JP3245586B2 - 極点画素検出装置 - Google Patents
極点画素検出装置Info
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Description
機やファクシミリなど画像中の画素を網点領域とそれ以
外の非網点領域に分離するための網点領域分離装置に適
用される極点画素検出装置に関する。
文字などの線画の混在する画像を例えばディジタル式複
写機で画像再生する場合、再生画像の画質向上を図るに
は、写真部にはディザ処理、網点部にはモアレ除去処
理、また線画部には鮮鋭化処理をそれぞれ施すことが望
ましい。
る場合などにおいても、画像データの圧縮率を向上する
には、写真部、網点部、線画部の各領域に適した画像圧
縮処理を施すことが望ましい。
前処理として、画像中の写真部、網点部、線画部をそれ
ぞれ正確に分離抽出する必要がある。一般に、写真部と
それ以外の非写真部(=網点部+線画部)を分離するに
は、画像中のエッジ画素の多少を判定することで比較的
簡単に実現できるが、網点部とそれ以外の非網点部(=
写真部+線画部)を正確に分離することは困難である。
を分離する1つの方法として、例えば、上野の方法(上
野:“網点写真のドットプリンタによる表現”沖電気研
究開発第132号 Vol.53 No.4 pp.71-76 )がある。こ
の方法は、原画像をラスタスキャンしてディジタル多値
データとして取り出し、ラスタ上で前後に隣接する画素
間で明暗の濃度差を求め、この差分が次の(a)(b)
(c)の条件いずれかに該当するとき、注目画素を濃度
変化の山または谷の極点画素として検出する。
とき そして、上記のようにして得られた極点画素情報に基づ
き、次の(d)(e)の条件いずれかを満たす画素を網
点領域として検出するものである。
たしきい値TH1とTH2に対して下式を満たすとき TH1<L(i)<TH2 (e)現区間長L(i)とその前の区間長L(i−1)
が、予め定めたしきい値TH3に対して下式を満たすと
き |L(i)−L(i−1)|≦TH3
は、網点部には濃度レベルの山と谷となる極点が規則的
に現れることを前提として画像中の網点部を分離するも
のである。しかし、一般的には、写真部や線画部にも多
くの極点が存在するため、十分に高い分離率は望めない
という問題があった。
素間の1次元的な画像情報の比較によって網点の検出を
行っているため、特に、面積率の低いあるいは高い網点
部、原稿が回転するなどして水平方向からスクリーン角
が少しずれた網点部などにおいては極点間の距離が長く
なり、文字などの線画部との分離が困難であるという問
題があった。
で、その目的とするところは、網点部の面積率の大小や
原稿の配置状態などに関係なく画像中の網点に対応する
極点画素を正確に検出することのできる極点画素検出装
置を提供することを課題とする。
は、ディジタル多値データに変換された画像の所定の局
所領域内の中心画素と所定の周囲画素の濃度レベルを比
較して極点画素を検出する第1極点画素検出手段と、前
記中心画素を中心として前記所定の局所領域より広い局
所領域内の中心画素と所定の周囲画素の濃度レベルを比
較して極点画素を検出する第2極点画素検出手段と、前
記第1極点画素検出手段の検出結果と前記第2極点画素
検出手段の検出結果の論理和を極点画素として出力する
論理和手段と、を備える。
画素検出手段の前記所定の局所領域が前記中心画素を中
心とする3×3画素で構成される領域であり、前記第2
極点画素検出手段の前記広い局所領域が5×5画素で構
成される領域とする。
画素検出手段の前記広い局所領域を、前記中心画素を中
心として隣接する行および列の画素を1つおきにマスク
し、前記中心画素と前記マスクによってマスクされなか
った周囲画素との濃度レベルを比較して極点画素を検出
する。
を、局所領域内においてその中心画素の濃度レベルが所
定の周囲画素の濃度レベルに比べて最大または最小であ
るときに当該中心画素を極点画素として検出する。
を、局所領域内においてその中心画素の濃度レベルと所
定の周囲画素の濃度レベルとの差が所定のしきい値より
大きいときまたは小さいときに当該中心画素を極点画素
として検出する。
を、局所領域内においてその中心画素の濃度レベルが所
定の周囲画素の濃度レベルに比べて最大または最小であ
