JP3292097B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップの主面
上にインナーリードが延在するＬＯＣ（リード・オン・
チップ）構造を有する半導体装置およびその製造方法に
関するものである。
上にインナーリードが延在するＬＯＣ（リード・オン・
チップ）構造を有する半導体装置およびその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、主としてメモリーチップなどに代
表される半導体チップのパッケージング技術としては、
リードフレームのインナーリード部が半導体チップの主
面上に延在し、そのリード部と半導体チップ主面とを接
着して固定し、半導体チップを支持するダイパッドをな
くした、いわゆるＬＯＣ技術が開発されている。従来の
ＬＯＣ型の半導体装置としては、半導体チップ主面とイ
ンナーリード部の一部とを絶縁テープを介して接着して
固定するものがあるが、最近は半導体チップの側面部分
をリードにより支持固定するタイプのＬＯＣ型半導体装
置も開発されている。
表される半導体チップのパッケージング技術としては、
リードフレームのインナーリード部が半導体チップの主
面上に延在し、そのリード部と半導体チップ主面とを接
着して固定し、半導体チップを支持するダイパッドをな
くした、いわゆるＬＯＣ技術が開発されている。従来の
ＬＯＣ型の半導体装置としては、半導体チップ主面とイ
ンナーリード部の一部とを絶縁テープを介して接着して
固定するものがあるが、最近は半導体チップの側面部分
をリードにより支持固定するタイプのＬＯＣ型半導体装
置も開発されている。
【０００３】以下、従来のＬＯＣ型の半導体装置につい
て図面を参照しながら説明する。図１２は従来の半導体
チップ側面支持型の半導体装置を示す平面図であり、樹
脂封止後のリードフレーム状態での構造を示している。
図１３は同様に半導体チップ側面支持型の半導体装置を
示す断面図であり、図１２のＡ−Ａ１箇所の断面図であ
る。なお、図１２においては、内部構成を示すために封
止樹脂を省略し、封止樹脂の領域を破線で示している。
て図面を参照しながら説明する。図１２は従来の半導体
チップ側面支持型の半導体装置を示す平面図であり、樹
脂封止後のリードフレーム状態での構造を示している。
図１３は同様に半導体チップ側面支持型の半導体装置を
示す断面図であり、図１２のＡ−Ａ１箇所の断面図であ
る。なお、図１２においては、内部構成を示すために封
止樹脂を省略し、封止樹脂の領域を破線で示している。
【０００４】図示するように、半導体チップ１は対向す
る両側面をリードフレーム２の支持リード部３により、
接着剤４を介して支持されている。そして半導体チップ
１の主面にはリードフレーム２のインナーリード部５が
延在し、半導体チップ１上の電極パッド６とインナーリ
ード部５の先端部とは金属細線７により電気的に接続さ
れている。そして半導体チップ１を含む外囲は封止樹脂
８により封止されているものである。また、支持リード
部３は、半導体チップ１の側面を接着剤４を介して支持
する部位である支持部９と、その支持部９を保持する吊
り部１０とにより構成されているものであり、吊り部１
０は２本のリードよりなるものである。そして支持部９
が半導体チップ１の側面に当接するように、吊り部１０
の途中で折り曲げられて、接着剤４により支持部９と半
導体チップ１を支持、固定しているものである。なお、
アウターリード部１１は封止樹脂８により外囲を封止し
た際に封止樹脂８より突出して、外部端子となるもので
ある。
る両側面をリードフレーム２の支持リード部３により、
接着剤４を介して支持されている。そして半導体チップ
１の主面にはリードフレーム２のインナーリード部５が
延在し、半導体チップ１上の電極パッド６とインナーリ
ード部５の先端部とは金属細線７により電気的に接続さ
れている。そして半導体チップ１を含む外囲は封止樹脂
８により封止されているものである。また、支持リード
部３は、半導体チップ１の側面を接着剤４を介して支持
する部位である支持部９と、その支持部９を保持する吊
り部１０とにより構成されているものであり、吊り部１
０は２本のリードよりなるものである。そして支持部９
が半導体チップ１の側面に当接するように、吊り部１０
の途中で折り曲げられて、接着剤４により支持部９と半
導体チップ１を支持、固定しているものである。なお、
アウターリード部１１は封止樹脂８により外囲を封止し
た際に封止樹脂８より突出して、外部端子となるもので
ある。
【０００５】以上、従来の半導体装置は、半導体チップ
１の側面部分をリードフレーム２に設けた支持リード部
３により支持固定し、外囲を封止してなるものであっ
た。
１の側面部分をリードフレーム２に設けた支持リード部
３により支持固定し、外囲を封止してなるものであっ
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の半
導体装置の構成では、以下に示す課題があった。
導体装置の構成では、以下に示す課題があった。
【０００７】まず、半導体チップの側面を支持リード部
によって支持、固定している構造であるが、半導体チッ
プの側面と支持リード部の先端部（支持部）とは接触し
ており、支持リード部が半導体チップ側面を押さえ、そ
の状態で接着剤で固定しているので、実質的に半導体チ
ップの側面に接触する支持リード部および接着剤の面積
が少なく、半導体チップに対する支持力としては低いも
のであった。そのため、半導体チップの外囲を封止樹脂
で封止し、その熱応力により半導体チップ、支持リード
部がストレスを受けた場合、半導体チップと支持リード
部とが剥離を起こし、信頼性が低下するという課題があ
った。また封止樹脂で外囲を封止する前であっても、半
導体チップを支持リード部で支持して次の工程、例えば
金属細線による接続工程（ワイヤーボンディング工程）
に移行する際の搬送時の外的な応力によっても、支持力
が弱いため、半導体チップと支持リード部とが外れると
いう課題があった。
によって支持、固定している構造であるが、半導体チッ
プの側面と支持リード部の先端部（支持部）とは接触し
ており、支持リード部が半導体チップ側面を押さえ、そ
の状態で接着剤で固定しているので、実質的に半導体チ
ップの側面に接触する支持リード部および接着剤の面積
が少なく、半導体チップに対する支持力としては低いも
のであった。そのため、半導体チップの外囲を封止樹脂
で封止し、その熱応力により半導体チップ、支持リード
部がストレスを受けた場合、半導体チップと支持リード
部とが剥離を起こし、信頼性が低下するという課題があ
った。また封止樹脂で外囲を封止する前であっても、半
導体チップを支持リード部で支持して次の工程、例えば
金属細線による接続工程（ワイヤーボンディング工程）
に移行する際の搬送時の外的な応力によっても、支持力
が弱いため、半導体チップと支持リード部とが外れると
いう課題があった。
【０００８】また半導体チップの側面と支持リード部と
は接着剤により固定されているが、接着剤の半導体チッ
