JP3234399B2 - MOS drive circuit - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明はゲーム機器や各種電気
機器のプリンタやディスプレイに使用される複数の電流
駆動型素子を並列接続した発光または表示アレイを駆動
するＭＯＳドライブ回路に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a MOS drive circuit for driving a light-emitting or display array in which a plurality of current-driven elements used in printers and displays of game machines and various electric machines are connected in parallel.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５は従来のＭＯＳドライブ回路を示す
回路図であり、図５において、１1 〜１n は発光または
表示アレイを構成する並列接続された複数の電流駆動型
素子であり、図示例は電流駆動型素子としてＬＥＤ素子
を使用している。２1 〜２n はＬＥＤ素子１1 〜１n と
直列に接続され該ＬＥＤ素子に駆動電流を供給するＭＯ
Ｓ素子としての出力段トランジスタ、３1 〜３n は各出
力段トランジスタ２1 〜２n のソース端子とゲート端子
間に接続されたスイッチング用トランジスタ、Ｒ１、Ｒ
２は直列に接続し分圧点Ｂより分圧電圧を給電する電圧
源としての分圧抵抗、４1 〜４n は各出力段トランジス
タ２1 〜２n のゲートＡと電圧源の出力分圧点Ｂとの接
続路に設けたスイッチング回路、５はマイコン（図示せ
ず）からのデータ入力信号ＤＩＮに基づいて、スイッチ
ング用トランジスタ３1 〜３n とスイッチング回路４1
〜４n のＯＮ、ＯＦＦを制御するコントローラである。2. Description of the Related Art FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional MOS drive circuit. In FIG. 5, reference numerals 11 to 1n denote a plurality of parallel-connected current-driven elements constituting a light emitting or display array. Use an LED element as a current-driven element. 21-1 to 2n are connected in series with the LED elements 11-1n to supply a driving current to the LED elements.
Output stage transistors 31 to 3n as S elements are switching transistors R1, R connected between the source terminal and the gate terminal of each output stage transistor 21 to 2n.
Reference numeral 2 denotes a voltage dividing resistor connected in series as a voltage source for supplying a divided voltage from the voltage dividing point B. Reference numerals 41 to 4n denote the gates of the output stage transistors 21 to 2n and the output voltage dividing point B of the voltage source. The switching circuit 5 provided on the connection path includes switching transistors 31 to 3n and a switching circuit 41 based on a data input signal DIN from a microcomputer (not shown).
4n is a controller for controlling ON and OFF.
【０００３】次に動作について説明する。いま、スイッ
チング用トランジスタ３1 〜３n が導通し、出力段トラ
ンジスタ２1 〜２n がそのゲートに印加される電源電圧
Ｖｃｃ例えば５Ｖで不導通のとき、コントローラ５がデ
ータ入力信号ＤＩＮに基づく出力信号で例えばスイッチ
ング回路４1 をＯＮにすると、分圧点Ｂの分圧電圧例え
ば３Ｖが出力段トランジスタ２1 のゲートＡに供給され
る。このとき同時にコントローラ５の出力信号がスイッ
チング用トランジスタ３1 を不導通にするので、出力段
トランジスタ２1 のゲートに印加されていた電源電圧Ｖ
ｃｃがなくなり、分圧電圧のみが印加され、出力段トラ
ンジスタ２1 が導通することになる。この出力段トラン
ジスタ２1 が導通すると、ＬＥＤ素子１1 に駆動電流を
供給され該ＬＥＤ素子を点灯させる。Next, the operation will be described. Now, when the switching transistors 31 to 3n are turned on and the output stage transistors 21 to 2n are turned off at the power supply voltage Vcc applied to the gate thereof, for example, 5 V, the controller 5 switches the output transistors 21 to 2n with an output signal based on the data input signal DIN. When the circuit 41 is turned on, the divided voltage at the dividing point B, for example, 3 V, is supplied to the gate A of the output stage transistor 21. At this time, the output signal of the controller 5 also turns off the switching transistor 31 at the same time, so that the power supply voltage V applied to the gate of the output stage transistor 21 is applied.
cc disappears, only the divided voltage is applied, and the output stage transistor 21 conducts. When the output stage transistor 21 conducts, a driving current is supplied to the LED element 11 to turn on the LED element.
