JP3225851B2 - 複合積層セラミック部品 - Google Patents
複合積層セラミック部品Info
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- JP3225851B2 JP3225851B2 JP25413096A JP25413096A JP3225851B2 JP 3225851 B2 JP3225851 B2 JP 3225851B2 JP 25413096 A JP25413096 A JP 25413096A JP 25413096 A JP25413096 A JP 25413096A JP 3225851 B2 JP3225851 B2 JP 3225851B2
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- constant layer
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- Filters And Equalizers (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は低誘電率層と高誘電
率層および導体層を積層して一体焼成される複合積層セ
ラミック部品に関するものである。
率層および導体層を積層して一体焼成される複合積層セ
ラミック部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、多機能化にと
もなってその内部に用いられる電子部品にも軽薄短小化
が求められている。そのために限られた面積のセラミッ
ク基板上に抵抗体や配線パターンなどをより高密度に印
刷したり、チップ部品をより高密度に集積するといった
方法を採用していた。
もなってその内部に用いられる電子部品にも軽薄短小化
が求められている。そのために限られた面積のセラミッ
ク基板上に抵抗体や配線パターンなどをより高密度に印
刷したり、チップ部品をより高密度に集積するといった
方法を採用していた。
【０００３】しかしながら、従来の高密度化の方法では
部品の小型化および部品を実装する基板の小型化には限
界がある。さらに特に高周波用部品では、配線パターン
を緻密にするとノズルやライン間の容量が発生しやすく
なり、ひいては品質の低下を招くといった問題があっ
た。
部品の小型化および部品を実装する基板の小型化には限
界がある。さらに特に高周波用部品では、配線パターン
を緻密にするとノズルやライン間の容量が発生しやすく
なり、ひいては品質の低下を招くといった問題があっ
た。
【０００４】このようなことから、基板内部にコンデン
サや共振器を設けた構成の新しい複合積層セラミック部
品が開発されつつある。その一例として、コンデンサあ
るいは共振器を形成するための高誘電率層を、配線パタ
ーン形成用の低誘電率層で挟み込み、その各積層面に導
体層を設けた構成のものである。
サや共振器を設けた構成の新しい複合積層セラミック部
品が開発されつつある。その一例として、コンデンサあ
るいは共振器を形成するための高誘電率層を、配線パタ
ーン形成用の低誘電率層で挟み込み、その各積層面に導
体層を設けた構成のものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、異種積
層体を一体焼成することによって得られる複合積層セラ
ミック部品においては、低誘電率層と高誘電率層の焼成
挙動および熱膨張率の相違により、両者の界面での剥離
あるいは焼成体基板に変形が発生したり、内部に生じる
歪みによりそれぞれの層にクラックが生じやすいといっ
た問題があった。
層体を一体焼成することによって得られる複合積層セラ
ミック部品においては、低誘電率層と高誘電率層の焼成
挙動および熱膨張率の相違により、両者の界面での剥離
あるいは焼成体基板に変形が発生したり、内部に生じる
歪みによりそれぞれの層にクラックが生じやすいといっ
た問題があった。
【０００６】このような低誘電率層と高誘電率層の界面
での剥離およびそれぞれの層におけるクラックを防ぐた
め、例えば特公平５−１３５２４号公報に示されるよう
に、各層の間に各層の材料の複合物からなる中間層を設
けることにより、前述の剥離やクラックを防いでいた。
この方法においては、電子部品の機能発現のためには本
来必要のない中間層を形成しなければならないため工数
が増加してコスト面で不利になるとともに小型化を図る
うえでの障害になるものであった。
での剥離およびそれぞれの層におけるクラックを防ぐた
め、例えば特公平５−１３５２４号公報に示されるよう
に、各層の間に各層の材料の複合物からなる中間層を設
けることにより、前述の剥離やクラックを防いでいた。
この方法においては、電子部品の機能発現のためには本
来必要のない中間層を形成しなければならないため工数
が増加してコスト面で不利になるとともに小型化を図る
うえでの障害になるものであった。
【０００７】本発明は以上のような従来の欠点を除去
し、中間層なしでも界面での剥離や各層でのクラックの
発生、さらには変形のない複合積層セラミック部品を提
供することを目的とするものである。
し、中間層なしでも界面での剥離や各層でのクラックの
発生、さらには変形のない複合積層セラミック部品を提
供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、高誘電率層と低誘電率層の積層面に導体層
を形成して積層し、前記低誘電率層が非晶質ガラスとセ
ラミック粉末を含んだものから構成されている。
に本発明は、高誘電率層と低誘電率層の積層面に導体層
を形成して積層し、前記低誘電率層が非晶質ガラスとセ
ラミック粉末を含んだものから構成されている。
【０００９】この構成によって焼成したとき、異種材料
の積層界面における剥離、各層におけるクラックの発生
や全体の変形のない複合積層セラミック部品を得ること
ができる。
の積層界面における剥離、各層におけるクラックの発生
や全体の変形のない複合積層セラミック部品を得ること
ができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の請求項に記載の発明は、
高誘電率層と低誘電率層の積層面に導体層を形成して積
層し、前記低誘電率層が非晶質ガラスとセラミック粉末
の混合物からなり、前記低誘電率層がフォルステライト