り、かつ当該中心画素の濃度レベルと当該中心画素を中
にして点対象位置にある他の2つの画素の濃度レベルの
平均値との差の絶対値が所定のしきい値(TH2)より
も大きいときに、当該中心画素を極点画素として検出す
る。
較する所定の周囲画素として、中心画素を通り上下左右
斜め方向に伸びる直線上に並んだ画素を用いる。請求項
8の発明においては、しきい値を中心画素の濃度レベル
または所定の周囲画素の濃度レベルに応じて変える。
度レベルが所定の周囲画素の濃度レベルに比べて高い山
の極点画素検出の場合のしきい値は中心画素の濃度レベ
ルが大なるとき大となるように変え、中心画素の濃度レ
ベルが所定の周囲画素の濃度レベルに比べて低い谷の極
点画素検出の場合のしきい値は中心画素の濃度レベルが
小なるとき小となるように変える。
画素の濃度レベルの平均値を求め、該平均値に応じてし
きい値を変える。
用された網点領域分離装置のブロック図を示す。図中、
1は入力画像信号部、2は本発明に係る極点画素検出
部、3は網点候補領域検出部、4は網点領域検出部であ
る。以下、これら各回路1〜4の具体的な構成例につい
て、各回路ごとに項を分けて説明する。なお、以下の例
において処理対象とする原画像は、写真部、網点部およ
び線画部の混在した画像である。画像中に含まれる網点
部は、例えば65〜200線程度、また線画部を構成す
る文字は7級以上である。
値データに変換する回路である。入力画像信号部1とし
ては、例えばスキャナなどが用いられる。この入力画像
信号部1において、原画像を例えば400dpi 、64階
調程度のディジタル多値データに変換し、予め定めたス
キャンライン分のデータを内蔵のメモリに格納記憶す
る。
いて処理を実行すればよい。また、再生画像がカラーで
あれば、色分解後のRGB信号(または色補正後のYM
C信号)を用い、RGB各色毎に本発明の領域分離処理
を並列に実行し、各色についての分離結果の多数決論理
などによって最終的に網点領域であるか否かを判定すれ
ばよい。
ィジタル多値データに変換するだけでなく、次の極点画
素検出部2における極点画素検出の前処理として、変換
されたディジタル多値データを所定の重み計数で平滑化
してもよい。この平滑化処理により、 (a)画像中のディジタルノイズの除去 (b)次の極点画素検出部2における極点画素の検出処
理において、小さいな画素サイズのマスク(例えば3×
3画素サイズ)を用いて大きな網点ドット(例えば65
線級)の極点画素を検出可能とすることができる。
は平滑化前の網点ドットの濃度レベル状態を示す。この
図では極点を構成する最大濃度レベルの画素が3画素に
亘っているため、例えば3×3画素サイズの小さなマス
クを用いて極点検出を行った場合、このマスク内では画
素間で濃度差を生じないため、極点画素の検出は不可能
である。しかし、平滑化処理すると、図2(B)に示す
ように中央の画素の濃度レベルが最大となり、その前後
の画素の濃度レベルが下がる。このため、3×3画素サ
イズの小さなマスクでも画素間で濃度差を生じ、中央の
画素を極点画素として検出することができるようにな
る。
ル多値データと平滑化したディジタル多値データとを用
い、それぞれのデータに基づいて極点検出を行い、その
検出結果の論理和(OR)をとることにより、同じサイ
ズのマスクで、より広範な線数の網点を領域分離するこ
とが可能となる。すなわち、元のディジタル多値データ
から小さな網点ドット(例:100線級以上)の極点画
素を検出し、また平滑化したディジタル多値データから
大きな網点ドット(例:65〜100線)の極点画素を
検出することができる。
タル多値データに変換されて送られてくる入力画像の所
定の局所領域内の濃度情報に基づいて当該局所領域内の
濃度の変化点である山および谷の極点画素を検出する回
路である。すなわち、所定の局所領域内の中心画素と所
定の周囲画素の濃度レベルを比較し、所定の極点検出条
件により極点画素を判定する。
度の最大レベル位置を与える山の極点画素を検出する場
合を例に採って述べる。濃度の最小レベル位置を与える
谷の極点画素を検出するには、山の極点画素と正反対の
性質を有するから、以下に述べる検出条件中の< >内
の語句を採用すればよい。
は、当該注目画素の濃度レベルがその周囲の画素の濃度
レベルよりも大きいことである。したがって、極点検出