【０００４】そして、ＬＥＤ素子１1 が点灯していると
き、コントローラ５からの出力信号でスイッチング用ト
ランジスタ３1 を導通させると、出力段トランジスタ２
1 はそのゲートＡの印加電圧が電源電圧Ｖｃｃに上昇し
て該出力段トランジスタの導通スレッショルド電圧例え
ば４Ｖを越えるため不導通となる。このように、データ
入力信号ＤＩＮに基づくコントローラ５の出力信号で複
数の出力段トランジスタ２1 〜２n をＯＮ、ＯＦＦ制御
して、ＬＥＤ素子１1 〜１n の点灯、消灯を制御するも
のである。When the switching transistor 31 is turned on by an output signal from the controller 5 while the LED element 11 is lit, the output stage transistor 2 is turned on.
1 is non-conductive because the voltage applied to its gate A rises to the power supply voltage Vcc and exceeds the conduction threshold voltage of the output stage transistor, for example, 4V. As described above, the output signals of the controller 5 based on the data input signal DIN are used to control ON and OFF of the plurality of output stage transistors 21 to 2n to control the lighting and extinguishing of the LED elements 11 to 1n.
【０００５】上記出力段トランジスタ２1 〜２n は図６
に示すように、ゲートの印加電圧が電源電圧Ｖｃｃ（５
Ｖ）から、導通スレッショルド電圧（４Ｖ）より下り分
圧点Ｂからの分圧電圧例えば３Ｖに低下することによっ
てＯＦＦ状態からＯＮ状態になる。この場合、２Ｖの電
圧変化に要する時間τは、電圧源の内部インピーダン
ス、つまり分圧点Ｂの抵抗Ｒと出力段トランジスタ２1
〜２n の全体の内部容量Ｃとの積によって決まる。The output stage transistors 21 to 2n are arranged as shown in FIG.
As shown in FIG. 5, the gate applied voltage is the power supply voltage Vcc (5
V), the voltage drops from the conduction threshold voltage (4 V) to the divided voltage from the voltage dividing point B, for example, 3 V, and the state changes from the OFF state to the ON state. In this case, the time τ required for the voltage change of 2 V is determined by the internal impedance of the voltage source, that is, the resistance R at the voltage dividing point B and the output transistor 21.
2n and the product of the total internal capacitance C.
【０００６】出力段トランジスタ自体の内部容量は例え
ば３ｐＦ程度であるが、通常、１００個程度の出力段ト
ランジスタ２1 〜２n を並列接続してＭＯＳアレイを構
成しているため、全体の内部容量Ｃは３００ｐＦとな
る。また、分圧点Ｂの抵抗Ｒは数ｋΩであり、例えば２
ｋΩとすると、出力段トランジスタ２1 〜２n がＯＦＦ
からＯＮに移行するための電圧変化に要する時間τはτ
＝２×１０3 ×３００×１０-12 ＝６００ｎｓｅｃとな
る。The internal capacitance of the output stage transistor itself is, for example, about 3 pF. Usually, since about 100 output stage transistors 21 to 2n are connected in parallel to form a MOS array, the total internal capacitance C is It becomes 300 pF. The resistance R at the voltage dividing point B is several kΩ, for example, 2 kΩ.
If kΩ, the output stage transistors 21 to 2n are OFF
Τ required for the voltage change to change from ON to ON is τ
= 2 × 10 3 × 300 × 10 -12 = 600 nsec.
【０００７】この時間τ＝６００ｎｓｅｃは、プリンタ
の発光素子を駆動する場合には特に問題はないが、例え
ばゲーム機器の発光又は表示アレイを駆動する場合には
遅いという問題が生じた。図７は出力段トランジスタ２
1 （〜２n ）がＯＦＦ状態からＯＮ状態に移行する動作
をシミュレーションして示す図であり、図７において、
曲線ａは出力段トランジスタ２1 （〜２n ）のベ−ス端
子の電圧変化、曲線ｂはＬＥＤ素子１1 （〜１n ）の駆
動電流変化、つまり輝度変化を示している。This time τ = 600 nsec has no particular problem when driving the light emitting element of the printer, but has a problem that it is slow, for example, when driving the light emitting or display array of a game machine. FIG. 7 shows the output stage transistor 2
FIG. 8 is a diagram showing a simulation of an operation in which 1 (〜2 n) shifts from an OFF state to an ON state.
