JP3234652B2

JP3234652B2 - 加速度センサおよびその製造方法

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Publication number: JP3234652B2
Application number: JP27631992A
Authority: JP
Inventors: 正弘伏見; 隆行八木; 正剛赤池
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1992-10-14
Filing date: 1992-10-14
Publication date: 2001-12-04
Anticipated expiration: 2016-12-04
Also published as: JPH06130081A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、カメラ、カメラビデオ
等の手振れによる角度変化の検知に好適な加速度センサ
（角加速度センサも含む）およびその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】現在、主に使われている加速度センサに
は、圧電効果を用いた圧電型、金属抵抗体または半導体
を用いた歪ゲージ型などがある。またシリコンのマイク
ロメカニクス技術によりカンチレバーを作製し、先端に
重りを付加し、小型の加速度センサを作る試みもなされ
ている。例えば K. E. Petersen 等（"Michromechanica
l Accelerometer Integrated with Mos Detection Circ
uity" IEEE Trans. Electron Devices ,vol.ED-29, p2
3, 1982）により、静電容量変化を用いて加速度を検知
する方式が提案されている。

【０００３】図６は、従来の加速度センサの一例を示す
斜視図である。この加速度センサは、シリコン基板１０
１の上に電極１０４と弾性支持梁１０３をマイクロファ
ブリケーションにより形成したものである。弾性支持梁
１０３は酸化膜から成り、上面に金属電極１０５が形成
され、先端に設けた重り１０２により加速度に対する感
度を高めている。電極１０４と金属電極１０５の間の静
電容量変化を検出回路１０６で検出し加速度を検出す
る。また、金属電極１０５の配置形態として、重り１０
２の上面にも金属電極を配置した構成のものも提案され
ている（Suzuki,"Semiconductor Capacitance-type Acc
elerometer with PWM Electrostatic Servo Techniqu
e",Sensors and Actuators,A21-A23(1990)，pp316-31
9）。

【０００４】この様にしてシリコンを用いた加速度セン
サは、フォトリソグラフィ技術により量産性に優れた安
価なものとなる。一方、角加速度の検出は、例えばこの
様な並進の２個の加速度センサを一定距離だけ離して複
数個配置し、検知された加速度の差から求める等されて
いる。この場合、２個以上の加速度センサの重り１０２
の質量および弾性支持梁１０３のバネ定数等の機械的特
性は、ほぼ同一にすることが必要となる。

【０００５】しかしながら、加速度センサの作製のため
に基材として使用するシリコンウエハは、現行の機械研
磨や表面反応を利用する研磨では、ウエハ間で数μｍ程
度の厚み誤差が生じる。それ故に、加速度センサの重り
１０２の質量にばらつきが現れ、個々の加速度センサの
特性にばらつきが生じる。

【０００６】また、シリコンで一体形成するタイプの加
速度センサでは、弾性支持梁はシリコン基板を水酸化カ
リウム水溶液等のアルカリエッチャントで結晶方位面の
エッチング速度差を利用する異方性エッチングを採用す
るが、弾性支持梁１０３の厚みはエッチャント濃度、加
熱温度等により決定されるため、厚み誤差精度を向上さ
せるには高精度にアルカリエッチャントを管理する必要
がある。

【０００７】また図７は、従来の角加速度センサの主要
部の一例を示す斜視図である。この角加速度センサの主
要部は、枠状シリコン基体１１１と、重り１１２と、重
りの重心をほぼ通る回転軸上に重りの両側で回転を支持
する弾性支持梁１１３とを有する。この様な主要部に、
電極や検出回路などを組み込むことによって、角加速度
センサが得られる。図８は、図７に示した主要部の両面
を電極付ガラス板に挟み込んで構成する角加速度センサ
を例示する分解斜視図である。この図において、１１４
は角加速度の検出方向、１１５はガラス板、１１６はガ
ラス板上に形成された浅い溝、１１７は固定電極であ
る。角加速度を受けると弾性支持梁１１３がねじれ、重
り１１２が検出方向１１４に回転する。この時シリコン
基板と両電極との間で容量変化がおこり、この容量変化
を検出回路で検出し加速度が求められる。

