JP3100473B2

JP3100473B2 - 液晶パネル

Info

Publication number: JP3100473B2
Application number: JP23479892A
Authority: JP
Inventors: 豪鎌田; 善郎小池; 俊露木
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1992-09-02
Filing date: 1992-09-02
Publication date: 2000-10-16
Anticipated expiration: 2015-10-16
Also published as: JPH0682785A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶の配向状態が微小な
領域毎に異なるようにした液晶パネルに関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶パネルは、一対の対向する透明なガ
ラス基板の間に液晶を挿入したものである。一方のガラ
ス基板の内面には画素電極及び配向膜が設けられ、他方
の基板の内面には共通電極及び配向膜が設けられる。最
近では、画素電極をアクティブマトリクス駆動すること
が多くなっている。さらに、これらの基板の外側にはそ
れぞれ偏光板が設けられる。

【０００３】液晶パネルでは、液晶分子は両基板の配向
膜のラビング方向に従って配向し、プレチルトする。偏
光板を直交配置したツイストネマチック型の液晶表示装
置では、両基板の配向膜のラビング方向は相互にほぼ垂
直になっており、液晶の分子は一方の基板から他方の基
板に向かうにつれて螺旋状にツイストしていく。そし
て、液晶に電圧を印加しないときに、液晶の分子は初期
のツイスト及びプレチルトを維持した状態にあり、入射
光は液晶のツイストに沿って旋回しながら進み、液晶パ
ネルから出射する。電圧を印加すると、液晶が立ち上が
り、液晶の複屈折作用が弱くなり、上記した光の旋回作
用が弱くなって、入射光が液晶パネルを透過しにくくな
り、黒表示が得られるようになる。このようにして、液
晶への印加電圧を制御しながら、全体で明暗のコントラ
ストのある画像を形成する。

【０００４】このような液晶パネルでは、観視者が、画
面を見る方向により、画像の明暗のコントラストが変化
する。これは、液晶パネルの視角特性として一般に認識
されている。例えば、ある配向処理をした液晶パネルを
斜め上方から見る場合には電圧をわずかにかけると透過
率が大幅に低下し、電圧の上昇とともに再び透過率が増
加するようになり、これに対して液晶パネルを斜め下方
から見る場合には電圧を高くしても透過率がなかなか低
下せず、黒い表示を得ようとしても、比較的に明るい表
示になってしまう。

【０００５】このような視角特性の影響を解決するため
に、特開昭６３−１０６６２４号公報は、１画素内で液
晶の分子の配向方向の異なる２つの領域を形成すること
を提案している。これらの提案によれば、上記斜め上方
向の視角特性と斜め下方向の視角特性を混合することに
より、全体としての視覚特性の向上を図ることができ
る。

【０００６】図５はそのような従来の液晶パネルの配向
処理を示す図である。図５は例えば１画素分の面積を示
し、１画素が液晶の分子の配向状態が異なる２つの領域
Ａ，Ｂに分割されている。光が一方の基板に入射し（こ
こでは光入射側の基板を下基板という）、液晶を透過し
て他方の基板（上基板）から出射するとし、観視者が上
基板の上方から液晶パネルを見るとして、下基板の配向
膜のラビング方向が矢印Ｒ_Lで示され、上基板の配向膜
のラビング方向が矢印Ｒ_Uで示されている。

【０００７】図５の領域Ａでは、下基板の配向膜のラビ
ング方向Ｒ_Lは左上がり４５度であり、上基板の配向膜
のラビング方向Ｒ_Uは左下がり４５度である。このよう
な配向処理の場合の視角特性は、上記した液晶パネルを
斜め上方から見る場合に相当し、電圧をわずかにかける
と透過率が大幅に低下し、電圧の上昇とともに再び透過
率が増加するようになる。この視角特性が二重矢印で示
されている。一方、領域Ｂでは、下基板の配向膜のラビ
ング方向Ｒ_Lは右下がり４５度であり、上基板の配向膜
のラビング方向Ｒ_Uは右上がり４５度である。このよう
な配向処理の場合の視角特性は領域Ａとは上下逆にな
る。

