JP3211290B2 - 半導体装置の形成方法 - Google Patents
半導体装置の形成方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に用いる薄
膜を形成する半導体装置の形成方法に関するものであ
る。
膜を形成する半導体装置の形成方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】窒化チタン(TiN)膜または酸窒化チ
タン(TiON)膜は、例えば半導体装置の基板と配線
とを密着する密着層として用いられる。また上記基板と
配線とを接続する技術には、例えば、コンタクトホール
内にプラグを形成する技術がある。その一つに、いわゆ
るブランケットタングステン(以下BLK−Wと略記す
る)による埋め込み技術がある。
タン(TiON)膜は、例えば半導体装置の基板と配線
とを密着する密着層として用いられる。また上記基板と
配線とを接続する技術には、例えば、コンタクトホール
内にプラグを形成する技術がある。その一つに、いわゆ
るブランケットタングステン(以下BLK−Wと略記す
る)による埋め込み技術がある。
【0003】この埋め込み技術を、図5の形成工程図に
より説明する。図5の(1)に示すように、半導体基板
(例えば単結晶シリコン基板)61の上層に拡散層62
を形成する。次いで半導体基板61の上面に絶縁膜63
を成膜する。その後上記拡散層62上の当該絶縁膜63
にコンタクトホール64を設ける。次いで図5の(2)
に示す如く、化学的気相成長(CVD)法によって、上
記コンタクトホール64の内壁と絶縁膜63の上面とを
覆う状態に、例えばTiNよりなる密着層65を成膜す
る。続いて図5の(3)に示すように、例えばCVD法
によって、上記コンタクトホール64の内部と密着層6
5の上面とに、BLK−W膜66を成膜する。さらにタ
ングステン(W)プラグ(図示せず)を形成する場合に
は、上記BLK−W膜66をエッチバックして、コンタ
クトホール64の内部にBLK−W膜66を残すことに
よって、Wプラグを形成する。
より説明する。図5の(1)に示すように、半導体基板
(例えば単結晶シリコン基板)61の上層に拡散層62
を形成する。次いで半導体基板61の上面に絶縁膜63
を成膜する。その後上記拡散層62上の当該絶縁膜63
にコンタクトホール64を設ける。次いで図5の(2)
に示す如く、化学的気相成長(CVD)法によって、上
記コンタクトホール64の内壁と絶縁膜63の上面とを
覆う状態に、例えばTiNよりなる密着層65を成膜す
る。続いて図5の(3)に示すように、例えばCVD法
によって、上記コンタクトホール64の内部と密着層6
5の上面とに、BLK−W膜66を成膜する。さらにタ
ングステン(W)プラグ(図示せず)を形成する場合に
は、上記BLK−W膜66をエッチバックして、コンタ
クトホール64の内部にBLK−W膜66を残すことに
よって、Wプラグを形成する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記B
LK−Wによる埋め込み技術では、図6に示す如く、コ
ンタクトホール64内の密着層65のカバレジが十分で
ない場合に、CVD法によって成膜したBLK−W膜6
6にボイド67が生じる。また密着層65をCVD法に
よるTiN膜で形成する際に、ソースとして四塩化チタ
ン(TiCl4 )を用いた場合には、成膜した密着層6
5内に塩素(Cl)が取り込まれる。このため、密着層
65の品質が劣化し、バリヤ性が低下する。またTiN
膜はコンタクトホール64底部での拡散層62との接触
抵抗を大きくする。または、CVD法によって、密着層
65を酸窒化チタン(TiON)膜で形成した場合に
は、密着層65中に塩素を取り込む課題は解決される
が、コンタクトホール64底部での拡散層62との接触
抵抗が大きくなる課題は解決されない。このため、いず
れの場合もコンタクト抵抗が大きくなる。
LK−Wによる埋め込み技術では、図6に示す如く、コ
ンタクトホール64内の密着層65のカバレジが十分で
ない場合に、CVD法によって成膜したBLK−W膜6
6にボイド67が生じる。また密着層65をCVD法に
よるTiN膜で形成する際に、ソースとして四塩化チタ
ン(TiCl4 )を用いた場合には、成膜した密着層6
5内に塩素(Cl)が取り込まれる。このため、密着層
65の品質が劣化し、バリヤ性が低下する。またTiN
膜はコンタクトホール64底部での拡散層62との接触
抵抗を大きくする。または、CVD法によって、密着層
65を酸窒化チタン(TiON)膜で形成した場合に
