の第１の磁気シール
ド兼電極１１上に、導電性を有する第１の磁気ギャップ
２１を介して、複数のＴＭＲ素子３０が配列され、導電
性の第２の磁気ギャップ層２２を介して各ＴＭＲ素子３
０に関してそれぞれ第２の磁気シールド兼電極１２が形
成されたマルチ磁気ヘッド部が、共通の第１のカード基
板１上に複数並置配列形成される。
【００３８】更に、図９に示すように、例えばＡｌ2 Ｏ
3 より成る非磁性の絶縁層１３を全面的に形成する。
【００３９】この絶縁層１３に対し、図１０に図９の平
面図を示すように、例えばフォトリソグラフィによって
各第２の磁気シールド兼電極１２の例えば後端部の各一
部を外部に露呈する透孔１３P を穿設する。そして、こ
れら各透孔１３P を通じて一端を各第２の磁気シールド
兼電極１２に電気的にコンタクトする端子導出用の各リ
ード１９を例えばＣｕによる導電層をスパッタおよびフ
ォトリソグラフィによるパターニングによって絶縁層１
３の後端縁部に延在して形成する。このようにして、共
通の第１の磁気シールド兼電極１１と、個々に形成した
第２の磁気シールド兼電極１２との間にそれぞれＴＭＲ
素子３０が形成された再生磁気ヘッド素子ＨP が配列形
成される。
【００４０】この再生磁気ヘッド素子ＨP においては、
それぞれ所要の磁界印加熱処理がなされて、固定磁性層
３２を、第１の反強磁性層３１による交換結合によっ
て、再生磁気ヘッド素子ＨP に導入される検出磁界、す
なわち磁気記録媒体からの記録情報による信号磁界の方
向に沿う方向の磁化に固定し、一方第２の反強磁性層３
８によってＴＭＲ素子の自由磁性層３４の全域に渡っ
て、例えば非磁性スペーサ３７の厚さによって制御され
た所要の長距離交換結合エネルギーによって、この自由
磁性層３４に信号磁界の印加がなされない状態で固定磁
性層３２における磁化と直交する向きの磁化に設定する
安定化バイアス磁界が与えられるようにする。
【００４１】その後は、再生磁気ヘッド素子ＨP の配列
部上に、図１で説明したように、記録再生型のマルチチ
ャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成する場合にお
いては、磁性層１４、絶縁層１５、ヘッド巻線、絶縁層
１７、磁気コア１８、第２のガード基板２等の形成を行
う。そして、このガード基板２より後方に、第１の磁気
シールド兼電極１１に達するように形成したコンタクト
ホールを通じて第１の磁気シールド兼電極１１に電気的
にコンタクトされた共通の端子ＴP と、第２のガード基
板２より後方に各第２の磁気シールド兼電極１２から延
在するリード１９の後端に接続された端子ＴP1,ＴP2・
・・と、ヘッド巻線１６の両端末にそれぞれ接続された
端子Ｔ1a, Ｔ1b, Ｔ2a, Ｔ2b・・・とをそれぞれ例えば
Ａｕ層によって配列形成する。
【００４２】そして、ウエハ状の基板１を、各マルチチ
ャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関して分断し、前
方面を研磨して、磁気記録媒体との摺動面Ｓを形成す
る。この例においては、各再生磁気ヘッド素子ＨP のＴ
ＭＲ素子３０を直接的に摺動面Ｓに臨ましめると共に、
記録磁気ヘッド素子ＨR の各磁気ギャップｇが摺動面Ｓ
に臨んで配置されるようする。
【００４３】しかしながら、このように、ＴＭＲ素子３
０が磁気記録媒体との摺動面Ｓに直接的に露呈する場
合、ＴＭＲ素子３０の摩耗、摺動熱による影響、ノイズ
の影響が大きく、信頼性、寿命に問題が生じる。これら
の不都合を回避するには、図示しないが、ＴＭＲ素子３
０の前方に、磁束ガイドを磁気的に結合させ、この磁束
ガイドの前方端が、摺動面Ｓに臨ましめて、第１および
第２の磁気シールド兼電極間に導入される磁気記録媒体
からの信号磁界を、ＴＭＲ素子３０に導入する構成とす
ることもできる。
【００４４】また、図１１で示した実施形態では、磁気
テープに対する磁気ヘッドを構成した場合であるが、磁
気ディスクを対象とするマルチチャンネル磁気抵抗効果
型磁気ヘッドを構成する場合に適用することもできるな
ど、上述した実施形態および例に限定されるものではな
く、本発明によるマルチチャンネル磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいて種々の変形変更を行うことができること
はいうまでもない。
【００４５】上述したように、本発明構成によれば、第
１および第２の磁気シールドが配置されるマルチチャン
ネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、その多数の磁
気抵抗効果素子、すなわちＴＭＲ素子において、各一方
を共通の磁気シールド兼電極を共通とすることによって
ＴＭＲ素子に係わる端子導出数は、チャンネル数をｎと
するとき、通常の２ｎから、ｎ＋１とすることができ
る。
【００４６】
【発明の効果】上述したように本発明によるマルチチャ
ンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、その再生磁気ヘッ
ド素子として特に強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子
（ＴＭＲ素子）によって構成するものであり、そのセン
ス電流の通電方向がトンネルバリア層を横切る方向、つ
まり一方の電極を、上述したように複数のチャンネルに
対して共通の第１の磁気シールドによって構成するもの
である。すなわち、複数のＴＭＲ素子について、一方の
電極を１つの端子として導出することができることか
ら、格段に端子数の減少を図ることができる。これによ
って端子配列部の占有面積の縮小化、これに伴う端子
間、および端子導出リード間の間隔を大きくすることが
できる。したがって、特に膨大となる端子数となる、再
生磁気ヘッド素子の配列部に積層して記録磁気ヘッド素
子を一体化して配列させた磁気記録再生ヘッド構成とす
る場合において、より問題となる端子導出リード間の絶
縁性の向上、短絡事故を回避することができ、信頼性の
向上、歩留りの向上を図ることができる。
【００４７】また、その再生ヘッド素子を、センス電流
の通電方向に関する抵抗が大きい素子のＴＭＲ素子によ
って構成したことから、磁気記録媒体に対する接触型磁
気ヘッドを構成する場合、再生ヘッド素子面積が大とさ
れても、充分大きな抵抗を保持でき、このため高い磁気
抵抗効果比（ＭＲ比）を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるマルチチャンネル磁気抵抗効果型
磁気ヘッドを、記録再生磁気ヘッドに適用した場合の一
例の一部を開放した要部の斜視図である。
【図２】本発明による磁気ヘッドの、磁気抵抗効果素子
（ＴＭＲ素子）の基本的構造の概略断面図である。
【図３】ＡおよびＢは、本発明によるマルチチャンネル
磁気抵抗効果型磁気ヘッドのＴＭＲ素子の製造工程を示
す概略断面図である。
【図４】本発明によるマルチチャンネル磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの製造方法の一例の一工程の平面図である。
【図５】図４のＡーＡ線の概略断面図である。
【図６】Ａ〜Ｄは、本発明による磁気ヘッドの製造方法
の一例の各工程の要部の概略断面図である。
【図７】Ａ〜Ｃは、本発明による磁気ヘッドの製造方法
の一例の各工程の要部の概略断面図である。
【図８】Ａ〜Ｃは、本発明による磁気ヘッドの製造方法
の一例の各工程の要部の概略断面図である。
【図９】本発明による磁気ヘッドの製造方法の一例の一
工程の要部の概略断面図である。
【図１０】本発明による磁気ヘッドの製造方法の一例の
一工程の要部の概略平面図である。
【図１１】本発明によるマルチチャンネル磁気抵抗効果
型磁気ヘッドを適用することができる磁気テープドライ
ブ装置の構成図である。
【図１２】従来のマルチチャンネル磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの概略平面図である。
【図１３】図１２のＢ−Ｂ線の概略断面図である。
【符号の説明】
１・・・第１のガード基板、２・・・第２のガード基
板、３・・・絶縁層、４・・・ＴＭＲ積層構成膜、５，
８・・・マスク、６・・・絶縁層、７・・・コンタク
ト、１１・・・第１の磁気シールド兼電極、１２・・・
第２の磁気シールド兼電極、１３，１５，１７・・・絶
縁層、１４・・・磁性層、１６・・・ヘッド巻線、１８
・・・磁気コア、１９・・・リード、２１・・・第１の
磁気ギャップ層、２２・・・第２のギャップ層、３０・
・・ＴＭＲ素子、３１・・・第１の反強磁性層、３２・
・・固定磁性層、３３・・・トンネルバリア層、３４・
・・自由磁性層、３５・・・第１の下地層、３６・・・
第２の下地層、３７・・・非磁性スペーサ層、３８・・
・第２の反強磁性層、３９・・・保護層、１００・・・
マルチチャンネル磁気ヘッド、１０１・・・磁気テー
プ、１０２・・・テープカセット、１０３・・・供給リ
ール、１０４・・・ガイドローラ、１０５・・・巻取り
リール、１０６・・・再生磁気ヘッド素子、１０７・・
