JP3200251B2 - 半導体装置およびそれに用いるエポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体装置およびそれに用いるエポキシ樹脂組成物Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は信頼性に優れた半導体
装置およびそれに用いるエポキシ樹脂組成物に関するも
のである。
装置およびそれに用いるエポキシ樹脂組成物に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】トランジスター、ＩＣおよびＬＳＩ等の
半導体素子は、従来セラミックパッケージ等によって封
止され、半導体装置化されていたが、最近では、コスト
および量産性の観点から、プラスチックパッケージを用
いた樹脂封止が主流になっている。
半導体素子は、従来セラミックパッケージ等によって封
止され、半導体装置化されていたが、最近では、コスト
および量産性の観点から、プラスチックパッケージを用
いた樹脂封止が主流になっている。
【０００３】しかしながら、半導体分野の技術革新によ
って集積度の向上と共に素子サイズの大型化、配線の微
細化が進み、パッケージも小型化、薄型化する傾向にあ
り、これに伴って封止樹脂に対してより以上の信頼性
（得られる半導体装置の熱応力の低減、耐湿信頼性およ
び耐熱衝撃試験に対する信頼性等）の向上が要求されて
いる。
って集積度の向上と共に素子サイズの大型化、配線の微
細化が進み、パッケージも小型化、薄型化する傾向にあ
り、これに伴って封止樹脂に対してより以上の信頼性
（得られる半導体装置の熱応力の低減、耐湿信頼性およ
び耐熱衝撃試験に対する信頼性等）の向上が要求されて
いる。
【０００４】特に近年、半導体素子サイズは益々大型化
する傾向にあり、封止樹脂の性能評価用の加速試験であ
る熱サイクル試験（ＴＣＴテスト）性能のさらなる向上
が要求されている。また、半導体パッケージの実装方法
として表面実装が主流となってきており、このために半
導体パッケージを吸湿させた上で半田溶融液に浸漬して
も封止樹脂にクラックやふくれが発生しないという特性
が要求されている。
する傾向にあり、封止樹脂の性能評価用の加速試験であ
る熱サイクル試験（ＴＣＴテスト）性能のさらなる向上
が要求されている。また、半導体パッケージの実装方法
として表面実装が主流となってきており、このために半
導体パッケージを吸湿させた上で半田溶融液に浸漬して
も封止樹脂にクラックやふくれが発生しないという特性
が要求されている。
【０００５】これに関して、従来から、ＴＣＴテストで
評価される各特性の向上のために、封止樹脂の熱応力を
低減させること、また、半田浸漬時の耐クラック性の向
上のためにリードフレームとの密着性の向上等が検討さ
れてきた。さらにこの他、低粘度樹脂使用により充填剤
含有量を増やし、低線膨張係数化、低吸湿化による上記
両特性改善の検討がなされてきたが、その効果はいまだ
充分ではない。
評価される各特性の向上のために、封止樹脂の熱応力を
低減させること、また、半田浸漬時の耐クラック性の向
上のためにリードフレームとの密着性の向上等が検討さ
れてきた。さらにこの他、低粘度樹脂使用により充填剤
含有量を増やし、低線膨張係数化、低吸湿化による上記
両特性改善の検討がなされてきたが、その効果はいまだ
充分ではない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、これま
での封止樹脂の改良だけでは、ＴＣＴテストや半田浸漬
時の耐クラック性の特性が充分でなかった。このために
上記の半導体素子サイズの大型化や表面実装化に対応で
きるように、封止樹脂の改良に加えて、新たな技術革新
が望まれている。
での封止樹脂の改良だけでは、ＴＣＴテストや半田浸漬
時の耐クラック性の特性が充分でなかった。このために
上記の半導体素子サイズの大型化や表面実装化に対応で
きるように、封止樹脂の改良に加えて、新たな技術革新
が望まれている。
【０００７】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、ＴＣＴテストで評価される各特性の向上およ
び半田溶融液浸漬時の耐クラック性に優れた半導体装置
およびそれに用いるエポキシ樹脂組成物の提供を目的と
する。
たもので、ＴＣＴテストで評価される各特性の向上およ
び半田溶融液浸漬時の耐クラック性に優れた半導体装置
およびそれに用いるエポキシ樹脂組成物の提供を目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）
成分を含有するエポキシ樹脂組成物を半導体素子／ダイ
ボンドプレート間の接着に使用し、なおかつ飽和吸水率
０．４重量％以下の封止樹脂を用いて半導体素子を封止
するという構成をとる。 （Ａ）化９、化１０および化１１より選ばれる少なくと
も一種を用いるエポキシ樹脂と化１２で表されるシリコ
ーン化合物を反応させて得られる反応物。
めに、この発明の半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）
成分を含有するエポキシ樹脂組成物を半導体素子／ダイ
ボンドプレート間の接着に使用し、なおかつ飽和吸水率
０．４重量％以下の封止樹脂を用いて半導体素子を封止
するという構成をとる。 （Ａ）化９、化１０および化１１より選ばれる少なくと
も一種を用いるエポキシ樹脂と化１２で表されるシリコ
ーン化合物を反応させて得られる反応物。
【化９】
