JP3230252B2 - 電流制限回路 - Google Patents
電流制限回路Info
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- JP3230252B2 JP3230252B2 JP28025591A JP28025591A JP3230252B2 JP 3230252 B2 JP3230252 B2 JP 3230252B2 JP 28025591 A JP28025591 A JP 28025591A JP 28025591 A JP28025591 A JP 28025591A JP 3230252 B2 JP3230252 B2 JP 3230252B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は電流制限回路に関し、
特に電流制限回路の誤動作を防止する回路に関する。
特に電流制限回路の誤動作を防止する回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の電流制限回路は、図4に
示すようにトランジスタT4 とダイオードD1 ,D2 ,
D3 の直列接続回路を出力トランジスタT1 のゲート−
ソース間に接続し、トランジスタT4のゲートを電源端
子VDDに接続した回路となっており、出力トランジスタ
T1 がON時,出力端子が電圧降下,すなわち出力トラ
ンジスタが過電流状態となるとトランジスタT4 がON
し、出力トランジスタT1 のゲート−ソース間電圧をダ
イオードD1 ,D2 ,D3 の順方向電圧3・VFで制限
し、出力電流IOUT を制限する動作となっていた。
示すようにトランジスタT4 とダイオードD1 ,D2 ,
D3 の直列接続回路を出力トランジスタT1 のゲート−
ソース間に接続し、トランジスタT4のゲートを電源端
子VDDに接続した回路となっており、出力トランジスタ
T1 がON時,出力端子が電圧降下,すなわち出力トラ
ンジスタが過電流状態となるとトランジスタT4 がON
し、出力トランジスタT1 のゲート−ソース間電圧をダ
イオードD1 ,D2 ,D3 の順方向電圧3・VFで制限
し、出力電流IOUT を制限する動作となっていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
の電流制限回路は、トランジスタT4 とダイオードD
1,D2 ,D3 の直列回路を出力トランジスタT1 のゲ
ート−ソース間に接続し、トランジスタT4 のゲートを
電源端子VDDに接続した回路となっているため、昇圧回
路aの出力がLからHに変化すると出力トランジスタT
1 がONし、出力端子が十分に電圧上昇するまでの間、
トランジスタT4 に電流IT4が流れ、出力端子波形が図
5(B)の時間t5 で示すような波形となり、ターンオ
ン時間が遅くなるという欠点があった。
の電流制限回路は、トランジスタT4 とダイオードD
1,D2 ,D3 の直列回路を出力トランジスタT1 のゲ
ート−ソース間に接続し、トランジスタT4 のゲートを
電源端子VDDに接続した回路となっているため、昇圧回
路aの出力がLからHに変化すると出力トランジスタT
1 がONし、出力端子が十分に電圧上昇するまでの間、
トランジスタT4 に電流IT4が流れ、出力端子波形が図
5(B)の時間t5 で示すような波形となり、ターンオ
ン時間が遅くなるという欠点があった。
【0004】また、負荷のGND VGND2と回路のGN
D VGND1がVGND2<<VGND1となった場合、トランジ
スタT4 がONし、電流IT4が流れるため、出力トラン
ジスタT1 はONできないという欠点があった。
D VGND1がVGND2<<VGND1となった場合、トランジ
スタT4 がONし、電流IT4が流れるため、出力トラン
ジスタT1 はONできないという欠点があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明の電流制限回路
は、負荷ドライブ用出力トランジスタのゲート−ソース
間に電流制限用トランジスタを接続し、電流制限用トラ
ンジスタのゲートを、電源端子と出力端子の間に構成し
た抵抗と入力信号により動作する遅延回路により動作す
るトランジスタとを直列接続した回路の直列接続点に接
続し、遅延回路の遅延時間を出力トランジスタの出力タ
ーン時間より長くした構成となっている。
は、負荷ドライブ用出力トランジスタのゲート−ソース
間に電流制限用トランジスタを接続し、電流制限用トラ
ンジスタのゲートを、電源端子と出力端子の間に構成し
た抵抗と入力信号により動作する遅延回路により動作す
るトランジスタとを直列接続した回路の直列接続点に接
続し、遅延回路の遅延時間を出力トランジスタの出力タ
ーン時間より長くした構成となっている。
【0006】
【作用】上記の構成によると、遅延回路の遅延時間を出
力端子が十分に上昇するまでの時間に設定することによ
り、出力トランジスタのターンオン時に電流制限用トラ
ンジスタへの昇圧回路からの電流の流れ込みはなくな
り、出力トランジスタのゲートは正常に立上がらせるこ
とができ、また電流制限用トランジスタのゲート−ソー
ス間を抵抗を介し接続しているため、回路のGNDより
負荷のGNDが電圧降下していても出力トランジスタは
正常に立上がることができる。
力端子が十分に上昇するまでの時間に設定することによ
り、出力トランジスタのターンオン時に電流制限用トラ
ンジスタへの昇圧回路からの電流の流れ込みはなくな
