JP3265968B2 - ガラスセラミックス基板の電極及びその形成方法 - Google Patents
ガラスセラミックス基板の電極及びその形成方法Info
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- forming
- plating
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はガラスセラミックス
基板の電極及びその形成方法に関し、より詳細にはＳｉ
チップ等を搭載するためのガラスセラミックス基板の電
極及びその形成方法に関する。
基板の電極及びその形成方法に関し、より詳細にはＳｉ
チップ等を搭載するためのガラスセラミックス基板の電
極及びその形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、Ｓｉチップ等の半導体素子搭
載用の基板材料としては、耐久性及び信頼性に富むアル
ミナが多く用いられている。アルミナ基板の端子部とし
ての表層電極にはＷ、Ｍｏ等の金属が用いられており、
通常、前記端子部の上にはメッキ膜が形成される。他
方、低温焼成が可能である等の点から、近年注目されつ
つあるガラスセラミックス基板の端子部にはＡｇ−Ｐ
ｄ、Ｃｕ等の低比抵抗率を有する金属が用いられてい
る。基板の端子部は、外部電極端子と接続されるため、
基板から容易に剥れないよう基板との密着強度が大きい
ことが要求される。
載用の基板材料としては、耐久性及び信頼性に富むアル
ミナが多く用いられている。アルミナ基板の端子部とし
ての表層電極にはＷ、Ｍｏ等の金属が用いられており、
通常、前記端子部の上にはメッキ膜が形成される。他
方、低温焼成が可能である等の点から、近年注目されつ
つあるガラスセラミックス基板の端子部にはＡｇ−Ｐ
ｄ、Ｃｕ等の低比抵抗率を有する金属が用いられてい
る。基板の端子部は、外部電極端子と接続されるため、
基板から容易に剥れないよう基板との密着強度が大きい
ことが要求される。
【０００３】セラミックス基板は通常グリーンシート多
層法により製造されるが、外部電極端子の形成方法は、
最表面に位置するグリーンシートに電極端子形成用ペー
ストを印刷し、内層導体が印刷されたグリーンシートを
積層後焼成する同時焼成法と、内層導体が印刷されたグ
リーンシートを積層して焼成した基板上に電極端子形成
用ペーストを印刷し、再度焼成する後付け法とに大別さ
れる。電極端子の密着性向上の要求から、後付け法の場
合は金属材料にガラスフリットが添加されたペーストを
焼結基板上に印刷し、同時焼成法の場合はガラスフリッ
トのみからなるペーストを下地印刷した後、金属材料の
みからなるペーストを印刷するか、もしくは金属材料に
ガラスフリットが添加されたペーストを印刷することに
より、焼成過程においてガラスフリットを基板内部及び
端子内部に侵入させ、いわゆるアンカーを形成する。
層法により製造されるが、外部電極端子の形成方法は、
最表面に位置するグリーンシートに電極端子形成用ペー
ストを印刷し、内層導体が印刷されたグリーンシートを
積層後焼成する同時焼成法と、内層導体が印刷されたグ
リーンシートを積層して焼成した基板上に電極端子形成
用ペーストを印刷し、再度焼成する後付け法とに大別さ
れる。電極端子の密着性向上の要求から、後付け法の場
合は金属材料にガラスフリットが添加されたペーストを
焼結基板上に印刷し、同時焼成法の場合はガラスフリッ
トのみからなるペーストを下地印刷した後、金属材料の
みからなるペーストを印刷するか、もしくは金属材料に
ガラスフリットが添加されたペーストを印刷することに
より、焼成過程においてガラスフリットを基板内部及び
端子内部に侵入させ、いわゆるアンカーを形成する。
【０００４】ガラスセラミックス基板にＳｉベアチップ
を搭載する場合、両者に電極を形成し、Ｓｉベアチップ
の電極に半田（Ｐｂ−Ｓｎ半田）ボールを接着させ、溶
融させて両者の接合を行う。端子部の形成にＡｇ−Ｐｄ
やＣｕ等の金属を用い、前記端子部の上にメッキ膜を形
成しない場合、半田溶融接続時に半田成分であるＳｎが
端子部内へ拡散して金属間化合物が形成され、そのため
