JP3250252B2 - Surface wave device - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ＳＨタイプの表面波を
利用した端面反射型の表面波装置に関し、特に、インタ
ーデジタルトランスデューサの構造が改良された表面波
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an edge reflection type surface acoustic wave device utilizing an SH type surface acoustic wave, and more particularly to a surface acoustic wave device having an improved interdigital transducer structure.

【０００２】[0002]

【従来の技術】変位が表面波伝播方向と垂直な方向の変
位を主体とするＳＨタイプの表面波としては、ＢＧＳ波
やラブ波等が知られている。ＢＧＳ波を利用した端面反
射型の表面波共振子が従来より知られている。図２に平
面図で示すように、ＢＧＳ波を利用した端面反射型の表
面波共振子１は、圧電基板２上に互いに間挿し合う複数
本の電極指３ａ，４ａを有する一対のくし歯電極３，４
からなるインターデジタルトランスデューサを形成した
構造を有する。この表面波共振子１では、励振された表
面波が圧電基板２の対向されている両端面２ａ，２ｂ間
で完全に反射される。上記端面反射型のＢＧＳ波を利用
した表面波共振子１では、レーリー波を利用した表面波
共振子では得られない高周波領域で使用し得る共振子を
提供することができる。2. Description of the Related Art BGS waves, Love waves, and the like are known as SH type surface waves whose displacement mainly consists of displacement in a direction perpendicular to the surface wave propagation direction. 2. Description of the Related Art An end surface reflection type surface wave resonator using a BGS wave has been conventionally known. As shown in the plan view of FIG. 2, an end-face reflection type surface acoustic wave resonator 1 utilizing a BGS wave has a pair of comb-shaped electrodes having a plurality of electrode fingers 3a and 4a interposed on a piezoelectric substrate 2. 3,4
Has a structure in which an interdigital transducer made of In the surface acoustic wave resonator 1, the excited surface wave is completely reflected between the opposite end faces 2 a and 2 b of the piezoelectric substrate 2. In the surface acoustic wave resonator 1 using the BGS wave of the end face reflection type, it is possible to provide a resonator that can be used in a high frequency region that cannot be obtained by a surface acoustic wave resonator using a Rayleigh wave.

【０００３】ところで、上記ＢＧＳ波等のＳＨ波を利用
した表面波共振子としては、ＬｉＮｂＯ₃ 、ＬｉＴａＯ
₃ 及びＰｂ（Ｔｉ_1-x Ｚｒ_x ）Ｏ₃ 等の材料からなる圧
電基板を用いたものが報告されている。これらの圧電基
板材料では、コスト及び電気機械結合係数等を考慮する
と、ＬｉＮｂＯ₃ 及びＬｉＴａＯ₃ に比べてＰｂ（Ｔｉ
_1-x Ｚｒ_x ）Ｏ₃ やチタン酸鉛等の圧電セラミックを用
いることが好ましい。Incidentally, surface acoustic wave resonators utilizing SH waves such as the above BGS waves include LiNbO ₃ and LiTaO.
₃ and a substrate using a piezoelectric substrate made of a material such as Pb (Ti _1-x Zr _x ) O ₃ have been reported. In consideration of cost, electromechanical coupling coefficient, and the like, these piezoelectric substrate materials have higher Pb (Ti) than LiNbO ₃ and LiTaO _3.
It is preferable to use a piezoelectric ceramic such as _1-x Zr _x ) O ₃ or lead titanate.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｐｂ
（Ｔｉ_1-x Ｚｒ_x ）Ｏ₃ 等は比誘電率εが大きいため、
正規型インターデジタルトランスデューサを形成して表
面波装置を構成した場合、現実には使用できない程度に
表面波装置の容量Ｃが大きくなるという問題があり、容
量の低減が求められている。表面波共振子１において容
量を低減するには、インターデジタルトランスデューサ
の交差幅を小さくしたり、あるいは電極指２ａ，３ａの
対数を少なくしたりすることが考えられるが、これらの
方法では容量を低減するにも限度があった。However, Pb
(Ti _1-x Zr _x ) O ₃ has a large relative dielectric constant ε,
When a surface acoustic wave device is formed by forming a regular interdigital transducer, there is a problem that the capacitance C of the surface acoustic wave device becomes so large that it cannot be actually used, and a reduction in the capacitance is required. In order to reduce the capacitance of the surface acoustic wave resonator 1, it is conceivable to reduce the cross width of the interdigital transducer or reduce the logarithm of the electrode fingers 2a and 3a. However, these methods reduce the capacitance. There was a limit to what we could do.

【０００５】他方、インターデジタルトランスデューサ
を構成している一方のくし歯電極を複数のくし歯電極に
分割し、その分割された電極を電気的に直列接続するこ
とによって容量を低減する方法も考えられる。例えば、
一方のくし歯電極を２分割した場合には、表面波装置の
容量は１／４と大きく低減される。しかしながら、単に
一方のくし歯電極を複数のくし歯電極に分割した場合に
は、図３に示すように、インピーダンス−周波数特性上
において、電極指の対数をＮとした場合に、２Ｎ±ｎ
（ｎは偶数）の位置に、高次モードに起因するスプリア
ス振動（図３の矢印Ａで示す波形の乱れ）が生じるとい
う問題があった。On the other hand, a method of reducing the capacitance by dividing one interdigital electrode constituting the interdigital transducer into a plurality of interdigital electrodes and electrically connecting the divided electrodes in series can be considered. . For example,
When one of the comb electrodes is divided into two, the capacity of the surface acoustic wave device is greatly reduced to 1/4. However, when one comb electrode is simply divided into a plurality of comb electrodes, as shown in FIG. 3, when the number of electrode fingers is N on the impedance-frequency characteristic, 2N ± n
There is a problem that spurious vibration (waveform disturbance indicated by arrow A in FIG. 3) due to the higher-order mode occurs at the position (n is an even number).