条件として、まず、次のを採用することができる。
の濃度レベルが所定の周囲画素の濃度レベルに比べて最
大<最小>であるとき、中心画素を極点画素とする。こ
の極点検出条件の具体例を図3(A)〜(D)に示
す。局所領域として、図3(A)は3×3画素サイズの
矩形マスクを、図3(B)は十字形のマスクを、図3
(C)は井桁形のマスクを、図3(D)は5×5画素サ
イズの矩形マスクをそれぞれ採用したものである。各マ
スク中、ハッチングした画素が中心画素である。これら
のマスクにおいて、その中心画素の濃度レベルが当該マ
スク内の他のすべての画素のいずれよりも大きい時に、
中心画素を極点画素として検出すればよい。
を採用することができる。 所定の局所領域内において、中心画素の濃度レベル
が所定の周囲画素の濃度レベルに比べて所定のしきい値
TH1よりも大きい<小さい>とき、中心画素を山の極
点画素とする。
(B)に示す。図4(A)は局所領域として3×3画素
サイズの矩形マスクを採用し、また図4(B)は5×5
画素サイズの矩形マスクを採用したものである。これら
の各マスクにおいて、中心画素Lcがその周囲の所定の
画素L1〜L8に対して次の条件を満たすとき、中心画
素Lcを極点画素として検出すればよい。
を採用することができる。 所定の局所領域内において、中心画素の濃度レベル
が所定の周囲画素の濃度レベルに比べて最大<最小>で
あり、かつ当該中心画素の濃度レベルと当該中心画素を
中にして点対象の位置にある他の2つの画素の濃度レベ
ルの平均値との差の絶対値が所定のしきい値TH2より
も大きいとき、中心画素を極点画素とする。
す。図5は局所領域として3×3画素サイズの矩形マス
クを採用したもので、このマスクにおいて、中心画素L
cがその周囲の所定の画素L1〜L8に対して次の条件
を満たすとき、中心画素Lcを極点画素として検出すれ
ばよい。
を採用することができる。 所定の局所領域よりも小さく、かつ当該局所領域の
中心画素を含む小領域において中心画素の濃度レベルが
所定の周囲画素の濃度レベルよりも大きい<小さい>か
または等しく、かつ当該中心画素の濃度レベルが当該小
領域を除く局所領域内の所定の画素の濃度レベルよりも
所定のしきい値TH3以上に大きい<小さい>とき、当
該中心画素を山の極点画素として検出する。
す。図6の5×5画素サイズのマスクにおいて、中心画
素Lcがその周囲の画素L1〜L16に対して次の条件
を満たすとき、中心画素Lcを極点画素として検出すれ
ばよい。
けるしきい値TH1,TH2,TH3の値を中心画素ま
たはその周囲の画素の濃度レベルに応じて適応的(アダ
プティブ)に変えるようにすれば、文字などの線画部の
極点画素を誤って網点部の極点画素として検出すること
を防ぐことができ、網点部の極点画素のみをさらに確実
に検出することが可能となる。次に、このしきい値を適
応的(アダプティブ)に変えるための方法をに述べ
る。
部1を構成するスキャナの特性などで山と谷の極点の出
方、例えば山と谷の極点付近の濃度勾配が異なるような
時は、山と谷で異なったしきい値を用いる。
合、網点部の山の極点付近では、極点の濃度レベルが大
きく<小さく>なればなるほどその近傍の画素との濃度
のレベル差が大きくなるという性質がある。したがっ
て、この性質を利用し、しきい値を山の高さに応じて変
えるようにすればよい。例えば、前記の極点検出条件
を例に採ると、しきい値TH1として2つの値A,B
(A>B)を用意し、 もし Lc≧αならば → TH1=A もし Lc<αならば → TH1=B (α:切り換え判定値) のように、中心画素Lcの濃度レベルに応じてしきい値
TH1を2段階に変えればよい。なお、前記判定式中の
Lcに代えて、中心画素の周囲の画素の平均濃度レベ
ル、例えば図4(a)のマスク中の周囲画素L1〜L8
の平均濃度レベルを用いてしきい値TH1を切り換える
ようにすることもできる。
れか2つ、またはそれ以上の複数の検出条件を用意し、
それぞれの検出条件によって極点画素を検出した後、最
終的にそれらの検出結果の論理和(OR)をとることに
より、極点画素を検出するようにしてもよい。例えば、
図4を例にとれば、図4(A)の3×3の小さな画素サ
イズのマスクで小さな網点ドットの極点画素を検出し、
図4(B)の5×5の大きな画素サイズのマスクで大き
