JP3224287B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133753—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶の配向状態が微小な
領域毎に異なるようにした液晶表示装置に関する。
領域毎に異なるようにした液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、一対の対向する透明な
基板の間に液晶を挿入した液晶パネルからなる。一方の
ガラス基板の内面には共通電極及び配向膜が設けられ、
他方の基板の内面には画素電極及び配向膜が設けられ
る。また、後者の基板には画素電極とともにアクティブ
マトリクス回路を同時に形成する。さらに、これらの基
板の外側にはそれぞれ偏光板が設けられる。通常、これ
らの偏光板は偏光の透過軸が互いに直交するように配置
される。以下、このノーマリホワイトモードを例に取り
説明するが、ノーマリブラックモード（偏光板平行）に
おいても、技術的に同様のものについては、適用される
ことは言うまでもない。
基板の間に液晶を挿入した液晶パネルからなる。一方の
ガラス基板の内面には共通電極及び配向膜が設けられ、
他方の基板の内面には画素電極及び配向膜が設けられ
る。また、後者の基板には画素電極とともにアクティブ
マトリクス回路を同時に形成する。さらに、これらの基
板の外側にはそれぞれ偏光板が設けられる。通常、これ
らの偏光板は偏光の透過軸が互いに直交するように配置
される。以下、このノーマリホワイトモードを例に取り
説明するが、ノーマリブラックモード（偏光板平行）に
おいても、技術的に同様のものについては、適用される
ことは言うまでもない。
【０００３】液晶表示パネルでは、液晶分子は両基板の
配向膜のラビング方向に従って配向し、プレチルトす
る。偏光板を直交配置したツイストネマチック型の液晶
表示装置では、両基板の配向膜のラビング方向は相互に
ほぼ垂直になっており、液晶の分子は一方の基板から他
方の基板に向かうにつれて螺旋状にツイストしていく。
そして、液晶に電圧を印加しないときに、液晶の分子は
初期のツイスト及びプレチルトを維持した状態にあり、
入射光は液晶のツイストに沿って旋回しながら進み、液
晶パネルから出射する。このときに、偏光板を直交配置
したノーマリホワイトモードでは白表示が得られる。電
圧を印加すると、液晶が立ち上がり、液晶の複屈折作用
が弱くなり、上記した光の旋回作用が弱くなって、入射
光が液晶セルを透過しにくくなり、黒表示が得られるよ
うになる。このようにして、液晶への印加電圧を制御し
ながら、全体で明暗のコントラストのある画像を形成す
る。
配向膜のラビング方向に従って配向し、プレチルトす
る。偏光板を直交配置したツイストネマチック型の液晶
表示装置では、両基板の配向膜のラビング方向は相互に
ほぼ垂直になっており、液晶の分子は一方の基板から他
方の基板に向かうにつれて螺旋状にツイストしていく。
そして、液晶に電圧を印加しないときに、液晶の分子は
初期のツイスト及びプレチルトを維持した状態にあり、
入射光は液晶のツイストに沿って旋回しながら進み、液
晶パネルから出射する。このときに、偏光板を直交配置
したノーマリホワイトモードでは白表示が得られる。電
圧を印加すると、液晶が立ち上がり、液晶の複屈折作用
が弱くなり、上記した光の旋回作用が弱くなって、入射
光が液晶セルを透過しにくくなり、黒表示が得られるよ
うになる。このようにして、液晶への印加電圧を制御し
ながら、全体で明暗のコントラストのある画像を形成す
る。
【０００４】液晶表示装置では、観視者が、画面を見る
方向により、画像の明暗のコントラストが変化する。こ
れは、液晶表示装置の視角特性として一般に認識されて
いる。例えば、図７（Ｃ）はある液晶表示装置の視角特
性を示す図である。一点鎖線Ｃは垂直配置の液晶表示装
置を真正面から見た場合の電圧─透過率曲線である。破
線Ｕ、Ｌは角度３０度の斜め上方及び斜め下方から見た
場合の電圧─透過率曲線である。破線Ｌの場合には、電
圧を高くしても透過率の低下が少ないので、黒い表示を
得ようとしても、比較的に明るい表示になってしまう。
破線Ｕの場合には、電圧をわずかにかけると透過率が大
幅に低下し、コントラスト比の大きい画像が得られる
が、電圧の増加とともに再び透過率が上昇し、電圧と透
過率の対応関係が反転し、白と黒の間の中間色を得るの
に不都合なことがある。
方向により、画像の明暗のコントラストが変化する。こ
れは、液晶表示装置の視角特性として一般に認識されて
いる。例えば、図７（Ｃ）はある液晶表示装置の視角特
性を示す図である。一点鎖線Ｃは垂直配置の液晶表示装
置を真正面から見た場合の電圧─透過率曲線である。破
線Ｕ、Ｌは角度３０度の斜め上方及び斜め下方から見た
場合の電圧─透過率曲線である。破線Ｌの場合には、電
圧を高くしても透過率の低下が少ないので、黒い表示を
得ようとしても、比較的に明るい表示になってしまう。
破線Ｕの場合には、電圧をわずかにかけると透過率が大
幅に低下し、コントラスト比の大きい画像が得られる
が、電圧の増加とともに再び透過率が上昇し、電圧と透
過率の対応関係が反転し、白と黒の間の中間色を得るの
に不都合なことがある。
【０００５】このような視角特性の影響を解決するため
に、特開昭５４─５７５４号公報や、特開昭６３─１０
６６２４号公報は、１画素内で液晶の分子の配向方向の
異なる２つの微小な領域に分割し（画素分割という）、
一方の微小な領域は上記図７の（Ｃ）の特性を示す配向
処理を行い、もう一方の微小な領域は上記図７の（Ｃ）
とは上下逆の特性を示す配向処理を行うことを提案して
いる。このような画素分割によって、これらの二つの視
角特性を平均化し、全体としての視覚特性の向上を図る
ことができる。
に、特開昭５４─５７５４号公報や、特開昭６３─１０
６６２４号公報は、１画素内で液晶の分子の配向方向の
異なる２つの微小な領域に分割し（画素分割という）、
一方の微小な領域は上記図７の（Ｃ）の特性を示す配向
処理を行い、もう一方の微小な領域は上記図７の（Ｃ）
とは上下逆の特性を示す配向処理を行うことを提案して
いる。このような画素分割によって、これらの二つの視
角特性を平均化し、全体としての視覚特性の向上を図る
ことができる。
【０００６】図７の（Ａ）は画素分割された液晶表示装
置の一例を示す図である。液晶表示装置は一対のガラス
基板１６、１８の間に液晶２０が注入され、ガラス基板
１６の内面には共通電極２１及び配向膜２２が形成さ
れ、ガラス基板１８の内面には画素電極２４及び配向膜
２６が形成される。図７の（Ａ）では１画素相当の面積
