JP3257571B2 - 異物分析方法及び異物分析装置 - Google Patents
異物分析方法及び異物分析装置Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、異物分析方法、特に半
導体ウェハ上の各異物を迅速に分光分析することのでき
る異物分析方法と、その実施に用いる異物分析装置に関
する。
導体ウェハ上の各異物を迅速に分光分析することのでき
る異物分析方法と、その実施に用いる異物分析装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置を品質管理するうえで最も重
要なことの一つは半導体ウェハの表面に付着する異物
(ダスト)を少なくすることであり、それには先ず第1
に半導体ウェハの表面に付着した異物の数を把握すると
共に異物がどのような物質からなるかを分析することが
不可欠である。なぜならば、それによって汚染源が何か
を発見する可能性が生じ、ダスト対策を講じることが可
能になるからである。
要なことの一つは半導体ウェハの表面に付着する異物
(ダスト)を少なくすることであり、それには先ず第1
に半導体ウェハの表面に付着した異物の数を把握すると
共に異物がどのような物質からなるかを分析することが
不可欠である。なぜならば、それによって汚染源が何か
を発見する可能性が生じ、ダスト対策を講じることが可
能になるからである。
【0003】ところで、半導体ウェハ表面に付着した異
物の分析は次のように行われた。先ず、ウェハ表面検査
機により半導体ウェハ上の各異物の座標を順次検出し、
その各異物の座標を適宜記録媒体、例えばフロッピーデ
ィスクに記録し、次に、分光分析装置により半導体ウェ
ハ上の各異物を分光分析する。
物の分析は次のように行われた。先ず、ウェハ表面検査
機により半導体ウェハ上の各異物の座標を順次検出し、
その各異物の座標を適宜記録媒体、例えばフロッピーデ
ィスクに記録し、次に、分光分析装置により半導体ウェ
ハ上の各異物を分光分析する。
【0004】そして、従来の分光分析装置には半導体ウ
ェハと分析用ビーム源との相対的位置関係を上記の記録
された異物の座標情報に基づいて分析用ビームが異物近
傍を照射できるように自動的に調整する位置調整機構を
備えたものがあった。しかしながら、異物に対して分析
用ビーム源から投射された分析用ビームを照射できるよ
うに自動的に位置決めすることができる分光分析装置
は、従来存在しなかった。というのは、ウェハ表面検査
機による異物の座標の検出精度を何ミクロンというきわ
めて微小径のビームでミクロン程度の異物を照射できる
程度に高くすることは実際上きわめて困難だからであ
る。そのため、従来においては、オペレータが異物が分
析用ビームにあたるところに位置するようにマニュアル
操作により半導体ウェハの載置台をX、Y方向に移動し
て位置合せをし、その後、分析用ビーム源から分析用ビ
ームを出射させて分光分析をしていたのである。
ェハと分析用ビーム源との相対的位置関係を上記の記録
された異物の座標情報に基づいて分析用ビームが異物近
傍を照射できるように自動的に調整する位置調整機構を
備えたものがあった。しかしながら、異物に対して分析
用ビーム源から投射された分析用ビームを照射できるよ
うに自動的に位置決めすることができる分光分析装置
は、従来存在しなかった。というのは、ウェハ表面検査
機による異物の座標の検出精度を何ミクロンというきわ
めて微小径のビームでミクロン程度の異物を照射できる
程度に高くすることは実際上きわめて困難だからであ
る。そのため、従来においては、オペレータが異物が分
析用ビームにあたるところに位置するようにマニュアル
操作により半導体ウェハの載置台をX、Y方向に移動し
て位置合せをし、その後、分析用ビーム源から分析用ビ
ームを出射させて分光分析をしていたのである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来におい
ては、異物一つ一つに対してオペレータが異物が分析用
ビームにあたるところに位置するようにマニュアル操作
により半導体ウェハの載置台をX、Y方向に移動して位
置合せをし、その後、分析用ビーム源から分析用ビーム
を出射させて分光分析をする必要があったので、半導体
ウェハ上の全異物について物質が何であるかの分光分析
をするのに相当の人手と時間がかかり、そのため、迅速
なダスト対策を講じることが難しく、また、分光分析に
要する人件費が無視できない程高かった。
ては、異物一つ一つに対してオペレータが異物が分析用
