JP3270762B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に関し、特に広視野角かつ高速応答が得ら
れる液晶表示装置及びその製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】（第１の従来技術）図２３(a)(b)は従来
の液晶パネル内での液晶の動作を示す側断面図であり、
図２３(c)(d)はその正面図を表す。図２３ではアクティ
ブ素子を省略してある。また、ストライプ状の電極を構
成して複数の画素を形成するが、ここでは一画素の部分
を示している。

【０００３】電圧無印加時のセル側断面を図２３(a)
に、その時の正面図を図２３(c)に示す。透明な一対の
基板の内側に線状の電極１０３、１０４が形成され、そ
の上に配向制御膜１０６が塗布及び配向処理されてい
る。間には液晶組成物が挟持されている。棒状の液晶分
子１０５は、電圧無印加時にはストライプ状のＹ電極の
長手方向に対して若干の角度、即ち４５度≦｜φLC｜＜
９０度、（φLC：界面近傍での液晶分子長軸（光学軸）
方向のなす角）を持つように配向されている。上下界面
上での液晶分子配向方向はここでは平行としている。ま
た、液晶組成物の誘電異方性は正を想定している。

【０００４】次に、電界１０９を印加すると図２３(b)
(d)に示したように電界方向に液晶がその向きを変え
る。偏光板１０２を所定角度１０８に配置することで電
圧印加によって光透過率を変えることが可能となる。こ
のようにして透明電極がなくともコントラストを与える
表示が可能である。

【０００５】しかしながら、このような横電界方式の液
晶表示装置では、ネマティック液晶の電場に対する応答
が遅いのに加え、図２３に示すようなストライプ状など
独特の電極構造であり、電界が液晶に印加されにくいた
め、応答速度が遅いという問題があった。

【０００６】横電界方式における液晶の立ち上がりτri
se及び立ち下がり時間τfallは、特開平７−２２５３８
８号公報に示されるような次式で表される。

【０００７】 τrise=γ1／(ε0ΔεＥ²−π²Ｋ2／ｄ²) … (1) τfall=γ1ｄ²／π²Ｋ2＝γ1／ε0ΔεＥc² … (2) ここで、γ1は粘性係数、Ｋ2はツイストの弾性定数、ｄ
はセルギャップ、Δεは誘電異方性、ε0は真空の誘電
率、Ｅは電界強度、Ｅcはしきい値電界を示す。

【０００８】上記第１式及び第２式より、横電界方式に
おける液晶表示装置を高速応答にするには、セルギャッ
プｄを小さくしたり、粘性係数γ1が小さく高誘電率の
液晶材料（例えばシアノ系液晶など）を使用したり、あ
るいは電界強度Ｅを大きくするために駆動電圧を大きく
する手段がとられている。

【０００９】（第２の従来技術）図２４は、特開平９−
２３６８２０号公報に開示された横電界印加方式の液晶
表示装置の断面図である。なおここに、横電界印加方式
とは、透明基板の一方の内面に画素電極と対向電極の双
方を同一面上に形成し、これら同一面上に形成した画素
電極と対向電極間に電位を与え、透明基板の板面と平行
する方向の横電界を液晶に印加して液晶分子の配列を制
御する方式であり、これにより装置の表示の視野角依存
性の改善を図るものである。

【００１０】図２４（ａ）は、ソースバスライン（映像
信号線）に直交する方向かつ後に説明する半導体スイッ
チング素子のない部分の上下方向（基板面に直交する方
向）断面を示し、図２４（ｂ）は同じく半導体スイッチ
ング素子の存在する部分の断面を示し、図２４（ｃ）は
ソースバスラインに平行方向かつ半導体スイッチング素
子の存在する部分の断面を示す。

【００１１】図２４において、２０１ａは下部の、２０
１ｂは上部の透明基板である。２０２は、対向電極であ
る。２０３ａは、ゲート電極である。２０４は、ソース
バスラインである。２０５は、画素電極、２０５ａは、
その延長端部である。２０６は、半導体スイッチング素
子である。２０７は、液晶層である。２０８ａは下部
の、２０８ｂは上部の配向膜である。２０９は透明絶縁
層である。

【００１２】図２４に示すように、この液晶表示装置に
おいては、２枚の透明基板２０１ａと２０１ｂが相対向
して配置され、その対向面間に配向膜を介して液晶が封
入されており、更に配向膜が液晶層の上下両面に接して
液晶分子を所定の配向に整列させる点は従来広く採用さ
れているものと同じである。

【００１３】ただし、アレイ基板すなわち電極を形成す
る側の透明基板、この装置では２０１ａ側には配向膜２
０８ａと透明基板２０１ａとの間に透明絶縁層２０９が
配置され、この透明絶縁層によってソースバスラインと
対向電極との間及びソースバスラインと画素電極との間
をそれぞれ絶縁し、併せて対向電極とソースバスライン
の位置を本装置の使用者から見て（本装置の使用者が表
示面を見る場合に）重ね合わせて配置することが可能な
構造となっている点に特徴がある。

【００１４】このようにすれば、電極の存在によって発
生する遮光部分の面積を小さくすることが可能となり、
画素部分の開口率が高まるため、画面全体の輝度が向上
する。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】（第１の従来技術の課
題）しかしながら、上記のような第１の従来例である液
晶表示装置の場合、以下のような課題が残されていた。

【００１６】（１）セルギャップを小さくすると、液晶
を注入するのに要する時間が長くなり製造に要する時間
が長くなる。また、ギャップの精度ばらつきによるムラ
が目立ちやすくなる。

【００１７】（２）フッソ系液晶材料に替え、シアノ系
液晶材料を使用したり添加率を増加すると、耐熱・耐光
性が不安定になりコントラストの部分的な異常やフリッ
カなどの表示不良につながる可能性がある。

【００１８】（３）駆動電圧を大きくすると、消費電力
が大きくなるばかりでなく、従来使用していた駆動用Ｉ
Ｃが使えなくなり専用の駆動用ＩＣが必要になる。

【００１９】（４）透過率を向上するために、画素電極
あるいは共通電極にＩＴＯなどの透明電極を使用し、且
つ応答速度の向上をも図ろうとすると、より厚い膜を形
成する必要がある。しかしながら、このような厚い膜を
形成しようとすれば、微小な結晶の堆積により透過率が
低下するとともに、膜表面が粗くなり、そのため光散乱
値が増加して光利用効率が低下してしまう。

【００２０】（第２の従来技術の課題）しかしながら、
上記のような第２の従来例である液晶表示装置の場合、
以下のような課題が残されていた。

【００２１】（１）画素部に形成された画素電極、対向
電極が非透過形導電層である場合、その部分で光を透過
しないので開口率が低下してしまう。また、画素電極、
対向電極を透明導電層で形成しても、従来の電極構成、
液晶材料の組み合わせでは電極上の電界強度は微弱であ
るため、光はほとんど透過しないので実質開口率の向上
は望めない。

【００２２】（２）ゲート電極（走査信号線）と対向電
極を同一プロセスで形成すれば、製造プロセスが簡略化
されるが、各々の電極は近接しているため電気的短絡が
発生し、歩留まり低下の原因になる。

【００２３】（３）ソースバスライン（映像信号線）直
上にも対向電極を設けることにより、ソースバスライン
（映像信号線）直上に設けた対向電極以外の大部分の対
向電極と画素電極で形成される電界分布にも影響を及ぼ
す。

【００２４】（４）ソースバスライン（映像信号線）直
上の対向電極と画素電極で形成される電界分布は、それ
以外の対向電極と画素電極で形成される電界分布と異な
るため、輝度ムラ、あるいは色付きが発生する要因とな
る。

【００２５】本発明は、上記課題を解決し、液晶材料の
変更やセルギャップの狭小化、あるいは駆動電圧を大き
くすることなく、広視野角で高速応答かつ高輝度等の高
画質が得られる液晶表示装置及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。

【００２６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のうち請求項１記載の発明は、共通電極、画
素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチン
グ素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレ
イ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備
え、前記画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、基
板にほぼ平行な電界を発生させて液晶を調光駆動する液
晶表示装置であって、前記共通電極及び前記画素電極の
少なくとも何れか一方の線幅は、前記共通電極と前記画
素電極との間の間隙よりも大きく、かつ、前記共通電極
及び前記画素電極の少なくとも何れか一方の膜厚は、前
記走査信号線及び映像信号線の少なくとも何れか一方の
膜厚よりも大きいことを特徴とする。

【００２７】

【００２８】

【００２９】

【００３０】

【００３１】電極の線幅を、共通電極と画素電極との間
の間隙（電極間隔）よりも大きくすると、実質的に電極
間隔が従来よりも狭くなる。この結果、電界の立ち上が
りが電極内部側まで拡がり、電極端近傍での電界強度が
大きくなるため、応答速度が向上する。また、電極の膜
厚を、信号線の膜厚よりも大きくすると、電界の立ち上
がりが電極内部側まで拡がり、応答速度が向上する。そ
して、本願発明のように、電極の線幅を大きくし、か
つ、電極の膜厚を大きくする構成であれば、電極の線幅
を大きくした場合の上記効果と、電極の膜厚を大きくし
た場合の上記効果を単に加えた以上の相乗的な効果が得
られる。

【００３２】また、本発明は共通電極及び前記画素電極
の少なくとも何れか一方を透明導電層から構成してもよ
い。

【００３３】上記したように、電極間隔を狭くしたり、
電極の厚みを大きくしたりすれば、電界分布が電極上に
まで拡がる。従って、不透明電極に代えて透明電極を使
用すれば、電極直上を表示部として使用することが可能
となり、透過率の向上を図ることができる。