【化１０】
【化１１】
【化１２】 （Ｂ）硬化剤。 （Ｃ）平均粒子径５μｍ以下の充填剤。
【０００９】すなわち、本発明者らは、ＴＣＴテストに
よって評価される各特性および半田浸漬時の耐クラック
特性を持つ半導体装置を得るために一連の研究を重ね
た。その結果、上記のような特殊なエポキシ樹脂組成物
をダイボンド剤に使用し、かつ飽和吸水率０．４重量％
以下の封止樹脂と組み合わせることによって、その相乗
作用でＴＣＴテストで評価される特性および半田浸漬時
の耐クラック特性の双方に極めて優れた半導体装置が得
られることを見出し、この発明に到達した。
よって評価される各特性および半田浸漬時の耐クラック
特性を持つ半導体装置を得るために一連の研究を重ね
た。その結果、上記のような特殊なエポキシ樹脂組成物
をダイボンド剤に使用し、かつ飽和吸水率０．４重量％
以下の封止樹脂と組み合わせることによって、その相乗
作用でＴＣＴテストで評価される特性および半田浸漬時
の耐クラック特性の双方に極めて優れた半導体装置が得
られることを見出し、この発明に到達した。
【００１０】上記（Ａ）成分において、エポキシ樹脂の
構造は化９、化１０あるいは化１１で表されるが、エポ
キシ樹脂全体のうち、これらの構造のエポキシ樹脂を合
計で５０重量％以上、好ましくは８０重量％以上含んで
いれば他のエポキシ樹脂を併用しても構わない。そのよ
うなエポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、お
よびナフトールノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられ
る。
構造は化９、化１０あるいは化１１で表されるが、エポ
キシ樹脂全体のうち、これらの構造のエポキシ樹脂を合
計で５０重量％以上、好ましくは８０重量％以上含んで
いれば他のエポキシ樹脂を併用しても構わない。そのよ
うなエポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、お
よびナフトールノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられ
る。
【００１１】またシリコーン化合物の構造は化１２で表
されるが、ｎ数は分子量が２００〜２００００、好まし
くは５００〜１００００の範囲になる数が好ましい。ま
た官能基当量は２００〜２００００、好ましくは３００
〜６０００の範囲になることが好ましい。シリコーン化
合物の粘度は１０００センチポアズ（２５℃）以下であ
ることが好ましく、さらに好ましくは２００センチポア
ズ（２５℃）以下である。
されるが、ｎ数は分子量が２００〜２００００、好まし
くは５００〜１００００の範囲になる数が好ましい。ま
た官能基当量は２００〜２００００、好ましくは３００
〜６０００の範囲になることが好ましい。シリコーン化
合物の粘度は１０００センチポアズ（２５℃）以下であ
ることが好ましく、さらに好ましくは２００センチポア
ズ（２５℃）以下である。
【００１２】さらにエポキシ樹脂とシリコーン化合物の
配合比は、シリコーン化合物がエポキシ樹脂１００部に
対して２０部から２５０部が好ましく、さらに好ましく
は５０部から２００部とすることであり、部数をｐ、官
能基当量ｑとしたときｐ／ｑ＜０．２とすることが望ま
しい。ｐ／ｑ＞０．２の場合、ゲル化する可能性がある
からである。
配合比は、シリコーン化合物がエポキシ樹脂１００部に
対して２０部から２５０部が好ましく、さらに好ましく
は５０部から２００部とすることであり、部数をｐ、官
能基当量ｑとしたときｐ／ｑ＜０．２とすることが望ま
しい。ｐ／ｑ＞０．２の場合、ゲル化する可能性がある
からである。
【００１３】上記エポキシ樹脂とシリコーン化合物の反
応は例えば以下の方法で行う。 （１）エポキシ樹脂およびシリコーン化合物がともに可
溶な有機溶剤（例えばメチルイソブチルケトン／キシレ
ン混合溶液）にエポキシ樹脂の全部または一部を溶か
す。 （２）１００℃〜１５０℃で加熱攪拌しながら徐々にシ
リコーン化合物を滴下する。 （３）そのまま５〜１５時間加熱攪拌を行い、既知の方
法で脱溶媒を行う。
応は例えば以下の方法で行う。 （１）エポキシ樹脂およびシリコーン化合物がともに可
溶な有機溶剤（例えばメチルイソブチルケトン／キシレ
ン混合溶液）にエポキシ樹脂の全部または一部を溶か
す。 （２）１００℃〜１５０℃で加熱攪拌しながら徐々にシ
リコーン化合物を滴下する。 （３）そのまま５〜１５時間加熱攪拌を行い、既知の方
法で脱溶媒を行う。
【００１４】（Ｂ）成分である硬化剤は特に制限するも
のではなく従来公知のものが用いられる。
のではなく従来公知のものが用いられる。
【００１５】例えば、フェノール樹脂系硬化剤として
は、フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック
樹脂、ビスフェノール型樹脂あるいはビフェノール樹脂
等が挙げられる。また、アミン系硬化剤としては、ジエ
チレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチル
アミノプロピルアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、
ベンジルジメチルアミン、メタフェニレンジアミン、ジ
アミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホ
ン、ジシアンジアミドあるいはメンタンジアミンキシリ