【０００８】しかしながら、この様な角加速度センサで
は、重り１１２と弾性支持梁１１３を形成する際のアラ
イメント精度が回転軸中心のずれとして現れることとな
り、これにより左右の重り１１２のバランスが不均衡と
なり角加速度の検出精度が下がることとなる。この為、
角加速度センサでは、加速度センサ以上にアライメント
精度の向上が不可欠となる。

【０００９】

【００１０】

【００１１】

【００１２】

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した様
な従来技術における各課題を解決することを目的として
なされたものである。

【００１４】本発明の目的は、小型の構成で、加速度や
角加速度を簡便に精度良く直接に検出できる加速度セン
サ（角加速度センサも含む）、およびこれを簡易に製造
できる方法を提供することにある。

【００１５】

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的は、以下に示す
本発明により達成できる。

【００１７】本発明は、基体と、重りと、該重りを該基
体に支持する弾性支持梁とが一体のシリコン基材から形
成されてなる加速度センサであって、該重りに該重りの
質量を調整する為の溝または膜を設け、且つ、該基体の
溝または膜側の面に、貫通穴を有する部材を、該溝また
は膜と対応する位置に該貫通穴が位置するよう接合した
ことを特徴とする加速度センサ、または該弾性支持梁に
該弾性支持梁のバネ定数を調整する為の溝または膜を設
けたことを特徴とする加速度センサである。更にはこの
溝または膜を、その部材の貫通穴を通して気相エッチン
グまたは成膜して形成する工程を有する加速度センサの
製造方法である。

【００１８】

【００１９】なお、本発明において「加速度センサ」の
語は、特に言及しない限り単なる加速度センサのみなら
ず角加速度センサも含む意味で用いる。角加速度センサ
の構成とする場合は、例えば弾性支持梁を、重りの重心
をほぼ通る回転軸上にあって重りの両側で前記重りを回
転自在に支持する弾性支持梁とすればよい。

【００２０】

【作用】本発明の加速度センサは、重りの慣性モーメン
トにより、加速度または軸回りの角加速度に比例したト
ルクが重りに働き、支持梁の撓みまたは捻じれに対する
弾性力に抗して重りが変位または回転することにより加
速度を検出するものである。そして、本発明の加速度セ
ンサは、製造誤差やシリコン基材の誤差等が有っても、
重りの質量や弾性支持梁のバネ定数に関しその機械的特
性を溝または膜で調製したので、特性が均一で検出精度
の高いセンサとなっている。

【００２１】

【実施例】本発明に関して、図面を参照しつつ、実施例
により詳細に説明する。

【００２２】＜実施例１＞図１は、重りの質量調整用溝
を設けた加速度センサの実施例を例示する断面図であ
る。この加速度センサは、シリコン基材を異方性エッチ
ングすることにより、所望の形状の重り１２と弾性支持
梁１３を形成し、残部をシリコン基体１１とし、その下
部に別途のシリコン板１４を接着して成る。シリコン板
１４は貫通穴１５を有しており、重り１２には貫通穴１
５に対応する位置に溝が形成されている。これが質量調
整用溝１７である。この質量調製用溝１７は、貫通穴１
５を通じて重り１２の下面を一部エッチング除去するこ
とによって形成されたものである。さらに、シリコン板
１４の下面にガラス板１６を接着して貫通穴１５をふさ
いでいる。