【００３４】また、本発明は、共通電極及び画素電極の
少なくとも何れか一方は、積層された少なくとも２種類
の導電層から構成され、凸形断面形状になっている場合
もある。

【００３５】また、本発明は、共通電極及び画素電極の
少なくとも何れか一方は、少なくとも２種類の異なる光
学特性を有し、それぞれ最も良好な透過率が得られる波
長領域が異なる透明導電体から構成されている場合もあ
る。

【００３６】また、本発明は、共通電極及び画素電極の
少なくとも何れか一方は、絶縁層とその表面に形成され
た導電層とから構成されている場合もある。

【００３７】また、本発明は、共通電極及び画素電極の
少なくとも何れか一方は、透明絶縁層とその表面に形成
された透明導電層とから構成されている場合もある。

【００３８】また、本発明は、共通電極と画素電極との
間の電極間隙は、少なくとも前記アレイ基板と前記対向
基板との間の間隙よりも小さくする場合もある。

【００３９】また、本発明は、共通電極と画素電極の一
部または全部が非晶質の透明導電膜からなる場合もあ
る。

【００４０】

【００４１】

【００４２】

【００４３】

【００４４】

【００４５】

【００４６】

【００４７】

【００４８】

【００４９】

【００５０】

【００５１】

【００５２】

【００５３】

【００５４】

【００５５】

【００５６】

【００５７】

【００５８】

【００５９】

【００６０】

【００６１】

【００６２】

【００６３】

【００６４】

【００６５】

【００６６】

【００６７】

【００６８】

【発明の実施の形態】［第１の発明群］以下、本発明の
第１の発明群について、図面を参照しながら説明する。

【００６９】（実施の形態１−１）本発明の実施の形態
１−１について図面を参照しながら説明する。

【００７０】図１(a)は本発明の実施の形態１−１にお
ける液晶表示装置の構成を示す断面図である。図１(b)
は本発明の実施の形態１−１における液晶表示装置の構
成を示す平面図である。

【００７１】液晶表示装置は、横電界印加方式（ＩＰＳ
（In-Plane-Swiching）方式）の液晶表示装置である。
この液晶表示装置は、アレイ基板側基板１Ａと、対向基
板１Ｂと、アレイ基板１Ａと対向基板１Ｂ間に挟持され
た液晶２とを有する。

【００７２】前記対向基板１Ｂの内側面には、赤色カラ
ーフィルター材料８ａ、緑色カラーフィルター材料８
ｂ、青色カラーフィルター材料８ｃ、及びブラックマト
リックス１０が所定のパターンに形成されている。これ
らカラーフィルター材料８ａ、８ｂ、８ｃ及びブラック
マトリックス１０の内側面には、配向膜９Ｂが形成され
ている。

【００７３】一方、アレイ基板側基板１Ａには、マトリ
クス状に配線された複数の走査信号線６及び映像信号線
５と、走査信号線６と映像信号線５の交差点付近に配置
された半導体スイッチングとしての薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ：Thin FiLm Transistor）７と、基板１Ａ，１
Ｂに平行な電界（横電界）を発生させるための対をなす
共通電極３及び画素電極４とが、形成されている。画素
電極４は、映像信号線５からの映像信号が供給される電
極部４Ａと、配線部４Ｂとから構成されており、共通電
極３は、電極部３Ａと、配線部３Ｂとから構成されてい
る。共通電極３及び画素電極４の内側面には、ポリイミ
ド等からなる配向膜９Ａが形成されている。

【００７４】ここで、注目すべきは、共通電極３及び画
素電極４の線幅ｗ1、ｗ2は、共通電極３と画素電極４と
の間の間隙ｌ（電極部４Ａと電極部３Ａとの間隔を意味
する。）よりも大きく（ｗ1,ｗ2＞ｌ）、なおかつ、共
通電極３及び画素電極４の膜厚ｔ1は、走査信号線ある
いは映像信号線の膜厚ｔ2よりも厚く構成されている。
このような構成により、液晶の応答速度を大きくするこ
とができ、しかも、透過率の実質的な向上をも図ること
が可能となる。なお、このような応答速度の向上及び透
過率の向上の理由については、後に詳細に説明すること
にする。

【００７５】次いで、上記構成の液晶表示装置の製造方
法について簡単に説明する。まず、アレイ基板１Ａ上に
Ａｌ等からなる導電膜でパターニングされた走査信号線
６を形成し、さらに絶縁膜を形成した後、ａ−Ｓｉ等か
らなる半導体スイッチング素子７、また、Ａｌ等からな
る導電膜でパターニングされた映像信号線５を形成す
る。

【００７６】本実施の形態は横電界印加方式であり、共
通電極３及び画素電極４を透明導電体であるＩＴＯ膜、
あるいはＡｌ等からなる導電膜で櫛形にパターニング形
成する。

【００７７】さらに、アレイ基板１Ａ、及び対向基板１
Ｂには、液晶２の分子の配列を整列させるためにポリイ
ミド等からなる配向膜９Ａ、９Ｂを形成する。透明基板
１Ｂは透明基板１Ａに対向して設け、赤色カラーフィル
ター材料８ａ、緑色カラーフィルター材料８ｂ、青色カ
ラーフィルター材料８ｃ、及びブラックマトリックス１
０が所定のパターンに形成されている。

【００７８】このように作製されたアレイ基板１Ａ、及
び対向基板１Ｂは、各々所定の方向に初期配向方位を形
成し、周辺部をシール剤で接着した後、液晶２を注入し
封止する。こうして、液晶表示装置が作製される。

【００７９】このようにして作製された液晶表示装置の
表示動作について説明する。半導体スイッチング素子７
は映像信号線５及び走査信号線６から入力される駆動信
号によってオン、オフ制御される。そして、半導体スイ
ッチング素子７と接続された画素電極４と、共通電極３
との間に印加された電圧によって電界を発生させ、液晶
２の配向を変化させて各画素の輝度を制御し、画像を表
示する。

【００８０】次いで、本発明の主たる特徴である電極構
造について説明する。 図１(a)及び(ｂ)において、ｄ
はセルギャップ、ｗ1、ｗ2は共通電極３及び画素電極４
の幅、ｌは共通電極３と画素電極４の間隔（間隙）、ｔ
1は共通電極３の厚さ、ｔ２は画素電極４の厚さ、ｔ５
は映像信号線５及び走査信号線６の厚さを示す。

【００８１】従来の構成では、例えば特開平７−３６０
５８号公報に示されるように、共通電極３は走査信号線
６と同じプロセスによってＣｒまたはＡｌ系などの金属
で形成し、また、画素電極４は映像信号線５と同じプロ
セスによってＭｏまたはＡｌ系などの金属で形成してい
る。したがって、このようなプロセスで形成された共通
電極３の膜厚は走査信号線６と同じになり、また、画素
電極４の膜厚は映像信号線５と同じになる。

【００８２】一方、本実施の形態では、図１に示すよう
に、共通電極３及び画素電極４の線幅ｗ1、ｗ2は、共通
電極３と画素電極４との間の間隙ｌよりも大きくし（ｗ
1,ｗ2＞ｌ）、なおかつ、共通電極３の膜厚ｔ１及び画
素電極４の膜厚ｔ２は、走査信号線あるいは映像信号線
の膜厚ｔ５よりも厚くした（ｔ1，ｔ２＞ｔ５）。この
点が本実施の形態と従来例とが大きく異なる点である。
なお、本発明は、ｗ1,ｗ2＞ｌかつｔ1，ｔ２＞ｔ５の構
成に限定されるものではなく、ｗ1,ｗ2＞ｌのみの構成
あるいはｔ1，ｔ２＞ｔ５のみの構成であってもよい。

【００８３】このような電極構成により、高速応答性を
得ることができ、電極として透明電極を用いれば透過率
の向上をも図ることができる。以下に、その理由を図２
を参照して、詳細に説明する。なお、図２において、参
照符号Ｍ１で示す曲線は従来例の電界分布を示し、照符
号Ｍ２で示す曲線は膜厚のみ大きい場合の電界分布を示
し、照符号Ｍ３で示す曲線は電極間隔のみ狭くした場合
の電界分布を示し、照符号Ｍ４で示す曲線は膜厚を大き
くし且つ電極間隔を狭くした場合の電界分布を示してい
る。

【００８４】図２（ａ）は従来例を示し、図２（ｂ）は
電極間隔は従来例と同一にしておき、膜厚のみを大きく
した例を示す。

【００８５】膜厚を大きくすると、電極端部近傍で図２
（ｂ）に示すように電界強度が大きく発生する。これに
より、電極上においても、図２（ａ）の従来例と比較す
れば、電界強度が大きくなり、そのため、電極直上に位
置する液晶分子を駆動することができる。従来例では、
電界強度は図２（ａ）に示す状態であり、電極間におい
てのみ、液晶分子を駆動し、電極直上での液晶分子を駆
動することができなかった。従って、図２（ｂ）に示す
例においては、電極直上の液晶分子を駆動できるため、
かかる電極を透明電極とすれば、透過率を向上すること
ができる。なお、電極間での電界強度も、従来例より大
きくなっている。よって、かかる観点からも高速応答性
が得られ、且つ、高透過率特性をも得られることにな
る。

