JP3287330B2 - 高周波回路のシールド構造 - Google Patents
高周波回路のシールド構造Info
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- adhesive sheet
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- H05K9/0007—Casings
- H05K9/0015—Gaskets or seals
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯やミ
リ波帯の高周波回路のシールド構造に関し、特に、複合
接着剤を用いて電磁シールドと気密封止の両機能を得る
高周波回路のシールド構造に関する。
リ波帯の高周波回路のシールド構造に関し、特に、複合
接着剤を用いて電磁シールドと気密封止の両機能を得る
高周波回路のシールド構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロ波帯やミリ波帯の高周波
回路のシールド構造を図６を用いて説明する。図６は、
高周波回路の一例としてマイクロ波集積回路（以下、Ｍ
ＩＣと称する）に用いた場合のシールド構造を説明す
る。
回路のシールド構造を図６を用いて説明する。図６は、
高周波回路の一例としてマイクロ波集積回路（以下、Ｍ
ＩＣと称する）に用いた場合のシールド構造を説明す
る。
【０００３】本図において、図６（ａ）はＭＩＣ１０の
平面図、図６（ｂ）はＭＩＣ１０のＡＡ間の断面図を示
している。
平面図、図６（ｂ）はＭＩＣ１０のＡＡ間の断面図を示
している。
【０００４】図６において、１は金属製のベースプレー
ト（以下、金属ステムと称する）、２は金属ステム１上
に搭載され、高周波回路（例えば、高周波増幅器用半導
体チップやマイクロストリップ線路等）が実装された誘
電体基板、３は誘電体基板２の全体を覆い高周波シール
ドするための金属キャップ、４は金属キャップ３と金属
ステム１との接続箇所に充填されて両者の電気的シール
ドをとるための銀ペースト等の導電性接着剤、５は金属
キャップ３と金属ステム１との接続箇所の外周全体に塗
布してＭＩＣの気密封止をする気密封止用接着剤や溶
接、６は外部回路とのインターフェース接続用端子であ
り、金属ステム１とハーメチックシールされ誘電体基板
２の高周波回路に接続する接続端子である。
ト（以下、金属ステムと称する）、２は金属ステム１上
に搭載され、高周波回路（例えば、高周波増幅器用半導
体チップやマイクロストリップ線路等）が実装された誘
電体基板、３は誘電体基板２の全体を覆い高周波シール
ドするための金属キャップ、４は金属キャップ３と金属
ステム１との接続箇所に充填されて両者の電気的シール
ドをとるための銀ペースト等の導電性接着剤、５は金属
キャップ３と金属ステム１との接続箇所の外周全体に塗
布してＭＩＣの気密封止をする気密封止用接着剤や溶
接、６は外部回路とのインターフェース接続用端子であ
り、金属ステム１とハーメチックシールされ誘電体基板
２の高周波回路に接続する接続端子である。
【０００５】以上説明したような従来の高周波回路のシ
ールド構造は、金属キャップ３の内部にマイクロ波帯の
高周波回路が搭載されているため十分な電気シールドが
必要となると共にＭＩＣの内部に外部から水分等が進入
しないように十分な気密シールドを満足する必要があ
る。
ールド構造は、金属キャップ３の内部にマイクロ波帯の
高周波回路が搭載されているため十分な電気シールドが
必要となると共にＭＩＣの内部に外部から水分等が進入
しないように十分な気密シールドを満足する必要があ
る。
【０００６】このため、電気シールド条件から金属キャ
ップ３と金属ステム１との接続箇所に導電性接着剤４が
塗布され電気シールドを高めていた。また、気密シール
ド条件を満足するため、前述した導電性接着剤４に加え
てさらに、気密封止用接着剤や溶接５にて全体に覆うこ
とにより気密性を得ていた。
ップ３と金属ステム１との接続箇所に導電性接着剤４が
塗布され電気シールドを高めていた。また、気密シール
ド条件を満足するため、前述した導電性接着剤４に加え
てさらに、気密封止用接着剤や溶接５にて全体に覆うこ
とにより気密性を得ていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の高周波
回路のシールド構造では、電気シールド用導電性接着剤
４を塗布した後、気密シールド用の気密封止用接着剤や
溶接５を必要とする構造であるため、２段階に分けてシ
ールドしなければならない。
回路のシールド構造では、電気シールド用導電性接着剤
４を塗布した後、気密シールド用の気密封止用接着剤や
溶接５を必要とする構造であるため、２段階に分けてシ
ールドしなければならない。
【０００８】このため、従来の高周波回路のシールドの
ために複雑な作業工程を要するとともに時間も要すると
いう問題を有していた。
ために複雑な作業工程を要するとともに時間も要すると
いう問題を有していた。
【０００９】
【課題を解決しようとする課題】 上述した従来の高周
波回路のシールド構造では、金属製ステムと、前記金属
製ステムの上部に取り付けた高周波回路と、前記高周波