ビームにあたるところに位置するようにマニュアル操作
により半導体ウェハの載置台をX、Y方向に移動して位
置合せをし、その後、分析用ビーム源から分析用ビーム
を出射させて分光分析をする必要があったので、半導体
ウェハ上の全異物について物質が何であるかの分光分析
をするのに相当の人手と時間がかかり、そのため、迅速
なダスト対策を講じることが難しく、また、分光分析に
要する人件費が無視できない程高かった。
【0006】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、ウェハ表面の各異物を迅速に且つ自
動的に分析できるようにすることを目的とする。
されたものであり、ウェハ表面の各異物を迅速に且つ自
動的に分析できるようにすることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明異物分析方法は、
異物の座標情報に基づいて顕微鏡カメラと半導体ウェハ
との相対的位置関係を顕微鏡カメラの視野内に異物が納
まるように自動的に調整し、顕微鏡カメラの出力映像信
号の処理によりその異物の視野内における正確な位置を
自動的に検出し、その位置の検出結果に基づいて半導体
ウェハと分析用ビーム源との位置関係を分析用ビーム源
から出射される分析用ビームが異物にあたるように自動
的に調整し、その後分析用ビーム源からの分析用ビーム
による異物での二次光線を検出して分光分析をすること
を特徴とする。
異物の座標情報に基づいて顕微鏡カメラと半導体ウェハ
との相対的位置関係を顕微鏡カメラの視野内に異物が納
まるように自動的に調整し、顕微鏡カメラの出力映像信
号の処理によりその異物の視野内における正確な位置を
自動的に検出し、その位置の検出結果に基づいて半導体
ウェハと分析用ビーム源との位置関係を分析用ビーム源
から出射される分析用ビームが異物にあたるように自動
的に調整し、その後分析用ビーム源からの分析用ビーム
による異物での二次光線を検出して分光分析をすること
を特徴とする。
【0008】本発明異物分析装置は、半導体ウェハ載置
部と、顕微鏡カメラと、分析用ビーム源と、分光分析部
と、予め検出された半導体基板上の各異物の座標情報を
取り込む座標情報取り込み手段と、上記半導体ウェハ載
置部・上記顕微鏡カメラ及び分析用ビーム源間の相対的
位置関係を変化させる位置合せ機構と、を有することを
特徴とする。
部と、顕微鏡カメラと、分析用ビーム源と、分光分析部
と、予め検出された半導体基板上の各異物の座標情報を
取り込む座標情報取り込み手段と、上記半導体ウェハ載
置部・上記顕微鏡カメラ及び分析用ビーム源間の相対的
位置関係を変化させる位置合せ機構と、を有することを
特徴とする。
【0009】
【作用】本発明異物分析方法によれば、異物の座標に基
づいて異物を顕微鏡カメラの視野内に納まるように粗く
位置合せし、その視野内における異物の正確な位置を顕
微鏡カメラの出力映像信号の処理により検出しその検出
結果に基づいて半導体ウェハ・分析用ビーム源の相対的
位置関係を調整するので、異物の座標情報の精度が低く
ても分析用ビームが異物に正確に照射されるようにする
ことができ、延いては異物の自動的な分光分析が可能と
なり、異物の分光分析の省力化、低コスト化、迅速化を
図ることができる。
づいて異物を顕微鏡カメラの視野内に納まるように粗く
位置合せし、その視野内における異物の正確な位置を顕
微鏡カメラの出力映像信号の処理により検出しその検出
結果に基づいて半導体ウェハ・分析用ビーム源の相対的
位置関係を調整するので、異物の座標情報の精度が低く
ても分析用ビームが異物に正確に照射されるようにする
ことができ、延いては異物の自動的な分光分析が可能と
なり、異物の分光分析の省力化、低コスト化、迅速化を
図ることができる。
【0010】本発明異物分析装置によれば、顕微鏡カメ
ラと、分析用ビーム源と、座標情報取り込み手段と、位
置合せ機構と、制御手段を有するので、座標情報取り込
み手段によって異物の精度の低い座標情報を取り込み、
その座標情報に基づいて制御手段により位置合せ機構を
制御して顕微鏡カメラの視野内に異物が納まるように位
置合せをし、その後、顕微鏡カメラにより視野内におけ
る異物の高精度の座標を検出し、その高精度の座標に基
づいて制御手段により位置合せ機構を制御するので、分
析用ビームが異物に照射されるように正確な位置決めを
自動的に行うことができる。従って、分析用ビームの二
次光線による異物分析を自動的に行うことが可能とな
る。
ラと、分析用ビーム源と、座標情報取り込み手段と、位