【００８６】次いで、図２（ｃ）は、膜厚は従来例と同
一にしておき、電極間隔のみを小さくした例を示す。こ
のように、電極間隔を従来例より小さくすると、電極間
における電界強度は、従来例よりも大きくなる。更に、
電極上においても電界強度は液晶分子を駆動することが
できる程度に大きくなる。従って、かかる図２（ｃ）に
示すように電極間隔を小さくすれば、電極上及び電極間
において、従来例よりも電界強度を大きくすることがで
き、そのため、高速応答性が得られる。更に、電極を透
明電極にすることにより、当該電極上における液晶分子
の駆動により、開口率が向上すると共に、実質的な透過
を向上することができる。従って、このような図２
（ｃ）の構成においても、高速応答性及び高透過率特性
をが得られることになる。

【００８７】次いで、図２（ｄ）は、膜厚を大きくし、
且つ、電極間隔を小さくした例を示す。この図２（ｄ）
に示す例は、構成上は図２（ｂ）の構成に図２（ｃ）の
構成を加えたものである。しかしながら、注目すべき
は、この図２（ｄ）の構成では、膜厚のみによる効果に
電極間隔のみを小さくした効果を単に加えた効果以上の
相乗効果が得られる点において特徴を有する。即ち、電
界強度は、図２（ｄ）に示すように、電極上及び電極間
において、図２（ｂ）に示す電界強度と図２（ｃ）に示
す電界強度を加えた以上の電界強度が得られている。こ
の理由は、膜厚の変化による電界強度の効果と、電極間
隔の変化による電界強度の効果とが相乗的に作用したも
のと推量される。

【００８８】本発明者らは、上記原理に基づき実際に図
２（ａ）〜（ｄ）の構成の液晶表示装置を作製し、実験
を行った。

【００８９】具体的には、本実施の形態のサンプルとし
て、３つのサンプルを用意した。サンプル（１）は電極
間隙ｌ＝６μｍ、電極幅ｗ＝１０μｍ、セルギャップｄ
＝４μｍ、ｔ1＝t2＝0.4μｍ、の構成とし、サンプル
（２）は電極間隙ｌ＝６μｍ、電極幅ｗ＝１０μｍ、セ
ルギャップｄ＝４μｍ、ｔ1＝t2＝8000Åの構成とし、
サンプル(４)は電極間隙ｌ＝１０μｍ、電極幅ｗ＝６μ
ｍ、セルギャップｄ＝４μｍ、ｔ1＝t2＝0.4μｍ、の構
成とした。

【００９０】また、従来例のサンプルとして、サンプル
（３）を用意した。サンプル（３）は電極間隙ｌ＝１０
μｍ、電極幅ｗ＝６μｍ、セルギャップｄ＝４μｍ、ｔ
1＝t2＝2000Åの構成とした。

【００９１】電極構成以外は同じ条件、すなわち、液晶
材料は同一、セルギャップｄは４μｍ、駆動電圧は５
Ｖ、同一環境下という条件で、上記サンプル（１）〜サ
ンプル（４）につき応答速度を測定した。図３はサンプ
ル（１）〜サンプル（４）の立ち上がり時間τriseを測
定した結果であり、実線が従来例のサンプル(3)、一点
鎖線がサンプル（１）、破線がサンプル（２）、二点鎖
線がサンプル(４)の応答特性を示している。この結果か
らも明らかなように、９０％応答の立ち上がり時間は、
従来例のサンプル（３）に比べ、サンプル（１）で約１
／３に、サンプル（２）で約１／４に短縮され、本実施
の形態が高速応答に有効であることが認められる。

【００９２】なお、参考までに述べると、従来は、電極
線幅ｗ1、ｗ2は、電極間隔ｌよりも小さく（ｗ1,ｗ2＜
ｌ）設定されていた。これは、以下の理由による。即
ち、従来では、画素電極及び共通電極はＡｌ等の不透明
電極を使用していたので、開口率を上げるために、電極
間隔ｌを拡く設定することが必要である。しかし、拡げ
すぎると、応答速度が悪くなるし、配線との関係で一画
素の内での電極線幅が決定されており、電極間隔をむや
みに広くするには制約がある。従って、従来において
は、電極線幅と応答速度等の条件を加味しながら、電極
間隔を極力拡くしたという設計思想に基づいていたと考
えられる。即ち、従来、電極間隔を狭くするという思想
がなかった。この点に関して、本発明は、電極間隔を狭
くするという技術思想に基づいており、従来例とは本質
的に技術思想が相違する。

【００９３】また、電極の厚みを大きくするという点に
関しても、本発明は、従来例にないものである。なぜな
ら、従来は走査線や映像信号線の製造プロセス時に同時
に画素電極及び共通電極を作製していた。このとき、映
像信号の書き込みのためには配線抵抗は小さい方がよ
く、そのためには配線の膜厚は薄い方がよい。従って、
映像信号線等の配線は薄く形成され、これに応じて電極
の厚みも薄いのが現状である。要約すれば、電極の厚み
は、映像信号線等の配線の厚みと同一であって薄かっ
た。従って、従来では電極の厚みを配線の厚みと異なら
せるという技術的思想はなく、この点に関して電極の厚
みを変化させる本発明とは本質的に技術的思想が相違す
る。

【００９４】上記の例では、共通電極３及び画素電極４
にＣｒまたはＡｌ系など非透過タイプの金属を使用する
場合について説明したが、開口率を向上するためにＩＴ
Ｏなどの透明電極を使用する場合について以下に説明す
る。

【００９５】一般に共通電極３や画素電極４に使用され
るＩＴＯは２００℃程度で成膜しているが、ＩＴＯの結
晶化温度は１００〜２００℃付近にあり、この領域の温
度で作製したＩＴＯは非晶質（アモルファス）と多結晶
の混在した膜となる。このように非晶質と多結晶の混在
した膜で、より厚い膜を形成しようとすると、表面が粗
くなり光散乱値が増加して光利用効率が低下してしま
う。そのため、一般にＩＴＯの膜厚は７００Å程度で使
用され、映像信号線５や走査信号線６に使用されるＣｒ
またはＡｌ系など非透過タイプの金属の場合（膜厚１２
００Å〜２０００Å程度）に比べかなり薄い。したがっ
て、従来のＩＴＯ膜では、透過率を向上するためには膜
厚を大きくすることができないので、前述のように、高
速応答化のために膜厚を大きくするということは困難で
ある。

【００９６】しかし、ＩＴＯが非晶質であれば、表面が
滑らかであるため、膜厚を厚くしても光散乱値が増加し
て透過率を大きく低下させるということはない。非晶質
ＩＴＯの場合、波長５５０ｎｍに透過率のピークを設け
ようとすると、膜厚１５００Å程度にする必要がある。
したがって、透過率の向上と高速応答化を両立するに
は、膜厚１５００Å以上にするのが望ましい。

【００９７】すなわち、非晶質ＩＴＯを使用すれば、映
像信号線５や走査信号線６に使用されるＣｒまたはＡｌ
系など非透過タイプの金属と同程度の膜厚（１２００Å
〜２０００Å程度）でも、従来のＩＴＯ膜に比べて高速
応答化の効果があるということになる。もちろん、映像
信号線５や走査信号線６よりも厚く、例えば２０００Å
以上に厚膜化すれば、より高速応答化が可能となる。た
だし、厚膜化による透過率、光散乱値等の光学特性の低
下とのトレードオフの関係で膜厚を最適化する必要があ
る。

【００９８】このような非晶質ＩＴＯを得るには、１０
０℃以下の低温で成膜する。また、さらに、Ｈ₂Ｏまた
はＨ₂を添加して無加熱成膜すれば、チャンバー中の残
留Ｈ₂Ｏ分圧の低下によるＩＴＯの微結晶化するのを防
止することができ、安定な非晶質を得ることが可能とな
る。

【００９９】さらに、１００℃以下のプロセスでＩＴＯ
を成膜することができるので、アレイ基板１Ａ及び対向
基板１Ｂの両方あるいは一方をポリカーボネートのよう
な透明樹脂板とすることが可能となる。したがって、軽
量な液晶表示装置を得ることが可能になるとともに、製
造時の取り扱いや運搬時に発生する基板の割れ、カケを
低減することができる。また、使用時の落下、転倒等に
よる衝撃による基板の割れ、カケも低減することができ
る。

【０１００】図４は、共通電極３、画素電極４を２段階
のプロセスに分けて形成することで凸形断面形状にした
場合の実施の形態である。

【０１０１】すなわち、第１のプロセスで３'、４'の導
電層（膜厚ｔ1'＝ｔ2'＝4000Å、電極幅ｗ1'＝ｗ2'＝１
０μｍ）を形成し、第２のプロセスで３"、４"の導電層
（膜厚ｔ1"＝ｔ2"＝4000Å、電極幅ｗ1"＝ｗ2"＝６μ
ｍ）を形成することで、共通電極３、画素電極４の断面
形状を凸形にした。このような凸形断面形状にしても図
３のサンプル(2)とほぼ同様の効果を得ることができ
た。

【０１０２】したがって、共通電極３、画素電極４の断
面形状は必ずしも矩形形状である必要はなく、共通電極
３、画素電極４の膜厚を厚くするための製造プロセス
で、電極の断面形状の角が取れてＲ状になったり、テー
パ形断面形状であってもかまわない。