A curve a indicates a change in the voltage of the base terminal of the output stage transistor 21 (.about.2n), and a curve b indicates a change in the drive current of the LED element 11 (.about.1n), that is, a change in luminance.
【０００８】なお、出力段トランジスタ２1 〜２n がＯ
Ｎ状態からＯＦＦ状態になる場合は、ベース端子の印加
電圧が３Ｖから５Ｖに変化すればよく、その電圧変化に
は出力段トランジスタ自体の容量（３ｐＦ）だけが影響
するだけである。従って、電圧変化に要する時間が短
く、迅速にＯＮ状態からＯＦＦ状態に移行するので特に
問題はない。Note that the output stage transistors 21 to 2n are O
When the state changes from the N state to the OFF state, the voltage applied to the base terminal may be changed from 3 V to 5 V, and the voltage change is affected only by the capacitance (3 pF) of the output stage transistor itself. Accordingly, there is no particular problem because the time required for the voltage change is short and the state quickly shifts from the ON state to the OFF state.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】従来のＭＯＳドライブ
回路は以上のように構成されているので、ＭＯＳ素子の
ＯＦＦ状態からＯＮ状態への動作時間が遅く、迅速な動
作が要求されるゲーム機器の発光又は表示アレイを駆動
するには不適当であるという問題点があった。Since the conventional MOS drive circuit is configured as described above, the operation time of the MOS element from the OFF state to the ON state is slow, and the operation of the game machine is required to be performed quickly. There is a problem that it is not suitable for driving a light emitting or display array.
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ことを課題になされたもので、ＭＯＳ素子のＯＦＦ状態
からＯＮ状態への動作の高速化を図ることを目的とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to speed up the operation of a MOS element from an OFF state to an ON state.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
るＭＯＳドライブ回路は、複数のＭＯＳ素子が並列接続
され前記各電流駆動型素子に駆動電流を供給するＭＯＳ
アレイと、前記各ＭＯＳ素子のそれぞれに対応して別個
独立に設けられコントローラからの出力信号によってＭ
ＯＳ素子への制御電圧の供給路を開閉する複数のスイッ
チング回路と、出力端子に前記複数のスイッチング回路
が直接接続されるオペアンプと、前記オペアンプおよび
各スイッチング回路を介して各ＭＯＳ素子に制御電圧を
供給する電圧源と、を具備したものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a MOS drive circuit in which a plurality of MOS elements are connected in parallel to supply a drive current to each of the current drive elements.
M array and said by the output signal from the controller provided independently in correspondence with each MOS device
A plurality of switches for opening and closing the control voltage supply path to the OS element
And quenching circuits, the plurality of switching circuits to the output terminal
Is directly connected to the operational amplifier, and the operational amplifier and
A control voltage is applied to each MOS element via each switching circuit.
And a voltage source to be supplied .
【００１２】請求項２記載の発明に係るＭＯＳドライブ
回路は、前記オペアンプの出力端子と接地間に電流能力
増加用コンデンサを接続したものである。According to a second aspect of the present invention, in the MOS drive circuit, a current capacity increasing capacitor is connected between an output terminal of the operational amplifier and ground.
【００１３】請求項３記載の発明に係るＭＯＳドライブ
回路は、前記発光又は表示アレイ素子を、複数のＬＥＤ
素子を並列接続したＬＥＤ発光回路としたものである。According to a third aspect of the present invention, in the MOS drive circuit, the light emitting or display array element includes a plurality of LEDs.
This is an LED light emitting circuit in which elements are connected in parallel.
【００１４】[0014]
【作用】請求項１記載の発明におけるオペアンプの出力
インピーダンスは該オペアンプのオープンループゲイン
分の１となって数１０Ωとなる。このため、この出力イ
ンピーダンスと出力段トランジスタの内部容量とで決ま
る該出力段トランジスタのＯＮ時間、つまりＯＦＦ状態
からＯＮ状態に至る時間τ（＝ＲＣ）が短くなり、高速
化を実現できる。According to the first aspect of the present invention, the output impedance of the operational amplifier is one tenth of the open loop gain of the operational amplifier and is several tens of ohms. Therefore, the ON time of the output transistor determined by the output impedance and the internal capacitance of the output transistor, that is, the time τ (= RC) from the OFF state to the ON state, is shortened, and high speed can be realized.