置合せ機構と、制御手段を有するので、座標情報取り込
み手段によって異物の精度の低い座標情報を取り込み、
その座標情報に基づいて制御手段により位置合せ機構を
制御して顕微鏡カメラの視野内に異物が納まるように位
置合せをし、その後、顕微鏡カメラにより視野内におけ
る異物の高精度の座標を検出し、その高精度の座標に基
づいて制御手段により位置合せ機構を制御するので、分
析用ビームが異物に照射されるように正確な位置決めを
自動的に行うことができる。従って、分析用ビームの二
次光線による異物分析を自動的に行うことが可能とな
る。
【0011】
【実施例】以下、本発明異物分析方法及び異物分析装置
を図示実施例に従って詳細に説明する。図面は本発明異
物分析装置の一つの実施例の概略構成図である。図面に
おいて、1は表面の異物(ダスト)2、2、…の分光分
析がされる半導体ウェハで、載置台3上に置かれる。該
載置台3は位置合せ機構4によりX方向、Y方向及びθ
方向に移動が可能である。
を図示実施例に従って詳細に説明する。図面は本発明異
物分析装置の一つの実施例の概略構成図である。図面に
おいて、1は表面の異物(ダスト)2、2、…の分光分
析がされる半導体ウェハで、載置台3上に置かれる。該
載置台3は位置合せ機構4によりX方向、Y方向及びθ
方向に移動が可能である。
【0012】5θ、5X、5Yは位置合せのための駆動
モータ、6は該駆動モータ5θ、5X、5Yを制御する
制御回路で、コンピュータ7によってコントロールされ
る。8はフロッピーディスクドライバである。フロッピ
ーディスクドライバ8に半導体ウェハ2上の各異物の座
標情報が記録されたフロッピーディスクがセットされ、
その読み出しが為されると読み出された異物の座標情報
に基づいて制御回路6により位置合せ機構4の制御が行
われるようになっている。
モータ、6は該駆動モータ5θ、5X、5Yを制御する
制御回路で、コンピュータ7によってコントロールされ
る。8はフロッピーディスクドライバである。フロッピ
ーディスクドライバ8に半導体ウェハ2上の各異物の座
標情報が記録されたフロッピーディスクがセットされ、
その読み出しが為されると読み出された異物の座標情報
に基づいて制御回路6により位置合せ機構4の制御が行
われるようになっている。
【0013】9は例えばSEMからなる顕微鏡カメラ
で、半導体ウェハ1の表面の異物2を撮像する。10は
顕微鏡カメラ9の視野で、顕微鏡カメラ9の出力映像信
号を処理することにより異物2のその視野10内におけ
る位置(座標)を検出することができるようになってい
る。11は分析用ビーム源で、例えばX線12を分析用
ビームとして発生する。13はX線12を照射された異
物2からのそのX線12の二次光線14を受光する受光
器、15は受光器13の出力信号を処理して分光分析す
る分析回路で、この出力がコンピュータ7により処理さ
れ分光分析データとなる。尚、顕微鏡カメラ9の光軸と
分析用ビーム11の光軸とは予め設定された位置関係、
例えばX方向に距離Dだけずれているという関係にされ
ている。
で、半導体ウェハ1の表面の異物2を撮像する。10は
顕微鏡カメラ9の視野で、顕微鏡カメラ9の出力映像信
号を処理することにより異物2のその視野10内におけ
る位置(座標)を検出することができるようになってい
る。11は分析用ビーム源で、例えばX線12を分析用
ビームとして発生する。13はX線12を照射された異
物2からのそのX線12の二次光線14を受光する受光
器、15は受光器13の出力信号を処理して分光分析す
る分析回路で、この出力がコンピュータ7により処理さ
れ分光分析データとなる。尚、顕微鏡カメラ9の光軸と
分析用ビーム11の光軸とは予め設定された位置関係、
例えばX方向に距離Dだけずれているという関係にされ
ている。
【0014】図2(A)乃至(C)は半導体ウェハ1表
面の各異物2、2、…をどのように分光分析するかを順
に示すものである。 (A)図1に示す異物分析装置による分析を行う前に、
先ず既存のウェハ表面検査機[例えば鏡面モニターウェ
ハー検査機Surfscan(TEL製)、パターン付
製品ウェハー検査機IS−1000(日立デコ製)ある
いは同じくIS−2000(日立デコ製)]を用いて半
導体ウェハ1表面の各異物2、2、…の座標(位置)を
認識する。そして、各異物の座標情報を所定のフォーマ
ットでフロッピーディスクに記録する。
面の各異物2、2、…をどのように分光分析するかを順
に示すものである。 (A)図1に示す異物分析装置による分析を行う前に、
先ず既存のウェハ表面検査機[例えば鏡面モニターウェ