【０００６】よって、本発明の目的は、インターデジタ
ルトランスデューサの一方のくし歯電極を複数に分割し
て容量を低減した構造を有するＳＨタイプの表面波を利
用した表面波装置において、高次モードに起因するスプ
リアス振動を効果的に抑圧し得る構成を備えた表面波装
置を提供することにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a high-order mode in a surface acoustic wave device using an SH type surface acoustic wave having a structure in which one interdigital electrode of an interdigital transducer is divided into a plurality of parts to reduce the capacitance. An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device having a configuration capable of effectively suppressing spurious vibration caused by the spurious vibration.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】本願の請求項１〜４に記
載の各発明は、ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射
型の表面波装置であって、圧電基板と、前記圧電基板上
に形成されており、互いに間挿し合う複数の電極指を有
する一対のくし歯電極よりなるインターデジタルトラン
スデューサとを備える。そして、請求項１に記載の発明
では、表面波伝播方向において、零震源を中心として、
その両側に震源数ａの複数の震源が配置されるように、
前記インターデジタルトランスデューサの一方のくし歯
電極が、互いに接続されていない第１，第２のくし歯電
極に分割されており、かつインターデジタルトランスデ
ューサの電極指の対数Ｎが８．５以上、４５以下の範囲
とされている。Each of the inventions according to claims 1 to 4 of the present application is an edge-reflection type surface acoustic wave device utilizing an SH type surface acoustic wave, comprising: a piezoelectric substrate; And an interdigital transducer composed of a pair of comb-shaped electrodes having a plurality of electrode fingers interposed between each other. According to the first aspect of the present invention, in the surface wave propagation direction, the
In order to arrange multiple epicenters with epicenter number a on each side,
One interdigital electrode of the interdigital transducer is divided into first and second interdigital electrodes that are not connected to each other, and the number N of electrode fingers of the interdigital transducer is 8.5 or more and 45 or less. The range is.

【０００８】また、請求項２に記載の発明では、表面波
伝播方向において、残りの震源の２倍の電圧が印加され
る震源＊を中心として、その両側に震源数ａの複数の震
源が配置されるように、前記インターデジタルトランス
デューサの一方のくし歯電極が、互いに接続されていな
い第１，第２のくし歯電極に分割されており、かつイン
ターデジタルトランスデューサの電極指の対数Ｎが７．
５以上、４５以下の範囲にある。According to the second aspect of the present invention, in the surface wave propagation direction, a plurality of hypocenters having the number of hypocenters a are arranged on both sides around a hypocenter * to which a voltage twice as large as the remaining hypocenter is applied. As a result, one interdigital electrode of the interdigital transducer is divided into first and second interdigital electrodes that are not connected to each other, and the logarithm N of the electrode fingers of the interdigital transducer is 7.
It is in the range of 5 or more and 45 or less.

【０００９】請求項３に記載の発明では、表面波伝播方
向において、震源数ｂの複数の震源を中心として、その
両側に零震源を挟んで震源数ｂの震源が配置されるよう
に、前記インターデジタルトランスデューサの一方のく
し歯電極が互いに接続されていない第１〜第３のくし歯
電極に分割されており、かつ前記インターデジタルトラ
ンスデューサの電極指の対数Ｎが７．０以上、６０以下
の範囲とされている。According to the third aspect of the present invention, in the surface wave propagation direction, the plurality of hypocenters are located at the center of the plurality of hypocenters, and the hypocenters of the epicenter number b are arranged on both sides of the hypocenters. One interdigital electrode of the interdigital transducer is divided into first to third interdigital electrodes that are not connected to each other, and the number N of electrode fingers of the interdigital transducer is not less than 7.0 and not more than 60. Range.

【００１０】さらに、請求項４に記載の発明では、表面
波伝播方向において、震源数ｂの複数の震源を中心とし
て、その両側に震源数ｂの各震源の２倍の電圧が印加さ
れる震源＊を挟んで震源数ｂの震源が配置されるよう
に、前記インターデジタルトランスデューサの一方のく
し歯電極が互いに接続されていない第１〜第３のくし歯
電極を有するように３分割されており、かつインターデ
ジタルトランスデューサの電極指の対数Ｎが７．０以
上、６０以下とされている。Further, in the invention according to the fourth aspect, in the direction of propagation of the surface wave, a plurality of epicenters having a number of epicenters b is centered, and a voltage twice as large as each epicenter of the number of epicenters b is applied to both sides thereof. One interdigital transducer of the interdigital transducer is divided into three so as to have first to third interdigital electrodes that are not connected to each other so that epicenters having the epicenter number b are arranged with the * interposed therebetween. In addition, the logarithm N of the electrode fingers of the interdigital transducer is not less than 7.0 and not more than 60.

【００１１】[0011]

【作用及び発明の効果】本願発明者らは、上記ＳＨタイ
プの表面波を利用した表面波装置であって、インターデ
ジタルトランスデューサを構成しているくし歯電極のう
ちの一方のくし歯電極を複数個のくし歯電極に分割して
なる構造において、高次モードに起因するスプリアス振
動を抑圧すべく検討した結果、くし歯電極の分割方法を
工夫し、かつ該分割方法に応じて電極指の対数を特定の
範囲に選択すれば、上記課題を達成し得ることを見出し
た。すなわち、後述の実施例から明らかなように、請求
項１に記載の発明では、一方のくし歯電極が２分割され
ており、零震源を挟んでその両側に等しい数の震源を配
置した構造とされており、その場合には、インターデジ
タルトランスデューサの電極指の対数Ｎを８．５以上、
４５以下とすることにより、高次モードに起因するスプ
リアス振動を２４ｄＢ以上抑圧することが可能とされて
いる。The present inventors provide a surface acoustic wave device utilizing the above-mentioned SH type surface acoustic wave, wherein one of a plurality of interdigital electrodes constituting an interdigital transducer is provided. In the structure divided into individual comb electrodes, as a result of studying to suppress spurious vibrations caused by higher-order modes, the method of dividing the comb electrodes was devised, and the logarithm of the electrode fingers was determined according to the division method. It has been found that the above-mentioned problem can be achieved by selecting a specific range. That is, as will be apparent from the embodiment described later, the invention according to claim 1 has a structure in which one comb electrode is divided into two, and an equal number of hypocenters are arranged on both sides of the zero hypocenter. In this case, the logarithm N of the electrode fingers of the interdigital transducer is 8.5 or more,
By setting it to 45 or less, it is possible to suppress spurious vibration caused by the higher-order mode by 24 dB or more.

【００１２】また、請求項２に記載の発明のように、一
方のくし歯電極を２分割し、残りの震源の２倍の電圧が
印加される震源＊を中心としてその両側に震源数ａの震
源を配置した構造では、インターデジタルトランスデュ
ーサの電極指の対数Ｎを７．５以上、４５以下とするこ
とにより高次モードに起因するスプリアス振動を２４ｄ
Ｂ以上抑圧することができる。Further, as in the second aspect of the present invention, one of the interdigital electrodes is divided into two parts, and the number of hypocenters a is located on both sides around a hypocenter * to which a voltage twice as large as the remaining hypocenter is applied. In the structure in which the epicenter is arranged, by setting the logarithm N of the electrode fingers of the interdigital transducer to be not less than 7.5 and not more than 45, the spurious vibration caused by the higher mode is reduced by 24d.
B or more can be suppressed.

