JP3234399B2 - Ｍｏｓドライブ回路 - Google Patents
Ｍｏｓドライブ回路Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はゲーム機器や各種電気
機器のプリンタやディスプレイに使用される複数の電流
駆動型素子を並列接続した発光または表示アレイを駆動
するＭＯＳドライブ回路に関するものである。
機器のプリンタやディスプレイに使用される複数の電流
駆動型素子を並列接続した発光または表示アレイを駆動
するＭＯＳドライブ回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来のＭＯＳドライブ回路を示す
回路図であり、図５において、１1 〜１n は発光または
表示アレイを構成する並列接続された複数の電流駆動型
素子であり、図示例は電流駆動型素子としてＬＥＤ素子
を使用している。２1 〜２n はＬＥＤ素子１1 〜１n と
直列に接続され該ＬＥＤ素子に駆動電流を供給するＭＯ
Ｓ素子としての出力段トランジスタ、３1 〜３n は各出
力段トランジスタ２1 〜２n のソース端子とゲート端子
間に接続されたスイッチング用トランジスタ、Ｒ１、Ｒ
２は直列に接続し分圧点Ｂより分圧電圧を給電する電圧
源としての分圧抵抗、４1 〜４n は各出力段トランジス
タ２1 〜２n のゲートＡと電圧源の出力分圧点Ｂとの接
続路に設けたスイッチング回路、５はマイコン（図示せ
ず）からのデータ入力信号ＤＩＮに基づいて、スイッチ
ング用トランジスタ３1 〜３n とスイッチング回路４1
〜４n のＯＮ、ＯＦＦを制御するコントローラである。
回路図であり、図５において、１1 〜１n は発光または
表示アレイを構成する並列接続された複数の電流駆動型
素子であり、図示例は電流駆動型素子としてＬＥＤ素子
を使用している。２1 〜２n はＬＥＤ素子１1 〜１n と
直列に接続され該ＬＥＤ素子に駆動電流を供給するＭＯ
Ｓ素子としての出力段トランジスタ、３1 〜３n は各出
力段トランジスタ２1 〜２n のソース端子とゲート端子
間に接続されたスイッチング用トランジスタ、Ｒ１、Ｒ
２は直列に接続し分圧点Ｂより分圧電圧を給電する電圧
源としての分圧抵抗、４1 〜４n は各出力段トランジス
タ２1 〜２n のゲートＡと電圧源の出力分圧点Ｂとの接
続路に設けたスイッチング回路、５はマイコン（図示せ
ず）からのデータ入力信号ＤＩＮに基づいて、スイッチ
ング用トランジスタ３1 〜３n とスイッチング回路４1
〜４n のＯＮ、ＯＦＦを制御するコントローラである。
【０００３】次に動作について説明する。いま、スイッ
チング用トランジスタ３1 〜３n が導通し、出力段トラ
ンジスタ２1 〜２n がそのゲートに印加される電源電圧
Ｖｃｃ例えば５Ｖで不導通のとき、コントローラ５がデ
ータ入力信号ＤＩＮに基づく出力信号で例えばスイッチ
ング回路４1 をＯＮにすると、分圧点Ｂの分圧電圧例え
ば３Ｖが出力段トランジスタ２1 のゲートＡに供給され
る。このとき同時にコントローラ５の出力信号がスイッ
チング用トランジスタ３1 を不導通にするので、出力段
トランジスタ２1 のゲートに印加されていた電源電圧Ｖ
ｃｃがなくなり、分圧電圧のみが印加され、出力段トラ
ンジスタ２1 が導通することになる。この出力段トラン
ジスタ２1 が導通すると、ＬＥＤ素子１1 に駆動電流を
供給され該ＬＥＤ素子を点灯させる。
チング用トランジスタ３1 〜３n が導通し、出力段トラ
ンジスタ２1 〜２n がそのゲートに印加される電源電圧
Ｖｃｃ例えば５Ｖで不導通のとき、コントローラ５がデ
ータ入力信号ＤＩＮに基づく出力信号で例えばスイッチ
ング回路４1 をＯＮにすると、分圧点Ｂの分圧電圧例え
ば３Ｖが出力段トランジスタ２1 のゲートＡに供給され
る。このとき同時にコントローラ５の出力信号がスイッ
チング用トランジスタ３1 を不導通にするので、出力段
トランジスタ２1 のゲートに印加されていた電源電圧Ｖ
ｃｃがなくなり、分圧電圧のみが印加され、出力段トラ
ンジスタ２1 が導通することになる。この出力段トラン
ジスタ２1 が導通すると、ＬＥＤ素子１1 に駆動電流を
供給され該ＬＥＤ素子を点灯させる。
