JP3214503B2 - 洗浄装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、洗浄装置に関し、特に被洗浄体を洗浄液に
接触させて洗浄する洗浄装置に関する。
接触させて洗浄する洗浄装置に関する。
（従来の技術） この種の洗浄装置としては、例えば、半導体ウエハ製
造装置における洗浄装置がある。
造装置における洗浄装置がある。
従来の半導体ウエハ製造装置における洗浄装置は、複
数枚（例えば25枚）の半導体ウエハをキャリア上に載置
し、この半導体ウエハをキャリアごと搬送装置にて洗浄
処理槽まで搬送し、キャリアと共に半導体ウエハを洗浄
処理槽内の洗浄処理液に浸して接触させ、洗浄処理を行
うようにしていた。
数枚（例えば25枚）の半導体ウエハをキャリア上に載置
し、この半導体ウエハをキャリアごと搬送装置にて洗浄
処理槽まで搬送し、キャリアと共に半導体ウエハを洗浄
処理槽内の洗浄処理液に浸して接触させ、洗浄処理を行
うようにしていた。
（発明が解決しようとする課題） 上記従来の半導体ウエハ製造装置における洗浄装置に
あっては、複数枚の半導体ウエハを載置したキャリアを
搬送装置にて洗浄処理槽まで搬送し、キャリアと共に半
導体ウエハを洗浄処理槽内の洗浄処理液に浸して接触さ
せるようにしていたため、キャリアも洗浄処理液によっ
て洗浄されることとなり、キャリアに付着した塵埃や汚
れによって洗浄処理液が汚染され、そのため洗浄処理液
を頻繁に交換しなければならず、洗浄処理液による処理
効率が悪いという問題があった。
あっては、複数枚の半導体ウエハを載置したキャリアを
搬送装置にて洗浄処理槽まで搬送し、キャリアと共に半
導体ウエハを洗浄処理槽内の洗浄処理液に浸して接触さ
せるようにしていたため、キャリアも洗浄処理液によっ
て洗浄されることとなり、キャリアに付着した塵埃や汚
れによって洗浄処理液が汚染され、そのため洗浄処理液
を頻繁に交換しなければならず、洗浄処理液による処理
効率が悪いという問題があった。
また、キャリアごと半導体ウエハの洗浄処理を行なう
場合、乾燥処理もキャリアごと行なわれることとなり、
半導体ウエハの乾燥効率が悪くなるという問題があっ
た。
場合、乾燥処理もキャリアごと行なわれることとなり、
半導体ウエハの乾燥効率が悪くなるという問題があっ
た。
そこで本発明は、キャリアが洗浄処理液に対して非接
触状態となるようにして、洗浄処理液の汚染を極力防止
し、洗浄処理液の処理効率を高め、洗浄液の交換効率を
良好にすることのできる洗浄装置を提供することを、そ
の解決課題としている。
触状態となるようにして、洗浄処理液の汚染を極力防止
し、洗浄処理液の処理効率を高め、洗浄液の交換効率を
良好にすることのできる洗浄装置を提供することを、そ
の解決課題としている。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 請求項１に記載の発明に係る洗浄装置は、 複数のウエハ状の被洗浄体をバッチ処理する洗浄装置
であって、 洗浄処理槽と、 前記洗浄処理槽内で前記被洗浄体を互いに所定間隔を
おいて離間させた状態で支持する第１支持手段と、 前記第１支持手段を上下に駆動する駆動手段と、 前記被洗浄体を前記洗浄処理槽外で支持する第２支持
手段と、 前記第２支持手段と前記第１支持手段との間で前記被
洗浄体を搬送する搬送手段と、 を有し、 前記搬送手段は、前記被洗浄体の搬送中に前記被洗浄
体を支持する授受部を備え、該授受部は、前記被洗浄体
を前記所定間隔と同じ間隔で互いに離間させた状態で支
持し、 前記第１支持手段と前記授受部との間の前記被洗浄体
の移し換えが、前記洗浄処理槽の上方で行われ、 前記第２支持手段は、前記被洗浄体を持ち上げ支持す
る複数の突き上げ部材を有し、該複数の突き上げ部材の
少なくとも一方を互いに近接する方向に移動させて、該
複数の突き上げ部材が支持する前記被洗浄体を互いに接
近させることを特徴とする。
であって、 洗浄処理槽と、 前記洗浄処理槽内で前記被洗浄体を互いに所定間隔を
おいて離間させた状態で支持する第１支持手段と、 前記第１支持手段を上下に駆動する駆動手段と、 前記被洗浄体を前記洗浄処理槽外で支持する第２支持
手段と、 前記第２支持手段と前記第１支持手段との間で前記被
洗浄体を搬送する搬送手段と、 を有し、 前記搬送手段は、前記被洗浄体の搬送中に前記被洗浄
体を支持する授受部を備え、該授受部は、前記被洗浄体
を前記所定間隔と同じ間隔で互いに離間させた状態で支
持し、 前記第１支持手段と前記授受部との間の前記被洗浄体
の移し換えが、前記洗浄処理槽の上方で行われ、 前記第２支持手段は、前記被洗浄体を持ち上げ支持す
る複数の突き上げ部材を有し、該複数の突き上げ部材の
少なくとも一方を互いに近接する方向に移動させて、該
複数の突き上げ部材が支持する前記被洗浄体を互いに接
近させることを特徴とする。
請求項２に記載の発明に係る洗浄装置は、請求項１に
おいて、 前記第１支持手段と前記授受部との間の前記被洗浄体
の移し換えが、前記第１支持手段の上下動により行われ
ることを特徴とする。
おいて、 前記第１支持手段と前記授受部との間の前記被洗浄体
の移し換えが、前記第１支持手段の上下動により行われ
ることを特徴とする。
請求項３に記載の発明に係る洗浄装置は、請求項１ま
たは請求項２において、 前記支持棒の少なくともいずれか一つに設けられた前
記支持溝は、断面がＹ字形状に形成されていることを特
徴とする。
たは請求項２において、 前記支持棒の少なくともいずれか一つに設けられた前
記支持溝は、断面がＹ字形状に形成されていることを特
徴とする。
請求項４に記載の発明に係る洗浄装置は、請求項１な
いし請求項３のいずれかにおいて、 前記第１支持手段の少なくとも表面をポリ・エーテル
・エーテル・ケトン、またはポリ・クロロ・トリ・フル