り、出力トランジスタのゲートは正常に立上がらせるこ
とができ、また電流制限用トランジスタのゲート−ソー
ス間を抵抗を介し接続しているため、回路のGNDより
負荷のGNDが電圧降下していても出力トランジスタは
正常に立上がることができる。
【0007】
【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。
する。
【0008】図1はこの発明の一実施例の回路図,図2
は図1に示す回路の各部の波形である。図において、T
1 はNチャンネルの出力用MOS FET ,T2 はNチャンネ
ルの電流制限用MOS FET ,T3はPチャンネルMOS FET
,R1 は抵抗,aは昇圧回路,bは負荷,cは遅延回
路,VI は入力電圧,VDは遅延回路の出力電圧,VOU
T は出力電圧,IOUT は出力電流,t1 は遅延回路cの
入力電圧VI に対する遅延時間,t2 は出力用MOS FET
T1 の出力ターンオン時間,VGND1は回路のGND,V
GND2は負荷のGNDである。
は図1に示す回路の各部の波形である。図において、T
1 はNチャンネルの出力用MOS FET ,T2 はNチャンネ
ルの電流制限用MOS FET ,T3はPチャンネルMOS FET
,R1 は抵抗,aは昇圧回路,bは負荷,cは遅延回
路,VI は入力電圧,VDは遅延回路の出力電圧,VOU
T は出力電圧,IOUT は出力電流,t1 は遅延回路cの
入力電圧VI に対する遅延時間,t2 は出力用MOS FET
T1 の出力ターンオン時間,VGND1は回路のGND,V
GND2は負荷のGNDである。
【0009】次に上記の電流制限回路の動作について説
明する。VGND1=VGND2の場合、入力電圧VI がLから
Hに変化すると、昇圧回路aが動作し、出力用MOS FET
T1をONさせ、出力電圧VOUT は出力ターンオン時間
t2 の間にLからHとなる。その後遅延回路cの出力電
圧VD が設定した遅延時間t1 後にHからLとなり、P
チャンネルMOS FET T3 をONさせ、電流制限用MOS FE
TT2 のゲートをHにする。t1>t2 になるよう遅延回
路cの出力電圧VD を設定することにより、電流制限用
MOS FET T2 による出力電圧VOUT のターンオン時間へ
の影響はなくなり、過電流状態時,すなわち出力用MOS
FET T1 がONした状態でのソース端子の電圧降下時に
は電流制限用MOS FET T2 がONし、出力用MOS FET T
1 のゲート−ソース間電圧を制限し、出力電流IOUT を
制限する。
明する。VGND1=VGND2の場合、入力電圧VI がLから
Hに変化すると、昇圧回路aが動作し、出力用MOS FET
T1をONさせ、出力電圧VOUT は出力ターンオン時間
t2 の間にLからHとなる。その後遅延回路cの出力電
圧VD が設定した遅延時間t1 後にHからLとなり、P
チャンネルMOS FET T3 をONさせ、電流制限用MOS FE
TT2 のゲートをHにする。t1>t2 になるよう遅延回
路cの出力電圧VD を設定することにより、電流制限用
MOS FET T2 による出力電圧VOUT のターンオン時間へ
の影響はなくなり、過電流状態時,すなわち出力用MOS
FET T1 がONした状態でのソース端子の電圧降下時に
は電流制限用MOS FET T2 がONし、出力用MOS FET T
1 のゲート−ソース間電圧を制限し、出力電流IOUT を
制限する。
【0010】また、VGND1>>VGND2の場合に、入力電
圧VI がLからHに変化すると、PチャンネルMOS FET
T3 はt1 後までOFFしており、電流制限用MOS FET
T2のゲート−ソース間が抵抗R1 を介し接続されてい
るため、MOS FET T2 はOFFしており、出力用MOS FE
T T1 は正常にONすることができる。
圧VI がLからHに変化すると、PチャンネルMOS FET
T3 はt1 後までOFFしており、電流制限用MOS FET
T2のゲート−ソース間が抵抗R1 を介し接続されてい
るため、MOS FET T2 はOFFしており、出力用MOS FE
T T1 は正常にONすることができる。
【0011】
【実施例2】図3はこの発明の第2の実施例の図1の各
部の波形である。この実施例は前記第1の遅延回路cの
出力電圧VD に、入力電圧VI がHからLに変化すると
きにも遅延時間t3 を設定した点を除いては第1の実施
例と同様であるため、同一部分には同一参照符号を付し
てその説明を省略する。図においてt4 は出力用MOSFET
T1 の出力ターンオフ時間である。この実施例では入
力電圧VI がHからLに変化するときにも遅延時間t3
を設定したことにより、出力ターンオフ時間が速くなる
という利点がある。
部の波形である。この実施例は前記第1の遅延回路cの
出力電圧VD に、入力電圧VI がHからLに変化すると
きにも遅延時間t3 を設定した点を除いては第1の実施
例と同様であるため、同一部分には同一参照符号を付し
てその説明を省略する。図においてt4 は出力用MOSFET
T1 の出力ターンオフ時間である。この実施例では入
力電圧VI がHからLに変化するときにも遅延時間t3
を設定したことにより、出力ターンオフ時間が速くなる
という利点がある。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は出力ト
ランジスタのゲート−ソース間に電流制限用トランジス
