JP3292125B2 - ガスレーザ加工機 - Google Patents
ガスレーザ加工機Info
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/2232—Carbon dioxide (CO2) or monoxide [CO]
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
- H01S3/134—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば炭酸ガス
レーザ加工機等のガスレーザ加工機に関するものであ
り、特に、安定したパルスレーザによる穴あけ加工を可
能とするための技術に関するものである。
レーザ加工機等のガスレーザ加工機に関するものであ
り、特に、安定したパルスレーザによる穴あけ加工を可
能とするための技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】炭酸ガスレーザによる微細穴あけ加工で
はパルスレーザの加工条件として、パルスエネルギー、
パルスのピーク、パルス幅などの他に、各加工穴に対し
て何パルスのレーザ光を照射するかを決めるパルス数が
ある。１つの加工穴に対して照射するパルス数は被加工
物の材質、厚み等の条件により異なるが、多くても数パ
ルス程度であるため、１つでもミスパルスが存在すると
加工結果に大きく影響する。
はパルスレーザの加工条件として、パルスエネルギー、
パルスのピーク、パルス幅などの他に、各加工穴に対し
て何パルスのレーザ光を照射するかを決めるパルス数が
ある。１つの加工穴に対して照射するパルス数は被加工
物の材質、厚み等の条件により異なるが、多くても数パ
ルス程度であるため、１つでもミスパルスが存在すると
加工結果に大きく影響する。
【０００３】従来のパルス制御は図９（ａ）のような入
力電力波形に対して図９（ｂ）のレーザ出力を得るもの
であった。特開昭６３−７６８８号に示されるように、
図９（ａ）に見られるように電流波形にベース電力を加
えることでパルスの立ち上がり・立ち下がり特性及び安
定性は向上したものの、放電エネルギー投入直後の放電
状態を安定に保つことが困難であることから、希に図９
（ｄ）に見られるような最初のパルスにピークの低いミ
スパルスが４回に１回程度の割合で現れることが確認さ
れた。このため、加工スタート後の最初の穴に対し、他
の加工穴に比べて設定パルス数よりも少ないパルスレー
ザ光が照射されることがあった。
力電力波形に対して図９（ｂ）のレーザ出力を得るもの
であった。特開昭６３−７６８８号に示されるように、
図９（ａ）に見られるように電流波形にベース電力を加
えることでパルスの立ち上がり・立ち下がり特性及び安
定性は向上したものの、放電エネルギー投入直後の放電
状態を安定に保つことが困難であることから、希に図９
（ｄ）に見られるような最初のパルスにピークの低いミ
スパルスが４回に１回程度の割合で現れることが確認さ
れた。このため、加工スタート後の最初の穴に対し、他
の加工穴に比べて設定パルス数よりも少ないパルスレー
ザ光が照射されることがあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のガスレーザ加工
機でのパルスレーザによる微細穴あけ加工は以上に述べ
たようなものであり、各加工穴にそれぞれ設定数のパル
スレーザ光を照射する必要があるため、ミスパルスが発
生すると加工不良につながる恐れがある。したがって、
ミスパルスの無い安定したパルスレーザ発振が望まれ
る。
機でのパルスレーザによる微細穴あけ加工は以上に述べ
たようなものであり、各加工穴にそれぞれ設定数のパル
スレーザ光を照射する必要があるため、ミスパルスが発
生すると加工不良につながる恐れがある。したがって、
ミスパルスの無い安定したパルスレーザ発振が望まれ
る。
【０００５】この発明は、上述のような課題を解決する
ためになされたもので、ミスパルスの無い安定したパル
スレーザを発振し、安定した微細穴あけを実現するガス
レーザ加工機を得ることを目的とする。
ためになされたもので、ミスパルスの無い安定したパル
スレーザを発振し、安定した微細穴あけを実現するガス