【００２３】図２は、図１に示した加速度センサの質量
調整用溝１７を形成する為のプロセスを例示する断面図
である。このプロセスの概略は（ａ）〜（ｃ）に示す様
に、貫通穴１５を通して重り１２をエッチング除去する
ことにより質量調製用溝１７を形成することから成る。
この様な貫通穴１５を介したエッチング等のプロセスは
工程上簡易であり、本発明における溝や膜等を形成する
方法として好適である。以下、具体的に実施した事項を
各工程ごとに示す。

【００２４】［図２（ａ）に示す工程］基体１１と、重
り１２と、重りを基体に支持する弾性支持梁１３とから
成る加速度センサの主要部をまず用意した。これは板状
シリコン基材に公知の異方性エッチングを施すことによ
り作製したものである。弾性支持梁１３はｎ型拡散層か
ら成る。この弾性支持梁１３上には、重り１２にかかる
加速度を梁の撓みによって検出するためのひずみゲージ
となるｐ型拡散層がイオン注入法により形成されてい
る。更に、シリコン基体１１の表面には、アンモニアと
ジクロルシランガスとの混合ガス雰囲気中で減圧ＣＶＤ
法によりシリコン窒化膜が形成してある。

【００２５】この重り１２および弾性支持梁１３の作製
は、次の様にして行った。シリコン窒化膜に重りのパタ
ーンを形成したシリコン基材を８０℃に加熱した水酸化
カリウム３０％水溶液中に浸漬し、ｎ型拡散層に電圧を
１．５Ｖ印加しながら電解エッチングを行い、ｎ型拡散
層のみをｐｎ接合によるエッチストップ技術（R. Huste
r, Sensors and Actuators, A21-A23 (1990) pp899-90
3）により残し、同時に重りを形成した。次に、シリコ
ン基材の他の面からエッチングガスにＣＦ₄ を用い、重
り１２および梁１３を残すようにフォトリソグラフィを
用いてレジストをパターニングして前記ｎ型拡散層の一
部をエッチング除去した。最後に、熱リン酸によりシリ
コン窒化膜を除去し、所望の形状の重り１２と弾性支持
梁１３を得た。

【００２６】この基体１１、重り１２および弾性支持梁
１３から成る部材の基体１１の下面に、貫通穴１５を有
するシリコン板（板状部材）１４を、貫通穴１５が重り
１２の下部に配置するよう接合し、図２（ａ）に示す加
速度センサ（溝は未形成）を得た。この貫通穴１５は、
シリコンの結晶異性エッチングにより、シリコン窒化膜
の貫通穴用のパターンを介して８０℃に加熱した水酸化
カリウム３０％水溶液中でエッチングすることにより形
成した。また、シリコン窒化膜は、熱リン酸により除去
した。更に、シリコン基体１１とシリコン板１４を接合
する方法としては、シリコン直接接合技術（M. Shimbo,
J. Appl. Phys., 60(8), 15, 1986, pp2987-2989 ）に
より、１０００℃の炉中で１時間加熱することにより行
った。

【００２７】［図２（ｂ）に示す工程］以上の様にして
作製した加速度センサ（溝未形成）の貫通穴１５を通じ
て、重り１２を部分的にエッチング除去した。このエッ
チング除去は、重り１２の質量を所望値に調製するため
に行ったものである。エッチングガスにはＳＦ₆ を用
い、シリコン板１４をマスクに、反応性エッチングによ
り２０分間エッチングした。エッチング時のガス圧力は
５Ｐａ、投入電力は１５０Ｗで、その時のシリコンエッ
チング速度は４５００Å／分であった。この様な条件に
よって、質量調製用溝１７を形成し、重り１２の重量を
調製した。なお、ここで図示した態様においては、質量
調整用溝１７の深さは、基体１１の厚みを予め測定する
ことにより決定したが、これ以外にも例えば基体１１の
質量を予め測定する方法なども適用可能である。

