JP3278697B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP3278697B2
JP3278697B2 JP33617993A JP33617993A JP3278697B2 JP 3278697 B2 JP3278697 B2 JP 3278697B2 JP 33617993 A JP33617993 A JP 33617993A JP 33617993 A JP33617993 A JP 33617993A JP 3278697 B2 JP3278697 B2 JP 3278697B2
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heat
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heat sink
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宣幸 沢崎
公昭 樽谷
満 小岩
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、絶縁熱伝導スペーサ
を介して、樹脂封止半導体デバイスを放熱板に取り付け
た半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図6は、半導体装置を分解した分解図、
図7は半導体装置を組み立てる方法を示した組立図、
5、8は組立後の半導体装置の側面図および平面図であ
る。図において、1は半導体デバイスである樹脂射止半
導体デバイス、1a乃至1cはリード端子、1dはリー
ドフレームの一部で電力半導体がダイボンドされた1次
ヒートシンクで、金属部が樹脂で封止されることなく外
部に露出している。2は樹脂封止半導体デバイス1に発
生した熱を放熱する放熱部材である放熱板で、樹脂封止
半導体デバイス1を取り付ける取付面に後述する絶縁熱
伝導スペーサ3を位置決めするための打ち出し2a乃至
2eを有している。この打ち出し2a乃至2eは放熱板
2を裏面から叩くことにより得られる。3は樹脂封止半
導体デバイス1と放熱板2との間に設けられ、1次ヒー
トシンク1dから発生した熱を放熱板2に伝導するとと
もに1次ヒートシンク1dと放熱板2とを電気的に絶縁
する絶縁熱伝導部材である絶縁熱伝導スペーサである。
この絶縁熱伝導スペーサ3は厚さ0.3mm(一般的に
は、0.2〜0.8mm位)のシリコン系の樹脂で構成
されている。4は、樹脂封止半導体デバイス1と絶縁熱
伝導スペーサ3とを放熱板2に取り付けるねじ部材であ
るねじで、図7の矢印Aの方向に締め付けられる。この
ねじ4は、図7に示す如く樹脂封止半導体デバイス1に
設けられた取付穴1eと絶縁熱伝導スペーサ3に設けら
れた第1の開口3aとを貫通し、放熱板2に設けられた
ねじ穴2fと螺合する。
【0003】次に、組立手順について説明する。まず、
放熱板2に設けられた打ち出し2a乃至2eに沿って絶
縁熱伝導スペーサ3を載置する。ついで、1次ヒートシ
ンク1d側を絶縁熱伝導スペーサ3に向けて、取付穴1
eが第1の開口3aに一致するように樹脂封止半導体デ
バイス1を絶縁熱伝導スペーサ3の上に載置する。最後
にねじ4を図7に示す如く矢印Aの方向に締め付ける。
このようにして完成された半導体装置は図8、9に示し
た如き外観を有し、リード端子1a乃至1cを外部装置
と電気的に接続することにより動作する。
【0004】以上のように構成された半導体装置は、例
えば誘導負荷のスイッチングなどに用いられる。ところ
で電力半導体は1次ヒートシンク1dにダイボンドされ
ている。従って、1次ヒートシンク1dには数百ボルト
の電位が発生する。また、前記電力半導体を動作させる
ことにより生じる熱は、1次ヒートシンク1dに蓄積さ
れる。そこで、従来の半導体装置は、樹脂封止半導体デ
バイス1と放熱板2との問に熱伝導性がよくしかも絶縁
性の優れた絶縁熱伝導スペーサ3を設けることにより安
定した動作を得るようにしていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成されているので、ねじ4を締め付ける
際、樹脂封止半導体デバイス1がねじ4の回転方向に応