ハー検査機Surfscan(TEL製)、パターン付
製品ウェハー検査機IS−1000(日立デコ製)ある
いは同じくIS−2000(日立デコ製)]を用いて半
導体ウェハ1表面の各異物2、2、…の座標(位置)を
認識する。そして、各異物の座標情報を所定のフォーマ
ットでフロッピーディスクに記録する。
【0015】(B)次に、その半導体ウェハ1を図1に
示した異物分析装置の半導体ウェハ載置台3上にセット
する。一方、フロッピーディスクドライバ8に上記の各
異物2、2、…の座標情報を記録したフロッピーディス
クをセットし、コンピュータ7に異物のその異物の座標
情報を取り込む。次に、第1番目の異物2の座標情報に
基づいてコンピュータ7が制御回路6へ位置合せのため
のθ方向、X方向及びY方向の各移動量を示す信号を送
る。その結果、半導体ウェハ1上の第1番目の異物2が
顕微鏡カメラ9の視野10内に位置するように位置合せ
機構4が駆動される。尚、ウェハ表面検査機による異物
の座標の検出精度には限界があるので、その座標情報に
基づく位置合せによっては異物2が視野10内の中心0
に来るようには位置合せができない[図2(B−1)参
照]。
示した異物分析装置の半導体ウェハ載置台3上にセット
する。一方、フロッピーディスクドライバ8に上記の各
異物2、2、…の座標情報を記録したフロッピーディス
クをセットし、コンピュータ7に異物のその異物の座標
情報を取り込む。次に、第1番目の異物2の座標情報に
基づいてコンピュータ7が制御回路6へ位置合せのため
のθ方向、X方向及びY方向の各移動量を示す信号を送
る。その結果、半導体ウェハ1上の第1番目の異物2が
顕微鏡カメラ9の視野10内に位置するように位置合せ
機構4が駆動される。尚、ウェハ表面検査機による異物
の座標の検出精度には限界があるので、その座標情報に
基づく位置合せによっては異物2が視野10内の中心0
に来るようには位置合せができない[図2(B−1)参
照]。
【0016】そこで、顕微鏡カメラ(SEM)9によっ
て視野10内の異物2を撮像し、コンピュータ7により
顕微鏡カメラ9の出力映像信号を処理することによりそ
の異物2の視野10内における位置を検出し、更にその
位置と視野10の中心0との位置ずれの方向、量を演算
し、その演算結果に基づいて制御回路6を制御して図2
(B−2)に示すように視野10内の中心0上に当該異
物2が位置するように半導体ウェハ1の位置の微調整、
即ち位置補正を行う。
て視野10内の異物2を撮像し、コンピュータ7により
顕微鏡カメラ9の出力映像信号を処理することによりそ
の異物2の視野10内における位置を検出し、更にその
位置と視野10の中心0との位置ずれの方向、量を演算
し、その演算結果に基づいて制御回路6を制御して図2
(B−2)に示すように視野10内の中心0上に当該異
物2が位置するように半導体ウェハ1の位置の微調整、
即ち位置補正を行う。
【0017】(C)次に、コンピュータ7の支持に基づ
いて位置決め機構4により半導体ウェハ1の位置をX方
向に図1における右へ距離Dだけずらす。すると、半導
体ウェハ1の当該異物2は図2(C)に示すように分析
用ビーム源11の分析用ビーム12が照射されるところ
に位置する。その状態で分析用ビーム源11から分析用
ビーム12を発射する。すると、分析用ビーム12が異
物2にあたり、該異物2から二次光線14が出る。それ
を受光器13が受光し、その出力信号が分析回路15に
入力され、分光分析に供される。そして、分光分析結果
がコンピュータ7によりデータ処理され、図示しないメ
モリに記録される。上記動作により一つの異物2の分光
分析が終了する。以後、順次各異物2毎に上記動作を繰
り返す。
いて位置決め機構4により半導体ウェハ1の位置をX方
向に図1における右へ距離Dだけずらす。すると、半導
体ウェハ1の当該異物2は図2(C)に示すように分析
用ビーム源11の分析用ビーム12が照射されるところ
に位置する。その状態で分析用ビーム源11から分析用
ビーム12を発射する。すると、分析用ビーム12が異
物2にあたり、該異物2から二次光線14が出る。それ
を受光器13が受光し、その出力信号が分析回路15に
入力され、分光分析に供される。そして、分光分析結果
がコンピュータ7によりデータ処理され、図示しないメ
モリに記録される。上記動作により一つの異物2の分光
分析が終了する。以後、順次各異物2毎に上記動作を繰
り返す。
【0018】このような異物分析方法によれば、異物の
座標に基づいて異物を顕微鏡カメラの視野内に納まるよ
うに粗く位置合せをし、その視野内における異物の正確