【００１５】請求項２記載の発明における電流能力増加
用コンデンサは、出力段トランジスタのＯＮ動作時にお
けるオペアンプの瞬時の電流能力をアップすることによ
り、複数の出力段トランジスタで構成されたＭＯＳアレ
イのＯＦＦ状態からＯＮ状態への高速動作をより確実に
実現することができる。The current capacity increasing capacitor according to the second aspect of the present invention increases the instantaneous current capacity of the operational amplifier when the output transistor is turned on, thereby turning off the MOS array constituted by a plurality of output stage transistors. High-speed operation from the state to the ON state can be realized more reliably.
【００１６】請求項３記載の発明におけるＭＯＳドライ
ブ回路は、発光又は表示アレイとして、複数のＬＥＤ素
子を並列接続してＬＥＤ発光回路を構成したもので、Ｌ
ＥＤ発光回路の点滅が迅速、かつ確実に行われ、表示効
果が向上する。According to a third aspect of the present invention, the MOS drive circuit comprises a plurality of LED elements connected in parallel as a light emitting or display array to form an LED light emitting circuit.
The blinking of the ED light emitting circuit is performed quickly and reliably, and the display effect is improved.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、この発明の実施例を図面について説明
する。図１はこの発明によるＭＯＳドライブ回路を示す
回路図であり、前記図５に示す従来回路と同一部分には
同一符号を付して重複説明を省略する。図１において、
６はオペアンプであり、このオペアンプ６はその非反転
入力端子を分圧抵抗Ｒ１、Ｒ２の分圧点Ｂに接続し、出
力端子をスイッチング回路４1 〜４n に接続するととも
に該出力端子と反転入力端子とを接続して全帰還型オペ
アンプを構成している。７はオペアンプ６の出力端子と
アースＥ間に接続した電流能力増加用コンデンサであ
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing a MOS drive circuit according to the present invention. The same parts as those of the conventional circuit shown in FIG. In FIG.
An operational amplifier 6 has its non-inverting input terminal connected to the voltage dividing point B of the voltage dividing resistors R1 and R2, its output terminal connected to the switching circuits 41 to 4n, and its output terminal and the inverted input terminal. Are connected to form an all-feedback operational amplifier. Reference numeral 7 denotes a current capacity increasing capacitor connected between the output terminal of the operational amplifier 6 and the ground E.
【００１８】図２は上記オペアンプ６の具体的構成を示
す回路図であり、差動回路６１、この差動回路６１に均
等に電流を流す定電流源を形成するカレントミラー回路
６２、出力段トランジスタ６４に電流を供給する電流源
トランジスタ６３、発振防止コンデンサ６５、各部に電
流を流す安定電流源を形成するカレントミラ−回路６６
とで構成されている。図示例はＮチャンネルトランジス
タベ−スの全帰還型オペアンプを示しているがＰチャン
ネルトランジスタの全帰還型オペアンプであってもよ
い。FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific configuration of the operational amplifier 6, which includes a differential circuit 61, a current mirror circuit 62 forming a constant current source for uniformly supplying a current to the differential circuit 61, and an output transistor. A current source transistor 63 for supplying current to 64, an oscillation preventing capacitor 65, and a current mirror circuit 66 for forming a stable current source for supplying current to each part.
It is composed of Although the illustrated example shows an N-channel transistor-based all feedback operational amplifier, it may be a P-channel transistor all feedback operational amplifier.
【００１９】次に図１の動作について説明する。オペア
ンプ６の働きによって、出力段トランジスタのゲートＡ
に作用する出力抵抗は数１０Ωとなる。このため、この
出力抵抗Ｒと各出力段トランジスタ２1 〜２n 全体の内
部容量Ｃとで決まる該出力段トランジスタのＯＦＦ状態
からＯＮ状態への動作時間τ＝ＲＣは２０×３×１０
-12 ＝６ｎｓｅｃとなり、前記従来例６００ｎｓｅｃに
比べて１／１００も短くなり、複数の出力段トランジス
タ２1 〜２n で構成されたＭＯＳアレイのＯＦＦ状態か
らＯＮ状態への動作時間の高速化を実現できる。Next, the operation of FIG. 1 will be described. By the operation of the operational amplifier 6, the gate A of the output stage transistor
Is several tens of ohms. Therefore, the operating time τ = RC from the OFF state to the ON state of the output stage transistor determined by the output resistance R and the internal capacitance C of the entire output stage transistors 21 to 2n is 20 × 3 × 10
-12 = 6 nsec, which is 1/100 shorter than the conventional example of 600 nsec, and the operation time from the OFF state to the ON state of the MOS array constituted by the plurality of output stage transistors 21 to 2n can be shortened. .