【０００４】そして、ＬＥＤ素子１1 が点灯していると
き、コントローラ５からの出力信号でスイッチング用ト
ランジスタ３1 を導通させると、出力段トランジスタ２
1 はそのゲートＡの印加電圧が電源電圧Ｖｃｃに上昇し
て該出力段トランジスタの導通スレッショルド電圧例え
ば４Ｖを越えるため不導通となる。このように、データ
入力信号ＤＩＮに基づくコントローラ５の出力信号で複
数の出力段トランジスタ２1 〜２n をＯＮ、ＯＦＦ制御
して、ＬＥＤ素子１1 〜１n の点灯、消灯を制御するも
のである。
き、コントローラ５からの出力信号でスイッチング用ト
ランジスタ３1 を導通させると、出力段トランジスタ２
1 はそのゲートＡの印加電圧が電源電圧Ｖｃｃに上昇し
て該出力段トランジスタの導通スレッショルド電圧例え
ば４Ｖを越えるため不導通となる。このように、データ
入力信号ＤＩＮに基づくコントローラ５の出力信号で複
数の出力段トランジスタ２1 〜２n をＯＮ、ＯＦＦ制御
して、ＬＥＤ素子１1 〜１n の点灯、消灯を制御するも
のである。
【０００５】上記出力段トランジスタ２1 〜２n は図６
に示すように、ゲートの印加電圧が電源電圧Ｖｃｃ（５
Ｖ）から、導通スレッショルド電圧（４Ｖ）より下り分
圧点Ｂからの分圧電圧例えば３Ｖに低下することによっ
てＯＦＦ状態からＯＮ状態になる。この場合、２Ｖの電
圧変化に要する時間τは、電圧源の内部インピーダン
ス、つまり分圧点Ｂの抵抗Ｒと出力段トランジスタ２1
〜２n の全体の内部容量Ｃとの積によって決まる。
に示すように、ゲートの印加電圧が電源電圧Ｖｃｃ（５
Ｖ）から、導通スレッショルド電圧（４Ｖ）より下り分
圧点Ｂからの分圧電圧例えば３Ｖに低下することによっ
てＯＦＦ状態からＯＮ状態になる。この場合、２Ｖの電
圧変化に要する時間τは、電圧源の内部インピーダン
ス、つまり分圧点Ｂの抵抗Ｒと出力段トランジスタ２1
〜２n の全体の内部容量Ｃとの積によって決まる。
【０００６】出力段トランジスタ自体の内部容量は例え
ば３ｐＦ程度であるが、通常、１００個程度の出力段ト
ランジスタ２1 〜２n を並列接続してＭＯＳアレイを構
成しているため、全体の内部容量Ｃは３００ｐＦとな
る。また、分圧点Ｂの抵抗Ｒは数ｋΩであり、例えば２
ｋΩとすると、出力段トランジスタ２1 〜２n がＯＦＦ
からＯＮに移行するための電圧変化に要する時間τはτ
＝２×１０3 ×３００×１０-12 ＝６００ｎｓｅｃとな
る。
ば３ｐＦ程度であるが、通常、１００個程度の出力段ト
ランジスタ２1 〜２n を並列接続してＭＯＳアレイを構
成しているため、全体の内部容量Ｃは３００ｐＦとな
る。また、分圧点Ｂの抵抗Ｒは数ｋΩであり、例えば２
ｋΩとすると、出力段トランジスタ２1 〜２n がＯＦＦ
からＯＮに移行するための電圧変化に要する時間τはτ
＝２×１０3 ×３００×１０-12 ＝６００ｎｓｅｃとな
る。
【０００７】この時間τ＝６００ｎｓｅｃは、プリンタ
の発光素子を駆動する場合には特に問題はないが、例え
ばゲーム機器の発光又は表示アレイを駆動する場合には
遅いという問題が生じた。図７は出力段トランジスタ２
1 （〜２n ）がＯＦＦ状態からＯＮ状態に移行する動作
をシミュレーションして示す図であり、図７において、
曲線ａは出力段トランジスタ２1 （〜２n ）のベ−ス端
子の電圧変化、曲線ｂはＬＥＤ素子１1 （〜１n ）の駆
動電流変化、つまり輝度変化を示している。
の発光素子を駆動する場合には特に問題はないが、例え
ばゲーム機器の発光又は表示アレイを駆動する場合には
遅いという問題が生じた。図７は出力段トランジスタ２
1 （〜２n ）がＯＦＦ状態からＯＮ状態に移行する動作
をシミュレーションして示す図であり、図７において、
曲線ａは出力段トランジスタ２1 （〜２n ）のベ−ス端
子の電圧変化、曲線ｂはＬＥＤ素子１1 （〜１n ）の駆
動電流変化、つまり輝度変化を示している。
【０００８】なお、出力段トランジスタ２1 〜２n がＯ
Ｎ状態からＯＦＦ状態になる場合は、ベース端子の印加
電圧が３Ｖから５Ｖに変化すればよく、その電圧変化に
は出力段トランジスタ自体の容量（３ｐＦ）だけが影響
するだけである。従って、電圧変化に要する時間が短