は、密着層65中に塩素を取り込む課題は解決される
が、コンタクトホール64底部での拡散層62との接触
抵抗が大きくなる課題は解決されない。このため、いず
れの場合もコンタクト抵抗が大きくなる。
【0005】そこで、スパッタ法によって、チタン(T
i)膜を成膜した後、上記CVD法によって、TiON
膜を成膜することで、接触抵抗を低減し、バリヤ性を向
上させていた。ところが、Ti膜をスパッタ法で成膜
し、TiON膜をCVD法によって成膜するために、ス
ループットが大幅に低下する。
i)膜を成膜した後、上記CVD法によって、TiON
膜を成膜することで、接触抵抗を低減し、バリヤ性を向
上させていた。ところが、Ti膜をスパッタ法で成膜
し、TiON膜をCVD法によって成膜するために、ス
ループットが大幅に低下する。
【0006】本発明は、接触抵抗が低く、膜質とスルー
プットに優れた薄膜の形成方法を提供することを目的と
する。
プットに優れた薄膜の形成方法を提供することを目的と
する。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされた半導体装置の形成方法である。す
なわち、基板上に導電層とプラグ形成層とを絶縁膜を介
して形成し、前記絶縁膜に形成した接続孔を通して前記
導電層と前記プラグ形成層とを接続する半導体装置の形
成方法であって、前記接続孔および前記絶縁膜を覆っ
て、前記基板にRFバイアスを印加しつつプラズマ励起
化学的気相成長法により高融点金属膜を形成する第1の
工程と、連続的に前記高融点金属膜を覆って、前記基板
にRFバイアスを印加しつつプラズマ励起化学的気相成
長法により高融点金属酸窒化膜を形成する第2の工程
と、前記高融点金属酸窒化膜を覆って、前記接続孔を埋
め込むごとくプラグ形成層を形成する第3の工程とを有
している。または、上記高融点金属酸窒化膜のかわりに
高融点金属窒化膜を形成する半導体装置の形成方法であ
る。
成するためになされた半導体装置の形成方法である。す
なわち、基板上に導電層とプラグ形成層とを絶縁膜を介
して形成し、前記絶縁膜に形成した接続孔を通して前記
導電層と前記プラグ形成層とを接続する半導体装置の形
成方法であって、前記接続孔および前記絶縁膜を覆っ
て、前記基板にRFバイアスを印加しつつプラズマ励起
化学的気相成長法により高融点金属膜を形成する第1の
工程と、連続的に前記高融点金属膜を覆って、前記基板
にRFバイアスを印加しつつプラズマ励起化学的気相成
長法により高融点金属酸窒化膜を形成する第2の工程
と、前記高融点金属酸窒化膜を覆って、前記接続孔を埋
め込むごとくプラグ形成層を形成する第3の工程とを有
している。または、上記高融点金属酸窒化膜のかわりに
高融点金属窒化膜を形成する半導体装置の形成方法であ
る。
【0008】
【作用】上記半導体装置の形成方法では、基板にRFバ
イアスを印加しつつプラズマ励起化学的気相成長法によ
って高融点金属膜を成膜し、さらに基板にRFバイアス
を印加しつつプラズマ励起化学的気相成長法によって高
融点金属酸窒化膜または高融点金属窒化膜を成膜するこ
とにより、連続して成膜されるので、成膜のスループッ
トが高まる。また高融点金属膜によって基板との接触抵
抗が低減され、高融点金属酸窒化膜または高融点金属窒
化膜によって、基板に対するバリヤ性が高まる。また上
記第1,第2の工程の成膜を、RFバイアスを印加しつ
つプラズマ励起化学的気相成長法で行うことにより、高
融点金属膜のステップカバレジが高まるとともに、高融
点金属酸窒化膜または高融点金属窒化膜のステップカバ
レジも高まる。
イアスを印加しつつプラズマ励起化学的気相成長法によ
って高融点金属膜を成膜し、さらに基板にRFバイアス
を印加しつつプラズマ励起化学的気相成長法によって高
融点金属酸窒化膜または高融点金属窒化膜を成膜するこ
とにより、連続して成膜されるので、成膜のスループッ
トが高まる。また高融点金属膜によって基板との接触抵
抗が低減され、高融点金属酸窒化膜または高融点金属窒
化膜によって、基板に対するバリヤ性が高まる。また上
記第1,第2の工程の成膜を、RFバイアスを印加しつ
つプラズマ励起化学的気相成長法で行うことにより、高
融点金属膜のステップカバレジが高まるとともに、高融
点金属酸窒化膜または高融点金属窒化膜のステップカバ
レジも高まる。
【0009】
【実施例】本発明の第1の実施例を図1に示す半導体装
置の形成工程図および図2に示すCVD装置の概略構成
図により説明する。図1では、一例として、ブランケッ
トタングステン(BLK−W)膜の密着層を形成する場
合を説明する。