タを接続し、電流制限用トランジスタのゲートを電源端
子と出力端子の間に構成した抵抗と入力信号により動作
する遅延回路により動作するトランジスタを直列接続し
た回路の直列接続点に接続し、遅延回路の遅延時間を出
力トランジスタの出力ターン時間より長くすることによ
り、出力トランジスタのターンオン時間を遅くすること
なく正常に立上がる。また、回路のGNDと負荷のGN
Dに電位差があっても、正常に出力トランジスタはON
することができる効果がある。
ランジスタのゲート−ソース間に電流制限用トランジス
タを接続し、電流制限用トランジスタのゲートを電源端
子と出力端子の間に構成した抵抗と入力信号により動作
する遅延回路により動作するトランジスタを直列接続し
た回路の直列接続点に接続し、遅延回路の遅延時間を出
力トランジスタの出力ターン時間より長くすることによ
り、出力トランジスタのターンオン時間を遅くすること
なく正常に立上がる。また、回路のGNDと負荷のGN
Dに電位差があっても、正常に出力トランジスタはON
することができる効果がある。
【図1】 この発明の第1および第2の実施例の回路図
【図2】 図1の実施例1の各部波形図
【図3】 図1の実施例2の各部波形図
【図4】 従来例の回路図
【図5】 図4の従来例の各部波形図
a 昇圧回路 b 負荷 c 遅延回路 T1 出力用MOS FET T2 電流制限用MOS FET T3 PチャンネルMOS FET VI 入力電圧 VOUT 出力電圧 R1 抵抗 VD 遅延回路出力電圧 VDD 電源電圧 IOUT 出力電流 VGND1 回路のGND VGND2 負荷のGND t1 ,t3 遅延回路遅延時間 t2 出力ターンオン時間 t4 出力ターンオフ時間
Claims (3)
- 【請求項1】負荷ドライブ用出力トランジスタに流れる
電流を制限する回路において、出力トランジスタのゲー
ト−ソース間に電流制限用トランジスタを接続し、前記
電流制限用トランジスタのゲートを、電源端子と出力端
子の間に構成した抵抗と入力信号により動作する遅延回
路により動作する第3のトランジスタとを直列接続した
回路の直列接続点に接続し、前記遅延回路の遅延時間を
出力トランジスタの出力ターン時間より長くしたことを
特徴とする電流制限回路。 - 【請求項2】前記遅延回路が入力信号の立上りから出力
トランジスタの出力ターンオン時間より長い時間遅延し
て前記第3のトランジスタをONさせるよう構成された
ことを特徴とする請求項1に記載の電流制限回路。 - 【請求項3】前記遅延回路が、入力信号の立下りから出
力トランジスタの出力ターンオフ時間より長い時間遅延
して前記第3のトランジスタをOFFさせるよう構成さ
れたことを特徴とする請求項2に記載の電流制限回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28025591A JP3230252B2 (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 電流制限回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28025591A JP3230252B2 (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 電流制限回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05122839A JPH05122839A (ja) | 1993-05-18 |
JP3230252B2 true JP3230252B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=17622451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28025591A Expired - Fee Related JP3230252B2 (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 電流制限回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3230252B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7551021B2 (en) * | 2005-06-22 | 2009-06-23 | Qualcomm Incorporated | Low-leakage current sources and active circuits |
JP6596948B2 (ja) * | 2015-06-10 | 2019-10-30 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-10-28 JP JP28025591A patent/JP3230252B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05122839A (ja) | 1993-05-18 |
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Date | Code | Title | Description |
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