に端子部が脆化する。この半田成分の拡散を防止するた
め、通常、前記端子部の上に厚み３．０μｍ程度のＮｉ
メッキ膜を形成する。Ｎｉメッキ膜は、Ｎｉ−Ｐ系メッ
キ処理により形成されるＰを含むＮｉ−Ｐメッキ膜と、
Ｎｉ−Ｂ系メッキ処理により形成されるＢを含んだＮｉ
−Ｂメッキ膜とに大別されるが、形成されるメッキ膜の
半田濡れ性の観点から、半田と直接接触する部分のメッ
キ膜は、従来よりＮｉ−Ｂメッキ膜が用いられていた。
を搭載する場合、両者に電極を形成し、Ｓｉベアチップ
の電極に半田（Ｐｂ−Ｓｎ半田）ボールを接着させ、溶
融させて両者の接合を行う。端子部の形成にＡｇ−Ｐｄ
やＣｕ等の金属を用い、前記端子部の上にメッキ膜を形
成しない場合、半田溶融接続時に半田成分であるＳｎが
端子部内へ拡散して金属間化合物が形成され、そのため
に端子部が脆化する。この半田成分の拡散を防止するた
め、通常、前記端子部の上に厚み３．０μｍ程度のＮｉ
メッキ膜を形成する。Ｎｉメッキ膜は、Ｎｉ−Ｐ系メッ
キ処理により形成されるＰを含むＮｉ−Ｐメッキ膜と、
Ｎｉ−Ｂ系メッキ処理により形成されるＢを含んだＮｉ
−Ｂメッキ膜とに大別されるが、形成されるメッキ膜の
半田濡れ性の観点から、半田と直接接触する部分のメッ
キ膜は、従来よりＮｉ−Ｂメッキ膜が用いられていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ガラスセラミ
ックス基板の場合、端子部にはガラスフリットが多量に
含有されており、これらのガラスはアルミナとは異なり
酸性又はアルカリ性のメッキ液に侵され易い。そこで、
ガラスの溶出を抑制するため、ガラスセラミックス基板
の端子部のメッキ処理には、中性のＮｉ−Ｂメッキ液が
使用されている。しかし、Ｎｉ−Ｂメッキ液は、還元力
の低いジメチルアミノボランや水素化ホウ素ナトリウム
等を還元剤として使用しているため、Ｎｉ−Ｐメッキ液
と比較してメッキ膜形成速度がもともと遅く、ｐＨを中
性付近にするとメッキ膜形成速度が一段と遅くなり、メ
ッキ膜形成に時間を要するという課題があった。
ックス基板の場合、端子部にはガラスフリットが多量に
含有されており、これらのガラスはアルミナとは異なり
酸性又はアルカリ性のメッキ液に侵され易い。そこで、
ガラスの溶出を抑制するため、ガラスセラミックス基板
の端子部のメッキ処理には、中性のＮｉ−Ｂメッキ液が
使用されている。しかし、Ｎｉ−Ｂメッキ液は、還元力
の低いジメチルアミノボランや水素化ホウ素ナトリウム
等を還元剤として使用しているため、Ｎｉ−Ｐメッキ液
と比較してメッキ膜形成速度がもともと遅く、ｐＨを中
性付近にするとメッキ膜形成速度が一段と遅くなり、メ
ッキ膜形成に時間を要するという課題があった。
【０００６】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、端子部の上に半田成分（Ｓｎ）の拡散防止膜として
十分な厚みを有し、半田濡れ性に優れるＮｉメッキ膜が
形成されたガラスセラミックス基板の電極、及び中性の
Ｎｉメッキ液を用いても、短時間で前記Ｎｉメッキ膜を
形成することができるガラスセラミックス基板の電極の
形成方法を提供することを目的としている。
り、端子部の上に半田成分（Ｓｎ）の拡散防止膜として
十分な厚みを有し、半田濡れ性に優れるＮｉメッキ膜が
形成されたガラスセラミックス基板の電極、及び中性の
Ｎｉメッキ液を用いても、短時間で前記Ｎｉメッキ膜を
形成することができるガラスセラミックス基板の電極の
形成方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係るガラスセラミックス基板の
電極は、外部電極端子に接続されるガラスセラミックス
基板の電極において、ガラスセラミックス基板の端子部
の上にＮｉ−Ｐメッキ膜が形成され、さらに該Ｎｉ−Ｐ
メッキ膜の上にＮｉ−Ｂメッキ膜が形成されていること
を特徴としている。
達成するために本発明に係るガラスセラミックス基板の
電極は、外部電極端子に接続されるガラスセラミックス
基板の電極において、ガラスセラミックス基板の端子部
の上にＮｉ−Ｐメッキ膜が形成され、さらに該Ｎｉ−Ｐ