オロ・エチレンにて形成したことを特徴とする。
いし請求項３のいずれかにおいて、 前記第１支持手段の少なくとも表面をポリ・エーテル
・エーテル・ケトン、またはポリ・クロロ・トリ・フル
オロ・エチレンにて形成したことを特徴とする。
請求項５に記載の発明に係る洗浄装置は、請求項１な
いし請求項４のいずれかにおいて、 前記洗浄処理槽および前記第１支持手段を囲むケース
をさらに有し、 前記駆動手段は前記ケースの外に配置されていること
を特徴とする。
いし請求項４のいずれかにおいて、 前記洗浄処理槽および前記第１支持手段を囲むケース
をさらに有し、 前記駆動手段は前記ケースの外に配置されていること
を特徴とする。
（作 用） 請求項１に記載の洗浄装置によれば、第２支持手段が
支持する被洗浄体を、搬送手段が受け取ってその授受部
で支持した状態で洗浄処理槽の上方まで搬送し、被洗浄
体を授受部から第１支持手段に受け渡すことができる。
しかも、第１支持手段、第２支持手段、および授受部は
被洗浄体を所定間隔づつ離間させた状態で支持するた
め、被洗浄体の受け渡しが行われても、被洗浄体が離間
された状態が保たれる。したがって、搬送用容器を用い
ることなく被洗浄体を搬送することができる。
支持する被洗浄体を、搬送手段が受け取ってその授受部
で支持した状態で洗浄処理槽の上方まで搬送し、被洗浄
体を授受部から第１支持手段に受け渡すことができる。
しかも、第１支持手段、第２支持手段、および授受部は
被洗浄体を所定間隔づつ離間させた状態で支持するた
め、被洗浄体の受け渡しが行われても、被洗浄体が離間
された状態が保たれる。したがって、搬送用容器を用い
ることなく被洗浄体を搬送することができる。
また、第２支持手段は複数の突き上げ部材の少なくと
も一方を互いに近接する方向に移動させることができ
る。これによって、一方の突き上げ部材で支持され他方
の突き上げ部材に最も近接する被洗浄体と、他方の突き
上げ部材で支持され一方の突き上げ部材に最も近接する
被洗浄体との間のピッチを他の被洗浄体間のピッチと同
一とすることができる。その結果、２つの突き上げ部材
で支持された複数の被洗浄体間のピッチを均一とするこ
とができ、被洗浄体を所定間隔で離間させて支持する搬
送手段の授受部への受け渡しを、複数の突き上げ部材か
ら同時に行うことが可能となり、受け渡し効率を向上さ
せることができる。
も一方を互いに近接する方向に移動させることができ
る。これによって、一方の突き上げ部材で支持され他方
の突き上げ部材に最も近接する被洗浄体と、他方の突き
上げ部材で支持され一方の突き上げ部材に最も近接する
被洗浄体との間のピッチを他の被洗浄体間のピッチと同
一とすることができる。その結果、２つの突き上げ部材
で支持された複数の被洗浄体間のピッチを均一とするこ
とができ、被洗浄体を所定間隔で離間させて支持する搬
送手段の授受部への受け渡しを、複数の突き上げ部材か
ら同時に行うことが可能となり、受け渡し効率を向上さ
せることができる。
請求項２に記載の洗浄装置によれば、搬送手段の授受
部が支持した状態で洗浄処理槽の上方まで搬送された被
洗浄体は、第１支持手段が駆動手段によって上下される
ことによって被洗浄体を授受部から第１支持手段に受け
渡すことができる。このように、搬送手段の授受部から
第１支持手段への被洗浄体の受け渡しは、授受部によっ
て被洗浄体を洗浄処理槽の上方に位置させて第１支持手
段を上下させることによって簡単に行えるため、迅速な
受け渡しを行うことができる。
部が支持した状態で洗浄処理槽の上方まで搬送された被
洗浄体は、第１支持手段が駆動手段によって上下される
ことによって被洗浄体を授受部から第１支持手段に受け
渡すことができる。このように、搬送手段の授受部から
第１支持手段への被洗浄体の受け渡しは、授受部によっ
て被洗浄体を洗浄処理槽の上方に位置させて第１支持手
段を上下させることによって簡単に行えるため、迅速な
受け渡しを行うことができる。
請求項３に記載の洗浄装置によれば、支持棒の少なく
ともいずれか一つに設けられた支持溝の断面がＹ字形状
に形成されているため、被洗浄体が支持溝の最深部に到
達しない場合であっても、被洗浄体の傾斜を小さく抑え
ることができる。
ともいずれか一つに設けられた支持溝の断面がＹ字形状
に形成されているため、被洗浄体が支持溝の最深部に到
達しない場合であっても、被洗浄体の傾斜を小さく抑え
ることができる。
請求項４に記載の洗浄装置は、前記第１支持手段の少
なくとも表面をポリ・エーテル・エーテル・ケトン、ま
たはポリ・クロロ・トリ・フルオロ・エチレンにて形成
することにより、第１支持手段を耐薬品性に優れたもの
とし、より一層洗浄処理液の汚染を防止して、洗浄処理
液の交換頻度が少なくて済むようにしている。
なくとも表面をポリ・エーテル・エーテル・ケトン、ま
たはポリ・クロロ・トリ・フルオロ・エチレンにて形成
することにより、第１支持手段を耐薬品性に優れたもの
とし、より一層洗浄処理液の汚染を防止して、洗浄処理
液の交換頻度が少なくて済むようにしている。
請求項５に記載の洗浄装置は、洗浄処理槽および第１
支持手段を囲むケースの外に、駆動手段が配置されてい
るため、駆動手段において発生しやすい塵埃などで洗浄
処理槽や第１支持手段が汚染される可能性を低下させる
ことができる。
支持手段を囲むケースの外に、駆動手段が配置されてい
るため、駆動手段において発生しやすい塵埃などで洗浄
処理槽や第１支持手段が汚染される可能性を低下させる
ことができる。
（実施例） 以下、本発明の処理装置を半導体ウエハ製造装置にお
ける洗浄装置に適用した実施例について、図面を参照し
て説明する。
ける洗浄装置に適用した実施例について、図面を参照し
て説明する。
第１図において、本実施例の被洗浄体である半導体ウ