【０１０３】（実施の形態１−２）次に、本発明の実施
の形態１−２について図面を参照しながら説明する。

【０１０４】図５は本発明の実施の形態１−２における
液晶表示装置の構成を示す断面図である。図５において
３Ｍ、４Ｍは透明樹脂層、３Ｎ、４Ｎは透明導電層であ
る。すなわち、共通電極３は透明樹脂層３Ｍ、導電層３
Ｎからなり、画素電極４は透明樹脂層４Ｍ、導電層４Ｎ
からなる。また、ｄはセルギャップ、ｗ1、ｗ2は共通電
極３及び画素電極４の幅、ｌは共通電極３と画素電極４
の間隔（間隙）、ｔ1aは共通電極３の透明樹脂層３Ｍの
厚さ、ｔ2aは画素電極の透明樹脂層４Ｍの厚さ、ｔ1bは
共通電極３の透明導電層３Ｎの厚さ、ｔ2bは画素電極３
の透明導電層４Ｎの厚さ、を示す。

【０１０５】透明樹脂層３Ｍ、４Ｍとしては、例えばア
クリル系ポリマーの感光樹脂を使用すれば、容易に１μ
ｍ程度の膜厚で、櫛形等の所望のパターンに形成するこ
とが可能である。また、透明導電層３Ｎ、４Ｎとして
は、例えばＩＴＯを使用する。

【０１０６】本実施の形態では、セルギャップｄ＝４μ
ｍ、電極間隙ｌ＝３μｍ、電極幅ｗ＝１０μｍ、ｔ1a＝
ｔ2a＝１μｍ、ｔ1b＝ｔ2b＝2000Åとした。

【０１０７】本実施の形態１−２では、共通電極３と画
素電極４との間の電極間隙ｌを、アレイ基板１Ａと対向
基板１Ｂとの間の間隙ｄよりも小さくなるように構成さ
れている。このような構成により、共通電極３及び画素
電極４の周辺部の電界強度が大きくなることを利用して
各々の電極上の液晶を変調可能になり、かつ、共通電極
３及び画素電極４は各々が透明層で構成されているの
で、電極上の光も透過することが可能となる。

【０１０８】図６を参照して、具体的に説明する。図６
（ａ）は従来例（ｌ＞ｄの場合）の断面図であり、図６
（ｂ）は従来例（ｌ＞ｄの場合）において液晶が駆動さ
れる領域を模式的に示す図であり、図６（ｃ）は本発明
（ｌ＜ｄの場合）の断面図であり、図６（ｂ）は本発明
（ｌ＜ｄの場合）において液晶が駆動される領域を模式
的に示す図である。従来例では、電極上の液晶分子は駆
動されず、図６（ａ）の斜線領域Ｓ１のみの液晶分子し
か駆動されない。一方、本発明では、図６（ｂ）の斜線
領域Ｓ２で示すように電極上の広い領域に亘って駆動さ
れる。このとき、本発明における電極は透明電極を用い
るため、電極上の領域を液晶表示領域として使用するこ
とができる。従って、透過率の向上を図ることができ
る。なお、電極間での電界強度は、従来例の方が本発明
よりも大きい。しかしながら、電界により駆動される液
晶の領域は、本発明の方が従来例よりも大きい。即ち、
図６（ｂ）及び図６（ｄ）に示すように、液晶が駆動さ
れる領域は、高さＨ１＞Ｈ２であるが、領域Ｓ１＜Ｓ２
である。従って、液晶パネル全体から見ると、本発明の
方が従来例に比べて、明るく、且つコントラストの高い
液晶表示装置が得られることになる。しかも、図６
（ｄ）に示すように電極上での電界分布の変化が緩やか
であるので、表示ムラのない均一な表示が可能となる。

【０１０９】こうして、本実施の形態は、透過率を低下
させることなく高速応答の液晶パネルを得ることが可能
となる。

【０１１０】また、本実施の形態は、電極部の透過率を
低下することなく電極層厚ｔ1をより厚くしたい場合の
実施の形態であり、このような構成でも実施の形態１−
１と同様、あるいはそれ以上の効果が得られる。

【０１１１】（実施の形態１−３）次に、本発明の実施
の形態１−３について図面を参照しながら説明する。

【０１１２】図５は本発明の第２の実施の形態における
液晶表示装置の構成を示す断面図である。

【０１１３】図５において３−Iは共通電極３の第１
層、３−IIは共通電極３の第２層、３−IIIは共通電極
３の第３層であり、４−Iは画素電極３の第１層、４−I
Iは画素電極４の第２層、３−IIIは共通電極３の第３層
である。

【０１１４】本実施の形態では、３−I、４−Iは赤色
（Ｒ）すなわち７００ｎｍ近辺の波長領域、３−II、４
−IIは緑色（Ｇ）すなわち５４６ｎｍ近辺の波長領域、
３−III、４−IIIは青色（Ｂ）すなわち４３６ｎｍ近辺
の波長領域で、それぞれ最も良好な透過率が得られる分
光特性を有するように、各々の膜成分及び膜厚を調整し
て成膜されたＩＴＯ電極である。

【０１１５】このような構成にすることで、全体の透過
率を低下させることなく、電極層厚ｔ1、ｔ2をより厚く
することが可能となる。

【０１１６】上記の例では、共通電極及び画素電極は、
赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）にそれぞれ対応す
る分光特性を有する３つの層から構成されていたけれど
も、本発明はこれに限定されるものではなく、赤色
（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の少なくとも１種類に
対応する分光特性を有する層から構成するようにしても
よい。また、本発明は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色
（Ｂ）に限らず、使用する用途に応じてその他の所望の
波長領域で最も良好な透過率が得られる分光特性を有す
る層から構成するようにしてもよい。

【０１１７】［第２の発明群］第２の発明群は、画素電
極・共通電極が積層型の液晶表示装置に関するものであ
る。以下、本発明の第２の発明群について、図面を参照
しながら説明する。

【０１１８】（実施の形態２−１）図８(a)は実施の形
態２−１における液晶表示装置の構成を示す断面図であ
る。図８(b)は実施の形態２−１における液晶表示装置
の構成を示す平面図である。図８(c)は実施の形態２−
１における液晶表示装置の構成を示す断面図であり、図
８(b)のＡ−Ａにおける断面図である。

【０１１９】図９は実施の形態２−１における液晶表示
装置の半導体スイッチング素子７近傍の構成を示す断面
拡大図である。

【０１２０】図８において、１Ａはアレイ基板、１Ｂは
対向基板、２は液晶、３は共通電極、４は画素電極、５
は画素電極４と接続され映像信号を与える映像信号線、
６は走査信号線、７は半導体スイッチング素子、８は第
１絶縁層、９Ａはアレイ基板１Ａの内面に形成した配向
膜、９Ｂは対向基板１Ｂの内面に形成した配向膜、１０
ａは赤色カラーフィルター材料、１０ｂは緑色カラーフ
ィルター材料、１０ｃは青色カラーフィルター材料、１
１はブラックマトリックス（遮光層）、１２は第２絶縁
層である。

【０１２１】図９において、７ａはａ−Ｓｉ層、７ｂは
ｎ+形ａ−Ｓｉ層、８ａは第１絶縁層８に設けたコンタ
クトホール、１２ａは第２絶縁層１２に設けたコンタク
トホールである。

【０１２２】以下、図８及び図９を用いて、上記構成の
液晶表示装置の製造方法について説明する。

【０１２３】まず、アレイ基板１Ａ上にＡｌ、Ｔｉ等か
らなる非透過形導電体を形成し、共通電極の配線部３ｄ
と走査信号線６を所定の形状にパターニングする。この
ように形成された第１電極群の上に第１絶縁層８を形成
した後、この第１絶縁層８の所定の部分の上にａ−Ｓｉ
層７ａとｎ+形ａ−Ｓｉ層７ｂとからなる半導体スイッ
チング素子７を形成する。さらに、第１絶縁層８及び半
導体スイッチング素子７の所定部分の上にＡｌ、Ｔｉ等
からなる非透過形導電体を形成し、映像信号線と画素電
極からなる第２電極群を所定の形状にパターン形成す
る。

【０１２４】つぎに、第２電極群までが形成されたアレ
イ基板１Ａ上にＳｉＮｘ等からなる第２絶縁層１２を形
成する。第２絶縁層１２は半導体スイッチング素子７を
保護する保護膜の役目も果たすものでもある。

【０１２５】さらに、共通電極の電極部３ａ、３ｂ、３
ｃを、透明導電体であるＩＴＯ膜で形成する。

【０１２６】ここで、非透過形導電体で形成された共通
電極の配線部３ｄと、透明導電体で形成された共通電極
の電極部３ａ、３ｂ、３ｃとの電気的導通を得るため
に、第１絶縁層８と第２絶縁層１２は、各々、コンタク
トホール８ａ、１２ａを設けた構成としている。

【０１２７】その後、アレイ基板１Ａ、及び対向基板１
Ｂには、液晶２の分子の配列を整列させるためにポリイ
ミド等からなる配向膜９Ａ、９Ｂを形成する。

【０１２８】透明基板１Ｂは透明基板１Ａに対向して設
け、赤色カラーフィルター材料１０ａ、緑色カラーフィ
ルター材料１０ｂ、青色カラーフィルター材料１０ｃ、
及びブラックマトリックス１１が所定のパターンに形成
されている。

【０１２９】このように作製されたアレイ基板１Ａ、及
び対向基板１Ｂは、各々所定の方向に初期配向方位を形
成し、周辺部をシール剤で接着した後、液晶２を注入し
封止する。

【０１３０】半導体スイッチング素子７は映像信号線５
及び走査信号線６から入力される駆動信号によってオ
ン、オフ制御される。そして、半導体スイッチング素子
７と接続された画素電極４と、共通電極３との間に印加
された電圧によって電界を発生させ、液晶２の配向を変
化させて各画素の輝度を制御し、画像を表示する。