メッキ膜の上にＮｉ−Ｂメッキ膜が形成されていること
を特徴としている。
【０００８】上記ガラスセラミックス基板の電極によれ
ば、基板の端子部に、半田成分（Ｓｎ）の拡散防止被膜
として十分な厚みを有し、半田濡れ性に優れるＮｉメッ
キ膜が形成されているので、半田接続部分の電極を脆化
させることなく、半田を介した半導体素子や他の基板等
との接続を確実に行うことができる。
ば、基板の端子部に、半田成分（Ｓｎ）の拡散防止被膜
として十分な厚みを有し、半田濡れ性に優れるＮｉメッ
キ膜が形成されているので、半田接続部分の電極を脆化
させることなく、半田を介した半導体素子や他の基板等
との接続を確実に行うことができる。
【０００９】また、本発明に係るガラスセラミックス基
板の電極の形成方法は、上記ガラスセラミックス基板の
電極の形成方法であって、ガラスセラミックス基板の端
子部をＮｉ−Ｐメッキ液に浸漬してＮｉ−Ｐメッキ膜を
形成し、次に該Ｎｉ−Ｐメッキ膜が形成された前記端子
部をＮｉ−Ｂメッキ液に浸漬してＮｉ−Ｂメッキ膜を形
成することを特徴としている。
板の電極の形成方法は、上記ガラスセラミックス基板の
電極の形成方法であって、ガラスセラミックス基板の端
子部をＮｉ−Ｐメッキ液に浸漬してＮｉ−Ｐメッキ膜を
形成し、次に該Ｎｉ−Ｐメッキ膜が形成された前記端子
部をＮｉ−Ｂメッキ液に浸漬してＮｉ−Ｂメッキ膜を形
成することを特徴としている。
【００１０】上記ガラスセラミックス基板の電極の形成
方法によれば、最初にメッキ膜形成速度の早いＮｉ−Ｐ
メッキ液を使用するため、短時間で半田成分（Ｓｎ）の
拡散防止に必要な厚みのＮｉ−Ｐメッキ膜を形成するこ
とができる。一方、半田濡れ性の向上のために形成する
Ｎｉ−Ｂメッキ膜の厚みは薄くてもよいため、Ｎｉ−Ｂ
メッキ液のメッキ膜形成速度が遅くても、短時間でＮｉ
−Ｂメッキ膜を形成することができる。従って、全体と
して短時間で、半田成分（Ｓｎ）の拡散防止用膜として
十分な厚みを有し、半田濡れ性の良好なＮｉメッキ膜を
形成することができる。
方法によれば、最初にメッキ膜形成速度の早いＮｉ−Ｐ
メッキ液を使用するため、短時間で半田成分（Ｓｎ）の
拡散防止に必要な厚みのＮｉ−Ｐメッキ膜を形成するこ
とができる。一方、半田濡れ性の向上のために形成する
Ｎｉ−Ｂメッキ膜の厚みは薄くてもよいため、Ｎｉ−Ｂ
メッキ液のメッキ膜形成速度が遅くても、短時間でＮｉ
−Ｂメッキ膜を形成することができる。従って、全体と
して短時間で、半田成分（Ｓｎ）の拡散防止用膜として
十分な厚みを有し、半田濡れ性の良好なＮｉメッキ膜を
形成することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るガラスセラミ
ックス基板の電極及びその形成方法の実施の形態を説明
する。
ックス基板の電極及びその形成方法の実施の形態を説明
する。
【００１２】まず、実施の形態に係るガラスセラミック
ス基板の電極の形成方法を説明する。ここで、電極形成
の対象となるガラスセラミックス基板は特に限定され
ず、どのような種類のものでもよいが、具体的には、例
えばコーディエライト系ガラスにアルミナが骨材として
添加されたもの等が挙げられる。
ス基板の電極の形成方法を説明する。ここで、電極形成
の対象となるガラスセラミックス基板は特に限定され
ず、どのような種類のものでもよいが、具体的には、例
えばコーディエライト系ガラスにアルミナが骨材として
添加されたもの等が挙げられる。
【００１３】ガラスセラミックス基板の製造方法は、従
来より公知の製造方法を使用することができ、特に限定
されるものではないが、例えば下記の方法が挙げられ
る。まず、ガラス材料と骨材とを混合、粉砕した後、バ
インダ、樹脂、分散剤、可塑剤、溶剤等を添加してスラ
リを形成し、該スラリを用いてドクターブレード法等に
よりグリーンシートを形成する。次に、該グリーンシー
ト上に必要により内層電極形成用の導体ペースト層を印
刷し、該導体ペースト層が印刷されたグリーンシートを
含む複数枚のグリーンシートを積層することによりグリ
ーンシート積層体を形成する。次に、該グリーンシート
積層体の表面に端子部形成用の導体ペースト層を印刷