【００１３】さらに、請求項３に記載の発明のように、
一方のくし歯電極を３分割した構造において、震源の配
置を表面波伝播方向に沿って、震源数ｂの震源−零震源
−震源数ｂの震源−零震源−震源数ｂの複数の震源とし
た場合には、インターデジタルトランスデューサの電極
指の対数を７．０以上、６０以下とすることにより高次
モードに起因するスプリアス振動を２４ｄＢ以上抑圧す
ることが可能となる。Further, as in the invention according to claim 3,
In a structure in which one of the interdigital electrodes is divided into three, the arrangement of the epicenters is arranged along the direction of surface wave propagation, with a source having a source number b, a zero source, a source having a source number b, a zero source, and a plurality of sources having a source number b. In this case, by setting the number of pairs of electrode fingers of the interdigital transducer to be 7.0 or more and 60 or less, it becomes possible to suppress spurious vibration caused by the higher-order mode by 24 dB or more.

【００１４】請求項４に記載の発明のように、一方のく
し歯電極を３分割してなる構造において、震源の配置を
表面波伝播方向に沿って、震源数ｂの複数の震源−震源
数ｂの各震源の２倍の電圧が印加される震源＊−震源数
ｂの複数の震源−震源＊−震源数ｂの複数の震源とした
場合には、インターデジタルトランスデューサの電極指
の対数を７．０以上、６０以下とすれば、高次モードに
起因するスプリアス振動を２４ｄＢ以上抑圧し得ること
ができる。According to the fourth aspect of the present invention, in the structure in which one of the comb electrodes is divided into three, the arrangement of the epicenters is determined along the propagation direction of the surface wave by a plurality of epicenters-b In the case where there are hypocenters to which a voltage twice as large as each epicenter b is applied * -a plurality of epicenters of epicenter number b- epicenters * -a plurality of epicenters of epicenter number b, the logarithm of the electrode finger of the interdigital transducer is 7 If it is set to be equal to or more than 0.0 and equal to or less than 60, spurious vibration caused by the higher-order mode can be suppressed by 24 dB or more.

【００１５】すなわち、請求項１〜４に記載の発明によ
れば、インターデジタルトランスデューサを構成する一
方のくし歯電極を２分割あるいは３分割した構成におい
て、上記震源の配置に応じて電極指の対数Ｎを上記特定
の範囲に選択すれば、高次モードに起因するスプリアス
振動を２４ｄＢ以上抑圧することができ、しかもインタ
ーデジタルトランスデューサの一方のくし歯電極が上記
のような複数のくし歯電極に分割されているため表面波
装置の容量も効果的に低減される。よって、電気機械結
合係数やコストの点で有利なチタン酸ジルコン酸鉛系セ
ラミックス等の圧電セラミックを用いて高周波帯で使用
し得る表面波装置を提供することが可能となる。That is, according to the first to fourth aspects of the present invention, in a configuration in which one of the interdigital transducers constituting the interdigital transducer is divided into two or three, the number of pairs of electrode fingers depends on the arrangement of the epicenter. If N is selected in the above specific range, spurious vibrations caused by higher-order modes can be suppressed by 24 dB or more, and one interdigital electrode of the interdigital transducer is divided into a plurality of interdigital electrodes as described above. Therefore, the capacity of the surface acoustic wave device is also effectively reduced. Therefore, it is possible to provide a surface acoustic wave device that can be used in a high frequency band by using a piezoelectric ceramic such as a lead zirconate titanate-based ceramic which is advantageous in terms of an electromechanical coupling coefficient and cost.

【００１６】[0016]

【実施例の説明】図１（ａ）及び（ｂ）は、請求項１に
記載の発明にかかる表面波装置の一実施例を示す平面図
及び断面図である。表面波装置１１は、矩形の圧電基板
１２上にくし歯電極１３〜１５を形成した構造を有す
る。くし歯電極１３は、複数本の電極指１３ａを有し、
圧電基板１２の端面１２ａから１２ｂに到る領域に形成
されている。他方、くし歯電極１４，１５は、本発明の
第１，第２のくし歯電極に相当し、それぞれ、くし歯電
極１３の電極指１３ａと間挿し合う複数本の電極指１４
ａ，１５ａを有する。くし歯電極１３〜１５の各電極指
１３ａ〜１５ａは、表面波の波長をλとしたときに、く
し歯電極１３の両端の電極指がλ／８の幅とされている
ことを除いては、残りの電極指の幅は全てλ／４とされ
ており、かつ複数本の電極指間の間の間隙の幅もλ／４
とされている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIGS. 1 (a) and 1 (b) are a plan view and a sectional view showing an embodiment of the surface acoustic wave device according to the first aspect of the present invention. The surface acoustic wave device 11 has a structure in which comb electrodes 13 to 15 are formed on a rectangular piezoelectric substrate 12. Comb electrode 13 has a plurality of electrode fingers 13a,
The piezoelectric substrate 12 is formed in a region from the end faces 12a to 12b. On the other hand, the comb electrodes 14 and 15 correspond to the first and second comb electrodes of the present invention, and the plurality of electrode fingers 14 interposed with the electrode fingers 13a of the comb electrode 13 respectively.
a and 15a. Each of the electrode fingers 13a to 15a of the comb electrodes 13 to 15 has a width of λ / 8 at both ends of the comb electrode 13 when the wavelength of the surface wave is λ. The width of the remaining electrode fingers is all λ / 4, and the width of the gap between the plurality of electrode fingers is also λ / 4.
It has been.

【００１７】第１の実施例の表面波装置１１では、図示
のように、一方のくし歯電極１３の中央に配置された２
本の電極指１３ａ₁ ，１３ａ₂ が隣接配置されているた
め、図４に示すように、くし歯電極１３を仮想的に接地
電位とし、くし歯電極１４，１５間に交流電圧を印加し
た場合、励起される表面波の震源の配置は、次の通りと
なる。すなわち、くし歯電極１４，１５の電極指の合計
をｎ₁ 本としたとき（電極１４，１５が左右対称のため
ｎ₁ は偶数になる）、表面波伝播方向に沿って、（ｎ₁
／２−１の数の震源）−（零震源）−（ｎ₁ ／２−１の
数の震源）が配置されることになる。すなわち、上記く
し歯電極１４，１５が構成されている部分における震源
数（ｎ₁ ／２−１）をａとしたとき、表面波伝播方向に
沿って（ａの数の震源）−（零震源）−（ａの数の震
源）が配置されることになる。In the surface acoustic wave device 11 of the first embodiment, as shown in FIG.
Since the electrode fingers 13a ₁ and 13a ₂ are arranged adjacent to each other, as shown in FIG. 4, the comb electrode 13 is virtually set to the ground potential and an AC voltage is applied between the comb electrodes 14 and 15. The arrangement of the epicenter of the excited surface wave is as follows. That is, when the total number of electrode fingers of the comb electrodes 14 and 15 is n ₁ (n ₁ is an even number because the electrodes 14 and 15 are symmetrical), along the surface wave propagation direction, (n ₁
/ 2-1 Number of epicenter) - it becomes (number of source of n ₁ / 2-1) that is disposed - (zero epicenter). That is, when the number of hypocenters (n ₁ / 2-1) in the portion where the comb electrodes 14 and 15 are formed is a, along the propagation direction of the surface wave, (the number of hypocenters) − (zero hypocenter) )-(The number of epicenters of a) will be arranged.