な網点ドットの極点画素を検出し、これらの検出結果の
論理和(OR)をとればよい。これにより、広範な線数
の網点に対して極点画素を正確に検出することが可能と
なる。
および谷の極点画素の存在状態に基づいて当該小領域内
の所定の画素が網点候補領域であるかまたは非網点候補
領域であるかを判定する回路である。網点候補領域の検
出処理は、ブロック単位または画素単位で行うことがで
きる。
域検出条件としては、まず次のを採用することができ
る。 極点画素検出部2で検出した山と谷の極点画素を所
定の大きさの小領域Sにてそれぞれ計数し、この山と谷
の極点画素の合計値を当該小領域の極点画素数Pとし、
この極点画素数Pが所定のしきい値以上であるときに、
・当該小領域S内のすべての画素を網点候補領域とする
(ブロック単位で処理の場合) あるいは ・当該小領域S内の中心画素を網点候補領域とする(画
素単位で処理の場合)。
(B)に示す。図7(A)はブロック単位で処理する場
合の例、図7(B)は画素単位で処理する場合の例であ
る。前記条件を満たした場合、それぞれにおいてハッチ
ングした画素を網点候補領域として決定する。
受けないようにするため、前記における極点画素数P
に代え、次のまたはにより得られる極点画素数Pを
採用することもできる。
し、2つの計数値の大きい側の値を当該小領域Sの極点
画素数Pとする。 山と谷の極点画素をそれぞれ別に計数し、2つの計
数値の和の値を当該小領域Sの極点画素数Pとする。
候補領域として誤って検出することを防止するため、網
点部の極点画素は均一かつ多数存在するという性質を利
用し、次のにより得られる極点画素数Pを採用するこ
ともできる。
各領域Siごとに極点画素数を計数し、極点画素数が所
定の値以下となる領域Siの数が所定の値以上であると
きは当該小領域Sの極点画素数を零とし、所定の値より
小さいときは各領域Siの極点画素数の合計値を当該小
領域Sの極点画素数Pとする。
8は、小領域Sを4つの領域S1 ,S2 ,S3 ,S4 に
分割し、各領域ごとにその極点画素数P1 ,P2 ,
P3 ,P 4 を計数し、どれか1つでも計数値が零であれ
ば小領域Sの極点画素数を零とし、そうでなければ各領
域の極点画素数P1 ,P2 ,P3 ,P4 の合計値を小領
域Sの極点画素数Pとする。
て次のを採用することができる。 小領域Sを複数の領域Siに分割して各領域Siご
とに極点画素数を計数し、極点画素数が所定の値以下と
なる領域Siの数が所定の値以下であるとき、・当該小
領域S内のすべての画素を網点候補領域として検出する
(ブロック単位で処理の場合) あるいは ・当該小領域S内の中心画素を網点候補領域として検出
する(画素単位で処理の場合)。
すれば、小領域Bを4つの領域S1,S2 ,S3 ,S4
に分割し、この分割した各領域ごとに極点画素の有無を
判定し、すべての領域S1 ,S2 ,S3 ,S4 に極点画
素が存在するとき、小領域S内のすべての画素(ブロッ
ク単位で処理の場合)または中心画素(画素単位で処理
の場合)を網点候補領域とすればよい。
結果を利用して最終的に網点領域を検出する回路であ
る。網点領域の検出処理は、ブロック単位または画素単
位で行うことができる。すなわち、
の分布状態を判定し、注目の小領域が網点領域であるか
否かを決定する。 画素単位で処理する場合 注目の画素とその周囲の画素における網点候補領域の分
布状態を判定し、注目の画素が網点領域であるか否かを
決定する。
場合、具体的には次のの網点領域検出条件を採用する
ことができる。 注目の小領域とその周囲の小領域のうちで、網点候
補領域と判定された小領域の数が所定の個数以上あると
き、当該領域内のすべての画素を網点領域とする。
れぞれの小領域の中心画素で各小領域を代表させての
処理を行い、その結果に従って注目の小領域が網点領域
であるか否かを決定するようにしてもよい。これによ
り、処理の簡素化と高速化を図ることができる。
の図9は、注目の小領域とその前後の小領域において、
×印を付した画素を各領域の代表画素として選定し、こ
の×印画素がそれぞれ網点候補領域であるか否かを判定
することにより網点領域を検出するようにしたものであ
る。そして、例えばこの3つの×印の画素のすべてが網
点候補領域であるとき、注目の小領域内のハッチングし
て示したすべての画素を網点領域として決定する。