回路の周囲を上部から被覆する金属キャップと、前記金
属キャップと前記金属製ステムとを接合した高周波回路
のシールド構造において、前記金属キャップと前記金属
製ステムの接合面に電磁シールド用接着剤と気密封止用
接着剤とを併設した複合接着剤シートを設けて両者を接
合することを特徴とする。
波回路のシールド構造では、金属製ステムと、前記金属
製ステムの上部に取り付けた高周波回路と、前記高周波
回路の周囲を上部から被覆する金属キャップと、前記金
属キャップと前記金属製ステムとを接合した高周波回路
のシールド構造において、前記金属キャップと前記金属
製ステムの接合面に電磁シールド用接着剤と気密封止用
接着剤とを併設した複合接着剤シートを設けて両者を接
合することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を示す高周波
回路のシールド構造を図面を用いて説明する。
回路のシールド構造を図面を用いて説明する。
【００１１】（実施の形態１）図１は、本発明の高周波
回路のシールド構造を示した図であり、図６と同様にマ
イクロ波集積回路（以下、ＭＩＣと称する）に適用した
場合について記載してある。
回路のシールド構造を示した図であり、図６と同様にマ
イクロ波集積回路（以下、ＭＩＣと称する）に適用した
場合について記載してある。
【００１２】ここで、図１（ａ）は、ＭＩＣ１０の平面
図、図１（ｂ）はＭＩＣ１０のＡＡ間の断面図である。
なお、従来のＭＩＣ１０と同一の符号に対しては説明を
省略する。
図、図１（ｂ）はＭＩＣ１０のＡＡ間の断面図である。
なお、従来のＭＩＣ１０と同一の符号に対しては説明を
省略する。
【００１３】本発明の特徴は、図６の気密封止用接着剤
や溶接５による気密封止シールドを用いずに、金属キャ
ップ３と金属ステム１の接合面に複合接着剤シート（フ
ィルム状）２０を設けて気密封止と電気シールドの両方
の機能を兼ねている点にある。
や溶接５による気密封止シールドを用いずに、金属キャ
ップ３と金属ステム１の接合面に複合接着剤シート（フ
ィルム状）２０を設けて気密封止と電気シールドの両方
の機能を兼ねている点にある。
【００１４】次に、複合接着剤シート２０の構造につい
て詳細を図面を用いて説明する。
て詳細を図面を用いて説明する。
【００１５】図２（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ複合接
着剤シート２０の構造を示す平面図、断面図である。本
図において、複合接着剤シート２０は、異なる材質の２
つの接着剤シートを併設した２重のリング状の接着剤シ
ートを用いている。すなわち、内側のリングは電磁シー
ルド用接着剤シート２１、外側のリングは気密封止用接
着剤シート２２となっており、両者は熱圧着して接合さ
れている。
着剤シート２０の構造を示す平面図、断面図である。本
図において、複合接着剤シート２０は、異なる材質の２
つの接着剤シートを併設した２重のリング状の接着剤シ
ートを用いている。すなわち、内側のリングは電磁シー
ルド用接着剤シート２１、外側のリングは気密封止用接
着剤シート２２となっており、両者は熱圧着して接合さ
れている。
【００１６】この複合接着剤シート２０は、金属キャッ
プ３と金属ステム１との接合面全体に張り付けられる。
本発明では、金属キャップ３の金属ステム１との接合面
が方形断面形状であるため長方形のリングとなっている
が、その接続面の形状に合わせた形状に加工される。
プ３と金属ステム１との接合面全体に張り付けられる。
本発明では、金属キャップ３の金属ステム１との接合面
が方形断面形状であるため長方形のリングとなっている
が、その接続面の形状に合わせた形状に加工される。
【００１７】この複合接着剤シート２０を構成する電磁
シールド用接着剤シート２１は、熱可塑性導電接着剤が
用いられ、例えば、銀や金などの材料が適当である。ま
た、気密封止用接着剤シート２２は、熱可塑性絶縁性接
着剤が用いられ、例えば、エポキシ系接着剤などが使用
できる。
シールド用接着剤シート２１は、熱可塑性導電接着剤が
用いられ、例えば、銀や金などの材料が適当である。ま
た、気密封止用接着剤シート２２は、熱可塑性絶縁性接
着剤が用いられ、例えば、エポキシ系接着剤などが使用
できる。
【００１８】また、複合接着剤シート２０の製造方法と
しては、電磁シールド用接着剤シート２１と気密封止用
接着剤シート２２を熱圧着して張り合わす方法が用いら
れる。この場合、両者のガラス転移温度は共にほぼ同一
の材料を用いる。
しては、電磁シールド用接着剤シート２１と気密封止用
接着剤シート２２を熱圧着して張り合わす方法が用いら
れる。この場合、両者のガラス転移温度は共にほぼ同一
の材料を用いる。
【００１９】ガラス転移温度Ｔｇとは、鎖状高分子の熱
膨張を測定するとその比容量は全温度範囲で直線的な変
化を示さず低温側でこう配が小さくなり屈曲点を示し、
高温側と低温側の直線部の外挿をしてその交点で表され
る。Ｔｇより低い温度では一般に固くてもろいガラス状
の固体となる。これより高い温度では、分子鎖の熱運動
が活発になってゴム状弾性や粘性などがあらわれ外力に
対する変形が容易になる。
膨張を測定するとその比容量は全温度範囲で直線的な変
化を示さず低温側でこう配が小さくなり屈曲点を示し、