【００１８】第１の実施例では、上記のように複数の震
源が配置された構造の表面波装置１１において、インタ
ーデジタルトランスデューサの電極指の対数Ｎが８．５
以上、４５以下の範囲に選択され、それによって前述し
たように高次モードに起因するスプリアス振動が抑制さ
れる。これを、図５〜図７を参照して説明する。図１に
示した表面波装置１１において、インターデジタルトラ
ンスデューサの電極指の対数Ｎ＝４．５とした場合の減
衰量−周波数曲線を図５に、Ｎ＝１５．５とした場合の
減衰量−周波数曲線を図６に示す。In the first embodiment, in the surface acoustic wave device 11 having a structure in which a plurality of hypocenters are arranged as described above, the logarithm N of the electrode fingers of the interdigital transducer is 8.5.
As described above, the range of 45 or less is selected, whereby the spurious vibration caused by the higher-order mode is suppressed as described above. This will be described with reference to FIGS. In the surface acoustic wave device 11 shown in FIG. 1, the attenuation curve when the logarithm N of the electrode fingers of the interdigital transducer is N = 4.5 is shown in FIG. 5, and the attenuation curve when N = 15.5 is shown in FIG. The frequency curve is shown in FIG.

【００１９】図５から明らかなように、電極指の対数＝
４．５の場合には、圧電基板１２の長さで決まる２Ｎ±
ｎ（ｎは偶数）の高次モードの周波数位置に、減衰極が
一致していない。例えば、図５の２Ｎ−２の周波数位置
から上方に延ばした仮想直線と減衰量−周波数曲線との
交点Ｂよりも減衰極が高周波数領域側に位置しているこ
とがわかる。言い換えれば、２Ｎ−２の高次モードにお
いて減衰量が２０ｄＢ以下と小さいため、該２Ｎ−２モ
ードの共振がスプリアス振動として現れることがわか
る。同様に、２±ｎの他の高次モードにおいても点
Ｂ₁ ，Ｂ₂ ，Ｂ₃ ，Ｂ ₄ ，Ｂ₅ が、減衰極とずれた周波
数位置に位置しており、従って、減衰量が２０ｄＢ以下
と小さいことがわかる。As is clear from FIG. 5, the logarithm of the electrode finger =
In the case of 4.5, 2N ± determined by the length of the piezoelectric substrate 12
n (where n is an even number) higher-order mode frequency positions
Do not match. For example, the frequency position of 2N-2 in FIG.
Between the virtual straight line and the attenuation-frequency curve
The attenuation pole must be located on the high frequency region side
I understand. In other words, the 2N-2 higher mode
And the amount of attenuation is as small as 20 dB or less.
You can see that the mode resonance appears as spurious vibration
You. Similarly, in other higher order modes of 2 ± n,
B₁, B_Two, B_Three, B _Four, B_FiveIs shifted from the attenuation pole
Located at several positions, so the attenuation is less than 20 dB
It turns out that it is small.

【００２０】これに対して、図６から明らかなように、
電極指の対数Ｎ＝１５．５の場合には、２Ｎ−２の周波
数位置から上方に延ばした仮想直線と減衰量−周波数曲
線とが交差する点Ｃが減衰極のほぼ近傍に位置されてい
る。従って、２Ｎ−２の周波数位置における減衰量が２
９ｄＢ以上と大きいことがわかる。同様に、他の高次モ
ードの周波数位置においても、点Ｃ₁ 〜Ｃ₅ から明らか
なように減衰量が２９ｄＢ以上と大きいことがわかる。
上記のように、表面波の高次モードに起因するスプリア
ス振動は、インターデジタルトランスデューサの電極指
の対数Ｎを変化させることにより抑圧し得ることがわか
る。そこで、本願発明者らは、電極指の対数Ｎを４．５
から１５．５の範囲で変化させ、２Ｎ±２、２Ｎ±４及
び２Ｎ±６の高次モードの共振点の周波数位置における
減衰量を測定した。結果を、表１及び図７に示す。On the other hand, as is apparent from FIG.
When the logarithm N of the electrode fingers is 15.5, the point C where the virtual straight line extending upward from the frequency position of 2N-2 and the attenuation-frequency curve intersects is located almost near the attenuation pole. . Therefore, the amount of attenuation at the frequency position 2N-2 is 2
It turns out that it is as large as 9 dB or more. Similarly, at other frequency positions of higher-order modes, the attenuation is as large as 29 dB or more, as is apparent from the points C _{1 to} C ₅ .
As described above, it is understood that spurious vibration caused by a higher-order mode of the surface wave can be suppressed by changing the logarithm N of the electrode fingers of the interdigital transducer. Therefore, the present inventors set the logarithm N of the electrode fingers to 4.5.
From 15.5, and the attenuation at the frequency position of the resonance point of the higher-order mode of 2N ± 2, 2N ± 4 and 2N ± 6 was measured. The results are shown in Table 1 and FIG.

【００２１】[0021]

【表１】 [Table 1]

【００２２】表１及び図７から明らかなように、震源数
ａ−零震源−震源数ａの配置を有する２分割型のインタ
ーデジタルトランスデューサを有する表面波装置では、
電極指の対数Ｎが７．５から８．５に変わると、もっと
も大きなスプリアス振動を発生する２Ｎ±２の周波数位
置における減衰量が大きくなり、２５ｄＢを超えること
がわかった。従って、請求項１に記載の発明では、電極
指の対数Ｎは８．５以上とすることが必要であることが
わかる。As is clear from Table 1 and FIG. 7, in the surface acoustic wave device having the two-divided interdigital transducer having the arrangement of source number a-zero source-source number a,
It was found that when the logarithm N of the electrode fingers changed from 7.5 to 8.5, the attenuation at the frequency position of 2N ± 2 at which the largest spurious vibration was generated increased, and exceeded 25 dB. Therefore, according to the first aspect of the present invention, it is understood that the logarithm N of the electrode fingers needs to be 8.5 or more.