が２つの微小な領域Ａ、Ｂに分割され、これらの微小な
領域Ａ、Ｂの各々が図７の（Ｂ）に示されるようにラビ
ングされている。
置の一例を示す図である。液晶表示装置は一対のガラス
基板１６、１８の間に液晶２０が注入され、ガラス基板
１６の内面には共通電極２１及び配向膜２２が形成さ
れ、ガラス基板１８の内面には画素電極２４及び配向膜
２６が形成される。図７の（Ａ）では１画素相当の面積
が２つの微小な領域Ａ、Ｂに分割され、これらの微小な
領域Ａ、Ｂの各々が図７の（Ｂ）に示されるようにラビ
ングされている。
【０００７】画素分割では基板１６、１８間の中間位置
にある液晶分子の配向状態が問題である。図７の（Ｂ）
では、破線の矢印が表示面側の基板（上基板）１６のラ
ビング方向を示し、実線の矢印が光入社側の基板（下基
板）１８のラビング方向を示している。従って、基板１
６、１８間の中間位置にある液晶分子は、図７の（Ａ）
に示されているように、微小な領域Ａでは上基板１６を
斜め上方から見る方向（矢印Ｕ）にプレチルトし、微小
な領域Ｂでは上基板１６を斜め下方から見る方向（矢印
Ｌ）にプレチルトしている。
にある液晶分子の配向状態が問題である。図７の（Ｂ）
では、破線の矢印が表示面側の基板（上基板）１６のラ
ビング方向を示し、実線の矢印が光入社側の基板（下基
板）１８のラビング方向を示している。従って、基板１
６、１８間の中間位置にある液晶分子は、図７の（Ａ）
に示されているように、微小な領域Ａでは上基板１６を
斜め上方から見る方向（矢印Ｕ）にプレチルトし、微小
な領域Ｂでは上基板１６を斜め下方から見る方向（矢印
Ｌ）にプレチルトしている。
【０００８】図７の（Ｃ）はこの微小な領域Ａの特性を
示したものであり、微小な領域Ｂは微小な領域Ａと逆特
性をもつ。従って、微小な領域Ａと微小な領域Ｂとを隣
接して配置することにより、図７の（Ｃ）の実線Ｉの特
性が得られる。実線Ｉの特性は破線Ｌと破線Ｕの特性を
加えて２で割ったものになり、法線方向から見た一点鎖
線Ｃの特性に近くなり、極端に透過率の高い視角方向と
極端に透過率の低い視角方向とがなくなって視角特性が
改善される。微小な領域Ａ、Ｂは、一画素の面積、ある
いは一画素の面積の数倍又は逆数倍に相当するような微
小な領域毎に設けられる。
示したものであり、微小な領域Ｂは微小な領域Ａと逆特
性をもつ。従って、微小な領域Ａと微小な領域Ｂとを隣
接して配置することにより、図７の（Ｃ）の実線Ｉの特
性が得られる。実線Ｉの特性は破線Ｌと破線Ｕの特性を
加えて２で割ったものになり、法線方向から見た一点鎖
線Ｃの特性に近くなり、極端に透過率の高い視角方向と
極端に透過率の低い視角方向とがなくなって視角特性が
改善される。微小な領域Ａ、Ｂは、一画素の面積、ある
いは一画素の面積の数倍又は逆数倍に相当するような微
小な領域毎に設けられる。
【０００９】画素分割した液晶表示装置では、隣接した
２つの微小な領域Ａ、Ｂ毎に逆方向のラビングを行わな
くてはならない。このようなラビング処理は、最初のう
ちは図８に示されるようにして行われていた。すなわ
ち、図８の（Ａ）に示されるように、上基板１６に共通
電極２１と配向膜２２とを設け、次にフォトリソグラフ
ィ処理によって配向膜２２の上に微小な領域Ａ（又は
Ｂ）に相当する開口部を有するレジスト５５を設け、そ
れからラビングローラ５７によって一定の方向（矢印
ａ）にラビングする。すると、レジスト５５の開口部に
相当する微小な領域Ａのみがラビングされる。次に、図
８の（Ｂ）に示されるように、前のレジスト５５を除去
した後、フォトリソグラフィ処理によって配向膜２２の
上に微小な領域Ｂに相当する開口部を有するレジスト５
５を設け、それからラビングローラ５７によって前と逆
の方向（矢印ｂ）にラビングする。すると、レジスト５
５の開口部に相当する微小な領域Ｂのみがラビングされ
る。前にラビングされた領域Ａはレジスト５５によって
覆われているので、２回目のラビングの影響は受けずに
最初のラビング状態のまま維持され、従って２回目のレ
ジスト５５を除去すると、最初のラビングが現れる。
２つの微小な領域Ａ、Ｂ毎に逆方向のラビングを行わな
くてはならない。このようなラビング処理は、最初のう
ちは図８に示されるようにして行われていた。すなわ
ち、図８の（Ａ）に示されるように、上基板１６に共通
電極２１と配向膜２２とを設け、次にフォトリソグラフ
ィ処理によって配向膜２２の上に微小な領域Ａ（又は
Ｂ）に相当する開口部を有するレジスト５５を設け、そ
れからラビングローラ５７によって一定の方向（矢印
ａ）にラビングする。すると、レジスト５５の開口部に
相当する微小な領域Ａのみがラビングされる。次に、図
８の（Ｂ）に示されるように、前のレジスト５５を除去
した後、フォトリソグラフィ処理によって配向膜２２の
上に微小な領域Ｂに相当する開口部を有するレジスト５
５を設け、それからラビングローラ５７によって前と逆
の方向（矢印ｂ）にラビングする。すると、レジスト５
５の開口部に相当する微小な領域Ｂのみがラビングされ
る。前にラビングされた領域Ａはレジスト５５によって
覆われているので、２回目のラビングの影響は受けずに
最初のラビング状態のまま維持され、従って２回目のレ
ジスト５５を除去すると、最初のラビングが現れる。
【００１０】下基板１８の配向膜２６についても同様に
して（ただし、上基板１６の配向膜２２のラビング方向
に対して９０度ずらして）ラビング処理が行われる。従
って、従来の画素分割では、各基板の配向膜２２、２４
に対して、２回のフォトリソグラフィ処理と、２回のラ
ビング処理とを行うことが必要であり、合計４回のフォ
トリソグラフィ処理と、４回のラビング処理とを行うこ
とが必要であった。
して（ただし、上基板１６の配向膜２２のラビング方向
に対して９０度ずらして）ラビング処理が行われる。従
って、従来の画素分割では、各基板の配向膜２２、２４
に対して、２回のフォトリソグラフィ処理と、２回のラ
ビング処理とを行うことが必要であり、合計４回のフォ
トリソグラフィ処理と、４回のラビング処理とを行うこ
とが必要であった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このように何
回もフォトリソグラフィ処理とラビング処理を行うため
に、製造コストが上がり、かつ、配向膜２２、２６の表
面が荒れて液晶の配向が安定しないという問題点があっ
た。なお、図８の（Ａ）において、最初のレジスト５５
の塗布を省略し、配向膜２２の上に全面にラビングロー
ラ５７によって一定の方向（矢印ａ）にラビングをし、
それから、図８の（Ｂ）に示されるように、フォトリソ
グラフィ処理によって微小な領域Ａ（又はＢ）に相当す
