JP3202073B2 - 光学的情報記録再生装置 - Google Patents
光学的情報記録再生装置Info
- Publication number
- JP3202073B2 JP3202073B2 JP25358692A JP25358692A JP3202073B2 JP 3202073 B2 JP3202073 B2 JP 3202073B2 JP 25358692 A JP25358692 A JP 25358692A JP 25358692 A JP25358692 A JP 25358692A JP 3202073 B2 JP3202073 B2 JP 3202073B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- edge
- light
- information
- optical
- optical axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光学的に検出可能な形
態で情報の記憶がなされた情報記録媒体についての光学
的情報記録再生装置に関するものである。
態で情報の記憶がなされた情報記録媒体についての光学
的情報記録再生装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、光学的情報記憶媒体の再生装置
は、図18(a)に示しているような構成が一般的であ
る。すなわち、半導体レーザ1からの出射光を、コリメ
ータレンズ2で平行光にして、ビームスプリッタ3を経
て対物レンズ4に導き、ディスク5上に微小スポットを
形成させ、同時に、図示されないオートフォーカッシン
グおよびオートトラッキング制御手段により、情報トラ
ック上に前記微小スポットを安定に走査させる。ここで
使用される前記光学的情報記憶媒体には、所定の厚みの
情報ビット列が形成されている。通常、この情報ビット
の厚みは、情報ビットの領域と、そうでない領域とで
は、その反射光の位相差が概略πとなるように設定して
ある。このため、微小スポットが情報ビット上にきた時
には、回折により反射光量が大きく低下する。したがっ
て、情報の検出系では、反射光の全光量の変化を再生信
号として得ている。すなわち、図18に示すように、情
報記憶媒体5からの反射光を対物レンズ4により受光
し、ビームスプリッタ3により検出系へ導き、集光レン
ズ15により光検出器16へ受光させて、電気信号へと
変換させる。図19には、このようにして得られた再生
信号が例示してある。図19(a)のように、情報ビッ
ト5a上を微小スポット14が移動すると、反射光量は
図19(b)のように変化し、情報ビット5aのエッジ
の付近で、急激に光量が変化する。この信号をスレショ
ールドレベルIt で2値化することにより、情報信号を
得ることができる。
は、図18(a)に示しているような構成が一般的であ
る。すなわち、半導体レーザ1からの出射光を、コリメ
ータレンズ2で平行光にして、ビームスプリッタ3を経
て対物レンズ4に導き、ディスク5上に微小スポットを
形成させ、同時に、図示されないオートフォーカッシン
グおよびオートトラッキング制御手段により、情報トラ
ック上に前記微小スポットを安定に走査させる。ここで
使用される前記光学的情報記憶媒体には、所定の厚みの
情報ビット列が形成されている。通常、この情報ビット
の厚みは、情報ビットの領域と、そうでない領域とで
は、その反射光の位相差が概略πとなるように設定して
ある。このため、微小スポットが情報ビット上にきた時
には、回折により反射光量が大きく低下する。したがっ
て、情報の検出系では、反射光の全光量の変化を再生信
号として得ている。すなわち、図18に示すように、情
報記憶媒体5からの反射光を対物レンズ4により受光
し、ビームスプリッタ3により検出系へ導き、集光レン
ズ15により光検出器16へ受光させて、電気信号へと
変換させる。図19には、このようにして得られた再生
信号が例示してある。図19(a)のように、情報ビッ
ト5a上を微小スポット14が移動すると、反射光量は
図19(b)のように変化し、情報ビット5aのエッジ
の付近で、急激に光量が変化する。この信号をスレショ
ールドレベルIt で2値化することにより、情報信号を
得ることができる。
【0003】また、光検出器16に、図18(b)に示
すように、トラック方向に光軸を通る分割線で2分割に
した2つの受光面16a,16bを有する光検出器16
を用いる場合、減算回路17によって、それぞれの受光
面の検出信号の差動をとることにより、情報ビットの先
行エッジおよび後行エッジにおいてピーク出力を与える
ようにして、エッジを検出する装置が、既に知られてい
る(例えば、特願昭58−83082号明細書に開
示)。
すように、トラック方向に光軸を通る分割線で2分割に
した2つの受光面16a,16bを有する光検出器16
を用いる場合、減算回路17によって、それぞれの受光
面の検出信号の差動をとることにより、情報ビットの先
行エッジおよび後行エッジにおいてピーク出力を与える
ようにして、エッジを検出する装置が、既に知られてい
る(例えば、特願昭58−83082号明細書に開
示)。
【0004】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、記