置の形成工程図および図2に示すCVD装置の概略構成
図により説明する。図1では、一例として、ブランケッ
トタングステン(BLK−W)膜の密着層を形成する場
合を説明する。
【0010】図1の(1)に示すように、基板(例えば
単結晶シリコン基板)11の上層には、例えば導電性不
純物を導入した拡散層12が設けられている。また基板
11の上面には絶縁膜13が形成されている。この絶縁
膜13には、絶縁膜パターンとして、例えば前記拡散層
12上にコンタクトホール14が設けられている。
単結晶シリコン基板)11の上層には、例えば導電性不
純物を導入した拡散層12が設けられている。また基板
11の上面には絶縁膜13が形成されている。この絶縁
膜13には、絶縁膜パターンとして、例えば前記拡散層
12上にコンタクトホール14が設けられている。
【0011】図1の(2)に示す如く、まず第1の工程
で、後述するRFバイアスを基板11に印加して成膜を
行うECR(電子サイクロトロン共鳴)−CVD(化学
的気相成長)装置30(図2参照)を用いたプラズマ励
起CVD法によって、上記コンタクトホール14の内壁
を含む絶縁膜13表面を覆う状態に、高融点金属膜〔例
えばチタン(Ti)膜〕15を、例えば30nmの厚さ
に成膜する。このときのTi膜15の成膜条件の一例を
説明する。反応ガスに四塩化チタン(TiCl4 )を用
い、励起ガスにアルゴン(Ar)を用いる。上記TiC
l4 の流量を50sccmに設定し、Arの流量を50
sccm設定する。また反応雰囲気の温度をおよそ40
0℃以下、同圧力を1.33Pa、マイクロ波(2.4
5GHz)出力を2.8kW、RFバイアス出力を30
0Wに設定する。
で、後述するRFバイアスを基板11に印加して成膜を
行うECR(電子サイクロトロン共鳴)−CVD(化学
的気相成長)装置30(図2参照)を用いたプラズマ励
起CVD法によって、上記コンタクトホール14の内壁
を含む絶縁膜13表面を覆う状態に、高融点金属膜〔例
えばチタン(Ti)膜〕15を、例えば30nmの厚さ
に成膜する。このときのTi膜15の成膜条件の一例を
説明する。反応ガスに四塩化チタン(TiCl4 )を用
い、励起ガスにアルゴン(Ar)を用いる。上記TiC
l4 の流量を50sccmに設定し、Arの流量を50
sccm設定する。また反応雰囲気の温度をおよそ40
0℃以下、同圧力を1.33Pa、マイクロ波(2.4
5GHz)出力を2.8kW、RFバイアス出力を30
0Wに設定する。
【0012】上記CVD装置31は、図2に示す如く、
プラズマを発生するプラズマ室32と、プラズマ室32
の上部側に接続したマイクロ波導波管33と、プラズマ
室32の側周に設けた電磁コイル34と、プラズマ室3
2の下部側に接続した反応室35と、反応室35に接続
したガス供給部36と、反応室35の下部側に形成した
排気口37と、反応室35内に設置したステージ38
と、ステージ38に接続したRFバイアス印加部39と
により構成されている。
プラズマを発生するプラズマ室32と、プラズマ室32
の上部側に接続したマイクロ波導波管33と、プラズマ
室32の側周に設けた電磁コイル34と、プラズマ室3
2の下部側に接続した反応室35と、反応室35に接続
したガス供給部36と、反応室35の下部側に形成した
排気口37と、反応室35内に設置したステージ38
と、ステージ38に接続したRFバイアス印加部39と
により構成されている。
【0013】その後図1の(3)に示すように、第2の
工程で、上記同様のRFバイアスを印加するECR−C
VD装置を用いたプラズマ励起CVD法によって、上記
Ti膜15の表面に、Ti膜15を形成するチタン(T
i)と酸素(O)と窒素(N)との化合物よりなる高融
点酸窒化金属膜〔例えば酸窒化チタン(TiON)膜〕
16を成膜する。上記TiON膜16の成膜は、上記T
i膜15を成膜したECR−CVD装置31で行う。T
i膜15を成膜した後、反応室(図示せず)内のTi膜
15を成膜したときに用いたガスを排気して、反応室内
をほぼ真空状態にする。その後TiON膜16を成膜す
るための反応ガスを反応室内に導入する。
工程で、上記同様のRFバイアスを印加するECR−C
VD装置を用いたプラズマ励起CVD法によって、上記
Ti膜15の表面に、Ti膜15を形成するチタン(T
i)と酸素(O)と窒素(N)との化合物よりなる高融
点酸窒化金属膜〔例えば酸窒化チタン(TiON)膜〕
16を成膜する。上記TiON膜16の成膜は、上記T
i膜15を成膜したECR−CVD装置31で行う。T
i膜15を成膜した後、反応室(図示せず)内のTi膜
15を成膜したときに用いたガスを排気して、反応室内