る開口部を有するレジスト５５を設け、そこで前と逆の
方向（矢印ｂ）にラビングするようにしてもよい。しか
し、この場合でも、合計２回のフォトリソグラフィ処理
と、４回のラビング処理が必要である。
回もフォトリソグラフィ処理とラビング処理を行うため
に、製造コストが上がり、かつ、配向膜２２、２６の表
面が荒れて液晶の配向が安定しないという問題点があっ
た。なお、図８の（Ａ）において、最初のレジスト５５
の塗布を省略し、配向膜２２の上に全面にラビングロー
ラ５７によって一定の方向（矢印ａ）にラビングをし、
それから、図８の（Ｂ）に示されるように、フォトリソ
グラフィ処理によって微小な領域Ａ（又はＢ）に相当す
る開口部を有するレジスト５５を設け、そこで前と逆の
方向（矢印ｂ）にラビングするようにしてもよい。しか
し、この場合でも、合計２回のフォトリソグラフィ処理
と、４回のラビング処理が必要である。
【００１２】図９に示す液晶表示装置は、このような問
題点を解決するためになされた本願の出願人による先願
である特願平３─３３８７８１号に開示されたものであ
る。図９において、一方の基板１６の配向膜２２は上記
した上基板１６の配向膜２２と同じように異なる方向
（ａ、ｂ）配向処理を行い、他方の基板１８の配向膜２
６は微小な領域Ａ、Ｂともに一定の方向（ｃ）にのみラ
ビングするようになっている。一方の基板１６の配向膜
２２の近傍の液晶分子は、微小な領域Ａ、Ｂで配向方向
は逆であるが、プレチルトはθ1 で同じである。他方の
基板１８の配向膜２６の近傍の液晶分子のプレチルトは
θ2 であり、θ1 ＞θ2 である。図９の微小な領域Ａで
は、上下の基板１６、１８に接する液晶分子は逆方向に
プレチルトするが、中間の液晶分子はプレチルトの大き
い一方の基板１６の配向膜２２の近傍の液晶分子と同じ
ようにプレチルトする。従って、この場合にも、上記し
た画素分割の特徴を発揮することができる。
題点を解決するためになされた本願の出願人による先願
である特願平３─３３８７８１号に開示されたものであ
る。図９において、一方の基板１６の配向膜２２は上記
した上基板１６の配向膜２２と同じように異なる方向
（ａ、ｂ）配向処理を行い、他方の基板１８の配向膜２
６は微小な領域Ａ、Ｂともに一定の方向（ｃ）にのみラ
ビングするようになっている。一方の基板１６の配向膜
２２の近傍の液晶分子は、微小な領域Ａ、Ｂで配向方向
は逆であるが、プレチルトはθ1 で同じである。他方の
基板１８の配向膜２６の近傍の液晶分子のプレチルトは
θ2 であり、θ1 ＞θ2 である。図９の微小な領域Ａで
は、上下の基板１６、１８に接する液晶分子は逆方向に
プレチルトするが、中間の液晶分子はプレチルトの大き
い一方の基板１６の配向膜２２の近傍の液晶分子と同じ
ようにプレチルトする。従って、この場合にも、上記し
た画素分割の特徴を発揮することができる。
【００１３】この場合には、上下基板合計で少なくとも
１回のフォトリソグラフィ処理と３回のラビング処理を
行うことが必要であり、かなりコスト低減に寄与するこ
とができる。ただし、上基板１６の配向膜２２のラビン
グについては、上記図８の（Ｂ）で説明したように、ラ
ビングは２回必要であり、２回目のラビングの前にレジ
スト５５を形成し、そして２回目のラビングが終わった
後でそのレジスト５５を除去することが必要であった。
１回のフォトリソグラフィ処理と３回のラビング処理を
行うことが必要であり、かなりコスト低減に寄与するこ
とができる。ただし、上基板１６の配向膜２２のラビン
グについては、上記図８の（Ｂ）で説明したように、ラ
ビングは２回必要であり、２回目のラビングの前にレジ
スト５５を形成し、そして２回目のラビングが終わった
後でそのレジスト５５を除去することが必要であった。
【００１４】本願の出願人は、この先願に限ったことで
はないが、ラビングの後でレジスト除去等の化学的な処
理を行うと、ラビングした表面が荒れて液晶の配向が安
定しないという問題点に気がついた。そこで、ラビング
した表面を荒らさずに液晶の配向を安定させることので
きる液晶表示装置を、特願平４─１６６６９号において
開示した。
はないが、ラビングの後でレジスト除去等の化学的な処
理を行うと、ラビングした表面が荒れて液晶の配向が安
定しないという問題点に気がついた。そこで、ラビング
した表面を荒らさずに液晶の配向を安定させることので
きる液晶表示装置を、特願平４─１６６６９号において
開示した。
【００１５】図１０は上記出願の液晶表示装置を示す図
である。図１０においては、各基板１６、１８の配向膜
２２、２６が、それぞれ下層側の配向材層５１と上層側
の配向材層５３とからなる２層構造とされ、上層側の配
向材層５３が微小な領域Ａ、Ｂに応じて開口するように
パターニングされる。すなわち、下層側の配向材層５１
と上層側の配向材層５３をそれぞれ全面ベタに形成し、
上層側の配向材層５３のみを微小な領域Ａ、Ｂに応じて
開口させる。
である。図１０においては、各基板１６、１８の配向膜
２２、２６が、それぞれ下層側の配向材層５１と上層側
の配向材層５３とからなる２層構造とされ、上層側の配
向材層５３が微小な領域Ａ、Ｂに応じて開口するように
パターニングされる。すなわち、下層側の配向材層５１
と上層側の配向材層５３をそれぞれ全面ベタに形成し、
上層側の配向材層５３のみを微小な領域Ａ、Ｂに応じて
開口させる。
【００１６】この時点で、フォトリソグラフィ処理は完
了し、使用されたレジストも除去される。そこで、各基
板において、上層側の配向材層５３及び下層側の配向材
層５１が同時に一定の方向（ａ、又はｃ）にラビングさ
れる。下層側の配向材層５１と上層側の配向材層５３と
は例えば材料を変えてあり、同じようにラビングしたと
きに上層側の配向材層５３及び下層側の配向材層５１に
接触する液晶がそれぞれ異なった角度θ1 、θ2 （θ1
＞θ2 ）でプレチルトする。このようにして、上下の基
板１６、１８に接する液晶分子は逆方向にプレチルトす
るが、中間の液晶分子はプレチルトの大きい方の基板１
６（１８）の配向膜２２（２６）の近傍の液晶分子と同
じようにプレチルトする。従って、この場合にも、上記
した画素分割の特徴を発揮することができる。
了し、使用されたレジストも除去される。そこで、各基
板において、上層側の配向材層５３及び下層側の配向材
層５１が同時に一定の方向（ａ、又はｃ）にラビングさ
れる。下層側の配向材層５１と上層側の配向材層５３と
は例えば材料を変えてあり、同じようにラビングしたと
きに上層側の配向材層５３及び下層側の配向材層５１に
接触する液晶がそれぞれ異なった角度θ1 、θ2 （θ1
＞θ2 ）でプレチルトする。このようにして、上下の基