高温側と低温側の直線部の外挿をしてその交点で表され
る。Ｔｇより低い温度では一般に固くてもろいガラス状
の固体となる。これより高い温度では、分子鎖の熱運動
が活発になってゴム状弾性や粘性などがあらわれ外力に
対する変形が容易になる。
【００２０】以上のように、本発明の複合接着剤シート
２０は、高分子材料中からガラス転移温度Ｔｇがほぼ等
しい導電性接着剤と絶縁性接着剤の組み合わせの材料を
選択し、ほぼ同一温度で両者を変形させて熱圧着接合さ
せている。
２０は、高分子材料中からガラス転移温度Ｔｇがほぼ等
しい導電性接着剤と絶縁性接着剤の組み合わせの材料を
選択し、ほぼ同一温度で両者を変形させて熱圧着接合さ
せている。
【００２１】次に、複合接着剤シート２０の大きさは、
図２に示されるようにＸ＝約３０ミリメートル、Ｙ＝約
４０ミリメートル、幅Ｈ＝約２ミリメートル、厚さＤ＝
約０．１ミリメートルである。
図２に示されるようにＸ＝約３０ミリメートル、Ｙ＝約
４０ミリメートル、幅Ｈ＝約２ミリメートル、厚さＤ＝
約０．１ミリメートルである。
【００２２】ここで、幅Ｈは、電磁シールド用接着剤シ
ート２１の幅を約１ミリメートル、気密封止用接着剤シ
ート２２の幅を約１ミリメートルとしている。電磁シー
ルド用接着剤シート２１の幅と気密封止用接着剤シート
２２の幅は、高周波シールドの条件によって適切な幅に
するのが望ましい。すなわち、例えば、船舶や宇宙等の
厳しい環境条件で使用されるＭＩＣに対しては、気密封
止シールド条件を強化するため電磁シールド用接着剤シ
ート２１の幅を１ミリメートルよりも大きくする。
ート２１の幅を約１ミリメートル、気密封止用接着剤シ
ート２２の幅を約１ミリメートルとしている。電磁シー
ルド用接着剤シート２１の幅と気密封止用接着剤シート
２２の幅は、高周波シールドの条件によって適切な幅に
するのが望ましい。すなわち、例えば、船舶や宇宙等の
厳しい環境条件で使用されるＭＩＣに対しては、気密封
止シールド条件を強化するため電磁シールド用接着剤シ
ート２１の幅を１ミリメートルよりも大きくする。
【００２３】また、電磁シールド用接着剤シート２１の
厚さと気密封止用接着剤シート２２の厚さは、共に同じ
にしているがこれに限定されるものではない。
厚さと気密封止用接着剤シート２２の厚さは、共に同じ
にしているがこれに限定されるものではない。
【００２４】次に、図３は本発明の高周波回路のシール
ド構造の複合接着剤シート２０をＭＩＣ１０に取り付け
る方法を説明するフローチャートである。
ド構造の複合接着剤シート２０をＭＩＣ１０に取り付け
る方法を説明するフローチャートである。
【００２５】本図において、最初に、金属ステム１上に
複合接着剤シート２０を搭載する（ステップ１）。次
に、金属ステム１を約２３０〜２５０℃まで加熱する
（ステップ２）。その後、複合接着剤シート２０の上に
金属キャップ２０を被せる（ステップ３）。最後に、金
属キャップ２０の上側と金属ステム１の下側の双方から
加重する（ステップ４）。なお、この加重は、約２０〜
３０ｋｇの加重が望ましい。
複合接着剤シート２０を搭載する（ステップ１）。次
に、金属ステム１を約２３０〜２５０℃まで加熱する
（ステップ２）。その後、複合接着剤シート２０の上に
金属キャップ２０を被せる（ステップ３）。最後に、金
属キャップ２０の上側と金属ステム１の下側の双方から
加重する（ステップ４）。なお、この加重は、約２０〜
３０ｋｇの加重が望ましい。
【００２６】以上のようにしてＭＩＣ１０に取り付けら
れた複合接着剤シート２０の金属ステム１と金属キャッ
プ３の接着面の近傍の断面図を図４に示す。図４におい
て、金属ステム１や金属キャップ３の各表面は、研磨さ
れたとしても細かい凹凸が存在する。本発明の複合接着
剤シート２０は、これら凹凸の間隙を完全に埋めること
ができる。この結果、電磁シールド用接着剤シート２１
により高周波信号をシールドし、気密封止用接着剤シー
ト２２により気密シールドをとることができる。
れた複合接着剤シート２０の金属ステム１と金属キャッ
プ３の接着面の近傍の断面図を図４に示す。図４におい
て、金属ステム１や金属キャップ３の各表面は、研磨さ
れたとしても細かい凹凸が存在する。本発明の複合接着
剤シート２０は、これら凹凸の間隙を完全に埋めること
ができる。この結果、電磁シールド用接着剤シート２１
により高周波信号をシールドし、気密封止用接着剤シー
ト２２により気密シールドをとることができる。
【００２７】以上説明した複合接着剤シート２０は、電
磁シールド用接着剤シート２１を高周波回路が搭載され
た側に設け、外側には気密封止用接着剤シート２２を設
ける構成としたが、逆に、気密封止用接着剤シート２２
を高周波回路が搭載された側に設け、外側に電磁シール
ド用接着剤シート２１を設ける構成としても同様の効果
を有する。
磁シールド用接着剤シート２１を高周波回路が搭載され
た側に設け、外側には気密封止用接着剤シート２２を設
ける構成としたが、逆に、気密封止用接着剤シート２２
を高周波回路が搭載された側に設け、外側に電磁シール
ド用接着剤シート２１を設ける構成としても同様の効果
を有する。
【００２８】なお、本発明は、ＭＩＣ１０以外の他の高
周波回路、例えば、高周波水晶振動発振器、高周波電圧