憶容量を増大する目的に沿うように、記憶媒体に対する
情報の書き込みを高密度化にした場合、上記従来例で
は、図20に示したように、微小スポット14の大きさ
よりも十分小さい情報ビットに対しては、反射光量の変
化が僅かであるために、安定な再生信号が得られないと
いう問題があった。また、前述したような2分割光検出
器の信号からの差をとった信号は、再生スポットが先行
エッジに差し掛かった場合と、後行エッジに差し掛かっ
た場合とで、再生信号のピーク位置がずれて、正確にエ
ッジを再生できない。
憶容量を増大する目的に沿うように、記憶媒体に対する
情報の書き込みを高密度化にした場合、上記従来例で
は、図20に示したように、微小スポット14の大きさ
よりも十分小さい情報ビットに対しては、反射光量の変
化が僅かであるために、安定な再生信号が得られないと
いう問題があった。また、前述したような2分割光検出
器の信号からの差をとった信号は、再生スポットが先行
エッジに差し掛かった場合と、後行エッジに差し掛かっ
た場合とで、再生信号のピーク位置がずれて、正確にエ
ッジを再生できない。
【0005】
【発明の目的】本発明は、上記事情に基いて成されたも
ので、光スポットよりも小さな情報ビットの再生を可能
にして、この再生に適応する情報記録媒体の記憶容量を
飛躍的に増大させることができるように工夫した光学的
情報記録再生装置を提供しようとするものである。
ので、光スポットよりも小さな情報ビットの再生を可能
にして、この再生に適応する情報記録媒体の記憶容量を
飛躍的に増大させることができるように工夫した光学的
情報記録再生装置を提供しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
光学的情報記録媒体の情報再生において、反射光軸上か
ら、光スポットの走査方向にずれた位置の反射光の一部
の光束を検出するエッジ検出手段を用いて、情報媒体上
の情報ビットの光スポット走査方向に対して、先行する
エッジおよび後行するエッジを検出する手段を設けるこ
とにより、それぞれのエッジ検出信号から再生信号を合
成して、情報再生を行うのである。
光学的情報記録媒体の情報再生において、反射光軸上か
ら、光スポットの走査方向にずれた位置の反射光の一部
の光束を検出するエッジ検出手段を用いて、情報媒体上
の情報ビットの光スポット走査方向に対して、先行する
エッジおよび後行するエッジを検出する手段を設けるこ
とにより、それぞれのエッジ検出信号から再生信号を合
成して、情報再生を行うのである。
【0007】
【実施例】図1は、本発明の特徴を最も良く表現したも
ので、同図において、符号1は光源であるところの半導
体レーザ、2は半導体レーザ1からの出射光を平行光束
にするコリメータレンズであり、この平行光束は、ビー
ムスプリッタ3を経て対物レンズ4により集光され、情
報記憶媒体5上に微小スポットを形成するのである。そ
して、上記微小スポットにおける情報記憶媒体5からの
反射光は、対物レンズ4により光学系に取り込まれ、そ
こで、ビームスプリッタ3へ入射し、検出光学系へと反
射される。この場合、上記検出光学系へ導かれた光束
は、ビームスプリッタ6により、2つの光束に分けら
れ、2つのエッジ検出光学系へ導かれる。上記エッジ検
出光学系は、集光レンズ7,9と光検出器8,10とエ
ッジ信号抽出回路11,12とから構成されるもので、
その動作は、詳しく後述する。そして、それぞれのエッ
ジ検出光学系からのエッジ抽出信号を加算器13にて合
成して情報再生信号を得るのである。
ので、同図において、符号1は光源であるところの半導
体レーザ、2は半導体レーザ1からの出射光を平行光束
にするコリメータレンズであり、この平行光束は、ビー
ムスプリッタ3を経て対物レンズ4により集光され、情
報記憶媒体5上に微小スポットを形成するのである。そ
して、上記微小スポットにおける情報記憶媒体5からの
反射光は、対物レンズ4により光学系に取り込まれ、そ
こで、ビームスプリッタ3へ入射し、検出光学系へと反
射される。この場合、上記検出光学系へ導かれた光束
は、ビームスプリッタ6により、2つの光束に分けら
れ、2つのエッジ検出光学系へ導かれる。上記エッジ検
出光学系は、集光レンズ7,9と光検出器8,10とエ
ッジ信号抽出回路11,12とから構成されるもので、
その動作は、詳しく後述する。そして、それぞれのエッ
ジ検出光学系からのエッジ抽出信号を加算器13にて合
成して情報再生信号を得るのである。
【0008】次に、本出願人が特願平3−195864
号明細書(91年7月9日出願)において開示したエッ
ジ検出法を、前述のエッジ検出光学系に応用した場合の
動作について、図2ないし図4を参照して具体的に説明
する。図2(a)には、情報記録媒体5の情報ビット面
5a上に光スポット14を照射させている様子が示して
あり、図2(b)には、ある特定の情報ビットのA−
A’間の断面が示されている。この情報ビットは、周辺
領域に対して入射光側に凸の構造をしている。なお、説
明の便宜上、光スポット14の走査方向に対して先行す
るエッジ(境界)を5s,後行するエッジを5eと定義
づけることにする。
号明細書(91年7月9日出願)において開示したエッ
ジ検出法を、前述のエッジ検出光学系に応用した場合の
動作について、図2ないし図4を参照して具体的に説明
する。図2(a)には、情報記録媒体5の情報ビット面