【００２８】［図２（ｃ）に示す工程］以上の様にして
溝１７を形成した加速度センサについて、所望によりシ
リコン板１４の下面にガラス板１６を接合することによ
って貫通穴１５を塞いだ。ここでガラス板１６として
は、熱膨張係数がシリコンと近似するパイレックスガラ
スを用いた。ガラス板１６をシリコン板１４に接合する
方法としては、いわゆる陽極接合法を用いた。この陽極
接合は、約４００℃の温度に熱してパイレックスガラス
（ガラス板１６）側に負の電圧（３００Ｖ）を印加し、
ガラスとシリコン界面に働く静電力により接合させるも
のである。

【００２９】以上述べた図２（ａ）〜（ｃ）のプロセス
によって、図１に示した加速度センサが得られた。この
シリコン基体１１はｐ型で５０５μｍ厚みであり、一方
の面にはイオン注入法により燐を５μｍ注入し拡散され
ており、弾性支持梁１３はこのｎ型拡散層より構成され
ている。本実施例により得た加速度センサは、５００μ
ｍ厚みのシリコン基体から作製した溝１７を有さない従
来の加速度センサと同一の感度を有するものであった。
すなわち、例えば基材の厚みに＋５μｍ程度の誤差が有
っても、適正な５００μｍ厚の基材から作製した加速度
センサと同様な機械的特性となるように溝１７を形成し
て重り１２の質量を調製し、均一かつ精密なものが得ら
れる。

【００３０】本実施例においては、重りの形成の為のエ
ッチング法として反応性エッチングを採用したが、本発
明はこれに限定されるものではない。すなわち、プラズ
マエッチング（ＰＥ）、光励起プロセスを用いた気相エ
ッチングなど各種の方法が、貫通穴１５を通じてエッチ
ングを行う方法として採用可能である。

【００３１】この光励起プロセスを用いたエッチングと
しては、例えば反応性ガスとして塩素ガス中にシリコン
基体を配置し、Ａｒレーザーにより反応性ガスを励起し
シリコンとの反応を行いエッチングする（D. J. Ehrlic
h, Applied Physics Letters, No.38, 1981, p1018）、
あるいはＳＦ₆ ガスとＡｒＦ、ＫｒＦ等のエキシマレー
ザーによりエッチングする（藤井、第１８回固体素子国
際会議論文集、1986,p201）等の光励起プロセスを用い
ることによってなされる。使用する光源としては、反応
性ガスを励起するに十分なエネルギーを有するか、シリ
コン基体を加熱し反応性ガスと反応させるに十分なパワ
ーを有する光源であればよい。また気相エッチングで
は、シリコンと反応しうるＢｒ、Ｃｌ、Ｆを有するＣｌ
₂ 、Ｂｒ₂、ＣＦ₄ 、ＮＦ₃ 、ＳＦ₆ 、ＣＦ₂Ｃｌ₂等の
反応性ガス種が用いられる。

【００３２】また、本実施例では、重りの質量調整の為
の溝を形成したが、所望により溝の代わりに膜を形成し
てもよい。

【００３３】＜実施例２＞図３は、弾性支持梁のバネ定
数調整用膜を設けた加速度センサの実施例を例示する断
面図である。この加速度センサは、シリコン基材を異方
性エッチングすることにより、所望の形状の重り２２と
弾性支持梁２３を形成し、残部をシリコン基体１１と
し、その下部に別途のシリコン板２４を接着して成る。
シリコン板２４は貫通穴２５を有しており、弾性支持梁
２３には貫通穴２５に対応する位置に膜が形成されてい
る。これがバネ定数調製用膜２８である。この膜２８
は、貫通穴２５を通じて弾性支持梁２３の下面に成膜工
程を施すことにより形成されたものである。さらに、シ
リコン基体２１の下面にガラス板２６を接着して貫通穴
２５をふさいでいる。

【００３４】図４は、図３に示した加速度センサのバネ
定数調整用膜２３を形成する為のプロセスを例示する断
面図である。このプロセスの概略は（ａ）〜（ｃ）に示
す様に、貫通穴２５を通してバネ定数調整用膜２３の下
面に公知の成膜法によりバネ定数調整用膜２３を成膜す
ることからなる。以下、具体的に実施した点を各工程ご
とに示す。