【０１３１】図８において、ｄはセルギャップ、ｗ1は
共通電極の電極部３ｂの線幅、ｗ２は画素電極の電極部
４ａの線幅、ｗ１'は共通電極の電極部３ａの線幅、ｌ
は共通電極の電極部３ｂと画素電極４ａの電極部との間
隔（間隙）、を示す。

【０１３２】本実施の形態では、図８に示すように、共
通電極の電極部３ａ、３ｂ、３ｃの線幅ｗ1＝５μｍ、
画素電極の電極部４ａ、４ｂの線幅ｗ2＝４μｍと、セ
ルギャップｄ＝４μｍ、電極間の間隔（間隙）ｌ＝１０
μｍとした。すなわち、共通電極３及び画素電極４の各
々の電極部の線幅ｗ１、ｗ２を、アレイ基板と対向基板
との間の間隙ｄ（セルギャップ）と略同じである構成と
した。

【０１３３】電極の形状としては、例えば図８(b)に示
すように、共通電極３の電極部と画素電極４の電極部と
が相互に配置された櫛形にパターニング形成し、共通電
極３の電極部と画素電極４の電極部との間に横電界を形
成する。上記のような電極構成にすることにより、横電
界に加え、各々の電極の周辺電界によって電極上の電界
強度が大きくなり液晶が回転するので、電極に透明導電
材料を使用することによって、電極の上の部分も光を透
過するするようになる。

【０１３４】また、液晶層２の液晶材料には、シアノ系
化合物を１０％ないし２０％程度含有したシアノ系液晶
材料を使用し、リタデーションΔｎ・ｄ（セルギャップ
ｄと屈折率差Δｎとの積）は３５０ｎｍ程度とした。ま
た、液晶層２の液晶材料のスプレイ弾性定数Ｋ11＝１２
（ｐＮ）、ツイスト弾性定数Ｋ22＝７（ｐＮ）、ベンド
弾性定数Ｋ33＝１８（ｐＮ）、誘電率異方性Δε=＋
８、である。ここで、誘電率異方性Δεとベンドの弾性
定数Ｋ33は液晶の駆動電圧を決定する上で重要であり、
特に、誘電率異方性Δεは＋８以上、ベンド弾性係数Ｋ
33は１８（ｐＮ）以下とするのが望ましい。

【０１３５】上記の電極構成に、このような構成からな
る液晶層２を組み合わせることにより、従来適用されて
いる駆動電圧（５Ｖ程度）で充分に電極上の電界強度を
大きくし液晶を駆動することができる。

【０１３６】さらに、この櫛形の電極部を屈曲させるこ
とにより、液晶分子の回転する方向が２つの方向に分か
れるため、視野角方向による色付きを互いに相殺し、視
野角方向による色変化の少ないパネル構成とすることが
できる。また、ここでは図示はしていないが、映像信号
線５とブラックマトリックス１１も、共通電極３、画素
電極４の電極部と同じ屈曲角を有する屈曲形状にすれ
ば、電極部を屈曲形状にしたことによる遮光面積の増加
分をなくすことができ、より開口率が高い液晶パネルを
得ることが可能となる。

【０１３７】つぎに、本実施の形態によるパネル構成に
おける作用と効果について説明する。

【０１３８】図１０に本実施の形態によるパネル構成で
上記したシアノ系液晶材料を使用した場合の液晶パネル
の光透過率特性（電界分布、液晶ダイレクタからパネル
の光透過率を計算）を示す。駆動電圧は５Ｖである。ま
た、電極構成は、図１０のライン（ａ）が共通電極３
ａ、３ｂ、３ｃの線幅ｗ1＝５μｍ、画素電極４ａ、４
ｂの線幅ｗ2＝４μｍ、セルギャップｄ＝４μｍ、電極
間の間隔（間隙）ｌ＝１０μｍという構成であり、図１
０のライン（ｂ）が共通電極３ａ、３ｂ、３ｃの線幅ｗ
1＝６μｍ、画素電極４ａ、４ｂの線幅ｗ2＝６μｍ、セ
ルギャップｄ＝４μｍ、電極間の間隔（間隙）ｌ＝１１
μｍという構成である。

【０１３９】一般にＩＴＯはＡｌ、Ｔｉ等に比べて微細
化パターニングがやや困難であるため、Ａｌ、Ｔｉ等よ
りも線幅を若干大きめにしておく。Ａｌ、Ｔｉ等は光を
透過しない非透過形導電体であるため、できるだけ微細
化するのが望ましいが、ＩＴＯは光を透過するので若干
線幅が大きくなっても大きく開口率を低下させることは
ない。

【０１４０】すなわち、図１０のライン（ａ）とライン
（ｂ）は、電極線幅と電極間隔のみが異なる液晶パネル
構成での光透過率特性を比較したものである。

【０１４１】また、図１０と同じ電極、パネル構成で、
液晶材料のみフッ素系液晶材料（スプレイ弾性定数Ｋ11
＝9（ｐＮ）、ツイスト弾性定数Ｋ22＝9（ｐＮ）、ベン
ド弾性定数Ｋ33＝22（ｐＮ）、誘電率異方性Δε=＋4.
4）を使用した場合の液晶パネルの光透過率特性（電界
分布、液晶ダイレクタからパネルの光透過率を計算）を
図１１に示す。駆動電圧は図１０と同様に５Ｖである。

【０１４２】この結果から明らかなように、シアノ系液
晶材料を使用した図１０の構成のほうが、フッソ系液晶
材料を使用した図１１の構成に比べてより高い透過率を
得ることが可能であることがわかる。

【０１４３】特に、フッソ系液晶材料を使用した図１１
の構成では、電極上の部分ではほとんど光を透過しない
が、シアノ系液晶材料を使用した図１０の構成では最低
でも１０％〜２０％程度の光を透過することが可能であ
り、電極にＩＴＯ等の透明導電層を使用すると実質開口
率が大きく向上する。また、電極線幅が細いほど電界強
度は強くなり電極上の透過率は向上する。しかしなが
ら、縦電界の影響が強すぎると視野角による色の変化が
大きくなりすぎるため、電極線幅は最大４μｍ程度にす
るのが望ましい。

【０１４４】さらに、走査信号線６と共通電極３を同じ
層で形成した場合、共通電極３の櫛部３ａ、３ｂ、３ｃ
と走査信号線６がごく近傍に配置されるため、ショート
による不良が発生する確率が高かったが、本実施の形態
による構成では、共通電極３の櫛部３ａ、３ｂ、３ｃを
走査信号線６と異なる層に形成するため、ショートによ
る不良をなくすことができる。

【０１４５】なお、本実施の形態では、半導体スイッチ
ング素子７にａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）を使用
する例について説明したが、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）
等、他の半導体層を使用しても同様の効果を得ることが
できる。

【０１４６】また、本実施の形態では、屈曲形の電極の
例について説明したが、直線形の電極、囲い込み形の電
極等、電極の形状にかかわらず、実質開口率を向上する
という効果を得ることができる。

【０１４７】（実施の形態２−２）図１２(a)は実施の
形態２−２における液晶表示装置の構成を示す断面図で
ある。図１２(b))は実施の形態２−２における液晶表示
装置の構成を示す平面図である。図１２(c)は実施の形
態２−２における液晶表示装置の構成を示す断面図であ
り、図１２(b)のＡ−Ａにおける断面図である。

【０１４８】図１３は実施の形態２−２における液晶表
示装置の半導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面
拡大図である。

【０１４９】本実施の形態は、画素電極の電極部４ａ、
４ｂに透明導電体を使用する場合の実施の形態であり、
この点で実施の形態２−１とは異なる。

【０１５０】以下、図１２及び図１３を用いてその動作
について述べる。

【０１５１】まず、アレイ基板１Ａ上にＡｌ、Ｔｉ等か
らなる非透過形導電体を形成し、共通電極３と走査信号
線６を所定の形状にパターニングする。このように形成
された第１電極群の上に第１絶縁層８を形成した後、こ
の第１絶縁層８の所定部分の上にａ−Ｓｉ層７ａとｎ+
形ａ−Ｓｉ層７ｂとからなる半導体スイッチング素子７
を形成する。さらに、第１絶縁層８及び半導体スイッチ
ング素子７の所定部分の上にＡｌ、Ｔｉ等からなる非透
過形導電体を形成し、映像信号線５と画素電極の配線部
４ｃからなる第２電極群を所定の形状にパターン形成す
る。

【０１５２】つぎに、第２電極群までが形成されたアレ
イ基板１Ａ上にＳｉＮｘ等からなる第２絶縁層１２を形
成する。第２絶縁層１２は半導体スイッチング素子７を
保護する保護膜の役目も果たすものでもある。

【０１５３】さらに、画素電極の櫛部４ａ、４ｂを、透
明導電体であるＩＴＯ膜で形成する。

【０１５４】ここで、非透過形導電体で形成された画素
電極の配線部４ｃと、透明導電体で形成された画素電極
の電極部４ａ、４ｂとの導通を得るために、第２絶縁層
１２には、コンタクトホール１２ａを設けた構成として
いる。

【０１５５】なお、それ以外の部分の電極形状、液晶材
料等は上記実施の形態２−１と同じでよい。

【０１５６】このような構成でも、実施の形態２−１と
同様、実質開口率の高い液晶パネルを得ることが可能で
ある。

【０１５７】（実施の形態２−３）図１４(a)は実施の
形態２−３における液晶表示装置の構成を示す断面図で
ある。図１４(b)は実施の形態２−３における液晶表示
装置の構成を示す平面図である。図１４(c)は実施の形
態２−３における液晶表示装置の構成を示す断面図であ
り、図１４(b)のＡ−Ａにおける断面図である。