をほぼ真空状態にする。その後TiON膜16を成膜す
るための反応ガスを反応室内に導入する。
【0014】このときのTiON膜16の成膜条件の一
例を説明する。反応ガスに四塩化チタン(TiCl4)
と一酸化二窒素(N2O)と酸素(O2)とを用い、励
起ガスにアルゴン(Ar)を用いる。上記TiCl
4は、80℃でバブリングし、その流量を10sccm
に設定し、N2Oの流量を30sccm、O2の流量を
30sccmに設定し、Arの流量を50sccmに設
定する。また反応雰囲気の温度をおよそ400℃以下、
同圧力を1.33Pa、マイクロ波出力を2.8kW、
RFバイアス出力を300Wに設定する。
例を説明する。反応ガスに四塩化チタン(TiCl4)
と一酸化二窒素(N2O)と酸素(O2)とを用い、励
起ガスにアルゴン(Ar)を用いる。上記TiCl
4は、80℃でバブリングし、その流量を10sccm
に設定し、N2Oの流量を30sccm、O2の流量を
30sccmに設定し、Arの流量を50sccmに設
定する。また反応雰囲気の温度をおよそ400℃以下、
同圧力を1.33Pa、マイクロ波出力を2.8kW、
RFバイアス出力を300Wに設定する。
【0015】上記条件で成膜した場合には、TiCl4
中のClは、反応によって揮発性の高い酸塩化チタン
(TiClxOy)になり、反応室35(図2参照)の
外部に排出される。そして通常TiOxNyなる組成の
膜が成膜される。この結果、成膜されるTiON膜16
中にはほとんどClが含まれないので、TiON膜16
の膜質が向上する。また成膜時にRFバイアスを印加し
たので、成膜されるTiON膜16の膜質は緻密なもの
となり、バリヤ性が向上する。
中のClは、反応によって揮発性の高い酸塩化チタン
(TiClxOy)になり、反応室35(図2参照)の
外部に排出される。そして通常TiOxNyなる組成の
膜が成膜される。この結果、成膜されるTiON膜16
中にはほとんどClが含まれないので、TiON膜16
の膜質が向上する。また成膜時にRFバイアスを印加し
たので、成膜されるTiON膜16の膜質は緻密なもの
となり、バリヤ性が向上する。
【0016】なお、反応ガスに四塩化チタン(TiCl
4)と一酸化二窒素(N2O)とを用い、励起ガスにア
ルゴン(Ar)を用いることも可能である。この場合に
は、TiCl4の流量を10sccm、N2Oの流量を
60sccmに設定し、Arの流量を50sccmに設
定する。その他の成膜条件は、上記した条件と同様であ
る。またTiCl4のかわりに四臭化チタン(TiBr
4)または有機金属チタン等を用いることも可能であ
る。さらにN2Oの代わりに、他の酸化窒素ガスを用い
ることもできる。なお各種ガスの流量比は、上記比率に
限定されることはなく、適宜決定される。実験によれ
ば、TiCl4が1に対してN2O+O2またはN2O
のそれぞれが1ないし2の比率が好ましい。
4)と一酸化二窒素(N2O)とを用い、励起ガスにア
ルゴン(Ar)を用いることも可能である。この場合に
は、TiCl4の流量を10sccm、N2Oの流量を
60sccmに設定し、Arの流量を50sccmに設
定する。その他の成膜条件は、上記した条件と同様であ
る。またTiCl4のかわりに四臭化チタン(TiBr
4)または有機金属チタン等を用いることも可能であ
る。さらにN2Oの代わりに、他の酸化窒素ガスを用い
ることもできる。なお各種ガスの流量比は、上記比率に
限定されることはなく、適宜決定される。実験によれ
ば、TiCl4が1に対してN2O+O2またはN2O
のそれぞれが1ないし2の比率が好ましい。
【0017】上記第2の工程では、TiON膜16を成
膜したが、この代わりの高融点窒化金属膜として、例え
ば、高融点金属のチタンと窒素との化合物よりなるTi
N膜(図示せず)を形成することも可能である。また上
記説明の高融点金属としては、チタンの他に、例えばタ
ングステン(W),モリブデン(Mo),ハフニウム
(Hf),ジルコニウム(Zr)等を用いることもでき
る。
膜したが、この代わりの高融点窒化金属膜として、例え
ば、高融点金属のチタンと窒素との化合物よりなるTi
N膜(図示せず)を形成することも可能である。また上
記説明の高融点金属としては、チタンの他に、例えばタ
ングステン(W),モリブデン(Mo),ハフニウム
(Hf),ジルコニウム(Zr)等を用いることもでき
る。
【0018】上記のように、高融点金属膜15が半導体
基板11の拡散層12に直接接触するので、拡散層12
に対する高融点金属膜15の接触抵抗は小さくなる。ま
たTi膜15とTiON膜16とを連続的に成膜したの