く、迅速にＯＮ状態からＯＦＦ状態に移行するので特に
問題はない。
Ｎ状態からＯＦＦ状態になる場合は、ベース端子の印加
電圧が３Ｖから５Ｖに変化すればよく、その電圧変化に
は出力段トランジスタ自体の容量（３ｐＦ）だけが影響
するだけである。従って、電圧変化に要する時間が短
く、迅速にＯＮ状態からＯＦＦ状態に移行するので特に
問題はない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のＭＯＳドライブ
回路は以上のように構成されているので、ＭＯＳ素子の
ＯＦＦ状態からＯＮ状態への動作時間が遅く、迅速な動
作が要求されるゲーム機器の発光又は表示アレイを駆動
するには不適当であるという問題点があった。
回路は以上のように構成されているので、ＭＯＳ素子の
ＯＦＦ状態からＯＮ状態への動作時間が遅く、迅速な動
作が要求されるゲーム機器の発光又は表示アレイを駆動
するには不適当であるという問題点があった。
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ことを課題になされたもので、ＭＯＳ素子のＯＦＦ状態
からＯＮ状態への動作の高速化を図ることを目的とす
る。
ことを課題になされたもので、ＭＯＳ素子のＯＦＦ状態
からＯＮ状態への動作の高速化を図ることを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
るＭＯＳドライブ回路は、複数のＭＯＳ素子が並列接続
され前記各電流駆動型素子に駆動電流を供給するＭＯＳ
アレイと、前記各ＭＯＳ素子のそれぞれに対応して別個
独立に設けられコントローラからの出力信号によってＭ
ＯＳ素子への制御電圧の供給路を開閉する複数のスイッ
チング回路と、出力端子に前記複数のスイッチング回路
が直接接続されるオペアンプと、前記オペアンプおよび
各スイッチング回路を介して各ＭＯＳ素子に制御電圧を
供給する電圧源と、を具備したものである。
るＭＯＳドライブ回路は、複数のＭＯＳ素子が並列接続
され前記各電流駆動型素子に駆動電流を供給するＭＯＳ
アレイと、前記各ＭＯＳ素子のそれぞれに対応して別個
独立に設けられコントローラからの出力信号によってＭ
ＯＳ素子への制御電圧の供給路を開閉する複数のスイッ
チング回路と、出力端子に前記複数のスイッチング回路
が直接接続されるオペアンプと、前記オペアンプおよび
各スイッチング回路を介して各ＭＯＳ素子に制御電圧を
供給する電圧源と、を具備したものである。
【００１２】請求項２記載の発明に係るＭＯＳドライブ
回路は、前記オペアンプの出力端子と接地間に電流能力
増加用コンデンサを接続したものである。
回路は、前記オペアンプの出力端子と接地間に電流能力
増加用コンデンサを接続したものである。
【００１３】請求項３記載の発明に係るＭＯＳドライブ
回路は、前記発光又は表示アレイ素子を、複数のＬＥＤ
素子を並列接続したＬＥＤ発光回路としたものである。
回路は、前記発光又は表示アレイ素子を、複数のＬＥＤ
素子を並列接続したＬＥＤ発光回路としたものである。
【００１４】
【作用】請求項１記載の発明におけるオペアンプの出力
インピーダンスは該オペアンプのオープンループゲイン
分の１となって数１０Ωとなる。このため、この出力イ
ンピーダンスと出力段トランジスタの内部容量とで決ま
る該出力段トランジスタのＯＮ時間、つまりＯＦＦ状態
からＯＮ状態に至る時間τ（＝ＲＣ）が短くなり、高速
化を実現できる。
インピーダンスは該オペアンプのオープンループゲイン
分の１となって数１０Ωとなる。このため、この出力イ
ンピーダンスと出力段トランジスタの内部容量とで決ま
る該出力段トランジスタのＯＮ時間、つまりＯＦＦ状態
からＯＮ状態に至る時間τ（＝ＲＣ）が短くなり、高速
化を実現できる。
【００１５】請求項２記載の発明における電流能力増加
用コンデンサは、出力段トランジスタのＯＮ動作時にお
けるオペアンプの瞬時の電流能力をアップすることによ
り、複数の出力段トランジスタで構成されたＭＯＳアレ
イのＯＦＦ状態からＯＮ状態への高速動作をより確実に
実現することができる。
用コンデンサは、出力段トランジスタのＯＮ動作時にお