エハの洗浄装置は、３つの洗浄処理ユニット10,12,14を
組合せて構成されている。また、搬入側の処理ユニット
10にはローダ16が接続され、搬出側の処理ユニット14に
はアンローダ18が接続されており、さらに洗浄処理ユニ
ット10,12間及び洗浄処理ユニット12,14間に、３ユニッ
トのいずれかに含まれる水中ローダ20が配設されてい
る。
エハの洗浄装置は、３つの洗浄処理ユニット10,12,14を
組合せて構成されている。また、搬入側の処理ユニット
10にはローダ16が接続され、搬出側の処理ユニット14に
はアンローダ18が接続されており、さらに洗浄処理ユニ
ット10,12間及び洗浄処理ユニット12,14間に、３ユニッ
トのいずれかに含まれる水中ローダ20が配設されてい
る。
搬入側の洗浄処理ユニット10は、中心位置に半導体ウ
エハ22搬送用の回転搬送アーム24すなわち搬送手段を配
設すると共に、その周囲でローダ16の正面及び回転搬送
アーム24の左隣に各々２つの洗浄処理槽26,28を配設す
るようにしている。本実施例においては、洗浄処理槽26
はアンモニア処理を行う薬品処理槽として用いられ、洗
浄処理槽28は水洗処理を行うクイック・ダンプ・リンス
（QDR）処理槽として用いられている。
エハ22搬送用の回転搬送アーム24すなわち搬送手段を配
設すると共に、その周囲でローダ16の正面及び回転搬送
アーム24の左隣に各々２つの洗浄処理槽26,28を配設す
るようにしている。本実施例においては、洗浄処理槽26
はアンモニア処理を行う薬品処理槽として用いられ、洗
浄処理槽28は水洗処理を行うクイック・ダンプ・リンス
（QDR）処理槽として用いられている。
中央の洗浄処理ユニット12は、中心位置に配設した回
転搬送アーム24の周囲で左右両側に水中ローダ20を位置
させ、その間の前後位置に各々２つの洗浄処理槽30,32
を配設するようにしている。本実施例では、洗浄処理槽
30はフッ酸処理を行う薬品処理槽として用いられ、洗浄
処理槽32は水洗オーバーフロー処理槽として用いられて
いる。
転搬送アーム24の周囲で左右両側に水中ローダ20を位置
させ、その間の前後位置に各々２つの洗浄処理槽30,32
を配設するようにしている。本実施例では、洗浄処理槽
30はフッ酸処理を行う薬品処理槽として用いられ、洗浄
処理槽32は水洗オーバーフロー処理槽として用いられて
いる。
搬出側の洗浄処理ユニット14は、中心位置に配設した
回転搬送アーム24の周囲で、アンローダ18の正面側に洗
浄処理槽34を配設すると共に、回転搬送アーム24の右隣
に乾燥処理槽36を配設するようにしている。本実施例で
は、洗浄処理槽34は水洗ファイナルリンス槽として用い
られている。
回転搬送アーム24の周囲で、アンローダ18の正面側に洗
浄処理槽34を配設すると共に、回転搬送アーム24の右隣
に乾燥処理槽36を配設するようにしている。本実施例で
は、洗浄処理槽34は水洗ファイナルリンス槽として用い
られている。
また、上記各洗浄処理槽26,28,30,32,34及び水中ロー
ダ20並びに乾燥処理槽36は、第６図に示すようにそれぞ
れ半導体ウエハ22搬入出用の開口部38を有するケース40
内に配設した状態となっている。
ダ20並びに乾燥処理槽36は、第６図に示すようにそれぞ
れ半導体ウエハ22搬入出用の開口部38を有するケース40
内に配設した状態となっている。
ローダ16は、第２図に示すように２つのキャリア48す
なわち被洗浄体搬送用容器に収納された各々25枚ずつの
半導体ウエハ22を２本のローラ上に載置し、このローラ
を回転させて位置合わせする、第３図に示す所謂オリフ
ラ合せ機構49にて半導体ウエハ22のオリエンテーション
フラットの位置合せを行った後、第４図に示すように２
つのキャリア48内の半導体ウエハ22を突き上げ棒51にて
上方に突き上げ、この突き上げ棒51を互に寄せ合った状
態にし、この状態で上記搬入側の回転搬送アーム24にて
50枚の半導体ウエハ22のみをすくい上げるようにしてい
る。なお、第２支持手段は、図２に示すように少なくと
も２つの突き上げ棒51を含んで構成される。また、アン
ローダ18では、上記ローダ16と同様の機構となってお
り、上記ローダ16と逆順の処理がなされるようになって
いる。
なわち被洗浄体搬送用容器に収納された各々25枚ずつの
半導体ウエハ22を２本のローラ上に載置し、このローラ
を回転させて位置合わせする、第３図に示す所謂オリフ
ラ合せ機構49にて半導体ウエハ22のオリエンテーション
フラットの位置合せを行った後、第４図に示すように２
つのキャリア48内の半導体ウエハ22を突き上げ棒51にて
上方に突き上げ、この突き上げ棒51を互に寄せ合った状
態にし、この状態で上記搬入側の回転搬送アーム24にて
50枚の半導体ウエハ22のみをすくい上げるようにしてい
る。なお、第２支持手段は、図２に示すように少なくと
も２つの突き上げ棒51を含んで構成される。また、アン
ローダ18では、上記ローダ16と同様の機構となってお
り、上記ローダ16と逆順の処理がなされるようになって
いる。
回転搬送アーム24は、第５図に示すように水平回転可
能、かつ伸縮可能な多関節のアーム本体50の先端に、半
導体ウエハ22載置用の授受部であるウエハフォーク52を
有し、このウエハフォーク52上にキャリア48なしで、50
枚の半導体ウエハ22のみを載置し、ローダ16、洗浄処理
槽26,28,30,32,34、水中ローダ20、乾燥処理槽36及びア
ンローダ18間で半導体ウエハ22を受渡しするようになっ
ている。
能、かつ伸縮可能な多関節のアーム本体50の先端に、半
導体ウエハ22載置用の授受部であるウエハフォーク52を
有し、このウエハフォーク52上にキャリア48なしで、50
枚の半導体ウエハ22のみを載置し、ローダ16、洗浄処理