レーザ加工機を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明のガスレーザ加
工機は、パルスレーザ発振を行なうもので、エネルギー
がレーザ発振しきい値以下のピーク値をもつ予備パルス
成分を、最初の１つめのパルスの前に与えるようにした
ものである。
工機は、パルスレーザ発振を行なうもので、エネルギー
がレーザ発振しきい値以下のピーク値をもつ予備パルス
成分を、最初の１つめのパルスの前に与えるようにした
ものである。
【０００７】また、エネルギーがレーザ発振しきい値以
下のベース電流の加工中に加えるとともに、エネルギー
がレーザ発振しきい値以下のピーク値をもつ予備パルス
成分を最初の１つめのパルスの前に与えるようにしたも
のである。
下のベース電流の加工中に加えるとともに、エネルギー
がレーザ発振しきい値以下のピーク値をもつ予備パルス
成分を最初の１つめのパルスの前に与えるようにしたも
のである。
【０００８】また、エネルギーがレーザ発振しきい値以
下のピーク値をもつ予備パルス成分を加工に使用するパ
ルスの発振以前および各パルス間に連続で与えるように
したものである。
下のピーク値をもつ予備パルス成分を加工に使用するパ
ルスの発振以前および各パルス間に連続で与えるように
したものである。
【０００９】また、エネルギーがレーザ発振しきい値以
下のピーク値をもつ予備パルス成分を加工に使用する各
パルスの前に一定時間与えるようにしたものである。
下のピーク値をもつ予備パルス成分を加工に使用する各
パルスの前に一定時間与えるようにしたものである。
【００１０】
【００１１】
実施の形態１．この発明における基本構成例を図１に示
す。図１はプリント基板加工用の炭酸ガスレーザ加工機
を示す図である。パルスレーザ光を発振する部分は、レ
ーザ発振器１と出力パルス制御装置２とＮＣ装置３とか
ら構成されており、まず、加工するプリント基板の材
質、厚み、必要な穴径などの条件に応じて、ＮＣ装置３
へパルス幅，パルスピーク，パルス数などの設定条件を
入力して加工スタートの信号を出すと出力パルス制御装
置２によってパルス信号がレーザ発振器１へ出力され、
レーザ発振器１がパルスレーザ光を発振する。レーザ発
振器１から出たパルスレーザ光１０は、像転写マスク４
を通ってガルバノスキャンミラー５によって加工穴位置
に位置決めされ、その後ｆθレンズ６でマスク４の像を
転写・集光して被加工物である加工基板７に照射され
る。ここでは像転写マスク４、ガルバノスキャンミラー
５、ｆθレンズ６による例を示したが、この発明は像転
写光学系に限定されるものではなく、またガルバノスキ
ャンミラー５により構成される走査光学系に限定される
ものでもない。
す。図１はプリント基板加工用の炭酸ガスレーザ加工機
を示す図である。パルスレーザ光を発振する部分は、レ
ーザ発振器１と出力パルス制御装置２とＮＣ装置３とか
ら構成されており、まず、加工するプリント基板の材
質、厚み、必要な穴径などの条件に応じて、ＮＣ装置３
へパルス幅，パルスピーク，パルス数などの設定条件を
入力して加工スタートの信号を出すと出力パルス制御装
置２によってパルス信号がレーザ発振器１へ出力され、
レーザ発振器１がパルスレーザ光を発振する。レーザ発
振器１から出たパルスレーザ光１０は、像転写マスク４
を通ってガルバノスキャンミラー５によって加工穴位置
に位置決めされ、その後ｆθレンズ６でマスク４の像を
転写・集光して被加工物である加工基板７に照射され
る。ここでは像転写マスク４、ガルバノスキャンミラー
５、ｆθレンズ６による例を示したが、この発明は像転
写光学系に限定されるものではなく、またガルバノスキ
ャンミラー５により構成される走査光学系に限定される
ものでもない。
【００１２】図２はこの発明による入力電力波形（ａ）
とそれに伴なうレーザ出力波形（ｂ）の一例である。炭
酸ガスレーザにおけるパルスレーザ発振では、放電電力
投入直後の最初のパルスは特に不安定であり、まれにピ
ーク値の低いミスパルスが発生することがあるが、加工
用パルスの最初のパルスよりも時間ｔ１だけ前にミスパ
ルス防止用パルス、すなわちエネルギーがレーザ発振し
きい値以下の予備パルス成分をｔ０間与えると、放電エ
ネルギー投入直後の放電の安定性が増し、少なくとも最