5a上に光スポット14を照射させている様子が示して
あり、図2(b)には、ある特定の情報ビットのA−
A’間の断面が示されている。この情報ビットは、周辺
領域に対して入射光側に凸の構造をしている。なお、説
明の便宜上、光スポット14の走査方向に対して先行す
るエッジ(境界)を5s,後行するエッジを5eと定義
づけることにする。
【0009】図3(a)は、情報ビットの後行するエッ
ジ5e上に光スポット14が位置した状態を模式化して
示している。ここで、情報ビットのエッジに相当する部
分である5eは、紙面に鉛直な方向に関して光スポット
より十分に長いものとし、高さhは、情報記憶媒体5の
透明基板の屈折率をn,半導体レーザ1の波長をλと想
定した時のほぼλ/4nとなっており、その反射光の位
相差はエッジの両側で180degとなる。また、B−
B’間には、対物レンズ4に相当する集光レンズが配置
されており、反射光は、平行光束となる。
ジ5e上に光スポット14が位置した状態を模式化して
示している。ここで、情報ビットのエッジに相当する部
分である5eは、紙面に鉛直な方向に関して光スポット
より十分に長いものとし、高さhは、情報記憶媒体5の
透明基板の屈折率をn,半導体レーザ1の波長をλと想
定した時のほぼλ/4nとなっており、その反射光の位
相差はエッジの両側で180degとなる。また、B−
B’間には、対物レンズ4に相当する集光レンズが配置
されており、反射光は、平行光束となる。
【0010】また、図3(b)は、集光レンズ4を通過
して平行光束となったところでの反射光の一般的な強度
分布を、その光軸を通る直線C−C’において示したも
のである。計算の数値の一例を示すと、n=1.5,λ
=780nm,h=0.13μm,対物レンズの焦点距
離5mm,開口数0.5とした場合、反射光の光束径は
約5mmとなる。また、C−C’における反射光の強度
分布は、高さの異なる2つのピーク位置をもち、その間
は、鋭く落ち込むディップ領域が存在する。このディッ
プの位置は、光軸から約0.5mmほど小さい方のピー
ク側にずれた位置Sで示される。この強度分布の計算
は、ヘルムホルツの波動方程式を解いたもので、数値解
析法として境界要素法(電子通信学会論文誌 198
6.6.6.:vol.J69−C:No.6:740
〜746参照)を用いた。
して平行光束となったところでの反射光の一般的な強度
分布を、その光軸を通る直線C−C’において示したも
のである。計算の数値の一例を示すと、n=1.5,λ
=780nm,h=0.13μm,対物レンズの焦点距
離5mm,開口数0.5とした場合、反射光の光束径は
約5mmとなる。また、C−C’における反射光の強度
分布は、高さの異なる2つのピーク位置をもち、その間
は、鋭く落ち込むディップ領域が存在する。このディッ
プの位置は、光軸から約0.5mmほど小さい方のピー
ク側にずれた位置Sで示される。この強度分布の計算
は、ヘルムホルツの波動方程式を解いたもので、数値解
析法として境界要素法(電子通信学会論文誌 198
6.6.6.:vol.J69−C:No.6:740
〜746参照)を用いた。
【0011】また、図4には、情報ビットに対して光ス
ポット14を走査して行く時の反射光の強度分布の変化
が示されている。図4(a)においては、光スポット1
3が情報ビットに全然、差し掛かっていない状態であ
り、同図(b)から(d)にかけて、先行エッジ5sに
差し掛かり、同図(e)では、再び、全然、差し掛らな
い状態となり、続いて、同図(f)〜(h)にかけて、
後行エッジ5eに差し掛かった状態になる。ここに示さ
れたように、先行エッジ5sまたは後行エッジ5eに差
し掛かった時に、ディップ領域が顕著となり、光軸に対
してずれる方向は、先行エッジと、後行エッジとで互い
に逆となる。そして、光スポットを走査させた時、この
ディップ領域における光強度の変化が最も激しい。した
がって、このディップ領域に対応した位置を受光するよ
うな受光素子を用いることにより、エッジ検出信号を取
り出すことが可能であることがわかる。
ポット14を走査して行く時の反射光の強度分布の変化
が示されている。図4(a)においては、光スポット1
3が情報ビットに全然、差し掛かっていない状態であ
り、同図(b)から(d)にかけて、先行エッジ5sに
差し掛かり、同図(e)では、再び、全然、差し掛らな
い状態となり、続いて、同図(f)〜(h)にかけて、
後行エッジ5eに差し掛かった状態になる。ここに示さ
れたように、先行エッジ5sまたは後行エッジ5eに差
し掛かった時に、ディップ領域が顕著となり、光軸に対
してずれる方向は、先行エッジと、後行エッジとで互い
に逆となる。そして、光スポットを走査させた時、この
ディップ領域における光強度の変化が最も激しい。した
がって、このディップ領域に対応した位置を受光するよ
うな受光素子を用いることにより、エッジ検出信号を取
り出すことが可能であることがわかる。
【0012】このエッジ検出信号の抽出動作について
は、図5ないし図7を用いて具体的に説明する。図5
は、ディップ領域を検出するための光検出器8および1
0の受光面8aおよび10aを説明するためのものであ
る。ここでは、図1に示したように、ビームスプリッタ
6で反射光束を2つに分け、これらを集光レンズ7およ
び9で集光し、光検出器8および10に入射させる構成