プ側面に対する面積が小さいため、半導体チップと支持
リードとの間に弾力性がなく、チップ支持の安定性に欠
ける構造であった。
は接着剤により固定されているが、接着剤の半導体チッ
プ側面に対する面積が小さいため、半導体チップと支持
リードとの間に弾力性がなく、チップ支持の安定性に欠
ける構造であった。
【０００９】さらに従来の支持リード部は、吊り部を折
り曲げて、支持部を半導体チップの側面に当接させるも
のであるが、その折り曲げ角度いかんによっては、支持
強度のバラツキが発生するという課題もあった。
り曲げて、支持部を半導体チップの側面に当接させるも
のであるが、その折り曲げ角度いかんによっては、支持
強度のバラツキが発生するという課題もあった。
【００１０】本発明は前記従来の課題を解決するもので
あり、半導体チップ側面を支持する構造の半導体装置に
おいて、半導体チップの側面とその側面を支持する支持
リードとの間の構成に着目し、チップ支持強度を向上さ
せ、半導体装置製品の信頼性向上を実現できる半導体装
置およびその製造方法を提供することを目的とする。
あり、半導体チップ側面を支持する構造の半導体装置に
おいて、半導体チップの側面とその側面を支持する支持
リードとの間の構成に着目し、チップ支持強度を向上さ
せ、半導体装置製品の信頼性向上を実現できる半導体装
置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明の半導体装置は、半導体チップと、その半導体
チップの側面を接着剤を介して支持する第１のリード部
と、半導体チップの主面上に延在した第２のリード部
と、半導体チップとその第２のリード部とを電気的に接
続する手段と、半導体チップと第１のリード部および第
２のリード部とを封止している封止樹脂と、封止樹脂よ
り露出した第３のリード部とよりなる半導体装置であっ
て、半導体チップの側面を支持する第１のリードは、５
０度〜７５度の範囲の角度で折れ曲がって半導体チップ
を支持し、半導体チップの側面を接着剤を介して支持す
る第１のリードと支持される半導体チップ側面との間隔
は、１００［μｍ］〜３００［μｍ］の間隔が形成され
て接着剤により支持され、接着剤は半導体チップの側面
全面にわたって形成されているものである。また、半導
体チップの主面に延在した第２のリード部と半導体チッ
プの主面との間には、封止樹脂中のフィラーよりも大き
な間隔が形成されているものである。また、半導体チッ
プの側面を接着剤を介して支持する第１のリードの先端
部は半導体チップ底面より突出し、その突出部分と半導
体チップ底面との間に接着剤のフィレットが形成されて
いるものである。
に本発明の半導体装置は、半導体チップと、その半導体
チップの側面を接着剤を介して支持する第１のリード部
と、半導体チップの主面上に延在した第２のリード部
と、半導体チップとその第２のリード部とを電気的に接
続する手段と、半導体チップと第１のリード部および第
２のリード部とを封止している封止樹脂と、封止樹脂よ
り露出した第３のリード部とよりなる半導体装置であっ
て、半導体チップの側面を支持する第１のリードは、５
０度〜７５度の範囲の角度で折れ曲がって半導体チップ
を支持し、半導体チップの側面を接着剤を介して支持す
る第１のリードと支持される半導体チップ側面との間隔
は、１００［μｍ］〜３００［μｍ］の間隔が形成され
て接着剤により支持され、接着剤は半導体チップの側面
全面にわたって形成されているものである。また、半導
体チップの主面に延在した第２のリード部と半導体チッ
プの主面との間には、封止樹脂中のフィラーよりも大き
な間隔が形成されているものである。また、半導体チッ
プの側面を接着剤を介して支持する第１のリードの先端
部は半導体チップ底面より突出し、その突出部分と半導
体チップ底面との間に接着剤のフィレットが形成されて
いるものである。
【００１２】また本発明の半導体装置の製造方法におい
ては、半導体チップを支持するのに用いる複数の第１の
リード部と、半導体チップと電気的な接続をするための
複数のインナーリード部と、そのインナーリード部と接
続した複数のアウターリード部とを有するリードフレー
ムに対して、第１のリード部を５０度〜７５度の角度で
折り曲げる工程と、その折り曲げた第１のリード部と半
導体チップ側面との間に１００［μｍ］〜３００［μ
ｍ］の間隔を形成して、その間隔の折り曲げ部側から接
着剤を供給して半導体チップを第１のリードで支持する
工程と、半導体チップとインナーリード部とを電気的に
接続する工程と、アウターリード部を露出させて半導体
チップの外囲を封止樹脂で封止する工程とよりなるもの
である。
ては、半導体チップを支持するのに用いる複数の第１の
リード部と、半導体チップと電気的な接続をするための
複数のインナーリード部と、そのインナーリード部と接
続した複数のアウターリード部とを有するリードフレー
ムに対して、第１のリード部を５０度〜７５度の角度で
折り曲げる工程と、その折り曲げた第１のリード部と半
導体チップ側面との間に１００［μｍ］〜３００［μ
ｍ］の間隔を形成して、その間隔の折り曲げ部側から接
着剤を供給して半導体チップを第１のリードで支持する
工程と、半導体チップとインナーリード部とを電気的に
接続する工程と、アウターリード部を露出させて半導体
チップの外囲を封止樹脂で封止する工程とよりなるもの
である。
【００１３】前記構成の通り、半導体チップの側面を接
着剤を介して支持する第１リードの折れ曲がり角度を５
０度〜７５度の範囲としており、また第１のリード部と
支持される半導体チップ側面との間隔は、１００［μ
ｍ］〜３００［μｍ］の間隔が形成されて、その間隔に
接着剤が充填することにより支持されているので、半導
体チップ側面とそれを支持する第１のリード部とは直接
には当接するものではなく、半導体チップの外囲を封止
樹脂で封止し、その熱応力により半導体チップ、第１の
リード部がストレスを受けても弾力性があるため、半導
体チップと第１のリード部とが剥離を起こすことはなく
なる。すなわち、５０度〜７５度の折れ曲がり角度、半
導体チップ側面と第１のリード部との間隔は、半導体チ
ップと第１のリードとの間のストレスを緩和するのに必
要な角度である。さらに、半導体チップの側面を接着剤
を介して支持する第１のリードの先端部は半導体チップ
底面より突出し、その突出部分と半導体チップ底面との
間に接着剤のフィレットが形成されているので、そのフ
ィレットにより半導体チップを支持する支持力が強化さ
れ、安定したチップ支持が行われるものである。
着剤を介して支持する第１リードの折れ曲がり角度を５
０度〜７５度の範囲としており、また第１のリード部と
支持される半導体チップ側面との間隔は、１００［μ
ｍ］〜３００［μｍ］の間隔が形成されて、その間隔に
接着剤が充填することにより支持されているので、半導
体チップ側面とそれを支持する第１のリード部とは直接
には当接するものではなく、半導体チップの外囲を封止
樹脂で封止し、その熱応力により半導体チップ、第１の
リード部がストレスを受けても弾力性があるため、半導