【００２３】なお、電極指の対数Ｎが大きくなればなる
程高次モードに起因するスプリアス振動を抑圧し得る
が、Ｎ＝４５を超えると容量が増加し、２分割型のくし
歯電極を有するインターデジタルトランスデューサを構
成した場合の容量低減効果が失われてしまう。従って、
請求項１に記載の発明では、電極指の対数Ｎを８．５〜
４５の範囲で選ぶことが必要であり、それによって容量
の低減を図りつつ、高次モードに起因するスプリアス振
動を効果的に抑制することができる。It should be noted that as the logarithm N of the electrode fingers increases, the spurious vibration caused by the higher-order mode can be suppressed. However, when N exceeds 45, the capacity increases and a two-part comb-shaped electrode is provided. The capacity reduction effect when the interdigital transducer is configured is lost. Therefore,
According to the first aspect of the present invention, the logarithm N of the electrode fingers is set to 8.5 to 8.5.
It is necessary to select within the range of 45, whereby spurious vibration caused by the higher-order mode can be effectively suppressed while reducing the capacity.

【００２４】第２の実施例 図８は、請求項２に記載の発明にかかる実施例の表面波
装置を示す平面図である。表面波装置２１は、矩形の圧
電基板２２上にくし歯電極２３，２４，２５を形成した
構造を有する。くし歯電極２３の複数本の電極指２３ａ
と、くし歯電極２３と間挿し合うくし歯電極を２分割し
てなる第１，第２のくし歯電極２４，２５の複数本の電
極指２４ａ，２５ａは交互に間挿し合うように配置され
ている。そして、第２の実施例では、くし歯電極２４の
電極指２４ａのうちくし歯電極２５側の端部に配置され
た電極指２４ａ₁ と、くし歯電極２５のくし歯電極２４
側の端部に位置された電極指２５ａ₁ とが４／λの間隙
を隔てて隣接配置されている。 Second Embodiment FIG. 8 is a plan view showing a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention. The surface acoustic wave device 21 has a structure in which comb electrodes 23, 24, and 25 are formed on a rectangular piezoelectric substrate 22. A plurality of electrode fingers 23a of the comb electrode 23
The plurality of electrode fingers 24a and 25a of the first and second comb electrodes 24 and 25 obtained by dividing the comb electrode interposed with the comb electrode 23 into two parts are arranged so as to be interleaved alternately. ing. Then, in the second embodiment, the electrode fingers 24a ₁ located at the end of the comb electrode 25 side of the electrode fingers 24a of the comb-shaped electrodes 24, comb-shaped electrodes of the comb electrode 25 24
And the electrode fingers 25a ₁ which is located at the end of the side is at a clearance of 4 / lambda are adjacently disposed.

【００２５】従って、第２の実施例の表面波装置２１で
は、くし歯電極２３と、第１，第２のくし歯電極２４，
２５とで構成される震源の数をそれぞれａとしたとき、
表面波伝播方向に沿って、ａの数の震源−電極指２４ａ
₁ と電極指２５ａ₁ とで構成される震源＊−ａの数の震
源が配置されることになる。震源＊は、電極指２４ａ ₁
と電極指２５ａ₁ とにより構成されるものであるため、
くし歯電極２４，２５間に異なる極性の電圧を印加した
場合、残りの震源に比べて２倍の電圧が印加される震源
となる。第２の実施例の表面波装置２１において、イン
ターデジタルトランスデューサの全電極指の対数Ｎを、
第１の実施例の場合と同様に、４．５〜１５．５の範囲
で変化させ、スプリアスが発生する周波数位置である２
Ｎ±ｎ（ｎは偶数）の高次モードの共振点における減衰
量を測定した。結果を表２及び図９に示す。Accordingly, in the surface acoustic wave device 21 of the second embodiment,
Are comb electrodes 23, first and second comb electrodes 24,
Assuming that the number of epicenters composed of 25 and a is each a,
A number of source-electrode fingers 24a along the surface wave propagation direction
₁And electrode finger 25a₁Earthquakes of epicenter number * -a composed of
The source will be located. The epicenter * is the electrode finger 24a ₁
And electrode finger 25a₁And is composed of
Voltages of different polarities were applied between the comb electrodes 24 and 25
In the case, the source is applied twice the voltage compared to the rest
Becomes In the surface acoustic wave device 21 of the second embodiment,
The logarithm N of all electrode fingers of the
As in the case of the first embodiment, the range is 4.5 to 15.5.
And the frequency position at which spurs occur is 2
Attenuation at resonance point of higher order mode of N ± n (n is an even number)
The amount was measured. The results are shown in Table 2 and FIG.

【００２６】[0026]

【表２】 [Table 2]

【００２７】表２及び図９から明らかなように、第２の
実施例の表面波装置２１では、電極指の対数Ｎ＝７．５
以上で減衰量が急激に増大し、２Ｎ±２，２Ｎ±４にお
いて２５ｄＢを超えることがわかる。従って、表面波伝
播方向に沿って震源数ａの震源−震源＊−震源数ａの震
源が配置された表面波装置２１では、電極指の対数Ｎを
７．５以上とすることが必要である。他方、第１の実施
例の場合と同様に、電極指の対数が４５を超えると表面
波装置２１の容量が増大し、分割タイプのくし歯電極を
形成した容量低減効果が損なわれる。よって、請求項２
に記載の発明では、電極指の対数Ｎは７．５〜４５の範
囲とすることが必要である。As is clear from Table 2 and FIG. 9, in the surface acoustic wave device 21 of the second embodiment, the logarithm N of the electrode fingers is N = 7.5.
From the above, it can be seen that the attenuation amount sharply increases and exceeds 25 dB at 2N ± 2, 2N ± 4. Therefore, in the surface acoustic wave device 21 in which the epicenter of the epicenter number a is located along the epicenter of the epicenter number a along the propagation direction of the surface wave, the logarithm N of the electrode fingers needs to be 7.5 or more. . On the other hand, as in the case of the first embodiment, when the number of pairs of electrode fingers exceeds 45, the capacity of the surface acoustic wave device 21 increases, and the capacity reduction effect of forming the split type comb electrode is impaired. Therefore, claim 2
In the invention described in (1), the logarithm N of the electrode fingers needs to be in the range of 7.5 to 45.