し、焼成する。前記方法により、その内部に内部電極が
形成され、その表面に端子部を有するガラスセラミック
ス基板が形成される。
来より公知の製造方法を使用することができ、特に限定
されるものではないが、例えば下記の方法が挙げられ
る。まず、ガラス材料と骨材とを混合、粉砕した後、バ
インダ、樹脂、分散剤、可塑剤、溶剤等を添加してスラ
リを形成し、該スラリを用いてドクターブレード法等に
よりグリーンシートを形成する。次に、該グリーンシー
ト上に必要により内層電極形成用の導体ペースト層を印
刷し、該導体ペースト層が印刷されたグリーンシートを
含む複数枚のグリーンシートを積層することによりグリ
ーンシート積層体を形成する。次に、該グリーンシート
積層体の表面に端子部形成用の導体ペースト層を印刷
し、焼成する。前記方法により、その内部に内部電極が
形成され、その表面に端子部を有するガラスセラミック
ス基板が形成される。
【００１４】端子部の形成材料としては、例えばＡｇ−
Ｐｄ、Ｃｕ等が挙げられ、前記端子部の厚みは、通常、
５〜３０μｍである。次に、前記端子部が形成されたガ
ラスセラミックス基板を、還元剤として次亜リン酸ナト
リウムを含有し、さらにＮｉの塩やクエン酸トリウム等
を含有するｐＨ７．０でその温度が６０〜９０℃のＮｉ
−Ｐメッキ液に５〜３５分間浸漬し、１〜５μｍの厚み
のＮｉ−Ｐメッキ膜を形成する。
Ｐｄ、Ｃｕ等が挙げられ、前記端子部の厚みは、通常、
５〜３０μｍである。次に、前記端子部が形成されたガ
ラスセラミックス基板を、還元剤として次亜リン酸ナト
リウムを含有し、さらにＮｉの塩やクエン酸トリウム等
を含有するｐＨ７．０でその温度が６０〜９０℃のＮｉ
−Ｐメッキ液に５〜３５分間浸漬し、１〜５μｍの厚み
のＮｉ−Ｐメッキ膜を形成する。
【００１５】次に、前記端子部にＮｉ−Ｐメッキ膜が形
成されたガラスセラミックス基板を還元剤としてジメチ
ルアミノボラン又は水素化ホウ素ナトリウムを含有し、
さらにＮｉの塩やクエン酸トリウム等を含有するｐＨが
７．０でその温度が６０〜９０℃のＮｉ−Ｂメッキ液に
５〜１０分間浸漬し、０．５〜１μｍの厚みのＮｉ−Ｂ
メッキ膜を形成する。
成されたガラスセラミックス基板を還元剤としてジメチ
ルアミノボラン又は水素化ホウ素ナトリウムを含有し、
さらにＮｉの塩やクエン酸トリウム等を含有するｐＨが
７．０でその温度が６０〜９０℃のＮｉ−Ｂメッキ液に
５〜１０分間浸漬し、０．５〜１μｍの厚みのＮｉ−Ｂ
メッキ膜を形成する。
【００１６】前記製造方法により、端子部の上に１〜５
μｍのＮｉ−Ｐメッキ膜が形成され、さらに該Ｎｉ−Ｐ
メッキ膜の上に０．５〜１μｍのＮｉ−Ｂメッキ膜が形
成されたガラスセラミックス基板の電極が完成する。該
ガラスセラミックス基板の電極は、基板の両主面に形成
されていてもよく、片方の主面に形成されていてもよ
い。
μｍのＮｉ−Ｐメッキ膜が形成され、さらに該Ｎｉ−Ｐ
メッキ膜の上に０．５〜１μｍのＮｉ−Ｂメッキ膜が形
成されたガラスセラミックス基板の電極が完成する。該
ガラスセラミックス基板の電極は、基板の両主面に形成
されていてもよく、片方の主面に形成されていてもよ
い。
【００１７】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係るガラスセラミ
ックス基板の電極及びその形成方法の実施例を説明す
る。端子部を有するガラスセラミックス基板の製造条件
及びメッキ膜の形成条件を以下に記す。
ックス基板の電極及びその形成方法の実施例を説明す
る。端子部を有するガラスセラミックス基板の製造条件
及びメッキ膜の形成条件を以下に記す。
【００１８】［実施例］ （１） 端子部を有するガラスセラミックス基板の製造 グリーンシート積層体の作製及び端子部形成用導体
ペースト層の印刷 グリーンシート用原料粉末 ガラス材料：コーディエライト系ガラス（７５重量部） 骨材の材料：アルミナ（２０重量部）、コーディエライ
ト（５重量部） グリーンシートの成形方法：ドクターブレード法 端子部形成用導体ペースト中の固形分 Ａｇ（８０ｗｔ％）−Ｐｄ（２０ｗｔ％）混合粉末：７