（Ｍｇ 2 ＳｉＯ 4 ）、ジルコニア（ＺｒＯ 2 ）、アルミナ
（Ａｌ 2 Ｏ 3 ）のうち少なくとも一種以上のセラミック粉
末と、非晶質ガラスで構成されかつ、前記非晶質ガラス
の主成分がＳｉＯ 2 −Ａｌ 2 Ｏ 3 −ＭＯ（ＭはＢａ，Ｃ
ａ，Ｓｒからなる少なくとも１種以上）−Ｌａ 2 Ｏ 3 −Ｂ
2 Ｏ 3 からなるもので、低誘電率層の非晶質ガラスの主成
分がＳｉＯ 2 −Ａｌ 2 Ｏ 3 −ＭＯ（ＭはＢａ，Ｃａ，Ｓｒ
の少なくとも１種以上）−Ｌａ 2 Ｏ 3 −Ｂ 2 Ｏ 3 からなる構
成としたものであり、界面での剥離や各層でのクラック
の発生をなくすことができ、また高誘電率層と低誘電率
層の界面における接着強度を十分大きなものとすること
ができるという作用を有する。
高誘電率層と低誘電率層の積層面に導体層を形成して積
層し、前記低誘電率層が非晶質ガラスとセラミック粉末
の混合物からなり、前記低誘電率層がフォルステライト
（Ｍｇ 2 ＳｉＯ 4 ）、ジルコニア（ＺｒＯ 2 ）、アルミナ
（Ａｌ 2 Ｏ 3 ）のうち少なくとも一種以上のセラミック粉
末と、非晶質ガラスで構成されかつ、前記非晶質ガラス
の主成分がＳｉＯ 2 −Ａｌ 2 Ｏ 3 −ＭＯ（ＭはＢａ，Ｃ
ａ，Ｓｒからなる少なくとも１種以上）−Ｌａ 2 Ｏ 3 −Ｂ
2 Ｏ 3 からなるもので、低誘電率層の非晶質ガラスの主成
分がＳｉＯ 2 −Ａｌ 2 Ｏ 3 −ＭＯ（ＭはＢａ，Ｃａ，Ｓｒ
の少なくとも１種以上）−Ｌａ 2 Ｏ 3 −Ｂ 2 Ｏ 3 からなる構
成としたものであり、界面での剥離や各層でのクラック
の発生をなくすことができ、また高誘電率層と低誘電率
層の界面における接着強度を十分大きなものとすること
ができるという作用を有する。
【００１１】請求項２に記載の発明は、低誘電率層がフ
ォルステライト（Ｍｇ2ＳｉＯ4）、ジルコニア（ＺｒＯ
2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）のうち少なくとも一種以上
のセラミック粉末と、非晶質ガラスで構成されたもので
あり、界面での剥離や各層でのクラックの発生をより確
実になくすことができる。
ォルステライト（Ｍｇ2ＳｉＯ4）、ジルコニア（ＺｒＯ
2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）のうち少なくとも一種以上
のセラミック粉末と、非晶質ガラスで構成されたもので
あり、界面での剥離や各層でのクラックの発生をより確
実になくすことができる。
【００１２】請求項３に記載の発明は、低誘電率層の比
誘電率が１５未満であり、かつ体積抵抗率が１×１０12
Ωcm以上である構成としたものであり、低誘電率層の上
に複数の部品を実装した場合、部品間に発生する不要な
容量やノイズを低減することができるという作用を有す
る。
誘電率が１５未満であり、かつ体積抵抗率が１×１０12
Ωcm以上である構成としたものであり、低誘電率層の上
に複数の部品を実装した場合、部品間に発生する不要な
容量やノイズを低減することができるという作用を有す
る。
【００１３】請求項４に記載の発明は、セラミック粉末
と非晶質ガラスの混合重量比率を、重量比で３０：７０
〜７０：３０の範囲としたものであり、界面での剥離や
各層でのクラックの発生を一層確実になくすことができ
るという作用を有する。
と非晶質ガラスの混合重量比率を、重量比で３０：７０
〜７０：３０の範囲としたものであり、界面での剥離や
各層でのクラックの発生を一層確実になくすことができ
るという作用を有する。
【００１４】請求項５に記載の発明は、低誘電率層の非
晶質ガラスの主成分がＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ（Ｍは
Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒの少なくとも１種以上）−Ｌａ2Ｏ3−
Ｂ2Ｏ3からなる構成としたものであり、界面での剥離や
各層でのクラックの発生をなくすことができ、また高誘
電率層と低誘電率層の界面における接着強度を十分大き
なものとすることができるという作用を有する。
晶質ガラスの主成分がＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ（Ｍは
Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒの少なくとも１種以上）−Ｌａ2Ｏ3−
Ｂ2Ｏ3からなる構成としたものであり、界面での剥離や
各層でのクラックの発生をなくすことができ、また高誘
電率層と低誘電率層の界面における接着強度を十分大き
なものとすることができるという作用を有する。
【００１５】請求項６に記載の発明は、非晶質ガラスの
主成分をＳｉＯ2が４０〜５０重量％、Ａｌ2Ｏ3が０〜
１５重量％、Ｂ2Ｏ3が０〜１０重量％、および（ＭＯ
（ＭはＢａ，Ｃａ，Ｓｒの少なくとも１種以上）＋Ｌａ
2Ｏ3）量が４０〜５０重量％でかつＬａ2Ｏ3が０〜１５
重量％となる構成としたものであり、界面での剥離や各
層でのクラックの発生を確実になくすことができ、また
高誘電率層と低誘電率層の界面における接着強度をより
一層大きなものとすることができる作用を有する。
主成分をＳｉＯ2が４０〜５０重量％、Ａｌ2Ｏ3が０〜
１５重量％、Ｂ2Ｏ3が０〜１０重量％、および（ＭＯ
（ＭはＢａ，Ｃａ，Ｓｒの少なくとも１種以上）＋Ｌａ
2Ｏ3）量が４０〜５０重量％でかつＬａ2Ｏ3が０〜１５
重量％となる構成としたものであり、界面での剥離や各
層でのクラックの発生を確実になくすことができ、また
高誘電率層と低誘電率層の界面における接着強度をより
一層大きなものとすることができる作用を有する。
【００１６】請求項７に記載の発明は、導体層を銀とし
たものであり、導体層の導電率を高くすることができる
という作用を有する。
たものであり、導体層の導電率を高くすることができる
という作用を有する。
【００１７】請求項８に記載の発明は、低誘電率層の副
成分として、セラミック粉末と非晶質ガラスの総量を１
００重量％としたとき、酸化ケイ素、酸化銅、酸化マン
ガンをＳｉＯ2，ＣｕＯ，ＭｎＯ2に換算して０．０５〜
２．０重量％添加したものであり、低誘電率層の焼成温
度を９５０℃以下に確実に低下させることができ、銀を
導体層として使用することを可能とする作用を有する。
成分として、セラミック粉末と非晶質ガラスの総量を１