【０００８】このような配向処理の異なる微小な領域Ａ
と微小な領域Ｂを隣り合わせて配置すると、透過率の高
い視角特性と透過率の低い視角特性を加えて２で割った
ような視角特性になり、上下どの方向から見た場合に
も、正面から見た視角特性に近づき、全体としての視角
特性が改善される。図６は図５の微小な領域Ａと微小な
領域Ｂをもつ液晶パネル１の断面図であり、液晶パネル
１は下基板２と上基板３との間に液晶４を挿入してな
る。下基板２には画素電極５及び配向膜６が設けられ、
上基板３には共通電極７及び配向膜８が設けられる。図
６では、微小な領域Ａにおける液晶分子が左上がり傾斜
で立ち上がり、微小な領域Ｂにおける液晶分子が右上が
り傾斜で立ち上がるように示されている。上記したよう
な視角特性はこのような液晶分子の傾斜方向に基づいて
生じる。

【０００９】液晶の配向状態の異なる微小な領域Ａ，Ｂ
を有する液晶パネルを得るためには、それぞれの基板の
配向膜６，８を微小な領域Ａ，Ｂ毎に区分してラビング
することが必要である。図６では、配向膜６，８はそれ
ぞれ、下層側の配向材層９，１１及び上層側の配向材層
１０，１２からなる２層構造になっている。上層側の配
向材層１０，１２は上記微小な領域Ａ，Ｂに相当する微
小な部分となるようにパターニングされ、各微小な部分
に隣接する開口部分から下層側の配向材層９，１１が露
出している。微小な部分からなる上層側の配向材層１
０，１２は上基板３側及び下基板２側に交互に設けられ
る。すなわち、微小な領域Ａにおいては、下基板２側の
上層側の配向材層１０が上基板３側の下層側の配向材層
１１と対向し、且つ、微小な領域Ｂにおいては、上基板
３側の上層側の配向材層１２は下基板２側の下層側の配
向材層９と対向するようになっている。ラビングに際し
てはマスク等を用い、微小な領域Ａにおいては、下基板
２側の上層側の配向材層１０に図５の領域Ａの矢印Ｒ_L
で示す方向にラビングを行い、上基板３側の下層側の配
向材層１１に図５の領域Ａの矢印Ｒ_Uで示す方向にラビ
ングを行う。微小な領域Ｂについても同様である。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】さらに、アクティブマ
トリクス駆動の場合には、ゲートバスライン１３とドレ
インバスラインが、画素電極５が設けられた下基板２に
設けられる。図６ではゲートバスライン１３のみが示さ
れている。配向状態の異なる微小の領域Ａ，Ｂの境界で
は、逆方向に傾斜する液晶分子が接触するので、液晶の
配向が歪み、ディスクリネーションが生じ、境界線に沿
って光が洩れやすくなる。このため、ゲートバスライン
１３が微小な領域Ａ，Ｂの境界の位置にくるように設計
し、ゲートバスライン１３がディスクリネーションによ
り洩れる光を遮断して、良好な表示が得られるようにし
ている。

【００１１】しかし、図６に示されるように、ゲートバ
スライン１３が微小な領域Ａ，Ｂの境界の位置にくるよ
うに設計した従来の構成では、下基板２側の上層側の配
向材層１０の端部１０ａ、及び上基板３側の上層側の配
向材層１２の端部１２ａが、ゲートバスライン１３と重
なる位置に形成されていた。このため、液晶４が電気分
解作用を受け、イオンが発生して液晶４が劣化しやすく
なり、液晶パネル１の性能を低下させることがあった。