【００２８】第３の実施例 図１０は、請求項３に記載の発明にかかる実施例の表面
波装置３１におけるインターデジタルトランスデューサ
の構造を説明するための模式的平面図である。本実施例
の表面波装置３１では、図示しない矩形の圧電基板上
に、くし歯電極３３〜３６が形成されてインターデジタ
ルトランスデューサが構成されている。くし歯電極３３
の複数本の電極指３３ａは、第１〜第３のくし歯電極３
４〜３６の複数本の電極指３４ａ，３５ａ，３６ａと間
挿し合うように配置されている。また、くし歯電極３３
の両端の電極指３３ａ₁ ，３３ａ₂ は、それぞれ、表面
波の波長をλとしたときに８／λの幅とされており、残
りの全電極指は４／λの幅とされている。また、全ての
電極指間の間隙の幅は４／λとされている。さらに、端
面反射型の表面波装置であるため、両端の電極指３３ａ
₁ ，３３ａ₂ は圧電基板の端縁に沿うように形成されて
いる。 Third Embodiment FIG. 10 is a schematic plan view for explaining the structure of an interdigital transducer in a surface acoustic wave device 31 according to a third embodiment of the present invention. In the surface acoustic wave device 31 of this embodiment, interdigital transducers are formed by forming comb electrodes 33 to 36 on a rectangular piezoelectric substrate (not shown). Comb electrode 33
Of the plurality of electrode fingers 33a are the first to third comb-shaped electrodes 3
The electrode fingers 34a, 35a, and 36a are disposed so as to be interposed with each other. In addition, the comb electrode 33
Each of the electrode fingers 33a ₁ and 33a ₂ at both ends has a width of 8 / λ when the wavelength of the surface wave is λ, and the remaining electrode fingers have a width of 4 / λ. The width of the gap between all the electrode fingers is set to 4 / λ. Further, since the surface wave device is of the end-face reflection type, the electrode fingers 33a at both ends are used.
_1, 33a ₂ is formed along the edge of the piezoelectric substrate.

【００２９】第３の実施例では、第１〜第３のくし歯電
極３４〜３６とくし歯電極３３とで構成される震源の数
が、それぞれ、等しくされており、この震源数をｂとす
る。また、くし歯電極３３と第１のくし歯電極３４とで
構成される震源と、くし歯電極３３と第２のくし歯電極
３５とで構成される震源との間には電極指３３ａ₃ 及び
３３ａ₄ とで構成される零震源が配置されている。同様
に、くし歯電極３５，３６間にも電極指３３ａ₅ ，３３
ａ₆ で構成される零震源が配置されている。よって、表
面波伝播方向に沿って、ｂの震源数の震源−零震源−ｂ
の震源数の震源−零震源−ｂの震源数の震源が配置され
ることになる。表面波装置３１においても、上記のよう
にくし歯電極３３と間挿し合う他方のくし歯電極が、第
１〜第３のくし歯電極３４〜３６に分割されているた
め、表面波装置の容量が効果的に低減される。そして、
上記表面波装置３１において、電極指の対数Ｎを４から
１１．５の範囲で変化させて２Ｎ±ｎ（ｎは偶数）の高
次モードの共振点の周波数位置における減衰量を測定し
た。結果を表３及び図１１に示す。In the third embodiment, the numbers of hypocenters constituted by the first to third comb-shaped electrodes 34 to 36 and the comb-shaped electrode 33 are made equal, and the number of hypocenters is assumed to be b. . Moreover, 33a ₃ and the electrode fingers between the epicenter constituted by the comb electrodes 33 and Source constituted by a first comb electrode 34, the comb electrode 33 and the second comb-shaped electrodes 35 zero epicenter is arranged constituted by the 33a _4. Similarly, electrode fingers 33a between comb electrodes 35 and 36 _5, 33
zero Source constituted by a ₆ is arranged. Therefore, along the direction of propagation of the surface wave, the hypocenter-zero hypocenter-b
The epicenters of the number of epicenters-zero epicenter-b epicenters will be arranged. Also in the surface acoustic wave device 31, since the other comb-shaped electrode interposed between the comb-shaped electrodes 33 as described above is divided into the first to third comb-shaped electrodes 34 to 36, the capacitance of the surface acoustic wave device is increased. Is effectively reduced. And
In the surface acoustic wave device 31, the attenuation N at the frequency position of the resonance point of the higher-order mode of 2N ± n (n is an even number) was measured while changing the logarithm N of the electrode fingers in the range of 4 to 11.5. The results are shown in Table 3 and FIG.

【００３０】[0030]

【表３】 [Table 3]

【００３１】表３及び図１１から明らかなように、電極
指の対数Ｎを７.0以上とすることにより、もっとも大き
なスプリアス振動である２Ｎ±２の周波数位置に現れる
スプリアス振動を２４ｄＢ以上抑圧し得ることがわか
る。従って、第３の実施例では、電極指の対数Ｎを７.0
以上とすることが必要である。他方、表面波装置３１に
おいて電極指の対数Ｎが６０を超えると容量が大きくな
り、３分割型のくし歯電極を用いた容量低減効果が損な
われる。従って、請求項３に記載の発明では、電極指の
対数Ｎを７.0〜６０の範囲とすることが必要である。As is clear from Table 3 and FIG. 11, by setting the logarithm N of the electrode fingers to 7.0 or more, the largest spurious vibration, that is, the spurious vibration appearing at the frequency position of 2N ± 2, is suppressed by 24 dB or more. It turns out that it gets. Therefore, in the third embodiment, the logarithm N of the electrode fingers is set to 7.0.
It is necessary to do the above. On the other hand, when the number N of electrode fingers exceeds 60 in the surface acoustic wave device 31, the capacitance increases, and the capacitance reduction effect using the three-part comb-shaped electrode is impaired. Therefore, in the invention described in claim 3, it is necessary to set the logarithm N of the electrode fingers in the range of 7.0 to 60.