初の１つめのパルスのミスパルスを防ぐことができる。
とそれに伴なうレーザ出力波形（ｂ）の一例である。炭
酸ガスレーザにおけるパルスレーザ発振では、放電電力
投入直後の最初のパルスは特に不安定であり、まれにピ
ーク値の低いミスパルスが発生することがあるが、加工
用パルスの最初のパルスよりも時間ｔ１だけ前にミスパ
ルス防止用パルス、すなわちエネルギーがレーザ発振し
きい値以下の予備パルス成分をｔ０間与えると、放電エ
ネルギー投入直後の放電の安定性が増し、少なくとも最
初の１つめのパルスのミスパルスを防ぐことができる。
【００１３】レーザ光の発振しきい値とは、図３のレー
ザ発振における入出力特性図で示されるように、レーザ
光が出力されるぎりぎりの入力放電電力値Ｐ０である。
したがって、加工時の最初のパルス以前にエネルギーが
しきい値Ｐ０以下の予備パルス成分を与えることで、加
工に関係の無いレーザ光は出力されずに電力投入直後の
放電の安定性を増すことができるように工夫されてい
る。
ザ発振における入出力特性図で示されるように、レーザ
光が出力されるぎりぎりの入力放電電力値Ｐ０である。
したがって、加工時の最初のパルス以前にエネルギーが
しきい値Ｐ０以下の予備パルス成分を与えることで、加
工に関係の無いレーザ光は出力されずに電力投入直後の
放電の安定性を増すことができるように工夫されてい
る。
【００１４】与える予備パルス成分の周波数、および印
加タイミングと印加時間の一例として、例えば、加工に
用いられるパルスの２００μｓ前にレーザ発振しきい値
以下の予備パルス成分を周波数１ｋＨｚで１５０μｓ与
える、といった条件で行なうことが挙げられるが、特に
この条件に限定されるものではなく、その他いろいろな
条件での予備パルス成分の与えかたが考えられ、同様の
効果が得られるものである。
加タイミングと印加時間の一例として、例えば、加工に
用いられるパルスの２００μｓ前にレーザ発振しきい値
以下の予備パルス成分を周波数１ｋＨｚで１５０μｓ与
える、といった条件で行なうことが挙げられるが、特に
この条件に限定されるものではなく、その他いろいろな
条件での予備パルス成分の与えかたが考えられ、同様の
効果が得られるものである。
【００１５】実施の形態２．次にこの発明の第２の実施
の形態を説明する。装置の構成は第１の実施の形態のも
のとほぼ同様である。図４はこの実施の形態による入力
電力波形（ａ）とそれに伴なうレーザ出力波形（ｂ）の
一例である。炭酸ガスレーザにおけるパルスレーザ発振
では、各パルス間にレーザ光の発振しきい値以下のベー
ス電力を投入することでパルスの安定性が増すことは従
来から知られているが、放電電力投入直後の最初のパル
スに関してはベース電力追加後も不安定であり、ミスパ
ルスが発生することが多い。そこで加工に使用する全パ
ルスの安定性向上のためのベース電力に加えて、加工用
パルスの最初のパルスよりも時間ｔ１だけ前にエネルギ
ーがレーザ発振しきい値以下の予備パルス成分をｔ０間
与えることで、少なくとも最初のパルスがミスパルスと
なることを防ぎ、かつそれ以降のパルスの安定性を向上
させることができる。
の形態を説明する。装置の構成は第１の実施の形態のも
のとほぼ同様である。図４はこの実施の形態による入力
電力波形（ａ）とそれに伴なうレーザ出力波形（ｂ）の
一例である。炭酸ガスレーザにおけるパルスレーザ発振
では、各パルス間にレーザ光の発振しきい値以下のベー
ス電力を投入することでパルスの安定性が増すことは従
来から知られているが、放電電力投入直後の最初のパル
スに関してはベース電力追加後も不安定であり、ミスパ
ルスが発生することが多い。そこで加工に使用する全パ
ルスの安定性向上のためのベース電力に加えて、加工用
パルスの最初のパルスよりも時間ｔ１だけ前にエネルギ
ーがレーザ発振しきい値以下の予備パルス成分をｔ０間
与えることで、少なくとも最初のパルスがミスパルスと
なることを防ぎ、かつそれ以降のパルスの安定性を向上
させることができる。
【００１６】与える予備パルス成分の周波数、および印
加タイミングと印加時間の一例としては、上述した条件
にレーザ発振しきい値以下のベース電力を加えるもので
あるが、特にこの条件に限定されるものではなく、その
他いろいろな条件での予備パルス成分の与えかたが考え
