JP3194185B2 - 電磁波シールド成形品 - Google Patents
電磁波シールド成形品Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電磁波シールド成
形品に関する。ここで、電磁波シールドとは、電子機器
が、妨害電波を発生して周囲の機器に悪影響を及ぼすこ
とのないように、また、外部からの妨害電波に対して機
器が誤動作しないように電磁波を遮断することをいう
（斉藤省吾外３名編「電気・電子工学大百科事典第６
巻」（1983−10月）株式会社電気書院、p225-226参
照）。
形品に関する。ここで、電磁波シールドとは、電子機器
が、妨害電波を発生して周囲の機器に悪影響を及ぼすこ
とのないように、また、外部からの妨害電波に対して機
器が誤動作しないように電磁波を遮断することをいう
（斉藤省吾外３名編「電気・電子工学大百科事典第６
巻」（1983−10月）株式会社電気書院、p225-226参
照）。
【０００２】
【背景技術】昨今、携帯電話、ゲームウォッチ等の携帯
電子機器を一般人が持ち歩くようになってきている。こ
のため、病院の診断機器や交通機関の制御機器、さらに
は、心臓ペースメーカ等に内蔵されている電子機器が電
磁波障害（electro-magneticinterference;EMI)が社会
的問題になってきている。
電子機器を一般人が持ち歩くようになってきている。こ
のため、病院の診断機器や交通機関の制御機器、さらに
は、心臓ペースメーカ等に内蔵されている電子機器が電
磁波障害（electro-magneticinterference;EMI)が社会
的問題になってきている。
【０００３】しかし、従来、上記のような携帯電子機器
は、軽量化の見地からプラスチック製ハウジング（プラ
スチック成形品）に納められて製品化されている。この
ため、本来的には、電磁波のシールド効果（shielding
effect: SE) はほとんどない。
は、軽量化の見地からプラスチック製ハウジング（プラ
スチック成形品）に納められて製品化されている。この
ため、本来的には、電磁波のシールド効果（shielding
effect: SE) はほとんどない。
【０００４】このため、電磁波シールドをプラスチック
ハウジングに行なう方式としては、導電性プラスチック
成形材料でハウジングを成形する方法、ハウジングの表
面または裏面にアルミニウム蒸着等により導電性処理を
する方法等が考えられる（同p226参照）。
ハウジングに行なう方式としては、導電性プラスチック
成形材料でハウジングを成形する方法、ハウジングの表
面または裏面にアルミニウム蒸着等により導電性処理を
する方法等が考えられる（同p226参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記アルミニ
ウム蒸着単独では、ＭＦからＵＨＦの広い電磁波領域で
の電磁波シールド効果が十分ではないことが分かった。
ウム蒸着単独では、ＭＦからＵＨＦの広い電磁波領域で
の電磁波シールド効果が十分ではないことが分かった。
【０００６】本発明は、上記にかんがみて、広い周波数
領域での効率的な電磁波シールドが可能な電磁波シール
ド成形品を提供することを目的とする。
領域での効率的な電磁波シールドが可能な電磁波シール
ド成形品を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】 本発明に係る電磁波シ
ールド成形品は、上記課題を、プラスチック成形品の表
面側又は内側に、電磁波シールド能を有する複層構成の
金属蒸着膜が形成されている構成により解決するもので
ある。
ールド成形品は、上記課題を、プラスチック成形品の表
面側又は内側に、電磁波シールド能を有する複層構成の
金属蒸着膜が形成されている構成により解決するもので
ある。
【０００８】
【０００９】
【００１０】 更には、該金属蒸着膜の表面側に金属酸
化物蒸着膜が形成されており、前記金属酸化物蒸着膜が
酸化けい素であることが望ましい。
化物蒸着膜が形成されており、前記金属酸化物蒸着膜が
酸化けい素であることが望ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施形態を、図
例に基づいて詳細に説明をする。
例に基づいて詳細に説明をする。
【００１２】(1) 上位概念的にはプラスチック製の成形
品本体１２の表面側または内側に、電磁波シールド能を
有する金属蒸着膜１４ａ，１４ｂ，１４ｃが形成されて
いる。図例では、該金属蒸着膜１４の表面側に金属酸化
物蒸着膜１６が形成されている。
品本体１２の表面側または内側に、電磁波シールド能を
有する金属蒸着膜１４ａ，１４ｂ，１４ｃが形成されて
いる。図例では、該金属蒸着膜１４の表面側に金属酸化
物蒸着膜１６が形成されている。
【００１３】ここで、金属蒸着膜１４ａ，１４ｂ，１４