力を受け、位置ずれすることがあった。この位置ずれが
生じると1次ヒートシンク1dと、放熱板2に設けられ
た打ち出し2a乃至2eとの距離が近くなってしまう。
1次ヒートシンク1dと放熱板2との間では上述した如
く数百ポルトの電位差が生じている。このため絶縁距離
が不足して樹脂封止半導体デバイス1を破壊してしまう
恐れがあった。また、樹脂封止半導体デバイス1が回転
することにより絶縁熱伝導スペーサ3が破れるなどの問
題点があった。
【0006】この発明は、上述の問題点を解決するため
になされたもので、半導体デバイスをねじで取り付ける
際に位置ずれすることがなく、しかも半導体デバイス、
絶縁熱伝導部材および放熱部材を同時に位置決めできる
半導体装置を得ることを目的としている。
【0007】また、構成が簡単で、しかも高密度実装が
可能な半導体装置を得ることを目的としている。
【0008】また、間違った半導体デバイスを取り付け
ることがない半導体装置を得ることを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】 この発明に係る半導体装
置は、ねじ穴を有する放熱部材と、このねじ穴に対応す
る取付穴を有し放熱部材に載置される半導体デバイス
と、ねじ穴に対応する第1の開口を有し放熱部材と半導
体デバイスとの間に介装され半導体デバイスから発生し
た熱を放熱部材に伝導するとともに放熱部材と半導体デ
バイスとを電気的 に絶縁する絶縁熱伝導部材と、半導体
デバイスが載置される範囲内に設けられ、放熱部材に設
けられた凸部と半導体デバイスに設けられた凹部とが係
合することにより放熱部材と半導体デバイスとの位置決
めを行う位置決め手段と、取付穴および第1の開口を貫
通してねじ穴と螺合するねじ部材とを備え、絶縁熱伝導
部材は直線形状の端部を有しその端部が放熱部材の凸部
に当接するとともに第1の開口、取付穴およびねじ穴を
一致させることにより位置決めが為されるようにしたも
のである。
【0010】 また、この発明に係る半導体装置は、半導
体デバイス毎に位置決め手段の設置位置を異ならせたも
のである。
【0011】
【作用】上記のように構成された半導体装置において
は、位置決め手段により半導体デバイスが放熱部材に位
置決めされ 半導体デバイス、絶縁熱伝導部材および放
熱部材を同時に位置決めする。
【0012】 また、位置決め手段は半導体デバイス毎に
設置位置が異なっているので、予め決められた半導体デ
バイス以外は取り付けられない。
【0013】
【実施例】実施例1. 以下、この発明の実施例について説明する。図1は実施
例1に係る樹脂封止半導体デバイス1の背面図、図2は
実施例1に係る放熱板2に絶縁熱伝導スペーサ3を載置
した平面図、図3は実施例1に係る半導体装置の平面
図、図4は実施例1に係る半導体装置の側面図である。
図において、従来の半導体装置と同一符号のものは、従
来と同一あるいは相当部分を表す。
【0014】 実施例1においては、放熱板2に設けられ
た凸部である打ち出し2g、2h、および取付時にこの
打ち出し2g、2hに係合あるいは嵌合するよう樹脂封
止半導体デバイス1の背面に設けられた凹部1f、1g
が新たに備えられている。この、打ち出し2g、2hお
よび凹部1f、1gは位置決め手段を構成している。ま
た、取付穴1e、第1の開口3aおよぴねじ穴2fは、
絶縁熱伝導スペーサ3を打ち出し2a乃至2eに沿って
載置し、更に打ち出し2g、2hと凹部1f、1gとが
係合あるいは嵌合するように樹脂封止半導体デバイス1
を載置した際に一致するよう構成されている。
【0015】 次に、実施例1の半導体装置の組み立て方
について説明する。まず、図2に示すように打ち出し2
a乃至2eに沿って絶縁熱伝導スペーサ3を載置する。
次に、樹脂封止半導体デバイス1の背面に設けられた凹
部1f、1gが放熱板2に設けられた打ち出し2g、2
hに係合あるいは嵌合するよう樹脂封止半導体デバイス
1を載置する。ねじ4は、樹脂封止半導体デバイス1の
取付穴1eおよび絶縁熱伝導スペーサ3の第1の開口3
aを貫通し放熱板2のねじ穴2fに螺合される。
【0016】 このとき、樹脂封止半導体デバイス1にね
じ4の回転方向の応力がかかったとしても、樹脂封止半
導体デバイス1は凹部1f、1gおよび打ち出し2g、
2fにより位置決めがなされておりずれたりすることが