０重量部 端子部形成用導体ペーストの形状 直径：１５０μｍ、厚み：２０μｍ グリーンシート積層体の焼成 焼成条件 温度：９００℃、時間：３０分間、雰囲気：空気 焼成により形成された端子部の形状 直径：１２５μｍ、厚み：１６μｍ （２） 端子部のメッキ処理 メッキ前処理 (i) 希塩酸（ｐＨ５．０）で３０秒洗浄 (ii) Ｐｄ活性化処理 処理液の組成 ＳｎＣｌ2 ：１４ｇ／リットル ＰｄＣｌ2 ：０．１ｇ／リットル ３５％ＨＣｌ：５ｍｌ／リットル 処理温度：６０℃ 処理時間：５分 Ｎｉ−Ｐメッキ処理 メッキ液の組成 ＮｉＣｌ2 ・６Ｈ2 Ｏ：０．０３ｍｏｌ／リットル 次亜リン酸ナトリウム：０．１ｍｏｌ／リットル その他、醋化剤、安定剤を適宜添加している。 メッキ液の温度：７０℃ メッキ液のｐＨ：７．０ メッキ液浸漬時間：５〜３５分間 Ｎｉ−Ｂメッキ処理 メッキ液の組成 ＮｉＣｌ2 ・６Ｈ2 Ｏ：０．０３ｍｏｌ／リットル ジメチルアミノボラン：０．１ｍｏｌ／リットル その他、醋化剤、安定剤を適宜添加している。 メッキ液の温度：６５℃ メッキ液のｐＨ：７．０ メッキ液浸漬時間：５分間 ［比較例］端子部を有するガラスセラミックス基板の製
造、及びメッキ前処理は、実施例の場合と同様に行い、
次に、上記実施例で用いたＮｉ−Ｂメッキ液と同様の組
成のＮｉ−Ｂメッキ液を用い、前記ガラスセラミックス
基板を１０〜４０分間メッキ液に浸漬し、端子部の上に
Ｎｉ−Ｂメッキ膜を形成した。
ペースト層の印刷 グリーンシート用原料粉末 ガラス材料：コーディエライト系ガラス（７５重量部） 骨材の材料：アルミナ（２０重量部）、コーディエライ
ト（５重量部） グリーンシートの成形方法：ドクターブレード法 端子部形成用導体ペースト中の固形分 Ａｇ（８０ｗｔ％）−Ｐｄ（２０ｗｔ％）混合粉末：７
０重量部 端子部形成用導体ペーストの形状 直径：１５０μｍ、厚み：２０μｍ グリーンシート積層体の焼成 焼成条件 温度：９００℃、時間：３０分間、雰囲気：空気 焼成により形成された端子部の形状 直径：１２５μｍ、厚み：１６μｍ （２） 端子部のメッキ処理 メッキ前処理 (i) 希塩酸（ｐＨ５．０）で３０秒洗浄 (ii) Ｐｄ活性化処理 処理液の組成 ＳｎＣｌ2 ：１４ｇ／リットル ＰｄＣｌ2 ：０．１ｇ／リットル ３５％ＨＣｌ：５ｍｌ／リットル 処理温度：６０℃ 処理時間：５分 Ｎｉ−Ｐメッキ処理 メッキ液の組成 ＮｉＣｌ2 ・６Ｈ2 Ｏ：０．０３ｍｏｌ／リットル 次亜リン酸ナトリウム：０．１ｍｏｌ／リットル その他、醋化剤、安定剤を適宜添加している。 メッキ液の温度：７０℃ メッキ液のｐＨ：７．０ メッキ液浸漬時間：５〜３５分間 Ｎｉ−Ｂメッキ処理 メッキ液の組成 ＮｉＣｌ2 ・６Ｈ2 Ｏ：０．０３ｍｏｌ／リットル ジメチルアミノボラン：０．１ｍｏｌ／リットル その他、醋化剤、安定剤を適宜添加している。 メッキ液の温度：６５℃ メッキ液のｐＨ：７．０ メッキ液浸漬時間：５分間 ［比較例］端子部を有するガラスセラミックス基板の製
造、及びメッキ前処理は、実施例の場合と同様に行い、
次に、上記実施例で用いたＮｉ−Ｂメッキ液と同様の組
成のＮｉ−Ｂメッキ液を用い、前記ガラスセラミックス
基板を１０〜４０分間メッキ液に浸漬し、端子部の上に
Ｎｉ−Ｂメッキ膜を形成した。
【００１９】図１は上記実施例、及び比較例の場合のメ
ッキ液浸漬時間と形成されたメッキ膜の厚みとの関係を
示したグラフである。図１より明らかなように、比較例
の場合に比べて、実施例の場合にはメッキ膜形成速度が
約２倍程度早く、短時間で厚いＮｉメッキ膜が形成され
ている。
ッキ液浸漬時間と形成されたメッキ膜の厚みとの関係を
示したグラフである。図１より明らかなように、比較例
の場合に比べて、実施例の場合にはメッキ膜形成速度が
約２倍程度早く、短時間で厚いＮｉメッキ膜が形成され
ている。
【００２０】次に、端子部の上に、Ｎｉ−Ｐメッキ膜及
びＮｉ−Ｂメッキ膜の合計の厚さが３μｍのＮｉメッキ
膜が形成された電極を有する実施例に係るガラスセラミ
ックス基板を使用し、前記電極に半田ボール（Ｐｂ：９
７ｗｔ％、Ｓｎ：３ｗｔ％）が接着されたＳｉチップを
接続した。その結果、前記電極に脆化及び含有されてい
るガラスフリットの溶出の現象は見られず、Ｓｉチップ
との接着強度も十分であった。