【００２０】一方、発光又は表示アレイとしてのＬＥＤ
素子の輝度を高めるためには、出力段トランジスタとし
て電流能力の大きなものを使用して、ＬＥＤ素子に十分
な駆動電流を供給することが必要であるが、電流能力を
大きくすると、出力段トランジスタの内部容量も大きく
なってτ＝ＲＣにより決まるＯＦＦ状態からＯＮ状態へ
の動作時間も長くなる。On the other hand, an LED as a light emitting or display array
In order to increase the brightness of the element, it is necessary to supply a sufficient drive current to the LED element by using an output transistor having a large current capability as the output stage transistor. The internal capacitance also increases, and the operating time from the OFF state to the ON state determined by τ = RC also increases.
【００２１】しかも、通常、ＩＣ内蔵のオペアンプ６の
電流能力は１０ｍＡ程度であり、電流容量が不足する
と、出力電圧が上がり、これによっても上記動作時間は
長くなる。In addition, the current capability of the operational amplifier 6 with built-in IC is usually about 10 mA. If the current capacity is insufficient, the output voltage increases, and the operation time becomes longer.
【００２２】例えば出力段トランジスタ２1 〜２n のベ
ース端子電圧を５Ｖから３Ｖに低下させる時間、つまり
出力段トランジスタがＯＦＦ状態からＯＮ状態になるに
要する時間τはFor example, the time for decreasing the base terminal voltage of the output stage transistors 21 to 2n from 5 V to 3 V, that is, the time τ required for the output stage transistors to change from the OFF state to the ON state is
【数１】 となり、図３のａに示すように、時間τは従来の６００
ｎｓｅｃ（図３中の点線示）より１０倍早くなるが、前
記１００倍の早さは得られない。(Equation 1) As shown in FIG. 3A, the time τ is 600
It is 10 times faster than nsec (shown by the dotted line in FIG. 3), but the 100 times speed is not obtained.
【００２３】そこで、オペアンプ６の電流能力を補うた
めに該オペアンプの出力端子とアースＥ間に外付けで電
流能力増加用コンデンサ７を接続して、このコンデンサ
７の充電電荷Ｑ＝ＣＶによって、オペアンプ６のみでは
不足する出力段トランジスタ２1 〜２n のＯＦＦ状態か
らＯＮ状態への動作時における瞬時の電流能力をアップ
して、出力段トランジスタ２1 〜２n 動作時間の高速化
を確実にする。In order to compensate for the current capability of the operational amplifier 6, a capacitor 7 for increasing the current capability is externally connected between the output terminal of the operational amplifier 6 and the ground E. 6 alone is insufficient, the instantaneous current capacity of the output stage transistors 21 to 2n when operating from the OFF state to the ON state is increased, and the operation time of the output stage transistors 21 to 2n is ensured to be shortened.
【００２４】いま、上記時間τを６ｎｓｅｃとするため
に１００ｍＡの電流能力を必要とするとき、電流能力１
０ｍＡのオペアンプ６に０．０１μＦの電流能力増加用
コンデンサ７を接続すると、この電流能力増加用コンデ
ンサ７の電荷ＱはＱ＝ＣＶであるからNow, when a current capacity of 100 mA is required to make the time τ 6 nsec, the current capacity 1
If a 0.01 μF current capacity increasing capacitor 7 is connected to the 0 mA operational amplifier 6, the charge Q of the current capacity increasing capacitor 7 is Q = CV.
【数２】 となり、出力トランジスタのゲート電圧は５４（ｍＶ）
しか変化せず、きわめて安定に出力段トランジスタ２1
〜２n のＯＦＦ状態がＯＮ状態への動作時間τを図３に
示す６ｎｓｅｃとすることができる。(Equation 2) And the gate voltage of the output transistor is 54 (mV)
Only changes, and the output stage transistor 21 is very stable.
The operation time .tau. Of the .about.2n OFF state to the ON state can be set to 6 nsec shown in FIG.