体チップと第１のリード部とが剥離を起こすことはなく
なる。すなわち、５０度〜７５度の折れ曲がり角度、半
導体チップ側面と第１のリード部との間隔は、半導体チ
ップと第１のリードとの間のストレスを緩和するのに必
要な角度である。さらに、半導体チップの側面を接着剤
を介して支持する第１のリードの先端部は半導体チップ
底面より突出し、その突出部分と半導体チップ底面との
間に接着剤のフィレットが形成されているので、そのフ
ィレットにより半導体チップを支持する支持力が強化さ
れ、安定したチップ支持が行われるものである。
【００１４】なお、本発明は、半導体チップを支持する
リードの折り曲げ角度の条件設定ではなく、その折り曲
げ角度に加えて、半導体チップと支持するリードとの間
に特徴的に間隔をもって、接着剤を介して接着すること
を特徴とするものであり、支持するリードは半導体チッ
プの側面には接触しておらず、接着剤のみが介在するこ
とにより、チップ／リード間に弾力性を生じさせ、チッ
プとリードとの剥離、外れを解消できるものである。し
たがって、単なる本発明は、半導体チップを支持するリ
ードの折り曲げ角度や間隔の条件設定ではなく、チップ
／リード間の弾力性に着目して諸課題を解決しようとす
るものである。
リードの折り曲げ角度の条件設定ではなく、その折り曲
げ角度に加えて、半導体チップと支持するリードとの間
に特徴的に間隔をもって、接着剤を介して接着すること
を特徴とするものであり、支持するリードは半導体チッ
プの側面には接触しておらず、接着剤のみが介在するこ
とにより、チップ／リード間に弾力性を生じさせ、チッ
プとリードとの剥離、外れを解消できるものである。し
たがって、単なる本発明は、半導体チップを支持するリ
ードの折り曲げ角度や間隔の条件設定ではなく、チップ
／リード間の弾力性に着目して諸課題を解決しようとす
るものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。図１は本実施形態の半
導体装置を示す平面図であり、リードフレーム状態での
構造を示している。図２は同様に半導体装置を示す断面
図であり、図１のＡ−Ａ１箇所の断面図である。図３は
半導体装置を示す断面図であり、図１のＢ−Ｂ１箇所の
断面図である。図４は半導体装置を示す断面図であり、
図１のＣ−Ｃ１箇所の断面図である。図５は半導体チッ
プの一側面と支持リードとの接着状態を示す部分的に拡
大した断面図である。図１においては、内部構成を示す
ために封止樹脂を省略し、封止樹脂の領域を破線で示し
ている。
て図面を参照しながら説明する。図１は本実施形態の半
導体装置を示す平面図であり、リードフレーム状態での
構造を示している。図２は同様に半導体装置を示す断面
図であり、図１のＡ−Ａ１箇所の断面図である。図３は
半導体装置を示す断面図であり、図１のＢ−Ｂ１箇所の
断面図である。図４は半導体装置を示す断面図であり、
図１のＣ−Ｃ１箇所の断面図である。図５は半導体チッ
プの一側面と支持リードとの接着状態を示す部分的に拡
大した断面図である。図１においては、内部構成を示す
ために封止樹脂を省略し、封止樹脂の領域を破線で示し
ている。
【００１６】図示するように、本実施形態の半導体装置
は、半導体チップ１２と、その半導体チップ１２の側面
を接着剤１３を介して支持する第１のリード部である支
持リード部１４と、半導体チップ１２の主面上に延在し
た第２のリード部であるインナーリード部１５と、半導
体チップ１２の電極パッド１２ａとそのインナーリード
部１５とを電気的に接続する手段である金属細線１６
と、半導体チップ１２と支持リード部１４およびインナ
ーリード部１５とを封止している封止樹脂１７と、その
封止樹脂１７より露出した第３のリード部であるアウタ
ーリード部１８とよりなる半導体装置であって、半導体
チップ１２の側面を接着剤１３を介して支持する支持リ
ード部１４は、５０度〜７５度の範囲、好ましくは５５
度の角度で半導体チップ１２の側面方向である下方に折
れ曲がって半導体チップ１２を支持しているものであ
る。ここで前述したように、封止樹脂１７は、図中、破
線で示した領域に設けられているものである。
は、半導体チップ１２と、その半導体チップ１２の側面
を接着剤１３を介して支持する第１のリード部である支
持リード部１４と、半導体チップ１２の主面上に延在し
た第２のリード部であるインナーリード部１５と、半導
体チップ１２の電極パッド１２ａとそのインナーリード
部１５とを電気的に接続する手段である金属細線１６
と、半導体チップ１２と支持リード部１４およびインナ
ーリード部１５とを封止している封止樹脂１７と、その
封止樹脂１７より露出した第３のリード部であるアウタ
ーリード部１８とよりなる半導体装置であって、半導体
チップ１２の側面を接着剤１３を介して支持する支持リ
ード部１４は、５０度〜７５度の範囲、好ましくは５５
度の角度で半導体チップ１２の側面方向である下方に折
れ曲がって半導体チップ１２を支持しているものであ
る。ここで前述したように、封止樹脂１７は、図中、破
線で示した領域に設けられているものである。
【００１７】また半導体チップ１２の側面を支持してい
る支持リード部１４は、半導体チップ１２の側面を接着
剤１３を介して支持する支持部１９と、その支持部１９
を保持する２本の吊り部２０とより構成されており、吊
り部２０の途中で半導体チップ１２の側面方向である下
方に折れ曲がっているものである。なお、フレーム枠２
１はリードフレームの外枠である。
る支持リード部１４は、半導体チップ１２の側面を接着
剤１３を介して支持する支持部１９と、その支持部１９
を保持する２本の吊り部２０とより構成されており、吊
り部２０の途中で半導体チップ１２の側面方向である下
方に折れ曲がっているものである。なお、フレーム枠２
１はリードフレームの外枠である。
【００１８】ここで本実施形態の半導体装置は、図２，
図５に示すように、半導体チップ１２の側面を接着剤１
３を介して支持する支持リード部１４は、５０度〜７５
度の範囲の角度［θ］で半導体チップ１２の側面方向で
ある下方に折れ曲がって半導体チップ１２を支持してい
るものであり、また支持リード部１４と支持される半導
体チップ１２の側面との間隔［Ｌ］は、１００［μｍ］
〜３００［μｍ］の間隔、好ましくは１５０［μｍ］の
間隔が形成されて、その間隔に接着剤を充填することに
より支持されているので、半導体チップ１２の側面とそ
れを支持する支持リード部１４とは直接には当接するも
のではなく、半導体チップ１２の外囲を封止樹脂で封止
し、その熱応力により半導体チップ１２、支持リード部
１４がストレスを受けても弾力性があるため、半導体チ
ップ１２と支持リード部１４とが剥離を起こすことはな
くなる。すなわち、５０度〜７５度の折れ曲がり角度、
および半導体チップ１２の側面と支持リード部１４との
間隔は、半導体チップ１２と支持リード部１４との間の
ストレスを緩和するのに必要な角度である。なお、支持
リード部１４と支持される半導体チップ１２の側面との
間隔［Ｌ］は、１００［μｍ］〜３００［μｍ］の範囲