板１６、１８に接する液晶分子は逆方向にプレチルトす
るが、中間の液晶分子はプレチルトの大きい方の基板１
６（１８）の配向膜２２（２６）の近傍の液晶分子と同
じようにプレチルトする。従って、この場合にも、上記
した画素分割の特徴を発揮することができる。
【００１７】この場合には、ラビング処理がフォトリソ
グラフィ処理が完了した後に実施され、ラビングの後で
はレジスト除去等の化学的な処理が行われないので、ラ
ビングした表面が荒れることがなく、液晶の配向が極め
て安定するとい結果を得るにいたった。また、上下基板
合計で２回のフォトリソグラフィ処理と２回のラビング
処理を行うことが必要であった。本発明は、これらの先
願の特徴をさらに改善するものである。
グラフィ処理が完了した後に実施され、ラビングの後で
はレジスト除去等の化学的な処理が行われないので、ラ
ビングした表面が荒れることがなく、液晶の配向が極め
て安定するとい結果を得るにいたった。また、上下基板
合計で２回のフォトリソグラフィ処理と２回のラビング
処理を行うことが必要であった。本発明は、これらの先
願の特徴をさらに改善するものである。
【００１８】本発明の目的は、液晶の配向状態が微小な
領域毎に異なるような配向処理を容易且つ確実に行うこ
とができ、そして液晶の配向が安定するようにした液晶
表示装置を提供することである。
領域毎に異なるような配向処理を容易且つ確実に行うこ
とができ、そして液晶の配向が安定するようにした液晶
表示装置を提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示装
置は、第１図に示されるように、第１及び第２の対向す
る基板１６、１８と、該第１の基板の内面に設けられた
電極２１及び配向膜２２と、該第２の基板の内面に設け
られた電極２４及び配向膜２６と、該第１及び第２の基
板の間に挿入された液晶２０とからなり、該第１の基板
の配向膜２２は液晶の配向方向が同じでプレチルト
θ1 、θ2 が互いに異なった第１及び第２の隣接する微
小な領域Ａ、Ｂを有し、該第２の基板の配向膜２６は配
向方向及びプレチルトφが実質的に同じであり、θ1 ＞
φ＞θ2 の関係があり、該第１の基板の電極２１が共通
電極であり、該第２の基板の電極２６が複数の微小な画
素電極であることを特徴とする。
置は、第１図に示されるように、第１及び第２の対向す
る基板１６、１８と、該第１の基板の内面に設けられた
電極２１及び配向膜２２と、該第２の基板の内面に設け
られた電極２４及び配向膜２６と、該第１及び第２の基
板の間に挿入された液晶２０とからなり、該第１の基板
の配向膜２２は液晶の配向方向が同じでプレチルト
θ1 、θ2 が互いに異なった第１及び第２の隣接する微
小な領域Ａ、Ｂを有し、該第２の基板の配向膜２６は配
向方向及びプレチルトφが実質的に同じであり、θ1 ＞
φ＞θ2 の関係があり、該第１の基板の電極２１が共通
電極であり、該第２の基板の電極２６が複数の微小な画
素電極であることを特徴とする。
【００２０】また、もう一つの特徴において、本発明に
よる液晶表示装置は、第２図に示されるように、第１及
び第２の対向する基板１６、１８と、該第１の基板の内
面に設けられた電極２１及び配向膜２２と、該第２の基
板の内面に設けられた電極２４及び配向膜２６と、該第
１及び第２の基板の間に挿入された液晶２０とからな
り、該第１の基板の配向膜２２は液晶の配向方向及びプ
レチルトθ1 、θ2 が互いに異なった第１及び第２の隣
接する微小な領域Ａ、Ｂを有し、該第２の基板の配向膜
２６は、配向方向及びプレチルトφが実質的に同じであ
り、θ1 ＞φの関係があることを特徴とする。
よる液晶表示装置は、第２図に示されるように、第１及
び第２の対向する基板１６、１８と、該第１の基板の内
面に設けられた電極２１及び配向膜２２と、該第２の基
板の内面に設けられた電極２４及び配向膜２６と、該第
１及び第２の基板の間に挿入された液晶２０とからな
り、該第１の基板の配向膜２２は液晶の配向方向及びプ
レチルトθ1 、θ2 が互いに異なった第１及び第２の隣
接する微小な領域Ａ、Ｂを有し、該第２の基板の配向膜
２６は、配向方向及びプレチルトφが実質的に同じであ
り、θ1 ＞φの関係があることを特徴とする。
【００２１】
【作用】上記した構成においては、第１の基板では、第
１及び第２の隣接する微小な領域Ａ、Ｂにおけるプレチ
ルトθ1 、θ2 が互いに異なっている。大きいプレチル
トθ1 を有する微小な領域では、第１の基板の近傍では
大きいプレチルトθ1 の液晶分子があり、かつ第２の基
板の近傍では小さいプレチルトφの液晶分子があるが、
中間の液晶分子は大きいプレチルトθ1 の配向に従って
配向する。上記大きいプレチルトθ1 を有する微小な領
域と隣接する微小な領域では、第１の基板の第１及び第
２の隣接する微小な領域Ａ、Ｂのラビング方向が互いに
同じか、異なるかで条件が違ってくる。第１及び第２の
隣接する微小な領域Ａ、Ｂのラビング方向が互いに同じ
で、φ＞θ2 の関係がある場合には、第１の基板の近傍
では小さいプレチルトθ2 の液晶分子があり、かつ第２
の基板の近傍では大きいプレチルトφの液晶分子がある
が、中間の液晶分子は大きいプレチルトφの配向に従っ
て配向する。第１及び第２の隣接する微小な領域Ａ、Ｂ
のラビング方向が互いに異なっている場合には、φとθ
2 の大小関係にかかわらず、中間の液晶分子はプレチル
トφ、θ2 の配向に従って配向する。
１及び第２の隣接する微小な領域Ａ、Ｂにおけるプレチ
ルトθ1 、θ2 が互いに異なっている。大きいプレチル
トθ1 を有する微小な領域では、第１の基板の近傍では
大きいプレチルトθ1 の液晶分子があり、かつ第２の基
板の近傍では小さいプレチルトφの液晶分子があるが、
中間の液晶分子は大きいプレチルトθ1 の配向に従って
配向する。上記大きいプレチルトθ1 を有する微小な領
域と隣接する微小な領域では、第１の基板の第１及び第
２の隣接する微小な領域Ａ、Ｂのラビング方向が互いに
同じか、異なるかで条件が違ってくる。第１及び第２の
隣接する微小な領域Ａ、Ｂのラビング方向が互いに同じ
で、φ＞θ2 の関係がある場合には、第１の基板の近傍
では小さいプレチルトθ2 の液晶分子があり、かつ第２
の基板の近傍では大きいプレチルトφの液晶分子がある
が、中間の液晶分子は大きいプレチルトφの配向に従っ
て配向する。第１及び第２の隣接する微小な領域Ａ、Ｂ
のラビング方向が互いに異なっている場合には、φとθ
2 の大小関係にかかわらず、中間の液晶分子はプレチル
トφ、θ2 の配向に従って配向する。
【００２２】
【実施例】図１及び図３は、本発明の第１実施例の液晶