な位置を顕微鏡カメラの出力映像信号の処理により検出
しその検出結果に基づいて半導体ウェハ・分析用ビーム
源の相対的位置関係を調整するので、異物の座標の検出
精度が低くても分析用ビームが異物に正確に照射される
ようにでき、延いては異物の自動的分光分析が可能であ
る。従って、異物の分光分析の省力化、低コスト化、迅
速化を図ることができる。
座標に基づいて異物を顕微鏡カメラの視野内に納まるよ
うに粗く位置合せをし、その視野内における異物の正確
な位置を顕微鏡カメラの出力映像信号の処理により検出
しその検出結果に基づいて半導体ウェハ・分析用ビーム
源の相対的位置関係を調整するので、異物の座標の検出
精度が低くても分析用ビームが異物に正確に照射される
ようにでき、延いては異物の自動的分光分析が可能であ
る。従って、異物の分光分析の省力化、低コスト化、迅
速化を図ることができる。
【0019】そして、図1に示すような異物分析装置に
よれば、顕微鏡カメラと、分析用ビーム源と、位置合せ
機構と、制御手段を有するので、異物の精度の低い座標
によって制御手段により位置合せ機構により顕微鏡カメ
ラの視野内に異物が納まるように位置合せをし、該顕微
鏡カメラにより視野内における異物の高精度の座標を検
出し、その高精度の座標に基づいて制御手段により位置
合せ機構を制御するので、分析用ビームが異物に照射さ
れるように正確な位置決めを自動的に行うことができ
る。従って、分析用ビームの二次光線による異物分析を
自動的に行うことが可能となる。
よれば、顕微鏡カメラと、分析用ビーム源と、位置合せ
機構と、制御手段を有するので、異物の精度の低い座標
によって制御手段により位置合せ機構により顕微鏡カメ
ラの視野内に異物が納まるように位置合せをし、該顕微
鏡カメラにより視野内における異物の高精度の座標を検
出し、その高精度の座標に基づいて制御手段により位置
合せ機構を制御するので、分析用ビームが異物に照射さ
れるように正確な位置決めを自動的に行うことができ
る。従って、分析用ビームの二次光線による異物分析を
自動的に行うことが可能となる。
【0020】
【発明の効果】本発明異物分析方法は、ウェハ表面検査
機により半導体ウェハ表面の各異物の座標を認識し、且
つその認識した各異物の座標情報を記憶した後におい
て、上記異物の座標情報に基づいて上記半導体ウェハと
顕微鏡カメラとの相対的位置関係を自動的に調整するこ
とにより顕微鏡カメラの視野内に異物が入るようにし、
次に、顕微鏡カメラの視野内における異物の正確な位置
を顕微鏡カメラの映像信号の処理により検出し、その正
確な位置検出結果に基づいて分析用ビーム源と上記異物
との間の位置関係を該分析用ビーム源から発生する分析
用ビームが上記異物に照射されるように自動的に調整
し、上記分析用ビーム源から分析用ビームを照射し、上
記異物から発生する二次光線を検出することにより半導
体ウェハ表面の一つの異物の分光分析をすることを、上
記各異物毎に繰り返すことを特徴とする。従って、本発
明異物分析方法によれば、異物の座標に基づいて異物が
顕微鏡カメラの視野内に納まるように粗く半導体ウェハ
の位置合せをし、その視野内における異物の正確な位置
を顕微鏡カメラの出力映像信号の処理により検出しその
検出結果に基づいて半導体ウェハ・分析用ビーム源の相
対的位置関係を自動的に調整するので、異物の座標の検
出精度が低くても分析用ビームが異物に正確に照射され
るようにでき、延いては異物の自動的な分光分析が可能
となる。従って、異物の分光分析の省力化、低コスト
化、迅速化を図ることができる。
機により半導体ウェハ表面の各異物の座標を認識し、且
つその認識した各異物の座標情報を記憶した後におい
て、上記異物の座標情報に基づいて上記半導体ウェハと
顕微鏡カメラとの相対的位置関係を自動的に調整するこ
とにより顕微鏡カメラの視野内に異物が入るようにし、
次に、顕微鏡カメラの視野内における異物の正確な位置
を顕微鏡カメラの映像信号の処理により検出し、その正
確な位置検出結果に基づいて分析用ビーム源と上記異物
との間の位置関係を該分析用ビーム源から発生する分析
用ビームが上記異物に照射されるように自動的に調整
し、上記分析用ビーム源から分析用ビームを照射し、上
記異物から発生する二次光線を検出することにより半導
体ウェハ表面の一つの異物の分光分析をすることを、上
記各異物毎に繰り返すことを特徴とする。従って、本発
明異物分析方法によれば、異物の座標に基づいて異物が
顕微鏡カメラの視野内に納まるように粗く半導体ウェハ
の位置合せをし、その視野内における異物の正確な位置