００重量％としたとき、酸化ケイ素、酸化銅、酸化マン
ガンをＳｉＯ2，ＣｕＯ，ＭｎＯ2に換算して０．０５〜
２．０重量％添加したものであり、低誘電率層の焼成温
度を９５０℃以下に確実に低下させることができ、銀を
導体層として使用することを可能とする作用を有する。
【００１８】請求項９に記載の発明は、低誘電率層を構
成するセラミック粉末と非晶質ガラスの混合粉体の製造
において、混合粉体の平均粒子径が２．０μｍ以下とす
るものであり、低誘電率層の焼成温度を９５０℃以下に
確実に低下させることができ、銀を導体層として使用す
ることを可能とする作用を有する。
成するセラミック粉末と非晶質ガラスの混合粉体の製造
において、混合粉体の平均粒子径が２．０μｍ以下とす
るものであり、低誘電率層の焼成温度を９５０℃以下に
確実に低下させることができ、銀を導体層として使用す
ることを可能とする作用を有する。
【００１９】請求項１０に記載の発明は、高誘電率層材
料の比誘電率を１５以上、無負荷Ｑ値とその共振周波数
（０．５ＧＨｚ〜５ＧＨｚ）の積を５００以上、共振周
波数の温度変化率の絶対値を５０ppm/℃以下としたもの
であり、高誘電率層をマイクロ波用誘電体セラミックと
して利用することを可能とし、例えばトリプレート型の
高性能な積層誘電体フィルタを内蔵することを可能とす
る作用を有する。
料の比誘電率を１５以上、無負荷Ｑ値とその共振周波数
（０．５ＧＨｚ〜５ＧＨｚ）の積を５００以上、共振周
波数の温度変化率の絶対値を５０ppm/℃以下としたもの
であり、高誘電率層をマイクロ波用誘電体セラミックと
して利用することを可能とし、例えばトリプレート型の
高性能な積層誘電体フィルタを内蔵することを可能とす
る作用を有する。
【００２０】請求項１１に記載の発明は、高誘電率層を
Ｂｉ2Ｏ3，ＣａＯ，Ｎｂ2Ｏ5を主成分とする誘電体セラ
ミックとしたものであり、比誘電率が１５以上、無負荷
Ｑ値とその共振周波数（０．５ＧＨｚ〜５ＧＨｚ）との
積が５００以上、共振周波数の温度変化率の絶対値が５
０ppm/℃以下、焼成温度が９５０℃以下で内部導体層を
銀とすることができるマイクロ波用誘電体材料を確実に
得ることができる。
Ｂｉ2Ｏ3，ＣａＯ，Ｎｂ2Ｏ5を主成分とする誘電体セラ
ミックとしたものであり、比誘電率が１５以上、無負荷
Ｑ値とその共振周波数（０．５ＧＨｚ〜５ＧＨｚ）との
積が５００以上、共振周波数の温度変化率の絶対値が５
０ppm/℃以下、焼成温度が９５０℃以下で内部導体層を
銀とすることができるマイクロ波用誘電体材料を確実に
得ることができる。
【００２１】請求項１２に記載の発明は、高誘電率層が
Ｂｉ2Ｏ3，ＣａＯ，Ｎｂ2Ｏ5を主成分とする誘電体セラ
ミック材料であり、かつ請求項２に記載の低誘電率層の
セラミック粉末にアルミナが含まれる場合において、前
記アルミナの含有量を５０重量％未満と規定した構成と
したものであり、界面での剥離や各層でのクラックの発
生を、一層確実になくすことができるという作用を有す
る。
Ｂｉ2Ｏ3，ＣａＯ，Ｎｂ2Ｏ5を主成分とする誘電体セラ
ミック材料であり、かつ請求項２に記載の低誘電率層の
セラミック粉末にアルミナが含まれる場合において、前
記アルミナの含有量を５０重量％未満と規定した構成と
したものであり、界面での剥離や各層でのクラックの発
生を、一層確実になくすことができるという作用を有す
る。
【００２２】請求項１３に記載の発明は、高誘電率層を
Ｂｉ2Ｏ3，ＣａＯ，ＺｎＯ，ＣｕＯ，Ｎｂ2Ｏ5を主成分
とする誘電体セラミックとしたものであり、請求項１１
と同様の作用を有する。
Ｂｉ2Ｏ3，ＣａＯ，ＺｎＯ，ＣｕＯ，Ｎｂ2Ｏ5を主成分
とする誘電体セラミックとしたものであり、請求項１１
と同様の作用を有する。
【００２３】請求項１４に記載の発明は、高誘電率層が
Ｂｉ2Ｏ3，ＣａＯ，ＺｎＯ，ＣｕＯ，Ｎｂ2Ｏ5を主成分
とする誘電体セラミック材料であり、かつ請求項２に記
載の低誘電率層のセラミック粉末にアルミナが含まれる
場合において、前記アルミナの含有量が５０重量％以上
と規定した構成としたものであり、請求項１２と同様の
作用を有する。
Ｂｉ2Ｏ3，ＣａＯ，ＺｎＯ，ＣｕＯ，Ｎｂ2Ｏ5を主成分
とする誘電体セラミック材料であり、かつ請求項２に記
載の低誘電率層のセラミック粉末にアルミナが含まれる
場合において、前記アルミナの含有量が５０重量％以上
と規定した構成としたものであり、請求項１２と同様の
作用を有する。
【００２４】請求項１５に記載の発明は、高誘電率層を
ＢａＯ，Ｎｄ2Ｏ5，ＴｉＯ2およびガラスを主成分とす
る誘電体セラミックとしたものであり、請求項１１と同
様の作用を有する。
ＢａＯ，Ｎｄ2Ｏ5，ＴｉＯ2およびガラスを主成分とす
る誘電体セラミックとしたものであり、請求項１１と同
様の作用を有する。
【００２５】請求項１６に記載の発明は、高誘電率層の
主成分がＢａＯ，Ｎｄ2Ｏ5，ＴｉＯ 2およびガラスを主
成分とする誘電体セラミック材料であり、かつ請求項２
に記載の低誘電率層のセラミック粉末にアルミナが含ま
れる場合において、前記アルミナの含有量を５０重量％
未満と規定した構成としたものであり、請求項１２と同
様の作用を有する。
主成分がＢａＯ，Ｎｄ2Ｏ5，ＴｉＯ 2およびガラスを主
成分とする誘電体セラミック材料であり、かつ請求項２
に記載の低誘電率層のセラミック粉末にアルミナが含ま
れる場合において、前記アルミナの含有量を５０重量％
未満と規定した構成としたものであり、請求項１２と同
様の作用を有する。
【００２６】以下本発明の実施の形態について図面を用
いて説明する。図１は本発明の一実施の形態における複
合積層セラミック部品を示す断面図であり、この図１に
おいては誘電体フィルタ内蔵の複合積層セラミック部品
を一例として示した。
いて説明する。図１は本発明の一実施の形態における複
合積層セラミック部品を示す断面図であり、この図１に
おいては誘電体フィルタ内蔵の複合積層セラミック部品
を一例として示した。
【００２７】図１において、非晶質ガラスとセラミック
粉末の混合物を主成分とする低誘電率層４上には、シー
ルド電極としての導体層８が形成されるとともに、マイ
クロ波用誘電体セラミックからなる高誘電率層３が設け
られている。この高誘電率層３上には誘電体フィルタの
電極としての導体層７が形成され、この上に同じく高誘
電率層２が設けられ、この高誘電率層２の上面にはシー
ルド電極としての導体層６が形成されている。