となっているので、図3(b)で示した光強度分布の縮
小パターンが、受光素子上に入射光として与えられる。
この時、平行光束におけるディップ領域の光軸からのず
れ量Sは、受光素子上ではS’となる。したがって、光
検出器8および10の受光面は光軸からS’だけずれた
位置となっている訳である。
は、図5ないし図7を用いて具体的に説明する。図5
は、ディップ領域を検出するための光検出器8および1
0の受光面8aおよび10aを説明するためのものであ
る。ここでは、図1に示したように、ビームスプリッタ
6で反射光束を2つに分け、これらを集光レンズ7およ
び9で集光し、光検出器8および10に入射させる構成
となっているので、図3(b)で示した光強度分布の縮
小パターンが、受光素子上に入射光として与えられる。
この時、平行光束におけるディップ領域の光軸からのず
れ量Sは、受光素子上ではS’となる。したがって、光
検出器8および10の受光面は光軸からS’だけずれた
位置となっている訳である。
【0013】また、先行エッジ5sおよび後行エッジ5
eに対して、ディップ領域の光軸からのずれの方向は、
互いに逆となるので、先行エッジ5sの検出用に、受光
面8aが、後行エッジ5eの検出用に受光面10aが、
それぞれ、対応して形成される。このような受光面を持
つ光検出器8および10からの検出信号を説明したもの
が図6である。図6(a)は、情報ビットのパターン、
図6(b)は、光検出器8の出力信号であり、先行エッ
ジの時に鋭いディップ信号が得られる。また、図6
(d)は、光検出器10の出力信号であり、後行エッジ
の時に鋭いディップ信号が得られる。以上の2つの光検
出器8および10からの検出信号を、図7に示したエッ
ジ信号抽出回路において、基準電圧Lt に対して、コン
パレー11aおよび12bで2値化する。この信号が、
図6(c)および図6(e)である。ここで、図6
(c)は、図7のコンパレータ11aにおける出力信号
11cであり、図6(e)は、図7のコンパレータ12
aにおける出力信号12cであり、それぞれのコンパレ
ータが、先行エッジのみの検出信号、および、後行エッ
ジのみの検出信号を出力させることが可能となる。
eに対して、ディップ領域の光軸からのずれの方向は、
互いに逆となるので、先行エッジ5sの検出用に、受光
面8aが、後行エッジ5eの検出用に受光面10aが、
それぞれ、対応して形成される。このような受光面を持
つ光検出器8および10からの検出信号を説明したもの
が図6である。図6(a)は、情報ビットのパターン、
図6(b)は、光検出器8の出力信号であり、先行エッ
ジの時に鋭いディップ信号が得られる。また、図6
(d)は、光検出器10の出力信号であり、後行エッジ
の時に鋭いディップ信号が得られる。以上の2つの光検
出器8および10からの検出信号を、図7に示したエッ
ジ信号抽出回路において、基準電圧Lt に対して、コン
パレー11aおよび12bで2値化する。この信号が、
図6(c)および図6(e)である。ここで、図6
(c)は、図7のコンパレータ11aにおける出力信号
11cであり、図6(e)は、図7のコンパレータ12
aにおける出力信号12cであり、それぞれのコンパレ
ータが、先行エッジのみの検出信号、および、後行エッ
ジのみの検出信号を出力させることが可能となる。
【0014】また、図6(f)は、同図(c)および
(e)の信号を、図7における加算器13により加算し
た結果の信号13aを示したもので、これが、先行エッ
ジおよび後行エッジのエッジ信号をもつ、エッジ抽出信
号となる。これを情報再生信号とするためには、上記エ
ッジ抽出信号を、図示されない微分回路およびゼロクロ
ス検出回路を通して、処理する必要がある。以上のよう
な動作を経て、エッジ検出を行うことにより、光スポッ
トよりも小さい情報ビットの再生が可能となるのであ
る。
(e)の信号を、図7における加算器13により加算し
た結果の信号13aを示したもので、これが、先行エッ
ジおよび後行エッジのエッジ信号をもつ、エッジ抽出信
号となる。これを情報再生信号とするためには、上記エ
ッジ抽出信号を、図示されない微分回路およびゼロクロ
ス検出回路を通して、処理する必要がある。以上のよう
な動作を経て、エッジ検出を行うことにより、光スポッ
トよりも小さい情報ビットの再生が可能となるのであ
る。
【0015】また、本発明は、上記実施例において、情
報ビットの高さが概略λ/4nである場合について説明
したが、これと異なる高さの場合にも適用可能である。
すなわち、本出願人が特願平3−195864号明細書
に開示したように、エッジ部の高さに応じて、ディップ
の位置を求めることが可能なのである。
報ビットの高さが概略λ/4nである場合について説明
したが、これと異なる高さの場合にも適用可能である。
すなわち、本出願人が特願平3−195864号明細書
に開示したように、エッジ部の高さに応じて、ディップ
の位置を求めることが可能なのである。
【0016】その計算例が図8ないし図11に示されて
いる。図8には、図3の場合と同様に、エッジ部151
に光スポット135を、その光軸中心を一致して、照射
している状態が表わされている。ここではエッジの高さ
155をhとする。図9(A)ないし(D)、図10
(A)ないし(D)は、エッジからの反射光の反射角度
に対する光強度分布を、いろいろな高さhについて計算
した結果を示している。高さhが、その時の波長をλと