制御発振器（ＶＣＯ）、マイクロ波マルチチップモジュ
ール（ＭＣＭ）等のシールド構造にも適用できるのは勿
論である。
周波回路、例えば、高周波水晶振動発振器、高周波電圧
制御発振器（ＶＣＯ）、マイクロ波マルチチップモジュ
ール（ＭＣＭ）等のシールド構造にも適用できるのは勿
論である。
【００２９】（実施の形態２）本発明の複合接着剤シー
ト２０は、電磁シールド用接着剤シート２１と気密封止
用接着剤シート２２の２つのシートを複合したものであ
るが、さらに多数のシートを複合することもできる。例
えば、図５は２個の電磁シールド用接着剤シート２１と
２個の気密封止用接着剤シート２２を交互に併設して作
製された複合接着剤シート２０を示している。
ト２０は、電磁シールド用接着剤シート２１と気密封止
用接着剤シート２２の２つのシートを複合したものであ
るが、さらに多数のシートを複合することもできる。例
えば、図５は２個の電磁シールド用接着剤シート２１と
２個の気密封止用接着剤シート２２を交互に併設して作
製された複合接着剤シート２０を示している。
【００３０】（実施の形態３）上述した構成では、全て
接着剤シートを用いた複合接着剤シート２０にて説明し
た。しかし、本発明は、接着剤シートに限るものでなく
金属ステム１と金属キャップ３との接合面に、ペースト
状の電磁シールド用接着剤と気密封止用接着剤をそれぞ
れ内側と外側にリング状に印刷したり、塗布する方法で
も同様の効果を得ることができる。
接着剤シートを用いた複合接着剤シート２０にて説明し
た。しかし、本発明は、接着剤シートに限るものでなく
金属ステム１と金属キャップ３との接合面に、ペースト
状の電磁シールド用接着剤と気密封止用接着剤をそれぞ
れ内側と外側にリング状に印刷したり、塗布する方法で
も同様の効果を得ることができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明の高周波回路のシールド構造は、
従来行われていた金属ステムと金属キャップとの接続面
の導電性接着剤塗布とその接合面外周全体の溶接という
複雑なシールド機構をもたずに、単に複合接着剤による
１回の接続作業のみで従来と同等の電磁シールドと気密
封止が可能となる。このため、高周波回路全体の製造を
容易にできる。
従来行われていた金属ステムと金属キャップとの接続面
の導電性接着剤塗布とその接合面外周全体の溶接という
複雑なシールド機構をもたずに、単に複合接着剤による
１回の接続作業のみで従来と同等の電磁シールドと気密
封止が可能となる。このため、高周波回路全体の製造を
容易にできる。
【００３２】また、金属ステムと金属キャップとの接合
面のみに接着剤を取り付けるのみで電磁シールドと気密
封止が可能となるため、従来のように接合面外周に溶接
等の無駄なスペースが不要となるため高周波回路全体の
小型化が可能となる。
面のみに接着剤を取り付けるのみで電磁シールドと気密
封止が可能となるため、従来のように接合面外周に溶接
等の無駄なスペースが不要となるため高周波回路全体の
小型化が可能となる。
【００３３】さらに、気密条件に応じて複合接着剤の気
密封止用接着剤のシート幅や塗布する量を変えて気密条
件の緩い高周波回路は、気密封止用接着剤のシート幅を
小さくするなどしてさらに小型化できる。
密封止用接着剤のシート幅や塗布する量を変えて気密条
件の緩い高周波回路は、気密封止用接着剤のシート幅を
小さくするなどしてさらに小型化できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態の高周波回路のシー
ルド構造を説明する図である。
ルド構造を説明する図である。
【図２】図１の複合接着剤シート２０の構成を説明する
図である。
図である。
【図３】図１の複合接着剤シート２０の取り付けを説明
するフローチャートである。
するフローチャートである。
【図４】図１の複合接着剤シート２０の接合面近傍を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の高周波回路のシー
ルド構造を示す図である。
ルド構造を示す図である。
【図６】従来の高周波回路のシールド構造を説明する図
である。
である。
１ 金属ステム ２ 誘電体基板 ３ 金属キャップ ４ 導電性接着剤 ５ 気密封止用接着剤または溶接 ６ 接続端子 １０ ＭＩＣ ２０ 複合接着剤シート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/00 - 23/10 H01L 23/16 - 23/26 H05K 9/00
Claims (4)
- 【請求項１】金属製ステムと、前記金属製ステムの上部
に取り付けた高周波回路と、前記高周波回路の周囲を上
部から被覆する金属キャップと、前記金属キャップと前
記金属製ステムとを接合した高周波回路のシールド構造
において、 前記金属キャップと前記金属製ステムの接合面に電磁シ
ールド用接着剤と気密封止用接着剤とを併設した複合接
着剤シートを設けて両者を接合することを特徴とする高
周波回路のシールド構造。 - 【請求項２】前記電磁シールド用接着剤は、熱可塑性導
電接着剤であることを特徴とする請求項１記載の高周波
回路のシールド構造。 - 【請求項３】前記気密封止用接着剤は、熱可塑性エポキ