槽26,28,30,32,34、水中ローダ20、乾燥処理槽36及びア
ンローダ18間で半導体ウエハ22を受渡しするようになっ
ている。
具体的には、ウエハフォーク52は、第８図に示すよう
に半導体ウエハ22を載置位置決めする多数の支持溝62を
有する２本の平行な支持棒54を水平方向で移動可能に有
し、ローダ16,アンローダ18との間では、上記２本の支
持棒54間で上下動する突き上げ棒から半導体ウエハ22を
受け取り、あるいは上記突き上げ棒に対して半導体ウエ
ハ22を受け渡すようにしている。また水中ローダ20、洗
浄処理槽26,28,30,32,34及び乾燥処理槽36との間では、
第７図に示すように各槽専用に設けられた処理容器とし
ての例えば耐処理液性の例えば石英ボート56を上下動さ
せることにより、各槽専用の第１支持手段であるボート
56から半導体ウエハ22を受け取りあるいはボート56に対
して半導体ウエハ22を受け渡すようになっている。
に半導体ウエハ22を載置位置決めする多数の支持溝62を
有する２本の平行な支持棒54を水平方向で移動可能に有
し、ローダ16,アンローダ18との間では、上記２本の支
持棒54間で上下動する突き上げ棒から半導体ウエハ22を
受け取り、あるいは上記突き上げ棒に対して半導体ウエ
ハ22を受け渡すようにしている。また水中ローダ20、洗
浄処理槽26,28,30,32,34及び乾燥処理槽36との間では、
第７図に示すように各槽専用に設けられた処理容器とし
ての例えば耐処理液性の例えば石英ボート56を上下動さ
せることにより、各槽専用の第１支持手段であるボート
56から半導体ウエハ22を受け取りあるいはボート56に対
して半導体ウエハ22を受け渡すようになっている。
各槽専用のボート56は、半導体ウエハ22を載置位置決
めする多数の支持溝64を有する３本の平行な支持棒58を
有し、駆動手段であるアーム60によって上述のように上
下動可能に支持されている。この３本の支持棒58は、上
記回転搬送アーム24のウエハフォーク52の２本の支持棒
54と干渉しない位置に設けられ、かつ半導体ウエハ22の
外形に沿うように支持棒58が配設されている。また、こ
のボート56は、半導体ウエハ22を直接載置位置決めする
ようになっており、キャリア48は使用していない。さら
に、ボート56は、他の例として炭化ケイ素（SiC）にて
ボート本体を形成し、このボート本体の表面をポリ・エ
ーテル・エーテル・ケトン（PEEK）にてコーティングし
たものを使用し、純度が高く、しかも耐薬品性を持たせ
るようにしている。なお、この例に代えてボート56自体
をポリ・エーテル・エーテル・ケトンで形成し、あるい
は他の部材で形成したボート本体に炭化ケイ素をコーテ
ィングし、その上にさらにポリ・エーテル・エーテル・
ケトン（PEEK）にてコーティングするようにしてもよ
く、さらにはポリ・エーテル・エーテル・ケトン（PEE
K）に代えてポリ・クロロ・トリ・フルオロ・エチレン
（商品名ではダイフロン、略称ではPCTFE）又はフッ素
樹脂を用いるようにしてもよい。
めする多数の支持溝64を有する３本の平行な支持棒58を
有し、駆動手段であるアーム60によって上述のように上
下動可能に支持されている。この３本の支持棒58は、上
記回転搬送アーム24のウエハフォーク52の２本の支持棒
54と干渉しない位置に設けられ、かつ半導体ウエハ22の
外形に沿うように支持棒58が配設されている。また、こ
のボート56は、半導体ウエハ22を直接載置位置決めする
ようになっており、キャリア48は使用していない。さら
に、ボート56は、他の例として炭化ケイ素（SiC）にて
ボート本体を形成し、このボート本体の表面をポリ・エ
ーテル・エーテル・ケトン（PEEK）にてコーティングし
たものを使用し、純度が高く、しかも耐薬品性を持たせ
るようにしている。なお、この例に代えてボート56自体
をポリ・エーテル・エーテル・ケトンで形成し、あるい
は他の部材で形成したボート本体に炭化ケイ素をコーテ
ィングし、その上にさらにポリ・エーテル・エーテル・
ケトン（PEEK）にてコーティングするようにしてもよ
く、さらにはポリ・エーテル・エーテル・ケトン（PEE
K）に代えてポリ・クロロ・トリ・フルオロ・エチレン
（商品名ではダイフロン、略称ではPCTFE）又はフッ素
樹脂を用いるようにしてもよい。
そして、回転搬送アーム24のウエハフォーク52上に半
導体ウエハ22を載置し、このウエハフォーク52が開口部
38より各槽内に入り込んだ状態で、アーム60を伸ばしボ
ート56を上昇させると、ウエハフォーク52上の半導体ウ
エハ22がボート56に移載されることとなる。逆に、ボー
ト56に半導体ウエハ22を収容した状態で、ボート56を上
昇させ、その下に回転搬送アーム24のウエハフォーク52
を挿入し、ボート56を下降させればボート56上の半導体
ウエハ22が回転搬送アーム24のウエハフォーク52上に載
置されることとなる。また、上記ボート56を支持するア
ーム60は、上下動する駆動源で、塵埃を発生する原因と
なる部分であり、しかも薬品を扱う槽内に設けられてい
るので薬品によって腐食する虞があるため、筒を複数層
にして塵埃の外部への漏れを防止すると共に、筒内部を
陽圧にし、かつその外周カバー内を排気することによ
り、洗浄槽内の薬品雰囲気がアーム60内に入り込んで腐
食させるのを防止するようにしている。
導体ウエハ22を載置し、このウエハフォーク52が開口部
38より各槽内に入り込んだ状態で、アーム60を伸ばしボ
ート56を上昇させると、ウエハフォーク52上の半導体ウ
エハ22がボート56に移載されることとなる。逆に、ボー
ト56に半導体ウエハ22を収容した状態で、ボート56を上
昇させ、その下に回転搬送アーム24のウエハフォーク52
を挿入し、ボート56を下降させればボート56上の半導体