【００３５】［図４（ａ）に示す工程］基体２１と、重
り２２と、重りを基体に支持する弾性支持梁２３とから
成る加速度センサの主要部をまず用意した。シリコン基
体２１は、実施例１と同様にひずみゲージとなるｐ型拡
散層がイオン注入法により形成されており、更にシリコ
ン膣化膜を減圧ＣＶＤにて成膜してある。重り２２およ
び弾性支持梁２３は、電解エッチングする以外は実施例
１と同様の方法により作製した。ただし、弾性支持梁２
３の厚みは、異方性エッチングしたシリコンの厚みが約
５μｍになるところでエッチングを終了することにより
作製した。

【００３６】この弾性支持梁２３となる厚みを走査型電
子顕微鏡により断面観察したところ４．５μｍであっ
た。弾性支持梁の厚み制御は、エッチング時間、水酸化
カリウム水溶液濃度および水溶液温度に依存し、高精度
な厚み調整は困難となる。シリコン板２４の貫通穴２５
の形成およびシリコン基体２１とシリコン板２４との接
合方法は、実施例１と同様の方法を採用した。貫通穴２
５は、弾性支持梁２３の下部に配置してある。

【００３７】［図４（ｂ）に示す工程］次に、貫通穴２
５を通じて、弾性支持梁２３のバネ定数が所望値になる
迄、バネ定数調製用膜２８を弾性支持梁２３の下面に堆
積した。膜の堆積方法としては、ＳｉＯ₂ ターゲットを
用いスパッタ法により１２ｍＴｏｒｒのアルゴン雰囲気
中でＳｉＯ₂ 膜を堆積した。シリコン板２４をマスクと
することで、弾性支持梁部２３以外への膜堆積はない。
ＳｉＯ₂ 膜の堆積速度は２５０Å／分であり、３０００
Å堆積した。なお、ここで図示した態様においては、バ
ネ定数調整用膜２８の厚みは、重り部２２を有する弾性
支持梁２３の固有振動数を測定して所望値のずれから求
めた。

【００３８】［図４（ｃ）に示す工程］以上の様にして
膜２８を形成した加速度センサについて、所望によりＳ
ｉＯ₂膜が堆積したシリコン板２４の下面にガラス板２
６を接合することによって貫通穴１５を塞いだ。ここで
ガラス板２６としては、熱膨張係数がシリコンと近似す
るパイレックスガラスを用いた。ガラス板２６をシリコ
ン板２４に接合する方法としては陽極接合法を用いた。
この陽極接合は、約４００℃の温度に熱してパイレック
スガラス（ガラス板）２６側に負の電圧（８００Ｖ）を
印加することにより行った。

【００３９】以上述べた図４（ａ）〜（ｃ）のプロセス
によって、図３に示した加速度センサが得られた。この
シリコン基体２１はｎ型の５００μｍ厚みである。本実
施例により得た加速度センサは、ｐｎ接合によるエッチ
ストップ技術を用いて形成したｎ型拡散層からなる弾性
支持梁を持つシリコン基板を用いて作製する加速度セン
サと同一の加速度に対する感度を有するものとなってい
た。すなわち、弾性支持梁形成の際に生じる梁２３の厚
み誤差が存在していても、バネ定数調整用膜２８を設け
ることでこれを調製し、均一かつ精密な加速度センサと
なる。