具体的には次のまたはの網点領域検出条件を採用す
ることができる。 注目画素と周囲の画素のうちで網点候補領域の画素
が所定の個数以上あるとき、当該注目画素を網点領域と
する。
続する画素、あるいは注目画素から所定の距離だけ離れ
た位置の画素など、任意の位置の画素を採用することが
できる。この検出条件の具体例を図10および図11
に示す。図10は、×印を付して示す飛び飛びの位置の
画素を採用し、この×印画素のうちで網点領域の画素が
所定の個数以上あるとき、ハッチングした注目画素を網
点領域として決定するものである。図11は、×印を付
して示す連続位置の画素を採用し、この連続する×印画
素のうちで網点候補領域の画素が所定の個数以上あると
き、ハッチングした注目画素を網点領域として決定する
ものである。
の小領域または周囲画素を主走査方向(横方向)にアク
セスした場合を示したが、副走査方向(縦方向)にアク
セスしてもよいのであって、アクセスの仕方はラインバ
ッファの量と分離精度に応じて決めればよい。
いて述べた。図13は図1の網点領域分離装置の処理動
作のフローチャートである。以下に、このフローチャー
トを参照して図1装置の動作の概要を説明する。なお、
このフローチャートにおける極点画素検出部2、網点候
補領域検出部3および網点領域検出部4の処理条件は次
の(a)(b)(c)の通りである。
の検出は、M×Mのブロックで行う(例えば、図3
(A)の3×3画素サイズのマスク)。 (b)網点候補領域検出部3における網点候補領域の検
出は、N×Nのブロック(N>M)を用いてブロック単
位で行う(例えば、図7(A)の4×4画素サイズの小
領域S)。 (c)網点領域検出部3における網点領域の検出は、前
記N×Nのブロックを図13に示すように主走査方向に
K個並べ、ブロック単位で行う。
原画像をラスタスキャンし、原画像をディジタル多値デ
ータに変換して内部のバッファに格納する。極点画素検
出部2は、入力画像信号部1から処理に必要なNライン
分のディジタル多値データを読み込み(ステップ3
1)、M×M画素サイズのマスク、例えば図3(A)の
3×3画素サイズのマスクを各画素に順次適用し、例え
ばマスク内の中心画素の濃度レベルが周囲画素の濃度レ
ベルに比べて最大または最小であるとき、その時の中心
画素を極点画素として順次検出していく(ステップ3
2)。
プ33において、前記のようにして検出されたNライン
分の極点画素についてN×Nブロックごと、例えば図7
(A)の4×4画素サイズの小領域S(以下「ブロック
S」という)ごとにその極点画素数Pを計数する。そし
て、ステップ34において、例えば、得られた極点画素
数Pが所定のしきい値以上であるブロックSを網点候補
領域として検出する。
5において、図13に示すように、主走査方向に前記ブ
ロックSをK個並べ、このK個のブロック中で網点候補
領域のブロックの数Bを求める。そして、ステップS3
6において、このブロック数Bが所定の個数BTH以上で
あるか否かを判定し、所定の個数BTHよりも大きいとき
は注目ブロックを網点部と判定し(ステップ37)、ま
た所定の個数BTHよりも小さいときは注目ブロックは非
網点部と判定する(ステップ38)。
(ステップ39,40)、入力画像中のすべての画素が
網点部と非網点部に領域分離される。以上説明した本発
明の網点領域分離装置は、画像中の全画素を網点部とそ
れ以外の非網点部(=写真部+線画部)とに領域分離す
るものであるが、この本発明の網点領域分離装置と公知
の写真領域分離装置(例えば、特開昭61−22597
4号参照)とを組み合わせることにより、画像を写真
部、網点部、線画部の三つの領域に分離するためのいわ
ゆる三領域分離装置を容易に構成することができる。す
なわち、三領域分離装置を構成するには、本発明の網点
領域分離装置と公知の写真領域分離装置を用い、 (a) 網点領域分離装置 → 網点部 (b) 写真領域分離装置 → 写真部 (c) (a)(b)の結果を利用し、非網点部で、か
つ非写真部となる領域→ 線画部 と判定するように構成すればよい。なお、前記(a)の
網点領域分離処理と(b)の写真領域分離処理は並列ま
たは直列処理のいずれでも行い得る。
成した複写機の一例を示す。図中、11は三領域分離装
置、12は線画領域用のMTF補正回路、13は線画領
域用の二値化処理回路、14は網点領域用の平滑処理回