ｃは、シールド作用を奏し、金属酸化物蒸着膜１６は、
最外層の金属蒸着膜１４ｃの絶縁及び表面保護（酸化防
止と耐擦傷性・摩耗性の付与）のために形成する。金属
蒸着膜の構成によっては、また、成形品の使用環境によ
っては、必然的ではない。
ｃは、シールド作用を奏し、金属酸化物蒸着膜１６は、
最外層の金属蒸着膜１４ｃの絶縁及び表面保護（酸化防
止と耐擦傷性・摩耗性の付与）のために形成する。金属
蒸着膜の構成によっては、また、成形品の使用環境によ
っては、必然的ではない。
【００１４】例えば、Ａｌ最上層の場合、Ａｌの酸化保
護膜（Ａｌ2 Ｏ3 ）が形成され、実質的に金属酸化物層
が形成されるため、必然的ではない。
護膜（Ａｌ2 Ｏ3 ）が形成され、実質的に金属酸化物層
が形成されるため、必然的ではない。
【００１５】また、金属蒸着膜が表面に酸化保護膜が形
成されなくても、手等が接触せず耐摩耗性が要求されな
いような部位は、そのまま使用できる。
成されなくても、手等が接触せず耐摩耗性が要求されな
いような部位は、そのまま使用できる。
【００１６】更には、金属蒸着膜及び金属酸化物蒸着膜
のいずれが最上層であっても、表面を樹脂系塗料等で彩
色して、意匠性を高めることも勿論できる。
のいずれが最上層であっても、表面を樹脂系塗料等で彩
色して、意匠性を高めることも勿論できる。
【００１７】(2) ここで、成形品本体１２を構成するプ
ラスチック材料としては、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、ポリ
カーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチル
アクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリアセ
タール、ポリフェニレンオキサイド等の極性樹脂を好ま
しく使用できる。極性を有する金属蒸着膜との密着性の
見地からである。金属蒸着膜の形成に先立ち、プライマ
ー塗布をすれば、ポリプロピレン、ポリエチレン等の非
極性樹脂であってもよい。
ラスチック材料としては、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、ポリ
カーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチル
アクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリアセ
タール、ポリフェニレンオキサイド等の極性樹脂を好ま
しく使用できる。極性を有する金属蒸着膜との密着性の
見地からである。金属蒸着膜の形成に先立ち、プライマ
ー塗布をすれば、ポリプロピレン、ポリエチレン等の非
極性樹脂であってもよい。
【００１８】上記成形品本体としては、携帯電話、ポケ
ットベル、携帯パソコン、ゲームウォッチ等のハウジン
グや、機密保持用窓ガラス等を挙げることができる。
ットベル、携帯パソコン、ゲームウォッチ等のハウジン
グや、機密保持用窓ガラス等を挙げることができる。
【００１９】(3) ここで、金属蒸着膜１４ａ，１４ｂ，
１４ｃは、比抵抗（２０℃）が２０μΩ・ｃｍ以下でか
つ比抵抗が相互に１．５倍以上異なる金属の蒸着膜組み
合わせである複層構造が望ましい。２０μΩ・ｃｍを越
えると、シールド効率（ＳＥ）が低いためである。ま
た、金属蒸着膜として、２種以上の比抵抗が相互に１．
５倍以上（望ましくは２倍以上）異なる金属の組み合わ
せである複層構造とするのは、理由は断定できないが、
電波の吸収特性が異なるためである。
１４ｃは、比抵抗（２０℃）が２０μΩ・ｃｍ以下でか
つ比抵抗が相互に１．５倍以上異なる金属の蒸着膜組み
合わせである複層構造が望ましい。２０μΩ・ｃｍを越
えると、シールド効率（ＳＥ）が低いためである。ま
た、金属蒸着膜として、２種以上の比抵抗が相互に１．
５倍以上（望ましくは２倍以上）異なる金属の組み合わ
せである複層構造とするのは、理由は断定できないが、
電波の吸収特性が異なるためである。
【００２０】なお、図例では、金属蒸着膜１４ａ，１４
ｂ，１４ｃは、３層構成であるが、要求シールド能に応
じて、２層構成、更には４〜６層構成等であってもよ
い。構成層の数を多くすれば、より広い領域での電磁波
吸収特性が得易くなる。
ｂ，１４ｃは、３層構成であるが、要求シールド能に応
じて、２層構成、更には４〜６層構成等であってもよ
い。構成層の数を多くすれば、より広い領域での電磁波
吸収特性が得易くなる。
【００２１】 具体的には、金属蒸着膜の形成金属とし
て、第４周期５〜１１族の元素およびアルミニウムの内
から選択することが、蒸着のし易さ（密着性も含めて）
等の見地から望ましいが、下記例示の金属等でも勿論使
用可能であり、更には、２０μΩ・ｃｍを越えても、組
み合わせる他の金属として２０μΩ・ｃｍ以下のものを
