JP3202736U - レーザーダイオード用のパッケージ構造 - Google Patents
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Abstract
Description
100,200,300,400 レーザービーム
101,201,301,401 光軸
105 集光レンズ
110,210,310,410 レーザーダイオードチップ
118 接着剤
120,220 ホルダ
127,227 ピン
320,420 絶縁熱伝導基板
321,421 電子回路
322,422 絶縁熱伝導基板の表面
130,230,330,430 熱伝導基部
440 フォトダイオード
450 逆バイアス保護ダイオード
460 ESD保護ダイオード
411,412 レーザーダイオードの陽極、陰極の溶接点
313,314,413,414 レーザーダイオードの陽極、陰極の外部溶接点
216 導線
441,442 フォトダイオードの外部溶接点
270,470 位置決め孔
480 空隙
190,290 ホルダと熱伝導基部の接合面(断面A−A)
390,490 絶縁熱伝導基板と熱伝導基部との接合面(断面A’−A’)
191,391 外部放熱機構
192,292,392,492 主熱伝導基部面(熱伝導基部と外部放熱機構との接合面)
Claims (23)
- 電子回路を備えた絶縁熱伝導基板、
当該絶縁熱伝導基板の電子回路に装着されて、陽極及び陰極の溶接点を備え、当該電子回路を介して外部溶接点にそれぞれ接続されることで外部と電気接続されるレーザーダイオードチップ、及び
当該絶縁熱伝導基板の表面に装着されて、当該レーザーダイオードチップから生じた熱量を、当該絶縁熱伝導基板を介して伝導し放散するための熱伝導基部、を含み、
当該レーザーダイオードチップは当該絶縁熱伝導基板の側面から発光し、且つ、当該絶縁熱伝導基板と当該熱伝導基部との接合面の面積は、当該レーザーダイオードにおいて必要とされる効率に応じて調整され、接合面の面積が6〜5,000mm2とされる、レーザーダイオード用のパッケージ構造。 - 当該熱伝導基部と当該レーザーダイオードチップは、それぞれ当該絶縁熱伝導基板の異なる面に装着される、請求項1記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 当該熱伝導基部と当該レーザーダイオードチップは、当該絶縁熱伝導基板の同一面にそれぞれ装着され、当該熱伝導基部は、外部との電気接続に供するべく、当該レーザーダイオードの装着及び前記外部溶接点の露出に用いられる複数の空隙を備える、請求項1記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 当該絶縁熱伝導基板と当該熱伝導基部は一体的に重畳される、請求項1記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 当該絶縁熱伝導基板と当該熱伝導基部は、長方形、正方形又は不規則形状とされる、請求項1記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 当該レーザーダイオードチップは複数個が当該絶縁熱伝導基板に装着され、各レーザーダイオードチップがそれぞれ陽極と陰極を備え、当該電子回路を介して外部溶接点に接続されることで外部と電気接続される、請求項1記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- フォトダイオードを更に含み、当該フォトダイオードは当該絶縁熱伝導基板に装着され、当該レーザーダイオードチップの主発光方向の後方に配置されて、当該レーザーダイオードの光度を検知する、請求項1記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 当該絶縁熱伝導基板は、当該レーザーダイオードに対し並列接続され且つ逆方向に配置される逆バイアス保護ダイオードを更に含み、当該逆バイアス保護ダイオードは、当該レーザーダイオードの両極間に跨る逆方向電圧が所定値を越えた場合に導通して、当該レーザーダイオードを保護する、請求項1記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 当該絶縁熱伝導基板は、当該レーザーダイオードに対し並列配置されるESD保護ダイオードを更に含み、当該ESD保護ダイオードは、当該レーザーダイオードの両極間に印加された電圧が所定値を越えた場合に導通して、当該レーザーダイオードを保護する、請求項1記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 当該フォトダイオードは陽極及び陰極を備え、それぞれが別の外部溶接点に接続され、当該別の外部溶接点は、当該電子回路に配置されて外部と電気接続される、請求項7記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 当該熱伝導基部は、当該絶縁熱伝導基板に余分に配置される電子部品を収容するためのその他の複数の空隙を更に含む、請求項3記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 当該余分に配置される電子部品は、フォトダイオード、逆バイアス保護ダイオード及び/又はESD保護ダイオードである、請求項11記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 当該絶縁熱伝導基板は、セラミック基板、絶縁熱伝導グラファイト基板又はアルミニウム回路基板である、請求項1記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 当該熱伝導基部は、銅合金板、アルミニウム合金板、鉄合金板又はグラファイト熱導電板である、請求項1記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 当該セラミック基板は、窒化アルミニウム基板又は酸化アルミニウム基板である、請求項13記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 電子回路を備えた絶縁熱伝導基板、
当該電子回路に装着されて、陽極及び陰極の溶接点を備え、当該電子回路を介して外部溶接点にそれぞれ接続されることで外部と電気接続されるレーザーダイオードチップ、及び
当該絶縁熱伝導基板に平行な表面に装着されて、当該レーザーダイオードチップから生じた熱量を、当該絶縁熱伝導基板を介して伝導し放散するための熱伝導基部、を含み、
当該レーザーダイオードチップは当該絶縁熱伝導基板の側面から発光し、且つ、当該レーザーダイオードチップの光軸は、当該絶縁熱伝導基板の表面に略平行である、レーザーダイオード用のパッケージ構造。 - 当該熱伝導基部と当該レーザーダイオードチップは、それぞれ当該絶縁熱伝導基板の異なる面に装着される、請求項16記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 当該熱伝導基部と当該レーザーダイオードチップは、当該絶縁熱伝導基板の同一面にそれぞれ装着され、当該熱伝導基部は、外部との電気接続に供するべく、当該レーザーダイオードチップ及び/又はその他の電子部品の収容及び前記外部溶接点の露出に用いられる複数の空隙を備える、請求項16記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 当該レーザーダイオードチップは複数個が当該電子回路に装着され、各レーザーダイオードチップがそれぞれ陽極と陰極を備え、当該電子回路を介して外部溶接点に接続されることで外部と電気接続される、請求項16記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 当該レーザーダイオードチップの光軸と主熱伝導基部面との夾角は0〜180°である、請求項16記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- フォトダイオードを更に含み、当該フォトダイオードは当該レーザーダイオードチップの主発光方向の後方に配置されて、当該レーザーダイオードの光度を検知する、請求項16記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 当該レーザーダイオードに対し並列接続され且つ逆方向に配置される逆バイアス保護ダイオードを更に含み、当該逆バイアス保護ダイオードは、当該レーザーダイオードの両極間に跨る逆方向電圧が所定値を越えた場合に導通して、当該レーザーダイオードを保護する、請求項16記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
- 当該レーザーダイオードに対し並列配置されるESD保護ダイオードを更に含み、当該ESD保護ダイオードは、当該レーザーダイオードの両極間に印加された電圧が所定値を越えた場合に導通して、当該レーザーダイオードを保護する、請求項16記載のレーザーダイオード用のパッケージ構造。
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