ウエハ22が回転搬送アーム24のウエハフォーク52上に載
置されることとなる。また、上記ボート56を支持するア
ーム60は、上下動する駆動源で、塵埃を発生する原因と
なる部分であり、しかも薬品を扱う槽内に設けられてい
るので薬品によって腐食する虞があるため、筒を複数層
にして塵埃の外部への漏れを防止すると共に、筒内部を
陽圧にし、かつその外周カバー内を排気することによ
り、洗浄槽内の薬品雰囲気がアーム60内に入り込んで腐
食させるのを防止するようにしている。
次に、本実施例の作用を説明する。
まず、ローダ16に25枚ずつ半導体ウエハ22が収納され
たキャリア48が２つ搬送されてくると、オリフラ機構が
動作してキャリア48内の半導体ウエハ22を整列させる。
次いで、突き上げ棒が上方に作動してキャリア48をその
ままに、半導体ウエハ22のみを上方に取り出す。この
後、上記突き上げ棒が互に寄合って50枚の半導体ウエハ
22を等間隔で位置させる。
たキャリア48が２つ搬送されてくると、オリフラ機構が
動作してキャリア48内の半導体ウエハ22を整列させる。
次いで、突き上げ棒が上方に作動してキャリア48をその
ままに、半導体ウエハ22のみを上方に取り出す。この
後、上記突き上げ棒が互に寄合って50枚の半導体ウエハ
22を等間隔で位置させる。
次に、回転搬送アーム24が作動して水平回転し、かつ
ローダ16方向に伸びて先端のウエハフォーク52を突き上
げ棒の下側に位置させる。そして、突き上げ棒が下降
し、ウエハフォーク52上に半導体ウエハ22が載置位置決
めされる。
ローダ16方向に伸びて先端のウエハフォーク52を突き上
げ棒の下側に位置させる。そして、突き上げ棒が下降
し、ウエハフォーク52上に半導体ウエハ22が載置位置決
めされる。
次いで、ウエハフォーク52上に半導体ウエハ22が載置
された状態で、回転搬送アーム24が水平回転し、かつ伸
縮して洗浄処理槽26のケース40開口部38から半導体ウエ
ハ22を洗浄処理槽26に挿入配置させる。この状態で、洗
浄処理槽26専用のボート56がアーム60により上昇する
と、ウエハフォーク52上の半導体ウエハ22がボート56上
に載置位置決めされる。そして、回転搬送アーム24がケ
ース40の開口部38から外に出ると、開口部38のシャッタ
ー44すなわち遮断手段が閉ると共に、アーム60によりボ
ート56が洗浄処理槽26内に下降し、半導体ウエハ22を洗
浄処理槽26内の洗浄処理液に浸けて洗浄する。
された状態で、回転搬送アーム24が水平回転し、かつ伸
縮して洗浄処理槽26のケース40開口部38から半導体ウエ
ハ22を洗浄処理槽26に挿入配置させる。この状態で、洗
浄処理槽26専用のボート56がアーム60により上昇する
と、ウエハフォーク52上の半導体ウエハ22がボート56上
に載置位置決めされる。そして、回転搬送アーム24がケ
ース40の開口部38から外に出ると、開口部38のシャッタ
ー44すなわち遮断手段が閉ると共に、アーム60によりボ
ート56が洗浄処理槽26内に下降し、半導体ウエハ22を洗
浄処理槽26内の洗浄処理液に浸けて洗浄する。
この場合、洗浄処理液に接触するのは半導体ウエハ22
及び専用のボート56だけで、キャリア48は洗浄処理液と
接触しないので、洗浄処理液が汚染される度合いが少な
く、従って洗浄処理液を交換する回数も少なくて済むこ
ととなる。また、ボート56が炭化ケイ素（SiC）にポリ
・エーテル・エーテル・ケトン（PEEK）をコーティング
したものを用いているため、洗浄液の汚染は一層少なく
なるものである。
及び専用のボート56だけで、キャリア48は洗浄処理液と
接触しないので、洗浄処理液が汚染される度合いが少な
く、従って洗浄処理液を交換する回数も少なくて済むこ
ととなる。また、ボート56が炭化ケイ素（SiC）にポリ
・エーテル・エーテル・ケトン（PEEK）をコーティング
したものを用いているため、洗浄液の汚染は一層少なく
なるものである。
そして、洗浄終了後、上述の動作と逆の動作でボート
56上の半導体ウエハ22を回転搬送アーム24のウエハフォ
ーク52上に載置位置決めして、半導体ウエハ22を洗浄処
理槽26のケース40外へ取り出し、次の洗浄処理槽28へと
半導体ウエハ22を搬送するようにしている。50枚のウエ
ハ22の洗浄処理槽28への搬送が終了し、この処理槽28で
の洗浄中に、前記回転搬送アーム24を用いて次の新たな
50枚のウエハ22を、洗浄処理槽26に搬入可能となる。
56上の半導体ウエハ22を回転搬送アーム24のウエハフォ
ーク52上に載置位置決めして、半導体ウエハ22を洗浄処
理槽26のケース40外へ取り出し、次の洗浄処理槽28へと
半導体ウエハ22を搬送するようにしている。50枚のウエ
ハ22の洗浄処理槽28への搬送が終了し、この処理槽28で
の洗浄中に、前記回転搬送アーム24を用いて次の新たな
50枚のウエハ22を、洗浄処理槽26に搬入可能となる。
このようにして搬入側の洗浄処理ユニット10による洗
浄処理が終了したら、搬入側の洗浄処理ユニット10と中
間の洗浄処理ユニット12との間に配した水中ローダ20の
専用の耐薬品性材質から構成されたボート56に半導体ウ
エハ22列のみが移され、この水中ローダ20内を移動しつ
つ中間の洗浄処理ユニット12側へと搬送される。
浄処理が終了したら、搬入側の洗浄処理ユニット10と中
間の洗浄処理ユニット12との間に配した水中ローダ20の
専用の耐薬品性材質から構成されたボート56に半導体ウ
エハ22列のみが移され、この水中ローダ20内を移動しつ
つ中間の洗浄処理ユニット12側へと搬送される。
中間の洗浄処理ユニット12では、回転搬送アーム24が
水中ローダ20より半導体ウエハ22を受け取り、洗浄処理
槽30に搬送してフッ酸洗浄処理を行い、さらに洗浄処理
槽32に搬送して水洗オーバーフロー処理を行う。その