られ、同様の効果が得られるものである。
加タイミングと印加時間の一例としては、上述した条件
にレーザ発振しきい値以下のベース電力を加えるもので
あるが、特にこの条件に限定されるものではなく、その
他いろいろな条件での予備パルス成分の与えかたが考え
られ、同様の効果が得られるものである。
【００１７】実施の形態３．次にこの発明の第３の実施
の形態を説明する。装置の構成は第１の実施の形態のも
のとほぼ同様である。図５はこの実施の形態による入力
電力波形（ａ）とそれに伴なうレーザ出力波形（ｂ）の
一例である。これはベース電力よりも予備パルス成分を
与えた方がミスパルスを防ぐ効果が大きいことを利用し
て、図９に示した従来の入力電力波形においてベース電
力の部分を予備パルス成分に置き換えたもので、これに
より最初の１つめのパルスだけでなく、加工中の全パル
スについてミスパルスを防ぐことができる。
の形態を説明する。装置の構成は第１の実施の形態のも
のとほぼ同様である。図５はこの実施の形態による入力
電力波形（ａ）とそれに伴なうレーザ出力波形（ｂ）の
一例である。これはベース電力よりも予備パルス成分を
与えた方がミスパルスを防ぐ効果が大きいことを利用し
て、図９に示した従来の入力電力波形においてベース電
力の部分を予備パルス成分に置き換えたもので、これに
より最初の１つめのパルスだけでなく、加工中の全パル
スについてミスパルスを防ぐことができる。
【００１８】与える予備パルス成分の周波数および印加
タイミングと印加時間の一例としては、上述した条件が
挙げられるが、特にこの条件に限定されるものではな
く、その他いろいろな条件での予備パルス成分の与えか
たが考えられ、同様の効果が得られるものである。
タイミングと印加時間の一例としては、上述した条件が
挙げられるが、特にこの条件に限定されるものではな
く、その他いろいろな条件での予備パルス成分の与えか
たが考えられ、同様の効果が得られるものである。
【００１９】実施の形態４．次にこの発明の第４の実施
の形態を説明する。装置の構成は第１の実施の形態のも
のとほぼ同様である。図６はこの実施の形態による入力
電力波形（ａ）とそれに伴なうレーザ出力波形（ｂ）の
一例である。これは図５に示した入力電力波形に対し
て、予備パルス成分を連続的ではなく一定時間ｔ０だけ
加工に使用するパルスの前に与えたもので、これにより
加工中の全パルスについてミスパルスを防ぐことがで
き、また消費電力を抑えることができる。
の形態を説明する。装置の構成は第１の実施の形態のも
のとほぼ同様である。図６はこの実施の形態による入力
電力波形（ａ）とそれに伴なうレーザ出力波形（ｂ）の
一例である。これは図５に示した入力電力波形に対し
て、予備パルス成分を連続的ではなく一定時間ｔ０だけ
加工に使用するパルスの前に与えたもので、これにより
加工中の全パルスについてミスパルスを防ぐことがで
き、また消費電力を抑えることができる。
【００２０】なお、与える予備パルス成分の周波数およ
び印加タイミングと印加時間の一例としては、上述した
条件が挙げられるが、特にこの条件に限定されるもので
はなく、その他いろいろな条件での予備パルス成分の与
えかたが考えられ、同様の効果が得られるものである。
び印加タイミングと印加時間の一例としては、上述した
条件が挙げられるが、特にこの条件に限定されるもので
はなく、その他いろいろな条件での予備パルス成分の与
えかたが考えられ、同様の効果が得られるものである。
【００２１】実施の形態５．次にこの発明の第５の実施
の形態を説明する。図７（ａ），（ｂ）はこの実施の形
態を説明するための概略図である。装置構成は、第１の
実施の形態のものにレーザ光受け用のダンパー８を追加
したものである。これは、放電エネルギー投入直後の放
電状態の不安定性から生じるミスパルスに対して、図７
（ａ）のようにガルバノスキャンミラー５をＮＣ装置３
で走査することによって、少なくとも最初の１つめのパ
ルスをダンパー８などの遮蔽物へ照射し、図７（ｂ）の
ようにそれ以降の安定したパルスレーザ光を加工物７に
照射するよう工夫したものである。
の形態を説明する。図７（ａ），（ｂ）はこの実施の形
態を説明するための概略図である。装置構成は、第１の
実施の形態のものにレーザ光受け用のダンパー８を追加