粉末の混合物を主成分とする低誘電率層４上には、シー
ルド電極としての導体層８が形成されるとともに、マイ
クロ波用誘電体セラミックからなる高誘電率層３が設け
られている。この高誘電率層３上には誘電体フィルタの
電極としての導体層７が形成され、この上に同じく高誘
電率層２が設けられ、この高誘電率層２の上面にはシー
ルド電極としての導体層６が形成されている。
【００２８】この導体層６を設けた高誘電率層２上に
は、非晶質ガラスとセラミック粉末の混合物を主成分と
する低誘電率層１が設けられ、この低誘電率層１の上面
には部品を実装するためのランド電極、あるいはインダ
クタンス成分を形成する電極導体層５が形成され、この
導体層５の一部には、低誘電率層１と高誘電率層２を貫
通するように設けられたスルーホール導体９，１０が接
続され、このスルーホール導体９，１０は誘電体フィル
タ用の電極としての導体層７にそれぞれ接続されてい
る。
は、非晶質ガラスとセラミック粉末の混合物を主成分と
する低誘電率層１が設けられ、この低誘電率層１の上面
には部品を実装するためのランド電極、あるいはインダ
クタンス成分を形成する電極導体層５が形成され、この
導体層５の一部には、低誘電率層１と高誘電率層２を貫
通するように設けられたスルーホール導体９，１０が接
続され、このスルーホール導体９，１０は誘電体フィル
タ用の電極としての導体層７にそれぞれ接続されてい
る。
【００２９】これらの構成のものはグリーンシートを用
いて積層したものを一括焼成して形成されている。これ
らの積層体を一括焼成する時、低誘電率層１，４が流動
軟化し高誘電率層２，３および導体層５，６，７，８と
結着することにより、界面の剥離あるいは各層に発生す
るクラックの発生を抑制し、大きな接着強度を有する複
合セラミック部品を得ることができる。
いて積層したものを一括焼成して形成されている。これ
らの積層体を一括焼成する時、低誘電率層１，４が流動
軟化し高誘電率層２，３および導体層５，６，７，８と
結着することにより、界面の剥離あるいは各層に発生す
るクラックの発生を抑制し、大きな接着強度を有する複
合セラミック部品を得ることができる。
【００３０】ここでは誘電体フィルタ内蔵の複合積層セ
ラミック部品を例にしたが、コンデンサ、インダクタ、
セラミックフィルタなど各種電子部品を内蔵する複合積
層セラミック部品を構成することができ、低誘電率層と
高誘電率層を交互に積層する構成も可能である。
ラミック部品を例にしたが、コンデンサ、インダクタ、
セラミックフィルタなど各種電子部品を内蔵する複合積
層セラミック部品を構成することができ、低誘電率層と
高誘電率層を交互に積層する構成も可能である。
【００３１】次に本発明の特徴とする高誘電率層と低誘
電率層の材料について具体的な実施の形態により説明す
る。
電率層の材料について具体的な実施の形態により説明す
る。
【００３２】（実施の形態１）高誘電率層に用いた材料
は、Ｂｉ2Ｏ3，ＣａＯ，Ｎｂ2Ｏ5を主成分とする系（以
下ＢＣＮ）、Ｂｉ2Ｏ3，ＣａＯ，ＺｎＯ，ＣｕＯ，Ｎｂ
2Ｏ5を主成分とする系（以下ＢＣＺＣＮ）、ＢａＯ，Ｎ
ｄ2Ｏ5，ＴｉＯ2，Ｓｍ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3を主成分とする
セラミック粉末９０重量％にＰｂＯ，Ｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2
を主成分とするガラス１０重量％からなる混合系（以下
ＢＮＴＧ）の三種類である。
は、Ｂｉ2Ｏ3，ＣａＯ，Ｎｂ2Ｏ5を主成分とする系（以
下ＢＣＮ）、Ｂｉ2Ｏ3，ＣａＯ，ＺｎＯ，ＣｕＯ，Ｎｂ
2Ｏ5を主成分とする系（以下ＢＣＺＣＮ）、ＢａＯ，Ｎ
ｄ2Ｏ5，ＴｉＯ2，Ｓｍ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3を主成分とする
セラミック粉末９０重量％にＰｂＯ，Ｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2
を主成分とするガラス１０重量％からなる混合系（以下
ＢＮＴＧ）の三種類である。
【００３３】ＢＣＮの電気的特性は比誘電率εｒ＝５
８、無負荷Ｑ値と共振周波数の積ｆＱ＝２８００、共振
周波数の温度特性τｆ＝＋２３ppm/℃であった。またＢ
ＣＺＣＮはεｒ＝１００、ｆＱ＝２２００、τｆ＝＋５
ppm/℃、ＢＮＴＧはεｒ＝５５、ｆＱ＝２３５０、τｆ
＝＋１５ppm/℃であった。
８、無負荷Ｑ値と共振周波数の積ｆＱ＝２８００、共振
周波数の温度特性τｆ＝＋２３ppm/℃であった。またＢ
ＣＺＣＮはεｒ＝１００、ｆＱ＝２２００、τｆ＝＋５
ppm/℃、ＢＮＴＧはεｒ＝５５、ｆＱ＝２３５０、τｆ
＝＋１５ppm/℃であった。
【００３４】これらの粉末５００ｇをメチルエチルケト
ン２００ｇ中にジブチルフタレート１０ｇとポリビニル
ブチラール樹脂２５ｇを溶かした溶液中に加え、ボール
ミルで２４時間混合した。得られたスラリーからドクタ
ーブレード法により厚さ５０μｍの各組成系の誘電体グ
リーンシートを作製した。
ン２００ｇ中にジブチルフタレート１０ｇとポリビニル
ブチラール樹脂２５ｇを溶かした溶液中に加え、ボール
ミルで２４時間混合した。得られたスラリーからドクタ
ーブレード法により厚さ５０μｍの各組成系の誘電体グ
リーンシートを作製した。
【００３５】ここで高誘電率層にＢＣＮ、ＢＣＺＣＮお
よびＢＮＴＧ誘電体材料を用いたのは、いずれも焼成温
度が９５０℃以下であり、内部導体層に導電率の高い銀
を用いて同時焼成が可能であり、かつ上記のようにマイ
クロ波特性に優れているためである。
よびＢＮＴＧ誘電体材料を用いたのは、いずれも焼成温
度が９５０℃以下であり、内部導体層に導電率の高い銀
を用いて同時焼成が可能であり、かつ上記のようにマイ
クロ波特性に優れているためである。
【００３６】低誘電率層に用いられるガラスはＳｉ
Ｏ2，Ｈ3ＢＯ3，Ａｌ（ＯＨ）3，ＣａＣＯ3，ＢａＣ
Ｏ3，ＳｒＣＯ3，Ｌａ2Ｏ3等の原料を白金または白金ロ
ジウム坩堝中で溶融し、冷却後粉砕してガラス粉末を作
製した。得られたガラス粉末と、フォルステライト（Ｍ
ｇ2ＳｉＯ4）、ジルコニア（ＺｒＯ2）、アルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ 3）の粉末を任意の重量比で配合し、ジルコニアボ
ールによって湿式混合、粉砕、乾燥させて低誘電率層粉