路、15は網点領域用の階調性を重視したうずまき型の
ディザ処理回路、16は写真領域用の階調性を重視した
うずまき型のディザ処理回路、17は三領域分離装置1
1の判定出力に従って処理回路13,15,16のいず
れかの処理信号を選択する画像信号選択回路である。
TF補正回路12、平滑処理回路14およびディザ処理
回路16に並列に入力する。三領域分離装置11は、入
力画像の全画素について網点/写真/線画に領域分離
し、その判定出力を画像信号選択回路17に送る。
11の判定出力が写真領域信号の場合にはディザ処理回
路16の出力画像を選択し、網点領域信号の場合にはデ
ィザ処理回路16の出力画像を選択し、線画領域信号の
場合には二値化処理回路13の出力画像を選択して出力
する。この結果、入力画像中の写真部においてはうずま
き型のディザ処理回路16によって擬似中間調処理され
た画像が、網点部においては平滑処理回路14とうずま
き型のディザ処理回路15によってモアレ除去された画
像が、また線画領域においてはMTF補正回路12と二
値化処理回路13によってエッジ強調された画像が出力
される。したがって、画像信号選択回路17から出力さ
れる画像信号を用いて画像再生すれば、画像中の網点
部、写真部および線画部の各領域ごとに最良の方法で画
像処理した高品質の再生画像が得られる。
よび前記局所領域より広い所定の局所領域のそれぞれに
対して中心画素と所定の周囲画素の濃度レベルを比較し
て極点画素を検出し、検出結果の論理和を極点画素とし
て出力するようにしたので、網点部の面積率の大小や原
稿の配置状態に関係なく、極点画素を正確に検出するこ
とができる。
離装置のブロック図である。
る。
る。
示す図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 ディジタル多値データに変換された画像
の所定の局所領域内の中心画素と所定の周囲画素の濃度
レベルを比較して極点画素を検出する第1極点画素検出
手段と、 前記中心画素を中心として前記所定の局所領域より広い
局所領域内の中心画素と所定の周囲画素の濃度レベルを
比較して極点画素を検出する第2極点画素検出手段と、 前記第1極点画素検出手段の検出結果と前記第2極点画
素検出手段の検出結果の論理和を極点画素として出力す
る論理和手段と、を備えたことを特徴とする極点画素検
出装置。 - 【請求項2】 前記第1極点画素検出手段の前記所定の
局所領域が前記中心画素を中心とする3×3画素で構成
される領域であり、前記第2極点画素検出手段の前記広
い局所領域が5×5画素で構成される領域であることを
特徴とする請求項1記載の極点画素検出装置。 - 【請求項3】 前記第2極点画素検出手段の前記広い局
所領域を、前記中心画素を中心として隣接する行および
列の画素を1つおきにマスクし、前記中心画素と前記マ
スクによってマスクされなかった周囲画素との濃度レベ
ルを比較して極点画素を検出するようにしたことを特徴
とする請求項1または2記載の極点画素検出装置。 - 【請求項4】 極点検出条件を、局所領域内においてそ
の中心画素の濃度レベルが所定の周囲画素の濃度レベル
に比べて最大または最小であるときに当該中心画素を極
点画素として検出する、ようにしたことを特徴とする請
求項1,2または3記載の極点画素検出装置。 - 【請求項5】 極点検出条件を、局所領域内においてそ
の中心画素の濃度レベルと所定の周囲画素の濃度レベル
との差が所定のしきい値より大きいときまたは小さいと
きに当該中心画素を極点画素として検出する、 ようにしたことを特徴とする請求項1,2または3記載
の極点画素検出装置。 - 【請求項6】 極点検出条件を、局所領域内においてそ
の中心画素の濃度レベルが所定の周囲画素の濃度レベル
に比べて最大または最小であり、かつ当該中心画素の濃
度レベルと当該中心画素を中にして点対象位置にある他
の2つの画素の濃度レベルの平均値との差の絶対値が所
定のしきい値(TH2)よりも大きいときに、当該中心
画素を極点画素として検出する、ようにしたことを特徴
とする請求項1,2または3記載の極点画素検出装置。 - 【請求項7】 中心画素と比較する所定の周囲画素とし
て、中心画素を通り上下左右斜め方向に伸びる直線上に
並んだ画素を用いる、ことを特徴とする請求項1乃至6