【００３２】第４の実施例 図１２は、請求項４に記載の発明にかかる実施例の表面
波装置４１のインターデジタルトランスデューサの構造
を示す模式的平面図である。図示しない矩形の圧電基板
上に、くし歯電極４３及び第１〜第３のくし歯電極４４
〜４６が形成されている。くし歯電極４３の複数本の電
極指４３ａは、くし歯電極４４〜４６のそれぞれの複数
本の電極指４４ａ〜４６ａと互いに間挿し合うように配
置されている。第４の実施例の表面波装置４１では、第
１のくし歯電極４４の内側端の電極指４４ａ₁ と、第２
のくし歯電極４５の第１のくし歯電極４４側の端部の電
極指４５ａ₁ とが４／λの間隙を隔てて隣接配置されて
いる。同様に、第２のくし歯電極４５の第３のくし歯電
極４６側の端部に配置された電極指４５ａ₂ と、第３の
くし歯電極４６の内側端の電極指４６ａ₁ とが４／λの
幅の間隙を隔てて配置されている。 Fourth Embodiment FIG. 12 is a schematic plan view showing the structure of an interdigital transducer of a surface acoustic wave device 41 according to a fourth embodiment of the present invention. A comb-shaped electrode 43 and first to third comb-shaped electrodes 44 are formed on a rectangular piezoelectric substrate (not shown).
To 46 are formed. The plurality of electrode fingers 43a of the comb electrode 43 are arranged so as to be interposed with the plurality of electrode fingers 44a to 46a of the comb electrodes 44 to 46, respectively. In the surface acoustic wave device 41 of the fourth embodiment, the electrode fingers 44a ₁ of the inner end of the first comb electrode 44, the second
It is adjacently disposed first electrode finger 45a _one end of the comb electrode 44 side of the comb electrode 45 at a gap of 4 / lambda. Similarly, the third comb electrodes 46 side electrode fingers 45a ₂ located at the end of the second comb electrode 45, and the electrode fingers 46a ₁ of the inner end of the third comb electrodes 46 4 They are arranged with a gap having a width of / λ.

【００３３】よって、電極指４４ａ₁ ，４５ａ₁ 間及び
電極指４５ａ₂ ，４６ａ₁ 間の震源では、それぞれ残り
の電極指で構成されている震源に比べて２倍の電圧が印
加される。この電極指４４ａ₁ ，４５ａ₁ 間及び４５ａ
₂ ，４６ａ₁ 間で構成される震源を震源＊とし、第１〜
第３のくし歯電極４４〜４６のそれぞれがくし歯電極４
３と震源数ｂの震源を構成しているとすると、本実施例
の表面波装置４１では、表面波伝播方向に沿ってｂの震
源数の震源−震源＊−ｂの震源数の震源−震源＊−ｂの
震源数の震源が配置されていることになる。第４の実施
例の表面波装置４１において、電極指の対数Ｎを４から
１１．５の範囲で変化させて、２Ｎ±ｎ（ｎは偶数）の
共振点の周波数位置における減衰量を測定した。結果を
表４及び図１３に示す。Therefore, a double voltage is applied to the epicenter between the electrode fingers 44a ₁ and 45a ₁ and between the epicenters between the electrode fingers 45a ₂ and 46a ₁ as compared with the epicenter formed by the remaining electrode fingers. Between the electrode fingers 44a ₁ and 45a ₁ and 45a
The epicenter composed of between _2, 46a ₁ and epicenter *, first to
Each of the third comb electrodes 44 to 46 is a comb electrode 4
Assuming that the epicenter has a hypocenter number of 3 and a hypocenter number b, the surface acoustic wave device 41 of this embodiment has a hypocenter number of epicenter number b and an epicenter number of epicenter number b along the surface wave propagation direction. * -B epicenters with the number of epicenters are located. In the surface acoustic wave device 41 of the fourth embodiment, the attenuation N at the frequency position of the resonance point of 2N ± n (n is an even number) was measured while changing the logarithm N of the electrode fingers in the range of 4 to 11.5. . The results are shown in Table 4 and FIG.

【００３４】[0034]

【表４】 [Table 4]

【００３５】表４及び図１３から明らかなように、電極
指の対数Ｎ＝７．０以上において、もっとも大きなスプ
リアス振動となる２Ｎ±２の周波数位置における減衰量
が２４ｄＢを超えることがわかる。他方、第４の実施例
においても、電極指の対数Ｎが６０を超えると容量が増
大し、一方のくし歯電極を第１〜第３のくし歯電極３４
〜３６に分割したことによる容量低減効果が損なわれ
る。よって、電極指の対数Ｎは、７．０〜６０の範囲と
することが必要であることがわかる。As is apparent from Table 4 and FIG. 13, when the logarithm N of the electrode fingers is equal to or greater than 7.0, the attenuation at the frequency position of 2N ± 2 at which the largest spurious vibration occurs exceeds 24 dB. On the other hand, also in the fourth embodiment, when the logarithm N of the electrode fingers exceeds 60, the capacity increases, and one of the comb electrodes is replaced with the first to third comb electrodes 34.
The capacity reduction effect due to the division into 36 is impaired. Therefore, it is understood that the logarithm N of the electrode fingers needs to be in the range of 7.0 to 60.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、請求項１に記
載の発明にかかる実施例の表面波装置を説明するための
平面図及びＢ−Ｂ線に沿う断面図。FIGS. 1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view taken along line BB for explaining a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.

【図２】従来の表面波装置を説明するための平面図。FIG. 2 is a plan view illustrating a conventional surface acoustic wave device.

【図３】従来の表面波装置におけるインピーダンス−周
波数特性を示す図。FIG. 3 is a diagram showing impedance-frequency characteristics in a conventional surface acoustic wave device.

【図４】第１の実施例の表面波装置におけるインターデ
ジタルトランスデューサを説明するための模式的平面
図。FIG. 4 is a schematic plan view for explaining an interdigital transducer in the surface acoustic wave device according to the first embodiment.

【図５】電極指の対数Ｎ＝４．５の場合の減衰量−周波
数特性を示す図。FIG. 5 is a diagram showing attenuation-frequency characteristics when the logarithm N of electrode fingers is 4.5.

【図６】電極指の対数Ｎ＝１５．５の場合の減衰量−周
波数特性を示す図。FIG. 6 is a diagram showing attenuation-frequency characteristics when the logarithm N of electrode fingers is N = 15.5.

【図７】第１の実施例において電極指の対数Ｎを変化さ
せた場合の減衰量の変化を示す図。FIG. 7 is a diagram showing a change in attenuation when the number N of electrode fingers is changed in the first embodiment.

【図８】第２の実施例の表面波装置を説明するための平
面図。FIG. 8 is a plan view illustrating a surface acoustic wave device according to a second embodiment.

【図９】第２の実施例において電極指の対数Ｎを変化さ
せた場合の減衰量の変化を示す図。FIG. 9 is a diagram showing a change in attenuation when the logarithm N of electrode fingers is changed in the second embodiment.

【図１０】第３の実施例の表面波装置のインターデジタ
ルトランスデューサの構造を示す図。FIG. 10 is a diagram showing a structure of an interdigital transducer of the surface acoustic wave device according to the third embodiment.