【０１５８】図１５は実施の形態２−３における液晶表
示装置の半導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面
拡大図である。

【０１５９】本実施の形態は、共通電極の電極部３ａ、
３ｂ、３ｃと画素電極の電極部４ａ、４ｂの両方に透明
導電体を使用する場合の実施の形態であり、この点で上
記実施の形態２−１及び上記実施の形態２−２とは異な
る。

【０１６０】以下、図１４及び図１５を用いてその動作
について述べる。

【０１６１】まず、アレイ基板１Ａ上にＡｌ、Ｔｉ等か
らなる非透過形導電体で形成し、共通電極の配線部３ｄ
と走査信号線６を所定の形状にパターニングする。この
ように形成された第１電極群の上に第１絶縁層８を形成
した後、この第１絶縁層８の所定部分の上にａ−Ｓｉ層
７ａとｎ+形ａ−Ｓｉ層７ｂとからなる半導体スイッチ
ング素子７を形成する。さらに、第１絶縁層８及び半導
体スイッチング素子７の所定部分の上にＡｌ、Ｔｉ等か
らなる非透過形導電体を形成し、映像信号線５と画素電
極の配線部４ｃからなる第２電極群を所定の形状にパタ
ーン形成する。

【０１６２】つぎに、第２電極群までが形成されたアレ
イ基板１Ａ上にＳｉＮｘ等からなる第２絶縁層１２を形
成する。第２絶縁層１２は半導体スイッチング素子７を
保護する保護膜の役目も果たすものでもある。

【０１６３】さらに、共通電極の電極部３ａ、３ｂ、３
ｃを透明導電体であるＩＴＯ膜で形成し、ＳｉＮｘ等か
らなる第３絶縁層１３を形成した後、画素電極の電極部
４ａ、４ｂを、透明導電体であるＩＴＯ膜で形成する。

【０１６４】ここで、非透過形導電体で形成された共通
電極の配線部３ｄと、透明導電体で形成された共通電極
の櫛部３ａ、３ｂ、３ｃとの電気的導通を得るために、
第１絶縁層８及び第２絶縁層１２にコンタクトホール８
ａ、１２ｂを設け、また、非透過形導電体で形成された
画素電極の配線部４ｃと、透明導電体で形成された共通
電極の電極部４ａ、４ｂとの電気的導通を得るために、
第２絶縁膜１２及び第３絶縁層１３にコンタクトホール
１２ａ、１３ａを設けた構成としている。

【０１６５】なお、それ以外の部分の電極形状、液晶材
料等は上記の実施の形態１あるいは上記の実施の形態２
−２と同じでよい。

【０１６６】このような構成により、実施の形態２−１
あるいは実施の形態２−２以上に実質開口率の高い液晶
パネルを得ることが可能である。

【０１６７】（実施の形態２−４）図１６は実施の形態
２−４における液晶表示装置の半導体スイッチング素子
近傍の構成を示す断面拡大図である。

【０１６８】本実施の形態は、上記の実施の形態２−３
と同様に、共通電極の電極部３ａ、３ｂ、３ｃと画素電
極の電極部４ａ、４ｂの両方に透明導電体を使用する場
合の実施の形態であるが、これらを同一層に形成した場
合の実施の形態であり、この点で上記の実施の形態２−
３とは異なる。

【０１６９】したがって、本形態２−４における液晶表
示装置を作製する際、第２電極群を形成し、第２絶縁層
を形成する工程までは、実施の形態２−３と同じでよ
く、この第２絶縁層の上に共通電極の電極部３ａ、３
ｂ、３ｃと画素電極の電極部４ａ、４ｂの両方を透明導
電体で形成する。

【０１７０】このような構成により、上記の実施の形態
２−３より少ないプロセス数で、かつ、上記の実施の形
態２−１あるいは上記の実施の形態２−２以上に実質開
口率の高い液晶パネルを得ることが可能である。

【０１７１】（実施の形態２−５）図１７(a)は実施の
形態２−５における液晶表示装置の構成を示す断面図で
ある。図１７(b)は実施の形態２−５における液晶表示
装置の構成を示す平面図である。

【０１７２】図１７において、１Ａはアレイ基板、１Ｂ
は対向基板、２は液晶、３は共通電極、４は画素電極、
５は画素電極４と接続され映像信号を与える映像信号
線、６は走査信号線、７は半導体スイッチング素子、８
は透明絶縁層、９Ａはアレイ基板１Ａの内面に形成した
配向膜、９Ｂは対向基板１Ｂの内面に形成した配向膜、
１０ａは赤色カラーフィルター材料、１０ｂは緑色カラ
ーフィルター材料、１０ｃは青色カラーフィルター材
料、１１はブラックマトリックス（遮光層）、である。

【０１７３】以下、図１７を用いて、上記構成の液晶表
示装置の製造について説明する。

【０１７４】まず、アレイ基板１Ａ上にＡｌ等からなる
導電膜でパターニングされた走査信号線６を形成し、絶
縁膜を形成した後、ａ−Ｓｉ等からなる半導体スイッチ
ング素子７、また、Ａｌ等からなる導電膜でパターニン
グされた映像信号線５を形成する。

【０１７５】本実施の形態は横電界印加方式であり、共
通電極３及び画素電極４を透明導電体であるＩＴＯ膜、
あるいはＡｌ等からなる導電膜で図１７(b)に示すよう
な櫛形にパターニング形成する。

【０１７６】画素電極４は、映像信号線５、走査信号線
６、または半導体スイッチング素子７を形成するのと同
じ層で形成し、透明導電体であるＩＴＯ膜等で形成す
る。

【０１７７】さらに、これらの配線を平坦化するのに充
分な厚さを有する透明絶縁層８を形成した後、透明導電
体であるＩＴＯ膜からなる共通電極３を形成する。

【０１７８】また、映像信号線５直上の共通電極の電極
部３ａ、３ｄの線幅ｗ１'は、他の共通電極の電極部３
ｂ、３ｃの線幅ｗ１よりも大きくしておく。

【０１７９】その後、アレイ基板１Ａ、及び対向基板１
Ｂには、液晶２の分子の配列を整列させるためにポリイ
ミド等からなる配向膜９Ａ、９Ｂを形成する。

【０１８０】対向基板１Ｂはアレイ基板１Ａに対向して
設け、赤色カラーフィルター材料１０ａ、緑色カラーフ
ィルター材料１０ｂ、青色カラーフィルター材料１０
ｃ、及びブラックマトリックス１１が所定のパターンに
形成されている。

【０１８１】このように作製されたアレイ基板１Ａ、及
び対向基板１Ｂは、各々所定の方向に初期配向方位を形
成し、周辺部をシール剤で接着した後、液晶２を注入し
封止する。

【０１８２】半導体スイッチング素子７は映像信号線５
及び走査信号線６から入力される駆動信号によってオ
ン、オフ制御される。そして、半導体スイッチング素子
７と接続された画素電極４と、共通電極３との間に印加
された電圧によって電界を発生させ、液晶２の配向を変
化させて各画素の輝度を制御し、画像を表示する。

【０１８３】図１７において、ｄはセルギャップ、ｗ1
は共通電極の電極部３ｂの線幅、ｗ２は画素電極の電極
部４ａの線幅、ｗ１'は共通電極の電極部３ａの線幅、
ｌは共通電極の電極部３ｂと画素電極の電極部４ａとの
間隔（間隙）、を示す。

【０１８４】本実施の形態では、図１７に示すように、
共通電極の電極部３ｂ及び画素電極の電極部４ａの線幅
ｗ1、ｗ2は、セルギャップｄよりも小さくし（ｗ1,ｗ2
＜ｄ）、間隔（間隙）ｌもセルギャップより小さい（ｌ
＜ｄ）。また、画素電極４を透明絶縁層８が形成される
前のプロセスで形成した、すなわち、透明樹脂層８の下
層であるアレイ基板１Ａ側に設けた構成としている。

【０１８５】さらに、映像信号線５直上の共通電極３
ａ、３ｄの線幅ｗ１'は、他の共通電極３ｂ、３ｄの線
幅ｗ１より大きい（ｗ１'＞ｗ１）。これらの点が、本
実施の形態が従来例と大きく異なる点である。

【０１８６】このような構成においては、横電界に加
え、各々の電極の周辺電界によって電極上の電界強度が
大きくなり液晶が回転するので、電極に透明導電材料を
使用することによって、電極の上の部分も光を透過する
するようになる。

【０１８７】さらに、映像信号線５の上にも共通電極３
ａを設けているので、画素電極４ａとの間にも電界を発
生することができる。したがって、従来、ブラックマト
リッス１１で覆っていた部分も光を透過するようにな
り、実質開口率が向上するので高輝度のパネルを得るこ
とができる。

【０１８８】しかしながら、このような構成の場合、共
通電極３、画素電極４をどの層に形成するかによって電
界分布が異なってくる。

【０１８９】まず、画素電極４を透明絶縁層８が形成さ
れる前のプロセスで形成した、すなわち、透明樹脂層８
の下層であるアレイ基板１Ａ側に設けた構成とすること
の作用と効果について説明する。