・絶縁層、１０８・・・記録磁気ヘッド、１０９・・・
非磁性層、１１０・・・薄膜コイル、１１１・・・磁気
コア、１１２・・・絶縁層、１２１・・・第１のガード
基板、１２２・・・第２のガード基板、１３１・・・第
１の磁気シールド、１３２・・・第２の磁気シールド、
１３３・・・第３の磁気シールド、１４１・・・第１の
磁気ギャップ層１４２・・・第２の磁気ギャップ層、Ｔ
P,ＴP1,ＴP2,Ｔ1a,Ｔ1b,Ｔ2a,Ｔ2b・・・端子、ｇ・・
・磁気ギャップ、Ｓ・・・摺動面、ＨP ・・・再生磁気
ヘッド素子、ＨR ・・・記録磁気ヘッド素子
フロントページの続き (72)発明者 菅原 淳一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 2G017 AA01 AC01 AD55 AD65 5D034 AA03 BA03 BA05 BA08 BA15 BA16 BA18 BA19 BB08 BB11 BB12 CA08 DA07

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 相対向する第１および第２の磁気シール
    ド間に、磁気抵抗効果型の再生磁気ヘッド素子が複数個
    並置配列されてなるマルチチャンネル磁気抵抗効果型磁
    気ヘッドであって、 少なくとも上記第１の磁気シールドが導電性軟磁性体よ
    り成り、 該第１の磁気シールド上に上記再生磁気ヘッド素子が強
    磁性トンネル型磁気抵抗効果素子によって構成され、 上記複数の強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子に対する
    センス電流を通電する一方の電極が、上記第１の磁気シ
    ールドによって共通に構成されて共通の１端子として導
    出されたことを特徴とするマルチチャンネル磁気抵抗効
    果型磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 上記マルチチャンネル磁気抵抗効果型磁
    気ヘッドが、磁気記録媒体との相対的に摺動する摺動面
    を有する接触型マルチチャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘ
    ッドであることを特徴とする請求項１に記載のマルチチ
    ャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 上記マルチチャンネル磁気抵抗効果型磁
    気ヘッドが、上記再生磁気ヘッド素子の配列部上に、該
    再生磁気ヘッド素子に対応して一体に配列された複数の
    記録磁気ヘッド素子を具備するマルチチャンネル記録再
    生磁気ヘッドであることを特徴とする請求項１または２
    に記載のマルチチャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 上記強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子
    は、第１の反強磁性層と、固定磁性層と、トンネルバリ
    ア層と、自由磁性層と、第２の反強磁性層とを有するこ
    とを特徴とする請求項１、２または３に記載のマルチチ
    ャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 上記強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子
    は、上記磁気記録媒体との摺動面に臨んで配置されて成
    ることを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の
    マルチチャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 上記強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子
    に磁束ガイドが連結され、該磁束ガイドが上記磁気記録
    媒体との摺動面に臨んで配置されて成ることを特徴とす
    る請求項１、２、３、４または５に記載のマルチチャン
    ネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
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