表示装置の液晶パネル１０を示す図である。この液晶パ
ネル１０の両側には偏光板（図示せず）がノーマリホワ
イトモードのときに垂直な関係で、あるいはノーマリブ
ラックモードのときに平行な関係で配置される。液晶パ
ネル１０は、一対の透明なガラス基板１６、１８の間に
液晶２０を封入したものである。液晶２０はツイストネ
マチック型液晶を使用している。図示しない光源からの
光は矢印Ｐの方から液晶パネル１０に入射し、観視者は
入射方向とは逆の方向から液晶パネル１０を見るものと
し、以後の説明においては、光の入射側の基板１６を下
基板と呼び、観視者側の基板１８を上基板と呼ぶことに
する。
表示装置の液晶パネル１０を示す図である。この液晶パ
ネル１０の両側には偏光板（図示せず）がノーマリホワ
イトモードのときに垂直な関係で、あるいはノーマリブ
ラックモードのときに平行な関係で配置される。液晶パ
ネル１０は、一対の透明なガラス基板１６、１８の間に
液晶２０を封入したものである。液晶２０はツイストネ
マチック型液晶を使用している。図示しない光源からの
光は矢印Ｐの方から液晶パネル１０に入射し、観視者は
入射方向とは逆の方向から液晶パネル１０を見るものと
し、以後の説明においては、光の入射側の基板１６を下
基板と呼び、観視者側の基板１８を上基板と呼ぶことに
する。
【００２３】上基板１６の内面にはカラーフィルタ層１
９、ＩＴＯの共通電極２１及び配向膜２２が設けられ、
下基板１８の内面には画素電極２４及び配向膜２６が設
けられる。カラーフィルタ層１９は図１では省略されて
いる。下基板１８に設けられた画素電極２４はアクティ
ブマトリクス回路に接続される。図４に示されるよう
に、アクティブマトリクス回路は縦、横にマトリクス状
に延びるデータバスライン３０及びゲートバスライン３
２を含み、画素電極２４は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
３４を介してデータバスライン３０及びゲートバスライ
ン３２に接続される。なお、上下基板とカラーフィル
タ、ＴＦＴの組合せは逆になっても液晶の配向上の違い
はない。ただし、ＴＦＴ基板は全体のプロセス工程が長
いため、両基板の工程数を合わせるという意味で、ＣＦ
基板が上基板（配向が分割される基板）の方が望まし
い。
９、ＩＴＯの共通電極２１及び配向膜２２が設けられ、
下基板１８の内面には画素電極２４及び配向膜２６が設
けられる。カラーフィルタ層１９は図１では省略されて
いる。下基板１８に設けられた画素電極２４はアクティ
ブマトリクス回路に接続される。図４に示されるよう
に、アクティブマトリクス回路は縦、横にマトリクス状
に延びるデータバスライン３０及びゲートバスライン３
２を含み、画素電極２４は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
３４を介してデータバスライン３０及びゲートバスライ
ン３２に接続される。なお、上下基板とカラーフィル
タ、ＴＦＴの組合せは逆になっても液晶の配向上の違い
はない。ただし、ＴＦＴ基板は全体のプロセス工程が長
いため、両基板の工程数を合わせるという意味で、ＣＦ
基板が上基板（配向が分割される基板）の方が望まし
い。
【００２４】図１及び図３に示されるように、上基板１
６の配向膜２２及び下基板１８の配向膜２６は、液晶２
０の配向状態が異なるように配向処理された隣接する微
小な領域Ａ、Ｂを有する。より詳細には、これらの微小
な領域Ａ、Ｂでは、上基板１６の配向膜２２は液晶の配
向方向が同じでプレチルトθ1 、θ2 が互いに異なるよ
うに配向処理されている。また、下基板１８の配向膜２
６は配向方向及びプレチルトφが実質的に同じに配向処
理されている。第１実施例では、θ1 ＞φ＞θ 2 の関係
を満足するように配向処理がなされる。
６の配向膜２２及び下基板１８の配向膜２６は、液晶２
０の配向状態が異なるように配向処理された隣接する微
小な領域Ａ、Ｂを有する。より詳細には、これらの微小
な領域Ａ、Ｂでは、上基板１６の配向膜２２は液晶の配
向方向が同じでプレチルトθ1 、θ2 が互いに異なるよ
うに配向処理されている。また、下基板１８の配向膜２
６は配向方向及びプレチルトφが実質的に同じに配向処
理されている。第１実施例では、θ1 ＞φ＞θ 2 の関係
を満足するように配向処理がなされる。
【００２５】図３に示されるように、配向膜２２のプレ
チルトθ1 、θ2 を異ならせる手段として、配向膜２２
は積層して設けられた下層側の配向材層５１と上層側の
配向材層５３とからなり、これらの下層側の配向材層５
１と上層側の配向材層５３がそれぞれ同じようなラビン
グを行ったときにプレチルトθ1 、θ2 が異なるような
材料からなる。下層側の配向材層５１は、例えばＳｉＯ
2 ／ＴｉＯ2 等の無機系の配向材からなり、上層側の配
向材層５３はイミド化率１００パーセントのポリイミド
等の有機系の配向材からなる。下層側の配向材層５１及
び上層側の配向材層５３の膜厚は５００Ａ程度でよい。
チルトθ1 、θ2 を異ならせる手段として、配向膜２２
は積層して設けられた下層側の配向材層５１と上層側の
配向材層５３とからなり、これらの下層側の配向材層５
１と上層側の配向材層５３がそれぞれ同じようなラビン
グを行ったときにプレチルトθ1 、θ2 が異なるような
材料からなる。下層側の配向材層５１は、例えばＳｉＯ
2 ／ＴｉＯ2 等の無機系の配向材からなり、上層側の配
向材層５３はイミド化率１００パーセントのポリイミド
等の有機系の配向材からなる。下層側の配向材層５１及
び上層側の配向材層５３の膜厚は５００Ａ程度でよい。
【００２６】図５は、図１及び図３の液晶パネル１０の
配向処理を示す図である。下基板１８の配向膜２４は一
層の配向膜からなるものであり、下基板１８の表面に画
素電極２４及びアクティブマトリクス回路を作り、その
上に配向膜２４を塗布して、ラビングローラ５７により
矢印ｃの方向にラビングしたものである。
配向処理を示す図である。下基板１８の配向膜２４は一
層の配向膜からなるものであり、下基板１８の表面に画
素電極２４及びアクティブマトリクス回路を作り、その
上に配向膜２４を塗布して、ラビングローラ５７により
矢印ｃの方向にラビングしたものである。
【００２７】上基板１６の配向膜２２は下層側の配向材
層５１と上層側の配向材層５３とからなる。上基板１６
については、上基板１６の表面に共通電極２１となるＩ
ＴＯを形成（スパッタ又はイオンプレーティング法等）
し、その上から下層側の配向材層５１及び上層側の配向
材層５３をそれぞれ表示エリア部の全面的に塗布する。
それから、レジスト５５をマスクとして上層側の配向材
層５３をエッチングによりパターニングする。レジスト