【００１２】液晶４が電気分解作用を受ける理由の一つ
は、液晶４が異なった材料の上層側は配向材層１０と下
層側の配向材層１１に接触することにある。つまり、電
気分解作用は、異なった材料の２つの電極片が溶液に挿
入されていると生じるのと同じ理由である。もう一つの
理由は、液晶４が直流電圧を受けることにある。図７に
示されるように、液晶４を駆動するために、ゲートバス
ライン１３には電圧Ｖ _Gが印加され、ドレインバスライ
ンには電圧Ｖ_Dが印加される。一方、共通電極７はアー
スされる。ゲートバスライン１３の電圧Ｖ_Gは、画素電
極５の駆動のためにパルス状に立ち上がるプラスの値
と、パルスの終了後に次回の画素電極５の駆動まで維持
されるマイナスの値とを含む。ゲートバスライン１３は
多数本、例えば４００本あり、順次に走査される。各ゲ
ートバスライン１３は、１／４００だけプラスの値にな
り、３９９／４００だけ一定のマイナスの値になる。従
って、液晶４は、ゲートバスライン１３と共通電極７と
の間で常時直流電圧を受けていると言える。図６では、
ゲートバスライン１３の上で対向する上層側の配向材層
１２と下層側の配向材層１０との間に電位差ｖ₁が生
じ、下基板２側で上層側の配向材層１２と下層側の配向
材層１０との間に電位差ｖ₂が生じることが示されてい
る。特に、ゲート絶縁膜にリーク欠陥があると、液晶層
と配向膜に印加される直流電圧が大きくなる。また、ゲ
ートバスライン１３が２本並んで形成されている場合に
は、２本のゲートバスライン１３の間の間隙部分もゲー
トバスライン１３と同電位になる。

【００１３】本発明の目的は、微小な領域毎に液晶の配
向状態が異なるようにするとともに、イオンの発生によ
る液晶の劣化を防止できる液晶パネルを提供することで
ある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明による液晶パネル
は、第１及び第２の対向する基板２２，２４の間に挿入
された液晶２６と、該第１の基板にマトリクス状に設け
られたゲートバスライン４０及びドレインバスライン３
８並びに該バスラインに接続された画素電極３４と、該
第２の基板に設けられた対向電極２４と、該第１の基板
に設けられた配向膜３６と、該第２の基板に設けられた
配向膜３２とからなり、該第１の基板の配向膜３６及び
該第２の基板の配向膜３２がそれぞれ下層側の配向材層
５０，５４と該下層側の配向材層を覆う上層側の配向材
層５２，５６とからなり、該上層側の配向材層５２，５
６がゲートバスライン４０の近傍で該ゲートバスライン
４０と重ならない位置に端部５２ａ，５６ａを有する微
小な部分に分割され、該第１の基板側の該上層側の配向
材層５２の該微小な部分は実質的に該第２の基板側の該
下層側の配向材層５４と対向し且つ該第２の基板側の該
上層側の配向材層５６の該微小な部分は実質的に該第１
の基板側の該下層側の配向材層５０と対向するように、
該上層側の配向材層の該微小な部分が該第１の基板側と
該第２の基板側とに交互に設けられ、よって微小な領域
毎に液晶の配向状態が異なるようにしたことを特徴とす
るものである。

【００１５】

【作用】上記した構成においては、微小な領域毎に液晶
の配向状態が異なるようになっている。そして、配向膜
の上層側の配向材層５２，５６がゲートバスライン４０
に近傍で該ゲートバスライン４０と重ならない位置に端
部５２ａ，５６ａを有する微小な部分に分割されてい
る。従って、上層側の配向材層５２，５６の端部５２
ａ，５６ａはゲートバスライン４０からの電圧を受けな
いようになり、液晶２６が電気分解作用を受けないよう
になって、液晶の劣化が低減する。

【００１６】

【実施例】図１は、本発明の第１実施例の液晶パネル２
０を示し、この液晶パネル２０の両側には偏光板（図示
せず）がノーマリホワイトモードのときに垂直な関係
で、あるいはノーマリブラックモードのときに平行な関
係で配置される。液晶パネル２０は、一対の透明なガラ
ス基板２２，２４の間に液晶２６を封入したものであ
る。液晶２６はツイストネマチック型液晶を使用してい
る。図示しない光源からの光は例えば矢印Ｌの方から液
晶パネル２０に入射し、観視者は入射方向とは逆の方向
から液晶パネル２０を見るものとし、以後の説明におい
ては、光の入射側の基板２２を下基板と呼び、観視者側
の基板２４を上基板と呼ぶことにする。