【０１９０】図１８に本実施の形態による電極構成での
液晶パネルの光透過率特性（電界分布、液晶ダイレクタ
からパネルの光透過率を計算）を示す。

【０１９１】具体的には、電極間隙ｌ＝２μｍ、電極幅
ｗ１＝ｗ２＝２μｍ、セルギャップｄ＝４μｍ、とした
（つまり、ｗ１,ｗ２＜ｄ、及びｌ＜ｄを満たしてい
る）。また、電極構成以外は同じ条件、すなわち、液晶
材料は同一、駆動電圧は５Ｖ、同一環境下という条件と
した。

【０１９２】図１８（ａ）と図１８（ｂ）の構成で異な
る点は、図１８（ａ）は、共通電極３、画素電極４の両
方を透明絶縁層８の上層、すなわち、対向基板１Ｂ側に
設けた構成であり、図１８（ｂ）は、画素電極４を透明
絶縁層８が形成される前のプロセスで形成した、すなわ
ち、透明樹脂層８の下層であるアレイ基板１Ａ側に設け
た構成、という点である。

【０１９３】この結果から明らかなように、図１８
（ｂ）の構成のほうがより高い透過率を有することがわ
かる。１ドットサイズが４３μm×１２９μmという超高
精細パネルで透過率を測定した結果、積層型共通電極を
使わない構成での透過率が３７％、図１８（ａ）の構成
での透過率は４４％、に対して、図１８（ｂ）の構成に
すると透過率は６０％と大きく向上することがわかっ
た。

【０１９４】つぎに、映像信号線５直上の共通電極３ａ
の線幅ｗ１'を、他の共通電極３ｂの線幅ｗ１より大き
くすること（ｗ１'＞ｗ１）の作用と効果について説明
する。

【０１９５】図１９に、図１８（ｂ）と電極線幅、電極
間隔が異なる電極構成の場合の電気光学シミュレーショ
ン（電界分布、液晶ダイレクタからパネル透過率を計
算）の結果を示す。

【０１９６】具体的には、電極間隙ｌ＝１０μｍ、電極
幅ｗ１＝ｗ２＝６μｍ、セルギャップｄ＝４μｍ、とし
た。また、電極構成以外は同じ条件、すなわち、液晶材
料は同一、駆動電圧は５Ｖ、同一環境下という条件とし
た。

【０１９７】図１９（ａ）に示すように、ｗ１'＝ｗ１
＝６μｍの場合、映像信号線５直上の共通電極４ａと画
素電極３ａとの間に生じる電界分布は、画素電極３ａと
共通電極４ｂとの間に生じる電界分布と異なり、映像信
号線５に近くなるにしたがってより強い電界が発生する
ような傾斜分布になるため、透過率分布も映像信号線５
に近くなるにしたがって高透過率となる。したがって、
輝度ムラあるいは色付きの原因となる。

【０１９８】これに対し、図１９（ｂ）に示すように、
映像信号線５直上の共通電極４ａの線幅を他の共通電極
の線幅より大きくすれば（ｗ１'＝１０μｍ＞ｗ１の場
合）、映像信号線５直上の共通電極４ａと画素電極３ａ
との間に生じる電界分布の傾斜は無くなり、輝度ムラ、
色付きの発生を防止することができる。

【０１９９】なお、この実施の形態では、特にｗ１,ｗ
２＜ｄ、及びｌ＜ｄを満たしていない構成の例で説明し
たが、もちろん、ｗ１,ｗ２＜ｄ、及びｌ＜ｄを満たす
構成でも同様の効果を得ることができる。

【０２００】（実施の形態２−６）図２０(a)は実施の
形態２−６における液晶表示装置の構成を示す断面図で
ある。図２０(b)は実施の形態２−６における液晶表示
装置の構成を示す平面図である。図２０(c)は図２０(b)
に示したＡ−Ａ線上の断面図である。

【０２０１】図２０において、１Ａはアレイ基板、１Ｂ
は対向基板、２は液晶、３は共通電極、４は画素電極、
５は画素電極４と接続され映像信号を与える映像信号
線、６は走査信号線、７は半導体スイッチング素子、８
は透明絶縁層、９Ａはアレイ基板１Ａの内面に形成した
配向膜、９Ｂは対向基板１Ｂの内面に形成した配向膜、
１０ａは赤色カラーフィルター材料、１０ｂは緑色カラ
ーフィルター材料、１０ｃは青色カラーフィルター材
料、１１はブラックマトリックス（遮光層）、１２は半
導体スイッチング素子７を作製する工程で形成される絶
縁層である。

【０２０２】本実施の形態は、映像信号線５直上の共通
電極３ａ、３ｄと、それ以外の共通電極３ｂ、３ｃとを
異なる層に形成するときの実施の形態であり、映像信号
線５直上にＩＴＯのような高抵抗の導電体を形成できな
い場合の実施の形態である。

【０２０３】本実施の形態２−６の製造方法は、上記の
実施の形態２−５とほぼ同じであるので、異なるプロセ
スのみ説明する。即ち、共通電極４を形成するプロセス
についてのみ説明する。

【０２０４】実施の形態２−５と同様に、共通電極３及
び画素電極４を透明導電体であるＩＴＯ膜、あるいはＡ
ｌ、Ｔｉ等からなる導電膜で図２０(b)に示すような櫛
形にパターニング形成する。

【０２０５】画素電極４は、映像信号線５、走査信号線
６、または半導体スイッチング素子７を形成するのと同
じ層で形成し、透明導電体であるＩＴＯ膜で形成する。

【０２０６】次に、半導体スイッチング素子７を作製す
る工程で絶縁層１２を形成した後、透明導電体であるＩ
ＴＯ膜で共通電極３ｂ、３ｃを形成する。

【０２０７】さらに、これらの配線を平坦化するのに充
分な厚さを有する透明絶縁層８を形成した後Ａｌ、Ｃｒ
等の非透過形の導電材料で共通電極３ａ、３ｄを形成す
る。映像信号線５の直上の共通電極３ａ、３ｄとそれ以
外の共通電極３ｂ、３ｃとは透明絶縁層８に設けたコン
タクトホール８ａを介して電気的導通を得られる構成で
ある。

【０２０８】このような構成にしても、もともと映像信
号線５はＡｌ等の非透過形の導電材料で形成されている
ので、透過率を低下させることはなく、映像信号線５直
上の共通電極４ａ、４ｄを、Ａｌ、Ｃｒ等の非透過形の
低抵抗導電材料で形成することができる。

【０２０９】（実施の形態２−７）本実施の形態２−７
について図面を参照しながら説明する。

【０２１０】図２１（ａ）は本実施の形態２−７におけ
る液晶表示装置の構成を示す断面図である。図２１
（ｂ）は本実施の形態２−７における液晶表示装置の構
成を示す平面図である。図２１（ｃ）は本実施の形態２
−７における液晶表示装置の構成を示す断面図であり、
図２１（ｂ）のＡ−Ａ矢視断面図である。

【０２１１】図２２は本発明の実施の形態２−７におけ
る液晶表示装置の半導体スイッチング素子近傍の構成を
示す拡大断面図である。

【０２１２】本実施の形態は、液晶材料中の不純物イオ
ンが多く、その電荷が電極上に蓄積されることによって
生じる残像、いわゆる焼き付きが顕著なときの実施の形
態であり、この点で実施の形態２−１から実施の形態２
−４まてで説明した構成と異なる。

【０２１３】本実施の形態２−７の製造方法は、上記実
施の形態２−３とはほぼ同じであるので、異なるプロセ
スのみ説明する。即ち、第４絶縁層１４を加えるプロセ
スとその効果についてのみ説明する。

【０２１４】ＳｉＮｘ等からなる第３絶縁層１３を形成
した後、画素電極の電極部４ａ，４ｂを、透明導電体で
あるＩＴＯ膜で形成するまでのプロセスは実施の形態２
−３と同じである。本実施の形態では、さらに第４絶縁
層１４を形成する。

【０２１５】実施の形態２−１から実施の形態２−４で
説明した構成は、共通電極の電極部３ａ，３ｂ、あるい
は画素電極の電極部４ａ，４ｂが最上層に露出した構成
である。すなわち、配向膜９Ａは非常に薄い膜であるた
め、電極の露出した部分に液晶２がほぼ直接接触する構
成となり、液晶２の中の不純物イオンが蓄積し、フリッ
カーや残像、焼き付きを起こす要因となる。従って、特
に液晶２の中の不純物イオンが多い場合は、フリッカー
や残像、焼き付きが顕著となり画質を損ねるばかりでな
く、高温高湿の環境下などで化学反応を誘発し、さらな
る画像欠陥を生じるおそれがある。

【０２１６】そこで、液晶２が共通電極の電極部３ａ，
３ｂ、あるいは画素電極の電極部４ａ，４ｂと直接接触
することを防止するために第４絶縁層１４を設けた構成
とした。

【０２１７】ここで、第４絶縁層は実施の形態２−１か
ら実施の形態２−６で説明したいずれの絶縁膜であって
もかまわない。すなわち、他のプロセスで使用されるＳ
ｉＮｘ、あるいは層間絶縁膜等で使用されるアクリル系
感光性樹脂等の絶縁膜を用いれば、製造装置を追加する
ことなく低コストで高画質、高信頼性の液晶表示装置を
得ることができる。

【０２１８】但し、確実に絶縁性を得るために表面抵抗
は１０１０Ω／□前後、膜厚は５０ｎｍ以上が望まし
い。

【０２１９】また、第４絶縁層にＳｂ₂Ｏ_S系微粒子を添
加したＳｉＯ₂系材料を用いれば、Ｎａ＋、Ｋ＋、ＮＨ₄
＋といった不純物イオンを吸収する機能を有するのでよ
り効果的である。