した場合、1/8λ〜8/8λまで変えると、ディップ
の現われる角度が変わる。これをまとめて示したものが
図11である。これは、前述した実施例では、図11の
401−3に相当する。ここでは、極小値の位置は、角
度表示されているので、本発明を実施する場合には、対
物レンズの焦点距離をf’,極小値の角度方向をθとす
ると、平行光束の光軸中心からのずれSは、 S=f’sin(θ−90) となる。この値を、いろいろなエッジ高さhに適用する
ことにより、図5における受光面の、光軸からのずれ量
S’を求めることができる。
いる。図8には、図3の場合と同様に、エッジ部151
に光スポット135を、その光軸中心を一致して、照射
している状態が表わされている。ここではエッジの高さ
155をhとする。図9(A)ないし(D)、図10
(A)ないし(D)は、エッジからの反射光の反射角度
に対する光強度分布を、いろいろな高さhについて計算
した結果を示している。高さhが、その時の波長をλと
した場合、1/8λ〜8/8λまで変えると、ディップ
の現われる角度が変わる。これをまとめて示したものが
図11である。これは、前述した実施例では、図11の
401−3に相当する。ここでは、極小値の位置は、角
度表示されているので、本発明を実施する場合には、対
物レンズの焦点距離をf’,極小値の角度方向をθとす
ると、平行光束の光軸中心からのずれSは、 S=f’sin(θ−90) となる。この値を、いろいろなエッジ高さhに適用する
ことにより、図5における受光面の、光軸からのずれ量
S’を求めることができる。
【0017】図12および図13は、本発明の第2の実
施例を説明する図である。既に、ず4で説明したよう
に、光スポット14が、エッジに差し掛かった時、最も
鋭いディップが生じるわけであるが、同時に、このディ
ップ位置の軸を境として、両側の光量差が最も大きくな
ることがわかる。したがって、図12に示したように、
光軸から、S”だけずれた位置に分割線を有する2分割
された受光面8b,8cおよび10b,10cをもつ光
検出器8および10を用いることで、それぞれの受光面
から2分割信号を得て、これを図13の減算器11c,
12cで差分することで、丁度、図6(b)および
(d)に相当する信号を得ることになる。したがって、
図13に示した、コンパレータ11a,12a,加算器
13からなるエッジ信号抽出回路により、エッジ抽出信
号を得ることが可能である。
施例を説明する図である。既に、ず4で説明したよう
に、光スポット14が、エッジに差し掛かった時、最も
鋭いディップが生じるわけであるが、同時に、このディ
ップ位置の軸を境として、両側の光量差が最も大きくな
ることがわかる。したがって、図12に示したように、
光軸から、S”だけずれた位置に分割線を有する2分割
された受光面8b,8cおよび10b,10cをもつ光
検出器8および10を用いることで、それぞれの受光面
から2分割信号を得て、これを図13の減算器11c,
12cで差分することで、丁度、図6(b)および
(d)に相当する信号を得ることになる。したがって、
図13に示した、コンパレータ11a,12a,加算器
13からなるエッジ信号抽出回路により、エッジ抽出信
号を得ることが可能である。
【0018】なお、ここで、前述した分割線を光軸上に
もってきた場合には、光量分布が光軸を通るトラック方
向に垂直な直線に対して、対称性を有していないため
に、差分をとった信号は、明らかに、エッジ上でピーク
値を示さないことになる。
もってきた場合には、光量分布が光軸を通るトラック方
向に垂直な直線に対して、対称性を有していないため
に、差分をとった信号は、明らかに、エッジ上でピーク
値を示さないことになる。
【0019】図14には、本発明の第3の実施例を適用
した光学系の構成が示されている。ここでは、情報記憶
媒体として光磁気媒体21を用い、そのために、検出光
学系中に検光子としての偏光ビームスプリッタ20を用
い、光磁気成分であるP偏光のみを透過させ、光磁気媒
体21に入射させた直線偏光であるS偏光を反射させ
る。そして、Dに示す位置に配置した、図示されない、
光スポット位置サーボ用誤差検出光学系へと反射光を導
いている。なお、その他の光学系については、図1と同
様な光学素子について、同一符号を付して、その説明を
省略する。
した光学系の構成が示されている。ここでは、情報記憶
媒体として光磁気媒体21を用い、そのために、検出光
学系中に検光子としての偏光ビームスプリッタ20を用
い、光磁気成分であるP偏光のみを透過させ、光磁気媒
体21に入射させた直線偏光であるS偏光を反射させ
る。そして、Dに示す位置に配置した、図示されない、
光スポット位置サーボ用誤差検出光学系へと反射光を導
いている。なお、その他の光学系については、図1と同
様な光学素子について、同一符号を付して、その説明を
省略する。
【0020】図15(a)は、光磁気媒体21の磁化反
転部分に直線偏光(S偏光)を入射した時の様子を示し
たものである。同図において、光スポット22の半分は
上向き磁化の部分に、他の半分の領域は下向き磁化の部
分に照射している。良く知られているように、入射した
直線偏光は、磁気カー効果により、偏光面がわずかに回
転し、また、磁化の向きにより、その方向が反転する。
すなわち、S偏光が入射したとすると、新たにP偏光が