レン等が挙げられる。また、酸無水物系硬化剤として
は、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水ドデシルコハ
ク酸、無水ヘキサヒドロフタル酸および無水メチルナジ
ック酸等が挙げられる。この中でも分子中にアミノ基ま
たはフェノール基が存在することが好ましい。
は、フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック
樹脂、ビスフェノール型樹脂あるいはビフェノール樹脂
等が挙げられる。また、アミン系硬化剤としては、ジエ
チレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチル
アミノプロピルアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、
ベンジルジメチルアミン、メタフェニレンジアミン、ジ
アミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホ
ン、ジシアンジアミドあるいはメンタンジアミンキシリ
レン等が挙げられる。また、酸無水物系硬化剤として
は、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水ドデシルコハ
ク酸、無水ヘキサヒドロフタル酸および無水メチルナジ
ック酸等が挙げられる。この中でも分子中にアミノ基ま
たはフェノール基が存在することが好ましい。
【００１６】上記硬化剤の配合量は（Ａ）成分である反
応物のエポキシ当量に対して０．８〜１．２当量加える
のが好ましく、０．８８〜１．１２当量加えるのが更に
好ましい。
応物のエポキシ当量に対して０．８〜１．２当量加える
のが好ましく、０．８８〜１．１２当量加えるのが更に
好ましい。
【００１７】（Ｃ）成分である充填剤は特に限定するも
のではなく従来公知のものが用いられるが、銀またはシ
リカを使用するのが好ましい。また平均粒子径は５μｍ
以下が好ましく、２μｍ以下であることが更に好まし
い。これらの充填剤量は、エポキシ樹脂組成物全体、す
なわちダイボンド剤全体に対して、銀の場合は６０重量
％から９０重量％が好ましく、さらに好ましくは７０重
量％から８０重量％が好ましい。シリカを使用する場合
は、ダイボンド剤全体に対して３０重量％から６５重量
％が好ましく、更に好ましくは４０重量％から５５重量
％にするのがよい。
のではなく従来公知のものが用いられるが、銀またはシ
リカを使用するのが好ましい。また平均粒子径は５μｍ
以下が好ましく、２μｍ以下であることが更に好まし
い。これらの充填剤量は、エポキシ樹脂組成物全体、す
なわちダイボンド剤全体に対して、銀の場合は６０重量
％から９０重量％が好ましく、さらに好ましくは７０重
量％から８０重量％が好ましい。シリカを使用する場合
は、ダイボンド剤全体に対して３０重量％から６５重量
％が好ましく、更に好ましくは４０重量％から５５重量
％にするのがよい。
【００１８】この発明に用いられるダイボンド剤は、上
記（Ａ）〜（Ｃ）成分とを用いて得られるエポキシ樹脂
組成物であり、通常、ペースト状である。また、その使
用方法は、ダイボンダーを用いてダイボンドプレートに
塗布されるか、または、一旦フィルム状に加工して用い
られる。
記（Ａ）〜（Ｃ）成分とを用いて得られるエポキシ樹脂
組成物であり、通常、ペースト状である。また、その使
用方法は、ダイボンダーを用いてダイボンドプレートに
塗布されるか、または、一旦フィルム状に加工して用い
られる。
【００１９】また、本発明のダイボンド剤にはこれらの
（Ａ）〜（Ｃ）成分の他に硬化促進剤、保存剤、着色剤
あるいは安定剤などの成分を適宜加えてもよい。
（Ａ）〜（Ｃ）成分の他に硬化促進剤、保存剤、着色剤
あるいは安定剤などの成分を適宜加えてもよい。
【００２０】また、この発明に用いられる封止樹脂は飽
和吸水率（８５℃／８５％）が０．４重量％以下のもの
であれば特に限定されるものではないが、封止樹脂にお
ける主剤と硬化剤の組み合わせにより、すなわち〔化１
３と化１４〕、〔化１５と化１６〕、〔化１７と化１
８〕および〔化１９と化２０〕の組み合わせ、かつシリ
カ充填剤量が封止樹脂全体の８０重量％以上であるもの
が挙げられる。特に好ましくは、上記の組合せで、シリ
カ充填剤量が８４重量％以上のものである。なお封止樹
脂の飽和吸水率は、厚さ１ｍｍ、直径４０ｍｍの円盤状
成型物を作製し、恒温恒湿器を用い８５℃／８５％の条
件で３３６時間後の吸水量から求めたものである。
和吸水率（８５℃／８５％）が０．４重量％以下のもの
であれば特に限定されるものではないが、封止樹脂にお
ける主剤と硬化剤の組み合わせにより、すなわち〔化１
３と化１４〕、〔化１５と化１６〕、〔化１７と化１
８〕および〔化１９と化２０〕の組み合わせ、かつシリ
カ充填剤量が封止樹脂全体の８０重量％以上であるもの
が挙げられる。特に好ましくは、上記の組合せで、シリ
カ充填剤量が８４重量％以上のものである。なお封止樹
脂の飽和吸水率は、厚さ１ｍｍ、直径４０ｍｍの円盤状
成型物を作製し、恒温恒湿器を用い８５℃／８５％の条
件で３３６時間後の吸水量から求めたものである。
【化１３】
【化１４】
【化１５】
【化１６】
【化１７】
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【００２１】このような封止樹脂を用いての半導体素子
の封止などは特に限定するものではなく、通常のトラン
スファー成形等の公知のモールド方法によって行うこと