したものである。これは、放電エネルギー投入直後の放
電状態の不安定性から生じるミスパルスに対して、図７
（ａ）のようにガルバノスキャンミラー５をＮＣ装置３
で走査することによって、少なくとも最初の１つめのパ
ルスをダンパー８などの遮蔽物へ照射し、図７（ｂ）の
ようにそれ以降の安定したパルスレーザ光を加工物７に
照射するよう工夫したものである。
【００２２】実施の形態６．次にこの発明の第５の実施
の形態を説明する。図８（ａ），（ｂ）はこの実施の形
態を説明するための概略図である。装置構成は、第１の
実施の形態のものにレーザ光遮蔽用の高速シャッター９
を追加したものである。これは、放電エネルギー投入直
後の放電状態の不安定性から生じるミスパルスに対し
て、図８（ａ）のように少なくとも最初の１つめのパル
スを、高速シャッター９をＮＣ装置３で制御することに
より遮光し、図８（ｂ）のようにそれ以降の安定したパ
ルスレーザを加工物７に照射するよう工夫したものであ
る。
の形態を説明する。図８（ａ），（ｂ）はこの実施の形
態を説明するための概略図である。装置構成は、第１の
実施の形態のものにレーザ光遮蔽用の高速シャッター９
を追加したものである。これは、放電エネルギー投入直
後の放電状態の不安定性から生じるミスパルスに対し
て、図８（ａ）のように少なくとも最初の１つめのパル
スを、高速シャッター９をＮＣ装置３で制御することに
より遮光し、図８（ｂ）のようにそれ以降の安定したパ
ルスレーザを加工物７に照射するよう工夫したものであ
る。
【００２３】なお、上記の各実施の形態では炭酸ガスレ
ーザの場合について説明したが、この発明は他の、例え
ばエキシマレーザ、ヘリウムネオンレーザ等の場合に
も、同様の効果を得られるものであることは言うまでも
ない。
ーザの場合について説明したが、この発明は他の、例え
ばエキシマレーザ、ヘリウムネオンレーザ等の場合に
も、同様の効果を得られるものであることは言うまでも
ない。
【００２４】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明による
ガスレーザ加工機は、放電電力波形を電気的に制御する
ことにより、最初の１つめのパルスがミスパルスとなる
ことを防ぐことができ、加工時間は従来の加工と大差無
く、かつ安定な加工を実現することができる、といった
効果を奏する。
ガスレーザ加工機は、放電電力波形を電気的に制御する
ことにより、最初の１つめのパルスがミスパルスとなる
ことを防ぐことができ、加工時間は従来の加工と大差無
く、かつ安定な加工を実現することができる、といった
効果を奏する。
【００２５】また、放電電力波形を電気的に制御するこ
とにより、最初の１つめのパルスがミスパルスとなるこ
とを防ぐことができるとともに、２つめ以降のパルスに
ついても安定性を向上させることができ、加工時間は従
来の加工と大差無く、かつ安定な加工を実現することが
できる、といった効果を奏する。
とにより、最初の１つめのパルスがミスパルスとなるこ
とを防ぐことができるとともに、２つめ以降のパルスに
ついても安定性を向上させることができ、加工時間は従
来の加工と大差無く、かつ安定な加工を実現することが
できる、といった効果を奏する。
【００２６】また、放電電力波形を電気的に制御するこ
とにより、加工中の全パルスについてミスパルスとなる
ことを防ぐことができ、加工時間は従来の加工と大差無
く、かつ安定な加工を実現することができる、といった
効果を奏する。
とにより、加工中の全パルスについてミスパルスとなる
ことを防ぐことができ、加工時間は従来の加工と大差無
く、かつ安定な加工を実現することができる、といった
効果を奏する。
【００２７】また、放電電力波形を電気的に制御するこ
とにより、加工中の全パルスについてミスパルスとなる
ことを防ぐことができ、加工時間は従来の加工と大差無
く、かつ安定な加工を実現することができ、さらには従
来の加工より少ない電力で制御できる、といった効果を
奏する。
とにより、加工中の全パルスについてミスパルスとなる
ことを防ぐことができ、加工時間は従来の加工と大差無
く、かつ安定な加工を実現することができ、さらには従
来の加工より少ない電力で制御できる、といった効果を
奏する。
【００２８】