末を作製した。
Ｏ2，Ｈ3ＢＯ3，Ａｌ（ＯＨ）3，ＣａＣＯ3，ＢａＣ
Ｏ3，ＳｒＣＯ3，Ｌａ2Ｏ3等の原料を白金または白金ロ
ジウム坩堝中で溶融し、冷却後粉砕してガラス粉末を作
製した。得られたガラス粉末と、フォルステライト（Ｍ
ｇ2ＳｉＯ4）、ジルコニア（ＺｒＯ2）、アルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ 3）の粉末を任意の重量比で配合し、ジルコニアボ
ールによって湿式混合、粉砕、乾燥させて低誘電率層粉
末を作製した。
【００３７】低誘電率層材粉末の平均粒子径はレーザー
回折測定法により計測した。またこの粉末にポリビニル
アルコール水溶液をバインダーとして加え造粒した後、
金型プレスによって直径１３mm、厚さ１mmの円板を成形
し、５００℃でバインダーを飛散させた後８５０℃から
９５０℃の温度で焼成した。この焼成体の上下面にＡｕ
−Ｃｒ蒸着によって電極を形成し、ＬＣＲメーターによ
って１ＭＨｚにおける比誘電率を、絶縁抵抗計によって
抵抗率（５００Ｖｄｃ，１分間）を測定した。
回折測定法により計測した。またこの粉末にポリビニル
アルコール水溶液をバインダーとして加え造粒した後、
金型プレスによって直径１３mm、厚さ１mmの円板を成形
し、５００℃でバインダーを飛散させた後８５０℃から
９５０℃の温度で焼成した。この焼成体の上下面にＡｕ
−Ｃｒ蒸着によって電極を形成し、ＬＣＲメーターによ
って１ＭＨｚにおける比誘電率を、絶縁抵抗計によって
抵抗率（５００Ｖｄｃ，１分間）を測定した。
【００３８】得られた低誘電率層材粉末５００ｇをメチ
ルエチルケトン３００ｇ中にジブチルフタレート２５
ｇ、ポリビニルブチラール樹脂５０ｇを溶かした溶液中
に加え、ボールミルで２４時間混合した。得られたスラ
リーからドクターブレード法により厚さ５０μｍのグリ
ーンシートを作製した。
ルエチルケトン３００ｇ中にジブチルフタレート２５
ｇ、ポリビニルブチラール樹脂５０ｇを溶かした溶液中
に加え、ボールミルで２４時間混合した。得られたスラ
リーからドクターブレード法により厚さ５０μｍのグリ
ーンシートを作製した。
【００３９】前述の方法で作製した高誘電率シートを積
層し、６０℃で熱圧着することにより高誘電率層２およ
び３（各５００μｍ厚）を作製した。同様に低誘電率シ
ートを積層し、６０℃で熱圧着することにより低誘電率
層１，４（各２００μｍ厚）を作製した。これらの１，
２層中に導体層間の導通を得るためスルーホール９およ
び１０を形成し、銀ペーストを充填した。その後、１〜
４層上に銀ペーストをスクリーン印刷法により所定の導
体パターンに印刷し、それぞれ導体層５，６，７，８を
形成した。次いで各層１〜４を順次位置決めして積層
し、８０℃で熱圧着した後５００℃で脱バインダーし、
その後８５０℃〜９５０℃の温度で焼成し、図１に示す
複合積層セラミック部品を形成した。
層し、６０℃で熱圧着することにより高誘電率層２およ
び３（各５００μｍ厚）を作製した。同様に低誘電率シ
ートを積層し、６０℃で熱圧着することにより低誘電率
層１，４（各２００μｍ厚）を作製した。これらの１，
２層中に導体層間の導通を得るためスルーホール９およ
び１０を形成し、銀ペーストを充填した。その後、１〜
４層上に銀ペーストをスクリーン印刷法により所定の導
体パターンに印刷し、それぞれ導体層５，６，７，８を
形成した。次いで各層１〜４を順次位置決めして積層
し、８０℃で熱圧着した後５００℃で脱バインダーし、
その後８５０℃〜９５０℃の温度で焼成し、図１に示す
複合積層セラミック部品を形成した。
【００４０】以下に具体的な実施の形態２〜６について
述べる。 （実施の形態２）低誘電率層材料として様々な組成のガ
ラスに対し、高誘電率層材料を前記実施の形態１のよう
に焼成一体化して得られた基板について、低誘電率層と
高誘電率層界面における接着強度、剥離および基板のう
ねりの有無など焼成状態について外観から判断した。界
面接着強度は引っ張り試験によって評価を行った。さら
に、厚さ０．２mmのブレードを用いたダイサーで１．０
mm/secの速度でそれぞれの基板を切断したときの切断面
のクラックの有無を観察した。またガラスの熱膨張率は
ＴＭＡ測定、軟化点はＤＴＡ（示唆熱分析）測定により
求めた。
述べる。 （実施の形態２）低誘電率層材料として様々な組成のガ
ラスに対し、高誘電率層材料を前記実施の形態１のよう
に焼成一体化して得られた基板について、低誘電率層と
高誘電率層界面における接着強度、剥離および基板のう
ねりの有無など焼成状態について外観から判断した。界
面接着強度は引っ張り試験によって評価を行った。さら
に、厚さ０．２mmのブレードを用いたダイサーで１．０
mm/secの速度でそれぞれの基板を切断したときの切断面
のクラックの有無を観察した。またガラスの熱膨張率は
ＴＭＡ測定、軟化点はＤＴＡ（示唆熱分析）測定により
求めた。
【００４１】
【表１】
【００４２】成分量を固定したＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ
ａＯ−ＣａＯ−Ｂ2Ｏ3系の非晶質ガラスに対し、フォル
ステライト、ジルコニア、アルミナの各セラミック粉末
の混合量を変えて混合した低誘電率材料と、ＢＣＮ、Ｂ
ＣＺＣＮ、ＢＮＴＧの各高誘電率材料を、実施の形態１
に基づいて一体同時焼成した評価結果を（表１）の試料
番号１〜１６に示す。なお低誘電率層の非晶質ガラスと
セラミック粉末の重量混合比は５０：５０とした。
ａＯ−ＣａＯ−Ｂ2Ｏ3系の非晶質ガラスに対し、フォル
ステライト、ジルコニア、アルミナの各セラミック粉末
の混合量を変えて混合した低誘電率材料と、ＢＣＮ、Ｂ
ＣＺＣＮ、ＢＮＴＧの各高誘電率材料を、実施の形態１
に基づいて一体同時焼成した評価結果を（表１）の試料
番号１〜１６に示す。なお低誘電率層の非晶質ガラスと
セラミック粉末の重量混合比は５０：５０とした。
【００４３】試料番号１〜５の低誘電率材料はＢＣＮ、
ＢＮＴＧと界面の接着強度がやや弱いものの同時焼成可
能であったが、ＢＣＺＣＮとは同時焼成できず焼成体は
破壊していた。ＢＣＮの熱膨張率は９３×１０-7／℃、
ＢＮＴＧは９５×１０-7／℃であるのに対し、ＢＣＺＣ
Ｎは７６×１０-7／℃と低い。そのため熱膨張率が８８
〜９３×１０-7／℃でＢＣＮおよびＢＮＴＧと比較的熱
膨張の近い試料番号１〜５の低誘電率材料は、ＢＣＮお