で、スループットが向上する。さらにTi膜15の成膜
時とTiON膜16の成膜時にRFバイアスを印加して
化学的気相成長させたので、Ti膜15,TiON膜1
6のステップカバレジ性が高まる。
基板11の拡散層12に直接接触するので、拡散層12
に対する高融点金属膜15の接触抵抗は小さくなる。ま
たTi膜15とTiON膜16とを連続的に成膜したの
で、スループットが向上する。さらにTi膜15の成膜
時とTiON膜16の成膜時にRFバイアスを印加して
化学的気相成長させたので、Ti膜15,TiON膜1
6のステップカバレジ性が高まる。
【0019】その後図3に示すように、例えば通常のC
VD法によって、TiON膜16の表面に、プラグ形成
層として例えばブランケットタングステン(BLK−
W)膜17を成膜する。このBLK−W膜17の成膜
は、通常2段階の成膜工程によって行う。まず、第1段
階の成膜では、例えば反応ガスに25sccmの流量の
六フッ化タングステン(WF6 )と10sccmの流量
のモノシラン(SiH4 )を用いる。また反応雰囲気の
圧力を、例えば10.6kPaに設定し、同温度を、例
えば475℃に設定する。このような条件下で第1段階
の成膜を行う。続いて第2段階の成膜を行う、第2段階
の成膜条件は、例えば反応ガスに60sccmの流量の
六フッ化タングステン(WF6)と360sccmの流
量の水素(H2 )を用いる。また反応雰囲気の圧力、同
温度は、第1段階の成膜時と同様に設定される。
VD法によって、TiON膜16の表面に、プラグ形成
層として例えばブランケットタングステン(BLK−
W)膜17を成膜する。このBLK−W膜17の成膜
は、通常2段階の成膜工程によって行う。まず、第1段
階の成膜では、例えば反応ガスに25sccmの流量の
六フッ化タングステン(WF6 )と10sccmの流量
のモノシラン(SiH4 )を用いる。また反応雰囲気の
圧力を、例えば10.6kPaに設定し、同温度を、例
えば475℃に設定する。このような条件下で第1段階
の成膜を行う。続いて第2段階の成膜を行う、第2段階
の成膜条件は、例えば反応ガスに60sccmの流量の
六フッ化タングステン(WF6)と360sccmの流
量の水素(H2 )を用いる。また反応雰囲気の圧力、同
温度は、第1段階の成膜時と同様に設定される。
【0020】上記の如くに、BLK−W膜17を形成し
た場合には、BLK−W膜17の密着層となるTiON
膜16がコンタクトホール14内も含めて均一な膜厚に
成膜されるので、BLK−W膜17は、コンタクトホー
ル14内にボイドを発生することなく成膜される。
た場合には、BLK−W膜17の密着層となるTiON
膜16がコンタクトホール14内も含めて均一な膜厚に
成膜されるので、BLK−W膜17は、コンタクトホー
ル14内にボイドを発生することなく成膜される。
【0021】次に第2の実施例として、前記第1の実施
例で説明したTi膜15とTiON膜16とを連続的に
成膜する方法を、図4に示すCVD装置および前記説明
した図1により説明する。図に示すように、CVD装置
30は、第1,第2のCVD装置(例えばRFバイアス
を印加するECR−CVD装置)31,41の各反応室
35,45同士をゲートバルブ51を介して接続したも
のである。上記第1,第2のCVD装置31,41は、
前記図2で説明したと同様のCVD装置で構成されるの
で、ここでの詳細な説明は省略する。
例で説明したTi膜15とTiON膜16とを連続的に
成膜する方法を、図4に示すCVD装置および前記説明
した図1により説明する。図に示すように、CVD装置
30は、第1,第2のCVD装置(例えばRFバイアス
を印加するECR−CVD装置)31,41の各反応室
35,45同士をゲートバルブ51を介して接続したも
のである。上記第1,第2のCVD装置31,41は、
前記図2で説明したと同様のCVD装置で構成されるの
で、ここでの詳細な説明は省略する。
【0022】まず第1の工程として、第1のCVD装置
31の反応室35内で、高融点金属膜(例えばTi膜)
15〔図1(2)参照〕を成膜する。成膜条件は、第1
の実施例で説明したと同様である。その後、第1のCV
D装置31の反応室35より処理した半導体基板11
を、ゲートバルブ51を通して第2のCVD装置41の
反応室45内に移送する。そして第2の工程で、Ti膜
15(図1参照)上に高融点金属酸窒化膜(例えばTi
ON膜)16〔図1(3)参照〕を成膜する。この成膜
条件は、第1の実施例で説明したと同様である。
31の反応室35内で、高融点金属膜(例えばTi膜)