後、中間の洗浄処理ユニット12と搬出側の洗浄処理ユニ
ット14との間に配した水中ローダ20に搬送して搬出側の
洗浄処理ユニット14側に移行させるようになっている。
水中ローダ20より半導体ウエハ22を受け取り、洗浄処理
槽30に搬送してフッ酸洗浄処理を行い、さらに洗浄処理
槽32に搬送して水洗オーバーフロー処理を行う。その
後、中間の洗浄処理ユニット12と搬出側の洗浄処理ユニ
ット14との間に配した水中ローダ20に搬送して搬出側の
洗浄処理ユニット14側に移行させるようになっている。
搬出側の洗浄処理ユニット14では、回転搬送アーム24
が水中ローダ20より半導体ウエハ22を受け取り、このウ
エハ22を洗浄処理槽34に搬送してファイナルリンスを行
い、さらに乾燥処理槽36に搬送して乾燥処理を行い、そ
の後アンローダ18に搬送し、このアンローダ18にて半導
体ウエハ22の25枚ずつの分割、オリフラ合せを行い、半
導体ウエハ22を２つのキャリア48に載置して搬出するよ
うにしている。
が水中ローダ20より半導体ウエハ22を受け取り、このウ
エハ22を洗浄処理槽34に搬送してファイナルリンスを行
い、さらに乾燥処理槽36に搬送して乾燥処理を行い、そ
の後アンローダ18に搬送し、このアンローダ18にて半導
体ウエハ22の25枚ずつの分割、オリフラ合せを行い、半
導体ウエハ22を２つのキャリア48に載置して搬出するよ
うにしている。
このように、搬入側の洗浄処理ユニット10,中間の洗
浄処理ユニット12及び搬出側の洗浄処理ユニット14の各
洗浄処理槽26,28,30,32,34及び乾燥処理槽36においてそ
れぞれ専用のボート56を用いているため、洗浄処理液の
交換回数を少なくして洗浄処理効率を向上させることが
可能となる。また、乾燥処理槽36においても、キャリア
48まで乾燥させる必要がないため、乾燥処理効率も向上
することとなる。
浄処理ユニット12及び搬出側の洗浄処理ユニット14の各
洗浄処理槽26,28,30,32,34及び乾燥処理槽36においてそ
れぞれ専用のボート56を用いているため、洗浄処理液の
交換回数を少なくして洗浄処理効率を向上させることが
可能となる。また、乾燥処理槽36においても、キャリア
48まで乾燥させる必要がないため、乾燥処理効率も向上
することとなる。
なお、上記実施例においては、２つのキャリア48に載
置された50枚の半導体ウエハ22を一度に処理する場合に
ついて説明したが、この例に限らず１つのキャリア48上
の25枚の半導体ウエハ22を一度に処理するようにしても
よいし、１枚のウエハを洗浄処理するようにしてもよ
い。
置された50枚の半導体ウエハ22を一度に処理する場合に
ついて説明したが、この例に限らず１つのキャリア48上
の25枚の半導体ウエハ22を一度に処理するようにしても
よいし、１枚のウエハを洗浄処理するようにしてもよ
い。
また、３つの処理ユニット10,12,14を組合せるように
しているが、組合せの個数は任意に変更することができ
る。
しているが、組合せの個数は任意に変更することができ
る。
上記実施例では半導体ウエハの洗浄について説明した
が、製造工程におけるLCDTFT回路基板、プリント基板の
洗浄等にも適用できることは説明するまでもないことで
ある。
が、製造工程におけるLCDTFT回路基板、プリント基板の
洗浄等にも適用できることは説明するまでもないことで
ある。
［発明の効果］ 以上説明したように、請求項１に記載の洗浄装置によ
れば、第１支持手段、第２支持手段、および授受部は被
洗浄体を所定間隔づつ離間させた状態で支持するため、
被洗浄体の受け渡しが行われても、被洗浄体が離間され
た状態が保たれる。したがって、搬送用容器を用いるこ
となく被洗浄体を搬送することができる。また、第２支
持手段は複数の突き上げ部材の少なくとも一方を互いに
近接する方向に移動させることによって、一方の突き上
げ部材で支持され他方の突き上げ部材に最も近接する被
洗浄体と、他方の突き上げ部材で支持され一方の突き上
げ部材に最も近接する被洗浄体との間のピッチを他の被
洗浄体間のピッチと同一とすることができる。その結
果、２つの突き上げ部材で支持された複数の被洗浄体間
のピッチを均一とすることができ、被洗浄体を所定間隔
で離間させて支持する搬送手段の授受部への受け渡し
を、複数の突き上げ部材から同時に行うことが可能とな
り、受け渡し効率を向上させることができる。
れば、第１支持手段、第２支持手段、および授受部は被
洗浄体を所定間隔づつ離間させた状態で支持するため、
被洗浄体の受け渡しが行われても、被洗浄体が離間され
た状態が保たれる。したがって、搬送用容器を用いるこ
となく被洗浄体を搬送することができる。また、第２支
持手段は複数の突き上げ部材の少なくとも一方を互いに
近接する方向に移動させることによって、一方の突き上
げ部材で支持され他方の突き上げ部材に最も近接する被
洗浄体と、他方の突き上げ部材で支持され一方の突き上
げ部材に最も近接する被洗浄体との間のピッチを他の被
洗浄体間のピッチと同一とすることができる。その結
果、２つの突き上げ部材で支持された複数の被洗浄体間
のピッチを均一とすることができ、被洗浄体を所定間隔
で離間させて支持する搬送手段の授受部への受け渡し
を、複数の突き上げ部材から同時に行うことが可能とな
り、受け渡し効率を向上させることができる。
請求項２に記載の洗浄装置によれば、搬送手段の授受
部から第１支持手段への被洗浄体の受け渡しは、授受部
によって被洗浄体を洗浄処理槽の上方に位置させて第１
支持手段を上下させることによって簡単に行えるため、
迅速な受け渡しを行うことができる。
部から第１支持手段への被洗浄体の受け渡しは、授受部
によって被洗浄体を洗浄処理槽の上方に位置させて第１
支持手段を上下させることによって簡単に行えるため、
迅速な受け渡しを行うことができる。