５５は市販のポジ型フォトレジストを使用し、エッチン
グ液はアルカリ性のものを用いる。実際は、上層側の配
向材層５３はレジスト現像時に現像液によりエッチング
されてしまう。ポリイミドの上層側の配向材層５３はア
ルカリ性のエッチング液に容易に溶けるが、下層側の配
向材層５１はエッチング液に溶けない。
層５１と上層側の配向材層５３とからなる。上基板１６
については、上基板１６の表面に共通電極２１となるＩ
ＴＯを形成（スパッタ又はイオンプレーティング法等）
し、その上から下層側の配向材層５１及び上層側の配向
材層５３をそれぞれ表示エリア部の全面的に塗布する。
それから、レジスト５５をマスクとして上層側の配向材
層５３をエッチングによりパターニングする。レジスト
５５は市販のポジ型フォトレジストを使用し、エッチン
グ液はアルカリ性のものを用いる。実際は、上層側の配
向材層５３はレジスト現像時に現像液によりエッチング
されてしまう。ポリイミドの上層側の配向材層５３はア
ルカリ性のエッチング液に容易に溶けるが、下層側の配
向材層５１はエッチング液に溶けない。
【００２８】レジスト５５を剥離した後で、ラビングロ
ーラ５７により矢印ａの方向に下層側の配向材層５１及
び上層側の配向材層５３を同時にラビングする。従っ
て、上層側の配向材層５３、及び上層側の配向材層５３
から露出した下層側の配向材層５１は同じ方向にラビン
グされる。しかし、液晶分子が上層側の配向材層５３に
接しているか、あるいは下層側の配向材層５１に接して
いるかによってプレチルトθ1 、θ2 の角度は異なる。
ーラ５７により矢印ａの方向に下層側の配向材層５１及
び上層側の配向材層５３を同時にラビングする。従っ
て、上層側の配向材層５３、及び上層側の配向材層５３
から露出した下層側の配向材層５１は同じ方向にラビン
グされる。しかし、液晶分子が上層側の配向材層５３に
接しているか、あるいは下層側の配向材層５１に接して
いるかによってプレチルトθ1 、θ2 の角度は異なる。
【００２９】下層側の配向材層５１に適した無機系の配
向材の一例としては、日産化学製ＡＴ−ＬＯ２８があ
り、これはプレチルトθ2 が１度程度である。上層側の
配向材層５３に適した高プレチルト型のポリイミドの一
例としては、日本合成ゴム製ＪＡＬＳ２４６や２１４が
ある。これはプレチルトθ1 が５度以上である。そし
て、下基板１８の配向膜２６に適した中プレチルト型の
ポリイミドの一例としては、日本合成ゴム製ＡＬ１０５
４やＪＡＬＳ２１９があり、これはプレチルトφが１〜
５度程度である。
向材の一例としては、日産化学製ＡＴ−ＬＯ２８があ
り、これはプレチルトθ2 が１度程度である。上層側の
配向材層５３に適した高プレチルト型のポリイミドの一
例としては、日本合成ゴム製ＪＡＬＳ２４６や２１４が
ある。これはプレチルトθ1 が５度以上である。そし
て、下基板１８の配向膜２６に適した中プレチルト型の
ポリイミドの一例としては、日本合成ゴム製ＡＬ１０５
４やＪＡＬＳ２１９があり、これはプレチルトφが１〜
５度程度である。
【００３０】上記実施例においては、下層側の配向材層
５１を無機系の配向材とし、上層側の配向材層５３を有
機系の配向材としたが、両者とも有機系の配向材から選
択することもできる。例えば、上記したＡＬ１０５４は
現像液に対して耐性が大きいため、下層として利用でき
る。また、選択された配向材はほぼ一定のラビングの仕
方により一定のプレチルトとなるが、ラビングの仕方が
変わるとプレチルトも変わる。例えば、ラビングを比較
的に軽く行うとプレチルトは比較的に大きくなるが、ラ
ビングを強く行う（強く押しつける、回数を多く行う、
ラビングを速く行う等）とプレチルトは比較的に小さく
なる。ラビングの仕方とプレチルトとの間には再現性の
ある関係が実験的に定まるので、上基板１６の上層側の
配向材層５３と下基板１８の配向膜２６を同じ材料とし
てラビングの仕方によってプレチルトに差をつけること
もできる。また、上基板１６の上層側の配向材層５３を
エッチングによりパターニングしたが、上層側の配向材
層５３を印刷等により形成してもよい。また、配向膜を
２層としなくても、何らかの方法（例えば、紫外線を部
分的に照射する等）によりプレチルトを変えることがで
きればよい。
５１を無機系の配向材とし、上層側の配向材層５３を有
機系の配向材としたが、両者とも有機系の配向材から選
択することもできる。例えば、上記したＡＬ１０５４は
現像液に対して耐性が大きいため、下層として利用でき
る。また、選択された配向材はほぼ一定のラビングの仕
方により一定のプレチルトとなるが、ラビングの仕方が
変わるとプレチルトも変わる。例えば、ラビングを比較
的に軽く行うとプレチルトは比較的に大きくなるが、ラ
ビングを強く行う（強く押しつける、回数を多く行う、
ラビングを速く行う等）とプレチルトは比較的に小さく
なる。ラビングの仕方とプレチルトとの間には再現性の
ある関係が実験的に定まるので、上基板１６の上層側の
配向材層５３と下基板１８の配向膜２６を同じ材料とし
てラビングの仕方によってプレチルトに差をつけること
もできる。また、上基板１６の上層側の配向材層５３を
エッチングによりパターニングしたが、上層側の配向材
層５３を印刷等により形成してもよい。また、配向膜を
２層としなくても、何らかの方法（例えば、紫外線を部
分的に照射する等）によりプレチルトを変えることがで
きればよい。
【００３１】さらに、上記した２層構造の配向膜は共通
電極２１を有する上基板１６に設ける方がよい。画素電
極２４及びアクティブマトリクス回路を有する下基板１
８を二層構造にし、下層側の配向材層５１を無機系の配
向材とすると、無機系の配向材は有機系の配向材よりも
電気抵抗が低く、かつ化学的に不安定であるので、下基
板１８の配向膜２６と画素電極２４やデータバスライン
３０、ゲートバスライン３２との間でリーク電流が発生
し、画素電極２４の電位にかかわらず配向膜２６が帯電
状態になって液晶２０に電圧が印加され、異常な表示状
態になることがある。上基板１６には部分的にそのよう
な電位が高くなる部位がないので、問題がない。
電極２１を有する上基板１６に設ける方がよい。画素電
極２４及びアクティブマトリクス回路を有する下基板１
８を二層構造にし、下層側の配向材層５１を無機系の配
向材とすると、無機系の配向材は有機系の配向材よりも
電気抵抗が低く、かつ化学的に不安定であるので、下基
板１８の配向膜２６と画素電極２４やデータバスライン
３０、ゲートバスライン３２との間でリーク電流が発生
し、画素電極２４の電位にかかわらず配向膜２６が帯電
状態になって液晶２０に電圧が印加され、異常な表示状