発生することになる。この様子が図15(b)に示して
ある。同図において、入射光の偏光方向は、符号23a
の方向であり、ここでは、磁気面を反射することにより
偏光面が回転し、符号23bまたは23cで示した偏光
となる。これらの偏光は、入射光23aと垂直な偏光成
分23dおよび23eを持つことが明らかで、これら偏
光成分は、互いに位相が180°だけずれたものとな
る。この点を言い換えれば、図15(a)において、エ
ッジを境界とした光スポット22の照射領域は、互いに
位相の180°違った位相物体として取り扱うことがで
きる。したがって、位相の点に注目すると、第1および
第2の実施例における情報ビットと全く同じ扱いをする
ことができる。
転部分に直線偏光(S偏光)を入射した時の様子を示し
たものである。同図において、光スポット22の半分は
上向き磁化の部分に、他の半分の領域は下向き磁化の部
分に照射している。良く知られているように、入射した
直線偏光は、磁気カー効果により、偏光面がわずかに回
転し、また、磁化の向きにより、その方向が反転する。
すなわち、S偏光が入射したとすると、新たにP偏光が
発生することになる。この様子が図15(b)に示して
ある。同図において、入射光の偏光方向は、符号23a
の方向であり、ここでは、磁気面を反射することにより
偏光面が回転し、符号23bまたは23cで示した偏光
となる。これらの偏光は、入射光23aと垂直な偏光成
分23dおよび23eを持つことが明らかで、これら偏
光成分は、互いに位相が180°だけずれたものとな
る。この点を言い換えれば、図15(a)において、エ
ッジを境界とした光スポット22の照射領域は、互いに
位相の180°違った位相物体として取り扱うことがで
きる。したがって、位相の点に注目すると、第1および
第2の実施例における情報ビットと全く同じ扱いをする
ことができる。
【0021】また、図16は、光磁気記録において一般
的なP偏光とS偏光を干渉させ、同相成分除去のために
差動検出を行うための光学系を示したものである。同図
において、符号24はビームスプリッタであり、ここで
反射された光は、図示されないサーボ検出光学系Dへ導
かれる。そして、通過した光は、λ/2板25を通り、
その偏光面を45°回転し、偏光ビームスプリッタ20
に入射する。偏光ビームスプリッタ20を透過した光
は、符号6ないし13で既に示す構成のエッジ検出光学
系EおよびE’(図16参照)へと導かれ、そこで、そ
れぞれのエッジ検出信号の差動をとることにより、所望
のエッジ検出信号を得ることができる。
的なP偏光とS偏光を干渉させ、同相成分除去のために
差動検出を行うための光学系を示したものである。同図
において、符号24はビームスプリッタであり、ここで
反射された光は、図示されないサーボ検出光学系Dへ導
かれる。そして、通過した光は、λ/2板25を通り、
その偏光面を45°回転し、偏光ビームスプリッタ20
に入射する。偏光ビームスプリッタ20を透過した光
は、符号6ないし13で既に示す構成のエッジ検出光学
系EおよびE’(図16参照)へと導かれ、そこで、そ
れぞれのエッジ検出信号の差動をとることにより、所望
のエッジ検出信号を得ることができる。
【0022】図17は、本発明の第4の実施例を示すも
ので、ここでは、情報記録媒体上の情報ビットに、光ス
ポットが照射している状態が示されている。図17
(a)は、再生専用情報記録媒体や、光強度変調による
WORM(Writer Once ReadMaltiple )媒体や、消去
可能な媒体において、一般的な情報ビット31に再生用
光スポットが照射された状態を示しており、同図におい
て、光スポットが30aの位置にきた状態は、情報ビッ
ト31bの、先行するエッジに差し掛かった場合を、ま
た、光スポット30bの位置にきた状態は、情報ビット
31cの、後行するエッジに差し掛かった場合を表わ
す。前述した第1ないし第3の実施例においては、情報
ビットのエッジが直線である場合の再生を述べてきた
が、さらに厳密にエッジを再生する場合には、スポット
照射状態30aおよび30bにおいて、円弧状である情
報ビットのエッジについて、補正を行えばよい。すなわ
ち、先の実施例における光学系を用い、図5における受
光面8a、および、光軸からのずれS’を微調すること
により、あるいは、図12(a)および(b)における
分割線の光軸からのずれS’を微調することにより、上
記補正を行うことができる。一方、図17(b)は、情
報記録媒体として光磁気媒体を用い、高強度の光スポッ
トを照射しながら、外部印加磁界を高速に変調すること
による、いわゆる磁界変調記録方式により記録された情
報ビットについて示したものである。この場合も、図1
7(a)と同様に、図5におけるS’、あるいは、図1
2におけるS’の値を微調すれば良い。但し、先行エッ
ジと後行エッジの微調量は、図17(a)において同じ
方向に補正すれば良かったが、ここでは、互いに反対の
方向に補正する値をとることになる。このように、情報
ビットのエッジ形状に対応した補正を加えることによ
り、より正確な情報再生を行うことができる。
ので、ここでは、情報記録媒体上の情報ビットに、光ス
ポットが照射している状態が示されている。図17
(a)は、再生専用情報記録媒体や、光強度変調による
WORM(Writer Once ReadMaltiple )媒体や、消去