15〔図1(2)参照〕を成膜する。成膜条件は、第1
の実施例で説明したと同様である。その後、第1のCV
D装置31の反応室35より処理した半導体基板11
を、ゲートバルブ51を通して第2のCVD装置41の
反応室45内に移送する。そして第2の工程で、Ti膜
15(図1参照)上に高融点金属酸窒化膜(例えばTi
ON膜)16〔図1(3)参照〕を成膜する。この成膜
条件は、第1の実施例で説明したと同様である。
【0023】上記の如くに、反応室35内でTi膜15
を形成後、Ti膜を成膜した半導体基板11を大気にさ
らすことなく、反応室45内に移送して、TiON膜1
6を成膜したので、Ti膜15上には自然酸化膜が形成
されない。また清浄なTi膜15の表面にTiON膜1
6を成膜できる。このため、TiON膜16の膜質は優
れたものになり、バリヤ性が高い膜になる。また反応室
35,45を用いて、連続的に成膜したので、成膜のス
ループットがさらに向上する。
を形成後、Ti膜を成膜した半導体基板11を大気にさ
らすことなく、反応室45内に移送して、TiON膜1
6を成膜したので、Ti膜15上には自然酸化膜が形成
されない。また清浄なTi膜15の表面にTiON膜1
6を成膜できる。このため、TiON膜16の膜質は優
れたものになり、バリヤ性が高い膜になる。また反応室
35,45を用いて、連続的に成膜したので、成膜のス
ループットがさらに向上する。
【0024】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
基板との接触抵抗を下げるための高融点金属膜と、基板
に対するバリヤ性を確保するための高融点金属窒化膜ま
たは高融点金属酸窒化膜とを、基板にRFバイアスを印
加しつつ、同様のプラズマ励起化学的気相成長法によっ
て、連続的に成膜するので、スループットの向上が図れ
る。また基板にRFバイアスを印加しつつ、プラズマ励
起化学的気相成長法によって成膜するので、高融点金属
膜と高融点金属酸窒化膜(または高融点金属窒化膜)と
の膜厚均一性を向上することができる。このため、ステ
ップカバレジ性が向上する。
基板との接触抵抗を下げるための高融点金属膜と、基板
に対するバリヤ性を確保するための高融点金属窒化膜ま
たは高融点金属酸窒化膜とを、基板にRFバイアスを印
加しつつ、同様のプラズマ励起化学的気相成長法によっ
て、連続的に成膜するので、スループットの向上が図れ
る。また基板にRFバイアスを印加しつつ、プラズマ励
起化学的気相成長法によって成膜するので、高融点金属
膜と高融点金属酸窒化膜(または高融点金属窒化膜)と
の膜厚均一性を向上することができる。このため、ステ
ップカバレジ性が向上する。
【図1】第1の実施例の形成工程図である。
【図2】第1の実施例に用いるCVD装置の概略構成図
である。
である。
【図3】ブランケットタングステン膜の形成説明図であ
る。
る。
【図4】第2の実施例に用いるCVD装置の概略構成図
である。
である。
【図5】従来の埋め込み技術の形成工程図である。
【図6】課題の説明図である。
11 基板 13 絶縁膜 14 コンタクトホール 15 高融点金属膜(Ti膜) 16 高融点金属酸窒化膜(TiON膜)
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−229814(JP,A) 特開 平3−24268(JP,A) 特開 平2−93072(JP,A) 特開 平1−191780(JP,A) 特開 平3−132023(JP,A) 特開 昭59−145781(JP,A) 特開 平5−102080(JP,A) 特開 平5−6865(JP,A) 特開 平4−225223(JP,A) 特開 平4−100221(JP,A) 特開 平4−7825(JP,A) 特開 平3−286527(JP,A) 特開 平3−215673(JP,A) 特開 平3−202467(JP,A) 特開 平3−180059(JP,A) 特開 平3−130370(JP,A) 特開 平2−310926(JP,A) 特開 平2−165628(JP,A) 特開 平2−129375(JP,A) 特開 平1−236629(JP,A) 特開 昭64−41240(JP,A) 特開 昭63−299347(JP,A) 特開 昭63−272049(JP,A) 特開 昭63−174319(JP,A) 特開 昭62−229973(JP,A) 特開 昭62−206852(JP,A) 特開 昭52−30392(JP,A) 特許3018383(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/285 301 H01L 21/285 C23C 14/40 C23C 16/30 H01L 21/768