を顕微鏡カメラの出力映像信号の処理により検出しその
検出結果に基づいて半導体ウェハ・分析用ビーム源の相
対的位置関係を自動的に調整するので、異物の座標の検
出精度が低くても分析用ビームが異物に正確に照射され
るようにでき、延いては異物の自動的な分光分析が可能
となる。従って、異物の分光分析の省力化、低コスト
化、迅速化を図ることができる。
【0021】本発明異物分析装置は、半導体ウェハを載
置する半導体ウェハ載置部と、該半導体ウェハ載置部上
の半導体ウェハの表面を撮像する顕微鏡カメラと、半導
体ウェハの表面に対して分析用ビームを投射する分析用
ビーム源と、分析用ビームの異物からの二次光線を検出
して異物の分光分析をする分析部と、上記半導体ウェハ
載置部と、上記顕微鏡カメラ及び上記分析用ビーム源と
の位置関係を変化させる位置合せ機構と、上記半導体ウ
ェハ載置部に載置されて異物分析される半導体ウェハ上
の各異物について予め検出された座標情報を取り込む座
標情報取り込み手段と、上記座標情報取り込み手段によ
り取り込まれた異物の座標情報に基づいて所定の関係に
なるように上記位置合せ機構を自動的に制御する制御手
段を少なくとも有することを特徴とする。従って、本発
明異物分析装置によれば、顕微鏡カメラと、分析用ビー
ム源と、座標情報取り込み手段と、位置合せ機構と、制
御手段を有するので、座標情報取り込み手段により各異
物の精度の低い座標を取り込み、その取り込んだ座標情
報に基づいて制御手段により位置合せ機構により顕微鏡
カメラの視野内に異物が納まるように位置合せをし、顕
微鏡カメラにより視野内における異物の高精度の座標を
検出し、その高精度の座標に基づいて制御手段により位
置合せ機構を制御するので、分析用ビームが異物に照射
されるように正確な位置決めを自動的に行うことができ
る。従って、分析用ビームの二次光線による異物分析を
自動的に行うことが可能となる。
置する半導体ウェハ載置部と、該半導体ウェハ載置部上
の半導体ウェハの表面を撮像する顕微鏡カメラと、半導
体ウェハの表面に対して分析用ビームを投射する分析用
ビーム源と、分析用ビームの異物からの二次光線を検出
して異物の分光分析をする分析部と、上記半導体ウェハ
載置部と、上記顕微鏡カメラ及び上記分析用ビーム源と
の位置関係を変化させる位置合せ機構と、上記半導体ウ
ェハ載置部に載置されて異物分析される半導体ウェハ上
の各異物について予め検出された座標情報を取り込む座
標情報取り込み手段と、上記座標情報取り込み手段によ
り取り込まれた異物の座標情報に基づいて所定の関係に
なるように上記位置合せ機構を自動的に制御する制御手
段を少なくとも有することを特徴とする。従って、本発
明異物分析装置によれば、顕微鏡カメラと、分析用ビー
ム源と、座標情報取り込み手段と、位置合せ機構と、制
御手段を有するので、座標情報取り込み手段により各異
物の精度の低い座標を取り込み、その取り込んだ座標情
報に基づいて制御手段により位置合せ機構により顕微鏡
カメラの視野内に異物が納まるように位置合せをし、顕
微鏡カメラにより視野内における異物の高精度の座標を
検出し、その高精度の座標に基づいて制御手段により位
置合せ機構を制御するので、分析用ビームが異物に照射
されるように正確な位置決めを自動的に行うことができ
る。従って、分析用ビームの二次光線による異物分析を
自動的に行うことが可能となる。
【図1】本発明異物分析装置の一つの実施例を示す構成
図である。
図である。
【図2】(A)乃至(C)は本発明異物分析方法の一つ
の実施例を順に示す構成図である。
の実施例を順に示す構成図である。
1 半導体ウェハ 4 位置決め機構 6 制御手段 9 顕微鏡カメラ 10 視野 11 分析用ビーム源 12 分析用ビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−13835(JP,A) 特開 昭62−5547(JP,A) 特開 昭62−173731(JP,A) 特開 昭59−10231(JP,A) 特開 平5−223747(JP,A) 特開 平6−258240(JP,A) 特開 平7−325041(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 21/84 - 21/956 G01B 11/00 - 11/30 H01L 21/66
Claims (2)
- 【請求項1】 ウェハ表面検査機により半導体ウェハ表
面の各異物の座標を認識し、且つその認識した各異物の
座標情報を記憶した後において、 上記 異物の座標情報に基づいて上記半導体ウェハと顕微
