JP3235326B2 - 高輝度放電灯の封止部構造 - Google Patents

高輝度放電灯の封止部構造

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JP3235326B2
JP3235326B2 JP02985594A JP2985594A JP3235326B2 JP 3235326 B2 JP3235326 B2 JP 3235326B2 JP 02985594 A JP02985594 A JP 02985594A JP 2985594 A JP2985594 A JP 2985594A JP 3235326 B2 JP3235326 B2 JP 3235326B2
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浩一 林
尚人 輪島
哲昭 分藤
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東陶機器株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はScI3やNaI等の金属
ハロゲン化物を封入した高輝度放電灯の封止部構造に関
する。
【0002】
【従来の技術】メタルハライドランプやナトリウムラン
プ等の高輝度放電灯は透明発光管内に金属ハロゲン化物
やアマルガムを入れた後に開口をキャップで閉塞すると
ともに外側からガラスソルダにてキャップと発光管との
隙間を気密に封止し、キャップに取り付けた内部電極間
に高電圧を印加することでアーク放電を発生させ、この
アーク放電による熱で発光管内に封入した金属ハロゲン
化物を蒸発させ、金属とハロゲン等に解離し、金属特有
の色を呈する発光を行なわせるようにしたものである。
【0003】上述した放電灯にあっては、発光管の開口
近傍においては温度が他の部分よりも低いため、金属ハ
ロゲン化物が液相となって存在している。そして、液相
の金属ハロゲン化物がガラスソルダに接触すると、これ
らは激しく反応して短時間のうちにソルダの気密性が失
われてしまうことが照明学会誌(第74巻 第9号P6
01 平成2年)に発表されている。
【0004】斯かる気密性喪失を防止する手段として、
同照明学会誌にあっては、発光管の両端の開口のうち一
方の開口についてはキャップを一体焼結してガラスソル
ダを使用せず、他方の開口についてのみガラスソルダを
用いて封止し、しかもガラスソルダを用いて封止した端
部が常に上になるようにすることで液相の金属ハロゲン
化物とガラスソルダとの接触を避けるようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、発光
管の一端開口をガラスソルダを用いずに一体焼結してし
まえば、この部分に液相の金属ハロゲン化物が存在する
ことになっても気密性は保たれるが、このような構造に
した場合には、発光管の上下方向を常に固定して取付け
ておかなければならず、照明器具に制限を生じたり、且
つ運搬や組立てに細心の注意が必要となり、極めて取り
扱いが面倒になる。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、透光性セラミックからなる発光管の開口に絶縁
材料からなるキャップを嵌め込み、キャップと発光管と
の間を外側からガラスソルダにて気密に閉塞した高輝度
放電灯の封止部構造において、前記発光管の開口内周面
とキャップ外周面との間に一端が発光管内に開口する隙
間を軸方向に形成し、この隙間内に発光管内に封入され
る金属ハロゲン化物を固相状態で充填した。
【0007】
【作用】発光管の開口内周面とキャップ外周面との間に
所定寸法の隙間を形成すると、放電灯を点灯後に消灯す
ると、発光管内に存在していた気相状態の金属ハロゲン
化物が隙間に侵入し、これが凝固して固相となる。
【0008】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図1は本発明に係る封止部構造を適
用した高輝度放電灯の断面図、図2は発光管とキャップ
との隙間に金属ハロゲン化物の固相が充填される前の状
態を示す図、図3は同隙間に金属ハロゲン化物の固相が
充填された状態を示す図である。
【0009】図中1は高純度多結晶アルミナから構成さ
れる発光管であり、この発光管1の両端には開口2,2
が設けられ、各開口2には高純度アルミナからなる絶縁
キャップ3が嵌め込まれ、外側からSiO2−Al23
Dy23系やAl23−Y23−CaO−SrO系或いはA
l23−B23−SiO2系等のガラスソルダ4にて気密
に封止されている。
【0010】また、前記開口2の中間部には段部2aが
形成され、絶縁キャップ3の中間部にはフランジ部3a
が形成され、段部2aにフランジ部3aを突き当てるこ
とで絶縁キャップ3の挿入深さを一定に維持している。
【0011】また、絶縁キャップ3の発光管1内に臨む
端面にはタングステンからなる内部電極5が圧入され、
この内部電極5の後端は絶縁キャップ3に形成した径方
向孔に埋設したPt等の貴金属部6に接触し、更に貴金