ができる。
の封止などは特に限定するものではなく、通常のトラン
スファー成形等の公知のモールド方法によって行うこと
ができる。
【００２２】このようにして得られる半導体装置は、特
殊なダイボンド剤を用い、さらに吸湿特性の優れた封止
樹脂によって封止されているためＴＣＴテストで評価さ
れる特性が向上し、また半田浸漬時における優れた耐ク
ラック性を有している。
殊なダイボンド剤を用い、さらに吸湿特性の優れた封止
樹脂によって封止されているためＴＣＴテストで評価さ
れる特性が向上し、また半田浸漬時における優れた耐ク
ラック性を有している。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置
は、特殊なダイボンド剤および低吸湿性に優れた封止樹
脂が使われているため、ＴＣＴテストにおいて評価され
る特性が向上し、長寿命となる。また、吸湿後、半田溶
融液に浸漬しても、半導体装置の封止樹脂のクラックの
発生が防止される。従って、上記ダイボンド剤と封止樹
脂を併用して用いた８ピン以上、特に１６ピン以上の、
もしくは半導体素子の長辺の長さが４ｍｍ以上の大型の
半導体装置は、高い信頼性が得られるようになる。
は、特殊なダイボンド剤および低吸湿性に優れた封止樹
脂が使われているため、ＴＣＴテストにおいて評価され
る特性が向上し、長寿命となる。また、吸湿後、半田溶
融液に浸漬しても、半導体装置の封止樹脂のクラックの
発生が防止される。従って、上記ダイボンド剤と封止樹
脂を併用して用いた８ピン以上、特に１６ピン以上の、
もしくは半導体素子の長辺の長さが４ｍｍ以上の大型の
半導体装置は、高い信頼性が得られるようになる。
【００２４】
【実施例】次に実施例について比較例と合わせて説明す
る。先ず、実験に先立って以下の材料を準備した。 （１）「エポキシ樹脂Ａ」 化２１で表され、２５℃のＩＣＩ粘度が１１０ポアズで
あり、エポキシ当量１９０である。
る。先ず、実験に先立って以下の材料を準備した。 （１）「エポキシ樹脂Ａ」 化２１で表され、２５℃のＩＣＩ粘度が１１０ポアズで
あり、エポキシ当量１９０である。
【化２１】 （２）「エポキシ樹脂Ｂ」 化２２で表され、１５０℃のＩＣＩ粘度が０．２ポアズ
であり、エポキシ当量１９０である。
であり、エポキシ当量１９０である。
【化２２】 （３）「エポキシ樹脂Ｃ」 化２３で表され、２５℃のＩＣＩ粘度が８０ポアズであ
り、エポキシ当量１６５である。
り、エポキシ当量１６５である。
【化２３】 （４）「エポキシ樹脂Ｄ」 化２４で表され、１５０℃のＩＣＩ粘度が４ポアズであ
り、エポキシ当量１９５、又ｎは３〜８の整数である。
り、エポキシ当量１９５、又ｎは３〜８の整数である。
【化２４】
【００２５】（５）「硬化剤Ｅ」 化２５で表されるフェノール樹脂で、１５０℃のＩＣＩ
粘度が２．５ポアズであり、フェノール当量１７０、又
ｎは１〜３、ｍは１〜３の整数（ｎ＋ｍ＝２〜６の整
数）である。
粘度が２．５ポアズであり、フェノール当量１７０、又
ｎは１〜３、ｍは１〜３の整数（ｎ＋ｍ＝２〜６の整
数）である。
【化２５】 （６）「硬化剤Ｆ」 化２６で表されるアミン系樹脂で、２５℃のＩＣＩ粘度
が２２センチポアズであり、アミン当量２００、又ｎは
５〜６の整数である。
が２２センチポアズであり、アミン当量２００、又ｎは
５〜６の整数である。
【化２６】
【００２６】（７）「シリコーン化合物Ｇ」 化２７で表されるアミン末端シリコーン樹脂で、２５℃
のＩＣＩ粘度が２９センチポアズであり、アミン当量８
４０、またｎは８〜９の整数である。
のＩＣＩ粘度が２９センチポアズであり、アミン当量８
４０、またｎは８〜９の整数である。
【化２７】 （８）「シリコーン化合物Ｈ」 化２７で表されるアミン末端シリコーン樹脂で、２５℃
のＩＣＩ粘度が５４センチポアズであり、アミン当量１
５００、また、ｎは１７〜１８の整数である。
のＩＣＩ粘度が５４センチポアズであり、アミン当量１
５００、また、ｎは１７〜１８の整数である。
【００２７】以下に上記エポキシ樹脂と上記シリコーン
化合物との反応生成物を示す。 （９）「反応生成物Ｉ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ａと１００ｇのシリコーン化合
物Ｇを反応させて得られた反応生成物である。 （１０）「反応生成物Ｊ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ａと１０ｇのシリコーン化合物
Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１１）「反応生成物Ｋ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ａと１００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１２）「反応生成物Ｌ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ａと３００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１３）「反応生成物Ｍ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｂと１００ｇのシリコーン化合
物Ｇを反応させて得られた反応生成物である。 （１４）「反応生成物Ｎ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｂと１０ｇのシリコーン化合物
Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１５）「反応生成物Ｏ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｂと１００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１６）「反応生成物Ｐ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｂと３００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１７）「反応生成物Ｑ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｃと１００ｇのシリコーン化合
物Ｇを反応させて得られた反応生成物である。 （１８）「反応生成物Ｒ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｃと１０ｇのシリコーン化合物
Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１９）「反応生成物Ｓ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｃと１００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （２０）「反応生成物Ｔ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｃと３００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （２１）「反応生成物Ｕ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｄと１００ｇのシリコーン化合
物Ｇを反応させて得られた反応生成物である。 （２２）「反応生成物Ｖ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｄと１００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。
化合物との反応生成物を示す。 （９）「反応生成物Ｉ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ａと１００ｇのシリコーン化合
物Ｇを反応させて得られた反応生成物である。 （１０）「反応生成物Ｊ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ａと１０ｇのシリコーン化合物
Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１１）「反応生成物Ｋ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ａと１００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１２）「反応生成物Ｌ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ａと３００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１３）「反応生成物Ｍ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｂと１００ｇのシリコーン化合
物Ｇを反応させて得られた反応生成物である。 （１４）「反応生成物Ｎ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｂと１０ｇのシリコーン化合物
Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１５）「反応生成物Ｏ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｂと１００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１６）「反応生成物Ｐ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｂと３００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１７）「反応生成物Ｑ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｃと１００ｇのシリコーン化合
物Ｇを反応させて得られた反応生成物である。 （１８）「反応生成物Ｒ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｃと１０ｇのシリコーン化合物
Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１９）「反応生成物Ｓ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｃと１００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （２０）「反応生成物Ｔ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｃと３００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （２１）「反応生成物Ｕ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｄと１００ｇのシリコーン化合