【００４０】また本実施例では、弾性支持梁のバネ定数
の調整のために膜形成を行ったが、所望により膜の代わ
りに溝を形成してもよい。

【００４１】＜実施例３＞先に図７に示した角加速度センサ主要部と同様のものを
作製した。すなわち、長方形の平板状の重りが、枠状の
シリコン基体の内側に重りの２つの長辺のそれぞれの中
点で弾性支持梁を介して支持されている。重りと弾性支
持梁と枠状基体は、シリコン基材から異方性エッチング
により一体形成されており、弾性支持梁の厚みは、実施
例１と同様の電解エッチングを用いることにより膜厚制
御されている。用いたシリコン基材は５００ｍ厚みであ
る。

【００４２】図５は、この様な部材を電極付ガラス板で
挟んだ構成を示す断面図である。本実施例においては、
枠状シリコン基体３１の上下にガラス板３６が接着して
ある。ガラス板３６には、重り３２と面合わせする部分
がわずかにエッチングしてあり、ガラス板３６および重
り３２の対向する面には電極３９，３９’が形成されて
いる。角加速度の検出方法としては対向する電極３９の
間隔変化に対応する静電容量変化を検出することにより
検出する。また、下側のガラス板３６には貫通穴３５が
形成されており、貫通穴３５を通じて重り３２の片側の
下面の一部に質量調整用膜３７が形成してある。弾性支
持梁３３は、重りの対称となる位置から３μｍ、電極３
９側にずらして形成してある。以下、具体的に実施した
点を工程順に示す。

【００４３】ガラス板３６の貫通穴３５はレーザー加
工、サンドブラスト、水酸化カリウム溶液中での電解放
電加工（S. Shoji, Technical Digest of the 9th Sens
or Symposium, 1990, pp27-30 ）等の方法で形成でき
る。基体３１と両ガラス板３６の接着は陽極接合法によ
り行った。ガラス板３６としてはシリコンと熱膨張係数
の近似したパイレックスガラスを用いた。この時の陽極
接合の温度は４００℃であり、電圧は３００Ｖとした。
この様にして形成した角加速度センサ（膜未形成）にお
いては上下の電極３９の静電容量と電極３９’との静電
容量に差が生じていた。これは、弾性支持梁の位置をず
らしたことにより重りの重心位置と梁による支持の位置
がずれた為に起きたものである。

【００４４】次に、貫通穴３５を通じて重り３２の片側
の下面に、真空蒸着法の１つである電子ビーム蒸着法に
よりアルミニウム（Ａ１）を５μｍ堆積し、これを質量
調整用膜３７とした。なお、貫通穴３５を有するガラス
板３６をマスクとすることで重り３２の片側以外への膜
堆積をなくした。これにより、上記静電容量の差は改善
され、重りの中点と弾性支持梁の配置をフォトリソグラ
フィでのアライメント精度範囲となる０．５μｍに一致
させた際の静電容量差と同等の値となった。

【００４５】本実施例の様な角加速度センサによれば、
質量調整用膜の厚みを調整することによりフォトリソグ
ラフィに伴うアライメント精度誤差の大小に係らず、高
精度に重りの質量を調整することが可能となる。

【００４６】本実施例においてはガラス板３６の片側の
みに貫通穴３５を設け、重りの片側に質量調整用膜を形
成したが、ガラス板に貫通穴を２個設けることで重りの
左右に個別に質量調整用膜を形成してもよい。

【００４７】また、本実施例では重りの質量を調整する
為の質量調整用膜３７としてアルミニウムを電子ビーム
蒸着法で堆積したが、薄膜作製技術で薄膜形成できる材
料であれば半導体、セラミックス、アルミニウム以外の
他の金属を堆積することができる。主な薄膜作製方法と
しては、抵抗加熱、電子ビーム等を用いた真空蒸着法、
スパッタ法、減圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤ等のＣＶＤ法
を用いても良い。ここで示した膜堆積方法は、弾性支持
梁のバネ定数調整用膜に用いてもよいことは言うまでも
無い。