使用すれば、Ｔｉ（５５μΩ・ｃｍ）でも使用可能であ
る。
て、第４周期５〜１１族の元素およびアルミニウムの内
から選択することが、蒸着のし易さ（密着性も含めて）
等の見地から望ましいが、下記例示の金属等でも勿論使
用可能であり、更には、２０μΩ・ｃｍを越えても、組
み合わせる他の金属として２０μΩ・ｃｍ以下のものを
使用すれば、Ｔｉ（５５μΩ・ｃｍ）でも使用可能であ
る。
【００２２】以下に、代表的な金属の２０℃における比
抵抗値を示す。単位は、μΩ・ｃｍである（同書、p10
参照）。
抵抗値を示す。単位は、μΩ・ｃｍである（同書、p10
参照）。
【００２３】Ａｇ：１．６、Ａｌ：２．６９、Ａｕ：
２．３、Ｃｄ：７．４、Ｃｏ：６．２４、Ｃｒ：１２．
９、Ｃｕ：１．６７、Ｆｅ：９．７１ Ｉｎ：９．０、Ｎｉ：６．８４、Ｚｎ：５．９２、好ま
しい組み合わせとしては、例えば、Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｌ、
Ｃｒ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ａｌ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｌ等を
挙げることができる。
２．３、Ｃｄ：７．４、Ｃｏ：６．２４、Ｃｒ：１２．
９、Ｃｕ：１．６７、Ｆｅ：９．７１ Ｉｎ：９．０、Ｎｉ：６．８４、Ｚｎ：５．９２、好ま
しい組み合わせとしては、例えば、Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｌ、
Ｃｒ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ａｌ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｌ等を
挙げることができる。
【００２４】また、複層構成の金属蒸着膜１４の各層厚
みは、０．０１〜０．５μｍ、望ましくは、０．０２〜
０．２μｍとし、合計厚みで、０．０２〜１．０μｍ、
望ましくは、０．０４〜０．４μｍとする。厚みが薄す
ぎると、シールド効果を得難く、厚すぎても、それ以上
のシールド効果を得難く、生産効率も低下する。
みは、０．０１〜０．５μｍ、望ましくは、０．０２〜
０．２μｍとし、合計厚みで、０．０２〜１．０μｍ、
望ましくは、０．０４〜０．４μｍとする。厚みが薄す
ぎると、シールド効果を得難く、厚すぎても、それ以上
のシールド効果を得難く、生産効率も低下する。
【００２５】上記蒸着膜の形成方法は、通常、コスト的
見地から真空蒸着によるが、スパッタリング、イオンプ
レーティング等であっても勿論よい。なお、真空蒸着の
条件は、通常、３×１０-5Torr（４×１０-3Pa) 以下
で、温度８０℃以下とする。
見地から真空蒸着によるが、スパッタリング、イオンプ
レーティング等であっても勿論よい。なお、真空蒸着の
条件は、通常、３×１０-5Torr（４×１０-3Pa) 以下
で、温度８０℃以下とする。
【００２６】(3) 金属酸化物蒸着膜１６を形成する金属
酸化物としては、ＳｉＯ2 、Ａｌ2Ｏ3等を挙げることが
できるが、ＳｉＯ2 等のケイ素酸化物が望ましい。
酸化物としては、ＳｉＯ2 、Ａｌ2Ｏ3等を挙げることが
できるが、ＳｉＯ2 等のケイ素酸化物が望ましい。
【００２７】金属酸化物蒸着膜の厚みは、０．０５〜
０．５μｍ、望ましくは０．０８〜０．３μｍとする。
０．０５μｍ以下では、絶縁効果及び表面保護効果が得
難く、０．５μｍを越えると、それ以上の絶縁効果及び
表面保護効果を期待できないとともに生産効率も低下す
る。
０．５μｍ、望ましくは０．０８〜０．３μｍとする。
０．０５μｍ以下では、絶縁効果及び表面保護効果が得
難く、０．５μｍを越えると、それ以上の絶縁効果及び
表面保護効果を期待できないとともに生産効率も低下す
る。
【００２８】 上記蒸着膜の形成方法は、上記、金属膜
の場合と同様、通常、コスト的見地から真空蒸着による
が、スパッタリング、イオンプレーティング等であって
も勿論よい。なお、真空蒸着の条件は、通常、３×１０
-5 Torr（４×１０-3Pa）以下で、温度８０℃以下とす
る。
の場合と同様、通常、コスト的見地から真空蒸着による
が、スパッタリング、イオンプレーティング等であって
も勿論よい。なお、真空蒸着の条件は、通常、３×１０
-5 Torr（４×１０-3Pa）以下で、温度８０℃以下とす
る。
【００２９】なお、金属酸化物蒸着膜１６の上にはシリ
コーン系等の樹脂ハード塗膜を形成してもよい。
コーン系等の樹脂ハード塗膜を形成してもよい。
【００３０】
【実施例】以下、本発明の効果を確認するために行った
実施例について説明する。
実施例について説明する。
【００３１】(1) ポリカーボネート基材（成形品本体：
厚み１．２mm）１２の上に、下記金属ないし金属酸化物
を用いて下記設定膜厚で、金属蒸着膜１４ａ，１４ｂ，
１４ｃを真空蒸着（条件：３×１０-5Torr、５０℃）に
より順次形成した。
厚み１．２mm）１２の上に、下記金属ないし金属酸化物
を用いて下記設定膜厚で、金属蒸着膜１４ａ，１４ｂ，
１４ｃを真空蒸着（条件：３×１０-5Torr、５０℃）に
より順次形成した。
【００３２】 第１層：Ｃｒ ０．０４μｍ 第２層：Ｎｉ ０．１３μｍ 第３層：Ａｌ ０．１５μｍ (2) 上記で得た電磁波シールド成形品について、電界及
び磁界におけるシール度をＫＥＣ法により測定した。な
お、測定機器は、スペクトラムアナライザーとして「Ｔ
Ｒ４１７２」（アドバンテスト社製商品名）及びシール
ド材評価器として「ＭＡ８６０２Ｂ」（アンリツ社製商
品名）を使用した。
び磁界におけるシール度をＫＥＣ法により測定した。な
お、測定機器は、スペクトラムアナライザーとして「Ｔ
Ｒ４１７２」（アドバンテスト社製商品名）及びシール
ド材評価器として「ＭＡ８６０２Ｂ」（アンリツ社製商
品名）を使用した。
【００３３】 測定結果を示す図２（電場）及び図３
（磁場）から、いずれも、広い周波数領域において良好
なシールド効果（減衰量）を示すことが分かる。即ち、
特に高周波数（１ＧＨｚ）側で、電場、磁場ともに、３
０ｄＢ以上の減衰量を示した。なお、成形品基材のみに
ついても、シールド効果を測定したが、全周波数領域
で、０ｄＢであり、全く遮蔽効果を示さなかった。
（磁場）から、いずれも、広い周波数領域において良好
なシールド効果（減衰量）を示すことが分かる。即ち、
特に高周波数（１ＧＨｚ）側で、電場、磁場ともに、３
０ｄＢ以上の減衰量を示した。なお、成形品基材のみに
ついても、シールド効果を測定したが、全周波数領域
で、０ｄＢであり、全く遮蔽効果を示さなかった。
【００３４】
【発明の作用・効果】本発明の電磁波シールド成形品
は、前述の実施例で支持される如く、広い周波数領域で
の効率的な電磁波シールドが可能となる。
は、前述の実施例で支持される如く、広い周波数領域で
の効率的な電磁波シールドが可能となる。
【図１】本発明の電磁波シールド成形品の層構造を示す
断面図
断面図
【図２】電界におけるシールド効果を示す減衰グラフ図
【図３】磁界におけるシールド効果を示す減衰グラフ図
１２ 成形品本体 １４ａ，１４ｂ，１４ｃ 金属蒸着膜 １６ 金属酸化物蒸着膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−177571（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−5699（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−232974（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−97097（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−133361（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−236976（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−87181（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 9/00
Claims (4)
- 【請求項１】 プラスチック成形品基材の表面側または
内側に、電磁波シールド能を有する複層構成の金属蒸着
膜が形成されてなる電磁波シールド成形品において、 前記金属蒸着膜が、前記プラスチック成形品基材側から
クロム、ニッケル、アルミニウムの順の３層の複層構成
であることを特徴とする電磁波シールド成形品。 - 【請求項２】 プラスチック成形品基材の表面側または
内側に、電磁波シールド能を有する複層構成の金属蒸着
膜が形成されてなる電磁波シールド成形品において、 前記金属蒸着膜が、前記プラスチック成形品基材側から
クロム、ニッケル、アルミニウムの順であって、さらに
クロム−ニッケル間又はニッケル−アルミニウム間に銅
層を有する４層の複層構成であることを特徴とする電磁
波シールド成形品。 - 【請求項３】 さらに前記金属蒸着膜の表面側に金属酸
化物蒸着膜が形成されていることを特徴とする請求項１
又は２に記載の電磁波シールド成形品。 - 【請求項４】 前記金属酸化物蒸着膜が酸化ケイ素であ
ることを特徴とする請求項３記載の電磁波シールド成形