けるオペアンプの瞬時の電流能力をアップすることによ
り、複数の出力段トランジスタで構成されたＭＯＳアレ
イのＯＦＦ状態からＯＮ状態への高速動作をより確実に
実現することができる。
【００１６】請求項３記載の発明におけるＭＯＳドライ
ブ回路は、発光又は表示アレイとして、複数のＬＥＤ素
子を並列接続してＬＥＤ発光回路を構成したもので、Ｌ
ＥＤ発光回路の点滅が迅速、かつ確実に行われ、表示効
果が向上する。
ブ回路は、発光又は表示アレイとして、複数のＬＥＤ素
子を並列接続してＬＥＤ発光回路を構成したもので、Ｌ
ＥＤ発光回路の点滅が迅速、かつ確実に行われ、表示効
果が向上する。
【００１７】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面について説明
する。図１はこの発明によるＭＯＳドライブ回路を示す
回路図であり、前記図５に示す従来回路と同一部分には
同一符号を付して重複説明を省略する。図１において、
６はオペアンプであり、このオペアンプ６はその非反転
入力端子を分圧抵抗Ｒ１、Ｒ２の分圧点Ｂに接続し、出
力端子をスイッチング回路４1 〜４n に接続するととも
に該出力端子と反転入力端子とを接続して全帰還型オペ
アンプを構成している。７はオペアンプ６の出力端子と
アースＥ間に接続した電流能力増加用コンデンサであ
る。
する。図１はこの発明によるＭＯＳドライブ回路を示す
回路図であり、前記図５に示す従来回路と同一部分には
同一符号を付して重複説明を省略する。図１において、
６はオペアンプであり、このオペアンプ６はその非反転
入力端子を分圧抵抗Ｒ１、Ｒ２の分圧点Ｂに接続し、出
力端子をスイッチング回路４1 〜４n に接続するととも
に該出力端子と反転入力端子とを接続して全帰還型オペ
アンプを構成している。７はオペアンプ６の出力端子と
アースＥ間に接続した電流能力増加用コンデンサであ
る。
【００１８】図２は上記オペアンプ６の具体的構成を示
す回路図であり、差動回路６１、この差動回路６１に均
等に電流を流す定電流源を形成するカレントミラー回路
６２、出力段トランジスタ６４に電流を供給する電流源
トランジスタ６３、発振防止コンデンサ６５、各部に電
流を流す安定電流源を形成するカレントミラ−回路６６
とで構成されている。図示例はＮチャンネルトランジス
タベ−スの全帰還型オペアンプを示しているがＰチャン
ネルトランジスタの全帰還型オペアンプであってもよ
い。
す回路図であり、差動回路６１、この差動回路６１に均
等に電流を流す定電流源を形成するカレントミラー回路
６２、出力段トランジスタ６４に電流を供給する電流源
トランジスタ６３、発振防止コンデンサ６５、各部に電
流を流す安定電流源を形成するカレントミラ−回路６６
とで構成されている。図示例はＮチャンネルトランジス
タベ−スの全帰還型オペアンプを示しているがＰチャン
ネルトランジスタの全帰還型オペアンプであってもよ
い。
【００１９】次に図１の動作について説明する。オペア
ンプ６の働きによって、出力段トランジスタのゲートＡ
に作用する出力抵抗は数１０Ωとなる。このため、この
出力抵抗Ｒと各出力段トランジスタ２1 〜２n 全体の内
部容量Ｃとで決まる該出力段トランジスタのＯＦＦ状態
からＯＮ状態への動作時間τ＝ＲＣは２０×３×１０
-12 ＝６ｎｓｅｃとなり、前記従来例６００ｎｓｅｃに
比べて１／１００も短くなり、複数の出力段トランジス
タ２1 〜２n で構成されたＭＯＳアレイのＯＦＦ状態か
らＯＮ状態への動作時間の高速化を実現できる。
ンプ６の働きによって、出力段トランジスタのゲートＡ
に作用する出力抵抗は数１０Ωとなる。このため、この
出力抵抗Ｒと各出力段トランジスタ２1 〜２n 全体の内
部容量Ｃとで決まる該出力段トランジスタのＯＦＦ状態
からＯＮ状態への動作時間τ＝ＲＣは２０×３×１０
-12 ＝６ｎｓｅｃとなり、前記従来例６００ｎｓｅｃに
比べて１／１００も短くなり、複数の出力段トランジス
タ２1 〜２n で構成されたＭＯＳアレイのＯＦＦ状態か
らＯＮ状態への動作時間の高速化を実現できる。
【００２０】一方、発光又は表示アレイとしてのＬＥＤ
素子の輝度を高めるためには、出力段トランジスタとし