態になることがある。上基板１６には部分的にそのよう
な電位が高くなる部位がないので、問題がない。
【００３２】図２は、本発明の第２実施例の液晶表示装
置の液晶パネル１０を示す図である。この液晶パネル１
０の基本的な構成は髄１及び図３のものとほぼ同じであ
る。図２では、上基板１６の配向膜２２の構成がわずか
に変わっている。図２では、上基板１６の配向膜２２の
隣接する微小な領域Ａ、Ｂが液晶２０の配向方向及びプ
レチルトθ1 、θ2 が互いに異なるように配向処理され
ている。そして、大きいプレチルトθ1 と下基板１８の
配向膜２６のプレチルトφとの間に、θ1 ＞φの関係が
ある。
置の液晶パネル１０を示す図である。この液晶パネル１
０の基本的な構成は髄１及び図３のものとほぼ同じであ
る。図２では、上基板１６の配向膜２２の構成がわずか
に変わっている。図２では、上基板１６の配向膜２２の
隣接する微小な領域Ａ、Ｂが液晶２０の配向方向及びプ
レチルトθ1 、θ2 が互いに異なるように配向処理され
ている。そして、大きいプレチルトθ1 と下基板１８の
配向膜２６のプレチルトφとの間に、θ1 ＞φの関係が
ある。
【００３３】このようにすることにより、図２の微小な
領域Ｂにおける上基板１６の配向膜２２と下基板１８の
配向膜２６との関係は、図１の微小な領域Ｂにおけるも
のと同じである。微小な領域Ａにおいては、図１におい
ては上基板１６の近傍の液晶分子と下基板１８の近傍の
液晶分子は逆方向にプレチルトしているが、図２におい
ては上基板１６の近傍の液晶分子と下基板１８の近傍の
液晶分子は同じ方向にプレチルトしている。
領域Ｂにおける上基板１６の配向膜２２と下基板１８の
配向膜２６との関係は、図１の微小な領域Ｂにおけるも
のと同じである。微小な領域Ａにおいては、図１におい
ては上基板１６の近傍の液晶分子と下基板１８の近傍の
液晶分子は逆方向にプレチルトしているが、図２におい
ては上基板１６の近傍の液晶分子と下基板１８の近傍の
液晶分子は同じ方向にプレチルトしている。
【００３４】従って、微小な領域Ａにおいては、中間の
液晶分子は対向する上下基板１６、１８の配向膜２２、
２６の配向方向に従って配向及びプレチルトし、配向膜
２２、２６のでプレチルトの差は関係ない。ただし、ツ
イストネマチック型の液晶の場合には、上基板１６の近
傍の液晶分子と下基板１８の近傍の液晶分子は９０度ツ
イストするようにラビングされるが、ここでは便宜的に
ツイストしていない状態で示されている。つまり、上基
板１６の近傍の液晶分子が図に示されたように紙面に平
行に延びるとすれば、下基板の近傍の液晶分子は図から
９０度回転した平面内にある。ここでプレチルトが同じ
である、又は逆であるというのは、９０度ツイストする
前の状態で比較するものとする。
液晶分子は対向する上下基板１６、１８の配向膜２２、
２６の配向方向に従って配向及びプレチルトし、配向膜
２２、２６のでプレチルトの差は関係ない。ただし、ツ
イストネマチック型の液晶の場合には、上基板１６の近
傍の液晶分子と下基板１８の近傍の液晶分子は９０度ツ
イストするようにラビングされるが、ここでは便宜的に
ツイストしていない状態で示されている。つまり、上基
板１６の近傍の液晶分子が図に示されたように紙面に平
行に延びるとすれば、下基板の近傍の液晶分子は図から
９０度回転した平面内にある。ここでプレチルトが同じ
である、又は逆であるというのは、９０度ツイストする
前の状態で比較するものとする。
【００３５】図６は、図１及び図３の液晶パネル１０の
配向処理を示す図である。下基板１８の配向膜２４は図
５の場合と同様に、下基板１８の表面に画素電極２４及
びアクティブマトリクス回路を作り、その上に配向膜２
４を塗布して、ラビングローラ５７により矢印ｃの方向
にラビングしたものである。
配向処理を示す図である。下基板１８の配向膜２４は図
５の場合と同様に、下基板１８の表面に画素電極２４及
びアクティブマトリクス回路を作り、その上に配向膜２
４を塗布して、ラビングローラ５７により矢印ｃの方向
にラビングしたものである。
【００３６】上基板１６の配向膜２２は下層側の配向材
層５１と上層側の配向材層５３とからなる。上基板１６
については、上基板１６の表面に共通電極２１となるＩ
ＴＯを塗布し、その上から下層側の配向材層５１及び上
層側の配向材層５３をそれぞれ全面的に塗布する。そこ
で、ラビングローラ５７により矢印ａの方向に上層側の
配向材層５３をラビングする。
層５１と上層側の配向材層５３とからなる。上基板１６
については、上基板１６の表面に共通電極２１となるＩ
ＴＯを塗布し、その上から下層側の配向材層５１及び上
層側の配向材層５３をそれぞれ全面的に塗布する。そこ
で、ラビングローラ５７により矢印ａの方向に上層側の
配向材層５３をラビングする。
【００３７】次に、レジスト５５をマスクとして上層側
の配向材層５３をエッチングによりパターニングする。
この場合には、レジスト５５を剥離することなく残した
ままで、ラビングローラ５７により矢印ｂの方向に下層
側の配向材層５１をラビングする。次に、上層側の配向
材層５３の上のレジスト５５を剥離し、すでにラビング
されている上層側の配向材層５３を露出させる。プレチ
ルトθ1 、θ2 、φの差は、上記したように、配向材の
材料を変えることにより、あるいはその他の手段を組み
合わせて実施する。この場合には、プレチルトθ2 をラ
フに設定できるために、レジスト５５の形成前に１回目
のラビングを行ってもよいのである。また、この場合に
も、上基板１６側を二層構造の配向膜２２とするのがよ
い。
の配向材層５３をエッチングによりパターニングする。
この場合には、レジスト５５を剥離することなく残した
ままで、ラビングローラ５７により矢印ｂの方向に下層
側の配向材層５１をラビングする。次に、上層側の配向
材層５３の上のレジスト５５を剥離し、すでにラビング
されている上層側の配向材層５３を露出させる。プレチ
ルトθ1 、θ2 、φの差は、上記したように、配向材の
材料を変えることにより、あるいはその他の手段を組み
合わせて実施する。この場合には、プレチルトθ2 をラ
フに設定できるために、レジスト５５の形成前に１回目
のラビングを行ってもよいのである。また、この場合に
も、上基板１６側を二層構造の配向膜２２とするのがよ
い。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
一方の基板の配向処理を隣接する微小な領域毎に配向方
向及びプレチルトが異なるようにし、他方の基板の配向
膜を一回のラビング処理するだけで画像の安定した、視
角特性及びコントラストの優れた液晶表示装置を得るこ
とができる。