属部6は絶縁キャップ3の外周面に形成した貴金属膜7
に接続している。而して貴金属膜7及び貴金属部6を介
して外部から内部電極5に給電がなされる。
【0012】一方、前記絶縁キャップ3のフランジ部3
aよりも発光管1内方寄りの部分の外径は発光管1の開
口2の内径よりも小寸法とされ、開口2の内周面とキャ
ップ3の外周面との間に一端が発光管1内に連通する隙
間8が軸方向に形成されている。そして、この隙間8内
には発光管1内に封入されるScI3等の金属ハロゲン化
物の固相9が充填されている。
【0013】このように金属ハロゲン化物を固相状態で
充填するには、図2に示すように、隙間8の軸方向寸法
は3mm以上で、径方向の寸法は10μm以下とするこ
とが好ましい。
【0014】ここで、上記の金属ハロゲン化物の固相9
を隙間8に充填する方法の一例を示せば、発光管内に余
分な量の金属ハロゲン化物を封入した状態で点灯と消灯
を繰り返す。このように、放電灯を点灯後に消灯する
と、発光管1内に存在していた気相状態の金属ハロゲン
化物が隙間8に侵入する。そして隙間8の部分は発光管
全体のうち最冷却であるので、この部分に侵入した気相
状態の金属ハロゲン化物は凝固して固相9となる。
【0015】そして、固相状態の金属ハロゲン化物はガ
ラスソルダ4と接触しても激しく反応することはなく、
一方、軸方向の内側部分では金属ハロゲン化物の固相9
と金属ハロゲン化物の液相10とが接触することとなる
が、これらは同一物質であるので反応することはない。
【0016】尚、実施例にあっては、当初から充填され
る分の金属ハロゲン化物の量を見越して発光管内に余分
な量の金属ハロゲン化物を封入し、何回か点灯と消灯を
繰り返すうちに自然に固相状態の金属ハロゲン化物が隙
間に充填されるようにしたが、発光管の内周面或いはキ
ャップの外周面に固相状態の金属ハロゲン化物を組付け
前から形成しておくようにしてもよい。
【0017】
【発明の効果】以上に説明した如く本発明によれば、高
輝度放電灯の発光管の開口内周面とキャップ外周面との
間に一端が発光管内に開口する隙間を軸方向に形成し、
この隙間内に発光管内に封入される金属ハロゲン化物を
固相状態で充填したので、発光管をどのような向きでセ
ットしても、封止材であるガラスソルダと液相の金属ハ
ロゲン化物との接触を避けることができ、放電灯として
の寿命を大幅に延すことができ、しかも取り扱いが極め
て容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る封止部構造を適用した高輝度放電
灯の断面図
【図2】隙間に金属ハロゲン化物の固相が充填される前
の状態を示す図
【図3】隙間に金属ハロゲン化物の固相が充填された状
態を示す図
【符号の説明】
1…発光管、2…開口、2a…開口の段部、3…キャッ
プ、3a…キャップのフランジ部、4…ガラスソルダ、
8…隙間、9…金属ハロゲン化物の固相、10…金属ハ
ロゲン化物の液相。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 実開 平2−129664(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 61/36

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透光性セラミックからなる発光管の開口
    に絶縁材料からなるキャップを嵌め込み、キャップと発
    光管との間を外側からガラスソルダにて気密に閉塞した
    高輝度放電灯の封止部構造において、前記発光管の開口
    内周面とキャップ外周面との間には一端が発光管内に開
    口する隙間が軸方向に形成され、この隙間内には発光管
    内に封入される金属ハロゲン化物の固相が充填されてい
    ることを特徴とする高輝度放電灯の封止部構造
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の高輝度放電灯の封止部
    構造において、前記隙間の軸方向寸法は3mm以上で、
    径方向の寸法は10μm以下であることを特徴とする高
    輝度放電灯の封止部構造。
JP02985594A 1994-02-28 1994-02-28 高輝度放電灯の封止部構造 Expired - Fee Related JP3235326B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6589336B1 (en) 1999-11-10 2003-07-08 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Production method for silicon epitaxial wafer and silicon epitaxial wafer

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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