よびＢＮＴＧと同時焼成可能であるが、ＢＣＺＣＮに対
しては高誘電率層に大きな圧縮応力がかかったため焼成
体が破壊したものと考えられる。
ＢＮＴＧと界面の接着強度がやや弱いものの同時焼成可
能であったが、ＢＣＺＣＮとは同時焼成できず焼成体は
破壊していた。ＢＣＮの熱膨張率は９３×１０-7／℃、
ＢＮＴＧは９５×１０-7／℃であるのに対し、ＢＣＺＣ
Ｎは７６×１０-7／℃と低い。そのため熱膨張率が８８
〜９３×１０-7／℃でＢＣＮおよびＢＮＴＧと比較的熱
膨張の近い試料番号１〜５の低誘電率材料は、ＢＣＮお
よびＢＮＴＧと同時焼成可能であるが、ＢＣＺＣＮに対
しては高誘電率層に大きな圧縮応力がかかったため焼成
体が破壊したものと考えられる。
【００４４】試料番号６の低誘電率材料ではアルミナの
含有量が増え熱膨張係数が小さくなったため、ＢＣＺＣ
Ｎに対しても同時焼成可能であったが、内部応力の大き
な蓄積があり、ダイサーで切断した際応力が解放され破
壊した。
含有量が増え熱膨張係数が小さくなったため、ＢＣＺＣ
Ｎに対しても同時焼成可能であったが、内部応力の大き
な蓄積があり、ダイサーで切断した際応力が解放され破
壊した。
【００４５】試料番号７ではアルミナの含有量が増え、
熱膨張係数がさらに小さくなったため、ＢＣＺＣＮに対
して焼成しダイサーで切断しても、切断面のクラックの
発生は見られなかった。しかしＢＣＮ、ＢＮＴＧに対し
ては、焼成体をダイサーによって切断した際高誘電率層
にクラックが多数発生した。低誘電率層の熱膨張率が高
誘電率層よりも小さくなりすぎたため、高誘電率層に大
きな引っ張り応力が作用し、クラックを発生させたと考
えられる。
熱膨張係数がさらに小さくなったため、ＢＣＺＣＮに対
して焼成しダイサーで切断しても、切断面のクラックの
発生は見られなかった。しかしＢＣＮ、ＢＮＴＧに対し
ては、焼成体をダイサーによって切断した際高誘電率層
にクラックが多数発生した。低誘電率層の熱膨張率が高
誘電率層よりも小さくなりすぎたため、高誘電率層に大
きな引っ張り応力が作用し、クラックを発生させたと考
えられる。
【００４６】試料番号８のようにアルミナの量が増え、
熱膨張係数が７９×１０-7／℃に低下すると、ＢＣＮ、
ＢＮＴＧとは同時焼成できず、界面で完全に剥離する。
一方ＢＣＺＣＮに対しては、接着強度がやや弱いものの
良好な焼成体を得ることができた。
熱膨張係数が７９×１０-7／℃に低下すると、ＢＣＮ、
ＢＮＴＧとは同時焼成できず、界面で完全に剥離する。
一方ＢＣＺＣＮに対しては、接着強度がやや弱いものの
良好な焼成体を得ることができた。
【００４７】試料番号９〜１６の場合でも１〜８と同様
の傾向であり、アルミナの含有量が５０％以上となり熱
膨張係数が小さくなるとＢＣＺＣＮとの同時焼成が可能
となり、アルミナの含有量が５０％未満で熱膨張係数が
大きくなるとＢＣＮ，ＢＮＴＧとの同時焼成が可能とな
る。
の傾向であり、アルミナの含有量が５０％以上となり熱
膨張係数が小さくなるとＢＣＺＣＮとの同時焼成が可能
となり、アルミナの含有量が５０％未満で熱膨張係数が
大きくなるとＢＣＮ，ＢＮＴＧとの同時焼成が可能とな
る。
【００４８】以上の結果より高誘電率層がＢＣＮおよび
ＢＮＴＧの場合には、フォルステライト、アルミナ、ジ
ルコニアで構成されるセラミック混合粉末内のアルミナ
の含有量は５０重量％未満であることが好ましい。また
高誘電率層がＢＣＺＣＮの場合には、アルミナの含有量
は５０重量％以上であることが好ましい。
ＢＮＴＧの場合には、フォルステライト、アルミナ、ジ
ルコニアで構成されるセラミック混合粉末内のアルミナ
の含有量は５０重量％未満であることが好ましい。また
高誘電率層がＢＣＺＣＮの場合には、アルミナの含有量
は５０重量％以上であることが好ましい。
【００４９】（実施の形態３）続いて、低誘電率層の非
晶質ガラス組成の各成分の最適化を図った。
晶質ガラス組成の各成分の最適化を図った。
【００５０】
【表２】
【００５１】ここでは高誘電率層としてＢＣＮを用い
た。評価方法は実施の形態２と同様である。また（表
１）の試料番号１と同様、低誘電率層のセラミック粉末
はフォルステライト１００重量％とし、非晶質ガラスと
セラミック粉末との重量混合比は５０：５０とした。
た。評価方法は実施の形態２と同様である。また（表
１）の試料番号１と同様、低誘電率層のセラミック粉末
はフォルステライト１００重量％とし、非晶質ガラスと
セラミック粉末との重量混合比は５０：５０とした。
【００５２】（表２）の試料番号１および１７〜２０は
非晶質ガラス中のＳｉＯ2とＭＯ（ＭはＢａ，Ｃａ）の
比について検討を行ったものである。ＳｉＯ2はガラス
形成酸化物であると同時にガラスの熱膨張率を低下させ
る働きがある。そのためＳｉＯ2の量が多すぎる場合
（試料番号２０）には低誘電率層の熱膨張率が低下し、
前記と同様の理由で高誘電率層に多数のクラックが発生
した。逆に少なすぎる場合には（試料番号１７）熱膨張
率が大きくなり焼成体は破壊する。したがってＳｉＯ2
の量は４０〜５０重量％が好ましい。
非晶質ガラス中のＳｉＯ2とＭＯ（ＭはＢａ，Ｃａ）の
比について検討を行ったものである。ＳｉＯ2はガラス
形成酸化物であると同時にガラスの熱膨張率を低下させ
る働きがある。そのためＳｉＯ2の量が多すぎる場合
（試料番号２０）には低誘電率層の熱膨張率が低下し、
前記と同様の理由で高誘電率層に多数のクラックが発生
した。逆に少なすぎる場合には（試料番号１７）熱膨張
率が大きくなり焼成体は破壊する。したがってＳｉＯ2
の量は４０〜５０重量％が好ましい。
【００５３】（表２）の試料番号２１〜２４はＭＯ／Ｌ
ａ2Ｏ3比について検討したものである。試料番号１９の
非晶質ガラスを基本とし、ＭＯ（ＭはＢａ，Ｃａ）の一
部をＬａ2Ｏ3に置換した。Ｌａ2Ｏ3の量を増やすとＢＣ
Ｎと低誘電率材料との反応性が向上し界面の接着強度が
強固となる。一方熱膨張率はほとんど変化しない。しか
しＬａ2Ｏ3の量が多すぎると低誘電率層とＢＣＮとの反
応が激しくなりすぎ、焼成体全体にうねりが生じてしま
う。試料番号１７〜２４の結果から（ＭＯ＋Ｌａ2Ｏ3）
の量は４０〜５０重量％でかつＬａ2Ｏ3の量は１５重量
％以下であることが好ましい。
ａ2Ｏ3比について検討したものである。試料番号１９の
非晶質ガラスを基本とし、ＭＯ（ＭはＢａ，Ｃａ）の一
部をＬａ2Ｏ3に置換した。Ｌａ2Ｏ3の量を増やすとＢＣ
Ｎと低誘電率材料との反応性が向上し界面の接着強度が