Claims (2)
- 【請求項1】 基板上に導電層とプラグ形成層とを絶縁
膜を介して形成し、前記絶縁膜に形成した接続孔を通し
て前記導電層と前記プラグ形成層とを接続する工程を備
えた半導体装置の形成方法であって、前記接続孔および前記絶縁膜を覆って、前記基板にRF
バイアスを印加しつつプラズマ励起化学的気相成長法に
より高融点金属膜を形成する第1の工程と、 連続的に前記高融点金属膜を覆って、前記基板にRFバ
イアスを印加しつつプラズマ励起化学的気相成長法によ
り高融点金属酸窒化膜を均一な膜厚で形成する第2の工
程と、 前記高融点金属酸窒化膜を覆って、前記接続孔を埋め込
むごとくプラグ形成層を形成する第3の工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の形成方法。 - 【請求項2】 基板上に導電層とプラグ形成層とを絶縁
膜を介して形成し、前記絶縁膜に形成した接続孔を通し
て前記導電層と前記プラグ形成層とを接続する工程を備
えた半導体装置の形成方法であって、 前記接続孔および前記絶縁膜を覆って、前記基板にRF
バイアスを印加しつつプラズマ励起化学的気相成長法に
より高融点金属膜を形成する第1の工程と、 連続的に前記高融点金属膜を覆って、前記基板にRFバ
イアスを印加しつつプラズマ励起化学的気相成長法によ
り高融点金属窒化膜を均一な膜厚で形成する第2の工程
と、 前記高融点金属窒化膜を覆って、前記接続孔を埋め込む
ごとくプラグ形成層を形成する第3の工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30102891A JP3211290B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 半導体装置の形成方法 |
US08/283,253 US6306765B1 (en) | 1991-10-21 | 1994-07-29 | Method for the formation of thin films for use as a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30102891A JP3211290B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 半導体装置の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05114581A JPH05114581A (ja) | 1993-05-07 |
JP3211290B2 true JP3211290B2 (ja) | 2001-09-25 |
Family
ID=17891981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30102891A Expired - Fee Related JP3211290B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 半導体装置の形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6306765B1 (ja) |
JP (1) | JP3211290B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000021870A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP3473485B2 (ja) | 1999-04-08 | 2003-12-02 | 日本電気株式会社 | 薄膜抵抗体およびその製造方法 |
US20200312629A1 (en) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | Recarbon, Inc. | Controlling exhaust gas pressure of a plasma reactor for plasma stability |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5625960A (en) * | 1979-08-09 | 1981-03-12 | Mitsubishi Metal Corp | Surface-coated high speed steel material for cutting tool |