【００２５】図４はオペアンプ６のみを接続した出力段
トランジスタ２1 （〜２n ）がＯＦＦ状態からＯＮ状態
に移行する動作をシミュレーションして示す図であり、
図４において、曲線ａは出力段トランジスタ２1 （〜２
n ）のゲート端子の電圧変化、曲線ｂはＬＥＤ素子１1
（〜１n ）の駆動電流変化、つまり輝度変化を示してい
る。FIG. 4 is a diagram showing a simulation of an operation in which the output stage transistors 21 (to 2n) to which only the operational amplifier 6 is connected shift from the OFF state to the ON state.
In FIG. 4, the curve a represents the output stage transistor 21 (12).
n) The gate terminal voltage change, curve b is the LED element 11
This indicates a change in drive current of (n1 n), that is, a change in luminance.
【００２６】そして、上記のようにオペアンプ６の出力
端子とアース間に電流能力増加用コンデンサ７を接続す
ると、図４の曲線ａ、ｂはより急峻となる。When the current capacity increasing capacitor 7 is connected between the output terminal of the operational amplifier 6 and the ground as described above, the curves a and b in FIG. 4 become steeper.
【００２７】また、出力段トランジスタ２1 〜２n で駆
動電流を供給する発光、又は表示アレイとして、複数の
ＬＥＤ素子を並列接続してＬＥＤ発光回路を構成するこ
とにより、ＬＥＤ発光回路の点滅が迅速、かつ確実に行
われ、表示効果が向上する。この結果、プリンタにおけ
る感熱紙などの加熱装置、各種電気機器のディスプレイ
装置を高感度に構成することができる。In addition, a plurality of LED elements are connected in parallel to form an LED light emitting circuit as a light emitting element for supplying a drive current by the output stage transistors 21 to 2n or a display array, so that the LED light emitting circuit can quickly blink. It is performed reliably and the display effect is improved. As a result, a heating device such as a thermal paper in a printer and a display device of various electric devices can be configured with high sensitivity.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、オペアンプによって電流駆動型素子に作用する出
力インピーダンスを小さくするように構成したので、複
数のＭＯＳ素子で構成されたＭＯＳアレイのＯＦＦ状態
からＯＮ状態への動作時間を短くし、高速化を図ること
ができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, since the output impedance acting on the current-driven element is reduced by the operational amplifier, the MOS array including a plurality of MOS elements is provided. The operation time from the OFF state to the ON state can be shortened, and the speed can be increased.
【００２９】請求項２記載の発明によれば、オペアンプ
の出力端子に電流能力増加用コンデンサを接続し、オペ
アンプによる電流能力の不足を補うように構成したの
で、ＭＯＳ素子の容量を大きくしたり、電流駆動型素子
に供給印加する制御電圧を高くすることなく、ＭＯＳア
レイのＯＦＦ状態からＯＮ状態への動作時間を確実に高
速化することができる。According to the second aspect of the present invention, the current capacity increasing capacitor is connected to the output terminal of the operational amplifier to compensate for the shortage of the current capability due to the operational amplifier, so that the capacity of the MOS element can be increased. The operation time from the OFF state to the ON state of the MOS array can be reliably increased without increasing the control voltage supplied to the current-driven element.
【００３０】請求項３記載の発明によれば、複数の電流
駆動型素子を並列接続した発光または表示アレイとし
て、複数のＬＥＤ素子でＬＥＤ発光回路を構成したの
で、このＬＥＤ発光回路の点滅が高速に行われ、このＬ
ＥＤ発光回路を用いた加熱装置、ディスプレイ装置等を
高感度に構成することができる。According to the third aspect of the present invention, the LED light emitting circuit is composed of a plurality of LED elements as a light emitting or display array in which a plurality of current driven elements are connected in parallel. This L
A heating device, a display device, and the like using the ED light emitting circuit can be configured with high sensitivity.
【図１】この発明の実施例によるＭＯＳドライブ回路の
構成を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a configuration of a MOS drive circuit according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１の実施例に適用されているオペアンプの回
路構成を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a circuit configuration of an operational amplifier applied to the embodiment of FIG.
【図３】この発明のＭＯＳドライブ回路を構成する出力
段トランジスタのＯＦＦ状態からＯＮ状態への動作速度
を示す特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram showing an operation speed of an output stage transistor included in a MOS drive circuit according to the present invention from an OFF state to an ON state.
【図４】図３の特性図をシミュレーションして示す拡大
図である。FIG. 4 is an enlarged view showing a simulation of the characteristic diagram of FIG. 3;
【図５】従来のＭＯＳドライブ回路の構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of a conventional MOS drive circuit.