て電流能力の大きなものを使用して、ＬＥＤ素子に十分
な駆動電流を供給することが必要であるが、電流能力を
大きくすると、出力段トランジスタの内部容量も大きく
なってτ＝ＲＣにより決まるＯＦＦ状態からＯＮ状態へ
の動作時間も長くなる。
素子の輝度を高めるためには、出力段トランジスタとし
て電流能力の大きなものを使用して、ＬＥＤ素子に十分
な駆動電流を供給することが必要であるが、電流能力を
大きくすると、出力段トランジスタの内部容量も大きく
なってτ＝ＲＣにより決まるＯＦＦ状態からＯＮ状態へ
の動作時間も長くなる。
【００２１】しかも、通常、ＩＣ内蔵のオペアンプ６の
電流能力は１０ｍＡ程度であり、電流容量が不足する
と、出力電圧が上がり、これによっても上記動作時間は
長くなる。
電流能力は１０ｍＡ程度であり、電流容量が不足する
と、出力電圧が上がり、これによっても上記動作時間は
長くなる。
【００２２】例えば出力段トランジスタ２1 〜２n のベ
ース端子電圧を５Ｖから３Ｖに低下させる時間、つまり
出力段トランジスタがＯＦＦ状態からＯＮ状態になるに
要する時間τは
ース端子電圧を５Ｖから３Ｖに低下させる時間、つまり
出力段トランジスタがＯＦＦ状態からＯＮ状態になるに
要する時間τは
【数１】 となり、図３のａに示すように、時間τは従来の６００
ｎｓｅｃ（図３中の点線示）より１０倍早くなるが、前
記１００倍の早さは得られない。
ｎｓｅｃ（図３中の点線示）より１０倍早くなるが、前
記１００倍の早さは得られない。
【００２３】そこで、オペアンプ６の電流能力を補うた
めに該オペアンプの出力端子とアースＥ間に外付けで電
流能力増加用コンデンサ７を接続して、このコンデンサ
７の充電電荷Ｑ＝ＣＶによって、オペアンプ６のみでは
不足する出力段トランジスタ２1 〜２n のＯＦＦ状態か
らＯＮ状態への動作時における瞬時の電流能力をアップ
して、出力段トランジスタ２1 〜２n 動作時間の高速化
を確実にする。
めに該オペアンプの出力端子とアースＥ間に外付けで電
流能力増加用コンデンサ７を接続して、このコンデンサ
７の充電電荷Ｑ＝ＣＶによって、オペアンプ６のみでは
不足する出力段トランジスタ２1 〜２n のＯＦＦ状態か
らＯＮ状態への動作時における瞬時の電流能力をアップ
して、出力段トランジスタ２1 〜２n 動作時間の高速化
を確実にする。
【００２４】いま、上記時間τを６ｎｓｅｃとするため
に１００ｍＡの電流能力を必要とするとき、電流能力１
０ｍＡのオペアンプ６に０．０１μＦの電流能力増加用
コンデンサ７を接続すると、この電流能力増加用コンデ
ンサ７の電荷ＱはＱ＝ＣＶであるから
に１００ｍＡの電流能力を必要とするとき、電流能力１
０ｍＡのオペアンプ６に０．０１μＦの電流能力増加用
コンデンサ７を接続すると、この電流能力増加用コンデ
ンサ７の電荷ＱはＱ＝ＣＶであるから
【数２】 となり、出力トランジスタのゲート電圧は５４（ｍＶ）
しか変化せず、きわめて安定に出力段トランジスタ２1
〜２n のＯＦＦ状態がＯＮ状態への動作時間τを図３に
示す６ｎｓｅｃとすることができる。
しか変化せず、きわめて安定に出力段トランジスタ２1
〜２n のＯＦＦ状態がＯＮ状態への動作時間τを図３に
示す６ｎｓｅｃとすることができる。
【００２５】図４はオペアンプ６のみを接続した出力段
トランジスタ２1 （〜２n ）がＯＦＦ状態からＯＮ状態
に移行する動作をシミュレーションして示す図であり、
図４において、曲線ａは出力段トランジスタ２1 （〜２
n ）のゲート端子の電圧変化、曲線ｂはＬＥＤ素子１1
（〜１n ）の駆動電流変化、つまり輝度変化を示してい
る。
トランジスタ２1 （〜２n ）がＯＦＦ状態からＯＮ状態
に移行する動作をシミュレーションして示す図であり、
図４において、曲線ａは出力段トランジスタ２1 （〜２
n ）のゲート端子の電圧変化、曲線ｂはＬＥＤ素子１1
（〜１n ）の駆動電流変化、つまり輝度変化を示してい
る。
【００２６】そして、上記のようにオペアンプ６の出力
端子とアース間に電流能力増加用コンデンサ７を接続す
ると、図４の曲線ａ、ｂはより急峻となる。
端子とアース間に電流能力増加用コンデンサ７を接続す
ると、図４の曲線ａ、ｂはより急峻となる。