であれば、熱応力により半導体チップ１２、支持リード
部１４がストレスを受けても弾力性を有するものであ
る。
図５に示すように、半導体チップ１２の側面を接着剤１
３を介して支持する支持リード部１４は、５０度〜７５
度の範囲の角度［θ］で半導体チップ１２の側面方向で
ある下方に折れ曲がって半導体チップ１２を支持してい
るものであり、また支持リード部１４と支持される半導
体チップ１２の側面との間隔［Ｌ］は、１００［μｍ］
〜３００［μｍ］の間隔、好ましくは１５０［μｍ］の
間隔が形成されて、その間隔に接着剤を充填することに
より支持されているので、半導体チップ１２の側面とそ
れを支持する支持リード部１４とは直接には当接するも
のではなく、半導体チップ１２の外囲を封止樹脂で封止
し、その熱応力により半導体チップ１２、支持リード部
１４がストレスを受けても弾力性があるため、半導体チ
ップ１２と支持リード部１４とが剥離を起こすことはな
くなる。すなわち、５０度〜７５度の折れ曲がり角度、
および半導体チップ１２の側面と支持リード部１４との
間隔は、半導体チップ１２と支持リード部１４との間の
ストレスを緩和するのに必要な角度である。なお、支持
リード部１４と支持される半導体チップ１２の側面との
間隔［Ｌ］は、１００［μｍ］〜３００［μｍ］の範囲
であれば、熱応力により半導体チップ１２、支持リード
部１４がストレスを受けても弾力性を有するものであ
る。
【００１９】また本実施形態の半導体装置は、図５に示
すように、半導体チップ１２の側面を接着剤１３を介し
て支持する支持リード部１４の支持部１９（先端部）は
半導体チップ１２の底面より突出し、その突出部分と半
導体チップ１２の底面との間に接着剤１３のフィレット
部１３ａが形成されているものである。このフィレット
部１３ａを形成するように接着剤１３を介在させること
により、半導体チップ１２と支持リード部１４との接着
構造において、その接着力を強化させることができる。
また、その突出量［Ｔ］は、半導体チップ１２の底面よ
り１２０［μｍ］〜１８０［μｍ］突出しているもので
ある。実質的には、半導体チップ１２の側面を接着剤１
３により接着、固定する場合、１５０［μｍ］の突出量
が好ましいが、１２０［μｍ］〜１８０［μｍ］の範囲
であれば接着強度の向上に寄与するものである。
すように、半導体チップ１２の側面を接着剤１３を介し
て支持する支持リード部１４の支持部１９（先端部）は
半導体チップ１２の底面より突出し、その突出部分と半
導体チップ１２の底面との間に接着剤１３のフィレット
部１３ａが形成されているものである。このフィレット
部１３ａを形成するように接着剤１３を介在させること
により、半導体チップ１２と支持リード部１４との接着
構造において、その接着力を強化させることができる。
また、その突出量［Ｔ］は、半導体チップ１２の底面よ
り１２０［μｍ］〜１８０［μｍ］突出しているもので
ある。実質的には、半導体チップ１２の側面を接着剤１
３により接着、固定する場合、１５０［μｍ］の突出量
が好ましいが、１２０［μｍ］〜１８０［μｍ］の範囲
であれば接着強度の向上に寄与するものである。
【００２０】また図３に示すように、半導体チップ１２
の主面に延在したインナーリード部１５と半導体チップ
１２の主面との間には、外囲を封止する封止樹脂１７中
に含まれるフィラーよりも大きな間隔が形成され、その
間隔に封止樹脂１７が充填されて、隙間や樹脂ボイドな
く封止されているものである。この構造により、隙間が
ないため、半導体装置としての信頼性を向上させること
ができる。具体的には、封止樹脂１７中のフィラーの粒
径として８０［μｍ］よりも大きい間隔が形成されて封
止させている構造である。現状、封止樹脂１７に用いて
いるエポキシ系樹脂に含有させているフィラーの粒径
は、８０［μｍ］程度である。もし、半導体チップ１２
の主面とインナーリード部１５との間隔がフィラーの粒
径よりも小さい値であれば、封止樹脂１７が半導体チッ
プ１２／インナーリード部１５間に充填されず、空隙と
して残存し、熱衝撃等の信頼性上の課題となるものであ
る。
の主面に延在したインナーリード部１５と半導体チップ
１２の主面との間には、外囲を封止する封止樹脂１７中
に含まれるフィラーよりも大きな間隔が形成され、その
間隔に封止樹脂１７が充填されて、隙間や樹脂ボイドな
く封止されているものである。この構造により、隙間が
ないため、半導体装置としての信頼性を向上させること
ができる。具体的には、封止樹脂１７中のフィラーの粒
径として８０［μｍ］よりも大きい間隔が形成されて封
止させている構造である。現状、封止樹脂１７に用いて
いるエポキシ系樹脂に含有させているフィラーの粒径
は、８０［μｍ］程度である。もし、半導体チップ１２
の主面とインナーリード部１５との間隔がフィラーの粒
径よりも小さい値であれば、封止樹脂１７が半導体チッ
プ１２／インナーリード部１５間に充填されず、空隙と
して残存し、熱衝撃等の信頼性上の課題となるものであ
る。
【００２１】さらに本実施形態では、半導体チップ１２
の側面を支持している支持リード部１４の支持部１９の
面積は、支持しようとする半導体チップ１２の側面の面
積の４０［％］以上で構成しているものであり、前記し
た半導体チップ１２側面と支持リード部１４との間隔、
支持リード部１４の折れ曲がり角度、支持リード部１４
の先端部と半導体チップ１２の底面との間の接着剤１３
のフィレット部１３ａの形成に加えて、接着面積を向上
させることにより、さらに安定したチップ支持を実現し
ようとするものである。
の側面を支持している支持リード部１４の支持部１９の
面積は、支持しようとする半導体チップ１２の側面の面
積の４０［％］以上で構成しているものであり、前記し
た半導体チップ１２側面と支持リード部１４との間隔、
支持リード部１４の折れ曲がり角度、支持リード部１４
の先端部と半導体チップ１２の底面との間の接着剤１３
のフィレット部１３ａの形成に加えて、接着面積を向上
させることにより、さらに安定したチップ支持を実現し
ようとするものである。
【００２２】次に本実施形態で用いたリードフレームの
構成について図面を参照しながら説明する。図６は本実
施形態の半導体装置に用いたリードフレームを示す平面
図である。
構成について図面を参照しながら説明する。図６は本実
施形態の半導体装置に用いたリードフレームを示す平面
図である。
【００２３】図示するように、本実施形態のリードフレ
ームは、２本の吊り部２０で保持された支持部１９より
なる支持リード部１４と、インナーリード部１５と、ア
ウターリード部１８と、これらを連結支持しているフレ
ーム枠２１よりなるものである。このようにリードフレ
ームに対して、半導体チップを接着剤を介して支持、固
定し、インナーリード部と半導体チップとを電気的な接
続をして、外囲を封止することにより、半導体装置を構
成するものである。
ームは、２本の吊り部２０で保持された支持部１９より
なる支持リード部１４と、インナーリード部１５と、ア
ウターリード部１８と、これらを連結支持しているフレ