ない。従って、樹脂封止半導体デバイス1を放熱板2に
精度よく位置決め固定することができる。
【0017】 実施例. 上記実施例において、位置決め手段の設置位置を、取り
付ける樹脂封止半導体デバイスによってその設置位置を
異ならせてもよい。これにより誤った樹脂封止半導体デ
バイスの取り付けを防止することができる。設置位置を
異ならせるものとして、例えば、打ち出し2gと2hと
の間隔を異ならせる等が挙げられる。なお、言うまでも
ないが、打ち出しの設置位置を変えた場合には、これに
対応する凹部の設置位置も変更する。
【0018】 実施例. 上記実施例では、打ち出し、凹部を2組設けているが、
これらは1組でもよい。即ち、上記実施例1において
は、樹脂封止半導体デバイス1は、ねじ4と打ち出し2
gと凹部1g、あるいはねじ4と打ち出し2hと凹部1
fの2点で位置決めされるので位置ずれすることがな
い。
【0019】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。
【0020】 半導体デバイスをねじで取り付ける際に位
置ずれすることがなく、しかも半導体デバイス、絶縁熱
伝導部材および放熱部材を同時に位置決めできる半導体
装置を得ることができる。 また、構成が簡単で、しかも
高密度実装が可能である。
【0021】 位置決め手段の設置位置を半導体デバイス
毎に異ならせたので、半導体デバイスをねじで取り付け
る際に位置ずれすることがなく、しかも間違った半導体
デバイスを取り付けることない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施例1に係る樹脂封止半導体デ
バイスの背面図である。
【図2】 この発明の実施例1に係る放熱板に絶縁熱伝
導スペーサを載置した平面図である。
【図3】 この発明の実施例1に係る半導体装置の平面
図である。
【図4】 この発明の実施例1に係る半導体装置の側面
図である。
【図5】 従来の半導体装置の側面図である。
【図6】 従来の半導体装置の分解図である。
【図7】 一般的な半導体装置の組立図である。
【図8】 従来の半導体装置の平面図である
【符号の説明】
1 樹脂封止半導体デバイス 1a乃至1c リード端子 1d 1次ヒートシンク 1e 取付穴 1f、1g 凹部 1j、1k 凹部 2 放熱板 2a乃至2e 打ち出し 2f ねじ穴 2g、2h 打ち出し 3 絶縁熱伝導スペーサ 3a 第1の開口 4 ね
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小岩 満 姫路市千代田町840番地 三菱電機株式 会社 姫路製作所内 (56)参考文献 実開 昭52−116157(JP,U) 実開 昭55−25379(JP,U)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ねじ穴を有する放熱部材と、このねじ穴
    に対応する取付穴を有し前記放熱部材に載置される半導
    体デバイスと、前記ねじ穴に対応する第1の開口を有し
    前記放熱部材と前記半導体デバイスとの間に介装され前
    記半導体デバイスから発生した熱を前記放熱部材に伝導
    するとともに前記放熱部材と前記半導体デバイスとを電
    気的に絶縁する絶縁熱伝導部材と、前記半導体デバイス
    が載置される範囲内に設けられ、前記放熱部材に設けら
    れた凸部と前記半導体デバイスに設けられた凹部とが係
    合することにより前記放熱部材と前記半導体デバイスと
    の位置決めを行う位置決め手段と、前記取付穴および前
    記第1の開口を貫通して前記ねじ穴と螺合するねじ部材
    とを備え、前記絶縁熱伝導部材は直線形状の端部を有し
    その端部が前記放熱部材の凸部に当接するとともに前記
    第1の開口、前記取付穴および前記ねじ穴を一致させる
    ことにより位置決めが為されることを特徴とする半導体
    装置。
  2. 【請求項2】 位置決め手段は、半導体デバイス毎にそ
    の設置位置を異ならせたことを特徴とする請求項1記載
    半導体装置。
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