請求項３に記載の洗浄装置によれば、支持棒の少なく
ともいずれか一つに設けられた支持溝の断面がＹ字形状
に形成されているため、被洗浄体が支持溝の最深部に到
達しない場合であっても、被洗浄体の傾斜を小さく抑え
ることができる。
ともいずれか一つに設けられた支持溝の断面がＹ字形状
に形成されているため、被洗浄体が支持溝の最深部に到
達しない場合であっても、被洗浄体の傾斜を小さく抑え
ることができる。
請求項４に記載の洗浄装置は、前記第１支持手段の少
なくとも表面をポリ・エーテル・エーテル・ケトン、ま
たはポリ・クロロ・トリ・フルオロ・エチレンにて形成
することにより、第１支持手段を耐薬品性に優れたもの
とし、より一層洗浄処理液の汚染を防止して、洗浄処理
液の交換頻度が少なくて済むようにしている。
なくとも表面をポリ・エーテル・エーテル・ケトン、ま
たはポリ・クロロ・トリ・フルオロ・エチレンにて形成
することにより、第１支持手段を耐薬品性に優れたもの
とし、より一層洗浄処理液の汚染を防止して、洗浄処理
液の交換頻度が少なくて済むようにしている。
請求項５に記載の洗浄装置は、洗浄処理槽および第１
支持手段を囲むケースの外に、駆動手段が配置されてい
るため、駆動手段において発生しやすい塵埃などで洗浄
処理槽や第１支持手段が汚染される可能性を低下させる
ことができる。
支持手段を囲むケースの外に、駆動手段が配置されてい
るため、駆動手段において発生しやすい塵埃などで洗浄
処理槽や第１支持手段が汚染される可能性を低下させる
ことができる。
第１図は本発明の一実施例に係る洗浄装置全体的構成を
示す断面図、 第２図は第１図のローダ部分を示す平面図、 第３図は第２図のオリフラ合せ機構を示す断面図、 第４図（ａ）、（ｂ）は第２図の突き上げ棒の状態を示
す断面図、 第５図は搬入側の処理ユニットを示す拡大図、 第６図洗浄処理槽、水中ローダ及び乾燥処理槽の状態を
示す斜視図、 第７図はボート及びアームの状態を示す側面図、 第８図（ａ）はウエハフォークの平面図、同図（ｂ）は
その正面図、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＡ−Ａ断面図、 第９図（ａ）はボートの側面図、同図（ｂ）はその正面
図、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。 20……水中ローダ、22……半導体ウエハ、 24……回転搬送アーム、 26、28、30、32、34……洗浄処理槽、 36……乾燥処理槽、48……キャリア、 52……ウエハフォーク、56……ボート。
示す断面図、 第２図は第１図のローダ部分を示す平面図、 第３図は第２図のオリフラ合せ機構を示す断面図、 第４図（ａ）、（ｂ）は第２図の突き上げ棒の状態を示
す断面図、 第５図は搬入側の処理ユニットを示す拡大図、 第６図洗浄処理槽、水中ローダ及び乾燥処理槽の状態を
示す斜視図、 第７図はボート及びアームの状態を示す側面図、 第８図（ａ）はウエハフォークの平面図、同図（ｂ）は
その正面図、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＡ−Ａ断面図、 第９図（ａ）はボートの側面図、同図（ｂ）はその正面
図、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。 20……水中ローダ、22……半導体ウエハ、 24……回転搬送アーム、 26、28、30、32、34……洗浄処理槽、 36……乾燥処理槽、48……キャリア、 52……ウエハフォーク、56……ボート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 648
Claims (5)
- 【請求項１】複数のウエハ状の被洗浄体をバッチ処理す
る洗浄装置であって、 洗浄処理槽と、 前記洗浄処理槽内で前記被洗浄体を互いに所定間隔をお
いて離間させた状態で支持する第１支持手段と、 前記第１支持手段を上下に駆動する駆動手段と、 前記被洗浄体を前記洗浄処理槽外で支持する第２支持手
段と、 前記第２支持手段と前記第１支持手段との間で前記被洗
浄体を搬送する搬送手段と、 を有し、 前記搬送手段は、前記被洗浄体の搬送中に前記被洗浄体
を支持する授受部を備え、該授受部は、前記被洗浄体を
前記所定間隔と同じ間隔で互いに離間させた状態で支持
し、 前記第１支持手段と前記授受部との間の前記被洗浄体の
移し換えが、前記洗浄処理槽の上方で行われ、 前記第２支持手段は、前記被洗浄体を持ち上げ支持する
複数の突き上げ部材を有し、該複数の突き上げ部材の少
なくとも一方を互いに近接する方向に移動させて、該複
数の突き上げ部材が支持する前記被洗浄体を互いに接近
させることを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項２】請求項１において、 前記第１支持手段と前記樹受部との間の前記被洗浄体の
移し換えが、前記第１支持手段の上下動により行われる
ことを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項３】請求項１または請求項２において、 前記支持棒の少なくともいずれか一つに設けられた前記
支持溝は、断面がＹ字形状に形成されていることを特徴
とする洗浄装置。 - 【請求項４】請求項１ないし請求項３のいずれかにおい
て、 前記第１支持手段の少なくとも表面をポリ・エーテル・
エーテル・ケトン、またはポリ・クロロ・トリ・フルオ
ロ・エチレンにて形成したことを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項５】請求項１ないし請求項４のいずれかにおい
て、 前記洗浄処理槽および前記第１支持手段を囲むケースを