鏡カメラとの相対的位置関係を自動的に調整することに
より顕微鏡カメラの視野内に異物が入るようにし、 次に、顕微鏡カメラの視野内における異物の正確な位置
を顕微鏡カメラの映像信号の処理により検出し、 その正確な位置検出結果に基づいて分析用ビーム源と上
記異物との間の位置関係を該分析用ビーム源から発生す
る分析用ビームが上記異物に照射されるように自動的に
調整し、 上記分析用ビーム源から分析用ビームを照射し、上記異
物から発生する二次光線を検出することにより半導体ウ
ェハ表面の一つの異物の分光分析することを、 上記各異物毎に繰り返す ことを特徴とする異物分析方法 - 【請求項2】 半導体ウェハを載置する半導体ウェハ載
置部と、 上記半導体ウェハ載置部上の半導体ウェハの表面を撮像
する顕微鏡カメラと、 半導体ウェハの表面に対して分析用ビームを投射する分
析用ビーム源と、 分析用ビームの異物からの二次光線を検出して異物の分
光分析をする分析部と、 上記半導体ウェハ載置部と、上記顕微鏡カメラ及び上記
分析用ビーム源との位置関係を変化させる位置合せ機構
と、上記半導体ウェハ載置部に載置されて異物分析される半
導体ウェハ上の各異物について予め検出された座標情報
を取り込む座標情報取り込み手段と、 上記座標情報取り込み手段により取り込まれた 異物の座
標情報に基づいて所定の関係になるように上記位置合せ
機構を自動的に制御する制御手段と、 を少なくとも有することを特徴とする異物分析装置
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06101493A JP3257571B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 異物分析方法及び異物分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06101493A JP3257571B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 異物分析方法及び異物分析装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH06249790A JPH06249790A (ja) | 1994-09-09 |
JP3257571B2 true JP3257571B2 (ja) | 2002-02-18 |
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ID=13159055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP06101493A Expired - Fee Related JP3257571B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 異物分析方法及び異物分析装置 |
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US6476388B1 (en) | 1998-10-19 | 2002-11-05 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope having magnification switching control |
JP3904419B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2007-04-11 | 株式会社日立製作所 | 検査装置および検査システム |
JP5369981B2 (ja) * | 2009-08-06 | 2013-12-18 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 欠陥観察装置、欠陥観察方法、及び半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-02-24 JP JP06101493A patent/JP3257571B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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JPH06249790A (ja) | 1994-09-09 |
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