シ系接着剤であることを特徴とする請求項１記載の高周
波回路のシールド構造。 - 【請求項４】前記電磁シールド用接着剤と前記気密封止
用接着剤のガラス転移温度はほぼ同一とすることを特徴
とする請求項１記載の高周波回路のシールド構造。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11450099A JP3287330B2 (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 高周波回路のシールド構造 |
| EP00108005A EP1047295A3 (en) | 1999-04-22 | 2000-04-19 | High frequency shielding structure and method |
| US09/552,883 US6462960B1 (en) | 1999-04-22 | 2000-04-20 | High frequency shielding structure and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11450099A JP3287330B2 (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 高周波回路のシールド構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000307022A JP2000307022A (ja) | 2000-11-02 |
| JP3287330B2 true JP3287330B2 (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=14639317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11450099A Expired - Fee Related JP3287330B2 (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 高周波回路のシールド構造 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6462960B1 (ja) |
| EP (1) | EP1047295A3 (ja) |
| JP (1) | JP3287330B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2396155A1 (en) * | 2000-01-22 | 2001-07-26 | Helmut Kahl | Method for producing an electromagnetic shield |
| US6777613B2 (en) * | 2001-08-28 | 2004-08-17 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd | Multifunctional crystal unit and method of manufacturing the same |
| CN100407886C (zh) * | 2002-03-11 | 2008-07-30 | 赫尔穆特·卡尔 | 带有一个电磁屏蔽区的设备罩 |
| JP4024103B2 (ja) * | 2002-05-29 | 2007-12-19 | アルプス電気株式会社 | 高周波回路の接続構造 |
| US20040079549A1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-04-29 | Yu Yuan Liang | Conductive substrate structure |
| JP4278617B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2009-06-17 | 富士通株式会社 | 実装構造及び電子装置 |
| US7070434B2 (en) * | 2004-07-27 | 2006-07-04 | Lockheed Martin Corporation | Rocket-launcher docking system |
| US7022911B1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-04-04 | L3 Communications Corporation | Apparatus and method for providing electrostatic discharge protection |
| JP4555119B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2010-09-29 | アルプス電気株式会社 | 面実装型電子回路ユニット |
| KR100722687B1 (ko) | 2006-05-09 | 2007-05-30 | 주식회사 비에스이 | 부가적인 백 챔버를 갖는 지향성 실리콘 콘덴서 마이크로폰 |