【図１１】第３の実施例において電極指の対数を変化さ
せた場合の減衰量の変化を示す図。FIG. 11 is a diagram showing a change in the amount of attenuation when the number of electrode fingers is changed in the third embodiment.

【図１２】第４の実施例の表面波装置におけるインター
デジタルトランスデューサの構造を示す模式的平面図。FIG. 12 is a schematic plan view showing a structure of an interdigital transducer in a surface acoustic wave device according to a fourth embodiment.

【図１３】第４の実施例において電極指の対数Ｎを変化
させた場合の減衰量の変化を示す図。FIG. 13 is a diagram showing a change in attenuation when the logarithm N of the electrode finger is changed in the fourth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１１…表面波装置 １２…圧電基板 １２ａ，１２ｂ…端面 １３…くし歯電極 １４…第１のくし歯電極 １５…第２のくし歯電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Surface acoustic wave device 12 ... Piezoelectric substrate 12a, 12b ... End surface 13 ... Comb electrode 14 ... 1st comb electrode 15 ... 2nd comb electrode

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03H 9/145 H03H 9/17 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. ⁷ , DB name) H03H 9/145 H03H 9/17

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射
型の表面波装置であって、 圧電基板と、 前記圧電基板上に形成されており、互いに間挿し合う複
数の電極指を有する一対のくし歯電極よりなるインター
デジタルトランスデューサとを備え、 表面波伝播方向において、零震源を中心としてその両側
に震源数ａの複数の震源が配置されるように、前記イン
ターデジタルトランスデューサの一方のくし歯電極が、
互いに接続されていない第１，第２のくし歯電極に分割
されており、かつ 前記インターデジタルトランスデュ
ーサの電極指の対数Ｎが８．５以上、４５以下の範囲に
あることを特徴とする、表面波装置。An end reflection type surface acoustic wave device utilizing an SH type surface wave, comprising: a piezoelectric substrate; and a pair of electrode fingers formed on the piezoelectric substrate and having a plurality of electrode fingers interposed between each other. An interdigital transducer comprising a comb electrode, wherein one of the interdigital transducers of the interdigital transducer is arranged such that a plurality of epicenters having a number of epicenters are arranged on both sides of the zero epicenter in the surface wave propagation direction. But,
The surface is divided into first and second comb-shaped electrodes that are not connected to each other, and a logarithm N of electrode fingers of the interdigital transducer ranges from 8.5 to 45. Wave device. 【請求項２】 ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射
型の表面波装置であって、 圧電基板と、 前記圧電基板上に形成されており、互いに間挿し合う複
数の電極指を有する一対のくし歯電極よりなるインター
デジタルトランスデューサとを備え、 表面波伝播方向において、残りの震源の２倍の電圧が印
加される震源＊を中心として、その両側に震源数ａの複
数の震源が配置されるように、前記インターデジタルト
ランスデューサの一方のくし歯電極が、互いに接続され
ていない第１，第２のくし歯電極に分割されており、か
つ前記インターデジタルトランスデューサの電極指の対
数Ｎが７．５以上、４５以下の範囲にあることを特徴と
する、表面波装置。2. An end surface reflection type surface acoustic wave device utilizing an SH type surface wave, comprising: a piezoelectric substrate; and a pair of electrode fingers formed on the piezoelectric substrate and having a plurality of electrode fingers interposed between each other. An interdigital transducer comprising a comb electrode is provided. In the surface wave propagation direction, a plurality of epicenters having the number of epicenters a are arranged on both sides of the epicenter, to which a voltage twice as large as the remaining epicenter is applied. As described above, one interdigital electrode of the interdigital transducer is divided into first and second interdigital electrodes that are not connected to each other, and the logarithm N of the electrode fingers of the interdigital transducer is 7.5. As described above, the surface acoustic wave device has a range of 45 or less. 【請求項３】 ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射
型の表面波装置であって、 圧電基板と、 前記圧電基板上に形成されており、互いに間挿し合う複
数本の電極指を有する一対のくし歯電極よりなるインタ
ーデジタルトランスデューサとを備え、 表面波伝播方向において、震源数ｂの複数の震源を中心
として、その両側に零震源を挟んで震源数ｂの複数の震
源が配置されるように、前記インターデジタルトランス
デューサのくし歯電極の一方が、互いに接続されていな
い第１〜第３のくし歯電極を有するように３分割されて
おり、かつ前記インターデジタルトランスデューサの電
極指の対数Ｎが７．０以上、６０以下にあることを特徴
とする、表面波装置。3. An end surface reflection type surface acoustic wave device utilizing an SH type surface wave, comprising: a piezoelectric substrate; and a pair of electrode fingers formed on the piezoelectric substrate and having a plurality of electrode fingers interposed between each other. An interdigital transducer comprising a comb electrode is provided. In the surface wave propagation direction, a plurality of epicenters of the number b of the epicenters are arranged on both sides of the epicenter with the epicenter of the number of the epicenters b interposed therebetween. In addition, one of the interdigital transducers is divided into three so as to have first to third interdigital electrodes that are not connected to each other, and the number N of electrode fingers of the interdigital transducer is N. A surface acoustic wave device characterized by being at least 7.0 and at most 60. 【請求項４】 ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射
型の表面波装置であって、 圧電基板と、 前記圧電基板上に形成されており、互いに間挿し合う複
数の電極指を有する一対のくし歯電極よりなるインター
デジタルトランスデューサとを備え、 表面波伝播方向において、震源数ｂの複数の震源を中心
として、その両側に震源数ｂの各震源の２倍の電圧が印
加される震源＊を挟んで震源数ｂの複数の震源が配置さ
れるように、前記インターデジタルトランスデューサの
一方のくし歯電極が、互いに接続されていない第１〜第
３のくし歯電極を有するように分割されており、かつ前
記インターデジタルトランスデューサの電極指の対数Ｎ
が７．０以上、６０以下の範囲にあることを特徴とす
る、表面波装置。4. An end surface reflection type surface acoustic wave device using an SH type surface wave, comprising: a piezoelectric substrate; and a pair of electrode fingers formed on the piezoelectric substrate and having a plurality of electrode fingers interposed between each other. An interdigital transducer comprising a comb electrode is provided. In the direction of surface wave propagation, a hypocenter * is applied to each of a plurality of epicenters having the number of epicenters b, and a voltage twice as large as each epicenter of the number of epicenters b is applied to both sides thereof. One interdigital electrode of the interdigital transducer is divided so as to have first to third interdigital electrodes that are not connected to each other so that a plurality of epicenters having the number of epicenters b are arranged therebetween. And the logarithm N of the electrode fingers of the interdigital transducer
Is in the range of 7.0 or more and 60 or less.