【００１７】上基板２４の内面にはカラーフィルタ層２
８、ＩＴＯの共通電極３０が設けられ、共通電極３０の
上の配向膜３２が設けられる。下基板２２の内面には画
素電極３４及び配向膜３６が設けられる。下基板２２に
設けられた画素電極３４はアクティブマトリクス回路に
接続される。図３に示されるように、アクティブマトリ
クス回路は縦、横にマトリクス状に延びるドレインバス
ライン３８及びゲートバスライン４０を含み、画素電極
３４は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）４２を介してドレイ
ンバスライン３８及びゲートバスライン４０に接続され
る。

【００１８】図４に示されるように、薄膜トランジスタ
４２は、半導体層４４と、ゲート電極４０ａと、ドレイ
ン電極３８ａと、ソース電極４６とからなる。ソース電
極４６は画素電極３４に接続され、ドレイン電極３８ａ
はドレインバスライン３８に接続され、ゲート電極４０
ａはゲートバスライン４０に接続される。ゲート絶縁層
４８がゲート電極４０ａと半導体層４４との間に設けら
れる。

【００１９】図１には、ゲートバスライン４０が示され
ている。図２は図３の部分拡大図であり、図１は図２の
線Ｉ−Ｉに沿った断面図である。ただし、図２は、薄膜
トランジスタ４２が各画素電極３４に対して２個ある構
成で示されている。

【００２０】図１及び図２に示されるように、上記した
ように視角特性を改善するために、配向膜３２及び配向
膜３６は、液晶２６の配向状態の異なる微小な領域Ａ，
Ｂを形成するように配向処理されている。すなわち、下
基板２２側の配向膜３２は下層側の配向材層５０及び上
層側の配向材層５２からなる２層構造になっており、上
基板２４側の配向膜３６も下層側の配向材層５４及び上
層側の配向材層５６からなる２層構造になっている。

【００２１】上層側の配向材層５２，５６は配向材を一
面に塗布した後で微小な領域Ａ，Ｂに相当する微小な部
分となるようにパターニングされ、各微小な部分に隣接
する開口部分から下層側の配向材層５０，５４が露出し
ている。微小な部分からなる上層側の配向材層５２，５
４は上基板２２側及び下基板２４側に交互に設けられ
る。

【００２２】すなわち、微小な領域Ａにおいては、下基
板２２側の上層側の配向材層５２が上基板２４側の下層
側の配向材層５４と対向し、且つ、微小な領域Ｂにおい
ては、上基板２４側の上層側の配向材層５６は下基板２
２側の下層側の配向材層５０と対向するようになってい
る。このような構成において、図５を参照して説明した
ように、微小な領域Ａにおいては、下基板２２側の上層
側の配向材層５２に図５の領域Ａの矢印Ｒ_Lで示す方向
にラビングを行い、上基板２４側の下層側の配向材層５
４に図５の領域Ａの矢印Ｒ_Uで示す方向にラビングを行
う。微小な領域Ｂについては、上基板２４側の上層側の
配向材層５６に図５の領域Ｂの矢印Ｒ_Uで示す方向にラ
ビングを行い、下基板２２側の下層側の配向材層５０に
図５の領域Ｂの矢印Ｒ_Lで示す方向にラビングを行う。
ラビングに際してはマスクを使用し、各基板について２
度のラビングを行う。

【００２３】このような配向処理により、例えば図６に
示されるように、微小な領域Ａにおける液晶分子が右上
がり傾斜で立ち上がり、微小な領域Ｂにおける液晶分子
が左上がり傾斜で立ち上がる。このような配向処理の異
なる微小な領域Ａと微小な領域Ｂを隣り合わせて配置す
ると、液晶分子の傾斜方向に基づいて生じる透過率の高
い視角特性と透過率の低い視角特性を加えて２で割った
ような視角特性になり、上下どの方向から見た場合に
も、正面から見た視角特性に近づき、全体としての視角
特性が改善される。