【００２７】また、出力段トランジスタ２1 〜２n で駆
動電流を供給する発光、又は表示アレイとして、複数の
ＬＥＤ素子を並列接続してＬＥＤ発光回路を構成するこ
とにより、ＬＥＤ発光回路の点滅が迅速、かつ確実に行
われ、表示効果が向上する。この結果、プリンタにおけ
る感熱紙などの加熱装置、各種電気機器のディスプレイ
装置を高感度に構成することができる。
動電流を供給する発光、又は表示アレイとして、複数の
ＬＥＤ素子を並列接続してＬＥＤ発光回路を構成するこ
とにより、ＬＥＤ発光回路の点滅が迅速、かつ確実に行
われ、表示効果が向上する。この結果、プリンタにおけ
る感熱紙などの加熱装置、各種電気機器のディスプレイ
装置を高感度に構成することができる。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、オペアンプによって電流駆動型素子に作用する出
力インピーダンスを小さくするように構成したので、複
数のＭＯＳ素子で構成されたＭＯＳアレイのＯＦＦ状態
からＯＮ状態への動作時間を短くし、高速化を図ること
ができる。
れば、オペアンプによって電流駆動型素子に作用する出
力インピーダンスを小さくするように構成したので、複
数のＭＯＳ素子で構成されたＭＯＳアレイのＯＦＦ状態
からＯＮ状態への動作時間を短くし、高速化を図ること
ができる。
【００２９】請求項２記載の発明によれば、オペアンプ
の出力端子に電流能力増加用コンデンサを接続し、オペ
アンプによる電流能力の不足を補うように構成したの
で、ＭＯＳ素子の容量を大きくしたり、電流駆動型素子
に供給印加する制御電圧を高くすることなく、ＭＯＳア
レイのＯＦＦ状態からＯＮ状態への動作時間を確実に高
速化することができる。
の出力端子に電流能力増加用コンデンサを接続し、オペ
アンプによる電流能力の不足を補うように構成したの
で、ＭＯＳ素子の容量を大きくしたり、電流駆動型素子
に供給印加する制御電圧を高くすることなく、ＭＯＳア
レイのＯＦＦ状態からＯＮ状態への動作時間を確実に高
速化することができる。
【００３０】請求項３記載の発明によれば、複数の電流
駆動型素子を並列接続した発光または表示アレイとし
て、複数のＬＥＤ素子でＬＥＤ発光回路を構成したの
で、このＬＥＤ発光回路の点滅が高速に行われ、このＬ
ＥＤ発光回路を用いた加熱装置、ディスプレイ装置等を
高感度に構成することができる。
駆動型素子を並列接続した発光または表示アレイとし
て、複数のＬＥＤ素子でＬＥＤ発光回路を構成したの
で、このＬＥＤ発光回路の点滅が高速に行われ、このＬ
ＥＤ発光回路を用いた加熱装置、ディスプレイ装置等を
高感度に構成することができる。
【図１】この発明の実施例によるＭＯＳドライブ回路の
構成を示す構成図である。
構成を示す構成図である。
【図２】図１の実施例に適用されているオペアンプの回
路構成を示すブロック図である。
路構成を示すブロック図である。
【図３】この発明のＭＯＳドライブ回路を構成する出力
段トランジスタのＯＦＦ状態からＯＮ状態への動作速度
を示す特性図である。
段トランジスタのＯＦＦ状態からＯＮ状態への動作速度
を示す特性図である。
【図４】図３の特性図をシミュレーションして示す拡大
図である。
図である。
【図５】従来のＭＯＳドライブ回路の構成図である。
【図６】従来のＭＯＳドライブ回路における出力段トラ
ンジスタのＯＦＦ状態からＯＮ状態への動作速度を示す
特性図である。
ンジスタのＯＦＦ状態からＯＮ状態への動作速度を示す
特性図である。
【図７】図６の特性図をシミュレーションして示す拡大
図である。
図である。
１1 〜１n ＬＥＤ素子（電流駆動型素子） ２1 〜２n 出力段トランジスタ（ＭＯＳ素子） ４1 〜４n スイッチング回路 ６ オペアンプ Ｒ１、Ｒ２ 分圧抵抗（電圧源）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−255720（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−19419（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−265406（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−262321（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03K 17/00 - 17/70 G09G 3/00 - 3/36