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の微細穴あけ加工機の基本構成例の
図である。
図である。
【図２】 この発明の第１の実施の形態による入力電力
パルス波形とレーザ出力波形の図である。
パルス波形とレーザ出力波形の図である。
【図３】 炭酸ガスレーザの入出力特性の図である。
【図４】 この発明の第２の実施の形態による入力電力
パルス波形とレーザ出力波形の図である。
パルス波形とレーザ出力波形の図である。
【図５】 この発明の第３の実施の形態による入力電力
パルス波形とレーザ出力波形の図である。
パルス波形とレーザ出力波形の図である。
【図６】 この発明の第４の実施の形態による入力電力
パルス波形とレーザ出力波形の図である。
パルス波形とレーザ出力波形の図である。
【図７】 この発明の第５の実施の形態による微細穴あ
け加工機の基本構成例の図である。
け加工機の基本構成例の図である。
【図８】 この発明の第６の実施の形態による微細穴あ
け加工機の基本構成例の図である。
け加工機の基本構成例の図である。
【図９】 従来の制御の入力電力パルス波形とレーザ出
力波形の図である。
力波形の図である。
１ レーザ発振器 ２ 出力パルス制御装置 ３ ＮＣ装置 ４ 像転写用マスク ５ ガルバノスキャンミラー ６ ｆθレンズ ７ 加工基板 ８ 遮蔽板 ９ 高速シャッター １０ レーザ光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 26/00 H01S 3/00
Claims (4)
- 【請求項１】 パルスレーザ発振を行なうガスレーザ加
工機において、エネルギーがレーザ発振しきい値以下の
ピーク値をもつ予備パルス成分を最初の１つめのパルス
の前に与えることを特徴とするガスレーザ加工機。 - 【請求項２】 パルスレーザ発振を行なうガスレーザ加
工機において、エネルギーがレーザ発振しきい値以下の
ベース電流の加工中に加えるとともに、エネルギーがレ
ーザ発振しきい値以下のピーク値をもつ予備パルス成分
を最初の１つめのパルスの前に与えることを特徴とする
ガスレーザ加工機。 - 【請求項３】 パルスレーザ発振を行なうガスレーザ加
工機において、エネルギーがレーザ発振しきい値以下の
ピーク値をもつ予備パルス成分を加工に使用するパルス
の発振以前および各パルス間に連続で与えることを特徴
とするガスレーザ加工機。 - 【請求項４】 パルスレーザ発振を行なうガスレーザ加
工機において、エネルギーがレーザ発振しきい値以下の
ピーク値をもつ予備パルス成分を加工に使用する各パル
スの前に一定時間与えることを特徴とするガスレーザ加
工機。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02290098A JP3292125B2 (ja) | 1997-03-21 | 1998-02-04 | ガスレーザ加工機 |
| US09/045,824 US6765936B2 (en) | 1997-03-21 | 1998-03-23 | Gas laser machining apparatus |
| US10/875,289 US6898220B2 (en) | 1997-03-21 | 2004-06-25 | Gas laser machining apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-68208 | 1997-03-21 | ||
| JP6820897 | 1997-03-21 | ||
| JP02290098A JP3292125B2 (ja) | 1997-03-21 | 1998-02-04 | ガスレーザ加工機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10323775A JPH10323775A (ja) | 1998-12-08 |
| JP3292125B2 true JP3292125B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
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