可能な媒体において、一般的な情報ビット31に再生用
光スポットが照射された状態を示しており、同図におい
て、光スポットが30aの位置にきた状態は、情報ビッ
ト31bの、先行するエッジに差し掛かった場合を、ま
た、光スポット30bの位置にきた状態は、情報ビット
31cの、後行するエッジに差し掛かった場合を表わ
す。前述した第1ないし第3の実施例においては、情報
ビットのエッジが直線である場合の再生を述べてきた
が、さらに厳密にエッジを再生する場合には、スポット
照射状態30aおよび30bにおいて、円弧状である情
報ビットのエッジについて、補正を行えばよい。すなわ
ち、先の実施例における光学系を用い、図5における受
光面8a、および、光軸からのずれS’を微調すること
により、あるいは、図12(a)および(b)における
分割線の光軸からのずれS’を微調することにより、上
記補正を行うことができる。一方、図17(b)は、情
報記録媒体として光磁気媒体を用い、高強度の光スポッ
トを照射しながら、外部印加磁界を高速に変調すること
による、いわゆる磁界変調記録方式により記録された情
報ビットについて示したものである。この場合も、図1
7(a)と同様に、図5におけるS’、あるいは、図1
2におけるS’の値を微調すれば良い。但し、先行エッ
ジと後行エッジの微調量は、図17(a)において同じ
方向に補正すれば良かったが、ここでは、互いに反対の
方向に補正する値をとることになる。このように、情報
ビットのエッジ形状に対応した補正を加えることによ
り、より正確な情報再生を行うことができる。
【0023】
【発明の効果】本発明は以上説明したように、光学的情
報記録媒体の情報再生において、反射光軸上から、光ス
ポットの走査方向にずれた位置の反射光の一部の光束を
検出するエッジ検出手段を用いて、情報媒体上の情報ビ
ットの光スポット走査方向に対して先行するエッジおよ
び後行するエッジを検出する手段を設けることにより、
それぞれのエッジ検出信号から再生信号を合成して情報
再生を行うので、光スポットよりも小さな情報ビットの
再生が可能となり、前記情報記憶媒体の記憶容量を飛躍
的に増大させることが可能となる。
報記録媒体の情報再生において、反射光軸上から、光ス
ポットの走査方向にずれた位置の反射光の一部の光束を
検出するエッジ検出手段を用いて、情報媒体上の情報ビ
ットの光スポット走査方向に対して先行するエッジおよ
び後行するエッジを検出する手段を設けることにより、
それぞれのエッジ検出信号から再生信号を合成して情報
再生を行うので、光スポットよりも小さな情報ビットの
再生が可能となり、前記情報記憶媒体の記憶容量を飛躍
的に増大させることが可能となる。
【図1】本発明の第1の実施例による再生光学系の構成
図である。
図である。
【図2】光スポットを情報ビットに照射させた状態を説
明する図である。
明する図である。
【図3】情報ビットのエッジからの反射光を説明する図
である。
である。
【図4】情報ビット上で光スポットを走査させた時の反
射光の変化を示す図である。
射光の変化を示す図である。
【図5】光検出器を説明する図である。
【図6】エッジ検出を説明する図である。
【図7】エッジ信号抽出回路図である。
【図8】所定高さのエッジに光スポットを照射させた状
態を説明する断面図である。
態を説明する断面図である。
【図9】エッジからの各方位における反射光の強度分布
特性を説明する図である。
特性を説明する図である。
【図10】エッジからの各方位における反射光の強度分
布特性を説明する図である。
布特性を説明する図である。
【図11】エッジからの各方位における反射光の強度分
布特性を説明する図である。
布特性を説明する図である。
【図12】第2の実施例における光検出器を説明する図
である。
である。
【図13】第2の実施例におけるエッジ信号抽出回路図
である。
である。
【図14】第3の実施例における再生光学系の構成図で
ある。
ある。
【図15】第3の実施例における情報ビットからの反射
光を説明する図である。
光を説明する図である。
【図16】第3の実施例における別の再生光学系の構成
図である。
図である。
【図17】第4の実施例における情報ビットを光スポッ
トの関係を説明する図である。
トの関係を説明する図である。
【図18】従来の再生光学系の構成図である。
【図19】従来の再生光学系の構成図である。
【図20】従来の再生装置における情報ビットの再生信
号を説明する図である。
号を説明する図である。
1 半導体レーザ 4 対物レンズ 5 情報記憶媒体 8,10 光検出器 11,12 エッジ信号抽出回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 7/00 - 7/013 G11B 7/135
Claims (4)
- 【請求項1】 情報ビットである微小領域とそれ以外の
領域における反射光の位相が互いに異なるようにして情
報が記録された情報記憶媒体についての光学的情報再生
装置において、 前記情報ビットの光スポットの走査方向に対して先行す
るエッジのみを検出する手段を反射光の光軸上からずら
して配置し、後行するエッジのみを検出する手段を、前
記先行エッジ検出手段と前記光軸をはさんで反対側に配
置し、それぞれの検出出力信号から再生信号を合成して
情報再生を行うように構成したことを特徴とする光学的