びＮｉ−Ｂメッキ膜の合計の厚さが３μｍのＮｉメッキ
膜が形成された電極を有する実施例に係るガラスセラミ
ックス基板を使用し、前記電極に半田ボール（Ｐｂ：９
７ｗｔ％、Ｓｎ：３ｗｔ％）が接着されたＳｉチップを
接続した。その結果、前記電極に脆化及び含有されてい
るガラスフリットの溶出の現象は見られず、Ｓｉチップ
との接着強度も十分であった。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例、及び比較例の場合のメッキ液浸漬時間
と形成されたメッキ膜の厚みとの関係を示したグラフで
ある。
と形成されたメッキ膜の厚みとの関係を示したグラフで
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−165590（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−264284（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−104085（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−167631（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−306816（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 H01L 23/12 H05K 3/00 C23C 18/00
Claims (2)
- 【請求項１】 外部電極端子に接続されるガラスセラミ
ックス基板の電極において、ガラスセラミックス基板の
端子部の上にＮｉ−Ｐメッキ膜が形成され、さらに該Ｎ
ｉ−Ｐメッキ膜の上にＮｉ−Ｂメッキ膜が形成されてい
ることを特徴とするガラスセラミックス基板の電極。 - 【請求項２】 ガラスセラミックス基板の端子部をＮｉ
−Ｐメッキ液に浸漬してＮｉ−Ｐメッキ膜を形成し、次
に該Ｎｉ−Ｐメッキ膜が形成された前記端子部をＮｉ−
Ｂメッキ液に浸漬してＮｉ−Ｂメッキ膜を形成すること
を特徴とする請求項１記載のガラスセラミックス基板の
電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02670496A JP3265968B2 (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | ガラスセラミックス基板の電極及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02670496A JP3265968B2 (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | ガラスセラミックス基板の電極及びその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09223716A JPH09223716A (ja) | 1997-08-26 |
| JP3265968B2 true JP3265968B2 (ja) | 2002-03-18 |
Family
ID=12200784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02670496A Expired - Lifetime JP3265968B2 (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | ガラスセラミックス基板の電極及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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1996
- 1996-02-14 JP JP02670496A patent/JP3265968B2/ja not_active Expired - Lifetime
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