【００２４】図１及び図２に示されるように、液晶２６
の配向状態の異なる微小な領域Ａと微小な領域Ｂは、１
画素電極３４のほぼ中心線で分割されように形成され、
かつゲートバスライン１３で分割されている。ゲートバ
スライン１３における分割においては、下基板２２側の
上層側の配向材層５２の端部５２ａ、及び上基板２４側
の上層側の配向材層５６の端部５６ａは、ゲートバスラ
イン４０の近傍にあり、且つ該ゲートバスライン４０と
重ならない位置に位置するようになっている。さらに詳
細には、図１及び図２の実施例においては、下基板２２
側の上層側の配向材層５２の端部５２ａと上基板２４側
の上層側の配向材層５６の端部５６ａとが、下基板２２
の平面方向に間隔を開けて配置され、該間隔がゲートバ
スライン４０の幅よりも大きくてゲートバスライン４０
が該間隔の範囲に位置せしめられている。

【００２５】このようにすることにより、共通電極２８
とゲートバスライン４０との間には、下基板２２側及び
上基板２４側ともに、下層側の配向材層５０，５４があ
ることになる。よって共通電極２８とゲートバスライン
４０との間に直流電圧がかかっても、同一種類の下層側
の配向材層５０，５４間では電気分解が生じないので、
従来のように液晶２６がイオン化し、劣化することがな
くなる。

【００２６】また、図８から図１０の実施例は、下基板
２２側の上層側の配向材層５２の端部５２ａ、及び上基
板２４側の上層側の配向材層５６の端部５６ａが、ゲー
トバスライン４０の近傍にあり、且つ該ゲートバスライ
ン４０と重ならない位置に位置する具体例を示してい
る。この場合、ゲートバスライン４０が、下基板２２の
配向膜３６の上層側の配向材層５２及び上基板２４の配
向膜３２の上層側の配向材層５６の少なくとも一方の領
域内に位置せしめられる。

【００２７】図８においては、下基板２２の配向膜３６
の上層側の配向材層５２及び上基板２４の配向膜３２の
上層側の配向材層５６がともに、ゲートバスライン４０
を覆うように形成され、それぞれの端部５２ａ及び端部
５６ａがゲートバスライン４０と重ならない。従って、
この場合には、共通電極２８とゲートバスライン４０と
の間には、下基板２２側及び上基板２４側ともに、上層
側の配向材層５２，５６があることになる。よって共通
電極２８とゲートバスライン４０との間に直流電圧がか
かっても、同一種類の上層側の配向材層５２，５６間で
は電気分解が生じないので、従来のように液晶２６がイ
オン化し、劣化することがなくなる。

【００２８】図９においては、下基板２２の配向膜３６
の上層側の配向材層５２がゲートバスライン４０を覆う
ように形成され、上基板２４の配向膜３２の上層側の配
向材層５６はゲートバスライン４０から離れた位置に形
成され、よってそれぞれの端部５２ａ及び端部５６ａが
ゲートバスライン４０と重ならない。この場合には、共
通電極２８とゲートバスライン４０との間には、異なっ
た上層側の配向材層５２と下層側の配向材層５４がある
ことになる。よって共通電極２８とゲートバスライン４
０との間に直流電圧がかかった場合、図６で説明した電
位差ｖ₁は生じる。しかし、それぞれの端部５２ａ及び
端部５６ａがゲートバスライン４０と重ならない位置に
あるので、図６で説明した電位差ｖ₂は生じないか、あ
るいはかなり低下する。従って、図９の実施例では、図
６の電位差ｖ₂により生じる電気分解による作用をなく
すことができる。なお、それぞれの端部５２ａ及び端部
５６ａとゲートバスライン４０とは、少なくとも液晶２
６の層の厚さ分以上離れているのが好ましい。

【００２９】図１０の実施例は図９の実施例の逆であ
り、上基板２４の配向膜３２の上層側の配向材層５６が
ゲートバスライン４０を覆うように成形され、下基板２
２の配向膜３６の上層側の配向材層５２はゲートバスラ
イン４０から離れた位置に形成され、よってそれぞれの
端部５２ａ及び端部５６ａがゲートバスライン４０と重
ならない。この場合にも、図９の実施例と同様の作用を
する。