ーム枠２１よりなるものである。このようにリードフレ
ームに対して、半導体チップを接着剤を介して支持、固
定し、インナーリード部と半導体チップとを電気的な接
続をして、外囲を封止することにより、半導体装置を構
成するものである。
【００２４】さらにここで半導体チップを安定に支持、
固定することができるように、支持リード部１４の構成
について別の実施形態を説明する。図７はリードフレー
ムの支持リード部１４の別の実施形態を示す平面図であ
る。
固定することができるように、支持リード部１４の構成
について別の実施形態を説明する。図７はリードフレー
ムの支持リード部１４の別の実施形態を示す平面図であ
る。
【００２５】図示するように、半導体チップの側面を支
持する支持リード部１４の吊り部２０は、前記した構成
のように２本のリード構成とは異なり、面状の吊り部２
０であり、幅広に構成することにより、支持部１９のね
じれ、変形を防止できる構成となっている。さらに支持
リード部１４を構成している支持部１９と吊り部２０と
の連結部分はテーパー状とし、支持部１９のねじれ、変
形を防止し、半導体チップを支持した際に安定した支持
ができる構成としている。なお、リード状の吊り部とし
た場合でもその連結部分をテーパー状とすることによ
り、支持部１９のねじれ、変形を防止し、半導体チップ
を支持した際に安定した支持ができる。また半導体チッ
プの側面を支持する支持リード部１４において、吊り部
２０と支持部１９との連結部分付近は厚みが他の部分よ
り薄く形成され、折り曲げの際に、容易にしかも適正箇
所での折り曲げが精度よくできる構造を有しているもの
である。
持する支持リード部１４の吊り部２０は、前記した構成
のように２本のリード構成とは異なり、面状の吊り部２
０であり、幅広に構成することにより、支持部１９のね
じれ、変形を防止できる構成となっている。さらに支持
リード部１４を構成している支持部１９と吊り部２０と
の連結部分はテーパー状とし、支持部１９のねじれ、変
形を防止し、半導体チップを支持した際に安定した支持
ができる構成としている。なお、リード状の吊り部とし
た場合でもその連結部分をテーパー状とすることによ
り、支持部１９のねじれ、変形を防止し、半導体チップ
を支持した際に安定した支持ができる。また半導体チッ
プの側面を支持する支持リード部１４において、吊り部
２０と支持部１９との連結部分付近は厚みが他の部分よ
り薄く形成され、折り曲げの際に、容易にしかも適正箇
所での折り曲げが精度よくできる構造を有しているもの
である。
【００２６】以上、本実施形態の半導体装置は、半導体
チップの側面とその側面を支持する支持リード部との間
の構成に着目し、支持リード部の折り曲げ角度、チップ
と支持リード部との間隔、接着剤のフィレット形成、支
持リード部の支持部とチップ側面との面積構成等を主眼
とすることにより、チップ支持強度を向上させ、半導体
装置製品の信頼性向上を実現できる半導体装置である。
チップの側面とその側面を支持する支持リード部との間
の構成に着目し、支持リード部の折り曲げ角度、チップ
と支持リード部との間隔、接着剤のフィレット形成、支
持リード部の支持部とチップ側面との面積構成等を主眼
とすることにより、チップ支持強度を向上させ、半導体
装置製品の信頼性向上を実現できる半導体装置である。
【００２７】次に本発明の半導体装置の製造方法の一実
施形態について図面を参照しながら説明する。図８〜図
１１は、本実施形態の半導体装置の製造方法を示す工程
ごとの断面図である。
施形態について図面を参照しながら説明する。図８〜図
１１は、本実施形態の半導体装置の製造方法を示す工程
ごとの断面図である。
【００２８】まず図８（ａ），図８（ｂ）および図８
（ｃ）に示すように、半導体チップを支持するのに用い
る複数の支持リード部と、半導体チップと電気的な接続
をするための複数のインナーリード部と、そのインナー
リード部と接続した複数のアウターリード部とを有する
リードフレーム２２に対して、支持リード部１４を５０
度〜７５度の角度で下方に折り曲げる。
（ｃ）に示すように、半導体チップを支持するのに用い
る複数の支持リード部と、半導体チップと電気的な接続
をするための複数のインナーリード部と、そのインナー
リード部と接続した複数のアウターリード部とを有する
リードフレーム２２に対して、支持リード部１４を５０
度〜７５度の角度で下方に折り曲げる。
【００２９】この折り曲げ工程は、下型２３にリードフ
レーム２２を載置し（図８（ａ））、上方より上型２４
により、支持リード部分を押圧して下方に折り曲げるも
のである（図８（ｂ），図８（ｃ））。また支持リード
部１４の折り曲げ角度の設定は、下型２３の凹部２５の
形状および上型２４の押圧機構２６により設定すること
ができる。また、ここでは半導体チップの側面を支持リ
ード部１４で支持した際に、支持リード部１４と半導体
チップとの間に１００［μｍ］〜３００［μｍ］の間隔
が形成されるようにリードフレームを設計しているもの
である。なお、図８においては、断面方向を先に示した
図１の平面図におけるＡ−Ａ１箇所の断面で示してい
る。
レーム２２を載置し（図８（ａ））、上方より上型２４
により、支持リード部分を押圧して下方に折り曲げるも
のである（図８（ｂ），図８（ｃ））。また支持リード
部１４の折り曲げ角度の設定は、下型２３の凹部２５の
形状および上型２４の押圧機構２６により設定すること
ができる。また、ここでは半導体チップの側面を支持リ
ード部１４で支持した際に、支持リード部１４と半導体
チップとの間に１００［μｍ］〜３００［μｍ］の間隔
が形成されるようにリードフレームを設計しているもの
である。なお、図８においては、断面方向を先に示した
図１の平面図におけるＡ−Ａ１箇所の断面で示してい
る。
【００３０】次に図９（ａ），図９（ｂ），図９（ｃ）
および図９（ｄ）に示すように、支持リード部１４を所
定角度で折り曲げたリードフレーム２２に対して、その
支持リード部１４に対して、半導体チップ１２を接着さ
せる。
および図９（ｄ）に示すように、支持リード部１４を所
定角度で折り曲げたリードフレーム２２に対して、その
支持リード部１４に対して、半導体チップ１２を接着さ
せる。
【００３１】まず半導体チップ１２を支持台２７上に載
置し、その半導体チップ１２をその側面で支持するよう
に、支持リード部１４を折り曲げたリードフレーム２２
を位置合わせする（図９（ａ））。そして半導体チップ
１２の側面と支持リード部１４との間隔に接着剤１３を
塗布する（図９（ｂ））。そして加熱により塗布した接
着剤１３を硬化させ（図９（ｃ））、半導体チップ１２
を接着剤１３を介して支持リード部１４で支持、固定す
るものである（図９（ｄ））。ここでは、支持リード部
１４の先端部を支持しようとする半導体チップ１２の底
面ラインよりも１２０［μｍ］〜１８０［μｍ］、好ま
しくは１５０［μｍ］突出させて位置合わせした後、接
着剤１３により固定するものであり、突出した支持リー
ド部１４の先端部と半導体チップ１２の底面部分には、