のいずれかに記載の極点画素検出装置。 - 【請求項8】 しきい値を中心画素の濃度レベルまたは
所定の周囲画素の濃度レベルに応じて変える、 ようにしたことを特徴とする請求項5または6記載の極
点画素検出装置。 - 【請求項9】 中心画素の濃度レベルが所定の周囲画素
の濃度レベルに比べて高い山の極点画素検出の場合のし
きい値は中心画素の濃度レベルが大なるとき大となるよ
うに変え、中心画素の濃度レベルが所定の周囲画素の濃
度レベルに比べて低い谷の極点画素検出の場合のしきい
値は中心画素の濃度レベルが小なるとき小となるように
変える、ようにしたことを特徴とする請求項8記載の極
点画素検出装置。 - 【請求項10】 所定の周囲画素の濃度レベルの平均値
を求め、該平均値に応じてしきい値を変える、ようにし
たことを特徴とする請求項8記載の極点画素検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000215968A JP3245586B2 (ja) | 2000-01-01 | 2000-07-17 | 極点画素検出装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02075466A Division JP3142279B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 網点領域分離装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001053968A JP2001053968A (ja) | 2001-02-23 |
JP3245586B2 true JP3245586B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=18711312
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2000215968A Expired - Lifetime JP3245586B2 (ja) | 2000-01-01 | 2000-07-17 | 極点画素検出装置 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3245586B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6477284B1 (en) | 1999-06-14 | 2002-11-05 | Nec Corporation | Photo-electric combined substrate, optical waveguide and manufacturing process therefor |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2777379B2 (ja) | 1988-10-24 | 1998-07-16 | 株式会社リコー | 領域分離装置 |
-
2000
- 2000-07-17 JP JP2000215968A patent/JP3245586B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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JP2777379B2 (ja) | 1988-10-24 | 1998-07-16 | 株式会社リコー | 領域分離装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6477284B1 (en) | 1999-06-14 | 2002-11-05 | Nec Corporation | Photo-electric combined substrate, optical waveguide and manufacturing process therefor |
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JP2001053968A (ja) | 2001-02-23 |
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