強固となる。一方熱膨張率はほとんど変化しない。しか
しＬａ2Ｏ3の量が多すぎると低誘電率層とＢＣＮとの反
応が激しくなりすぎ、焼成体全体にうねりが生じてしま
う。試料番号１７〜２４の結果から（ＭＯ＋Ｌａ2Ｏ3）
の量は４０〜５０重量％でかつＬａ2Ｏ3の量は１５重量
％以下であることが好ましい。
【００５４】（表２）の試料番号２５〜３９はＢａＯ／
ＣａＯ／ＳｒＯ比、４０〜４２はＳｉＯ2／Ｂ2Ｏ3比、
４３〜４６はＡｌ2Ｏ3／ＳｉＯ2比の最適化を図ったも
のである。
ＣａＯ／ＳｒＯ比、４０〜４２はＳｉＯ2／Ｂ2Ｏ3比、
４３〜４６はＡｌ2Ｏ3／ＳｉＯ2比の最適化を図ったも
のである。
【００５５】試料番号２５〜３９の結果より、ＢａＯは
１０〜４０重量％、ＣａＯは０〜３０重量％、ＳｒＯは
０〜１０重量％が好ましい。ＢａＯ、ＳｒＯが高含有に
なると低膨張側にシフトし、ＣａＯが高含有になると高
膨張側にシフトする。
１０〜４０重量％、ＣａＯは０〜３０重量％、ＳｒＯは
０〜１０重量％が好ましい。ＢａＯ、ＳｒＯが高含有に
なると低膨張側にシフトし、ＣａＯが高含有になると高
膨張側にシフトする。
【００５６】また試料番号４０〜４２の結果よりＢ2Ｏ3
の量は０〜１０重量％が好ましい。１０重量％を越える
とガラスの軟化点が下がりすぎ、高誘電率層との反応が
激しくなって焼成体にうねりを生じるためである。
の量は０〜１０重量％が好ましい。１０重量％を越える
とガラスの軟化点が下がりすぎ、高誘電率層との反応が
激しくなって焼成体にうねりを生じるためである。
【００５７】さらに試料番号４３〜４６の結果よりＡｌ
2Ｏ3の量は、１５重量％を越えると熱膨張が大きくなり
過ぎ高誘電率層にクラックが発生するため、０〜１５重
量％が好ましい。
2Ｏ3の量は、１５重量％を越えると熱膨張が大きくなり
過ぎ高誘電率層にクラックが発生するため、０〜１５重
量％が好ましい。
【００５８】なお本発明は実施の形態３に限定されるも
のではなく、低誘電率層の非晶質ガラスに添加可能な成
分としてＳｎＯ2，Ｐ2Ｏ5，Ｋ2Ｏなどを挙げることがで
きる。
のではなく、低誘電率層の非晶質ガラスに添加可能な成
分としてＳｎＯ2，Ｐ2Ｏ5，Ｋ2Ｏなどを挙げることがで
きる。
【００５９】（実施の形態４）次に非晶質ガラスとセラ
ミック粉末の重量混合比について検討した。非晶質ガラ
スの組成は実施の形態３の結果より試料番号２１の組成
を使用した。
ミック粉末の重量混合比について検討した。非晶質ガラ
スの組成は実施の形態３の結果より試料番号２１の組成
を使用した。
【００６０】
【表３】
【００６１】（表３）の試料番号２１および４７〜５２
は、セラミック粉末としてフォルステライトを使用し、
それと非晶質ガラスの重量混合比を変化させたときの評
価結果である。また試料番号５３〜５９はセラミック粉
末にアルミナを、６０，６１はジルコニアを用いたとき
の結果である。
は、セラミック粉末としてフォルステライトを使用し、
それと非晶質ガラスの重量混合比を変化させたときの評
価結果である。また試料番号５３〜５９はセラミック粉
末にアルミナを、６０，６１はジルコニアを用いたとき
の結果である。
【００６２】セラミック粉末がいずれの場合であって
も、セラミック粉末の重量混合比が多くなると低誘電率
層材料の焼結性が悪くなる。セラミック粉末と非晶質ガ
ラスの重量混合比が７５：２５となると焼成温度が９５
０℃でも焼成できず、絶縁抵抗の低下を引き起こしてい
る。なおそれ以上の焼成温度では銀との同時焼成が不可
能となる。
も、セラミック粉末の重量混合比が多くなると低誘電率
層材料の焼結性が悪くなる。セラミック粉末と非晶質ガ
ラスの重量混合比が７５：２５となると焼成温度が９５
０℃でも焼成できず、絶縁抵抗の低下を引き起こしてい
る。なおそれ以上の焼成温度では銀との同時焼成が不可
能となる。
【００６３】逆に非晶質ガラスの混合比が増えると焼結
性は良くなるが、混合比が２５：７５になると非晶質ガ
ラスと高誘電率層との反応が激しくなり過ぎ、焼成体の
反りやうねりを引き起こす。
性は良くなるが、混合比が２５：７５になると非晶質ガ
ラスと高誘電率層との反応が激しくなり過ぎ、焼成体の
反りやうねりを引き起こす。
【００６４】以上の結果から、セラミック粉末と非晶質
ガラスの重量混合比は３０：７０〜７０：３０が好まし
い。
ガラスの重量混合比は３０：７０〜７０：３０が好まし
い。
【００６５】（実施の形態５）低誘電率材料の粉砕平均
粒子径が、低誘電率材料の低温焼成化におよぼす効果に
ついて検討した。
粒子径が、低誘電率材料の低温焼成化におよぼす効果に
ついて検討した。
【００６６】
【表４】
【００６７】（表３）の試料番号５１のセラミック粉末
（フォルステライト）と非晶質ガラスの重量混合比が７
０：３０であるとき、銀との同時焼成の限界である焼成
温度９５０℃でようやく焼結できる状態であった。この
低誘電率材料の粉砕時間を長くして平均粒子径を小さく
し低温焼結化を図った結果が（表４）の試料番号６３，
６４である。低誘電率材料の粉砕平均粒子径が２．０μ
ｍ以下となると焼成温度は２０℃以上低下し、試料番号
５１のような焼結性の若干劣る組成であっても銀の溶融
温度（約９６０℃）と確実に３０℃以上の差ができる。
したがって銀電極の一部溶融や、導電率の低下の防止が
可能になる。
（フォルステライト）と非晶質ガラスの重量混合比が７
０：３０であるとき、銀との同時焼成の限界である焼成
温度９５０℃でようやく焼結できる状態であった。この
低誘電率材料の粉砕時間を長くして平均粒子径を小さく
し低温焼結化を図った結果が（表４）の試料番号６３，
６４である。低誘電率材料の粉砕平均粒子径が２．０μ
ｍ以下となると焼成温度は２０℃以上低下し、試料番号
５１のような焼結性の若干劣る組成であっても銀の溶融
温度（約９６０℃）と確実に３０℃以上の差ができる。
したがって銀電極の一部溶融や、導電率の低下の防止が
可能になる。
【００６８】したがって低誘電率材料の平均粒子径は
２．０μｍ以下であることが好ましい。
２．０μｍ以下であることが好ましい。
【００６９】（実施の形態６）低誘電率材料に対して添
加した副成分が、低誘電率材料の低温焼成化におよぼす
影響について検討した。
加した副成分が、低誘電率材料の低温焼成化におよぼす
影響について検討した。
【００７０】（表４）の試料番号６５〜６７は副成分と
して二酸化珪素（ＳｉＯ2）、試料番号６８〜７０は酸
化銅（ＣｕＯ）、試料番号７１〜７３は二酸化マンガン