【００３０】図１１の実施例では、隣接する画素電極３
４の間に２本のゲートバスライン４０が設けられてい
る。この場合、２本のゲートバスライン１３の間の間隙
部分もゲートバスライン１３と同電位になるので、２本
のゲートバスライン１３及びその間の間隙部分をあわせ
た幅を上記実施例の１本のゲートバスライン１３と同じ
ように考慮する。すなわち、下基板２２側の上層側の配
向材層５２の端部５２ａ、及び上基板２４側の上層側の
配向材層５６の端部５６ａが、２本のゲートバスライン
１３及びその間の間隙部分をあわせた幅と重ならないよ
うにする。

【００３１】図１２及び図１３は、液晶２６の配向状態
の異なる微小な領域Ａ，Ｂを形成する配向処理の別の実
施例を示す図である。図１２に示されるように、下基板
２２側の配向膜３２は下層側の配向材層５０及び上層側
の配向材層５２からなる２層構造になっており、上基板
２４側の配向膜３６も下層側の配向材層５４及び上層側
の配向材層５６からなる２層構造になっている。上層側
の配向材層５２，５６は図１の実施例と同様にパターニ
ングされる。

【００３２】この実施例においては、下層側の配向材層
５０，５４は例えばＳｉＯ₂やＴｉＯ₂等の無機系の配
向材からなり、上層側の配向材層５２，５６は例えばイ
ミド化率１００パーセントのポリイミド等の有機系の配
向材からなる。このように配向材を変えることにより、
同じようなラビングを行った場合に液晶のプレチルトに
差ができ、上層側の配向材層５２，５６に接する液晶の
プレチルトが下層側の配向材層５０，５４に接する液晶
のプレチルトよりも大きくなる。

【００３３】よって、上層側の配向材層５２，５６をパ
ターニングした上から全面に一定なラビングを行うと、
領域Ａにおいては、上基板２４の配向膜３２の上層側の
配向材層５６の近傍の液晶分子がプレチルトα₁とな
り、下基板２４の配向膜３６の下層側の配向材層５０の
近傍の液晶分子がプレチルトα₂となる。逆に、この領
域Ａに隣接する領域Ｂにおいては、上基板２４の配向膜
３２の下層側の配向材層５４の近傍の液晶分子がプレチ
ルトα₂となり、下基板２２の配向膜３６の上層側の配
向材層５２の近傍の液晶分子がプレチルトα₁となるよ
うになっている。ここで、α₁＞α₂の関係がある。

【００３４】図１３はこの配向処理を簡単に示す図であ
る。微小な領域Ａにおいては、上基板２４の配向膜３２
のラビング方向が矢印Ｒ_Uで示され、下基板２２の配向
膜３６のラビング方向が矢印Ｒ_Lで示されている。微小
な領域Ａにおいては、上基板２４の配向膜３２の近傍の
液晶の分子が大きい角度α₁でプレチルトし、それに対
向する下基板２２の配向膜３２の近傍の液晶の分子が小
さい角度α₂でプレチルトする。また、微小の領域Ｂに
おいては、下基板２２の配向膜３６の近傍の液晶の分子
が大きい角度α₁でプレチルトし、それに対向する上基
板２４の配向膜３２の近傍の液晶の分子が小さい角度α
₂でプレチルトする。

【００３５】このように、微小な領域Ａ，Ｂにおいて、
液晶の分子が対向する基板のうちの一方の基板２２（２
４）側では大きい角度α₁でプレチルトし、他方の基板
２４（２２）側では小さい角度α₂でプレチルトしてい
る場合、電圧を印加したときには、液晶層の中間部の液
晶分子は図１２の矢印で示されるようにプレチルトの大
きい方向に立ち上がる。