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の電流駆動型素子を並列接続した発
光又は表示アレイを駆動するＭＯＳドライブ回路におい
て、 複数のＭＯＳ素子が並列接続され前記各電流駆動型素子
に駆動電流を供給するＭＯＳアレイと、 前記各ＭＯＳ素子のそれぞれに対応して別個独立に設け
られコントローラからの出力信号によってＭＯＳ素子へ
の制御電圧の供給路を開閉する複数のスイッチング回路
と、出力端子に前記複数のスイッチング回路が直接接続され
るオペアンプと、 前記オペアンプおよび各スイッチング回路を介して各Ｍ
ＯＳ素子に制御電圧を供給する電圧源と 、 を具備したことを特徴とするＭＯＳドライブ回路。 - 【請求項２】 前記オペアンプの出力端子と接地間に電
流能力増加用コンデンサを接続したことを特徴とする請
求項１記載のＭＯＳドライブ回路。 - 【請求項３】 前記発光又は表示アレイが複数のＬＥＤ
素子を並列接続したＬＥＤ発光回路であることを特徴と
する請求項１または請求項２記載のＭＯＳドライブ回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11688694A JP3234399B2 (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | Ｍｏｓドライブ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11688694A JP3234399B2 (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | Ｍｏｓドライブ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321623A JPH07321623A (ja) | 1995-12-08 |
| JP3234399B2 true JP3234399B2 (ja) | 2001-12-04 |
Family
ID=14698079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11688694A Expired - Fee Related JP3234399B2 (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | Ｍｏｓドライブ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3234399B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
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| JP4429213B2 (ja) | 2005-06-03 | 2010-03-10 | ローム株式会社 | 駆動回路およびそれを備えた携帯情報端末 |
| JP5926120B2 (ja) * | 2012-05-29 | 2016-05-25 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 定電流出力ドライバ及びこれを含む半導体装置 |
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-
1994
- 1994-05-30 JP JP11688694A patent/JP3234399B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH07321623A (ja) | 1995-12-08 |
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