品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27917097A JP3194185B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | 電磁波シールド成形品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27917097A JP3194185B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | 電磁波シールド成形品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121961A JPH11121961A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3194185B2 true JP3194185B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=17607431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27917097A Expired - Fee Related JP3194185B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | 電磁波シールド成形品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3194185B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19937284B4 (de) * | 1999-08-06 | 2008-10-30 | GfO Gesellschaft für Oberflächentechnik mbH | Elektrisch leitender Mehrschichtaufbau |
| DE602005025278D1 (de) * | 2005-01-26 | 2011-01-27 | Bosch Gmbh Robert | Mikrofon |
| KR100723410B1 (ko) | 2005-08-17 | 2007-05-30 | 삼성전자주식회사 | 자기정렬된 메탈쉴드를 구비한 저항성 탐침의 제조방법 |
| JP2008050047A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Orient Sokki Computer Kk | 携帯端末通信不能化装置 |
| JP5202377B2 (ja) * | 2008-04-21 | 2013-06-05 | 信越ポリマー株式会社 | カバーレイフィルムおよびフレキシブルプリント配線板 |
| JP5193903B2 (ja) * | 2009-02-26 | 2013-05-08 | 信越ポリマー株式会社 | カバーレイフィルム、フレキシブルプリント配線板および光トランシーバ |
| JP6397806B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2018-09-26 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5987181U (ja) * | 1982-12-01 | 1984-06-13 | 東京電子工業株式会社 | 電磁シ−ルドボツクス |
| JPS625699A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-12 | 株式会社 麗光 | 電磁波遮蔽性Ｃｕ薄膜 |
| JPH0297097A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電磁波シールド材 |
| JPH03232974A (ja) * | 1990-02-07 | 1991-10-16 | Fujitsu Ltd | プラスチック用シールド膜の形成方法 |
| JPH06177571A (ja) * | 1992-12-01 | 1994-06-24 | Fujitsu Kasei Kk | 電子機器用きょう体およびその製造方法 |
| JP2817891B2 (ja) * | 1993-11-08 | 1998-10-30 | 中外イングス株式会社 | 電磁波シールドプラスチック成形品の製造方法 |
| JPH08236976A (ja) * | 1995-02-23 | 1996-09-13 | Chiyuugai Ingusu Kk | 電磁波シールドプラスチック成形品 |
-
1997
- 1997-10-13 JP JP27917097A patent/JP3194185B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11121961A (ja) | 1999-04-30 |
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