【００３６】従って、図１３の微小な領域Ａにおいて
は、液晶の立ち上がりは矢印Ｒ_Uで示された上基板２４
の配向膜３２の配向処理に従うものとなる。また、微小
な領域Ｂにおいては、液晶の立ち上がりは矢印Ｒ_Lで示
された下基板２２の配向膜３６の配向処理に従うものと
なる。従って、図１３の微小な領域Ａの液晶の立ち上が
りは、図５の微小な領域Ａのものと同じである。なぜな
ら、図５の微小な領域Ａの液晶の立ち上がりも矢印Ｒ _U
に従ったものだからである。同様に、図１３の微小な領
域Ｂの液晶の立ち上がりは、図５の微小な領域Ｂのもの
と同じである。

【００３７】ただし、図１３で、プレチルトα₂を示す
ラビング方向は、図５のものとは逆になっている。しか
し、図１３の配向処理によれば、１基板についてラビン
グが１回でよいので、ラビングを２回行うものよりも配
向状態がより安定することが分かっている。

【００３８】図１４は本発明の別の実施例を示す図であ
る。下基板２２側及び上基板２４側の配向膜３６，３２
はそれぞれ下層側の配向材層５０，５４及び上層側の配
向材層５２，５６からなる２層構造になっている。上層
側の配向材層５２，５６はパターニングされ、液晶２６
の配向状態の異なる微小な領域Ａ，Ｂを形成する。この
実施例では、上層側の配向材層５２，５６の端部付近か
ら下層側の配向材層５０，５４にかけて、導電層６０を
設けた。導電層６０はアルミニウムの薄膜（約１０００
Ａ）をパターン形成した。これにより、少なくとも同一
基板内での上層側の配向材層５２，５６の端部付近から
下層側の配向材層５０，５４にかけて電位差がなくな
り、電気分解作用による液晶２６の劣化を低減すること
ができる。また、ゲートバスライン４０がある部分にお
いて、上下基板２２，２４には同じ導電層６０が対向し
て接地されているため、大きな液晶の劣化は生じない。
また、導電層６０に代えて絶縁層とすることもできる。
この場合、電位差はなくならないが、液晶２６が同じ絶
縁層に接触するために大きな液晶の劣化は生じない。

【００３９】図１５は本発明の別の実施例を示す図であ
る。下基板２２側及び上基板２４側の配向膜３６，３２
はそれぞれ下層側の配向材層５０，５４及び上層側の配
向材層５２，５６からなる２層構造になっている。上層
側の配向材層５２，５６はパターニングされ、液晶２６
の配向状態の異なる微小な領域Ａ，Ｂを形成する。この
実施例では、ゲートバスライン４０を覆うように、導電
層６２を設け、この導電層６２を共通電極３０と短絡し
た。導電層６２はアルミニウムの薄膜（約１０００Ａ）
をパターン形成した。これにより、配向膜の種類が異な
る領域において電位差がなくなり、液晶の劣化を防止す
ることができる。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
微小な領域毎に液晶の配向状態が異なるようにするとと
もに、イオンの発生による液晶の劣化を防止でき、信頼
性に優れた液晶パネルを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示す図である。

【図２】図３の部分拡大図である。

【図３】アクティブマトリクスを示す図である。

【図４】薄膜トランジスタの部分を示す断面図である。

【図５】従来技術を示す図である。

【図６】液晶の配向状態の異なる微小な領域を示す図で
ある。

【図７】液晶の駆動電圧を示す図である。

【図８】本発明の第２実施例を示す図である。

【図９】本発明の第３実施例を示す図である。

【図１０】本発明の第４実施例を示す図である。

【図１１】本発明の第５実施例を示す図である。

【図１２】本発明の第６実施例を示す図である。

【図１３】図１２の液晶の配向状態を示す図である。

【図１４】本発明の第７実施例を示す図である。

【図１５】本発明の第８実施例を示す図である。

【符号の説明】

２２，２４…基板２６…液晶３０…共通電極３２，３６…配向膜３４…画素電極４０…ゲートバスライン５０，５４…下層側の配向材層５２，５６…上層側の配向材層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平１−266512（ＪＰ，Ａ) 特開平１−277819（ＪＰ，Ａ) 特開平２−110431（ＪＰ，Ａ) 特開平３−212618（ＪＰ，Ａ) 特開平４−166816（ＪＰ，Ａ) 特開平５−281545（ＪＰ，Ａ) 特開平６−95120（ＪＰ，Ａ) 特開平６−95121（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1337 G02F 1/1362 G02F 1/13 101