| KR100722686B1 (ko) * | 2006-05-09 | 2007-05-30 | 주식회사 비에스이 | 부가적인 백 챔버를 갖고 기판에 음향홀이 형성된 실리콘콘덴서 마이크로폰 |
| KR101664804B1 (ko) * | 2014-05-09 | 2016-10-11 | 이수호 | 방수용 기판스위치 및 방수용 기판스위치 제조방법 |
| US9900976B1 (en) * | 2016-12-12 | 2018-02-20 | Intel Corporation | Integrated circuit package including floating package stiffener |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3140342A (en) * | 1963-07-05 | 1964-07-07 | Chomerics Inc | Electrical shielding and sealing gasket |
| AT380410B (de) | 1984-10-15 | 1986-05-26 | Voest Alpine Ag | Kugelmuehle |
| JP2927010B2 (ja) * | 1991-03-01 | 1999-07-28 | 株式会社日立製作所 | 半導体パッケージ |
| CA2089435C (en) * | 1992-02-14 | 1997-12-09 | Kenzi Kobayashi | Semiconductor device |
| JP3362881B2 (ja) | 1992-11-17 | 2003-01-07 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
| JP2734424B2 (ja) | 1995-08-16 | 1998-03-30 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| US5761053A (en) * | 1996-05-08 | 1998-06-02 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Faraday cage |
| TW486238U (en) * | 1996-08-18 | 2002-05-01 | Helmut Kahl | Shielding cap |
| RU2192717C2 (ru) * | 1997-03-05 | 2002-11-10 | Бернд ТИБУРТИУС | Способ изготовления экранирующего корпуса |
| US5982038A (en) * | 1997-05-01 | 1999-11-09 | International Business Machines Corporation | Cast metal seal for semiconductor substrates |
| US5821161A (en) * | 1997-05-01 | 1998-10-13 | International Business Machines Corporation | Cast metal seal for semiconductor substrates and process thereof |
| JP2845239B1 (ja) * | 1997-12-17 | 1999-01-13 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜ｅｌデバイスおよびその製造方法 |
| JP3097644B2 (ja) * | 1998-01-06 | 2000-10-10 | 日本電気株式会社 | 半導体装置接続構造及び接続方法 |
| US6114761A (en) * | 1998-01-20 | 2000-09-05 | Lsi Logic Corporation | Thermally-enhanced flip chip IC package with extruded heatspreader |
-
1999
- 1999-04-22 JP JP11450099A patent/JP3287330B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-19 EP EP00108005A patent/EP1047295A3/en not_active Withdrawn
- 2000-04-20 US US09/552,883 patent/US6462960B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1047295A2 (en) | 2000-10-25 |
| JP2000307022A (ja) | 2000-11-02 |
| EP1047295A3 (en) | 2002-01-02 |
| US6462960B1 (en) | 2002-10-08 |
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