物Ｇを反応させて得られた反応生成物である。 （２２）「反応生成物Ｖ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｄと１００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。
【００２８】以下にダイボンド剤に使用される充填剤を
示す。 （２３）「銀粉」 平均粒子径が１．３μｍ、純度は９８％である。 （２４）「銀粉」 平均粒子径が２５μｍ、純度は９９％である。 （２５）「シリカ」 平均粒子径が０．５μｍ、形状は球状である。 （２６）「シリカ」 平均粒子径が３μｍ、形状は球状である。 （２７）「シリカ」 平均粒子径が１０μｍ、形状は球状である。
示す。 （２３）「銀粉」 平均粒子径が１．３μｍ、純度は９８％である。 （２４）「銀粉」 平均粒子径が２５μｍ、純度は９９％である。 （２５）「シリカ」 平均粒子径が０．５μｍ、形状は球状である。 （２６）「シリカ」 平均粒子径が３μｍ、形状は球状である。 （２７）「シリカ」 平均粒子径が１０μｍ、形状は球状である。
【００２９】以下に硬化促進剤を示す。 （２８）「トリフェニルホスフィン」 ＴＰＰと略す。
【００３０】以下に封止樹脂を示す。 （２９）「ＭＰ７０００Ｈ 日東電工社製」 飽和吸水率が０．３５％、Ｔｇが１３０℃、弾性率は１
６７５ｋｇ／ｍｍ2 である。 （３０）「ＭＰ１５０ＳＧＣ 日東電工社製」 飽和吸水率 ０．４８％、Ｔｇ １５０℃、弾性率 １
２００ｋｇ／ｍｍ2 である。 （３１）「ＭＰ１０ＸＬ 日東電工社製」 飽和吸水率 ０．４８％、Ｔｇ １５０℃、弾性率 １
２００ｋｇ／ｍｍ2 である。
６７５ｋｇ／ｍｍ2 である。 （３０）「ＭＰ１５０ＳＧＣ 日東電工社製」 飽和吸水率 ０．４８％、Ｔｇ １５０℃、弾性率 １
２００ｋｇ／ｍｍ2 である。 （３１）「ＭＰ１０ＸＬ 日東電工社製」 飽和吸水率 ０．４８％、Ｔｇ １５０℃、弾性率 １
２００ｋｇ／ｍｍ2 である。
【００３１】次に準備した上記の材料を用い、ダイボン
ド剤を表１〜表４に示す割合で配合した。ダイボンド剤
は（３２）〜（６７）で示されている。なお、上記表内
に使用されているカッコの数字は、上記準備した材料の
カッコの数字に対応している。
ド剤を表１〜表４に示す割合で配合した。ダイボンド剤
は（３２）〜（６７）で示されている。なお、上記表内
に使用されているカッコの数字は、上記準備した材料の
カッコの数字に対応している。
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
【００３２】以上の表１〜表４のように配合されたダイ
ボンド剤を用いて８０ピンＱＦＰフレーム（ダイパッド
サイズ８×８ｍｍ）に半導体素子のダイボンドを行っ
た。
ボンド剤を用いて８０ピンＱＦＰフレーム（ダイパッド
サイズ８×８ｍｍ）に半導体素子のダイボンドを行っ
た。
【００３３】次に、これらの半導体素子を搭載した８０
ピンＱＦＰフレームを封止樹脂（２９）〜（３１）を用
いてトランスファー成型（条件：１７５℃×２分、圧力
５０ｋｇｆ／ｃｍ2 、１７５℃×５時間後硬化）するこ
とにより半導体装置を得た。この半導体装置は８０ピン
ＱＦＰ（サイズ２０×１４×２ｍｍ）である。
ピンＱＦＰフレームを封止樹脂（２９）〜（３１）を用
いてトランスファー成型（条件：１７５℃×２分、圧力
５０ｋｇｆ／ｃｍ2 、１７５℃×５時間後硬化）するこ
とにより半導体装置を得た。この半導体装置は８０ピン
ＱＦＰ（サイズ２０×１４×２ｍｍ）である。
【００３４】このようにして得られた半導体装置につい
て、−５０℃／５分〜１５０℃／５分のＴＣＴテストを
行った。また、８５℃／８５％相対湿度の恒温槽中にそ
れぞれ４８時間、９６時間、１２０時間放置して吸湿さ
せた後に、２６０℃の半田溶融液に１０秒間浸漬する試
験を行った。この結果を表５〜表１６に示した。
て、−５０℃／５分〜１５０℃／５分のＴＣＴテストを
行った。また、８５℃／８５％相対湿度の恒温槽中にそ
れぞれ４８時間、９６時間、１２０時間放置して吸湿さ
せた後に、２６０℃の半田溶融液に１０秒間浸漬する試
験を行った。この結果を表５〜表１６に示した。
【表５】
【表６】
【表７】
【表８】
【表９】
【表１０】
【表１１】
【表１２】
【表１３】
【表１４】
【表１５】
【表１６】
【００３５】上記表５〜表１６の結果から、実施例１〜
１８品（太線内部）のＴＣＴテストおよび半田溶融液へ
の浸漬時の耐クラック性〔すなわち、封止樹脂（２９）
とダイボンド剤（３７）〜（６４）の組み合わせ〕が従
来の組み合わせに較べて著しく優れていることが明らか
である。
１８品（太線内部）のＴＣＴテストおよび半田溶融液へ
の浸漬時の耐クラック性〔すなわち、封止樹脂（２９）
とダイボンド剤（３７）〜（６４）の組み合わせ〕が従
来の組み合わせに較べて著しく優れていることが明らか
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 執行 ひとみ 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−174744（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−275713（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/52,23/29,23/31 C08G 59/00 - 59/72 C08L 63/00