SE453265B (sv) * | 1983-02-14 | 1988-01-25 | Vni Instrument Inst | Skerverktyg med slitbestendig beleggning samt forfarande for framstellning av detta |
JPH0697660B2 (ja) * | 1985-03-23 | 1994-11-30 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜形成方法 |
DE3709066A1 (de) * | 1986-03-31 | 1987-10-01 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren zum erzeugen eines duennen metallfilms durch chemisches aufdampfen |
US4943450A (en) * | 1987-01-20 | 1990-07-24 | Gte Laboratories Incorporated | Method for depositing nitride-based composite coatings by CVD |
JP2552159B2 (ja) * | 1987-02-02 | 1996-11-06 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5203959A (en) * | 1987-04-27 | 1993-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave plasma etching and deposition method employing first and second magnetic fields |
GB2212974B (en) * | 1987-11-25 | 1992-02-12 | Fuji Electric Co Ltd | Plasma processing apparatus |
JPH0668152B2 (ja) * | 1988-01-27 | 1994-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成装置 |
JPH0215174A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-18 | Canon Inc | マイクロ波プラズマcvd装置 |
GB9105943D0 (en) * | 1991-03-20 | 1991-05-08 | Philips Nv | A method of manufacturing a semiconductor device |
US5427827A (en) * | 1991-03-29 | 1995-06-27 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Deposition of diamond-like films by ECR microwave plasma |
US5173327A (en) * | 1991-06-18 | 1992-12-22 | Micron Technology, Inc. | LPCVD process for depositing titanium films for semiconductor devices |
US5192589A (en) * | 1991-09-05 | 1993-03-09 | Micron Technology, Inc. | Low-pressure chemical vapor deposition process for depositing thin titanium nitride films having low and stable resistivity |
US5393565A (en) * | 1992-06-08 | 1995-02-28 | Fujitsu Limited | Method for deposition of a refractory metal nitride and method for formation of a conductive film containing a refractory metal nitride |
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