接着剤１３のフィレット部１３ａが形成されるようにす
るこの構成により、チップ／リードの接着強度を向上さ
せることができるものである。なお、図９においても、
断面方向を先に示した図１の平面図におけるＡ−Ａ１箇
所の断面で示している。
置し、その半導体チップ１２をその側面で支持するよう
に、支持リード部１４を折り曲げたリードフレーム２２
を位置合わせする（図９（ａ））。そして半導体チップ
１２の側面と支持リード部１４との間隔に接着剤１３を
塗布する（図９（ｂ））。そして加熱により塗布した接
着剤１３を硬化させ（図９（ｃ））、半導体チップ１２
を接着剤１３を介して支持リード部１４で支持、固定す
るものである（図９（ｄ））。ここでは、支持リード部
１４の先端部を支持しようとする半導体チップ１２の底
面ラインよりも１２０［μｍ］〜１８０［μｍ］、好ま
しくは１５０［μｍ］突出させて位置合わせした後、接
着剤１３により固定するものであり、突出した支持リー
ド部１４の先端部と半導体チップ１２の底面部分には、
接着剤１３のフィレット部１３ａが形成されるようにす
るこの構成により、チップ／リードの接着強度を向上さ
せることができるものである。なお、図９においても、
断面方向を先に示した図１の平面図におけるＡ−Ａ１箇
所の断面で示している。
【００３２】次に図１０（ａ），図１０（ｂ）および図
１０（ｃ）に示すように、半導体チップ１２の電極部と
インナーリード部１５とを金属細線１６により電気的に
接続する。
１０（ｃ）に示すように、半導体チップ１２の電極部と
インナーリード部１５とを金属細線１６により電気的に
接続する。
【００３３】まず支持台２８上に半導体チップ１２を支
持したリードフレーム２２を載置し（図１０（ａ））、
押え機構２９によりインナーリード部１５を半導体チッ
プ１２の面に押し当てて、ワイヤーボンダーのキャピラ
リー３０により金属細線１６を接続する（図１０
（ｂ））。そして押え機構２９による押し当てを解除す
ることにより、半導体チップ１２とインナーリード部１
５との間に間隔を形成して金属細線１６を接続すること
ができる（図１０（ｃ））。ここでは８０［μｍ］以上
の間隔を形成しているが、この間隔の値の設定は、前工
程の接着工程で設定するものである。なお、図１０にお
いては、断面方向を先に示した図１の平面図におけるＣ
−Ｃ１箇所の断面で示している。
持したリードフレーム２２を載置し（図１０（ａ））、
押え機構２９によりインナーリード部１５を半導体チッ
プ１２の面に押し当てて、ワイヤーボンダーのキャピラ
リー３０により金属細線１６を接続する（図１０
（ｂ））。そして押え機構２９による押し当てを解除す
ることにより、半導体チップ１２とインナーリード部１
５との間に間隔を形成して金属細線１６を接続すること
ができる（図１０（ｃ））。ここでは８０［μｍ］以上
の間隔を形成しているが、この間隔の値の設定は、前工
程の接着工程で設定するものである。なお、図１０にお
いては、断面方向を先に示した図１の平面図におけるＣ
−Ｃ１箇所の断面で示している。
【００３４】次に図１１（ａ），図１１（ｂ）および図
１１（ｃ）に示すように、半導体チップ１２を支持した
リードフレーム２２に対して、その外囲を封止樹脂１７
により封止する。
１１（ｃ）に示すように、半導体チップ１２を支持した
リードフレーム２２に対して、その外囲を封止樹脂１７
により封止する。
【００３５】まず半導体チップ１２をその支持リード部
１４で支持したリードフレーム２２を封止用の上金型３
１および下金型３２とよりなる封止金型内にセットする
（図１１（ａ））。そしていわゆるトランスファーモー
ルド法により、下金型３２側のゲート口３３より封止樹
脂１７を注入する（図１１（ｂ））。そして封止樹脂１
７を注入後、封止樹脂１７を硬化させることにより半導
体チップ１２の外囲を封止することができる（図１１
（ｃ））。なお、図１１においては、断面方向を先に示
した図１の平面図におけるＡ−Ａ１箇所の断面で示して
いる。
１４で支持したリードフレーム２２を封止用の上金型３
１および下金型３２とよりなる封止金型内にセットする
（図１１（ａ））。そしていわゆるトランスファーモー
ルド法により、下金型３２側のゲート口３３より封止樹
脂１７を注入する（図１１（ｂ））。そして封止樹脂１
７を注入後、封止樹脂１７を硬化させることにより半導
体チップ１２の外囲を封止することができる（図１１
（ｃ））。なお、図１１においては、断面方向を先に示
した図１の平面図におけるＡ−Ａ１箇所の断面で示して
いる。
【００３６】以上、本実施形態の半導体装置の製造方法
に示したような工程により、半導体チップの側面を支持
した構造の半導体装置を製造することができる。
に示したような工程により、半導体チップの側面を支持
した構造の半導体装置を製造することができる。
【００３７】また本実施形態の半導体装置の製造方法で
は、半導体チップ１２の側面と支持リード部１４とを接
着剤１３により接着する工程においては、５０［ポイ
ズ］〜３５０［ポイズ］の粘度の接着剤により接着する
ことにより、接着剤の余分なはみ出し、広がりは抑制し
て接着することができる。さらに効率よく接着剤のフィ
レット部を形成でき、接着強度の向上を図ることができ
る。
は、半導体チップ１２の側面と支持リード部１４とを接
着剤１３により接着する工程においては、５０［ポイ
ズ］〜３５０［ポイズ］の粘度の接着剤により接着する
ことにより、接着剤の余分なはみ出し、広がりは抑制し
て接着することができる。さらに効率よく接着剤のフィ
レット部を形成でき、接着強度の向上を図ることができ
る。
【００３８】前述した半導体装置の実施形態およびその
製造方法の実施形態では、半導体チップとその側面を支
持、固定するリードフレームの支持リード部とは、熱硬
化型などの接着剤により接着する構造を示したが、次に
別の実施形態について説明する。
製造方法の実施形態では、半導体チップとその側面を支
持、固定するリードフレームの支持リード部とは、熱硬
化型などの接着剤により接着する構造を示したが、次に
別の実施形態について説明する。
【００３９】図１０に示したように、金属細線１６によ
り半導体チップ１２上の電極部とインナーリード部１５
とを電気的に接続する際、押え機構２９によりインナー
リード部１５を半導体チップ１２の面に押し当てて、ワ
イヤーボンダーのキャピラリー３０により金属細線１６
を接続する工程において、第１ボンドで半導体チップ１
２上の電極に金属細線１６を接続した後、連続して第２
ボンドでインナーリード部１５上に接続するものである
が、第２ボンドでの衝撃により半導体チップ１２が破壊
する恐れがある。これは金属細線１６の接続時に印加さ
れる押圧（荷重）と超音波パワー（摺り合わせ）による
ものであり、特に超音波パワーによる振動が悪影響を起
こすことに起因する。
り半導体チップ１２上の電極部とインナーリード部１５
とを電気的に接続する際、押え機構２９によりインナー
リード部１５を半導体チップ１２の面に押し当てて、ワ
イヤーボンダーのキャピラリー３０により金属細線１６
を接続する工程において、第１ボンドで半導体チップ１