Claims (2)
- 【請求項１】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエ
ポキシ樹脂組成物を半導体素子／ダイボンドプレート間
の接着に使用し、なおかつ飽和吸水率０．４重量％以下
の封止樹脂を用いて封止された半導体装置。 （Ａ）化１、化２および化３より選ばれる少なくとも一
種を用いるエポキシ樹脂と化４で表されるシリコーン化
合物を反応させて得られる反応物。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 （Ｂ）硬化剤。 （Ｃ）平均粒子径５μｍ以下の充填剤。 - 【請求項２】 半導体素子／ダイボンドプレート間の接
着に用いられるエポキシ樹脂組成物であって、下記の
（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有することを特徴とするエポキ
シ樹脂組成物。 （Ａ）化５、化６および化７より選ばれる少なくとも一
種を用いるエポキシ樹脂と化８で表されるシリコーン化
合物を反応させて得られる反応物。 【化５】 【化６】 【化７】 【化８】 （Ｂ）硬化剤。 （Ｃ）平均粒子径５μｍ以下の充填剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19568893A JP3200251B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 半導体装置およびそれに用いるエポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19568893A JP3200251B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 半導体装置およびそれに用いるエポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750365A JPH0750365A (ja) | 1995-02-21 |
| JP3200251B2 true JP3200251B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=16345347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19568893A Expired - Fee Related JP3200251B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 半導体装置およびそれに用いるエポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3200251B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6607865B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-08-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Positive photosensitive resin composition |
| US8346150B2 (en) | 2009-04-21 | 2013-01-01 | Ricoh Company, Ltd. | Fixing device, image forming apparatus, and image forming method |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5482104B2 (ja) | 2009-09-15 | 2014-04-23 | 株式会社リコー | 定着装置及び画像形成装置 |
| JP4962554B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2012-06-27 | オムロン株式会社 | 一液性エポキシ樹脂組成物及びその利用 |
-
1993
- 1993-08-06 JP JP19568893A patent/JP3200251B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6607865B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-08-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Positive photosensitive resin composition |
| US8346150B2 (en) | 2009-04-21 | 2013-01-01 | Ricoh Company, Ltd. | Fixing device, image forming apparatus, and image forming method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0750365A (ja) | 1995-02-21 |
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