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】第１及び第２の対向する基板（２２，２
４）の間に挿入された液晶（２６）と、該第１の基板に
マトリクス状に設けられたゲートバスライン（４０）及
びドレインバスライン（３８）並びに該バスラインに接
続された画素電極（３４）と、該第２の基板に設けられ
た電極（３０）と、該第１の基板に設けられた配向膜
（３６）と、該第２の基板（２４）に設けられた配向膜
（３２）とからなり、該第１の基板の配向膜（３６）及
び該第２の基板の配向膜（３２）がそれぞれ下層側の配
向材層（５０，５４）と該下層側の配向材層を覆う上層
側の配向材層（５２，５６）とからなり、該上層側の配
向材層（５２，５６）がゲートバスライン（４０）の近
傍で該ゲートバスライン（４０）と重ならない位置に端
部（５２ａ，５６ａ）を有する微小な部分に分割され、
該第１の基板側の該上層側の配向材層（５２）の該微小
な部分は実質的に該第２の基板側の該下層側の配向材層
（５４）と対向し且つ該第２の基板側の該上層側の配向
材層（５６）の該微小な部分は実質的に該第１の基板側
の該下層側の配向材層（５０）と対向するように、該上
層側の配向材層の該微小な部分が該第１の基板側と該第
２の基板側とに交互に設けられ、よって微小な領域毎に
液晶の配向状態が異なるようにしたことを特徴とする液
晶パネル。
【請求項２】該第１の基板の配向膜（３６）の該上層
側の配向材層（５２）の該微小な部分の端部（５２ａ）
と、該第２の基板の配向膜（３２）の該上層側の配向材
層（５６）の該微小な部分の端部（５６ａ）とが、該第
１の基板の平面方向に間隔を開けて配置され、該間隔が
該ゲートバスライン（４０）の幅よりも大きくて該ゲー
トバスラインが該間隔の範囲に位置せしめられることを
特徴とする請求項１に記載の液晶パネル。
【請求項３】該ゲートバスラインが、該第１の基板の
配向膜（３６）の該上層側の配向材層（５２）の該微小
な部分及び該第２の基板の配向膜（３２）の該上層側の
配向材層の該微小な部分の少なくとも一方の領域内に位
置せしめられることを特徴とする請求項１に記載の液晶
パネル。
【請求項４】第１及び第２の対向する基板（２２，２
４）の間に挿入された液晶（２６）と、該第１の基板に
マトリクス状に設けられたゲートバスライン（４０）及
びドレインバスライン（３８）並びに該バスラインに接
続された画素電極（３４）と、該第２の基板に設けられ
た対向電極（３０）と、該第１の基板に設けられた配向
膜（３６）と、該第２の基板に設けられた配向膜（３
２）とからなり、該第１の基板の配向膜（３６）及び該
第２の基板の配向膜（３２）がそれぞれ下層側の配向材
層（５０，５４）と該下層側の配向材層を覆う上層側の
配向材層（５２，５６）と、該第１の基板に該ゲートバ
スライン（４０）と重なる位置に設けられた導電膜又は
絶縁膜（６０，６２）とからなり、該上層側の配向材が
（５２，５６）がゲートバスライン（４０）の近傍に端
部を有する微小な部分に分割され、該第１の基板側の該
上層側の配向材層の該微小な部分は実質的に該第２の基
板側の該下層側の配向材層と対向し且つ該第２の基板側
の該上層側の配向材層の該微小な部分は実質的に該第１
の基板側の該下層側の配向材層と対向するように、該上
層側の配向材層の該微小な部分が該第１の基板側と該第
２の基板側とに交互に設けられ、よって微小な領域毎に
液晶の配向状態が異なるようにしたことを特徴とする液
晶パネル。