【０２２０】

【発明の効果】以上のように第１の発明群の構成によれ
ば、以下の効果を奏する。

【０２２１】（１）セルギャップを小さくする必要がな
いので、液晶を注入するのに要する時間が長くすること
なく、また、ギャップの精度ばらつきによるムラを生じ
ることなく高速化することが可能である。

【０２２２】（２）液晶材料あるいはその添加率を変え
る必要がないので、耐熱・耐光性等の低下によるコント
ラストの部分的な異常やフリッカなどの表示不良を発生
することなく高速化することが可能である。

【０２２３】（３）駆動電圧を大きくする必要がないの
で、消費電力が大きくせずに、また従来の駆動用ＩＣを
使って高速化することが可能である。

【０２２４】（４）透過率を低下することなく高速化す
ることが可能である。

【０２２５】（５）以上の作用により、液晶材料の変更
やセルギャップの狭小化、あるいは駆動電圧を大きくす
ることなく、広視野角で高速応答かつ高輝度等の高画質
が得られる液晶表示装置を提供することができるので工
業的価値は極めて大である。

【０２２６】また、第２の発明群の構成によれば、以下
の効果を奏する。

【０２２７】（６）画素電極、対向電極の電極部を透明
導電層で形成し、かつ、電極上の電界強度を強くする電
極構成、液晶材料の組み合わせとしたことにより、電極
上の液晶分子も変調させて光を透過することができる、
実質開口率の高い液晶パネルを得ることができる。

【０２２８】（７）ゲート電極（走査信号線）と対向電
極を異なる層で形成するので、ゲート電極と対向電極間
での電気的短絡を著しく低減することができる。

【０２２９】（８）映像信号線直上の積層形共通電極が
電界分布に及ぼす影響を考慮した電極配置としたため、
全体的に高い透過率を得ることができる。

【０２３０】（９）映像信号線直上の共通電極の線幅を
他の共通電極の線幅よりも大きくすることにより、映像
信号線直上の共通電極と画素電極の間もなめらかな透過
率分布を得られる構成としたため、輝度ムラ、あるいは
色付きの無い均一な画像を得ることができる。

【０２３１】（１０）以上のことから、広視野角かつ高
輝度で、輝度ムラ、色付き等のない高画質が得られる液
晶表示装置を提供することができるので工業的価値は極
めて大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１−１における液晶表示装置の構成
を示す図である。

【図２】実施の形態１−１における電極構造の原理を説
明するための図である。

【図３】実施の形態１−１における液晶表示装置の応答
特性を示す図である。

【図４】実施の形態１−２における液晶表示装置の構成
を示す図である。

【図５】実施の形態１−３における液晶表示装置の構成
を示す図である。

【図６】実施の形態１−３における電極構造の原理を説
明するための図である。

【図７】実施の形態１−４における液晶表示装置の構成
を示す図である。

【図８】実施の形態２−１における液晶表示装置の構成
を示す図であり、そのうち図８（ａ）は実施の形態２−
１における液晶表示装置の構成を示す断面図、図８
（ｂ）は実施の形態２−１における液晶表示装置の構成
を示す平面図、図８（ｃ）は実施の形態２−１における
液晶表示装置の構成を示すＡ−Ａ線上の断面図である。

【図９】実施の形態２−１における液晶表示装置の半導
体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図であ
る。

【図１０】実施の形態２−１における液晶表示装置の光
透過率特性を示す図である。

【図１１】従来技術の液晶表示装置の光透過率特性を示
す図である。

【図１２】実施の形態２−２における液晶表示装置の構
成を示す図であり、そのうち図１２（ａ）は実施の形態
２−２における液晶表示装置の構成を示す断面図であ
り、図１２（ｂ）は実施の形態２−２における液晶表示
装置の構成を示す平面図であり、図１２（ｃ）は実施の
形態２−２における液晶表示装置の構成を示すＡ−Ａ線
上の断面図である。

【図１３】実施の形態２−２における液晶表示装置の半
導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図であ
る。

【図１４】実施の形態２−３における液晶表示装置の構
成を示す図であり、そのうち図１４（ａ）は実施の形態
２−３における液晶表示装置の構成を示す断面図、図１
４（ｂ）は実施の形態２−３における液晶表示装置の構
成を示す平面図、図１４（ｃ）は実施の形態２−３にお
ける液晶表示装置の構成を示すＡ−Ａ線上の断面図、で
ある。

【図１５】実施の形態２−３における液晶表示装置の半
導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図であ
る。

【図１６】実施の形態２−４における液晶表示装置の半
導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図であ
る。

【図１７】実施の形態２−５における液晶表示装置の構
成を示す図であり、そのうち図１７（ａ）は実施の形態
２−５における液晶表示装置の構成を示す断面図、図１
７（ｂ）は実施の形態２−３における液晶表示装置の構
成を示す平面図、である。

【図１８】実施の形態２−５における液晶表示装置の光
透過率特性を示す図である。

【図１９】実施の形態２−５における液晶表示装置の光
透過率特性を示す図である。

【図２０】実施の形態２−６における液晶表示装置の構
成を示す図であり、そのうち図２０（ａ）は実施の形態
２−６における液晶表示装置の構成を示す断面図、図２
０（ｂ）は実施の形態２−６における液晶表示装置の構
成を示す平面図、図２０（ｃ）は実施の形態２−６にお
ける液晶表示装置の構成を示すＡ−Ａ線上の断面図、で
ある。

【図２１】実施の形態２−７における液晶表示装置の構
成を示す図であり、そのうち図２１（ａ）は実施の形態
２−７における液晶表示装置の構成を示す断面図、図２
１（ｂ）は実施の形態２−７における液晶表示装置の構
成を示す平面図、図２１（ｃ）は実施の形態２−７にお
ける液晶表示装置の構成を示すＡ−Ａ線上の断面図、で
ある。

【図２２】実施の形態２−７における液晶表示装置の半
導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図であ
る。

【図２３】第１の従来の液晶表示装置の構成を示す図で
ある。

【図２４】第２の従来の液晶表示装置の構成を示す図で
ある。

【符号の説明】

１Ａ ：アレイ基板 １Ｂ ：対向基板 ２ ：液晶 ３ ：共通電極 ４ ：画素電極 ５ ：映像信号線 ６ ：走査信号線 ７ ：半導体スイッチ素子 ８ ：透明絶縁層 ９Ａ ：配向膜 ９Ｂ ：配向膜 １０ａ：赤色カラーフィルター材料 １０ｂ：緑色カラーフィルター材料 １０ｃ：青色カラーフィルター材料 １１ ：ブラックマトリックス １２ ：絶縁層 ｗ１ ：共通電極の線幅 ｗ２ ：画素電極の線幅 ｌ ：共通電極と画素電極との間隙 ｔ１：共通電極の膜厚 ｔ２：画素電極の膜厚 ｔ６：映像信号線若しくは走査信号線の膜厚 ｄ：セルギャップ ｗ１’：映像信号線直上に位置する共通電極の線幅

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願2000−23687(P2000−23687) (32)優先日 平成12年２月１日(2000．2．1) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） 早期審査対象出願 (72)発明者 塩田 昭教 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 佐藤 一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 佐谷 裕司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 木村 雅典 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 浅田 智 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平９−258265（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−146125（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−64892（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−10556（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−61836（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−190104（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−128683（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−301141（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−119237（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−214244（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/1368

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】共通電極、画素電極、走査信号線、映像信
   号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板
   と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間
   に挟持された液晶層とを備え、前記画素電極と共通電極
   との間に電圧を印加し、基板にほぼ平行な電界を発生さ
   せて液晶を調光駆動する液晶表示装置であって、 前記共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方
   の線幅は、前記共通電極と前記画素電極との間の間隙よ
   りも大きく、かつ、前記共通電極及び前記画素電極の少
   なくとも何れか一方の膜厚は、前記走査信号線及び映像
   信号線の少なくとも何れか一方の膜厚よりも大きいこと
   を特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】前記共通電極及び前記画素電極の少なくと
   も何れか一方は、透明導電層から構成されたことを特徴
   とする請求項１記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】前記共通電極及び前記画素電極の少なくと
   も何れか一方は、積層された少なくとも２種類の導電層
   から構成され、凸形断面形状になっていることを特徴と
   する請求項１記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】前記共通電極及び前記画素電極の少なくと
   も何れか一方は、少なくとも２種類の異なる光学特性を
   有し、それぞれ最も良好な透過率が得られる波長領域が
   異なる透明導電体から構成されたことを特徴とする請求
   項３記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】前記共通電極及び前記画素電極の少なくと
   も何れか一方は、絶縁層とその表面に形成された導電層
   とから構成されたことを特徴とする請求項１記載の液晶
   表示装置。
6. 【請求項６】前記共通電極及び前記画素電極の少なくと
   も何れか一方は、透明絶縁層とその表面に形成された透
   明導電層とから構成されたことを特徴とする請求項４記
   載の液晶表示装置。
7. 【請求項７】前記共通電極と前記画素電極との間の電極
   間隙は、少なくとも前記アレイ基板と前記対向基板との
   間の間隙よりも小さくしたことを特徴とする請求項２記
   載の液晶表示装置。
8. 【請求項８】前記共通電極と前記画素電極の一部または
   全部が非晶質の透明導電膜からなることを特徴とする請
   求項１記載の液晶表示装置。