一方の基板の配向処理を隣接する微小な領域毎に配向方
向及びプレチルトが異なるようにし、他方の基板の配向
膜を一回のラビング処理するだけで画像の安定した、視
角特性及びコントラストの優れた液晶表示装置を得るこ
とができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す図である。
【図３】図１の詳細図である。
【図４】アクティブマトリクス回路を示す図である。
【図５】図１の配向処理を示す図である。
【図６】図２の配向処理を示す図である。
【図７】画素分割の一例を示す図であり、（Ａ）は液晶
の状態を示す図、（Ｂ）はラビング処理を示す図、
（Ｃ）は視角特性を示す図である。
の状態を示す図、（Ｂ）はラビング処理を示す図、
（Ｃ）は視角特性を示す図である。
【図８】従来の配向処理を示す図である。
【図９】他の画素分割を示す図である。
【図１０】他の画素分割を示す図である。
１６、１８…基板 ２０…液晶 ２１、２４…電極 ２２、２６…配向膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 露木 俊 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−277819（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−188374（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−6526（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1337
Claims (6)
- 【請求項１】 第１及び第２の対向する基板（１６、１
８）と、該第１の基板の内面に設けられた電極（２１）
及び配向膜（２２）と、該第２の基板の内面に設けられ
た電極（２４）及び配向膜（２６）と、該第１及び第２
の基板の間に挿入された液晶（２０）とからなり、該第
１の基板の配向膜（２２）は液晶の配向方向が同じでプ
レチルト（θ1 、θ2 ）が互いに異なった第１及び第２
の隣接する微小な領域（Ａ、Ｂ）を有し、該第２の基板
の配向膜（２６）は配向方向及びプレチルト（φ）が実
質的に同じであり、θ1 ＞φ＞θ2 の関係があり、該第
１の基板の電極（２１）が共通電極であり、該第２の基
板の電極（２６）が複数の微小な画素電極であることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 第１及び第２の対向する基板（１６、１
８）と、該第１の基板の内面に設けられた電極（２１）
及び配向膜（２２）と、該第２の基板の内面に設けられ
た電極（２４）及び配向膜（２６）と、該第１及び第２
の基板の間に挿入された液晶（２０）とからなり、該第
１の基板の配向膜（２２）は液晶の配向方向及びプレチ
ルト（θ1 、θ2 ）が互いに異なった第１及び第２の隣
接する微小な領域（Ａ、Ｂ）を有し、該第２の基板の配
向膜（２６）は、配向方向及びプレチルト（φ）が実質
的に同じであり、θ1 ＞φの関係があることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項３】 該第１の基板の電極（２１）が共通電極
であり、該第２の基板の電極（２６）が複数の微小な画
素電極であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表
示装置。 - 【請求項４】 該第１の基板の配向膜（２２）が下層側
の配向材層（５１）と上層側の配向材層（５３）とから
なり、該上層側の配向材層（５３）が該微小な領域に応
じて開口するようにパターニングされ、該上層側の配向
材層（５３）及び該下層側の配向材層（５１）が同時に
ラビングされ、該上層側の配向材層（５３）及び該下層
側の配向材層（５１）に接触する液晶がそれぞれ異なっ
た角度でプレチルトすることを特徴とする請求項１に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 該第１の基板の配向膜（２２）が下層側
の配向材層（５１）と上層側の配向材層（５３）とから
なり、該上層側の配向材層（５３）が該微小な領域に応
じて開口するようにパターニングされ、該上層側の配向
材層（５３）及び該下層側の配向材層（５１）がパター
ニング処理の前後にラビングされ、該上層側の配向材層
（５３）及び該下層側の配向材層（５１）に接触する液
晶がそれぞれ異なった角度でプレチルトすることを特徴
とする請求項２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 第１の基板と第２の基板の対向する微小
な領域のプレチルトの差が２度以上であることを特徴と
する請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29889492A JP3224287B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29889492A JP3224287B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06148641A JPH06148641A (ja) | 1994-05-27 |
| JP3224287B2 true JP3224287B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=17865539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29889492A Expired - Fee Related JP3224287B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3224287B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5781262A (en) | 1994-04-19 | 1998-07-14 | Nec Corporation | Liquid crystal display cell |
-
1992
- 1992-11-09 JP JP29889492A patent/JP3224287B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06148641A (ja) | 1994-05-27 |
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