【図６】従来のＭＯＳドライブ回路における出力段トラ
ンジスタのＯＦＦ状態からＯＮ状態への動作速度を示す
特性図である。FIG. 6 is a characteristic diagram showing an operation speed of an output stage transistor from an OFF state to an ON state in a conventional MOS drive circuit.
【図７】図６の特性図をシミュレーションして示す拡大
図である。FIG. 7 is an enlarged view showing a simulation of the characteristic diagram of FIG. 6;
１1 〜１n ＬＥＤ素子（電流駆動型素子） ２1 〜２n 出力段トランジスタ（ＭＯＳ素子） ４1 〜４n スイッチング回路 ６ オペアンプ Ｒ１、Ｒ２ 分圧抵抗（電圧源） 11 to 1n LED element (current-driven element) 21 to 2n Output stage transistor (MOS element) 41 to 4n Switching circuit 6 Operational amplifier R1, R2 Voltage dividing resistor (voltage source)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−255720（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−19419（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−265406（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−262321（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03K 17/00 - 17/70 G09G 3/00 - 3/36 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-3-255720 (JP, A) JP-A-6-19419 (JP, A) JP-A-5-265406 (JP, A) JP-A-3-255 262321 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H03K 17/00-17/70 G09G 3/00-3/36
Claims (3)
光又は表示アレイを駆動するＭＯＳドライブ回路におい
て、 複数のＭＯＳ素子が並列接続され前記各電流駆動型素子
に駆動電流を供給するＭＯＳアレイと、 前記各ＭＯＳ素子のそれぞれに対応して別個独立に設け
られコントローラからの出力信号によってＭＯＳ素子へ
の制御電圧の供給路を開閉する複数のスイッチング回路
と、出力端子に前記複数のスイッチング回路が直接接続され
るオペアンプと、 前記オペアンプおよび各スイッチング回路を介して各Ｍ
ＯＳ素子に制御電圧を供給する電圧源と 、 を具備したことを特徴とするＭＯＳドライブ回路。1. A MOS drive circuit for driving a light-emitting or display array in which a plurality of current-driven elements are connected in parallel, comprising: a MOS array in which a plurality of MOS elements are connected in parallel to supply a drive current to each of said current-driven elements. , Are provided separately and independently corresponding to each of the MOS elements, and output to the MOS element by an output signal from a controller.
A plurality of switching circuits for opening and closing the control voltage supply path, and the plurality of switching circuits are directly connected to an output terminal.
An operational amplifier that, each via the operational amplifier and the switching circuits M
A MOS drive circuit, comprising: a voltage source that supplies a control voltage to an OS element .
流能力増加用コンデンサを接続したことを特徴とする請
求項１記載のＭＯＳドライブ回路。Wherein M OS drive circuit according to claim 1, wherein the connecting the capacitor increases the current capacity between ground and the output terminal of said operational amplifier.
素子を並列接続したＬＥＤ発光回路であることを特徴と
する請求項１または請求項２記載のＭＯＳドライブ回
路。3. The light-emitting or display array comprises a plurality of LEDs.
M OS drive circuit according to claim 1 or claim 2, wherein the an LED emitting circuit connected in parallel to the element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11688694A JP3234399B2 (en) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | MOS drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP11688694A JP3234399B2 (en) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | MOS drive circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321623A JPH07321623A (en) | 1995-12-08 |
| JP3234399B2 true JP3234399B2 (en) | 2001-12-04 |
Family
ID=14698079
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11688694A Expired - Fee Related JP3234399B2 (en) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | MOS drive circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3234399B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1318881B1 (en) * | 2000-09-19 | 2003-09-10 | St Microelectronics Srl | HIGH EFFICIENCY PILOTING CIRCUIT FOR CAPACITIVE LOADS. |
| JP4429213B2 (en) | 2005-06-03 | 2010-03-10 | ローム株式会社 | Driving circuit and portable information terminal having the same |
| JP5926120B2 (en) * | 2012-05-29 | 2016-05-25 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | Constant current output driver and semiconductor device including the same |
| US10188394B2 (en) | 2015-08-26 | 2019-01-29 | Ethicon Llc | Staples configured to support an implantable adjunct |
-
1994
- 1994-05-30 JP JP11688694A patent/JP3234399B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07321623A (en) | 1995-12-08 |
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