さらに有し、 前記駆動手段は前記ケースの外に配置されていることを
特徴とする洗浄装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33131290A JP3214503B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 洗浄装置 |
| US07/795,762 US5226437A (en) | 1990-11-28 | 1991-11-21 | Washing apparatus |
| KR1019910020990A KR0167478B1 (ko) | 1990-11-28 | 1991-11-23 | 세정 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33131290A JP3214503B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196531A JPH04196531A (ja) | 1992-07-16 |
| JP3214503B2 true JP3214503B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=18242279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33131290A Expired - Fee Related JP3214503B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 洗浄装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3214503B2 (ja) |
| KR (1) | KR0167478B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170129789A (ko) | 2015-06-15 | 2017-11-27 | 가부시키가이샤 제이.이.티. | 기판 처리 장치 |
| KR20180018775A (ko) | 2015-06-19 | 2018-02-21 | 가부시키가이샤 제이.이.티. | 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3110218B2 (ja) * | 1992-09-25 | 2000-11-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体洗浄装置及び方法、ウエハカセット、専用グローブ並びにウエハ受け治具 |
| US5730162A (en) * | 1995-01-12 | 1998-03-24 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for washing substrates |
| DE19637875C2 (de) * | 1996-04-17 | 1999-07-22 | Steag Micro Tech Gmbh | Anlage zur Naßbehandlung von Substraten |
| JP3737604B2 (ja) * | 1997-06-03 | 2006-01-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP3320640B2 (ja) * | 1997-07-23 | 2002-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置 |
| JPH1154471A (ja) | 1997-08-05 | 1999-02-26 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
| US6115867A (en) * | 1997-08-18 | 2000-09-12 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for cleaning both sides of substrate |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP33131290A patent/JP3214503B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-11-23 KR KR1019910020990A patent/KR0167478B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170129789A (ko) | 2015-06-15 | 2017-11-27 | 가부시키가이샤 제이.이.티. | 기판 처리 장치 |
| US10615059B2 (en) | 2015-06-15 | 2020-04-07 | J.E.T. Co., Ltd. | Substrate processing device |
| KR20180018775A (ko) | 2015-06-19 | 2018-02-21 | 가부시키가이샤 제이.이.티. | 기판 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0167478B1 (ko) | 1999-02-01 |
| KR920010782A (ko) | 1992-06-27 |
| JPH04196531A (ja) | 1992-07-16 |
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