２上の電極に金属細線１６を接続した後、連続して第２
ボンドでインナーリード部１５上に接続するものである
が、第２ボンドでの衝撃により半導体チップ１２が破壊
する恐れがある。これは金属細線１６の接続時に印加さ
れる押圧（荷重）と超音波パワー（摺り合わせ）による
ものであり、特に超音波パワーによる振動が悪影響を起
こすことに起因する。
【００４０】ここで本実施形態では、インナーリード部
１５の金属細線１６が接続される領域に金属細線１６と
同質材の金属層をメッキ等により、予め形成しておき、
その状態に対して金属細線１６を接続すると、第２ボン
ド側では、破壊の原因である超音波パワーを印加せずと
も、押圧（荷重）のみで接続することができる。これは
金属細線１６とインナーリード部１５上の金属層が同質
であり、それらが加熱で軟化し、押圧により接合する作
用によるものである。以上のような方法により、半導体
チップの破壊を防止して、金属細線による接続を行うこ
とができる。例えば、金属細線１６およびインナーリー
ド部１５表面の金属層は、金（Ａｕ）を主成分とする金
属とすることで接続可能である。または銀（Ａｇ）を主
成分とする金属でもよい。
１５の金属細線１６が接続される領域に金属細線１６と
同質材の金属層をメッキ等により、予め形成しておき、
その状態に対して金属細線１６を接続すると、第２ボン
ド側では、破壊の原因である超音波パワーを印加せずと
も、押圧（荷重）のみで接続することができる。これは
金属細線１６とインナーリード部１５上の金属層が同質
であり、それらが加熱で軟化し、押圧により接合する作
用によるものである。以上のような方法により、半導体
チップの破壊を防止して、金属細線による接続を行うこ
とができる。例えば、金属細線１６およびインナーリー
ド部１５表面の金属層は、金（Ａｕ）を主成分とする金
属とすることで接続可能である。または銀（Ａｇ）を主
成分とする金属でもよい。
【００４１】また本実施形態では、半導体チップの側面
と支持リード部とを接着する場合、接着剤により接着す
る例を示したが、他に接着剤の代わりに溶融性金属で接
合することも可能である。例えば、共晶はんだの作用を
用いて、半導体チップの側面と支持リード部とを接合す
ることができる。そして金属接合の場合は、支持強度を
飛躍的に向上させることができるという利点がある。
と支持リード部とを接着する場合、接着剤により接着す
る例を示したが、他に接着剤の代わりに溶融性金属で接
合することも可能である。例えば、共晶はんだの作用を
用いて、半導体チップの側面と支持リード部とを接合す
ることができる。そして金属接合の場合は、支持強度を
飛躍的に向上させることができるという利点がある。
【００４２】また本実施形態で示した各特徴的構成の組
み合わせによっても、チップ支持強度を向上させ、半導
体装置製品の信頼性向上を実現できるものであるが、チ
ップ折り曲げ角度、チップ／支持リードの間隔、支持リ
ード部のチップ底面に対する突出量構成などの各特徴的
構成のみでもチップ支持強度を向上させることができる
ものである。
み合わせによっても、チップ支持強度を向上させ、半導
体装置製品の信頼性向上を実現できるものであるが、チ
ップ折り曲げ角度、チップ／支持リードの間隔、支持リ
ード部のチップ底面に対する突出量構成などの各特徴的
構成のみでもチップ支持強度を向上させることができる
ものである。
【００４３】
【発明の効果】以上、実施形態で説明した通り、本発明
は半導体チップの側面とその側面を支持する支持リード
部との間の構成に着目し、支持リード部の折り曲げ角
度、チップと支持リード部との間隔、接着剤のフィレッ
ト形成、支持リード部の支持部とチップ側面との面積構
成等を主眼とすることにより、チップ支持強度を向上さ
せ、半導体装置製品の信頼性向上を実現できる半導体装
置およびその製造方法である。
は半導体チップの側面とその側面を支持する支持リード
部との間の構成に着目し、支持リード部の折り曲げ角
度、チップと支持リード部との間隔、接着剤のフィレッ
ト形成、支持リード部の支持部とチップ側面との面積構
成等を主眼とすることにより、チップ支持強度を向上さ
せ、半導体装置製品の信頼性向上を実現できる半導体装
置およびその製造方法である。
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置を示す平面図
【図２】本発明の一実施形態の半導体装置を示す断面図
【図３】本発明の一実施形態の半導体装置を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の半導体装置を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態の半導体装置を示す断面図
【図６】本発明の一実施形態の半導体装置のリードフレ
ームを示す平面図
ームを示す平面図
【図７】本発明の一実施形態の半導体装置のリードフレ
ームを示す平面図
ームを示す平面図
【図８】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図
示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図
示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法
を示す断面図
を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法
を示す断面図
を示す断面図
【図１２】従来の半導体装置を示す平面図
【図１３】従来の半導体装置を示す断面図
１ 半導体チップ ２ リードフレーム ３ 支持リード部 ４ 接着剤 ５ インナーリード部 ６ 電極パッド ７ 金属細線 ８ 封止樹脂 ９ 支持部 １０ 吊り部 １１ アウターリード部 １２ 半導体チップ １３ 接着剤 １４ 支持リード部 １５ インナーリード部 １６ 金属細線 １７ 封止樹脂 １８ アウターリード部 １９ 支持部 ２０ 吊り部 ２１ フレーム枠 ２２ リードフレーム ２３ 下型 ２４ 上型 ２５ 凹部 ２６ 押圧機構 ２７ 支持台 ２８ 支持台 ２９ 押え機構 ３０ キャピラリー ３１ 上金型 ３２ 下金型 ３３ ゲート口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 徹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−235249（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−125105（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−274234（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−134996（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体チップと、前記半導体チップの側