（ＭｎＯ2）を添加した場合の評価結果である。
して二酸化珪素（ＳｉＯ2）、試料番号６８〜７０は酸
化銅（ＣｕＯ）、試料番号７１〜７３は二酸化マンガン
（ＭｎＯ2）を添加した場合の評価結果である。
【００７１】いずれの副成分の場合においても、焼成温
度は２０℃以上低下し低温焼成化に効果が認められる。
しかし副成分が二酸化珪素の場合添加量が３．０重量％
となると焼成体にうねりが発生するようになる。また酸
化銅および二酸化マンガンの添加量が３．０重量％とな
ると、低誘電率材料の絶縁抵抗の低下を引き起こし、１
×１０12（Ωcm）以下となってしまう。
度は２０℃以上低下し低温焼成化に効果が認められる。
しかし副成分が二酸化珪素の場合添加量が３．０重量％
となると焼成体にうねりが発生するようになる。また酸
化銅および二酸化マンガンの添加量が３．０重量％とな
ると、低誘電率材料の絶縁抵抗の低下を引き起こし、１
×１０12（Ωcm）以下となってしまう。
【００７２】以上の結果から、低誘電率材料に対する副
成分として、二酸化珪素、酸化銅、二酸化マンガンを
０．０５〜２．０重量％添加することが好ましい。
成分として、二酸化珪素、酸化銅、二酸化マンガンを
０．０５〜２．０重量％添加することが好ましい。
【００７３】
【発明の効果】以上の結果から、本発明の複合積層セラ
ミック部品の低誘電率層材料を非晶質ガラスとセラミッ
ク粉末の混合材料とすることにより、ＢＣＮ、ＢＣＺＣ
ＮあるいはＢＮＴＧの高誘電率マイクロ波用誘電体セラ
ミック材料と一体焼成することが可能である。さらにそ
の場合に焼成体の異種材料接着界面における剥離および
各層におけるクラックの発生を抑止できる。その結果、
信頼性が高く安定した複合積層セラミック部品を得るこ
とができる。
ミック部品の低誘電率層材料を非晶質ガラスとセラミッ
ク粉末の混合材料とすることにより、ＢＣＮ、ＢＣＺＣ
ＮあるいはＢＮＴＧの高誘電率マイクロ波用誘電体セラ
ミック材料と一体焼成することが可能である。さらにそ
の場合に焼成体の異種材料接着界面における剥離および
各層におけるクラックの発生を抑止できる。その結果、
信頼性が高く安定した複合積層セラミック部品を得るこ
とができる。
【図１】本発明の複合積層セラミック部品の一実施の形
態を示す断面図
態を示す断面図
１ 低誘電率層 ２ 高誘電率層 ３ 高誘電率層 ４ 低誘電率層 ５ 導体層（配線パターン） ６ 導体層（シールド層） ７ 導体層（共振器） ８ 導体層（シールド層） ９ スルーホール導体 １０ スルーホール導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ (72)発明者 斉藤 隆一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 木村 涼 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−243745（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−132086（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−29771（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 4/00 - 4/40 H01B 3/12 H03H 7/01 H05K 1/00 - 3/46
Claims (9)
- 【請求項１】 高誘電率層と低誘電率層の積層面に導体
層を形成して積層し、前記低誘電率層が非晶質ガラスと
セラミック粉末の混合物からなり、前記低誘電率層がフ
ォルステライト（Ｍｇ2ＳｉＯ4）、ジルコニア（ＺｒＯ
2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）のうち少なくとも一種以上
のセラミック粉末と、非晶質ガラスで構成されかつ、前
記非晶質ガラスの主成分がＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ
（ＭはＢａ，Ｃａ，Ｓｒから少なくとも１種以上）−Ｌ
ａ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3からなる複合積層セラミック部品。 - 【請求項２】 高誘電率層はＢｉ2Ｏ3，ＣａＯ，Ｎｂ2
Ｏ5を主成分とする誘電体セラミック材料である請求項
１に記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項３】 高誘電率層はＢｉ2Ｏ3，ＣａＯ，Ｚｎ
Ｏ，ＣｕＯ，Ｎｂ2Ｏ5を主成分とする誘電体セラミック
材料である請求項１に記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項４】 高誘電率層がＢｉ2Ｏ3，ＣａＯ，Ｚｎ
Ｏ，ＣｕＯ，Ｎｂ2Ｏ5を主成分とする誘電体セラミック
材料である請求項１記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項５】 高誘電率層はＢａＯ，Ｎｄ2Ｏ5，ＴｉＯ
2およびガラスを主成分とする誘電体セラミック材料で
ある請求項１に記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項６】 高誘電率層がＢａＯ，Ｎｄ2Ｏ5，ＴｉＯ
2およびガラスを主成分とする誘電体セラミック材料で
ある請求項１記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項７】 アルミナの含有量が、５０重量％未満で
ある請求項１記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項８】 低誘電率層の副成分として、セラミック
粉末と非晶質ガラスの総量を１００重量％としたとき、
酸化ケイ素、酸化銅、酸化マンガンのいずれかをＳｉＯ
2、ＣｕＯ，ＭｎＯ2に換算して０．０５〜２．０重量％
添加したものからなる請求項１記載の複合積層セラミッ
ク部品。 - 【請求項９】 低誘電率層を構成するセラミック粉末と
非晶質ガラスの混合粉体の製造において、混合粉体の平
均粒子径が２．０μｍ以下である請求項１記載の複合積
層セラミック部品。
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