【００４８】また本実施例では、重りの質量調整の為の
膜を形成したが、その代わりに実施例１と同様にして溝
を形成してもよい。

【００４９】

【００５０】

【００５１】

【００５２】

【００５３】

【００５４】

【００５５】

【００５６】

【００５７】

【００５８】

【００５９】

【００６０】

【００６１】

【００６２】

【００６３】

【００６４】

【００６５】

【００６６】

【００６７】以上、各実施例に示した加速度センサは、
更に所定の電極、検出回路など組み込んで、シリコンよ
りなる半導体（角）加速度センサとして非常に有用なも
のとなる。

【００６８】

【発明の効果】以上説明した本発明の加速度センサ（角
加速度センサも含む）は、重りまたは弾性支持梁の一部
に溝または膜を形成したことにより、小型かつ簡素な構
成で機械的特性が均一で、加速度または角加速度を直接
に精度良く検出することができる。また、貫通穴を通し
たエッチングや成膜による製造法によれば簡易にこの加
速度センサを製造することができる。

【００６９】

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の加速度センサを示す断面図である。

【図２】実施例１の加速度センサを製造する方法を示す
断面図である。

【図３】実施例２の加速度センサを示す断面図である。

【図４】実施例２の加速度センサを製造する方法を示す
断面図である。

【図５】実施例３の角加速度センサを示す断面図であ
る。

【図６】従来の加速度センサの一例を示す斜視図であ
る。

【図７】従来の角加速度センサの主要部の一例を示す斜
視図である。

【図８】従来の角加速度センサの構成の一例を示す分解
斜視図である。

【符号の説明】

１１，２１，３１シリコン基体１２，２２，３２重り１３，２３，３３弾性支持梁１４，２４，シリコン板１５，２５，３５貫通穴１６，２６，３６ガラス板１７質量調整用溝３７質量調整用膜２８バネ定数調製用膜３９，３９' 電極１０１シリコン基板１０２重り１０３弾性支持梁１０４，１０５電極１０６検出回路１１１枠状シリコン基体１１２重り１１３弾性支持梁１１４角加速度検値方向１１５ガラス基板１１６溝１１７電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平４−166770（ＪＰ，Ａ) 特開平４−13972（ＪＰ，Ａ) 特開平４−181781（ＪＰ，Ａ) 特開平２−293669（ＪＰ，Ａ) 特開平３−255369（ＪＰ，Ａ) 特開平３−23676（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01P 15/00 - 15/125 H01L 29/84 H01L 21/3063

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基体（１１）と、重り（１２）と、該重
りを該基体に支持する弾性支持梁（１３）とが一体のシ
リコン基材から形成されてなる加速度センサであって、
該重り（１２）に該重りの質量を調整する為の溝（１
７）または膜を設け、且つ、該基体（１１，２１）の溝
または膜側の面に、貫通穴（１５，２５）を有する部材
（１４，２４）を、該溝または膜と対応する位置に該貫
通穴が位置するよう接合したことを特徴とする加速度セ
ンサ。
【請求項２】基体（２１）と、重り（２２）と、該重
りを該基体に支持する弾性支持梁（２３）とが一体のシ
リコン基材から形成されてなる加速度センサであって、
該弾性支持梁（２３）に該弾性支持梁のバネ定数を調整
する為の溝または膜（２８）を設け、且つ、該基体（１
１，２１）の溝または膜側の面に、貫通穴（１５，２
５）を有する部材（１４，２４）を、該溝または膜と対
応する位置に該貫通穴が位置するよう接合したことを特
徴とする加速度センサ。
【請求項３】請求項１又は２記載の加速度センサを製
造するための方法であって、部材の貫通穴（１５，２
５）を通して該重りまたは該弾性支持梁を気相エッチン
グして溝を形成する工程を有する加速度センサの製造方
法。
【請求項４】請求項１又は２記載の加速度センサを製
造するための方法であって、部材の貫通穴（１５，２
５）を通して該重りまたは該弾性支持梁上に該膜を成膜
する工程を有する加速度センサの製造方法。