面を接着剤を介して支持する第１のリード部と、前記半
導体チップの主面上に延在した第２のリード部と、前記
半導体チップと前記第２のリード部とを電気的に接続す
る手段と、前記半導体チップと第１のリード部および第
２のリード部とを封止している封止樹脂と、前記封止樹
脂より露出した第３のリード部とよりなる半導体装置で
あって、前記半導体チップの側面を接着剤を介して支持
する第１のリードは、５０度〜７５度の範囲の角度で折
れ曲がって前記半導体チップを支持し、前記半導体チッ
プの側面を接着剤を介して支持する前記第１のリードと
支持される前記半導体チップ側面との間隔は、１００
［μｍ］〜３００［μｍ］の間隔が形成され、前記接着
剤は前記半導体チップの側面全面にわたって形成されて
いることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体チップの側面を接着剤を介して支
持する第１のリードの先端部は前記半導体チップ底面よ
り突出し、その突出部分と前記半導体チップ底面との間
に前記接着剤のフィレットが形成されていることを特徴
とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 半導体チップの側面を支持する第１のリ
ードの先端部は前記半導体チップ底面より１２０［μ
ｍ］〜１８０［μｍ］突出して、その突出部分と前記半
導体チップ底面との間に前記接着剤のフィレットが形成
されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装
置。 - 【請求項４】 半導体チップの側面を支持している第１
のリード部は支持部を有し、その支持部の面積は、前記
半導体チップの側面の４０［％］以上であることを特徴
とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 半導体チップの側面を支持している第１
のリード部は支持部とその支持部を保持する吊り部とを
有し、その吊り部は幅広に形成されていることを特徴と
する請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項６】 半導体チップの側面を支持している第１
のリード部は支持部とその支持部を保持する吊り部とを
有し、その吊り部と前記支持部との連結部分はテーパー
状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置。 - 【請求項７】 半導体チップの側面を支持している第１
のリード部は、支持部とその支持部を保持する吊り部と
を有し、その吊り部と前記支持部との連結部分付近は厚
みが他の部分より薄く形成されていることを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項８】 半導体チップの側面と第１のリード部と
は、接着剤の代わりに溶融性金属で接合されて支持され
ていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項９】 半導体チップを支持するのに用いる複数
の第１のリード部と、前記半導体チップと電気的な接続
をするための複数のインナーリード部と、前記インナー
リード部と接続した複数のアウターリード部とを有する
リードフレームに対して、前記第１のリード部を５０度
〜７５度の角度で折り曲げる工程と、前記折り曲げた第
１のリード部と前記半導体チップ側面との間に１００
［μｍ］〜３００［μｍ］の間隔を形成して、その間隔
の前記折り曲げ部側から接着剤を供給して半導体チップ
を第１のリードで支持する工程と、前記半導体チップと
前記インナーリード部とを電気的に接続する工程と、前
記アウターリード部を露出させて前記半導体チップの外
囲を封止樹脂で封止する工程とよりなることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 折り曲げた第１のリード部と半導体チ
ップ側面との間に１００［μｍ］〜３００［μｍ］の間
隔を形成して、その間隔の前記折り曲げ部側から接着剤
を供給して前記半導体チップを第１のリードで支持する
工程は、折り曲げた第１のリード部と前記半導体チップ
側面との間に１００［μｍ］〜３００［μｍ］の間隔を
形成して、その間隔の前記折り曲げ部側から前記接着剤
を供給して、前記半導体素子の側面全面にわたって前記
接着剤を形成し、前記半導体チップを前記第１のリード
で支持することを特徴とする請求項９に記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項１１】 半導体チップの側面と第１のリード部
とを接着剤により接着する工程において、５０［ポイ
ズ］〜３５０［ポイズ］の粘度の接着剤により接着する
ことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１２】 半導体チップの側面と第１のリード部
とを接着剤により接着する工程において、第１のリード
部の先端部と半導体チップ側面底部との領域に前記接着
剤のフィレットを形成することを特徴とする請求項９に
記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20126697A JP3292097B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20126697A JP3292097B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1145970A JPH1145970A (ja) | 1999-02-16 |
| JP3292097B2 true JP3292097B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=16438111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20126697A Expired - Fee Related JP3292097B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3292097B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130277818A1 (en) * | 2011-01-20 | 2013-10-24 | Chi Hock Goh | Chip carrier support systems |
-
1997
- 1997-07-28 JP JP20126697A patent/JP3292097B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1145970A (ja) | 1999-02-16 |
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