情報記録再生装置。 - 【請求項2】 前記エッジ検出手段は、光軸上から前記
光スポットの走査方向にずれた位置に分割線を有する2
分割光検出器を含むことを特徴とする請求項1に記載の
光学的情報記録再生装置。 - 【請求項3】 前記情報記憶媒体は、光磁気記録媒体で
あることを特徴とする請求項1あるいは2に記載の光学
的情報記録再生装置。 - 【請求項4】 前記光検出器は、前記先行する情報ビッ
トのエッジを検出する手段におけるスポット走査方向の
配置位置の光軸からのズレ量と前記後行する情報ビット
のエッジを検出する手段におけるスポット走査方向の配
置位置の光軸からのズレ量とを僅かに異ならせて配置し
たことを特徴とする請求項2に記載の光学的情報記録再
生装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25358692A JP3202073B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 光学的情報記録再生装置 |
US08/570,251 US5610897A (en) | 1992-08-31 | 1995-12-11 | Optical information reproducing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25358692A JP3202073B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 光学的情報記録再生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0676298A JPH0676298A (ja) | 1994-03-18 |
JP3202073B2 true JP3202073B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=17253439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25358692A Expired - Fee Related JP3202073B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 光学的情報記録再生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3202073B2 (ja) |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP25358692A patent/JP3202073B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0676298A (ja) | 1994-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS61296535A (ja) | 光学式記録再生装置 | |
JP2007193894A (ja) | 光記録再生装置、光学ピックアップ及びトラッキングエラー信号検出方法 | |
JPH1116197A (ja) | 光ピックアップ及び光ピックアップの製造方法 | |
JP3202073B2 (ja) | 光学的情報記録再生装置 | |
JPH08306091A (ja) | 光ヘッド | |
US5777974A (en) | Optical head and magneto-optical reproducing apparatus using the same | |
JPS61220147A (ja) | 光学ヘツド | |
JP2840427B2 (ja) | 光ヘッド | |
JP2935375B2 (ja) | 光磁気記録再生装置 | |
JP3144587B2 (ja) | 光磁気情報再生装置 | |
JP2544639B2 (ja) | 光ピックアップ | |
EP0555037B1 (en) | Magneto-optical information recording/reproducing apparatus | |
JPH0696489A (ja) | 光磁気情報再生装置 | |
JPS61206947A (ja) | 同時消録型光磁気記録及び記録再生装置のピツクアツプ | |
JP3413496B2 (ja) | 光磁気情報再生装置 | |
JPH029024A (ja) | 光学式情報記録再生装置 | |
JP2939772B2 (ja) | 光学的情報記録再生装置 | |
JP3211484B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
JPH05266530A (ja) | 光ヘッド装置 | |
JPS6223373B2 (ja) | ||
JPH0740368B2 (ja) | 光学式情報記録再生装置 | |
JPS6149728B2 (ja) | ||
JPH0696491A (ja) | 光磁気情報再生装置 | |
JPH0676395A (ja) | 光磁気記録再生装置 | |
JP2005025809A (ja) | 光学的情報記録再生装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |